Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
UDA1352TS | NXP |
на замовлення 14 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
UDA1355H | NXP | QFP |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
UDA1355H/N2 | NXP | 08+ DIP14 |
на замовлення 350 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
UDA1380TT | NXP | 09+ |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
UDA3537L | NXP |
на замовлення 433 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
UJA1069TW24 | NXP |
на замовлення 264 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
UPA1334TS/N1 | NXP | TSOP8 |
на замовлення 2397 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
V2009SB28 | NXP | QFP |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
V2009SB2B | NXP | QFP |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
V21108AH13 | NXP | QFP |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
VAV70,215 | NXP |
на замовлення 96000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
VP21895 | NXP | QFP |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
VP22565-HKPMM | NXP | QFP |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
VP27204 | NXP | QFP |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
VP27299A | NXP | QFP |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
VP40554-Y37976.Y1 | NXP | QFP |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
VY22471 | NXP | TQFP |
на замовлення 5200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
VY22471-D3690.1 | NXP | QFP |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
VY22522C2 | NXP | 0722+ |
на замовлення 63 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
VY22545-SG4848.1 | NXP | 07+ BGA |
на замовлення 4 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
XC6202P282MR | NXP | 08+ |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
XP151A11B0MR | nxp | sot-23 09+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
8MMINID4-EVK | NXP |
Category: NXP development kits Description: Dev.kit: ARM NXP; Architecture: Cortex M4; uP: i.MX8 M Type of development kit: ARM NXP Kind of architecture: Cortex M4 Processor: i.MX8 M кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
8MMINILPD4-EVK | NXP |
Category: NXP development kits Description: Dev.kit: ARM NXP; Architecture: Cortex A53/M4; uP: i.MX8 M Type of development kit: ARM NXP Kind of architecture: Cortex A53/M4 Processor: i.MX8 M кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
8MNANOD4-EVK | NXP |
Category: NXP development kits Description: Dev.kit: ARM NXP; prototype board,power supply USA plug Kit contents: power supply USA plug; prototype board Type of development kit: ARM NXP Kind of architecture: Cortex A53 Processor: i.MX8 M кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
AFT05MP075GNR1 | NXP |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 690W; TO270WBG-4; Pout: 70W; SMT Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: RF Power dissipation: 690W Case: TO270WBG-4 Kind of package: reel; tape Frequency: 520MHz Kind of channel: enhanced Output power: 70W Electrical mounting: SMT Open-loop gain: 18.5dB Efficiency: 68.5% кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
AFT05MP075NR1 | NXP |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 690W; TO270WB-4; Pout: 70W; SMT Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: RF Power dissipation: 690W Case: TO270WB-4 Kind of package: reel; tape Frequency: 520MHz Kind of channel: enhanced Output power: 70W Electrical mounting: SMT Open-loop gain: 18.5dB Efficiency: 68.5% кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
AFT05MS004NT1 | NXP |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 28W; SOT89; Pout: 4.9W; SMT Case: SOT89 Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Electrical mounting: SMT Kind of transistor: RF Kind of channel: enhanced Frequency: 520MHz Type of transistor: N-MOSFET Open-loop gain: 20.9dB Output power: 4.9W Power dissipation: 28W Efficiency: 74.9% кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
AFT05MS006NT1 | NXP |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 125W; PLD-1.5W; Pout: 6W; SMT Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: RF Power dissipation: 125W Case: PLD-1.5W Kind of package: reel; tape Frequency: 520MHz Kind of channel: enhanced Output power: 6W Electrical mounting: SMT Open-loop gain: 18.3dB Efficiency: 73% кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
AFT05MS031GNR1 | NXP |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 294W; TO270G-2; Pout: 33W; SMT Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: RF Power dissipation: 294W Case: TO270G-2 Kind of package: reel; tape Frequency: 520MHz Kind of channel: enhanced Output power: 33W Electrical mounting: SMT Open-loop gain: 17.7dB Efficiency: 71.4% кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
AFT09MP055GNR1 | NXP |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 625W; TO270WBG-4; Pout: 57W; SMT Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: RF Power dissipation: 625W Case: TO270WBG-4 Kind of package: reel; tape Frequency: 870MHz Kind of channel: enhanced Output power: 57W Electrical mounting: SMT Open-loop gain: 17.5dB Efficiency: 69% кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
AFT09MP055NR1 | NXP |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 625W; TO270WB-4; Pout: 57W; SMT Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: RF Power dissipation: 625W Case: TO270WB-4 Kind of package: reel; tape Frequency: 870MHz Kind of channel: enhanced Output power: 57W Electrical mounting: SMT Open-loop gain: 17.5dB Efficiency: 69% кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
AFT09MS031GNR1 | NXP |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 317W; TO270G-2; Pout: 31W; SMT Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: RF Power dissipation: 317W Case: TO270G-2 Kind of package: reel; tape Frequency: 870MHz Kind of channel: enhanced Output power: 31W Electrical mounting: SMT Open-loop gain: 17.2dB Efficiency: 71% кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
AFT09MS031NR1 | NXP |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 317W; TO270-2; Pout: 31W; SMT Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: RF Power dissipation: 317W Case: TO270-2 Kind of package: reel; tape Frequency: 870MHz Kind of channel: enhanced Output power: 31W Electrical mounting: SMT Open-loop gain: 17.2dB Efficiency: 71% кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
AFT20S015GNR1 | NXP |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; TO270G-2; 16.2W; SMT; 17.6dB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: RF Case: TO270G-2 Kind of package: reel; tape Frequency: 2140MHz Kind of channel: enhanced Output power: 16.2W Electrical mounting: SMT Open-loop gain: 17.6dB Efficiency: 22% кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
AFT27S006NT1 | NXP |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; PLD-1.5W; 6W; SMT; 22.8dB; 19.8% Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: RF Case: PLD-1.5W Kind of package: reel; tape Frequency: 2140MHz Kind of channel: enhanced Output power: 6W Electrical mounting: SMT Open-loop gain: 22.8dB Efficiency: 19.8% кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
AFT27S010NT1 | NXP |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; PLD-1.5W; 10W; SMT; 21.8dB; 23% Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: RF Case: PLD-1.5W Kind of package: reel; tape Frequency: 2140MHz Kind of channel: enhanced Output power: 10W Electrical mounting: SMT Open-loop gain: 21.8dB Efficiency: 23% кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
AFT27S012NT1 | NXP |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; PLD-1.5W; 13W; SMT; 20.9dB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: RF Case: PLD-1.5W Kind of package: reel; tape Frequency: 2140MHz Kind of channel: enhanced Output power: 13W Electrical mounting: SMT Open-loop gain: 20.9dB Efficiency: 22.6% кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
AFT31150NR5 | NXP |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 741W; OM780-2; Pout: 150W; SMT Frequency: 3100MHz Case: OM780-2 Output power: 150W Open-loop gain: 17.2dB Power dissipation: 741W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Efficiency: 49% Kind of transistor: RF Electrical mounting: SMT Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
BAP50-02,115 | NXP |
Category: Diodes - others Description: Diode: switching; 50V; 50mA; 715mW; SOD523; single diode; reel,tape Type of diode: switching Case: SOD523 Mounting: SMD Load current: 50mA Features of semiconductor devices: PIN; RF Power dissipation: 715mW Kind of package: reel; tape Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.95V Max. off-state voltage: 50V кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 290 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
BAP50-04,215 | NXP |
Category: Diodes - others Description: Diode: switching; 50V; 50mA; 250mW; SOT23; double series; reel,tape Mounting: SMD Case: SOT23 Max. off-state voltage: 50V Max. forward voltage: 0.95V Load current: 50mA Semiconductor structure: double series Power dissipation: 0.25W Kind of package: reel; tape Type of diode: switching Features of semiconductor devices: PIN; RF кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 2559 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
BAP51-02,115 | NXP |
Category: Diodes - others Description: Diode: switching; 60V; 50mA; 715mW; SOD523; single diode; reel,tape Type of diode: switching Max. off-state voltage: 60V Load current: 50mA Power dissipation: 715mW Case: SOD523 Mounting: SMD Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: PIN; RF Max. forward voltage: 0.95V Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 7780 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
BAP51-03,115 | NXP |
Category: Diodes - others Description: Diode: switching; 50V; 50mA; 500mW; SOD323; single diode; reel,tape Type of diode: switching Max. off-state voltage: 50V Load current: 50mA Power dissipation: 0.5W Case: SOD323 Mounting: SMD Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: PIN; RF Max. forward voltage: 0.95V Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 4695 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
BAP64-02,115 | NXP |
Category: Diodes - others Description: Diode: switching; 175V; 100mA; 715mW; SOD523; single diode Type of diode: switching Max. off-state voltage: 175V Load current: 0.1A Power dissipation: 715mW Case: SOD523 Mounting: SMD Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: PIN; RF Max. forward voltage: 0.95V Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
BAP64-03,115 | NXP |
Category: Diodes - others Description: Diode: switching; 175V; 100mA; 500mW; SOD323; single diode Type of diode: switching Max. off-state voltage: 175V Load current: 0.1A Power dissipation: 0.5W Case: SOD323 Mounting: SMD Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: PIN; RF Max. forward voltage: 0.95V Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
BAP64-05,215 | NXP |
Category: Diodes - others Description: Diode: switching; 175V; 100mA; 250mW; SOT23; double,common cathode Type of diode: switching Max. off-state voltage: 175V Load current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23 Mounting: SMD Semiconductor structure: common cathode; double Features of semiconductor devices: PIN; RF Max. forward voltage: 0.95V Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
BAP64-06,215 | NXP |
Category: Diodes - others Description: Diode: switching; 175V; 100mA; 250mW; SOT23; double,common anode Type of diode: switching Max. off-state voltage: 175V Load current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23 Mounting: SMD Semiconductor structure: common anode; double Features of semiconductor devices: PIN; RF Max. forward voltage: 0.95V Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1820 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
BAP65-02,115 | NXP |
Category: Diodes - others Description: Diode: switching; 30V; 100mA; 715mW; SOD523; single diode Type of diode: switching Max. off-state voltage: 30V Load current: 0.1A Power dissipation: 715mW Case: SOD523 Mounting: SMD Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: PIN; RF Max. forward voltage: 0.9V Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 1039 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
BAP65-03,115 | NXP |
Category: Diodes - others Description: Diode: switching; 30V; 100mA; 500mW; SOD323; single diode Mounting: SMD Max. off-state voltage: 30V Max. forward voltage: 0.9V Load current: 0.1A Semiconductor structure: single diode Power dissipation: 0.5W Kind of package: reel; tape Type of diode: switching Features of semiconductor devices: PIN; RF Case: SOD323 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 3175 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
BAP70-02,115 | NXP |
Category: Diodes - others Description: Diode: switching; 50V; 100mA; 415mW; SOD523; single diode Type of diode: switching Max. off-state voltage: 50V Load current: 0.1A Power dissipation: 415mW Case: SOD523 Mounting: SMD Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: PIN; RF Max. forward voltage: 0.9V Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 2750 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
BB135.115 | NXP |
Category: Diodes - others Description: Diode: varicap; 30V; 20mA; SOD323; single diode; reel,tape Type of diode: varicap Max. off-state voltage: 30V Load current: 20mA Case: SOD323 Mounting: SMD Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: RF Kind of package: reel; tape Leakage current: 0.2µA Capacitance: 1.7...21pF кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
BB173X | NXP |
Category: Diodes - others Description: Diode: varicap; 32V; 20mA; SOD523; single diode; reel,tape Type of diode: varicap Max. off-state voltage: 32V Load current: 20mA Case: SOD523 Mounting: SMD Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: RF Kind of package: reel; tape Leakage current: 0.2µA Capacitance: 2.36...42.35pF кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 2954 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
BB208-02,115 | NXP |
Category: Diodes - others Description: Diode: varicap; 10V; 20mA; SOD523; single diode; reel,tape Type of diode: varicap Max. off-state voltage: 10V Load current: 20mA Case: SOD523 Mounting: SMD Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: RF Kind of package: reel; tape Leakage current: 0.2µA Capacitance: 4.5...23.2pF кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
BBY40,215 | NXP |
Category: Diodes - others Description: Diode: varicap; 30V; 20mA; SOT23; single diode; reel,tape; Ir: 20nA Type of diode: varicap Max. off-state voltage: 30V Load current: 20mA Case: SOT23 Mounting: SMD Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: RF Kind of package: reel; tape Leakage current: 20nA Capacitance: 4.3...32pF кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 819 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
BFT25,215 | NXP |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 5V; 6.5mA; 30mW; SOT23 Mounting: SMD Collector-emitter voltage: 5V Current gain: 40 Collector current: 6.5mA Type of transistor: NPN Power dissipation: 30mW Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Kind of transistor: RF Case: SOT23 Frequency: 2.3GHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2260 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
BFU520AR | NXP |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 30mA; 450mW; SOT23 Case: SOT23 Frequency: 10GHz Collector-emitter voltage: 12V Current gain: 60...200 Collector current: 30mA Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.45W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Kind of transistor: RF Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5843 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
BFU520XAR | NXP |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 30mA; 450mW; SOT143B Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 12V Collector current: 30mA Power dissipation: 0.45W Case: SOT143B Current gain: 60...200 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 10.5GHz кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
BFU530WX | NXP |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 24V; 40mA; 450mW; SOT323 Mounting: SMD Case: SOT323 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.45W Frequency: 11GHz Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 24V Current gain: 60...200 Collector current: 40mA Type of transistor: NPN кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2956 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
BFU550AR | NXP |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 50mA; 450mW; SOT23 Polarisation: bipolar Power dissipation: 0.45W Case: SOT23 Collector-emitter voltage: 12V Mounting: SMD Kind of transistor: RF Kind of package: reel; tape Current gain: 60...200 Collector current: 50mA Type of transistor: NPN Frequency: 11GHz кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 9820 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
BFU580GX | NXP |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 60mA; 1W; SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 12V Collector current: 60mA Power dissipation: 1W Case: SOT223 Current gain: 60...130 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 11GHz кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
8MMINID4-EVK |
Виробник: NXP
Category: NXP development kits
Description: Dev.kit: ARM NXP; Architecture: Cortex M4; uP: i.MX8 M
Type of development kit: ARM NXP
Kind of architecture: Cortex M4
Processor: i.MX8 M
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NXP development kits
Description: Dev.kit: ARM NXP; Architecture: Cortex M4; uP: i.MX8 M
Type of development kit: ARM NXP
Kind of architecture: Cortex M4
Processor: i.MX8 M
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
8MMINILPD4-EVK |
Виробник: NXP
Category: NXP development kits
Description: Dev.kit: ARM NXP; Architecture: Cortex A53/M4; uP: i.MX8 M
Type of development kit: ARM NXP
Kind of architecture: Cortex A53/M4
Processor: i.MX8 M
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NXP development kits
Description: Dev.kit: ARM NXP; Architecture: Cortex A53/M4; uP: i.MX8 M
Type of development kit: ARM NXP
Kind of architecture: Cortex A53/M4
Processor: i.MX8 M
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
8MNANOD4-EVK |
Виробник: NXP
Category: NXP development kits
Description: Dev.kit: ARM NXP; prototype board,power supply USA plug
Kit contents: power supply USA plug; prototype board
Type of development kit: ARM NXP
Kind of architecture: Cortex A53
Processor: i.MX8 M
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NXP development kits
Description: Dev.kit: ARM NXP; prototype board,power supply USA plug
Kit contents: power supply USA plug; prototype board
Type of development kit: ARM NXP
Kind of architecture: Cortex A53
Processor: i.MX8 M
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
AFT05MP075GNR1 |
Виробник: NXP
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 690W; TO270WBG-4; Pout: 70W; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Power dissipation: 690W
Case: TO270WBG-4
Kind of package: reel; tape
Frequency: 520MHz
Kind of channel: enhanced
Output power: 70W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 18.5dB
Efficiency: 68.5%
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 690W; TO270WBG-4; Pout: 70W; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Power dissipation: 690W
Case: TO270WBG-4
Kind of package: reel; tape
Frequency: 520MHz
Kind of channel: enhanced
Output power: 70W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 18.5dB
Efficiency: 68.5%
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
AFT05MP075NR1 |
Виробник: NXP
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 690W; TO270WB-4; Pout: 70W; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Power dissipation: 690W
Case: TO270WB-4
Kind of package: reel; tape
Frequency: 520MHz
Kind of channel: enhanced
Output power: 70W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 18.5dB
Efficiency: 68.5%
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 690W; TO270WB-4; Pout: 70W; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Power dissipation: 690W
Case: TO270WB-4
Kind of package: reel; tape
Frequency: 520MHz
Kind of channel: enhanced
Output power: 70W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 18.5dB
Efficiency: 68.5%
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
AFT05MS004NT1 |
Виробник: NXP
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 28W; SOT89; Pout: 4.9W; SMT
Case: SOT89
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: SMT
Kind of transistor: RF
Kind of channel: enhanced
Frequency: 520MHz
Type of transistor: N-MOSFET
Open-loop gain: 20.9dB
Output power: 4.9W
Power dissipation: 28W
Efficiency: 74.9%
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 28W; SOT89; Pout: 4.9W; SMT
Case: SOT89
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: SMT
Kind of transistor: RF
Kind of channel: enhanced
Frequency: 520MHz
Type of transistor: N-MOSFET
Open-loop gain: 20.9dB
Output power: 4.9W
Power dissipation: 28W
Efficiency: 74.9%
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
AFT05MS006NT1 |
Виробник: NXP
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 125W; PLD-1.5W; Pout: 6W; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Power dissipation: 125W
Case: PLD-1.5W
Kind of package: reel; tape
Frequency: 520MHz
Kind of channel: enhanced
Output power: 6W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 18.3dB
Efficiency: 73%
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 125W; PLD-1.5W; Pout: 6W; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Power dissipation: 125W
Case: PLD-1.5W
Kind of package: reel; tape
Frequency: 520MHz
Kind of channel: enhanced
Output power: 6W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 18.3dB
Efficiency: 73%
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
AFT05MS031GNR1 |
Виробник: NXP
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 294W; TO270G-2; Pout: 33W; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Power dissipation: 294W
Case: TO270G-2
Kind of package: reel; tape
Frequency: 520MHz
Kind of channel: enhanced
Output power: 33W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 17.7dB
Efficiency: 71.4%
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 294W; TO270G-2; Pout: 33W; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Power dissipation: 294W
Case: TO270G-2
Kind of package: reel; tape
Frequency: 520MHz
Kind of channel: enhanced
Output power: 33W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 17.7dB
Efficiency: 71.4%
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
AFT09MP055GNR1 |
Виробник: NXP
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 625W; TO270WBG-4; Pout: 57W; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Power dissipation: 625W
Case: TO270WBG-4
Kind of package: reel; tape
Frequency: 870MHz
Kind of channel: enhanced
Output power: 57W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 17.5dB
Efficiency: 69%
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 625W; TO270WBG-4; Pout: 57W; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Power dissipation: 625W
Case: TO270WBG-4
Kind of package: reel; tape
Frequency: 870MHz
Kind of channel: enhanced
Output power: 57W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 17.5dB
Efficiency: 69%
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
AFT09MP055NR1 |
Виробник: NXP
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 625W; TO270WB-4; Pout: 57W; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Power dissipation: 625W
Case: TO270WB-4
Kind of package: reel; tape
Frequency: 870MHz
Kind of channel: enhanced
Output power: 57W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 17.5dB
Efficiency: 69%
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 625W; TO270WB-4; Pout: 57W; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Power dissipation: 625W
Case: TO270WB-4
Kind of package: reel; tape
Frequency: 870MHz
Kind of channel: enhanced
Output power: 57W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 17.5dB
Efficiency: 69%
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
AFT09MS031GNR1 |
Виробник: NXP
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 317W; TO270G-2; Pout: 31W; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Power dissipation: 317W
Case: TO270G-2
Kind of package: reel; tape
Frequency: 870MHz
Kind of channel: enhanced
Output power: 31W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 17.2dB
Efficiency: 71%
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 317W; TO270G-2; Pout: 31W; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Power dissipation: 317W
Case: TO270G-2
Kind of package: reel; tape
Frequency: 870MHz
Kind of channel: enhanced
Output power: 31W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 17.2dB
Efficiency: 71%
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
AFT09MS031NR1 |
Виробник: NXP
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 317W; TO270-2; Pout: 31W; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Power dissipation: 317W
Case: TO270-2
Kind of package: reel; tape
Frequency: 870MHz
Kind of channel: enhanced
Output power: 31W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 17.2dB
Efficiency: 71%
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 317W; TO270-2; Pout: 31W; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Power dissipation: 317W
Case: TO270-2
Kind of package: reel; tape
Frequency: 870MHz
Kind of channel: enhanced
Output power: 31W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 17.2dB
Efficiency: 71%
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
AFT20S015GNR1 |
Виробник: NXP
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; TO270G-2; 16.2W; SMT; 17.6dB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Case: TO270G-2
Kind of package: reel; tape
Frequency: 2140MHz
Kind of channel: enhanced
Output power: 16.2W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 17.6dB
Efficiency: 22%
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; TO270G-2; 16.2W; SMT; 17.6dB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Case: TO270G-2
Kind of package: reel; tape
Frequency: 2140MHz
Kind of channel: enhanced
Output power: 16.2W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 17.6dB
Efficiency: 22%
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
AFT27S006NT1 |
Виробник: NXP
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; PLD-1.5W; 6W; SMT; 22.8dB; 19.8%
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Case: PLD-1.5W
Kind of package: reel; tape
Frequency: 2140MHz
Kind of channel: enhanced
Output power: 6W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 22.8dB
Efficiency: 19.8%
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; PLD-1.5W; 6W; SMT; 22.8dB; 19.8%
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Case: PLD-1.5W
Kind of package: reel; tape
Frequency: 2140MHz
Kind of channel: enhanced
Output power: 6W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 22.8dB
Efficiency: 19.8%
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
AFT27S010NT1 |
Виробник: NXP
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; PLD-1.5W; 10W; SMT; 21.8dB; 23%
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Case: PLD-1.5W
Kind of package: reel; tape
Frequency: 2140MHz
Kind of channel: enhanced
Output power: 10W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 21.8dB
Efficiency: 23%
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; PLD-1.5W; 10W; SMT; 21.8dB; 23%
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Case: PLD-1.5W
Kind of package: reel; tape
Frequency: 2140MHz
Kind of channel: enhanced
Output power: 10W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 21.8dB
Efficiency: 23%
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
AFT27S012NT1 |
Виробник: NXP
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; PLD-1.5W; 13W; SMT; 20.9dB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Case: PLD-1.5W
Kind of package: reel; tape
Frequency: 2140MHz
Kind of channel: enhanced
Output power: 13W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 20.9dB
Efficiency: 22.6%
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; PLD-1.5W; 13W; SMT; 20.9dB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Case: PLD-1.5W
Kind of package: reel; tape
Frequency: 2140MHz
Kind of channel: enhanced
Output power: 13W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 20.9dB
Efficiency: 22.6%
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
AFT31150NR5 |
Виробник: NXP
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 741W; OM780-2; Pout: 150W; SMT
Frequency: 3100MHz
Case: OM780-2
Output power: 150W
Open-loop gain: 17.2dB
Power dissipation: 741W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Efficiency: 49%
Kind of transistor: RF
Electrical mounting: SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 741W; OM780-2; Pout: 150W; SMT
Frequency: 3100MHz
Case: OM780-2
Output power: 150W
Open-loop gain: 17.2dB
Power dissipation: 741W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Efficiency: 49%
Kind of transistor: RF
Electrical mounting: SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BAP50-02,115 |
Виробник: NXP
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 50mA; 715mW; SOD523; single diode; reel,tape
Type of diode: switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Load current: 50mA
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Power dissipation: 715mW
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.95V
Max. off-state voltage: 50V
кількість в упаковці: 5 шт
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 50mA; 715mW; SOD523; single diode; reel,tape
Type of diode: switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Load current: 50mA
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Power dissipation: 715mW
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.95V
Max. off-state voltage: 50V
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 290 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15+ | 20.52 грн |
30+ | 9.35 грн |
100+ | 7.96 грн |
140+ | 6.89 грн |
385+ | 6.51 грн |
BAP50-04,215 |
Виробник: NXP
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 50mA; 250mW; SOT23; double series; reel,tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 50V
Max. forward voltage: 0.95V
Load current: 50mA
Semiconductor structure: double series
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Features of semiconductor devices: PIN; RF
кількість в упаковці: 5 шт
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 50mA; 250mW; SOT23; double series; reel,tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 50V
Max. forward voltage: 0.95V
Load current: 50mA
Semiconductor structure: double series
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Features of semiconductor devices: PIN; RF
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2559 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 12.39 грн |
35+ | 8.19 грн |
100+ | 6.98 грн |
170+ | 5.75 грн |
455+ | 5.42 грн |
BAP51-02,115 |
Виробник: NXP
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 60V; 50mA; 715mW; SOD523; single diode; reel,tape
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 50mA
Power dissipation: 715mW
Case: SOD523
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. forward voltage: 0.95V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 60V; 50mA; 715mW; SOD523; single diode; reel,tape
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 50mA
Power dissipation: 715mW
Case: SOD523
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. forward voltage: 0.95V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 7780 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 13.71 грн |
30+ | 10.15 грн |
100+ | 8.71 грн |
130+ | 7.39 грн |
355+ | 6.99 грн |
3000+ | 6.74 грн |
BAP51-03,115 |
Виробник: NXP
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 50mA; 500mW; SOD323; single diode; reel,tape
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 50mA
Power dissipation: 0.5W
Case: SOD323
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. forward voltage: 0.95V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 50mA; 500mW; SOD323; single diode; reel,tape
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 50mA
Power dissipation: 0.5W
Case: SOD323
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. forward voltage: 0.95V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 4695 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 11 грн |
100+ | 9.36 грн |
115+ | 8.6 грн |
305+ | 8.13 грн |
3000+ | 7.88 грн |
BAP64-02,115 |
Виробник: NXP
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 175V; 100mA; 715mW; SOD523; single diode
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 175V
Load current: 0.1A
Power dissipation: 715mW
Case: SOD523
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. forward voltage: 0.95V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 175V; 100mA; 715mW; SOD523; single diode
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 175V
Load current: 0.1A
Power dissipation: 715mW
Case: SOD523
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. forward voltage: 0.95V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
BAP64-03,115 |
Виробник: NXP
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 175V; 100mA; 500mW; SOD323; single diode
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 175V
Load current: 0.1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOD323
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. forward voltage: 0.95V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 175V; 100mA; 500mW; SOD323; single diode
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 175V
Load current: 0.1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOD323
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. forward voltage: 0.95V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 16.63 грн |
30+ | 10.15 грн |
100+ | 8.54 грн |
150+ | 6.47 грн |
405+ | 6.12 грн |
3000+ | 5.91 грн |
BAP64-05,215 |
Виробник: NXP
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 175V; 100mA; 250mW; SOT23; double,common cathode
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 175V
Load current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. forward voltage: 0.95V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 175V; 100mA; 250mW; SOT23; double,common cathode
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 175V
Load current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. forward voltage: 0.95V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BAP64-06,215 |
Виробник: NXP
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 175V; 100mA; 250mW; SOT23; double,common anode
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 175V
Load current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Semiconductor structure: common anode; double
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. forward voltage: 0.95V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 175V; 100mA; 250mW; SOT23; double,common anode
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 175V
Load current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Semiconductor structure: common anode; double
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. forward voltage: 0.95V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1820 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 20.08 грн |
26+ | 10.15 грн |
100+ | 8.63 грн |
128+ | 7.48 грн |
350+ | 7.06 грн |
BAP65-02,115 |
Виробник: NXP
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 30V; 100mA; 715mW; SOD523; single diode
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.1A
Power dissipation: 715mW
Case: SOD523
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. forward voltage: 0.9V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 30V; 100mA; 715mW; SOD523; single diode
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.1A
Power dissipation: 715mW
Case: SOD523
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. forward voltage: 0.9V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1039 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 16.54 грн |
25+ | 14.33 грн |
90+ | 10.68 грн |
245+ | 10.1 грн |
BAP65-03,115 |
Виробник: NXP
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 30V; 100mA; 500mW; SOD323; single diode
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Max. forward voltage: 0.9V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Case: SOD323
кількість в упаковці: 5 шт
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 30V; 100mA; 500mW; SOD323; single diode
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Max. forward voltage: 0.9V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Case: SOD323
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3175 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 16.46 грн |
25+ | 13.56 грн |
100+ | 11.42 грн |
115+ | 8.35 грн |
315+ | 7.89 грн |
3000+ | 7.72 грн |
BAP70-02,115 |
Виробник: NXP
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 100mA; 415mW; SOD523; single diode
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.1A
Power dissipation: 415mW
Case: SOD523
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. forward voltage: 0.9V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 100mA; 415mW; SOD523; single diode
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.1A
Power dissipation: 415mW
Case: SOD523
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. forward voltage: 0.9V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 16.46 грн |
25+ | 13.91 грн |
100+ | 11.58 грн |
115+ | 8.35 грн |
315+ | 7.89 грн |
BB135.115 |
Виробник: NXP
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 30V; 20mA; SOD323; single diode; reel,tape
Type of diode: varicap
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 20mA
Case: SOD323
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: RF
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 0.2µA
Capacitance: 1.7...21pF
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 30V; 20mA; SOD323; single diode; reel,tape
Type of diode: varicap
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 20mA
Case: SOD323
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: RF
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 0.2µA
Capacitance: 1.7...21pF
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BB173X |
Виробник: NXP
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 32V; 20mA; SOD523; single diode; reel,tape
Type of diode: varicap
Max. off-state voltage: 32V
Load current: 20mA
Case: SOD523
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: RF
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 0.2µA
Capacitance: 2.36...42.35pF
кількість в упаковці: 5 шт
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 32V; 20mA; SOD523; single diode; reel,tape
Type of diode: varicap
Max. off-state voltage: 32V
Load current: 20mA
Case: SOD523
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: RF
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 0.2µA
Capacitance: 2.36...42.35pF
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2954 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15+ | 23.44 грн |
25+ | 20.3 грн |
70+ | 14.23 грн |
185+ | 13.46 грн |
BB208-02,115 |
Виробник: NXP
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 10V; 20mA; SOD523; single diode; reel,tape
Type of diode: varicap
Max. off-state voltage: 10V
Load current: 20mA
Case: SOD523
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: RF
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 0.2µA
Capacitance: 4.5...23.2pF
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 10V; 20mA; SOD523; single diode; reel,tape
Type of diode: varicap
Max. off-state voltage: 10V
Load current: 20mA
Case: SOD523
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: RF
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 0.2µA
Capacitance: 4.5...23.2pF
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BBY40,215 |
Виробник: NXP
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 30V; 20mA; SOT23; single diode; reel,tape; Ir: 20nA
Type of diode: varicap
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 20mA
Case: SOT23
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: RF
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 20nA
Capacitance: 4.3...32pF
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 30V; 20mA; SOT23; single diode; reel,tape; Ir: 20nA
Type of diode: varicap
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 20mA
Case: SOT23
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: RF
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 20nA
Capacitance: 4.3...32pF
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 819 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 27.16 грн |
25+ | 23.89 грн |
61+ | 15.81 грн |
166+ | 14.95 грн |
3000+ | 14.46 грн |
BFT25,215 |
Виробник: NXP
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 5V; 6.5mA; 30mW; SOT23
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 5V
Current gain: 40
Collector current: 6.5mA
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 30mW
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: RF
Case: SOT23
Frequency: 2.3GHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 5V; 6.5mA; 30mW; SOT23
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 5V
Current gain: 40
Collector current: 6.5mA
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 30mW
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: RF
Case: SOT23
Frequency: 2.3GHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2260 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 19.46 грн |
25+ | 13.05 грн |
96+ | 10.02 грн |
264+ | 9.53 грн |
BFU520AR |
Виробник: NXP
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 30mA; 450mW; SOT23
Case: SOT23
Frequency: 10GHz
Collector-emitter voltage: 12V
Current gain: 60...200
Collector current: 30mA
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.45W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: RF
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 30mA; 450mW; SOT23
Case: SOT23
Frequency: 10GHz
Collector-emitter voltage: 12V
Current gain: 60...200
Collector current: 30mA
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.45W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: RF
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5843 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 46 грн |
10+ | 33.53 грн |
25+ | 29 грн |
43+ | 22.76 грн |
117+ | 21.52 грн |
3000+ | 20.78 грн |
BFU520XAR |
Виробник: NXP
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 30mA; 450mW; SOT143B
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 30mA
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT143B
Current gain: 60...200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 10.5GHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 30mA; 450mW; SOT143B
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 30mA
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT143B
Current gain: 60...200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 10.5GHz
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BFU530WX |
Виробник: NXP
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 24V; 40mA; 450mW; SOT323
Mounting: SMD
Case: SOT323
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.45W
Frequency: 11GHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 24V
Current gain: 60...200
Collector current: 40mA
Type of transistor: NPN
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 24V; 40mA; 450mW; SOT323
Mounting: SMD
Case: SOT323
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.45W
Frequency: 11GHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 24V
Current gain: 60...200
Collector current: 40mA
Type of transistor: NPN
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2956 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 62.81 грн |
9+ | 30.71 грн |
25+ | 26.53 грн |
44+ | 22.36 грн |
119+ | 21.14 грн |
BFU550AR |
Виробник: NXP
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 50mA; 450mW; SOT23
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT23
Collector-emitter voltage: 12V
Mounting: SMD
Kind of transistor: RF
Kind of package: reel; tape
Current gain: 60...200
Collector current: 50mA
Type of transistor: NPN
Frequency: 11GHz
кількість в упаковці: 5 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 50mA; 450mW; SOT23
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT23
Collector-emitter voltage: 12V
Mounting: SMD
Kind of transistor: RF
Kind of package: reel; tape
Current gain: 60...200
Collector current: 50mA
Type of transistor: NPN
Frequency: 11GHz
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 9820 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 16.99 грн |
25+ | 11.86 грн |
100+ | 10.1 грн |
110+ | 9.07 грн |
290+ | 8.58 грн |
3000+ | 8.46 грн |
BFU580GX |
Виробник: NXP
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 60mA; 1W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 60mA
Power dissipation: 1W
Case: SOT223
Current gain: 60...130
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 11GHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 60mA; 1W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 60mA
Power dissipation: 1W
Case: SOT223
Current gain: 60...130
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 11GHz
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній