Продукція > TK8

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
TK80A08K
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK80A08K3
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK80A08K3(Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товар відсутній
TK80A08K3(Q)ToshibaMOSFET MOSFET N-ch 75V 80A
товар відсутній
TK80A08K3A
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK80A08K3A(Q)
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK80A08K3A(Q,M)ToshibaToshiba
товар відсутній
TK80A08K3A(STA4,QMToshibaToshiba
товар відсутній
TK80A08K3A,S4Q(MToshibaToshiba
товар відсутній
TK80A08K3A,S5Q(JToshibaToshiba
товар відсутній
TK80C51FA-BITekmos Inc.MCU 8-bit 80C51 CISC ROMLess 44-Pin LQFP Tray
товар відсутній
TK80C51RA2-PI/PDIP40TekmosMCU 8-bit 8051 CISC ROMLess 5V 40-Pin PDIP
товар відсутній
TK80D08K3(Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220(W)
товар відсутній
TK80E06K3
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK80E07NE,S1Q(SToshibaToshiba
товар відсутній
TK80E08K3
на замовлення 291 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK80E08K3
Код товару: 144104		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
TK80E08K3(S1,Q,D)ToshibaToshiba
товар відсутній
TK80E08K3(S1SS-Q)ToshibaToshiba
товар відсутній
TK80E08K3A(S1,Q,D)ToshibaToshiba
товар відсутній
TK80E08K3A(S1,Q,D2ToshibaToshiba
товар відсутній
TK80E08K3A(S1SS-Q)ToshibaToshiba
товар відсутній
TK80E08K3A(S1SS2,QToshibaToshiba
товар відсутній
TK80S04K3L
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK80S04K3L(T6L1,NQToshibaMOSFET N-Ch MOS 80A 40V 100W 4340pF 0.0031
товар відсутній
TK80S04K3L(T6L1,NQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 10 V
товар відсутній
TK80S06K3L
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK80S06K3L(T6L1,NQToshibaMOSFET N-Ch MOS 80A 60V 100W 4200pF 0.0055
товар відсутній
TK80S06K3L(T6L1,NQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 80A DPAK
товар відсутній
TK8128K-70 128K 8 NVSRAMTICKDIP32 0416+
на замовлення 2190 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK8128K-70 128K 8 NVSRAMTICK0416+ DIP32
на замовлення 2190 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK8128K-70128K8
на замовлення 2190 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK82596AU3-G
на замовлення 744 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK8279
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK83361M
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK83361MTLTOKO
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK8336M-TL
на замовлення 2193 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK833L1MTLTOKOA13
на замовлення 498 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK83854
на замовлення 275 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK83854D
на замовлення 285 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK83854MTLTOKO00+ SOP
на замовлення 777 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK8401
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK84V RELAYTraktronixDescription: POWERDRIVE POWER RELAY 48V 40A
Packaging: Bulk
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK86287AM1G0LTOKOINC2008
на замовлення 1610 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK8628TAMIGOL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK897MG-101=P3
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK897MG-1101=P3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK89C668AITekmos8-Bit TK89C668 Microcontroller 64K Flash, 8K RAM, TWI
товар відсутній
TK8A10K3,S5QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 8A TO220SIS
товар відсутній
TK8A25DA
на замовлення 62800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK8A25DA,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 100 V
товар відсутній
TK8A25DA,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 250V 7.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товар відсутній
TK8A25DA,S4XToshibaMOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=30W F=1MHZ
на замовлення 1187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+62.85 грн
10+ 50.47 грн
100+ 34.1 грн
500+ 28.9 грн
1000+ 23.51 грн
2500+ 22.18 грн
5000+ 21.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
TK8A25DA,S4X(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK8A25DA,S4X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 7.5 A, 0.41 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+62.3 грн
50+ 53.41 грн
Мінімальне замовлення: 12
TK8A45D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 8A 450V 35W 700pF 0.9 Ohm
товар відсутній
TK8A45D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 450V 8A TO220SIS
товар відсутній
TK8A45DA(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 450V 7.5A TO-220SIS
товар відсутній
TK8A45DA(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 7.5A 450V 35W 600pF 1.1 Ohm
товар відсутній
TK8A50
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK8A50DToshibaToshiba
товар відсутній
TK8A50D
Код товару: 188419		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
TK8A50D(Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товар відсутній
TK8A50D(Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товар відсутній
TK8A50D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-Ch FET 500V 4.0s IDSS 10 uA 0.7 Ohm
на замовлення 2064 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+116.54 грн
10+ 78.11 грн
100+ 46.88 грн
500+ 45.28 грн
1000+ 41.95 грн
2500+ 41.29 грн
5000+ 39.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK8A50D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товар відсутній
TK8A50D(STA4,Q,M)TOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; Idm: 32A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 535 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.37 грн
10+ 61.74 грн
15+ 53.41 грн
42+ 50.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
TK8A50D(STA4,Q,M)TOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; Idm: 32A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 535 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+86.44 грн
10+ 74.09 грн
15+ 64.1 грн
42+ 60.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK8A50D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 8A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.33 грн
50+ 82.98 грн
100+ 65.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK8A50D(STA4,X,M)ToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товар відсутній
TK8A50D(STA4XM)ToshibaToshiba
товар відсутній
TK8A50DA(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 7.5A 500V 35W 700pF 1.04 Ohm
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+111.1 грн
10+ 94.2 грн
100+ 67.93 грн
500+ 51.41 грн
1000+ 40.42 грн
2500+ 40.09 грн
5000+ 38.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK8A50DA(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 7.5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.04Ohm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+102.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK8A50DA(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 7.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товар відсутній
TK8A55DAToshibaToshiba
товар відсутній
TK8A55DA(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 550V 7.5A TO220SIS
товар відсутній
TK8A55DA(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 7.5A 550V 40W 800pF 1.07 Ohm
товар відсутній
TK8A60D
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK8A60DA
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK8A60DAToshibaToshiba
товар відсутній
TK8A60DA(Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товар відсутній
TK8A60DA(Q)ToshibaMOSFET
товар відсутній
TK8A60DA(Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товар відсутній
TK8A60DA(QM)ToshibaMOSFET
товар відсутній
TK8A60DA(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товар відсутній
TK8A60DA(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
товар відсутній
TK8A60DA(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 7.5A 600V 45W 1050pF 1 Ohm
товар відсутній
TK8A60V,VX(MToshibaTK8A60V,VX(M
товар відсутній
TK8A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK8A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товар відсутній
TK8A60W,S4VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 8A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 400µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 300 V
товар відсутній
TK8A60W,S4VXToshibaMOSFET N-Ch 8A 30W FET 600V 570pF 18.5nC
товар відсутній
TK8A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+115.23 грн
10+ 111.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
TK8A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товар відсутній
TK8A60W,S4VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товар відсутній
TK8A60W,S4VX(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK8A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.42 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.42ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+134.47 грн
50+ 115.04 грн
Мінімальне замовлення: 6
TK8A60W,S5VX(MToshibaTK8A60W,S5VX(M
товар відсутній
TK8A60W5,S5VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+93.35 грн
11+ 57.64 грн
Мінімальне замовлення: 7
TK8A60W5,S5VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 8A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V
товар відсутній
TK8A60W5,S5VXToshibaMOSFET Power MOSFET N-Channel
товар відсутній
TK8A60W5,S5VX(MToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товар відсутній
TK8A65DToshibaToshiba
товар відсутній
TK8A65D(Q)ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товар відсутній
TK8A65D(Q)
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK8A65D(STA4,Q,M)
Код товару: 186460		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
TK8A65D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-Ch FET 650V 4.5s IDSS 10 uA 0.7 Ohm
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+167.04 грн
10+ 141.68 грн
100+ 105.22 грн
250+ 90.57 грн
500+ 79.25 грн
1000+ 65.06 грн
5000+ 62.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK8A65D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK8A65D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 8A TO220SIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 840mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+157.76 грн
10+ 125.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK8A65D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товар відсутній
TK8A65D(STA4,X,M)ToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товар відсутній
TK8A65D(STA4XM)ToshibaToshiba
товар відсутній
TK8A65W,S5XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 7.8A TO220SIS
товар відсутній
TK8A65W,S5XToshibaMOSFET Power MOSFET N-Channel
товар відсутній
TK8A65W,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товар відсутній
TK8A65W,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товар відсутній
TK8A65W,S5X(MToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товар відсутній
TK8P-3.5TraktronixDescription: 8 PIN 3.5MM TERM BLOCK CONNECTOR
Packaging: Bulk
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+310.48 грн
TK8P25DA
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK8P25DA,RQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 250V 7.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товар відсутній
TK8P25DA,RQ(S2TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK8P25DA,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 7.5 A, 0.41 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+47.06 грн
21+ 36.01 грн
100+ 26.59 грн
500+ 21.5 грн
1000+ 17.35 грн
Мінімальне замовлення: 16
TK8P25DA,RQ(S2TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK8P25DA,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 7.5 A, 0.41 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.59 грн
500+ 21.5 грн
1000+ 17.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
TK8P25DA,RQ(S2ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 250V 7.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
TK8P25DARQ(SToshibaMOSFET
товар відсутній
TK8P25DARQ(S2ToshibaMOSFET
товар відсутній
TK8P60V,RVQ(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товар відсутній
TK8P60W,RVQToshibaMOSFET DTMOSIV 600V 500mOhm 8A 80W 570pF 18.5nC
товар відсутній
TK8P60W,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 8A DPAK
товар відсутній
TK8P60W,RVQTOSHIBATK8P60W SMD N channel transistors
товар відсутній
TK8P60W,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 8A DPAK
товар відсутній
TK8P60W,RVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK8P60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.42 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 80W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.42ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.42ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+88.15 грн
500+ 73.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
TK8P60W,RVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK8P60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.42 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.42ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+121.77 грн
10+ 106.08 грн
100+ 88.15 грн
500+ 73.53 грн
Мінімальне замовлення: 7
TK8P60W5,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+120.52 грн
10+ 98.1 грн
25+ 95.4 грн
50+ 91.08 грн
100+ 66.5 грн
250+ 63.2 грн
500+ 53.17 грн
1000+ 42.99 грн
3000+ 42.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
TK8P60W5,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V
на замовлення 15673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.54 грн
10+ 98.85 грн
100+ 79.43 грн
500+ 61.25 грн
1000+ 50.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK8P60W5,RVQToshibaMOSFET Power MOSFET N-Channel
на замовлення 2002 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+109.55 грн
10+ 89.6 грн
100+ 61.93 грн
250+ 57.6 грн
500+ 52.28 грн
1000+ 44.75 грн
2000+ 42.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK8P60W5,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+52.28 грн
6000+ 48.48 грн
10000+ 47.24 грн
Мінімальне замовлення: 2000
TK8P60W5,RVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK8P60W5,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.44 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.44ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+112.8 грн
10+ 90.39 грн
100+ 67.16 грн
500+ 46.68 грн
2000+ 40.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
TK8P60W5,RVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK8P60W5,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.44 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.44ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+67.16 грн
500+ 46.68 грн
2000+ 40.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
TK8P65W,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 300 V
на замовлення 1974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.46 грн
10+ 97.81 грн
100+ 77.84 грн
500+ 61.81 грн
1000+ 52.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK8P65W,RQToshibaMOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=80W F=1MHZ
на замовлення 1856 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.85 грн
10+ 108.75 грн
100+ 75.25 грн
250+ 69.92 грн
500+ 63.2 грн
1000+ 54.07 грн
2000+ 51.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK8P65W,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 300 V
товар відсутній
TK8P65W,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 7.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
TK8P65W,RQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 7.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
TK8P65WRQ(SToshibaMOSFET
товар відсутній
TK8Q60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+114.69 грн
10+ 110.23 грн
25+ 107.47 грн
Мінімальне замовлення: 6
TK8Q60W,S1VQToshibaMOSFET DTMOSIV 600V 500mOhm 8A 80W 570pF 18.5nC
товар відсутній
TK8Q60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній
TK8Q60W,S1VQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 8A IPAK
товар відсутній
TK8Q65W,S1QToshibaMOSFET Power MOSFET N-Channel
товар відсутній
TK8Q65W,S1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 7.8A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 300 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.9 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK8Q65W,S1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 7.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+42.85 грн
Мінімальне замовлення: 14
TK8R2A06PL,S4XToshibaMOSFET N-Ch 60V 1990pF 29nC 50A 34W
на замовлення 3628 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+70.08 грн
10+ 57.21 грн
100+ 38.69 грн
500+ 32.83 грн
1000+ 26.7 грн
2500+ 25.17 грн
5000+ 23.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
TK8R2A06PL,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 25 V
на замовлення 1537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.83 грн
50+ 50.58 грн
100+ 40.08 грн
500+ 31.88 грн
1000+ 25.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
TK8R2A06PL,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK8R2A06PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0061 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm
на замовлення 1286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+79.19 грн
12+ 67.08 грн
100+ 48.63 грн
500+ 37.32 грн
1000+ 32.98 грн
Мінімальне замовлення: 10
TK8R2E06PL,S1XToshibaMOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220AB PD=81W F=1MHZ
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+83.91 грн
10+ 67.39 грн
100+ 45.55 грн
500+ 36.83 грн
1000+ 31.43 грн
2500+ 29.97 грн
5000+ 28.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK8R2E06PL,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 30 V
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+77.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK8R2E06PL,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK8R2E06PL,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 0.0061 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 81W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+91.89 грн
11+ 70.52 грн
Мінімальне замовлення: 9
TK8S06K3L
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK8S06K3L(T6L1,NQ)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
товар відсутній
TK8S06K3L(T6L1,NQ)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK8S06K3L(T6L1,NQ)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 8A 60V 25W 400pF 0.054
на замовлення 1688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.68 грн
10+ 81.18 грн
100+ 54.87 грн
500+ 45.42 грн
1000+ 35.83 грн
2000+ 33.43 грн
4000+ 33.16 грн
Мінімальне замовлення: 4