Продукція > YJL

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
YJL02N10AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 100V 2A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL02N10AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 100V 2A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL02N10A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 100V 2A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL02N10A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 100V 2A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03G10A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 100V 3A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03G10A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 100V 3A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N04AYangjie Electronic TechnologyYJL03N04A
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6303+1.94 грн
Мінімальне замовлення: 6303
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N04AYangjie TechnologyDescription: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.39 грн
15000+2.15 грн
30000+1.99 грн
60000+1.80 грн
120000+1.58 грн
300000+1.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N06AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 2.4A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
60+7.01 грн
135+2.90 грн
400+2.34 грн
1090+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N06AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 60V 3A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N06AYangjie Electronic TechnologyYJL03N06A
на замовлення 999000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5358+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 5358
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N06AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 60V 3A SOT-23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 30 V
на замовлення 858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.28 грн
18+17.32 грн
100+9.17 грн
500+5.66 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N06A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 60V 3A SOT-23-3L
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.40 грн
12+27.20 грн
100+15.42 грн
500+9.58 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N06A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 60V 3A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N06AQYangjie Electronic TechnologyYJL03N06AQ
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3062+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 3062
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N06AQYangjie TechnologyDescription: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.09 грн
15000+4.60 грн
30000+4.37 грн
60000+3.81 грн
120000+3.45 грн
300000+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N06BYangjie TechnologyDescription: SOT-23 N 60V 3A Transistors FET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.68 грн
15000+2.44 грн
30000+2.29 грн
60000+2.02 грн
120000+1.82 грн
300000+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N06BYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 60V 3A SOT-23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 451 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N06BYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 60V 3A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 451 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N06B-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 60V 3A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N06B-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 60V 3A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL05N04A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 40V 5A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL05N04A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 40V 5A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL05N04AQYangjie TechnologyDescription: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.84 грн
15000+3.55 грн
30000+3.33 грн
60000+2.91 грн
120000+2.64 грн
300000+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL05N06ALYangjie TechnologyDescription: SOT-23 N 60V 5A Transistors FET
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.99 грн
15000+5.47 грн
30000+5.10 грн
60000+4.51 грн
120000+4.09 грн
300000+3.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2101WYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 2A SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 327 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2101WYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 2A SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 327 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2101W-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 2A SOT-323
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2101W-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 2A SOT-323
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2102WYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 20V 3A SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.61 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2102WYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 20V 3A SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.61 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2102W-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 20V 3A SOT-323
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2102W-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 20V 3A SOT-323
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2300AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 3.6A; 1W
Case: SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.6A
On-state resistance: 49mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4.2nC
Technology: TRENCH POWER LV
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 18A
Mounting: SMD
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
130+3.34 грн
200+2.00 грн
500+1.78 грн
570+1.57 грн
1560+1.49 грн
Мінімальне замовлення: 130
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301CYangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.MOSFET SOT-23 P Channel 20V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301CYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -2.7A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.7A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
110+3.96 грн
170+2.34 грн
440+2.12 грн
500+2.08 грн
1190+2.00 грн
Мінімальне замовлення: 110
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301CYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 3.4A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301CYangjie Electronic TechnologyP-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
на замовлення 999000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6303+1.94 грн
Мінімальне замовлення: 6303
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301CYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 3.4A SOT-23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478 pF @ 10 V
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.28 грн
18+17.32 грн
100+9.17 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301C-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 3.4A SOT-23-3L
на замовлення 1292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.08 грн
17+18.09 грн
100+9.59 грн
500+5.92 грн
1000+4.03 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301C-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 3.4A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301CQYangjie Electronic TechnologyYJL2301CQ
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3349+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 3349
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301CQYangjie TechnologyDescription: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.62 грн
15000+4.21 грн
30000+3.98 грн
60000+3.52 грн
120000+3.16 грн
300000+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301DYangjie Electronic TechnologyP-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
на замовлення 999000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301DYangjie TechnologyDescription: SOT-23 P -19V -3.8A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 900000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.63 грн
15000+2.45 грн
30000+2.30 грн
60000+2.01 грн
120000+1.80 грн
300000+1.65 грн
600000+1.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301DYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -3A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -15V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 87mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
100+3.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301FYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 2A SOT-23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 327 pF @ 10 V
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.92 грн
23+13.72 грн
100+7.48 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301FYangjie Electronic TechnologyP-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
на замовлення 999000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8242+1.48 грн
Мінімальне замовлення: 8242
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301FYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 2A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 327 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301F-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 2A SOT-23-3L
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301F-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 2A SOT-23-3L
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.08 грн
17+18.09 грн
100+9.59 грн
500+5.92 грн
1000+4.03 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301GYangjie TechnologyDescription: SOT-23 P -19V -2A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.91 грн
15000+1.76 грн
30000+1.61 грн
60000+1.44 грн
120000+1.29 грн
300000+1.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301GYangjie Electronic TechnologyP-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8242+1.48 грн
Мінімальне замовлення: 8242
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301GWYangjie Electronic TechnologyYJL2301GW
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7143+1.71 грн
Мінімальне замовлення: 7143
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301NYangjie Electronic TechnologyP-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8929+1.37 грн
Мінімальне замовлення: 8929
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301NYangjie TechnologyDescription: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.75 грн
15000+1.61 грн
30000+1.46 грн
60000+1.29 грн
120000+1.15 грн
300000+1.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2302AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 20V 4.3A SOT-23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 602 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2302AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 20V 4.3A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 602 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2302AYangjie TechnologyDescription: SOT-23 N 20V 4.3A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.15 грн
15000+1.92 грн
30000+1.84 грн
60000+1.58 грн
120000+1.44 грн
300000+1.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2302A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 20V 4.3A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2302A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 20V 4.3A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2302BYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 20V 3A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2302BYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 20V 3A SOT-23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2302B-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 20V 3A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2302B-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 20V 3A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2303A-F2-0000HFYYTransistor N-Channel MOSFET; -30V; 20V; 85mOhm; 3A; 1,1W; -55°C ~ 150°C; YJL2303A-F2-0000HF TYJL2303A-F2-0000HF
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.01 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2304AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 30V 3.6A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2304AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 30V 3.6A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2304A-F2-0100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 30V 3.6A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2304A-F2-0100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 30V 3.6A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2305AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -4.5A; 1.2W
Drain-source voltage: -15V
Drain current: -4.5A
On-state resistance: 62mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 7.2nC
Technology: TRENCH POWER LV
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: -23A
Mounting: SMD
Case: SOT23
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
130+3.26 грн
170+2.28 грн
470+1.98 грн
Мінімальне замовлення: 130
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2305A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 15V 5.6A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2305A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 15V 5.6A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2305BYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 5.4A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2305BYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 5.4A SOT-23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 10 V
на замовлення 1137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.67 грн
20+16.02 грн
100+7.83 грн
500+6.13 грн
1000+4.26 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2305BYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -4.4A; 1.2W
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.4A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 7.2nC
Technology: TRENCH POWER LV
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: -22A
Mounting: SMD
Case: SOT23
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
140+2.82 грн
440+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 140
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2305B-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 5.4A SOT-23-3L
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.08 грн
17+18.24 грн
100+9.70 грн
500+5.99 грн
1000+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2305B-F2-0000HFYYP-CH MOSFET 20V 5.4A SOT-23-3L YJL2305B-F2-0000HF TYJL2305B-F2-0000HF
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 600 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+1.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2305B-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 5.4A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2312AYangjie TechnologyDescription: SOT-23 N 20V 6.8A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.79 грн
15000+2.53 грн
30000+2.38 грн
60000+2.09 грн
120000+1.87 грн
300000+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2312A-F2-0100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 20V 6.8A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2312A-F2-0100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 20V 6.8A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2312ALYangjie TechnologyDescription: SOT-23 N 20V 7.6A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.58 грн
15000+3.22 грн
30000+3.07 грн
60000+2.66 грн
120000+2.37 грн
300000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2312AQYangjie TechnologyDescription: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.09 грн
15000+4.60 грн
30000+4.37 грн
60000+3.81 грн
120000+3.45 грн
300000+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3134KWYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 20V 0.75A SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3134KWYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 20V 0.75A SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3134KW-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 20V 0.75A SOT-323
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3134KW-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 20V 0.75A SOT-323
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3400AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 30V 5.6A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3400AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 4.5A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3400AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 30V 5.6A SOT-23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 15 V
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.69 грн
19+16.40 грн
100+8.71 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3400A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 30V 5.6A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3400A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 30V 5.6A SOT-23-3L
на замовлення 1536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.08 грн
17+18.24 грн
100+9.70 грн
500+5.99 грн
1000+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3400A-F2-0000HFYYTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 5A; 29mOhm; 12V; 1,3W; -55°C~150°C; Substitute: YJL3400A-F2-0000HF; IRLML6344 SOT23 TIRLML6344 c
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.38 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3401AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 30V 4.4A SOT-23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.49 грн
22+13.95 грн
100+6.81 грн
500+5.33 грн
1000+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3401AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.5A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
120+3.55 грн
140+3.00 грн
380+2.36 грн
1060+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3401AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 30V 4.4A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3401A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 30V 4.4A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3401A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 30V 4.4A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3401ALYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.5A; 1.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3401ALYangjie TechnologyDescription: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.98 грн
15000+3.60 грн
30000+3.45 грн
60000+3.02 грн
120000+2.73 грн
300000+2.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3401AQYangjie TechnologyDescription: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.09 грн
15000+4.60 грн
30000+4.37 грн
60000+3.81 грн
120000+3.45 грн
300000+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3404AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 30V 5.6A SOT-23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.6A,, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 526 pF @ 15 V
на замовлення 3199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.28 грн
21+14.64 грн
100+7.15 грн
500+5.60 грн
1000+3.89 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3404AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 30V 5.6A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.6A,, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 526 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3404A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 30V 5.6A SOT-23-3L
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3404A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 30V 5.6A SOT-23-3L
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.28 грн
18+17.70 грн
100+9.42 грн
500+5.82 грн
1000+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3404AQYangjie TechnologyDescription: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.25 грн
15000+4.83 грн
30000+4.52 грн
60000+3.96 грн
120000+3.60 грн
300000+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3407AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.2A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3407AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 30V 4.1A SOT-23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 572 pF @ 15 V
на замовлення 1652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.08 грн
20+15.33 грн
100+7.49 грн
500+5.86 грн
1000+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3407AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 30V 4.1A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 572 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3407A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 30V 4.1A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3407A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 30V 4.1A SOT-23-3L
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.08 грн
17+18.09 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3407ALYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.2A; 1.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3415AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 5.6A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.98 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3415AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 5.6A SOT-23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.98 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 10 V
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.87 грн
17+19.01 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3415A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 5.6A SOT-23-3L
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.40 грн
12+26.90 грн
100+15.25 грн
500+9.48 грн
1000+7.27 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3415A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 5.6A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3416AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 20V 7A SOT-23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 10 V
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.87 грн
17+19.01 грн
100+10.09 грн
500+6.23 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3416AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 20V 7A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3416A-F2-0100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 20V 7A SOT-23-3L
на замовлення 2831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.08 грн
17+18.09 грн
100+9.59 грн
500+5.92 грн
1000+4.03 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3416A-F2-0100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 20V 7A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL40D10
на замовлення 3870 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.