Продукція > YJL

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
YJL02N10AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 1.6A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
80+5.51 грн
140+2.95 грн
370+2.45 грн
1020+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
YJL02N10AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 100V 2A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL02N10AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 100V 2A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL02N10A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 100V 2A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL02N10A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 100V 2A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03G10AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3A; Idm: 121A; 1.2W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3A
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 121A
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
99+4.24 грн
109+3.56 грн
250+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 99
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03G10A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 100V 3A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03G10A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 100V 3A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N04AYangjie Electronic TechnologyYJL03N04A
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6303+1.94 грн
Мінімальне замовлення: 6303
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N04AYangjie TechnologyDescription: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.41 грн
15000+2.17 грн
30000+2.02 грн
60000+1.82 грн
120000+1.60 грн
300000+1.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N06AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 2.4A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
65+6.68 грн
145+2.74 грн
410+2.24 грн
1125+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N06AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 60V 3A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N06AYangjie Electronic TechnologyYJL03N06A
на замовлення 999000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5358+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 5358
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N06AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 60V 3A SOT-23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 30 V
на замовлення 858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.54 грн
18+17.52 грн
100+9.28 грн
500+5.73 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N06A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 60V 3A SOT-23-3L
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.83 грн
12+27.52 грн
100+15.60 грн
500+9.69 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N06A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 60V 3A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N06AQYangjie Electronic TechnologyYJL03N06AQ
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3062+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 3062
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N06AQYangjie TechnologyDescription: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.15 грн
15000+4.65 грн
30000+4.42 грн
60000+3.86 грн
120000+3.49 грн
300000+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N06BYangjie TechnologyDescription: SOT-23 N 60V 3A Transistors FET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.71 грн
15000+2.46 грн
30000+2.32 грн
60000+2.04 грн
120000+1.84 грн
300000+1.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N06BYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 60V 3A SOT-23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 451 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N06BYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 60V 3A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 451 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N06B-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 60V 3A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N06B-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 60V 3A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N06C-F2-0000HFYYYJL03N06A IS EOL; REPLACEMENT: YJL03N06C. YJL03N06C TYJL03N06C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
YJL05N04A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 40V 5A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL05N04A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 40V 5A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL05N04AQYangjie TechnologyDescription: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.88 грн
15000+3.59 грн
30000+3.36 грн
60000+2.95 грн
120000+2.67 грн
300000+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL05N04C-F2-0000HFYYYJL05N04A IS EOL; REPLACEMENT: YJL05N04C. YJL05N04C TYJL05N04C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
YJL05N06ALYangjie TechnologyDescription: SOT-23 N 60V 5A Transistors FET
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.06 грн
15000+5.53 грн
30000+5.16 грн
60000+4.56 грн
120000+4.14 грн
300000+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2101WYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 2A SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 327 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2101WYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 2A SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 327 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2101W-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 2A SOT-323
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2101W-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 2A SOT-323
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2102WYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 20V 3A SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.61 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2102WYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 20V 3A SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.61 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2102W-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 20V 3A SOT-323
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2102W-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 20V 3A SOT-323
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2300AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 3.6A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301CYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 3.4A SOT-23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478 pF @ 10 V
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.54 грн
18+17.52 грн
100+9.28 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301CYangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.MOSFET SOT-23 P Channel 20V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301CYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 3.4A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301CYangjie Electronic TechnologyP-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
на замовлення 999000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6303+1.94 грн
Мінімальне замовлення: 6303
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301C-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 3.4A SOT-23-3L
на замовлення 1292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.34 грн
17+18.29 грн
100+9.70 грн
500+5.99 грн
1000+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301C-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 3.4A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301C-F2-0000HFYYP-Channel MOSFET -3A -20V 120m? Substitute: IRLML6402 , SKML6402 IRLML6402 Yangjie TIRLML6402 c
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301CQYangjie Electronic TechnologyYJL2301CQ
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3349+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 3349
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301CQYangjie TechnologyDescription: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.67 грн
15000+4.26 грн
30000+4.03 грн
60000+3.56 грн
120000+3.20 грн
300000+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301DYangjie Electronic TechnologyP-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
на замовлення 999000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301DYangjie TechnologyDescription: SOT-23 P -19V -3.8A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 900000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.66 грн
15000+2.48 грн
30000+2.33 грн
60000+2.04 грн
120000+1.82 грн
300000+1.67 грн
600000+1.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301DYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -3A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -15V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 87mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301FYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -1.6A; 0.7W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.6A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301FYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 2A SOT-23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 327 pF @ 10 V
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.10 грн
23+13.88 грн
100+7.57 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301FYangjie Electronic TechnologyP-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
на замовлення 999000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8242+1.48 грн
Мінімальне замовлення: 8242
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301FYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 2A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 327 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301F-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 2A SOT-23-3L
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301F-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 2A SOT-23-3L
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.34 грн
17+18.29 грн
100+9.70 грн
500+5.99 грн
1000+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301GYangjie Electronic TechnologyP-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8242+1.48 грн
Мінімальне замовлення: 8242
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301GYangjie TechnologyDescription: SOT-23 P -19V -2A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.93 грн
15000+1.78 грн
30000+1.63 грн
60000+1.45 грн
120000+1.31 грн
300000+1.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301GWYangjie Electronic TechnologyYJL2301GW
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7143+1.71 грн
Мінімальне замовлення: 7143
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301NYangjie Electronic TechnologyP-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8929+1.37 грн
Мінімальне замовлення: 8929
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301NYangjie TechnologyDescription: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.77 грн
15000+1.63 грн
30000+1.47 грн
60000+1.31 грн
120000+1.16 грн
300000+1.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2302AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 20V 4.3A SOT-23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 602 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2302AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 20V 4.3A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 602 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2302AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 3.5A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
120+3.71 грн
190+2.05 грн
500+1.82 грн
550+1.67 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2302AYangjie TechnologyDescription: SOT-23 N 20V 4.3A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.17 грн
15000+1.94 грн
30000+1.86 грн
60000+1.60 грн
120000+1.45 грн
300000+1.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2302A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 20V 4.3A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2302A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 20V 4.3A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2302BYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 20V 3A SOT-23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2302BYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 20V 3A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2302B-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 20V 3A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2302B-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 20V 3A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2303A-F2-0000HFYYTransistor N-Channel MOSFET; -30V; 20V; 85mOhm; 3A; 1,1W; -55°C ~ 150°C; YJL2303A-F2-0000HF TYJL2303A-F2-0000HF
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.01 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2304AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 30V 3.6A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2304AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 30V 3.6A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2304A-F2-0100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 30V 3.6A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2304A-F2-0100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 30V 3.6A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2305AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -4.5A; 1.2W
Drain-source voltage: -15V
Drain current: -4.5A
On-state resistance: 62mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 7.2nC
Technology: TRENCH POWER LV
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: -23A
Mounting: SMD
Case: SOT23
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
60+6.68 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2305A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 15V 5.6A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2305A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 15V 5.6A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2305BYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 5.4A SOT-23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 10 V
на замовлення 1137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.95 грн
20+16.20 грн
100+7.92 грн
500+6.20 грн
1000+4.31 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2305BYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 5.4A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2305BYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -4.4A; 1.2W
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.4A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 7.2nC
Technology: TRENCH POWER LV
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: -22A
Mounting: SMD
Case: SOT23
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+20.87 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2305B-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 5.4A SOT-23-3L
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.34 грн
17+18.45 грн
100+9.81 грн
500+6.06 грн
1000+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2305B-F2-0000HFYYP-CH MOSFET 20V 5.4A SOT-23-3L YJL2305B-F2-0000HF TYJL2305B-F2-0000HF
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2305B-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 5.4A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2305B-F2-0000HFYYP-CH MOSFET 20V 5.4A SOT-23-3L YJL2305B-F2-0000HF TYJL2305B-F2-0000HF
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 600 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+1.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2312AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 5.4A; 1.2W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.4A
On-state resistance: 39mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4.6nC
Technology: TRENCH POWER LV
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 27A
Case: SOT23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
120+3.55 грн
140+2.97 грн
400+2.27 грн
1100+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2312AYangjie TechnologyDescription: SOT-23 N 20V 6.8A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.82 грн
15000+2.56 грн
30000+2.40 грн
60000+2.11 грн
120000+1.89 грн
300000+1.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2312A-F2-0100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 20V 6.8A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2312A-F2-0100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 20V 6.8A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2312ALYangjie TechnologyDescription: SOT-23 N 20V 7.6A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.62 грн
15000+3.26 грн
30000+3.10 грн
60000+2.69 грн
120000+2.40 грн
300000+2.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2312AQYangjie TechnologyDescription: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.15 грн
15000+4.65 грн
30000+4.42 грн
60000+3.86 грн
120000+3.49 грн
300000+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3134KWYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 20V 0.75A SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3134KWYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 20V 0.75A SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3134KW-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 20V 0.75A SOT-323
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3134KW-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 20V 0.75A SOT-323
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3400AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 4.5A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
120+3.55 грн
140+2.94 грн
420+2.26 грн
1120+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3400AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 30V 5.6A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3400AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 30V 5.6A SOT-23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 15 V
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.93 грн
19+16.59 грн
100+8.81 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3400A-F2-0000HFYYTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 5A; 29mOhm; 12V; 1,3W; -55°C~150°C; Substitute: YJL3400A-F2-0000HF; IRLML6344 SOT23 TIRLML6344 c
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3400A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 30V 5.6A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3400A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 30V 5.6A SOT-23-3L
на замовлення 1536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.34 грн
17+18.45 грн
100+9.81 грн
500+6.06 грн
1000+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3401AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 30V 4.4A SOT-23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.73 грн
22+14.11 грн
100+6.89 грн
500+5.39 грн
1000+3.75 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3401AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 30V 4.4A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3401AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.5A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
120+3.71 грн
140+3.14 грн
380+2.41 грн
1060+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3401A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 30V 4.4A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3401A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 30V 4.4A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3401ALYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.5A; 1.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3401ALYangjie TechnologyDescription: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.02 грн
15000+3.64 грн
30000+3.49 грн
60000+3.06 грн
120000+2.76 грн
300000+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3401AQYangjie TechnologyDescription: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.15 грн
15000+4.65 грн
30000+4.42 грн
60000+3.86 грн
120000+3.49 грн
300000+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3404AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 30V 5.6A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.6A,, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 526 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3404AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 30V 5.6A SOT-23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.6A,, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 526 pF @ 15 V
на замовлення 3199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.54 грн
21+14.81 грн
100+7.23 грн
500+5.66 грн
1000+3.93 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3404A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 30V 5.6A SOT-23-3L
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3404A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 30V 5.6A SOT-23-3L
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.54 грн
18+17.91 грн
100+9.53 грн
500+5.88 грн
1000+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3404AQYangjie TechnologyDescription: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.31 грн
15000+4.88 грн
30000+4.57 грн
60000+4.00 грн
120000+3.64 грн
300000+3.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3407AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 30V 4.1A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 572 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3407AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 30V 4.1A SOT-23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 572 pF @ 15 V
на замовлення 1652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.34 грн
20+15.50 грн
100+7.58 грн
500+5.93 грн
1000+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3407AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.2A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3407A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 30V 4.1A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3407A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 30V 4.1A SOT-23-3L
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.34 грн
17+18.29 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3407ALYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.2A; 1.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
90+4.72 грн
150+2.74 грн
400+2.33 грн
1080+2.21 грн
3000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 90
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3415AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 5.6A SOT-23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.98 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 10 V
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+24.15 грн
17+19.22 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3415AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 5.6A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.98 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3415A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 5.6A SOT-23-3L
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.83 грн
12+27.21 грн
100+15.43 грн
500+9.59 грн
1000+7.35 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3415A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 5.6A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3416AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 20V 7A SOT-23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 10 V
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+24.15 грн
17+19.22 грн
100+10.21 грн
500+6.30 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3416AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 20V 7A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3416A-F2-0100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 20V 7A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL3416A-F2-0100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 20V 7A SOT-23-3L
на замовлення 2831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.34 грн
17+18.29 грн
100+9.70 грн
500+5.99 грн
1000+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
YJL40D10
на замовлення 3870 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.