Продукція > IMD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IMD-B101-01Murata ElectronicsIndustrial Motion & Position Sensors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD-IM400-1700APC by Schneider ElectricSchneider Electric
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD1ROHMSOT163
на замовлення 17044 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD10/D10ROHM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD10060Red Lion ControlsDescription: VOLTMETER 300VDC LED PANEL MOUNT
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD1008DremelDescription: 1/2" IMPACT DRILL BIT
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD10160Red Lion ControlsDescription: VOLTMETER 300VDC LED PANEL MOUNT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD10162Red Lion ControlsDescription: VOLTMETER 300VDC LED PANEL MOUNT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD10AON SemiconductorON Semiconductor SURF MT BIASED RES XSTR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD10A T108ROHMSOT163-D10
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD10A T108 SOT163-D10ROHM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD10A T108 SOT163-D10ROHM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD10AMT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 500mA 285mW 6-Pin SC-74R T/R
на замовлення 5959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+18.92 грн
52+14.43 грн
53+13.98 грн
100+7.89 грн
250+7.23 грн
1000+6.71 грн
3000+6.48 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
IMD10AMT1GonsemiDigital Transistors SURF MT BIASED RES XSTR
на замовлення 7284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.48 грн
14+22.93 грн
100+10.88 грн
500+8.79 грн
1000+8.09 грн
3000+6.76 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IMD10AMT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SC-74R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 285mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V
Resistor - Base (R1): 13kOhms, 130Ohms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-74R
Part Status: Active
на замовлення 28593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.79 грн
13+23.94 грн
100+15.24 грн
500+10.78 грн
1000+9.64 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IMD10AMT1GONSEMIDescription: ONSEMI - IMD10AMT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 500 mA, 130 ohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 130ohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 285mW
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD10AMT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 500mA 285mW 6-Pin SC-74R T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD10AMT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SC-74R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 285mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V
Resistor - Base (R1): 13kOhms, 130Ohms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-74R
Part Status: Active
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.55 грн
6000+7.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IMD10AMT1GONSEMIDescription: ONSEMI - IMD10AMT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 500 mA, 130 ohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 130ohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 285mW
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+29.61 грн
38+21.96 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
IMD10AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms, 100Ohms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SMT6
Part Status: Active
на замовлення 7558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.79 грн
13+24.40 грн
100+15.59 грн
500+11.06 грн
1000+9.91 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IMD10AT108Rohm SemiconductorIMD10AT108
на замовлення 2993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+33.09 грн
29+25.87 грн
30+25.43 грн
50+24.22 грн
100+13.29 грн
250+12.17 грн
500+12.06 грн
1000+11.66 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
IMD10AT108ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN/PNP 50V 500MA SOT-457
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.08 грн
13+25.74 грн
100+13.32 грн
1000+9.06 грн
3000+7.39 грн
9000+6.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMD10AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms, 100Ohms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SMT6
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IMD10\D10ROHMSOT-163
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD111T6F040XUMA1Infineon TechnologiesMotor/Motion/Ignition Controllers & Drivers IMOTION
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+440.89 грн
10+307.90 грн
100+243.34 грн
250+232.18 грн
500+219.63 грн
1500+209.17 грн
3000+204.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMD111T6F040XUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMD111T6F040XUMA1 - Motortreiber, PMSM, 1 Ausgang, 3V bis 5.5V Versorgungsspannung, LQFP-40, -40°C bis 105°C
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Motorsteuerung
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Motortyp: PMSM-Motor, bürstenloser Drei-Phasen-DC-Motor
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: LQFP
usEccn: 3A991.a.2
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+244.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IMD111T6F040XUMA1Infineon TechnologiesDescription: IMOTION
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 40-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Function: Controller - Speed
Interface: Serial, UART
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 5.5V ~ 20V
Applications: General Purpose
Technology: IGBT
Supplier Device Package: PG-LQFP-40-1
Motor Type - Stepper: Multiphase
Motor Type - AC, DC: AC, Synchronous
на замовлення 1520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+527.11 грн
10+393.15 грн
25+364.44 грн
100+312.41 грн
250+298.30 грн
500+289.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMD111T6F040XUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMD111T6F040XUMA1 - Motortreiber, PMSM, 1 Ausgang, 3V bis 5.5V Versorgungsspannung, LQFP-40, -40°C bis 105°C
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Motorsteuerung
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Motortyp: PMSM-Motor, bürstenloser Drei-Phasen-DC-Motor
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: LQFP
usEccn: 3A991.a.2
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+443.33 грн
10+313.99 грн
25+304.23 грн
50+273.43 грн
100+244.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMD111T6F040XUMA1Infineon TechnologiesDescription: IMOTION
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 40-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Function: Controller - Speed
Interface: Serial, UART
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 5.5V ~ 20V
Applications: General Purpose
Technology: IGBT
Supplier Device Package: PG-LQFP-40-1
Motor Type - Stepper: Multiphase
Motor Type - AC, DC: AC, Synchronous
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD112T6F040XUMA1Infineon TechnologiesDescription: IMOTION
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 40-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Function: Controller - Speed
Interface: Serial, UART
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 5.5V ~ 20V
Applications: General Purpose
Technology: IGBT
Supplier Device Package: PG-LQFP-40-1
Motor Type - Stepper: Multiphase
Motor Type - AC, DC: AC, Synchronous
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD112T6F040XUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMD112T6F040XUMA1 - Motortreiber, PMSM, 1 Ausgang, 3V bis 5.5V Versorgungsspannung, LQFP-40, -40°C bis 105°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Motortyp: PMSM
usEccn: 3A991.a.2
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: LQFP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Produktpalette: iMOTION
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+512.47 грн
25+489.69 грн
100+336.88 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMD112T6F040XUMA1Infineon TechnologiesDescription: IMOTION
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 40-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Function: Controller - Speed
Interface: Serial, UART
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 5.5V ~ 20V
Applications: General Purpose
Technology: IGBT
Supplier Device Package: PG-LQFP-40-1
Motor Type - Stepper: Multiphase
Motor Type - AC, DC: AC, Synchronous
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD112T6F040XUMA1Infineon TechnologiesMotor/Motion/Ignition Controllers & Drivers IMOTION
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD112T6F040XUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMD112T6F040XUMA1 - Motortreiber, PMSM, 1 Ausgang, 3V bis 5.5V Versorgungsspannung, LQFP-40, -40°C bis 105°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Motortyp: PMSM
usEccn: 3A991.a.2
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: LQFP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Produktpalette: iMOTION
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+619.84 грн
10+512.47 грн
25+489.69 грн
100+336.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMD12CCrouzet SwitchesDescription: IPD FLATPAK 2MM NAMUR 2M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD12CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD FLATPAK 32X2 7MM 2MM NAMUR 2M C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD13160Red Lion ControlsDescription: VOLTMETER 300VDC LED PANEL MOUNT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD13161Red Lion ControlsDescription: VOLTMETER 300VDC LED PANEL MOUNT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD13162Red Lion ControlsDescription: VOLTMETER 300VDC LED PANEL MOUNT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD13163Red Lion ControlsDescription: VOLTMETER 300VDC LED PANEL MOUNT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD13167Red Lion ControlsDescription: VOLTMETER 300VDC LED PANEL MOUNT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD13169Red Lion ControlsDescription: VOLTMETER 300VDC LED PANEL MOUNT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD14ROHM
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD14CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD FLATPAK 32X2 7MM 4MM NAMUR 2M C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD14CCrouzet SwitchesDescription: IPD FLATPAK 4MM NAMUR 2M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD14T108
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD14T108Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD14T108Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD14T108ROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased PNP/NPN 50V 500MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD14T108Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD16/D16ROHM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD16AROHMSOT-163
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD16AROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD16A/D16ROHM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD16AT108Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA/500mA 300mW 6-Pin SMT T/R
на замовлення 2598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
468+53.97 грн
Мінімальне замовлення: 468
В кошику  од. на суму  грн.
IMD16AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA / 300mV @ 100µA, 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V / 82 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 100kOhms, 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SMT6
Part Status: Active
на замовлення 6007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.06 грн
11+27.80 грн
100+17.81 грн
500+12.66 грн
1000+11.35 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IMD16AT108ROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5/0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC74; SOT457
Current gain: 82...600
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 2.2/100kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
на замовлення 795 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
23+19.88 грн
37+11.58 грн
100+8.56 грн
500+7.30 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
IMD16AT108Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA/500mA 300mW 6-Pin SMT T/R
на замовлення 7671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
883+14.63 грн
1035+12.48 грн
1087+11.87 грн
2000+10.70 грн
6000+9.30 грн
Мінімальне замовлення: 883
В кошику  од. на суму  грн.
IMD16AT108ROHM SemiconductorDigital Transistors PNP/NPN 50V 500MA SOT-457
на замовлення 4154 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.46 грн
11+30.07 грн
100+12.83 грн
1000+11.50 грн
3000+8.51 грн
9000+7.60 грн
24000+7.53 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IMD16AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA / 300mV @ 100µA, 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V / 82 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 100kOhms, 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SMT6
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IMD16AT108 транзистор
Код товару: 91942
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD16AЎЎT108ROHM
на замовлення 26100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD16T110ROHM04+ SOT-163
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD1AROHM2001 SOT23-6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD1AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Supplier Device Package: SMT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD1AT108ROHM SemiconductorDigital Transistors PNP/NPN 50V 100MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD2ROHMSOT-163
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD2/D2
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD2001DremelDescription: 1/8" IMPACT DRILL BIT BULK
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD2002DremelDescription: 5/32" IMPACT DRILL BIT BULK
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD2006DremelDescription: 5/16" IMPACT DRILL BIT BULK
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD20060Red Lion ControlsDescription: AMMETER 2A LED PANEL MOUNT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD20160Red Lion ControlsDescription: AMMETER 2A LED PANEL MOUNT
Packaging: Box
Features: Excitation Supply
Display Type: LED - Red Characters
Mounting Type: Panel Mount
Type: Ammeter
Termination Style: Screw Terminal
Voltage - Supply: 115VAC, 230VAC
Measuring Range: ±2A
Ingress Protection: IP65 - Dust Tight, Water Resistant
Panel Cutout Dimensions: Rectangular - 92.00mm x 45.00mm
Display Characters - Height: 0.560" (14.20mm)
Number of Characters Per Row: 6
Measuring Type: Current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD20162Red Lion ControlsDescription: AMMETER 2A LED PANEL MOUNT
Features: Excitation Supply
Packaging: Box
Display Type: LED - Red Characters
Output Type: Relay (2), Solid State (2)
Mounting Type: Panel Mount
Type: Ammeter
Termination Style: Screw Terminal
Voltage - Supply: 115VAC, 230VAC
Measuring Range: ±2A
Ingress Protection: IP65 - Dust Tight, Water Resistant
Panel Cutout Dimensions: Rectangular - 92.00mm x 45.00mm
Display Characters - Height: 0.560" (14.20mm)
Number of Characters Per Row: 6
Measuring Type: Current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD22CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD FLATPAK 30X2 6MM 2MM NAMUR 2M C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD22CCrouzet SwitchesDescription: IPD FLATPAK 2MM NAMUR 2M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD23/D23ROHM
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD23160Red Lion ControlsDescription: AMMETER 2A LED PANEL MOUNT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD23161Red Lion ControlsDescription: AMMETER 2A LED PANEL MOUNT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD23162Red Lion ControlsDescription: AMMETER 2A LED PANEL MOUNT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD23163Red Lion ControlsDescription: AMMETER 2A LED PANEL MOUNT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD23167Red Lion ControlsDescription: AMMETER 2A LED PANEL MOUNT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD23169Red Lion ControlsDescription: AMMETER 2A LED PANEL MOUNT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD23T108Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD23T108ROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PNP/NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD24CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD FLATPAK 30X2 6MM 4MM NAMUR 2M C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD24CCrouzet SwitchesDescription: IPD FLATPAK 4MM NAMUR 2M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD2AROHM
на замовлення 11935 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD2AROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD2A T108ROHMSOT163
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD2A T108 SOT163-D2ROHM
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD2A/D2ROHMSOT-163
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD2AT108Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW 6-Pin SMT T/R
на замовлення 2289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
640+26.67 грн
1000+13.94 грн
2000+12.99 грн
Мінімальне замовлення: 640
В кошику  од. на суму  грн.
IMD2AT108ROHMDescription: ROHM - IMD2AT108 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-457
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: IMD2A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+34.08 грн
34+24.08 грн
100+15.70 грн
500+11.03 грн
1000+8.51 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
IMD2AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SMT6
на замовлення 2231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.22 грн
14+22.96 грн
100+14.61 грн
500+10.30 грн
1000+9.20 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IMD2AT108Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW 6-Pin SMT T/R
на замовлення 318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD2AT108RohmIMD2A Series 50 V 100 mA Surface Mount Dual NPN/PNP Digital Transistor - SC-74 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD2AT108ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN/PNP 50V 30MA SOT-457
на замовлення 6953 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.36 грн
15+21.97 грн
100+12.20 грн
500+9.20 грн
1000+8.23 грн
3000+7.32 грн
6000+6.55 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IMD2AT108Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW 6-Pin SMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1035+12.48 грн
1070+12.07 грн
2500+11.72 грн
Мінімальне замовлення: 1035
В кошику  од. на суму  грн.
IMD2AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SMT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD2AT108
Код товару: 107838
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD2AT108Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW 6-Pin SMT T/R
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
428+43.85 грн
Мінімальне замовлення: 428
В кошику  од. на суму  грн.
IMD2AT108SOT163-D2ROHM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD2A\D2ROHMSOT-163
на замовлення 6100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD2T108
на замовлення 4600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD3ROHM
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD3AROHMSOT163
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD3A T108ROHMSOT26
на замовлення 4241 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD3A-TLB
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD3AT108ROHM SemiconductorDigital Transistors DUAL DIGITAL PNP/NPN
на замовлення 11053 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+27.09 грн
18+18.36 грн
100+10.74 грн
1000+7.53 грн
3000+6.48 грн
9000+5.51 грн
24000+5.23 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IMD3AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SMT6
на замовлення 4597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.65 грн
14+22.21 грн
100+14.14 грн
500+9.97 грн
1000+8.90 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IMD3AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SMT6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IMD3AT108Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 300mW 6-Pin SMT T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD3T108
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD3T109
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD40203N/A
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD42C455S-13AHARCDIP
на замовлення 520 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD6ROHM02+ SOT163
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD6AROHM06+ SOT-163
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD6A-T108ROH07+;
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD6AT108Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW 6-Pin SMT T/R
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1003+12.87 грн
1037+12.45 грн
2500+12.08 грн
Мінімальне замовлення: 1003
В кошику  од. на суму  грн.
IMD6AT108Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW 6-Pin SMT T/R
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD6AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 PNP Pre-Biased, 1 NPN
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SMT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD6AT108ROHM SemiconductorDigital Transistors PNP/NPN 50V 100MA SOT-457
на замовлення 5745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.36 грн
15+21.97 грн
100+12.41 грн
500+9.20 грн
1000+8.23 грн
3000+7.32 грн
6000+6.21 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IMD6AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 PNP Pre-Biased, 1 NPN
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SMT6
на замовлення 4861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.30 грн
15+20.70 грн
100+13.11 грн
500+9.20 грн
1000+8.20 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IMD6T108
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD6T109
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD6T109SOT163-D6ROHM
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD700AQ064X128AAXUMA1Infineon TechnologiesDescription: CONTROLLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 64-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 115°C (TJ)
Voltage - Supply: 5.5V ~ 60V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: PG-VQFN-64-8
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 3
Gate Type: N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.045V, 3.85V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 1.5A
Part Status: Active
Interface: CAN, I2C, SPI, UART/USART
RAM Size: 16K x 8
Controller Series: XMC1404
Program Memory Type: FLASH (128kB)
Applications: BLDC Controller
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Number of I/O: 20
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD700AQ064X128AAXUMA1Infineon TechnologiesMotor/Motion/Ignition Controllers & Drivers CONTROLLER
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+590.56 грн
10+526.80 грн
25+436.47 грн
100+379.30 грн
250+361.87 грн
500+329.79 грн
1000+287.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMD700AQ064X128AAXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMD700AQ064X128AAXUMA1 - MOTORSTEUERUNG, -40-115°C
tariffCode: 85423990
Versorgungsspannung, max.: 60V
Betriebstemperatur, max.: 115°C
Ausgabeverzögerung: 200ns
Eingang: Nicht invertierend
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgangsstrom: 1.5A
Quellstrom: 1.5A
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
Produktpalette: -
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Typ: Motorsteuerung
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Versorgungsspannung, min.: 5.5V
Ausgangsspannung: -
Motortyp: BLDC, PMSM
Qualifikation: -
Sinkstrom: 1.5A
Eingabeverzögerung: 200ns
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Ausgänge: 6Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.2
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+537.68 грн
25+512.47 грн
50+404.86 грн
100+324.91 грн
250+309.57 грн
500+282.38 грн
1000+236.36 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMD700AQ064X128AAXUMA1Infineon TechnologiesDescription: CONTROLLER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 64-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 115°C (TJ)
Voltage - Supply: 5.5V ~ 60V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: PG-VQFN-64-8
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 3
Gate Type: N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.045V, 3.85V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 1.5A
Part Status: Active
Interface: CAN, I2C, SPI, UART/USART
RAM Size: 16K x 8
Controller Series: XMC1404
Program Memory Type: FLASH (128kB)
Applications: BLDC Controller
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Number of I/O: 20
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+304.34 грн
10+222.90 грн
25+205.30 грн
100+174.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMD700AQ064X128AAXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMD700AQ064X128AAXUMA1 - MOTORSTEUERUNG, -40-115°C
tariffCode: 85423990
Versorgungsspannung, max.: 60V
Betriebstemperatur, max.: 115°C
Ausgabeverzögerung: 200ns
Eingang: Nicht invertierend
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgangsstrom: 1.5A
Quellstrom: 1.5A
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
Produktpalette: -
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Typ: Motorsteuerung
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Versorgungsspannung, min.: 5.5V
Ausgangsspannung: -
Motortyp: BLDC, PMSM
Qualifikation: -
Sinkstrom: 1.5A
Eingabeverzögerung: 200ns
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Ausgänge: 6Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.2
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+647.50 грн
10+537.68 грн
25+512.47 грн
50+404.86 грн
100+324.91 грн
250+309.57 грн
500+282.38 грн
1000+236.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMD701AQ064X128AAXUMA1Infineon TechnologiesDescription: CONTROLLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 64-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: CAN, I2C, SPI, UART/USART
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 115°C (TJ)
Voltage - Supply: 5.5V ~ 60V
Controller Series: XMC1404
Program Memory Type: FLASH (128kB)
Applications: BLDC Controller
Input Type: Non-Inverting
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Supplier Device Package: PG-VQFN-64-8
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 3
Gate Type: N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.045V, 3.85V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 1.5A
Part Status: Active
Number of I/O: 20
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD701AQ064X128AAXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMD701AQ064X128AAXUMA1 - MOTORSTEUERUNG, -40-115°C
tariffCode: 85423990
Versorgungsspannung, max.: 60V
Betriebstemperatur, max.: 115°C
Ausgabeverzögerung: 200ns
Eingang: Nicht invertierend
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgangsstrom: 1.5A
Quellstrom: 1.5A
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
Produktpalette: -
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Typ: Motorsteuerung
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Versorgungsspannung, min.: 5.5V
Ausgangsspannung: -
Motortyp: BLDC, PMSM
Qualifikation: -
Sinkstrom: 1.5A
Eingabeverzögerung: 200ns
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Ausgänge: 6Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.2
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD701AQ064X128AAXUMA1Infineon TechnologiesMotor/Motion/Ignition Controllers & Drivers LEVEL SHIFT DRIVER
на замовлення 1645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+330.26 грн
10+247.76 грн
25+198.71 грн
100+179.19 грн
250+170.82 грн
1000+157.58 грн
2000+152.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMD701AQ064X128AAXUMA1Infineon TechnologiesDescription: CONTROLLER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 64-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: CAN, I2C, SPI, UART/USART
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 115°C (TJ)
Voltage - Supply: 5.5V ~ 60V
Controller Series: XMC1404
Program Memory Type: FLASH (128kB)
Applications: BLDC Controller
Input Type: Non-Inverting
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Supplier Device Package: PG-VQFN-64-8
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 3
Gate Type: N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.045V, 3.85V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 1.5A
Part Status: Active
Number of I/O: 20
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+304.34 грн
10+222.90 грн
25+205.30 грн
100+174.48 грн
250+165.79 грн
500+160.56 грн
1000+153.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMD701AQ064X128AAXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMD701AQ064X128AAXUMA1 - MOTORSTEUERUNG, -40-115°C
tariffCode: 85423990
Versorgungsspannung, max.: 60V
Betriebstemperatur, max.: 115°C
Ausgabeverzögerung: 200ns
Eingang: Nicht invertierend
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgangsstrom: 1.5A
Quellstrom: 1.5A
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
Produktpalette: -
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Typ: Motorsteuerung
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Versorgungsspannung, min.: 5.5V
Ausgangsspannung: -
Motortyp: BLDC, PMSM
Qualifikation: -
Sinkstrom: 1.5A
Eingabeverzögerung: 200ns
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Ausgänge: 6Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.2
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+342.46 грн
10+264.37 грн
25+239.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IMD8ROHM
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD8AT108ROHM SemiconductorDigital Transistors PNP/NPN 50V 100MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD8AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Supplier Device Package: SMT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMD9ROHMSOT163
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD9AROHMSOT163
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD9AT108ROHM SemiconductorDigital Transistors PNP/NPN 50V 100MA SOT-457
на замовлення 2813 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.00 грн
14+23.41 грн
100+13.46 грн
500+10.11 грн
1000+8.65 грн
3000+7.60 грн
6000+6.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMD9AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SMT6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.82 грн
6000+6.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IMD9AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SMT6
на замовлення 6818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.30 грн
15+20.85 грн
100+13.23 грн
500+9.33 грн
1000+8.33 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IMD9T108
на замовлення 7600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ65R007M2HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: IMDQ65R007M2HXUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 196A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 146.3A, 20V
Power Dissipation (Max): 937W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 29.7mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6359 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ65R007M2HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1992.93 грн
10+1642.13 грн
100+1248.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ65R007M2HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: IMDQ65R007M2HXUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 196A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 146.3A, 20V
Power Dissipation (Max): 937W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 29.7mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6359 pF @ 400 V
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1912.34 грн
10+1485.90 грн
25+1397.01 грн
100+1219.38 грн
250+1175.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ65R010M2HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 1165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1441.42 грн
10+1212.35 грн
100+911.98 грн
750+910.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ65R015M2HXUMA1InfineonSiC MOSFET N-Channel 650 V 94A (Tc) 499W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-22-1 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ65R015M2HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1129.06 грн
10+861.16 грн
100+647.73 грн
750+647.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ65R020M2HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: IMDQ65R020M2HXUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 46.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 394W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.5mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2038 pF @ 400 V
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+857.34 грн
10+649.06 грн
25+604.91 грн
100+522.11 грн
250+519.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ65R020M2HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+933.83 грн
10+687.16 грн
100+517.35 грн
500+490.16 грн
750+416.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ65R020M2HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: IMDQ65R020M2HXUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 46.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 394W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.5mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2038 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R004M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4150.18 грн
10+3488.72 грн
100+2653.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R007M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: IMDQ75R007M2HXTMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 222A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 131.5A, 20V
Power Dissipation (Max): 789W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 28.9mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 840 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 171 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5922 pF @ 500 V
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1968.82 грн
10+1455.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R007M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2152.37 грн
10+1772.83 грн
100+1348.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R007M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: IMDQ75R007M2HXTMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 222A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 131.5A, 20V
Power Dissipation (Max): 789W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 28.9mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 840 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 171 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5922 pF @ 500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R008M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMDQ75R008M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 173 A, 750 V, 0.0106 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 173A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2035.23 грн
5+1933.55 грн
10+1417.83 грн
50+1244.04 грн
100+1080.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R008M1HXUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs Y
на замовлення 681 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2776.27 грн
10+2431.92 грн
25+2032.44 грн
50+1984.33 грн
100+1849.77 грн
250+1777.95 грн
500+1681.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R008M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2110.01 грн
10+1583.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R008M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMDQ75R008M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 173 A, 750 V, 0.0106 ohm, HDSOP
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 173A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pins
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2755.94 грн
5+2602.20 грн
10+2448.46 грн
50+2131.56 грн
100+1835.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R008M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R016M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 41.5A, 20A
Power Dissipation (Max): 384W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 14.9mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2869 pF @ 500 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+666.02 грн
Мінімальне замовлення: 750
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R016M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMDQ75R016M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 98 A, 750 V, 0.022 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 384W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1538.22 грн
5+1425.15 грн
10+1311.27 грн
50+1197.21 грн
100+1031.21 грн
250+971.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R016M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 41.5A, 20A
Power Dissipation (Max): 384W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 14.9mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2869 pF @ 500 V
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1211.10 грн
10+830.19 грн
100+785.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R016M1HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1326.72 грн
10+1061.61 грн
100+798.33 грн
500+740.46 грн
750+641.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R016M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMDQ75R016M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 98 A, 750 V, 0.022 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 384W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1311.27 грн
50+1197.21 грн
100+1031.21 грн
250+971.95 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R016M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
на замовлення 774 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1177.86 грн
10+930.11 грн
100+700.02 грн
500+699.33 грн
750+698.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R016M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMDQ75R016M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 103 A, 750 V, 0.014 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 394W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1361.70 грн
5+1164.03 грн
10+965.55 грн
50+846.73 грн
100+734.89 грн
250+720.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R020M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMDQ75R020M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 81 A, 750 V, 0.018 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1165.66 грн
5+1051.78 грн
10+937.90 грн
50+825.58 грн
100+719.55 грн
250+704.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R020M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: IMDQ75R020M1HXUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 32.5A, 20V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 11.7mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2217 pF @ 500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R020M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: IMDQ75R020M1HXUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 32.5A, 20V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 11.7mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2217 pF @ 500 V
на замовлення 713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1084.81 грн
10+785.33 грн
100+779.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R020M1HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1231.55 грн
10+864.36 грн
100+628.21 грн
500+627.51 грн
750+594.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R025M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+806.93 грн
10+647.87 грн
100+469.24 грн
500+418.34 грн
750+359.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R027M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: IMDQ75R027M1HXUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 24.5A, 20V
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 8.8mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1668 pF @ 500 V
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+842.43 грн
10+600.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R027M1HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+923.26 грн
10+678.34 грн
100+483.18 грн
500+451.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R027M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: IMDQ75R027M1HXUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 24.5A, 20V
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 8.8mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1668 pF @ 500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R027M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMDQ75R027M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 750 V, 0.025 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 273W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+934.64 грн
5+832.96 грн
10+731.28 грн
50+642.79 грн
100+559.18 грн
250+548.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R033M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+790.66 грн
10+590.94 грн
100+428.10 грн
500+382.78 грн
750+358.38 грн
2250+356.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R040M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 16.6A, 20V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 6mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135 pF @ 500 V
на замовлення 562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+653.40 грн
10+431.90 грн
100+350.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R040M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMDQ75R040M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 47 A, 750 V, 0.052 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+831.34 грн
5+738.60 грн
10+645.87 грн
50+575.57 грн
100+508.28 грн
250+478.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R040M1HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+667.02 грн
10+498.73 грн
100+361.87 грн
500+315.15 грн
750+287.26 грн
2250+286.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R040M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 16.6A, 20V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 6mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135 pF @ 500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R040M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMDQ75R040M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 47 A, 750 V, 0.052 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+645.87 грн
50+575.57 грн
100+508.28 грн
250+478.30 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R040M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+680.04 грн
10+473.07 грн
100+343.04 грн
500+306.09 грн
750+287.26 грн
2250+285.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R050M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+556.39 грн
10+439.40 грн
100+308.88 грн
500+274.71 грн
750+242.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R060M1HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 522 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+571.04 грн
10+396.10 грн
100+259.37 грн
500+238.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R060M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: IMDQ75R060M1HXUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 11.1A, 20V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 500 V
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+525.54 грн
10+361.35 грн
100+315.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R060M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMDQ75R060M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 750 V, 0.055 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+559.65 грн
5+495.39 грн
10+431.12 грн
50+370.87 грн
100+314.45 грн
250+308.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R060M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: IMDQ75R060M1HXUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 11.1A, 20V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R060M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+481.56 грн
10+347.19 грн
100+244.73 грн
500+217.54 грн
750+186.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R090M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMDQ75R090M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 750 V, 0.083 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+417.30 грн
10+342.46 грн
100+287.14 грн
500+240.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R090M1HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+457.97 грн
10+310.30 грн
100+211.26 грн
500+200.80 грн
750+180.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R090M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: IMDQ75R090M1HXUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 7.4A, 20V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 542 pF @ 500 V
на замовлення 744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+401.61 грн
10+295.64 грн
25+272.80 грн
100+232.43 грн
250+221.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R090M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: IMDQ75R090M1HXUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 7.4A, 20V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 542 pF @ 500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R140M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129mOhm @ 4.7A, 20V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 351 pF @ 500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R140M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMDQ75R140M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 17 A, 750 V, 0.182 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.182ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+252.98 грн
500+216.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R140M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMDQ75R140M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 17 A, 750 V, 0.182 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.182ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+396.15 грн
10+301.79 грн
100+252.98 грн
500+216.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R140M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129mOhm @ 4.7A, 20V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 351 pF @ 500 V
на замовлення 451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+355.33 грн
10+228.19 грн
100+163.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R140M1HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+359.54 грн
10+246.96 грн
100+154.09 грн
500+126.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.