Продукція > IPF

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IPF009N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 49A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+154.95 грн
84+146.25 грн
85+143.89 грн
100+131.14 грн
250+118.81 грн
500+99.49 грн
Мінімальне замовлення: 79
В кошику  од. на суму  грн.
IPF009N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 829 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+288.23 грн
10+238.76 грн
25+201.66 грн
100+168.18 грн
250+162.97 грн
500+157.76 грн
800+127.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPF009N04NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPF009N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 302 A, 790 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 302A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+299.68 грн
10+175.30 грн
100+131.06 грн
500+103.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPF009N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 302A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 249µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPF009N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 49A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+132.78 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IPF009N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 49A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPF009N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 49A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+131.94 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IPF009N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 49A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+109.39 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IPF009N04NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPF009N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 302 A, 790 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 302A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+131.06 грн
500+103.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPF009N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 302A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 249µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 20 V
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+279.32 грн
10+189.60 грн
100+136.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPF009N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 49A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+143.88 грн
10+135.80 грн
25+133.61 грн
100+121.78 грн
250+110.33 грн
500+92.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPF010N04NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPF010N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 289 A, 870 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 289A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 870µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+102.32 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IPF010N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 289A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 189µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 239 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPF010N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 46A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPF010N04NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPF010N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 289 A, 870 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 289A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 870µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+146.92 грн
10+134.40 грн
100+122.71 грн
500+102.32 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPF010N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 289A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 189µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 239 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPF010N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 736 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+303.86 грн
10+224.21 грн
25+189.01 грн
100+139.90 грн
500+139.15 грн
800+111.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPF010N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 44A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+132.83 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IPF010N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 44A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPF010N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 44A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+168.02 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IPF010N06NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPF010N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 293 A, 880 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 293A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 880µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+366.46 грн
10+250.43 грн
100+181.15 грн
500+165.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPF010N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 293A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 246µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 30 V
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+382.35 грн
10+244.48 грн
100+174.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPF010N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 44A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+178.70 грн
73+168.70 грн
74+166.01 грн
100+151.30 грн
250+137.19 грн
500+114.69 грн
Мінімальне замовлення: 69
В кошику  од. на суму  грн.
IPF010N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+342.06 грн
10+240.47 грн
25+203.15 грн
100+159.99 грн
250+156.27 грн
500+138.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPF010N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 44A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+165.94 грн
10+156.65 грн
25+154.16 грн
100+140.49 грн
250+127.39 грн
500+106.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPF010N06NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPF010N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 293 A, 880 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 293A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 880µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+181.15 грн
500+165.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPF010N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 293A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 246µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPF010N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 44A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+161.64 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IPF010N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 44A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+162.67 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IPF011N08NM6ATMA1Infineon TechnologiesTRENCH 40<-<100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPF011N08NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPF011N08NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPF012N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 282A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 186µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 30 V
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+313.93 грн
10+198.82 грн
100+140.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPF012N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 41A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPF012N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 41A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+102.44 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IPF012N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 41A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+116.82 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IPF012N06NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPF012N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 282 A, 0.0011 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 282A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+136.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPF012N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 282A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 186µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPF012N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 41A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+150.61 грн
10+138.45 грн
25+135.12 грн
100+120.10 грн
250+107.90 грн
500+85.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPF012N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+323.82 грн
10+216.51 грн
25+181.57 грн
100+133.94 грн
250+128.74 грн
500+121.29 грн
800+106.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPF012N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 41A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+162.19 грн
82+149.10 грн
84+145.52 грн
100+129.34 грн
250+116.20 грн
500+92.17 грн
Мінімальне замовлення: 76
В кошику  од. на суму  грн.
IPF012N06NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPF012N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 282 A, 0.0011 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 282A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+270.47 грн
10+186.15 грн
100+136.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPF012N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 41A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+117.56 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IPF013N04NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPF013N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 232 A, 0.00108 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 232A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00108ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+83.39 грн
500+67.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPF013N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+239.61 грн
10+176.29 грн
100+106.41 грн
500+104.18 грн
800+80.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPF013N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 232A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 126µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 20 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+211.70 грн
10+137.82 грн
100+103.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPF013N04NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPF013N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 232 A, 0.00108 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 232A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00108ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+181.98 грн
10+94.33 грн
100+83.39 грн
500+67.20 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPF013N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 232A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 126µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 20 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+82.91 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IPF013N04NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPF014N08NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPF014N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 282 A, 0.0012 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 282A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+190.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPF014N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesN Channel Power Mosfet
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+132.83 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IPF014N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 282A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-14
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 40 V
на замовлення 911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+378.33 грн
10+253.86 грн
100+187.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPF014N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+425.40 грн
10+272.99 грн
25+223.99 грн
100+182.31 грн
250+174.87 грн
500+157.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPF014N08NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPF014N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 282 A, 0.0012 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 282A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+366.46 грн
10+257.11 грн
100+190.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPF014N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 282A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-14
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 40 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+159.50 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IPF015N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 35A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPF015N10N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPF015N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 0.0014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 276A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+626.91 грн
5+556.79 грн
10+486.67 грн
50+434.08 грн
100+383.52 грн
250+360.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPF015N10N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 276A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.53mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 279µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPF015N10N5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+622.47 грн
10+526.29 грн
25+415.23 грн
100+381.00 грн
250+358.67 грн
500+335.61 грн
1000+302.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPF015N10N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPF015N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 0.0014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 276A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+486.67 грн
50+434.08 грн
100+383.52 грн
250+360.62 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPF015N10N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 276A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.53mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 279µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+662.48 грн
10+436.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPF016N06NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPF016N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 223 A, 0.0013 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 223A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+242.08 грн
10+163.61 грн
100+114.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPF016N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 223A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 129µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 30 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+73.63 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IPF016N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 35A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPF016N06NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPF016N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 223 A, 0.0013 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 223A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+114.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPF016N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 223A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 129µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 30 V
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+221.36 грн
10+143.17 грн
100+99.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPF016N06NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 2562 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+256.11 грн
10+169.44 грн
100+102.69 грн
250+101.95 грн
500+98.97 грн
800+75.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPF016N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 274A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-14
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V
на замовлення 2738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+404.09 грн
10+271.07 грн
100+196.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPF016N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesSP005578929
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+147.59 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IPF016N10NF2SATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
800+194.50 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IPF016N10NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPF016N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 274 A, 0.0014 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 274A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+190.69 грн
250+172.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPF016N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 274A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-14
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+165.53 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IPF016N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 3196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+466.20 грн
10+320.05 грн
100+201.66 грн
500+191.24 грн
800+171.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPF016N10NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPF016N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 274 A, 0.0014 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 274A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+393.18 грн
10+275.47 грн
50+240.41 грн
100+190.69 грн
250+172.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPF017N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+350.74 грн
10+257.58 грн
25+222.50 грн
100+159.99 грн
800+131.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPF017N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 259A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 194µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-14
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 40 V
на замовлення 1355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+325.20 грн
10+225.33 грн
100+160.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPF017N08NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPF017N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 259 A, 0.0014 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 259A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+302.19 грн
10+216.21 грн
100+159.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPF017N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 259A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 194µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-14
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 40 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+128.79 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IPF017N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 33A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+110.26 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IPF017N08NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPF017N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 259 A, 0.0014 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 259A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+159.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPF019N12NM6ATMA1Infineon TechnologiesN-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPF019N12NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+527.25 грн
10+343.62 грн
100+250.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPF019N12NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+553.89 грн
10+380.81 грн
25+326.68 грн
100+241.84 грн
500+223.99 грн
1000+212.82 грн
2000+200.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPF019N12NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPF021N13NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPF021N13NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPF021N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 250 A, 0.00205 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+423.23 грн
50+390.67 грн
200+331.76 грн
500+278.34 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPF021N13NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+572.99 грн
10+398.78 грн
25+346.02 грн
100+266.40 грн
250+265.66 грн
500+259.70 грн
1000+242.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPF021N13NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+512.76 грн
10+341.99 грн
100+267.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPF021N13NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPF021N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 250 A, 0.00205 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00205ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+597.70 грн
10+423.23 грн
50+390.67 грн
200+331.76 грн
500+278.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPF021N13NM6ATMA1Infineon TechnologiesTRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPF023N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 139µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-14
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 40 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+123.71 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IPF023N08NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPF023N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 209 A, 0.002 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 209A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+147.75 грн
500+99.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPF023N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesN Channel Power Mosfet
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+95.50 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IPF023N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 139µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-14
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 40 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+337.28 грн
10+214.48 грн
100+151.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPF023N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 717 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+316.01 грн
10+233.62 грн
25+200.17 грн
100+144.36 грн
800+116.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPF023N08NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPF023N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 209 A, 0.002 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 209A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+290.50 грн
10+201.18 грн
100+147.75 грн
500+99.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPF024N10NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPF024N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 227 A, 0.0021 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 227A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+342.26 грн
10+233.74 грн
100+169.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPF024N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesN Channel Power Mosfet
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+107.65 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IPF024N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 227A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 169µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-14
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPF024N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 602 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+356.81 грн
10+240.47 грн
100+151.80 грн
250+150.32 грн
500+126.50 грн
800+125.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPF024N10NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPF024N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 227 A, 0.0021 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 227A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+169.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPF024N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 227A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 169µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-14
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 50 V
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+309.91 грн
10+203.71 грн
100+148.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPF026N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 1392 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+533.92 грн
10+429.59 грн
100+311.05 грн
500+285.75 грн
1000+241.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPF026N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 239A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 276µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 75 V
на замовлення 1589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+684.21 грн
10+539.58 грн
100+431.96 грн
500+386.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPF026N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 239A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 276µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 75 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+369.28 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPF026N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesIPF026N15NM6ATMA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPF031N13NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPF031N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 207 A, 0.003 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 207A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+272.14 грн
200+211.61 грн
500+172.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPF031N13NM6ATMA1Infineon TechnologiesTRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPF031N13NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+337.28 грн
10+253.70 грн
100+200.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPF031N13NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+381.12 грн
10+294.38 грн
25+255.24 грн
100+209.85 грн
1000+174.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPF031N13NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPF031N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 207 A, 0.003 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 207A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+418.22 грн
10+315.54 грн
50+272.14 грн
200+211.61 грн
500+172.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPF031N13NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPF036N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 7-pin package
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+386.33 грн
10+304.65 грн
100+214.31 грн
500+191.24 грн
1000+162.97 грн
2000+154.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPF039N08NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPF039N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 126 A, 0.0035 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+122.71 грн
10+84.31 грн
100+82.48 грн
500+74.88 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPF039N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 126A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-14
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V
на замовлення 682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+234.24 грн
10+157.51 грн
100+121.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPF039N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+257.84 грн
10+190.83 грн
25+164.45 грн
100+120.55 грн
800+93.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPF039N08NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPF039N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 126 A, 0.0035 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+82.48 грн
500+74.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPF039N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 22A
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+78.48 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IPF039N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 126A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-14
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPF041N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPF042N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+234.40 грн
10+157.46 грн
100+92.27 грн
250+86.32 грн
500+75.90 грн
800+69.95 грн
4800+68.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPF042N10NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPF042N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 139 A, 0.0037 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 139A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+226.22 грн
10+154.43 грн
100+104.35 грн
500+79.06 грн
1000+67.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPF042N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 139A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.25mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPF042N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+62.25 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IPF042N10NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPF042N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 139 A, 0.0037 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 139A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+104.35 грн
500+79.06 грн
1000+67.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPF042N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+88.59 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IPF042N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 139A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.25mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 50 V
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+154.55 грн
10+82.71 грн
100+63.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPF048N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 7-pin package
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+296.04 грн
10+218.22 грн
100+153.29 грн
500+135.43 грн
1000+116.83 грн
2000+112.36 грн
5000+109.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPF049N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesSP005578921
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPF049N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPF04N03LAInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5199 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPF04N03LA GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5199 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPF050N03LGInfineon0724+
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPF050N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 117A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.05mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+64.61 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IPF050N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 1099 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+206.62 грн
10+139.49 грн
100+85.58 грн
500+74.04 грн
800+65.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPF050N10NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPF050N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 117 A, 0.0044 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 117A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+92.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPF050N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 117A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.05mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V
на замовлення 1311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.34 грн
10+116.81 грн
100+75.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPF050N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 19A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPF050N10NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPF050N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 117 A, 0.0044 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 117A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+201.18 грн
10+131.89 грн
100+92.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPF05N03LA GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3110 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPF05N03LAGInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3110 pF @ 15 V
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
547+42.38 грн
Мінімальне замовлення: 547
В кошику  од. на суму  грн.
IPF067N20NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPF067N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 138 A, 0.0062 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 138A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+720.41 грн
5+615.23 грн
10+510.04 грн
50+412.38 грн
100+324.13 грн
250+317.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPF067N20NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 138A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 253µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 100 V
на замовлення 1756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+726.88 грн
10+481.29 грн
100+357.55 грн
500+309.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPF067N20NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPF067N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 138 A, 0.0062 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 138A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+510.04 грн
50+412.38 грн
100+324.13 грн
250+317.69 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPF067N20NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 138A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 253µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+342.48 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPF067N20NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 1234 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+761.38 грн
10+530.57 грн
100+343.05 грн
500+328.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPF06N03LAInfineon TechnologiesMOSFET N-KANAL POWER MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPF06N03LA GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2653 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPF06N03LAGInfineon TechnologiesMOSFET N-Channel MOSFET 20-200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPF09N03LAInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1642 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPF09N03LAInfineon TechnologiesMOSFET N-KANAL POWER MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPF09N03LA GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1642 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPF09N03LAGInfineon TechnologiesMOSFET N-Channel MOSFET 20-200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPF105N03infineon07+
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPF105N03LGinfineon07+
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPF10N03LAInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPF10N03LAInfineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPF10N03LA GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1358 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPF129N20NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IPF129N20NM6ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 65A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 129µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 100 V
на замовлення 797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+437.09 грн
10+281.69 грн
100+202.78 грн
500+158.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPF129N20NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPF129N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 87 A, 0.012 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+391.51 грн
100+316.38 грн
500+278.28 грн
1000+217.52 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPF129N20NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 967 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+500.93 грн
10+415.04 грн
25+340.82 грн
100+291.70 грн
250+275.33 грн
500+260.45 грн
1000+221.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPF129N20NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IPF129N20NM6ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 65A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 129µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPF129N20NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPF129N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 87 A, 0.012 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+494.18 грн
10+391.51 грн
100+316.38 грн
500+278.28 грн
1000+217.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPF13N03LAInfineon TechnologiesMOSFET N-KANAL POWER MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPF13N03LA GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1043 pF @ 15 V
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.03 грн
11+30.23 грн
100+26.19 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPF13N03LA GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 30A DPAK-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPF13N03LA GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1043 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPF13N03LAGInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPF7473TRPBFIRSOP8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPFH6N03LA GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2390 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.