Продукція > BY2

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BY2000DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 2kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 100A; DO201; Ir: 5uA
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 100A
Leakage current: 5µA
Case: DO201
Kind of package: Ammo Pack
Max. off-state voltage: 2kV
Max. load current: 20A
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 1.5µs
Type of diode: rectifying
на замовлення 3627 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
21+17.69 грн
28+ 12.32 грн
85+ 9.38 грн
231+ 8.9 грн
1000+ 8.76 грн
Мінімальне замовлення: 21
BY2000Diotec SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 2000V 3A DO201
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 2000 V
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1700+11.86 грн
Мінімальне замовлення: 1700
BY2000Diotec SemiconductorRectifiers Diode, DO-201, 2000V, 3A
на замовлення 5223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.09 грн
10+ 32.65 грн
100+ 17.02 грн
500+ 16.89 грн
1000+ 16.3 грн
1700+ 14.39 грн
3400+ 13.54 грн
Мінімальне замовлення: 8
BY2000Diotec ElectronicsRectifier Diode Switching 2KV 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
на замовлення 6222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
624+18.67 грн
728+ 16 грн
1000+ 15.52 грн
2500+ 14.54 грн
5000+ 13.09 грн
Мінімальне замовлення: 624
BY2000DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 2kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 100A; DO201; Ir: 5uA
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 100A
Leakage current: 5µA
Case: DO201
Kind of package: Ammo Pack
Max. off-state voltage: 2kV
Max. load current: 20A
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 1.5µs
Type of diode: rectifying
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3627 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
13+21.23 грн
25+ 15.36 грн
85+ 11.25 грн
231+ 10.68 грн
1000+ 10.52 грн
Мінімальне замовлення: 13
BY2000Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 2KV 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
товар відсутній
BY2000Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 2KV 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+8.97 грн
Мінімальне замовлення: 35
BY2000Diotec ElectronicsRectifier Diode Switching 2KV 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
на замовлення 1075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
369+31.64 грн
544+ 21.43 грн
666+ 17.5 грн
1000+ 16.71 грн
Мінімальне замовлення: 369
BY2000
Код товару: 105894		VishayДіоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-201
Uзвор., V: 2000 V
Iвипр., A: 3 A
Монтаж: THT
у наявності 145 шт:
90 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
15 шт - РАДІОМАГ-Харків
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+10 грн
10+ 8.9 грн
100+ 7.2 грн
BY2000Diotec SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 2000V 3A DO201
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 2000 V
на замовлення 2137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.28 грн
11+ 25.88 грн
100+ 18 грн
500+ 13.19 грн
Мінімальне замовлення: 10
BY2000Diotec ElectronicsRectifier Diode Switching 2KV 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1700+16.18 грн
Мінімальне замовлення: 1700
BY2000Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 2KV 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+34.25 грн
20+ 29.38 грн
100+ 19.9 грн
500+ 15.67 грн
1000+ 14.36 грн
Мінімальне замовлення: 17
BY2000Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 2KV 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
товар відсутній
BY2000Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 2KV 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
товар відсутній
BY2000-CTDiotec SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 2KV 3A DO201
Packaging: Strip
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 2 V
товар відсутній
BY20195/96/97
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BY203-12
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BY203-12STAPVishayRectifier Diode Switching 1.2KV 0.25A 300ns 2-Pin SOD-57 Ammo
товар відсутній
BY203-12STAPVishay SemiconductorsRectifiers 1200 Volt 0.25 Amp 20 Amp IFSM
товар відсутній
BY203-12STAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE AVAL 1.2KV 250MA SOD57
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 300 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.4 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 700 V
товар відсутній
BY203-12STRVishay SemiconductorsRectifiers 1200 Volt 0.25 Amp 20 Amp IFSM
товар відсутній
BY203-12STRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE AVAL 1.2KV 250MA SOD57
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 300 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.4 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 700 V
товар відсутній
BY203-12STRVishayRectifier Diode Switching 1.2KV 0.25A 300ns 2-Pin SOD-57 T/R
товар відсутній
BY203-16STAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE AVAL 1.6KV 250MA SOD57
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 300 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.4 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1000 V
товар відсутній
BY203-16STAPVISHAYCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.6kV; 0.25A; Ammo Pack; Ifsm: 20A; SOD57
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 20A
Case: SOD57
Max. forward voltage: 2.4V
Leakage current: 2µA
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BY203-16STAPVishayRectifier Diode Switching 1.6KV 0.25A 300ns 2-Pin SOD-57 Ammo
товар відсутній
BY203-16STAPVISHAYCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.6kV; 0.25A; Ammo Pack; Ifsm: 20A; SOD57
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 20A
Case: SOD57
Max. forward voltage: 2.4V
Leakage current: 2µA
Reverse recovery time: 300ns
товар відсутній
BY203-16STAPVishay SemiconductorsRectifiers 1600 Volt 0.25 Amp 20 Amp IFSM
товар відсутній
BY203-16STRVishay SemiconductorsRectifiers 1600 Volt 0.25 Amp 20 Amp IFSM
товар відсутній
BY203-16STRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE AVAL 1.6KV 250MA SOD57
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 300 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.4 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1000 V
товар відсутній
BY203-16STRVishayRectifier Diode Switching 1.6KV 0.25A 300ns 2-Pin SOD-57 T/R
товар відсутній
BY203-20S-TRVishayDiode Switching 2KV 0.25A 2-Pin SOD-57 T/R
на замовлення 4709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
365+31.96 грн
397+ 29.39 грн
409+ 28.5 грн
500+ 26.43 грн
1000+ 23.59 грн
Мінімальне замовлення: 365
BY203-20S-TRVishayDiode Switching 2KV 0.25A 2-Pin SOD-57 T/R
на замовлення 25349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+57.66 грн
12+ 49.6 грн
25+ 49.12 грн
100+ 32.77 грн
250+ 30.03 грн
500+ 23.96 грн
1000+ 18.01 грн
3000+ 17.09 грн
Мінімальне замовлення: 10
BY203-20S-TRVishayDiode Switching 2KV 0.25A 2-Pin SOD-57 T/R
на замовлення 25349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
218+53.42 грн
221+ 52.9 грн
319+ 36.6 грн
322+ 34.93 грн
500+ 26.87 грн
1000+ 19.4 грн
3000+ 18.41 грн
6000+ 18.4 грн
Мінімальне замовлення: 218
BY203-20S-TRVishayDiode Switching 2KV 0.25A 2-Pin SOD-57 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+22.74 грн
10000+ 20.88 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BY203-20S-TRVishayDiode Switching 2KV 0.25A 2-Pin SOD-57 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+21.12 грн
10000+ 19.39 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BY203-20STAPVishay SemiconductorsRectifiers 2000 Volt 0.25 Amp 20 Amp IFSM
на замовлення 62234 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.5 грн
10+ 46.56 грн
100+ 29.71 грн
500+ 25.1 грн
1000+ 19.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
BY203-20STAP
Код товару: 28539		VishayДіоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: SOD-57
Uзвор., V: 2000 V
Iвипр., A: 0,25 A
Опис: Швидкий
Падіння напруги Vf: 2,4 V
товар відсутній
BY203-20STAPVISHAYCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 2kV; 0.25A; Ammo Pack; Ifsm: 20A; SOD57
Type of diode: rectifying
Case: SOD57
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 20A
Leakage current: 2µA
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching
Max. off-state voltage: 2kV
Max. forward voltage: 2.4V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 300ns
на замовлення 6962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+55.73 грн
10+ 36.97 грн
25+ 33.27 грн
30+ 26.01 грн
83+ 24.64 грн
Мінімальне замовлення: 7
BY203-20STAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE AVALANCHE 2KV 250MA SOD57
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 300 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.4 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V
товар відсутній
BY203-20STAPVishayDiode Switching 2KV 0.25A 2-Pin SOD-57 Ammo
на замовлення 26560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+57.58 грн
13+ 46.4 грн
25+ 45.98 грн
100+ 32.46 грн
250+ 29.75 грн
500+ 23.96 грн
1000+ 18.03 грн
3000+ 17.98 грн
6000+ 17.95 грн
Мінімальне замовлення: 11
BY203-20STAPVishay SemiconductorВипрямний ультрашвидкий лавинноподібний діод вивідний; Ur, В = 1 200; Io, А = 0,25; If, A = 0,2; Uf (max), В = 2,4; I, мкА @ Ur, В = 2 @ 1200; trr, нс = 300; Тексп, °С = -55...+150; SOD-57
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
10+62.4 грн
100+ 18.78 грн
Мінімальне замовлення: 10
BY203-20STAPVishayDiode Switching 2KV 0.25A 2-Pin SOD-57 Ammo
на замовлення 1952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+20.85 грн
Мінімальне замовлення: 15
BY203-20STAPVishayDiode Switching 2KV 0.25A 2-Pin SOD-57 Ammo
на замовлення 26560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
233+49.97 грн
236+ 49.52 грн
322+ 36.25 грн
325+ 34.6 грн
500+ 26.88 грн
1000+ 19.41 грн
3000+ 19.37 грн
6000+ 19.33 грн
15000+ 19.29 грн
Мінімальне замовлення: 233
BY203-20STAPVISHAYDescription: VISHAY - BY203-20STAP - Diode mit Standard-Erholzeit, 2 kV, 250 mA, Einfach, 2.4 V, 300 ns, 20 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-57
Durchlassstoßstrom: 20A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 2.4V
Sperrverzögerungszeit: 300ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 2kV
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BY203
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 74147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+66.87 грн
14+ 54.26 грн
100+ 34.65 грн
500+ 27.18 грн
1000+ 22.56 грн
5000+ 20.03 грн
Мінімальне замовлення: 12
BY203-20STAPVISHAYCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 2kV; 0.25A; Ammo Pack; Ifsm: 20A; SOD57
Type of diode: rectifying
Case: SOD57
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 20A
Leakage current: 2µA
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching
Max. off-state voltage: 2kV
Max. forward voltage: 2.4V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6962 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+66.88 грн
6+ 46.07 грн
25+ 39.92 грн
30+ 31.22 грн
83+ 29.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
BY203-20STAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE AVALANCHE 2KV 250MA SOD57
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 300 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.4 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V
на замовлення 5497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.03 грн
10+ 44.84 грн
100+ 31.03 грн
500+ 24.33 грн
1000+ 20.71 грн
2000+ 18.44 грн
Мінімальне замовлення: 6
BY203-20STAPVishayDiode Switching 2KV 0.25A 2-Pin SOD-57 Ammo
товар відсутній
BY203-20STRVishayDiode Switching 2KV 0.25A 2-Pin SOD-57 T/R
товар відсутній
BY203-20STRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE AVALANCHE 2KV 250MA SOD57
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 300 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.4 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V
на замовлення 86083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.39 грн
10+ 31.49 грн
100+ 21.82 грн
500+ 17.1 грн
1000+ 16.02 грн
Мінімальне замовлення: 8
BY203-20STRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE AVALANCHE 2KV 250MA SOD57
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 300 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.4 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+17.72 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BY203-20STRVishay SemiconductorsRectifiers 2000 Volt 0.25 Amp 20 Amp IFSM
на замовлення 3318 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.5 грн
10+ 49.81 грн
100+ 30.03 грн
500+ 25.1 грн
1000+ 19.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
BY203-20STR(диод)
Код товару: 54247		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товар відсутній
BY203/20
Код товару: 56225		Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
товар відсутній
BY206GP-E3/54VISHAYDescription: VISHAY - BY206GP-E3/54 - Diode mit Standard-Erholzeit, 350 V, 400 mA, Einfach, 1.5 V, 1 µs, 15 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassstoßstrom: 15A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.5V
Sperrverzögerungszeit: 1µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 400mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 350V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BY206
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 20085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+32.59 грн
33+ 22.78 грн
100+ 21.31 грн
500+ 18.42 грн
1000+ 15.73 грн
2500+ 14.53 грн
5500+ 13.21 грн
11000+ 12.01 грн
Мінімальне замовлення: 23
BY206GP-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GP 300V 400MA DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 400mA
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 300 V
на замовлення 9170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.59 грн
16+ 17.18 грн
100+ 8.67 грн
500+ 7.21 грн
1000+ 5.61 грн
2000+ 5.02 грн
Мінімальне замовлення: 12
BY206GP-E3/54Vishay General SemiconductorRectifiers 1.0 Amp 350 Volt
на замовлення 5868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.83 грн
16+ 19.35 грн
100+ 7.49 грн
1000+ 5.26 грн
2500+ 5.13 грн
5500+ 4.53 грн
22000+ 4.47 грн
Мінімальне замовлення: 12
BY206GP-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GP 300V 400MA DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 400mA
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 300 V
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5500+5.43 грн
Мінімальне замовлення: 5500
BY206GP-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GP 300V 400MA DO204AL
товар відсутній
BY206GP-E3/73Vishay General SemiconductorRectifiers 1.0 Amp 350 Volt
на замовлення 10144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+30.98 грн
13+ 25.09 грн
100+ 14.85 грн
500+ 11.11 грн
1000+ 8.67 грн
3000+ 7.29 грн
9000+ 7.1 грн
Мінімальне замовлення: 10
BY206GPHE3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GP 300V 400MA DO204AL
товар відсутній
BY206GPHE3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GP 300V 400MA DO204AL
товар відсутній
BY224PHILIPSSIP-4
на замовлення 134 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BY224PHILIPS
на замовлення 134 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BY227MGP-E3/54Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1.25KV 2A DO204AC
товар відсутній
BY227MGPHE3/54Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1.25KV 2A DO204AC
товар відсутній
BY228DiotecBY228G Диод выпрямительный, 1,5кВ, 3А, DO201
на замовлення 2 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
BY228NXP SemiconductorsNXP Semiconductors
товар відсутній
BY228
Код товару: 66877		NXPДіоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: SOD-64
Uзвор., V: 1500 V
Iвипр., A: 3 A
Монтаж: THT
товар відсутній
BY228-13TAPVishay SemiconductorsRectifiers 3.0 Amp 1300 Volt 50 Amp IFSM
товар відсутній
BY228-13TAPVishayRectifier Diode Switching 1KV 3A 20000ns 2-Pin SOD-64 Ammo
товар відсутній
BY228-13TAPVishayRectifier Diode Switching 1KV 3A 20000ns 2-Pin SOD-64 Ammo
товар відсутній
BY228-13TAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE AVALANCHE 1KV 3A SOD64
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: 140°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товар відсутній
BY228-13TRVishayRectifier Diode Switching 1KV 3A 20000ns 2-Pin SOD-64 T/R
товар відсутній
BY228-13TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE AVALANCHE 1KV 3A SOD64
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: 140°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товар відсутній
BY228-13TRVishay SemiconductorsRectifiers 3.0 Amp 1300 Volt 50 Amp IFSM
товар відсутній
BY228-15TAPVishay SemiconductorsRectifiers 3.0 Amp 1500 Volt 50 Amp IFSM
на замовлення 20467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+76.67 грн
10+ 62.12 грн
100+ 42.06 грн
500+ 35.62 грн
1000+ 29.05 грн
2500+ 27.34 грн
5000+ 26.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
BY228-15TAPVishayDiode Switching 1.2KV 3A 2-Pin SOD-64 Ammo
товар відсутній
BY228-15TAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE AVALANCHE 1.2KV 3A SOD64
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: 140°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+71.09 грн
10+ 55.86 грн
100+ 43.44 грн
500+ 34.55 грн
1000+ 28.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
BY228-15TAPVishayDiode Switching 1.2KV 3A 2-Pin SOD-64 Ammo
товар відсутній
BY228-15TAPVISHAYCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; SOD64; 20us
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 50A
Case: SOD64
Max. forward voltage: 1.5V
Leakage current: 140µA
Reverse recovery time: 20µs
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BY228-15TAPVishayDiode Switching 1.2KV 3A 2-Pin SOD-64 Ammo
товар відсутній
BY228-15TAPVISHAYCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; SOD64; 20us
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 50A
Case: SOD64
Max. forward voltage: 1.5V
Leakage current: 140µA
Reverse recovery time: 20µs
товар відсутній
BY228-15TAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE AVALANCHE 1.2KV 3A SOD64
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: 140°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.32 грн
5000+ 26.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500
BY228-15TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE AVALANCHE 1.2KV 3A SOD64
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: 140°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.32 грн
5000+ 26.89 грн
12500+ 25.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500
BY228-15TRVishayDiode Switching 1.2KV 3A 2-Pin SOD-64 T/R
товар відсутній
BY228-15TRVishayDiode Switching 1.2KV 3A 2-Pin SOD-64 T/R
товар відсутній
BY228-15TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE AVALANCHE 1.2KV 3A SOD64
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: 140°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
на замовлення 19258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+71.09 грн
10+ 55.86 грн
100+ 43.44 грн
500+ 34.55 грн
1000+ 28.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
BY228-15TRVishay SemiconductorsRectifiers 3.0 Amp 1500 Volt 50 Amp IFSM
на замовлення 7294 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+76.67 грн
10+ 62.12 грн
100+ 42.06 грн
500+ 35.62 грн
1000+ 29.05 грн
2500+ 27.34 грн
5000+ 26.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
BY228-15TRVishayDiode Switching 1.2KV 3A 2-Pin SOD-64 T/R
товар відсутній
BY228GDiotec ElectronicsStandard Recovery Rectifiers
на замовлення 3995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
597+19.53 грн
703+ 16.58 грн
1000+ 16.1 грн
2500+ 15.07 грн
Мінімальне замовлення: 597
BY228GDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.5kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 100A; DO201
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.5kV
Load current: 3A
Max. load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 100A
Case: DO201
Max. forward voltage: 1.1V
Leakage current: 5µA
Reverse recovery time: 1.5µs
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BY228GDiotec SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 1500V 3A DO201
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1500 V
товар відсутній
BY228GDiotec SemiconductorRectifiers Diode, DO-201, 1500V, 3A
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.47 грн
10+ 33.78 грн
100+ 17.61 грн
500+ 17.48 грн
1000+ 16.96 грн
1700+ 14.92 грн
3400+ 14.06 грн
Мінімальне замовлення: 8
BY228GDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.5kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 100A; DO201
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.5kV
Load current: 3A
Max. load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 100A
Case: DO201
Max. forward voltage: 1.1V
Leakage current: 5µA
Reverse recovery time: 1.5µs
товар відсутній
BY228G
Код товару: 117012		DiotecДіоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-201
Uзвор., V: 1500 V
Iвипр., A: 3 A
Опис: Випрямляючий
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,3 V
товар відсутній
BY228GDiotec SemiconductorВипрямний діод вивідний; Io, A = 3; Uзвор, В = 1 500; Uf (max), В = 1,3; If, А = 3; Тексп, °C = -50...+150; I, мкА @ Ur, В = 5 @ 1500; DO-201
на замовлення 140 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
34+18.81 грн
37+ 16.94 грн
100+ 15.05 грн
Мінімальне замовлення: 34
BY228GDiotec SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 1500V 3A DO201
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1500 V
товар відсутній
BY228GDiotec SemiconductorDiode, DO-201, 1500V, 3A
товар відсутній
BY228GPVishay SemiconductorsRectifiers 2.5A,1500V,SUPER RECT.DO-201AD
товар відсутній
BY228GP-E3/54VISHAYCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.5kV; 2.5A; Ifsm: 50A; DO201AD; Ufmax: 1.6V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.5kV
Load current: 2.5A
Max. load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated
Capacitance: 40pF
Max. forward impulse current: 50A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1.6V
Leakage current: 0.2mA
Reverse recovery time: 20µs
товар відсутній
BY228GP-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GP 1.5KV 2.5A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.5A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 2.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1500 V
на замовлення 6749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+99.53 грн
10+ 79.82 грн
100+ 63.57 грн
500+ 50.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
BY228GP-E3/54
Код товару: 155570		VishayДіоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-201AD
Uзвор., V: 1500 V
Iвипр., A: 2,5 A
Опис: Выпрямительный
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,6 V
у наявності 611 шт:
231 шт - склад
104 шт - РАДІОМАГ-Київ
186 шт - РАДІОМАГ-Харків
90 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується 50 шт:
50 шт - очікується
1+15.5 грн
10+ 13.8 грн
100+ 12.4 грн
BY228GP-E3/54VishayDiode Switching 1.5KV 2.5A 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY228GP-E3/54VISHAYCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.5kV; 2.5A; Ifsm: 50A; DO201AD; Ufmax: 1.6V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.5kV
Load current: 2.5A
Max. load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated
Capacitance: 40pF
Max. forward impulse current: 50A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1.6V
Leakage current: 0.2mA
Reverse recovery time: 20µs
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BY228GP-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GP 1.5KV 2.5A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.5A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 2.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1500 V
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1400+47.39 грн
2800+ 43.36 грн
Мінімальне замовлення: 1400
BY228GP-E3/54VishayDiode Switching 1.5KV 2.5A 2-Pin DO-201AD T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2800+25.3 грн
Мінімальне замовлення: 2800
BY228GP-E3/54Vishay General SemiconductorRectifiers 2.5 Amp 1500 Volt
на замовлення 28416 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+108.11 грн
10+ 89.18 грн
100+ 61.71 грн
500+ 51.98 грн
1400+ 42.91 грн
2800+ 40.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
BY228GP-E3/54VishayDiode Switching 1.5KV 2.5A 2-Pin DO-201AD T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2800+41.47 грн
4200+ 40.93 грн
7000+ 40.81 грн
Мінімальне замовлення: 2800
BY228GP-E3/54VISHAYDescription: VISHAY - BY228GP-E3/54 - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.5 kV, 2.5 A, Einfach, 1.6 V, 2 µs, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201AD
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.6V
Sperrverzögerungszeit: 2µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2.5A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.5kV
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SUPERECTIFIER
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 12051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+117.96 грн
10+ 90.68 грн
100+ 69.23 грн
500+ 54.15 грн
1000+ 39.05 грн
5000+ 38.29 грн
Мінімальне замовлення: 7
BY228GP-E3/54VishayDiode Switching 1.5KV 2.5A 2-Pin DO-201AD T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1400+54.58 грн
4200+ 53.66 грн
Мінімальне замовлення: 1400
BY228GP-E3/73VishayRectifier Diode Switching 1.5KV 2.5A 20000ns 2-Pin DO-201AD Ammo
товар відсутній
BY228GP-E3/73Vishay General SemiconductorRectifiers 2.5A,1500V,SUPER RECT.DO-201AD
на замовлення 3192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.74 грн
10+ 102.78 грн
100+ 71.63 грн
500+ 60.13 грн
1000+ 51 грн
2000+ 48.44 грн
5000+ 46.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
BY228GP-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GP 1.5KV 2.5A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.5A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 2.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1500 V
на замовлення 964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.88 грн
10+ 92.28 грн
100+ 73.45 грн
500+ 58.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
BY228GP-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GP 1.5KV 2.5A DO201AD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.5A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 2.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1500 V
товар відсутній
BY228GPHE3/54VishayRectifier Diode Switching 1.5KV 2.5A 20000ns Automotive 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY228GPHE3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GP 1.5KV 2.5A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.5A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 2.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1500 V
товар відсутній
BY228TAPVishayDiode Switching 1.65KV 3A 2-Pin SOD-64 Ammo
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
172+67.91 грн
196+ 59.67 грн
222+ 52.49 грн
233+ 48.37 грн
500+ 42.36 грн
1000+ 38.59 грн
2000+ 36.68 грн
2500+ 35.76 грн
Мінімальне замовлення: 172
BY228TAPVISHAYCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.5kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; SOD64
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.5kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 50A
Case: SOD64
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6015 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+73.43 грн
6+ 45.21 грн
25+ 40.99 грн
26+ 36.97 грн
72+ 34.5 грн
500+ 33.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
BY228TAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE AVALANCHE 1.5KV 3A SOD64
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: 140°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1500 V
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+71.09 грн
10+ 55.86 грн
100+ 43.44 грн
500+ 34.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
BY228TAPVishayDiode Switching 1.65KV 3A 2-Pin SOD-64 Ammo
на замовлення 31312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
229+50.93 грн
267+ 43.74 грн
500+ 38.29 грн
1000+ 31.23 грн
2500+ 27.75 грн
5000+ 25.67 грн
12500+ 25.22 грн
25000+ 24.64 грн
Мінімальне замовлення: 229
BY228TAPVishayДиод БМ SOD-64 U=1500 V I=3 A trr=20000 ns
на замовлення 2486 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
9+33.26 грн
10+ 25.74 грн
Мінімальне замовлення: 9
BY228TAPVISHAYDescription: VISHAY - BY228TAP - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.65 kV, 3 A, Einfach, 1.5 V, 20 µs, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-64
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.5V
Sperrverzögerungszeit: 20µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.65kV
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 140°C
на замовлення 22089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+84.04 грн
12+ 62.89 грн
100+ 47.11 грн
500+ 37.04 грн
1000+ 25.4 грн
5000+ 24.71 грн
Мінімальне замовлення: 9
BY228TAPVishayDiode Switching 1.65KV 3A 2-Pin SOD-64 Ammo
на замовлення 31329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+20.93 грн
Мінімальне замовлення: 15
BY228TAPVishayDiode Switching 1.65KV 3A 2-Pin SOD-64 Ammo
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BY228TAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE AVALANCHE 1.5KV 3A SOD64
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: 140°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1500 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.32 грн
5000+ 26.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500
BY228TAPVishayDiode Switching 1.65KV 3A 2-Pin SOD-64 Ammo
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7500+30.12 грн
Мінімальне замовлення: 7500
BY228TAPVISHAYCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.5kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; SOD64
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.5kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 50A
Case: SOD64
на замовлення 6015 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+61.19 грн
10+ 36.28 грн
25+ 34.16 грн
26+ 30.81 грн
72+ 28.75 грн
500+ 27.73 грн
Мінімальне замовлення: 7
BY228TAPVishay SemiconductorВипрямний лавиноподібний діод вивідний; Io, A = 3; Uзвор, В = 1 500; Uf (max), В = 1,5; If, А = 5; trr, нс = 20 000; Тексп, °С = -55...+175; I, мкА @ Ur, В = 5 @ 1500; SOD-64
на замовлення 836 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
19+33.1 грн
21+ 29.8 грн
100+ 26.47 грн
Мінімальне замовлення: 19
BY228TAP
Код товару: 38478		EICДіоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: SOD-64
Uзвор., V: 1500 V
Iвипр., A: 3 A
Опис: демпферний діод
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,5 V
у наявності 52 шт:
40 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
1+22.5 грн
10+ 19.8 грн
BY228TAPVishay SemiconductorsRectifiers 3.0 Amp 1500 Volt 50 Amp IFSM
на замовлення 27748 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+76.67 грн
10+ 59.78 грн
100+ 42.06 грн
500+ 35.62 грн
1000+ 29.05 грн
2500+ 26.75 грн
5000+ 25.7 грн
Мінімальне замовлення: 4
BY228TAPVishayDiode Switching 1.65KV 3A 2-Pin SOD-64 Ammo
на замовлення 31329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+56.29 грн
13+ 47.23 грн
100+ 40.55 грн
500+ 34.23 грн
1000+ 26.81 грн
2500+ 24.7 грн
5000+ 23.8 грн
12500+ 23.38 грн
25000+ 22.84 грн
Мінімальне замовлення: 11
BY228TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE AVALANCHE 1.5KV 3A SOD64
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: 140°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1500 V
на замовлення 12307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+71.09 грн
10+ 55.86 грн
100+ 43.44 грн
500+ 34.55 грн
1000+ 28.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
BY228TRVishay SemiconductorsRectifiers 3.0 Amp 1500 Volt 50 Amp IFSM
на замовлення 20677 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+63.48 грн
10+ 50.71 грн
100+ 34.24 грн
500+ 29.05 грн
1000+ 26.62 грн
5000+ 25.3 грн
12500+ 24.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
BY228TRVishayDiode Switching 1.65KV 3A 2-Pin SOD-64 T/R
товар відсутній
BY228TRVishayDiode Switching 1.65KV 3A 2-Pin SOD-64 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+31.14 грн
Мінімальне замовлення: 10000
BY228TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE AVALANCHE 1.5KV 3A SOD64
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: 140°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1500 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.32 грн
5000+ 26.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500
BY228TRVishayRectifier Diode Switching 1.65KV 3A 20000ns 2-Pin SOD-64 T/R
товар відсутній
BY228TRVishayDiode Switching 1.65KV 3A 2-Pin SOD-64 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BY229-1000R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BY229-200-E3Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching `A,200V,145NS,FS PLASTIC RECT
товар відсутній
BY229-200-E3/45VishayRectifier Diode Switching 200V 8A 145ns 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
товар відсутній
BY229-200-E3/45Vishay SemiconductorsRectifiers 8.0 Amp 200 Volt
товар відсутній
BY229-200-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товар відсутній
BY229-200HE3Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8A,200V,145NS,FS PLASTIC RECT
товар відсутній
BY229-200HE3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товар відсутній
BY229-400-E3/45VishayDiode Switching 400V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
товар відсутній
BY229-400-E3/45Vishay SemiconductorsRectifiers
товар відсутній
BY229-600Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8A,600V,145NS,FS PLASTIC RECT
товар відсутній
BY229-600
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BY229-600NXP SemiconductorsRectifiers RAIL REC-DD
товар відсутній
BY229-600,127NXP USA Inc.Description: DIODE GEN PURP 500V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 135 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 500 V
товар відсутній
BY229-600,127NXP SemiconductorsRectifier Diode Switching 600V 8A 135ns 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Rail
товар відсутній
BY229-600-E3Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8A,600V,145NS,FS PLASTIC RECT
товар відсутній
BY229-600-E3/45Vishay SemiconductorsRectifiers 8.0 Amp 600 Volt
товар відсутній
BY229-600-E3/45VishayDiode Switching 600V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
товар відсутній
BY229-600-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товар відсутній
BY229-600HE3Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8A,600V,145NS,FS PLASTIC RECT
товар відсутній
BY229-600HE3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товар відсутній
BY229-600HE3/45Vishay SemiconductorsRectifiers 600 Volt 8.0A 145ns Glass Passivated
товар відсутній
BY229-600HE3/45VishayRectifier Diode Switching 600V 8A 145ns Automotive 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
товар відсутній
BY229-800PH09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BY229-800Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8A,800V,145NS,FS PLASTIC RECT
товар відсутній
BY229-800,127NXP SemiconductorsNXP Semiconductors
товар відсутній
BY229-800-E3Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8A,800V,145NS,FS PLASTIC RECT
товар відсутній
BY229-800-E3/45VishayDiode Switching 800V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
товар відсутній
BY229-800-E3/45Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8.0 Amp 600 Volt
товар відсутній
BY229-800-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товар відсутній
BY229-800HE3Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8A,800V,145NS,FS PLASTIC RECT
товар відсутній
BY229-800HE3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товар відсутній
BY229B-200Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8A,200V,145NS,FS PLASTIC RECT
товар відсутній
BY229B-200-E3Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8A,200V,145NS,FS PLASTIC RECT
товар відсутній
BY229B-200-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товар відсутній
BY229B-200-E3/45Vishay SemiconductorsRectifiers 8.0 Amp 200 Volt
товар відсутній
BY229B-200-E3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товар відсутній
BY229B-200-E3/81Vishay SemiconductorsRectifiers 8.0 Amp 200 Volt
товар відсутній
BY229B-200HE3Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8A,200V,145NS,FS PLASTIC RECT
товар відсутній
BY229B-200HE3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товар відсутній
BY229B-200HE3/81VishayDiode Switching 200V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товар відсутній
BY229B-200HE3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товар відсутній
BY229B-400Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8A,400V,145NS,FS PLASTIC RECT
товар відсутній
BY229B-400-E3Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8A,400V,145NS,FS PLASTIC RECT
товар відсутній
BY229B-400-E3/31Vishay SemiconductorsRectifiers 8.0 Amp 400 Volt
товар відсутній
BY229B-400-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товар відсутній
BY229B-400-E3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товар відсутній
BY229B-400-E3/81Vishay SemiconductorsRectifiers 8.0 Amp 200 Volt
товар відсутній
BY229B-400HE3Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8A,400V,145NS,FS PLASTIC RECT
товар відсутній
BY229B-400HE3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товар відсутній
BY229B-400HE3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товар відсутній
BY229B-400HE3/81VishayRectifier Diode Switching 400V 8A 145ns Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товар відсутній
BY229B-400HE3/81Vishay SemiconductorsRectifiers 8.0A 400 Volt 145ns 100 Amp IFSM
товар відсутній
BY229B-600Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8A,600V,145NS,FS PLASTIC RECT
товар відсутній
BY229B-600-E3Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8A,600V,145NS,FS PLASTIC RECT
товар відсутній
BY229B-600-E3/45VishayRectifier Diode Switching 600V 8A 145ns 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
товар відсутній
BY229B-600-E3/45Vishay SemiconductorsRectifiers 8.0 Amp 600 Volt
товар відсутній
BY229B-600-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товар відсутній
BY229B-600-E3/81Vishay SemiconductorsRectifiers 8.0 Amp 600 Volt
товар відсутній
BY229B-600-E3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товар відсутній
BY229B-600HE3Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8A,600V,145NS,FS PLASTIC RECT
товар відсутній
BY229B-600HE3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товар відсутній
BY229B-600HE3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товар відсутній
BY229B-800Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8A,800V,145NS,FS PLASTIC RECT
товар відсутній
BY229B-800-E3Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8A,800V,145NS,FS PLASTIC RECT
товар відсутній
BY229B-800-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товар відсутній
BY229B-800-E3/45Vishay SemiconductorsRectifiers 8.0 Amp 800 Volt
товар відсутній
BY229B-800-E3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товар відсутній
BY229B-800-E3/81VishayRectifier Diode Switching 800V 8A 145ns 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товар відсутній
BY229B-800HE3Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8A,800V,145NS,FS PLASTIC RECT
товар відсутній
BY229B-800HE3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товар відсутній
BY229B-800HE3/81VishayDiode Switching 800V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товар відсутній
BY229B-800HE3/81Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8.0A 800 Volt 145ns 100 Amp IFSM
товар відсутній
BY229B-800HE3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товар відсутній
BY229F-600
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BY229X-200NXP SemiconductorsRectifiers RAIL REC-DD
товар відсутній
BY229X-200,127NXP USA Inc.Description: DIODE GEN PURP 150V 8A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 135 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220FP
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 150 V
товар відсутній
BY229X-200-E3Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8A,200V,145NS,FS PLASTIC RECT
товар відсутній
BY229X-200-E3/45VishayDiode Switching 200V 8A 2-Pin(2+Tab) ITO-220AC Tube
товар відсутній
BY229X-200-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 8A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товар відсутній
BY229X-200HE3Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8A,200V,145NS,FS PLASTIC RECT
товар відсутній
BY229X-200HE3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 8A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товар відсутній
BY229X-400-E3Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8A,400V,145NS,FS PLASTIC RECT
товар відсутній
BY229X-400-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 8A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товар відсутній
BY229X-400-E3/45VishayDiode Switching 400V 8A 2-Pin(2+Tab) ITO-220AC Tube
товар відсутній
BY229X-400HE3Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8A,400V,145NS,FS PLASTIC RECT
товар відсутній
BY229X-400HE3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 8A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товар відсутній
BY229X-600NXP SemiconductorsRectifiers RAIL REC-DD
товар відсутній
BY229X-600,127NXP USA Inc.Description: DIODE GEN PURP 500V 8A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 135 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220FP
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 500 V
товар відсутній
BY229X-600-E3Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8A,600V,145NS,FS PLASTIC RECT
товар відсутній
BY229X-600-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товар відсутній
BY229X-600-E3/45VishayDiode Switching 600V 8A 2-Pin(2+Tab) ITO-220AC Tube
товар відсутній
BY229X-600-E3/45Vishay SemiconductorsRectifiers 8.0 Amp 600 Volt
товар відсутній
BY229X-600HE3Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8A,600V,145NS,FS PLASTIC RECT
товар відсутній
BY229X-600HE3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товар відсутній
BY229X-600HE3/45Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8.0A 600 Volt 145ns 100 Amp IFSM
товар відсутній
BY229X-800
на замовлення 10600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BY229X-800NXP SemiconductorsRectifiers RAIL REC-DD
товар відсутній
BY229X-800
Код товару: 111591		Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
товар відсутній
BY229X-800,127NXP USA Inc.Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 135 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220FP
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 600 V
товар відсутній
BY229X-800,127NXP SemiconductorsRectifiers RAIL REC-DD
товар відсутній
BY229X-800-E3Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8A,800V,145NS,FS PLASTIC RECT
товар відсутній
BY229X-800-E3/45VishayDiode Switching 800V 8A 2-Pin(2+Tab) ITO-220AC Tube
товар відсутній
BY229X-800-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товар відсутній
BY229X-800HE3Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8A,800V,145NS,FS PLASTIC RECT
товар відсутній
BY229X-800HE3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товар відсутній
BY251Diotec SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 1675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+17.26 грн
50+ 12.31 грн
100+ 10.61 грн
250+ 7.11 грн
500+ 5.92 грн
1000+ 5.2 грн
1500+ 4.75 грн
Мінімальне замовлення: 25
BY251EICDiode 200V 3A 2-Pin DO-201AD
товар відсутній
BY251Taiwan SemiconductorRectifiers 3A,200V,Std SILASTIC Rect
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+28.83 грн
15+ 21.09 грн
100+ 10.38 грн
500+ 6.9 грн
1250+ 5.32 грн
2500+ 4.6 грн
10000+ 3.61 грн
Мінімальне замовлення: 11
BY251DIOTEC SEMICONDUCTORBY251-DIO THT universal diodes
на замовлення 3505 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+13.81 грн
315+ 3.08 грн
860+ 2.91 грн
Мінімальне замовлення: 20
BY251Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 200V 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
товар відсутній
BY251Diotec SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 159800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1700+5.3 грн
Мінімальне замовлення: 1700
BY251Diotec SemiconductorRectifiers Diode, DO-201, 200V, 3A
на замовлення 4855 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+93.54 грн
10+ 30.68 грн
100+ 19.12 грн
500+ 13.93 грн
1000+ 13.34 грн
1700+ 12.29 грн
3400+ 10.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
BY251DC COMPONENTSBY251-DC THT universal diodes
на замовлення 4570 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
17+15.72 грн
390+ 2.47 грн
1065+ 2.34 грн
Мінімальне замовлення: 17
BY251 R0Taiwan SemiconductorDiode 200V 3A 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY251 R0Taiwan SemiconductorRectifiers 3A,200V,STD.SILASTIC RECTIFIER
товар відсутній
BY251 R0GTaiwan SemiconductorRectifiers 3A,200V,STD.SILASTIC RECTIFIER
товар відсутній
BY251 X0Taiwan SemiconductorRectifiers
товар відсутній
BY251 X0GTaiwan SemiconductorRectifiers
товар відсутній
BY251-CTDiotec SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201
Packaging: Strip
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 1675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+17.26 грн
50+ 12.31 грн
100+ 10.61 грн
250+ 7.11 грн
500+ 5.92 грн
1000+ 5.2 грн
1500+ 4.75 грн
Мінімальне замовлення: 25
BY251GTaiwan SemiconductorDiode 200V 3A 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY251GTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - BY251G - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 1 V, 150 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201AD
Durchlassstoßstrom: 150A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+60.6 грн
16+ 48.22 грн
100+ 28.97 грн
500+ 19.65 грн
Мінімальне замовлення: 13
BY251G A0GTaiwan SemiconductorRectifier Diode 200V 3A 2-Pin DO-201AD Ammo
товар відсутній
BY251G A0GTaiwan SemiconductorRectifiers 3A, 200V, Standard Recovery Rectifier
товар відсутній
BY251G R0GTaiwan SemiconductorDiode 200V 3A 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY251G R0GTaiwan SemiconductorDiode 200V 3A 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY251G R0GTaiwan SemiconductorRectifiers 3A 200V Standard Rec overy Rectifier
товар відсутній
BY251GP-E3/54VishayRectifier Diode Switching 200V 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY251GP-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товар відсутній
BY251GP-E3/73VishayDiode Switching 200V 3A 2-Pin DO-201AD Ammo
товар відсутній
BY251GP-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.73 грн
14+ 20.54 грн
100+ 17.03 грн
Мінімальне замовлення: 11
BY251GP-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товар відсутній
BY251GPHE3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товар відсутній
BY251GPHE3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товар відсутній
BY251P-E3/54VISHAYBY251P-E3/54 THT universal diodes
товар відсутній
BY251P-E3/54VishayDiode Switching 200V 3A 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY251P-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 5437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.28 грн
11+ 25.33 грн
100+ 17.63 грн
500+ 12.92 грн
Мінімальне замовлення: 10
BY251P-E3/54Vishay General SemiconductorRectifiers 3.0 Amp 200 Volt
на замовлення 7509 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.82 грн
11+ 27.51 грн
100+ 16.63 грн
500+ 13.01 грн
1400+ 10.45 грн
2800+ 9.07 грн
Мінімальне замовлення: 10
BY251P-E3/54VishayDiode Switching 200V 3A 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY251P-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1400+11.62 грн
2800+ 10 грн
Мінімальне замовлення: 1400
BY251P-E3/54VishayDiode Switching 200V 3A 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY251P-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товар відсутній
BY251P-E3/73Vishay General SemiconductorRectifiers 3A,200V,STD,PLASTIC RECT,DO-201AD
товар відсутній
BY251P-E3/73VishayDiode Switching 200V 3A 2-Pin DO-201AD Ammo
товар відсутній
BY252Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 400V 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1700+6.86 грн
Мінімальне замовлення: 1700
BY252Diotec SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товар відсутній
BY252DIOTEC SEMICONDUCTORBY252-DIO THT universal diodes
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+13.9 грн
330+ 2.94 грн
900+ 2.78 грн
Мінімальне замовлення: 20
BY252Taiwan SemiconductorRectifiers 3A,400V,Std SILASTIC Rect
товар відсутній
BY252Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 400V 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
товар відсутній
BY252Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 400V 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
товар відсутній
BY252EIC SemiconductorRectifier Diode 400V 3A 2-Pin DO-201AD
товар відсутній
BY252Diotec SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товар відсутній
BY252DC COMPONENTSBY252-DC THT universal diodes
товар відсутній
BY252Diotec SemiconductorRectifiers Diode, DO-201, 400V, 3A
на замовлення 5023 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+51.06 грн
11+ 29.4 грн
100+ 18.34 грн
500+ 13.34 грн
1000+ 12.75 грн
1700+ 8.08 грн
3400+ 6.83 грн
Мінімальне замовлення: 7
BY252Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 400V 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
товар відсутній
BY252Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 400V 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1700+2.38 грн
Мінімальне замовлення: 1700
BY252Diotec ElectronicsRectifier Diode Switching 400V 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1700+7.45 грн
Мінімальне замовлення: 1700
BY252Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 400V 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
товар відсутній
BY252 R0Taiwan SemiconductorDiode 400V 3A 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY252 R0Taiwan SemiconductorRectifiers 3A,400V,STD.SILASTIC RECTIFIER
товар відсутній
BY252 R0GTaiwan SemiconductorRectifier Diode Switching Si 400V 3A 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY252 R0GTaiwan SemiconductorRectifiers 3A,400V,STD.SILASTIC RECTIFIER
товар відсутній
BY252 X0Taiwan SemiconductorRectifiers
товар відсутній
BY252 X0GTaiwan SemiconductorRectifiers
товар відсутній
BY252-CTDiotec SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201
Packaging: Strip
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 13600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
425+42.44 грн
850+ 17.46 грн
1700+ 5.65 грн
3400+ 5.24 грн
Мінімальне замовлення: 425
BY252GTaiwan SemiconductorRectifiers 3A, 400V, Standard Recovery Rectifier
товар відсутній
BY252GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 3A, 400V, STANDARD RECOVERY RECT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товар відсутній
BY252G R0GTaiwan SemiconductorRectifier Diode 400V 3A 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY252G R0GTaiwan SemiconductorRectifiers 3A 400V Standard Rec overy Rectifier
товар відсутній
BY252G R0GTaiwan SemiconductorRectifier Diode 400V 3A 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY252GP-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товар відсутній
BY252GP-E3/73VishayDiode Switching 400V 3A 2-Pin DO-201AD Ammo
товар відсутній
BY252GP-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товар відсутній
BY252GPHE3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товар відсутній
BY252P-E3/54VishayRectifier Diode Switching 400V 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD T/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1400+12.03 грн
2800+ 10.88 грн
Мінімальне замовлення: 1400
BY252P-E3/54VishayRectifier Diode Switching 400V 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY252P-E3/54Vishay General SemiconductorRectifiers 3.0 Amp 400 Volt
на замовлення 4257 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.82 грн
11+ 27.51 грн
100+ 16.63 грн
500+ 13.01 грн
1400+ 10.58 грн
2800+ 8.21 грн
Мінімальне замовлення: 10
BY252P-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 7485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+33.41 грн
10+ 27.38 грн
100+ 20.46 грн
500+ 15.08 грн
Мінімальне замовлення: 9
BY252P-E3/54VishayRectifier Diode Switching 400V 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY252P-E3/54VishayRectifier Diode Switching 400V 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD T/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1400+12.3 грн
2800+ 11.13 грн
Мінімальне замовлення: 1400
BY252P-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1400+13.27 грн
2800+ 11.7 грн
Мінімальне замовлення: 1400
BY252P-E3/54VishayRectifier Diode Switching 400V 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD T/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BY252P-E3/73VishayRectifier Diode Switching 400V 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD Ammo
товар відсутній
BY253Diotec SemiconductorDiode Switching 600V 3A Automotive 2-Pin DO-201 Ammo
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
129+2.38 грн
Мінімальне замовлення: 129
BY253EICDiode 600V 3A 2-Pin DO-201AD
товар відсутній
BY253DC COMPONENTSCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 200A; DO27
Kind of package: Ammo Pack
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 200A
Max. off-state voltage: 600V
Case: DO27
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Load current: 3A
Max. forward voltage: 1.1V
на замовлення 1785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
29+13.02 грн
120+ 2.85 грн
136+ 2.53 грн
345+ 2.16 грн
950+ 2.04 грн
Мінімальне замовлення: 29
BY253Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 600V 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
товар відсутній
BY253DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 100A; DO201; 1.5us
Kind of package: Ammo Pack
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 100A
Max. off-state voltage: 600V
Leakage current: 5µA
Case: DO201
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Load current: 3A
Reverse recovery time: 1.5µs
Max. load current: 20A
Max. forward voltage: 1.1V
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
21+13.18 грн
58+ 4.44 грн
100+ 3.43 грн
310+ 2.92 грн
845+ 2.76 грн
Мінімальне замовлення: 21
BY253Diotec Semiconductor AGDescription: Diode, DO-201, 600V, 3A
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 368900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1700+5.23 грн
Мінімальне замовлення: 1700
BY253Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 600V 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 117
BY253DC COMPONENTSCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 200A; DO27
Kind of package: Ammo Pack
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 200A
Max. off-state voltage: 600V
Case: DO27
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Load current: 3A
Max. forward voltage: 1.1V
на замовлення 1785 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
17+15.62 грн
72+ 3.56 грн
100+ 3.03 грн
345+ 2.59 грн
950+ 2.45 грн
Мінімальне замовлення: 17
BY253DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 100A; DO201; 1.5us
Kind of package: Ammo Pack
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 100A
Max. off-state voltage: 600V
Leakage current: 5µA
Case: DO201
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Load current: 3A
Reverse recovery time: 1.5µs
Max. load current: 20A
Max. forward voltage: 1.1V
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
34+10.98 грн
97+ 3.56 грн
120+ 2.86 грн
310+ 2.43 грн
845+ 2.3 грн
Мінімальне замовлення: 34
BY253Diotec SemiconductorRectifiers Diode, DO-201, 600V, 3A
на замовлення 1694 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+52.75 грн
10+ 30.38 грн
100+ 18.93 грн
500+ 13.8 грн
1000+ 13.21 грн
1700+ 8.35 грн
3400+ 7.1 грн
Мінімальне замовлення: 6
BY253
Код товару: 189078		Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
товар відсутній
BY253Diotec SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 368900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
425+39.09 грн
850+ 16.08 грн
1700+ 5.2 грн
3400+ 4.83 грн
Мінімальне замовлення: 425
BY253 R0Taiwan SemiconductorRectifiers 3A,600V,STD.SILASTIC RECTIFIER
товар відсутній
BY253 R0Taiwan SemiconductorDiode 600V 3A 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY253 R0GTaiwan SemiconductorRectifiers 3A,600V,STD.SILASTIC RECTIFIER
товар відсутній
BY253 X0Taiwan SemiconductorRectifiers
товар відсутній
BY253 X0GTaiwan SemiconductorRectifiers
товар відсутній
BY253-CTDiotec SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201
Packaging: Strip
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 382500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
425+39.09 грн
850+ 16.08 грн
1700+ 5.2 грн
3400+ 4.83 грн
Мінімальне замовлення: 425
BY253GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 3A, 600V, STANDARD RECOVERY RECT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товар відсутній
BY253GTaiwan SemiconductorRectifiers 3A, 600V, Standard Recovery Rectifier
товар відсутній
BY253G A0GTaiwan SemiconductorRectifiers 3A 600V Standard Rec overy Rectifier
товар відсутній
BY253G A0GTaiwan SemiconductorRectifier Diode 600V 3A 2-Pin DO-201AD Ammo
товар відсутній
BY253G R0GTaiwan SemiconductorRectifiers 3A 600V Standard Rec overy Rectifier
товар відсутній
BY253G R0GTaiwan SemiconductorRectifier Diode 600V 3A 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY253G R0GTaiwan SemiconductorRectifier Diode 600V 3A 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY253GP-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товар відсутній
BY253GP-E3/54VishayRectifier Diode Switching 600V 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY253GP-E3/73VishayDiode Switching 600V 3A 2-Pin DO-201AD Ammo
товар відсутній
BY253GP-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товар відсутній
BY253GPHE3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товар відсутній
BY253P-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1400+11.65 грн
2800+ 10.23 грн
Мінімальне замовлення: 1400
BY253P-E3/54VishayRectifier Diode Switching 600V 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY253P-E3/54Vishay General SemiconductorRectifiers 3.0 Amp 600 Volt
на замовлення 5563 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.82 грн
11+ 27.51 грн
100+ 16.63 грн
500+ 13.01 грн
1400+ 10.58 грн
2800+ 8.87 грн
9800+ 8.67 грн
Мінімальне замовлення: 10
BY253P-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 5411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.86 грн
12+ 24.71 грн
100+ 18.48 грн
500+ 13.62 грн
Мінімальне замовлення: 10
BY253P-E3/54VishayRectifier Diode Switching 600V 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY253P-E3/54VishayRectifier Diode Switching 600V 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY253P-E3/73Vishay General SemiconductorRectifiers 600 Volt 3.0 Amp Glass Passivated
товар відсутній
BY253P-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товар відсутній
BY253P-E3/73VishayDiode Switching 600V 3A 2-Pin DO-201AD Ammo
товар відсутній
BY254DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 100A; DO201; 1.5us
Mounting: THT
Reverse recovery time: 1.5µs
Max. forward impulse current: 100A
Leakage current: 5µA
Kind of package: Ammo Pack
Type of diode: rectifying
Case: DO201
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 20A
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
40+10.32 грн
90+ 3.98 грн
110+ 3.2 грн
305+ 2.64 грн
830+ 2.49 грн
Мінімальне замовлення: 40
BY254Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 800V 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
на замовлення 10201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1700+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 1700
BY254Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 800V 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
товар відсутній
BY254Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 800V 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
на замовлення 10200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1700+4.81 грн
8500+ 4.34 грн
Мінімальне замовлення: 1700
BY254DC COMPONENTSCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 200A; DO27
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 200A
Kind of package: Ammo Pack
Type of diode: rectifying
Case: DO27
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+13.06 грн
120+ 2.87 грн
140+ 2.53 грн
370+ 2.17 грн
1010+ 2.05 грн
Мінімальне замовлення: 30
BY254Taiwan SemiconductorRectifiers 3A,800V,Std SILASTIC Rect
товар відсутній
BY254MULTICOMPDescription: MULTICOMP - BY254 - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 3 A, Einfach, 840 mV, 150 A
Bauform - Diode: DO-201AD
Durchlassstoßstrom: 150
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 840
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: BY254
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
товар відсутній
BY254Diotec ElectronicsRectifier Diode Switching 800V 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
на замовлення 3195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2370+4.91 грн
Мінімальне замовлення: 2370
BY254
Код товару: 187762		DC COMPONENTSДіоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-201AD(DO-27)
Uзвор., V: 800 V
Iвипр., A: 3 A
Опис: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
у наявності 3 шт:
3 шт - склад
1+11 грн
BY254DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 100A; DO201; 1.5us
Mounting: THT
Reverse recovery time: 1.5µs
Max. forward impulse current: 100A
Leakage current: 5µA
Kind of package: Ammo Pack
Type of diode: rectifying
Case: DO201
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 20A
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
25+12.39 грн
55+ 4.96 грн
100+ 3.84 грн
305+ 3.16 грн
830+ 2.99 грн
Мінімальне замовлення: 25
BY254EIC SemiconductorDiode 800V 3A 2-Pin DO-201AD
товар відсутній
BY254Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 800V 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
товар відсутній
BY254Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 800V 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
товар відсутній
BY254Diotec SemiconductorRectifiers Diode, DO-201, 800V, 3A
на замовлення 1688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+54.9 грн
10+ 31.67 грн
100+ 19.72 грн
500+ 14.39 грн
1000+ 13.74 грн
1700+ 8.74 грн
3400+ 7.43 грн
Мінімальне замовлення: 6
BY254Diotec SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+15.73 грн
50+ 11.76 грн
100+ 10.14 грн
250+ 6.79 грн
500+ 5.66 грн
1000+ 4.97 грн
Мінімальне замовлення: 25
BY254Diotec ElectronicsRectifier Diode Switching 800V 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
на замовлення 10200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2243+5.19 грн
8500+ 4.68 грн
Мінімальне замовлення: 2243
BY254DC COMPONENTSCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 200A; DO27
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 200A
Kind of package: Ammo Pack
Type of diode: rectifying
Case: DO27
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+15.68 грн
75+ 3.57 грн
100+ 3.04 грн
370+ 2.6 грн
1010+ 2.46 грн
Мінімальне замовлення: 20
BY254 R0Taiwan SemiconductorRectifiers 3A,800V,STD.SILASTIC RECTIFIER
товар відсутній
BY254 R0Taiwan SemiconductorDiode 800V 3A 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY254 R0GTaiwan SemiconductorRectifiers 3A,800V,STD.SILASTIC RECTIFIER
товар відсутній
BY254 R0GTaiwan SemiconductorRectifier Diode Switching Si 800V 3A 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY254 X0Taiwan SemiconductorRectifiers
товар відсутній
BY254 X0GTaiwan SemiconductorRectifiers
товар відсутній
BY254-CTDiotec SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201
Packaging: Strip
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+17.26 грн
50+ 12.9 грн
100+ 11.12 грн
250+ 7.45 грн
500+ 6.21 грн
1000+ 5.45 грн
Мінімальне замовлення: 25
BY254GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 3A, 800V, STANDARD RECOVERY RECT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1250+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 1250
BY254GTaiwan SemiconductorRectifiers 3A, 800V, Standard Recovery Rectifier
товар відсутній
BY254GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 3A, 800V, STANDARD RECOVERY RECT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.46 грн
16+ 17.25 грн
100+ 10.35 грн
500+ 8.99 грн
Мінімальне замовлення: 13
BY254G A0GTaiwan SemiconductorRectifiers 3A, 800V, Standard Recovery Rectifier
товар відсутній
BY254G A0GTaiwan SemiconductorRectifier Diode 800V 3A 2-Pin DO-201AD Ammo
товар відсутній
BY254G R0GTaiwan SemiconductorRectifier Diode 800V 3A 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY254G R0GTaiwan SemiconductorRectifier Diode 800V 3A 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY254G R0GTaiwan SemiconductorRectifiers 3A 800V Standard Rec overy Rectifier
на замовлення 4806 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
BY254GP-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товар відсутній
BY254GP-E3/54VishayRectifier Diode Switching 800V 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY254GP-E3/73VishayRectifier Diode Switching 800V 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD Ammo
товар відсутній
BY254GP-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товар відсутній
BY254GPHE3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товар відсутній
BY254P-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 5576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.86 грн
12+ 24.37 грн
100+ 16.98 грн
500+ 12.44 грн
Мінімальне замовлення: 10
BY254P-E3/54VISHAYCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; reel,tape; Ifsm: 150A; DO201AD
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: reel; tape
Type of diode: rectifying
Case: DO201AD
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2468 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
8+35.39 грн
9+ 31.73 грн
10+ 27.93 грн
25+ 25.79 грн
87+ 11.09 грн
237+ 10.43 грн
Мінімальне замовлення: 8
BY254P-E3/54Vishay General SemiconductorRectifiers 3.0 Amp 800 Volt
на замовлення 25299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.82 грн
11+ 27.51 грн
100+ 16.63 грн
500+ 13.01 грн
1400+ 10.58 грн
2800+ 8.41 грн
9800+ 8.28 грн
Мінімальне замовлення: 10
BY254P-E3/54VishayRectifier Diode Switching 800V 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY254P-E3/54VISHAYCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; reel,tape; Ifsm: 150A; DO201AD
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: reel; tape
Type of diode: rectifying
Case: DO201AD
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 2468 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+29.49 грн
14+ 25.47 грн
15+ 23.28 грн
25+ 21.5 грн
87+ 9.24 грн
237+ 8.69 грн
Мінімальне замовлення: 13
BY254P-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1400+11.19 грн
2800+ 9.63 грн
Мінімальне замовлення: 1400
BY254P-E3/54VishayRectifier Diode Switching 800V 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY254P-E3/54VishayRectifier Diode Switching 800V 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY254P-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товар відсутній
BY254P-E3/73VishayRectifier Diode Switching 800V 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD Ammo
товар відсутній
BY254P-E3/73Vishay General SemiconductorRectifiers 3.0 Amp 800 Volt
товар відсутній
BY254P-E3/73VishayRectifier Diode Switching 800V 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD Ammo
товар відсутній
BY255Taiwan SemiconductorRectifiers 3A,1300V,STD.SILASTIC RECTIFIER
товар відсутній
BY255Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 1.3KV 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
товар відсутній
BY255EIC SemiconductorRectifier Diode 1.3KV 3A 2-Pin DO-201AD
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1412+8.25 грн
Мінімальне замовлення: 1412
BY255
Код товару: 34884		Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-27
Uзвор., V: 1300 V
Iвипр., A: 3 A
у наявності 32 шт:
32 шт - РАДІОМАГ-Київ
2+3 грн
10+ 2.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
BY255MIC3A; 1300V; packaging: ammo; BY255 diode rectifying DP BY255
кількість в упаковці: 1250 шт
на замовлення 6760 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1250+2.3 грн
Мінімальне замовлення: 1250
BY255DC COMPONENTSCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.3kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 200A; DO27
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.3kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.1V
товар відсутній
BY255Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 1.3KV 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+8.95 грн
90+ 6.41 грн
91+ 6.34 грн
Мінімальне замовлення: 65
BY255LGE3A; 1300V; packaging: ammo; BY255 diode rectifying DP BY255 q
кількість в упаковці: 1250 шт
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1250+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 1250
BY255DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.3kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 100A; DO201
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.3kV
Load current: 3A
Max. load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 100A
Case: DO201
Max. forward voltage: 1.1V
Leakage current: 5µA
Reverse recovery time: 1.5µs
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 18775 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
25+12.92 грн
60+ 4.57 грн
100+ 3.52 грн
315+ 3.05 грн
855+ 2.88 грн
Мінімальне замовлення: 25
BY255LUGUANG ELECTRONICCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.3kV; 3A; Ifsm: 150A; DO201AD; Ufmax: 1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.3kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 5µA
товар відсутній
BY255Diotec SemiconductorRectifiers Diode, DO-201, 1300V, 3A
на замовлення 3916 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+16.41 грн
27+ 11.56 грн
100+ 8.87 грн
1700+ 6.9 грн
8500+ 3.35 грн
23800+ 3.22 грн
49300+ 2.89 грн
Мінімальне замовлення: 19
BY255Diotec SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 1300V 3A DO201
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V
на замовлення 2164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.59 грн
17+ 17.05 грн
100+ 8.31 грн
500+ 6.51 грн
Мінімальне замовлення: 12
BY255EIC SemiconductorRectifier Diode 1.3KV 3A 2-Pin DO-201AD
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+8.79 грн
Мінімальне замовлення: 66
BY255YANGJIE TECHNOLOGYCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.3kV; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.3kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.1V
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 830 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+13.27 грн
30+ 9.73 грн
100+ 8.3 грн
135+ 7.12 грн
370+ 6.73 грн
Мінімальне замовлення: 20
BY255Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 1.3KV 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
товар відсутній
BY255LGE3A; 1300V; packaging: ammo; BY255 diode rectifying DP BY255 q
кількість в упаковці: 1250 шт
на замовлення 800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1250+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 1250
BY255DC COMPONENTSCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.3kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 200A; DO27
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.3kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.1V
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
BY255DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.3kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 100A; DO201
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.3kV
Load current: 3A
Max. load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 100A
Case: DO201
Max. forward voltage: 1.1V
Leakage current: 5µA
Reverse recovery time: 1.5µs
на замовлення 18775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
35+10.76 грн
95+ 3.67 грн
120+ 2.93 грн
315+ 2.54 грн
855+ 2.4 грн
Мінімальне замовлення: 35
BY255Diotec SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 1300V 3A DO201
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1300
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1700+5 грн
Мінімальне замовлення: 1700
BY255Diotec ElectronicsRectifier Diode Switching 1.3KV 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
на замовлення 18775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2460+4.73 грн
2591+ 4.49 грн
Мінімальне замовлення: 2460
BY255LUGUANG ELECTRONICCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.3kV; 3A; Ifsm: 150A; DO201AD; Ufmax: 1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.3kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 5µA
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BY255YANGJIE TECHNOLOGYCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.3kV; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.3kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.1V
на замовлення 830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
35+11.06 грн
45+ 7.8 грн
100+ 6.91 грн
135+ 5.93 грн
370+ 5.61 грн
Мінімальне замовлення: 35
BY255 R0Taiwan SemiconductorRectifiers 3A,1300V,STD.SILASTIC RECTIFIER
товар відсутній
BY255 R0Taiwan SemiconductorDiode 1.3KV 3A 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY255 X0Taiwan SemiconductorRectifiers
товар відсутній
BY255 X0GTaiwan SemiconductorRectifiers
товар відсутній
BY255-AQDiotec SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 1300V 3A DO201
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
BY255-AQDiotec SemiconductorBY255-AQ
товар відсутній
BY255-AQDiotec SemiconductorRectifiers Diode, DO-201, 1300V, 3A, AEC-Q101
товар відсутній
BY255-AQDiotec SemiconductorRectifier Diode Switching 1.3KV 3A 1500ns Automotive AEC-Q101 2-Pin DO-201 Ammo
товар відсутній
BY255-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.3kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 100A; DO201
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.3kV
Load current: 3A
Max. load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 100A
Case: DO201
Max. forward voltage: 1.1V
Leakage current: 5µA
Reverse recovery time: 1.5µs
товар відсутній
BY255-AQDiotec SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 1.3KV 3A DO201
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1.3 V
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+38.22 грн
Мінімальне замовлення: 25
BY255-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.3kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 100A; DO201
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.3kV
Load current: 3A
Max. load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 100A
Case: DO201
Max. forward voltage: 1.1V
Leakage current: 5µA
Reverse recovery time: 1.5µs
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
BY255-AQ-CTDiotec SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 1.3KV 3A DO201
Packaging: Strip
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1.3 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.3
товар відсутній
BY255-CTDiotec SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 1.3KV 3A DO201
Packaging: Strip
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1.3 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.3
товар відсутній
BY255GYangjie Electronic TechnologyGeneral Purpose Rectifier
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1729+6.74 грн
Мінімальне замовлення: 1729
BY255GYangjie TechnologyDescription: DO-201AD 1300V 3.0A Diodes Rec
Packaging: Tape & Box (TB)
Part Status: Active
на замовлення 125000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1250+7.96 грн
6250+ 7.26 грн
12500+ 6.78 грн
25000+ 5.97 грн
50000+ 5.4 грн
125000+ 5.01 грн
Мінімальне замовлення: 1250
BY255GPVishay SemiconductorsRectifiers 3A,1300V, STD SUPERECT,DO-201AD
товар відсутній
BY255GP-7000HE3/54Vishay SemiconductorsVishay
товар відсутній
BY255GP-E3Vishay SemiconductorsRectifiers 3A,1300V, STD SUPERECT,DO-201AD
товар відсутній
BY255GP-E3/1Vishay SemiconductorsRectifiers 1300 Volt 3.0 Amp Glass Passivated
товар відсутній
BY255GP-E3/23Vishay SemiconductorsRectifiers RECOMMENDED ALT 625-BY255GP-E3
товар відсутній
BY255GP-E3/4Vishay SemiconductorsRectifiers 3.0 Amp 1300 Volt
товар відсутній
BY255GP-E3/51Vishay SemiconductorsRectifiers 3.0 Amp 1300 Volt
товар відсутній
BY255GP-E3/54Vishay SemiconductorsRectifiers 3.0 Amp 1300 Volt
товар відсутній
BY255GP-E3/54VishayDiode Switching 1.3KV 3A 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY255GP-E3/54VishayRectifier Diode Switching 1.3KV 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY255GP-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1.3KV 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1300
товар відсутній
BY255GP-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1.3KV 3A DO201AD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1300
товар відсутній
BY255GP-E3/73Vishay SemiconductorsRectifiers 3.0 Amp 1300 Volt
товар відсутній
BY255GP/1Vishay SemiconductorsRectifiers 1300 Volt 3.0 Amp Glass Passivated
товар відсутній
BY255GP/23Vishay SemiconductorsRectifiers RECOMMENDED ALT 625-BY255GP-E3
товар відсутній
BY255GP/4Vishay SemiconductorsRectifiers 3.0 Amp 1300 Volt
товар відсутній
BY255GP/54Vishay SemiconductorsRectifiers 3.0 Amp 1300 Volt
товар відсутній
BY255GPHE3Vishay SemiconductorsRectifiers 3A,1300V, STD SUPERECT,DO-201AD
товар відсутній
BY255GPHE3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1.3KV 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1300
товар відсутній
BY255GPHE3/54Vishay SemiconductorsRectifiers 1300 Volt 3.0 Amp Glass Passivated
товар відсутній
BY255GPHE3/54VishayRectifier Diode Switching 1.3KV 3A 3000ns Automotive 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY255GPHE3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1.3KV 3A DO201AD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1300
товар відсутній
BY255GPHE3/73Vishay SemiconductorsRectifiers 1300 Volt 3.0 Amp Glass Passivated
товар відсутній
BY255GPHE3/73VishayRectifier Diode Switching 1.3KV 3A 3000ns Automotive 2-Pin DO-201AD Ammo
товар відсутній
BY255P
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BY255P-E3/54VishayRectifier Diode Switching 1.3KV 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD T/R
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+29.18 грн
25+ 23.28 грн
Мінімальне замовлення: 20
BY255P-E3/54VISHAYDescription: VISHAY - BY255P-E3/54 - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.3 kV, 3 A, Einfach, 1.1 V, 3 µs, 150 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201AD
Durchlassstoßstrom: 150A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: 3µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.3kV
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BY255
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 12525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+35.46 грн
27+ 28.31 грн
100+ 18.8 грн
500+ 14.31 грн
1000+ 9.92 грн
5000+ 8.97 грн
Мінімальне замовлення: 21
BY255P-E3/54VISHAYCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.3kV; 3A; reel,tape; Ifsm: 150A; DO201AD
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.3kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1.1V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3363 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
8+33.62 грн
9+ 30.11 грн
10+ 26.53 грн
25+ 24.48 грн
86+ 11.09 грн
236+ 10.43 грн
Мінімальне замовлення: 8
BY255P-E3/54VISHAYCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.3kV; 3A; reel,tape; Ifsm: 150A; DO201AD
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.3kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1.1V
на замовлення 3363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+28.01 грн
15+ 24.17 грн
16+ 22.11 грн
25+ 20.4 грн
86+ 9.24 грн
236+ 8.69 грн
Мінімальне замовлення: 14
BY255P-E3/54VishayRectifier Diode Switching 1.3KV 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY255P-E3/54VishayRectifier Diode Switching 1.3KV 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY255P-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1.3KV 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1300
на замовлення 25200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1400+11.33 грн
2800+ 9.76 грн
7000+ 9.26 грн
9800+ 8.07 грн
Мінімальне замовлення: 1400
BY255P-E3/54VishayRectifier Diode Switching 1.3KV 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD T/R
на замовлення 1234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
727+16.03 грн
808+ 14.41 грн
824+ 14.14 грн
910+ 12.34 грн
1177+ 8.84 грн
Мінімальне замовлення: 727
BY255P-E3/54Vishay General SemiconductorRectifiers 3.0 Amp 1300 Volt
на замовлення 9109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+31.36 грн
13+ 25.17 грн
100+ 16.36 грн
500+ 13.01 грн
1400+ 9.66 грн
2800+ 9.07 грн
Мінімальне замовлення: 10
BY255P-E3/54VishayRectifier Diode Switching 1.3KV 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD T/R
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BY255P-E3/54VishayRectifier Diode Switching 1.3KV 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD T/R
на замовлення 1234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+16.53 грн
38+ 15.26 грн
39+ 14.88 грн
100+ 12.91 грн
250+ 11.72 грн
500+ 10.19 грн
1000+ 7.88 грн
Мінімальне замовлення: 35
BY255P-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1.3KV 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1300
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V
на замовлення 26402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.86 грн
12+ 24.71 грн
100+ 17.2 грн
500+ 12.6 грн
Мінімальне замовлення: 10
BY255P-E3/73Vishay General SemiconductorRectifiers 3.0 Amp 1300 Volt
на замовлення 2031 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.34 грн
10+ 30.53 грн
100+ 18.47 грн
500+ 14.39 грн
1000+ 11.7 грн
2000+ 11.24 грн
Мінімальне замовлення: 9
BY255P-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1.3KV 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1300
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V
на замовлення 1006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+33.41 грн
10+ 27.45 грн
100+ 19.05 грн
500+ 13.96 грн
Мінімальне замовлення: 9
BY255P-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1.3KV 3A DO201AD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1300
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+12.56 грн
2000+ 10.81 грн
5000+ 10.26 грн
10000+ 8.94 грн
25000+ 8.73 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BY255P-E3/73VishayDiode Switching 1.3KV 3A 2-Pin DO-201AD Ammo
товар відсутній
BY255P-E3/73VishayRectifier Diode Switching 1.3KV 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD Ammo
товар відсутній
BY25Q128ASFIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 128 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 16-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 16M x 8
товар відсутній
BY25Q128ASSIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 128 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 16M x 8
товар відсутній
BY25Q128ASSIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 128 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 16M x 8
товар відсутній
BY25Q128ASSJG(R)BYTe SemiconductorDescription: 128 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 16M x 8
товар відсутній
BY25Q128ASSJG(T)BYTe SemiconductorDescription: 128 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 16M x 8
товар відсутній
BY25Q128ASWIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 128 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (5x6)
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 16M x 8
товар відсутній
BY25Q128ESSIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 128 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 60µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7.5 ns
Memory Organization: 16M x 8
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+47.51 грн
Мінімальне замовлення: 2000
BY25Q128ESSIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 128 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 60µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7.5 ns
Memory Organization: 16M x 8
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.69 грн
10+ 56.96 грн
25+ 56.24 грн
50+ 52.45 грн
100+ 46.9 грн
250+ 46.51 грн
500+ 45.07 грн
1000+ 43.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
BY25Q128ESSIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 128 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 60µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7.5 ns
Memory Organization: 16M x 8
товар відсутній
BY25Q128ESWIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 128 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (5x6)
Write Cycle Time - Word, Page: 60µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7.5 ns
Memory Organization: 16M x 8
товар відсутній
BY25Q128ESWIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 128 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (5x6)
Write Cycle Time - Word, Page: 60µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7.5 ns
Memory Organization: 16M x 8
товар відсутній
BY25Q16AWSIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, WIDE VCC (1.7V TO 3.6V)
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 12 ns
Memory Organization: 2M x 8
товар відсутній
BY25Q16AWTIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, WIDE VCC (1.7V TO 3.6V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms, 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 12 ns
Memory Organization: 2M x 8
товар відсутній
BY25Q16AWTIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, WIDE VCC (1.7V TO 3.6V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms, 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 12 ns
Memory Organization: 2M x 8
товар відсутній
BY25Q16AWTIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, WIDE VCC (1.7V TO 3.6V)
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 12 ns
Memory Organization: 2M x 8
товар відсутній
BY25Q16AWXIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, WIDE VCC (1.7V TO 3.6V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (2x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 12 ns
Memory Organization: 2M x 8
товар відсутній
BY25Q16BLMIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, 1.8V (1.65V TO 2.0V), -
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (2x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 8 ns
Memory Organization: 2M x 8
товар відсутній
BY25Q16BLMIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, 1.8V (1.65V TO 2.0V), -
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (2x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 8 ns
Memory Organization: 2M x 8
товар відсутній
BY25Q16BLSIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, 1.8V (1.65V TO 2.0V), -
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 8 ns
Memory Organization: 2M x 8
товар відсутній
BY25Q16BLTIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, 1.8V (1.65V TO 2.0V), -
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 8 ns
Memory Organization: 2M x 8
товар відсутній
BY25Q16BSMIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (2x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 2M x 8
товар відсутній
BY25Q16BSMIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (2x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 2M x 8
товар відсутній
BY25Q16BSSIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 2M x 8
товар відсутній
BY25Q16BSSIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 2M x 8
товар відсутній
BY25Q16BSSIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 2M x 8
товар відсутній
BY25Q16BSSJG(R)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 60µs, 4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 2M x 8
товар відсутній
BY25Q16BSSJG(T)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 60µs, 4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 2M x 8
товар відсутній
BY25Q16BSTIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 2M x 8
товар відсутній
BY25Q16BSTIG(R)BOYAMICROFLASH 16MBIT 133MHZ SOIC-8
на замовлення 1593 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
BY25Q16BSTIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 2M x 8
товар відсутній
BY25Q16BSTIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 2M x 8
товар відсутній
BY25Q16BSTJG(R)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 60µs, 4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 2M x 8
товар відсутній
BY25Q16BSTJG(T)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 60µs, 4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 2M x 8
товар відсутній
BY25Q16BSUJG(R)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (2x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 60µs, 4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 2M x 8
товар відсутній
BY25Q16ESMIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 8-USON (2x3)
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 2M x 8
товар відсутній
BY25Q16ESSIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 2M x 8
товар відсутній
BY25Q16ESSIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 2M x 8
товар відсутній
BY25Q16ESSIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 2M x 8
товар відсутній
BY25Q16ESTIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 2M x 8
товар відсутній
BY25Q16ESTIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 2M x 8
товар відсутній
BY25Q16ESTIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 2M x 8
товар відсутній
BY25Q16ESTJG(T)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 8-SOP
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 2M x 8
товар відсутній
BY25Q16ESUJG(R)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 8-USON (2x3)
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 2M x 8
товар відсутній
BY25Q20AWTIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 2 MBIT, WIDE VCC (1.7V TO 3.6V),
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 85 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 6 ns
Memory Organization: 256K x 8
товар відсутній
BY25Q20AWUIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 2MBIT, WIDE VCC (1.7V TO 3.6V),
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 85 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (2x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 6 ns
Memory Organization: 256K x 8
товар відсутній
BY25Q20AWUIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 2MBIT, WIDE VCC (1.7V TO 3.6V),
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 85 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (2x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 6 ns
Memory Organization: 256K x 8
товар відсутній
BY25Q20BLAIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 2 MBIT, 1.8V (1.65V TO 2.0V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 85 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 6-USON (1.2x1.2)
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 6 ns
Memory Organization: 256K x 8
товар відсутній
BY25Q20BLRIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 2 MBIT, 1.8V (1.65V TO 2.0V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 85 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 6-USON (1.2x1.2)
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 6 ns
Memory Organization: 256K x 8
товар відсутній
BY25Q20BLRIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 2 MBIT, 1.8V (1.65V TO 2.0V), -4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 85 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 6-USON (1.2x1.2)
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 6 ns
Memory Organization: 256K x 8
товар відсутній
BY25Q20BLYIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 2 MBIT, 1.8V (1.65V TO 2.0V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 85 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (1.5x1.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 6 ns
Memory Organization: 256K x 8
товар відсутній
BY25Q20BLYIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 2 MBIT, 1.8V (1.65V TO 2.0V), -4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 85 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (1.5x1.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 6 ns
Memory Organization: 256K x 8
товар відсутній
BY25Q20BLZIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 2 MBIT, 1.8V (1.65V TO 2.0V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 85 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 6-USON (1.2x0.85)
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 6 ns
Memory Organization: 256K x 8
товар відсутній
BY25Q256FSEIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 256 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (8x6)
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 32M x 8
товар відсутній
BY25Q256FSEIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 256 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (8x6)
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 32M x 8
товар відсутній
BY25Q256FSFIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 256 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 16-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 32M x 8
товар відсутній
BY25Q256FSSIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 256 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 32M x 8
товар відсутній
BY25Q256FSSIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 256 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 32M x 8
товар відсутній
BY25Q256FSSIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 256 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 32M x 8
товар відсутній
BY25Q256FSWIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 256 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (5x6)
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 32M x 8
товар відсутній
BY25Q256FSWIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 256 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (5x6)
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 32M x 8
товар відсутній
BY25Q32BSHIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (4x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 4M x 8
товар відсутній
BY25Q32BSHJG(R)BYTe SemiconductorDescription: 32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (4x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 60µs, 4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 4M x 8
товар відсутній
BY25Q32BSSIGBOYAMICRO32Mb-FLASH Memory IC; x8-bit; 2,7~3,6V; 108MHz; Quad SPI; -40?85°C; Replacement for: W25Q32BVSSIG; W25Q32FVSSIG, W25Q32JVSSIQ, GD25Q32BSIG, EN25Q32B-104HIP BY25Q32BSSIG PEF25q32bssig BY
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+37.53 грн
Мінімальне замовлення: 20
BY25Q32BSSIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 4M x 8
товар відсутній
BY25Q32BSSIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 4M x 8
товар відсутній
BY25Q32BSTIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 4M x 8
товар відсутній
BY25Q32BSTIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 4M x 8
товар відсутній
BY25Q32BSTJG(R)BYTe SemiconductorDescription: 32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 60µs, 4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 4M x 8
товар відсутній
BY25Q32BSTJG(T)BYTe SemiconductorDescription: 32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 60µs, 4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 4M x 8
товар відсутній
BY25Q32BSWIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (5x6)
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 4M x 8
товар відсутній
BY25Q32CSHJG(R)BYTe SemiconductorDescription: 32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (4x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 60µs, 4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 4M x 8
товар відсутній
BY25Q32CSKIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (2x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 4M x 8
товар відсутній
BY25Q32CSKJG(R)BYTe SemiconductorDescription: 32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (2x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 60µs, 4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 4M x 8
товар відсутній
BY25Q32CSSIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 4M x 8
товар відсутній
BY25Q32CSSIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 4M x 8
товар відсутній
BY25Q32CSTIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 4M x 8
товар відсутній
BY25Q32CSTIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 4M x 8
товар відсутній
BY25Q32CSTJG(R)BYTe SemiconductorDescription: 32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 60µs, 4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 4M x 8
товар відсутній
BY25Q32CSTJG(T)BYTe SemiconductorDescription: 32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 60µs, 4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 4M x 8
товар відсутній
BY25Q32CSWIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (5x6)
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 4M x 8
товар відсутній
BY25Q32ESHIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (4x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 11.5 ns
Memory Organization: 4M x 8
товар відсутній
BY25Q32ESSIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 11.5 ns
Memory Organization: 4M x 8
на замовлення 3820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+21.29 грн
25+ 19.8 грн
50+ 18.49 грн
100+ 16.41 грн
250+ 16.2 грн
500+ 15.7 грн
1000+ 15.28 грн
Мінімальне замовлення: 13
BY25Q32ESSIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 11.5 ns
Memory Organization: 4M x 8
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+16.82 грн
Мінімальне замовлення: 2000
BY25Q32ESSIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 11.5 ns
Memory Organization: 4M x 8
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+21.29 грн
25+ 19.8 грн
95+ 16.41 грн
285+ 16.2 грн
570+ 15.96 грн
1045+ 15.28 грн
5035+ 13.73 грн
Мінімальне замовлення: 13
BY25Q32ESTIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 11.5 ns
Memory Organization: 4M x 8
товар відсутній
BY25Q32ESTIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 11.5 ns
Memory Organization: 4M x 8
товар відсутній
BY25Q32ESTIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 11.5 ns
Memory Organization: 4M x 8
на замовлення 9985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+21.22 грн
25+ 19.69 грн
50+ 18.39 грн
100+ 16.33 грн
300+ 16.13 грн
500+ 15.62 грн
1000+ 15.2 грн
5000+ 13.67 грн
Мінімальне замовлення: 13
BY25Q32ESWIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (5x6)
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 11.5 ns
Memory Organization: 4M x 8
товар відсутній
BY25Q32ESWIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (5x6)
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 11.5 ns
Memory Organization: 4M x 8
товар відсутній
BY25Q40AWOIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 4 MBIT, WIDE VCC (1.7V TO 3.6V),
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 85 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 17 ns
Memory Organization: 512K x 8
товар відсутній
BY25Q40AWTIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 4 MBIT, WIDE VCC (1.7V TO 3.6V),
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 85 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 17 ns
Memory Organization: 512K x 8
товар відсутній
BY25Q40AWTIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 4 MBIT, WIDE VCC (1.7V TO 3.6V),
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 85 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 17 ns
Memory Organization: 512K x 8
товар відсутній
BY25Q40AWTIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 4 MBIT, WIDE VCC (1.7V TO 3.6V),
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 85 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 17 ns
Memory Organization: 512K x 8
товар відсутній
BY25Q40BLSIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 4 MBIT, 1.8V (1.65V TO 2.0V), -4
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 50 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 17 ns
Memory Organization: 512K x 8
товар відсутній
BY25Q40BLUIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 4 MBIT, 1.8V (1.65V TO 2.0V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 50 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (2x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 17 ns
Memory Organization: 512K x 8
товар відсутній
BY25Q40BLUIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 4 MBIT, 1.8V (1.65V TO 2.0V), -4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 50 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (2x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 17 ns
Memory Organization: 512K x 8
товар відсутній
BY25Q40BSMIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 4 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (2x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 512K x 8
товар відсутній
BY25Q40BSMIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 4 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (2x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 512K x 8
товар відсутній
BY25Q40BSSIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 4 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 512K x 8
товар відсутній
BY25Q40BSSIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 4 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 512K x 8
товар відсутній
BY25Q40BSTIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 4 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 512K x 8
товар відсутній
BY25Q40BSTIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 4 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 512K x 8
товар відсутній
BY25Q40BSTIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 4 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 512K x 8
товар відсутній
BY25Q40BSTJG(R)BYTe SemiconductorDescription: 4 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 60µs, 4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 512K x 8
товар відсутній
BY25Q40BSTJG(T)BYTe SemiconductorDescription: 4 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 60µs, 4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 512K x 8
товар відсутній
BY25Q40GLSIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 4 MBIT, 1.8V (1.65V TO 2.0V), -4
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 50 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms, 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 17 ns
Memory Organization: 512K x 8
товар відсутній
BY25Q40GLUIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 4 MBIT, 1.8V (1.65V TO 2.0V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 50 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (2x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms, 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 17 ns
Memory Organization: 512K x 8
товар відсутній
BY25Q40GLUIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 4 MBIT, 1.8V (1.65V TO 2.0V), -4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 50 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (2x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms, 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 17 ns
Memory Organization: 512K x 8
товар відсутній
BY25Q40GWSIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 4 MBIT, WIDE VCC (1.7V TO 3.6V),
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 17 ns
Memory Organization: 512K x 8
товар відсутній
BY25Q40GWSIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 4 MBIT, WIDE VCC (1.7V TO 3.6V),
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 85 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 17 ns
Memory Organization: 512K x 8
товар відсутній
BY25Q40GWTIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 4 MBIT, WIDE VCC (1.7V TO 3.6V),
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 17 ns
Memory Organization: 512K x 8
товар відсутній
BY25Q40GWTIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 4 MBIT, WIDE VCC (1.7V TO 3.6V),
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 17 ns
Memory Organization: 512K x 8
товар відсутній
BY25Q40GWTIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 4 MBIT, WIDE VCC (1.7V TO 3.6V),
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 17 ns
Memory Organization: 512K x 8
товар відсутній
BY25Q40GWUIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 4MBIT, WIDE VCC (1.7V TO 3.6V),
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 85 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (2x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 17 ns
Memory Organization: 512K x 8
товар відсутній
BY25Q64ASHIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 64 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (4x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 8M x 8
товар відсутній
BY25Q64ASSIGBOYAMICRO64Mb-FLASH Memory IC; x8-bit; 2,7~3,6V; 120MHz; Quad SPI; -40?85°C; Replacement for: W25Q64CVSSIG, W25Q64FVSSIG, W25Q64JVSSIQ, GD25Q64BSIG, EN25Q64-104HIP BY25Q64ASSIG PEF25q64assig BY
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+37.36 грн
Мінімальне замовлення: 20
BY25Q64ASSIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 64 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 8M x 8
товар відсутній
BY25Q64ASSIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 64 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 8M x 8
товар відсутній
BY25Q64ASTIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 64 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 8M x 8
товар відсутній
BY25Q64ASTIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 64 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 8M x 8
товар відсутній
BY25Q64ASWIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 64 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (5x6)
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 8M x 8
товар відсутній
BY25Q64ESHIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 64 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (4x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 11.5 ns
Memory Organization: 8M x 8
товар відсутній
BY25Q64ESHIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 64 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (4x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 11.5 ns
Memory Organization: 8M x 8
товар відсутній
BY25Q64ESSIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 64 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 11.5 ns
Memory Organization: 8M x 8
на замовлення 3690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+43.37 грн
10+ 37.86 грн
25+ 37.43 грн
50+ 34.91 грн
100+ 31.2 грн
250+ 30.94 грн
500+ 29.99 грн
1000+ 28.91 грн
Мінімальне замовлення: 7
BY25Q64ESSIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 64 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 11.5 ns
Memory Organization: 8M x 8
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+31.61 грн
Мінімальне замовлення: 2000
BY25Q64ESSIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 64 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 11.5 ns
Memory Organization: 8M x 8
товар відсутній
BY25Q64ESTIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 64 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 11.5 ns
Memory Organization: 8M x 8
товар відсутній
BY25Q64ESTIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 64 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 11.5 ns
Memory Organization: 8M x 8
товар відсутній
BY25Q64ESTIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 64 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 11.5 ns
Memory Organization: 8M x 8
товар відсутній
BY25Q64ESWIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 64 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (5x6)
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 11.5 ns
Memory Organization: 8M x 8
товар відсутній
BY25Q64ESWIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 64 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (5x6)
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 11.5 ns
Memory Organization: 8M x 8
товар відсутній
BY25Q80AWSIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 8 MBIT, WIDE VCC (1.7V TO 3.6V),
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 1M x 8
товар відсутній
BY25Q80AWSIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 8 MBIT, WIDE VCC (1.7V TO 3.6V),
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 1M x 8
товар відсутній
BY25Q80AWTIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 8 MBIT, WIDE VCC (1.7V TO 3.6V),
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 1M x 8
товар відсутній
BY25Q80AWTIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 8 MBIT, WIDE VCC (1.7V TO 3.6V),
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 1M x 8
товар відсутній
BY25Q80AWTIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 8 MBIT, WIDE VCC (1.7V TO 3.6V),
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 1M x 8
товар відсутній
BY25Q80AWUIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 8 MBIT, WIDE VCC (1.7V TO 3.6V),
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (2x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 1M x 8
товар відсутній
BY25Q80AWXIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 8 MBIT, WIDE VCC (1.7V TO 3.6V),
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (2x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 1M x 8
товар відсутній
BY25Q80AWYIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 8 MBIT, WIDE VCC (1.7V TO 3.6V),
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (1.5x1.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 1M x 8
товар відсутній
BY25Q80BSMIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 8 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (2x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 1M x 8
товар відсутній
BY25Q80BSMIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 8 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (2x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 1M x 8
товар відсутній
BY25Q80BSSIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 8 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 1M x 8
товар відсутній
BY25Q80BSSIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 8 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 1M x 8
товар відсутній
BY25Q80BSSIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 8 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 1M x 8
товар відсутній
BY25Q80BSTIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 8 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 1M x 8
товар відсутній
BY25Q80BSTIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 8 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 1M x 8
товар відсутній
BY25Q80BSTIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 8 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 1M x 8
товар відсутній
BY25Q80BSTJG(R)BYTe SemiconductorDescription: 8 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 60µs, 4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 1M x 8
товар відсутній
BY25Q80BSTJG(T)BYTe SemiconductorDescription: 8 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 60µs, 4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 1M x 8
товар відсутній
BY25Q80ESMIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 8 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (2x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 55µs, 2ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 1M x 8
товар відсутній
BY25Q80ESMIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 8 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (2x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 55µs, 2ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 1M x 8
товар відсутній
BY25Q80ESSIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 8 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 55µs, 2ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 1M x 8
товар відсутній
BY25Q80ESSIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 8 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 55µs, 2ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 1M x 8
товар відсутній
BY25Q80ESSIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 8 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 55µs, 2ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 1M x 8
товар відсутній
BY25Q80ESTIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 8 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 55µs, 2ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 1M x 8
товар відсутній
BY25Q80ESTIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 8 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 55µs, 2ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 1M x 8
товар відсутній
BY25Q80ESTIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 8 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 55µs, 2ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 1M x 8
товар відсутній
BY268TAPVishayDiode Switching 0.8A 2-Pin SOD-57 Ammo
товар відсутній
BY268TAPVishay SemiconductorsRectifiers FAST AVALANCHE 1400V
товар відсутній
BY268TAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1.4KV 800MA SOD57
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 400 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 400 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1400 V
товар відсутній
BY268TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1.4KV 800MA SOD57
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 400 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 400 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1400 V
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+41.94 грн
10+ 34.84 грн
100+ 24.14 грн
Мінімальне замовлення: 7
BY268TRVishayRectifier Diode Switching 0.8A 400ns 2-Pin SOD-57 T/R
товар відсутній
BY268TRVishay SemiconductorsRectifiers FAST AVALANCHE 1400V
на замовлення 23664 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+35.65 грн
10+ 30.53 грн
100+ 19.65 грн
500+ 17.15 грн
1000+ 14.72 грн
2500+ 14 грн
5000+ 13.47 грн
Мінімальне замовлення: 9
BY268TRVishayRectifier Diode Switching 0.8A 400ns 2-Pin SOD-57 T/R
на замовлення 24453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
679+17.17 грн
689+ 16.9 грн
700+ 16.64 грн
711+ 15.8 грн
1000+ 14.39 грн
3000+ 13.6 грн
6000+ 13.37 грн
15000+ 13.15 грн
Мінімальне замовлення: 679
BY268TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1.4KV 800MA SOD57
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 400 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 400 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1400 V
товар відсутній
BY268TRVishayRectifier Diode Switching 0.8A 400ns 2-Pin SOD-57 T/R
на замовлення 24453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+16.18 грн
37+ 15.94 грн
100+ 15.14 грн
250+ 13.8 грн
500+ 13.04 грн
1000+ 12.83 грн
3000+ 12.63 грн
6000+ 12.42 грн
Мінімальне замовлення: 36
BY268TRVishayRectifier Diode Switching 0.8A 400ns 2-Pin SOD-57 T/R
товар відсутній
BY268V
на замовлення 12180 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BY269VISHAY
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BY269
Код товару: 72040		Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
товар відсутній
BY269TAPVishayDiode Switching 0.8A 2-Pin SOD-57 Ammo
товар відсутній
BY269TAPVishayDiode Switching 0.8A 2-Pin SOD-57 Ammo
на замовлення 17802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+39.01 грн
17+ 34.91 грн
100+ 26.59 грн
500+ 22.09 грн
1000+ 16.25 грн
2500+ 15.39 грн
5000+ 14.6 грн
10000+ 13.58 грн
Мінімальне замовлення: 15
BY269TAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE AVAL 1.6KV 800MA SOD57
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: 140°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 400 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1400 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+17.19 грн
10000+ 15.32 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BY269TAP
Код товару: 140193		Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
товар відсутній
BY269TAPVishayDiode Switching 0.8A 2-Pin SOD-57 Ammo
на замовлення 17802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.03 грн
Мінімальне замовлення: 22
BY269TAPVishayDiode Switching 0.8A 2-Pin SOD-57 Ammo
на замовлення 17780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
310+37.59 грн
407+ 28.62 грн
500+ 24.67 грн
1000+ 18.9 грн
2500+ 17.27 грн
5000+ 15.72 грн
10000+ 14.62 грн
Мінімальне замовлення: 310
BY269TAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE AVAL 1.6KV 800MA SOD57
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: 140°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 400 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1400 V
на замовлення 4868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+47.63 грн
10+ 39.84 грн
100+ 27.58 грн
500+ 21.63 грн
1000+ 18.41 грн
2000+ 16.39 грн
Мінімальне замовлення: 6
BY269TAPVISHAYCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.6kV; 0.8A; Ammo Pack; Ifsm: 20A; SOD57
Mounting: THT
Load current: 0.8A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 400ns
Max. forward impulse current: 20A
Leakage current: 15µA
Kind of package: Ammo Pack
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; high voltage
Case: SOD57
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. forward voltage: 1.25V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4712 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+54.85 грн
6+ 48.03 грн
10+ 43.7 грн
25+ 35.16 грн
44+ 21.93 грн
121+ 20.78 грн
1000+ 19.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
BY269TAPVISHAYCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.6kV; 0.8A; Ammo Pack; Ifsm: 20A; SOD57
Mounting: THT
Load current: 0.8A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 400ns
Max. forward impulse current: 20A
Leakage current: 15µA
Kind of package: Ammo Pack
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; high voltage
Case: SOD57
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. forward voltage: 1.25V
на замовлення 4712 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.54 грн
10+ 36.42 грн
25+ 29.3 грн
44+ 18.28 грн
121+ 17.32 грн
1000+ 16.64 грн
Мінімальне замовлення: 9
BY269TAPVishay SemiconductorsRectifiers 1600 Volt 0.8 Amp 20 Amp IFSM
на замовлення 22917 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+52.06 грн
10+ 44.29 грн
100+ 26.68 грн
500+ 22.28 грн
1000+ 16.96 грн
2500+ 16.89 грн
5000+ 16.04 грн
Мінімальне замовлення: 6
BY269TRVishayRectifier Diode Switching 0.8A 400ns 2-Pin SOD-57 T/R
товар відсутній
BY269TRVishayRectifier Diode Switching 0.8A 400ns 2-Pin SOD-57 T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25000+15.48 грн
Мінімальне замовлення: 25000
BY269TRVISHAYDescription: VISHAY - BY269TR - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.8 kV, 800 mA, Einfach, 1.25 V, 400 ns, 20 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-57
Durchlassstoßstrom: 20A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 400ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 800mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.8kV
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BY269
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 16130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.02 грн
500+ 21.29 грн
1000+ 15.8 грн
5000+ 15.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
BY269TRVISHAYCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.6kV; 0.8A; reel,tape; Ifsm: 20A; SOD57
Mounting: THT
Load current: 0.8A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 400ns
Max. forward impulse current: 20A
Leakage current: 15µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; high voltage
Case: SOD57
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. forward voltage: 1.25V
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BY269TRVISHAYCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.6kV; 0.8A; reel,tape; Ifsm: 20A; SOD57
Mounting: THT
Load current: 0.8A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 400ns
Max. forward impulse current: 20A
Leakage current: 15µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; high voltage
Case: SOD57
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. forward voltage: 1.25V
товар відсутній
BY269TRVishayRectifier Diode Switching 0.8A 400ns 2-Pin SOD-57 T/R
на замовлення 19854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+20.88 грн
29+ 20.05 грн
100+ 17.42 грн
250+ 15.86 грн
500+ 14.97 грн
1000+ 14.72 грн
3000+ 14.46 грн
6000+ 14.21 грн
Мінімальне замовлення: 28
BY269TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE AVAL 1.6KV 800MA SOD57
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 400 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 400 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1600 V
на замовлення 48907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+33.41 грн
10+ 28 грн
100+ 19.39 грн
500+ 15.2 грн
1000+ 14.24 грн
Мінімальне замовлення: 9
BY269TRVishay SemiconductorsRectifiers 1600 Volt 0.8 Amp 20 Amp IFSM
на замовлення 117822 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.34 грн
10+ 31.14 грн
100+ 18.8 грн
500+ 15.71 грн
1000+ 15.31 грн
Мінімальне замовлення: 9
BY269TRVishayRectifier Diode Switching 0.8A 400ns 2-Pin SOD-57 T/R
на замовлення 19854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
540+21.59 грн
599+ 19.46 грн
609+ 19.13 грн
619+ 18.14 грн
1000+ 16.51 грн
3000+ 15.57 грн
6000+ 15.3 грн
15000+ 15.03 грн
Мінімальне замовлення: 540
BY269TRVISHAYDescription: VISHAY - BY269TR - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.8 kV, 800 mA, Einfach, 1.25 V, 400 ns, 20 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-57
Durchlassstoßstrom: 20A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 400ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 800mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.8kV
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BY269
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 16130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+47.33 грн
19+ 39.96 грн
100+ 26.02 грн
500+ 21.29 грн
1000+ 15.8 грн
5000+ 15.04 грн
Мінімальне замовлення: 16
BY269TRVishayRectifier Diode Switching 0.8A 400ns 2-Pin SOD-57 T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25000+14.37 грн
Мінімальне замовлення: 25000
BY269TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE AVAL 1.6KV 800MA SOD57
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 400 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 400 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1600 V
на замовлення 43967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+15.76 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BY269TRVishayRectifier Diode Switching 0.8A 400ns 2-Pin SOD-57 T/R
на замовлення 9453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
144+81.21 грн
294+ 39.69 грн
321+ 36.29 грн
323+ 34.8 грн
500+ 26.25 грн
1000+ 23.53 грн
2000+ 23.37 грн
5000+ 20.88 грн
Мінімальне замовлення: 144
BY296Diotec SemiconductorRectifiers Diode, Fast, DO-201, 100V, 2A, 500ns
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
BY296Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 100V 2A 500ns 2-Pin DO-201 Ammo
товар відсутній
BY296Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 100V 2A 500ns 2-Pin DO-201 Ammo
товар відсутній
BY296Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 100V 2A 500ns 2-Pin DO-201 Ammo
товар відсутній
BY296EICRectifier Diode Switching 100V 2A 250ns 2-Pin DO-201AD
товар відсутній
BY296DIOTEC SEMICONDUCTORBY296-DIO THT universal diodes
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+13.63 грн
280+ 3.47 грн
760+ 3.28 грн
Мінімальне замовлення: 20
BY296Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 100V 2A 500ns 2-Pin DO-201 Ammo
товар відсутній
BY296Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 100V 2A 500ns 2-Pin DO-201 Ammo
товар відсутній
BY296Diotec SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 100V 2A DO201
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1700+5.94 грн
Мінімальне замовлення: 1700
BY297Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 200V 2A 500ns 2-Pin DO-201 Ammo
товар відсутній
BY297Diotec SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 200V 2A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
товар відсутній
BY297Taiwan SemiconductorRectifiers 2A,200V,FASTSWITCH,PLASTIC RECTIFIER
товар відсутній
BY297DIOTEC SEMICONDUCTORBY297-DIO THT universal diodes
на замовлення 70 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
25+10.65 грн
285+ 3.39 грн
780+ 3.2 грн
Мінімальне замовлення: 25
BY297Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 200V 2A 500ns 2-Pin DO-201 Ammo
товар відсутній
BY297EICRectifier Diode Switching 200V 2A 250ns 2-Pin DO-201AD
товар відсутній
BY297Diotec SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 200V 2A DO201
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-201
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товар відсутній
BY297Diotec SemiconductorRectifiers Diode, Fast, DO-201, 200V, 2A, 150C
товар відсутній
BY297Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 200V 2A 500ns 2-Pin DO-201 Ammo
товар відсутній
BY297 R0Taiwan SemiconductorRectifiers 2A,200V,FASTSWITCH,PLASTIC RECTIFIER
товар відсутній
BY297P-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 2A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 28pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 125°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товар відсутній
BY298Taiwan SemiconductorRectifiers 2A,400V,FASTSWITCH,PLASTIC RECTIFIER
товар відсутній
BY298DC COMPONENTSCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 70A; DO15; 150ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 2A
Reverse recovery time: 150ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: DO15
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 70A
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
BY298EICRectifier Diode Switching 400V 2A 250ns 2-Pin DO-201AD
товар відсутній
BY298Diotec SemiconductorDiode Switching 400V 2A 2-Pin DO-201 Ammo
товар відсутній
BY298Diotec SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 400V 2A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-201
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товар відсутній
BY298Diotec SemiconductorRectifiers Diode, Fast, DO-201, 400V, 2A, 150C
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 137-146 дні (днів)
8+43.47 грн
11+ 30.08 грн
100+ 16.3 грн
500+ 15.58 грн
1000+ 14.39 грн
1700+ 8.35 грн
3400+ 6.64 грн
Мінімальне замовлення: 8
BY298DC COMPONENTSCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 70A; DO15; 150ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 2A
Reverse recovery time: 150ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: DO15
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 70A
Kind of package: Ammo Pack
товар відсутній
BY298DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 70A; DO201; Ir: 5uA
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 2A
Max. load current: 20A
Reverse recovery time: 0.5µs
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: DO201
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 70A
Leakage current: 5µA
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
BY298DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 70A; DO201; Ir: 5uA
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 2A
Max. load current: 20A
Reverse recovery time: 0.5µs
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: DO201
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 70A
Leakage current: 5µA
Kind of package: Ammo Pack
товар відсутній
BY298Diotec Semiconductor AGDescription: Diode, Fast, DO-201, 400V, 2A
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-201
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товар відсутній
BY298 R0Taiwan SemiconductorRectifiers 2A,400V,FASTSWITCH,PLASTIC RECTIFIER
товар відсутній
BY298 диод
Код товару: 84641		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товар відсутній
BY298P-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 2A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 28pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 125°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товар відсутній
BY299DC COMPONENTSCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 70A; DO15; 500ns
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 70A
Case: DO15
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward voltage: 1.3V
Features of semiconductor devices: fast switching
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 0.5µs
товар відсутній
BY299Diotec SemiconductorDescription: DIODE FR DO-201 800V 2A
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1700+6.25 грн
Мінімальне замовлення: 1700
BY299Diotec SemiconductorRectifiers Diode, Fast, DO-201, 800V, 2A, 150C
на замовлення 3378 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+133.41 грн
10+ 71.8 грн
100+ 38.84 грн
500+ 25.1 грн
Мінімальне замовлення: 3
BY299DC COMPONENTSCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 70A; DO15; 500ns
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 70A
Case: DO15
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward voltage: 1.3V
Features of semiconductor devices: fast switching
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 0.5µs
кількість в упаковці: 25 шт
товар відсутній
BY299Diotec SemiconductorDiode Switching 800V 2A 2-Pin DO-201 Ammo
товар відсутній
BY299LGE2A; 800V; packaging: ammo; BY299 diode rectifying DP BY299
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 400 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.88 грн
Мінімальне замовлення: 500
BY299
Код товару: 54701		Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
товар відсутній
BY299DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 70A; DO201; Ir: 5uA
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 70A
Case: DO201
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward voltage: 1.3V
Features of semiconductor devices: fast switching
Mounting: THT
Max. load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 5µA
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 0.5µs
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
40+10.32 грн
80+ 4.31 грн
100+ 3.43 грн
280+ 2.84 грн
765+ 2.69 грн
Мінімальне замовлення: 40
BY299Diotec SemiconductorDiode Switching 800V 2A 2-Pin DO-201 Ammo
товар відсутній
BY299Taiwan SemiconductorRectifiers 2A,800V,FASTSWITCH,PLASTIC RECTIFIER
товар відсутній
BY299DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 70A; DO201; Ir: 5uA
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 70A
Case: DO201
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward voltage: 1.3V
Features of semiconductor devices: fast switching
Mounting: THT
Max. load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 5µA
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 0.5µs
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
25+12.39 грн
50+ 5.37 грн
100+ 4.12 грн
280+ 3.41 грн
765+ 3.23 грн
Мінімальне замовлення: 25
BY299Diotec SemiconductorDiode Switching 800V 2A 2-Pin DO-201 Ammo
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1700+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 1700
BY299EICFast Recovery Rectifier Diodes
товар відсутній
BY299 R0Taiwan SemiconductorRectifiers 2A,800V,FASTSWITCH,PLASTIC RECTIFIER
товар відсутній
BY299BULKEIC SEMICONDUCTOR INC.Description: DIODE GEN PURP 800V 2A DO15
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BY299P-E3Vishay SemiconductorsRectifiers 2A,800V,500NS,FS,PLAS RECT,DO-201AD
товар відсутній
BY299P-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 2A DO201AD
товар відсутній
BY299P-E3/54VishayRectifier Diode Switching 800V 2A 1000ns 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY299P-E3/54Vishay SemiconductorsRectifiers RECOMMENDED ALT 625-RGP30K-E3
товар відсутній
BY299P-E3/73Vishay SemiconductorsRectifiers RECOMMENDED ALT 625-RGP30K-E3/73
товар відсутній
BY299P-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 2A DO201AD
товар відсутній
BY29E100
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BY29G1GFSBIG(Y)BYTe SemiconductorDescription: 1 GBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Packaging: Tray
Package / Case: 64-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 64-TFBGA (11x13)
Memory Interface: CFI
Memory Organization: 128M x 8
товар відсутній