Продукція > F3L
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| F3L030E07-F-W2 | Infineon Technologies | Power Management IC Development Tools Eval Driver Board for 650V Easy2B | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| F3L100R07W2E3B11BOMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - F3L100R07W2E3B11BOMA1 - IGBT-Modul, EasyPACK 2B, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 100 A, 1.45 V, 300 W, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V Dauer-Kollektorstrom: 100A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V Verlustleistung Pd: 300W euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 100A Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| F3L100R07W2E3B11BOMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 650V 117A 300W MOD Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 117 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 300 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.2 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| F3L100R07W2E3_B11 | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT MODULES 650V 100A | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||
| F3L100R07W2H3B11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 650V 70A AG-EASY2B Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.2 nF @ 650 V Current - Collector Cutoff (Max): 32 µA Power - Max: 20 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector (Ic) (Max): 70 A Part Status: Active IGBT Type: Trench Field Stop Configuration: Three Level Inverter Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Tray Supplier Device Package: AG-EASY2B NTC Thermistor: Yes Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| F3L100R07W2H3B11BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - F3L100R07W2H3B11BPSA1 - IGBT-Modul, Viererpack, 100 A, 1.68 V, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT H3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.68V Dauer-Kollektorstrom: 100A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.68V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Produktpalette: Produktreihe EasyPACK Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Viererpack productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 100A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| F3L100R07W2H3B11BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules EASY | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||
| F3L100R12W2H3B11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 100A 375W MOD Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 50A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 375 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.15 nF @ 25 V | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| F3L100R12W2H3_B11 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200 V, 100 A 3-level IGBT module | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||
| F3L11MR12W2M1B65BOMA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules LOW POWER EASY | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| F3L11MR12W2M1B65BOMA1 | Infineon Technologies | Description: LOW POWER EASY Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.36 nF @ 800 V Current - Collector Cutoff (Max): 40 µA Power - Max: 20 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 A IGBT Type: Trench Supplier Device Package: AG-EASY2BM-2 NTC Thermistor: Yes Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Configuration: Three Level Inverter Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| F3L11MR12W2M1B74BOMA1 | Infineon Technologies | CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC Tray | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| F3L11MR12W2M1B74BOMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - F3L11MR12W2M1B74BOMA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 100 A, 1.5 V, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: - Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V Dauer-Kollektorstrom: 100A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: EasyPACK CoolSic Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke] productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 100A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| F3L11MR12W2M1B74BOMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 100A AG-EASY2B-2 Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Level Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 100A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-EASY2B-2 IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 9 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 21.7 nF @ 25 V | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| F3L11MR12W2M1B74BOMA1 | Infineon Technologies | CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC Tray | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| F3L11MR12W2M1B74BOMA1 | Infineon Technologies | MOSFET Modules EASY | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||
| F3L11MR12W2M1C01BOMA1 | Infineon Technologies | Description: IC SIC MOSFET LOW POWER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| F3L11MR12W2M1HB19BPSA1 | Infineon Technologies | Discrete Semiconductor Modules | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| F3L11MR12W2M1HB19BPSA1 | Infineon Technologies | Description: LOW POWER EASY Packaging: Tray Part Status: Active | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| F3L11MR12W2M1HB19BPSA1 | Infineon Technologies | F3L11MR12W2M1HB19BPSA1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| F3L11MR12W2M1HPB19BPSA1 | Infineon Technologies | Description: LOW POWER EASY Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 4 N-Channel Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 75A, 18V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223nC @ 18V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 30mA | на замовлення 73 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| F3L11MR12W2M1HPB19BPSA1 | Infineon Technologies | F3L11MR12W2M1HPB19BPSA1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 18 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| F3L11MR12W2M1HPB19BPSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs EASY | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||
| F3L11MR12W2M1HPB19BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - F3L11MR12W2M1HPB19BPSA1 - MOSFET-Transistor, SixPack, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, 18 V, 5.15 V tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 65A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| F3L11MR12W2M1PB65BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules LOW POWER EASY | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 18 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| F3L150R07W2E3B11BOMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - F3L150R07W2E3B11BOMA1 - IGBT-Modul, EasyPACK, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 150 A, 1.45 V, 335 W, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte euEccn: NLR rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V Verlustleistung Pd: 335W Verlustleistung: 335W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Dauerkollektorstrom: 150A Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 150A Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| F3L150R07W2E3B11BOMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 650V 150A 335W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 335 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.3 nF @ 25 V | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| F3L150R07W2E3_B11 | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT MODULES 650V 150A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| F3L150R07W2H3B11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: LOW POWER EASY AG-EASY2B-411 Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Level Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 150A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-EASY2B IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 85 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 9 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.4 nF @ 650 V | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| F3L150R07W2H3B11BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules EASY | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||
| F3L150R07W2H3B11BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - F3L150R07W2H3B11BPSA1 - IGBT-Modul, Viererpack, 150 A, 1.68 V, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT H3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.68V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.68V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Dauerkollektorstrom: 150A Produktpalette: Produktreihe EasyPACK Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Viererpack productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 150A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| F3L150R12W2H3B11BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - F3L150R12W2H3B11BPSA1 - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 75 A, 1.55 V, 500 W, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 High-Speed Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötanschluss Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V Verlustleistung Pd: 500W euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 75A Produktpalette: EasyPACK Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 75A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| F3L150R12W2H3B11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 75A 500W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 75A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 500 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.7 nF @ 25 V | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| F3L150R12W2H3B11BPSA1 | Infineon Technologies | EasyPACK module with active"NeutralPointClamp2" topology and PressFIT/NTC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| F3L150R12W2H3BOMA1 | Infineon Technologies | Description: F3L150R12W2H3B - IGBT | на замовлення 1080 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| F3L150R12W2H3_B11 | Infineon Technologies | IGBT Modules LOW POWER EASY | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| F3L15MR12W2M1B69BOMA1 | Infineon Technologies | Description: LOW POWER EASY Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Level Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-EASY2BM-2 IGBT Type: Trench Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.52 nF @ 800 V | на замовлення 51 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| F3L15MR12W2M1B69BOMA1 | Infineon Technologies | 1200 V Trench MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| F3L15MR12W2M1B69BOMA1 | Infineon Technologies | 1200 V Trench MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| F3L15MR12W2M1B69BOMA1 | Infineon Technologies | Description: LOW POWER EASY Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Level Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-EASY2BM-2 IGBT Type: Trench Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.52 nF @ 800 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| F3L15MR12W2M1B69BOMA1 | Infineon Technologies | Discrete Semiconductor Modules LOW POWER EASY | на замовлення 37 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| F3L15R12W2H3B27BOMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 20A 145W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 3 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 145 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 875 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| F3L15R12W2H3B27BOMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 20A 145W Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: Module NTC Thermistor: Yes Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Configuration: 3 Independent Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Bulk Input Capacitance (Cies) @ Vce: 875 pF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Power - Max: 145 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V | на замовлення 629 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| F3L15R12W2H3_B27 | Infineon Technologies | IGBT Modules LOW POWER EASY | на замовлення 70 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| F3L200R07PE4 | Infineon Technologies | Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12.5 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Power - Max: 680 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector (Ic) (Max): 200 A Part Status: Active IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: AG-ECONO4-1-1 NTC Thermistor: Yes Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 200A Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Configuration: Three Level Inverter Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Bulk | на замовлення 3432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| F3L200R07PE4 | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT Module 200A 650V | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| F3L200R07PE4BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 650V 200A 680W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 200A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 680 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12.5 nF @ 25 V | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| F3L200R07PE4BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 650V 200A 680W Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 200A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 200 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 680 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12.5 nF @ 25 V | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| F3L200R07W2S5B11BOMA1 | Infineon Technologies | Description: LOW POWER EASY AG-EASY2B-2 Packaging: Bulk | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| F3L200R07W2S5B11BOMA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules LOW POWER EASY | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| F3L200R07W2S5B11BOMA1 | Infineon Technologies | Description: LOW POWER EASY AG-EASY2B-2 Packaging: Tray | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| F3L200R07W2S5FB11BOMA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules LOW POWER EASY | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||
| F3L200R07W2S5FB11BOMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - F3L200R07W2S5FB11BOMA1 - IGBT-Modul, Viererpack, 100 A, 1.17 V, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench Stop 5 /CoolSiC-Schottky-Diode Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.17V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.17V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Dauerkollektorstrom: 100A Produktpalette: EasyPACK TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Viererpack productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 100A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| F3L200R07W2S5FB11BOMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 650V 95A AG-EASY2B Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Level Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.38V @ 15V, 100A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-EASY2B IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 95 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14.3 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| F3L200R07W2S5FB56BPSA1 | Infineon Technologies | Description: LOW POWER EASY Packaging: Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| F3L200R07W2S5FB56BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules EASY STANDARD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| F3L200R07W2S5FPB55BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules LOW POWER EASY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| F3L200R07W2S5FPB56BPSA1 | Infineon Technologies | Description: LOW POWER EASY AG-EASY2B-2 Packaging: Tray | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| F3L200R07W2S5FPB56BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules 650 V, 200 A 3-level IGBT module | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 18 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| F3L200R07W2S5PB95BPSA1 | Infineon Technologies | Description: F3L200R07W2S5PB95BPSA1 Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14300 pF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 45 µA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector (Ic) (Max): 200 A IGBT Type: Trench Field Stop NTC Thermistor: Yes Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.67V @ 15V, 150A Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Configuration: Three Level Inverter Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Box | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| F3L200R07W2S5PB95BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules EASY | на замовлення 36 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||
| F3L200R12N2H3B47BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules LOW POWER ECONO | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| F3L200R12N2H3B47BPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 200A 20MW ECONO Supplier Device Package: AG-ECONO2-8 NTC Thermistor: Yes Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Configuration: Three Level Inverter Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Tray Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Power - Max: 20 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 200 A Part Status: Discontinued at Digi-Key | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| F3L200R12N2H3B47BPSA2 | Infineon Technologies | Description: LOW POWER ECONO AG-ECONO2B-411 Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11.5 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Power - Max: 20 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 150 A Part Status: Active Supplier Device Package: AG-ECONO2B NTC Thermistor: Yes Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Configuration: Three Level Inverter Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| F3L200R12N2H3B47BPSA2 | Infineon Technologies | IGBT Modules LOW POWER ECONO | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| F3L200R12W2H3B11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 600W 14-Pin EASY2B-2 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| F3L200R12W2H3B11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 600W 14-Pin EASY2B-2 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| F3L200R12W2H3B11BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - F3L200R12W2H3B11BPSA1 - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 100 A, 1.55 V, 600 W, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 High-Speed Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V Verlustleistung Pd: 600W euEccn: NLR Verlustleistung: 600W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 100A Produktpalette: EasyPACK 2B Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 100A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| F3L200R12W2H3B11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 100A 600W MOD Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 100A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 600 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11.5 nF @ 25 V | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| F3L200R12W2H3BOMA1 | Infineon Technologies | EASY STANDARD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| F3L200R12W2H3PB11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: MODULE IGBT 1200V EASY2B-2 Packaging: Tray Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 18 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| F3L200R12W2H3PB11BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200 V, 200 A 3-level IGBT module | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 18 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| F3L200R12W2H3_B11 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200 V, 200 A 3-level IGBT module | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||
| F3L225R07W2H3PB63BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules 650 V, 225 A 3-level IGBT module | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 18 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| F3L225R07W2H3PB63BPSA1 | Infineon Technologies | Description: MODULE IGBT 700V EASY2B-2 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector (Ic) (Max): 225 A Supplier Device Package: AG-EASY2B NTC Thermistor: Yes Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 85A Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Configuration: Single Switch Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Tray Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| F3L225R12W3H3B11BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - F3L225R12W3H3B11BPSA1 - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 175 A, 2.07 V, 20 mW, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 High-Speed hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.07V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Modul Dauerkollektorstrom: 175A Produktpalette: EasyPack Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| F3L225R12W3H3B11BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules EASY PLUS | на замовлення 29 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||
| F3L225R12W3H3B11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE Part Status: Active Packaging: Tray Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13100 pF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 225 A IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: Module NTC Thermistor: Yes Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 225A Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| F3L25R12W1T4B27BOMA1 | Infineon Technologies | Easy PACK IGBT module | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| F3L25R12W1T4B27BOMA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200 V, 25 A 3-level IGBT module | на замовлення 263 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||
| F3L25R12W1T4B27BOMA1 | Infineon Technologies | Description: MODULE IGBT 1200V EASY1B-2 Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 25A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-EASY1B Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 45 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 215 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.45 nF @ 25 V | на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| F3L25R12W1T4B27BOMA1 | Infineon Technologies | Easy PACK IGBT module | на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| F3L25R12W1T4B27BOMA1 | Infineon Technologies | Easy PACK IGBT module | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| F3L25R12W1T4B27BOMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - F3L25R12W1T4B27BOMA1 - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 45 A, 1.85 V, 215 W, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte euEccn: NLR rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V Verlustleistung Pd: 215W Verlustleistung: 215W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 45A Anzahl der Pins: 19Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Vierfach n-Kanal usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 45A Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| F3L300R07PE4 | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT Module 300A 650V | на замовлення 29 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||
| F3L300R07PE4 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 650V; Ic: 300A; AG-ECONO4-1 Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Topology: NTC thermistor; three-level inverter; single-phase Max. off-state voltage: 650V Collector current: 300A Case: AG-ECONO4-1 Electrical mounting: Press-Fit; screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 600A Mechanical mounting: screw Power dissipation: 940W Technology: EconoPACK™ 4 | на замовлення 6 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||
| F3L300R07PE4BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 650V 300A 940W 21-Pin ECONO4-1 Tray | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| F3L300R07PE4BOSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules MEDIUM POWER ECONO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| F3L300R07PE4BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 650V 300A 940W 21-Pin ECONO4-1 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| F3L300R07PE4BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 650V 300A 940W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Level Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 300A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 300 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 940 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.5 nF @ 25 V | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| F3L300R07PE4BOSA1 | Infineon | 300А, 650В, 3-level, EconoPACK Силові IGBT-модулі | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| F3L300R07PE4PBOSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 650 V, 300 A 3-level IGBT module | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| F3L300R07PE4PBOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 650V 300A MODULE Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Full Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 280A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 300 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.5 nF @ 25 V | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| F3L300R07PE4PBOSA1 | Infineon Technologies | Trench/Fieldstop IGBT 4 and Emitter Controlled 4 diode and Press FIT/NTC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| F3L300R12ME4B22BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 450A 1550W MOD Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Power - Max: 1550 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 450 A Part Status: Active IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: Module NTC Thermistor: Yes Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Configuration: 2 Independent Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| F3L300R12ME4B23BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 450A 1550W Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 450 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1550 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19 nF @ 25 V | на замовлення 102 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| F3L300R12ME4B23BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 450A 1550W Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Power - Max: 1550 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 450 A Part Status: Active IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: Module NTC Thermistor: Yes Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Configuration: 2 Independent Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| F3L300R12ME4_B22 | Infineon | IGBT4 - E4, 300A Силові IGBT-модулі | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| F3L300R12ME4_B22 | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT Module 300A 1200V | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||
| F3L300R12ME4_B22 | Infineon Technologies | Description: F3L300R12 - IGBT MODULE Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Power - Max: 1550 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 450 A Part Status: Active IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: AG-ECONOD-3 NTC Thermistor: Yes Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Configuration: Half Bridge Inverter Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Bulk | на замовлення 206 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|