Продукція > F3L

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

F3L030E07-F-W2

Infineon Technologies

Power Management IC Development Tools Eval Driver Board for 650V Easy2B

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

F3L100R07W2E3B11BOMA1

INFINEON

Description: INFINEON - F3L100R07W2E3B11BOMA1 - IGBT-Modul, EasyPACK 2B, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 100 A, 1.45 V, 300 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 100A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 300W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	3222.05 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L100R07W2E3B11BOMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 650V 117A 300W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 117 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 300 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.2 nF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

F3L100R07W2E3_B11

Infineon Technologies

IGBT Modules IGBT MODULES 650V 100A

на замовлення 7 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	5546.39 грн
10+	4294.11 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L100R07W2H3B11BPSA1

INFINEON

Description: INFINEON - F3L100R07W2H3B11BPSA1 - IGBT-Modul, Viererpack, 100 A, 1.68 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT H3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.68V
Dauer-Kollektorstrom: 100A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.68V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: Produktreihe EasyPACK
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Viererpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 15 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	4357.93 грн
5+	3801.14 грн
10+	3244.36 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L100R07W2H3B11BPSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT MODULE 650V 70A AG-EASY2B
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY2B
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 32 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.2 nF @ 650 V

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	3527.90 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L100R07W2H3B11BPSA1

Infineon Technologies

IGBT Modules EASY STANDARD

на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	5487.44 грн
10+	4902.62 грн
30+	4115.67 грн
60+	3968.88 грн
105+	3822.08 грн
255+	3784.53 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L100R12W2H3B11BPSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 1200V 100A 375W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 375 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.15 nF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

F3L100R12W2H3_B11

Infineon Technologies

IGBT Modules 1200 V, 100 A 3-level IGBT module

на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	4483.79 грн
10+	3410.00 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L11MR12W2M1B65BOMA1

Infineon Technologies

IGBT Modules LOW POWER EASY

на замовлення 13 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

F3L11MR12W2M1B65BOMA1

Infineon Technologies

Description: LOW POWER EASY
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY2BM-2
IGBT Type: Trench
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 40 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.36 nF @ 800 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

F3L11MR12W2M1B74BOMA1

INFINEON

Description: INFINEON - F3L11MR12W2M1B74BOMA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 100 A, 1.5 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Dauer-Kollektorstrom: 100A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EasyPACK CoolSic
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	7478.03 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L11MR12W2M1B74BOMA1

Infineon Technologies

CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC Tray

на замовлення 15 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	18673.12 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L11MR12W2M1B74BOMA1

Infineon Technologies

Description: LOW POWER EASY
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY2B-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 9 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 21.7 nF @ 25 V

на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	10718.11 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L11MR12W2M1B74BOMA1

Infineon Technologies

CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC Tray

на замовлення 15 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	17428.24 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L11MR12W2M1B74BOMA1

Infineon Technologies

MOSFET Modules EASY STANDARD

на замовлення 36 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	10684.94 грн
10+	10029.01 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L11MR12W2M1C01BOMA1

Infineon Technologies

Description: IC SIC MOSFET LOW POWER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

F3L11MR12W2M1HB19BPSA1

Infineon Technologies

Discrete Semiconductor Modules

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

F3L11MR12W2M1HB19BPSA1

Infineon Technologies

Description: LOW POWER EASY
Packaging: Tray
Part Status: Active

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	10277.99 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L11MR12W2M1HB19BPSA1

Infineon Technologies

F3L11MR12W2M1HB19BPSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

F3L11MR12W2M1HPB19BPSA1

Infineon Technologies

Description: LOW POWER EASY
Packaging: Tray

на замовлення 18 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	14131.57 грн
18+	12745.53 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L11MR12W2M1HPB19BPSA1

Infineon Technologies

F3L11MR12W2M1HPB19BPSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

F3L11MR12W2M1HPB19BPSA1

INFINEON

Description: INFINEON - F3L11MR12W2M1HPB19BPSA1 - MOSFET-Transistor, SixPack, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, 18 V, 5.15 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 18 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	16072.82 грн
5+	14570.52 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L11MR12W2M1HPB19BPSA1

Infineon Technologies

MOSFET EASY STANDARD

на замовлення 15 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	16072.82 грн
10+	14838.97 грн
18+	12489.02 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L11MR12W2M1PB65BPSA1

Infineon Technologies

IGBT Modules LOW POWER EASY

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

F3L150R07W2E3B11BOMA1

INFINEON

Description: INFINEON - F3L150R07W2E3B11BOMA1 - IGBT-Modul, EasyPACK, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 150 A, 1.45 V, 335 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 335W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 335W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 150A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 150A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	4615.22 грн
5+	4275.09 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L150R07W2E3B11BOMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 650V 150A 335W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 335 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.3 nF @ 25 V

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	5968.93 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L150R07W2E3_B11

Infineon Technologies

IGBT Modules IGBT MODULES 650V 150A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

F3L150R07W2H3B11BPSA1

INFINEON

Description: INFINEON - F3L150R07W2H3B11BPSA1 - IGBT-Modul, Viererpack, 150 A, 1.68 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT H3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.68V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.68V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 150A
Produktpalette: Produktreihe EasyPACK
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Viererpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 150A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	5148.11 грн
5+	4612.83 грн
10+	4077.55 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L150R07W2H3B11BPSA1

Infineon Technologies

Description: LOW POWER EASY AG-EASY2B-411
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY2B
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 9 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.4 nF @ 650 V

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	6313.81 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L150R07W2H3B11BPSA1

Infineon Technologies

IGBT Modules EASY STANDARD

на замовлення 11 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	7051.87 грн
10+	6444.70 грн
30+	4811.40 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L150R12W2H3B11BPSA1

Infineon Technologies

EasyPACK module with active"NeutralPointClamp2" topology and PressFIT/NTC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

F3L150R12W2H3B11BPSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 1200V 75A 500W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.7 nF @ 25 V

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	6714.76 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L150R12W2H3B11BPSA1

INFINEON

Description: INFINEON - F3L150R12W2H3B11BPSA1 - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 75 A, 1.55 V, 500 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 High-Speed
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V
Verlustleistung Pd: 500W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 75A
Produktpalette: EasyPACK
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 75A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	4670.98 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L150R12W2H3BOMA1

Infineon Technologies

Description: F3L150R12W2H3B - IGBT

на замовлення 1080 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	3915.79 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

F3L150R12W2H3_B11

Infineon Technologies

IGBT Modules LOW POWER EASY

на замовлення 11 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

F3L15MR12W2M1B69BOMA1

Infineon Technologies

1200 V Trench MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

F3L15MR12W2M1B69BOMA1

Infineon Technologies

Description: LOW POWER EASY
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY2BM-2
IGBT Type: Trench
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.52 nF @ 800 V

на замовлення 51 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	10417.28 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

F3L15MR12W2M1B69BOMA1

Infineon Technologies

1200 V Trench MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

F3L15MR12W2M1B69BOMA1

Infineon Technologies

Discrete Semiconductor Modules LOW POWER EASY

на замовлення 37 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

F3L15MR12W2M1B69BOMA1

Infineon Technologies

Description: LOW POWER EASY
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY2BM-2
IGBT Type: Trench
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.52 nF @ 800 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

F3L15R12W2H3B27BOMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 1200V 20A 145W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 3 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 145 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 875 pF @ 25 V

на замовлення 629 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	3719.67 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

F3L15R12W2H3B27BOMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 1200V 20A 145W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 3 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 145 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 875 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

F3L15R12W2H3_B27

Infineon Technologies

IGBT Modules LOW POWER EASY

на замовлення 70 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

F3L200R07PE4

Infineon Technologies

Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONO4-1-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 680 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12.5 nF @ 25 V

на замовлення 3432 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	12599.97 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

F3L200R07PE4

Infineon Technologies

IGBT Modules IGBT Module 200A 650V

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

F3L200R07PE4BOSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 650V 200A 680W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 680 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12.5 nF @ 25 V

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	9562.12 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L200R07PE4BOSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 650V 200A 680W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 680 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12.5 nF @ 25 V

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	9135.05 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L200R07W2S5B11BOMA1

Infineon Technologies

Description: LOW POWER EASY AG-EASY2B-2
Packaging: Tray

на замовлення 15 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	5243.07 грн
15+	4575.80 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L200R07W2S5B11BOMA1

Infineon Technologies

Description: LOW POWER EASY AG-EASY2B-2
Packaging: Bulk

на замовлення 150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	4624.14 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

F3L200R07W2S5B11BOMA1

Infineon Technologies

IGBT Modules LOW POWER EASY

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

F3L200R07W2S5FB11BOMA1

Infineon Technologies

IGBT Modules LOW POWER EASY

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	7611.85 грн
10+	7017.09 грн
30+	6101.13 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L200R07W2S5FB11BOMA1

INFINEON

Description: INFINEON - F3L200R07W2S5FB11BOMA1 - IGBT-Modul, Viererpack, 100 A, 1.17 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench Stop 5 /CoolSiC-Schottky-Diode
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.17V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.17V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 100A
Produktpalette: EasyPACK TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Viererpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	6980.18 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L200R07W2S5FB11BOMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT MODULE 650V 95A AG-EASY2B
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.38V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY2B
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 95 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14.3 nF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

F3L200R07W2S5FB56BPSA1

Infineon Technologies

Description: LOW POWER EASY
Packaging: Tray

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

F3L200R07W2S5FB56BPSA1

Infineon Technologies

IGBT Modules EASY STANDARD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

F3L200R07W2S5FPB55BPSA1

Infineon Technologies

IGBT Modules LOW POWER EASY

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

F3L200R07W2S5FPB56BPSA1

Infineon Technologies

Description: LOW POWER EASY AG-EASY2B-2
Packaging: Tray

на замовлення 12 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	6064.94 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L200R07W2S5FPB56BPSA1

Infineon Technologies

IGBT Modules 650 V, 200 A 3-level IGBT module

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

F3L200R07W2S5PB95BPSA1

Infineon Technologies

Description: F3L200R07W2S5PB95BPSA1
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.67V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Cutoff (Max): 45 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14300 pF @ 25 V

на замовлення 15 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	7731.73 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L200R07W2S5PB95BPSA1

Infineon Technologies

IGBT Modules EASY STANDARD

на замовлення 18 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	5815.62 грн
10+	4789.55 грн
108+	3734.69 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L200R12N2H3B47BPSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 1200V 200A 20MW ECONO
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONO2-8
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

F3L200R12N2H3B47BPSA1

Infineon Technologies

IGBT Modules LOW POWER ECONO

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

F3L200R12N2H3B47BPSA2

Infineon Technologies

Description: LOW POWER ECONO AG-ECONO2B-411
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONO2B
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11.5 nF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

F3L200R12N2H3B47BPSA2

Infineon Technologies

IGBT Modules LOW POWER ECONO

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

F3L200R12W2H3B11BPSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 1200V 100A 600W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 600 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11.5 nF @ 25 V

на замовлення 26 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	4370.51 грн
15+	3204.73 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L200R12W2H3B11BPSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 600W 14-Pin EASY2B-2 Tray

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

F3L200R12W2H3B11BPSA1

INFINEON

Description: INFINEON - F3L200R12W2H3B11BPSA1 - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 100 A, 1.55 V, 600 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 High-Speed
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V
Verlustleistung Pd: 600W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 100A
Produktpalette: EasyPACK 2B
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	5146.52 грн
5+	4889.23 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L200R12W2H3B11BPSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 600W 14-Pin EASY2B-2 Tray

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

F3L200R12W2H3BOMA1

Infineon Technologies

EASY STANDARD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

F3L200R12W2H3PB11BPSA1

Infineon Technologies

Description: MODULE IGBT 1200V EASY2B-2
Packaging: Tray
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

F3L200R12W2H3PB11BPSA1

Infineon Technologies

IGBT Modules 1200 V, 200 A 3-level IGBT module

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

F3L200R12W2H3_B11

Infineon Technologies

IGBT Modules 1200 V, 200 A 3-level IGBT module

на замовлення 33 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	4596.10 грн
10+	3938.42 грн
105+	3120.21 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L225R07W2H3PB63BPSA1

Infineon Technologies

IGBT Modules 650 V, 225 A 3-level IGBT module

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

F3L225R07W2H3PB63BPSA1

Infineon Technologies

Description: MODULE IGBT 700V EASY2B-2
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 85A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY2B
Current - Collector (Ic) (Max): 225 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V

на замовлення 18 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	3731.45 грн
18+	3381.38 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L225R12W3H3B11BPSA1

INFINEON

Description: INFINEON - F3L225R12W3H3B11BPSA1 - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 175 A, 2.07 V, 20 mW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 High-Speed
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.07V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 175A
Produktpalette: EasyPack Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	11214.65 грн
5+	10353.58 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L225R12W3H3B11BPSA1

Infineon Technologies

IGBT Modules N

на замовлення 52 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	9964.07 грн
8+	9674.89 грн
56+	8294.83 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L225R12W3H3B11BPSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 225 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13100 pF @ 25 V

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	9942.33 грн
16+	8967.16 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L25R12W1T4B27BOMA1

Infineon Technologies

Easy PACK IGBT module

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

F3L25R12W1T4B27BOMA1

Infineon Technologies

IGBT Modules EASY STANDARD

на замовлення 443 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2895.47 грн
10+	2690.00 грн
24+	2249.69 грн
48+	1974.54 грн
120+	1934.94 грн
264+	1904.21 грн
1008+	1865.98 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L25R12W1T4B27BOMA1

Infineon Technologies

Description: MODULE IGBT 1200V EASY1B-2
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY1B
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 215 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.45 nF @ 25 V

на замовлення 39 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	3087.01 грн
24+	2036.24 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L25R12W1T4B27BOMA1

Infineon Technologies

Easy PACK IGBT module

на замовлення 17 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	2684.31 грн
10+	2602.40 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

F3L25R12W1T4B27BOMA1

INFINEON

Description: INFINEON - F3L25R12W1T4B27BOMA1 - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 45 A, 1.85 V, 215 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 215W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 215W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 45A
Anzahl der Pins: 19Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Vierfach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 45A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2736.95 грн
5+	2651.72 грн
10+	2565.69 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L25R12W1T4B27BOMA1

Infineon Technologies

Easy PACK IGBT module

на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	2664.82 грн
10+	2380.22 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

F3L300R07PE4

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 650V; Ic: 300A; AG-ECONO4-1
Electrical mounting: Press-Fit; screw
Technology: EconoPACK™ 4
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Collector current: 300A
Gate-emitter voltage: ±20V
Max. off-state voltage: 650V
Pulsed collector current: 600A
Power dissipation: 940W
Case: AG-ECONO4-1
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: NTC thermistor; three-level inverter; single-phase

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	18081.72 грн
3+	14793.10 грн
6+	12426.21 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L300R07PE4

Infineon Technologies

IGBT Modules IGBT Module 300A 650V

на замовлення 29 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	14245.53 грн
12+	14041.24 грн
30+	9064.99 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L300R07PE4

INFINEON TECHNOLOGIES

на замовлення 6 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	21698.07 грн
3+	18434.48 грн
6+	14911.45 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L300R07PE4BOSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 650V 300A 940W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 300A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 940 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.5 nF @ 25 V

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	17296.15 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L300R07PE4BOSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Module N-CH 650V 300A 940W 21-Pin ECONO4-1 Tray

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	28038.78 грн
5+	27818.87 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L300R07PE4BOSA1

Infineon Technologies

IGBT Modules MEDIUM POWER ECONO

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

F3L300R07PE4BOSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Module N-CH 650V 300A 940W 21-Pin ECONO4-1 Tray

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

F3L300R07PE4PBOSA1

Infineon Technologies

IGBTs 650 V, 300 A 3-level IGBT module

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

F3L300R07PE4PBOSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT MODULE 650V 300A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 280A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.5 nF @ 25 V

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	9511.42 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L300R07PE4PBOSA1

Infineon Technologies

Trench/Fieldstop IGBT 4 and Emitter Controlled 4 diode and Press FIT/NTC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

F3L300R12ME4B22BOSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 1200V 450A 1550W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 450 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1550 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19 nF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

F3L300R12ME4B23BOSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 1200V 450A 1550W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 450 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1550 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19 nF @ 25 V

на замовлення 102 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	20364.73 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L300R12ME4B23BOSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 1200V 450A 1550W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 450 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1550 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19 nF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

F3L300R12ME4_B22

Infineon Technologies

Description: F3L300R12 - IGBT MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONOD-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 450 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1550 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19 nF @ 25 V

на замовлення 206 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	24676.09 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L300R12ME4_B22

Infineon Technologies

IGBT Modules IGBT Module 300A 1200V

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	18773.93 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L300R12ME4_B23

Infineon Technologies

IGBT Modules IGBT Module 300A 1200V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

F3L300R12MT4B22BOSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 1200V 450A 1550W MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 450 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1550 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19 nF @ 25 V

на замовлення 753 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	18505.92 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L300R12MT4B22BOSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 1200V 450A 1550W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 450 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1550 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19 nF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

F3L300R12MT4B23BOSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 1200V 450A 1550W MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 450 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1550 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19 nF @ 25 V

на замовлення 963 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	18505.92 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L300R12MT4B23BOSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 1200V 450A 1550W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 450 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1550 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19 nF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

F3L300R12MT4PB22BPSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT MODULE MED POWER ECONO
Packaging: Bulk

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	17451.69 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

F3L300R12MT4PB22BPSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT MODULE MED POWER ECONO
Packaging: Tray

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

F3L300R12MT4PB23BPSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 1200V 300A 20MW
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19 nF @ 25 V

на замовлення 15 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	17451.69 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

F3L300R12MT4PB23BPSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 1200V 300A 20MW
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19 nF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

F3L300R12MT4_B22

Infineon Technologies

на замовлення 473 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	18918.77 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

F3L300R12MT4_B22

Infineon Technologies

IGBT Modules MEDIUM POWER ECONO

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	21306.17 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L300R12MT4_B23

Infineon Technologies

на замовлення 721 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	18918.77 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

F3L300R12MT4_B23

Infineon Technologies

IGBT Modules MEDIUM POWER ECONO

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	21306.17 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L300R12PT4B26COSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 1200V 460A 1650W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 300A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 460 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1650 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.5 nF @ 25 V

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	23161.39 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L300R12PT4PB26BOSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT MODULE MED POWER ECONO4-1
Packaging: Bulk

на замовлення 335 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	10763.43 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

F3L300R12PT4PB26BOSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT MODULE MED POWER ECONO4-1
Packaging: Tray

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

F3L300R12PT4_B26

Infineon Technologies

IGBT Modules

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

F3L30R06W1E3_B11

Infineon Technologies

IGBT Modules IGBT MODULES 600V 30A

на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

F3L340R12W3H7H11BPSA1

Infineon Technologies

IGBT Modules EasyPACK module with TRENCHSTOPIGBT7 and emitter controlled 7 diode and PressFIT / NTC

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	9790.42 грн
8+	8148.52 грн
104+	6417.93 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L3MR12W3M1HH11BPSA1

Infineon Technologies

EasyPACK module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC

на замовлення 19 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	21121.37 грн
8+	20752.11 грн
24+	17987.28 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L400R07ME4B22BOSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 650V 450A 1150W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 450 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 1150 W
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 26 nF @ 25 V

на замовлення 290 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	18712.15 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

F3L400R07ME4B22BOSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 650V 450A 1150W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 450 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 1150 W
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 26 nF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

F3L400R07ME4B23BOSA1

Infineon Technologies

на замовлення 358 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	19291.69 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

F3L400R07ME4B23BOSA1

Infineon Technologies

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

F3L400R07ME4_B22

Infineon Technologies

IGBT Modules IGBT Module 400A 650V

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	18336.62 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L400R07ME4_B23

Infineon Technologies

IGBT Modules IGBT Module 400A 650V

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

F3L400R07W3S5B11BPSA1

Infineon Technologies

Infineon LOW POWER EASY

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

F3L400R07W3S5B11BPSA1

Infineon Technologies

Description: LOW POWER EASY AG-EASY3B-1
Packaging: Tray
Part Status: Not For New Designs

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	13486.36 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L400R07W3S5B59BPSA1

Infineon Technologies

IGBT Modules 650 V, 400 A 3-level IGBT module

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	8106.51 грн
8+	6963.69 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L400R07W3S5B59BPSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT MODULE 650V 255A AG-EASY3B
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.13V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY3B
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 255 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 19 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14.3 nF @ 25 V

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	6506.60 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L400R07W3S5B59BPSA1

INFINEON

Description: INFINEON - F3L400R07W3S5B59BPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack, 200 A, 1.17 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench Stop 5
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.17V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.17V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 200A
Produktpalette: EasyPACK Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Sechserpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 200A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	6908.49 грн
5+	6348.52 грн
10+	5788.54 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L400R10N3S7FC1BPSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT MODULE 950V 105A 20MW
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.57V @ 15V, 70A
NTC Thermistor: Yes
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 105 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 950 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13000 pF @ 25 V

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	13419.54 грн
10+	12121.99 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L400R10N3S7FC1BPSA1

INFINEON

Description: INFINEON - F3L400R10N3S7FC1BPSA1 - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 105 A, 1.38 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.38V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 105A
Produktpalette: EconoPACK Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 950V
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	20453.06 грн
5+	20043.63 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L400R10N3S7FC1BPSA1

Infineon Technologies

IGBT Modules EconoPACK3 module with TRENCHSTOPIGBT7 and emitter controlled 7 diode and NTC

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	18447.34 грн
10+	15497.73 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L400R10W3S7B11BPSA1

Infineon Technologies

IGBT Modules 950 V, 400 A 3-level IGBT module

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	17865.06 грн
8+	16933.03 грн
24+	14723.69 грн
56+	14722.32 грн
104+	14643.12 грн
256+	14641.76 грн
504+	14639.71 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L400R10W3S7B11BPSA1

Infineon Technologies

3-Level IGBT Module

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

F3L400R10W3S7B11BPSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT MODULE LOW POWER EASY
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 950 V
Current - Collector Cutoff (Max): 70 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 25.2 nF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

F3L400R10W3S7B11BPSA1

INFINEON

Description: INFINEON - F3L400R10W3S7B11BPSA1 - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 235 A, 1.61 V, 20 mW, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.61V
Dauer-Kollektorstrom: 235A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Module
Produktpalette: EasyPACK TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 950V
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	15752.61 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L400R10W3S7FB11BPSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Module N-CH 950V 400A 22-Pin AG-EASY3B Tray

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	21572.63 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L400R10W3S7FB11BPSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT MODULE LOW POWER EASY
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY3B
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 220 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 950 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 71 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 49.2 nF @ 25 V

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	13932.63 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L400R10W3S7FB11BPSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Module N-CH 950V 400A 22-Pin AG-EASY3B Tray

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	20134.45 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L400R10W3S7FB11BPSA1

INFINEON

Description: INFINEON - F3L400R10W3S7FB11BPSA1 - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 220 A, 1.4 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.4V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 950V
Dauerkollektorstrom: 220A
Produktpalette: EasyPACK TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 950V
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 220A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	15962.90 грн
5+	13621.83 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L400R10W3S7FB11BPSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Module N-CH 950V 400A 22-Pin AG-EASY3B Tray

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	23608.20 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L400R10W3S7FB11BPSA1

Infineon Technologies

IGBT Modules 950 V, 400 A 3-level IGBT module

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	14666.11 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L400R12PT4B26BOSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 1200V 600A 2150W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 2150 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 25 nF @ 25 V

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	23139.89 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L400R12PT4B26BOSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 2150000mW Automotive 20-Pin ECONO4-1 Tray

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

F3L400R12PT4PB26BOSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 1200V 800A 20MW
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 25 nF @ 25 V

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	23612.27 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L400R12PT4PB26BOSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors LOW POWER ECONO

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

F3L400R12PT4PB26BOSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 1200V 800A 20MW
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 25 nF @ 25 V

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	23444.05 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L400R12PT4_B26

Infineon Technologies

IGBT Modules 1200 V, 400 A 3-level IGBT module

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	17563.97 грн
12+	11731.26 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L420R12W3H7H21BPSA1

Infineon Technologies

Description: F3L420R12W3H7H21BPSA1
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 240A
NTC Thermistor: Yes
Current - Collector (Ic) (Max): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 26 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 330 pF @ 25 V

на замовлення 7 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	5487.33 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L420R12W3H7H21BPSA1

Infineon Technologies

IGBT Modules EasyPACK module with active Neutral Point Clamp 2 topology and PressFIT / NTC

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	5815.62 грн
8+	4788.77 грн
104+	3734.69 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L420R12W3H7H21BPSA1

INFINEON

Description: INFINEON - F3L420R12W3H7H21BPSA1 - IGBT-Modul, 240 A, 1.47 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85359000
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.47V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 240A
Produktpalette: EasyPACK Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	6447.29 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L420R12W4H7H11BPSA1

Infineon Technologies

Description: F3L420R12W4H7H11BPSA1
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.76V @ 15V, 250A
NTC Thermistor: Yes
Current - Collector (Ic) (Max): 420 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Cutoff (Max): 26 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 47700 pF @ 25 V

на замовлення 17 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	11593.75 грн
6+	10355.91 грн
12+	10088.28 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L420R12W4H7H11BPSA1

Infineon Technologies

IGBT Modules Module with active Advanced Neutral Point Clamp topology and PressFIT / NTC

на замовлення 18 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	12453.29 грн
12+	10460.85 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L500R12N3H7FB66BPSA1

Infineon Technologies

IGBT Modules EconoPACK 3 module with TRENCHSTOP IGBT7 and CoolSiC Schottky diode and NTC

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	18588.33 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L500R12W3H7H11BPSA1

INFINEON

Description: INFINEON - F3L500R12W3H7H11BPSA1 - IGBT-Modul, 325 A, 1.69 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.69V
Dauer-Kollektorstrom: 325A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: EasyPACK Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	11362.01 грн
5+	10668.22 грн
10+	9943.36 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L500R12W3H7H11BPSA1

Infineon Technologies

IGBT Modules EASY STANDARD PLUS

на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	9308.50 грн
8+	8249.81 грн
104+	6383.79 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L500R12W3H7H20BPSA1

INFINEON

Description: INFINEON - F3L500R12W3H7H20BPSA1 - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 315 A, 1.85 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: NTC Ultra Fast IGBT
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 315A
Produktpalette: EasyPACK Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 12 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	12184.85 грн
5+	11248.90 грн
10+	10312.16 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L500R12W3H7H20BPSA1

Infineon Technologies

IGBT Modules EASY STANDARD PLUS

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	10015.04 грн
8+	9137.84 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L500R12W3H7H20BPSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 1200V 315A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.23V @ 15V, 500A
NTC Thermistor: Yes
Current - Collector (Ic) (Max): 315 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 29 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 57900 pF @ 25 V

на замовлення 13 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	6566.52 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L50R06W1E3B11BOMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Module N-CH 600V 75A 175000mW 14-Pin EASY1B-2 Tray

на замовлення 21 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	3461.30 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L50R06W1E3B11BOMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT MODULE VCES 600V 50A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

F3L50R06W1E3B11BOMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Module N-CH 600V 75A 175000mW 14-Pin EASY1B-2 Tray

на замовлення 12 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	3815.20 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L50R06W1E3B11BOMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT MODULE 600V 75A 175W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

F3L50R06W1E3_B11

Infineon Technologies

IGBT Modules IGBT MODULES 600V 50A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

F3L600R10N3S7FBPSA1

Infineon Technologies

IGBT Modules EconoPACK3 module with TRENCHSTOPIGBT7 and emitter controlled 7 diode and NTC

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	19984.69 грн
10+	16788.56 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L600R10W4S7FC22BPSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT MODULE 950V 310A AG-EASY4B
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY4B
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 310 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 950 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 49.2 nF @ 25 V

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	14590.12 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L600R10W4S7FC22BPSA1

INFINEON

Description: INFINEON - F3L600R10W4S7FC22BPSA1 - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 600 A, 1.63 V, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Schraub
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.63V
Dauer-Kollektorstrom: 600A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Produktpalette: EasyPACK Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 950V
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	22636.41 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L600R10W4S7FC22BPSA1

Infineon Technologies

IGBT Modules 950 V, 600 A 3-level IGBT module

на замовлення 11 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	16513.31 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L600R10W4S7FH11BPSA1

Infineon Technologies

Description: LOW POWER EASY
Packaging: Tray

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

F3L6MR20W2M1HB70BPSA1

INFINEON

Description: INFINEON - F3L6MR20W2M1HB70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Drei-Ebenen-Wechselrichter, n-Kanal, 155 A, 2 kV, 8700 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 155A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 27Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK 2B CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	22869.80 грн
5+	22412.58 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L6MR20W2M1HB70BPSA1

Infineon Technologies

CoolSiC MOSFET half-bridge module 2000 V

на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	21964.12 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L6MR20W2M1HB70BPSA1

Infineon Technologies

Description: F3L6MR20W2M1HB70BPSA1
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 2000V (2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 155A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24100pF @ 1.2kV
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 100A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 297nC @ 18V
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 112mA

на замовлення 15 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	20044.43 грн
15+	18968.26 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L75R07W2E3B11BOMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT MODULE 650V 95A 250W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 95 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 250 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.6 nF @ 25 V

на замовлення 12 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	3379.66 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L75R07W2E3B11BOMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Module N-CH 650V 95A 250000mW 14-Pin EASY2B-2 Tray

на замовлення 15 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	4312.31 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L75R07W2E3B11BOMA1

INFINEON

Description: INFINEON - F3L75R07W2E3B11BOMA1 - IGBT-Modul, EasyPACK 2B, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 75 A, 1.45 V, 250 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 250W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 75A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 75A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 15 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2710.67 грн
5+	2366.56 грн
10+	2021.65 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L75R07W2E3_B11

Infineon Technologies

IGBT Modules IGBT MODULES 650V 75A

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	3521.56 грн
10+	2609.91 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L75R07W2S5PB96BPSA1

Infineon Technologies

IGBT Modules EASY STANDARD

на замовлення 18 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	5735.97 грн
10+	4703.18 грн
108+	3657.54 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L75R12W1H3

Infineon Technologies

EASY

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

F3L75R12W1H3B11BPSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Module

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

F3L75R12W1H3B11BPSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Module

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

F3L75R12W1H3B11BPSA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Module

на замовлення 4671 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	2744.59 грн
100+	2607.68 грн
500+	2469.70 грн
1000+	2249.48 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

F3L75R12W1H3B11BPSA1

Infineon Technologies

IGBTs 1200 V, 75 A 3-level IGBT module

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2503.56 грн
10+	1867.14 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L75R12W1H3B11BPSA1

Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 1200V 45A 275W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Chopper
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 275 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.4 nF @ 25 V

на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2404.16 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L75R12W1H3B27BOMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Module N-CH 1200V 45A 275W 22-Pin EASY1B-2 Tray

на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	4396.10 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

F3L75R12W1H3B27BOMA1

Infineon Technologies

IGBT Modules EASY STANDARD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

F3L75R12W1H3B27BOMA1

INFINEON

Description: INFINEON - F3L75R12W1H3B27BOMA1 - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 45 A, 1.45 V, 275 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 High-Speed
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 45A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 275W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 275W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 21Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK 1B
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Vierfach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 45A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 15 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2513.12 грн
5+	2380.89 грн
10+	2247.87 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L75R12W1H3B27BOMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 1200V 45A 275W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 275 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.4 nF @ 25 V

на замовлення 12 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2002.45 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L75R12W1H3BPSA1

Infineon Technologies

IGBT Modules EASY

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

F3L75R12W1H3BPSA1

Infineon Technologies

Description: LOW POWER EASY AG-EASY1B-311
Packaging: Tray

на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2404.16 грн
24+	1567.27 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L75R12W1H3BPSA1

Infineon Technologies

F3L75R12W1H3BPSA1

на замовлення 264 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	2744.59 грн
100+	2607.68 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

F3L75R12W1H3BPSA1

Infineon Technologies

F3L75R12W1H3BPSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

F3L75R12W1H3PB11BPSA1

Infineon Technologies

F3L75R12W1H3PB11BPSA1

на замовлення 56 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	3390.31 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

F3L75R12W1H3PB11BPSA1

Infineon Technologies

IGBT Modules 1200 V, 75 A 3-level IGBT module

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

F3L75R12W1H3PB11BPSA1

Infineon Technologies

Description: LOW POWER EASY AG-EASY1B-311
Packaging: Tray
Part Status: Active

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	3709.94 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L75R12W1H3PB11BPSA1

Infineon Technologies

F3L75R12W1H3PB11BPSA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

F3L75R12W1H3_B27

Infineon Technologies

IGBT Modules 1200 V, 75 A 3-level IGBT module

на замовлення 36 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2086.17 грн
10+	1485.55 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L75R12W1H3_B27
Код товару: 218584

Додати до обраних Обраний товар

Модульні елементи > Конструктори, модулі для збирання електронних пристроїв

товару немає в наявності

очікується 12 шт:

12 шт - очікується

В кошику од. на суму грн.

F3L8MR12W2M1HB11BPSA1

Infineon Technologies

Description: LOW POWER EASY
Packaging: Tray

на замовлення 15 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	16660.93 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1

INFINEON

Description: INFINEON - F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Drei-Ebenen-Wechselrichter, Zweifach n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 8.1 mohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8.1mohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	8832.17 грн
5+	8229.18 грн
10+	7626.19 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1

Infineon Technologies

MOSFET Modules 3-Level 1200 V CoolSiC MOSFET Easy Module

на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	7853.20 грн
10+	6950.35 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 1200V 85A AG-EASY2B
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 100A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 297nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 40mA
Supplier Device Package: AG-EASY2B
Part Status: Active

на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	10272.62 грн
18+	8715.85 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L8MXTR12C2M2H11BPSA1

Infineon Technologies

MOSFET Modules EASY

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	14973.58 грн
10+	12579.25 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L8MXTR12C2M2H11BPSA1

Infineon Technologies

Description: F3L8MXTR12C2M2H11BPSA1
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 20mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7210pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 75A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 237nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 33mA

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

F3L8MXTR12C2M2QH11BPSA1

Infineon Technologies

MOSFET Modules EASY

на замовлення 18 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	15773.32 грн
10+	13251.35 грн

В кошику од. на суму грн.

F3L8MXTR12C2M2QH11BPSA1

Infineon Technologies

Description: F3L8MXTR12C2M2QH11BPSA1
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7210pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 75A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 237nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 33mA

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.