Продукція > TK8

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
TK80A08K
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK80A08K3
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK80A08K3(Q)ToshibaMOSFET MOSFET N-ch 75V 80A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK80A08K3A
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK80A08K3A(Q)
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK80A08K3A(Q,M)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK80A08K3A(STA4,QMToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK80A08K3A,S4Q(MToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK80A08K3A,S5Q(JToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK80C51RA2-PI/PDIP40TekmosMCU 8-bit 8051 CISC ROMLess 5V 40-Pin PDIP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK80E06K3
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK80E07NE,S1Q(SToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK80E08K3
на замовлення 291 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK80E08K3
Код товару: 144104
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK80E08K3(S1,Q,D)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK80E08K3(S1SS-Q)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK80E08K3A(S1,Q,D)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK80E08K3A(S1,Q,D2ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK80E08K3A(S1SS-Q)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK80E08K3A(S1SS2,QToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK80S04K3L
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK80S04K3L(T6L1,NQToshibaMOSFETs N-Ch MOS 80A 40V 100W 4340pF 0.0031
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK80S04K3L(T6L1,NQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK80S06K3L
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK80S06K3L(T6L1,NQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 80A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK80S06K3L(T6L1,NQToshibaMOSFETs N-Ch MOS 80A 60V 100W 4200pF 0.0055
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK8128K-70 128K 8 NVSRAMTICK0416+ DIP32
на замовлення 2190 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK8128K-70128K8
на замовлення 2190 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK82596AU3-G
на замовлення 744 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK8279
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK83361M
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK83361MTLTOKO
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK8336M-TL
на замовлення 2193 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK833L1MTLTOKOA13
на замовлення 498 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK83854
на замовлення 275 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK83854D
на замовлення 285 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK83854MTLTOKO00+ SOP
на замовлення 777 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK83PD1AABBCircuit Breaker Accessories K FRAME PLUG-IN BASE ASSMB HORIZONT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK8401
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK84V RELAYTraktronixDescription: POWERDRIVE POWER RELAY 48V 40A
Packaging: Bulk
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+180.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK86287AM1G0LTOKOINC2008
на замовлення 1610 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK8628TAMIGOL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK87C751-5N24TekmosMPU 80C51 CISC 8bit 20MHz 24-Pin PDIP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK897MG-101=P3
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK897MG-1101=P3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK89C668AITekmos8-Bit TK89C668 Microcontroller 64K Flash, 8K RAM, TWI
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A10K3,S5QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 8A TO220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A25DA
на замовлення 62800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A25DA,S4XToshibaMOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=30W F=1MHZ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A25DA,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 250V 7.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A25DA,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A25DA,S4X(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK8A25DA,S4X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 7.5 A, 0.41 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 30W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A45D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 450V 8A TO220SIS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A45D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 8A 450V 35W 700pF 0.9 Ohm
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A45DA(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 450V 7.5A TO-220SIS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A45DA(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 7.5A 450V 35W 600pF 1.1 Ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A50
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A50D
Код товару: 188419
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A50DToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A50D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A50D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch FET 500V 4.0s IDSS 10 uA 0.7 Ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A50D(STA4,Q,M)TOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; Idm: 32A; 40W; TO220FP
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.85Ω
Power dissipation: 40W
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
Kind of package: tube
Case: TO220FP
Kind of channel: enhancement
на замовлення 322 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+137.47 грн
10+74.12 грн
50+61.77 грн
100+57.65 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A50D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 8A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+154.72 грн
50+72.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A50D(STA4,X,S)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
214+65.77 грн
250+63.13 грн
Мінімальне замовлення: 214 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A50D(STA4XM)ToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A50DA(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 7.5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.04Ohm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A50DA(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 7.5A 500V 35W 700pF 1.04 Ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A55DAToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A55DA(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 7.5A 550V 40W 800pF 1.07 Ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A55DA(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 550V 7.5A TO220SIS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A60D
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A60DA
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A60DAToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A60DA(Q)ToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A60DA(QM)ToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A60DA(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 7.5A 600V 45W 1050pF 1 Ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A60DA(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A60W,S4VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 8A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 400µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 300 V
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+92.58 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A60W,S4VXToshibaMOSFETs N-Ch 8A 30W FET 600V 570pF 18.5nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A60W,S4VX(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK8A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.42 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 30W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.42ohm
на замовлення 614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A60W5,S5VXToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A60W5,S5VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 8A TO220SIS
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A60W5,S5VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+121.01 грн
11+74.72 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A60W5S5VX(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A60WS4VX(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A65DToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A65D(Q)
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A65D(STA4,Q,M)
Код товару: 186460
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A65D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 8A TO220SIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 840mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A65D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A65D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch FET 650V 4.5s IDSS 10 uA 0.7 Ohm
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A65D(STA4,X,M)ToshibaTK8A65D(STA4,X,M)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A65D(STA4XM)ToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A65W,S5XToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A65W,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A65W,S5XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 7.8A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 3.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.00 грн
50+60.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]