Продукція > IPF

Trans MOSFET N-CH 40V 49A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

79+	157.94 грн
84+	149.07 грн
85+	146.66 грн
100+	133.67 грн
250+	121.10 грн
500+	101.41 грн

Мінімальне замовлення: 79

В кошику од. на суму грн.

IPF009N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 49A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	114.12 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPF009N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 49A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	156.16 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPF009N04NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPF009N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 302 A, 790 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 302A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 432 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	138.47 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPF009N04NF2SATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 302A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 249µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 20 V

на замовлення 350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	291.40 грн
10+	197.80 грн
100+	142.15 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPF009N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 49A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF009N04NF2SATMA1

MOSFETs N

на замовлення 829 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	300.70 грн
10+	249.09 грн
25+	210.39 грн
100+	175.45 грн
250+	170.02 грн
500+	164.58 грн
800+	132.75 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPF009N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 49A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	134.49 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPF009N04NF2SATMA1

на замовлення 432 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	335.29 грн
10+	175.92 грн
100+	138.47 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPF009N04NF2SATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 302A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 249µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF009N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 49A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	169.22 грн
10+	159.72 грн
25+	157.14 грн
100+	143.22 грн
250+	129.76 грн
500+	108.65 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPF010N04NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPF010N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 289 A, 870 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 289A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 870µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	153.28 грн
10+	140.21 грн
100+	128.02 грн
500+	106.75 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IPF010N04NF2SATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 289A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 189µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 239 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF010N04NF2SATMA1

MOSFETs N

на замовлення 736 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	317.00 грн
10+	233.91 грн
25+	197.19 грн
100+	145.95 грн
500+	145.17 грн
800+	116.45 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPF010N04NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPF010N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 289 A, 870 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 289A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 870µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	106.75 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

IPF010N04NF2SATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 289A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 189µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 239 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF010N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 46A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF010N06NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 44A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF010N06NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 44A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	171.26 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPF010N06NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPF010N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 293 A, 880 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 293A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 880µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	126.28 грн
500+	115.64 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPF010N06NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 293A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 246µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF010N06NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 44A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 790 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

69+	182.15 грн
73+	171.95 грн
74+	169.22 грн
100+	154.22 грн
250+	139.83 грн
500+	116.90 грн

Мінімальне замовлення: 69

В кошику од. на суму грн.

IPF010N06NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 44A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	138.57 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPF010N06NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 44A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 790 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	195.16 грн
10+	184.23 грн
25+	181.30 грн
100+	165.23 грн
250+	149.82 грн
500+	125.25 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPF010N06NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 44A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	164.75 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPF010N06NF2SATMA1

на замовлення 970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	256.04 грн
10+	129.76 грн
100+	126.28 грн
500+	115.64 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPF010N06NF2SATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 228 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	310.66 грн
10+	154.45 грн
100+	131.20 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPF010N06NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 293A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 246µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 30 V

на замовлення 370 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	370.34 грн
10+	237.27 грн
100+	169.28 грн

В кошику од. на суму грн.

IPF010N06NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 44A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	191.31 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPF011N08NM6ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 271A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 279µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF011N08NM6ATMA1

TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF011N08NM6ATMA1

MOSFETs OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in DPAK 7-pin

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF011N08NM6ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 271A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 279µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF012N06NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 41A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF012N06NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 282A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 186µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 30 V

на замовлення 245 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	327.51 грн
10+	207.43 грн
100+	146.19 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPF012N06NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 41A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	119.07 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPF012N06NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPF012N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 282 A, 0.0011 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 282A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 221 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	311.78 грн
10+	219.46 грн
100+	156.76 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPF012N06NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 41A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	177.13 грн
10+	162.83 грн
25+	158.92 грн
100+	141.25 грн
250+	126.90 грн
500+	100.66 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPF012N06NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 282A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 186µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF012N06NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 41A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	106.87 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPF012N06NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 41A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

76+	165.32 грн
82+	151.97 грн
84+	148.32 грн
100+	131.83 грн
250+	118.44 грн
500+	93.95 грн

Мінімальне замовлення: 76

В кошику од. на суму грн.

IPF012N06NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 41A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	138.26 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPF012N06NF2SATMA1

на замовлення 221 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	156.76 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPF012N06NF2SATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 892 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	304.32 грн
10+	192.84 грн
100+	114.12 грн
500+	107.91 грн
800+	100.15 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPF013N04NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPF013N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 232 A, 0.00108 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 232A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00108ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 698 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	189.85 грн
10+	98.41 грн
100+	87.00 грн
500+	70.11 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPF013N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF013N04NF2SATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 232A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 126µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 20 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	220.86 грн
10+	143.78 грн
100+	108.11 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPF013N04NF2SATMA1

на замовлення 698 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	87.00 грн
500+	70.11 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPF013N04NF2SATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 238 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	220.09 грн
10+	149.09 грн
100+	77.48 грн
500+	74.14 грн
800+	72.43 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPF013N04NF2SATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 239A; Idm: 956A; 231W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Technology: StrongIRFET™ 2
Polarisation: unipolar
Gate charge: 106nC
On-state resistance: 1.35mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 231W
Drain current: 239A
Case: D2PAK-7
Pulsed drain current: 956A
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF013N04NF2SATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 232A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 126µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 20 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	86.50 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPF014N08NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 282A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-14
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 40 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	154.65 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPF014N08NF2SATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF014N08NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPF014N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 282 A, 0.0012 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 282A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 261 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	418.02 грн
10+	264.75 грн
100+	201.17 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPF014N08NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 282A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-14
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 40 V

на замовлення 1599 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	335.91 грн
10+	200.88 грн
100+	182.28 грн

В кошику од. на суму грн.

IPF014N08NF2SATMA1

на замовлення 261 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	201.17 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPF014N08NF2SATMA1

N Channel Power Mosfet

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	138.57 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPF015N10N5ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 276A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.53mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 279µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF015N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 35A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF015N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPF015N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 0.0014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 276A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 766 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	654.03 грн
5+	580.88 грн
10+	507.72 грн
50+	452.86 грн
100+	400.11 грн
250+	376.22 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPF015N10N5ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 796 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	649.40 грн
10+	549.06 грн
25+	433.19 грн
100+	397.48 грн
250+	374.19 грн
500+	350.12 грн
1000+	315.97 грн

В кошику од. на суму грн.

IPF015N10N5ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 276A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.53mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 279µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF015N10N5ATMA1

на замовлення 766 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	507.72 грн
50+	452.86 грн
100+	400.11 грн
250+	376.22 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPF016N06NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 223A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 129µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 30 V

на замовлення 989 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	230.94 грн
10+	149.36 грн
100+	103.70 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPF016N06NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 35A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF016N06NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPF016N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 223 A, 1300 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 223A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 770 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	123.67 грн
500+	93.81 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPF016N06NF2SATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 2562 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	246.36 грн
10+	162.49 грн
100+	98.59 грн
500+	71.19 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPF016N06NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 223A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 129µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 30 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	76.82 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPF016N06NF2SATMA1

на замовлення 770 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	268.23 грн
10+	176.79 грн
100+	123.67 грн
500+	93.81 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPF016N10NF2SATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 274A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-14
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V

на замовлення 2611 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	435.01 грн
10+	280.77 грн
100+	202.35 грн

В кошику од. на суму грн.

IPF016N10NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPF016N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 274 A, 0.0014 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 274A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 858 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	465.92 грн
10+	323.97 грн
50+	279.55 грн
100+	217.53 грн
250+	197.07 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPF016N10NF2SATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 274A; 300W; D2PAK-7; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 274A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 161nC
Kind of channel: enhancement
Technology: MOSFET
Electrical mounting: SMT

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

800+	205.53 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPF016N10NF2SATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 274A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-14
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	169.64 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPF016N10NF2SATMA1

SP005578929

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	153.97 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPF016N10NF2SATMA1

на замовлення 858 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	217.53 грн
250+	197.07 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPF016N10NF2SATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 1406 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	453.76 грн
10+	308.90 грн
100+	193.31 грн
500+	173.12 грн
800+	162.25 грн

В кошику од. на суму грн.

IPF017N08NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPF017N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 259 A, 0.0014 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 259A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 105 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	363.16 грн
10+	256.04 грн
100+	186.37 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPF017N08NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 33A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	115.03 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPF017N08NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 259A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 194µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-14
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 40 V

на замовлення 1355 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	324.99 грн
10+	220.77 грн
100+	156.91 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPF017N08NF2SATMA1

на замовлення 105 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	186.37 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPF017N08NF2SATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 565 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	344.17 грн
10+	244.62 грн
100+	151.38 грн
500+	120.33 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPF017N08NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 259A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 194µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-14
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 40 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	124.96 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPF018N10NM5LF2ATMA1

Description: IPF018N10NM5LF2ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 259A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF018N10NM5LF2ATMA1

MOSFETs OptiMOS 5 Linear FET 2, 100 V

на замовлення 493 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	445.61 грн
10+	351.75 грн
100+	246.87 грн
500+	221.25 грн
1000+	187.87 грн

В кошику од. на суму грн.

IPF018N10NM5LF2ATMA1

Description: INFINEON - IPF018N10NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 259 A, 0.0017 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	322.23 грн
500+	271.72 грн
1000+	232.15 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPF018N10NM5LF2ATMA1

Description: IPF018N10NM5LF2ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 259A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 50 V

на замовлення 199 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	463.56 грн
10+	299.94 грн
100+	217.40 грн

В кошику од. на суму грн.

IPF018N10NM5LF2ATMA1

Description: INFINEON - IPF018N10NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 259 A, 0.0017 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 259A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	424.99 грн
10+	366.64 грн
100+	322.23 грн
500+	271.72 грн
1000+	232.15 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPF019N12NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF019N12NM6ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 1940 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	577.85 грн
10+	397.29 грн
25+	340.81 грн
100+	252.31 грн
500+	233.68 грн
1000+	222.03 грн
2000+	209.61 грн

В кошику од. на суму грн.

IPF019N12NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	550.06 грн
10+	358.49 грн
100+	261.45 грн

В кошику од. на суму грн.

IPF019N12NM6ATMA1

N-Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF021N13NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 250A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 276µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 208 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 68 V

на замовлення 628 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	493.79 грн
10+	345.14 грн
100+	270.22 грн

В кошику од. на суму грн.

IPF021N13NM6ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 1826 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	526.22 грн
10+	376.75 грн
100+	256.97 грн
500+	253.86 грн
1000+	232.90 грн
2000+	222.81 грн

В кошику од. на суму грн.

IPF021N13NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 250A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 276µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 208 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 68 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF021N13NM6ATMA1

Description: INFINEON - IPF021N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 250 A, 0.00205 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00205ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	584.36 грн
10+	408.44 грн
50+	407.57 грн
200+	287.08 грн
500+	253.80 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPF021N13NM6ATMA1

TRENCH >=100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF021N13NM6ATMA1

Description: INFINEON - IPF021N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 250 A, 0.00205 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00205ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	408.44 грн
50+	407.57 грн
200+	287.08 грн
500+	253.80 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPF023N08NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPF023N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 209 A, 0.002 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 209A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 184 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	169.82 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPF023N08NF2SATMA1

N Channel Power Mosfet

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	99.63 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPF023N08NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 139µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-14
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 40 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	351.87 грн
10+	223.76 грн
100+	158.40 грн

В кошику од. на суму грн.

IPF023N08NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 139µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-14
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 40 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	129.06 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPF023N08NF2SATMA1

на замовлення 184 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	283.04 грн
10+	210.75 грн
100+	169.82 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPF023N08NF2SATMA1

MOSFETs N

на замовлення 717 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	329.68 грн
10+	243.73 грн
25+	208.83 грн
100+	150.61 грн
800+	121.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPF024N10NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPF024N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 227 A, 0.0021 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 227A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 118 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	176.79 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPF024N10NF2SATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 227A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 169µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-14
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 50 V

на замовлення 133 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	323.32 грн
10+	212.52 грн
100+	154.47 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPF024N10NF2SATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 592 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	331.49 грн
10+	215.16 грн
100+	133.53 грн
800+	101.70 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPF024N10NF2SATMA1

N Channel Power Mosfet

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	112.31 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPF024N10NF2SATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 227A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 169µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-14
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF024N10NF2SATMA1

на замовлення 118 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	357.06 грн
10+	243.85 грн
100+	176.79 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPF026N15NM6ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 1066 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	582.38 грн
10+	405.32 грн
100+	293.45 грн
500+	271.72 грн
1000+	230.57 грн

В кошику од. на суму грн.

IPF026N15NM6ATMA1

IPF026N15NM6ATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF026N15NM6ATMA1

Power MOSFET

на замовлення 61000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	393.03 грн
30000+	360.87 грн
45000+	337.54 грн
60000+	308.62 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPF026N15NM6ATMA1

Power MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF026N15NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 239A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 276µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 75 V

на замовлення 550 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	546.70 грн
10+	358.73 грн
100+	298.94 грн
500+	254.77 грн

В кошику од. на суму грн.

IPF026N15NM6ATMA1

Power MOSFET

на замовлення 513 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	453.84 грн
35+	361.73 грн
38+	327.90 грн
100+	291.09 грн
250+	256.87 грн
500+	237.00 грн

Мінімальне замовлення: 28

В кошику од. на суму грн.

IPF026N15NM6ATMA1

Power MOSFET

на замовлення 513 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	486.26 грн
10+	387.57 грн
25+	351.32 грн
100+	311.88 грн
250+	275.21 грн
500+	253.93 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPF026N15NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 239A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 276µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 75 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF031N13NM6ATMA1

Description: INFINEON - IPF031N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 207 A, 3000 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 207A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	270.84 грн
200+	222.39 грн
500+	203.04 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPF031N13NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 207A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 90A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 394W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 68 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF031N13NM6ATMA1

Description: INFINEON - IPF031N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 207 A, 0.003 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 207A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	388.41 грн
10+	303.07 грн
50+	302.20 грн
200+	221.58 грн
500+	170.20 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPF031N13NM6ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 727 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	355.04 грн
10+	277.65 грн
100+	191.75 грн
500+	188.65 грн
1000+	165.36 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPF031N13NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 207A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 90A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 394W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 68 V

на замовлення 490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	332.55 грн
10+	254.49 грн
100+	201.76 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPF031N13NM6ATMA1

TRENCH >=100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF036N15NM6ATMA1

MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 7-pin package

на замовлення 251 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	399.42 грн
10+	288.37 грн
100+	202.62 грн
500+	181.66 грн
1000+	154.49 грн

В кошику од. на суму грн.

IPF036N15NM6ATMA1

Description: INFINEON - IPF036N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 190 A, 3400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	427.60 грн
10+	313.52 грн
100+	253.43 грн
500+	210.26 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPF039N08NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPF039N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 126 A, 0.0035 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 597 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	86.04 грн
500+	78.12 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPF039N08NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 126A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-14
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF039N08NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 22A

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	81.88 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPF039N08NF2SATMA1

на замовлення 597 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	128.02 грн
10+	87.96 грн
100+	86.04 грн
500+	78.12 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IPF039N08NF2SATMA1

MOSFETs N

на замовлення 789 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	269.00 грн
10+	199.09 грн
25+	171.57 грн
100+	125.77 грн
800+	97.04 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPF039N08NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 126A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-14
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V

на замовлення 682 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	276.29 грн
10+	174.59 грн
100+	122.39 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPF041N10NF2SATMA1

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF042N10NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPF042N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 139 A, 0.0037 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 139A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1296 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	62.70 грн
500+	56.45 грн
1000+	47.18 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPF042N10NF2SATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 139A; Idm: 556A; 167W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 139A
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 57nC
Power dissipation: 167W
Pulsed drain current: 556A
Technology: StrongIRFET™ 2
On-state resistance: 4.25mΩ

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF042N10NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	64.94 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPF042N10NF2SATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 1029 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	179.33 грн
10+	94.63 грн
100+	61.10 грн
500+	57.14 грн
800+	46.42 грн
2400+	46.35 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPF042N10NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 4800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	90.30 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPF042N10NF2SATMA1

Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 139A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.25mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 50 V

на замовлення 161 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	172.99 грн
10+	106.83 грн
100+	72.85 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPF042N10NF2SATMA1

на замовлення 1296 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	157.63 грн
11+	82.21 грн
100+	62.70 грн
500+	56.45 грн
1000+	47.18 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IPF042N10NF2SATMA1

Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 139A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.25mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF048N15NM6ATMA1

Description: INFINEON - IPF048N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 146 A, 0.0046 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 146A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	346.61 грн
10+	256.91 грн
100+	203.79 грн
500+	162.54 грн
1000+	136.60 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPF048N15NM6ATMA1

Description: INFINEON - IPF048N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 146 A, 0.0046 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	203.79 грн
500+	162.54 грн
1000+	136.60 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPF048N15NM6ATMA1

MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 7-pin package

на замовлення 304 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	344.17 грн
10+	222.30 грн
100+	145.17 грн
500+	129.65 грн
1000+	109.46 грн
2000+	104.03 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPF049N10NF2SATMA1

SP005578921

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF049N10NF2SATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF04N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5199 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF04N03LA G

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF050N03LG

Infineon

0724+

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPF050N10NF2SATMA1

Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 117A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.05mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V

на замовлення 1311 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	192.31 грн
10+	121.87 грн
100+	78.32 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPF050N10NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 19A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF050N10NF2SATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 1089 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	210.13 грн
10+	119.63 грн
100+	69.40 грн
500+	68.08 грн
800+	61.10 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPF050N10NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPF050N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 117 A, 4400 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 117A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 104 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	174.18 грн
10+	101.02 грн
100+	66.88 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPF050N10NF2SATMA1

Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 117A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.05mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	67.40 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPF050N10NF2SATMA1

на замовлення 104 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	66.88 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPF05N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3110 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF05N03LAG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3110 pF @ 15 V

на замовлення 22500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

547+	44.22 грн

Мінімальне замовлення: 547

В кошику од. на суму грн.

IPF067N20NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 15.4A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF067N20NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 138A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 253µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 100 V

на замовлення 1756 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	758.32 грн
10+	502.11 грн
100+	373.02 грн
500+	322.89 грн

В кошику од. на суму грн.

IPF067N20NM6ATMA1

Description: INFINEON - IPF067N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 138 A, 0.0062 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 138A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 321 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	648.81 грн
5+	545.17 грн
10+	441.54 грн
50+	376.03 грн
100+	315.76 грн
250+	309.79 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPF067N20NM6ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 200V; 138A; Idm: 552A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 138A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 72nC
Pulsed drain current: 552A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF067N20NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 15.4A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 16000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	343.22 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPF067N20NM6ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 279 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	624.04 грн
10+	419.61 грн
100+	282.58 грн
1000+	252.31 грн

В кошику од. на суму грн.

IPF067N20NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 15.4A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF067N20NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 138A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 253µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 100 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	357.30 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPF067N20NM6ATMA1

на замовлення 321 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	441.54 грн
50+	376.03 грн
100+	315.76 грн
250+	309.79 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPF06N03LA

MOSFET N-KANAL POWER MOS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF06N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2653 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF06N03LAG

MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF09N03LA

MOSFET N-KANAL POWER MOS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF09N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1642 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF09N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1642 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF09N03LAG

MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF105N03

infineon

07+

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPF105N03LG

infineon

07+

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPF10N03LA

Infineon

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF10N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF10N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1358 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF129N20NM6ATMA1

Description: IPF129N20NM6ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 65A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 129µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF129N20NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 11A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 23000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	268.94 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPF129N20NM6ATMA1

Description: INFINEON - IPF129N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 87 A, 0.012 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 810 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	384.06 грн
10+	323.10 грн
100+	267.36 грн
500+	224.00 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPF129N20NM6ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 200V; 87A; Idm: 348A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 87A
Power dissipation: 234W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 37nC
Pulsed drain current: 348A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF129N20NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 11A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF129N20NM6ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 667 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	407.57 грн
10+	291.05 грн
100+	211.94 грн
500+	198.74 грн
1000+	168.46 грн

В кошику од. на суму грн.

IPF129N20NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 11A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 965 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

53+	234.71 грн
60+	208.60 грн
100+	199.15 грн
250+	182.55 грн
500+	173.54 грн

Мінімальне замовлення: 53

В кошику од. на суму грн.

IPF129N20NM6ATMA1

Description: IPF129N20NM6ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 65A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 129µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 100 V

на замовлення 797 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	456.00 грн
10+	293.87 грн
100+	211.55 грн
500+	165.58 грн

В кошику од. на суму грн.

IPF129N20NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 11A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 965 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	251.57 грн
10+	230.07 грн
25+	227.76 грн
100+	217.40 грн
250+	199.31 грн
500+	189.44 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPF129N20NM6ATMA1

на замовлення 810 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	267.36 грн
500+	224.00 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPF13N03LA

MOSFET N-KANAL POWER MOS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF13N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1043 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF13N03LA G

MOSFET N-Ch 25V 30A DPAK-2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF13N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1043 pF @ 15 V

на замовлення 444 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	38.63 грн
11+	31.54 грн
100+	27.33 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

IPF13N03LAG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPF7473TRPBF

SOP8

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPFH6N03LA G