Продукція > BY2
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BY2000 | Diotec Semiconductor | Description: DIODE STANDARD 2000V 3A DO201 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201 Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 2000 V | на замовлення 3400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY2000 | Diotec Semiconductor | Diode Switching 2KV 3A 2-Pin DO-201 Ammo | на замовлення 715 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY2000 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | BY2000-DIO THT universal diodes | на замовлення 9058 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY2000 | Diotec Semiconductor | Diode Switching 2KV 3A 2-Pin DO-201 Ammo | на замовлення 6800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY2000 | Diotec Semiconductor | Rectifier Diode Switching 2KV 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY2000 | Diotec Semiconductor | Diode Switching 2KV 3A 2-Pin DO-201 Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY2000 | Diotec Semiconductor | Description: DIODE STANDARD 2000V 3A DO201 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201 Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 2000 V | на замовлення 226 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY2000 | Diotec Semiconductor | Diode Switching 2KV 3A 2-Pin DO-201 Ammo | на замовлення 11087 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY2000 | Diotec Semiconductor | Rectifier Diode Switching 2KV 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY2000 | Diotec Semiconductor | Diode Switching 2KV 3A 2-Pin DO-201 Ammo | на замовлення 705 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY2000 Код товару: 105894
Додати до обраних
Обраний товар
| Vishay | Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні Корпус: DO-201 Uзвор., V: 2000 V Iвипр., A: 3 A Монтаж: THT | у наявності 159 шт: 76 шт - склад38 шт - РАДІОМАГ-Київ 45 шт - РАДІОМАГ-Дніпро очікується 30 шт: 30 шт - очікується |
| ||||||||||||||||||
| BY2000 | Diotec Semiconductor | Diode Switching 2KV 3A 2-Pin DO-201 Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY2000 | Diotec Semiconductor | Rectifiers Diode, DO-201, 2000V, 3A | на замовлення 3508 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY2000-CT | Diotec Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 2KV 3A DO201 Packaging: Strip Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201 Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 2 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY201 | 95/96/97 | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BY203-12 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BY203-12STAP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1200 Volt 0.25 Amp 20 Amp IFSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY203-12STAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 1.2KV 250MA SOD57 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 300 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 250mA Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.4 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 700 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY203-12STAP | Vishay | Rectifier Diode Switching 1.2KV 0.25A 300ns 2-Pin SOD-57 Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY203-12STR | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1200 Volt 0.25 Amp 20 Amp IFSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY203-12STR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 1.2KV 250MA SOD57 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 300 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 250mA Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.4 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 700 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY203-12STR | Vishay | Rectifier Diode Switching 1.2KV 0.25A 300ns 2-Pin SOD-57 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY203-16STAP | Vishay | Rectifier Diode Switching 1.6KV 0.25A 300ns 2-Pin SOD-57 Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY203-16STAP | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 1.6kV; 0.25A; Ammo Pack; Ifsm: 20A; SOD57 Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.6kV Load current: 0.25A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching Case: SOD57 Kind of package: Ammo Pack Reverse recovery time: 300ns Max. forward voltage: 2.4V Max. forward impulse current: 20A Leakage current: 2µA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY203-16STAP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1600 Volt 0.25 Amp 20 Amp IFSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY203-16STAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 1600V 250MA SOD57 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 300 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 250mA Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.4 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1000 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY203-16STR | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1600 Volt 0.25 Amp 20 Amp IFSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY203-16STR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 1600V 250MA SOD57 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 300 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 250mA Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.4 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1000 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY203-16STR | Vishay | Rectifier Diode Switching 1.6KV 0.25A 300ns 2-Pin SOD-57 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY203-20S-TR | Vishay | Diode Switching 2KV 0.25A 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY203-20S-TR | Vishay | Diode Switching 2KV 0.25A 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY203-20S-TR | Vishay | Diode Switching 2KV 0.25A 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY203-20S-TR | Vishay | Diode Switching 2KV 0.25A 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 4316 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY203-20S-TR | Vishay | Diode Switching 2KV 0.25A 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY203-20S-TR | Vishay | Diode Switching 2KV 0.25A 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 4316 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY203-20STAP | Vishay Semiconductor | Випрямний ультрашвидкий лавинноподібний діод вивідний; Ur, В = 1 200; Io, А = 0,25; If, A = 0,2; Uf (max), В = 2,4; I, мкА @ Ur, В = 2 @ 1200; trr, нс = 300; Тексп, °С = -55...+150; SOD-57 | на замовлення 10 шт: термін постачання 3 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY203-20STAP | Vishay | Diode Switching 2KV 0.25A 2-Pin SOD-57 Ammo | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY203-20STAP | Vishay | Diode Switching 2KV 0.25A 2-Pin SOD-57 Ammo | на замовлення 22028 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY203-20STAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 2000V 250MA SOD57 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 300 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 250mA Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.4 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V | на замовлення 4105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY203-20STAP | Vishay | Diode Switching 2KV 0.25A 2-Pin SOD-57 Ammo | на замовлення 22828 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY203-20STAP | Vishay | Diode Switching 2KV 0.25A 2-Pin SOD-57 Ammo | на замовлення 18151 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY203-20STAP | VISHAY | Description: VISHAY - BY203-20STAP - Diode mit Standard-Erholzeit, 2 kV, 250 mA, Einfach, 2.4 V, 300 ns, 20 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-57 Durchlassstoßstrom: 20A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 2.4V Sperrverzögerungszeit: 300ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BY203 productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 2kV Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 43526 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY203-20STAP | Vishay | Diode Switching 2KV 0.25A 2-Pin SOD-57 Ammo | на замовлення 30743 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY203-20STAP Код товару: 28539
Додати до обраних
Обраний товар
| Vishay | Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні Корпус: SOD-57 Uзвор., V: 2000 V Iвипр., A: 0,25 A Опис: Швидкий Падіння напруги Vf: 2,4 V | товару немає в наявності |
| ||||||||||||||||||
| BY203-20STAP | VISHAY | BY203-20STAP THT universal diodes | на замовлення 4996 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY203-20STAP | Vishay | Diode Switching 2KV 0.25A 2-Pin SOD-57 Ammo | на замовлення 28254 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY203-20STAP | Vishay | Diode Switching 2KV 0.25A 2-Pin SOD-57 Ammo | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY203-20STAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 2000V 250MA SOD57 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 300 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 250mA Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.4 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY203-20STAP | Vishay | Diode Switching 2KV 0.25A 2-Pin SOD-57 Ammo | на замовлення 28254 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY203-20STAP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 2000 Volt 0.25 Amp 20 Amp IFSM | на замовлення 39529 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY203-20STR | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 2kV; 250mA; Ifsm: 20A; SOD57; Ufmax: 2.4V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 2kV Load current: 0.25A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 20A Case: SOD57 Max. forward voltage: 2.4V Max. load current: 0.25A Leakage current: 2µA Reverse recovery time: 300ns | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY203-20STR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 2000V 250MA SOD57 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 300 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 250mA Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.4 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY203-20STR | Vishay Semiconductors | Rectifiers 2000 Volt 0.25 Amp 20 Amp IFSM | на замовлення 20584 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY203-20STR | Vishay | Diode Switching 2KV 0.25A 2-Pin SOD-57 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY203-20STR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 2000V 250MA SOD57 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 300 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 250mA Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.4 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V | на замовлення 43511 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY203-20STR(диод) Код товару: 54247
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BY203/20 Код товару: 56225
Додати до обраних
Обраний товар
| Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BY206GP-E3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STD 300V 400MA DO204AL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 400mA Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 300 V | на замовлення 8206 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY206GP-E3/54 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.0 Amp 350 Volt | на замовлення 5574 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY206GP-E3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STD 300V 400MA DO204AL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 400mA Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 300 V | на замовлення 5500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY206GP-E3/54 | VISHAY | Description: VISHAY - BY206GP-E3/54 - Diode mit Standard-Erholzeit, 350 V, 400 mA, Einfach, 1.5 V, 1 µs, 15 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL) Durchlassstoßstrom: 15A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.5V Sperrverzögerungszeit: 1µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 400mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BY206 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 350V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 18145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY206GP-E3/73 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GP 300V 400MA DO204AL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY206GP-E3/73 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.0 Amp 350 Volt | на замовлення 10144 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY206GPHE3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GP 300V 400MA DO204AL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY206GPHE3/73 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GP 300V 400MA DO204AL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY224 | PHILIPS | на замовлення 134 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BY224 | PHILIPS | SIP-4 | на замовлення 134 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY227MGP-E3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1.25KV 2A DO204AC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY227MGPHE3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1.25KV 2A DO204AC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY228 Код товару: 66877
Додати до обраних
Обраний товар
| NXP | Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні Корпус: SOD-64 Uзвор., V: 1500 V Iвипр., A: 3 A Монтаж: THT | товару немає в наявності |
| ||||||||||||||||||
| BY228 | NXP Semiconductors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BY228-13TAP | Vishay | Diode Switching 1KV 3A 2-Pin SOD-64 Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY228-13TAP | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 3A 20000ns 2-Pin SOD-64 Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY228-13TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1000V 3A SOD64 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: 140°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY228-13TAP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3.0 Amp 1300 Volt 50 Amp IFSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY228-13TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 3A 20000ns 2-Pin SOD-64 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY228-13TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1000V 3A SOD64 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: 140°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY228-13TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3.0 Amp 1300 Volt 50 Amp IFSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY228-15TAP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3.0 Amp 1500 Volt 50 Amp IFSM | на замовлення 17459 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY228-15TAP | Vishay | Diode Switching 1.2KV 3A 2-Pin SOD-64 Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY228-15TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1200V 3A SOD64 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: 140°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V | на замовлення 3391 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY228-15TAP | Vishay | Diode Switching 1.2KV 3A 2-Pin SOD-64 Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY228-15TAP | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; SOD64; 20us Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 50A Case: SOD64 Reverse recovery time: 20µs Max. forward voltage: 1.5V Leakage current: 140µA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY228-15TAP | Vishay | Diode Switching 1.2KV 3A 2-Pin SOD-64 Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY228-15TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1200V 3A SOD64 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: 140°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY228-15TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1200V 3A SOD64 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: 140°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY228-15TR | Vishay | Diode Switching 1.2KV 3A 2-Pin SOD-64 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY228-15TR | Vishay | Diode Switching 1.2KV 3A 2-Pin SOD-64 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY228-15TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1200V 3A SOD64 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: 140°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V | на замовлення 12809 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY228-15TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3.0 Amp 1500 Volt 50 Amp IFSM | на замовлення 32197 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY228-15TR | Vishay | Diode Switching 1.2KV 3A 2-Pin SOD-64 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY228G | Diotec Electronics | Standard Recovery Rectifiers | на замовлення 9646 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY228G | Diotec Semiconductor | Description: DIODE STANDARD 1500V 3A DO201 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201 Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1500 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1500 V | на замовлення 790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY228G | Diotec Semiconductor | Rectifiers Diode, DO-201, 1500V, 3A | на замовлення 75829 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY228G | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 1.5kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 100A; DO201 Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.5kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 100A Case: DO201 Reverse recovery time: 1.5µs Max. forward voltage: 1.1V Max. load current: 20A Leakage current: 5µA | на замовлення 9565 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY228G | Diotec Semiconductor | Випрямний діод вивідний; Io, A = 3; Uзвор, В = 1 500; Uf (max), В = 1,3; If, А = 3; Тексп, °C = -50...+150; I, мкА @ Ur, В = 5 @ 1500; DO-201 | на замовлення 140 шт: термін постачання 3 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY228G | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 1.5kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 100A; DO201 Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.5kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 100A Case: DO201 Reverse recovery time: 1.5µs Max. forward voltage: 1.1V Max. load current: 20A Leakage current: 5µA кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 9565 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY228G | Diotec Semiconductor | Diode, DO-201, 1500V, 3A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY228G | Diotec Semiconductor | Description: DIODE STANDARD 1500V 3A DO201 Packaging: Bulk Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201 Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1500 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1500 V | на замовлення 47600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY228G Код товару: 117012
Додати до обраних
Обраний товар
| Diotec | Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні Корпус: DO-201 Uзвор., V: 1500 V Iвипр., A: 3 A Опис: Випрямний Монтаж: THT Падіння напруги Vf: 1,3 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY228G | Diotec | Диод выпрямительный, 1,5кВ, 3А, DO201 | на замовлення 2 шт: термін постачання 5 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY228GP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 2.5A,1500V,SUPER RECT.DO-201AD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY228GP-E3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STD 1500V 2.5A DO201AD Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2.5A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1500 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 2.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1500 V | на замовлення 4805 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY228GP-E3/54 | Vishay | Diode Switching 1.5KV 2.5A 2-Pin DO-201AD T/R | на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY228GP-E3/54 | Vishay | Diode Switching 1.5KV 2.5A 2-Pin DO-201AD T/R | на замовлення 5600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY228GP-E3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STD 1500V 2.5A DO201AD Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2.5A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1500 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 2.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1500 V | на замовлення 4200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY228GP-E3/54 Код товару: 155570
Додати до обраних
Обраний товар
| Vishay | Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні Корпус: DO-201AD Uзвор., V: 1500 V Iвипр., A: 2,5 A Опис: Выпрямительный Монтаж: THT Падіння напруги Vf: 1,6 V | у наявності 295 шт: 2 шт - склад68 шт - РАДІОМАГ-Київ 157 шт - РАДІОМАГ-Харків 68 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
| ||||||||||||||||||
| BY228GP-E3/54 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 2.5 Amp 1500 Volt | на замовлення 19128 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY228GP-E3/54 | VISHAY | Description: VISHAY - BY228GP-E3/54 - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.5 kV, 2.5 A, Einfach, 1.6 V, 2 µs, 50 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-201AD Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.6V Sperrverzögerungszeit: 2µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2.5A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: SUPERECTIFIER productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 1.5kV Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 3441 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY228GP-E3/54 | Vishay | Diode Switching 1.5KV 2.5A 2-Pin DO-201AD T/R | на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY228GP-E3/54 | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 1.5kV; 2.5A; 13 inch reel; Ifsm: 50A; 20us Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.5kV Load current: 2.5A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated Kind of package: 13 inch reel Max. forward impulse current: 50A Case: DO201AD Reverse recovery time: 20µs Max. forward voltage: 1.6V Max. load current: 10A Leakage current: 0.2mA Capacitance: 40pF Quantity in set/package: 1400pcs. | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY228GP-E3/54 | Vishay | Diode Switching 1.5KV 2.5A 2-Pin DO-201AD T/R | на замовлення 1075 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY228GP-E3/73 | Vishay | Rectifier Diode Switching 1.5KV 2.5A 20000ns 2-Pin DO-201AD Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY228GP-E3/73 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 2.5A,1500V,SUPER RECT.DO-201AD | на замовлення 1087 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY228GP-E3/73 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STD 1500V 2.5A DO201AD Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 20 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2.5A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1500 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 2.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1500 V | на замовлення 952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY228GP-E3/73 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STD 1500V 2.5A DO201AD Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 20 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2.5A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1500 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 2.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1500 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY228GP-E3\54 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 2.5A,1500V,SUPERT,NOT FOR NEW DESIGN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY228GP-E3\73 | Vishay | Rectifiers 2.5A,1500V,SUPERT,NOT FOR NEW DESIGN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY228GPHE3/54 | Vishay | Rectifier Diode Switching 1.5KV 2.5A 20000ns Automotive 2-Pin DO-201AD T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY228GPHE3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STD 1500V 2.5A DO201AD Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 20 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2.5A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1500 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 2.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1500 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY228TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1500V 3A SOD64 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 20 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: 140°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1500 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1500 V | на замовлення 1505 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY228TAP Код товару: 38478
Додати до обраних
Обраний товар
| EIC | Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні Корпус: SOD-64 Uзвор., V: 1500 V Iвипр., A: 3 A Опис: демпферний діод Монтаж: THT Падіння напруги Vf: 1,5 V | у наявності 30 шт: 30 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
| ||||||||||||||||||
| BY228TAP | Vishay | Diode Switching 1.65KV 3A 2-Pin SOD-64 Ammo | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY228TAP | Vishay Semiconductor | Випрямний лавиноподібний діод вивідний; Io, A = 3; Uзвор, В = 1 500; Uf (max), В = 1,5; If, А = 5; trr, нс = 20 000; Тексп, °С = -55...+175; I, мкА @ Ur, В = 5 @ 1500; SOD-64 | на замовлення 836 шт: термін постачання 3 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY228TAP | VISHAY | Description: VISHAY - BY228TAP - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.65 kV, 3 A, Einfach, 1.5 V, 20 µs, 50 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-64 Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.5V Sperrverzögerungszeit: 20µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1.65kV Betriebstemperatur, max.: 140°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 15727 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY228TAP | Vishay | Diode Switching 1.65KV 3A 2-Pin SOD-64 Ammo | на замовлення 16087 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY228TAP | Vishay | Diode Switching 1.65KV 3A 2-Pin SOD-64 Ammo | на замовлення 12450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY228TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1500V 3A SOD64 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 20 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: 140°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1500 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1500 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY228TAP | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 1.5kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; SOD64; 20us Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.5kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 50A Case: SOD64 Reverse recovery time: 20µs | на замовлення 4203 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY228TAP | Vishay | Diode Switching 1.65KV 3A 2-Pin SOD-64 Ammo | на замовлення 9700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY228TAP | Vishay | Diode Switching 1.65KV 3A 2-Pin SOD-64 Ammo | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY228TAP | Vishay | Diode Switching 1.65KV 3A 2-Pin SOD-64 Ammo | на замовлення 9700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY228TAP | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 1.5kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; SOD64; 20us Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.5kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 50A Case: SOD64 Reverse recovery time: 20µs кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 4203 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY228TAP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3.0 Amp 1500 Volt 50 Amp IFSM | на замовлення 10795 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY228TAP | Vishay | Diode Switching 1.65KV 3A 2-Pin SOD-64 Ammo | на замовлення 4760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY228TR | Vishay | Diode Switching 1.65KV 3A 2-Pin SOD-64 T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY228TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1500V 3A SOD64 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 20 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: 140°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1500 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1500 V | на замовлення 15178 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY228TR | Vishay | Diode Switching 1.65KV 3A 2-Pin SOD-64 T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY228TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3.0 Amp 1500 Volt 50 Amp IFSM | на замовлення 2808 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY228TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 1500V 3A SOD64 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-64, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 20 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: SOD-64 Operating Temperature - Junction: 140°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1500 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1500 V | на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY228TR | Vishay | Diode Switching 1.65KV 3A 2-Pin SOD-64 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY228TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 1.65KV 3A 20000ns 2-Pin SOD-64 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229-1000R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BY229-200-E3 | Vishay Semiconductors | Diodes - General Purpose, Power, Switching `A,200V,145NS,FS PLASTIC RECT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229-200-E3/45 | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 8A 145ns 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229-200-E3/45 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 8.0 Amp 200 Volt | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229-200-E3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 200V 8A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 145 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229-200HE3 | Vishay Semiconductors | Diodes - General Purpose, Power, Switching 8A,200V,145NS,FS PLASTIC RECT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229-200HE3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 145 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229-400-E3/45 | Vishay | Diode Switching 400V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229-400-E3/45 | Vishay Semiconductors | Rectifiers | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229-600 | NXP Semiconductors | Rectifiers RAIL REC-DD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229-600 | Vishay Semiconductors | Diodes - General Purpose, Power, Switching 8A,600V,145NS,FS PLASTIC RECT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229-600 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BY229-600,127 | NXP Semiconductors | Rectifier Diode Switching 600V 8A 135ns 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Rail | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229-600,127 | NXP USA Inc. | Description: DIODE STANDARD 500V 8A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 135 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 500 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229-600-E3 | Vishay Semiconductors | Diodes - General Purpose, Power, Switching 8A,600V,145NS,FS PLASTIC RECT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229-600-E3/45 | Vishay | Diode Switching 600V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229-600-E3/45 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 8.0 Amp 600 Volt | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229-600-E3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 600V 8A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 145 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229-600HE3 | Vishay Semiconductors | Diodes - General Purpose, Power, Switching 8A,600V,145NS,FS PLASTIC RECT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229-600HE3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 600V 8A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 145 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229-600HE3/45 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 600 Volt 8.0A 145ns Glass Passivated | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229-600HE3/45 | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 8A 145ns Automotive 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229-800 | PH | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229-800 | Vishay Semiconductors | Diodes - General Purpose, Power, Switching 8A,800V,145NS,FS PLASTIC RECT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229-800,127 | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229-800-E3 | Vishay Semiconductors | Diodes - General Purpose, Power, Switching 8A,800V,145NS,FS PLASTIC RECT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229-800-E3/45 | Vishay | Diode Switching 800V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229-800-E3/45 | Vishay Semiconductors | Diodes - General Purpose, Power, Switching 8.0 Amp 600 Volt | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229-800-E3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 800V 8A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 145 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229-800HE3 | Vishay Semiconductors | Diodes - General Purpose, Power, Switching 8A,800V,145NS,FS PLASTIC RECT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229-800HE3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 800V 8A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 145 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229B-200 | Vishay Semiconductors | Diodes - General Purpose, Power, Switching 8A,200V,145NS,FS PLASTIC RECT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229B-200-E3 | Vishay Semiconductors | Diodes - General Purpose, Power, Switching 8A,200V,145NS,FS PLASTIC RECT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229B-200-E3/45 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 8.0 Amp 200 Volt | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229B-200-E3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 200V 8A TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 145 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229B-200-E3/81 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 200V 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 145 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229B-200-E3/81 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 8.0 Amp 200 Volt | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229B-200HE3 | Vishay Semiconductors | Diodes - General Purpose, Power, Switching 8A,200V,145NS,FS PLASTIC RECT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229B-200HE3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 145 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229B-200HE3/81 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 200V 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 145 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229B-200HE3/81 | Vishay | Diode Switching 200V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229B-400 | Vishay Semiconductors | Diodes - General Purpose, Power, Switching 8A,400V,145NS,FS PLASTIC RECT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229B-400-E3 | Vishay Semiconductors | Diodes - General Purpose, Power, Switching 8A,400V,145NS,FS PLASTIC RECT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229B-400-E3/31 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 8.0 Amp 400 Volt | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229B-400-E3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 400V 8A TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 145 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229B-400-E3/81 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 8.0 Amp 200 Volt | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229B-400-E3/81 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 400V 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 145 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229B-400HE3 | Vishay Semiconductors | Diodes - General Purpose, Power, Switching 8A,400V,145NS,FS PLASTIC RECT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229B-400HE3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 400V 8A TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 145 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229B-400HE3/81 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 400V 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 145 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229B-400HE3/81 | Vishay | Rectifier Diode Switching 400V 8A 145ns Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229B-400HE3/81 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 8.0A 400 Volt 145ns 100 Amp IFSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229B-600 | Vishay Semiconductors | Diodes - General Purpose, Power, Switching 8A,600V,145NS,FS PLASTIC RECT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229B-600-E3 | Vishay Semiconductors | Diodes - General Purpose, Power, Switching 8A,600V,145NS,FS PLASTIC RECT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229B-600-E3/45 | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 8A 145ns 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229B-600-E3/45 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 8.0 Amp 600 Volt | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229B-600-E3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 600V 8A TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 145 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229B-600-E3/81 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 8.0 Amp 600 Volt | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229B-600-E3/81 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 600V 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 145 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229B-600HE3 | Vishay Semiconductors | Diodes - General Purpose, Power, Switching 8A,600V,145NS,FS PLASTIC RECT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229B-600HE3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 600V 8A TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 145 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229B-600HE3/81 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 600V 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 145 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229B-800 | Vishay Semiconductors | Diodes - General Purpose, Power, Switching 8A,800V,145NS,FS PLASTIC RECT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229B-800-E3 | Vishay Semiconductors | Diodes - General Purpose, Power, Switching 8A,800V,145NS,FS PLASTIC RECT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229B-800-E3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 800V 8A TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 145 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229B-800-E3/45 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 8.0 Amp 800 Volt | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229B-800-E3/81 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 800V 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 145 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229B-800-E3/81 | Vishay | Rectifier Diode Switching 800V 8A 145ns 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229B-800HE3 | Vishay Semiconductors | Diodes - General Purpose, Power, Switching 8A,800V,145NS,FS PLASTIC RECT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229B-800HE3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 800V 8A TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 145 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229B-800HE3/81 | Vishay | Diode Switching 800V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229B-800HE3/81 | Vishay Semiconductors | Diodes - General Purpose, Power, Switching 8.0A 800 Volt 145ns 100 Amp IFSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229B-800HE3/81 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 800V 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 145 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229F-600 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BY229X-200 | NXP Semiconductors | Rectifiers RAIL REC-DD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229X-200,127 | NXP USA Inc. | Description: DIODE STANDARD 150V 8A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 135 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220FP Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 150 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229X-200-E3 | Vishay Semiconductors | Diodes - General Purpose, Power, Switching 8A,200V,145NS,FS PLASTIC RECT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229X-200-E3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 200V 8A ITO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 145 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: ITO-220AC Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229X-200-E3/45 | Vishay | Diode Switching 200V 8A 2-Pin(2+Tab) ITO-220AC Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229X-200HE3 | Vishay Semiconductors | Diodes - General Purpose, Power, Switching 8A,200V,145NS,FS PLASTIC RECT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229X-200HE3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 8A ITO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 145 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: ITO-220AC Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229X-400-E3 | Vishay Semiconductors | Diodes - General Purpose, Power, Switching 8A,400V,145NS,FS PLASTIC RECT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229X-400-E3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 8A ITO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 145 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: ITO-220AC Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229X-400-E3/45 | Vishay | Diode Switching 400V 8A 2-Pin(2+Tab) ITO-220AC Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229X-400HE3 | Vishay Semiconductors | Diodes - General Purpose, Power, Switching 8A,400V,145NS,FS PLASTIC RECT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229X-400HE3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 8A ITO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 145 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: ITO-220AC Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229X-600 | NXP Semiconductors | Rectifiers RAIL REC-DD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229X-600,127 | NXP USA Inc. | Description: DIODE STANDARD 500V 8A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 135 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220FP Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 500 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229X-600-E3 | Vishay Semiconductors | Diodes - General Purpose, Power, Switching 8A,600V,145NS,FS PLASTIC RECT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229X-600-E3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 600V 8A ITO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 145 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: ITO-220AC Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229X-600-E3/45 | Vishay | Diode Switching 600V 8A 2-Pin(2+Tab) ITO-220AC Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229X-600-E3/45 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 8.0 Amp 600 Volt | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229X-600HE3 | Vishay Semiconductors | Diodes - General Purpose, Power, Switching 8A,600V,145NS,FS PLASTIC RECT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229X-600HE3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 600V 8A ITO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 145 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: ITO-220AC Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229X-600HE3/45 | Vishay Semiconductors | Diodes - General Purpose, Power, Switching 8.0A 600 Volt 145ns 100 Amp IFSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229X-800 | NXP Semiconductors | Rectifiers RAIL REC-DD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229X-800 Код товару: 111591
Додати до обраних
Обраний товар
| Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BY229X-800 | на замовлення 10600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BY229X-800,127 | NXP USA Inc. | Description: DIODE STANDARD 600V 8A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 135 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220FP Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229X-800,127 | NXP Semiconductors | Rectifiers RAIL REC-DD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229X-800-E3 | Vishay Semiconductors | Diodes - General Purpose, Power, Switching 8A,800V,145NS,FS PLASTIC RECT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229X-800-E3/45 | Vishay | Diode Switching 800V 8A 2-Pin(2+Tab) ITO-220AC Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229X-800-E3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 800V 8A ITO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 145 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: ITO-220AC Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229X-800HE3 | Vishay Semiconductors | Diodes - General Purpose, Power, Switching 8A,800V,145NS,FS PLASTIC RECT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY229X-800HE3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 8A ITO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 145 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: ITO-220AC Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY251 | Diotec Semiconductor | Diode Switching 200V 3A 2-Pin DO-201 Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY251 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 100A; DO201; 1.5us Mounting: THT Case: DO201 Type of diode: rectifying Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 1.5µs Leakage current: 5µA Max. forward voltage: 1.1V Load current: 3A Max. load current: 20A Max. forward impulse current: 100A Max. off-state voltage: 200V Kind of package: Ammo Pack | на замовлення 1785 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY251 | Diotec Semiconductor | Rectifier Diode Switching 200V 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY251 | DC COMPONENTS | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 200A; DO27 Mounting: THT Case: DO27 Type of diode: rectifying Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1.1V Load current: 3A Max. forward impulse current: 200A Max. off-state voltage: 200V Kind of package: Ammo Pack кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 4430 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY251 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 3A,200V,Std SILASTIC Rect | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY251 | Diotec Semiconductor | Diode Switching 200V 3A 2-Pin DO-201 Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY251 | DIOTEC | 3A; 200V; packaging: ammo; BY251 diode rectifying DP BY251 кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY251 | Diotec Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201 Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | на замовлення 1467 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY251 | Diotec Semiconductor | Diode Switching 200V 3A 2-Pin DO-201 Ammo | на замовлення 1650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY251 | DC COMPONENTS | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 200A; DO27 Mounting: THT Case: DO27 Type of diode: rectifying Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1.1V Load current: 3A Max. forward impulse current: 200A Max. off-state voltage: 200V Kind of package: Ammo Pack | на замовлення 4430 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY251 | Diotec Semiconductor | Rectifiers Diode, DO-201, 200V, 3A | на замовлення 3292 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY251 | EIC Semiconductor | Diode 200V 3A 2-Pin DO-201AD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY251 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 100A; DO201; 1.5us Mounting: THT Case: DO201 Type of diode: rectifying Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 1.5µs Leakage current: 5µA Max. forward voltage: 1.1V Load current: 3A Max. load current: 20A Max. forward impulse current: 100A Max. off-state voltage: 200V Kind of package: Ammo Pack кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1785 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY251 | Diotec Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201 Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY251 R0 | Taiwan Semiconductor | Diode 200V 3A 2-Pin DO-201AD T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY251 R0 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 3A,200V,STD.SILASTIC RECTIFIER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY251 R0G | Taiwan Semiconductor | Rectifier Diode Switching Si 200V 3A 2-Pin DO-201AD T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY251 R0G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 3A,200V,STD.SILASTIC RECTIFIER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY251 X0 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY251 X0G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY251-CT | Diotec Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201 Packaging: Strip Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201 Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | на замовлення 1675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY251G | Taiwan Semiconductor | Diode 200V 3A 2-Pin DO-201AD T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY251G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 3A, 200V, Standard Recovery Rectifier | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY251G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 3A, 200V, STANDARD RECTIFIER Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY251G | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - BY251G - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 1 V, 150 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-201AD Durchlassstoßstrom: 150A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 1113 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY251G A0G | Taiwan Semiconductor | Rectifier Diode 200V 3A 2-Pin DO-201AD Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY251G A0G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 3A, 200V, Standard Recovery Rectifier | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY251G R0G | Taiwan Semiconductor | Diode 200V 3A 2-Pin DO-201AD T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY251G R0G | Taiwan Semiconductor | Diode 200V 3A 2-Pin DO-201AD T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY251G R0G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 3A 200V Standard Rec overy Rectifier | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY251GP-E3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY251GP-E3/54 | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY251GP-E3/73 | Vishay | Diode Switching 200V 3A 2-Pin DO-201AD Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY251GP-E3/73 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | на замовлення 251 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY251GP-E3/73 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY251GPHE3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY251GPHE3/73 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY251P-E3/54 | Vishay | Diode Switching 200V 3A 2-Pin DO-201AD T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY251P-E3/54 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 3.0 Amp 200 Volt | на замовлення 3208 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY251P-E3/54 | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 3A; 13 inch reel; Ifsm: 150A; DO201AD Mounting: THT Quantity in set/package: 1400pcs. Case: DO201AD Type of diode: rectifying Semiconductor structure: single diode Capacitance: 40pF Reverse recovery time: 3µs Leakage current: 5µA Max. forward voltage: 1.1V Load current: 3A Max. forward impulse current: 150A Max. off-state voltage: 200V Kind of package: 13 inch reel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY251P-E3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | на замовлення 8400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY251P-E3/54 | Vishay | Diode Switching 200V 3A 2-Pin DO-201AD T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY251P-E3/54 | Vishay | Diode Switching 200V 3A 2-Pin DO-201AD T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY251P-E3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | на замовлення 9477 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY251P-E3/73 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery > 500ns, > 2A (Io) Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY251P-E3/73 | Vishay | Diode Switching 200V 3A 2-Pin DO-201AD Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY251P-E3/73 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 3A,200V,STD,PLASTIC RECT,DO-201AD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY251P-E3\54 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3A,200V,STD,PLASTIC RECT,DO-201AD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY251P-E3\73 | Vishay | Rectifiers 3A,200V,STD,PLASTIC RECT,DO-201AD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY252 | Diotec Semiconductor | Diode Switching 400V 3A 2-Pin DO-201 Ammo | на замовлення 3400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY252 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 3A,400V,Std SILASTIC Rect | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY252 | EIC Semiconductor | Diode 400V 3A 2-Pin DO-201AD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY252 | Diotec Semiconductor | Description: DIODE STANDARD 400V 3A DO201 Packaging: Bulk Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201 Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY252 | DC COMPONENTS | BY252-DC THT universal diodes | на замовлення 1545 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY252 | Diotec Semiconductor | Diode Switching 400V 3A 2-Pin DO-201 Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY252 | Diotec Semiconductor | Rectifier Diode Switching 400V 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY252 | Diotec Semiconductor | Diode Switching 400V 3A 2-Pin DO-201 Ammo | на замовлення 1120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY252 | Diotec Semiconductor | Rectifier Diode Switching 400V 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY252 | Diotec Semiconductor | Rectifiers Diode, DO-201, 400V, 3A | на замовлення 4790 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY252 | Diotec Semiconductor | Diode Switching 400V 3A 2-Pin DO-201 Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY252 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | BY252-DIO THT universal diodes | на замовлення 3615 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY252 | Diotec Semiconductor | Diode Switching 400V 3A 2-Pin DO-201 Ammo | на замовлення 3400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY252 | Diotec Semiconductor | Rectifier Diode Switching 400V 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY252 R0 | Taiwan Semiconductor | Diode 400V 3A 2-Pin DO-201AD T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY252 R0 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 3A,400V,STD.SILASTIC RECTIFIER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY252 R0G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 3A,400V,STD.SILASTIC RECTIFIER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY252 R0G | Taiwan Semiconductor | Rectifier Diode Switching Si 400V 3A 2-Pin DO-201AD T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY252 X0 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY252 X0G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY252-CT | Diotec Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201 Packaging: Strip Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201 Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | на замовлення 13600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY252G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 3A, 400V, Standard Recovery Rectifier | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY252G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 400V 3A DO201AD Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | на замовлення 1250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY252G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 400V 3A DO201AD Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | на замовлення 1250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY252G R0G | Taiwan Semiconductor | Rectifier Diode 400V 3A 2-Pin DO-201AD T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY252G R0G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 3A 400V Standard Rec overy Rectifier | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY252G R0G | Taiwan Semiconductor | Rectifier Diode 400V 3A 2-Pin DO-201AD T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY252GP-E3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 400V 3A DO201AD Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY252GP-E3/73 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 400V 3A DO201AD Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY252GP-E3/73 | Vishay | Diode Switching 400V 3A 2-Pin DO-201AD Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY252GPHE3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 400V 3A DO201AD Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY252P-E3/54 | Vishay | Diode Switching 400V 3A 2-Pin DO-201AD T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY252P-E3/54 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 3.0 Amp 400 Volt | на замовлення 5653 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY252P-E3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 400V 3A DO201AD Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | на замовлення 4200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY252P-E3/54 | Vishay | Rectifier Diode Switching 400V 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD T/R | на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY252P-E3/54 | Vishay | Diode Switching 400V 3A 2-Pin DO-201AD T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY252P-E3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 400V 3A DO201AD Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | на замовлення 6819 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY252P-E3/73 | Vishay | Rectifier Diode Switching 400V 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY253 | Diotec Semiconductor AG | Description: Diode, DO-201, 600V, 3A Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201 Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | на замовлення 368900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY253 | Diotec Semiconductor | Diode Switching 600V 3A 2-Pin DO-201 Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY253 | Diotec Semiconductor | Rectifier Diode Switching 600V 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo | на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY253 Код товару: 189078
Додати до обраних
Обраний товар
| Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BY253 | DC COMPONENTS | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 200A; DO27 Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 200A Case: DO27 Max. forward voltage: 1.1V кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 1185 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY253 | Diotec Semiconductor | Diode Switching 600V 3A 2-Pin DO-201 Ammo | на замовлення 588 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY253 | EIC Semiconductor | Diode 600V 3A 2-Pin DO-201AD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY253 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 3A,600V,Std SILASTIC Rect | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY253 | Diotec Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201 Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | на замовлення 368900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY253 | Diotec Semiconductor | Diode Switching 600V 3A 2-Pin DO-201 Ammo | на замовлення 588 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY253 | Diotec Semiconductor | Diode Switching 600V 3A Automotive 2-Pin DO-201 Ammo | на замовлення 190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY253 | Diotec Semiconductor | Diode Switching 600V 3A 2-Pin DO-201 Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY253 | Diotec Semiconductor | Rectifier Diode Switching 600V 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY253 | Diotec Semiconductor | Rectifiers Diode, DO-201, 600V, 3A | на замовлення 1110 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY253 | DC COMPONENTS | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 200A; DO27 Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 200A Case: DO27 Max. forward voltage: 1.1V | на замовлення 1185 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY253 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | BY253-DIO THT universal diodes | на замовлення 1736 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY253 | Diotec Semiconductor | Diode Switching 600V 3A 2-Pin DO-201 Ammo | на замовлення 1736 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY253 | Diotec Semiconductor | Diode Switching 600V 3A 2-Pin DO-201 Ammo | на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY253 R0 | Taiwan Semiconductor | Diode 600V 3A 2-Pin DO-201AD T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY253 R0 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 3A,600V,STD.SILASTIC RECTIFIER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY253 R0G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 3A,600V,STD.SILASTIC RECTIFIER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY253 X0 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY253 X0G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY253-CT | Diotec Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201 Packaging: Strip Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201 Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | на замовлення 382500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY253G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 3A, 600V, STANDARD RECOVERY RECT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY253G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 3A, 600V, Standard Recovery Rectifier | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY253G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 3A, 600V, STANDARD RECOVERY RECT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | на замовлення 1147 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY253G A0G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 3A, 600V, Standard Recovery Rectifier | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY253G A0G | Taiwan Semiconductor | Rectifier Diode 600V 3A 2-Pin DO-201AD Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY253G R0G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 3A 600V Standard Rec overy Rectifier | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY253G R0G | Taiwan Semiconductor | Rectifier Diode 600V 3A 2-Pin DO-201AD T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY253G R0G | Taiwan Semiconductor | Rectifier Diode 600V 3A 2-Pin DO-201AD T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY253GP-E3/54 | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY253GP-E3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY253GP-E3/73 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY253GP-E3/73 | Vishay | Diode Switching 600V 3A 2-Pin DO-201AD Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY253GPHE3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY253P-E3/54 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 3.0 Amp 600 Volt | на замовлення 3961 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY253P-E3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | на замовлення 4200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY253P-E3/54 | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY253P-E3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | на замовлення 5411 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY253P-E3/73 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY253P-E3/73 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 600 Volt 3.0 Amp Glass Passivated | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY253P-E3/73 | Vishay | Diode Switching 600V 3A 2-Pin DO-201AD Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY253P-E354 | Vishay | Diode Switching 600V 3A 2-Pin DO-201AD T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY253P-E354 | Vishay | Diode Switching 600V 3A 2-Pin DO-201AD T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY253P-E3\54 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3A,600V, STD,PLASTIC RECT,DO-201AD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY253P-E3\73 | Vishay | Rectifiers 3A,600V, STD,PLASTIC RECT,DO-201AD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY254 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | BY254-DIO THT universal diodes | на замовлення 1635 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY254 | Diotec Semiconductor | Diode Switching 800V 3A 2-Pin DO-201 Ammo | на замовлення 3400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY254 | Diotec Semiconductor | Rectifier Diode Switching 800V 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY254 | EIC Semiconductor | Diode 800V 3A 2-Pin DO-201AD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY254 | MULTICOMP | Description: MULTICOMP - BY254 - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 3 A, Einfach, 840 mV, 150 A Bauform - Diode: DO-201AD Durchlassstoßstrom: 150 Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 840 Sperrverzögerungszeit: - Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: BY254 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (07-Jul-2017) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY254 | DC COMPONENTS | BY254-DC THT universal diodes | на замовлення 680 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY254 | Diotec Semiconductor | Rectifiers Diode, DO-201, 800V, 3A | на замовлення 4014 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY254 | Diotec Semiconductor | Diode Switching 800V 3A 2-Pin DO-201 Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY254 | Diotec Semiconductor | Rectifier Diode Switching 800V 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo | на замовлення 10201 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY254 | Diotec Semiconductor | Diode Switching 800V 3A 2-Pin DO-201 Ammo | на замовлення 2785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY254 Код товару: 187762
Додати до обраних
Обраний товар
| DC COMPONENTS | Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні Корпус: DO-201AD(DO-27) Uзвор., V: 800 V Iвипр., A: 3 A Опис: Випрямний Монтаж: THT Падіння напруги Vf: 1,1 V | товару немає в наявності |
| ||||||||||||||||||
| BY254 | Diotec Semiconductor | Diode Switching 800V 3A 2-Pin DO-201 Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY254 | Diotec Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201 Packaging: Bulk Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201 Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V | на замовлення 1700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY254 R0 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 3A,800V,STD.SILASTIC RECTIFIER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY254 R0 | Taiwan Semiconductor | Diode 800V 3A 2-Pin DO-201AD T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY254 R0G | Taiwan Semiconductor | Rectifier Diode Switching Si 800V 3A 2-Pin DO-201AD T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY254 R0G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 3A,800V,STD.SILASTIC RECTIFIER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY254 X0 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY254 X0G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY254-CT | Diotec Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201 Packaging: Strip Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201 Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY254G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 3A, 800V, STANDARD RECOVERY RECT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY254G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 3A, 800V, Standard Recovery Rectifier | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY254G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 3A, 800V, STANDARD RECOVERY RECT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V | на замовлення 1150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY254G A0G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 3A, 800V, Standard Recovery Rectifier | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY254G A0G | Taiwan Semiconductor | Rectifier Diode 800V 3A 2-Pin DO-201AD Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY254G R0G | Taiwan Semiconductor | Rectifier Diode 800V 3A 2-Pin DO-201AD T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY254G R0G | Taiwan Semiconductor | Rectifier Diode 800V 3A 2-Pin DO-201AD T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY254G R0G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 3A 800V Standard Rec overy Rectifier | на замовлення 4806 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY254GP-E3/54 | Vishay | Rectifier Diode Switching 800V 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY254GP-E3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY254GP-E3/73 | Vishay | Rectifier Diode Switching 800V 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY254GP-E3/73 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY254GPHE3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY254P-E3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V | на замовлення 5551 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY254P-E3/54 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 3.0 Amp 800 Volt | на замовлення 24534 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY254P-E3/54 | Vishay | Rectifier Diode Switching 800V 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY254P-E3/54 | Vishay | Diode Switching 800V 3A 2-Pin DO-201AD T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY254P-E3/54 | VISHAY | BY254P-E3/54 THT universal diodes | на замовлення 2464 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY254P-E3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V | на замовлення 4200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY254P-E3/54 | Vishay | Diode Switching 800V 3A 2-Pin DO-201AD T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY254P-E3/73 | Vishay | Diode Switching 800V 3A 2-Pin DO-201AD Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY254P-E3/73 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY254P-E3/73 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 3.0 Amp 800 Volt | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY254P-E3/73 | Vishay | Rectifier Diode Switching 800V 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY255 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 3A,1300V,STD.SILASTIC RECTIFIER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY255 | Diotec Semiconductor | Diode Switching 1.3KV 3A 2-Pin DO-201 Ammo | на замовлення 49300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY255 | MIC | 3A; 1300V; packaging: ammo; BY255 diode rectifying DP BY255 кількість в упаковці: 1250 шт | на замовлення 1250 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY255 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 1.3kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 100A; DO201 Max. forward impulse current: 100A Max. off-state voltage: 1.3kV Kind of package: Ammo Pack Case: DO201 Type of diode: rectifying Semiconductor structure: single diode Mounting: THT Reverse recovery time: 1.5µs Leakage current: 5µA Max. forward voltage: 1.1V Load current: 3A Max. load current: 20A | на замовлення 31022 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY255 | Diotec Semiconductor | Diode Switching 1.3KV 3A 2-Pin DO-201 Ammo | на замовлення 49300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY255 | LGE | 3A; 1300V; packaging: ammo; BY255 diode rectifying DP BY255 q кількість в упаковці: 1250 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY255 | Diotec Semiconductor | Diode Switching 1.3KV 3A 2-Pin DO-201 Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY255 | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 1.3kV; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V Max. forward impulse current: 200A Max. off-state voltage: 1.3kV Kind of package: tape Case: DO27 Features of semiconductor devices: glass passivated Type of diode: rectifying Semiconductor structure: single diode Mounting: THT Max. forward voltage: 1.1V Load current: 3A | на замовлення 1165 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY255 | DC COMPONENTS | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 1.3kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 200A; DO27 Max. forward impulse current: 200A Max. off-state voltage: 1.3kV Kind of package: Ammo Pack Case: DO27 Type of diode: rectifying Semiconductor structure: single diode Mounting: THT Max. forward voltage: 1.1V Load current: 3A кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 7090 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY255 Код товару: 34884
Додати до обраних
Обраний товар
| Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні Корпус: DO-27 Uзвор., V: 1300 V Iвипр., A: 3 A | у наявності 2 шт: 2 шт - склад |
| |||||||||||||||||||
| BY255 | Diotec Semiconductor | Rectifiers Diode, DO-201, 1300V, 3A | на замовлення 6498 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY255 | Diotec Semiconductor | Diode Switching 1.3KV 3A 2-Pin DO-201 Ammo | на замовлення 6800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY255 | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 1.3kV; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V Max. forward impulse current: 200A Max. off-state voltage: 1.3kV Kind of package: tape Case: DO27 Features of semiconductor devices: glass passivated Type of diode: rectifying Semiconductor structure: single diode Mounting: THT Max. forward voltage: 1.1V Load current: 3A кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 1165 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY255 | Diotec Semiconductor | Rectifier Diode Switching 1.3KV 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY255 | DC COMPONENTS | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 1.3kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 200A; DO27 Max. forward impulse current: 200A Max. off-state voltage: 1.3kV Kind of package: Ammo Pack Case: DO27 Type of diode: rectifying Semiconductor structure: single diode Mounting: THT Max. forward voltage: 1.1V Load current: 3A | на замовлення 7090 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY255 | Diotec Semiconductor | Description: DIODE STANDARD 1300V 3A DO201 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201 Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V | на замовлення 1220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY255 | Diotec Semiconductor | Diode Switching 1.3KV 3A 2-Pin DO-201 Ammo | на замовлення 31022 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY255 | MIC | 3A; 1300V; packaging: ammo; BY255 diode rectifying DP BY255 кількість в упаковці: 1250 шт | на замовлення 7850 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY255 | EIC Semiconductor | Diode 1.3KV 3A 2-Pin DO-201AD | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY255 | LUGUANG ELECTRONIC | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 1.3kV; 3A; tape; Ifsm: 150A; DO201AD; Ir: 5uA Max. forward impulse current: 150A Max. off-state voltage: 1.3kV Kind of package: tape Case: DO201AD Type of diode: rectifying Semiconductor structure: single diode Mounting: THT Leakage current: 5µA Max. forward voltage: 1V Load current: 3A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY255 | LGE | 3A; 1300V; packaging: ammo; BY255 diode rectifying DP BY255 q кількість в упаковці: 1250 шт | на замовлення 1250 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY255 | Diotec Semiconductor | Diode Switching 1.3KV 3A 2-Pin DO-201 Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY255 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 1.3kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 100A; DO201 Max. forward impulse current: 100A Max. off-state voltage: 1.3kV Kind of package: Ammo Pack Case: DO201 Type of diode: rectifying Semiconductor structure: single diode Mounting: THT Reverse recovery time: 1.5µs Leakage current: 5µA Max. forward voltage: 1.1V Load current: 3A Max. load current: 20A кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 31022 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY255 | Diotec Semiconductor | Description: DIODE STANDARD 1300V 3A DO201 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201 Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1300 Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V | на замовлення 10200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY255 R0 | Taiwan Semiconductor | Diode 1.3KV 3A 2-Pin DO-201AD T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY255 R0 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 3A,1300V,STD.SILASTIC RECTIFIER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY255 X0 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY255 X0G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY255-AQ | Diotec Semiconductor | Description: DIODE STANDARD 1300V 3A DO201 Packaging: Bulk Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201 Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY255-AQ | Diotec Semiconductor | Rectifiers Diode, DO-201, 1300V, 3A, AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY255-AQ | Diotec Semiconductor | Diode Switching 1.3KV 3A 2-Pin DO-201 Ammo Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY255-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 1.3kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 100A; DO201 Max. forward impulse current: 100A Max. off-state voltage: 1.3kV Kind of package: Ammo Pack Case: DO201 Type of diode: rectifying Semiconductor structure: single diode Mounting: THT Reverse recovery time: 1.5µs Leakage current: 5µA Max. forward voltage: 1.1V Load current: 3A Max. load current: 20A кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 1385 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY255-AQ | Diotec Semiconductor | BY255-AQ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY255-AQ | Diotec Semiconductor | Description: DIODE STANDARD 1300V 3A DO201 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201 Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1.3 V | на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY255-AQ | Diotec Semiconductor | Diode Switching 1.3KV 3A 2-Pin DO-201 Ammo Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY255-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 1.3kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 100A; DO201 Max. forward impulse current: 100A Max. off-state voltage: 1.3kV Kind of package: Ammo Pack Case: DO201 Type of diode: rectifying Semiconductor structure: single diode Mounting: THT Reverse recovery time: 1.5µs Leakage current: 5µA Max. forward voltage: 1.1V Load current: 3A Max. load current: 20A | на замовлення 1385 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY255-AQ-CT | Diotec Semiconductor | Description: DIODE STANDARD 1300V 3A DO201 Packaging: Strip Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201 Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.3 Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1.3 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY255-CT | Diotec Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 1.3KV 3A DO201 Packaging: Strip Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201 Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.3 Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1.3 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY255G | Yangjie Electronic Technology | General Purpose Rectifier | на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY255G | Yangjie Technology | Description: DO-201AD 1300V 3.0A Diodes Rec Packaging: Tape & Box (TB) Part Status: Active | на замовлення 125000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY255GP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3A,1300V, STD SUPERECT,DO-201AD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY255GP-7000HE3/54 | Vishay Semiconductors | Vishay | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY255GP-E3 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3A,1300V, STD SUPERECT,DO-201AD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY255GP-E3/1 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1300 Volt 3.0 Amp Glass Passivated | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY255GP-E3/23 | Vishay Semiconductors | Rectifiers RECOMMENDED ALT 625-BY255GP-E3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY255GP-E3/4 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3.0 Amp 1300 Volt | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY255GP-E3/51 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3.0 Amp 1300 Volt | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY255GP-E3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 1300V 3A DO201AD Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1300 Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY255GP-E3/54 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3.0 Amp 1300 Volt | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY255GP-E3/54 | Vishay | Rectifier Diode Switching 1.3KV 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY255GP-E3/54 | Vishay | Diode Switching 1.3KV 3A 2-Pin DO-201AD T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY255GP-E3/73 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 1300V 3A DO201AD Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1300 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY255GP-E3/73 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3.0 Amp 1300 Volt | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY255GP/1 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1300 Volt 3.0 Amp Glass Passivated | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY255GP/23 | Vishay Semiconductors | Rectifiers RECOMMENDED ALT 625-BY255GP-E3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY255GP/4 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3.0 Amp 1300 Volt | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY255GP/54 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3.0 Amp 1300 Volt | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY255GPHE3 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3A,1300V, STD SUPERECT,DO-201AD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY255GPHE3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 1300V 3A DO201AD Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1300 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY255GPHE3/54 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1300 Volt 3.0 Amp Glass Passivated | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY255GPHE3/54 | Vishay | Rectifier Diode Switching 1.3KV 3A 3000ns Automotive 2-Pin DO-201AD T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY255GPHE3/73 | Vishay | Rectifier Diode Switching 1.3KV 3A 3000ns Automotive 2-Pin DO-201AD Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY255GPHE3/73 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 1300V 3A DO201AD Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1300 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY255GPHE3/73 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1300 Volt 3.0 Amp Glass Passivated | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY255P | на замовлення 2380 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BY255P-E3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 1300V 3A DO201AD Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1300 | на замовлення 23269 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY255P-E3/54 | Vishay | Rectifier Diode Switching 1.3KV 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD T/R | на замовлення 42418 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY255P-E3/54 Код товару: 213845
Додати до обраних
Обраний товар
| Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BY255P-E3/54 | Vishay | Diode Switching 1.3KV 3A 2-Pin DO-201AD T/R | на замовлення 19980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY255P-E3/54 | Vishay | Diode Switching 1.3KV 3A 2-Pin DO-201AD T/R | на замовлення 8400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY255P-E3/54 | Vishay | Diode Switching 1.3KV 3A 2-Pin DO-201AD T/R | на замовлення 20002 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY255P-E3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 1300V 3A DO201AD Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1300 | на замовлення 22400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY255P-E3/54 | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 1.3kV; 3A; 13 inch reel; Ifsm: 150A; DO201AD Max. forward impulse current: 150A Max. off-state voltage: 1.3kV Kind of package: 13 inch reel Quantity in set/package: 1400pcs. Case: DO201AD Type of diode: rectifying Semiconductor structure: single diode Mounting: THT Reverse recovery time: 3µs Max. forward voltage: 1.1V Load current: 3A | на замовлення 5325 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY255P-E3/54 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 3.0 Amp 1300 Volt | на замовлення 5556 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY255P-E3/54 | Vishay | Diode Switching 1.3KV 3A 2-Pin DO-201AD T/R | на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY255P-E3/54 | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 1.3kV; 3A; 13 inch reel; Ifsm: 150A; DO201AD Max. forward impulse current: 150A Max. off-state voltage: 1.3kV Kind of package: 13 inch reel Quantity in set/package: 1400pcs. Case: DO201AD Type of diode: rectifying Semiconductor structure: single diode Mounting: THT Reverse recovery time: 3µs Max. forward voltage: 1.1V Load current: 3A кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 5325 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY255P-E3/54 | Vishay | Rectifier Diode Switching 1.3KV 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY255P-E3/54 | Vishay | Diode Switching 1.3KV 3A 2-Pin DO-201AD T/R | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY255P-E3/54 | VISHAY | Description: VISHAY - BY255P-E3/54 - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.3 kV, 3 A, Einfach, 1.1 V, 3 µs, 150 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-201AD Durchlassstoßstrom: 150A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: 3µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BY255 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1.3kV Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 9089 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY255P-E3/54 | Vishay | Diode Switching 1.3KV 3A 2-Pin DO-201AD T/R | на замовлення 8400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY255P-E3/73 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 3.0 Amp 1300 Volt | на замовлення 7912 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY255P-E3/73 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 1300V 3A DO201AD Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1300 Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V | на замовлення 946 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY255P-E3/73 | Vishay | Rectifier Diode Switching 1.3KV 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY255P-E3/73 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 1300V 3A DO201AD Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1300 | на замовлення 17000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY255P-E3/73 | Vishay | Diode Switching 1.3KV 3A 2-Pin DO-201AD Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY255P-E3\54 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3A,1300V, STD,PLASTIC RECT,DO-201AD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY255P-E3\73 | Vishay | Rectifiers 3A,1300V, STD,PLASTIC RECT,DO-201AD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25C | ABB Installation Products | Punches & Dies OD COMPRESSION DIE SIZE 9/16TAN/ORG | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25D16ASMIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 16MBIT SPI/DUAL 8USON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR (SLC) Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-USON (2x3) Write Cycle Time - Word, Page: 2.4ms Memory Interface: SPI - Dual I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 2M x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25D16ASOIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 16MBIT SPI/DUAL 8TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR (SLC) Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-TSSOP Write Cycle Time - Word, Page: 2.4ms Memory Interface: SPI - Dual I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 2M x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25D16ASOIG(T) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 16MBIT SPI/DUAL 8TSSOP Packaging: Tube Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR (SLC) Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-TSSOP Write Cycle Time - Word, Page: 2.4ms Memory Interface: SPI - Dual I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 2M x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25D16ASSIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 16MBIT SPI/DUAL 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR (SLC) Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 2.4ms Memory Interface: SPI - Dual I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 2M x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25D16ASSIG(T) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 16MBIT SPI/DUAL 8SOP Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR (SLC) Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 2.4ms Memory Interface: SPI - Dual I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 2M x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25D16ASSJG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 16MBIT SPI/DUAL 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR (SLC) Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 2.4ms Memory Interface: SPI - Dual I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 2M x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25D16ASSJG(T) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 16MBIT SPI/DUAL 8SOP Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR (SLC) Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 2.4ms Memory Interface: SPI - Dual I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 2M x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25D16ASTIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 16MBIT SPI/DUAL 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR (SLC) Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 2.4ms Memory Interface: SPI - Dual I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 2M x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25D16ASTIG(T) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 16MBIT SPI/DUAL 8SOP Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR (SLC) Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 2.4ms Memory Interface: SPI - Dual I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 2M x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25D16ASTJG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 16MBIT SPI/DUAL 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR (SLC) Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 2.4ms Memory Interface: SPI - Dual I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 2M x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25D16ASTJG(T) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 16MBIT SPI/DUAL 8SOP Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR (SLC) Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 2.4ms Memory Interface: SPI - Dual I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 2M x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25D20ASMIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 2MBIT SPI/DUAL 8USON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 2Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-USON (2x3) Write Cycle Time - Word, Page: 2.4ms Memory Interface: SPI - Dual I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 256K x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25D20ASOIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 2MBIT SPI/DUAL 8TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 2Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-TSSOP Write Cycle Time - Word, Page: 2.4ms Memory Interface: SPI - Dual I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 256K x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25D20ASOIG(T) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 2MBIT SPI/DUAL 8TSSOP Packaging: Tube Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 2Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-TSSOP Write Cycle Time - Word, Page: 2.4ms Memory Interface: SPI - Dual I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 256K x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25D20ASTIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 2MBIT SPI/DUAL 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 2Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 2.4ms Memory Interface: SPI - Dual I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 256K x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25D20ASTIG(T) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 2MBIT SPI/DUAL 8SOP Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 2Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 2.4ms Memory Interface: SPI - Dual I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 256K x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25D40ASMIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 4MBIT SPI/DUAL 8USON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-USON (2x3) Write Cycle Time - Word, Page: 2.4ms Memory Interface: SPI - Dual I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 512K x 8 DigiKey Programmable: Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25D40ASOIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 4MBIT SPI/DUAL 8TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-TSSOP Write Cycle Time - Word, Page: 2.4ms Memory Interface: SPI - Dual I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 512K x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25D40ASOIG(T) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 4MBIT SPI/DUAL 8TSSOP Packaging: Tube Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-TSSOP Write Cycle Time - Word, Page: 2.4ms Memory Interface: SPI - Dual I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 512K x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25D40ASTIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 4MBIT SPI/DUAL 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 2.4ms Memory Interface: SPI - Dual I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 512K x 8 DigiKey Programmable: Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25D40ASTIG(T) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 4MBIT SPI/DUAL 8SOP Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 2.4ms Memory Interface: SPI - Dual I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 512K x 8 DigiKey Programmable: Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25D40ESMIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: 4 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 120 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-USON (2x3) Write Cycle Time - Word, Page: 3.6ms Memory Interface: SPI - Dual I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 512K x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25D40ESOIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: 4 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 120 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-TSSOP Write Cycle Time - Word, Page: 3.6ms Memory Interface: SPI - Dual I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 512K x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25D40ESOIG(T) | BYTe Semiconductor | Description: 4 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40 Packaging: Tube Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 120 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-TSSOP Write Cycle Time - Word, Page: 3.6ms Memory Interface: SPI - Dual I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 512K x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25D40ESSIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: 4 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 120 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 3.6ms Memory Interface: SPI - Dual I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 512K x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25D40ESSIG(T) | BYTe Semiconductor | Description: 4 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40 Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 120 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 3.6ms Memory Interface: SPI - Dual I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 512K x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25D40ESTIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: 4 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 120 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 3.6ms Memory Interface: SPI - Dual I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 512K x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25D40ESTIG(T) | BYTe Semiconductor | Description: 4 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40 Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 120 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 3.6ms Memory Interface: SPI - Dual I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 512K x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25D40ESUIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: 4 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 120 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-USON (2x3) Write Cycle Time - Word, Page: 3.6ms Memory Interface: SPI - Dual I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 512K x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25FQ256ESEIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: 256 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), 1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 256Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 166 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-WSON (8x6) Write Cycle Time - Word, Page: 100µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI, DTR Access Time: 5 ns Memory Organization: 32M x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25FQ256ESEIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: 256 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), 1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 256Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 166 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-WSON (8x6) Write Cycle Time - Word, Page: 100µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI, DTR Access Time: 5 ns Memory Organization: 32M x 8 | на замовлення 2967 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY25Q128ASFIG(T) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 16SOP Packaging: Tube Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 128Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 16-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 16M x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25Q128ASSIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 128Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 16M x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25Q128ASSIG(T) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 128Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 16M x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25Q128ASSJG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 128Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 16M x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25Q128ASSJG(T) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 128Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 16M x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25Q128ASWIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8WSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 128Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-WSON (5x6) Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 16M x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25Q128ESSIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 128Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 120 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 60µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 7.5 ns Memory Organization: 16M x 8 DigiKey Programmable: Verified | на замовлення 2883 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY25Q128ESSIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 128Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 120 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 60µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 7.5 ns Memory Organization: 16M x 8 DigiKey Programmable: Verified | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY25Q128ESSIG(T) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 128Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 120 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 60µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 7.5 ns Memory Organization: 16M x 8 DigiKey Programmable: Verified | на замовлення 9460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY25Q128ESWIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8WSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 128Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 120 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-WSON (5x6) Write Cycle Time - Word, Page: 60µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 7.5 ns Memory Organization: 16M x 8 DigiKey Programmable: Verified | на замовлення 1834 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY25Q128ESWIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8WSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 128Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 120 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-WSON (5x6) Write Cycle Time - Word, Page: 60µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 7.5 ns Memory Organization: 16M x 8 DigiKey Programmable: Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25Q16AWSIG(T) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 100 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 3ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 12 ns Memory Organization: 2M x 8 | на замовлення 9443 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY25Q16AWTIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 100 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 3ms, 3ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 12 ns Memory Organization: 2M x 8 | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY25Q16AWTIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 100 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 3ms, 3ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 12 ns Memory Organization: 2M x 8 | на замовлення 18590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY25Q16AWTIG(T) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 100 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 3ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 12 ns Memory Organization: 2M x 8 | на замовлення 9923 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY25Q16AWXIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8USON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-XFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 100 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-USON (2x3) Write Cycle Time - Word, Page: 3ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 12 ns Memory Organization: 2M x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25Q16BLMIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8USON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-USON (2x3) Write Cycle Time - Word, Page: 3ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 8 ns Memory Organization: 2M x 8 DigiKey Programmable: Verified | на замовлення 28941 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY25Q16BLMIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8USON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-USON (2x3) Write Cycle Time - Word, Page: 3ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 8 ns Memory Organization: 2M x 8 DigiKey Programmable: Verified | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY25Q16BLSIG(T) | BYTe Semiconductor | Description: 16 MBIT, 1.8V (1.65V TO 2.0V), - Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V Technology: FLASH - NOR (SLC) Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 3ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 8 ns Memory Organization: 2M x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25Q16BLTIG(T) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 3ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 8 ns Memory Organization: 2M x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25Q16BSMIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8USON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-USON (2x3) Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI Access Time: 7 ns Memory Organization: 2M x 8 DigiKey Programmable: Verified | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY25Q16BSMIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8USON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-USON (2x3) Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI Access Time: 7 ns Memory Organization: 2M x 8 DigiKey Programmable: Verified | на замовлення 28642 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY25Q16BSSIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI Access Time: 7 ns Memory Organization: 2M x 8 DigiKey Programmable: Verified | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY25Q16BSSIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI Access Time: 7 ns Memory Organization: 2M x 8 DigiKey Programmable: Verified | на замовлення 3995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY25Q16BSSIG(T) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI Access Time: 7 ns Memory Organization: 2M x 8 DigiKey Programmable: Verified | на замовлення 9500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY25Q16BSSJG(R) | BYTe Semiconductor | Description: 16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR (SLC) Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 60µs, 4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI Access Time: 7 ns Memory Organization: 2M x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25Q16BSSJG(T) | BYTe Semiconductor | Description: 16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4 Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR (SLC) Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 60µs, 4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI Access Time: 7 ns Memory Organization: 2M x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25Q16BSTIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI Access Time: 7 ns Memory Organization: 2M x 8 DigiKey Programmable: Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25Q16BSTIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI Access Time: 7 ns Memory Organization: 2M x 8 DigiKey Programmable: Verified | на замовлення 3715 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY25Q16BSTIG(T) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI Access Time: 7 ns Memory Organization: 2M x 8 DigiKey Programmable: Verified | на замовлення 9841 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY25Q16BSTJG(R) | BYTe Semiconductor | Description: 16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR (SLC) Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 60µs, 4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI Access Time: 7 ns Memory Organization: 2M x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25Q16BSTJG(T) | BYTe Semiconductor | Description: 16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4 Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR (SLC) Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 60µs, 4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI Access Time: 7 ns Memory Organization: 2M x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25Q16BSUJG(R) | BYTe Semiconductor | Description: 16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR (SLC) Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-USON (2x3) Write Cycle Time - Word, Page: 60µs, 4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI Access Time: 7 ns Memory Organization: 2M x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25Q16ESMIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: 16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-XFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR (SLC) Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-USON (2x3) Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI Access Time: 7 ns Memory Organization: 2M x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25Q16ESSIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI Access Time: 7 ns Memory Organization: 2M x 8 DigiKey Programmable: Verified | на замовлення 11950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY25Q16ESSIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI Access Time: 7 ns Memory Organization: 2M x 8 DigiKey Programmable: Verified | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY25Q16ESSIG(T) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI Access Time: 7 ns Memory Organization: 2M x 8 DigiKey Programmable: Verified | на замовлення 18980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY25Q16ESTIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI Access Time: 7 ns Memory Organization: 2M x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25Q16ESTIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI Access Time: 7 ns Memory Organization: 2M x 8 | на замовлення 3786 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY25Q16ESTIG(T) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI Access Time: 7 ns Memory Organization: 2M x 8 | на замовлення 29756 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY25Q16ESTJG(T) | BYTe Semiconductor | Description: 16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4 Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR (SLC) Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI Access Time: 7 ns Memory Organization: 2M x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25Q16ESUJG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8USON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-USON (2x3) Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI Access Time: 7 ns Memory Organization: 2M x 8 | на замовлення 2833 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY25Q16ESUJG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8USON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-USON (2x3) Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI Access Time: 7 ns Memory Organization: 2M x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25Q20AWTIG(T) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 2MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 2Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 85 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 3ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 6 ns Memory Organization: 256K x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25Q20AWUIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 2MBIT SPI/QUAD 8USON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 2Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 85 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-USON (2x3) Write Cycle Time - Word, Page: 3ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 6 ns Memory Organization: 256K x 8 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY25Q20AWUIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 2MBIT SPI/QUAD 8USON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 2Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 85 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-USON (2x3) Write Cycle Time - Word, Page: 3ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 6 ns Memory Organization: 256K x 8 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY25Q20BLAIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 2MBIT SPI/QUAD 6USON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 2Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 85 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 6-USON (1.2x1.2) Write Cycle Time - Word, Page: 3ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 6 ns Memory Organization: 256K x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25Q20BLRIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 2MBIT SPI/QUAD 6USON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 2Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 85 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 6-USON (1.2x1.2) Write Cycle Time - Word, Page: 3ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 6 ns Memory Organization: 256K x 8 | на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY25Q20BLRIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 2MBIT SPI/QUAD 6USON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 2Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 85 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 6-USON (1.2x1.2) Write Cycle Time - Word, Page: 3ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 6 ns Memory Organization: 256K x 8 | на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY25Q20BLYIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 2MBIT SPI/QUAD 8USON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-XFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 2Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 85 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-USON (1.5x1.5) Write Cycle Time - Word, Page: 3ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 6 ns Memory Organization: 256K x 8 | на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY25Q20BLYIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 2MBIT SPI/QUAD 8USON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-XFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 2Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 85 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-USON (1.5x1.5) Write Cycle Time - Word, Page: 3ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 6 ns Memory Organization: 256K x 8 | на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY25Q20BLZIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 2MBIT SPI/QUAD 6USON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 2Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 85 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 6-USON (1.2x0.85) Write Cycle Time - Word, Page: 3ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 6 ns Memory Organization: 256K x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25Q256FSEIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 256Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 100 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-WSON (8x6) Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI Access Time: 7 ns Memory Organization: 32M x 8 DigiKey Programmable: Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25Q256FSEIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 256Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 100 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-WSON (8x6) Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI Access Time: 7 ns Memory Organization: 32M x 8 DigiKey Programmable: Verified | на замовлення 2828 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY25Q256FSFIG(T) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD Packaging: Tube Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 256Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 100 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 16-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI Access Time: 7 ns Memory Organization: 32M x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25Q256FSSIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 256Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 100 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI Access Time: 7 ns Memory Organization: 32M x 8 DigiKey Programmable: Verified | на замовлення 3414 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY25Q256FSSIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 256Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 100 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI Access Time: 7 ns Memory Organization: 32M x 8 DigiKey Programmable: Verified | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY25Q256FSSIG(T) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 256Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 100 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI Access Time: 7 ns Memory Organization: 32M x 8 DigiKey Programmable: Verified | на замовлення 9243 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY25Q256FSWIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 256Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 100 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-WSON (5x6) Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI Access Time: 7 ns Memory Organization: 32M x 8 DigiKey Programmable: Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25Q256FSWIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 256Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 100 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-WSON (5x6) Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI Access Time: 7 ns Memory Organization: 32M x 8 DigiKey Programmable: Verified | на замовлення 2712 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY25Q32BSHIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8USON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 32Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-USON (4x3) Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 4M x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25Q32BSHJG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8USON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 32Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-USON (4x3) Write Cycle Time - Word, Page: 60µs, 4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 4M x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25Q32BSSIG | BOYAMICRO | 32Mb-FLASH Memory IC; x8-bit; 2,7~3,6V; 108MHz; Quad SPI; -40?85°C; Replacement for: W25Q32BVSSIG; W25Q32FVSSIG, W25Q32JVSSIQ, GD25Q32BSIG, EN25Q32B-104HIP BY25Q32BSSIG PEF25q32bssig BY кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY25Q32BSSIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 32Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 4M x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25Q32BSSIG(T) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 32Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 4M x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25Q32BSTIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 32Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 4M x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25Q32BSTIG(T) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 32Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 4M x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25Q32BSTJG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 32Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 60µs, 4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 4M x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25Q32BSTJG(T) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 32Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 60µs, 4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 4M x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25Q32BSWIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8WSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 32Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-WSON (5x6) Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 4M x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25Q32CSHJG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8USON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 32Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-USON (4x3) Write Cycle Time - Word, Page: 60µs, 4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI Access Time: 7 ns Memory Organization: 4M x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25Q32CSKIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8USON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 32Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-USON (2x3) Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI Access Time: 7 ns Memory Organization: 4M x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25Q32CSKJG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8USON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 32Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-USON (2x3) Write Cycle Time - Word, Page: 60µs, 4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI Access Time: 7 ns Memory Organization: 4M x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25Q32CSSIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 32Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI Access Time: 7 ns Memory Organization: 4M x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25Q32CSSIG(T) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 32Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI Access Time: 7 ns Memory Organization: 4M x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25Q32CSTIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 32Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI Access Time: 7 ns Memory Organization: 4M x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25Q32CSTIG(T) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 32Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI Access Time: 7 ns Memory Organization: 4M x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25Q32CSTJG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 32Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 60µs, 4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI Access Time: 7 ns Memory Organization: 4M x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25Q32CSTJG(T) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 32Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 60µs, 4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI Access Time: 7 ns Memory Organization: 4M x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25Q32CSWIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8WSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 32Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-WSON (5x6) Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI Access Time: 7 ns Memory Organization: 4M x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25Q32ESHIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8USON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 32Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 120 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-USON (4x3) Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 11.5 ns Memory Organization: 4M x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25Q32ESMIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: 32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 32Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 120 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-USON (2x3) Write Cycle Time - Word, Page: 100µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 4M x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25Q32ESSIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 32Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 120 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 11.5 ns Memory Organization: 4M x 8 DigiKey Programmable: Verified | на замовлення 1625 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY25Q32ESSIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 32Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 120 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 11.5 ns Memory Organization: 4M x 8 DigiKey Programmable: Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25Q32ESSIG(T) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 32Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 120 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 11.5 ns Memory Organization: 4M x 8 DigiKey Programmable: Verified | на замовлення 8891 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY25Q32ESTIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 32Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 120 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 11.5 ns Memory Organization: 4M x 8 DigiKey Programmable: Verified | на замовлення 3310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY25Q32ESTIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 32Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 120 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 11.5 ns Memory Organization: 4M x 8 DigiKey Programmable: Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25Q32ESTIG(T) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 32Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 120 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 11.5 ns Memory Organization: 4M x 8 DigiKey Programmable: Verified | на замовлення 9611 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY25Q32ESWIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8WSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 32Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 120 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-WSON (5x6) Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 11.5 ns Memory Organization: 4M x 8 DigiKey Programmable: Verified | на замовлення 2951 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY25Q32ESWIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8WSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 32Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 120 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-WSON (5x6) Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 11.5 ns Memory Organization: 4M x 8 DigiKey Programmable: Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25Q40AWOIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 4MBIT SPI/QUAD 8TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 85 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-TSSOP Write Cycle Time - Word, Page: 3ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 17 ns Memory Organization: 512K x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25Q40AWTIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 4MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 85 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 3ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 17 ns Memory Organization: 512K x 8 DigiKey Programmable: Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25Q40AWTIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 4MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 85 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 3ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 17 ns Memory Organization: 512K x 8 DigiKey Programmable: Verified | на замовлення 3970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY25Q40AWTIG(T) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 4MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 85 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 3ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 17 ns Memory Organization: 512K x 8 DigiKey Programmable: Verified | на замовлення 9854 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY25Q40BLSIG(T) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 4MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 50 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 3ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 17 ns Memory Organization: 512K x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25Q40BLUIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 4MBIT SPI/QUAD 8USON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 50 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-USON (2x3) Write Cycle Time - Word, Page: 3ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 17 ns Memory Organization: 512K x 8 | на замовлення 29975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY25Q40BLUIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 4MBIT SPI/QUAD 8USON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 50 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-USON (2x3) Write Cycle Time - Word, Page: 3ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 17 ns Memory Organization: 512K x 8 | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY25Q40BSMIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 4MBIT SPI/QUAD 8USON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-USON (2x3) Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI Access Time: 7 ns Memory Organization: 512K x 8 | на замовлення 29975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY25Q40BSMIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 4MBIT SPI/QUAD 8USON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-USON (2x3) Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI Access Time: 7 ns Memory Organization: 512K x 8 | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY25Q40BSSIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 4MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI Access Time: 7 ns Memory Organization: 512K x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25Q40BSSIG(T) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 4MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI Access Time: 7 ns Memory Organization: 512K x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25Q40BSTIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 4MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI Access Time: 7 ns Memory Organization: 512K x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25Q40BSTIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 4MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI Access Time: 7 ns Memory Organization: 512K x 8 | на замовлення 3894 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY25Q40BSTIG(T) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 4MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI Access Time: 7 ns Memory Organization: 512K x 8 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY25Q40BSTJG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 4MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 60µs, 4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI Access Time: 7 ns Memory Organization: 512K x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25Q40BSTJG(T) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 4MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 60µs, 4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI Access Time: 7 ns Memory Organization: 512K x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25Q40GLSIG(T) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 4MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 50 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 3ms, 3ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 17 ns Memory Organization: 512K x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25Q40GLUIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 4MBIT SPI/QUAD 8USON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 50 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-USON (2x3) Write Cycle Time - Word, Page: 3ms, 3ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 17 ns Memory Organization: 512K x 8 | на замовлення 28522 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY25Q40GLUIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 4MBIT SPI/QUAD 8USON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 50 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-USON (2x3) Write Cycle Time - Word, Page: 3ms, 3ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 17 ns Memory Organization: 512K x 8 | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY25Q40GWSIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 4MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 100 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 3ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 17 ns Memory Organization: 512K x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25Q40GWSIG(T) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 4MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 85 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 3ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 17 ns Memory Organization: 512K x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25Q40GWTIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 4MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 100 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 3ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 17 ns Memory Organization: 512K x 8 DigiKey Programmable: Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25Q40GWTIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 4MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 100 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 3ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 17 ns Memory Organization: 512K x 8 DigiKey Programmable: Verified | на замовлення 3895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY25Q40GWTIG(T) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 4MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 100 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 3ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 17 ns Memory Organization: 512K x 8 DigiKey Programmable: Verified | на замовлення 9685 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY25Q40GWUIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 4MBIT SPI/QUAD 8USON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 85 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-USON (2x3) Write Cycle Time - Word, Page: 3ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 17 ns Memory Organization: 512K x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25Q64ASHIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8USON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 64Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-USON (4x3) Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 8M x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25Q64ASSIG | BOYAMICRO | 64Mb-FLASH Memory IC; x8-bit; 2,7~3,6V; 120MHz; Quad SPI; -40?85°C; Replacement for: W25Q64CVSSIG, W25Q64FVSSIG, W25Q64JVSSIQ, GD25Q64BSIG, EN25Q64-104HIP BY25Q64ASSIG PEF25q64assig BY кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 88 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY25Q64ASSIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 64Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 8M x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25Q64ASSIG(T) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 64Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 8M x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25Q64ASTIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 64Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 8M x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25Q64ASTIG(T) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 64Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 8M x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25Q64ASWIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8WSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 64Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-WSON (5x6) Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 8M x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25Q64ESHIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8USON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 64Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 120 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-USON (4x3) Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 11.5 ns Memory Organization: 8M x 8 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY25Q64ESHIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8USON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 64Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 120 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-USON (4x3) Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 11.5 ns Memory Organization: 8M x 8 | на замовлення 3617 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY25Q64ESSIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 64Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 120 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 11.5 ns Memory Organization: 8M x 8 DigiKey Programmable: Verified | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY25Q64ESSIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 64Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 120 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 11.5 ns Memory Organization: 8M x 8 DigiKey Programmable: Verified | на замовлення 3163 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY25Q64ESSIG(T) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 64Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 120 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 11.5 ns Memory Organization: 8M x 8 DigiKey Programmable: Verified | на замовлення 9213 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY25Q64ESTIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 64Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 120 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 11.5 ns Memory Organization: 8M x 8 DigiKey Programmable: Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25Q64ESTIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 64Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 120 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 11.5 ns Memory Organization: 8M x 8 DigiKey Programmable: Verified | на замовлення 1336 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY25Q64ESTIG(T) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 64Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 120 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 11.5 ns Memory Organization: 8M x 8 DigiKey Programmable: Verified | на замовлення 9707 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY25Q64ESWIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8WSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 64Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 120 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-WSON (5x6) Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 11.5 ns Memory Organization: 8M x 8 DigiKey Programmable: Verified | на замовлення 2726 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY25Q64ESWIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8WSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 64Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 120 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-WSON (5x6) Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 11.5 ns Memory Organization: 8M x 8 DigiKey Programmable: Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25Q80AWSIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 100 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 3ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 1M x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25Q80AWSIG(T) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 100 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 3ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 1M x 8 DigiKey Programmable: Verified | на замовлення 9500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY25Q80AWTIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 100 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 3ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 1M x 8 DigiKey Programmable: Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25Q80AWTIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 100 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 3ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 1M x 8 DigiKey Programmable: Verified | на замовлення 3686 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY25Q80AWTIG(T) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 100 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 3ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 1M x 8 DigiKey Programmable: Verified | на замовлення 9995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY25Q80AWUIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8USON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 100 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-USON (2x3) Write Cycle Time - Word, Page: 3ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 1M x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25Q80AWXIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8USON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-XFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 100 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-USON (2x3) Write Cycle Time - Word, Page: 3ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 1M x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25Q80AWYIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8USON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-XFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 100 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-USON (1.5x1.5) Write Cycle Time - Word, Page: 3ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 1M x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25Q80BSMIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8USON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-USON (2x3) Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI Access Time: 7 ns Memory Organization: 1M x 8 DigiKey Programmable: Verified | на замовлення 29965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY25Q80BSMIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8USON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-USON (2x3) Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI Access Time: 7 ns Memory Organization: 1M x 8 DigiKey Programmable: Verified | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY25Q80BSSIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI Access Time: 7 ns Memory Organization: 1M x 8 DigiKey Programmable: Verified | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY25Q80BSSIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI Access Time: 7 ns Memory Organization: 1M x 8 DigiKey Programmable: Verified | на замовлення 3995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY25Q80BSSIG(T) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI Access Time: 7 ns Memory Organization: 1M x 8 DigiKey Programmable: Verified | на замовлення 9490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY25Q80BSTIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI Access Time: 7 ns Memory Organization: 1M x 8 DigiKey Programmable: Verified | на замовлення 3988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY25Q80BSTIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI Access Time: 7 ns Memory Organization: 1M x 8 DigiKey Programmable: Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25Q80BSTIG(T) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI Access Time: 7 ns Memory Organization: 1M x 8 DigiKey Programmable: Verified | на замовлення 8985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY25Q80BSTJG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 60µs, 4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI Access Time: 7 ns Memory Organization: 1M x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25Q80BSTJG(T) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 108 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 60µs, 4ms Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI Access Time: 7 ns Memory Organization: 1M x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY25Q80ESMIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8USON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-XFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 120 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-USON (2x3) Write Cycle Time - Word, Page: 55µs, 2ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 1M x 8 DigiKey Programmable: Verified | на замовлення 88565 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY25Q80ESMIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8USON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-XFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 120 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-USON (2x3) Write Cycle Time - Word, Page: 55µs, 2ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 1M x 8 DigiKey Programmable: Verified | на замовлення 87000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY25Q80ESSIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 120 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 55µs, 2ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 1M x 8 DigiKey Programmable: Verified | на замовлення 11985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY25Q80ESSIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 120 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 55µs, 2ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 1M x 8 DigiKey Programmable: Verified | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY25Q80ESSIG(T) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 120 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 55µs, 2ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 1M x 8 DigiKey Programmable: Verified | на замовлення 18865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY25Q80ESTIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 120 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 55µs, 2ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 1M x 8 DigiKey Programmable: Verified | на замовлення 11945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY25Q80ESTIG(R) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 120 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 55µs, 2ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 1M x 8 DigiKey Programmable: Verified | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY25Q80ESTIG(T) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8SOP Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 120 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-SOP Write Cycle Time - Word, Page: 55µs, 2ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Access Time: 7 ns Memory Organization: 1M x 8 DigiKey Programmable: Verified | на замовлення 29914 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY268TAP | Vishay Semiconductors | Rectifiers FAST AVALANCHE 1400V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY268TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 1400V 800MA SOD57 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 400 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 800mA Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 400 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY268TAP | Vishay | Diode Switching 0.8A 2-Pin SOD-57 Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY268TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers FAST AVALANCHE 1400V | на замовлення 22654 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY268TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 1400V 800MA SOD57 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 400 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 800mA Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 400 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1400 V | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY268TR | Vishay | Diode Switching 0.8A 2-Pin SOD-57 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY268TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 0.8A 400ns 2-Pin SOD-57 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY268TR | Vishay | Diode Switching 0.8A 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 24147 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY268TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 1400V 800MA SOD57 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 400 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 800mA Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 400 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1400 V | на замовлення 17846 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY268TR | Vishay | Diode Switching 0.8A 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 24147 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY268V | на замовлення 12180 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BY269 Код товару: 72040
Додати до обраних
Обраний товар
| Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BY269 | VISHAY | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BY269TAP | Vishay | Diode Switching 0.8A 2-Pin SOD-57 Ammo | на замовлення 10282 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY269TAP | Vishay | Diode Switching 0.8A 2-Pin SOD-57 Ammo | на замовлення 8969 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY269TAP Код товару: 140193
Додати до обраних
Обраний товар
| Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BY269TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 1600V 800MA SOD57 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 800mA Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: 140°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 400 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1400 V | на замовлення 9835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY269TAP | VISHAY | BY269 THT universal diodes | на замовлення 3929 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY269TAP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1600 Volt 0.8 Amp 20 Amp IFSM | на замовлення 22750 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY269TAP | Vishay | Diode Switching 0.8A 2-Pin SOD-57 Ammo | на замовлення 8940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY269TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 1600V 800MA SOD57 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 800mA Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: 140°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 400 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1400 V | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY269TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 1600V 800MA SOD57 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 400 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 800mA Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 400 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1600 V | на замовлення 37825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY269TR | Vishay | Diode Switching 0.8A 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY269TR | VISHAY | Description: VISHAY - BY269TR - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.8 kV, 800 mA, Einfach, 1.25 V, 400 ns, 20 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-57 Durchlassstoßstrom: 20A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 400ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 800mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BY269 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1.8kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 24304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY269TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1600 Volt 0.8 Amp 20 Amp IFSM | на замовлення 101127 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY269TR | Vishay | Diode Switching 0.8A 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 17177 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY269TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVAL 1600V 800MA SOD57 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 400 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 800mA Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 400 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1600 V | на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY269TR | Vishay | Diode Switching 0.8A 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 17177 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY269TR | VISHAY | Description: VISHAY - BY269TR - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.8 kV, 800 mA, Einfach, 1.25 V, 400 ns, 20 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-57 Durchlassstoßstrom: 20A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 400ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 800mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BY269 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1.8kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 23290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY269TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 0.8A 400ns 2-Pin SOD-57 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY269TR | Vishay | Diode Switching 0.8A 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY269TR | Vishay | Diode Switching 0.8A 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 7073 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY296 | Diotec Semiconductor | Rectifier Diode Switching 100V 2A 500ns 2-Pin DO-201 Ammo | на замовлення 860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY296 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | BY296-DIO THT universal diodes | на замовлення 850 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY296 | Diotec Semiconductor | Rectifier Diode Switching 100V 2A 500ns 2-Pin DO-201 Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY296 | Diotec Semiconductor | Description: DIODE STANDARD 100V 2A DO201 Packaging: Bulk Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-201 Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V | на замовлення 1700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY296 | EIC | Diode Switching 100V 2A 2-Pin DO-201AD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY296 | Diotec Semiconductor | Rectifier Diode Switching 100V 2A 500ns 2-Pin DO-201 Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY296 | Diotec Semiconductor | Diode Switching 100V 2A 2-Pin DO-201 Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY296 | Diotec Semiconductor | Description: DIODE STANDARD 100V 2A DO201 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-201 Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY296 | Diotec Semiconductor | Rectifier Diode Switching 100V 2A 500ns 2-Pin DO-201 Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY296 | Diotec Semiconductor | Rectifiers Diode, Fast, DO-201, 100V, 2A, 500ns | на замовлення 3400 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY296 | Diotec Semiconductor | Diode Switching 100V 2A 2-Pin DO-201 Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY297 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 70A; DO201; Ir: 5uA Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 2A Reverse recovery time: 0.5µs Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Case: DO201 Max. forward voltage: 1.3V Max. forward impulse current: 70A Leakage current: 5µA Kind of package: Ammo Pack Max. load current: 20A | на замовлення 954 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY297 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 2A,200V,FASTSWITCH,PLASTIC RECTIFIER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY297 | Diotec Semiconductor | Rectifier Diode Switching 200V 2A 500ns 2-Pin DO-201 Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY297 | Diotec Semiconductor | Rectifier Diode Switching 200V 2A 500ns 2-Pin DO-201 Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY297 | Diotec Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 200V 2A Packaging: Tape & Reel (TR) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 2A Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY297 | Diotec Semiconductor | Rectifiers Diode, Fast, DO-201, 200V, 2A, 150C | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY297 | Diotec Semiconductor | Rectifier Diode Switching 200V 2A 500ns 2-Pin DO-201 Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY297 | EIC Semiconductor | Rectifier Diode Switching 200V 2A 250ns 2-Pin DO-201AD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY297 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 70A; DO201; Ir: 5uA Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 2A Reverse recovery time: 0.5µs Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Case: DO201 Max. forward voltage: 1.3V Max. forward impulse current: 70A Leakage current: 5µA Kind of package: Ammo Pack Max. load current: 20A кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 954 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY297 | Diotec Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO201 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-201 Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY297 | Diotec Semiconductor | Rectifier Diode Switching 200V 2A 500ns 2-Pin DO-201 Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY297 | Diotec Semiconductor | Rectifier Diode Switching 200V 2A 500ns 2-Pin DO-201 Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY297 R0 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 2A,200V,FASTSWITCH,PLASTIC RECTIFIER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY297P-E3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO201AD Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 28pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 125°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY298 | Diotec Semiconductor | Diode Switching 400V 2A 2-Pin DO-201 Ammo | на замовлення 949 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY298 | Diotec Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 400V 2A DO201 Packaging: Bulk Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-201 Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | на замовлення 1700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY298 | Diotec Semiconductor | Rectifiers Diode, Fast, DO-201, 400V, 2A, 150C | на замовлення 1686 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY298 | Diotec Semiconductor | Diode Switching 400V 2A 2-Pin DO-201 Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY298 | DC COMPONENTS | BY298-DC THT universal diodes | на замовлення 6790 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY298 | EIC | Diode Switching 400V 2A 2-Pin DO-201AD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY298 | Diotec Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 400V 2A DO201 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-201 Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY298 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 70A; DO201; Ir: 5uA Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 70A Case: DO201 Max. forward voltage: 1.3V Max. load current: 20A Leakage current: 5µA Reverse recovery time: 0.5µs | на замовлення 799 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY298 | Diotec Semiconductor | Diode Switching 400V 2A 2-Pin DO-201 Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY298 | Diotec Semiconductor | Diode Switching 400V 2A 2-Pin DO-201 Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY298 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 2A,400V,FASTSWITCH,PLASTIC RECTIFIER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY298 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 70A; DO201; Ir: 5uA Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 70A Case: DO201 Max. forward voltage: 1.3V Max. load current: 20A Leakage current: 5µA Reverse recovery time: 0.5µs кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 799 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY298 R0 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 2A,400V,FASTSWITCH,PLASTIC RECTIFIER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY298 диод Код товару: 84641
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BY298P-E3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 2A DO201AD Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 28pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 125°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY299 | Diotec Semiconductor | Description: DIODE STANDARD 800V 2A DO201 Packaging: Bulk Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-201 Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY299 | Diotec Semiconductor | Rectifiers Diode, Fast, DO-201, 800V, 2A, 150C | на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY299 | EIC Semiconductor | Diode Switching 800V 2A 2-Pin DO-201AD Ammo/Bag/T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY299 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 70A; DO201; Ir: 5uA Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 70A Case: DO201 Max. forward voltage: 1.3V Max. load current: 20A Leakage current: 5µA Reverse recovery time: 0.5µs кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2360 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY299 | Diotec Semiconductor | Diode Switching 800V 2A 2-Pin DO-201 Ammo | на замовлення 3400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY299 | DC COMPONENTS | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 70A; DO15; 500ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 70A Case: DO15 Max. forward voltage: 1.3V Reverse recovery time: 0.5µs | на замовлення 14025 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY299 | Diotec Semiconductor | Diode Switching 800V 2A 2-Pin DO-201 Ammo | на замовлення 3400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY299 Код товару: 54701
Додати до обраних
Обраний товар
| Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BY299 | Diotec Semiconductor | Description: DIODE STANDARD 800V 2A DO201 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-201 Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V | на замовлення 1193 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY299 | Diotec Semiconductor | Diode Switching 800V 2A 2-Pin DO-201 Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY299 | DC COMPONENTS | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 70A; DO15; 500ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 70A Case: DO15 Max. forward voltage: 1.3V Reverse recovery time: 0.5µs кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 14025 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY299 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 2A,800V,FASTSWITCH,PLASTIC RECTIFIER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY299 | Diotec Semiconductor | Diode Switching 800V 2A 2-Pin DO-201 Ammo | на замовлення 3400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY299 | DC Components Co, Ltd | 2A; 800V; packaging: ammo; BY299 diode rectifying DP BY299 кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY299 | Diotec Semiconductor | Diode Switching 800V 2A 2-Pin DO-201 Ammo | на замовлення 2360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY299 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 70A; DO201; Ir: 5uA Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 70A Case: DO201 Max. forward voltage: 1.3V Max. load current: 20A Leakage current: 5µA Reverse recovery time: 0.5µs | на замовлення 2360 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BY299 | Diotec Semiconductor | Diode Switching 800V 2A 2-Pin DO-201 Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY299 R0 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 2A,800V,FASTSWITCH,PLASTIC RECTIFIER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY299BULK | EIC SEMICONDUCTOR INC. | Description: DIODE GEN PURP 800V 2A DO15 | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY299P-E3 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 2A,800V,500NS,FS,PLAS RECT,DO-201AD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY299P-E3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 800V 2A DO201AD Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 28pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 125°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY299P-E3/54 | Vishay Semiconductors | Rectifiers RECOMMENDED ALT 625-RGP30K-E3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY299P-E3/54 | Vishay | Rectifier Diode Switching 800V 2A 1000ns 2-Pin DO-201AD T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY299P-E3/73 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 800V 2A DO201AD Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 28pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 125°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY299P-E3/73 | Vishay Semiconductors | Rectifiers RECOMMENDED ALT 625-RGP30K-E3/73 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BY29E100 | на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BY29G1GFSBIG(Y) | BYTe Semiconductor | Description: IC FLASH 1GBIT CFI 64TFBGA Packaging: Tray Package / Case: 64-LBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Gbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 64-TFBGA (11x13) Memory Interface: CFI Memory Organization: 128M x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |