Продукція > F3L
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| F3L030E07-F-W2 | Infineon Technologies | Power Management IC Development Tools Eval Driver Board for 650V Easy2B | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L100R07W2E3B11BOMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - F3L100R07W2E3B11BOMA1 - IGBT-Modul, EasyPACK 2B, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 100 A, 1.45 V, 300 W, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V Dauer-Kollektorstrom: 100A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V Verlustleistung Pd: 300W euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 100A Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L100R07W2E3B11BOMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 650V 117A 300W 14-Pin EASY2B-2 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L100R07W2E3B11BOMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 650V 117A 300W MOD Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 117 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 300 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.2 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L100R07W2E3_B11 | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT MODULES 650V 100A | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L100R07W2H3B11BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules EASY STANDARD | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L100R07W2H3B11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 650V 70A AG-EASY2B Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Level Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-EASY2B IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 70 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 32 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.2 nF @ 650 V | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L100R07W2H3B11BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - F3L100R07W2H3B11BPSA1 - IGBT-Modul, Viererpack, 100 A, 1.68 V, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT H3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.68V Dauer-Kollektorstrom: 100A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.68V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Produktpalette: Produktreihe EasyPACK Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Viererpack productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 100A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L100R12W2H3B11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 100A 375W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 50A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 375 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.15 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L100R12W2H3B11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 375W 15-Pin EASY2B-2 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L100R12W2H3_B11 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200 V, 100 A 3-level IGBT module | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L11MR12W2M1B65BOMA1 | Infineon Technologies | Enhancement IGBT Module | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L11MR12W2M1B65BOMA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules LOW POWER EASY | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L11MR12W2M1B65BOMA1 | Infineon Technologies | Description: LOW POWER EASY Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Level Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-EASY2BM-2 IGBT Type: Trench Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 40 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.36 nF @ 800 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L11MR12W2M1B74BOMA1 | Infineon Technologies | CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L11MR12W2M1B74BOMA1 | Infineon Technologies | CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC Tray | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L11MR12W2M1B74BOMA1 | Infineon Technologies | MOSFET Modules EASY STANDARD | на замовлення 36 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L11MR12W2M1B74BOMA1 | Infineon Technologies | Description: LOW POWER EASY Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Level Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 100A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-EASY2B-2 IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 9 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 21.7 nF @ 25 V | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L11MR12W2M1B74BOMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - F3L11MR12W2M1B74BOMA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 100 A, 1.5 V, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: - Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V Dauer-Kollektorstrom: 100A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: EasyPACK CoolSic Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke] productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 100A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L11MR12W2M1B74BOMA1 | Infineon Technologies | CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC Tray | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L11MR12W2M1C01BOMA1 | Infineon Technologies | Description: IC SIC MOSFET LOW POWER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L11MR12W2M1HB19BPSA1 | Infineon Technologies | Description: LOW POWER EASY Packaging: Tray Part Status: Active | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L11MR12W2M1HB19BPSA1 | Infineon Technologies | F3L11MR12W2M1H_B19 Alpitronic | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L11MR12W2M1HB19BPSA1 | Infineon Technologies | F3L11MR12W2M1HB19BPSA1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L11MR12W2M1HB19BPSA1 | Infineon Technologies | Discrete Semiconductor Modules | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L11MR12W2M1HPB19BPSA1 | Infineon Technologies | Description: LOW POWER EASY Packaging: Tray | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L11MR12W2M1HPB19BPSA1 | Infineon Technologies | LOW POWER EASY | на замовлення 126 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L11MR12W2M1HPB19BPSA1 | Infineon Technologies | F3L11MR12W2M1HPB19BPSA1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L11MR12W2M1HPB19BPSA1 | Infineon Technologies | MOSFET EASY STANDARD | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L11MR12W2M1HPB19BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - F3L11MR12W2M1HPB19BPSA1 - MOSFET-Transistor, SixPack, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, 18 V, 5.15 V tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 65A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L11MR12W2M1H_B19 | Infineon Technologies | Eng. Samples | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L11MR12W2M1PB65BPSA1 | Infineon Technologies | SP001663910 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L11MR12W2M1PB65BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules LOW POWER EASY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L150R07W2E3B11BOMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 650V 150A 335000mW 20-Pin EASY2B-2 Tray | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L150R07W2E3B11BOMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - F3L150R07W2E3B11BOMA1 - IGBT-Modul, EasyPACK, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 150 A, 1.45 V, 335 W, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V Verlustleistung Pd: 335W euEccn: NLR Verlustleistung: 335W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Dauerkollektorstrom: 150A Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 150A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L150R07W2E3B11BOMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 650V 150A 335W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 335 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.3 nF @ 25 V | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L150R07W2E3_B11 | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT MODULES 650V 150A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L150R07W2H3B11BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules EASY STANDARD | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L150R07W2H3B11BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - F3L150R07W2H3B11BPSA1 - IGBT-Modul, Viererpack, 150 A, 1.68 V, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT H3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.68V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.68V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Dauerkollektorstrom: 150A Produktpalette: Produktreihe EasyPACK Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Viererpack productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 150A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L150R07W2H3B11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: LOW POWER EASY AG-EASY2B-411 Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Level Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 150A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-EASY2B IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 85 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 9 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.4 nF @ 650 V | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L150R07W2H3B11BPSA1 | Infineon Technologies | SP001064170 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L150R12W2H3B11BPSA1 | Infineon Technologies | EasyPACK module with active"NeutralPointClamp2" topology and PressFIT/NTC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L150R12W2H3B11BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - F3L150R12W2H3B11BPSA1 - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 75 A, 1.55 V, 500 W, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 High-Speed Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötanschluss Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V Verlustleistung Pd: 500W euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 75A Produktpalette: EasyPACK Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 75A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L150R12W2H3B11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 75A 500W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 75A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 500 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.7 nF @ 25 V | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L150R12W2H3B11BPSA1 | Infineon Technologies | EasyPACK module with active"NeutralPointClamp2" topology and PressFIT/NTC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L150R12W2H3BOMA1 | Infineon Technologies | Description: F3L150R12W2H3B - IGBT | на замовлення 1080 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L150R12W2H3_B11 | Infineon Technologies | IGBT Modules LOW POWER EASY | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L15MR12W2M1B69BOMA1 | Infineon Technologies | Description: LOW POWER EASY Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Level Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-EASY2BM-2 IGBT Type: Trench Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.52 nF @ 800 V | на замовлення 51 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L15MR12W2M1B69BOMA1 | Infineon Technologies | 1200 V Trench MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L15MR12W2M1B69BOMA1 | Infineon Technologies | Discrete Semiconductor Modules LOW POWER EASY | на замовлення 37 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L15MR12W2M1B69BOMA1 | Infineon Technologies | 1200 V Trench MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L15MR12W2M1B69BOMA1 | Infineon Technologies | Description: LOW POWER EASY Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Level Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-EASY2BM-2 IGBT Type: Trench Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.52 nF @ 800 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L15R12W2H3B27BOMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 20A 145W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 3 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 145 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 875 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L15R12W2H3B27BOMA1 | Infineon Technologies | Trench and Field Stop IGBT Module | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L15R12W2H3B27BOMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 20A 145W Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 3 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 145 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 875 pF @ 25 V | на замовлення 629 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L15R12W2H3_B27 | Infineon Technologies | IGBT Modules LOW POWER EASY | на замовлення 70 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L200R07PE4 | Infineon Technologies | Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Level Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 200A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-ECONO4-1-1 IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 680 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12.5 nF @ 25 V | на замовлення 3432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L200R07PE4 | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT Module 200A 650V | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L200R07PE4BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 650V 200A 680000mW Automotive 20-Pin ECONO4-1 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L200R07PE4BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 650V 200A 680W Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 200A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 200 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 680 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12.5 nF @ 25 V | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L200R07PE4BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 650V 200A 680W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 200A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 680 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12.5 nF @ 25 V | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L200R07W2S5B11BOMA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules LOW POWER EASY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L200R07W2S5B11BOMA1 | Infineon Technologies | Description: LOW POWER EASY AG-EASY2B-2 Packaging: Bulk | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L200R07W2S5B11BOMA1 | Infineon Technologies | Description: LOW POWER EASY AG-EASY2B-2 Packaging: Tray | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L200R07W2S5B11BOMA1 | Infineon Technologies | SP003078298 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L200R07W2S5FB11BOMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - F3L200R07W2S5FB11BOMA1 - IGBT-Modul, Viererpack, 100 A, 1.17 V, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench Stop 5 /CoolSiC-Schottky-Diode Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.17V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.17V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Dauerkollektorstrom: 100A Produktpalette: EasyPACK TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Viererpack productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 100A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L200R07W2S5FB11BOMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 650V 95A AG-EASY2B Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Level Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.38V @ 15V, 100A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-EASY2B IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 95 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14.3 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L200R07W2S5FB11BOMA1 | Infineon Technologies | High Speed IGBT Module Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L200R07W2S5FB11BOMA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules LOW POWER EASY | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L200R07W2S5FB56BPSA1 | Infineon Technologies | LOW POWER EASY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L200R07W2S5FB56BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules EASY STANDARD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L200R07W2S5FB56BPSA1 | Infineon Technologies | Description: LOW POWER EASY Packaging: Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L200R07W2S5FPB55BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules LOW POWER EASY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L200R07W2S5FPB56BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules 650 V, 200 A 3-level IGBT module | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L200R07W2S5FPB56BPSA1 | Infineon Technologies | Description: LOW POWER EASY AG-EASY2B-2 Packaging: Tray | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L200R07W2S5PB95BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules EASY STANDARD | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L200R07W2S5PB95BPSA1 | Infineon Technologies | Description: F3L200R07W2S5PB95BPSA1 Packaging: Box Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Level Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.67V @ 15V, 150A NTC Thermistor: Yes IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 200 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Cutoff (Max): 45 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14300 pF @ 25 V | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L200R12N2H3B47BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules LOW POWER ECONO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L200R12N2H3B47BPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 200A 20MW ECONO Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Level Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-ECONO2-8 Part Status: Discontinued at Digi-Key Current - Collector (Ic) (Max): 200 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L200R12N2H3B47BPSA1 | Infineon Technologies | High Speed IGBT Module Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L200R12N2H3B47BPSA2 | Infineon Technologies | IGBT Modules LOW POWER ECONO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L200R12N2H3B47BPSA2 | Infineon Technologies | Description: LOW POWER ECONO AG-ECONO2B-411 Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Level Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-ECONO2B Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11.5 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L200R12N2H3B47BPSA2 | Infineon Technologies | IGBT Modules Medium Power | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L200R12W2H3B11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 600W 14-Pin EASY2B-2 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L200R12W2H3B11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 600W 14-Pin EASY2B-2 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L200R12W2H3B11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 100A 600W MOD Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 100A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 600 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11.5 nF @ 25 V | на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L200R12W2H3B11BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - F3L200R12W2H3B11BPSA1 - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 100 A, 1.55 V, 600 W, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 High-Speed Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V Verlustleistung Pd: 600W euEccn: NLR Verlustleistung: 600W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 100A Produktpalette: EasyPACK 2B Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 100A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L200R12W2H3B11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 600000mW 14-Pin EASY2B-2 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L200R12W2H3BOMA1 | Infineon Technologies | EASY STANDARD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L200R12W2H3PB11BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200 V, 200 A 3-level IGBT module | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L200R12W2H3PB11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: MODULE IGBT 1200V EASY2B-2 Packaging: Tray Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L200R12W2H3PB11BPSA1 | Infineon Technologies | SP001632282 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L200R12W2H3_B11 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200 V, 200 A 3-level IGBT module | на замовлення 33 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L225R07W2H3PB63BPSA1 | Infineon Technologies | Description: MODULE IGBT 700V EASY2B-2 Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Switch Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 85A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-EASY2B Current - Collector (Ic) (Max): 225 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L225R07W2H3PB63BPSA1 | Infineon Technologies | Easy PACK IGBT module | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L225R07W2H3PB63BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules 650 V, 225 A 3-level IGBT module | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L225R12W3H3B11BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules N | на замовлення 52 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L225R12W3H3B11BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - F3L225R12W3H3B11BPSA1 - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 175 A, 2.07 V, 20 mW, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 High-Speed hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.07V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Modul Dauerkollektorstrom: 175A Produktpalette: EasyPack Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L225R12W3H3B11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 225A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 225 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13100 pF @ 25 V | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L225R12W3H3B11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 180A 53-Pin Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L25R12W1T4B27BOMA1 | Infineon Technologies | Easy PACK IGBT module | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L25R12W1T4B27BOMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - F3L25R12W1T4B27BOMA1 - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 45 A, 1.85 V, 215 W, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V Verlustleistung Pd: 215W euEccn: NLR Verlustleistung: 215W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 45A Anzahl der Pins: 19Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Vierfach n-Kanal DC-Kollektorstrom: 45A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L25R12W1T4B27BOMA1 | Infineon Technologies | Description: MODULE IGBT 1200V EASY1B-2 Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 25A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-EASY1B Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 45 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 215 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.45 nF @ 25 V | на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L25R12W1T4B27BOMA1 | Infineon Technologies | Easy PACK IGBT module | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L25R12W1T4B27BOMA1 | Infineon Technologies | Easy PACK IGBT module | на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L25R12W1T4B27BOMA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules EASY STANDARD | на замовлення 443 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L25R12W1T4B27BOMA1 | Infineon Technologies | Easy PACK IGBT module | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L300R07PE4 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 650V; Ic: 300A; AG-ECONO4-1 Electrical mounting: Press-Fit; screw Technology: EconoPACK™ 4 Type of semiconductor module: IGBT Mechanical mounting: screw Collector current: 300A Gate-emitter voltage: ±20V Max. off-state voltage: 650V Pulsed collector current: 600A Power dissipation: 940W Case: AG-ECONO4-1 Semiconductor structure: diode/transistor Topology: NTC thermistor; three-level inverter; single-phase | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L300R07PE4 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 650V; Ic: 300A; AG-ECONO4-1 Electrical mounting: Press-Fit; screw Technology: EconoPACK™ 4 Type of semiconductor module: IGBT Mechanical mounting: screw Collector current: 300A Gate-emitter voltage: ±20V Max. off-state voltage: 650V Pulsed collector current: 600A Power dissipation: 940W Case: AG-ECONO4-1 Semiconductor structure: diode/transistor Topology: NTC thermistor; three-level inverter; single-phase кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 6 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L300R07PE4 | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT Module 300A 650V | на замовлення 29 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L300R07PE4BOSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules MEDIUM POWER ECONO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L300R07PE4BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 650V 300A 940W 21-Pin ECONO4-1 Tray | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L300R07PE4BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 650V 300A 940W 21-Pin ECONO4-1 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L300R07PE4BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 650V 300A 940W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Level Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 300A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 300 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 940 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.5 nF @ 25 V | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L300R07PE4BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 650V 300A 940000mW 21-Pin ECONO4-1 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L300R07PE4PBOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 650V 300A MODULE Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Full Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 280A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 300 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.5 nF @ 25 V | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L300R07PE4PBOSA1 | Infineon Technologies | EconoPACK™4 module with Trench/Fieldstop IGBT 4 and Emitter Controlled 4 diode and Press FIT/NTC | на замовлення 208 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L300R07PE4PBOSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 650 V, 300 A 3-level IGBT module | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L300R07PE4PBOSA1 | Infineon Technologies | Trench/Fieldstop IGBT 4 and Emitter Controlled 4 diode and Press FIT/NTC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L300R12ME4B22BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 450A 1550W MOD Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 450 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1550 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L300R12ME4B22BOSA1 | Infineon Technologies | Trench and Field Stop IGBT Module | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L300R12ME4B23BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 450A 1550W Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 450 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1550 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19 nF @ 25 V | на замовлення 102 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L300R12ME4B23BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 450A 1550W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 450 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1550 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L300R12ME4B23BOSA1 | Infineon Technologies | Econo Dual 3 Modul With Trench/Field Stopp IGBT4 Module | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L300R12ME4_B22 | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT Module 300A 1200V | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L300R12ME4_B22 | Infineon Technologies | Description: F3L300R12 - IGBT MODULE Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-ECONOD-3 IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 450 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1550 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19 nF @ 25 V | на замовлення 206 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L300R12ME4_B23 | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT Module 300A 1200V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L300R12MT4B22BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 450A 1550W MOD Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 450 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1550 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19 nF @ 25 V | на замовлення 753 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L300R12MT4B22BOSA1 | Infineon Technologies | EconoPIM 2 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and NTC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L300R12MT4B22BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 450A 1550W MOD Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 450 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1550 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L300R12MT4B23BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 450A 1550W MOD Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 450 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1550 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19 nF @ 25 V | на замовлення 963 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L300R12MT4B23BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 450A 1550W MOD Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 450 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1550 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L300R12MT4B23BOSA1 | Infineon Technologies | Trench and Field Stop IGBT Module | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L300R12MT4PB22BPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE MED POWER ECONO Packaging: Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L300R12MT4PB22BPSA1 | Infineon Technologies | High Reliability IGBT Modules IC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L300R12MT4PB22BPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE MED POWER ECONO Packaging: Bulk | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L300R12MT4PB23BPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 300A 20MW Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 300 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19 nF @ 25 V | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L300R12MT4PB23BPSA1 | Infineon Technologies | EconoDUAL3 module with Trench/Field stop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and NTC /pre-applied Thermal Interface Material | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L300R12MT4PB23BPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 300A 20MW Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 300 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L300R12MT4_B22 | Infineon Technologies | Description: F3L300R12 - IGBT MODULE Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-ECONOD-3 IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 450 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1550 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19 nF @ 25 V | на замовлення 473 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L300R12MT4_B22 | Infineon Technologies | IGBT Modules MEDIUM POWER ECONO | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L300R12MT4_B23 | Infineon Technologies | Description: F3L300R12 - IGBT MODULE Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-ECONOD-3 IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 450 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1550 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19 nF @ 25 V | на замовлення 721 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L300R12MT4_B23 | Infineon Technologies | IGBT Modules MEDIUM POWER ECONO | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L300R12PT4B26COSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 460A 1650W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 300A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module Current - Collector (Ic) (Max): 460 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1650 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.5 nF @ 25 V | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L300R12PT4B26COSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 460A 1650000mW Automotive 20-Pin ECONO4-1 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L300R12PT4PB26BOSA1 | Infineon Technologies | MEDIUM POWER ECONO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L300R12PT4PB26BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE MED POWER ECONO4-1 Packaging: Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L300R12PT4PB26BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE MED POWER ECONO4-1 Packaging: Bulk | на замовлення 335 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L300R12PT4_B26 | Infineon Technologies | IGBT Modules | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L30R06W1E3_B11 | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT MODULES 600V 30A | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L340R12W3H7H11BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules EasyPACK module with TRENCHSTOPIGBT7 and emitter controlled 7 diode and PressFIT / NTC | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L3MR12W3M1HH11BPSA1 | Infineon Technologies | EasyPACK module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC | на замовлення 19 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L400R07ME4B22BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 650V 450A 1150W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 400A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 450 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 1150 W Input Capacitance (Cies) @ Vce: 26 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L400R07ME4B22BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 650V 450A 1150W Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 400A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 450 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 1150 W Input Capacitance (Cies) @ Vce: 26 nF @ 25 V | на замовлення 290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L400R07ME4B22BOSA1 | Infineon Technologies | Econo Dual 3 Modul With Trench/Field Stopp IGBT4 Module | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L400R07ME4B23BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 650V 450A 1150W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 400A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 450 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 1150 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 26 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L400R07ME4B23BOSA1 | Infineon Technologies | Trench and Field Stop IGBT Module | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L400R07ME4B23BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 650V 450A 1150W Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 400A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 450 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 1150 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 26 nF @ 25 V | на замовлення 358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L400R07ME4_B22 | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT Module 400A 650V | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L400R07ME4_B23 | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT Module 400A 650V | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L400R07W3S5B11BPSA1 | Infineon Technologies | SP003330346 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L400R07W3S5B11BPSA1 | Infineon Technologies | Infineon LOW POWER EASY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L400R07W3S5B11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: LOW POWER EASY AG-EASY3B-1 Packaging: Tray Part Status: Not For New Designs | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L400R07W3S5B59BPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 650V 255A AG-EASY3B Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Level Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.13V @ 15V, 100A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-EASY3B IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 255 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 19 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14.3 nF @ 25 V | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L400R07W3S5B59BPSA1 | Infineon Technologies | SP005556646 | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L400R07W3S5B59BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - F3L400R07W3S5B59BPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack, 200 A, 1.17 V, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench Stop 5 Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.17V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.17V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Dauerkollektorstrom: 200A Produktpalette: EasyPACK Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Sechserpack productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 200A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L400R07W3S5B59BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules 650 V, 400 A 3-level IGBT module | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L400R10N3S7FC1BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - F3L400R10N3S7FC1BPSA1 - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 105 A, 1.38 V, 20 mW, 175 °C, Modul tariffCode: 85412100 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop] hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.38V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Modul Dauerkollektorstrom: 105A Produktpalette: EconoPACK Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 950V IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L400R10N3S7FC1BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules EconoPACK3 module with TRENCHSTOPIGBT7 and emitter controlled 7 diode and NTC | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L400R10N3S7FC1BPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 950V 105A 20MW Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Level Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.57V @ 15V, 70A NTC Thermistor: Yes IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 105 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 950 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13000 pF @ 25 V | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L400R10W3S7B11BPSA1 | Infineon Technologies | 3-Level IGBT Module | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L400R10W3S7B11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE LOW POWER EASY Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 150A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 950 V Current - Collector Cutoff (Max): 70 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 25.2 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L400R10W3S7B11BPSA1 | Infineon Technologies | 3-Level IGBT Module | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L400R10W3S7B11BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - F3L400R10W3S7B11BPSA1 - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 235 A, 1.61 V, 20 mW, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop] hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.61V Dauer-Kollektorstrom: 235A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Module Produktpalette: EasyPACK TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 950V IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L400R10W3S7B11BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules 950 V, 400 A 3-level IGBT module | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L400R10W3S7FB11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 950V 400A 22-Pin AG-EASY3B Tray | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L400R10W3S7FB11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 950V 400A 22-Pin AG-EASY3B Tray | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L400R10W3S7FB11BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - F3L400R10W3S7FB11BPSA1 - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 220 A, 1.4 V, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.4V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 950V Dauerkollektorstrom: 220A Produktpalette: EasyPACK TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 950V IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 220A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L400R10W3S7FB11BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules 950 V, 400 A 3-level IGBT module | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L400R10W3S7FB11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 950V 400A 22-Pin AG-EASY3B Tray | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L400R10W3S7FB11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 950V 400A 22-Pin AG-EASY3B Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L400R10W3S7FB11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE LOW POWER EASY Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Level Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 150A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-EASY3B IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 220 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 950 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 71 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 49.2 nF @ 25 V | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L400R12PT4B26BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 2150000mW Automotive 20-Pin ECONO4-1 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L400R12PT4B26BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 600A 2150W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 400A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 2150 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 25 nF @ 25 V | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L400R12PT4B26BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 2150000mW Automotive 20-Pin ECONO4-1 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L400R12PT4PB26BOSA1 | Infineon Technologies | EconoPACK4 module with active Neutral Point Clamp 2 topology and PressFIT / pre-applied Thermal Interface Material | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L400R12PT4PB26BOSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors LOW POWER ECONO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L400R12PT4PB26BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 800A 20MW Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Full Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 400A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 25 nF @ 25 V | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L400R12PT4PB26BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 800A 20MW Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Full Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 400A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 25 nF @ 25 V | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L400R12PT4_B26 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200 V, 400 A 3-level IGBT module | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L420R12W3H7H21BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules EasyPACK module with active Neutral Point Clamp 2 topology and PressFIT / NTC | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L420R12W3H7H21BPSA1 | Infineon Technologies | Description: F3L420R12W3H7H21BPSA1 Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Level Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 240A NTC Thermistor: Yes Current - Collector (Ic) (Max): 240 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 26 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 330 pF @ 25 V | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L420R12W4H7H11BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules Module with active Advanced Neutral Point Clamp topology and PressFIT / NTC | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L420R12W4H7H11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: F3L420R12W4H7H11BPSA1 Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: Three Level Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.76V @ 15V, 250A NTC Thermistor: Yes Current - Collector (Ic) (Max): 420 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Cutoff (Max): 26 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 47700 pF @ 25 V | на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L500R12N3H7FB66BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules EconoPACK 3 module with TRENCHSTOP IGBT7 and CoolSiC Schottky diode and NTC | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L500R12W3H7H11BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules EASY STANDARD PLUS | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L500R12W3H7H11BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - F3L500R12W3H7H11BPSA1 - IGBT-Modul, 325 A, 1.69 V, 20 mW, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.69V Dauer-Kollektorstrom: 325A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Modul Produktpalette: EasyPACK Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L500R12W3H7H20BPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 315A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Level Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.23V @ 15V, 500A NTC Thermistor: Yes Current - Collector (Ic) (Max): 315 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 29 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 57900 pF @ 25 V | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L500R12W3H7H20BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules EASY STANDARD PLUS | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L500R12W3H7H20BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - F3L500R12W3H7H20BPSA1 - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 315 A, 1.85 V, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: NTC Ultra Fast IGBT hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Dauerkollektorstrom: 315A Produktpalette: EasyPACK Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L50R06W1E3B11BOMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 600V 75A 175000mW 14-Pin EASY1B-2 Tray | на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L50R06W1E3B11BOMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE VCES 600V 50A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L50R06W1E3B11BOMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 600V 75A 175000mW 14-Pin EASY1B-2 Tray | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L50R06W1E3B11BOMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 600V 75A 175000mW 14-Pin EASY1B-2 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L50R06W1E3B11BOMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 600V 75A 175W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L50R06W1E3_B11 | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT MODULES 600V 50A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L600R10N3S7FBPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules EconoPACK3 module with TRENCHSTOPIGBT7 and emitter controlled 7 diode and NTC | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L600R10W3S7B11BPSA1 | Infineon Technologies | LOW POWER EASY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L600R10W4S7FC22BPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 950V 310A AG-EASY4B Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Level Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 400A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-EASY4B IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 310 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 950 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 49.2 nF @ 25 V | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L600R10W4S7FC22BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - F3L600R10W4S7FC22BPSA1 - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 600 A, 1.63 V, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Schraub rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop] hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.63V Dauer-Kollektorstrom: 600A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Module Produktpalette: EasyPACK Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 950V IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L600R10W4S7FC22BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules 950 V, 600 A 3-level IGBT module | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L600R10W4S7FC22BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 950V 320A Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L600R10W4S7FH11BPSA1 | Infineon Technologies | LOW POWER EASY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L600R10W4S7FH11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: LOW POWER EASY Packaging: Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L6MR20W2M1HB70BPSA1 | Infineon Technologies | CoolSiC MOSFET half-bridge module 2000 V | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L6MR20W2M1HB70BPSA1 | Infineon Technologies | Description: F3L6MR20W2M1HB70BPSA1 Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 4 N-Channel Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 2000V (2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 155A (Tj) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24100pF @ 1.2kV Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 100A, 18V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 297nC @ 18V FET Feature: Silicon Carbide (SiC) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 112mA | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L6MR20W2M1HB70BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - F3L6MR20W2M1HB70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Drei-Ebenen-Wechselrichter, n-Kanal, 155 A, 2 kV, 8700 µohm, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 155A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 27Pin(s) Produktpalette: EasyPACK 2B CoolSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8700µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L75R07W2E3B11BOMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 650V 95A 250W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 95 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 250 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.6 nF @ 25 V | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L75R07W2E3B11BOMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - F3L75R07W2E3B11BOMA1 - IGBT-Modul, EasyPACK 2B, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 75 A, 1.45 V, 250 W, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V Verlustleistung Pd: 250W euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Dauerkollektorstrom: 75A Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 75A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L75R07W2E3B11BOMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 650V 95A 250000mW 14-Pin EASY2B-2 Tray | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L75R07W2E3B11BOMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 650V 95A 250W 14-Pin EASY2B-2 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L75R07W2E3_B11 | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT MODULES 650V 75A | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L75R07W2S5PB96BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules EASY STANDARD | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L75R12W1H3B11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L75R12W1H3B11BPSA1 | Infineon Technologies | LOW POWER EASY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L75R12W1H3B11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 45A 275W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Chopper Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module Current - Collector (Ic) (Max): 45 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 275 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.4 nF @ 25 V | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L75R12W1H3B11BPSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 1200 V, 75 A 3-level IGBT module | на замовлення 26 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L75R12W1H3B27BOMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - F3L75R12W1H3B27BOMA1 - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 45 A, 1.45 V, 275 W, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 High-Speed Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V Dauer-Kollektorstrom: 45A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V Verlustleistung Pd: 275W euEccn: NLR Verlustleistung: 275W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Anzahl der Pins: 21Pin(s) Produktpalette: EasyPACK 1B Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Vierfach n-Kanal DC-Kollektorstrom: 45A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L75R12W1H3B27BOMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 45A 275000mW 22-Pin EASY1B-2 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L75R12W1H3B27BOMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 45A 275W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 45 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 275 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.4 nF @ 25 V | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L75R12W1H3B27BOMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 45A 275W 22-Pin EASY1B-2 Tray | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L75R12W1H3B27BOMA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules EASY STANDARD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L75R12W1H3B27BOMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 45A 275W 22-Pin EASY1B-2 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L75R12W1H3BPSA1 | Infineon Technologies | F3L75R12W1H3BPSA1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L75R12W1H3BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L75R12W1H3BPSA1 | Infineon Technologies | SP005728116 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L75R12W1H3BPSA1 | Infineon Technologies | Description: LOW POWER EASY AG-EASY1B-311 Packaging: Tray | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L75R12W1H3PB11BPSA1 | Infineon Technologies | SP005679258 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L75R12W1H3PB11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: LOW POWER EASY AG-EASY1B-311 Packaging: Tray Part Status: Active | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L75R12W1H3PB11BPSA1 | Infineon Technologies | F3L75R12W1H3PB11BPSA1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L75R12W1H3PB11BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L75R12W1H3_B27 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200 V, 75 A 3-level IGBT module | на замовлення 74 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L8MR12W2M1HB11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: LOW POWER EASY Packaging: Tray | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 1200V 85A AG-EASY2B Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tj) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 100A, 18V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 297nC @ 18V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 40mA Supplier Device Package: AG-EASY2B Part Status: Active | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Drei-Ebenen-Wechselrichter, Zweifach n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 8.1 mohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V MOSFET-Modul-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 32Pin(s) Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series productTraceability: No Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 125°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8.1mohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 | Infineon Technologies | MOSFET Modules 3-Level 1200 V CoolSiC MOSFET Easy Module | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 | Infineon Technologies | SP005562921 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| F3L8MXTR12C2M2H11BPSA1 | Infineon Technologies | MOSFET Modules EASY | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L8MXTR12C2M2QH11BPSA1 | Infineon Technologies | MOSFET Modules EASY | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| F3L9MR12W2M1F_B11 | Infineon Technologies | F3L9MR12W2M1F_B11 ***OPN not given yet*** | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |