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SZBZX84B5V1LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SZBZX84B5V1LT1G - Zener-Diode, 5.1 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SZBZX84BxxxLT1G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 5.1V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GBPC1202 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - GBPC1202 - BRIDGE RECTIFIER, SINGLE PHASE, 12A, 200V QCtariffCode: 85412100 Durchlassstoßstrom: 300A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 1.1V Bauform - Brückengleichrichter: Module usEccn: EAR99 Montage des Brückengleichrichters: Panel Mount Anzahl der Phasen: Single Phase Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 150°C directShipCharge: 25 |
на замовлення 171 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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KSD363YTU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSD363YTU - NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORSVHC: Lead (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
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NZT605 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NZT605 - Darlington-Transistor, NPN, 110 V, 1 W, 1.5 A, SOT-223, 4 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 2000hFE Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1W euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - HF-Transistor: SOT-223 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 110V Dauerkollektorstrom: 1.5A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 110V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 1.5A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 6590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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KSC2690AYS | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSC2690AYS - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.2 A, 20 W, TO-225AA, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-225AA Dauerkollektorstrom: 1.2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 155MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2089 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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KSA1220AYS | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSA1220AYS - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 1.2 A, 20 W, TO-225AA, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160 DC-Stromverstärkung hFE: 160 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1.2 MSL: - Verlustleistung: 20 Bauform - Transistor: TO-225AA Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160 Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 175 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
товару немає в наявності |
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SPZT651T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SPZT651T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40 DC-Stromverstärkung hFE: 40 Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 2 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 800 Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 75 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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SPZT651T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SPZT651T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, OberflächenmontageKollektor-Emitter-Spannung, max.: 60 Verlustleistung: 800 DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40 Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 2 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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BZX79-C24 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BZX79-C24 - Zener-Diode, 24 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °CZener-Spannung, nom.: 24 Verlustleistung: 500 Anzahl der Pins: 2 Bauform - Diode: DO-35 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 500 Betriebstemperatur, max.: 200 Produktpalette: BZX79 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
товару немає в наявності |
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FDPF8N60ZUT | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDPF8N60ZUT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.5 A, 1.15 ohm, TO-220F, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 34.5W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: UniFET II Ultra FRFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NC7SV32P5X | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NC7SV32P5X - OR-Gatter, NC7S32, 2 Eingänge, 24mA, 0.9V bis 3.6V, SC-70-5tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Logikfunktion: OR-Gatter Logik-IC-Familie: 7SV Bauform - Logikbaustein: SC-70 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 24mA IC-Gehäuse / Bauform: SC-70 MSL: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 900mV euEccn: NLR Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: 7S32 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Anzahl der Eingänge: 2Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl von Elementen: Eins SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1438 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NC7SV32P5X | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NC7SV32P5X - OR-Gatter, NC7S32, 2 Eingänge, 24mA, 0.9V bis 3.6V, SC-70-5tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Logikfunktion: OR-Gatter Logik-IC-Familie: 7SV Bauform - Logikbaustein: SC-70 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 24mA IC-Gehäuse / Bauform: SC-70 MSL: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 900mV euEccn: NLR Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: 7S32 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Anzahl der Eingänge: 2Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl von Elementen: Eins SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 9618 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NC7S32P5X | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NC7S32P5X - OR-Gatter, NC7S32, 2 Eingänge, 2.6mA, 2V bis 6V, SC-70-5tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Logikfunktion: OR-Gatter Logik-IC-Familie: 7S Bauform - Logikbaustein: SC-70 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 2.6mA IC-Gehäuse / Bauform: SC-70 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: 7S32 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 6V Anzahl der Eingänge: 2Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl von Elementen: Eins SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3055 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NC7S32P5X | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NC7S32P5X - OR-Gatter, NC7S32, 2 Eingänge, 2.6mA, 2V bis 6V, SC-70-5tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Logikfunktion: OR-Gatter Logik-IC-Familie: 7S Bauform - Logikbaustein: SC-70 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 2.6mA IC-Gehäuse / Bauform: SC-70 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: 7S32 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 6V Anzahl der Eingänge: 2Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl von Elementen: Eins SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 8010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NC7S32L6X | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NC7S32L6X - Logik-IC, OR-Gatter, Eins, 2 Inputs, 6 Pin(s), MicroPak, NC7S32Logikfunktion: OR-Gatter Logik-IC-Familie: NC7S Bauform - Logikbaustein: MicroPak Ausgangsstrom: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 2 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: NC7S32 Versorgungsspannung, max.: 6 Anzahl der Eingänge: 2 Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 85 Anzahl von Elementen: Eins SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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| NE5534ADR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NE5534ADR2G - Operationsverstärker, 1 Verstärker, 10 MHz, 13 V/µs, ± 3V bis ± 20V, NSOIC, 8 Pin(s)tariffCode: 85423390 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
на замовлення 5044 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCN8024DTBR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCN8024DTBR2G - SMART CARD-SCHNITTSTELLE, -40 BIS 85°CSchnittstellenanwendungsbereich: Set-Top-Boxen, bedingter Zugang, Pay-TV, CAM, POS/ATM, Zugangskontrolle & Identifizierung MSL: MSL 3 - 168 Stunden IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 2.7 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 28 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 5.5 Bauform - Schnittstellenbaustein: TSSOP Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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NCN8024RDWR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCN8024RDWR2G - SMART CARD-SCHNITTSTELLE, -40 BIS 85°CSchnittstellenanwendungsbereich: Set-Top-Box-Decoder mit CA, Pay-TV, Pay-Per-View, CAM, POS/ATM, Zugangskontrolle & Identifikation MSL: MSL 3 - 168 Stunden IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 2.7 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 28 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 5.5 Bauform - Schnittstellenbaustein: SOIC Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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2N4922G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N4922G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 3 A, 30 W, TO-225, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-225 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: 2NXXXX Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 3638 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BAS21DW5T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BAS21DW5T1G - Kleinsignaldiode, schaltend, Einfach, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mAtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SC-88A Durchlassstoßstrom: 625mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: BAS21 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 250V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 7060 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDB8874 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDB8874 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0047 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 40 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 110 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 Verlustleistung: 110 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0047 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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FDT86256 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDT86256 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 3 A, 0.695 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 10W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.695ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1503 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDT86256 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDT86256 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 3 A, 0.695 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 10W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.695ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1503 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BC857BDW1T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC857BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach pnp, 45 V, 100 mAtariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 380mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 150hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: BCxxx Series Verlustleistung, NPN: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach pnp Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 24304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NLV14040BDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NLV14040BDR2G - 12-BIT BINARY COUNTERMSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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NLV14040BDTR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NLV14040BDTR2G - 12-BIT BINARY COUNTERMSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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NLV14029BDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NLV14029BDR2G - BINARY/DECADE UP/DOWN COUNTERMSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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NLV14040BDG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NLV14040BDG - 12-BIT BINARY COUNTERMSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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NLV14020BDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NLV14020BDR2G - 14-BIT BINARY COUNTERMSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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DAP222T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - DAP222T1G - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Anode, 80 V, 100 mA, 1.2 V, 4 ns, 2 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-416 Durchlassstoßstrom: 2A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.2V Sperrverzögerungszeit: 4ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 80V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 41335 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2SB1201S-TL-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SB1201S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1479 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2SB1201S-TL-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SB1201S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1479 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DAN222G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - DAN222G - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 80 V, 100 mA, 1.2 V, 4 ns, 2 ABauform - Diode: SOT-416 Durchlassstoßstrom: 2 Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.2 Sperrverzögerungszeit: 4 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 80 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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FSQ0165RLX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FSQ0165RLX - POWER LOAD DISTRIBUTION SWITCHESMSL: MSL 3 - 168 Stunden SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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FGL12040WD | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGL12040WD - IGBT, 1200 V, 40 A FIELD STOP TRENCHSVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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FAN5333BSX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FAN5333BSX - LED-Treiber, 1 Ausgang, Boost (Aufwärts), 1.8V-5.5Vin, 1.5MHz Schaltfrequenz, 30V/65mAout, SOT-23-5Schaltfrequenz: 1.5 IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: 30 Betriebstemperatur, min.: -40 Eingangsspannung, max.: 5.5 Bauform - Treiber: SOT-23 Ausgangsstrom, max.: 65 Bausteintopologie: Boost (Aufwärts) Eingangsspannung, min.: 1.8 Anzahl der Pins: 5 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 85 Anzahl der Ausgänge: 1 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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FAN5333ASX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FAN5333ASX - LED-Treiber, Boost (Aufwärts), 1 Ausgang, 1.8V bis 5.5Vin, 30V/1.5MHz, SOT-23-5tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: 30V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Schaltfrequenz, typ.: 1.5MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: - Eingangsspannung, min.: 1.8V Topologie: Boost Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code LED-Treiber: - Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 8920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FAN5333BSX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FAN5333BSX - LED-Treiber, Boost (Aufwärts), 1 Ausgang, 1.8V bis 5.5Vin, 30V/1.5Aout, 1.5MHz, SOT-23-5Schaltfrequenz: 1.5 IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: 30 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -40 Eingangsspannung, max.: 5.5 Bauform - Treiber: SOT-23 Bausteintopologie: Boost (Aufwärts) Ausgangsstrom, max.: 1.5 Eingangsspannung, min.: 1.8 Anzahl der Pins: 5 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 85 Anzahl der Ausgänge: 1 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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FAN5333BSX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FAN5333BSX - LED-Treiber, 1 Ausgang, Boost (Aufwärts), 1.8V-5.5Vin, 1.5MHz Schaltfrequenz, 30V/65mAout, SOT-23-5IC-Montage: Oberflächenmontage SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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NCV2931ACDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV2931ACDR2G - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 6V bis 40Vin, 160mV Dropout, 3V bis 29.5Vout/0.1Aout, SOIC-8tariffCode: 85423990 Ausgang: Einstellbar rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: 3V IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: 29.5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 40V euEccn: NLR Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Adj 100mA LDO Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 100mA Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 160mV Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2131 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCV3065DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV3065DR2G - LED-Treiber, AEC-Q100, Buck, Boost, 3V bis 40Vin, 250kHz Schaltfrequenz, 1.5Aout, SOIC-8tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Schaltfrequenz, typ.: 250kHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 40V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 1.5A Eingangsspannung, min.: 3V Topologie: Boost, Buck Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code LED-Treiber: - Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 908 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CPH3360-TL-W. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CPH3360-TL-W. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.233 ohm, CPH, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 1.6 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 900 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6 Verlustleistung: 900 Bauform - Transistor: CPH Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.233 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.233 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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CPH3360-TL-W. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CPH3360-TL-W. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.233 ohm, CPH, OberflächenmontageVerlustleistung: 900 Kanaltyp: p-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.233 Qualifikation: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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NCP551SN33T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP551SN33T1G - LDO-Festspannungsregler, 4.3V bis 12V, 40mV Dropout, 3.3Vout, 150mAout, TSOP-5tariffCode: 85423990 Ausgang: Fest rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Nennausgangsspannung: 3.3V MSL: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 12V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 150mA Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: 4.3V Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: 3.3V 150mA LDO Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: 3.3V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 150mA Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 40mV Typische Dropout-Spannung bei Strom: 40mV Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BC807-40LT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC807-40LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 579 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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P6KE15A.. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - P6KE15A.. - TVS-Diode, P6KE1, Unidirektional, 12.8 V, 21.2 V, DO-204AC, 2 Pin(s)Bauform - Diode: DO-204AC Durchbruchspannung, min.: 14.3 Qualifikation: - Durchbruchspannung, max.: 15.8 Sperrspannung: 12.8 Spitzenimpulsverlustleistung: 600 TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: P6KE1 Klemmspannung, max.: 21.2 SVHC: Lead (27-Jun-2018) |
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NRVBA340T3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NRVBA340T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 450 mVBauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 100 Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 450 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (27-Jun-2018) |
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NRVBA340T3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NRVBA340T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 450 mVSVHC: Lead (27-Jun-2018) |
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| NRVBA340T3G-VF01 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NRVBA340T3G-VF01 - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 450 mVSVHC: No SVHC (16-Jan-2020) |
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| NRVBA340T3G-VF01 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NRVBA340T3G-VF01 - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 450 mVBauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 100 Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 450 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) |
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UF3C065030K4S | ONSEMI |
Description: ONSEMI - UF3C065030K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 441W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 558 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NUP4202W1T2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NUP4202W1T2G - ESD-Schutzbaustein, 14.5 V, SC-88, 6 Pin(s), 5 V, 500 W, NUP42tariffCode: 85363030 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 6Pin(s) euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Bauform - Diode: SC-88 hazardous: false Begrenzungsspannung Vc, max.: 14.5V Betriebsspannung: 5V rohsPhthalatesCompliant: YES Verlustleistung Pd: 500W usEccn: EAR99 Produktpalette: NUP42 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 69229 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BD180G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BD180G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 3 A, 30 W, TO-225AA, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-225AA Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1392 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CS5173EDR8G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CS5173EDR8G - Aufwärts-Schaltregler (Boost), feste Ausgangsspannung, 2.7V bis 30Vin, 40V/1.5Aout, 560 kHz, SOIC-8tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Ausgang: Fest Ausgangsspannung, min.: 3V IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: 39V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 1.5A Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Schaltfrequenz, typ.: 560kHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 30V euEccn: NLR Eingangsspannung, min.: 2.7V Topologie: Boost Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Ausgangsspannung, nom.: - productTraceability: No Ausgangsstrom, max.: 1.5A Wirkungsgrad: - Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3085 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CS5173EDR8G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CS5173EDR8G - Aufwärts-Schaltregler (Boost), feste Ausgangsspannung, 2.7V bis 30Vin, 40V/1.5Aout, 560 kHz, SOIC-8tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Ausgang: Fest Ausgangsspannung, min.: 3V IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: 39V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 1.5A Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Schaltfrequenz, typ.: 560kHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 30V euEccn: NLR Eingangsspannung, min.: 2.7V Topologie: Boost Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Ausgangsspannung, nom.: - productTraceability: No Ausgangsstrom, max.: 1.5A Wirkungsgrad: - Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3085 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BZX85-C6V2 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BZX85-C6V2 - Zener-Diode, 6.2 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °CZener-Spannung, nom.: 6.2 Verlustleistung: 1 Anzahl der Pins: 2 Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL) Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 1 Betriebstemperatur, max.: 200 Produktpalette: BZX85C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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BAV70WT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BAV70WT1G - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 70 V, 150 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mAtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-323 Durchlassstoßstrom: 500mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 6ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BAV70 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 70V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 33807 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DFB2040 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - DFB2040 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 400 V, 20 A, TS-6P, 4 Pin(s), 1 VBauform - Brückengleichrichter: TS-6P Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20 Anzahl der Pins: 4 Anzahl der Phasen: Eine Phase Durchlassspannung, max.: 1 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400 Betriebstemperatur, max.: 150 Produktpalette: - SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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EU-SIGFOX-GEVB | ONSEMI |
Description: ONSEMI - EU-SIGFOX-GEVB - Entwicklungsboard, Sigfox, 868MHz (EU), Erweiterungsboard für IoT-Development KitProzessorkern: AX-SFEU-1-01-TX30 Kit-Anwendungsbereich: HF / ZF Prozessorhersteller: On Semiconductor Lieferumfang des Kits: IoT-IDK-EU-SigFox-Evaluationsboard AX-SFEU-1-01-TX30 Unterart Anwendung: Internet of Things (IoT) Produktpalette: - SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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FDS6612A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS6612A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.4 A, 0.022 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3263 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| SZBZX84B5V1LT1G |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZBZX84B5V1LT1G - Zener-Diode, 5.1 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SZBZX84BxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - SZBZX84B5V1LT1G - Zener-Diode, 5.1 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SZBZX84BxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 65+ | 13.33 грн |
| 109+ | 7.85 грн |
| 262+ | 3.26 грн |
| GBPC1202 |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - GBPC1202 - BRIDGE RECTIFIER, SINGLE PHASE, 12A, 200V QC
tariffCode: 85412100
Durchlassstoßstrom: 300A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: Module
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Panel Mount
Anzahl der Phasen: Single Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
Description: ONSEMI - GBPC1202 - BRIDGE RECTIFIER, SINGLE PHASE, 12A, 200V QC
tariffCode: 85412100
Durchlassstoßstrom: 300A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: Module
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Panel Mount
Anzahl der Phasen: Single Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 615.35 грн |
| 10+ | 470.91 грн |
| 25+ | 441.00 грн |
| 50+ | 380.93 грн |
| 100+ | 324.52 грн |
| KSD363YTU |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSD363YTU - NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - KSD363YTU - NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NZT605 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NZT605 - Darlington-Transistor, NPN, 110 V, 1 W, 1.5 A, SOT-223, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 2000hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - HF-Transistor: SOT-223
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 110V
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 110V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1.5A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NZT605 - Darlington-Transistor, NPN, 110 V, 1 W, 1.5 A, SOT-223, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 2000hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - HF-Transistor: SOT-223
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 110V
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 110V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1.5A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 26.84 грн |
| 500+ | 19.36 грн |
| 1000+ | 16.26 грн |
| 5000+ | 12.31 грн |
| KSC2690AYS |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSC2690AYS - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.2 A, 20 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-225AA
Dauerkollektorstrom: 1.2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 155MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - KSC2690AYS - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.2 A, 20 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-225AA
Dauerkollektorstrom: 1.2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 155MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 81.96 грн |
| 19+ | 45.81 грн |
| 100+ | 35.38 грн |
| 500+ | 25.47 грн |
| 1000+ | 21.98 грн |
| KSA1220AYS |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSA1220AYS - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 1.2 A, 20 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160
DC-Stromverstärkung hFE: 160
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.2
MSL: -
Verlustleistung: 20
Bauform - Transistor: TO-225AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 175
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - KSA1220AYS - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 1.2 A, 20 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160
DC-Stromverstärkung hFE: 160
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.2
MSL: -
Verlustleistung: 20
Bauform - Transistor: TO-225AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 175
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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| SPZT651T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SPZT651T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40
DC-Stromverstärkung hFE: 40
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 800
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 75
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - SPZT651T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40
DC-Stromverstärkung hFE: 40
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 800
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 75
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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| SPZT651T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SPZT651T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Verlustleistung: 800
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - SPZT651T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Verlustleistung: 800
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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| BZX79-C24 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX79-C24 - Zener-Diode, 24 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 24
Verlustleistung: 500
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-35
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 500
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: BZX79
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - BZX79-C24 - Zener-Diode, 24 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 24
Verlustleistung: 500
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-35
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 500
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: BZX79
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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| FDPF8N60ZUT |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF8N60ZUT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.5 A, 1.15 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34.5W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: UniFET II Ultra FRFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FDPF8N60ZUT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.5 A, 1.15 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34.5W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: UniFET II Ultra FRFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 146.15 грн |
| NC7SV32P5X |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SV32P5X - OR-Gatter, NC7S32, 2 Eingänge, 24mA, 0.9V bis 3.6V, SC-70-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: OR-Gatter
Logik-IC-Familie: 7SV
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 24mA
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 900mV
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 7S32
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NC7SV32P5X - OR-Gatter, NC7S32, 2 Eingänge, 24mA, 0.9V bis 3.6V, SC-70-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: OR-Gatter
Logik-IC-Familie: 7SV
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 24mA
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 900mV
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 7S32
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24+ | 35.90 грн |
| 38+ | 22.65 грн |
| 100+ | 14.19 грн |
| 500+ | 10.16 грн |
| 1000+ | 7.91 грн |
| NC7SV32P5X |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SV32P5X - OR-Gatter, NC7S32, 2 Eingänge, 24mA, 0.9V bis 3.6V, SC-70-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: OR-Gatter
Logik-IC-Familie: 7SV
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 24mA
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 900mV
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 7S32
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NC7SV32P5X - OR-Gatter, NC7S32, 2 Eingänge, 24mA, 0.9V bis 3.6V, SC-70-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: OR-Gatter
Logik-IC-Familie: 7SV
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 24mA
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 900mV
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 7S32
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 11.54 грн |
| 500+ | 8.65 грн |
| 1000+ | 6.14 грн |
| 5000+ | 5.65 грн |
| NC7S32P5X |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7S32P5X - OR-Gatter, NC7S32, 2 Eingänge, 2.6mA, 2V bis 6V, SC-70-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: OR-Gatter
Logik-IC-Familie: 7S
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2.6mA
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 7S32
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NC7S32P5X - OR-Gatter, NC7S32, 2 Eingänge, 2.6mA, 2V bis 6V, SC-70-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: OR-Gatter
Logik-IC-Familie: 7S
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2.6mA
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 7S32
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 5.45 грн |
| 1000+ | 3.28 грн |
| NC7S32P5X |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7S32P5X - OR-Gatter, NC7S32, 2 Eingänge, 2.6mA, 2V bis 6V, SC-70-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: OR-Gatter
Logik-IC-Familie: 7S
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2.6mA
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 7S32
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NC7S32P5X - OR-Gatter, NC7S32, 2 Eingänge, 2.6mA, 2V bis 6V, SC-70-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: OR-Gatter
Logik-IC-Familie: 7S
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2.6mA
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 7S32
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 42+ | 20.43 грн |
| 73+ | 11.71 грн |
| 121+ | 7.10 грн |
| 500+ | 4.70 грн |
| 1000+ | 3.57 грн |
| 5000+ | 2.59 грн |
| NC7S32L6X |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7S32L6X - Logik-IC, OR-Gatter, Eins, 2 Inputs, 6 Pin(s), MicroPak, NC7S32
Logikfunktion: OR-Gatter
Logik-IC-Familie: NC7S
Bauform - Logikbaustein: MicroPak
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: NC7S32
Versorgungsspannung, max.: 6
Anzahl der Eingänge: 2
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NC7S32L6X - Logik-IC, OR-Gatter, Eins, 2 Inputs, 6 Pin(s), MicroPak, NC7S32
Logikfunktion: OR-Gatter
Logik-IC-Familie: NC7S
Bauform - Logikbaustein: MicroPak
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: NC7S32
Versorgungsspannung, max.: 6
Anzahl der Eingänge: 2
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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| NE5534ADR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NE5534ADR2G - Operationsverstärker, 1 Verstärker, 10 MHz, 13 V/µs, ± 3V bis ± 20V, NSOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - NE5534ADR2G - Operationsverstärker, 1 Verstärker, 10 MHz, 13 V/µs, ± 3V bis ± 20V, NSOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 5044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 39.48 грн |
| 500+ | 25.00 грн |
| NCN8024DTBR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCN8024DTBR2G - SMART CARD-SCHNITTSTELLE, -40 BIS 85°C
Schnittstellenanwendungsbereich: Set-Top-Boxen, bedingter Zugang, Pay-TV, CAM, POS/ATM, Zugangskontrolle & Identifizierung
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2.7
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 28
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Bauform - Schnittstellenbaustein: TSSOP
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCN8024DTBR2G - SMART CARD-SCHNITTSTELLE, -40 BIS 85°C
Schnittstellenanwendungsbereich: Set-Top-Boxen, bedingter Zugang, Pay-TV, CAM, POS/ATM, Zugangskontrolle & Identifizierung
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2.7
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 28
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Bauform - Schnittstellenbaustein: TSSOP
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NCN8024RDWR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCN8024RDWR2G - SMART CARD-SCHNITTSTELLE, -40 BIS 85°C
Schnittstellenanwendungsbereich: Set-Top-Box-Decoder mit CA, Pay-TV, Pay-Per-View, CAM, POS/ATM, Zugangskontrolle & Identifikation
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2.7
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 28
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Bauform - Schnittstellenbaustein: SOIC
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCN8024RDWR2G - SMART CARD-SCHNITTSTELLE, -40 BIS 85°C
Schnittstellenanwendungsbereich: Set-Top-Box-Decoder mit CA, Pay-TV, Pay-Per-View, CAM, POS/ATM, Zugangskontrolle & Identifikation
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2.7
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 28
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Bauform - Schnittstellenbaustein: SOIC
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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| 2N4922G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N4922G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 3 A, 30 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 2N4922G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 3 A, 30 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 100.85 грн |
| 13+ | 66.41 грн |
| 100+ | 45.21 грн |
| 500+ | 29.76 грн |
| 1000+ | 24.83 грн |
| BAS21DW5T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAS21DW5T1G - Kleinsignaldiode, schaltend, Einfach, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-88A
Durchlassstoßstrom: 625mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: BAS21
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 250V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BAS21DW5T1G - Kleinsignaldiode, schaltend, Einfach, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-88A
Durchlassstoßstrom: 625mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: BAS21
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 250V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 70+ | 12.31 грн |
| 105+ | 8.19 грн |
| 126+ | 6.79 грн |
| 500+ | 4.63 грн |
| 1500+ | 3.71 грн |
| FDB8874 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB8874 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0047 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 40
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 110
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 110
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0047
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - FDB8874 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0047 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 40
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 110
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 110
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0047
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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| FDT86256 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDT86256 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 3 A, 0.695 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.695ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDT86256 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 3 A, 0.695 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.695ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 117.94 грн |
| 50+ | 89.74 грн |
| 250+ | 66.15 грн |
| 1000+ | 44.76 грн |
| FDT86256 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDT86256 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 3 A, 0.695 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.695ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDT86256 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 3 A, 0.695 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.695ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 66.15 грн |
| 1000+ | 44.76 грн |
| BC857BDW1T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC857BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach pnp, 45 V, 100 mA
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 380mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 150hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: BCxxx Series
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BC857BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach pnp, 45 V, 100 mA
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 380mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 150hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: BCxxx Series
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 24304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 58+ | 14.79 грн |
| 103+ | 8.36 грн |
| 152+ | 5.65 грн |
| 500+ | 4.11 грн |
| 1500+ | 3.23 грн |
| NLV14040BDR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV14040BDR2G - 12-BIT BINARY COUNTER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NLV14040BDR2G - 12-BIT BINARY COUNTER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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| NLV14040BDTR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV14040BDTR2G - 12-BIT BINARY COUNTER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NLV14040BDTR2G - 12-BIT BINARY COUNTER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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| NLV14029BDR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV14029BDR2G - BINARY/DECADE UP/DOWN COUNTER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NLV14029BDR2G - BINARY/DECADE UP/DOWN COUNTER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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| NLV14040BDG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV14040BDG - 12-BIT BINARY COUNTER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - NLV14040BDG - 12-BIT BINARY COUNTER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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| NLV14020BDR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV14020BDR2G - 14-BIT BINARY COUNTER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NLV14020BDR2G - 14-BIT BINARY COUNTER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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| DAP222T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DAP222T1G - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Anode, 80 V, 100 mA, 1.2 V, 4 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-416
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 80V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - DAP222T1G - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Anode, 80 V, 100 mA, 1.2 V, 4 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-416
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 80V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 41335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 116+ | 7.41 грн |
| 206+ | 4.15 грн |
| 246+ | 3.49 грн |
| 500+ | 2.66 грн |
| 1000+ | 1.93 грн |
| 5000+ | 1.40 грн |
| 2SB1201S-TL-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SB1201S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 2SB1201S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 54.87 грн |
| 19+ | 46.41 грн |
| 100+ | 25.47 грн |
| 500+ | 21.74 грн |
| 1000+ | 19.78 грн |
| 2SB1201S-TL-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SB1201S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 2SB1201S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 25.47 грн |
| 500+ | 21.74 грн |
| 1000+ | 19.78 грн |
| DAN222G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DAN222G - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 80 V, 100 mA, 1.2 V, 4 ns, 2 A
Bauform - Diode: SOT-416
Durchlassstoßstrom: 2
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2
Sperrverzögerungszeit: 4
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - DAN222G - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 80 V, 100 mA, 1.2 V, 4 ns, 2 A
Bauform - Diode: SOT-416
Durchlassstoßstrom: 2
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2
Sperrverzögerungszeit: 4
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FSQ0165RLX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSQ0165RLX - POWER LOAD DISTRIBUTION SWITCHES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FSQ0165RLX - POWER LOAD DISTRIBUTION SWITCHES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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| FGL12040WD |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGL12040WD - IGBT, 1200 V, 40 A FIELD STOP TRENCH
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - FGL12040WD - IGBT, 1200 V, 40 A FIELD STOP TRENCH
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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| FAN5333BSX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FAN5333BSX - LED-Treiber, 1 Ausgang, Boost (Aufwärts), 1.8V-5.5Vin, 1.5MHz Schaltfrequenz, 30V/65mAout, SOT-23-5
Schaltfrequenz: 1.5
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 30
Betriebstemperatur, min.: -40
Eingangsspannung, max.: 5.5
Bauform - Treiber: SOT-23
Ausgangsstrom, max.: 65
Bausteintopologie: Boost (Aufwärts)
Eingangsspannung, min.: 1.8
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FAN5333BSX - LED-Treiber, 1 Ausgang, Boost (Aufwärts), 1.8V-5.5Vin, 1.5MHz Schaltfrequenz, 30V/65mAout, SOT-23-5
Schaltfrequenz: 1.5
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 30
Betriebstemperatur, min.: -40
Eingangsspannung, max.: 5.5
Bauform - Treiber: SOT-23
Ausgangsstrom, max.: 65
Bausteintopologie: Boost (Aufwärts)
Eingangsspannung, min.: 1.8
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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| FAN5333ASX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FAN5333ASX - LED-Treiber, Boost (Aufwärts), 1 Ausgang, 1.8V bis 5.5Vin, 30V/1.5MHz, SOT-23-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 30V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 1.5MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: -
Eingangsspannung, min.: 1.8V
Topologie: Boost
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - FAN5333ASX - LED-Treiber, Boost (Aufwärts), 1 Ausgang, 1.8V bis 5.5Vin, 30V/1.5MHz, SOT-23-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 30V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 1.5MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: -
Eingangsspannung, min.: 1.8V
Topologie: Boost
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 8920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 182.04 грн |
| 10+ | 116.23 грн |
| 50+ | 104.27 грн |
| 100+ | 79.12 грн |
| 250+ | 63.95 грн |
| 500+ | 60.58 грн |
| FAN5333BSX |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FAN5333BSX - LED-Treiber, Boost (Aufwärts), 1 Ausgang, 1.8V bis 5.5Vin, 30V/1.5Aout, 1.5MHz, SOT-23-5
Schaltfrequenz: 1.5
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 30
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Eingangsspannung, max.: 5.5
Bauform - Treiber: SOT-23
Bausteintopologie: Boost (Aufwärts)
Ausgangsstrom, max.: 1.5
Eingangsspannung, min.: 1.8
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FAN5333BSX - LED-Treiber, Boost (Aufwärts), 1 Ausgang, 1.8V bis 5.5Vin, 30V/1.5Aout, 1.5MHz, SOT-23-5
Schaltfrequenz: 1.5
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 30
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Eingangsspannung, max.: 5.5
Bauform - Treiber: SOT-23
Bausteintopologie: Boost (Aufwärts)
Ausgangsstrom, max.: 1.5
Eingangsspannung, min.: 1.8
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
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| FAN5333BSX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FAN5333BSX - LED-Treiber, 1 Ausgang, Boost (Aufwärts), 1.8V-5.5Vin, 1.5MHz Schaltfrequenz, 30V/65mAout, SOT-23-5
IC-Montage: Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FAN5333BSX - LED-Treiber, 1 Ausgang, Boost (Aufwärts), 1.8V-5.5Vin, 1.5MHz Schaltfrequenz, 30V/65mAout, SOT-23-5
IC-Montage: Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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| NCV2931ACDR2G |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV2931ACDR2G - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 6V bis 40Vin, 160mV Dropout, 3V bis 29.5Vout/0.1Aout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 3V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 29.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Adj 100mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 160mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NCV2931ACDR2G - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 6V bis 40Vin, 160mV Dropout, 3V bis 29.5Vout/0.1Aout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 3V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 29.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Adj 100mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 160mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 92.30 грн |
| 22+ | 39.23 грн |
| 100+ | 29.66 грн |
| 500+ | 23.97 грн |
| 1000+ | 20.95 грн |
| NCV3065DR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV3065DR2G - LED-Treiber, AEC-Q100, Buck, Boost, 3V bis 40Vin, 250kHz Schaltfrequenz, 1.5Aout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 250kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Eingangsspannung, min.: 3V
Topologie: Boost, Buck
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCV3065DR2G - LED-Treiber, AEC-Q100, Buck, Boost, 3V bis 40Vin, 250kHz Schaltfrequenz, 1.5Aout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 250kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Eingangsspannung, min.: 3V
Topologie: Boost, Buck
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 66.19 грн |
| 250+ | 55.02 грн |
| 500+ | 51.35 грн |
| CPH3360-TL-W. |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CPH3360-TL-W. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.233 ohm, CPH, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 1.6
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 900
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6
Verlustleistung: 900
Bauform - Transistor: CPH
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.233
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.233
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - CPH3360-TL-W. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.233 ohm, CPH, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 1.6
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 900
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6
Verlustleistung: 900
Bauform - Transistor: CPH
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.233
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.233
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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| CPH3360-TL-W. |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CPH3360-TL-W. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.233 ohm, CPH, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 900
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.233
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - CPH3360-TL-W. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.233 ohm, CPH, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 900
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.233
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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| NCP551SN33T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP551SN33T1G - LDO-Festspannungsregler, 4.3V bis 12V, 40mV Dropout, 3.3Vout, 150mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 12V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 4.3V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 150mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 40mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 40mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NCP551SN33T1G - LDO-Festspannungsregler, 4.3V bis 12V, 40mV Dropout, 3.3Vout, 150mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 12V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 4.3V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 150mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 40mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 40mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| BC807-40LT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC807-40LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BC807-40LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 73+ | 11.71 грн |
| 111+ | 7.76 грн |
| 250+ | 4.92 грн |
| P6KE15A.. |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - P6KE15A.. - TVS-Diode, P6KE1, Unidirektional, 12.8 V, 21.2 V, DO-204AC, 2 Pin(s)
Bauform - Diode: DO-204AC
Durchbruchspannung, min.: 14.3
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 15.8
Sperrspannung: 12.8
Spitzenimpulsverlustleistung: 600
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: P6KE1
Klemmspannung, max.: 21.2
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - P6KE15A.. - TVS-Diode, P6KE1, Unidirektional, 12.8 V, 21.2 V, DO-204AC, 2 Pin(s)
Bauform - Diode: DO-204AC
Durchbruchspannung, min.: 14.3
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 15.8
Sperrspannung: 12.8
Spitzenimpulsverlustleistung: 600
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: P6KE1
Klemmspannung, max.: 21.2
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
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| NRVBA340T3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NRVBA340T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 450 mV
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 100
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 450
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - NRVBA340T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 450 mV
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 100
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 450
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
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| NRVBA340T3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NRVBA340T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 450 mV
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - NRVBA340T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 450 mV
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
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| NRVBA340T3G-VF01 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NRVBA340T3G-VF01 - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 450 mV
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Description: ONSEMI - NRVBA340T3G-VF01 - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 450 mV
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
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од. на суму грн.
| NRVBA340T3G-VF01 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NRVBA340T3G-VF01 - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 450 mV
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 100
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 450
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Description: ONSEMI - NRVBA340T3G-VF01 - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 450 mV
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 100
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 450
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
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| UF3C065030K4S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UF3C065030K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: ONSEMI - UF3C065030K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1446.07 грн |
| 5+ | 1358.04 грн |
| 10+ | 1270.87 грн |
| 50+ | 1098.35 грн |
| 100+ | 993.35 грн |
| 250+ | 973.57 грн |
| NUP4202W1T2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NUP4202W1T2G - ESD-Schutzbaustein, 14.5 V, SC-88, 6 Pin(s), 5 V, 500 W, NUP42
tariffCode: 85363030
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Diode: SC-88
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 14.5V
Betriebsspannung: 5V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 500W
usEccn: EAR99
Produktpalette: NUP42
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NUP4202W1T2G - ESD-Schutzbaustein, 14.5 V, SC-88, 6 Pin(s), 5 V, 500 W, NUP42
tariffCode: 85363030
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Diode: SC-88
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 14.5V
Betriebsspannung: 5V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 500W
usEccn: EAR99
Produktpalette: NUP42
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 69229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 62.30 грн |
| 21+ | 41.96 грн |
| 100+ | 35.47 грн |
| 500+ | 26.27 грн |
| 1000+ | 23.44 грн |
| BD180G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD180G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 3 A, 30 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-225AA
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BD180G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 3 A, 30 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-225AA
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 93.16 грн |
| 14+ | 63.16 грн |
| 100+ | 44.87 грн |
| 500+ | 33.01 грн |
| 1000+ | 30.40 грн |
| CS5173EDR8G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CS5173EDR8G - Aufwärts-Schaltregler (Boost), feste Ausgangsspannung, 2.7V bis 30Vin, 40V/1.5Aout, 560 kHz, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Fest
Ausgangsspannung, min.: 3V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 39V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 1.5A
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 560kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 30V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 2.7V
Topologie: Boost
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Wirkungsgrad: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - CS5173EDR8G - Aufwärts-Schaltregler (Boost), feste Ausgangsspannung, 2.7V bis 30Vin, 40V/1.5Aout, 560 kHz, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Fest
Ausgangsspannung, min.: 3V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 39V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 1.5A
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 560kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 30V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 2.7V
Topologie: Boost
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Wirkungsgrad: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 251.27 грн |
| 10+ | 141.87 грн |
| 50+ | 129.05 грн |
| 100+ | 107.14 грн |
| 250+ | 86.44 грн |
| 500+ | 85.71 грн |
| CS5173EDR8G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CS5173EDR8G - Aufwärts-Schaltregler (Boost), feste Ausgangsspannung, 2.7V bis 30Vin, 40V/1.5Aout, 560 kHz, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Fest
Ausgangsspannung, min.: 3V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 39V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 1.5A
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 560kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 30V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 2.7V
Topologie: Boost
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Wirkungsgrad: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - CS5173EDR8G - Aufwärts-Schaltregler (Boost), feste Ausgangsspannung, 2.7V bis 30Vin, 40V/1.5Aout, 560 kHz, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Fest
Ausgangsspannung, min.: 3V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 39V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 1.5A
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 560kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 30V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 2.7V
Topologie: Boost
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Wirkungsgrad: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 107.14 грн |
| 250+ | 86.44 грн |
| 500+ | 85.71 грн |
| BZX85-C6V2 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX85-C6V2 - Zener-Diode, 6.2 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 6.2
Verlustleistung: 1
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: BZX85C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - BZX85-C6V2 - Zener-Diode, 6.2 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 6.2
Verlustleistung: 1
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: BZX85C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BAV70WT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAV70WT1G - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 70 V, 150 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAV70
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BAV70WT1G - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 70 V, 150 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAV70
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 33807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 2.48 грн |
| 1500+ | 2.00 грн |
| DFB2040 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DFB2040 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 400 V, 20 A, TS-6P, 4 Pin(s), 1 V
Bauform - Brückengleichrichter: TS-6P
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20
Anzahl der Pins: 4
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchlassspannung, max.: 1
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - DFB2040 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 400 V, 20 A, TS-6P, 4 Pin(s), 1 V
Bauform - Brückengleichrichter: TS-6P
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20
Anzahl der Pins: 4
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchlassspannung, max.: 1
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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| EU-SIGFOX-GEVB |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - EU-SIGFOX-GEVB - Entwicklungsboard, Sigfox, 868MHz (EU), Erweiterungsboard für IoT-Development Kit
Prozessorkern: AX-SFEU-1-01-TX30
Kit-Anwendungsbereich: HF / ZF
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: IoT-IDK-EU-SigFox-Evaluationsboard AX-SFEU-1-01-TX30
Unterart Anwendung: Internet of Things (IoT)
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - EU-SIGFOX-GEVB - Entwicklungsboard, Sigfox, 868MHz (EU), Erweiterungsboard für IoT-Development Kit
Prozessorkern: AX-SFEU-1-01-TX30
Kit-Anwendungsbereich: HF / ZF
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: IoT-IDK-EU-SigFox-Evaluationsboard AX-SFEU-1-01-TX30
Unterart Anwendung: Internet of Things (IoT)
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FDS6612A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6612A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.4 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FDS6612A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.4 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 79.74 грн |
| 14+ | 61.36 грн |
| 100+ | 41.88 грн |
| 500+ | 31.59 грн |
| 1000+ | 24.83 грн |

































