Продукція > YJL

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
YJL02N10AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 100V 2A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL02N10AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 100V 2A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL02N10A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 100V 2A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL02N10A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 100V 2A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03G10AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3A; Idm: 121A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 121A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
102+4.16 грн
113+3.51 грн
250+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 102
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03G10A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 100V 3A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03G10A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 100V 3A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N04AYangjie TechnologyDescription: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.45 грн
15000+2.20 грн
30000+2.04 грн
60000+1.84 грн
120000+1.62 грн
300000+1.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N04AYangjie Electronic TechnologyYJL03N04A
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6303+1.94 грн
Мінімальне замовлення: 6303
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N06AYangjie Electronic TechnologyYJL03N06A
на замовлення 999000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5358+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 5358
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N06AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 60V 3A SOT-23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 30 V
на замовлення 858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.86 грн
18+17.76 грн
100+9.41 грн
500+5.81 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N06AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 60V 3A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N06A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 60V 3A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N06A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 60V 3A SOT-23-3L
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.37 грн
12+27.90 грн
100+15.82 грн
500+9.83 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N06AQYangjie TechnologyDescription: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.22 грн
15000+4.72 грн
30000+4.48 грн
60000+3.91 грн
120000+3.54 грн
300000+3.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N06AQYangjie Electronic TechnologyYJL03N06AQ
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3062+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 3062
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N06BYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 60V 3A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 451 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N06BYangjie TechnologyDescription: SOT-23 N 60V 3A Transistors FET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.75 грн
15000+2.50 грн
30000+2.35 грн
60000+2.07 грн
120000+1.86 грн
300000+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N06BYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 60V 3A SOT-23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 451 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N06B-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 60V 3A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N06B-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 60V 3A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N06C-F2-0000HFYYTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 95mOhm; 3A; 1,2W; -55°C~150°C; YJL03N06A IS EOL; REPLACEMENT: YJL03N06C. YJL03N06C TYJL03N06C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
YJL05N04A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 40V 5A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL05N04A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 40V 5A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL05N04AQYangjie TechnologyDescription: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.94 грн
15000+3.64 грн
30000+3.41 грн
60000+2.99 грн
120000+2.70 грн
300000+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL05N04C-F2-0000HFYYTransistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 50mOhm; 5A; 1,2W; -55°C~150°C; YJL05N04A IS EOL; REPLACEMENT: YJL05N04C. YJL05N04C TYJL05N04C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
YJL05N06ALYangjie TechnologyDescription: SOT-23 N 60V 5A Transistors FET
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.14 грн
15000+5.61 грн
30000+5.23 грн
60000+4.62 грн
120000+4.20 грн
300000+3.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2101WYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 2A SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 327 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2101WYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 2A SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 327 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2101W-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 2A SOT-323
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2101W-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 2A SOT-323
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2102WYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 20V 3A SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.61 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2102WYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 20V 3A SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.61 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2102W-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 20V 3A SOT-323
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2102W-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 20V 3A SOT-323
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2300AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 3.6A; 1W
Case: SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.6A
On-state resistance: 49mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4.2nC
Technology: TRENCH POWER LV
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 18A
Mounting: SMD
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
130+3.34 грн
200+2.00 грн
500+1.78 грн
570+1.63 грн
1560+1.54 грн
Мінімальне замовлення: 130
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301CYangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.MOSFET SOT-23 P Channel 20V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301CYangjie Electronic TechnologyP-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
на замовлення 999000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6303+1.94 грн
Мінімальне замовлення: 6303
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301CYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 3.4A SOT-23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478 pF @ 10 V
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.86 грн
18+17.76 грн
100+9.41 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301CYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -2.7A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.7A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
120+3.77 грн
180+2.23 грн
450+2.07 грн
500+1.98 грн
1230+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301CYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 3.4A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301C-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 3.4A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301C-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 3.4A SOT-23-3L
на замовлення 1292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.67 грн
17+18.55 грн
100+9.84 грн
500+6.08 грн
1000+4.13 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301C-F2-0000HFYYP-Channel MOSFET -3A -20V 120m? Substitute: IRLML6402 , SKML6402 IRLML6402 Yangjie TIRLML6402 c
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301CQYangjie Electronic TechnologyYJL2301CQ
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3349+3.65 грн
Мінімальне замовлення: 3349
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301CQYangjie TechnologyDescription: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.73 грн
15000+4.32 грн
30000+4.09 грн
60000+3.61 грн
120000+3.25 грн
300000+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301DYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -3A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -15V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 87mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301DYangjie Electronic TechnologyP-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
на замовлення 999000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301DYangjie TechnologyDescription: SOT-23 P -19V -3.8A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 900000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.69 грн
15000+2.52 грн
30000+2.36 грн
60000+2.07 грн
120000+1.84 грн
300000+1.70 грн
600000+1.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301FYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 2A SOT-23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 327 pF @ 10 V
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.33 грн
23+14.07 грн
100+7.67 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301FYangjie Electronic TechnologyP-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
на замовлення 999000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8242+1.48 грн
Мінімальне замовлення: 8242
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301FYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 2A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 327 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301FYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -1.6A; 0.7W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.6A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
120+3.72 грн
220+1.88 грн
500+1.67 грн
620+1.49 грн
1720+1.41 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301F-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 2A SOT-23-3L
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.67 грн
17+18.55 грн
100+9.84 грн
500+6.08 грн
1000+4.13 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301F-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 2A SOT-23-3L
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301GYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -1.6A; 0.7W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -15V
Drain current: -1.6A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301GYangjie Electronic TechnologyP-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8242+1.48 грн
Мінімальне замовлення: 8242
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301GYangjie TechnologyDescription: SOT-23 P -19V -2A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.96 грн
15000+1.81 грн
30000+1.65 грн
60000+1.48 грн
120000+1.33 грн
300000+1.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301GWYangjie Electronic TechnologyYJL2301GW
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7143+1.71 грн
Мінімальне замовлення: 7143
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301NYangjie Electronic TechnologyP-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8929+1.37 грн
Мінімальне замовлення: 8929
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301NYangjie TechnologyDescription: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.80 грн
15000+1.65 грн
30000+1.49 грн
60000+1.33 грн
120000+1.18 грн
300000+1.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2302AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 20V 4.3A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 602 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2302AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 3.5A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
120+3.60 грн
200+2.01 грн
500+1.78 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2302AYangjie TechnologyDescription: SOT-23 N 20V 4.3A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.20 грн
15000+1.97 грн
30000+1.89 грн
60000+1.62 грн
120000+1.48 грн
300000+1.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2302AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 20V 4.3A SOT-23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 602 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2302A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 20V 4.3A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2302A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 20V 4.3A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2302BYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 20V 3A SOT-23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2302BYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 20V 3A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2302B-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 20V 3A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2302B-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 20V 3A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2303A-F2-0000HFYYTransistor N-Channel MOSFET; -30V; 20V; 85mOhm; 3A; 1,1W; -55°C ~ 150°C; YJL2303A-F2-0000HF TYJL2303A-F2-0000HF
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.08 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2304AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 30V 3.6A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2304AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 30V 3.6A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2304A-F2-0100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 30V 3.6A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2304A-F2-0100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 30V 3.6A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2305A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 15V 5.6A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2305A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 15V 5.6A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2305BYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 5.4A SOT-23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 10 V
на замовлення 1137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.30 грн
20+16.43 грн
100+8.03 грн
500+6.29 грн
1000+4.37 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2305BYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -4.4A; 1.2W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23
Technology: TRENCH POWER LV
Pulsed drain current: -22A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.4A
Gate charge: 7.2nC
On-state resistance: 75mΩ
Power dissipation: 1.2W
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
140+3.26 грн
160+2.70 грн
460+2.06 грн
1240+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 140
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2305BYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 5.4A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2305B-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 5.4A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2305B-F2-0000HFYYP-CH MOSFET 20V 5.4A SOT-23-3L YJL2305B-F2-0000HF TYJL2305B-F2-0000HF
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+1.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2305B-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 5.4A SOT-23-3L
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.67 грн
17+18.71 грн
100+9.95 грн
500+6.14 грн
1000+4.18 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2305B-F2-0000HFYYP-CH MOSFET 20V 5.4A SOT-23-3L YJL2305B-F2-0000HF TYJL2305B-F2-0000HF
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 600 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+1.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2312AYangjie TechnologyDescription: SOT-23 N 20V 6.8A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.86 грн
15000+2.59 грн
30000+2.44 грн
60000+2.14 грн
120000+1.92 грн
300000+1.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2312A-F2-0100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 20V 6.8A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2312A-F2-0100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 20V 6.8A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2312ALYangjie TechnologyDescription: SOT-23 N 20V 7.6A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.67 грн
15000+3.30 грн
30000+3.14 грн
60000+2.73 грн
120000+2.43 грн
300000+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2312AQYangjie TechnologyDescription: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.22 грн
15000+4.72 грн
30000+4.48 грн
60000+3.91 грн
120000+3.54 грн
300000+3.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3134KWYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 20V 0.75A SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3134KWYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 20V 0.75A SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3134KW-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 20V 0.75A SOT-323
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3134KW-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 20V 0.75A SOT-323
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3400AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 30V 5.6A SOT-23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 15 V
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+21.22 грн
19+16.82 грн
100+8.94 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3400AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 30V 5.6A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3400A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 30V 5.6A SOT-23-3L
на замовлення 1536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.67 грн
17+18.71 грн
100+9.95 грн
500+6.14 грн
1000+4.18 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3400A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 30V 5.6A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3401AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 30V 4.4A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3401AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.5A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3401AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 30V 4.4A SOT-23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.04 грн
22+14.31 грн
100+6.99 грн
500+5.47 грн
1000+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3401A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 30V 4.4A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3401A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 30V 4.4A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3401ALYangjie TechnologyDescription: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.08 грн
15000+3.69 грн
30000+3.54 грн
60000+3.10 грн
120000+2.80 грн
300000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3401ALYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.5A; 1.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
65+6.60 грн
145+2.71 грн
360+2.57 грн
500+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3401AQYangjie TechnologyDescription: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.22 грн
15000+4.72 грн
30000+4.48 грн
60000+3.91 грн
120000+3.54 грн
300000+3.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3404AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 30V 5.6A SOT-23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.6A,, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 526 pF @ 15 V
на замовлення 3199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.86 грн
21+15.01 грн
100+7.33 грн
500+5.74 грн
1000+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3404AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 30V 5.6A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.6A,, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 526 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3404A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 30V 5.6A SOT-23-3L
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.86 грн
18+18.16 грн
100+9.66 грн
500+5.97 грн
1000+4.06 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3404A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 30V 5.6A SOT-23-3L
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3404AQYangjie TechnologyDescription: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.39 грн
15000+4.95 грн
30000+4.64 грн
60000+4.06 грн
120000+3.69 грн
300000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3407AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 30V 4.1A SOT-23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 572 pF @ 15 V
на замовлення 1652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.67 грн
20+15.72 грн
100+7.69 грн
500+6.01 грн
1000+4.18 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3407AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 30V 4.1A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 572 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3407AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.2A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+28.78 грн
30+13.36 грн
59+6.73 грн
100+4.69 грн
250+3.75 грн
408+2.28 грн
1120+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3407A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 30V 4.1A SOT-23-3L
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.67 грн
17+18.55 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3407A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 30V 4.1A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3407ALYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.2A; 1.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
100+4.57 грн
150+2.69 грн
400+2.38 грн
1080+2.25 грн
3000+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3415AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 5.6A SOT-23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.98 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 10 V
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+24.49 грн
17+19.49 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3415AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 5.6A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.98 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3415A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 5.6A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3415A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 5.6A SOT-23-3L
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.37 грн
12+27.59 грн
100+15.64 грн
500+9.72 грн
1000+7.45 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3416AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 20V 7A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3416AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 20V 7A SOT-23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 10 V
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+24.49 грн
17+19.49 грн
100+10.35 грн
500+6.39 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3416A-F2-0100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 20V 7A SOT-23-3L
на замовлення 2831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.67 грн
17+18.55 грн
100+9.84 грн
500+6.08 грн
1000+4.13 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3416A-F2-0100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 20V 7A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL40D10
на замовлення 3870 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.