| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDPF20N50FT | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDPF20N50FT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.22 ohm, TO-220F, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500 Dauer-Drainstrom Id: 20 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 38.5 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 38.5 Bauform - Transistor: TO-220F Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: UniFET FRFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
UAA2016DG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - UAA2016DG - Leistungsregler, Nullspannungsabschaltung, -8V bis -10Vin, SOIC-8tariffCode: 85423990 IC-Funktion: Power-Controller Nullspannungsschaltung rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 IC-Bauform: SOIC Betriebstemperatur, min.: -20°C Versorgungsspannung, min.: -8V euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: -10V Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NCP10671BD060R2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP10671BD060R2G - AC/DC-WANDLER 3.7W, 60KHZ, -40 BIS 125°CAC-Eingangsspannung, max.: 265 Nennleistung: 3.7 Betriebstemperatur, min.: -40 Bauform - AC/DC-Wandler: SOIC Topologie: Buck, Buck-Boost, Flyback Anzahl der Pins: 7 Produktpalette: - AC-Eingangsspannung, min.: 85 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NCP10671BD060R2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP10671BD060R2G - AC/DC-WANDLER 3.7W, 60KHZ, -40 BIS 125°CSVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDD770N15A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD770N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.061 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 56.8W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 7382 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDD770N15A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD770N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.061 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 56.8W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 7382 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NCP1342DADBDGD1R2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1342DADBDGD1R2G - Quasiresonanter Flyback-Controller, 9V bis 28V, NSOIC-9, -40°C bis 125°CtariffCode: 85423990 IC-Funktion: Quasiresonanter Flyback-Controller rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 IC-Bauform: NSOIC Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 9V euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 28V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NCP1342ANACED1R2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1342ANACED1R2G - AC / DC CONVERTERSMSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
NCP1342ANACCED1R2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1342ANACCED1R2G - AC / DC CONVERTERSMSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
NCP1342ANDBDD1R2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1342ANDBDD1R2G - AC / DC CONVERTERSMSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
NCP1342ANDAAD1R2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1342ANDAAD1R2G - AC / DC CONVERTERSMSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
NCP1342DADBDD1R2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1342DADBDD1R2G - AC / DC CONVERTERSMSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
FQPF9N90CT | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQPF9N90CT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 8 A, 1.12 ohm, TO-220F, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 900 Dauer-Drainstrom Id: 8 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 68 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 Verlustleistung: 68 Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.12 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.12 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
1N485B. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N485B. - Kleinsignaldiode, Einfach, 200 V, 200 mA, 1 V, 4 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-204AH Durchlassstoßstrom: 4A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N485B productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3127 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
1N485BTR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N485BTR - Kleinsignaldiode, Einfach, 200 V, 200 mA, 1 V, 4 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-35 (DO-204AH) Durchlassstoßstrom: 4A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
1N483B. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N483B. - Standard Recovery RectifierBauform - Diode: DO-35 Durchlassstoßstrom: 4 Diodenkonfiguration: Single Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1 Sperrverzögerungszeit: - Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 80 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: 1N483B Series Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: Lead |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
FDS8870 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS8870 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18 A, 0.0042 ohm, SOIC, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 18 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2.5 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 Verlustleistung: 2.5 Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
NUP2202W1T2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NUP2202W1T2G - ESD-Schutzbaustein, 20 V, SC-88, 6 Pin(s), 5 V, 500 W, NUP22tariffCode: 85363030 Bauform - Diode: SC-88 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 500W euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 20V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Betriebsspannung: 5V Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: NUP22 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2061 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NCP1090DG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1090DG - PoE-Controller (Power Over Ethernet), 57 V/500 mA, Unterspannungsabschaltung ab 3.6 V, SOIC-8tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Schaltfrequenz, max.: - PoE-Standard: IEEE 802.3af isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Tastverhältnis (%): - Leistung, max.: 15W Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Eingangsspannung: 57V Ausgangsstrom, max.: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) UVLO: - Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code PoE-Controller: PD-Controller Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NCP1095GEVB | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1095GEVB - POE-PD INTERFACE CONTROLLER EVBtariffCode: 84733020 Prozessorkern: NCP1095DBR2 Kit-Anwendungsbereich: Power-Management productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorhersteller: On Semiconductor Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard NCP1095DBR2 euEccn: NLR Unterart Anwendung: POE-Controller (Power-Over-Ethernet), PD-Controller (Powered Device) hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NCP1092DRG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1092DRG - Power over Ethernet (PoE)-Controller, 57V Eingangsspannung, SOIC-8tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Schaltfrequenz, max.: - PoE-Standard: IEEE 802.3af IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Tastverhältnis (%): - Leistung, max.: 15W Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Eingangsspannung: 57V Ausgangsstrom, max.: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) UVLO: - Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code PoE-Controller: PD-Controller Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1608 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NCV274DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV274DR2G - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 3 MHz, 2.4 V/µs, 2.7V bis 36V, SOIC, 14 Pin(s)tariffCode: 85423990 Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 2.4V/µs Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 4Channels Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO) Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz Eingangsoffsetspannung: 1.3mV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 5pA Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
RSL10-SOLARSENS-GEVK | ONSEMI |
Description: ONSEMI - RSL10-SOLARSENS-GEVK - RSL10 SOLAR CELL MULTI-SENSOR PLATFORMtariffCode: 84733020 productTraceability: No rohsCompliant: YES Leiterplatte: Evaluationsboard Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard NCH-RSL10-101S51-ACG euEccn: NLR isCanonical: Y Unterart Anwendung: Solarbetriebener BLE-Sensor hazardous: false Verwendeter IC / verwendetes Modul: RSL10 rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FQP5N60C | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQP5N60C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.5 A, 2 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 4.5 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 100 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 100 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 2 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 106 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NCP5501DT50G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP5501DT50G - LDO-Festspannungsregler, 2.5V bis 16V, 230mV Dropout, 5Vout, 500mAout, TO-252-3Ausgang: Fest Feste Ausgangsspannung, nom.: 5 Ausgangsstrom: 500 Einstellbare Ausgangsspannung, max.: - Bauform - LDO-Regler: TO-252 (DPAK) Betriebstemperatur, min.: -40 Einstellbare Ausgangsspannung, min.: - Eingangsspannung, max.: 16 Eingangsspannung, min.: 2.5 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: 5V 500mA LDO Voltage Regulators Dropout-Spannung Vdo: 230 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
NLSX4373DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NLSX4373DR2G - Spannungspegelumsetzer, bidirektional, 2 Eingänge, 1mA, 20ns, 1.5V bis 5.5V, SOIC-8tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Bauform - Logikbaustein: SOIC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 1mA Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.5V Logiktyp: Bidirektionaler Pegelumsetzer euEccn: NLR Ausbreitungsverzögerung: 20ns Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Anzahl der Eingänge: 2Inputs Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
NLSF595DTR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NLSF595DTR2G - LED-Treiber, 8 Ausgänge, linear, 1.8V-7Vin, 1MHz Schaltfrequenz, 5.5V/12mAout, TSSOP-16tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: 5.5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 8Kanäle Betriebstemperatur, min.: -55°C Eingangsspannung, max.: 7V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 12mA Eingangsspannung, min.: 1.8V Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
NLSF595DTR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NLSF595DTR2G - LED-Treiber, 8 Ausgänge, linear, 1.8V-7Vin, 1MHz Schaltfrequenz, 5.5V/12mAout, TSSOP-16tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: 5.5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 8Kanäle Betriebstemperatur, min.: -55°C Eingangsspannung, max.: 7V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 12mA Eingangsspannung, min.: 1.8V Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDT86102LZ. | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDT86102LZ. - FET 100V 28.0 MOHM SOT223 / REEL 08AK6006 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
|
FOD060LR2 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD060LR2 - Optokoppler, Digitalausgang, 1 Kanal, 3.75 kV, 10 Mbps, SOIC, 8 Pin(s)tariffCode: 85414900 rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Isolationsspannung: 3.75kV euEccn: NLR Bauform - Optokoppler: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Übertragungsrate: 10Mbps Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NLV74VHC50DTR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NLV74VHC50DTR2G - HEX BUFFERMSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
NLV14503BDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NLV14503BDR2G - HEX NON-INVERTING BUFFER, 3-STATEMSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
NUP3105LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NUP3105LT1G - ESD-Schutzbaustein, 66 V, SOT-23, 3 Pin(s), 32 V, 350 W, NUP31tariffCode: 85363010 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 350W euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 66V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Betriebsspannung: 32V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: NUP31 productTraceability: No SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 9543 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NUP3105LT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NUP3105LT3G - ESD-Schutzbaustein, 66 V, SOT-23, 3 Pin(s), 32 V, 350 W, NUP31tariffCode: 85363010 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Bauform - Diode: SOT-23 hazardous: false Begrenzungsspannung Vc, max.: 66V Betriebsspannung: 32V rohsPhthalatesCompliant: YES Verlustleistung Pd: 350W usEccn: EAR99 Produktpalette: NUP31 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 18070 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NUP3105LT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NUP3105LT3G - ESD-Schutzbaustein, 66 V, SOT-23, 3 Pin(s), 32 V, 350 W, NUP31tariffCode: 85363010 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Bauform - Diode: SOT-23 hazardous: false Begrenzungsspannung Vc, max.: 66V Betriebsspannung: 32V rohsPhthalatesCompliant: YES Verlustleistung Pd: 350W usEccn: EAR99 Produktpalette: NUP31 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 18070 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NUP3105LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NUP3105LT1G - ESD-Schutzbaustein, 66 V, SOT-23, 3 Pin(s), 32 V, 350 W, NUP31tariffCode: 85363010 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 350W euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 66V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Betriebsspannung: 32V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: NUP31 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4754 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NCV3065DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV3065DR2G - LED-Treiber, AEC-Q100, Buck, Boost, 3V bis 40Vin, 250kHz Schaltfrequenz, 1.5Aout, SOIC-8tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Schaltfrequenz, typ.: 250kHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 40V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 1.5A Eingangsspannung, min.: 3V Topologie: Boost, Buck Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code LED-Treiber: - Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 908 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SGF5N150UFTU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SGF5N150UFTU - IGBT, 10 A, 4.7 V, 62.5 W, 1.5 kV, TO-3PF, 3 Pin(s)Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.5 Verlustleistung: 62.5 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-3PF Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 4.7 Kollektorstrom: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Produktpalette: - SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 612 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
PN2907ATFR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - PN2907ATFR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 800 mA, 625 mW, TO-226AA, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-226AA Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3681 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
PN2907ATF | ONSEMI |
Description: ONSEMI - PN2907ATF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 800 mA, 625 mW, TO-226AA, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-226AA Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1528 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
PN2907ATAR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - PN2907ATAR - GENERAL PURPOSE TRANSISTOR PNP SILICONSVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
PN2907ATA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - PN2907ATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 800 mA, 625 mW, TO-226AA, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 50 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 800 MSL: - Verlustleistung: 625 Bauform - Transistor: TO-226AA Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60 Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
PN2907ATA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - PN2907ATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 800 mA, 625 mW, TO-226AA, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 50 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 800 MSL: - Verlustleistung Pd: 625 Verlustleistung: 625 Bauform - Transistor: TO-226AA Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60 Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 800 Übergangsfrequenz: 200 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
KSD1691GS | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSD1691GS - NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORSVHC: Lead (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
KSD1691YS | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSD1691YS - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 5 A, 1.3 W, TO-126, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 50 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5 Verlustleistung: 1.3 Bauform - Transistor: TO-126 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQPF7N65CYDTU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQPF7N65CYDTU - MOSFET'S - SINGLESVHC: Lead (17-Jan-2022) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
|
NCP302LSN30T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP302LSN30T1G - Spannungsprüfer-IC, Active-Low-Reset, 0.8V-10Vin, TSOP-5Rücksetzungs-Typ: Aktiv-Low Verzögerungszeit: - Bauform - digitaler IC: TSOP MSL: - Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 800 Anzahl der Überwachungsschaltungen/ Monitore: 1 Anzahl der Pins: 5 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 10 Schwellenspannung: 3 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
NCP302LSN30T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP302LSN30T1G - Spannungsprüfer-IC, Active-Low-Reset, 0.8V-10Vin, TSOP-5SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
2SK536-TB-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SK536-TB-E - N-CHANNEL MOSFET 50V, 100MA, SINGLE CPMSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
SS22T3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SS22T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 20 V, 2 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 500 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) Durchlassstoßstrom: 75A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 500mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 20V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
SS22T3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SS22T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 20 V, 2 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 500 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) Durchlassstoßstrom: 75A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 500mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 20V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
PZTA92T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - PZTA92T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 300 V, 50 mA, 1.5 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 50mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 105000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NSVPZTA92T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSVPZTA92T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 1.5 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 715 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
PZTA92T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - PZTA92T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 300 V, 50 mA, 1.5 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 50mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 13040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NSVPZTA92T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSVPZTA92T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 1.5 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 715 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
PZTA92 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - PZTA92 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 300 V, 500 mA, 1 W, SOT-223, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 25 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 1 Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300 Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
PZTA92 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - PZTA92 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 300 V, 500 mA, 1 W, SOT-223, OberflächenmontageKollektor-Emitter-Spannung, max.: 300 Verlustleistung: 1 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
NCV20091SN3T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV20091SN3T1G - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 350 kHz, 0.15 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOT-23, 5 Pin(s)tariffCode: 85423190 Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 0.15V/µs Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO) Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz Eingangsoffsetspannung: 500µV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 1pA Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NCV20091SN3T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV20091SN3T1G - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 350 kHz, 0.15 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOT-23, 5 Pin(s)tariffCode: 85423190 Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 0.15V/µs Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO) Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz Eingangsoffsetspannung: 500µV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 1pA Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NCP4306AAAZZZADR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP4306AAAZZZADR2G - Sekundärseitiger Synchrongleichrichter-Treiber, 4V bis 35V, SOIC-8tariffCode: 85423990 IC-Funktion: Sekundärseitiger Synchrongleichrichter-Treiber rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 IC-Bauform: SOIC Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4V euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 35V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 5552 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| FDPF20N50FT |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF20N50FT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.22 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 20
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 38.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 38.5
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FDPF20N50FT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.22 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 20
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 38.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 38.5
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| UAA2016DG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UAA2016DG - Leistungsregler, Nullspannungsabschaltung, -8V bis -10Vin, SOIC-8
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Power-Controller Nullspannungsschaltung
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
IC-Bauform: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -20°C
Versorgungsspannung, min.: -8V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: -10V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - UAA2016DG - Leistungsregler, Nullspannungsabschaltung, -8V bis -10Vin, SOIC-8
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Power-Controller Nullspannungsschaltung
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
IC-Bauform: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -20°C
Versorgungsspannung, min.: -8V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: -10V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 143.70 грн |
| 10+ | 105.38 грн |
| NCP10671BD060R2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP10671BD060R2G - AC/DC-WANDLER 3.7W, 60KHZ, -40 BIS 125°C
AC-Eingangsspannung, max.: 265
Nennleistung: 3.7
Betriebstemperatur, min.: -40
Bauform - AC/DC-Wandler: SOIC
Topologie: Buck, Buck-Boost, Flyback
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: -
AC-Eingangsspannung, min.: 85
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCP10671BD060R2G - AC/DC-WANDLER 3.7W, 60KHZ, -40 BIS 125°C
AC-Eingangsspannung, max.: 265
Nennleistung: 3.7
Betriebstemperatur, min.: -40
Bauform - AC/DC-Wandler: SOIC
Topologie: Buck, Buck-Boost, Flyback
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: -
AC-Eingangsspannung, min.: 85
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 97.54 грн |
| 11+ | 83.52 грн |
| 100+ | 64.01 грн |
| 500+ | 41.49 грн |
| 2500+ | 35.68 грн |
| NCP10671BD060R2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP10671BD060R2G - AC/DC-WANDLER 3.7W, 60KHZ, -40 BIS 125°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCP10671BD060R2G - AC/DC-WANDLER 3.7W, 60KHZ, -40 BIS 125°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 64.01 грн |
| 500+ | 41.49 грн |
| 2500+ | 35.68 грн |
| FDD770N15A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD770N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.061 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56.8W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - FDD770N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.061 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56.8W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 7382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 120.18 грн |
| 11+ | 80.21 грн |
| 100+ | 54.52 грн |
| 500+ | 39.95 грн |
| 1000+ | 34.26 грн |
| 5000+ | 30.38 грн |
| FDD770N15A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD770N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.061 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56.8W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - FDD770N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.061 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56.8W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 7382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 54.52 грн |
| 500+ | 39.95 грн |
| 1000+ | 34.26 грн |
| 5000+ | 30.38 грн |
| NCP1342DADBDGD1R2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1342DADBDGD1R2G - Quasiresonanter Flyback-Controller, 9V bis 28V, NSOIC-9, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Quasiresonanter Flyback-Controller
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
IC-Bauform: NSOIC
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 9V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 28V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCP1342DADBDGD1R2G - Quasiresonanter Flyback-Controller, 9V bis 28V, NSOIC-9, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Quasiresonanter Flyback-Controller
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
IC-Bauform: NSOIC
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 9V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 28V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 65.75 грн |
| 17+ | 51.82 грн |
| 50+ | 49.12 грн |
| 100+ | 43.10 грн |
| 250+ | 37.55 грн |
| 500+ | 35.23 грн |
| 1000+ | 32.92 грн |
| NCP1342ANACED1R2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1342ANACED1R2G - AC / DC CONVERTERS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCP1342ANACED1R2G - AC / DC CONVERTERS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NCP1342ANACCED1R2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1342ANACCED1R2G - AC / DC CONVERTERS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCP1342ANACCED1R2G - AC / DC CONVERTERS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NCP1342ANDBDD1R2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1342ANDBDD1R2G - AC / DC CONVERTERS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCP1342ANDBDD1R2G - AC / DC CONVERTERS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NCP1342ANDAAD1R2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1342ANDAAD1R2G - AC / DC CONVERTERS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCP1342ANDAAD1R2G - AC / DC CONVERTERS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NCP1342DADBDD1R2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1342DADBDD1R2G - AC / DC CONVERTERS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCP1342DADBDD1R2G - AC / DC CONVERTERS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FQPF9N90CT |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF9N90CT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 8 A, 1.12 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 8
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 68
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 68
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.12
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.12
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - FQPF9N90CT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 8 A, 1.12 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 8
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 68
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 68
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.12
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.12
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 1N485B. |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N485B. - Kleinsignaldiode, Einfach, 200 V, 200 mA, 1 V, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-204AH
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N485B
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 1N485B. - Kleinsignaldiode, Einfach, 200 V, 200 mA, 1 V, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-204AH
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N485B
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 62+ | 14.11 грн |
| 90+ | 9.75 грн |
| 219+ | 3.99 грн |
| 500+ | 3.55 грн |
| 1000+ | 3.06 грн |
| 1N485BTR |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N485BTR - Kleinsignaldiode, Einfach, 200 V, 200 mA, 1 V, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35 (DO-204AH)
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 1N485BTR - Kleinsignaldiode, Einfach, 200 V, 200 mA, 1 V, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35 (DO-204AH)
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 2.12 грн |
| 1N483B. |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N483B. - Standard Recovery Rectifier
Bauform - Diode: DO-35
Durchlassstoßstrom: 4
Diodenkonfiguration: Single
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 80
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: 1N483B Series
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead
Description: ONSEMI - 1N483B. - Standard Recovery Rectifier
Bauform - Diode: DO-35
Durchlassstoßstrom: 4
Diodenkonfiguration: Single
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 80
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: 1N483B Series
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FDS8870 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8870 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18 A, 0.0042 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 18
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FDS8870 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18 A, 0.0042 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 18
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NUP2202W1T2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NUP2202W1T2G - ESD-Schutzbaustein, 20 V, SC-88, 6 Pin(s), 5 V, 500 W, NUP22
tariffCode: 85363030
Bauform - Diode: SC-88
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 20V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: NUP22
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NUP2202W1T2G - ESD-Schutzbaustein, 20 V, SC-88, 6 Pin(s), 5 V, 500 W, NUP22
tariffCode: 85363030
Bauform - Diode: SC-88
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 20V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: NUP22
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 59.74 грн |
| 20+ | 45.02 грн |
| 100+ | 31.00 грн |
| 500+ | 22.89 грн |
| 1000+ | 18.96 грн |
| NCP1090DG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1090DG - PoE-Controller (Power Over Ethernet), 57 V/500 mA, Unterspannungsabschaltung ab 3.6 V, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: -
PoE-Standard: IEEE 802.3af
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Tastverhältnis (%): -
Leistung, max.: 15W
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 57V
Ausgangsstrom, max.: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
UVLO: -
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
PoE-Controller: PD-Controller
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NCP1090DG - PoE-Controller (Power Over Ethernet), 57 V/500 mA, Unterspannungsabschaltung ab 3.6 V, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: -
PoE-Standard: IEEE 802.3af
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Tastverhältnis (%): -
Leistung, max.: 15W
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 57V
Ausgangsstrom, max.: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
UVLO: -
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
PoE-Controller: PD-Controller
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 134.99 грн |
| 10+ | 98.41 грн |
| 50+ | 87.96 грн |
| 100+ | 72.30 грн |
| 250+ | 65.39 грн |
| NCP1095GEVB |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1095GEVB - POE-PD INTERFACE CONTROLLER EVB
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: NCP1095DBR2
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard NCP1095DBR2
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: POE-Controller (Power-Over-Ethernet), PD-Controller (Powered Device)
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
Description: ONSEMI - NCP1095GEVB - POE-PD INTERFACE CONTROLLER EVB
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: NCP1095DBR2
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard NCP1095DBR2
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: POE-Controller (Power-Over-Ethernet), PD-Controller (Powered Device)
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 8127.07 грн |
| NCP1092DRG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1092DRG - Power over Ethernet (PoE)-Controller, 57V Eingangsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: -
PoE-Standard: IEEE 802.3af
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Tastverhältnis (%): -
Leistung, max.: 15W
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 57V
Ausgangsstrom, max.: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
UVLO: -
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
PoE-Controller: PD-Controller
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCP1092DRG - Power over Ethernet (PoE)-Controller, 57V Eingangsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: -
PoE-Standard: IEEE 802.3af
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Tastverhältnis (%): -
Leistung, max.: 15W
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 57V
Ausgangsstrom, max.: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
UVLO: -
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
PoE-Controller: PD-Controller
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 103.64 грн |
| 10+ | 101.02 грн |
| 25+ | 99.28 грн |
| 50+ | 89.76 грн |
| 100+ | 81.37 грн |
| 250+ | 79.13 грн |
| 500+ | 77.63 грн |
| 1000+ | 75.39 грн |
| NCV274DR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV274DR2G - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 3 MHz, 2.4 V/µs, 2.7V bis 36V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 2.4V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 1.3mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NCV274DR2G - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 3 MHz, 2.4 V/µs, 2.7V bis 36V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 2.4V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 1.3mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 86.30 грн |
| 13+ | 68.10 грн |
| RSL10-SOLARSENS-GEVK |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - RSL10-SOLARSENS-GEVK - RSL10 SOLAR CELL MULTI-SENSOR PLATFORM
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Evaluationsboard
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard NCH-RSL10-101S51-ACG
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Solarbetriebener BLE-Sensor
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: RSL10
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - RSL10-SOLARSENS-GEVK - RSL10 SOLAR CELL MULTI-SENSOR PLATFORM
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Evaluationsboard
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard NCH-RSL10-101S51-ACG
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Solarbetriebener BLE-Sensor
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: RSL10
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3287.58 грн |
| FQP5N60C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP5N60C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.5 A, 2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 4.5
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 100
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 100
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: ONSEMI - FQP5N60C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.5 A, 2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 4.5
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 100
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 100
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 136.73 грн |
| 10+ | 122.79 грн |
| 100+ | 95.80 грн |
| NCP5501DT50G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP5501DT50G - LDO-Festspannungsregler, 2.5V bis 16V, 230mV Dropout, 5Vout, 500mAout, TO-252-3
Ausgang: Fest
Feste Ausgangsspannung, nom.: 5
Ausgangsstrom: 500
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: TO-252 (DPAK)
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 16
Eingangsspannung, min.: 2.5
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 5V 500mA LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 230
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - NCP5501DT50G - LDO-Festspannungsregler, 2.5V bis 16V, 230mV Dropout, 5Vout, 500mAout, TO-252-3
Ausgang: Fest
Feste Ausgangsspannung, nom.: 5
Ausgangsstrom: 500
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: TO-252 (DPAK)
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 16
Eingangsspannung, min.: 2.5
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 5V 500mA LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 230
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NLSX4373DR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLSX4373DR2G - Spannungspegelumsetzer, bidirektional, 2 Eingänge, 1mA, 20ns, 1.5V bis 5.5V, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 1mA
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.5V
Logiktyp: Bidirektionaler Pegelumsetzer
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: 20ns
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NLSX4373DR2G - Spannungspegelumsetzer, bidirektional, 2 Eingänge, 1mA, 20ns, 1.5V bis 5.5V, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 1mA
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.5V
Logiktyp: Bidirektionaler Pegelumsetzer
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: 20ns
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| NLSF595DTR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLSF595DTR2G - LED-Treiber, 8 Ausgänge, linear, 1.8V-7Vin, 1MHz Schaltfrequenz, 5.5V/12mAout, TSSOP-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 8Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 7V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 12mA
Eingangsspannung, min.: 1.8V
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NLSF595DTR2G - LED-Treiber, 8 Ausgänge, linear, 1.8V-7Vin, 1MHz Schaltfrequenz, 5.5V/12mAout, TSSOP-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 8Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 7V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 12mA
Eingangsspannung, min.: 1.8V
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| NLSF595DTR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLSF595DTR2G - LED-Treiber, 8 Ausgänge, linear, 1.8V-7Vin, 1MHz Schaltfrequenz, 5.5V/12mAout, TSSOP-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 8Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 7V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 12mA
Eingangsspannung, min.: 1.8V
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NLSF595DTR2G - LED-Treiber, 8 Ausgänge, linear, 1.8V-7Vin, 1MHz Schaltfrequenz, 5.5V/12mAout, TSSOP-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 8Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 7V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 12mA
Eingangsspannung, min.: 1.8V
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| FDT86102LZ. |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDT86102LZ. - FET 100V 28.0 MOHM SOT223 / REEL 08AK6006
Description: ONSEMI - FDT86102LZ. - FET 100V 28.0 MOHM SOT223 / REEL 08AK6006
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FOD060LR2 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD060LR2 - Optokoppler, Digitalausgang, 1 Kanal, 3.75 kV, 10 Mbps, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
Bauform - Optokoppler: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Übertragungsrate: 10Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FOD060LR2 - Optokoppler, Digitalausgang, 1 Kanal, 3.75 kV, 10 Mbps, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
Bauform - Optokoppler: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Übertragungsrate: 10Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 284.78 грн |
| 10+ | 197.69 грн |
| 25+ | 183.76 грн |
| 50+ | 155.27 грн |
| 100+ | 129.14 грн |
| 500+ | 113.46 грн |
| NLV74VHC50DTR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV74VHC50DTR2G - HEX BUFFER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NLV74VHC50DTR2G - HEX BUFFER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NLV14503BDR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV14503BDR2G - HEX NON-INVERTING BUFFER, 3-STATE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NLV14503BDR2G - HEX NON-INVERTING BUFFER, 3-STATE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NUP3105LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NUP3105LT1G - ESD-Schutzbaustein, 66 V, SOT-23, 3 Pin(s), 32 V, 350 W, NUP31
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 66V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 32V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: NUP31
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NUP3105LT1G - ESD-Schutzbaustein, 66 V, SOT-23, 3 Pin(s), 32 V, 350 W, NUP31
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 66V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 32V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: NUP31
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 35+ | 25.60 грн |
| 47+ | 18.55 грн |
| 100+ | 16.29 грн |
| 500+ | 13.02 грн |
| 1000+ | 11.72 грн |
| 5000+ | 10.08 грн |
| NUP3105LT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NUP3105LT3G - ESD-Schutzbaustein, 66 V, SOT-23, 3 Pin(s), 32 V, 350 W, NUP31
tariffCode: 85363010
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: SOT-23
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 66V
Betriebsspannung: 32V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 350W
usEccn: EAR99
Produktpalette: NUP31
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NUP3105LT3G - ESD-Schutzbaustein, 66 V, SOT-23, 3 Pin(s), 32 V, 350 W, NUP31
tariffCode: 85363010
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: SOT-23
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 66V
Betriebsspannung: 32V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 350W
usEccn: EAR99
Produktpalette: NUP31
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 18070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 36+ | 24.21 грн |
| 47+ | 18.72 грн |
| 100+ | 15.24 грн |
| 500+ | 12.37 грн |
| 1000+ | 10.97 грн |
| 5000+ | 10.90 грн |
| NUP3105LT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NUP3105LT3G - ESD-Schutzbaustein, 66 V, SOT-23, 3 Pin(s), 32 V, 350 W, NUP31
tariffCode: 85363010
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: SOT-23
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 66V
Betriebsspannung: 32V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 350W
usEccn: EAR99
Produktpalette: NUP31
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NUP3105LT3G - ESD-Schutzbaustein, 66 V, SOT-23, 3 Pin(s), 32 V, 350 W, NUP31
tariffCode: 85363010
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: SOT-23
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 66V
Betriebsspannung: 32V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 350W
usEccn: EAR99
Produktpalette: NUP31
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 18070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 15.24 грн |
| 500+ | 12.37 грн |
| 1000+ | 10.97 грн |
| 5000+ | 10.90 грн |
| NUP3105LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NUP3105LT1G - ESD-Schutzbaustein, 66 V, SOT-23, 3 Pin(s), 32 V, 350 W, NUP31
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 66V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 32V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: NUP31
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NUP3105LT1G - ESD-Schutzbaustein, 66 V, SOT-23, 3 Pin(s), 32 V, 350 W, NUP31
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 66V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 32V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: NUP31
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 18.81 грн |
| 500+ | 13.75 грн |
| 1000+ | 10.38 грн |
| NCV3065DR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV3065DR2G - LED-Treiber, AEC-Q100, Buck, Boost, 3V bis 40Vin, 250kHz Schaltfrequenz, 1.5Aout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 250kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Eingangsspannung, min.: 3V
Topologie: Boost, Buck
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCV3065DR2G - LED-Treiber, AEC-Q100, Buck, Boost, 3V bis 40Vin, 250kHz Schaltfrequenz, 1.5Aout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 250kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Eingangsspannung, min.: 3V
Topologie: Boost, Buck
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 124.54 грн |
| 12+ | 77.07 грн |
| 50+ | 70.80 грн |
| 100+ | 59.03 грн |
| 250+ | 51.21 грн |
| 500+ | 49.27 грн |
| SGF5N150UFTU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SGF5N150UFTU - IGBT, 10 A, 4.7 V, 62.5 W, 1.5 kV, TO-3PF, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.5
Verlustleistung: 62.5
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-3PF
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 4.7
Kollektorstrom: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - SGF5N150UFTU - IGBT, 10 A, 4.7 V, 62.5 W, 1.5 kV, TO-3PF, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.5
Verlustleistung: 62.5
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-3PF
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 4.7
Kollektorstrom: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 902.23 грн |
| 5+ | 840.40 грн |
| 10+ | 777.70 грн |
| 50+ | 707.59 грн |
| PN2907ATFR |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - PN2907ATFR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 800 mA, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - PN2907ATFR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 800 mA, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 38+ | 23.17 грн |
| 64+ | 13.76 грн |
| 104+ | 8.44 грн |
| 500+ | 5.99 грн |
| 1000+ | 5.03 грн |
| PN2907ATF |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - PN2907ATF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 800 mA, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - PN2907ATF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 800 mA, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 38+ | 23.25 грн |
| 65+ | 13.59 грн |
| 100+ | 8.80 грн |
| 500+ | 6.40 грн |
| 1000+ | 5.27 грн |
| PN2907ATAR |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - PN2907ATAR - GENERAL PURPOSE TRANSISTOR PNP SILICON
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - PN2907ATAR - GENERAL PURPOSE TRANSISTOR PNP SILICON
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PN2907ATA |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - PN2907ATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 800 mA, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 50
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 800
MSL: -
Verlustleistung: 625
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - PN2907ATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 800 mA, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 50
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 800
MSL: -
Verlustleistung: 625
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PN2907ATA |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - PN2907ATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 800 mA, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 50
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 800
MSL: -
Verlustleistung Pd: 625
Verlustleistung: 625
Bauform - Transistor: TO-226AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 800
Übergangsfrequenz: 200
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - PN2907ATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 800 mA, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 50
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 800
MSL: -
Verlustleistung Pd: 625
Verlustleistung: 625
Bauform - Transistor: TO-226AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 800
Übergangsfrequenz: 200
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| KSD1691GS |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSD1691GS - NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - KSD1691GS - NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| KSD1691YS |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSD1691YS - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 5 A, 1.3 W, TO-126, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 50
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5
Verlustleistung: 1.3
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - KSD1691YS - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 5 A, 1.3 W, TO-126, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 50
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5
Verlustleistung: 1.3
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NCP302LSN30T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP302LSN30T1G - Spannungsprüfer-IC, Active-Low-Reset, 0.8V-10Vin, TSOP-5
Rücksetzungs-Typ: Aktiv-Low
Verzögerungszeit: -
Bauform - digitaler IC: TSOP
MSL: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 800
Anzahl der Überwachungsschaltungen/ Monitore: 1
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 10
Schwellenspannung: 3
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - NCP302LSN30T1G - Spannungsprüfer-IC, Active-Low-Reset, 0.8V-10Vin, TSOP-5
Rücksetzungs-Typ: Aktiv-Low
Verzögerungszeit: -
Bauform - digitaler IC: TSOP
MSL: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 800
Anzahl der Überwachungsschaltungen/ Monitore: 1
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 10
Schwellenspannung: 3
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NCP302LSN30T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP302LSN30T1G - Spannungsprüfer-IC, Active-Low-Reset, 0.8V-10Vin, TSOP-5
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - NCP302LSN30T1G - Spannungsprüfer-IC, Active-Low-Reset, 0.8V-10Vin, TSOP-5
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 2SK536-TB-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SK536-TB-E - N-CHANNEL MOSFET 50V, 100MA, SINGLE CP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Description: ONSEMI - 2SK536-TB-E - N-CHANNEL MOSFET 50V, 100MA, SINGLE CP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SS22T3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SS22T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 20 V, 2 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 500 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 75A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 500mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 20V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - SS22T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 20 V, 2 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 500 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 75A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 500mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 20V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SS22T3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SS22T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 20 V, 2 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 500 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 75A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 500mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 20V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - SS22T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 20 V, 2 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 500 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 75A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 500mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 20V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PZTA92T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - PZTA92T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 300 V, 50 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - PZTA92T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 300 V, 50 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7000+ | 7.97 грн |
| 21000+ | 7.63 грн |
| NSVPZTA92T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVPZTA92T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NSVPZTA92T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 46.33 грн |
| 30+ | 29.87 грн |
| 100+ | 19.07 грн |
| 500+ | 13.42 грн |
| PZTA92T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - PZTA92T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 300 V, 50 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - PZTA92T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 300 V, 50 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 13040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 28.13 грн |
| 250+ | 19.07 грн |
| 1000+ | 11.00 грн |
| 3000+ | 9.33 грн |
| NSVPZTA92T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVPZTA92T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NSVPZTA92T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 19.07 грн |
| 500+ | 13.42 грн |
| PZTA92 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - PZTA92 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 300 V, 500 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 25
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - PZTA92 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 300 V, 500 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 25
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PZTA92 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - PZTA92 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 300 V, 500 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300
Verlustleistung: 1
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - PZTA92 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 300 V, 500 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300
Verlustleistung: 1
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NCV20091SN3T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV20091SN3T1G - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 350 kHz, 0.15 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOT-23, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423190
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.15V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCV20091SN3T1G - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 350 kHz, 0.15 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOT-23, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423190
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.15V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 73.59 грн |
| 17+ | 53.12 грн |
| 100+ | 41.98 грн |
| 500+ | 32.59 грн |
| 1000+ | 25.75 грн |
| NCV20091SN3T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV20091SN3T1G - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 350 kHz, 0.15 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOT-23, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423190
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.15V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCV20091SN3T1G - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 350 kHz, 0.15 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOT-23, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423190
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.15V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 41.98 грн |
| 500+ | 32.59 грн |
| 1000+ | 25.75 грн |
| NCP4306AAAZZZADR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP4306AAAZZZADR2G - Sekundärseitiger Synchrongleichrichter-Treiber, 4V bis 35V, SOIC-8
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Sekundärseitiger Synchrongleichrichter-Treiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
IC-Bauform: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 35V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCP4306AAAZZZADR2G - Sekundärseitiger Synchrongleichrichter-Treiber, 4V bis 35V, SOIC-8
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Sekundärseitiger Synchrongleichrichter-Treiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
IC-Bauform: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 35V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 63.23 грн |
| 18+ | 51.21 грн |
| 100+ | 37.10 грн |
| 500+ | 33.16 грн |
| 1000+ | 28.44 грн |
| 2500+ | 26.20 грн |




























