Продукція > TK8

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
TK80A08K
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK80A08K3
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK80A08K3(Q)ToshibaMOSFET MOSFET N-ch 75V 80A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK80A08K3A
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK80A08K3A(Q)
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK80A08K3A(Q,M)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK80A08K3A(STA4,QMToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK80A08K3A,S4Q(MToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK80A08K3A,S5Q(JToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK80C51RA2-PI/PDIP40TekmosMCU 8-bit 8051 CISC ROMLess 5V 40-Pin PDIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK80E06K3
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK80E07NE,S1Q(SToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK80E08K3
на замовлення 291 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK80E08K3
Код товару: 144104
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK80E08K3(S1,Q,D)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK80E08K3(S1SS-Q)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK80E08K3A(S1,Q,D)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK80E08K3A(S1,Q,D2ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK80E08K3A(S1SS-Q)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK80E08K3A(S1SS2,QToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK80S04K3L
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK80S04K3L(T6L1,NQToshibaMOSFETs N-Ch MOS 80A 40V 100W 4340pF 0.0031
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK80S04K3L(T6L1,NQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK80S06K3L
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK80S06K3L(T6L1,NQToshibaMOSFETs N-Ch MOS 80A 60V 100W 4200pF 0.0055
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK80S06K3L(T6L1,NQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 80A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK8128K-70 128K 8 NVSRAMTICK0416+ DIP32
на замовлення 2190 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK8128K-70 128K 8 NVSRAMTICKDIP32 0416+
на замовлення 2190 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK8128K-70128K8
на замовлення 2190 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK82596AU3-G
на замовлення 744 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK8279
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK83361M
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK83361MTLTOKO
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK8336M-TL
на замовлення 2193 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK833L1MTLTOKOA13
на замовлення 498 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK83854
на замовлення 275 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK83854D
на замовлення 285 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK83854MTLTOKO00+ SOP
на замовлення 777 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK83PD1AABBCircuit Breaker Accessories K FRAME PLUG-IN BASE ASSMB HORIZONT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK8401
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK84V RELAYTraktronixDescription: POWERDRIVE POWER RELAY 48V 40A
Packaging: Bulk
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+180.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK86287AM1G0LTOKOINC2008
на замовлення 1610 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK8628TAMIGOL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK87C751-5N24TekmosMPU 80C51 CISC 8bit 20MHz 24-Pin PDIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK897MG-101=P3
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK897MG-1101=P3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK89C668AITekmos8-Bit TK89C668 Microcontroller 64K Flash, 8K RAM, TWI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A10K3,S5QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 8A TO220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A25DA
на замовлення 62800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A25DA,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 250V 7.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A25DA,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A25DA,S4XToshibaMOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=30W F=1MHZ
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.59 грн
10+52.84 грн
100+33.73 грн
500+26.35 грн
1000+23.28 грн
2500+22.26 грн
5000+20.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A25DA,S4X(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK8A25DA,S4X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 7.5 A, 0.41 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+80.45 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A45D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 450V 8A TO220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A45D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 8A 450V 35W 700pF 0.9 Ohm
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+137.01 грн
10+68.23 грн
100+57.49 грн
500+41.92 грн
1000+35.78 грн
5000+35.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A45DA(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 7.5A 450V 35W 600pF 1.1 Ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A45DA(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 450V 7.5A TO-220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A50
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A50D
Код товару: 188419
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A50DToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A50D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch FET 500V 4.0s IDSS 10 uA 0.7 Ohm
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.36 грн
10+70.90 грн
100+59.88 грн
500+43.83 грн
1000+40.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A50D(STA4,Q,M)TOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; Idm: 32A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 331 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+158.25 грн
10+94.22 грн
50+74.95 грн
100+69.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A50D(STA4,Q,M)TOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; Idm: 32A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+131.87 грн
10+75.61 грн
50+62.46 грн
100+57.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A50D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 8A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.03 грн
50+65.15 грн
100+58.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A50D(STA4,X,S)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A50D(STA4XM)ToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A50DA(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 7.5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.04Ohm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A50DA(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 7.5A 500V 35W 700pF 1.04 Ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A55DAToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A55DA(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 7.5A 550V 40W 800pF 1.07 Ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A55DA(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 550V 7.5A TO220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A60D
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A60DAToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A60DA
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A60DA(Q)ToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A60DA(QM)ToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A60DA(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A60DA(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 7.5A 600V 45W 1050pF 1 Ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A60W,S4VXToshibaMOSFETs N-Ch 8A 30W FET 600V 570pF 18.5nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+91.34 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A60W,S4VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 8A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 400µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 300 V
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A60W,S4VX(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK8A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.42 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.42ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+249.32 грн
10+125.86 грн
100+113.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A60W5,S5VXToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+177.63 грн
10+104.43 грн
100+65.20 грн
500+49.91 грн
1000+43.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A60W5,S5VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 8A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A60W5,S5VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+119.38 грн
11+73.72 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A60W5S5VX(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A60WS4VX(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A65DToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A65D(Q)
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A65D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 8A TO220SIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 840mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A65D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A65D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch FET 650V 4.5s IDSS 10 uA 0.7 Ohm
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+200.73 грн
10+100.50 грн
100+81.93 грн
500+63.97 грн
1000+59.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A65D(STA4,Q,M)
Код товару: 186460
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A65D(STA4,X,M)ToshibaTK8A65D(STA4,X,M)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A65D(STA4XM)ToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A65W,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A65W,S5XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 7.8A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 300 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.75 грн
50+60.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A65W,S5XToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A65WS5X(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK8P-3.5TraktronixDescription: 8 PIN 3.5MM TERM BLOCK CONNECTOR
Packaging: Bulk
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+331.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK8P25DA
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK8P25DA,RQ(S2TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK8P25DA,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 7.5 A, 0.41 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+55.44 грн
18+45.24 грн
100+29.71 грн
500+20.41 грн
1000+17.00 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
TK8P25DA,RQ(S2TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK8P25DA,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 7.5 A, 0.41 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.71 грн
500+20.41 грн
1000+17.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK8P25DARQ(SToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK8P25DARQ(S2ToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK8P60W,RVQToshibaMOSFET DTMOSIV 600V 500mOhm 8A 80W 570pF 18.5nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK8P60W,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK8P60W,RVQTOSHIBATK8P60W SMD N channel transistors
на замовлення 1954 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+101.96 грн
17+69.03 грн
47+65.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK8P60W,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 400µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK8P60W,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK8P60W,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 400µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK8P60W,RVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK8P60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.42 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 80W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.42ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.42ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+64.52 грн
500+51.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK8P60W,RVQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+68.91 грн
252+51.49 грн
296+43.81 грн
500+36.17 грн
1000+31.80 грн
2000+28.53 грн
Мінімальне замовлення: 188
В кошику  од. на суму  грн.
TK8P60W,RVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK8P60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.42 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.42ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+125.06 грн
10+83.64 грн
100+64.52 грн
500+51.63 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TK8P60W5,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V
на замовлення 2855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.84 грн
10+78.33 грн
100+63.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK8P60W5,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
163+74.73 грн
Мінімальне замовлення: 163
В кошику  од. на суму  грн.
TK8P60W5,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+69.75 грн
Мінімальне замовлення: 186
В кошику  од. на суму  грн.
TK8P60W5,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+54.73 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK8P60W5,RVQToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
на замовлення 1709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+103.55 грн
10+75.38 грн
100+50.52 грн
500+43.70 грн
1000+43.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK8P60W5,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK8P60W5,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK8P60W5,RVQ(SToshibaMOSFETs Silicon N-Channel MOS
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+49.07 грн
270+47.95 грн
1000+46.15 грн
Мінімальне замовлення: 264
В кошику  од. на суму  грн.
TK8P60W5,RVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK8P60W5,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.44 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.44ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+85.23 грн
13+63.01 грн
100+48.75 грн
500+44.38 грн
1000+40.15 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TK8P60W5,RVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK8P60W5,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.44 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.44ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.75 грн
500+44.38 грн
1000+40.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK8P65W,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK8P65W,RQToshibaMOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=80W F=1MHZ
на замовлення 1788 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+128.24 грн
10+100.50 грн
100+68.96 грн
1000+63.97 грн
2000+58.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK8P65W,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 300 V
на замовлення 1974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.97 грн
10+96.82 грн
100+76.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK8P65W,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 7.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK8P65W,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK8P65W,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7.8 A, 0.55 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+54.32 грн
500+41.42 грн
1000+35.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK8P65W,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK8P65W,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7.8 A, 0.55 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+95.59 грн
11+76.39 грн
100+54.32 грн
500+41.42 грн
1000+35.57 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TK8P65WRQ(SToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK8Q60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+146.67 грн
10+140.97 грн
25+137.44 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK8Q60W,S1VQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 8A IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK8Q60W,S1VQToshibaMOSFET DTMOSIV 600V 500mOhm 8A 80W 570pF 18.5nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK8Q60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK8Q65W,S1QToshibaMOSFET Power MOSFET N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK8Q65W,S1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 7.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+54.79 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
TK8Q65W,S1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 7.8A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 300 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK8R2A06PL,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 25 V
на замовлення 3217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.98 грн
50+53.28 грн
100+47.60 грн
500+35.32 грн
1000+32.32 грн
2000+29.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK8R2A06PL,S4XToshibaMOSFETs N-Ch 60V 1990pF 29nC 50A 34W
на замовлення 648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.28 грн
10+56.85 грн
100+44.11 грн
500+34.89 грн
1000+30.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK8R2A06PL,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK8R2A06PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 6100 µohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+123.47 грн
13+64.36 грн
100+57.43 грн
500+44.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TK8R2E06PL,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 30 V
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK8R2E06PL,S1XToshibaMOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220AB PD=81W F=1MHZ
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+135.41 грн
10+64.38 грн
100+53.66 грн
500+39.80 грн
1000+36.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK8R2E06PL,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK8R2E06PL,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 0.0061 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 81W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+136.21 грн
11+73.12 грн
100+58.23 грн
500+39.94 грн
1000+31.20 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK8S06K3L
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK8S06K3L(T6L1,NQ)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
на замовлення 3738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.13 грн
10+76.26 грн
100+51.86 грн
500+38.98 грн
1000+35.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK8S06K3L(T6L1,NQ)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+36.39 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK8S06K3L(T6L1,NQ)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 8A 60V 25W 400pF 0.054
на замовлення 7039 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+116.30 грн
10+74.98 грн
100+43.22 грн
500+35.71 грн
1000+32.64 грн
2000+29.15 грн
4000+27.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.