Продукція > IMD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IMD-30-GSamtecIMD-30-G
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD-B101-01Murata ElectronicsIndustrial Motion & Position Sensors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD-IM400-1700APC by Schneider ElectricSchneider Electric
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD1ROHMSOT163
на замовлення 17044 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD10/D10ROHM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD10060Red Lion ControlsDescription: VOLTMETER 300VDC LED PANEL MOUNT
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD1008DremelDescription: 1/2" IMPACT DRILL BIT
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD10160Red Lion ControlsDescription: VOLTMETER 300VDC LED PANEL MOUNT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD10162Red Lion ControlsDescription: VOLTMETER 300VDC LED PANEL MOUNT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD10AON SemiconductorON Semiconductor SURF MT BIASED RES XSTR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD10A T108ROHMSOT163-D10
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD10A T108 SOT163-D10ROHM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD10A T108 SOT163-D10ROHM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD10AMT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 500mA 285mW 6-Pin SC-74R T/R
на замовлення 5959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+18.14 грн
52+13.84 грн
53+13.40 грн
100+7.56 грн
250+6.93 грн
1000+6.43 грн
3000+6.21 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
IMD10AMT1GonsemiDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS SC74R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 285mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V
Resistor - Base (R1): 13kOhms, 130Ohms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-74R
Part Status: Active
на замовлення 31956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.10 грн
13+26.19 грн
100+16.69 грн
500+11.80 грн
1000+10.55 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IMD10AMT1GONSEMIDescription: ONSEMI - IMD10AMT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 500 mA, 130 ohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 130ohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 285mW
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD10AMT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 500mA 285mW 6-Pin SC-74R T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD10AMT1GonsemiDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS SC74R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 285mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V
Resistor - Base (R1): 13kOhms, 130Ohms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-74R
Part Status: Active
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.92 грн
6000+8.70 грн
9000+8.27 грн
15000+7.30 грн
21000+7.03 грн
30000+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IMD10AMT1GONSEMIDescription: ONSEMI - IMD10AMT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 500 mA, 130 ohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 130ohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 285mW
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+30.82 грн
38+22.86 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
IMD10AMT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 500mA 285mW 6-Pin SC-74R T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+7.42 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
IMD10AMT1GonsemiDigital Transistors SURF MT BIASED RES XSTR
на замовлення 303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+37.69 грн
16+22.92 грн
100+9.96 грн
1000+8.76 грн
3000+7.47 грн
9000+7.25 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMD10AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms, 100Ohms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SMT6
Part Status: Active
на замовлення 7558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.46 грн
13+25.40 грн
100+16.23 грн
500+11.51 грн
1000+10.31 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IMD10AT108ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN/PNP 50V 500MA SOT-457
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+36.90 грн
13+27.87 грн
100+14.42 грн
1000+9.81 грн
3000+8.00 грн
9000+7.40 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMD10AT108Rohm SemiconductorIMD10AT108
на замовлення 2993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+31.73 грн
29+24.81 грн
30+24.38 грн
50+23.23 грн
100+12.75 грн
250+11.67 грн
500+11.56 грн
1000+11.19 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
IMD10AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms, 100Ohms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SMT6
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IMD10\D10ROHMSOT-163
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD111T6F040XUMA1Infineon TechnologiesMotor/Motion/Ignition Controllers & Drivers IMOTION
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+477.35 грн
10+333.36 грн
100+263.46 грн
250+251.38 грн
500+237.79 грн
1500+226.47 грн
3000+221.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMD111T6F040XUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMD111T6F040XUMA1 - Motortreiber, PMSM, 1 Ausgang, 3V bis 5.5V Versorgungsspannung, LQFP-40, -40°C bis 105°C
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Motorsteuerung
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Motortyp: PMSM-Motor, bürstenloser Drei-Phasen-DC-Motor
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: LQFP
usEccn: 3A991.a.2
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+254.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IMD111T6F040XUMA1Infineon TechnologiesMotor Controller with Integrated High-voltage Gate Driver
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD111T6F040XUMA1Infineon TechnologiesDescription: IMOTION
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 40-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Function: Controller - Speed
Interface: Serial, UART
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 5.5V ~ 20V
Applications: General Purpose
Technology: IGBT
Supplier Device Package: PG-LQFP-40-1
Motor Type - Stepper: Multiphase
Motor Type - AC, DC: AC, Synchronous
на замовлення 1467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+444.23 грн
10+327.75 грн
25+302.65 грн
100+258.10 грн
250+245.76 грн
500+238.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMD111T6F040XUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMD111T6F040XUMA1 - Motortreiber, PMSM, 1 Ausgang, 3V bis 5.5V Versorgungsspannung, LQFP-40, -40°C bis 105°C
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Motorsteuerung
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Motortyp: PMSM-Motor, bürstenloser Drei-Phasen-DC-Motor
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: LQFP
usEccn: 3A991.a.2
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+461.53 грн
10+326.88 грн
25+316.72 грн
50+284.66 грн
100+254.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMD111T6F040XUMA1Infineon TechnologiesDescription: IMOTION
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 40-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Function: Controller - Speed
Interface: Serial, UART
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 5.5V ~ 20V
Applications: General Purpose
Technology: IGBT
Supplier Device Package: PG-LQFP-40-1
Motor Type - Stepper: Multiphase
Motor Type - AC, DC: AC, Synchronous
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD112T6F040XUMA1Infineon TechnologiesSP003030104
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD112T6F040XUMA1Infineon TechnologiesDescription: IMOTION
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 40-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Function: Controller - Speed
Interface: Serial, UART
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 5.5V ~ 20V
Applications: General Purpose
Technology: IGBT
Supplier Device Package: PG-LQFP-40-1
Motor Type - Stepper: Multiphase
Motor Type - AC, DC: AC, Synchronous
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD112T6F040XUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMD112T6F040XUMA1 - Motortreiber, PMSM, 1 Ausgang, 3V bis 5.5V Versorgungsspannung, LQFP-40, -40°C bis 105°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Motortyp: PMSM
usEccn: 3A991.a.2
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: LQFP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Produktpalette: iMOTION
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+533.51 грн
25+509.80 грн
100+350.71 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMD112T6F040XUMA1Infineon TechnologiesMotor/Motion/Ignition Controllers & Drivers IMOTION
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD112T6F040XUMA1Infineon TechnologiesDescription: IMOTION
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 40-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Function: Controller - Speed
Interface: Serial, UART
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 5.5V ~ 20V
Applications: General Purpose
Technology: IGBT
Supplier Device Package: PG-LQFP-40-1
Motor Type - Stepper: Multiphase
Motor Type - AC, DC: AC, Synchronous
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD112T6F040XUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMD112T6F040XUMA1 - Motortreiber, PMSM, 1 Ausgang, 3V bis 5.5V Versorgungsspannung, LQFP-40, -40°C bis 105°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Motortyp: PMSM
usEccn: 3A991.a.2
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: LQFP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Produktpalette: iMOTION
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+645.29 грн
10+533.51 грн
25+509.80 грн
100+350.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMD12CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD FLATPAK 32X2 7MM 2MM NAMUR 2M C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD12CCrouzet SwitchesDescription: IPD FLATPAK 2MM NAMUR 2M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD13160Red Lion ControlsDescription: VOLTMETER 300VDC LED PANEL MOUNT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD13161Red Lion ControlsDescription: VOLTMETER 300VDC LED PANEL MOUNT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD13162Red Lion ControlsDescription: VOLTMETER 300VDC LED PANEL MOUNT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD13163Red Lion ControlsDescription: VOLTMETER 300VDC LED PANEL MOUNT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD13167Red Lion ControlsDescription: VOLTMETER 300VDC LED PANEL MOUNT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD13169Red Lion ControlsDescription: VOLTMETER 300VDC LED PANEL MOUNT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD14ROHM
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD14CCrouzet SwitchesDescription: IPD FLATPAK 4MM NAMUR 2M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD14CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD FLATPAK 32X2 7MM 4MM NAMUR 2M C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD14T108Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD14T108Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD14T108ROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased PNP/NPN 50V 500MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD14T108
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD14T108Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD16/D16ROHM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD16AROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD16AROHMSOT-163
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD16A/D16ROHM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD16AT108Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA/500mA 300mW 6-Pin SMT T/R
на замовлення 2598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
468+51.75 грн
Мінімальне замовлення: 468
В кошику  од. на суму  грн.
IMD16AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA / 300mV @ 100µA, 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V / 82 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 100kOhms, 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SMT6
Part Status: Active
на замовлення 6007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.00 грн
11+28.94 грн
100+18.54 грн
500+13.18 грн
1000+11.81 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IMD16AT108ROHM SemiconductorDigital Transistors PNP/NPN 50V 500MA SOT-457
на замовлення 4154 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.55 грн
11+32.55 грн
100+13.89 грн
1000+12.46 грн
3000+9.21 грн
9000+8.23 грн
24000+8.15 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IMD16AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA / 300mV @ 100µA, 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V / 82 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 100kOhms, 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SMT6
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IMD16AT108Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA/500mA 300mW 6-Pin SMT T/R
на замовлення 7671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
883+14.03 грн
1035+11.96 грн
1087+11.39 грн
2000+10.26 грн
6000+8.91 грн
Мінімальне замовлення: 883
В кошику  од. на суму  грн.
IMD16AT108ROHM SEMICONDUCTORIMD16AT108 Complementary transistors
на замовлення 935 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
14+22.76 грн
137+8.21 грн
375+7.74 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IMD16AT108 транзистор
Код товару: 91942
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD16AЎЎT108ROHM
на замовлення 26100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD16T110ROHM04+ SOT-163
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD1AROHM2001 SOT23-6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD1AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Supplier Device Package: SMT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD1AT108ROHM SemiconductorDigital Transistors PNP/NPN 50V 100MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD2ROHM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD2ROHMSOT-163
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD2/D2
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD2001DremelDescription: 1/8" IMPACT DRILL BIT BULK
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD2002DremelDescription: 5/32" IMPACT DRILL BIT BULK
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD2006DremelDescription: 5/16" IMPACT DRILL BIT BULK
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD20060Red Lion ControlsDescription: AMMETER 2A LED PANEL MOUNT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD20160Red Lion ControlsDescription: AMMETER 2A LED PANEL MOUNT
Features: Excitation Supply
Packaging: Box
Display Type: LED - Red Characters
Mounting Type: Panel Mount
Type: Ammeter
Termination Style: Screw Terminal
Voltage - Supply: 115VAC, 230VAC
Measuring Range: ±2A
Ingress Protection: IP65 - Dust Tight, Water Resistant
Panel Cutout Dimensions: Rectangular - 92.00mm x 45.00mm
Display Characters - Height: 0.560" (14.20mm)
Number of Characters Per Row: 6
Measuring Type: Current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD20162Red Lion ControlsDescription: AMMETER 2A LED PANEL MOUNT
Features: Excitation Supply
Packaging: Box
Display Type: LED - Red Characters
Output Type: Relay (2), Solid State (2)
Mounting Type: Panel Mount
Type: Ammeter
Termination Style: Screw Terminal
Voltage - Supply: 115VAC, 230VAC
Measuring Range: ±2A
Ingress Protection: IP65 - Dust Tight, Water Resistant
Panel Cutout Dimensions: Rectangular - 92.00mm x 45.00mm
Display Characters - Height: 0.560" (14.20mm)
Number of Characters Per Row: 6
Measuring Type: Current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD22CCrouzet SwitchesDescription: IPD FLATPAK 2MM NAMUR 2M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD22CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD FLATPAK 30X2 6MM 2MM NAMUR 2M C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD23/D23ROHM
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD23160Red Lion ControlsDescription: AMMETER 2A LED PANEL MOUNT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD23161Red Lion ControlsDescription: AMMETER 2A LED PANEL MOUNT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD23162Red Lion ControlsDescription: AMMETER 2A LED PANEL MOUNT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD23163Red Lion ControlsDescription: AMMETER 2A LED PANEL MOUNT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD23167Red Lion ControlsDescription: AMMETER 2A LED PANEL MOUNT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD23169Red Lion ControlsDescription: AMMETER 2A LED PANEL MOUNT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD23T108Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD23T108ROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PNP/NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD24CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD FLATPAK 30X2 6MM 4MM NAMUR 2M C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD24CCrouzet SwitchesDescription: IPD FLATPAK 4MM NAMUR 2M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD2AROHM06+ SOT163
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD2AROHMSOT26/
на замовлення 2413 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD2AROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD2AROHM
на замовлення 11935 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD2AROHM09+
на замовлення 2826 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD2A T108ROHMSOT163
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD2A T108ROHMSOT163-D2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD2A T108 SOT163-D2ROHM
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD2A/D2ROHMSOT-163
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD2AT108Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW 6-Pin SMT T/R
на замовлення 2289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
640+25.58 грн
1000+13.37 грн
2000+12.46 грн
Мінімальне замовлення: 640
В кошику  од. на суму  грн.
IMD2AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SMT6
на замовлення 2231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.83 грн
14+23.91 грн
100+15.21 грн
500+10.73 грн
1000+9.58 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IMD2AT108ROHMDescription: ROHM - IMD2AT108 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-457
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: IMD2A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+35.48 грн
34+25.07 грн
100+16.34 грн
500+11.48 грн
1000+8.86 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
IMD2AT108ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN/PNP 50V 30MA SOT-457
на замовлення 6953 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.37 грн
15+23.79 грн
100+13.21 грн
500+9.96 грн
1000+8.91 грн
3000+7.93 грн
6000+7.10 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IMD2AT108Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW 6-Pin SMT T/R
на замовлення 318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD2AT108Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW 6-Pin SMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1035+11.96 грн
1070+11.58 грн
2500+11.24 грн
Мінімальне замовлення: 1035
В кошику  од. на суму  грн.
IMD2AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SMT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD2AT108
Код товару: 107838
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD2AT108Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW 6-Pin SMT T/R
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
428+42.05 грн
Мінімальне замовлення: 428
В кошику  од. на суму  грн.
IMD2AT108SOT163-D2ROHM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD2A\D2ROHMSOT-163
на замовлення 6100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD2T108
на замовлення 4600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD3ROHM
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD3AROHMSOT163
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD3AROHMSOT-163
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD3AROHMSOT-153
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD3ARHOM10+ TCP
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD3AROHM09+
на замовлення 419 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD3A T108ROHMSOT26
на замовлення 4241 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD3A-TLB
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD3AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SMT6
на замовлення 4597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+39.20 грн
14+23.12 грн
100+14.72 грн
500+10.38 грн
1000+9.27 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IMD3AT108Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW 6-Pin SMT T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD3AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SMT6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IMD3AT108ROHM SemiconductorDigital Transistors DUAL DIGITAL PNP/NPN
на замовлення 11053 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+29.33 грн
18+19.88 грн
100+11.63 грн
1000+8.15 грн
3000+7.02 грн
9000+5.96 грн
24000+5.66 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IMD3AT108Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 300mW 6-Pin SMT T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD3T108
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD3T109
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD40203N/A
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD42C455S-13AHARCDIP
на замовлення 520 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD6ROHM02+ SOT163
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD6ROHMSOT163-D6
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD6ROHMSOT163
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD6AROHM06+ SOT-163
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD6A-T108ROH07+;
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD6AT108Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW 6-Pin SMT T/R
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1003+12.34 грн
1037+11.94 грн
2500+11.59 грн
Мінімальне замовлення: 1003
В кошику  од. на суму  грн.
IMD6AT108ROHM SemiconductorDigital Transistors PNP/NPN 50V 100MA SOT-457
на замовлення 5745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.37 грн
15+23.79 грн
100+13.44 грн
500+9.96 грн
1000+8.91 грн
3000+7.93 грн
6000+6.72 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IMD6AT108Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW 6-Pin SMT T/R
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD6AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 PNP Pre-Biased, 1 NPN
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SMT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD6AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 PNP Pre-Biased, 1 NPN
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SMT6
на замовлення 4861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.75 грн
15+21.55 грн
100+13.64 грн
500+9.58 грн
1000+8.54 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IMD6T108
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD6T109
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD6T109SOT163-D6ROHM
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD700AQ064X128AAXUMA1Infineon TechnologiesMotor/Motion/Ignition Controllers & Drivers CONTROLLER
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+639.40 грн
10+570.36 грн
25+472.57 грн
100+410.66 грн
250+391.79 грн
500+357.07 грн
1000+311.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMD700AQ064X128AAXUMA1Infineon TechnologiesDescription: CONTROLLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 64-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: CAN, I2C, SPI, UART/USART
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 115°C (TJ)
Voltage - Supply: 5.5V ~ 60V
Controller Series: XMC1404
Program Memory Type: FLASH (128kB)
Applications: BLDC Controller
Input Type: Non-Inverting
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Supplier Device Package: PG-VQFN-64-8
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 3
Gate Type: N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.045V, 3.85V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 1.5A
Part Status: Active
Number of I/O: 20
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD700AQ064X128AAXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMD700AQ064X128AAXUMA1 - MOTORSTEUERUNG, -40-115°C
tariffCode: 85423990
Versorgungsspannung, max.: 60V
Betriebstemperatur, max.: 115°C
Ausgabeverzögerung: 200ns
Eingang: Nicht invertierend
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgangsstrom: 1.5A
Quellstrom: 1.5A
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
Produktpalette: -
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Typ: Motorsteuerung
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Versorgungsspannung, min.: 5.5V
Ausgangsspannung: -
Motortyp: BLDC, PMSM
Qualifikation: -
Sinkstrom: 1.5A
Eingabeverzögerung: 200ns
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Ausgänge: 6Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.2
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+559.76 грн
25+533.51 грн
50+421.48 грн
100+338.25 грн
250+322.28 грн
500+293.97 грн
1000+246.07 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMD700AQ064X128AAXUMA1Infineon TechnologiesDescription: CONTROLLER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 64-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: CAN, I2C, SPI, UART/USART
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 115°C (TJ)
Voltage - Supply: 5.5V ~ 60V
Controller Series: XMC1404
Program Memory Type: FLASH (128kB)
Applications: BLDC Controller
Input Type: Non-Inverting
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Supplier Device Package: PG-VQFN-64-8
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 3
Gate Type: N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.045V, 3.85V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 1.5A
Part Status: Active
Number of I/O: 20
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+329.09 грн
10+240.62 грн
25+221.56 грн
100+188.30 грн
250+178.93 грн
500+173.28 грн
1000+165.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMD700AQ064X128AAXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMD700AQ064X128AAXUMA1 - MOTORSTEUERUNG, -40-115°C
tariffCode: 85423990
Versorgungsspannung, max.: 60V
Betriebstemperatur, max.: 115°C
Ausgabeverzögerung: 200ns
Eingang: Nicht invertierend
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgangsstrom: 1.5A
Quellstrom: 1.5A
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
Produktpalette: -
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Typ: Motorsteuerung
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Versorgungsspannung, min.: 5.5V
Ausgangsspannung: -
Motortyp: BLDC, PMSM
Qualifikation: -
Sinkstrom: 1.5A
Eingabeverzögerung: 200ns
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Ausgänge: 6Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.2
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+674.08 грн
10+559.76 грн
25+533.51 грн
50+421.48 грн
100+338.25 грн
250+322.28 грн
500+293.97 грн
1000+246.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMD701AQ064X128AAXUMA1Infineon TechnologiesCONTROLLER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD701AQ064X128AAXUMA1Infineon TechnologiesDescription: CONTROLLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 64-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: CAN, I2C, SPI, UART/USART
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 115°C (TJ)
Voltage - Supply: 5.5V ~ 60V
Controller Series: XMC1404
Program Memory Type: FLASH (128kB)
Applications: BLDC Controller
Input Type: Non-Inverting
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Supplier Device Package: PG-VQFN-64-8
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 3
Gate Type: N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.045V, 3.85V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 1.5A
Part Status: Active
Number of I/O: 20
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD701AQ064X128AAXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMD701AQ064X128AAXUMA1 - MOTORSTEUERUNG, -40-115°C
tariffCode: 85423990
Versorgungsspannung, max.: 60V
Betriebstemperatur, max.: 115°C
Ausgabeverzögerung: 200ns
Eingang: Nicht invertierend
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgangsstrom: 1.5A
Quellstrom: 1.5A
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
Produktpalette: -
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Typ: Motorsteuerung
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Versorgungsspannung, min.: 5.5V
Ausgangsspannung: -
Motortyp: BLDC, PMSM
Qualifikation: -
Sinkstrom: 1.5A
Eingabeverzögerung: 200ns
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Ausgänge: 6Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.2
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD701AQ064X128AAXUMA1Infineon TechnologiesMotor/Motion/Ignition Controllers & Drivers MOTOR CONTROL IC
на замовлення 1875 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+347.00 грн
10+259.57 грн
25+207.60 грн
100+187.97 грн
250+164.57 грн
2000+161.55 грн
4000+157.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMD701AQ064X128AAXUMA1Infineon TechnologiesDescription: CONTROLLER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 64-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: CAN, I2C, SPI, UART/USART
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 115°C (TJ)
Voltage - Supply: 5.5V ~ 60V
Controller Series: XMC1404
Program Memory Type: FLASH (128kB)
Applications: BLDC Controller
Input Type: Non-Inverting
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Supplier Device Package: PG-VQFN-64-8
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 3
Gate Type: N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.045V, 3.85V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 1.5A
Part Status: Active
Number of I/O: 20
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+329.09 грн
10+240.62 грн
25+221.56 грн
100+188.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMD701AQ064X128AAXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMD701AQ064X128AAXUMA1 - MOTORSTEUERUNG, -40-115°C
tariffCode: 85423990
Versorgungsspannung, max.: 60V
Betriebstemperatur, max.: 115°C
Ausgabeverzögerung: 200ns
Eingang: Nicht invertierend
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgangsstrom: 1.5A
Quellstrom: 1.5A
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
Produktpalette: -
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Typ: Motorsteuerung
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Versorgungsspannung, min.: 5.5V
Ausgangsspannung: -
Motortyp: BLDC, PMSM
Qualifikation: -
Sinkstrom: 1.5A
Eingabeverzögerung: 200ns
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Ausgänge: 6Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.2
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+356.52 грн
10+275.22 грн
25+248.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IMD8ROHM
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD8AT108ROHM SemiconductorDigital Transistors PNP/NPN 50V 100MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD8AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Supplier Device Package: SMT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD9ROHMSOT163
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD9ROHM
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD9AROHMSOT163
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD9AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SMT6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.08 грн
6000+7.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IMD9AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SMT6
на замовлення 7332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.75 грн
15+21.47 грн
100+13.67 грн
500+9.64 грн
1000+8.61 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IMD9AT108ROHM SemiconductorDigital Transistors PNP/NPN 50V 100MA SOT-457
на замовлення 2813 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+36.81 грн
14+25.35 грн
100+14.57 грн
500+10.95 грн
1000+9.36 грн
3000+8.23 грн
6000+7.55 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMD9T108
на замовлення 7600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ65R007M2HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2157.75 грн
10+1777.93 грн
100+1352.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ65R010M2HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 1395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1560.62 грн
10+1312.61 грн
100+987.40 грн
750+985.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ65R015M2HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1222.43 грн
10+932.37 грн
100+701.30 грн
750+700.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ65R020M2HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1011.06 грн
10+743.99 грн
100+560.13 грн
500+530.69 грн
750+450.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ65R020M2HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: IMDQ65R020M2HXUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 46.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 394W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.5mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2038 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ65R020M2HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: IMDQ65R020M2HXUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 46.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 394W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.5mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2038 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R004M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R007M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: IMDQ75R007M2HXTMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 222A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 131.5A, 20V
Power Dissipation (Max): 789W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 28.9mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 840 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 171 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5922 pF @ 500 V
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2071.70 грн
10+1531.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R007M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2330.37 грн
10+1919.44 грн
100+1459.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R007M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: IMDQ75R007M2HXTMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 222A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 131.5A, 20V
Power Dissipation (Max): 789W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 28.9mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 840 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 171 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5922 pF @ 500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R008M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMDQ75R008M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 173 A, 750 V, 0.0106 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 173A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pins
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2869.09 грн
5+2709.04 грн
10+2548.99 грн
50+2219.08 грн
100+1911.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R008M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2196.64 грн
10+1648.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R008M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R008M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMDQ75R008M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 173 A, 750 V, 0.0106 ohm, HDSOP
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 173A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pins
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2869.09 грн
5+2709.04 грн
10+2548.99 грн
50+2219.08 грн
100+1911.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R008M1HXUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs Y
на замовлення 681 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3005.87 грн
10+2633.04 грн
25+2200.52 грн
50+2148.44 грн
100+2002.74 грн
250+1924.99 грн
500+1820.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R016M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMDQ75R016M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 98 A, 750 V, 0.022 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 384W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1601.37 грн
5+1483.66 грн
10+1365.10 грн
50+1246.37 грн
100+1073.55 грн
250+1011.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R016M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 41.5A, 20A
Power Dissipation (Max): 384W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 14.9mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2869 pF @ 500 V
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1482.94 грн
10+1048.05 грн
100+930.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R016M1HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1436.44 грн
10+1149.41 грн
100+864.36 грн
500+801.70 грн
750+694.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R016M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 41.5A, 20A
Power Dissipation (Max): 384W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 14.9mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2869 pF @ 500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R016M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMDQ75R016M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 98 A, 750 V, 0.022 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 384W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1365.10 грн
50+1246.37 грн
100+1073.55 грн
250+1011.85 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R016M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1275.27 грн
10+1007.03 грн
100+757.92 грн
500+757.16 грн
750+756.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R020M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: IMDQ75R020M1HXUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 32.5A, 20V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 11.7mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2217 pF @ 500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R020M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMDQ75R020M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 81 A, 750 V, 0.018 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1213.52 грн
5+1094.96 грн
10+976.41 грн
50+859.48 грн
100+749.09 грн
250+733.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R020M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: IMDQ75R020M1HXUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 32.5A, 20V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 11.7mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2217 pF @ 500 V
на замовлення 713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1129.35 грн
10+817.57 грн
100+811.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R020M1HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1064.78 грн
10+961.02 грн
25+830.39 грн
750+705.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R025M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+873.67 грн
10+701.45 грн
100+508.05 грн
500+452.94 грн
750+388.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R027M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMDQ75R027M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 750 V, 0.025 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 273W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+973.02 грн
5+867.16 грн
10+761.31 грн
50+669.18 грн
100+582.14 грн
250+570.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R027M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: IMDQ75R027M1HXUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 24.5A, 20V
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 8.8mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1668 pF @ 500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R027M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: IMDQ75R027M1HXUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 24.5A, 20V
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 8.8mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1668 pF @ 500 V
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+877.02 грн
10+625.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R027M1HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 616 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+952.05 грн
10+734.44 грн
100+569.19 грн
500+539.75 грн
750+483.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R040M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMDQ75R040M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 47 A, 750 V, 0.052 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+672.39 грн
50+599.20 грн
100+529.15 грн
250+497.94 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R040M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 16.6A, 20V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 6mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135 pF @ 500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R040M1HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+742.44 грн
10+554.74 грн
100+401.60 грн
500+358.58 грн
750+318.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R040M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMDQ75R040M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 47 A, 750 V, 0.052 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+865.47 грн
5+768.93 грн
10+672.39 грн
50+599.20 грн
100+529.15 грн
250+497.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R040M1HXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 750V 47A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R040M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 16.6A, 20V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 6mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135 pF @ 500 V
на замовлення 574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+706.35 грн
10+508.85 грн
100+436.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R060M1HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+495.84 грн
10+438.41 грн
25+376.69 грн
100+342.72 грн
250+332.91 грн
750+282.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R060M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: IMDQ75R060M1HXUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 11.1A, 20V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 500 V
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+547.12 грн
10+376.19 грн
100+328.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R060M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: IMDQ75R060M1HXUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 11.1A, 20V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R060M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMDQ75R060M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 750 V, 0.055 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+582.63 грн
5+515.72 грн
10+448.82 грн
50+386.10 грн
100+327.36 грн
250+320.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R060M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+521.38 грн
10+375.90 грн
100+264.97 грн
500+235.53 грн
750+201.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R090M1HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+511.69 грн
10+432.33 грн
25+341.21 грн
100+314.04 грн
250+295.16 грн
500+276.29 грн
750+248.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R090M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: IMDQ75R090M1HXUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 7.4A, 20V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 542 pF @ 500 V
на замовлення 744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+418.10 грн
10+307.78 грн
25+284.00 грн
100+241.97 грн
250+230.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R090M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMDQ75R090M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 750 V, 0.083 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+434.43 грн
10+356.52 грн
100+298.93 грн
500+250.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R090M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: IMDQ75R090M1HXUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 7.4A, 20V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 542 pF @ 500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R140M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMDQ75R140M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 17 A, 750 V, 0.182 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.182ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+412.41 грн
10+314.18 грн
100+263.37 грн
500+225.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R140M1HXUMA1Infineon TechnologiesIMDQ75R140M1HXUMA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R140M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129mOhm @ 4.7A, 20V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 351 pF @ 500 V
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+436.06 грн
10+276.17 грн
100+201.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R140M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMDQ75R140M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 17 A, 750 V, 0.182 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.182ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+263.37 грн
500+225.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R140M1HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 604 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+442.12 грн
10+296.03 грн
25+253.65 грн
100+185.70 грн
250+182.68 грн
750+157.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R140M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129mOhm @ 4.7A, 20V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 351 pF @ 500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.