| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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NCV33072DR2G | ONSEMI |
 Description: ONSEMI - NCV33072DR2G - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 4.5 MHz, 10 V/µs, 3V bis 44V, NSOIC, 8 Pin(s)tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 3V bis 44V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 10V/µs Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: - Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 4.5MHz Eingangsoffsetspannung: 1mV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 100nA Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 66 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCS2563DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCS2563DR2G - Videoverstärker, Video-Verstärker, 3 Verstärker, 30 MHz, -40 °C, 85 °C tariffCode: 85423390 euEccn: NLR IC-Typ: Video-Verstärker rohsCompliant: YES Anzahl der Verstärker: 3Verstärker Verstärkerausgang: - Versorgungsspannung: 4.75V bis 5.25V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 50mA isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt Bauform - Verstärker: NSOIC Betriebstemperatur, min.: -40°C SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) Spannungsanstieg: - Verstärkungsbandbreite: 30MHz Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 85°C |
на замовлення 346 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCS2563DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCS2563DR2G - Videoverstärker, Video-Verstärker, 3 Verstärker, 30 MHz, -40 °C, 85 °C tariffCode: 85423390 euEccn: NLR IC-Typ: Video-Verstärker rohsCompliant: YES Anzahl der Verstärker: 3Verstärker Verstärkerausgang: - Versorgungsspannung: 4.75V bis 5.25V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 50mA isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt Bauform - Verstärker: NSOIC Betriebstemperatur, min.: -40°C SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) Spannungsanstieg: - Verstärkungsbandbreite: 30MHz Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 85°C |
на замовлення 346 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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NCS2584DTBR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCS2584DTBR2G - Videoverstärker, 4 Verstärker, 34 MHz, -40 °C, 85 °C Anzahl der Verstärker: 4 Verstärkerausgang: - Versorgungsspannung: 3.3V bis 5V Ausgangsstrom: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Bauform - Verstärker: TSSOP Betriebstemperatur, min.: -40 Spannungsanstieg: - Verstärkungsbandbreite: 34 Anzahl der Pins: 14 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
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QRE1113GR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - QRE1113GR - Reflexlichtschranke, Fototransistor, SMD Gull-Wing, 5mm, 50mA, 5Vr, 1.2Vf tariffCode: 85414900 Versorgungsspannung, max.: - Betriebstemperatur, max.: 85°C Durchlassstrom If: 50mA productTraceability: Yes-Date/Lot Code Anzahl der Pins: 4Pin(s) Betriebstemperatur, min.: -40°C IP-Schutzart: - Betriebstemperatur: -25°C bis +85°C Messmethode: Reflektiv hazardous: false Produktpalette: - usEccn: EAR99 Durchlassstrom If, max.: 50mA Messabstand / Gabelweite: - Sensorgehäuse/-bauform: SMD, Gullwing Erfassungsabstand: 5mm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Ausgangsspannung, max.: 20V Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V Kollektorstrom Ic, max.: 20mA Versorgungsspannung, min.: - Durchlassspannung: 1.2V Ausgangsspannung: 30V Sensormontage: Oberflächenmontage Qualifikation: - Sensorausgang: Fototransistor Optokopplerausgang: Fototransistor Eingangsstrom: 20mA Sperrspannung, Vr: 5V isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V euEccn: NLR |
на замовлення 952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ARRAYX-BOB3-16S-GEVK | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ARRAYX-BOB3-16S-GEVK - Evaluationsboard, Silizium-Photomultiplier (SiPM) SensL ArrayX-300xx, 4 x 4, summierter Ausgang Art des Zubehörs: Breakout-Board, Summe, 3mm, 4X4 Prozessorkern: ARRAYC-30035-16P Kit-Anwendungsbereich: Sensor Prozessorhersteller: On Semiconductor Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard ARRAYC-30035-16P Unterart Anwendung: Silizium-Photomultiplier-Sensor (SiPM) Zur Verwendung mit: SiPM-Sensor-Array der Produktreihe C von On Semiconductor, 4 Seiten skalierbar Produktpalette: C-Series SiPM Sensor SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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ARRAYJ-BOB3-16P-GEVK | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ARRAYJ-BOB3-16P-GEVK - Evaluationsboard, Silizium-Photomultiplier (SiPM) SensL ArrayJ-300xx, 4 x 4, Signal-Breakout-Board tariffCode: 84733020 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard ARRAYJ-300xx-16P euEccn: NLR isCanonical: Y Unterart Anwendung: Silizium-Photomultiplier-Sensor (SiPM) hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ARRAYX-BOB6-64S-GEVK | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ARRAYX-BOB6-64S-GEVK - Breakout Board, für die SiPM-Arrays Sensl ArrayC-60035-64P, ArrayJ-60035-64P, Pixelsignale summiert Prozessorkern: ARRAYJ-60035-64P-PCB, Kit-Anwendungsbereich: Sensor Prozessorhersteller: On Semiconductor Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard ARRAYJ-60035-64P-PCB Unterart Anwendung: Silizium-Photomultiplier-Sensor (SiPM) Produktpalette: C/J-Series SiPM Sensor SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) |
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ARRAYX-BOB6-64P-GEVK | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ARRAYX-BOB6-64P-GEVK - Breakout Board, für die SiPM-Arrays Sensl ArrayC-60035-64P, ArrayJ-60035-64P, Zugriff auf Signale Prozessorkern: ARRAYC-60035-64P-PCB Kit-Anwendungsbereich: Sensor Prozessorhersteller: On Semiconductor Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard ARRAYC-60035-64P-PCB Unterart Anwendung: Silizium-Photomultiplier-Sensor (SiPM) Produktpalette: C/J-Series SiPM Sensor SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) |
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ES1C | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ES1C - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 150 V, 1 A, Einfach, 920 mV, 15 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 920mV Sperrverzögerungszeit: 15ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: ES1C productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 150V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 22479 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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2N4923G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N4923G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 3 A, 30 W, TO-225, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-225 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: 2NXXXX Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 1016 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SI4435DY. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SI4435DY. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 8.8 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2.5 Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: PowerTrench Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 1.7 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
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FOD817A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD817A - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 80 % tariffCode: 85414900 rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES CTR, min.: 80% isCanonical: Y usEccn: EAR99 Isolationsspannung: 5kV Durchlassstrom If, max.: 50mA euEccn: NLR Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V Bauform - Optokoppler: DIP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: FOD817 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
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Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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FOD817C | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD817C - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 200 % tariffCode: 85414900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES CTR, min.: 200% isCanonical: Y Isolationsspannung: 5kV Durchlassstrom If, max.: 50mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V Bauform - Optokoppler: DIP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: FOD817 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 |
на замовлення 598 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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FOD817 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD817 - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 50 % tariffCode: 85414900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES CTR, min.: 50% isCanonical: Y Isolationsspannung: 5kV Durchlassstrom If, max.: 50mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V Bauform - Optokoppler: DIP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 |
на замовлення 4958 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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FOD817C300 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD817C300 - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 200 % tariffCode: 85414900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES CTR, min.: 200% isCanonical: Y Isolationsspannung: 5kV Durchlassstrom If, max.: 50mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V Bauform - Optokoppler: DIP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 |
на замовлення 1293 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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FOD817C300W | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD817C300W - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 200 % tariffCode: 85414900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES CTR, min.: 200% isCanonical: Y Isolationsspannung: 5kV Durchlassstrom If, max.: 50mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V Bauform - Optokoppler: DIP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 |
на замовлення 368 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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FOD817DSD | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD817DSD - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 300 % tariffCode: 85414900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES CTR, min.: 300% isCanonical: Y Isolationsspannung: 5kV Durchlassstrom If, max.: 50mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 |
на замовлення 59314 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FOD817ASD | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD817ASD - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 80 % tariffCode: 85414900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES CTR, min.: 80% isCanonical: Y Isolationsspannung: 5kV Durchlassstrom If, max.: 50mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 |
на замовлення 9878 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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FOD817B3SD | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD817B3SD - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 130 % tariffCode: 85414900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES CTR, min.: 130% isCanonical: Y Isolationsspannung: 5kV Durchlassstrom If, max.: 50mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 |
на замовлення 6936 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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FOD817C3SD | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD817C3SD - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 200 % tariffCode: 85414900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES CTR, min.: 200% isCanonical: Y Isolationsspannung: 5kV Durchlassstrom If, max.: 50mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 |
на замовлення 10389 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FOD817AS | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD817AS - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 80 % Anzahl der Kanäle: 1 Kanal Anzahl der Pins: 4 CTR, min.: 80 Isolationsspannung: 5 Durchlassstrom If, max.: 50 Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: - Produktpalette: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. |
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FOD814ASD | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD814ASD - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 50 % tariffCode: 85414900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES CTR, min.: 50% isCanonical: Y Isolationsspannung: 5kV Durchlassstrom If, max.: 50mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 |
на замовлення 6599 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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FOD8160 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD8160 - Optokoppler, 1 Kanal, 5 kV, 10 Mbps, SOP, 5 Pin(s) tariffCode: 85415100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Anzahl der Kanäle: 1 Kanal rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 5Pin(s) Isolationsspannung: 5kV euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false Bauform - Optokoppler: SOP rohsPhthalatesCompliant: YES Übertragungsrate: 10Mbps usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1806 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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FOD8143SD | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD8143SD - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 20 % tariffCode: 85414900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES CTR, min.: 20% isCanonical: Y Isolationsspannung: 5kV Durchlassstrom If, max.: 50mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: FOD814 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 |
на замовлення 930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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FOD8143SD | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD8143SD - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 20 % tariffCode: 85414900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES CTR, min.: 20% isCanonical: N Isolationsspannung: 5kV Durchlassstrom If, max.: 50mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: FOD814 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 |
на замовлення 930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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FOD814 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD814 - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 20 % tariffCode: 85414900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES CTR, min.: 20% isCanonical: Y Isolationsspannung: 5kV Durchlassstrom If, max.: 50mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V Bauform - Optokoppler: DIP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 |
на замовлення 830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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FOD814A3SD | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD814A3SD - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 50 % tariffCode: 85414900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES CTR, min.: 50% isCanonical: Y Isolationsspannung: 5kV Durchlassstrom If, max.: 50mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 |
на замовлення 813 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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FOD814300W | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD814300W - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 20 % Anzahl der Kanäle: 1 Kanal Anzahl der Pins: 4 CTR, min.: 20 Isolationsspannung: 5 Durchlassstrom If, max.: 50 Bauform - Optokoppler: DIP Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. |
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FOD814A300W | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD814A300W - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 50 % Anzahl der Kanäle: 1 Kanal Anzahl der Pins: 4 CTR, min.: 50 Isolationsspannung: 5 Durchlassstrom If, max.: 50 Bauform - Optokoppler: DIP Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. |
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FOD814A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD814A - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 50 % tariffCode: 85414900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES CTR, min.: 50% isCanonical: Y Isolationsspannung: 5kV Durchlassstrom If, max.: 50mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V Bauform - Optokoppler: DIP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 |
на замовлення 2230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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FOD814AS | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD814AS - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 50 % Anzahl der Kanäle: 1 Kanal Anzahl der Pins: 4 CTR, min.: 50 Isolationsspannung: 5 Durchlassstrom If, max.: 50 Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: - Produktpalette: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. |
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FOD814A300 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD814A300 - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 50 % Anzahl der Kanäle: 1 Kanal Anzahl der Pins: 4 CTR, min.: 50 Isolationsspannung: 5 Durchlassstrom If, max.: 50 Bauform - Optokoppler: DIP Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: - Produktpalette: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. |
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FOD8143S | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD8143S - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 20 % Anzahl der Kanäle: 1 Kanal Anzahl der Pins: 4 CTR, min.: 20 Isolationsspannung: 5 Durchlassstrom If, max.: 50 Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. |
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FOD814SD | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD814SD - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 20 % tariffCode: 85414900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES CTR, min.: 20% isCanonical: Y Isolationsspannung: 5kV Durchlassstrom If, max.: 50mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 |
на замовлення 2015 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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FOD814A3SD | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD814A3SD - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 50 % tariffCode: 85414900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES CTR, min.: 50% isCanonical: N Isolationsspannung: 5kV Durchlassstrom If, max.: 50mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 |
на замовлення 813 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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FOD814300 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD814300 - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 20 % Anzahl der Kanäle: 1 Kanal Anzahl der Pins: 4 CTR, min.: 20 Isolationsspannung: 5 Durchlassstrom If, max.: 50 Bauform - Optokoppler: DIP Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. |
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FOD814S | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD814S - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 20 % Anzahl der Kanäle: 1 Kanal Anzahl der Pins: 4 CTR, min.: 20 Isolationsspannung: 5 Durchlassstrom If, max.: 50 Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: - Produktpalette: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. |
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PN2222ABU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - PN2222ABU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 1 A, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 625mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-226AA Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 12297 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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PN2222ATFR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - PN2222ATFR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 1 A, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 625mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-226AA Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 16017 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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PN2222TA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - PN2222TA - GENERAL PURPOSE TRANSISTOR SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. |
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BC856BWT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC856BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 150mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SC-70 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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NLSX5014DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NLSX5014DR2G - BIDIR. SPANNUNGSPEGELUMSETZER, 125°C tariffCode: 85423990 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Bauform - Logikbaustein: SOIC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: - Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -55°C Versorgungsspannung, min.: 900mV Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) Ausbreitungsverzögerung: 40ns Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 4.5V Anzahl der Eingänge: 4Inputs Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 2124 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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FOD817A3S | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD817A3S - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 80 % Anzahl der Kanäle: 1 Kanal Anzahl der Pins: 4 CTR, min.: 80 Isolationsspannung: 5 Durchlassstrom If, max.: 50 Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: - Produktpalette: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. |
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2SC3647T-TD-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC3647T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 1.5W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1689 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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2SC3649T-TD-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC3649T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 2372 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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2SC3647S-TD-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC3647S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 2366 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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2SC3646S-TD-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC3646S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 898 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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2SC3647T-TD-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC3647T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 1.5W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1689 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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2SC3646S-TD-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC3646S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 898 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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2SC3649T-TD-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC3649T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 682 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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2SC3648S-TD-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC3648S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 700 mA, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 140 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 500 Übergangsfrequenz ft: 120 Bauform - Transistor: SOT-89 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 700 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |
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2SC3649S-TD-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC3649S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 140 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 1.5 Übergangsfrequenz ft: 120 Bauform - Transistor: SOT-89 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 1.5 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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2SC3649S-TD-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC3649S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 140 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 1.5 Übergangsfrequenz ft: 120 Bauform - Transistor: SOT-89 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 1.5 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
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Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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2SC3648S-TD-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC3648S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 700 mA, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage DC-Kollektorstrom: 700 Transistormontage: Oberflächenmontage Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |
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2SC3649T-TD-H | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC3649T-TD-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 200 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 500 Übergangsfrequenz ft: 120 Bauform - Transistor: SOT-89 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: 2SC3649 Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 1.5 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |
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2SC3648T-TD-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC3648T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 700 mA, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 200 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 1.3 Übergangsfrequenz ft: 120 Bauform - Transistor: SOT-89 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 700 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |
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2SC3649S-TD-H | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC3649S-TD-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 140 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 500 Übergangsfrequenz ft: 120 Bauform - Transistor: SOT-89 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: 2SC3649 Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 1.5 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |
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2SD1805F-TL-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD1805F-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 15W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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2SD1048-6-TB-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD1048-6-TB-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 700 mA, 200 mW, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: TO-236 Dauerkollektorstrom: 700mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4371 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
| NCV33072DR2G |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV33072DR2G - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 4.5 MHz, 10 V/µs, 3V bis 44V, NSOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 44V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 10V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 4.5MHz
Eingangsoffsetspannung: 1mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 100nA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCV33072DR2G - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 4.5 MHz, 10 V/µs, 3V bis 44V, NSOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 44V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 10V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 4.5MHz
Eingangsoffsetspannung: 1mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 100nA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NCS2563DR2G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS2563DR2G - Videoverstärker, Video-Verstärker, 3 Verstärker, 30 MHz, -40 °C, 85 °C
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
IC-Typ: Video-Verstärker
rohsCompliant: YES
Anzahl der Verstärker: 3Verstärker
Verstärkerausgang: -
Versorgungsspannung: 4.75V bis 5.25V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 50mA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: NSOIC
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Spannungsanstieg: -
Verstärkungsbandbreite: 30MHz
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Description: ONSEMI - NCS2563DR2G - Videoverstärker, Video-Verstärker, 3 Verstärker, 30 MHz, -40 °C, 85 °C
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
IC-Typ: Video-Verstärker
rohsCompliant: YES
Anzahl der Verstärker: 3Verstärker
Verstärkerausgang: -
Versorgungsspannung: 4.75V bis 5.25V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 50mA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: NSOIC
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Spannungsanstieg: -
Verstärkungsbandbreite: 30MHz
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NCS2563DR2G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS2563DR2G - Videoverstärker, Video-Verstärker, 3 Verstärker, 30 MHz, -40 °C, 85 °C
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
IC-Typ: Video-Verstärker
rohsCompliant: YES
Anzahl der Verstärker: 3Verstärker
Verstärkerausgang: -
Versorgungsspannung: 4.75V bis 5.25V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 50mA
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: NSOIC
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Spannungsanstieg: -
Verstärkungsbandbreite: 30MHz
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Description: ONSEMI - NCS2563DR2G - Videoverstärker, Video-Verstärker, 3 Verstärker, 30 MHz, -40 °C, 85 °C
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
IC-Typ: Video-Verstärker
rohsCompliant: YES
Anzahl der Verstärker: 3Verstärker
Verstärkerausgang: -
Versorgungsspannung: 4.75V bis 5.25V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 50mA
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: NSOIC
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Spannungsanstieg: -
Verstärkungsbandbreite: 30MHz
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NCS2584DTBR2G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS2584DTBR2G - Videoverstärker, 4 Verstärker, 34 MHz, -40 °C, 85 °C
Anzahl der Verstärker: 4
Verstärkerausgang: -
Versorgungsspannung: 3.3V bis 5V
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: TSSOP
Betriebstemperatur, min.: -40
Spannungsanstieg: -
Verstärkungsbandbreite: 34
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - NCS2584DTBR2G - Videoverstärker, 4 Verstärker, 34 MHz, -40 °C, 85 °C
Anzahl der Verstärker: 4
Verstärkerausgang: -
Versorgungsspannung: 3.3V bis 5V
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: TSSOP
Betriebstemperatur, min.: -40
Spannungsanstieg: -
Verstärkungsbandbreite: 34
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
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од. на суму грн.
| QRE1113GR |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - QRE1113GR - Reflexlichtschranke, Fototransistor, SMD Gull-Wing, 5mm, 50mA, 5Vr, 1.2Vf
tariffCode: 85414900
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Durchlassstrom If: 50mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
IP-Schutzart: -
Betriebstemperatur: -25°C bis +85°C
Messmethode: Reflektiv
hazardous: false
Produktpalette: -
usEccn: EAR99
Durchlassstrom If, max.: 50mA
Messabstand / Gabelweite: -
Sensorgehäuse/-bauform: SMD, Gullwing
Erfassungsabstand: 5mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsspannung, max.: 20V
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Kollektorstrom Ic, max.: 20mA
Versorgungsspannung, min.: -
Durchlassspannung: 1.2V
Ausgangsspannung: 30V
Sensormontage: Oberflächenmontage
Qualifikation: -
Sensorausgang: Fototransistor
Optokopplerausgang: Fototransistor
Eingangsstrom: 20mA
Sperrspannung, Vr: 5V
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
euEccn: NLR
Description: ONSEMI - QRE1113GR - Reflexlichtschranke, Fototransistor, SMD Gull-Wing, 5mm, 50mA, 5Vr, 1.2Vf
tariffCode: 85414900
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Durchlassstrom If: 50mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
IP-Schutzart: -
Betriebstemperatur: -25°C bis +85°C
Messmethode: Reflektiv
hazardous: false
Produktpalette: -
usEccn: EAR99
Durchlassstrom If, max.: 50mA
Messabstand / Gabelweite: -
Sensorgehäuse/-bauform: SMD, Gullwing
Erfassungsabstand: 5mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsspannung, max.: 20V
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Kollektorstrom Ic, max.: 20mA
Versorgungsspannung, min.: -
Durchlassspannung: 1.2V
Ausgangsspannung: 30V
Sensormontage: Oberflächenmontage
Qualifikation: -
Sensorausgang: Fototransistor
Optokopplerausgang: Fototransistor
Eingangsstrom: 20mA
Sperrspannung, Vr: 5V
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
euEccn: NLR
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ARRAYX-BOB3-16S-GEVK |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ARRAYX-BOB3-16S-GEVK - Evaluationsboard, Silizium-Photomultiplier (SiPM) SensL ArrayX-300xx, 4 x 4, summierter Ausgang
Art des Zubehörs: Breakout-Board, Summe, 3mm, 4X4
Prozessorkern: ARRAYC-30035-16P
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard ARRAYC-30035-16P
Unterart Anwendung: Silizium-Photomultiplier-Sensor (SiPM)
Zur Verwendung mit: SiPM-Sensor-Array der Produktreihe C von On Semiconductor, 4 Seiten skalierbar
Produktpalette: C-Series SiPM Sensor
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - ARRAYX-BOB3-16S-GEVK - Evaluationsboard, Silizium-Photomultiplier (SiPM) SensL ArrayX-300xx, 4 x 4, summierter Ausgang
Art des Zubehörs: Breakout-Board, Summe, 3mm, 4X4
Prozessorkern: ARRAYC-30035-16P
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard ARRAYC-30035-16P
Unterart Anwendung: Silizium-Photomultiplier-Sensor (SiPM)
Zur Verwendung mit: SiPM-Sensor-Array der Produktreihe C von On Semiconductor, 4 Seiten skalierbar
Produktpalette: C-Series SiPM Sensor
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
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| ARRAYJ-BOB3-16P-GEVK |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ARRAYJ-BOB3-16P-GEVK - Evaluationsboard, Silizium-Photomultiplier (SiPM) SensL ArrayJ-300xx, 4 x 4, Signal-Breakout-Board
tariffCode: 84733020
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard ARRAYJ-300xx-16P
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Silizium-Photomultiplier-Sensor (SiPM)
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - ARRAYJ-BOB3-16P-GEVK - Evaluationsboard, Silizium-Photomultiplier (SiPM) SensL ArrayJ-300xx, 4 x 4, Signal-Breakout-Board
tariffCode: 84733020
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard ARRAYJ-300xx-16P
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Silizium-Photomultiplier-Sensor (SiPM)
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ARRAYX-BOB6-64S-GEVK |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ARRAYX-BOB6-64S-GEVK - Breakout Board, für die SiPM-Arrays Sensl ArrayC-60035-64P, ArrayJ-60035-64P, Pixelsignale summiert
Prozessorkern: ARRAYJ-60035-64P-PCB,
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard ARRAYJ-60035-64P-PCB
Unterart Anwendung: Silizium-Photomultiplier-Sensor (SiPM)
Produktpalette: C/J-Series SiPM Sensor
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
Description: ONSEMI - ARRAYX-BOB6-64S-GEVK - Breakout Board, für die SiPM-Arrays Sensl ArrayC-60035-64P, ArrayJ-60035-64P, Pixelsignale summiert
Prozessorkern: ARRAYJ-60035-64P-PCB,
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard ARRAYJ-60035-64P-PCB
Unterart Anwendung: Silizium-Photomultiplier-Sensor (SiPM)
Produktpalette: C/J-Series SiPM Sensor
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
товару немає в наявності
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| ARRAYX-BOB6-64P-GEVK |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ARRAYX-BOB6-64P-GEVK - Breakout Board, für die SiPM-Arrays Sensl ArrayC-60035-64P, ArrayJ-60035-64P, Zugriff auf Signale
Prozessorkern: ARRAYC-60035-64P-PCB
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard ARRAYC-60035-64P-PCB
Unterart Anwendung: Silizium-Photomultiplier-Sensor (SiPM)
Produktpalette: C/J-Series SiPM Sensor
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
Description: ONSEMI - ARRAYX-BOB6-64P-GEVK - Breakout Board, für die SiPM-Arrays Sensl ArrayC-60035-64P, ArrayJ-60035-64P, Zugriff auf Signale
Prozessorkern: ARRAYC-60035-64P-PCB
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard ARRAYC-60035-64P-PCB
Unterart Anwendung: Silizium-Photomultiplier-Sensor (SiPM)
Produktpalette: C/J-Series SiPM Sensor
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
товару немає в наявності
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| ES1C |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ES1C - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 150 V, 1 A, Einfach, 920 mV, 15 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 920mV
Sperrverzögerungszeit: 15ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES1C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - ES1C - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 150 V, 1 A, Einfach, 920 mV, 15 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 920mV
Sperrverzögerungszeit: 15ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES1C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 22479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2N4923G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N4923G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 3 A, 30 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - 2N4923G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 3 A, 30 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI4435DY. |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SI4435DY. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 8.8
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.7
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - SI4435DY. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 8.8
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.7
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
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од. на суму грн.
| FOD817A |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD817A - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 80 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 80%
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: FOD817
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - FOD817A - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 80 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 80%
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: FOD817
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FOD817C |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD817C - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 200 %
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 200%
isCanonical: Y
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: FOD817
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - FOD817C - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 200 %
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 200%
isCanonical: Y
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: FOD817
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FOD817 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD817 - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 50 %
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 50%
isCanonical: Y
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - FOD817 - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 50 %
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 50%
isCanonical: Y
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
на замовлення 4958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FOD817C300 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD817C300 - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 200 %
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 200%
isCanonical: Y
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - FOD817C300 - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 200 %
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Produktpalette: -
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на замовлення 1293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FOD817C300W |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD817C300W - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 200 %
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Description: ONSEMI - FOD817C300W - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 200 %
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на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FOD817DSD |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD817DSD - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 300 %
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Produktpalette: -
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Description: ONSEMI - FOD817DSD - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 300 %
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термін постачання 21-31 дні (днів)
| FOD817ASD |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD817ASD - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 80 %
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Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
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Description: ONSEMI - FOD817ASD - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 80 %
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Produktpalette: -
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на замовлення 9878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FOD817B3SD |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD817B3SD - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 130 %
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Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
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Produktpalette: -
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Description: ONSEMI - FOD817B3SD - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 130 %
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Produktpalette: -
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на замовлення 6936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FOD817C3SD |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD817C3SD - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 200 %
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
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Produktpalette: -
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Description: ONSEMI - FOD817C3SD - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 200 %
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
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Produktpalette: -
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на замовлення 10389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FOD817AS |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD817AS - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 80 %
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
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Isolationsspannung: 5
Durchlassstrom If, max.: 50
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FOD817AS - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 80 %
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Isolationsspannung: 5
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Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FOD814ASD |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD814ASD - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 50 %
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
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Description: ONSEMI - FOD814ASD - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 50 %
tariffCode: 85414900
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
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на замовлення 6599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FOD8160 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD8160 - Optokoppler, 1 Kanal, 5 kV, 10 Mbps, SOP, 5 Pin(s)
tariffCode: 85415100
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Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - FOD8160 - Optokoppler, 1 Kanal, 5 kV, 10 Mbps, SOP, 5 Pin(s)
tariffCode: 85415100
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Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
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Isolationsspannung: 5kV
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Bauform - Optokoppler: SOP
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Übertragungsrate: 10Mbps
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Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FOD8143SD |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD8143SD - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 20 %
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
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Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
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Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: FOD814
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usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - FOD8143SD - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 20 %
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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isCanonical: Y
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: FOD814
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usEccn: EAR99
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FOD8143SD |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD8143SD - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 20 %
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
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Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: FOD814
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usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - FOD8143SD - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 20 %
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
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Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: FOD814
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usEccn: EAR99
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FOD814 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD814 - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 20 %
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
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rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 20%
isCanonical: Y
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - FOD814 - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 20 %
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euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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isCanonical: Y
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
на замовлення 830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FOD814A3SD |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD814A3SD - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 50 %
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
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rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 50%
isCanonical: Y
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - FOD814A3SD - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 50 %
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
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rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 50%
isCanonical: Y
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
на замовлення 813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FOD814300W |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD814300W - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 20 %
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 4
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Isolationsspannung: 5
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Bauform - Optokoppler: DIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FOD814300W - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 20 %
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
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CTR, min.: 20
Isolationsspannung: 5
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Bauform - Optokoppler: DIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FOD814A300W |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD814A300W - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 50 %
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 4
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Isolationsspannung: 5
Durchlassstrom If, max.: 50
Bauform - Optokoppler: DIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FOD814A300W - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 50 %
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 4
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Isolationsspannung: 5
Durchlassstrom If, max.: 50
Bauform - Optokoppler: DIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FOD814A |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD814A - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 50 %
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
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rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 50%
isCanonical: Y
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - FOD814A - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 50 %
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
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rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 50%
isCanonical: Y
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
на замовлення 2230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FOD814AS |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD814AS - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 50 %
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 4
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Isolationsspannung: 5
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Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FOD814AS - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 50 %
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
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Isolationsspannung: 5
Durchlassstrom If, max.: 50
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FOD814A300 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD814A300 - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 50 %
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 4
CTR, min.: 50
Isolationsspannung: 5
Durchlassstrom If, max.: 50
Bauform - Optokoppler: DIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FOD814A300 - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 50 %
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 4
CTR, min.: 50
Isolationsspannung: 5
Durchlassstrom If, max.: 50
Bauform - Optokoppler: DIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FOD8143S |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD8143S - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 20 %
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 4
CTR, min.: 20
Isolationsspannung: 5
Durchlassstrom If, max.: 50
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FOD8143S - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 20 %
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 4
CTR, min.: 20
Isolationsspannung: 5
Durchlassstrom If, max.: 50
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FOD814SD |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD814SD - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 20 %
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 20%
isCanonical: Y
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - FOD814SD - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 20 %
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 20%
isCanonical: Y
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
на замовлення 2015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FOD814A3SD |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD814A3SD - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 50 %
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 50%
isCanonical: N
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - FOD814A3SD - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 50 %
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 50%
isCanonical: N
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
на замовлення 813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FOD814300 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD814300 - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 20 %
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 4
CTR, min.: 20
Isolationsspannung: 5
Durchlassstrom If, max.: 50
Bauform - Optokoppler: DIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FOD814300 - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 20 %
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 4
CTR, min.: 20
Isolationsspannung: 5
Durchlassstrom If, max.: 50
Bauform - Optokoppler: DIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
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од. на суму грн.
| FOD814S |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD814S - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 20 %
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 4
CTR, min.: 20
Isolationsspannung: 5
Durchlassstrom If, max.: 50
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FOD814S - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 20 %
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 4
CTR, min.: 20
Isolationsspannung: 5
Durchlassstrom If, max.: 50
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
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од. на суму грн.
| PN2222ABU |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - PN2222ABU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 1 A, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-226AA
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - PN2222ABU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 1 A, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-226AA
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 12297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PN2222ATFR |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - PN2222ATFR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 1 A, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-226AA
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - PN2222ATFR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 1 A, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-226AA
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 16017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PN2222TA |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - PN2222TA - GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - PN2222TA - GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BC856BWT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC856BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BC856BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику
од. на суму грн.
| NLSX5014DR2G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLSX5014DR2G - BIDIR. SPANNUNGSPEGELUMSETZER, 125°C
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 900mV
Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Ausbreitungsverzögerung: 40ns
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 4.5V
Anzahl der Eingänge: 4Inputs
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - NLSX5014DR2G - BIDIR. SPANNUNGSPEGELUMSETZER, 125°C
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 900mV
Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Ausbreitungsverzögerung: 40ns
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 4.5V
Anzahl der Eingänge: 4Inputs
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FOD817A3S |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD817A3S - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 80 %
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 4
CTR, min.: 80
Isolationsspannung: 5
Durchlassstrom If, max.: 50
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FOD817A3S - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 80 %
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 4
CTR, min.: 80
Isolationsspannung: 5
Durchlassstrom If, max.: 50
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 2SC3647T-TD-E |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3647T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - 2SC3647T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SC3649T-TD-E |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3649T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - 2SC3649T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SC3647S-TD-E |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3647S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - 2SC3647S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SC3646S-TD-E |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3646S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 2SC3646S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SC3647T-TD-E |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3647T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - 2SC3647T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SC3646S-TD-E |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3646S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 2SC3646S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SC3649T-TD-E |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3649T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - 2SC3649T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SC3648S-TD-E |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3648S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 700 mA, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: SOT-89
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 700
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - 2SC3648S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 700 mA, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: SOT-89
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 700
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 2SC3649S-TD-E |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3649S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.5
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: SOT-89
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - 2SC3649S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.5
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: SOT-89
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 2SC3649S-TD-E |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3649S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.5
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: SOT-89
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - 2SC3649S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.5
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: SOT-89
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 2SC3648S-TD-E |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3648S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 700 mA, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
DC-Kollektorstrom: 700
Transistormontage: Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - 2SC3648S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 700 mA, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
DC-Kollektorstrom: 700
Transistormontage: Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 2SC3649T-TD-H |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3649T-TD-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 200
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: SOT-89
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SC3649
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - 2SC3649T-TD-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 200
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: SOT-89
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SC3649
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 2SC3648T-TD-E |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3648T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 700 mA, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 200
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.3
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: SOT-89
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 700
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - 2SC3648T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 700 mA, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 200
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.3
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: SOT-89
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 700
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 2SC3649S-TD-H |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3649S-TD-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: SOT-89
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SC3649
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - 2SC3649S-TD-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: SOT-89
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SC3649
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 2SD1805F-TL-E |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1805F-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - 2SD1805F-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SD1048-6-TB-E |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1048-6-TB-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 700 mA, 200 mW, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TO-236
Dauerkollektorstrom: 700mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 2SD1048-6-TB-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 700 mA, 200 mW, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TO-236
Dauerkollektorstrom: 700mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)