| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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FOD817DSD | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD817DSD - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 300 %tariffCode: 85414900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES CTR, min.: 300% isCanonical: Y Isolationsspannung: 5kV Durchlassstrom If, max.: 50mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 |
на замовлення 59314 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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FOD817ASD | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD817ASD - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 80 %tariffCode: 85414900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES CTR, min.: 80% isCanonical: Y Isolationsspannung: 5kV Durchlassstrom If, max.: 50mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 |
на замовлення 9878 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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FOD817B3SD | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD817B3SD - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 130 %tariffCode: 85414900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES CTR, min.: 130% isCanonical: Y Isolationsspannung: 5kV Durchlassstrom If, max.: 50mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 |
на замовлення 6936 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FOD817C3SD | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD817C3SD - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 200 %tariffCode: 85414900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES CTR, min.: 200% isCanonical: Y Isolationsspannung: 5kV Durchlassstrom If, max.: 50mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 |
на замовлення 10389 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FOD817AS | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD817AS - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 80 %Anzahl der Kanäle: 1 Kanal Anzahl der Pins: 4 CTR, min.: 80 Isolationsspannung: 5 Durchlassstrom If, max.: 50 Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: - Produktpalette: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. |
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FOD814ASD | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD814ASD - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 50 %tariffCode: 85414900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES CTR, min.: 50% isCanonical: Y Isolationsspannung: 5kV Durchlassstrom If, max.: 50mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 |
на замовлення 6599 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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FOD8160 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD8160 - Optokoppler, 1 Kanal, 5 kV, 10 Mbps, SOP, 5 Pin(s)tariffCode: 85415100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Anzahl der Kanäle: 1 Kanal rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 5Pin(s) Isolationsspannung: 5kV euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false Bauform - Optokoppler: SOP rohsPhthalatesCompliant: YES Übertragungsrate: 10Mbps usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1806 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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FOD8143SD | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD8143SD - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 20 %tariffCode: 85414900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES CTR, min.: 20% isCanonical: Y Isolationsspannung: 5kV Durchlassstrom If, max.: 50mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: FOD814 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 |
на замовлення 930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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FOD8143SD | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD8143SD - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 20 %tariffCode: 85414900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES CTR, min.: 20% isCanonical: N Isolationsspannung: 5kV Durchlassstrom If, max.: 50mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: FOD814 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 |
на замовлення 930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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FOD814 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD814 - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 20 %tariffCode: 85414900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES CTR, min.: 20% isCanonical: Y Isolationsspannung: 5kV Durchlassstrom If, max.: 50mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V Bauform - Optokoppler: DIP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 |
на замовлення 830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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FOD814A3SD | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD814A3SD - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 50 %tariffCode: 85414900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES CTR, min.: 50% isCanonical: Y Isolationsspannung: 5kV Durchlassstrom If, max.: 50mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 |
на замовлення 813 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FOD814300W | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD814300W - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 20 %Anzahl der Kanäle: 1 Kanal Anzahl der Pins: 4 CTR, min.: 20 Isolationsspannung: 5 Durchlassstrom If, max.: 50 Bauform - Optokoppler: DIP Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. |
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FOD814A300W | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD814A300W - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 50 %Anzahl der Kanäle: 1 Kanal Anzahl der Pins: 4 CTR, min.: 50 Isolationsspannung: 5 Durchlassstrom If, max.: 50 Bauform - Optokoppler: DIP Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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FOD814A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD814A - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 50 %tariffCode: 85414900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES CTR, min.: 50% isCanonical: Y Isolationsspannung: 5kV Durchlassstrom If, max.: 50mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V Bauform - Optokoppler: DIP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 |
на замовлення 2230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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FOD814AS | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD814AS - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 50 %Anzahl der Kanäle: 1 Kanal Anzahl der Pins: 4 CTR, min.: 50 Isolationsspannung: 5 Durchlassstrom If, max.: 50 Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: - Produktpalette: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. |
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FOD814A300 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD814A300 - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 50 %Anzahl der Kanäle: 1 Kanal Anzahl der Pins: 4 CTR, min.: 50 Isolationsspannung: 5 Durchlassstrom If, max.: 50 Bauform - Optokoppler: DIP Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: - Produktpalette: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. |
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FOD8143S | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD8143S - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 20 %Anzahl der Kanäle: 1 Kanal Anzahl der Pins: 4 CTR, min.: 20 Isolationsspannung: 5 Durchlassstrom If, max.: 50 Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. |
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FOD814SD | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD814SD - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 20 %tariffCode: 85414900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES CTR, min.: 20% isCanonical: Y Isolationsspannung: 5kV Durchlassstrom If, max.: 50mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 |
на замовлення 2015 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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FOD814A3SD | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD814A3SD - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 50 %tariffCode: 85414900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES CTR, min.: 50% isCanonical: N Isolationsspannung: 5kV Durchlassstrom If, max.: 50mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 |
на замовлення 813 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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FOD814300 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD814300 - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 20 %Anzahl der Kanäle: 1 Kanal Anzahl der Pins: 4 CTR, min.: 20 Isolationsspannung: 5 Durchlassstrom If, max.: 50 Bauform - Optokoppler: DIP Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. |
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FOD814S | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD814S - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 20 %Anzahl der Kanäle: 1 Kanal Anzahl der Pins: 4 CTR, min.: 20 Isolationsspannung: 5 Durchlassstrom If, max.: 50 Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: - Produktpalette: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. |
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PN2222ABU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - PN2222ABU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 1 A, 625 mW, TO-226AA, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 625mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-226AA Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 12297 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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PN2222ATFR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - PN2222ATFR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 1 A, 625 mW, TO-226AA, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 625mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-226AA Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 16017 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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PN2222TA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - PN2222TA - GENERAL PURPOSE TRANSISTORSVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. |
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BC856BWT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC856BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 150 mW, SC-70, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 150mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SC-70 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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NLSX5014DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NLSX5014DR2G - BIDIR. SPANNUNGSPEGELUMSETZER, 125°CtariffCode: 85423990 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Bauform - Logikbaustein: SOIC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: - Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -55°C Versorgungsspannung, min.: 900mV Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) Ausbreitungsverzögerung: 40ns Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 4.5V Anzahl der Eingänge: 4Inputs Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 2124 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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FOD817A3S | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD817A3S - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 80 %Anzahl der Kanäle: 1 Kanal Anzahl der Pins: 4 CTR, min.: 80 Isolationsspannung: 5 Durchlassstrom If, max.: 50 Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: - Produktpalette: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. |
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2SC3647T-TD-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC3647T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 1.5 W, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 1.5W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1689 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2SC3649T-TD-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC3649T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 2372 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2SC3647S-TD-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC3647S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 1.5 W, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 2366 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2SC3646S-TD-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC3646S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 1.3 W, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 898 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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2SC3647T-TD-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC3647T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 1.5 W, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 1.5W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1689 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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2SC3646S-TD-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC3646S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 1.3 W, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 898 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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2SC3649T-TD-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC3649T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 682 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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2SC3648S-TD-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC3648S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 700 mA, 500 mW, SOT-89, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 140 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 500 Übergangsfrequenz ft: 120 Bauform - Transistor: SOT-89 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 700 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
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2SC3649S-TD-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC3649S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-89, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 140 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 1.5 Übergangsfrequenz ft: 120 Bauform - Transistor: SOT-89 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 1.5 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
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2SC3649S-TD-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC3649S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-89, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 140 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 1.5 Übergangsfrequenz ft: 120 Bauform - Transistor: SOT-89 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 1.5 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
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2SC3648S-TD-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC3648S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 700 mA, 500 mW, SOT-89, OberflächenmontageDC-Kollektorstrom: 700 Transistormontage: Oberflächenmontage Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
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2SC3649T-TD-H | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC3649T-TD-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-89, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 200 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 500 Übergangsfrequenz ft: 120 Bauform - Transistor: SOT-89 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: 2SC3649 Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 1.5 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
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2SC3648T-TD-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC3648T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 700 mA, 1.3 W, SOT-89, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 200 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 1.3 Übergangsfrequenz ft: 120 Bauform - Transistor: SOT-89 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 700 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
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Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |
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2SC3649S-TD-H | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC3649S-TD-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-89, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 140 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 500 Übergangsfrequenz ft: 120 Bauform - Transistor: SOT-89 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: 2SC3649 Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 1.5 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
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Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |
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2SD1805F-TL-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD1805F-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 15W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2SD1048-6-TB-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD1048-6-TB-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 700 mA, 200 mW, TO-236, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: TO-236 Dauerkollektorstrom: 700mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4371 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2SD1801S-TL-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD1801S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 140 Verlustleistung Pd: 15 Übergangsfrequenz ft: 150 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: 2SD1801 Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 2 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
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Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | |
| 2SD1801S-TL-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD1801S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 140 Verlustleistung Pd: 15 Übergangsfrequenz ft: 150 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: 2SD1801 Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 2 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
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Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | |
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FGH30S130P | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGH30S130P - IGBT, 60 A, 1.75 V, 500 W, 1.3 kV, TO-247, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 60A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.3kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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FQPF65N06 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQPF65N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.016 ohm, TO-220F, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 40 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 56 Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: Lead (08-Jul-2021) |
на замовлення 1467 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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1N5342BG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N5342BG - Zener-Diode, 6.8 V, 5 W, 017AA, 2 Pin(s), 200 °C, DurchsteckmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: 017AA euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 5W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N53 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 200°C Zener-Spannung, nom.: 6.8V |
на замовлення 3850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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FQA30N40 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQA30N40 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 30 A, 0.14 ohm, TO-3PN, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400 Dauer-Drainstrom Id: 30 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 290 Bauform - Transistor: TO-3PN Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 5 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
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Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. |
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FQS4901TF | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQS4901TF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 450 mA, 3.2 ohm, SOP, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400 Dauer-Drainstrom Id: 450 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2 Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 3.2 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 67 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NTBG020N090SC1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTBG020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 112 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 112A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 477W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 15V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm |
на замовлення 590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| FGL40N120ANDTU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGL40N120ANDTU - IGBT,N-KANAL,SCHNELL,1200V,64A,TO264 |
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BD241CG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BD241CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 40 W, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 40W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 4442 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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1N5927BRLG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N5927BRLG - Zener-Diode, 12 V, 3 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C, DurchsteckmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL) euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 3W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: Surmetic 1N59xxB productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 200°C Zener-Spannung, nom.: 12V |
на замовлення 3039 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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NCT75DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCT75DR2G - Temperatursensor-IC, Digital, ± 1°C, -55 °C, 125 °C, NSOIC, 8 Pin(s)tariffCode: 85423990 Genauigkeit: ± 1°C rohsCompliant: YES Erfassungsgenauigkeit: ± 3°C IC-Ausgang: Open-Drain Auflösung: 12 Bit Gemessene Temperatur, max.: 125°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Gemessene Temperatur, min.: -55°C Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: - Betriebstemperatur, min.: -55°C Versorgungsspannung, min.: 3V Sensorgehäuse/-bauform: NSOIC Bauform - Sensor: SOIC euEccn: NLR Erfassungstemperatur, min.: -55°C Erfassungstemperatur, max.: +125°C Sensorausgang: Digital Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 125°C Ausgangsschnittstelle: I2C, SMBus SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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BC549CTA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC549CTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 9717 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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FDH055N15A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDH055N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 156 A, 4800 µohm, TO-247, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 156A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 429W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm |
на замовлення 290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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FUSB251GEVB | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FUSB251GEVB - EVAL.BOARD USB-C ÜBERSPANNUNGSSCHUTZProzessorkern: FUSB251UCX Kit-Anwendungsbereich: Schnittstelle Prozessorhersteller: On Semiconductor Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard FUSB251UCX Produktpalette: - SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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NCP603SN180T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP603SN180T1G - LDO-FESTSP.REGL 1.8V 0.3A -40 BIS 125°CtariffCode: 85423990 Ausgang: Fest euEccn: NLR rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Nennausgangsspannung: 1.8V Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 6V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Ausgangsstrom, max.: 300mA Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: 1.75V Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: 1.8V 300mA LDO Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: 1.8V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 300mA usEccn: EAR99 Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 245mV Typische Dropout-Spannung bei Strom: 245mV Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge |
на замовлення 585 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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NCP603SN180T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP603SN180T1G - LDO-FESTSP.REGL 1.8V 0.3A -40 BIS 125°CtariffCode: 85423990 Ausgang: Fest euEccn: NLR rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Nennausgangsspannung: 1.8V Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 6V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Ausgangsstrom, max.: 300mA Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: 1.75V Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: 1.8V 300mA LDO Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: 1.8V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 300mA usEccn: EAR99 Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 245mV Typische Dropout-Spannung bei Strom: 245mV Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge |
на замовлення 585 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| FOD817DSD |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD817DSD - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 300 %
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 300%
isCanonical: Y
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - FOD817DSD - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 300 %
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 300%
isCanonical: Y
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
на замовлення 59314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FOD817ASD |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD817ASD - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 80 %
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
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rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 80%
isCanonical: Y
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - FOD817ASD - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 80 %
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
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Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
на замовлення 9878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FOD817B3SD |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD817B3SD - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 130 %
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
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Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
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CTR, min.: 130%
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Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - FOD817B3SD - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 130 %
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
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Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
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Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
на замовлення 6936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FOD817C3SD |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD817C3SD - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 200 %
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
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Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
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CTR, min.: 200%
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Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - FOD817C3SD - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 200 %
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
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rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 200%
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Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
на замовлення 10389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FOD817AS |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD817AS - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 80 %
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 4
CTR, min.: 80
Isolationsspannung: 5
Durchlassstrom If, max.: 50
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FOD817AS - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 80 %
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 4
CTR, min.: 80
Isolationsspannung: 5
Durchlassstrom If, max.: 50
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FOD814ASD |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD814ASD - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 50 %
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
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rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 50%
isCanonical: Y
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - FOD814ASD - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 50 %
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
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rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 50%
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Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
на замовлення 6599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FOD8160 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD8160 - Optokoppler, 1 Kanal, 5 kV, 10 Mbps, SOP, 5 Pin(s)
tariffCode: 85415100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
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Isolationsspannung: 5kV
euEccn: NLR
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Bauform - Optokoppler: SOP
rohsPhthalatesCompliant: YES
Übertragungsrate: 10Mbps
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - FOD8160 - Optokoppler, 1 Kanal, 5 kV, 10 Mbps, SOP, 5 Pin(s)
tariffCode: 85415100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Isolationsspannung: 5kV
euEccn: NLR
isCanonical: Y
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Bauform - Optokoppler: SOP
rohsPhthalatesCompliant: YES
Übertragungsrate: 10Mbps
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FOD8143SD |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD8143SD - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 20 %
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
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rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 20%
isCanonical: Y
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: FOD814
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - FOD8143SD - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 20 %
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
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rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 20%
isCanonical: Y
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: FOD814
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FOD8143SD |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD8143SD - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 20 %
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
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rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 20%
isCanonical: N
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: FOD814
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - FOD8143SD - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 20 %
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
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rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 20%
isCanonical: N
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: FOD814
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FOD814 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD814 - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 20 %
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
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rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 20%
isCanonical: Y
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - FOD814 - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 20 %
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
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rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 20%
isCanonical: Y
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
на замовлення 830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FOD814A3SD |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD814A3SD - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 50 %
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
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rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 50%
isCanonical: Y
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - FOD814A3SD - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 50 %
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
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rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 50%
isCanonical: Y
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
на замовлення 813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FOD814300W |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD814300W - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 20 %
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 4
CTR, min.: 20
Isolationsspannung: 5
Durchlassstrom If, max.: 50
Bauform - Optokoppler: DIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FOD814300W - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 20 %
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 4
CTR, min.: 20
Isolationsspannung: 5
Durchlassstrom If, max.: 50
Bauform - Optokoppler: DIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FOD814A300W |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD814A300W - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 50 %
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 4
CTR, min.: 50
Isolationsspannung: 5
Durchlassstrom If, max.: 50
Bauform - Optokoppler: DIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FOD814A300W - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 50 %
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 4
CTR, min.: 50
Isolationsspannung: 5
Durchlassstrom If, max.: 50
Bauform - Optokoppler: DIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FOD814A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD814A - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 50 %
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
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rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 50%
isCanonical: Y
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - FOD814A - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 50 %
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
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rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 50%
isCanonical: Y
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
на замовлення 2230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FOD814AS |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD814AS - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 50 %
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 4
CTR, min.: 50
Isolationsspannung: 5
Durchlassstrom If, max.: 50
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FOD814AS - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 50 %
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 4
CTR, min.: 50
Isolationsspannung: 5
Durchlassstrom If, max.: 50
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FOD814A300 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD814A300 - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 50 %
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 4
CTR, min.: 50
Isolationsspannung: 5
Durchlassstrom If, max.: 50
Bauform - Optokoppler: DIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FOD814A300 - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 50 %
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 4
CTR, min.: 50
Isolationsspannung: 5
Durchlassstrom If, max.: 50
Bauform - Optokoppler: DIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FOD8143S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD8143S - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 20 %
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 4
CTR, min.: 20
Isolationsspannung: 5
Durchlassstrom If, max.: 50
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FOD8143S - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 20 %
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 4
CTR, min.: 20
Isolationsspannung: 5
Durchlassstrom If, max.: 50
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FOD814SD |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD814SD - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 20 %
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 20%
isCanonical: Y
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - FOD814SD - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 20 %
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 20%
isCanonical: Y
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
на замовлення 2015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FOD814A3SD |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD814A3SD - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 50 %
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 50%
isCanonical: N
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - FOD814A3SD - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 50 %
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 50%
isCanonical: N
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
на замовлення 813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FOD814300 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD814300 - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 20 %
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 4
CTR, min.: 20
Isolationsspannung: 5
Durchlassstrom If, max.: 50
Bauform - Optokoppler: DIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FOD814300 - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 20 %
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 4
CTR, min.: 20
Isolationsspannung: 5
Durchlassstrom If, max.: 50
Bauform - Optokoppler: DIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FOD814S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD814S - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 20 %
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 4
CTR, min.: 20
Isolationsspannung: 5
Durchlassstrom If, max.: 50
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FOD814S - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 20 %
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 4
CTR, min.: 20
Isolationsspannung: 5
Durchlassstrom If, max.: 50
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| PN2222ABU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - PN2222ABU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 1 A, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-226AA
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - PN2222ABU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 1 A, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-226AA
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 12297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PN2222ATFR |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - PN2222ATFR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 1 A, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-226AA
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - PN2222ATFR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 1 A, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-226AA
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 16017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PN2222TA |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - PN2222TA - GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - PN2222TA - GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BC856BWT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC856BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BC856BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику
од. на суму грн.
| NLSX5014DR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLSX5014DR2G - BIDIR. SPANNUNGSPEGELUMSETZER, 125°C
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 900mV
Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Ausbreitungsverzögerung: 40ns
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 4.5V
Anzahl der Eingänge: 4Inputs
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - NLSX5014DR2G - BIDIR. SPANNUNGSPEGELUMSETZER, 125°C
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 900mV
Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Ausbreitungsverzögerung: 40ns
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 4.5V
Anzahl der Eingänge: 4Inputs
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FOD817A3S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD817A3S - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 80 %
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 4
CTR, min.: 80
Isolationsspannung: 5
Durchlassstrom If, max.: 50
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FOD817A3S - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 80 %
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 4
CTR, min.: 80
Isolationsspannung: 5
Durchlassstrom If, max.: 50
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 2SC3647T-TD-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3647T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - 2SC3647T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SC3649T-TD-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3649T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - 2SC3649T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SC3647S-TD-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3647S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - 2SC3647S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SC3646S-TD-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3646S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 2SC3646S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SC3647T-TD-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3647T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - 2SC3647T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SC3646S-TD-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3646S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 2SC3646S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SC3649T-TD-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3649T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - 2SC3649T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SC3648S-TD-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3648S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 700 mA, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: SOT-89
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 700
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - 2SC3648S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 700 mA, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: SOT-89
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 700
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 2SC3649S-TD-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3649S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.5
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: SOT-89
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - 2SC3649S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.5
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: SOT-89
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
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| 2SC3649S-TD-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3649S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.5
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: SOT-89
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - 2SC3649S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.5
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: SOT-89
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
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| 2SC3648S-TD-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3648S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 700 mA, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
DC-Kollektorstrom: 700
Transistormontage: Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - 2SC3648S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 700 mA, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
DC-Kollektorstrom: 700
Transistormontage: Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
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| 2SC3649T-TD-H |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3649T-TD-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 200
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: SOT-89
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SC3649
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - 2SC3649T-TD-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 200
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: SOT-89
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SC3649
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
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| 2SC3648T-TD-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3648T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 700 mA, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 200
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.3
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: SOT-89
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 700
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - 2SC3648T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 700 mA, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 200
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.3
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: SOT-89
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 700
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
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| 2SC3649S-TD-H |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3649S-TD-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: SOT-89
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SC3649
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - 2SC3649S-TD-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: SOT-89
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SC3649
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 2SD1805F-TL-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1805F-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - 2SD1805F-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SD1048-6-TB-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1048-6-TB-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 700 mA, 200 mW, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TO-236
Dauerkollektorstrom: 700mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 2SD1048-6-TB-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 700 mA, 200 mW, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TO-236
Dauerkollektorstrom: 700mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SD1801S-TL-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1801S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
Verlustleistung Pd: 15
Übergangsfrequenz ft: 150
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SD1801
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - 2SD1801S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
Verlustleistung Pd: 15
Übergangsfrequenz ft: 150
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SD1801
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 2SD1801S-TL-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1801S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
Verlustleistung Pd: 15
Übergangsfrequenz ft: 150
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SD1801
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - 2SD1801S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
Verlustleistung Pd: 15
Übergangsfrequenz ft: 150
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SD1801
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FGH30S130P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGH30S130P - IGBT, 60 A, 1.75 V, 500 W, 1.3 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.3kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FGH30S130P - IGBT, 60 A, 1.75 V, 500 W, 1.3 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.3kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FQPF65N06 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF65N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.016 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 40
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 56
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
Description: ONSEMI - FQPF65N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.016 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 40
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 56
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
на замовлення 1467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 1N5342BG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N5342BG - Zener-Diode, 6.8 V, 5 W, 017AA, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: 017AA
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N53 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 6.8V
Description: ONSEMI - 1N5342BG - Zener-Diode, 6.8 V, 5 W, 017AA, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: 017AA
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N53 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 6.8V
на замовлення 3850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FQA30N40 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQA30N40 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 30 A, 0.14 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400
Dauer-Drainstrom Id: 30
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 290
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FQA30N40 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 30 A, 0.14 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400
Dauer-Drainstrom Id: 30
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 290
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FQS4901TF |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQS4901TF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 450 mA, 3.2 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400
Dauer-Drainstrom Id: 450
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.2
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FQS4901TF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 450 mA, 3.2 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400
Dauer-Drainstrom Id: 450
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.2
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NTBG020N090SC1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBG020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 112 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 477W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
Description: ONSEMI - NTBG020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 112 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 477W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FGL40N120ANDTU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGL40N120ANDTU - IGBT,N-KANAL,SCHNELL,1200V,64A,TO264
Description: ONSEMI - FGL40N120ANDTU - IGBT,N-KANAL,SCHNELL,1200V,64A,TO264
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| BD241CG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD241CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BD241CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 1N5927BRLG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N5927BRLG - Zener-Diode, 12 V, 3 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 3W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Surmetic 1N59xxB
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
Description: ONSEMI - 1N5927BRLG - Zener-Diode, 12 V, 3 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 3W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Surmetic 1N59xxB
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
на замовлення 3039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NCT75DR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCT75DR2G - Temperatursensor-IC, Digital, ± 1°C, -55 °C, 125 °C, NSOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Genauigkeit: ± 1°C
rohsCompliant: YES
Erfassungsgenauigkeit: ± 3°C
IC-Ausgang: Open-Drain
Auflösung: 12 Bit
Gemessene Temperatur, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Gemessene Temperatur, min.: -55°C
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: -
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Sensorgehäuse/-bauform: NSOIC
Bauform - Sensor: SOIC
euEccn: NLR
Erfassungstemperatur, min.: -55°C
Erfassungstemperatur, max.: +125°C
Sensorausgang: Digital
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Ausgangsschnittstelle: I2C, SMBus
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NCT75DR2G - Temperatursensor-IC, Digital, ± 1°C, -55 °C, 125 °C, NSOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Genauigkeit: ± 1°C
rohsCompliant: YES
Erfassungsgenauigkeit: ± 3°C
IC-Ausgang: Open-Drain
Auflösung: 12 Bit
Gemessene Temperatur, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Gemessene Temperatur, min.: -55°C
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: -
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Sensorgehäuse/-bauform: NSOIC
Bauform - Sensor: SOIC
euEccn: NLR
Erfassungstemperatur, min.: -55°C
Erfassungstemperatur, max.: +125°C
Sensorausgang: Digital
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Ausgangsschnittstelle: I2C, SMBus
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BC549CTA |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC549CTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BC549CTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 9717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDH055N15A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDH055N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 156 A, 4800 µohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 156A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 429W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
Description: ONSEMI - FDH055N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 156 A, 4800 µohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 156A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 429W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FUSB251GEVB |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FUSB251GEVB - EVAL.BOARD USB-C ÜBERSPANNUNGSSCHUTZ
Prozessorkern: FUSB251UCX
Kit-Anwendungsbereich: Schnittstelle
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard FUSB251UCX
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Description: ONSEMI - FUSB251GEVB - EVAL.BOARD USB-C ÜBERSPANNUNGSSCHUTZ
Prozessorkern: FUSB251UCX
Kit-Anwendungsbereich: Schnittstelle
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard FUSB251UCX
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NCP603SN180T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP603SN180T1G - LDO-FESTSP.REGL 1.8V 0.3A -40 BIS 125°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: 1.8V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 6V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.75V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 1.8V 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 1.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 245mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 245mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
Description: ONSEMI - NCP603SN180T1G - LDO-FESTSP.REGL 1.8V 0.3A -40 BIS 125°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: 1.8V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 6V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.75V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 1.8V 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 1.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 245mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 245mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NCP603SN180T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP603SN180T1G - LDO-FESTSP.REGL 1.8V 0.3A -40 BIS 125°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: 1.8V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 6V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.75V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 1.8V 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 1.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 245mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 245mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
Description: ONSEMI - NCP603SN180T1G - LDO-FESTSP.REGL 1.8V 0.3A -40 BIS 125°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: 1.8V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 6V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.75V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 1.8V 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 1.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 245mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 245mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




























