Продукція > IPF

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

IPF009N04NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 302A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 249µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF009N04NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 49A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	130.99 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPF009N04NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPF009N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 302 A, 790 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 302A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 432 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	319.30 грн
10+	173.38 грн
100+	137.33 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPF009N04NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 49A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	112.48 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPF009N04NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 49A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	164.82 грн
10+	155.56 грн
25+	153.05 грн
100+	139.49 грн
250+	126.38 грн
500+	105.83 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPF009N04NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 49A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

79+	153.83 грн
84+	145.19 грн
85+	142.85 грн
100+	130.20 грн
250+	117.96 грн
500+	98.77 грн

Мінімальне замовлення: 79

В кошику од. на суму грн.

IPF009N04NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 302A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 249µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 20 V

на замовлення 350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	287.20 грн
10+	194.95 грн
100+	140.10 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPF009N04NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 49A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	152.10 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPF009N04NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPF009N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 302 A, 790 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 302A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 432 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	137.33 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPF009N04NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 49A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF009N04NF2SATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs N

на замовлення 829 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	296.37 грн
10+	245.50 грн
25+	207.35 грн
100+	172.92 грн
250+	167.57 грн
500+	162.21 грн
800+	130.84 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPF010N04NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 289A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 189µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 239 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF010N04NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPF010N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 289 A, 870 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 289A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 870µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	151.07 грн
10+	138.19 грн
100+	126.18 грн
500+	105.21 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IPF010N04NF2SATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs N

на замовлення 736 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	312.43 грн
10+	230.54 грн
25+	194.35 грн
100+	143.85 грн
500+	143.08 грн
800+	114.77 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPF010N04NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 289A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 189µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 239 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF010N04NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 46A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF010N04NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPF010N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 289 A, 870 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 289A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 870µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	105.21 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

IPF010N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 293A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 246µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 30 V

на замовлення 330 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	393.15 грн
10+	251.38 грн
100+	179.38 грн

В кошику од. на суму грн.

IPF010N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 44A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	160.47 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPF010N06NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPF010N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 293 A, 880 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 293A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 880µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	350.20 грн
10+	167.38 грн
100+	160.51 грн
500+	145.86 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPF010N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 230 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	321.36 грн
10+	175.10 грн
500+	129.31 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPF010N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 44A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	186.34 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPF010N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 44A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF010N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 293A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 246µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF010N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 44A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	136.58 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPF010N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 44A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	166.81 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPF010N06NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPF010N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 293 A, 880 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 293A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 880µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	160.51 грн
500+	145.86 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPF010N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 44A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 790 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

69+	177.41 грн
73+	167.48 грн
74+	164.81 грн
100+	150.21 грн
250+	136.20 грн
500+	113.86 грн

Мінімальне замовлення: 69

В кошику од. на суму грн.

IPF010N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 44A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 790 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	190.08 грн
10+	179.44 грн
25+	176.59 грн
100+	160.94 грн
250+	145.93 грн
500+	121.99 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPF011N08NM6ATMA1

Infineon Technologies

TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF011N08NM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF011N08NM6ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF012N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 41A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

76+	161.02 грн
82+	148.02 грн
84+	144.47 грн
100+	128.40 грн
250+	115.36 грн
500+	91.50 грн

Мінімальне замовлення: 76

В кошику од. на суму грн.

IPF012N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 41A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	134.67 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPF012N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 282A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 186µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF012N06NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPF012N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 282 A, 0.0011 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 282A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 221 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	154.50 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPF012N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 892 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	299.94 грн
10+	190.06 грн
100+	112.48 грн
500+	106.35 грн
800+	98.70 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPF012N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 41A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF012N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 41A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	115.98 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPF012N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 41A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	105.33 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPF012N06NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPF012N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 282 A, 0.0011 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 282A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 221 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	307.28 грн
10+	216.30 грн
100+	154.50 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPF012N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 41A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	172.52 грн
10+	158.59 грн
25+	154.78 грн
100+	137.58 грн
250+	123.60 грн
500+	98.04 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPF012N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 282A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 186µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 30 V

на замовлення 245 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	322.79 грн
10+	204.44 грн
100+	144.09 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPF013N04NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 232A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 126µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 20 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	217.68 грн
10+	141.71 грн
100+	106.55 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPF013N04NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF013N04NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 232A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 126µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 20 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	85.25 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPF013N04NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPF013N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 232 A, 0.00108 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 232A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00108ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 698 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	187.12 грн
10+	96.99 грн
100+	85.75 грн
500+	69.10 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPF013N04NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPF013N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 232 A, 0.00108 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 232A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00108ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 698 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	85.75 грн
500+	69.10 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPF013N04NF2SATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs N

на замовлення 283 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	246.38 грн
10+	181.26 грн
100+	109.42 грн
500+	107.12 грн
800+	82.64 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPF014N08NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPF014N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 282 A, 0.0012 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 282A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 261 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	198.28 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPF014N08NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 282A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-14
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 40 V

на замовлення 911 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	389.01 грн
10+	261.03 грн
100+	192.50 грн

В кошику од. на суму грн.

IPF014N08NF2SATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 740 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	437.41 грн
10+	280.69 грн
25+	230.31 грн
100+	187.46 грн
250+	179.81 грн
500+	162.21 грн

В кошику од. на суму грн.

IPF014N08NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 282A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-14
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 40 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	164.00 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPF014N08NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPF014N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 282 A, 0.0012 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 282A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 261 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	412.00 грн
10+	260.93 грн
100+	198.28 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPF014N08NF2SATMA1

Infineon Technologies

N Channel Power Mosfet

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	136.58 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPF015N10N5ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 796 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	640.04 грн
10+	541.15 грн
25+	426.95 грн
100+	391.75 грн
250+	368.80 грн
500+	345.08 грн
1000+	311.41 грн

В кошику од. на суму грн.

IPF015N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPF015N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 0.0014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 276A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 766 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	500.41 грн
50+	446.33 грн
100+	394.34 грн
250+	370.80 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPF015N10N5ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 276A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.53mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 279µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V

на замовлення 34 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	681.18 грн
10+	448.64 грн

В кошику од. на суму грн.

IPF015N10N5ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 35A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF015N10N5ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 276A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.53mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 279µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF015N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPF015N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 0.0014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 276A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 766 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	644.61 грн
5+	572.51 грн
10+	500.41 грн
50+	446.33 грн
100+	394.34 грн
250+	370.80 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPF016N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 223A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 129µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 30 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	75.71 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPF016N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 35A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF016N06NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPF016N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 223 A, 0.0013 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 223A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 197 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	251.49 грн
10+	169.09 грн
100+	117.59 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPF016N06NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPF016N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 223 A, 0.0013 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 223A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 197 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	117.59 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPF016N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 223A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 129µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 30 V

на замовлення 989 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	227.61 грн
10+	147.21 грн
100+	102.21 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPF016N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 2562 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	242.81 грн
10+	160.14 грн
100+	97.17 грн
500+	70.16 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPF016N06NF2SATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

800+	96.99 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPF016N10NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 274A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-14
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	166.35 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPF016N10NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPF016N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 274 A, 0.0014 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 274A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 858 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	214.40 грн
250+	194.23 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPF016N10NF2SATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 2336 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	447.23 грн
10+	304.45 грн
100+	190.52 грн
500+	170.63 грн
800+	159.91 грн

В кошику од. на суму грн.

IPF016N10NF2SATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 274A; 300W; D2PAK-7; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 274A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 161nC
Kind of channel: enhancement
Technology: MOSFET
Electrical mounting: SMT

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

800+	201.71 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPF016N10NF2SATMA1

Infineon Technologies

SP005578929

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	151.75 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPF016N10NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPF016N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 274 A, 0.0014 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 274A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 858 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	459.21 грн
10+	319.30 грн
50+	275.52 грн
100+	214.40 грн
250+	194.23 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPF016N10NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 274A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-14
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V

на замовлення 2699 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	409.70 грн
10+	275.29 грн
100+	198.42 грн

В кошику од. на суму грн.

IPF017N08NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 33A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	113.37 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPF017N08NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 259A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 194µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-14
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 40 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	132.43 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPF017N08NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPF017N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 259 A, 0.0014 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 259A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 105 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	357.92 грн
10+	252.35 грн
100+	183.68 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPF017N08NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPF017N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 259 A, 0.0014 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 259A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 105 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	183.68 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPF017N08NF2SATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 565 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	339.21 грн
10+	241.10 грн
100+	149.20 грн
500+	118.60 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPF017N08NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 259A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 194µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-14
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 40 V

на замовлення 1355 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	334.38 грн
10+	231.69 грн
100+	164.98 грн

В кошику од. на суму грн.

IPF018N10NM5LF2ATMA1

Description: INFINEON - IPF018N10NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 259 A, 0.0017 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 259A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	418.87 грн
10+	361.36 грн
100+	317.58 грн
500+	267.80 грн
1000+	228.81 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPF018N10NM5LF2ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs OptiMOS 5 Linear FET 2, 100 V

на замовлення 736 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	439.19 грн
10+	346.69 грн
100+	243.32 грн
500+	218.07 грн
1000+	185.16 грн

В кошику од. на суму грн.

IPF018N10NM5LF2ATMA1

Description: INFINEON - IPF018N10NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 259 A, 0.0017 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	317.58 грн
500+	267.80 грн
1000+	228.81 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPF019N12NM6ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 1940 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	569.52 грн
10+	391.56 грн
25+	335.90 грн
100+	248.67 грн
500+	230.31 грн
1000+	218.83 грн
2000+	206.59 грн

В кошику од. на суму грн.

IPF019N12NM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	542.13 грн
10+	353.32 грн
100+	257.68 грн

В кошику од. на суму грн.

IPF019N12NM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF019N12NM6ATMA1

Infineon Technologies

N-Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF021N13NM6ATMA1

Description: INFINEON - IPF021N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 250 A, 0.00205 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00205ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	402.56 грн
50+	401.70 грн
200+	282.94 грн
500+	250.14 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPF021N13NM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 250A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 276µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 208 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 68 V

на замовлення 628 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	486.68 грн
10+	340.17 грн
100+	266.33 грн

В кошику од. на суму грн.

IPF021N13NM6ATMA1

Infineon Technologies

TRENCH >=100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF021N13NM6ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 1832 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	518.64 грн
10+	371.32 грн
100+	253.26 грн
500+	250.20 грн
1000+	229.54 грн
2000+	219.60 грн

В кошику од. на суму грн.

IPF021N13NM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 250A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 276µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 208 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 68 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF021N13NM6ATMA1

Description: INFINEON - IPF021N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 250 A, 0.00205 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00205ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	575.94 грн
10+	402.56 грн
50+	401.70 грн
200+	282.94 грн
500+	250.14 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPF023N08NF2SATMA1

Infineon Technologies

N Channel Power Mosfet

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	98.19 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPF023N08NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPF023N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 209 A, 0.002 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 209A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 184 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	278.96 грн
10+	207.72 грн
100+	167.38 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPF023N08NF2SATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs N

на замовлення 717 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	324.93 грн
10+	240.22 грн
25+	205.82 грн
100+	148.44 грн
800+	120.13 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPF023N08NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPF023N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 209 A, 0.002 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 209A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 184 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	167.38 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPF023N08NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 139µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-14
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 40 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	346.80 грн
10+	220.54 грн
100+	156.11 грн

В кошику од. на суму грн.

IPF023N08NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 139µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-14
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 40 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	127.20 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPF024N10NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 227A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 169µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-14
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF024N10NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPF024N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 227 A, 0.0021 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 227A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 118 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	351.92 грн
10+	240.33 грн
100+	174.24 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPF024N10NF2SATMA1

Infineon Technologies

N Channel Power Mosfet

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	110.69 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPF024N10NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPF024N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 227 A, 0.0021 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 227A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 118 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	174.24 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPF024N10NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 227A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 169µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-14
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 50 V

на замовлення 133 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	318.66 грн
10+	209.46 грн
100+	152.24 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPF024N10NF2SATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 602 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	326.72 грн
10+	212.06 грн
100+	131.60 грн
800+	100.23 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPF024N10NF2SATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 227A; 250W; D2PAK-7; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 227A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK-7
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
Gate-source voltage: 20V
Technology: MOSFET

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

800+	126.18 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPF026N15NM6ATMA1

Infineon Technologies

Power MOSFET

на замовлення 513 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	442.04 грн
35+	352.32 грн
38+	319.37 грн
100+	283.52 грн
250+	250.19 грн
500+	230.84 грн

Мінімальне замовлення: 28

В кошику од. на суму грн.

IPF026N15NM6ATMA1

Infineon Technologies

IPF026N15NM6ATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF026N15NM6ATMA1

Infineon Technologies

Power MOSFET

на замовлення 513 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	473.61 грн
10+	377.49 грн
25+	342.19 грн
100+	303.77 грн
250+	268.06 грн
500+	247.32 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPF026N15NM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 239A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 276µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 75 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	379.70 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPF026N15NM6ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 1277 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	573.98 грн
10+	399.48 грн
100+	289.22 грн
500+	267.80 грн
1000+	227.25 грн

В кошику од. на суму грн.

IPF026N15NM6ATMA1

Infineon Technologies

Power MOSFET

на замовлення 61000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	382.80 грн
30000+	351.49 грн
45000+	328.76 грн
60000+	300.59 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPF026N15NM6ATMA1

Infineon Technologies

Power MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF026N15NM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 239A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 276µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 75 V

на замовлення 1589 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	703.53 грн
10+	554.81 грн
100+	444.15 грн
500+	397.04 грн

В кошику од. на суму грн.

IPF031N13NM6ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 743 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	349.93 грн
10+	273.65 грн
100+	188.99 грн
500+	185.93 грн
1000+	162.98 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPF031N13NM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	346.80 грн
10+	260.87 грн
100+	205.85 грн

В кошику од. на суму грн.

IPF031N13NM6ATMA1

Description: INFINEON - IPF031N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 207 A, 0.003 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 207A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	297.84 грн
200+	218.38 грн
500+	167.74 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPF031N13NM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF031N13NM6ATMA1

Infineon Technologies

TRENCH >=100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF031N13NM6ATMA1

Description: INFINEON - IPF031N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 207 A, 0.003 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 207A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	382.82 грн
10+	298.70 грн
50+	297.84 грн
200+	218.38 грн
500+	167.74 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPF036N15NM6ATMA1

Description: INFINEON - IPF036N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 190 A, 0.0034 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	345.05 грн
10+	297.84 грн
100+	261.79 грн
500+	220.78 грн
1000+	189.08 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPF036N15NM6ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 7-pin package

на замовлення 223 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	393.67 грн
10+	284.21 грн
100+	199.70 грн
500+	179.04 грн
1000+	152.26 грн

В кошику од. на суму грн.

IPF036N15NM6ATMA1

Description: INFINEON - IPF036N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 190 A, 0.0034 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	261.79 грн
500+	220.78 грн
1000+	189.08 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPF039N08NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPF039N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 126 A, 0.0035 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 597 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	84.80 грн
500+	76.99 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPF039N08NF2SATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs N

на замовлення 789 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	265.12 грн
10+	196.22 грн
25+	169.10 грн
100+	123.95 грн
800+	95.64 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPF039N08NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 126A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-14
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V

на замовлення 682 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	233.41 грн
10+	129.52 грн
100+	108.51 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPF039N08NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 22A

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	80.70 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPF039N08NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 126A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-14
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF039N08NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPF039N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 126 A, 0.0035 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 597 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	126.18 грн
10+	86.69 грн
100+	84.80 грн
500+	76.99 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IPF041N10NF2SATMA1

Infineon Technologies

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF042N10NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPF042N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 139 A, 0.0037 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 139A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1296 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	155.36 грн
11+	81.03 грн
100+	61.80 грн
500+	55.63 грн
1000+	46.50 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IPF042N10NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 4800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	87.95 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPF042N10NF2SATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 1039 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	176.75 грн
10+	93.27 грн
100+	60.22 грн
500+	56.31 грн
800+	51.04 грн
2400+	45.91 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPF042N10NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 139A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.25mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 50 V

на замовлення 261 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	158.91 грн
10+	85.04 грн
100+	64.97 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPF042N10NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 139A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.25mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF042N10NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPF042N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 139 A, 0.0037 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 139A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1296 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	61.80 грн
500+	55.63 грн
1000+	46.50 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPF042N10NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	64.00 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPF048N15NM6ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 7-pin package

на замовлення 304 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	339.21 грн
10+	219.10 грн
100+	143.08 грн
500+	127.78 грн
1000+	107.89 грн
2000+	102.53 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPF048N15NM6ATMA1

Description: INFINEON - IPF048N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 146 A, 0.0046 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 146A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	341.62 грн
10+	253.21 грн
100+	200.85 грн
500+	160.20 грн
1000+	134.64 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPF048N15NM6ATMA1

Description: INFINEON - IPF048N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 146 A, 0.0046 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	200.85 грн
500+	160.20 грн
1000+	134.64 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPF049N10NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF049N10NF2SATMA1

Infineon Technologies

SP005578921

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF04N03LA

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5199 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF04N03LA G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5199 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF050N03LG

0724+

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPF050N10NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 19A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF050N10NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPF050N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 117 A, 0.0044 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 117A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 104 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	208.58 грн
10+	137.33 грн
100+	88.41 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPF050N10NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 117A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.05mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V

на замовлення 1311 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	189.54 грн
10+	120.11 грн
100+	77.19 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPF050N10NF2SATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 1089 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	205.31 грн
10+	116.15 грн
100+	66.49 грн
500+	63.51 грн
800+	60.22 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPF050N10NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPF050N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 117 A, 0.0044 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 117A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 104 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	88.41 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPF050N10NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 117A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.05mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	66.43 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IPF05N03LA G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3110 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF05N03LAG

Infineon Technologies

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3110 pF @ 15 V

на замовлення 22500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

547+	43.58 грн

Мінімальне замовлення: 547

В кошику од. на суму грн.

IPF067N20NM6ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 200V 15.4A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 16000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	334.30 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPF067N20NM6ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 200V 15.4A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF067N20NM6ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 336 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	615.05 грн
10+	413.56 грн
100+	278.51 грн
1000+	248.67 грн

В кошику од. на суму грн.

IPF067N20NM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 138A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 253µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 100 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	352.15 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPF067N20NM6ATMA1

Description: INFINEON - IPF067N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 138 A, 0.0062 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 138A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 321 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	639.46 грн
5+	537.32 грн
10+	435.18 грн
50+	370.62 грн
100+	311.21 грн
250+	305.32 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPF067N20NM6ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 200V; 138A; Idm: 552A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 138A
Pulsed drain current: 552A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF067N20NM6ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 200V 15.4A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF067N20NM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 138A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 253µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 100 V

на замовлення 1756 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	747.39 грн
10+	494.87 грн
100+	367.64 грн
500+	318.24 грн

В кошику од. на суму грн.

IPF067N20NM6ATMA1

Description: INFINEON - IPF067N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 138 A, 0.0062 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 138A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 321 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	435.18 грн
50+	370.62 грн
100+	311.21 грн
250+	305.32 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPF06N03LA

Infineon Technologies

MOSFET N-KANAL POWER MOS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF06N03LA G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2653 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF06N03LAG

Infineon Technologies

MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF09N03LA

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1642 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF09N03LA

Infineon Technologies

MOSFET N-KANAL POWER MOS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF09N03LA G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1642 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF09N03LAG

Infineon Technologies

MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF105N03

07+

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPF105N03LG

07+

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPF10N03LA

Infineon Technologies

Infineon

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF10N03LA

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF10N03LA G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1358 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF129N20NM6ATMA1

Description: INFINEON - IPF129N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 87 A, 0.012 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 810 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	378.52 грн
10+	318.44 грн
100+	263.51 грн
500+	220.78 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPF129N20NM6ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 200V; 87A; Idm: 348A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 87A
Pulsed drain current: 348A
Power dissipation: 234W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF129N20NM6ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 200V 11A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 23000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	261.94 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPF129N20NM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: IPF129N20NM6ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 65A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 129µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF129N20NM6ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 200V 11A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF129N20NM6ATMA1

Description: INFINEON - IPF129N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 87 A, 0.012 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 810 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	263.51 грн
500+	220.78 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPF129N20NM6ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 667 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	401.70 грн
10+	286.85 грн
100+	208.88 грн
500+	195.88 грн
1000+	166.04 грн

В кошику од. на суму грн.

IPF129N20NM6ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 200V 11A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 965 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

53+	228.61 грн
60+	203.17 грн
100+	193.97 грн
250+	177.80 грн
500+	169.03 грн

Мінімальне замовлення: 53

В кошику од. на суму грн.

IPF129N20NM6ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 200V 11A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 965 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	245.02 грн
10+	224.09 грн
25+	221.84 грн
100+	211.75 грн
250+	194.13 грн
500+	184.51 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPF129N20NM6ATMA1

Infineon Technologies

Description: IPF129N20NM6ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 65A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 129µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 100 V

на замовлення 797 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	449.43 грн
10+	289.64 грн
100+	208.50 грн
500+	163.19 грн

В кошику од. на суму грн.

IPF13N03LA

Infineon Technologies

MOSFET N-KANAL POWER MOS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF13N03LA G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1043 pF @ 15 V

на замовлення 444 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	38.07 грн
11+	31.08 грн
100+	26.93 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

IPF13N03LA G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1043 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF13N03LA G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 25V 30A DPAK-2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPF13N03LAG

Infineon Technologies

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPF7473TRPBF

SOP8

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPFH6N03LA G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2390 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.