Продукція > IPF

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

IPF009N04NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 49A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	162.44 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPF009N04NF2SATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPF009N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 302 A, 790 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 302A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 432 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	126.65 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPF009N04NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 302A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 249µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 20 V

на замовлення 350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	266.53 грн
10+	180.92 грн
100+	130.02 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPF009N04NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 49A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF009N04NF2SATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs N

на замовлення 829 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	264.46 грн
10+	219.06 грн
25+	185.03 грн
100+	154.30 грн
250+	149.52 грн
500+	144.74 грн
800+	116.75 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPF009N04NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 49A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	139.89 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPF009N04NF2SATMA1

INFINEON

на замовлення 432 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	306.67 грн
10+	160.90 грн
100+	126.65 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPF009N04NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 302A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 249µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF009N04NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 49A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	176.02 грн
10+	166.14 грн
25+	163.46 грн
100+	148.98 грн
250+	134.97 грн
500+	113.02 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPF009N04NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 49A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

79+	164.29 грн
84+	155.06 грн
85+	152.56 грн
100+	139.04 грн
250+	125.97 грн
500+	105.48 грн

Мінімальне замовлення: 79

В кошику од. на суму грн.

IPF010N04NF2SATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPF010N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 289 A, 870 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 289A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 870µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	97.63 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

IPF010N04NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 289A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 189µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 239 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF010N04NF2SATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPF010N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 289 A, 870 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 289A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 870µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	140.19 грн
10+	128.24 грн
100+	117.09 грн
500+	97.63 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IPF010N04NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 289A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 189µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 239 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF010N04NF2SATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs N

на замовлення 736 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	278.79 грн
10+	205.72 грн
25+	173.42 грн
100+	128.36 грн
500+	127.68 грн
800+	102.41 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPF010N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 44A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 790 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	203.00 грн
10+	191.64 грн
25+	188.59 грн
100+	171.87 грн
250+	155.84 грн
500+	130.28 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPF010N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 44A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	171.38 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPF010N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 228 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	273.22 грн
10+	135.83 грн
100+	115.39 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPF010N06NF2SATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPF010N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 293 A, 880 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 293A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 880µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	234.19 грн
10+	118.69 грн
100+	115.50 грн
500+	105.77 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPF010N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 293A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 246µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 30 V

на замовлення 370 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	338.73 грн
10+	217.01 грн
100+	154.83 грн

В кошику од. на суму грн.

IPF010N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 44A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	199.00 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPF010N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 44A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF010N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 44A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	178.15 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPF010N06NF2SATMA1

INFINEON

на замовлення 970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	115.50 грн
500+	105.77 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPF010N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 293A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 246µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF010N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 44A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 790 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

69+	189.47 грн
73+	178.86 грн
74+	176.02 грн
100+	160.42 грн
250+	145.45 грн
500+	121.60 грн

Мінімальне замовлення: 69

В кошику од. на суму грн.

IPF011N08NM6ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in DPAK 7-pin

на замовлення 700 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	525.72 грн
10+	354.11 грн
100+	234.87 грн
1000+	219.85 грн

В кошику од. на суму грн.

IPF011N08NM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 271A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 279µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 40 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	211.68 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPF011N08NM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 271A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 279µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 40 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	500.04 грн
10+	326.63 грн
100+	249.50 грн

В кошику од. на суму грн.

IPF012N06NF2SATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPF012N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 282 A, 0.0011 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 282A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 221 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	285.17 грн
10+	200.73 грн
100+	143.38 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPF012N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 41A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	184.25 грн
10+	169.37 грн
25+	165.30 грн
100+	146.93 грн
250+	132.00 грн
500+	104.70 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPF012N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 282A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 186µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF012N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 41A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

76+	171.96 грн
82+	158.08 грн
84+	154.28 грн
100+	137.13 грн
250+	123.20 грн
500+	97.72 грн

Мінімальне замовлення: 76

В кошику од. на суму грн.

IPF012N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 41A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	143.82 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPF012N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 892 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	267.64 грн
10+	169.60 грн
100+	100.37 грн
500+	94.90 грн
800+	88.08 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPF012N06NF2SATMA1

INFINEON

на замовлення 221 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	143.38 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPF012N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 41A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF012N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 282A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 186µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 30 V

на замовлення 245 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	299.56 грн
10+	189.72 грн
100+	133.71 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPF012N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 41A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	123.86 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPF013N04NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 232A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 126µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 20 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	202.01 грн
10+	131.51 грн
100+	98.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPF013N04NF2SATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 238 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	193.56 грн
10+	131.12 грн
100+	68.14 грн
500+	65.20 грн
800+	63.70 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPF013N04NF2SATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPF013N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 232 A, 0.00108 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 232A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00108ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 698 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	79.58 грн
500+	64.13 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPF013N04NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 232A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 126µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 20 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	79.12 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPF013N04NF2SATMA1

INFINEON

на замовлення 698 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	173.65 грн
10+	90.01 грн
100+	79.58 грн
500+	64.13 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPF014N08NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 282A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-14
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 40 V

на замовлення 1599 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	307.24 грн
10+	183.73 грн
100+	166.73 грн

В кошику од. на суму грн.

IPF014N08NF2SATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPF014N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 282 A, 0.0012 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 282A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 261 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	184.00 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPF014N08NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 282A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-14
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 40 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	141.45 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPF014N08NF2SATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF014N08NF2SATMA1

INFINEON

на замовлення 261 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	382.34 грн
10+	242.15 грн
100+	184.00 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPF015N10N5ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPF015N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 0.0014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 276A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 766 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	598.21 грн
5+	531.30 грн
10+	464.39 грн
50+	414.21 грн
100+	365.96 грн
250+	344.11 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPF015N10N5ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 796 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	571.13 грн
10+	482.88 грн
25+	380.98 грн
100+	349.57 грн
250+	329.09 грн
500+	307.92 грн
1000+	277.88 грн

В кошику од. на суму грн.

IPF015N10N5ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 276A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.53mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 279µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF015N10N5ATMA1

INFINEON

на замовлення 766 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	464.39 грн
50+	414.21 грн
100+	365.96 грн
250+	344.11 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPF015N10N5ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 276A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.53mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 279µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF016N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 223A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 129µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 30 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	71.62 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPF016N06NF2SATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPF016N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 223 A, 1300 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 223A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 770 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	245.34 грн
10+	161.70 грн
100+	113.11 грн
500+	85.80 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPF016N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 223A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 129µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 30 V

на замовлення 1526 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	212.00 грн
10+	132.99 грн
100+	92.36 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPF016N06NF2SATMA1

INFINEON

на замовлення 770 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	113.11 грн
500+	85.80 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPF016N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 2562 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	216.66 грн
10+	142.90 грн
100+	86.71 грн
500+	62.61 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPF016N10NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 274A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-14
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	155.16 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPF016N10NF2SATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPF016N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 274 A, 0.0014 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 274A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 858 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	198.97 грн
250+	180.25 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPF016N10NF2SATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs IFX FET >80 - 100V

на замовлення 1366 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	411.02 грн
10+	271.67 грн
100+	170.01 грн
500+	163.18 грн
800+	159.08 грн

В кошику од. на суму грн.

IPF016N10NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 274A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-14
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V

на замовлення 2611 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	397.88 грн
10+	256.81 грн
100+	185.08 грн

В кошику од. на суму грн.

IPF016N10NF2SATMA1

INFINEON

на замовлення 858 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	426.16 грн
10+	296.32 грн
50+	255.69 грн
100+	198.97 грн
250+	180.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPF017N08NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 259A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 194µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-14
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 40 V

на замовлення 1355 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	297.26 грн
10+	201.93 грн
100+	143.52 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPF017N08NF2SATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPF017N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 259 A, 0.0014 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 259A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 105 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	170.46 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPF017N08NF2SATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 565 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	302.69 грн
10+	215.14 грн
100+	133.14 грн
500+	105.83 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPF017N08NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 259A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 194µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-14
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 40 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	114.29 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPF017N08NF2SATMA1

INFINEON

на замовлення 105 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	332.16 грн
10+	234.19 грн
100+	170.46 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPF018N10NM5LF2ATMA1

Infineon Technologies

Description: IPF018N10NM5LF2ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 259A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 50 V

на замовлення 199 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	423.99 грн
10+	274.34 грн
100+	198.85 грн

В кошику од. на суму грн.

IPF018N10NM5LF2ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPF018N10NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 259 A, 0.0017 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 259A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	388.72 грн
10+	335.35 грн
100+	294.72 грн
500+	248.52 грн
1000+	212.34 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPF018N10NM5LF2ATMA1

Infineon Technologies

Description: IPF018N10NM5LF2ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 259A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF018N10NM5LF2ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs OptiMOS 5 Linear FET 2, 100 V

на замовлення 493 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	391.90 грн
10+	309.36 грн
100+	217.12 грн
500+	194.59 грн
1000+	165.23 грн

В кошику од. на суму грн.

IPF018N10NM5LF2ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPF018N10NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 259 A, 0.0017 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	294.72 грн
500+	248.52 грн
1000+	212.34 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPF019N12NM6ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 1940 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	508.20 грн
10+	349.40 грн
25+	299.73 грн
100+	221.90 грн
500+	205.51 грн
1000+	195.27 грн
2000+	184.34 грн

В кошику од. на суму грн.

IPF019N12NM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	503.11 грн
10+	327.89 грн
100+	239.13 грн

В кошику од. на суму грн.

IPF019N12NM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF021N13NM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 250A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 276µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 208 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 68 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF021N13NM6ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPF021N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 250 A, 0.00205 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00205ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	534.49 грн
10+	373.58 грн
50+	372.79 грн
200+	262.58 грн
500+	232.14 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPF021N13NM6ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPF021N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 250 A, 0.00205 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00205ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	373.58 грн
50+	372.79 грн
200+	262.58 грн
500+	232.14 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPF021N13NM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 250A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 276µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 208 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 68 V

на замовлення 628 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	451.64 грн
10+	315.68 грн
100+	247.16 грн

В кошику од. на суму грн.

IPF021N13NM6ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 1826 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	462.80 грн
10+	331.34 грн
100+	225.99 грн
500+	223.26 грн
1000+	204.83 грн
2000+	195.95 грн

В кошику од. на суму грн.

IPF023N08NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 139µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-14
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 40 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	118.04 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPF023N08NF2SATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPF023N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 209 A, 0.002 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 209A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 184 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	258.88 грн
10+	192.77 грн
100+	155.33 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPF023N08NF2SATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs N

на замовлення 717 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	289.94 грн
10+	214.35 грн
25+	183.66 грн
100+	132.46 грн
800+	107.19 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPF023N08NF2SATMA1

INFINEON

на замовлення 184 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	155.33 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPF023N08NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 139µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-14
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 40 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	321.84 грн
10+	204.66 грн
100+	144.88 грн

В кошику од. на суму грн.

IPF024N10NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 227A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 169µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-14
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 50 V

на замовлення 763 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	275.75 грн
10+	174.78 грн
100+	123.27 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPF024N10NF2SATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs IFX FET >80 - 100V

на замовлення 592 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	291.54 грн
10+	189.23 грн
100+	116.07 грн
500+	110.61 грн
800+	99.68 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPF024N10NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 227A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 169µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-14
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF024N10NF2SATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPF024N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 227 A, 0.0021 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 227A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 118 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	326.59 грн
10+	223.03 грн
100+	161.70 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPF024N10NF2SATMA1

INFINEON

на замовлення 118 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	161.70 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPF026N15NM6ATMA1

Infineon Technologies

Power MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF026N15NM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 239A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 276µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 75 V

на замовлення 550 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	500.04 грн
10+	328.11 грн
100+	273.43 грн
500+	233.03 грн

В кошику од. на суму грн.

IPF026N15NM6ATMA1

Infineon Technologies

Power MOSFET

на замовлення 513 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	472.08 грн
35+	376.27 грн
38+	341.08 грн
100+	302.79 грн
250+	267.19 грн
500+	246.52 грн

Мінімальне замовлення: 28

В кошику од. на суму грн.

IPF026N15NM6ATMA1

Infineon Technologies

Power MOSFET

на замовлення 513 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	505.80 грн
10+	403.14 грн
25+	365.44 грн
100+	324.41 грн
250+	286.28 грн
500+	264.13 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPF026N15NM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 239A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 276µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 75 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF026N15NM6ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 1066 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	512.18 грн
10+	356.47 грн
100+	258.08 грн
500+	238.97 грн
1000+	202.78 грн

В кошику од. на суму грн.

IPF026N15NM6ATMA1

Infineon Technologies

Power MOSFET

на замовлення 61000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	408.82 грн
30000+	375.38 грн
45000+	351.10 грн
60000+	321.02 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPF031N13NM6ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPF031N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 207 A, 0.003 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 207A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	355.26 грн
10+	277.20 грн
50+	276.40 грн
200+	202.67 грн
500+	155.67 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPF031N13NM6ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 727 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	312.25 грн
10+	244.19 грн
100+	168.64 грн
500+	165.91 грн
1000+	145.43 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPF031N13NM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 207A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 90A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 394W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 68 V

на замовлення 490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	304.17 грн
10+	232.77 грн
100+	184.54 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPF031N13NM6ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPF031N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 207 A, 3000 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 207A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	247.73 грн
200+	203.41 грн
500+	185.71 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPF031N13NM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 207A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 90A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 394W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 68 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF036N15NM6ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPF036N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 190 A, 3400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	391.11 грн
10+	286.76 грн
100+	231.80 грн
500+	192.31 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPF036N15NM6ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 7-pin package

на замовлення 251 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	351.28 грн
10+	253.61 грн
100+	178.20 грн
500+	159.77 грн
1000+	135.87 грн

В кошику од. на суму грн.

IPF039N08NF2SATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPF039N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 126 A, 0.0035 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 597 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	117.09 грн
10+	80.45 грн
100+	78.70 грн
500+	71.45 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IPF039N08NF2SATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs N

на замовлення 789 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	236.58 грн
10+	175.09 грн
25+	150.89 грн
100+	110.61 грн
800+	85.34 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPF039N08NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 126A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-14
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V

на замовлення 660 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	247.33 грн
10+	156.07 грн
100+	109.40 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPF039N08NF2SATMA1

INFINEON

на замовлення 597 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	78.70 грн
500+	71.45 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPF039N08NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 126A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-14
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF041N10NF2SATMA1

Infineon Technologies

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF042N10NF2SATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPF042N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 139 A, 0.0037 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 139A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1296 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	144.18 грн
11+	75.19 грн
100+	57.35 грн
500+	51.63 грн
1000+	43.15 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IPF042N10NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 139A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.25mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF042N10NF2SATMA1

INFINEON

на замовлення 1296 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	57.35 грн
500+	51.63 грн
1000+	43.15 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPF042N10NF2SATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs IFX FET >80 - 100V

на замовлення 951 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	161.70 грн
10+	103.64 грн
100+	61.65 грн
500+	48.34 грн
800+	45.40 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPF042N10NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 4800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	93.92 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPF042N10NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 139A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.25mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 50 V

на замовлення 151 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	154.39 грн
10+	95.49 грн
100+	65.13 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPF042N10NF2SATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 139A; Idm: 556A; 167W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 139A
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 57nC
Power dissipation: 167W
Pulsed drain current: 556A
Technology: StrongIRFET™ 2
On-state resistance: 4.25mΩ

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF048N15NM6ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPF048N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 146 A, 0.0046 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	186.39 грн
500+	148.67 грн
1000+	124.94 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPF048N15NM6ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 7-pin package

на замовлення 304 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	302.69 грн
10+	195.51 грн
100+	127.68 грн
500+	114.02 грн
1000+	96.27 грн
2000+	91.49 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPF048N15NM6ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPF048N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 146 A, 0.0046 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 146A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	317.03 грн
10+	234.98 грн
100+	186.39 грн
500+	148.67 грн
1000+	124.94 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPF049N10NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF04N03LA

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5199 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF04N03LA G

Infineon Technologies

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF050N03LG

Infineon

0724+

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPF050N10NF2SATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPF050N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 117 A, 4400 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 117A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	204.71 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPF050N10NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 117A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.05mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF050N10NF2SATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPF050N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 117 A, 4400 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 117A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPF050N10NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 117A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.05mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V

на замовлення 511 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	188.95 грн
10+	117.75 грн
100+	81.24 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPF050N10NF2SATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs IFX FET >80 - 100V

на замовлення 415 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	199.14 грн
10+	111.49 грн
100+	69.64 грн
500+	59.33 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPF05N03LA G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3110 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF05N03LAG

Infineon Technologies

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3110 pF @ 15 V

на замовлення 22500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

547+	40.44 грн

Мінімальне замовлення: 547

В кошику од. на суму грн.

IPF067N20NM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 138A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 253µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 100 V

на замовлення 1756 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	693.60 грн
10+	459.25 грн
100+	341.18 грн
500+	295.33 грн

В кошику од. на суму грн.

IPF067N20NM6ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPF067N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 138 A, 0.0062 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 138A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 321 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	593.43 грн
5+	498.64 грн
10+	403.85 грн
50+	343.94 грн
100+	288.81 грн
250+	283.34 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPF067N20NM6ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 200V 15.4A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 16000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	357.02 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPF067N20NM6ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 279 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	548.82 грн
10+	369.03 грн
100+	248.52 грн
1000+	221.90 грн

В кошику од. на суму грн.

IPF067N20NM6ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 200V 15.4A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF067N20NM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 138A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 253µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 100 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	326.80 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPF067N20NM6ATMA1

INFINEON

на замовлення 321 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	403.85 грн
50+	343.94 грн
100+	288.81 грн
250+	283.34 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPF067N20NM6ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 200V 15.4A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF06N03LA

Infineon Technologies

MOSFET N-KANAL POWER MOS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF06N03LA G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2653 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF06N03LAG

Infineon Technologies

MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF09N03LA

Infineon Technologies

MOSFET N-KANAL POWER MOS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF09N03LA

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1642 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF09N03LA G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1642 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF09N03LAG

Infineon Technologies

MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF105N03

infineon

07+

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPF105N03LG

infineon

07+

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPF10N03LA

Infineon Technologies

Infineon

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF10N03LA

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF10N03LA G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1358 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF129N20NM6ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 667 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	358.45 грн
10+	255.97 грн
100+	186.39 грн
500+	174.79 грн
1000+	148.16 грн

В кошику од. на суму грн.

IPF129N20NM6ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 200V 11A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 965 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

53+	244.15 грн
60+	216.98 грн
100+	207.15 грн
250+	189.88 грн
500+	180.51 грн

Мінімальне замовлення: 53

В кошику од. на суму грн.

IPF129N20NM6ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 200V 11A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 965 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	261.68 грн
10+	239.32 грн
25+	236.91 грн
100+	226.14 грн
250+	207.32 грн
500+	197.05 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPF129N20NM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: IPF129N20NM6ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 65A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 129µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 100 V

на замовлення 797 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	417.08 грн
10+	268.79 грн
100+	193.49 грн
500+	151.45 грн

В кошику од. на суму грн.

IPF129N20NM6ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPF129N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 87 A, 0.012 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 810 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	244.54 грн
500+	204.88 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPF129N20NM6ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 200V 11A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 23000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	279.75 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPF129N20NM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: IPF129N20NM6ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 65A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 129µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF129N20NM6ATMA1

INFINEON

на замовлення 810 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	351.28 грн
10+	295.52 грн
100+	244.54 грн
500+	204.88 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPF129N20NM6ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 200V 11A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF13N03LA

Infineon Technologies

MOSFET N-KANAL POWER MOS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF13N03LA G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 25V 30A DPAK-2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF13N03LA G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1043 pF @ 15 V

на замовлення 444 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	35.33 грн
11+	28.85 грн
100+	24.99 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

IPF13N03LA G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1043 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF13N03LAG

Infineon Technologies

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPF7473TRPBF

SOP8

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPFH6N03LA G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2390 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.