Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (140744) > Сторінка 1826 з 2346

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 234 468 702 936 1170 1404 1638 1821 1822 1823 1824 1825 1826 1827 1828 1829 1830 1831 1872 2106 2340 2346  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDD4685-F085 FDD4685-F085 ONSEMI fdd4685_f085-d.pdf Description: ONSEMI - FDD4685-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 32 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 32
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 83
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.6
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4685-F085 FDD4685-F085 ONSEMI fdd4685_f085-d.pdf Description: ONSEMI - FDD4685-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 32 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 32
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 83
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.6
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS16FP SS16FP ONSEMI S110FP-D.pdf Description: ONSEMI - SS16FP - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 1 A, Einfach, SOD-123HE, 2 Pin(s), 700 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123HE
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 700mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 60V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+8.55 грн
128+7.01 грн
131+6.86 грн
500+6.25 грн
1000+5.64 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH1265BDN-F085 FFSH1265BDN-F085 ONSEMI FFSH1265BDN-F085-D.PDF Description: ONSEMI - FFSH1265BDN-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 12 A, 16 nC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+489.12 грн
10+309.96 грн
100+303.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NC7WZ125K8X NC7WZ125K8X ONSEMI 2303955.pdf Description: ONSEMI - NC7WZ125K8X - Puffer, 1.65V bis 5.5V, US8-8
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logik-IC-Familie: NC7W
Bauform - Logikbaustein: US8
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: -
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NC7WZ125K8X NC7WZ125K8X ONSEMI 2303955.pdf Description: ONSEMI - NC7WZ125K8X - Puffer, 1.65V bis 5.5V, US8-8
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NC7WZ125L8X NC7WZ125L8X ONSEMI NC7WZ125-D.PDF Description: ONSEMI - NC7WZ125L8X - TINYLOGIC UHS BUFFER WITH 3-STATE OUTPUT
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NC7WZ125K8X. NC7WZ125K8X. ONSEMI 2287725.pdf Description: ONSEMI - NC7WZ125K8X. - NON INVERTING BUFFER, US8-8, FULL REEL
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logik-IC-Familie: NC7W
Bauform - Logikbaustein: US8
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: -
Logikbaustein: Buffer, Non Inverting
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NL17SZ125DFT2G NL17SZ125DFT2G ONSEMI 2160724.pdf Description: ONSEMI - NL17SZ125DFT2G - Puffer, 1.65V bis 5.5V, SOT-353-5
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: -
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 17SZ
Bauform - Logikbaustein: SOT-353
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-353
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikfamilie / Sockelnummer: -
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+25.71 грн
77+11.74 грн
148+6.09 грн
500+4.66 грн
1000+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SZ126P5X.. NC7SZ126P5X.. ONSEMI 2284038.pdf Description: ONSEMI - NC7SZ126P5X.. - Puffer, 1.65V bis 5.5V, SC-70-5
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: -
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: NC7S
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikfamilie / Sockelnummer: -
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+8.58 грн
174+5.15 грн
243+3.69 грн
500+2.63 грн
1000+2.36 грн
5000+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SZ125L6X NC7SZ125L6X ONSEMI 1793263.pdf Description: ONSEMI - NC7SZ125L6X - Puffer, 1.65V bis 5.5V, MLP-6
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: -
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: NC7S
Bauform - Logikbaustein: MLP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: MLP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikfamilie / Sockelnummer: -
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+46.31 грн
39+23.38 грн
100+12.99 грн
500+9.98 грн
1000+7.29 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6575 FDS6575 ONSEMI 2304813.pdf Description: ONSEMI - FDS6575 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 10 A, 0.0085 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+121.83 грн
10+101.23 грн
100+72.20 грн
500+53.24 грн
1000+44.08 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8638 FDS8638 ONSEMI fds8638-d.pdf Description: ONSEMI - FDS8638 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 18 A, 3300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+109.29 грн
10+104.81 грн
100+100.33 грн
500+88.18 грн
1000+77.55 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880 FDS8880 ONSEMI ONSM-S-A0013339664-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS8880 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.6 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+75.61 грн
50+51.87 грн
100+39.69 грн
500+30.78 грн
1000+26.72 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6375 FDS6375 ONSEMI 2304203.pdf Description: ONSEMI - FDS6375 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+109.29 грн
50+74.53 грн
100+52.41 грн
500+38.93 грн
1000+30.56 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8949 FDS8949 ONSEMI ONSM-S-A0013180325-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS8949 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 6 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+119.15 грн
50+74.89 грн
100+49.63 грн
500+36.68 грн
1000+30.18 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8813NZ FDS8813NZ ONSEMI ONSM-S-A0003584271-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS8813NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18.5 A, 0.0045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+127.21 грн
11+89.31 грн
100+66.11 грн
500+54.32 грн
1000+46.69 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2734 FDS2734 ONSEMI ONSM-S-A0003584031-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS2734 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 3 A, 0.097 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 3
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.097
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+177.38 грн
10+150.50 грн
100+129.00 грн
500+81.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8447 FDS8447 ONSEMI fds8447-d.pdf description Description: ONSEMI - FDS8447 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12.8 A, 0.0105 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5mW
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 29170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.81 грн
500+43.92 грн
1000+40.08 грн
5000+39.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878 FDS8878 ONSEMI ONSM-S-A0014831960-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS8878 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.2 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+66.02 грн
50+45.69 грн
100+31.35 грн
500+22.88 грн
1000+19.04 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8449 FDS8449 ONSEMI 680887.pdf Description: ONSEMI - FDS8449 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 7.6 A, 0.021 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+58.32 грн
19+48.82 грн
100+30.73 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2734 FDS2734 ONSEMI ONSM-S-A0003584031-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS2734 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 3 A, 0.097 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+129.00 грн
500+81.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3572 FDS3572 ONSEMI ONSM-S-A0003584166-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS3572 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 8.9 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 8.9
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.014
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+199.77 грн
10+178.27 грн
100+138.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8884 FDS8884 ONSEMI ONSM-S-A0013180379-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS8884 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.5 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+64.14 грн
20+45.51 грн
100+31.09 грн
500+24.04 грн
1000+18.89 грн
5000+15.59 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
QED223 QED223 ONSEMI 2304818.pdf Description: ONSEMI - QED223 - Infrarot-Emitter, 890 nm, 30 °, T-1 3/4 (5mm), 25 mW/Sr, 900 ns, 800 ns
tariffCode: 85414900
Bauform - Diode: T-1 3/4 (5mm)
Durchlassspannung Vf max.: 1.7V
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Abfallzeit tf: 800ns
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Spitzenwellenlänge: 890nm
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Strahlungsintensität (Ie): 25mW/Sr
Halbwertswinkel: 30°
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 100mA
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Anstiegszeit: 900ns
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 50379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+40.40 грн
33+27.68 грн
34+26.61 грн
50+23.62 грн
100+17.20 грн
500+15.82 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
FQA9N90-F109 FQA9N90-F109 ONSEMI FQA9N90_F109-D.PDF Description: ONSEMI - FQA9N90-F109 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA9N90C-F109 FQA9N90C-F109 ONSEMI ONSM-S-A0013297846-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQA9N90C-F109 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 9 A, 1.12 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 9
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 280
Bauform - Transistor: TO-3PN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.12
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6099-TL-E 2SC6099-TL-E ONSEMI ONSMS36431-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC6099-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 300
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 15
Übergangsfrequenz ft: 300
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6096-TD-E 2SC6096-TD-E ONSEMI ONSMS36430-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC6096-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+37.45 грн
500+26.95 грн
1000+22.42 грн
5000+18.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6096-TD-E 2SC6096-TD-E ONSEMI ONSMS36430-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC6096-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+91.38 грн
16+57.24 грн
100+37.45 грн
500+26.95 грн
1000+22.42 грн
5000+18.51 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6098-TL-E 2SC6098-TL-E ONSEMI ENA0413-D.PDF Description: ONSEMI - 2SC6098-TL-E - BIPOLAR TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6099-TL-E 2SC6099-TL-E ONSEMI ONSMS36431-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC6099-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6095-TD-E 2SC6095-TD-E ONSEMI ENA0411-D.PDF Description: ONSEMI - 2SC6095-TD-E - BIPOLAR TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6094-TD-E ONSEMI 2907274.pdf Description: ONSEMI - 2SC6094-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 300
Verlustleistung Pd: 3.5
Übergangsfrequenz ft: 390
Bauform - Transistor: SOT-89
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 3
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6094-TD-E ONSEMI 2907274.pdf Description: ONSEMI - 2SC6094-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6096-TD-H 2SC6096-TD-H ONSEMI ENA0434-D.PDF Description: ONSEMI - 2SC6096-TD-H - BIPOLAR TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6097-E 2SC6097-E ONSEMI ONSMS36407-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC6097-E - BIPOLAR TRANSISTOR
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSR17A BSR17A ONSEMI 2277962.pdf Description: ONSEMI - BSR17A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 350
Übergangsfrequenz ft: 300
Bauform - Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 200
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSR17A BSR17A ONSEMI 2277962.pdf Description: ONSEMI - BSR17A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF1009R FPF1009R ONSEMI FPF1007-D.PDF Description: ONSEMI - FPF1009R - INTELLIMAX ADVANCED LOAD PRODUCTS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESDR0502BT1G ESDR0502BT1G ONSEMI 2354267.pdf Description: ONSEMI - ESDR0502BT1G - ESD-Schutzbaustein, 15 V, SC-75, 3 Pin(s), 5 V, ESDR0
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: SC-75
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 15V
Betriebsspannung: 5V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: -
usEccn: EAR99
Produktpalette: ESDR0
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+22.31 грн
60+15.14 грн
106+8.49 грн
500+7.73 грн
1000+7.06 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
50C02CH-TL-E 50C02CH-TL-E ONSEMI ONSM-S-A0001813932-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 50C02CH-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 500 mA, 700 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 500MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+53.48 грн
28+32.79 грн
100+21.05 грн
500+14.72 грн
1000+12.21 грн
5000+10.37 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
50C02SS-TL-E 50C02SS-TL-E ONSEMI 2337900.pdf Description: ONSEMI - 50C02SS-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 400 mA, 200 mW, SOT-623, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 300hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 400mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-623
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 500MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+36.01 грн
34+26.52 грн
100+13.53 грн
500+5.24 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
EFC8811R-TF EFC8811R-TF ONSEMI efc8811r-d.pdf Description: ONSEMI - EFC8811R-TF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 27 A, 27 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 27A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: CSP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+118.25 грн
12+74.98 грн
100+49.99 грн
500+35.35 грн
1000+29.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
KSB596YTU KSB596YTU ONSEMI 2572460.pdf Description: ONSEMI - KSB596YTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4 A, 30 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 120
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 30
Übergangsfrequenz ft: 3
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 4
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 1224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+78.83 грн
13+70.59 грн
100+55.00 грн
500+42.26 грн
1000+28.72 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NLAS4599DFT2G NLAS4599DFT2G ONSEMI 1712834.pdf Description: ONSEMI - NLAS4599DFT2G - SPDT, CMOS, 5.5V, 95RON, 23NS, 6SC88
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Analogschalter
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2V bis 5.5V
Einschaltwiderstand, max.: 5.5ohm
Einschaltwiderstand, typ.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-363
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: -
Schalterkonfiguration: SPDT
euEccn: NLR
Stromversorgung: Einfache Versorgung
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Schnittstellen: -
Durchlasswiderstand, max.: 5.5ohm
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+54.91 грн
21+43.36 грн
100+24.37 грн
500+21.54 грн
1000+13.82 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
FSUSB30L10X FSUSB30L10X ONSEMI FSUSB30-D.pdf Description: ONSEMI - FSUSB30L10X - USB-Schnittstelle, High-Speed-DPDT-USB-Switch, USB 2.0, 3 V, 3.4 V, Micro Pak, 10 Pin(s)
USB-Version: USB 2.0
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 3
Anzahl der Ports: 2 Ports
USB-IC: High-Speed-DPDT-USB-Switch
Anzahl der Pins: 10
Übertragungsrate: 480
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.4
Bauform - Schnittstellenbaustein: Micro Pak
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2D3N10C FDP2D3N10C ONSEMI 2310546.pdf Description: ONSEMI - FDP2D3N10C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 222 A, 2100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 222A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+610.96 грн
5+479.27 грн
10+346.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BAS29 BAS29 ONSEMI 2299657.pdf description Description: ONSEMI - BAS29 - Kleinsignaldiode, Einfach, 120 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS29
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 120V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+13.71 грн
95+9.50 грн
115+7.80 грн
500+5.34 грн
1500+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 66
В кошику  од. на суму  грн.
BYW80-200G BYW80-200G ONSEMI byw80-d.pdf description Description: ONSEMI - BYW80-200G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 8 A, Einfach, 1.25 V, 35 ns, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220B
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: BYW80
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+83.40 грн
20+45.51 грн
100+44.97 грн
500+40.93 грн
1000+37.01 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1608BDR2G NCP1608BDR2G ONSEMI 2355053.pdf Description: ONSEMI - NCP1608BDR2G - IC, PFC-Controller, Leistungsfaktor Eins, -300mV-20V & 2.1mA Versorgung, -300mV Abschaltung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: 70kHz
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Schaltfrequenz, min.: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: -
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: -300mV
euEccn: NLR
Frequenzmodus: -
PFC-Betriebsmodus: CrCM - Critical Conduction Mode
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Spannung
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+51.06 грн
25+36.28 грн
100+28.40 грн
500+23.37 грн
1000+20.81 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8884 FDC8884 ONSEMI 2729185.pdf Description: ONSEMI - FDC8884 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.019 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Anzahl der Pins: 6Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC645N FDC645N ONSEMI FDC645N-D.pdf Description: ONSEMI - FDC645N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.5 A, 0.03 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 18764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+77.04 грн
50+55.27 грн
100+37.80 грн
500+28.78 грн
1500+23.96 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6561AN FDC6561AN ONSEMI 2298151.pdf Description: ONSEMI - FDC6561AN - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.082 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.082ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 104111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+66.83 грн
22+40.76 грн
100+28.40 грн
500+19.63 грн
1000+16.36 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658P FDC658P ONSEMI 2304204.pdf Description: ONSEMI - FDC658P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.041 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+58.50 грн
50+49.09 грн
100+34.67 грн
500+27.20 грн
1500+22.81 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8878 FDC8878 ONSEMI 2572503.pdf Description: ONSEMI - FDC8878 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.012 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+56.62 грн
17+53.93 грн
100+47.21 грн
500+37.18 грн
1000+32.25 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20 FDP61N20 ONSEMI 2303835.pdf Description: ONSEMI - FDP61N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 61 A, 0.034 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+128.10 грн
10+118.25 грн
100+115.56 грн
500+104.81 грн
1000+95.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FSA266K8X FSA266K8X ONSEMI nc7wb66-d.pdf Description: ONSEMI - FSA266K8X - Analogschalter, 2 Kanäle, 2 Kanäle, SPST, 13.5 ohm, 1.65V bis 5.5V, VSSOP, 8 Pin(s)
Bauform - Analogschalter: VSSOP
Versorgungsspannung: 1.65V bis 5.5V
Analogschalter: SPST
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Durchlasswiderstand, max.: 13.5
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 4710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+65.31 грн
100+57.69 грн
500+45.50 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
1N5406RL 1N5406RL ONSEMI ONSMS13231-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 1N5406RL - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 3 A, Einfach, 1 V, 200 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201AD
Durchlassstoßstrom: 200A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+33.24 грн
41+22.22 грн
100+17.74 грн
500+12.39 грн
1000+9.14 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
NCP57152DSADJR4G NCP57152DSADJR4G ONSEMI ncp57152-d.pdf Description: ONSEMI - NCP57152DSADJR4G - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 1.8V bis 13.5V, 330mV Dropout, 1.24-13V / 1.5Aout, TO263-5
Ausgang: Einstellbar
Feste Ausgangsspannung, nom.: -
Ausgangsstrom: 1.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: 13
Bauform - LDO-Regler: TO-263 (D2PAK)
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: 1.24
Eingangsspannung, max.: 13.5
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsspannung, min.: 1.8
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: Adj 1.5A LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 330
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4685-F085 fdd4685_f085-d.pdf
FDD4685-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD4685-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 32 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 32
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 83
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.6
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4685-F085 fdd4685_f085-d.pdf
FDD4685-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD4685-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 32 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 32
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 83
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.6
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS16FP S110FP-D.pdf
SS16FP
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SS16FP - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 1 A, Einfach, SOD-123HE, 2 Pin(s), 700 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123HE
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 700mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 60V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
105+8.55 грн
128+7.01 грн
131+6.86 грн
500+6.25 грн
1000+5.64 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH1265BDN-F085 FFSH1265BDN-F085-D.PDF
FFSH1265BDN-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSH1265BDN-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 12 A, 16 nC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+489.12 грн
10+309.96 грн
100+303.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NC7WZ125K8X 2303955.pdf
NC7WZ125K8X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7WZ125K8X - Puffer, 1.65V bis 5.5V, US8-8
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logik-IC-Familie: NC7W
Bauform - Logikbaustein: US8
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: -
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NC7WZ125K8X 2303955.pdf
NC7WZ125K8X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7WZ125K8X - Puffer, 1.65V bis 5.5V, US8-8
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NC7WZ125L8X NC7WZ125-D.PDF
NC7WZ125L8X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7WZ125L8X - TINYLOGIC UHS BUFFER WITH 3-STATE OUTPUT
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NC7WZ125K8X. 2287725.pdf
NC7WZ125K8X.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7WZ125K8X. - NON INVERTING BUFFER, US8-8, FULL REEL
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logik-IC-Familie: NC7W
Bauform - Logikbaustein: US8
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: -
Logikbaustein: Buffer, Non Inverting
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NL17SZ125DFT2G 2160724.pdf
NL17SZ125DFT2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NL17SZ125DFT2G - Puffer, 1.65V bis 5.5V, SOT-353-5
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: -
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 17SZ
Bauform - Logikbaustein: SOT-353
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-353
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikfamilie / Sockelnummer: -
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
35+25.71 грн
77+11.74 грн
148+6.09 грн
500+4.66 грн
1000+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SZ126P5X.. 2284038.pdf
NC7SZ126P5X..
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SZ126P5X.. - Puffer, 1.65V bis 5.5V, SC-70-5
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: -
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: NC7S
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikfamilie / Sockelnummer: -
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
105+8.58 грн
174+5.15 грн
243+3.69 грн
500+2.63 грн
1000+2.36 грн
5000+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SZ125L6X 1793263.pdf
NC7SZ125L6X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SZ125L6X - Puffer, 1.65V bis 5.5V, MLP-6
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: -
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: NC7S
Bauform - Logikbaustein: MLP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: MLP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikfamilie / Sockelnummer: -
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+46.31 грн
39+23.38 грн
100+12.99 грн
500+9.98 грн
1000+7.29 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6575 2304813.pdf
FDS6575
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6575 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 10 A, 0.0085 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+121.83 грн
10+101.23 грн
100+72.20 грн
500+53.24 грн
1000+44.08 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8638 fds8638-d.pdf
FDS8638
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8638 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 18 A, 3300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+109.29 грн
10+104.81 грн
100+100.33 грн
500+88.18 грн
1000+77.55 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880 ONSM-S-A0013339664-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDS8880
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8880 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.6 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+75.61 грн
50+51.87 грн
100+39.69 грн
500+30.78 грн
1000+26.72 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6375 2304203.pdf
FDS6375
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6375 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+109.29 грн
50+74.53 грн
100+52.41 грн
500+38.93 грн
1000+30.56 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8949 ONSM-S-A0013180325-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDS8949
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8949 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 6 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+119.15 грн
50+74.89 грн
100+49.63 грн
500+36.68 грн
1000+30.18 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8813NZ ONSM-S-A0003584271-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDS8813NZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8813NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18.5 A, 0.0045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+127.21 грн
11+89.31 грн
100+66.11 грн
500+54.32 грн
1000+46.69 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2734 ONSM-S-A0003584031-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDS2734
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS2734 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 3 A, 0.097 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 3
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.097
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+177.38 грн
10+150.50 грн
100+129.00 грн
500+81.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8447 description fds8447-d.pdf
FDS8447
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8447 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12.8 A, 0.0105 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5mW
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 29170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+49.81 грн
500+43.92 грн
1000+40.08 грн
5000+39.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878 ONSM-S-A0014831960-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDS8878
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8878 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.2 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+66.02 грн
50+45.69 грн
100+31.35 грн
500+22.88 грн
1000+19.04 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8449 680887.pdf
FDS8449
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8449 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 7.6 A, 0.021 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+58.32 грн
19+48.82 грн
100+30.73 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2734 ONSM-S-A0003584031-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDS2734
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS2734 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 3 A, 0.097 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+129.00 грн
500+81.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3572 ONSM-S-A0003584166-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDS3572
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS3572 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 8.9 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 8.9
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.014
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+199.77 грн
10+178.27 грн
100+138.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8884 ONSM-S-A0013180379-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDS8884
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8884 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.5 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+64.14 грн
20+45.51 грн
100+31.09 грн
500+24.04 грн
1000+18.89 грн
5000+15.59 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
QED223 2304818.pdf
QED223
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - QED223 - Infrarot-Emitter, 890 nm, 30 °, T-1 3/4 (5mm), 25 mW/Sr, 900 ns, 800 ns
tariffCode: 85414900
Bauform - Diode: T-1 3/4 (5mm)
Durchlassspannung Vf max.: 1.7V
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Abfallzeit tf: 800ns
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Spitzenwellenlänge: 890nm
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Strahlungsintensität (Ie): 25mW/Sr
Halbwertswinkel: 30°
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 100mA
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Anstiegszeit: 900ns
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 50379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+40.40 грн
33+27.68 грн
34+26.61 грн
50+23.62 грн
100+17.20 грн
500+15.82 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
FQA9N90-F109 FQA9N90_F109-D.PDF
FQA9N90-F109
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQA9N90-F109 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA9N90C-F109 ONSM-S-A0013297846-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQA9N90C-F109
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQA9N90C-F109 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 9 A, 1.12 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 9
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 280
Bauform - Transistor: TO-3PN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.12
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6099-TL-E ONSMS36431-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC6099-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC6099-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 300
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 15
Übergangsfrequenz ft: 300
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6096-TD-E ONSMS36430-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC6096-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC6096-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+37.45 грн
500+26.95 грн
1000+22.42 грн
5000+18.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6096-TD-E ONSMS36430-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC6096-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC6096-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+91.38 грн
16+57.24 грн
100+37.45 грн
500+26.95 грн
1000+22.42 грн
5000+18.51 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6098-TL-E ENA0413-D.PDF
2SC6098-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC6098-TL-E - BIPOLAR TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6099-TL-E ONSMS36431-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC6099-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC6099-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6095-TD-E ENA0411-D.PDF
2SC6095-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC6095-TD-E - BIPOLAR TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6094-TD-E 2907274.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC6094-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 300
Verlustleistung Pd: 3.5
Übergangsfrequenz ft: 390
Bauform - Transistor: SOT-89
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 3
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6094-TD-E 2907274.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC6094-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6096-TD-H ENA0434-D.PDF
2SC6096-TD-H
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC6096-TD-H - BIPOLAR TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6097-E ONSMS36407-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC6097-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC6097-E - BIPOLAR TRANSISTOR
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSR17A 2277962.pdf
BSR17A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSR17A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 350
Übergangsfrequenz ft: 300
Bauform - Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 200
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSR17A 2277962.pdf
BSR17A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSR17A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF1009R FPF1007-D.PDF
FPF1009R
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FPF1009R - INTELLIMAX ADVANCED LOAD PRODUCTS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESDR0502BT1G 2354267.pdf
ESDR0502BT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ESDR0502BT1G - ESD-Schutzbaustein, 15 V, SC-75, 3 Pin(s), 5 V, ESDR0
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: SC-75
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 15V
Betriebsspannung: 5V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: -
usEccn: EAR99
Produktpalette: ESDR0
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
41+22.31 грн
60+15.14 грн
106+8.49 грн
500+7.73 грн
1000+7.06 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
50C02CH-TL-E ONSM-S-A0001813932-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
50C02CH-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 50C02CH-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 500 mA, 700 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 500MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+53.48 грн
28+32.79 грн
100+21.05 грн
500+14.72 грн
1000+12.21 грн
5000+10.37 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
50C02SS-TL-E 2337900.pdf
50C02SS-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 50C02SS-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 400 mA, 200 mW, SOT-623, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 300hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 400mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-623
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 500MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+36.01 грн
34+26.52 грн
100+13.53 грн
500+5.24 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
EFC8811R-TF efc8811r-d.pdf
EFC8811R-TF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - EFC8811R-TF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 27 A, 27 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 27A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: CSP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+118.25 грн
12+74.98 грн
100+49.99 грн
500+35.35 грн
1000+29.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
KSB596YTU 2572460.pdf
KSB596YTU
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSB596YTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4 A, 30 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 120
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 30
Übergangsfrequenz ft: 3
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 4
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 1224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+78.83 грн
13+70.59 грн
100+55.00 грн
500+42.26 грн
1000+28.72 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NLAS4599DFT2G 1712834.pdf
NLAS4599DFT2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLAS4599DFT2G - SPDT, CMOS, 5.5V, 95RON, 23NS, 6SC88
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Analogschalter
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2V bis 5.5V
Einschaltwiderstand, max.: 5.5ohm
Einschaltwiderstand, typ.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-363
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: -
Schalterkonfiguration: SPDT
euEccn: NLR
Stromversorgung: Einfache Versorgung
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Schnittstellen: -
Durchlasswiderstand, max.: 5.5ohm
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+54.91 грн
21+43.36 грн
100+24.37 грн
500+21.54 грн
1000+13.82 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
FSUSB30L10X FSUSB30-D.pdf
FSUSB30L10X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSUSB30L10X - USB-Schnittstelle, High-Speed-DPDT-USB-Switch, USB 2.0, 3 V, 3.4 V, Micro Pak, 10 Pin(s)
USB-Version: USB 2.0
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 3
Anzahl der Ports: 2 Ports
USB-IC: High-Speed-DPDT-USB-Switch
Anzahl der Pins: 10
Übertragungsrate: 480
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.4
Bauform - Schnittstellenbaustein: Micro Pak
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2D3N10C 2310546.pdf
FDP2D3N10C
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP2D3N10C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 222 A, 2100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 222A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+610.96 грн
5+479.27 грн
10+346.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BAS29 description 2299657.pdf
BAS29
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAS29 - Kleinsignaldiode, Einfach, 120 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS29
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 120V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
66+13.71 грн
95+9.50 грн
115+7.80 грн
500+5.34 грн
1500+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 66
В кошику  од. на суму  грн.
BYW80-200G description byw80-d.pdf
BYW80-200G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BYW80-200G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 8 A, Einfach, 1.25 V, 35 ns, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220B
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: BYW80
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+83.40 грн
20+45.51 грн
100+44.97 грн
500+40.93 грн
1000+37.01 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1608BDR2G 2355053.pdf
NCP1608BDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1608BDR2G - IC, PFC-Controller, Leistungsfaktor Eins, -300mV-20V & 2.1mA Versorgung, -300mV Abschaltung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: 70kHz
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Schaltfrequenz, min.: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: -
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: -300mV
euEccn: NLR
Frequenzmodus: -
PFC-Betriebsmodus: CrCM - Critical Conduction Mode
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Spannung
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+51.06 грн
25+36.28 грн
100+28.40 грн
500+23.37 грн
1000+20.81 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8884 2729185.pdf
FDC8884
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC8884 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.019 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Anzahl der Pins: 6Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC645N FDC645N-D.pdf
FDC645N
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC645N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.5 A, 0.03 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 18764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+77.04 грн
50+55.27 грн
100+37.80 грн
500+28.78 грн
1500+23.96 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6561AN 2298151.pdf
FDC6561AN
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC6561AN - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.082 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.082ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 104111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+66.83 грн
22+40.76 грн
100+28.40 грн
500+19.63 грн
1000+16.36 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658P 2304204.pdf
FDC658P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC658P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.041 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+58.50 грн
50+49.09 грн
100+34.67 грн
500+27.20 грн
1500+22.81 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
FDC8878 2572503.pdf
FDC8878
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC8878 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.012 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+56.62 грн
17+53.93 грн
100+47.21 грн
500+37.18 грн
1000+32.25 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
FDP61N20 2303835.pdf
FDP61N20
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP61N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 61 A, 0.034 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+128.10 грн
10+118.25 грн
100+115.56 грн
500+104.81 грн
1000+95.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FSA266K8X nc7wb66-d.pdf
FSA266K8X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSA266K8X - Analogschalter, 2 Kanäle, 2 Kanäle, SPST, 13.5 ohm, 1.65V bis 5.5V, VSSOP, 8 Pin(s)
Bauform - Analogschalter: VSSOP
Versorgungsspannung: 1.65V bis 5.5V
Analogschalter: SPST
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Durchlasswiderstand, max.: 13.5
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 4710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+65.31 грн
100+57.69 грн
500+45.50 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
1N5406RL ONSMS13231-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
1N5406RL
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N5406RL - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 3 A, Einfach, 1 V, 200 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201AD
Durchlassstoßstrom: 200A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+33.24 грн
41+22.22 грн
100+17.74 грн
500+12.39 грн
1000+9.14 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
NCP57152DSADJR4G ncp57152-d.pdf
NCP57152DSADJR4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP57152DSADJR4G - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 1.8V bis 13.5V, 330mV Dropout, 1.24-13V / 1.5Aout, TO263-5
Ausgang: Einstellbar
Feste Ausgangsspannung, nom.: -
Ausgangsstrom: 1.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: 13
Bauform - LDO-Regler: TO-263 (D2PAK)
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: 1.24
Eingangsspannung, max.: 13.5
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsspannung, min.: 1.8
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: Adj 1.5A LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 330
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 234 468 702 936 1170 1404 1638 1821 1822 1823 1824 1825 1826 1827 1828 1829 1830 1831 1872 2106 2340 2346  [ Наступна Сторінка >> ]