Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (140701) > Сторінка 1235 з 2346

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 234 468 702 936 1170 1230 1231 1232 1233 1234 1235 1236 1237 1238 1239 1240 1404 1638 1872 2106 2340 2346  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
QTLP321CR onsemi QTLP321Cx.pdf Description: LED RED POWER LED T/H
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.200", 5.08mm)
Color: Red
Size / Dimension: 7.62mm L x 7.62mm W
Mounting Type: Through Hole
Configuration: Standard
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 2.2V
Current - Test: 70mA
Viewing Angle: 50°
Height (Max): 6.50mm
Wavelength - Peak: 640nm
Wavelength - Dominant: 630nm
Supplier Device Package: POWER LED
Lens Style: Round with Domed Top
Lens Size: 3.00mm Dia
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EC4401C-TL EC4401C-TL onsemi EC4401C.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 150MA ECSP1008-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 80mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Supplier Device Package: 4-ECSP1008
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EC4401C-TL EC4401C-TL onsemi EC4401C.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 150MA ECSP1008-4
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 80mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Supplier Device Package: 4-ECSP1008
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7 pF @ 10 V
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2219+10.54 грн
Мінімальне замовлення: 2219
В кошику  од. на суму  грн.
EC4H08C-TL-H EC4H08C-TL-H onsemi EC4H08C.pdf Description: RF TRANS NPN 3.5V 24GHZ ECSP1008
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 17dB
Power - Max: 50mW
Current - Collector (Ic) (Max): 15mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 1V
Frequency - Transition: 24GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz
Supplier Device Package: 4-ECSP1008
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
606+37.63 грн
Мінімальне замовлення: 606
В кошику  од. на суму  грн.
EC4H09C-TL-H EC4H09C-TL-H onsemi EC4H09C.pdf Description: RF TRANS NPN 3.5V 26GHZ ECSP1008
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 15dB
Power - Max: 120mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 1V
Frequency - Transition: 26GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 2GHz
Supplier Device Package: 4-ECSP1008
на замовлення 37000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
437+51.93 грн
Мінімальне замовлення: 437
В кошику  од. на суму  грн.
NIS5112D1R2G NIS5112D1R2G onsemi nis5112-d.pdf Description: IC ELECTRONIC FUSE 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Electronic Fuse
Voltage - Input: 9V ~ 18V
Current - Output: 2A
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 6167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
183+123.42 грн
Мінімальне замовлення: 183
В кошику  од. на суму  грн.
NIS5112D2R2G NIS5112D2R2G onsemi nis5112-d.pdf Description: IC ELECTRONIC FUSE 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Electronic Fuse
Voltage - Input: 9V ~ 18V
Current - Output: 2A
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
157+143.74 грн
Мінімальне замовлення: 157
В кошику  од. на суму  грн.
NB4N7132DTR2G NB4N7132DTR2G onsemi NB4N7132.pdf Description: IC CLK LINK REPLICATOR HDTV
Packaging: Bulk
Package / Case: 28-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVPECL
Input: LVPECL
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3.14V ~ 3.47V
Main Purpose: Fibre Channel, Gigabit Ethernet, HDTV, SATA
Ratio - Input:Output: 3:3
Differential - Input:Output: Yes/Yes
Supplier Device Package: 28-TSSOP
PLL: No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 33866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+287.24 грн
Мінімальне замовлення: 76
В кошику  од. на суму  грн.
NB4N7132DTG NB4N7132DTG onsemi NB4N7132.pdf Description: IC CLK LINK REPLICATOR HDTV
Packaging: Tube
Package / Case: 28-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVPECL
Input: LVPECL
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3.14V ~ 3.47V
Main Purpose: Fibre Channel, Gigabit Ethernet, HDTV, SATA
Ratio - Input:Output: 3:3
Differential - Input:Output: Yes/Yes
Supplier Device Package: 28-TSSOP
PLL: No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 3373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+287.24 грн
Мінімальне замовлення: 76
В кошику  од. на суму  грн.
NCP81611AMNTXG NCP81611AMNTXG onsemi Description: NVIDIA OVR4I+ CONTROLLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 40-VFQFN Exposed Pad
Output Type: PWM
Mounting Type: Surface Mount
Function: Step-Down
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 250kHz ~ 1.2MHz
Topology: Buck
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.8V ~ 20V
Supplier Device Package: 40-QFN (5x5)
Synchronous Rectifier: Yes
Control Features: Current Limit, Enable, Frequency Control, Phase Control, Power Good, Soft Start
Serial Interfaces: Psi
Output Phases: 4
Clock Sync: Yes
Number of Outputs: 1
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+86.11 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
NCP81611AMNTXG NCP81611AMNTXG onsemi Description: NVIDIA OVR4I+ CONTROLLER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 40-VFQFN Exposed Pad
Output Type: PWM
Mounting Type: Surface Mount
Function: Step-Down
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 250kHz ~ 1.2MHz
Topology: Buck
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.8V ~ 20V
Supplier Device Package: 40-QFN (5x5)
Synchronous Rectifier: Yes
Control Features: Current Limit, Enable, Frequency Control, Phase Control, Power Good, Soft Start
Serial Interfaces: Psi
Output Phases: 4
Clock Sync: Yes
Number of Outputs: 1
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.21 грн
10+121.38 грн
25+110.79 грн
100+93.09 грн
250+87.90 грн
500+84.76 грн
1000+80.84 грн
2500+78.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJD5D4N04CTWG onsemi nvmjd5d4n04c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.63 грн
10+109.15 грн
25+92.42 грн
100+69.03 грн
250+60.33 грн
500+54.99 грн
1000+49.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJD7D4N04CLTWG onsemi NVMJD7D4N04CL-D.PDF Description: MOSFET N-CH 40V LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RMPA2259 RMPA2259 onsemi RMPA2259.pdf Description: IC AMP W-CDMA 1.92-1.98GHZ 11LCC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.92GHz ~ 1.98GHz
RF Type: W-CDMA
Voltage - Supply: 3V ~ 4.2V
Gain: 24dB
Current - Supply: 50mA
Noise Figure: 3dB
Supplier Device Package: 11-LCC (4x4)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RMPA2259 RMPA2259 onsemi RMPA2259.pdf Description: IC AMP W-CDMA 1.92-1.98GHZ 11LCC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.92GHz ~ 1.98GHz
RF Type: W-CDMA
Voltage - Supply: 3V ~ 4.2V
Gain: 24dB
Current - Supply: 50mA
Noise Figure: 3dB
Supplier Device Package: 11-LCC (4x4)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TIP30A TIP30A onsemi TIP29B-D.PDF Description: TRANS PNP 60V 1A TO-220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 4V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FAN4800AUM FAN4800AUM onsemi fan4800cu-d.pdf Description: IC PFC CTR AV CURR 268KHZ 16SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 11V ~ 22V
Frequency - Switching: 240kHz ~ 268kHz
Mode: Average Current
Supplier Device Package: 16-SOIC
Current - Startup: 30 µA
на замовлення 7733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.91 грн
10+66.70 грн
25+60.49 грн
100+50.35 грн
250+47.28 грн
500+45.43 грн
1000+43.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FD6M043N08 FD6M043N08 onsemi FD6M043N08.pdf Description: MOSFET 2N-CH 75V 65A EPM15
Packaging: Tube
Package / Case: EPM15
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6180pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 40A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 148nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: EPM15
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM317LMX LM317LMX onsemi lm317l-d.pdf Description: IC REG LIN POS ADJ 100MA 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 100mA
Operating Temperature: 0°C ~ 125°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 10 mA
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 8-SOIC
Voltage - Output (Max): 37V
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.2V
PSRR: 80dB (120Hz)
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Short Circuit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM317LMX LM317LMX onsemi lm317l-d.pdf Description: IC REG LIN POS ADJ 100MA 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 100mA
Operating Temperature: 0°C ~ 125°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 10 mA
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 8-SOIC
Voltage - Output (Max): 37V
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.2V
PSRR: 80dB (120Hz)
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Short Circuit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TIP31 TIP31 onsemi tip31a-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 3A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TIP31ATU TIP31ATU onsemi TIP31_A_B_C%2C%20TIP32_A_B_C.pdf Description: TRANS NPN 60V 3A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74ACT74SC 74ACT74SC onsemi DS_261_74ACT74.pdf Description: IC FF D-TYPE DOUBLE 1BIT 14SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Function: Set(Preset) and Reset
Type: D-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 20 µA
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Trigger Type: Positive Edge
Clock Frequency: 210 MHz
Input Capacitance: 4.5 pF
Supplier Device Package: 14-SOIC
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 11ns @ 5V, 50pF
Number of Bits per Element: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74ACT74SJ 74ACT74SJ onsemi DS_261_74ACT74.pdf Description: IC FF D-TYPE DOUBLE 1BIT 14-SOP
Packaging: Tube
Package / Case: 14-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Output Type: Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Function: Set(Preset) and Reset
Type: D-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 20 µA
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Trigger Type: Positive Edge
Clock Frequency: 210 MHz
Input Capacitance: 4.5 pF
Supplier Device Package: 14-SOP
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 11ns @ 5V, 50pF
Number of Bits per Element: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74ACT74SJX 74ACT74SJX onsemi DS_261_74ACT74.pdf Description: IC FF D-TYPE DOUBLE 1BIT 14-SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Output Type: Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Function: Set(Preset) and Reset
Type: D-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 20 µA
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Trigger Type: Positive Edge
Clock Frequency: 210 MHz
Input Capacitance: 4.5 pF
Supplier Device Package: 14-SOP
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 11ns @ 5V, 50pF
Number of Bits per Element: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE12ARL4G 1.5KE12ARL4G onsemi ONSMS21119-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TVS DIODE 10.2VWM 16.7VC AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 90A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 10.2V
Supplier Device Package: Axial
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 16.7V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 44492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
865+23.63 грн
Мінімальне замовлення: 865
В кошику  од. на суму  грн.
TIP122 TIP122 onsemi TIP120-22.pdf Description: TRANS NPN DARL 100V 5A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 20mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 3V
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSC2328AOBU KSC2328AOBU onsemi ksc2328a-d.pdf Description: TRANS NPN 30V 2A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 30mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1725K2 UJ3D1725K2 onsemi UJ3D1725K2-D.PDF Description: DIODE SIL CARB 1700V 25A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1500pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 360 µA @ 1700 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 39527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1386.02 грн
30+841.42 грн
120+762.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1250K2 UJ3D1250K2 onsemi da008695 Description: DIODE SIL CARB 1200V 50A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2340pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 1200 V
на замовлення 14605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1753.90 грн
30+1321.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1205TS UJ3D1205TS onsemi UJ3D1205TS-D.PDF Description: DIODE SIL CARBIDE 1200V 5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 1200 V
на замовлення 20381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+398.47 грн
50+202.22 грн
100+184.70 грн
500+144.56 грн
1000+139.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06560KSD UJ3D06560KSD onsemi UJ3D06560KSD-D.PDF Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1980pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 740 µA @ 650 V
на замовлення 6042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1109.13 грн
30+703.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1250K UJ3D1250K onsemi da008694 Description: DIODE SIL CARB 1200V 50A TO2473
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2340pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 1200 V
на замовлення 6397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1753.90 грн
30+1321.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1202TS UJ3D1202TS onsemi UJ3D1202TS-D.PDF Description: DIODE SIL CARBIDE 1200V 2A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 109pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 22 µA @ 1200 V
на замовлення 6499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+268.26 грн
50+131.53 грн
100+119.24 грн
500+91.67 грн
1000+85.17 грн
2000+81.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06506TS UJ3D06506TS onsemi DS_UJ3D06506TS.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 196pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 57301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.48 грн
25+114.51 грн
100+98.56 грн
250+85.01 грн
500+79.57 грн
1000+76.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06508TS UJ3D06508TS onsemi DS_UJ3D06508TS.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 28073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.02 грн
25+134.06 грн
100+115.94 грн
250+99.97 грн
500+93.17 грн
1000+90.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06510TS UJ3D06510TS onsemi DS_UJ3D06510TS.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 327pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
на замовлення 11657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.98 грн
25+152.19 грн
100+131.16 грн
250+113.57 грн
500+106.09 грн
1000+102.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06520TS UJ3D06520TS onsemi DS_UJ3D06520TS.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 654pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V
на замовлення 6004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+312.19 грн
25+261.62 грн
100+225.37 грн
250+195.18 грн
500+181.58 грн
1000+175.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210TS UJ3D1210TS onsemi UJ3D1210TS-D.PDF Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 510pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V
на замовлення 9913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+476.91 грн
50+250.53 грн
100+235.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1220KSD UJ3D1220KSD onsemi UJ3D1220KSD-D.PDF Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO2473
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1020pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 1200 V
на замовлення 773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+987.55 грн
30+581.38 грн
120+500.36 грн
510+460.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06504TS UJ3D06504TS onsemi DS_UJ3D06504TS.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 118pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
на замовлення 22758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.89 грн
25+89.13 грн
100+76.82 грн
250+65.97 грн
500+61.89 грн
1000+59.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06512TS UJ3D06512TS onsemi DS_UJ3D06512TS.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 392pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
на замовлення 10601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+298.85 грн
50+184.71 грн
100+178.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06516TS UJ3D06516TS onsemi DS_UJ3D06516TS.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+271.40 грн
25+227.54 грн
100+196.39 грн
250+169.34 грн
500+157.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210K2 UJ3D1210K2 onsemi UJ3D1210K2-D.PDF Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 510pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V
на замовлення 6415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+497.30 грн
30+280.28 грн
120+248.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06530TS UJ3D06530TS onsemi DS_UJ3D06530TS.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 990pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 370 µA @ 650 V
на замовлення 7715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+455.73 грн
25+381.90 грн
100+329.73 грн
250+284.95 грн
500+265.23 грн
1000+255.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1220K2 UJ3D1220K2 onsemi da008692 Description: DIODE SIL CARB 1200V 20A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 810pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 190 µA @ 1200 V
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+591.43 грн
25+494.96 грн
100+427.56 грн
250+369.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06520KSD UJ3D06520KSD onsemi UJ3D06520KSD-D.PDF Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 654pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V
на замовлення 7418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+618.88 грн
30+327.54 грн
120+296.11 грн
510+250.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210KSD UJ3D1210KSD onsemi UJ3D1210KSD-D.PDF Description: DIODE SIL CARB 1200V 5A TO2473
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+658.10 грн
30+374.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210KS UJ3D1210KS onsemi UJ3D1210KS-D.PDF Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO2473
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 510pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+608.69 грн
10+433.04 грн
100+375.17 грн
600+265.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NBXDBA009LNHTAG NBXDBA009LNHTAG onsemi Description: IC OSC XTAL DUAL FREQ 6CLCC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-CLCC
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 75MHz, 150MHz
Type: Oscillator, Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.97V ~ 3.63V
Supplier Device Package: 6-CLCC (7x5)
Current - Supply: 79 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MM74HC4316M MM74HC4316M onsemi MM74HC4316.pdf Description: IC SWITCH SPST-NOX4 70OHM 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 70Ohm
-3db Bandwidth: 100MHz
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 2V ~ 12V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±2V ~ 6V
Crosstalk: -50dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 5Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 14ns, 20ns
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100nA
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FAN5776UCX FAN5776UCX onsemi fan5776-d.pdf Description: IC LED DRV RGLTR PWM 12WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-UFBGA, WLCSP
Voltage - Output: 3.5V ~ 8.5V
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 5
Frequency: 1.8MHz
Type: DC DC Regulator
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Applications: Backlight
Current - Output / Channel: 25mA
Internal Switch(s): Yes
Topology: Step-Up (Boost)
Supplier Device Package: 12-WLCSP (1.42x1.66)
Dimming: PWM
Voltage - Supply (Min): 2.3V
Voltage - Supply (Max): 5.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FAN5776UCX FAN5776UCX onsemi fan5776-d.pdf Description: IC LED DRV RGLTR PWM 12WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-UFBGA, WLCSP
Voltage - Output: 3.5V ~ 8.5V
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 5
Frequency: 1.8MHz
Type: DC DC Regulator
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Applications: Backlight
Current - Output / Channel: 25mA
Internal Switch(s): Yes
Topology: Step-Up (Boost)
Supplier Device Package: 12-WLCSP (1.42x1.66)
Dimming: PWM
Voltage - Supply (Min): 2.3V
Voltage - Supply (Max): 5.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HT8822N onsemi Description: IC PWR CONV TBD 8-MDIP
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC33164P-5RAG MC33164P-5RAG onsemi mc34164-d.pdf Description: IC SUPERVISOR 1 CHANNEL TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Output: Open Drain or Open Collector
Type: Simple Reset/Power-On Reset
Reset: Active Low
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Number of Voltages Monitored: 1
Voltage - Threshold: 4.33V
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 8708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
975+23.28 грн
Мінімальне замовлення: 975
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC112M 74VHC112M onsemi ONSM-S-A0003546545-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC FF JK TYPE DUAL 1BIT 16SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Function: Set(Preset) and Reset
Type: JK Type
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 2 µA
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Trigger Type: Negative Edge
Clock Frequency: 185 MHz
Input Capacitance: 4 pF
Supplier Device Package: 16-SOIC
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 10.5ns @ 5V, 50pF
Number of Bits per Element: 1
на замовлення 132480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
457+49.67 грн
Мінімальне замовлення: 457
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC112M 74VHC112M onsemi ONSM-S-A0003546545-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC FF JK TYPE DUAL 1BIT 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Function: Set(Preset) and Reset
Type: JK Type
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 2 µA
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Trigger Type: Negative Edge
Clock Frequency: 185 MHz
Input Capacitance: 4 pF
Supplier Device Package: 16-SOIC
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 10.5ns @ 5V, 50pF
Number of Bits per Element: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C170400B7S UF3C170400B7S onsemi UF3C170400B7S-D.PDF Description: SICFET N-CH 1700V 7.6A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 734 pF @ 1200 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+332.49 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C170400B7S UF3C170400B7S onsemi UF3C170400B7S-D.PDF Description: SICFET N-CH 1700V 7.6A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 734 pF @ 1200 V
на замовлення 3227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+758.50 грн
10+504.41 грн
100+391.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060K3S UJ4C075060K3S onsemi uj4c075060k3s-d.pdf Description: SICFET N-CH 750V 28A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1422 pF @ 100 V
на замовлення 14453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+925.58 грн
30+564.29 грн
120+529.44 грн
510+415.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
QTLP321CR QTLP321Cx.pdf
Виробник: onsemi
Description: LED RED POWER LED T/H
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.200", 5.08mm)
Color: Red
Size / Dimension: 7.62mm L x 7.62mm W
Mounting Type: Through Hole
Configuration: Standard
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 2.2V
Current - Test: 70mA
Viewing Angle: 50°
Height (Max): 6.50mm
Wavelength - Peak: 640nm
Wavelength - Dominant: 630nm
Supplier Device Package: POWER LED
Lens Style: Round with Domed Top
Lens Size: 3.00mm Dia
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EC4401C-TL EC4401C.pdf
EC4401C-TL
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 150MA ECSP1008-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 80mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Supplier Device Package: 4-ECSP1008
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EC4401C-TL EC4401C.pdf
EC4401C-TL
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 150MA ECSP1008-4
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 80mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Supplier Device Package: 4-ECSP1008
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7 pF @ 10 V
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2219+10.54 грн
Мінімальне замовлення: 2219
В кошику  од. на суму  грн.
EC4H08C-TL-H EC4H08C.pdf
EC4H08C-TL-H
Виробник: onsemi
Description: RF TRANS NPN 3.5V 24GHZ ECSP1008
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 17dB
Power - Max: 50mW
Current - Collector (Ic) (Max): 15mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 1V
Frequency - Transition: 24GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz
Supplier Device Package: 4-ECSP1008
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
606+37.63 грн
Мінімальне замовлення: 606
В кошику  од. на суму  грн.
EC4H09C-TL-H EC4H09C.pdf
EC4H09C-TL-H
Виробник: onsemi
Description: RF TRANS NPN 3.5V 26GHZ ECSP1008
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 15dB
Power - Max: 120mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 1V
Frequency - Transition: 26GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 2GHz
Supplier Device Package: 4-ECSP1008
на замовлення 37000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
437+51.93 грн
Мінімальне замовлення: 437
В кошику  од. на суму  грн.
NIS5112D1R2G nis5112-d.pdf
NIS5112D1R2G
Виробник: onsemi
Description: IC ELECTRONIC FUSE 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Electronic Fuse
Voltage - Input: 9V ~ 18V
Current - Output: 2A
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 6167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
183+123.42 грн
Мінімальне замовлення: 183
В кошику  од. на суму  грн.
NIS5112D2R2G nis5112-d.pdf
NIS5112D2R2G
Виробник: onsemi
Description: IC ELECTRONIC FUSE 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Electronic Fuse
Voltage - Input: 9V ~ 18V
Current - Output: 2A
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
157+143.74 грн
Мінімальне замовлення: 157
В кошику  од. на суму  грн.
NB4N7132DTR2G NB4N7132.pdf
NB4N7132DTR2G
Виробник: onsemi
Description: IC CLK LINK REPLICATOR HDTV
Packaging: Bulk
Package / Case: 28-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVPECL
Input: LVPECL
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3.14V ~ 3.47V
Main Purpose: Fibre Channel, Gigabit Ethernet, HDTV, SATA
Ratio - Input:Output: 3:3
Differential - Input:Output: Yes/Yes
Supplier Device Package: 28-TSSOP
PLL: No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 33866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
76+287.24 грн
Мінімальне замовлення: 76
В кошику  од. на суму  грн.
NB4N7132DTG NB4N7132.pdf
NB4N7132DTG
Виробник: onsemi
Description: IC CLK LINK REPLICATOR HDTV
Packaging: Tube
Package / Case: 28-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVPECL
Input: LVPECL
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3.14V ~ 3.47V
Main Purpose: Fibre Channel, Gigabit Ethernet, HDTV, SATA
Ratio - Input:Output: 3:3
Differential - Input:Output: Yes/Yes
Supplier Device Package: 28-TSSOP
PLL: No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 3373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
76+287.24 грн
Мінімальне замовлення: 76
В кошику  од. на суму  грн.
NCP81611AMNTXG
NCP81611AMNTXG
Виробник: onsemi
Description: NVIDIA OVR4I+ CONTROLLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 40-VFQFN Exposed Pad
Output Type: PWM
Mounting Type: Surface Mount
Function: Step-Down
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 250kHz ~ 1.2MHz
Topology: Buck
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.8V ~ 20V
Supplier Device Package: 40-QFN (5x5)
Synchronous Rectifier: Yes
Control Features: Current Limit, Enable, Frequency Control, Phase Control, Power Good, Soft Start
Serial Interfaces: Psi
Output Phases: 4
Clock Sync: Yes
Number of Outputs: 1
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+86.11 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
NCP81611AMNTXG
NCP81611AMNTXG
Виробник: onsemi
Description: NVIDIA OVR4I+ CONTROLLER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 40-VFQFN Exposed Pad
Output Type: PWM
Mounting Type: Surface Mount
Function: Step-Down
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 250kHz ~ 1.2MHz
Topology: Buck
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.8V ~ 20V
Supplier Device Package: 40-QFN (5x5)
Synchronous Rectifier: Yes
Control Features: Current Limit, Enable, Frequency Control, Phase Control, Power Good, Soft Start
Serial Interfaces: Psi
Output Phases: 4
Clock Sync: Yes
Number of Outputs: 1
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+170.21 грн
10+121.38 грн
25+110.79 грн
100+93.09 грн
250+87.90 грн
500+84.76 грн
1000+80.84 грн
2500+78.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJD5D4N04CTWG nvmjd5d4n04c-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+179.63 грн
10+109.15 грн
25+92.42 грн
100+69.03 грн
250+60.33 грн
500+54.99 грн
1000+49.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJD7D4N04CLTWG NVMJD7D4N04CL-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RMPA2259 RMPA2259.pdf
RMPA2259
Виробник: onsemi
Description: IC AMP W-CDMA 1.92-1.98GHZ 11LCC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.92GHz ~ 1.98GHz
RF Type: W-CDMA
Voltage - Supply: 3V ~ 4.2V
Gain: 24dB
Current - Supply: 50mA
Noise Figure: 3dB
Supplier Device Package: 11-LCC (4x4)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RMPA2259 RMPA2259.pdf
RMPA2259
Виробник: onsemi
Description: IC AMP W-CDMA 1.92-1.98GHZ 11LCC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.92GHz ~ 1.98GHz
RF Type: W-CDMA
Voltage - Supply: 3V ~ 4.2V
Gain: 24dB
Current - Supply: 50mA
Noise Figure: 3dB
Supplier Device Package: 11-LCC (4x4)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TIP30A TIP29B-D.PDF
TIP30A
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 1A TO-220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 4V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FAN4800AUM fan4800cu-d.pdf
FAN4800AUM
Виробник: onsemi
Description: IC PFC CTR AV CURR 268KHZ 16SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 11V ~ 22V
Frequency - Switching: 240kHz ~ 268kHz
Mode: Average Current
Supplier Device Package: 16-SOIC
Current - Startup: 30 µA
на замовлення 7733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.91 грн
10+66.70 грн
25+60.49 грн
100+50.35 грн
250+47.28 грн
500+45.43 грн
1000+43.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FD6M043N08 FD6M043N08.pdf
FD6M043N08
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 75V 65A EPM15
Packaging: Tube
Package / Case: EPM15
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6180pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 40A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 148nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: EPM15
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM317LMX lm317l-d.pdf
LM317LMX
Виробник: onsemi
Description: IC REG LIN POS ADJ 100MA 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 100mA
Operating Temperature: 0°C ~ 125°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 10 mA
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 8-SOIC
Voltage - Output (Max): 37V
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.2V
PSRR: 80dB (120Hz)
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Short Circuit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM317LMX lm317l-d.pdf
LM317LMX
Виробник: onsemi
Description: IC REG LIN POS ADJ 100MA 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 100mA
Operating Temperature: 0°C ~ 125°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 10 mA
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 8-SOIC
Voltage - Output (Max): 37V
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.2V
PSRR: 80dB (120Hz)
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Short Circuit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TIP31 tip31a-d.pdf
TIP31
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 3A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TIP31ATU TIP31_A_B_C%2C%20TIP32_A_B_C.pdf
TIP31ATU
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 3A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74ACT74SC DS_261_74ACT74.pdf
74ACT74SC
Виробник: onsemi
Description: IC FF D-TYPE DOUBLE 1BIT 14SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Function: Set(Preset) and Reset
Type: D-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 20 µA
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Trigger Type: Positive Edge
Clock Frequency: 210 MHz
Input Capacitance: 4.5 pF
Supplier Device Package: 14-SOIC
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 11ns @ 5V, 50pF
Number of Bits per Element: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74ACT74SJ DS_261_74ACT74.pdf
74ACT74SJ
Виробник: onsemi
Description: IC FF D-TYPE DOUBLE 1BIT 14-SOP
Packaging: Tube
Package / Case: 14-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Output Type: Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Function: Set(Preset) and Reset
Type: D-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 20 µA
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Trigger Type: Positive Edge
Clock Frequency: 210 MHz
Input Capacitance: 4.5 pF
Supplier Device Package: 14-SOP
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 11ns @ 5V, 50pF
Number of Bits per Element: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74ACT74SJX DS_261_74ACT74.pdf
74ACT74SJX
Виробник: onsemi
Description: IC FF D-TYPE DOUBLE 1BIT 14-SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Output Type: Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Function: Set(Preset) and Reset
Type: D-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 20 µA
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Trigger Type: Positive Edge
Clock Frequency: 210 MHz
Input Capacitance: 4.5 pF
Supplier Device Package: 14-SOP
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 11ns @ 5V, 50pF
Number of Bits per Element: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE12ARL4G ONSMS21119-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
1.5KE12ARL4G
Виробник: onsemi
Description: TVS DIODE 10.2VWM 16.7VC AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 90A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 10.2V
Supplier Device Package: Axial
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 16.7V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 44492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
865+23.63 грн
Мінімальне замовлення: 865
В кошику  од. на суму  грн.
TIP122 TIP120-22.pdf
TIP122
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 100V 5A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 20mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 3V
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSC2328AOBU ksc2328a-d.pdf
KSC2328AOBU
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 30V 2A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 30mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1725K2 UJ3D1725K2-D.PDF
UJ3D1725K2
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 1700V 25A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1500pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 360 µA @ 1700 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 39527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1386.02 грн
30+841.42 грн
120+762.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1250K2 da008695
UJ3D1250K2
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 1200V 50A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2340pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 1200 V
на замовлення 14605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1753.90 грн
30+1321.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1205TS UJ3D1205TS-D.PDF
UJ3D1205TS
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARBIDE 1200V 5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 1200 V
на замовлення 20381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+398.47 грн
50+202.22 грн
100+184.70 грн
500+144.56 грн
1000+139.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06560KSD UJ3D06560KSD-D.PDF
UJ3D06560KSD
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1980pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 740 µA @ 650 V
на замовлення 6042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1109.13 грн
30+703.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1250K da008694
UJ3D1250K
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 1200V 50A TO2473
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2340pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 1200 V
на замовлення 6397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1753.90 грн
30+1321.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1202TS UJ3D1202TS-D.PDF
UJ3D1202TS
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARBIDE 1200V 2A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 109pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 22 µA @ 1200 V
на замовлення 6499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+268.26 грн
50+131.53 грн
100+119.24 грн
500+91.67 грн
1000+85.17 грн
2000+81.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06506TS DS_UJ3D06506TS.pdf
UJ3D06506TS
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 196pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 57301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+136.48 грн
25+114.51 грн
100+98.56 грн
250+85.01 грн
500+79.57 грн
1000+76.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06508TS DS_UJ3D06508TS.pdf
UJ3D06508TS
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 28073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+160.02 грн
25+134.06 грн
100+115.94 грн
250+99.97 грн
500+93.17 грн
1000+90.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06510TS DS_UJ3D06510TS.pdf
UJ3D06510TS
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 327pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
на замовлення 11657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+181.98 грн
25+152.19 грн
100+131.16 грн
250+113.57 грн
500+106.09 грн
1000+102.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06520TS DS_UJ3D06520TS.pdf
UJ3D06520TS
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 654pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V
на замовлення 6004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+312.19 грн
25+261.62 грн
100+225.37 грн
250+195.18 грн
500+181.58 грн
1000+175.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210TS UJ3D1210TS-D.PDF
UJ3D1210TS
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 510pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V
на замовлення 9913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+476.91 грн
50+250.53 грн
100+235.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1220KSD UJ3D1220KSD-D.PDF
UJ3D1220KSD
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO2473
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1020pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 1200 V
на замовлення 773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+987.55 грн
30+581.38 грн
120+500.36 грн
510+460.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06504TS DS_UJ3D06504TS.pdf
UJ3D06504TS
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 118pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
на замовлення 22758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+105.89 грн
25+89.13 грн
100+76.82 грн
250+65.97 грн
500+61.89 грн
1000+59.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06512TS DS_UJ3D06512TS.pdf
UJ3D06512TS
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 392pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
на замовлення 10601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+298.85 грн
50+184.71 грн
100+178.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06516TS DS_UJ3D06516TS.pdf
UJ3D06516TS
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+271.40 грн
25+227.54 грн
100+196.39 грн
250+169.34 грн
500+157.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210K2 UJ3D1210K2-D.PDF
UJ3D1210K2
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 510pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V
на замовлення 6415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+497.30 грн
30+280.28 грн
120+248.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06530TS DS_UJ3D06530TS.pdf
UJ3D06530TS
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 990pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 370 µA @ 650 V
на замовлення 7715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+455.73 грн
25+381.90 грн
100+329.73 грн
250+284.95 грн
500+265.23 грн
1000+255.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1220K2 da008692
UJ3D1220K2
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 1200V 20A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 810pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 190 µA @ 1200 V
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+591.43 грн
25+494.96 грн
100+427.56 грн
250+369.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06520KSD UJ3D06520KSD-D.PDF
UJ3D06520KSD
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 654pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V
на замовлення 7418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+618.88 грн
30+327.54 грн
120+296.11 грн
510+250.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210KSD UJ3D1210KSD-D.PDF
UJ3D1210KSD
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 1200V 5A TO2473
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+658.10 грн
30+374.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210KS UJ3D1210KS-D.PDF
UJ3D1210KS
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO2473
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 510pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+608.69 грн
10+433.04 грн
100+375.17 грн
600+265.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NBXDBA009LNHTAG
NBXDBA009LNHTAG
Виробник: onsemi
Description: IC OSC XTAL DUAL FREQ 6CLCC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-CLCC
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 75MHz, 150MHz
Type: Oscillator, Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.97V ~ 3.63V
Supplier Device Package: 6-CLCC (7x5)
Current - Supply: 79 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MM74HC4316M MM74HC4316.pdf
MM74HC4316M
Виробник: onsemi
Description: IC SWITCH SPST-NOX4 70OHM 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 70Ohm
-3db Bandwidth: 100MHz
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 2V ~ 12V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±2V ~ 6V
Crosstalk: -50dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 5Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 14ns, 20ns
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100nA
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FAN5776UCX fan5776-d.pdf
FAN5776UCX
Виробник: onsemi
Description: IC LED DRV RGLTR PWM 12WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-UFBGA, WLCSP
Voltage - Output: 3.5V ~ 8.5V
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 5
Frequency: 1.8MHz
Type: DC DC Regulator
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Applications: Backlight
Current - Output / Channel: 25mA
Internal Switch(s): Yes
Topology: Step-Up (Boost)
Supplier Device Package: 12-WLCSP (1.42x1.66)
Dimming: PWM
Voltage - Supply (Min): 2.3V
Voltage - Supply (Max): 5.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FAN5776UCX fan5776-d.pdf
FAN5776UCX
Виробник: onsemi
Description: IC LED DRV RGLTR PWM 12WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-UFBGA, WLCSP
Voltage - Output: 3.5V ~ 8.5V
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 5
Frequency: 1.8MHz
Type: DC DC Regulator
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Applications: Backlight
Current - Output / Channel: 25mA
Internal Switch(s): Yes
Topology: Step-Up (Boost)
Supplier Device Package: 12-WLCSP (1.42x1.66)
Dimming: PWM
Voltage - Supply (Min): 2.3V
Voltage - Supply (Max): 5.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HT8822N
Виробник: onsemi
Description: IC PWR CONV TBD 8-MDIP
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC33164P-5RAG mc34164-d.pdf
MC33164P-5RAG
Виробник: onsemi
Description: IC SUPERVISOR 1 CHANNEL TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Output: Open Drain or Open Collector
Type: Simple Reset/Power-On Reset
Reset: Active Low
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Number of Voltages Monitored: 1
Voltage - Threshold: 4.33V
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 8708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
975+23.28 грн
Мінімальне замовлення: 975
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC112M ONSM-S-A0003546545-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
74VHC112M
Виробник: onsemi
Description: IC FF JK TYPE DUAL 1BIT 16SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Function: Set(Preset) and Reset
Type: JK Type
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 2 µA
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Trigger Type: Negative Edge
Clock Frequency: 185 MHz
Input Capacitance: 4 pF
Supplier Device Package: 16-SOIC
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 10.5ns @ 5V, 50pF
Number of Bits per Element: 1
на замовлення 132480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
457+49.67 грн
Мінімальне замовлення: 457
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC112M ONSM-S-A0003546545-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
74VHC112M
Виробник: onsemi
Description: IC FF JK TYPE DUAL 1BIT 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Function: Set(Preset) and Reset
Type: JK Type
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 2 µA
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Trigger Type: Negative Edge
Clock Frequency: 185 MHz
Input Capacitance: 4 pF
Supplier Device Package: 16-SOIC
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 10.5ns @ 5V, 50pF
Number of Bits per Element: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C170400B7S UF3C170400B7S-D.PDF
UF3C170400B7S
Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 1700V 7.6A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 734 pF @ 1200 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+332.49 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C170400B7S UF3C170400B7S-D.PDF
UF3C170400B7S
Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 1700V 7.6A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 734 pF @ 1200 V
на замовлення 3227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+758.50 грн
10+504.41 грн
100+391.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060K3S uj4c075060k3s-d.pdf
UJ4C075060K3S
Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 750V 28A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1422 pF @ 100 V
на замовлення 14453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+925.58 грн
30+564.29 грн
120+529.44 грн
510+415.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 234 468 702 936 1170 1230 1231 1232 1233 1234 1235 1236 1237 1238 1239 1240 1404 1638 1872 2106 2340 2346  [ Наступна Сторінка >> ]