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FSCQ0765RTYDTU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FSCQ0765RTYDTU - IC, AC/DC-Offline-Schaltnetzteil, Flyback, 85V AC bis 265V AC, 20kHz, 7Aout, 100W, TO-220F-5AC-Eingangsspannung, max.: 265 Nennleistung: 100 Betriebstemperatur, min.: -25 Bauform - AC/DC-Wandler: TO-220F Topologie: Flyback Anzahl der Pins: 5 Produktpalette: - AC-Eingangsspannung, min.: 85 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
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FDS4559 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS4559 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.055 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.055ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 5072 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDS4559 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS4559 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.055 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.055ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDS4559-F085 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS4559-F085 - 60V COMPLEMENTARY POWERTRENCH® MOSFETSVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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FSQ0365RN | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FSQ0365RN - Schaltnetzteil, 15V Versorgungsspannung, 55.6kHz, 700V, DIP-8tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Bauform - Controller-IC: DIP hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: - MSL: - usEccn: EAR99 Ausgangsspannung: 700V Frequenz: 55.6kHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 0V euEccn: NLR Eingangsspannung: - Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 15V Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1572 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NOIV1SN1300A-QDC | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NOIV1SN1300A-QDC - IMAGE SENSORSVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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NOIV1SN2000A-QDC | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NOIV1SN2000A-QDC - IMAGE SENSORSVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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AR0143ATSC00XUEA0-TPBR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0143ATSC00XUEA0-TPBR - IMAGE SENSORSVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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US1DFA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - US1DFA - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 50 ns, 30 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123FA Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 950mV Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2585 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SBRS8340T3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SBRS8340T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s), 500 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AB (SMC) Durchlassstoßstrom: 80A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 500mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 40V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 6015 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SBRS8340T3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SBRS8340T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s), 500 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AB (SMC) Durchlassstoßstrom: 80A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 500mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 40V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 6015 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CAT5115YI-00-GT3 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CAT5115YI-00-GT3 - DIGITAL POTENTIOMETER , 32-TAP 100 KSVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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CAT5115ZI-00-GT3 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CAT5115ZI-00-GT3 - DIGITAL POTENTIOMETER , 32-TAP 100 KSVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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50A02CH-TL-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 50A02CH-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 500 mA, 700 mW, CPH, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 700mW Bauform - Transistor: CPH Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 690MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 5710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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50A02CH-TL-H | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 50A02CH-TL-H - BIPOLAR TRANSISTORSVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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FDS6986AS | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS6986AS - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.9 A, 0.017 ohm, SOIC, OberflächenmontageSVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 1795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDS6986AS | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS6986AS - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.9 A, 0.017 ohm, SOIC, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 7.9 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2 Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.017 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 1.7 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 1795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDS6982AS | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS6982AS - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.011 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.011ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NVBG020N090SC1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVBG020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 112 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 112A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 477W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NTS260ESFT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTS260ESFT3G - SCHOTTKY RECTIFIERSSVHC: Lead (17-Jan-2022) |
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NRVTS2H60ESFT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NRVTS2H60ESFT1G - SCHOTTKY RECTIFIERSSVHC: Lead (17-Jan-2022) |
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FFSPF0865A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FFSPF0865A - FAST & ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERSSVHC: Lead (17-Jan-2022) |
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SS39 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SS39 - 3.0 A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERSSVHC: Lead (17-Jan-2022) |
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NRVBS3200NT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NRVBS3200NT3G - SCHOTTKY RECTIFIERSSVHC: Lead (17-Jan-2022) |
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NRVB140SFT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NRVB140SFT3G - SCHOTTKY RECTIFIERSSVHC: Lead (17-Jan-2022) |
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NRVBA340NT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NRVBA340NT3G - SCHOTTKY RECTIFIERSSVHC: Lead (17-Jan-2022) |
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FGA20S125P-SN00336 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGA20S125P-SN00336 - FAST & ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERSSVHC: Lead (19-Jan-2021) |
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FDPF51N25 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDPF51N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 28 A, 0.06 ohm, TO-220F, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250 Dauer-Drainstrom Id: 28 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 117 Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 5 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDPF33N25T | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDPF33N25T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 33 A, 0.094 ohm, TO-220F, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 94W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1601 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FQPF7N65C | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQPF7N65C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 1.4 ohm, TO-220F, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: QFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 27030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDPF2D3N10C | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDPF2D3N10C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 222 A, 2100 µohm, TO-220F, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 222A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FQPF9P25 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQPF9P25 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 6 A, 0.48 ohm, TO-220F, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: QFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
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| FQPF11P06 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQPF11P06 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.6 A, 0.14 ohm, TO-220FDrain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 8.6 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 30 Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: QFET Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 788 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| FGPF15N60UNDF | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGPF15N60UNDF - IGBT, 30 A, 2.2 V, 42 W, 600 V, TO-220F, 3 Pin(s)Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.2 DC-Kollektorstrom: 30 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-220F Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600 Verlustleistung Pd: 42 Betriebstemperatur, max.: 150 Produktpalette: - SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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KSH42CTF | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSH42CTF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 6 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK), OberflächenmontageSVHC: Lead (27-Jun-2018) |
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KSH42CTF | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSH42CTF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 6 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK), OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 15 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 1.75 Übergangsfrequenz ft: 3 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 6 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (27-Jun-2018) |
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74AC244SCX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 74AC244SCX - Puffer / Leitungstreiber, 74AC244, 2V bis 6V, WSOIC-20tariffCode: 85423990 Logik-IC-Sockelnummer: 74244 rohsCompliant: YES Logik-IC-Familie: 74AC Bauform - Logikbaustein: WSOIC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2V Logikfamilie / Sockelnummer: 74AC244 euEccn: NLR Logikbaustein: Puffer/Leitungstreiber Anzahl der Pins: 20Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 156 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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74AC240SC | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 74AC240SC - Puffer / Leitungstreiber, 74AC240, 2V bis 6V, SOIC-20Logik-IC-Sockelnummer: 74240 Logik-IC-Familie: 74AC Bauform - Logikbaustein: SOIC Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 2 Logikfamilie / Sockelnummer: 74AC240 Logikbaustein: Puffer, invertierend Anzahl der Pins: 20 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 6 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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74AC08SC | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 74AC08SC - AND-Gatter, 74AC08, 2 Eingänge, 24mA, 2V bis 6V, NSOIC-14Logik-IC-Sockelnummer: 7408 Logikfunktion: AND-Gatter Logik-IC-Familie: 74AC Bauform - Logikbaustein: NSOIC Ausgangsstrom: 24 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 2 Logikfamilie / Sockelnummer: 74AC08 Logiktyp: AND-Gatter Anzahl der Pins: 14 Produktpalette: 74AC08 Versorgungsspannung, max.: 6 Anzahl der Eingänge: 2 Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 85 Anzahl von Elementen: Vier SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
на замовлення 77 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| NCP1937B3DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1937B3DR2G - PFC CONTROLLERSVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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| NCP1937C61DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1937C61DR2G - PFC CONTROLLERSVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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| NCP1937C4DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1937C4DR2G - PFC CONTROLLERSVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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| NCP1937A3DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1937A3DR2G - PFC CONTROLLERSVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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| NCP1937A2DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1937A2DR2G - PFC CONTROLLERSVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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| NCP1937B51DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1937B51DR2G - PFC CONTROLLERSVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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| NCP1937A1DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1937A1DR2G - PFC CONTROLLERSVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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| NCP1937B2DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1937B2DR2G - PFC CONTROLLERSVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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| NCP1937C1DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1937C1DR2G - PFC CONTROLLERSVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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NCP1013AP100G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1013AP100G - AC / DC CONVERTERSSVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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NCP1013AP065G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1013AP065G - AC / DC CONVERTERSSVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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NCV3163PWR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV3163PWR2G - DC/DC-Schaltregler, Buck, invertierend, einstellbar, 2.5V bis 40Vin, 1.25V-40V/3.4Aout, SOIC-16Schaltfrequenz: 300 Bauform - DC/DC-Wandler-IC: SOIC Ausgangsspannung, min.: 1.25 Ausgangsspannung, max.: 40 Ausgangsstrom: 3.4 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Eingangsspannung, max.: 40 Eingangsspannung, min.: 2.5 Topologie: Buck, Boost, invertierend Anzahl der Pins: 16 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 125 Anzahl der Ausgänge: 1 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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NCV3163PWR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV3163PWR2G - DC/DC-Schaltregler, Buck, invertierend, einstellbar, 2.5V bis 40Vin, 1.25V-40V/3.4Aout, SOIC-16SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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BCP68T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BCP68T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 20 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 50 MSL: MSL 3 - 168 Stunden Verlustleistung Pd: 1.5 Übergangsfrequenz ft: 60 Bauform - Transistor: SOT-223 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 20 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 1 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
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BCP68T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BCP68T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 20 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 50 MSL: MSL 3 - 168 Stunden Verlustleistung Pd: 1.5 Übergangsfrequenz ft: 60 Bauform - Transistor: SOT-223 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 20 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 1 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
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BCP68 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BCP68 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA DC-Stromverstärkung hFE: 60hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 125750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BDX33BG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BDX33BG - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 80 V, 70 W, 10 A, TO-220, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 750hFE Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 70W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-220 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 10A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1746 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SZBZX84C22LT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SZBZX84C22LT3G - Zener-Diode, 22 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SZBZX84CxxxLT3G Series productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 22V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 8925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDN86246 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDN86246 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 1.6 A, 0.195 ohm, SuperSOT, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3959 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCP1653ADR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1653ADR2G - IC PFC-Controller 8.75-18V & 100mA Versorgung, 8.75V Abschaltung, 94% Tastverhältnis, 67kHz, SOIC-8SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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NCP1653ADR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1653ADR2G - IC PFC-Controller 8.75-18V & 100mA Versorgung, 8.75V Abschaltung, 94% Tastverhältnis, 67kHz, SOIC-8Versorgungsstrom: 100 Bauform - Controller-IC: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt Tastverhältnis (%): 94 Frequenz: 67 Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 8.75 Anzahl der Pins: 8 UVLO: 13.25 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 18 Einschaltstrom: 18 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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| FSCQ0765RTYDTU | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSCQ0765RTYDTU - IC, AC/DC-Offline-Schaltnetzteil, Flyback, 85V AC bis 265V AC, 20kHz, 7Aout, 100W, TO-220F-5
AC-Eingangsspannung, max.: 265
Nennleistung: 100
Betriebstemperatur, min.: -25
Bauform - AC/DC-Wandler: TO-220F
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
AC-Eingangsspannung, min.: 85
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FSCQ0765RTYDTU - IC, AC/DC-Offline-Schaltnetzteil, Flyback, 85V AC bis 265V AC, 20kHz, 7Aout, 100W, TO-220F-5
AC-Eingangsspannung, max.: 265
Nennleistung: 100
Betriebstemperatur, min.: -25
Bauform - AC/DC-Wandler: TO-220F
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
AC-Eingangsspannung, min.: 85
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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| FDS4559 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS4559 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.055 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.055ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - FDS4559 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.055 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.055ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 115.36 грн |
| 50+ | 72.50 грн |
| 100+ | 48.01 грн |
| 500+ | 34.94 грн |
| 1000+ | 29.21 грн |
| FDS4559 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS4559 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.055 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.055ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDS4559 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.055 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.055ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 46.50 грн |
| 500+ | 33.95 грн |
| 1000+ | 28.29 грн |
| FDS4559-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS4559-F085 - 60V COMPLEMENTARY POWERTRENCH® MOSFET
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FDS4559-F085 - 60V COMPLEMENTARY POWERTRENCH® MOSFET
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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| FSQ0365RN |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSQ0365RN - Schaltnetzteil, 15V Versorgungsspannung, 55.6kHz, 700V, DIP-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Controller-IC: DIP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 700V
Frequenz: 55.6kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 0V
euEccn: NLR
Eingangsspannung: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 15V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: ONSEMI - FSQ0365RN - Schaltnetzteil, 15V Versorgungsspannung, 55.6kHz, 700V, DIP-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Controller-IC: DIP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 700V
Frequenz: 55.6kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 0V
euEccn: NLR
Eingangsspannung: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 15V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 184.57 грн |
| 10+ | 149.08 грн |
| 50+ | 136.65 грн |
| 100+ | 114.53 грн |
| 250+ | 99.64 грн |
| 500+ | 92.79 грн |
| 1000+ | 79.86 грн |
| AR0143ATSC00XUEA0-TPBR |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0143ATSC00XUEA0-TPBR - IMAGE SENSOR
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - AR0143ATSC00XUEA0-TPBR - IMAGE SENSOR
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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| US1DFA |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - US1DFA - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 50 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FA
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - US1DFA - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 50 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FA
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 70+ | 12.69 грн |
| 100+ | 12.60 грн |
| 500+ | 11.54 грн |
| 1000+ | 10.57 грн |
| SBRS8340T3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBRS8340T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s), 500 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 80A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 500mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - SBRS8340T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s), 500 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 80A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 500mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 6015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 80.84 грн |
| 50+ | 52.80 грн |
| 100+ | 42.50 грн |
| 500+ | 31.39 грн |
| 1000+ | 26.47 грн |
| SBRS8340T3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBRS8340T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s), 500 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 80A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 500mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - SBRS8340T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s), 500 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 80A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 500mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 6015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 42.50 грн |
| 500+ | 31.39 грн |
| 1000+ | 26.47 грн |
| CAT5115YI-00-GT3 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5115YI-00-GT3 - DIGITAL POTENTIOMETER , 32-TAP 100 K
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - CAT5115YI-00-GT3 - DIGITAL POTENTIOMETER , 32-TAP 100 K
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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| CAT5115ZI-00-GT3 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5115ZI-00-GT3 - DIGITAL POTENTIOMETER , 32-TAP 100 K
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - CAT5115ZI-00-GT3 - DIGITAL POTENTIOMETER , 32-TAP 100 K
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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| 50A02CH-TL-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 50A02CH-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 500 mA, 700 mW, CPH, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: CPH
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 690MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 50A02CH-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 500 mA, 700 mW, CPH, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: CPH
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 690MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 51.82 грн |
| 50+ | 31.86 грн |
| 100+ | 20.41 грн |
| 500+ | 14.34 грн |
| 1500+ | 11.71 грн |
| FDS6986AS |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6986AS - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.9 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FDS6986AS - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.9 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 1795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 60.34 грн |
| 500+ | 36.91 грн |
| FDS6986AS |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6986AS - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.9 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 7.9
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.017
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.7
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FDS6986AS - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.9 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 7.9
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.017
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.7
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 1795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 85.90 грн |
| 12+ | 77.29 грн |
| 100+ | 60.34 грн |
| 500+ | 36.91 грн |
| FDS6982AS |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6982AS - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.011 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.011ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FDS6982AS - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.011 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.011ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 81.81 грн |
| 13+ | 69.04 грн |
| NVBG020N090SC1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVBG020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 112 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 477W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NVBG020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 112 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 477W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2707.31 грн |
| 5+ | 2571.55 грн |
| 10+ | 2065.76 грн |
| 50+ | 1915.73 грн |
| 100+ | 1765.33 грн |
| FFSPF0865A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSPF0865A - FAST & ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FFSPF0865A - FAST & ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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| SS39 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SS39 - 3.0 A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - SS39 - 3.0 A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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| FGA20S125P-SN00336 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGA20S125P-SN00336 - FAST & ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - FGA20S125P-SN00336 - FAST & ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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| FDPF51N25 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF51N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 28 A, 0.06 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 28
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 117
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FDPF51N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 28 A, 0.06 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 28
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 117
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 246.68 грн |
| 10+ | 209.42 грн |
| FDPF33N25T |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF33N25T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 33 A, 0.094 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDPF33N25T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 33 A, 0.094 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 244.02 грн |
| 10+ | 203.20 грн |
| 100+ | 112.69 грн |
| 500+ | 87.34 грн |
| 1000+ | 72.41 грн |
| FQPF7N65C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF7N65C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 1.4 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FQPF7N65C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 1.4 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 27030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 70.99 грн |
| FDPF2D3N10C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF2D3N10C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 222 A, 2100 µohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 222A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDPF2D3N10C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 222 A, 2100 µohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 222A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 597.19 грн |
| 10+ | 464.09 грн |
| 100+ | 361.15 грн |
| FQPF9P25 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF9P25 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 6 A, 0.48 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FQPF9P25 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 6 A, 0.48 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
товару немає в наявності
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од. на суму грн.
| FQPF11P06 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF11P06 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.6 A, 0.14 ohm, TO-220F
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 8.6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 30
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FQPF11P06 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.6 A, 0.14 ohm, TO-220F
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 8.6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 30
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 127.78 грн |
| 10+ | 114.47 грн |
| 100+ | 91.40 грн |
| 500+ | 72.26 грн |
| FGPF15N60UNDF |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGPF15N60UNDF - IGBT, 30 A, 2.2 V, 42 W, 600 V, TO-220F, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.2
DC-Kollektorstrom: 30
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-220F
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 42
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FGPF15N60UNDF - IGBT, 30 A, 2.2 V, 42 W, 600 V, TO-220F, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.2
DC-Kollektorstrom: 30
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-220F
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 42
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 326.55 грн |
| 10+ | 277.74 грн |
| 100+ | 236.92 грн |
| KSH42CTF |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSH42CTF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 6 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - KSH42CTF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 6 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
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| KSH42CTF |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSH42CTF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 6 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 15
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.75
Übergangsfrequenz ft: 3
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 6
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - KSH42CTF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 6 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 15
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.75
Übergangsfrequenz ft: 3
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 6
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
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| 74AC244SCX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 74AC244SCX - Puffer / Leitungstreiber, 74AC244, 2V bis 6V, WSOIC-20
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 74244
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74AC
Bauform - Logikbaustein: WSOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74AC244
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer/Leitungstreiber
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - 74AC244SCX - Puffer / Leitungstreiber, 74AC244, 2V bis 6V, WSOIC-20
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 74244
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74AC
Bauform - Logikbaustein: WSOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74AC244
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer/Leitungstreiber
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 73.30 грн |
| 16+ | 57.32 грн |
| 50+ | 52.89 грн |
| 100+ | 43.51 грн |
| 74AC240SC |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 74AC240SC - Puffer / Leitungstreiber, 74AC240, 2V bis 6V, SOIC-20
Logik-IC-Sockelnummer: 74240
Logik-IC-Familie: 74AC
Bauform - Logikbaustein: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2
Logikfamilie / Sockelnummer: 74AC240
Logikbaustein: Puffer, invertierend
Anzahl der Pins: 20
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 6
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - 74AC240SC - Puffer / Leitungstreiber, 74AC240, 2V bis 6V, SOIC-20
Logik-IC-Sockelnummer: 74240
Logik-IC-Familie: 74AC
Bauform - Logikbaustein: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2
Logikfamilie / Sockelnummer: 74AC240
Logikbaustein: Puffer, invertierend
Anzahl der Pins: 20
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 6
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| 74AC08SC |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 74AC08SC - AND-Gatter, 74AC08, 2 Eingänge, 24mA, 2V bis 6V, NSOIC-14
Logik-IC-Sockelnummer: 7408
Logikfunktion: AND-Gatter
Logik-IC-Familie: 74AC
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
Ausgangsstrom: 24
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2
Logikfamilie / Sockelnummer: 74AC08
Logiktyp: AND-Gatter
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 74AC08
Versorgungsspannung, max.: 6
Anzahl der Eingänge: 2
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl von Elementen: Vier
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - 74AC08SC - AND-Gatter, 74AC08, 2 Eingänge, 24mA, 2V bis 6V, NSOIC-14
Logik-IC-Sockelnummer: 7408
Logikfunktion: AND-Gatter
Logik-IC-Familie: 74AC
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
Ausgangsstrom: 24
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2
Logikfamilie / Sockelnummer: 74AC08
Logiktyp: AND-Gatter
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 74AC08
Versorgungsspannung, max.: 6
Anzahl der Eingänge: 2
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl von Elementen: Vier
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 80.75 грн |
| 14+ | 66.82 грн |
| NCV3163PWR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV3163PWR2G - DC/DC-Schaltregler, Buck, invertierend, einstellbar, 2.5V bis 40Vin, 1.25V-40V/3.4Aout, SOIC-16
Schaltfrequenz: 300
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: SOIC
Ausgangsspannung, min.: 1.25
Ausgangsspannung, max.: 40
Ausgangsstrom: 3.4
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Eingangsspannung, max.: 40
Eingangsspannung, min.: 2.5
Topologie: Buck, Boost, invertierend
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NCV3163PWR2G - DC/DC-Schaltregler, Buck, invertierend, einstellbar, 2.5V bis 40Vin, 1.25V-40V/3.4Aout, SOIC-16
Schaltfrequenz: 300
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: SOIC
Ausgangsspannung, min.: 1.25
Ausgangsspannung, max.: 40
Ausgangsstrom: 3.4
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Eingangsspannung, max.: 40
Eingangsspannung, min.: 2.5
Topologie: Buck, Boost, invertierend
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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| NCV3163PWR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV3163PWR2G - DC/DC-Schaltregler, Buck, invertierend, einstellbar, 2.5V bis 40Vin, 1.25V-40V/3.4Aout, SOIC-16
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NCV3163PWR2G - DC/DC-Schaltregler, Buck, invertierend, einstellbar, 2.5V bis 40Vin, 1.25V-40V/3.4Aout, SOIC-16
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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| BCP68T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCP68T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 20 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 50
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Verlustleistung Pd: 1.5
Übergangsfrequenz ft: 60
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 20
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - BCP68T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 20 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 50
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Verlustleistung Pd: 1.5
Übergangsfrequenz ft: 60
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 20
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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| BCP68T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCP68T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 20 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 50
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Verlustleistung Pd: 1.5
Übergangsfrequenz ft: 60
Bauform - Transistor: SOT-223
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 20
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - BCP68T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 20 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 50
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Verlustleistung Pd: 1.5
Übergangsfrequenz ft: 60
Bauform - Transistor: SOT-223
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 20
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
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од. на суму грн.
| BCP68 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCP68 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
DC-Stromverstärkung hFE: 60hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - BCP68 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
DC-Stromverstärkung hFE: 60hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 125750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 137+ | 6.48 грн |
| BDX33BG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BDX33BG - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 80 V, 70 W, 10 A, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 750hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 70W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 10A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BDX33BG - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 80 V, 70 W, 10 A, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 750hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 70W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 10A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 133.99 грн |
| 14+ | 63.53 грн |
| 100+ | 56.52 грн |
| 500+ | 40.21 грн |
| 1000+ | 31.87 грн |
| SZBZX84C22LT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZBZX84C22LT3G - Zener-Diode, 22 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SZBZX84CxxxLT3G Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 22V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - SZBZX84C22LT3G - Zener-Diode, 22 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SZBZX84CxxxLT3G Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 22V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 106+ | 8.42 грн |
| 164+ | 5.44 грн |
| 363+ | 2.45 грн |
| 500+ | 1.96 грн |
| 1000+ | 1.51 грн |
| 5000+ | 1.45 грн |
| FDN86246 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN86246 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 1.6 A, 0.195 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDN86246 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 1.6 A, 0.195 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 118.02 грн |
| 11+ | 84.30 грн |
| 100+ | 64.24 грн |
| 500+ | 46.14 грн |
| 1000+ | 40.31 грн |
| NCP1653ADR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1653ADR2G - IC PFC-Controller 8.75-18V & 100mA Versorgung, 8.75V Abschaltung, 94% Tastverhältnis, 67kHz, SOIC-8
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - NCP1653ADR2G - IC PFC-Controller 8.75-18V & 100mA Versorgung, 8.75V Abschaltung, 94% Tastverhältnis, 67kHz, SOIC-8
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NCP1653ADR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1653ADR2G - IC PFC-Controller 8.75-18V & 100mA Versorgung, 8.75V Abschaltung, 94% Tastverhältnis, 67kHz, SOIC-8
Versorgungsstrom: 100
Bauform - Controller-IC: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Tastverhältnis (%): 94
Frequenz: 67
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 8.75
Anzahl der Pins: 8
UVLO: 13.25
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 18
Einschaltstrom: 18
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - NCP1653ADR2G - IC PFC-Controller 8.75-18V & 100mA Versorgung, 8.75V Abschaltung, 94% Tastverhältnis, 67kHz, SOIC-8
Versorgungsstrom: 100
Bauform - Controller-IC: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Tastverhältnis (%): 94
Frequenz: 67
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 8.75
Anzahl der Pins: 8
UVLO: 13.25
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 18
Einschaltstrom: 18
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.

































