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N01S830HAT22IT N01S830HAT22IT ONSEMI N01S830HA-D.PDF Description: ONSEMI - N01S830HAT22IT - SRAM, 1 Mbit, 128K x 8bit, 2.5V bis 5.5V, TSSOP, 8 Pin(s)
Bauform - Speicherbaustein: TSSOP
Versorgungsspannung: 2.5V bis 5.5V
Speicherkonfiguration SRAM: 128K x 8bit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Speichergröße: 1
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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N25S830HAS22I N25S830HAS22I ONSEMI 1912632.pdf Description: ONSEMI - N25S830HAS22I - SRAM, Synchroner SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, SOIC, 8 Pin(s), 2.7 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 256Kbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Synchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 32K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+181.19 грн
10+153.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
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N25S830HAT22I N25S830HAT22I ONSEMI 1912632.pdf Description: ONSEMI - N25S830HAT22I - SRAM, 256 Kbit, 32K x 8bit, 2.7V bis 3.6V, TSSOP, 8 Pin(s)
Bauform - Speicherbaustein: TSSOP
Versorgungsspannung: 2.7V bis 3.6V
Speicherkonfiguration SRAM: 32K x 8bit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Anzahl der Pins: 8
Speichergröße: 256
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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N25S818HAT21I N25S818HAT21I ONSEMI N25S818HA-D.PDF Description: ONSEMI - N25S818HAT21I - SRAM, 256kB, 32K x 8 Bit, 1.7V bis 1.95V, TSSOP-8
Bauform - Speicherbaustein: TSSOP
Versorgungsspannung: 1.7V bis 1.95V
Speicherkonfiguration SRAM: 32K x 8bit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Speichergröße: 256
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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N25S818HAS21I N25S818HAS21I ONSEMI N25S818HA-D.PDF Description: ONSEMI - N25S818HAS21I - SRAM, 256kB, 32K x 8 Bit, 1.7V bis 1.95V, SOIC-8
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
Versorgungsspannung: 1.7V bis 1.95V
Speicherkonfiguration SRAM: 32K x 8bit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Speichergröße: 256
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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N64S830HAS22I N64S830HAS22I ONSEMI N64S830HA-D.PDF Description: ONSEMI - N64S830HAS22I - SRAM, 64kB, 8K x 8 Bit, 2.5V bis 3.6V, SOIC-8
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
Versorgungsspannung: 2.5V bis 3.6V
Speicherkonfiguration SRAM: 8K x 8bit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Speichergröße: 64
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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N64S830HAT22I N64S830HAT22I ONSEMI N64S830HA-D.PDF Description: ONSEMI - N64S830HAT22I - SRAM, 64kB, 8K x 8 Bit, 2.5V bis 3.6V, TSSOP-8
Bauform - Speicherbaustein: TSSOP
Versorgungsspannung: 2.5V bis 3.6V
Speicherkonfiguration SRAM: 8K x 8bit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Speichergröße: 64
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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N64S818HAT21I N64S818HAT21I ONSEMI N64S818HA-D.PDF Description: ONSEMI - N64S818HAT21I - SRAM, 64 Kbit, 8K x 8bit, 1.7V bis 1.95V, TSSOP, 8 Pin(s)
Bauform - Speicherbaustein: TSSOP
Versorgungsspannung: 1.7V bis 1.95V
Speicherkonfiguration SRAM: 8K x 8bit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Speichergröße: 64
Produktpalette: N64S818
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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N64S818HAS21I N64S818HAS21I ONSEMI N64S818HA-D.PDF Description: ONSEMI - N64S818HAS21I - SRAM, 64 Kbit, 8K x 8bit, 1.7V bis 1.95V, SOIC, 8 Pin(s)
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
Versorgungsspannung: 1.7V bis 1.95V
Speicherkonfiguration SRAM: 8K x 8bit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Speichergröße: 64
Produktpalette: N64S818
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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NCV1413BDR2G NCV1413BDR2G ONSEMI 89933.pdf Description: ONSEMI - NCV1413BDR2G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 500 mA
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 1000hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+68.46 грн
19+45.21 грн
100+32.39 грн
500+26.51 грн
1000+22.56 грн
Мінімальне замовлення: 13
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AR0238CSSC12SHRA0-DP1 AR0238CSSC12SHRA0-DP1 ONSEMI AR0238-D.PDF Description: ONSEMI - AR0238CSSC12SHRA0-DP1 - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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AR0237IRSH12SHRA0-DR AR0237IRSH12SHRA0-DR ONSEMI ar0237-rgb-ir?pdf=Y Description: ONSEMI - AR0237IRSH12SHRA0-DR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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NTLJF3117PT1G NTLJF3117PT1G ONSEMI NTLJF3117P-D.PDF Description: ONSEMI - NTLJF3117PT1G - Leistungs-MOSFET, FETKY, p-Kanal, 20 V, 3.3 A, 0.075 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+59.06 грн
28+30.68 грн
100+23.84 грн
500+17.86 грн
1000+14.80 грн
Мінімальне замовлення: 15
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NTLJF3117PT1G NTLJF3117PT1G ONSEMI NTLJF3117P-D.PDF Description: ONSEMI - NTLJF3117PT1G - Leistungs-MOSFET, FETKY, p-Kanal, 20 V, 3.3 A, 0.075 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.21 грн
500+17.86 грн
1000+14.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
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FQU10N20CTU FQU10N20CTU ONSEMI ONSM-S-A0003587794-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQU10N20CTU - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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NB3H83905CDTG NB3H83905CDTG ONSEMI 2371154.pdf Description: ONSEMI - NB3H83905CDTG - CLOCK FANOUT BUFFER, 1:6, TSSOP-16
MSL: MSL 1 - Unlimited
Bauform - Takt-IC: TSSOP
Frequenz: 100
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 3.135
Takt-IC: Fanout Buffer
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.465
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Ausgänge: 6
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
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NCV8664DT50RKG NCV8664DT50RKG ONSEMI 665096.pdf Description: ONSEMI - NCV8664DT50RKG - LDO-Festspannungsregler, 4.5V bis 45Vin, 1.266V Dropout, 5Vout und 150mAout, TO-252-4
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: -V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 45V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 4.5V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 5V 150mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 1.266V
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 1.266V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+85.04 грн
14+61.79 грн
50+55.98 грн
100+46.03 грн
250+39.92 грн
500+38.39 грн
1000+36.33 грн
Мінімальне замовлення: 11
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NCS36000DG NCS36000DG ONSEMI NCS36000-D.PDF Description: ONSEMI - NCS36000DG - Stromsensor, SOIC, 14 Pin(s), 3 V, 5.75 V
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Ruhestrom: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 3
Bauform - Sensor: SOIC
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: -
Bandbreite: -
Versorgungsspannung, max.: 5.75
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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UJ3D06530TS UJ3D06530TS ONSEMI DS_UJ3D06530TS.pdf Description: ONSEMI - UJ3D06530TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 30 A, 72 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 72nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+736.71 грн
5+574.33 грн
10+411.94 грн
50+380.14 грн
100+347.97 грн
250+341.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
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ATP304-TL-H ATP304-TL-H ONSEMI 2337917.pdf Description: ONSEMI - ATP304-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 100 A, 6500 µohm, ATPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: ATPAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 11227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+243.58 грн
500+225.38 грн
1500+207.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
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NCS20072DR2G NCS20072DR2G ONSEMI ncs20071-d.pdf Description: ONSEMI - NCS20072DR2G - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 3 MHz, 2.4 V/µs, 2.7V bis 36V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 2.4V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 1.3mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+50.25 грн
25+35.47 грн
100+27.78 грн
500+22.94 грн
1000+19.41 грн
2500+18.53 грн
Мінімальне замовлення: 18
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NCS20062DR2G NCS20062DR2G ONSEMI 2354956.pdf Description: ONSEMI - NCS20062DR2G - Operationsverstärker, 2 Verstärker, 3 MHz, 1.2 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOIC, 8 Pin(s)
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40
Spannungsanstieg: 1.2
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Bandbreite: 3
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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NUP4114UPXV6T1G NUP4114UPXV6T1G ONSEMI ONSM-S-A0014425831-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NUP4114UPXV6T1G - ESD-Schutzbaustein, 10 V, SOT-563, 6 Pin(s), 5.5 V, NUP4114
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SOT-563
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 10V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: NUP4114
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+42.05 грн
24+36.84 грн
100+26.58 грн
500+14.84 грн
4000+13.33 грн
12000+12.97 грн
Мінімальне замовлення: 21
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NTZD3154NT1G NTZD3154NT1G ONSEMI ONSM-S-A0013299849-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTZD3154NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 153077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+35.81 грн
38+22.73 грн
100+11.54 грн
500+8.65 грн
1000+7.21 грн
5000+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 24
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NTZD3154NT1G NTZD3154NT1G ONSEMI ONSM-S-A0013299849-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTZD3154NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 155622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.26 грн
500+8.73 грн
1000+6.81 грн
5000+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
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NTZD3152PT1G NTZD3152PT1G ONSEMI 2338001.pdf Description: ONSEMI - NTZD3152PT1G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 430 mA, 430 mA, 0.9 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 430mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 430mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.9ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 280mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.9ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 280mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 13182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+28.80 грн
77+11.20 грн
250+9.74 грн
1000+7.70 грн
2000+6.96 грн
Мінімальне замовлення: 30
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NLV14025BDG NLV14025BDG ONSEMI MC14001B-D.PDF Description: ONSEMI - NLV14025BDG - Logik-IC, NOR-Gatter, Drei, 3 Inputs, 14 Pin(s), NSOIC, 4025
Logikfunktion: NOR-Gatter
Logik-IC-Familie: 4000B
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 4025
Versorgungsspannung, max.: 18
Anzahl der Eingänge: 3
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Drei
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
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NC7WZ132K8X. NC7WZ132K8X. ONSEMI 2284404.pdf Description: ONSEMI - NC7WZ132K8X. - NAND-Gatter, NC7W132, 4 Eingänge, 32mA, 1.65V bis 5.5V, US8-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: NAND-Gatter
Logik-IC-Familie: 7WZ
Anzahl der Elemente: Zwei
Bauform - Logikbaustein: US8
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 32mA
IC-Gehäuse / Bauform: US8
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 7W132
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 4Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+25.38 грн
50+17.43 грн
100+13.33 грн
500+10.87 грн
1000+9.52 грн
5000+8.64 грн
Мінімальне замовлення: 34
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NE5517DR2G NE5517DR2G ONSEMI 1749733.pdf Description: ONSEMI - NE5517DR2G - Transkonduktanzverstärker, 2 Verstärker, 44 VDC, 2 MHz, SOIC
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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NE5517DG NE5517DG ONSEMI 1749733.pdf Description: ONSEMI - NE5517DG - Transkonduktanzverstärker, 2 Verstärker, 44 V, 2 MHz, -5 V, 5 V, SOIC
Versorgungsspannung: 44
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Betriebstemperatur, min.: 0
Eingangsspannung, max.: 5
Spannungsanstieg: 50
Verstärkungsbandbreite: 2
Eingangsspannung, min.: -5
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Ausgangsstrom, min.: 350
Eingangswiderstand: 26
Ausgangsstrom -, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 70
Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
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FSB70250 FSB70250 ONSEMI FSB70250-D.pdf Description: ONSEMI - FSB70250 - INTELLIGENT POWER MODULE, 500V, 2A
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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TLV272DR2G TLV272DR2G ONSEMI TLV271-D.PDF Description: ONSEMI - TLV272DR2G - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 3 MHz, 2.4 V/µs, 2.7V bis 36V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 2.4V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 1.3mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+144.44 грн
50+76.58 грн
100+60.00 грн
500+43.49 грн
1000+34.43 грн
Мінімальне замовлення: 6
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TLV272DR2G TLV272DR2G ONSEMI TLV271-D.PDF Description: ONSEMI - TLV272DR2G - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 3 MHz, 2.4 V/µs, 2.7V bis 36V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 2.4V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 1.3mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+60.00 грн
500+43.49 грн
1000+34.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
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TLV274DTBR2G TLV274DTBR2G ONSEMI TLV271-D.PDF Description: ONSEMI - TLV274DTBR2G - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 3 MHz, 2.4 V/µs, 2.7V bis 36V, TSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 2.4V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 1.3mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+161.53 грн
50+82.64 грн
100+67.18 грн
500+48.97 грн
1000+38.68 грн
Мінімальне замовлення: 6
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TLV274DTBR2G TLV274DTBR2G ONSEMI TLV271-D.PDF Description: ONSEMI - TLV274DTBR2G - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 3 MHz, 2.4 V/µs, 2.7V bis 36V, TSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 2.4V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 1.3mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+67.18 грн
500+48.97 грн
1000+38.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
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NCV952DTBR2G NCV952DTBR2G ONSEMI NCV952-D.PDF Description: ONSEMI - NCV952DTBR2G - Operationsverstärker, 2 Verstärker, 3.6 MHz, 1 V/µs, 2.7V bis 26V, TSSOP, 8 Pin(s)
Versorgungsspannung: 2.7V bis 26V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: TSSOP
Betriebstemperatur, min.: -40
Spannungsanstieg: 1
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Bandbreite: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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NGTB25N120FL3WG NGTB25N120FL3WG ONSEMI ONSM-S-A0013886946-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NGTB25N120FL3WG - IGBT, 100 A, 1.7 V, 349 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 349
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 100
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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NGTB25N120FLWG NGTB25N120FLWG ONSEMI 1710601.pdf Description: ONSEMI - NGTB25N120FLWG - IGBT, 50 A, 2 V, 192 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 192
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2
Kollektorstrom: 50
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
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FOD4108S FOD4108S ONSEMI 2303826.pdf Description: ONSEMI - FOD4108S - Optokoppler, Triac-Ausgang, DIP, Oberflächenmontage, 6 Pin(s), 5 kV, Nulldurchgang, 800 V
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Isolationsspannung: 5kV
euEccn: NLR
Triac-Betriebsart: Nulldurchgang
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+291.44 грн
10+205.97 грн
25+129.91 грн
50+119.83 грн
100+109.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
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FOD4108 FOD4108 ONSEMI 2303826.pdf Description: ONSEMI - FOD4108 - Optokoppler, Triac-Ausgang, DIP, 6 Pin(s), 5 kV, Nulldurchgang, 800 V
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Isolationsspannung: 5kV
euEccn: NLR
Triac-Betriebsart: Nulldurchgang
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: DIP
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+260.67 грн
10+206.83 грн
25+152.98 грн
50+139.67 грн
100+126.73 грн
500+115.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
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FOD4108SD FOD4108SD ONSEMI FOD4118-D.PDF Description: ONSEMI - FOD4108SD - Optokoppler, DIP, Oberflächenmontage, 6 Pin(s), 5 kV, Nulldurchgang, 800 V, FOD4108
Anzahl der Pins: 6
Isolationsspannung: 5
Triac-Betriebsart: Nulldurchgang
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800
Produktpalette: FOD4108
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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FOD4108V FOD4108V ONSEMI FOD4118-D.PDF Description: ONSEMI - FOD4108V - Optokoppler, DIP, 6 Pin(s), 5 kV, Nulldurchgang, 800 V, FOD4108
Anzahl der Pins: 6
Isolationsspannung: 5
Triac-Betriebsart: Nulldurchgang
Bauform - Optokoppler: DIP
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800
Produktpalette: FOD4108
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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FS7140-02G-XTP FS7140-02G-XTP ONSEMI FS7140-D.PDF Description: ONSEMI - FS7140-02G-XTP - Phasenregelschleife, Takterzeugung, 340MHz, 3V bis 3.6V, SSOP-16, 0°C bis 70°C
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
PLL-Typ: Takterzeugung
Frequenz: 340
Betriebstemperatur, min.: 0
Versorgungsspannung, min.: 3
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 70
Bauform - PLL: SSOP
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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FS6377-01G-XTP FS6377-01G-XTP ONSEMI FS6377-D.PDF Description: ONSEMI - FS6377-01G-XTP - Phasenregelschleife, Takterzeugung, 150MHz, 4.5V bis 5.5V, SOIC-16, 0°C bis 70°C
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
PLL-Typ: Takterzeugung
Frequenz: 150
Betriebstemperatur, min.: 0
Versorgungsspannung, min.: 4.5
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 70
Bauform - PLL: SOIC
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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NLV14572UBDR2G NLV14572UBDR2G ONSEMI MC14572UB-D.PDF Description: ONSEMI - NLV14572UBDR2G - Logik-IC, Konfigurierbares Multifunktionsgatter, Sechs, 16 Pin(s), SOIC, 4572
Logikfunktion: Konfigurierbares Multifunktionsgatter
Logik-IC-Familie: 4000B
Bauform - Logikbaustein: SOIC
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: 4572
Versorgungsspannung, max.: 18
Anzahl der Eingänge: -
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Sechs
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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NTTFS015P03P8ZTWG NTTFS015P03P8ZTWG ONSEMI NTTFS015P03P8Z-D.PDF Description: ONSEMI - NTTFS015P03P8ZTWG - MOSFET, SINGLE -30V P-CHANNEL
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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NVTFS4C05NWFTAG NVTFS4C05NWFTAG ONSEMI 2907482.pdf Description: ONSEMI - NVTFS4C05NWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 102 A, 2900 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 102A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+106.83 грн
10+96.58 грн
100+77.69 грн
500+57.62 грн
1000+50.25 грн
Мінімальне замовлення: 8
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CAT5137SDI-00GT3 CAT5137SDI-00GT3 ONSEMI cat5136-d.pdf Description: ONSEMI - CAT5137SDI-00GT3 - Digitalpotentiometer, flüchtig, 100 kohm, Einfach, I2C, Linear, ± 20%, 2.7 V
tariffCode: 85423990
Bauform - Potentiometer: SC-70
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anzahl der Potentiometer: Einfach
Widerstandsverlauf: Linear
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl Schritte: 128
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Widerstandstoleranz: ± 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Temperaturkoeffizient: ± 300ppm/°C
euEccn: NLR
Steuer-/Bedienschnittstelle: I2C
Gesamtwiderstand: 100kohm
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Single 128-Tap Volatile Digital Pots
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 2826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+44.19 грн
Мінімальне замовлення: 20
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NCV4275ADS50R4G NCV4275ADS50R4G ONSEMI 1878407.pdf Description: ONSEMI - NCV4275ADS50R4G - LDO-Festspannungsregler, 5.5V bis 42V, 250mV Dropout, 5Vout, 450mAout, TO-263-5
Ausgang: Fest
Feste Ausgangsspannung, nom.: 5
Ausgangsstrom: 450
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: TO-263 (D2PAK)
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 42
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Eingangsspannung, min.: 5.5
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 5V 450mA LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 250
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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NCV4275ADS50R4G NCV4275ADS50R4G ONSEMI 1878407.pdf Description: ONSEMI - NCV4275ADS50R4G - LDO-Festspannungsregler, 5.5V bis 42V, 250mV Dropout, 5Vout, 450mAout, TO-263-5
Ausgang: Fest
Feste Ausgangsspannung, nom.: 5
Ausgangsstrom: 450
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: TO-263 (D2PAK)
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 42
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Eingangsspannung, min.: 5.5
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 5V 450mA LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 250
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
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NVR4003NT3G NVR4003NT3G ONSEMI ONSM-S-A0013299790-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NVR4003NT3G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 560 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 560mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 13541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+20.43 грн
63+13.76 грн
120+7.18 грн
500+5.71 грн
1000+4.32 грн
5000+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 42
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NTPF190N65S3HF NTPF190N65S3HF ONSEMI ONSM-S-A0013299955-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTPF190N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.19 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+160.67 грн
10+159.82 грн
100+158.97 грн
500+130.94 грн
Мінімальне замовлення: 6
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FDH300ATR FDH300ATR ONSEMI ONSM-S-A0003585186-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDH300ATR - HIGH CONDUCTANCE LOW LEAKAGE DIODE
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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FDH333TR FDH333TR ONSEMI ONSM-S-A0003585186-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDH333TR - HIGH CONDUCTANCE LOW LEAKAGE DIODE
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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FCP400N80Z FCP400N80Z ONSEMI ONSM-S-A0003584542-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FCP400N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 14 A, 0.34 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 14
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 195
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 195
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.34
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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FCB199N65S3 FCB199N65S3 ONSEMI 2859335.pdf Description: ONSEMI - FCB199N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 14 A, 0.17 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 14
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 98
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 98
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET III
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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FCB199N65S3 ONSEMI 2859335.pdf Description: ONSEMI - FCB199N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 14 A, 0.17 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 14
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 98
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 98
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET III
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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NCP1246BLD065R2G NCP1246BLD065R2G ONSEMI ncp1246-d.pdf Description: ONSEMI - NCP1246BLD065R2G - AC/DC-Flyback-Wandler, feste Frequenz, Current-Mode-Controller, 85V AC bis 265V AC, SOIC-7
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 65kHz
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Maximale Nennleistung: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: -
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: -
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Isolation: Isoliert
Nennstrom Leistungsschalter: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+163.24 грн
10+102.56 грн
100+67.69 грн
500+45.55 грн
1000+36.04 грн
Мінімальне замовлення: 6
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FDP12N50NZ FDP12N50NZ ONSEMI 2907321.pdf Description: ONSEMI - FDP12N50NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.5 A, 0.46 ohm, TO-220
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 11.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 170
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 170
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.46
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+163.24 грн
10+160.67 грн
Мінімальне замовлення: 6
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FDP18N20F FDP18N20F ONSEMI 2907322.pdf Description: ONSEMI - FDP18N20F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.12 ohm, TO-220
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 18
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 100
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 100
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.12
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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N01S830HAT22IT N01S830HA-D.PDF
N01S830HAT22IT
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - N01S830HAT22IT - SRAM, 1 Mbit, 128K x 8bit, 2.5V bis 5.5V, TSSOP, 8 Pin(s)
Bauform - Speicherbaustein: TSSOP
Versorgungsspannung: 2.5V bis 5.5V
Speicherkonfiguration SRAM: 128K x 8bit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Speichergröße: 1
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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N25S830HAS22I 1912632.pdf
N25S830HAS22I
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - N25S830HAS22I - SRAM, Synchroner SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, SOIC, 8 Pin(s), 2.7 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 256Kbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Synchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 32K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+181.19 грн
10+153.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
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N25S830HAT22I 1912632.pdf
N25S830HAT22I
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - N25S830HAT22I - SRAM, 256 Kbit, 32K x 8bit, 2.7V bis 3.6V, TSSOP, 8 Pin(s)
Bauform - Speicherbaustein: TSSOP
Versorgungsspannung: 2.7V bis 3.6V
Speicherkonfiguration SRAM: 32K x 8bit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Anzahl der Pins: 8
Speichergröße: 256
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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N25S818HAT21I N25S818HA-D.PDF
N25S818HAT21I
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - N25S818HAT21I - SRAM, 256kB, 32K x 8 Bit, 1.7V bis 1.95V, TSSOP-8
Bauform - Speicherbaustein: TSSOP
Versorgungsspannung: 1.7V bis 1.95V
Speicherkonfiguration SRAM: 32K x 8bit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Speichergröße: 256
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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N25S818HAS21I N25S818HA-D.PDF
N25S818HAS21I
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - N25S818HAS21I - SRAM, 256kB, 32K x 8 Bit, 1.7V bis 1.95V, SOIC-8
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
Versorgungsspannung: 1.7V bis 1.95V
Speicherkonfiguration SRAM: 32K x 8bit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Speichergröße: 256
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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N64S830HAS22I N64S830HA-D.PDF
N64S830HAS22I
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - N64S830HAS22I - SRAM, 64kB, 8K x 8 Bit, 2.5V bis 3.6V, SOIC-8
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
Versorgungsspannung: 2.5V bis 3.6V
Speicherkonfiguration SRAM: 8K x 8bit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Speichergröße: 64
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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N64S830HAT22I N64S830HA-D.PDF
N64S830HAT22I
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - N64S830HAT22I - SRAM, 64kB, 8K x 8 Bit, 2.5V bis 3.6V, TSSOP-8
Bauform - Speicherbaustein: TSSOP
Versorgungsspannung: 2.5V bis 3.6V
Speicherkonfiguration SRAM: 8K x 8bit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Speichergröße: 64
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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N64S818HAT21I N64S818HA-D.PDF
N64S818HAT21I
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - N64S818HAT21I - SRAM, 64 Kbit, 8K x 8bit, 1.7V bis 1.95V, TSSOP, 8 Pin(s)
Bauform - Speicherbaustein: TSSOP
Versorgungsspannung: 1.7V bis 1.95V
Speicherkonfiguration SRAM: 8K x 8bit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Speichergröße: 64
Produktpalette: N64S818
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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N64S818HAS21I N64S818HA-D.PDF
N64S818HAS21I
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - N64S818HAS21I - SRAM, 64 Kbit, 8K x 8bit, 1.7V bis 1.95V, SOIC, 8 Pin(s)
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
Versorgungsspannung: 1.7V bis 1.95V
Speicherkonfiguration SRAM: 8K x 8bit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Speichergröße: 64
Produktpalette: N64S818
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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NCV1413BDR2G 89933.pdf
NCV1413BDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV1413BDR2G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 500 mA
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 1000hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+68.46 грн
19+45.21 грн
100+32.39 грн
500+26.51 грн
1000+22.56 грн
Мінімальне замовлення: 13
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AR0238CSSC12SHRA0-DP1 AR0238-D.PDF
AR0238CSSC12SHRA0-DP1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0238CSSC12SHRA0-DP1 - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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AR0237IRSH12SHRA0-DR ar0237-rgb-ir?pdf=Y
AR0237IRSH12SHRA0-DR
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0237IRSH12SHRA0-DR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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NTLJF3117PT1G NTLJF3117P-D.PDF
NTLJF3117PT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTLJF3117PT1G - Leistungs-MOSFET, FETKY, p-Kanal, 20 V, 3.3 A, 0.075 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+59.06 грн
28+30.68 грн
100+23.84 грн
500+17.86 грн
1000+14.80 грн
Мінімальне замовлення: 15
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NTLJF3117PT1G NTLJF3117P-D.PDF
NTLJF3117PT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTLJF3117PT1G - Leistungs-MOSFET, FETKY, p-Kanal, 20 V, 3.3 A, 0.075 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+25.21 грн
500+17.86 грн
1000+14.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
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FQU10N20CTU ONSM-S-A0003587794-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQU10N20CTU
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQU10N20CTU - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
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NB3H83905CDTG 2371154.pdf
NB3H83905CDTG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NB3H83905CDTG - CLOCK FANOUT BUFFER, 1:6, TSSOP-16
MSL: MSL 1 - Unlimited
Bauform - Takt-IC: TSSOP
Frequenz: 100
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 3.135
Takt-IC: Fanout Buffer
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.465
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Ausgänge: 6
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
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NCV8664DT50RKG 665096.pdf
NCV8664DT50RKG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV8664DT50RKG - LDO-Festspannungsregler, 4.5V bis 45Vin, 1.266V Dropout, 5Vout und 150mAout, TO-252-4
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: -V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 45V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 4.5V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 5V 150mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 1.266V
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 1.266V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+85.04 грн
14+61.79 грн
50+55.98 грн
100+46.03 грн
250+39.92 грн
500+38.39 грн
1000+36.33 грн
Мінімальне замовлення: 11
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NCS36000DG NCS36000-D.PDF
NCS36000DG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS36000DG - Stromsensor, SOIC, 14 Pin(s), 3 V, 5.75 V
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Ruhestrom: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 3
Bauform - Sensor: SOIC
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: -
Bandbreite: -
Versorgungsspannung, max.: 5.75
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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UJ3D06530TS DS_UJ3D06530TS.pdf
UJ3D06530TS
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UJ3D06530TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 30 A, 72 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 72nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+736.71 грн
5+574.33 грн
10+411.94 грн
50+380.14 грн
100+347.97 грн
250+341.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
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ATP304-TL-H 2337917.pdf
ATP304-TL-H
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ATP304-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 100 A, 6500 µohm, ATPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: ATPAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 11227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+243.58 грн
500+225.38 грн
1500+207.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
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NCS20072DR2G ncs20071-d.pdf
NCS20072DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS20072DR2G - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 3 MHz, 2.4 V/µs, 2.7V bis 36V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 2.4V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 1.3mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+50.25 грн
25+35.47 грн
100+27.78 грн
500+22.94 грн
1000+19.41 грн
2500+18.53 грн
Мінімальне замовлення: 18
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NCS20062DR2G 2354956.pdf
NCS20062DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS20062DR2G - Operationsverstärker, 2 Verstärker, 3 MHz, 1.2 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOIC, 8 Pin(s)
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40
Spannungsanstieg: 1.2
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Bandbreite: 3
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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NUP4114UPXV6T1G ONSM-S-A0014425831-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NUP4114UPXV6T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NUP4114UPXV6T1G - ESD-Schutzbaustein, 10 V, SOT-563, 6 Pin(s), 5.5 V, NUP4114
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SOT-563
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 10V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: NUP4114
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+42.05 грн
24+36.84 грн
100+26.58 грн
500+14.84 грн
4000+13.33 грн
12000+12.97 грн
Мінімальне замовлення: 21
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NTZD3154NT1G ONSM-S-A0013299849-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTZD3154NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTZD3154NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 153077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+35.81 грн
38+22.73 грн
100+11.54 грн
500+8.65 грн
1000+7.21 грн
5000+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 24
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NTZD3154NT1G ONSM-S-A0013299849-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTZD3154NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTZD3154NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 155622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+10.26 грн
500+8.73 грн
1000+6.81 грн
5000+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
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NTZD3152PT1G 2338001.pdf
NTZD3152PT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTZD3152PT1G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 430 mA, 430 mA, 0.9 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 430mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 430mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.9ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 280mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.9ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 280mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 13182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+28.80 грн
77+11.20 грн
250+9.74 грн
1000+7.70 грн
2000+6.96 грн
Мінімальне замовлення: 30
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NLV14025BDG MC14001B-D.PDF
NLV14025BDG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV14025BDG - Logik-IC, NOR-Gatter, Drei, 3 Inputs, 14 Pin(s), NSOIC, 4025
Logikfunktion: NOR-Gatter
Logik-IC-Familie: 4000B
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 4025
Versorgungsspannung, max.: 18
Anzahl der Eingänge: 3
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Drei
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
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NC7WZ132K8X. 2284404.pdf
NC7WZ132K8X.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7WZ132K8X. - NAND-Gatter, NC7W132, 4 Eingänge, 32mA, 1.65V bis 5.5V, US8-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: NAND-Gatter
Logik-IC-Familie: 7WZ
Anzahl der Elemente: Zwei
Bauform - Logikbaustein: US8
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 32mA
IC-Gehäuse / Bauform: US8
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 7W132
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 4Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+25.38 грн
50+17.43 грн
100+13.33 грн
500+10.87 грн
1000+9.52 грн
5000+8.64 грн
Мінімальне замовлення: 34
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NE5517DR2G 1749733.pdf
NE5517DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NE5517DR2G - Transkonduktanzverstärker, 2 Verstärker, 44 VDC, 2 MHz, SOIC
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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NE5517DG 1749733.pdf
NE5517DG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NE5517DG - Transkonduktanzverstärker, 2 Verstärker, 44 V, 2 MHz, -5 V, 5 V, SOIC
Versorgungsspannung: 44
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Betriebstemperatur, min.: 0
Eingangsspannung, max.: 5
Spannungsanstieg: 50
Verstärkungsbandbreite: 2
Eingangsspannung, min.: -5
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Ausgangsstrom, min.: 350
Eingangswiderstand: 26
Ausgangsstrom -, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 70
Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
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FSB70250 FSB70250-D.pdf
FSB70250
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSB70250 - INTELLIGENT POWER MODULE, 500V, 2A
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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TLV272DR2G TLV271-D.PDF
TLV272DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TLV272DR2G - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 3 MHz, 2.4 V/µs, 2.7V bis 36V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 2.4V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 1.3mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+144.44 грн
50+76.58 грн
100+60.00 грн
500+43.49 грн
1000+34.43 грн
Мінімальне замовлення: 6
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TLV272DR2G TLV271-D.PDF
TLV272DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TLV272DR2G - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 3 MHz, 2.4 V/µs, 2.7V bis 36V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 2.4V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 1.3mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+60.00 грн
500+43.49 грн
1000+34.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
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TLV274DTBR2G TLV271-D.PDF
TLV274DTBR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TLV274DTBR2G - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 3 MHz, 2.4 V/µs, 2.7V bis 36V, TSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 2.4V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 1.3mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+161.53 грн
50+82.64 грн
100+67.18 грн
500+48.97 грн
1000+38.68 грн
Мінімальне замовлення: 6
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TLV274DTBR2G TLV271-D.PDF
TLV274DTBR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TLV274DTBR2G - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 3 MHz, 2.4 V/µs, 2.7V bis 36V, TSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 2.4V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 1.3mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+67.18 грн
500+48.97 грн
1000+38.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
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NCV952DTBR2G NCV952-D.PDF
NCV952DTBR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV952DTBR2G - Operationsverstärker, 2 Verstärker, 3.6 MHz, 1 V/µs, 2.7V bis 26V, TSSOP, 8 Pin(s)
Versorgungsspannung: 2.7V bis 26V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: TSSOP
Betriebstemperatur, min.: -40
Spannungsanstieg: 1
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Bandbreite: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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NGTB25N120FL3WG ONSM-S-A0013886946-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NGTB25N120FL3WG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NGTB25N120FL3WG - IGBT, 100 A, 1.7 V, 349 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 349
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 100
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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NGTB25N120FLWG 1710601.pdf
NGTB25N120FLWG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NGTB25N120FLWG - IGBT, 50 A, 2 V, 192 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 192
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2
Kollektorstrom: 50
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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FOD4108S 2303826.pdf
FOD4108S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD4108S - Optokoppler, Triac-Ausgang, DIP, Oberflächenmontage, 6 Pin(s), 5 kV, Nulldurchgang, 800 V
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Isolationsspannung: 5kV
euEccn: NLR
Triac-Betriebsart: Nulldurchgang
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+291.44 грн
10+205.97 грн
25+129.91 грн
50+119.83 грн
100+109.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
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FOD4108 2303826.pdf
FOD4108
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD4108 - Optokoppler, Triac-Ausgang, DIP, 6 Pin(s), 5 kV, Nulldurchgang, 800 V
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Isolationsspannung: 5kV
euEccn: NLR
Triac-Betriebsart: Nulldurchgang
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: DIP
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+260.67 грн
10+206.83 грн
25+152.98 грн
50+139.67 грн
100+126.73 грн
500+115.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
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FOD4108SD FOD4118-D.PDF
FOD4108SD
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD4108SD - Optokoppler, DIP, Oberflächenmontage, 6 Pin(s), 5 kV, Nulldurchgang, 800 V, FOD4108
Anzahl der Pins: 6
Isolationsspannung: 5
Triac-Betriebsart: Nulldurchgang
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800
Produktpalette: FOD4108
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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FOD4108V FOD4118-D.PDF
FOD4108V
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD4108V - Optokoppler, DIP, 6 Pin(s), 5 kV, Nulldurchgang, 800 V, FOD4108
Anzahl der Pins: 6
Isolationsspannung: 5
Triac-Betriebsart: Nulldurchgang
Bauform - Optokoppler: DIP
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800
Produktpalette: FOD4108
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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FS7140-02G-XTP FS7140-D.PDF
FS7140-02G-XTP
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FS7140-02G-XTP - Phasenregelschleife, Takterzeugung, 340MHz, 3V bis 3.6V, SSOP-16, 0°C bis 70°C
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
PLL-Typ: Takterzeugung
Frequenz: 340
Betriebstemperatur, min.: 0
Versorgungsspannung, min.: 3
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 70
Bauform - PLL: SSOP
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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FS6377-01G-XTP FS6377-D.PDF
FS6377-01G-XTP
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FS6377-01G-XTP - Phasenregelschleife, Takterzeugung, 150MHz, 4.5V bis 5.5V, SOIC-16, 0°C bis 70°C
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
PLL-Typ: Takterzeugung
Frequenz: 150
Betriebstemperatur, min.: 0
Versorgungsspannung, min.: 4.5
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 70
Bauform - PLL: SOIC
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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NLV14572UBDR2G MC14572UB-D.PDF
NLV14572UBDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV14572UBDR2G - Logik-IC, Konfigurierbares Multifunktionsgatter, Sechs, 16 Pin(s), SOIC, 4572
Logikfunktion: Konfigurierbares Multifunktionsgatter
Logik-IC-Familie: 4000B
Bauform - Logikbaustein: SOIC
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: 4572
Versorgungsspannung, max.: 18
Anzahl der Eingänge: -
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Sechs
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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NTTFS015P03P8ZTWG NTTFS015P03P8Z-D.PDF
NTTFS015P03P8ZTWG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS015P03P8ZTWG - MOSFET, SINGLE -30V P-CHANNEL
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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NVTFS4C05NWFTAG 2907482.pdf
NVTFS4C05NWFTAG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFS4C05NWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 102 A, 2900 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 102A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+106.83 грн
10+96.58 грн
100+77.69 грн
500+57.62 грн
1000+50.25 грн
Мінімальне замовлення: 8
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CAT5137SDI-00GT3 cat5136-d.pdf
CAT5137SDI-00GT3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5137SDI-00GT3 - Digitalpotentiometer, flüchtig, 100 kohm, Einfach, I2C, Linear, ± 20%, 2.7 V
tariffCode: 85423990
Bauform - Potentiometer: SC-70
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anzahl der Potentiometer: Einfach
Widerstandsverlauf: Linear
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl Schritte: 128
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Widerstandstoleranz: ± 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Temperaturkoeffizient: ± 300ppm/°C
euEccn: NLR
Steuer-/Bedienschnittstelle: I2C
Gesamtwiderstand: 100kohm
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Single 128-Tap Volatile Digital Pots
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 2826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+44.19 грн
Мінімальне замовлення: 20
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NCV4275ADS50R4G 1878407.pdf
NCV4275ADS50R4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV4275ADS50R4G - LDO-Festspannungsregler, 5.5V bis 42V, 250mV Dropout, 5Vout, 450mAout, TO-263-5
Ausgang: Fest
Feste Ausgangsspannung, nom.: 5
Ausgangsstrom: 450
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: TO-263 (D2PAK)
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 42
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Eingangsspannung, min.: 5.5
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 5V 450mA LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 250
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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NCV4275ADS50R4G 1878407.pdf
NCV4275ADS50R4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV4275ADS50R4G - LDO-Festspannungsregler, 5.5V bis 42V, 250mV Dropout, 5Vout, 450mAout, TO-263-5
Ausgang: Fest
Feste Ausgangsspannung, nom.: 5
Ausgangsstrom: 450
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: TO-263 (D2PAK)
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 42
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Eingangsspannung, min.: 5.5
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 5V 450mA LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 250
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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NVR4003NT3G ONSM-S-A0013299790-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NVR4003NT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVR4003NT3G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 560 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 560mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 13541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
42+20.43 грн
63+13.76 грн
120+7.18 грн
500+5.71 грн
1000+4.32 грн
5000+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 42
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NTPF190N65S3HF ONSM-S-A0013299955-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTPF190N65S3HF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTPF190N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.19 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+160.67 грн
10+159.82 грн
100+158.97 грн
500+130.94 грн
Мінімальне замовлення: 6
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FDH300ATR ONSM-S-A0003585186-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDH300ATR
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDH300ATR - HIGH CONDUCTANCE LOW LEAKAGE DIODE
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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FDH333TR ONSM-S-A0003585186-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDH333TR
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDH333TR - HIGH CONDUCTANCE LOW LEAKAGE DIODE
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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FCP400N80Z ONSM-S-A0003584542-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FCP400N80Z
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCP400N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 14 A, 0.34 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 14
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 195
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 195
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.34
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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FCB199N65S3 2859335.pdf
FCB199N65S3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCB199N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 14 A, 0.17 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 14
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 98
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 98
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET III
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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FCB199N65S3 2859335.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCB199N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 14 A, 0.17 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 14
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 98
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 98
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET III
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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NCP1246BLD065R2G ncp1246-d.pdf
NCP1246BLD065R2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1246BLD065R2G - AC/DC-Flyback-Wandler, feste Frequenz, Current-Mode-Controller, 85V AC bis 265V AC, SOIC-7
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 65kHz
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Maximale Nennleistung: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: -
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: -
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Isolation: Isoliert
Nennstrom Leistungsschalter: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+163.24 грн
10+102.56 грн
100+67.69 грн
500+45.55 грн
1000+36.04 грн
Мінімальне замовлення: 6
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FDP12N50NZ 2907321.pdf
FDP12N50NZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP12N50NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.5 A, 0.46 ohm, TO-220
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 11.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 170
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 170
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.46
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+163.24 грн
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Мінімальне замовлення: 6
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FDP18N20F
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP18N20F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.12 ohm, TO-220
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 18
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 100
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 100
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.12
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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