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FDT86256 FDT86256 ONSEMI 2729247.pdf Description: ONSEMI - FDT86256 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 3 A, 0.695 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.695ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+112.25 грн
50+85.41 грн
250+62.96 грн
1000+42.60 грн
Мінімальне замовлення: 8
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FDT86256 FDT86256 ONSEMI 2729247.pdf Description: ONSEMI - FDT86256 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 3 A, 0.695 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.695ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+62.96 грн
1000+42.60 грн
Мінімальне замовлення: 500
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BC857BDW1T1G BC857BDW1T1G ONSEMI 2140510.pdf Description: ONSEMI - BC857BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach pnp, 45 V, 100 mA
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: 380mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 150hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: BCxxx Series
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 22533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+15.86 грн
89+9.19 грн
150+5.46 грн
500+3.97 грн
1500+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 52
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NLV14040BDR2G NLV14040BDR2G ONSEMI MC14040B-D.PDF Description: ONSEMI - NLV14040BDR2G - 12-BIT BINARY COUNTER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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NLV14040BDTR2G NLV14040BDTR2G ONSEMI MC14040B-D.PDF Description: ONSEMI - NLV14040BDTR2G - 12-BIT BINARY COUNTER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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NLV14029BDR2G NLV14029BDR2G ONSEMI MC14029B-D.PDF Description: ONSEMI - NLV14029BDR2G - BINARY/DECADE UP/DOWN COUNTER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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NLV14040BDG NLV14040BDG ONSEMI MC14040B-D.PDF Description: ONSEMI - NLV14040BDG - 12-BIT BINARY COUNTER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
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NLV14020BDR2G NLV14020BDR2G ONSEMI MC14020B-D.PDF Description: ONSEMI - NLV14020BDR2G - 14-BIT BINARY COUNTER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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DAP222T1G DAP222T1G ONSEMI dap222-d.pdf Description: ONSEMI - DAP222T1G - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Anode, 80 V, 100 mA, 1.2 V, 4 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-416
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 80V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 39420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
116+7.03 грн
207+3.94 грн
269+3.03 грн
500+2.34 грн
1000+1.74 грн
5000+1.32 грн
Мінімальне замовлення: 116
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2SB1201S-TL-E 2SB1201S-TL-E ONSEMI 2sb1201-d.pdf Description: ONSEMI - 2SB1201S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+83.78 грн
20+41.00 грн
100+31.81 грн
500+28.93 грн
1000+26.15 грн
Мінімальне замовлення: 10
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2SB1201S-TL-E 2SB1201S-TL-E ONSEMI 2sb1201-d.pdf Description: ONSEMI - 2SB1201S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.81 грн
500+28.93 грн
1000+26.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
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DAN222G DAN222G ONSEMI DAN222-D.PDF Description: ONSEMI - DAN222G - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 80 V, 100 mA, 1.2 V, 4 ns, 2 A
Bauform - Diode: SOT-416
Durchlassstoßstrom: 2
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2
Sperrverzögerungszeit: 4
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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FSQ0165RLX FSQ0165RLX ONSEMI FSQ321-D.pdf Description: ONSEMI - FSQ0165RLX - POWER LOAD DISTRIBUTION SWITCHES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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FGL12040WD FGL12040WD ONSEMI FGL12040WD-D.pdf Description: ONSEMI - FGL12040WD - IGBT, 1200 V, 40 A FIELD STOP TRENCH
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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FAN5333BSX FAN5333BSX ONSEMI 2303888.pdf Description: ONSEMI - FAN5333BSX - LED-Treiber, 1 Ausgang, Boost (Aufwärts), 1.8V-5.5Vin, 1.5MHz Schaltfrequenz, 30V/65mAout, SOT-23-5
Schaltfrequenz: 1.5
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 30
Betriebstemperatur, min.: -40
Eingangsspannung, max.: 5.5
Bauform - Treiber: SOT-23
Ausgangsstrom, max.: 65
Bausteintopologie: Boost (Aufwärts)
Eingangsspannung, min.: 1.8
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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FAN5333ASX FAN5333ASX ONSEMI 2572368.pdf Description: ONSEMI - FAN5333ASX - LED-Treiber, Boost (Aufwärts), 1 Ausgang, 1.8V bis 5.5Vin, 30V/1.5MHz, SOT-23-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 30V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 1.5MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: -
Eingangsspannung, min.: 1.8V
Topologie: Boost
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 8920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+173.26 грн
10+110.63 грн
50+99.24 грн
100+75.31 грн
250+60.87 грн
500+57.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
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FAN5333BSX FAN5333BSX ONSEMI 2303888.pdf Description: ONSEMI - FAN5333BSX - LED-Treiber, Boost (Aufwärts), 1 Ausgang, 1.8V bis 5.5Vin, 30V/1.5Aout, 1.5MHz, SOT-23-5
Schaltfrequenz: 1.5
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 30
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Eingangsspannung, max.: 5.5
Bauform - Treiber: SOT-23
Bausteintopologie: Boost (Aufwärts)
Ausgangsstrom, max.: 1.5
Eingangsspannung, min.: 1.8
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
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FAN5333BSX FAN5333BSX ONSEMI 2303888.pdf Description: ONSEMI - FAN5333BSX - LED-Treiber, 1 Ausgang, Boost (Aufwärts), 1.8V-5.5Vin, 1.5MHz Schaltfrequenz, 30V/65mAout, SOT-23-5
IC-Montage: Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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NCV2931ACDR2G NCV2931ACDR2G ONSEMI ONSMS26170-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: ONSEMI - NCV2931ACDR2G - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 6V bis 40Vin, 160mV Dropout, 3V bis 29.5Vout/0.1Aout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 3V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 29.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Adj 100mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 160mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+87.85 грн
22+37.34 грн
100+28.23 грн
500+22.81 грн
1000+19.94 грн
Мінімальне замовлення: 10
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NCV3065DR2G NCV3065DR2G ONSEMI 715058.pdf Description: ONSEMI - NCV3065DR2G - LED-Treiber, AEC-Q100, Buck, Boost, 3V bis 40Vin, 250kHz Schaltfrequenz, 1.5Aout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 250kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Eingangsspannung, min.: 3V
Topologie: Boost, Buck
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+52.57 грн
250+46.37 грн
500+46.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
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CPH3360-TL-W. CPH3360-TL-W. ONSEMI 2000334.pdf Description: ONSEMI - CPH3360-TL-W. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.233 ohm, CPH, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 1.6
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 900
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6
Verlustleistung: 900
Bauform - Transistor: CPH
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.233
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.233
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
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CPH3360-TL-W. CPH3360-TL-W. ONSEMI 2000334.pdf Description: ONSEMI - CPH3360-TL-W. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.233 ohm, CPH, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 900
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.233
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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NCP551SN33T1G NCP551SN33T1G ONSEMI 2160723.pdf Description: ONSEMI - NCP551SN33T1G - LDO-Festspannungsregler, 4.3V bis 12V, 40mV Dropout, 3.3Vout, 150mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 12V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 4.3V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 150mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 40mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 40mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.47 грн
500+15.41 грн
1000+13.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
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BC807-40LT3G BC807-40LT3G ONSEMI 2237009.pdf Description: ONSEMI - BC807-40LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+12.93 грн
105+7.76 грн
250+4.77 грн
1000+2.86 грн
Мінімальне замовлення: 63
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P6KE15A.. P6KE15A.. ONSEMI 2285771.pdf Description: ONSEMI - P6KE15A.. - TVS-Diode, P6KE1, Unidirektional, 12.8 V, 21.2 V, DO-204AC, 2 Pin(s)
Bauform - Diode: DO-204AC
Durchbruchspannung, min.: 14.3
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 15.8
Sperrspannung: 12.8
Spitzenimpulsverlustleistung: 600
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: P6KE1
Klemmspannung, max.: 21.2
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
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NRVBA340T3G NRVBA340T3G ONSEMI 1750836.pdf Description: ONSEMI - NRVBA340T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 450 mV
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 100
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 450
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
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NRVBA340T3G NRVBA340T3G ONSEMI 1750836.pdf Description: ONSEMI - NRVBA340T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 450 mV
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
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NRVBA340T3G-VF01 ONSEMI 2907064.pdf Description: ONSEMI - NRVBA340T3G-VF01 - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 450 mV
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
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NRVBA340T3G-VF01 ONSEMI 2907064.pdf Description: ONSEMI - NRVBA340T3G-VF01 - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 450 mV
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 100
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 450
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
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UF3C065030K4S UF3C065030K4S ONSEMI 3750883.pdf Description: ONSEMI - UF3C065030K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1376.34 грн
5+1292.56 грн
10+1209.59 грн
50+1045.39 грн
100+945.45 грн
250+926.63 грн
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NUP4202W1T2G NUP4202W1T2G ONSEMI ONSM-S-A0013300010-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NUP4202W1T2G - ESD-Schutzbaustein, 14.5 V, SC-88, 6 Pin(s), 5 V, 500 W, NUP42
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-88
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 14.5V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: NUP42
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 59589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+71.42 грн
50+48.07 грн
100+40.75 грн
500+31.12 грн
1500+28.17 грн
Мінімальне замовлення: 12
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BD180G BD180G ONSEMI ONSM-S-A0013776956-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BD180G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 3 A, 30 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-225AA
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+78.09 грн
16+51.57 грн
100+39.29 грн
500+27.65 грн
1000+25.03 грн
Мінімальне замовлення: 11
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CS5173EDR8G CS5173EDR8G ONSEMI 710337.pdf Description: ONSEMI - CS5173EDR8G - Aufwärts-Schaltregler (Boost), feste Ausgangsspannung, 2.7V bis 30Vin, 40V/1.5Aout, 560 kHz, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Fest
Ausgangsspannung, min.: 3V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 39V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 1.5A
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 560kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 30V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 2.7V
Topologie: Boost
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Wirkungsgrad: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+239.15 грн
10+135.03 грн
50+122.83 грн
100+101.97 грн
250+82.27 грн
500+81.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
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CS5173EDR8G CS5173EDR8G ONSEMI 710337.pdf Description: ONSEMI - CS5173EDR8G - Aufwärts-Schaltregler (Boost), feste Ausgangsspannung, 2.7V bis 30Vin, 40V/1.5Aout, 560 kHz, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Fest
Ausgangsspannung, min.: 3V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 39V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 1.5A
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 560kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 30V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 2.7V
Topologie: Boost
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Wirkungsgrad: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+101.97 грн
250+82.27 грн
500+81.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
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BZX85-C6V2 BZX85-C6V2 ONSEMI 2303870.pdf Description: ONSEMI - BZX85-C6V2 - Zener-Diode, 6.2 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 6.2
Verlustleistung: 1
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: BZX85C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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BAV70WT1G BAV70WT1G ONSEMI 1910408.pdf Description: ONSEMI - BAV70WT1G - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 70 V, 150 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAV70
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 24207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.52 грн
132+6.18 грн
210+3.88 грн
500+2.51 грн
1500+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
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DFB2040 DFB2040 ONSEMI dfb2080-d.pdf Description: ONSEMI - DFB2040 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 400 V, 20 A, TS-6P, 4 Pin(s), 1 V
Bauform - Brückengleichrichter: TS-6P
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20
Anzahl der Pins: 4
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchlassspannung, max.: 1
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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EU-SIGFOX-GEVB EU-SIGFOX-GEVB ONSEMI 2616225.pdf Description: ONSEMI - EU-SIGFOX-GEVB - Entwicklungsboard, Sigfox, 868MHz (EU), Erweiterungsboard für IoT-Development Kit
Prozessorkern: AX-SFEU-1-01-TX30
Kit-Anwendungsbereich: HF / ZF
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: IoT-IDK-EU-SigFox-Evaluationsboard AX-SFEU-1-01-TX30
Unterart Anwendung: Internet of Things (IoT)
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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FDS6612A FDS6612A ONSEMI 2304579.pdf Description: ONSEMI - FDS6612A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.4 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+76.79 грн
17+47.91 грн
100+36.36 грн
500+25.53 грн
1000+21.41 грн
Мінімальне замовлення: 11
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FDS6670AS FDS6670AS ONSEMI 2572541.pdf Description: ONSEMI - FDS6670AS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13.5 A, 0.0075 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 13.5
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: PowerTrench SyncFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0075
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
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FDS6690AS FDS6690AS ONSEMI 2304185.pdf Description: ONSEMI - FDS6690AS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 10
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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S2J S2J ONSEMI s2m-d.pdf s2a.pdf FAIR-S-A0001351929-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - S2J - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 2 A, Einfach, 1.15 V, 2 µs, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.15V
Sperrverzögerungszeit: 2µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: S2J
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+20.25 грн
67+12.20 грн
100+10.98 грн
500+8.16 грн
1000+6.95 грн
Мінімальне замовлення: 41
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NL17SZ126DFT2G NL17SZ126DFT2G ONSEMI nl17sz126-d.pdf Description: ONSEMI - NL17SZ126DFT2G - Puffer, 1.65V bis 5.5V, SOT-353-5
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: -
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 17SZ
Bauform - Logikbaustein: SOT-353
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-353
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikfamilie / Sockelnummer: -
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+7.79 грн
201+4.05 грн
275+2.96 грн
500+2.39 грн
1000+1.94 грн
5000+1.87 грн
Мінімальне замовлення: 105
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BCX19LT1G BCX19LT1G ONSEMI ONSM-S-A0013215100-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BCX19LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NC7SZ157P6X NC7SZ157P6X ONSEMI 2304287.pdf Description: ONSEMI - NC7SZ157P6X - Multiplexer, 1 Kanal, 2:1, 1.65V bis 5.5V, SC-70-6
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 74157
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: NC7S
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikfamilie / Sockelnummer: NC7S157
Logiktyp: Multiplexer
euEccn: NLR
Leitungskonfiguration: 2:1
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+19.36 грн
61+13.50 грн
106+7.68 грн
500+4.53 грн
1500+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 43
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CAT5113VI-00-GT3 CAT5113VI-00-GT3 ONSEMI cat5113-d.pdf Description: ONSEMI - CAT5113VI-00-GT3 - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 100 kohm, Einfach, Seriell, Linear, ± 20%, 2.7 V
Bauform - Potentiometer: SOIC
Anzahl der Potentiometer: Einfach
Widerstandsverlauf: Linear
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl Schritte: 100
Betriebstemperatur, min.: -40
Widerstandstoleranz: ± 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.7
Temperaturkoeffizient: ± 300ppm/°C
Steuer-/Bedienschnittstelle: Seriell
Gesamtwiderstand: 100
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 6
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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CAT5113VI-00-GT3 CAT5113VI-00-GT3 ONSEMI cat5113-d.pdf Description: ONSEMI - CAT5113VI-00-GT3 - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 100 kohm, Einfach, Seriell, Linear, ± 20%, 2.7 V
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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CAT5140ZI-00-GT3. CAT5140ZI-00-GT3. ONSEMI Description: ONSEMI - CAT5140ZI-00-GT3. - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 100 kohm, Einfach, I2C, Linear, ± 20%, 2.5 V
Bauform - Potentiometer: MSOP
Anzahl der Potentiometer: Einfach
Widerstandsverlauf: Linear
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl Schritte: 256
Betriebstemperatur, min.: -40
Widerstandstoleranz: ± 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.5
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/°C
Steuer-/Bedienschnittstelle: I2C
Gesamtwiderstand: 100
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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CAT5111ZI-00-T3. CAT5111ZI-00-T3. ONSEMI Description: ONSEMI - CAT5111ZI-00-T3. - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 100 kohm, Einfach, Auf, Ab, Linear, ± 20%, 2.5 V
Bauform - Potentiometer: MSOP
Anzahl der Potentiometer: Einfach
Widerstandsverlauf: Linear
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl Schritte: 100
Betriebstemperatur, min.: -40
Widerstandstoleranz: ± 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.5
Temperaturkoeffizient: 300ppm/°C
Steuer-/Bedienschnittstelle: Auf, Ab
Gesamtwiderstand: 100
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 6
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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CAT5221WI-00-T1. CAT5221WI-00-T1. ONSEMI Description: ONSEMI - CAT5221WI-00-T1. - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 100 kohm, Zweifach, I2C, Linear, ± 20%, 2.5 V
Bauform - Potentiometer: SOIC
Anzahl der Potentiometer: Zweifach
Widerstandsverlauf: Linear
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl Schritte: 64
Betriebstemperatur, min.: -40
Widerstandstoleranz: ± 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.5
Temperaturkoeffizient: ± 300ppm/°C
Steuer-/Bedienschnittstelle: I2C
Gesamtwiderstand: 100
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 20
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 6
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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FDPF12N50FT FDPF12N50FT ONSEMI FDPF12N50FT-D.pdf Description: ONSEMI - FDPF12N50FT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.5 A, 0.59 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 11.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 42
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 42
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.59
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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FDPF55N06 FDPF55N06 ONSEMI fdpf55n06-d.pdf Description: ONSEMI - FDPF55N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 0.018 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 15290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+173.26 грн
12+69.87 грн
100+66.54 грн
500+58.24 грн
1000+53.48 грн
5000+52.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
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NCL31000ASGEVB NCL31000ASGEVB ONSEMI evbum2798-d.pdf Description: ONSEMI - NCL31000ASGEVB - Evaluationsboard, NCL31000, Arduino-Shield, intelligenter LED-Treiber
Prozessorkern: NCL31000MNITWG, NCL31000MNSTWG, NCL31001MNITWG, NCL31001MNSTWG
Prozessorarchitektur: -
Prozessorfamilie: -
Anzahl der Bits: -
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard NCL31000, Arduino-Shield, intelligenter LED-Treiber
Prozessorserie: -
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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FQA70N10 FQA70N10 ONSEMI fqa70n10-d.pdf Description: ONSEMI - FQA70N10 - Leistungs-MOSFET, Universal, n-Kanal, 100 V, 70 A, 0.023 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+143.98 грн
10+120.39 грн
100+119.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
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FQA32N20C FQA32N20C ONSEMI 1851213.pdf Description: ONSEMI - FQA32N20C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 32 A, 0.068 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 204W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 204W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.068ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+283.89 грн
10+242.41 грн
100+167.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
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FQA10N80C-F109 FQA10N80C-F109 ONSEMI ONSM-S-A0013297897-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQA10N80C-F109 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10 A, 0.93 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 10
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 240
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 240
Bauform - Transistor: TO-3PN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.93
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.93
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+374.18 грн
10+318.87 грн
100+238.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
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FQA40N25 FQA40N25 ONSEMI fqa40n25-d.pdf Description: ONSEMI - FQA40N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 40 A, 0.051 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+377.44 грн
10+187.90 грн
100+174.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
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FQA9P25 FQA9P25 ONSEMI 2907411.pdf Description: ONSEMI - FQA9P25 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 10.5 A, 0.48 ohm, TO-3PN
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 10.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 150
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.48
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+235.90 грн
10+212.31 грн
100+147.23 грн
500+115.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
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FQA28N15 FQA28N15 ONSEMI ONSM-S-A0013297967-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQA28N15 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.067 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 33
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 227
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 227
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.067
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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FQA6N90C-F109 FQA6N90C-F109 ONSEMI ONSM-S-A0013297680-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQA6N90C-F109 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 6 A, 1.93 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 6
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 198
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 198
Bauform - Transistor: TO-3PN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.93
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.93
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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FDT86256 2729247.pdf
FDT86256
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDT86256 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 3 A, 0.695 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.695ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+112.25 грн
50+85.41 грн
250+62.96 грн
1000+42.60 грн
Мінімальне замовлення: 8
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FDT86256 2729247.pdf
FDT86256
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDT86256 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 3 A, 0.695 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.695ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+62.96 грн
1000+42.60 грн
Мінімальне замовлення: 500
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BC857BDW1T1G 2140510.pdf
BC857BDW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC857BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach pnp, 45 V, 100 mA
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: 380mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 150hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: BCxxx Series
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 22533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
52+15.86 грн
89+9.19 грн
150+5.46 грн
500+3.97 грн
1500+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 52
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NLV14040BDR2G MC14040B-D.PDF
NLV14040BDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV14040BDR2G - 12-BIT BINARY COUNTER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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NLV14040BDTR2G MC14040B-D.PDF
NLV14040BDTR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV14040BDTR2G - 12-BIT BINARY COUNTER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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NLV14029BDR2G MC14029B-D.PDF
NLV14029BDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV14029BDR2G - BINARY/DECADE UP/DOWN COUNTER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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NLV14040BDG MC14040B-D.PDF
NLV14040BDG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV14040BDG - 12-BIT BINARY COUNTER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
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NLV14020BDR2G MC14020B-D.PDF
NLV14020BDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV14020BDR2G - 14-BIT BINARY COUNTER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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DAP222T1G dap222-d.pdf
DAP222T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DAP222T1G - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Anode, 80 V, 100 mA, 1.2 V, 4 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-416
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 80V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 39420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
116+7.03 грн
207+3.94 грн
269+3.03 грн
500+2.34 грн
1000+1.74 грн
5000+1.32 грн
Мінімальне замовлення: 116
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2SB1201S-TL-E 2sb1201-d.pdf
2SB1201S-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SB1201S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+83.78 грн
20+41.00 грн
100+31.81 грн
500+28.93 грн
1000+26.15 грн
Мінімальне замовлення: 10
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2SB1201S-TL-E 2sb1201-d.pdf
2SB1201S-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SB1201S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+31.81 грн
500+28.93 грн
1000+26.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
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DAN222G DAN222-D.PDF
DAN222G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DAN222G - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 80 V, 100 mA, 1.2 V, 4 ns, 2 A
Bauform - Diode: SOT-416
Durchlassstoßstrom: 2
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2
Sperrverzögerungszeit: 4
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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FSQ0165RLX FSQ321-D.pdf
FSQ0165RLX
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSQ0165RLX - POWER LOAD DISTRIBUTION SWITCHES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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FGL12040WD FGL12040WD-D.pdf
FGL12040WD
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGL12040WD - IGBT, 1200 V, 40 A FIELD STOP TRENCH
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
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FAN5333BSX 2303888.pdf
FAN5333BSX
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FAN5333BSX - LED-Treiber, 1 Ausgang, Boost (Aufwärts), 1.8V-5.5Vin, 1.5MHz Schaltfrequenz, 30V/65mAout, SOT-23-5
Schaltfrequenz: 1.5
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 30
Betriebstemperatur, min.: -40
Eingangsspannung, max.: 5.5
Bauform - Treiber: SOT-23
Ausgangsstrom, max.: 65
Bausteintopologie: Boost (Aufwärts)
Eingangsspannung, min.: 1.8
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
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FAN5333ASX 2572368.pdf
FAN5333ASX
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FAN5333ASX - LED-Treiber, Boost (Aufwärts), 1 Ausgang, 1.8V bis 5.5Vin, 30V/1.5MHz, SOT-23-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 30V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 1.5MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: -
Eingangsspannung, min.: 1.8V
Topologie: Boost
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 8920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+173.26 грн
10+110.63 грн
50+99.24 грн
100+75.31 грн
250+60.87 грн
500+57.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
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FAN5333BSX 2303888.pdf
FAN5333BSX
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FAN5333BSX - LED-Treiber, Boost (Aufwärts), 1 Ausgang, 1.8V bis 5.5Vin, 30V/1.5Aout, 1.5MHz, SOT-23-5
Schaltfrequenz: 1.5
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 30
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Eingangsspannung, max.: 5.5
Bauform - Treiber: SOT-23
Bausteintopologie: Boost (Aufwärts)
Ausgangsstrom, max.: 1.5
Eingangsspannung, min.: 1.8
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
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FAN5333BSX 2303888.pdf
FAN5333BSX
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FAN5333BSX - LED-Treiber, 1 Ausgang, Boost (Aufwärts), 1.8V-5.5Vin, 1.5MHz Schaltfrequenz, 30V/65mAout, SOT-23-5
IC-Montage: Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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NCV2931ACDR2G ONSMS26170-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419
NCV2931ACDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV2931ACDR2G - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 6V bis 40Vin, 160mV Dropout, 3V bis 29.5Vout/0.1Aout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 3V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 29.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Adj 100mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 160mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+87.85 грн
22+37.34 грн
100+28.23 грн
500+22.81 грн
1000+19.94 грн
Мінімальне замовлення: 10
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NCV3065DR2G 715058.pdf
NCV3065DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV3065DR2G - LED-Treiber, AEC-Q100, Buck, Boost, 3V bis 40Vin, 250kHz Schaltfrequenz, 1.5Aout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 250kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Eingangsspannung, min.: 3V
Topologie: Boost, Buck
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+52.57 грн
250+46.37 грн
500+46.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
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CPH3360-TL-W. 2000334.pdf
CPH3360-TL-W.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CPH3360-TL-W. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.233 ohm, CPH, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 1.6
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 900
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6
Verlustleistung: 900
Bauform - Transistor: CPH
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.233
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.233
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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CPH3360-TL-W. 2000334.pdf
CPH3360-TL-W.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CPH3360-TL-W. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.233 ohm, CPH, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 900
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.233
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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NCP551SN33T1G 2160723.pdf
NCP551SN33T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP551SN33T1G - LDO-Festspannungsregler, 4.3V bis 12V, 40mV Dropout, 3.3Vout, 150mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 12V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 4.3V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 150mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 40mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 40mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+18.47 грн
500+15.41 грн
1000+13.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
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BC807-40LT3G 2237009.pdf
BC807-40LT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC807-40LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
63+12.93 грн
105+7.76 грн
250+4.77 грн
1000+2.86 грн
Мінімальне замовлення: 63
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P6KE15A.. 2285771.pdf
P6KE15A..
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - P6KE15A.. - TVS-Diode, P6KE1, Unidirektional, 12.8 V, 21.2 V, DO-204AC, 2 Pin(s)
Bauform - Diode: DO-204AC
Durchbruchspannung, min.: 14.3
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 15.8
Sperrspannung: 12.8
Spitzenimpulsverlustleistung: 600
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: P6KE1
Klemmspannung, max.: 21.2
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
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NRVBA340T3G 1750836.pdf
NRVBA340T3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NRVBA340T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 450 mV
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 100
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 450
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
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NRVBA340T3G 1750836.pdf
NRVBA340T3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NRVBA340T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 450 mV
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
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NRVBA340T3G-VF01 2907064.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NRVBA340T3G-VF01 - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 450 mV
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
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NRVBA340T3G-VF01 2907064.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NRVBA340T3G-VF01 - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 450 mV
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 100
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 450
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
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UF3C065030K4S 3750883.pdf
UF3C065030K4S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UF3C065030K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1376.34 грн
5+1292.56 грн
10+1209.59 грн
50+1045.39 грн
100+945.45 грн
250+926.63 грн
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NUP4202W1T2G ONSM-S-A0013300010-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NUP4202W1T2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NUP4202W1T2G - ESD-Schutzbaustein, 14.5 V, SC-88, 6 Pin(s), 5 V, 500 W, NUP42
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-88
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 14.5V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: NUP42
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 59589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+71.42 грн
50+48.07 грн
100+40.75 грн
500+31.12 грн
1500+28.17 грн
Мінімальне замовлення: 12
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BD180G ONSM-S-A0013776956-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BD180G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD180G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 3 A, 30 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-225AA
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+78.09 грн
16+51.57 грн
100+39.29 грн
500+27.65 грн
1000+25.03 грн
Мінімальне замовлення: 11
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CS5173EDR8G 710337.pdf
CS5173EDR8G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CS5173EDR8G - Aufwärts-Schaltregler (Boost), feste Ausgangsspannung, 2.7V bis 30Vin, 40V/1.5Aout, 560 kHz, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Fest
Ausgangsspannung, min.: 3V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 39V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 1.5A
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 560kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 30V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 2.7V
Topologie: Boost
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Wirkungsgrad: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+239.15 грн
10+135.03 грн
50+122.83 грн
100+101.97 грн
250+82.27 грн
500+81.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
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CS5173EDR8G 710337.pdf
CS5173EDR8G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CS5173EDR8G - Aufwärts-Schaltregler (Boost), feste Ausgangsspannung, 2.7V bis 30Vin, 40V/1.5Aout, 560 kHz, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Fest
Ausgangsspannung, min.: 3V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 39V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 1.5A
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 560kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 30V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 2.7V
Topologie: Boost
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Wirkungsgrad: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+101.97 грн
250+82.27 грн
500+81.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
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BZX85-C6V2 2303870.pdf
BZX85-C6V2
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX85-C6V2 - Zener-Diode, 6.2 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 6.2
Verlustleistung: 1
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: BZX85C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
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BAV70WT1G 1910408.pdf
BAV70WT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAV70WT1G - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 70 V, 150 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAV70
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 24207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+9.52 грн
132+6.18 грн
210+3.88 грн
500+2.51 грн
1500+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
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DFB2040 dfb2080-d.pdf
DFB2040
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DFB2040 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 400 V, 20 A, TS-6P, 4 Pin(s), 1 V
Bauform - Brückengleichrichter: TS-6P
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20
Anzahl der Pins: 4
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchlassspannung, max.: 1
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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EU-SIGFOX-GEVB 2616225.pdf
EU-SIGFOX-GEVB
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - EU-SIGFOX-GEVB - Entwicklungsboard, Sigfox, 868MHz (EU), Erweiterungsboard für IoT-Development Kit
Prozessorkern: AX-SFEU-1-01-TX30
Kit-Anwendungsbereich: HF / ZF
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: IoT-IDK-EU-SigFox-Evaluationsboard AX-SFEU-1-01-TX30
Unterart Anwendung: Internet of Things (IoT)
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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FDS6612A 2304579.pdf
FDS6612A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6612A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.4 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+76.79 грн
17+47.91 грн
100+36.36 грн
500+25.53 грн
1000+21.41 грн
Мінімальне замовлення: 11
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FDS6670AS 2572541.pdf
FDS6670AS
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6670AS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13.5 A, 0.0075 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 13.5
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: PowerTrench SyncFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0075
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
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FDS6690AS 2304185.pdf
FDS6690AS
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6690AS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 10
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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S2J s2m-d.pdf s2a.pdf FAIR-S-A0001351929-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
S2J
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - S2J - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 2 A, Einfach, 1.15 V, 2 µs, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.15V
Sperrverzögerungszeit: 2µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: S2J
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
41+20.25 грн
67+12.20 грн
100+10.98 грн
500+8.16 грн
1000+6.95 грн
Мінімальне замовлення: 41
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NL17SZ126DFT2G nl17sz126-d.pdf
NL17SZ126DFT2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NL17SZ126DFT2G - Puffer, 1.65V bis 5.5V, SOT-353-5
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: -
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 17SZ
Bauform - Logikbaustein: SOT-353
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-353
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikfamilie / Sockelnummer: -
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
105+7.79 грн
201+4.05 грн
275+2.96 грн
500+2.39 грн
1000+1.94 грн
5000+1.87 грн
Мінімальне замовлення: 105
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BCX19LT1G ONSM-S-A0013215100-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BCX19LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCX19LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NC7SZ157P6X 2304287.pdf
NC7SZ157P6X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SZ157P6X - Multiplexer, 1 Kanal, 2:1, 1.65V bis 5.5V, SC-70-6
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 74157
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: NC7S
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikfamilie / Sockelnummer: NC7S157
Logiktyp: Multiplexer
euEccn: NLR
Leitungskonfiguration: 2:1
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
43+19.36 грн
61+13.50 грн
106+7.68 грн
500+4.53 грн
1500+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 43
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CAT5113VI-00-GT3 cat5113-d.pdf
CAT5113VI-00-GT3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5113VI-00-GT3 - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 100 kohm, Einfach, Seriell, Linear, ± 20%, 2.7 V
Bauform - Potentiometer: SOIC
Anzahl der Potentiometer: Einfach
Widerstandsverlauf: Linear
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl Schritte: 100
Betriebstemperatur, min.: -40
Widerstandstoleranz: ± 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.7
Temperaturkoeffizient: ± 300ppm/°C
Steuer-/Bedienschnittstelle: Seriell
Gesamtwiderstand: 100
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 6
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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CAT5113VI-00-GT3 cat5113-d.pdf
CAT5113VI-00-GT3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5113VI-00-GT3 - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 100 kohm, Einfach, Seriell, Linear, ± 20%, 2.7 V
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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CAT5140ZI-00-GT3.
CAT5140ZI-00-GT3.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5140ZI-00-GT3. - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 100 kohm, Einfach, I2C, Linear, ± 20%, 2.5 V
Bauform - Potentiometer: MSOP
Anzahl der Potentiometer: Einfach
Widerstandsverlauf: Linear
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl Schritte: 256
Betriebstemperatur, min.: -40
Widerstandstoleranz: ± 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.5
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/°C
Steuer-/Bedienschnittstelle: I2C
Gesamtwiderstand: 100
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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CAT5111ZI-00-T3.
CAT5111ZI-00-T3.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5111ZI-00-T3. - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 100 kohm, Einfach, Auf, Ab, Linear, ± 20%, 2.5 V
Bauform - Potentiometer: MSOP
Anzahl der Potentiometer: Einfach
Widerstandsverlauf: Linear
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl Schritte: 100
Betriebstemperatur, min.: -40
Widerstandstoleranz: ± 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.5
Temperaturkoeffizient: 300ppm/°C
Steuer-/Bedienschnittstelle: Auf, Ab
Gesamtwiderstand: 100
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 6
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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CAT5221WI-00-T1.
CAT5221WI-00-T1.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5221WI-00-T1. - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 100 kohm, Zweifach, I2C, Linear, ± 20%, 2.5 V
Bauform - Potentiometer: SOIC
Anzahl der Potentiometer: Zweifach
Widerstandsverlauf: Linear
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl Schritte: 64
Betriebstemperatur, min.: -40
Widerstandstoleranz: ± 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.5
Temperaturkoeffizient: ± 300ppm/°C
Steuer-/Bedienschnittstelle: I2C
Gesamtwiderstand: 100
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 20
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 6
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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FDPF12N50FT FDPF12N50FT-D.pdf
FDPF12N50FT
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF12N50FT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.5 A, 0.59 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 11.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 42
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 42
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.59
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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FDPF55N06 fdpf55n06-d.pdf
FDPF55N06
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF55N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 0.018 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 15290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+173.26 грн
12+69.87 грн
100+66.54 грн
500+58.24 грн
1000+53.48 грн
5000+52.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
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NCL31000ASGEVB evbum2798-d.pdf
NCL31000ASGEVB
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCL31000ASGEVB - Evaluationsboard, NCL31000, Arduino-Shield, intelligenter LED-Treiber
Prozessorkern: NCL31000MNITWG, NCL31000MNSTWG, NCL31001MNITWG, NCL31001MNSTWG
Prozessorarchitektur: -
Prozessorfamilie: -
Anzahl der Bits: -
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard NCL31000, Arduino-Shield, intelligenter LED-Treiber
Prozessorserie: -
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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FQA70N10 fqa70n10-d.pdf
FQA70N10
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQA70N10 - Leistungs-MOSFET, Universal, n-Kanal, 100 V, 70 A, 0.023 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+143.98 грн
10+120.39 грн
100+119.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
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FQA32N20C 1851213.pdf
FQA32N20C
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQA32N20C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 32 A, 0.068 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 204W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 204W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.068ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+283.89 грн
10+242.41 грн
100+167.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
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FQA10N80C-F109 ONSM-S-A0013297897-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQA10N80C-F109
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQA10N80C-F109 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10 A, 0.93 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 10
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 240
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 240
Bauform - Transistor: TO-3PN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.93
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.93
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+374.18 грн
10+318.87 грн
100+238.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
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FQA40N25 fqa40n25-d.pdf
FQA40N25
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQA40N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 40 A, 0.051 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+377.44 грн
10+187.90 грн
100+174.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
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FQA9P25 2907411.pdf
FQA9P25
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQA9P25 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 10.5 A, 0.48 ohm, TO-3PN
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 10.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 150
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.48
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+235.90 грн
10+212.31 грн
100+147.23 грн
500+115.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
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FQA28N15 ONSM-S-A0013297967-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQA28N15
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQA28N15 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.067 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 33
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 227
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 227
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.067
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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FQA6N90C-F109 ONSM-S-A0013297680-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQA6N90C-F109
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQA6N90C-F109 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 6 A, 1.93 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 6
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 198
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 198
Bauform - Transistor: TO-3PN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.93
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.93
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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