Продукція > RSR

Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6 7 8 9  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RSR-05DCSAltech CorporationIndustrial Relays Submin. Relay, SPDP 5mm, IP67 5VDC Coil Реле електромеханічні та геркони
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSR-05DCSAltech CorporationDescription: RELAY GEN PURPOSE SPDT 6A 5V
Packaging: Bulk
Mounting Type: Through Hole
Coil Voltage: 5VDC
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: PC Pin
Approval Agency: CE, cURus
Relay Type: General Purpose
Coil Current: 34 mA
Coil Type: Non Latching
Contact Material: Silver Nickel (AgNi)
Contact Form: SPDT (1 Form C)
Contact Rating (Current): 6 A
Switching Voltage: 250VAC, 30VDC - Max
Must Release Voltage: 0.25 VDC
Must Operate Voltage: 3.75 VDC
Operate Time: 8 ms
Release Time: 4 ms
Part Status: Active
Load - Max Switching: 1500VA, 180W
на замовлення 9020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+535.88 грн
10+483.20 грн
100+386.60 грн
1000+282.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RSR-05DCSAltech CorporationSUBMIN RELAY SPDP 5MM IP67 6A250 Реле електромеханічні та геркони
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSR-05DCSAltechGeneral Purpose Relays Submin. Relay, SPDP 5mm, IP67 5VDC Coil
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+422.83 грн
500+363.60 грн
1000+307.20 грн
2500+303.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RSR-05DCSAltech CorporationPower Relay 5VDC 6A SPDT(28x5x15)mm THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSR-06DCSAltech CorporationDescription: SUBMIN RELAY SPDP 5MM IP67 6A250
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSR-06DCSAltechRelay Sockets & Hardware Submin. Relay, SPDP 5mm, IP67 6VDC Coil
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+568.61 грн
10+493.80 грн
25+403.85 грн
100+370.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RSR-1006-ERemke IndustriesDescription: Cord Grip, 1/2in., 0.312in.-0.37
Packaging: Retail Package
Part Status: Active
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4376.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RSR-1006-E-RMKEGalco Industrial ElectronicsDescription: Cord Grip, 1/2in., 0.312in.-0.37
Packaging: Retail Package
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSR-12DCSAltechRelay Sockets & Hardware Submin. Relay, SPDP 5mm IP67 12VDC Coil
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSR-12DCSAltech CorporationDescription: SUBMIN RELAY SPDP 5MM IP67 6A250
на замовлення 309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+563.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RSR-12DCSAltech CorporationPower Relay 12VDC 6A SPDT(28x5x15)mm THT
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+289.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSR-24DCSAltechRelay Sockets & Fixings Submin. Relay, SPDP 5mm IP67 24VDC Coil
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+616.13 грн
10+568.43 грн
25+439.75 грн
50+417.66 грн
100+396.26 грн
250+366.57 грн
500+354.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RSR-24DCSAltech CorporationDescription: SUBMIN RELAY SPDP 5MM IP67 6A250
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSR-300.000-75-KRaltronRSR-300.000-75-K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSR-372.000-75-5050-TRRaltronHigh Performance SAW RESONATOR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSR-433.920-150-DRALTRONSAW Resonator, 433.92MHz, THT, 4 leads, 2.5mm pitch, c75kHz RALTRON P/N: RSR-433.920-150-D SCQ433.920F-11 RALTRON QSAW 433.920 R
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 87 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+49.96 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSR-433.920-150-KRALTRON433.92MHz TO39 RALTRON P/N: RSR-433.920-150-K SCQ433.92-TO39 RALTRON QSAW 433.920to R
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+57.35 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSR-433.920-3030-TRRALTRON433.92MHz 3.0*3.0 ISM BAND SAW Rezonator 433.92MHz QSAW 433.920 3.0x3.0
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+51.92 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSR-433.920-75-KRALTRON433.92MHz TO39 RALTRON P/N: RSR-433.920-150-K SCQ433.92-TO39 RALTRON QSAW 433.920to R
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.48 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSR-48DCSAltechRelay Sockets & Hardware Submin. Relay, SPDP 5mm IP67 48VDC Coil
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSR-48DCSAltech CorporationDescription: SUBMIN RELAY SPDP 5MM IP67 6A250
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSR-520-ERemke IndustriesDescription: Cord Grip, 1-1/2in., 1.125in.-1.
Packaging: Retail Package
Part Status: Active
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8567.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RSR-520-E-RMKEGalco Industrial ElectronicsDescription: Cord Grip, 1-1/2in., 1.125in.-1.
Packaging: Retail Package
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSR-60DCSAltech CorporationDescription: SUBMIN RELAY SPDP 5MM IP67 6A250
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSR-60DCSAltechGeneral Purpose Relays Submin. Relay, SPDP 5mm IP67 60VDC Coil
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+791.71 грн
10+650.99 грн
100+551.58 грн
250+532.94 грн
500+521.90 грн
1000+512.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RSR-622Remke IndustriesDescription: Cord Grip, 2in., 1.250-1.375in.
Part Status: Active
Packaging: Retail Package
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3501.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RSR-622-RMKERemke IndustriesDescription: Cord Grip, 2in., 1.250-1.375in.
Part Status: Active
Packaging: Retail Package
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3501.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RSR-623-ERemke IndustriesDescription: Cord Grip, 2in., 1.312in.-1.437i
Part Status: Active
Packaging: Retail Package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSR-9520-RMKERemke IndustriesDescription: Cord Grip, 1-1/2in., 1.125in.-1.
Packaging: Retail Package
Part Status: Active
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2037.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RSR010N10ROHM SemiconductorMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSR010N10FHATLROHMDescription: ROHM - RSR010N10FHATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1 A, 0.37 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+56.22 грн
50+52.11 грн
100+48.00 грн
500+37.84 грн
1500+30.65 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSR010N10FHATLROHMDescription: ROHM - RSR010N10FHATL - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, n-Kanal, 100 V, 1 A, 0.37 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+42.12 грн
500+32.98 грн
1000+26.44 грн
3000+23.89 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSR010N10HZGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 1A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.33 грн
6000+17.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSR010N10HZGTLROHMDescription: ROHM - RSR010N10HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1 A, 0.37 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSR010N10HZGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 1A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
455+31.18 грн
474+29.92 грн
500+28.84 грн
1000+26.90 грн
2500+24.17 грн
Мінімальне замовлення: 455 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSR010N10HZGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 1A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+77.66 грн
10+46.74 грн
100+30.63 грн
500+22.23 грн
1000+20.13 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSR010N10HZGTLROHMDescription: ROHM - RSR010N10HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1 A, 0.37 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSR010N10HZGTLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 100V 1A Small Signal MOSFET
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+64.43 грн
10+45.89 грн
100+26.51 грн
500+20.57 грн
1000+18.57 грн
3000+16.08 грн
6000+14.84 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSR010N10TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 1A TSMT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: TSMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSR010N10TLROHM SemiconductorMOSFET 4V Drive Nch MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.45 грн
10+41.92 грн
100+25.27 грн
500+21.12 грн
1000+17.95 грн
3000+16.02 грн
6000+15.12 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSR010N10TL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSR010N10TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 1A TSMT3
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: TSMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
на замовлення 4760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.22 грн
10+47.34 грн
100+30.96 грн
500+22.44 грн
1000+20.31 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSR015P03ROHMSOT-23
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSR015P03 TLROHMSOT23
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSR015P03TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 1.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TSMT3
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
на замовлення 5658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.80 грн
10+35.90 грн
100+23.30 грн
500+16.78 грн
1000+15.14 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSR015P03TLROHM SemiconductorMOSFETs P-CH 30V 1.5A TSMT3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSR015P03TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 1.5A TSMT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TSMT3
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSR015P06FRATLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.5A; Idm: -6A; 1W; TSMT3
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -6A
Drain current: -1.5A
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 0.36Ω
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: TSMT3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSR015P06HZGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 1.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.34 грн
10+41.36 грн
100+27.00 грн
500+19.55 грн
1000+17.68 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSR015P06HZGTLROHMDescription: ROHM - RSR015P06HZGTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.2 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 1.5
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 1
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 1
Bauform - Transistor: TSMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.2
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSR015P06HZGTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.5A; Idm: -6A; 1W; TSMT3
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -6A
Drain current: -1.5A
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 0.36Ω
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: TSMT3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSR015P06HZGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 1.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSR015P06HZGTLROHM SemiconductorMOSFETs MOSFET Pch -60V -1.5A, DriveVoltage:-4 SOT346T
на замовлення 2387 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+70.63 грн
10+43.66 грн
100+24.78 грн
500+19.19 грн
1000+17.33 грн
3000+14.98 грн
6000+13.81 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSR020N06
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSR020N06FRATLROHMDescription: ROHM - RSR020N06FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.12 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1
Bauform - Transistor: TSMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.12
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+22.63 грн
46+17.80 грн
100+11.76 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSR020N06HZGTLROHM SemiconductorMOSFETs SOT346 N-CH 60V 2A
на замовлення 822 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+70.63 грн
10+43.43 грн
100+24.58 грн
500+18.92 грн
1000+17.12 грн
3000+14.70 грн
6000+13.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSR020N06HZGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.13 грн
10+37.47 грн
100+24.41 грн
500+17.62 грн
1000+15.92 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSR020N06HZGTLROHMDescription: ROHM - RSR020N06HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.12 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+72.73 грн
50+45.50 грн
100+29.64 грн
500+21.16 грн
1500+17.67 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSR020N06HZGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 2A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.22 грн
6000+13.49 грн
9000+12.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSR020N06TLROHM
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSR020N06TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSR020N06TLROHM SemiconductorMOSFET TRANS MOSFET NCH 60V 2A 3PIN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSR020N06TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 2A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSR020P03ROHM10+ROHS TSMT3
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSR020P03 TLROHMSOT23/SOT323
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSR020P03TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 2A TSMT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TSMT3
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSR020P03TLROHM SemiconductorMOSFET P-CH 30V 2A TSMT3
на замовлення 1164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.70 грн
10+38.82 грн
100+25.89 грн
500+20.43 грн
1000+16.36 грн
3000+14.84 грн
9000+13.74 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSR020P03TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 2A TSMT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TSMT3
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSR020P03TL
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSR020P05FRATLROHM SemiconductorMOSFET TRANS MOSFET P-CH 3PIN AUTO GRADE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSR020P05FRATLROHMDescription: ROHM - RSR020P05FRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 2 A, 0.19 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+22.15 грн
38+21.58 грн
100+20.94 грн
500+18.92 грн
1000+17.12 грн
5000+16.78 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSR020P05FRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 45V 2A TSMT3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSR020P05FRATLRohmТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSR020P05FRATLROHMDescription: ROHM - RSR020P05FRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 2 A, 0.19 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.94 грн
500+18.92 грн
1000+17.12 грн
5000+16.78 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSR020P05FRATL
Код товару: 154369
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSR020P05FRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 45V 2A TSMT3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSR020P05HZGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 45V 2A TSMT3
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TSMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 15688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.34 грн
10+41.13 грн
100+26.87 грн
500+19.45 грн
1000+17.59 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSR020P05HZGTLROHMDescription: ROHM - RSR020P05HZGTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 2 A, 0.19 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+78.53 грн
17+49.05 грн
100+32.05 грн
500+22.96 грн
1000+19.19 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSR020P05HZGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 45V 2A TSMT3
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TSMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.86 грн
6000+14.96 грн
9000+14.32 грн
15000+12.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSR020P05HZGTLROHM SemiconductorMOSFETs MOSFET Pch -45V -2A, DriveVoltage:-4 SOT346T
на замовлення 5525 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+65.96 грн
10+41.84 грн
100+24.85 грн
500+19.95 грн
1000+18.09 грн
3000+15.60 грн
6000+14.36 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSR020P05HZGTLROHMDescription: ROHM - RSR020P05HZGTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 2 A, 0.19 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.05 грн
500+22.96 грн
1000+19.19 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSR020P05TLROHM SemiconductorMOSFET TRANS MOSFET P-CH 3PIN TSMT T/R
на замовлення 3138 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSR020P05TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 45V 2A TSMT3
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSR020P05TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 45V 2A TSMT3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSR025N03ROHMSOT23
на замовлення 207000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSR025N03 TLROHM
на замовлення 27785 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSR025N03 TL SOT23-QY PBROHM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSR025N03FRATLROHMDescription: ROHM - RSR025N03FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.05 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.95 грн
500+16.53 грн
1000+14.22 грн
5000+12.56 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSR025N03FRATLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.5A; Idm: 10A; 1W; TSMT3
Case: TSMT3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 10A
Drain current: 2.5A
Gate charge: 2.9nC
On-state resistance: 0.118Ω
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSR025N03FRATLROHMDescription: ROHM - RSR025N03FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.05 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+41.56 грн
27+30.61 грн
100+22.95 грн
500+16.53 грн
1000+14.22 грн
5000+12.56 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSR025N03FS
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSR025N03HZGTLROHMDescription: ROHM - RSR025N03HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.05 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.35 грн
500+20.19 грн
1000+16.36 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSR025N03HZGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
на замовлення 1923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.80 грн
10+39.94 грн
100+26.30 грн
500+18.95 грн
1000+17.10 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSR025N03HZGTLROHMDescription: ROHM - RSR025N03HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.05 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+59.84 грн
21+38.74 грн
100+28.35 грн
500+20.19 грн
1000+16.36 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSR025N03HZGTLROHM SemiconductorMOSFETs Automotive Nch 30V 2.5A Small Signal MOSFET
на замовлення 9880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.48 грн
10+32.95 грн
100+21.06 грн
500+16.78 грн
1000+15.12 грн
3000+12.43 грн
6000+12.22 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSR025N03HZGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSR025N03TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): 20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TSMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSR025N03TLROHM SemiconductorMOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSR025N03TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 10 V
на замовлення 3029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.57 грн
10+40.53 грн
100+26.46 грн
500+19.13 грн
1000+17.29 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6 7 8 9  [ Наступна Сторінка >> ]