Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (142394) > Сторінка 1822 з 2374

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 237 474 711 948 1185 1422 1659 1817 1818 1819 1820 1821 1822 1823 1824 1825 1826 1827 1896 2133 2370 2374  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BZX85C16 BZX85C16 ONSEMI ONSM-S-A0003584474-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BZX85C16 - Zener-Diode, 16 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 16
Verlustleistung: 1
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF5N50NZ FDPF5N50NZ ONSEMI ONSM-S-A0003584061-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDPF5N50NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.38 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.38ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+151.27 грн
10+115.38 грн
100+110.25 грн
500+56.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF5N50T FDPF5N50T ONSEMI ONSM-S-A0003584146-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDPF5N50T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.15 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+145.29 грн
10+92.30 грн
100+64.10 грн
500+46.35 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF5N50NZF FDPF5N50NZF ONSEMI ONSM-S-A0003584040-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDPF5N50NZF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.2 A, 1.57 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 4.2
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 30
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 30
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.57
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.57
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2498BUCX FPF2498BUCX ONSEMI 2907238.pdf Description: ONSEMI - FPF2498BUCX - LASTSCHALTER EINST OVP, -40 BIS 85°C
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.09ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: 1.7A
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 12V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+74.27 грн
14+61.88 грн
100+43.16 грн
500+31.59 грн
1000+26.08 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FQP27N25 ONSEMI 2907435.pdf Description: ONSEMI - FQP27N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25.5 A, 0.083 ohm, TO-220
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 25.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 180
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 180
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP27N25.. FQP27N25.. ONSEMI 2264894.pdf Description: ONSEMI - FQP27N25.. - N CH MOSFET, 250V, 25.5A, TO-220
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 25.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 180
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 180
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.11
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11
SVHC: Lead
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF10N20C FQPF10N20C ONSEMI 1863457.pdf Description: ONSEMI - FQPF10N20C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.5 A, 0.29 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 9.5
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 38
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 38
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.29
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+113.67 грн
10+102.56 грн
100+79.82 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF70N10 ONSEMI 2907443.pdf Description: ONSEMI - FQPF70N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.019 ohm, TO-220F
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 35
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 62
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 62
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+226.48 грн
10+193.15 грн
100+164.09 грн
500+125.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7P20 ONSEMI 2907444.pdf Description: ONSEMI - FQPF7P20 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 5 A, 0.54 ohm, TO-220F
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 45
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 45
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.54
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+134.18 грн
10+117.09 грн
100+97.43 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N80C FQPF8N80C ONSEMI 2303945.pdf Description: ONSEMI - FQPF8N80C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 1.29 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 8
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 59
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 59
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.29
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.29
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N50CF FQPF9N50CF ONSEMI ONSM-S-A0003584420-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQPF9N50CF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 9 A, 0.7 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 1796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+159.82 грн
10+122.22 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N90C FQPF8N90C ONSEMI FQPF8N90C-D.pdf Description: ONSEMI - FQPF8N90C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 6.3 A, 1.6 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 15174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+90.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5P20 ONSEMI FQPF5P20RDTU-D.pdf Description: ONSEMI - FQPF5P20 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 3.4 A, 1.1 ohm, TO-220F
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 3.4
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 38
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 38
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.1
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+24.61 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N40 FQPF5N40 ONSEMI ONSM-S-A0003587877-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQPF5N40 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3 A, 1.6 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+106.83 грн
12+76.92 грн
100+55.12 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF13N06L FQPF13N06L ONSEMI 1863458.pdf Description: ONSEMI - FQPF13N06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.088 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 10
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 24
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 24
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.088
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF22P10 FQPF22P10 ONSEMI 2572550.pdf Description: ONSEMI - FQPF22P10 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13.2 A, 0.096 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 13.2
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 45
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 45
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.096
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF33N10L ONSEMI 2907440.pdf Description: ONSEMI - FQPF33N10L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18 A, 0.039 ohm, TO-220F
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 18
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 41
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 41
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.039
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+135.89 грн
10+112.81 грн
100+87.17 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF47P06YDTU FQPF47P06YDTU ONSEMI FQPF47P06-D.pdf Description: ONSEMI - FQPF47P06YDTU - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 30 A, 0.026 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 30
Verlustleistung Pd: 62
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 62
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF16N25C FQPF16N25C ONSEMI FQP16N25C-D.pdf Description: ONSEMI - FQPF16N25C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 15.6 A, 0.22 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 15.6
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 43
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 43
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FSQ0365RLX FSQ0365RLX ONSEMI 2284143.pdf Description: ONSEMI - FSQ0365RLX - Leistungsschalter für Wandler, Valley Switching, 1 Ausgang, 20V, 1.5A, SOP-8
tariffCode: 85423190
Durchlasswiderstand: 3.5ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Strombegrenzung: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: -
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 20V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: SOP
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+216.23 грн
10+162.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FSQ0365RLX FSQ0365RLX ONSEMI 2284143.pdf Description: ONSEMI - FSQ0365RLX - Leistungsschalter für Wandler, Valley Switching, 1 Ausgang, 20V, 1.5A, SOP-8
tariffCode: 85423190
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ESD7C5.0DT5G ESD7C5.0DT5G ONSEMI 2572348.pdf Description: ONSEMI - ESD7C5.0DT5G - ESD-Schutzbaustein, SOT-723, 3 Pin(s), 240 mW, ESD7CxxD
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-723
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 240mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ESD7CxxD
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+27.52 грн
54+15.90 грн
109+7.85 грн
500+6.82 грн
1000+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
NTK3134NT5G NTK3134NT5G ONSEMI ONSM-S-A0013670158-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTK3134NT5G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 890 mA, 0.2 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 890mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+24.96 грн
56+15.30 грн
100+9.57 грн
500+6.56 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
NDSH50120C NDSH50120C ONSEMI NDSH50120C-D.PDF Description: ONSEMI - NDSH50120C - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 50 A, 246 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 246nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1358.90 грн
5+1354.62 грн
10+1349.49 грн
50+830.11 грн
100+765.52 грн
250+764.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDV305N FDV305N ONSEMI FDV305N-D.pdf Description: ONSEMI - FDV305N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 900 mA, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 11069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+37.18 грн
50+21.71 грн
100+10.94 грн
500+10.08 грн
1500+9.08 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
FDV305N FDV305N ONSEMI 2298599.pdf Description: ONSEMI - FDV305N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 900 mA, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.31 грн
9000+6.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDV305N FDV305N ONSEMI ONSM-S-A0003587639-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDV305N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 900 mA, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 26580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.74 грн
500+8.17 грн
1500+7.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCP5501DT33RKG NCP5501DT33RKG ONSEMI 1748771.pdf Description: ONSEMI - NCP5501DT33RKG - LDO-Festspannungsregler, 18Vin, 230mV Dropout-Spannung, 3.3V/500mAout, TO-252-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
Nennausgangsspannung: 3.3V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 18V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 500mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 230mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 230mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 9430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+101.70 грн
13+66.41 грн
100+43.76 грн
500+32.06 грн
1000+26.74 грн
2500+20.58 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
S3KB S3KB ONSEMI S3MB-D.PDF Description: ONSEMI - S3KB - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 3 A, Einfach, 1.15 V, 1.5 µs, 80 A
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 80
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.15
Sperrverzögerungszeit: 1.5
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCX17LT1G BCX17LT1G ONSEMI 2353842.pdf description Description: ONSEMI - BCX17LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, PNP, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+15.47 грн
110+7.82 грн
142+6.03 грн
500+4.09 грн
1500+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
LC78615E-01US-H LC78615E-01US-H ONSEMI LC78615E-D.PDF Description: ONSEMI - LC78615E-01US-H - Audiosteuerung, Digitaler Audio-Signalprozessor, 3V bis 3.6V, Seriell, PQFP, 64 Pin(s), -40 °C
Audiosteuerung: Digitaler Audio-Signalprozessor
Versorgungsspannung: 3V bis 3.6V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40
Steuer-/Bedienschnittstelle: Seriell
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 64
Produktpalette: -
Bauform - Audio-IC: PQFP
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BB-GEVK BB-GEVK ONSEMI EVBUM2497-D.PDF Description: ONSEMI - BB-GEVK - Evaluationsboard, Basisplatine IoT-Entwicklung (WiFi & LCD), Hardware-Implementierung IoT-Anwendung
Prozessorkern: NCS36510
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard NCS36510
Unterart Anwendung: Internet of Things (IoT)
Produktpalette: IOT
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5690.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N90C FQPF6N90C ONSEMI 1785295.pdf Description: ONSEMI - FQPF6N90C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 6 A, 1.93 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 6
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 56
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 56
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.93
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.93
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVE4153NT1G NVE4153NT1G ONSEMI ONSM-S-A0013750259-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NVE4153NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 26 V, 915 mA, 0.23 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 26V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 915mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+49.48 грн
25+35.55 грн
100+25.38 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BCP68 BCP68 ONSEMI 2552617.pdf Description: ONSEMI - BCP68 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 1.5W
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 1A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 125750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+6.24 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
NCID9210R2 NCID9210R2 ONSEMI 3409744.pdf Description: ONSEMI - NCID9210R2 - Digitaler Isolator, 2 Kanäle, 2.5 V, 5.5 V, WSOIC, 16 Pin(s), 50 Mbps
tariffCode: 85414090
rohsCompliant: YES
Isolation: Galvanisch
Anzahl der Kanäle: 2 Kanäle
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangspegel: -
Eingangspegel: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: 5kV
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Ausbreitungsverzögerung: 20ns
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Übertragungsrate: 50Mbps
Produktpalette: -
Isolations-IC: Digitaler Isolator
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Bauform - Schnittstellenbaustein: WSOIC
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+382.03 грн
25+319.64 грн
50+273.00 грн
100+210.24 грн
250+204.38 грн
500+202.92 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NCID9210 NCID9210 ONSEMI 3409744.pdf Description: ONSEMI - NCID9210 - Digitaler Isolator, 2 Kanäle, 2.5 V, 5.5 V, WSOIC, 16 Pin(s), 50 Mbps
tariffCode: 85414090
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangspegel: -
Eingangspegel: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: 5kV
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Übertragungsrate: 50Mbps
Produktpalette: -
Isolations-IC: Digitaler Isolator
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+628.17 грн
10+420.49 грн
25+376.05 грн
50+307.92 грн
100+283.50 грн
250+282.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NCID9210R2 NCID9210R2 ONSEMI 3409744.pdf Description: ONSEMI - NCID9210R2 - Digitaler Isolator, 2 Kanäle, 2.5 V, 5.5 V, WSOIC, 16 Pin(s), 50 Mbps
tariffCode: 85414090
rohsCompliant: YES
Isolation: Galvanisch
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangspegel: -
Eingangspegel: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: 5kV
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Übertragungsrate: 50Mbps
Produktpalette: -
Isolations-IC: Digitaler Isolator
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+570.91 грн
10+382.03 грн
25+319.64 грн
50+273.00 грн
100+210.24 грн
250+204.38 грн
500+202.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BTT1G BC847BTT1G ONSEMI 2354013.pdf Description: ONSEMI - BC847BTT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SC-75, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 450hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SC-75
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 23124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+11.71 грн
116+7.43 грн
183+4.67 грн
500+3.18 грн
1500+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 73
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB25N120FL2WG NGTB25N120FL2WG ONSEMI ngtb25n120fl2w-d.pdf Description: ONSEMI - NGTB25N120FL2WG - IGBT, Field Stop II, 50 A, 2 V, 385 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+643.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120FL2WG NGTB15N120FL2WG ONSEMI ONSM-S-A0013670134-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NGTB15N120FL2WG - IGBT, 30 A, 2 V, 294 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+546.98 грн
10+496.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BAS20HT1G BAS20HT1G ONSEMI 1917349.pdf Description: ONSEMI - BAS20HT1G - Kleinsignaldiode, schaltend, Einfach, 200 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 625mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAS20
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 21595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
104+8.28 грн
170+5.05 грн
250+4.15 грн
1000+2.46 грн
10500+0.92 грн
Мінімальне замовлення: 104
В кошику  од. на суму  грн.
BAS20LT1G BAS20LT1G ONSEMI 2255295.pdf Description: ONSEMI - BAS20LT1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 200 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 625mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS20
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 47750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
104+8.28 грн
192+4.47 грн
230+3.73 грн
500+2.61 грн
1000+1.77 грн
5000+0.92 грн
Мінімальне замовлення: 104
В кошику  од. на суму  грн.
BAS20HT1G BAS20HT1G ONSEMI 1917349.pdf Description: ONSEMI - BAS20HT1G - Kleinsignaldiode, schaltend, Einfach, 200 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 625mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAS20
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 21595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.15 грн
1000+2.46 грн
10500+0.92 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BAS20LT1G BAS20LT1G ONSEMI 2255295.pdf Description: ONSEMI - BAS20LT1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 200 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 625mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS20
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 47750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.61 грн
1000+1.77 грн
5000+0.92 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BAS20LT3G BAS20LT3G ONSEMI BAS19LT1-D.PDF Description: ONSEMI - BAS20LT3G - Kleinsignaldiode, Einfach, 200 V, 200 mA, 1 V, 50 ns, 625 mA
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 625
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1
Sperrverzögerungszeit: 50
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0210N80 FDBL0210N80 ONSEMI FDBL0210N80-D.pdf Description: ONSEMI - FDBL0210N80 - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FXLA101L6X FXLA101L6X ONSEMI FXLA101-D.pdf Description: ONSEMI - FXLA101L6X - DUAL SUPPLY 1-BIT VOLTAGE TRANSLATOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSB1015YTU KSB1015YTU ONSEMI 2572458.pdf Description: ONSEMI - KSB1015YTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 25 W, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 9MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+84.10 грн
16+54.61 грн
100+49.23 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FCH150N65F-F155 FCH150N65F-F155 ONSEMI 2301860.pdf Description: ONSEMI - FCH150N65F-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.133 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.133ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+544.41 грн
5+493.99 грн
10+443.56 грн
50+343.63 грн
100+267.38 грн
250+262.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCB125N65S3 FCB125N65S3 ONSEMI ONSM-S-A0010104092-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FCB125N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.105 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 181W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 181W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+255.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532DY SI4532DY ONSEMI si4532dy-d.pdf Description: ONSEMI - SI4532DY - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.053 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.053ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.053ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+113.67 грн
10+87.17 грн
100+63.59 грн
500+40.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532DY SI4532DY ONSEMI 2298134.pdf Description: ONSEMI - SI4532DY - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.053 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.053ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.053ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+63.59 грн
500+40.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCS2333DR2G NCS2333DR2G ONSEMI 2180990.pdf Description: ONSEMI - NCS2333DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 2 Kanäle, 270 kHz, 0.15 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Driftfrei
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.15V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 270kHz
Eingangsoffsetspannung: 6µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 60pA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+110.25 грн
11+80.59 грн
50+72.99 грн
100+60.08 грн
250+52.08 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PZTA06 PZTA06 ONSEMI 1852077.pdf Description: ONSEMI - PZTA06 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 500mA
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.50 грн
500+17.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PZTA06 PZTA06 ONSEMI ONSM-S-A0003589199-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - PZTA06 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+43.67 грн
24+36.41 грн
100+23.50 грн
500+17.06 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
PZTA56 PZTA56 ONSEMI 13231.pdf Description: ONSEMI - PZTA56 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 500mA
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.23 грн
500+21.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PZTA56 PZTA56 ONSEMI pzta56-d.pdf Description: ONSEMI - PZTA56 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+73.67 грн
50+45.81 грн
250+29.74 грн
1000+19.13 грн
2000+16.04 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
2N5302G 2N5302G ONSEMI 112490.pdf Description: ONSEMI - 2N5302G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 30 A, 200 W, TO-204AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 2
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 30
Verlustleistung: 200
Bauform - Transistor: TO-204AA
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+73.16 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BZX85C16 ONSM-S-A0003584474-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BZX85C16
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX85C16 - Zener-Diode, 16 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 16
Verlustleistung: 1
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF5N50NZ ONSM-S-A0003584061-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDPF5N50NZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF5N50NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.38 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.38ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+151.27 грн
10+115.38 грн
100+110.25 грн
500+56.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF5N50T ONSM-S-A0003584146-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDPF5N50T
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF5N50T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.15 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+145.29 грн
10+92.30 грн
100+64.10 грн
500+46.35 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF5N50NZF ONSM-S-A0003584040-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDPF5N50NZF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF5N50NZF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.2 A, 1.57 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 4.2
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 30
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 30
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.57
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.57
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2498BUCX 2907238.pdf
FPF2498BUCX
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FPF2498BUCX - LASTSCHALTER EINST OVP, -40 BIS 85°C
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.09ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: 1.7A
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 12V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+74.27 грн
14+61.88 грн
100+43.16 грн
500+31.59 грн
1000+26.08 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FQP27N25 2907435.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP27N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25.5 A, 0.083 ohm, TO-220
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 25.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 180
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 180
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP27N25.. 2264894.pdf
FQP27N25..
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP27N25.. - N CH MOSFET, 250V, 25.5A, TO-220
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 25.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 180
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 180
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.11
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11
SVHC: Lead
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF10N20C 1863457.pdf
FQPF10N20C
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF10N20C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.5 A, 0.29 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 9.5
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 38
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 38
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.29
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+113.67 грн
10+102.56 грн
100+79.82 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF70N10 2907443.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF70N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.019 ohm, TO-220F
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 35
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 62
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 62
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+226.48 грн
10+193.15 грн
100+164.09 грн
500+125.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7P20 2907444.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF7P20 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 5 A, 0.54 ohm, TO-220F
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 45
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 45
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.54
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+134.18 грн
10+117.09 грн
100+97.43 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N80C 2303945.pdf
FQPF8N80C
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF8N80C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 1.29 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 8
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 59
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 59
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.29
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.29
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N50CF ONSM-S-A0003584420-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQPF9N50CF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF9N50CF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 9 A, 0.7 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 1796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+159.82 грн
10+122.22 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N90C FQPF8N90C-D.pdf
FQPF8N90C
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF8N90C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 6.3 A, 1.6 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 15174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+90.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5P20 FQPF5P20RDTU-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF5P20 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 3.4 A, 1.1 ohm, TO-220F
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 3.4
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 38
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 38
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.1
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
35+24.61 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N40 ONSM-S-A0003587877-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQPF5N40
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF5N40 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3 A, 1.6 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+106.83 грн
12+76.92 грн
100+55.12 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF13N06L 1863458.pdf
FQPF13N06L
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF13N06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.088 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 10
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 24
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 24
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.088
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF22P10 2572550.pdf
FQPF22P10
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF22P10 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13.2 A, 0.096 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 13.2
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 45
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 45
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.096
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF33N10L 2907440.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF33N10L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18 A, 0.039 ohm, TO-220F
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 18
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 41
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 41
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.039
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+135.89 грн
10+112.81 грн
100+87.17 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF47P06YDTU FQPF47P06-D.pdf
FQPF47P06YDTU
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF47P06YDTU - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 30 A, 0.026 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 30
Verlustleistung Pd: 62
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 62
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF16N25C FQP16N25C-D.pdf
FQPF16N25C
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF16N25C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 15.6 A, 0.22 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 15.6
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 43
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 43
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FSQ0365RLX 2284143.pdf
FSQ0365RLX
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSQ0365RLX - Leistungsschalter für Wandler, Valley Switching, 1 Ausgang, 20V, 1.5A, SOP-8
tariffCode: 85423190
Durchlasswiderstand: 3.5ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Strombegrenzung: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: -
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 20V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: SOP
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+216.23 грн
10+162.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FSQ0365RLX 2284143.pdf
FSQ0365RLX
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSQ0365RLX - Leistungsschalter für Wandler, Valley Switching, 1 Ausgang, 20V, 1.5A, SOP-8
tariffCode: 85423190
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ESD7C5.0DT5G 2572348.pdf
ESD7C5.0DT5G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ESD7C5.0DT5G - ESD-Schutzbaustein, SOT-723, 3 Pin(s), 240 mW, ESD7CxxD
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-723
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 240mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ESD7CxxD
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
32+27.52 грн
54+15.90 грн
109+7.85 грн
500+6.82 грн
1000+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
NTK3134NT5G ONSM-S-A0013670158-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTK3134NT5G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTK3134NT5G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 890 mA, 0.2 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 890mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
35+24.96 грн
56+15.30 грн
100+9.57 грн
500+6.56 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
NDSH50120C NDSH50120C-D.PDF
NDSH50120C
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDSH50120C - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 50 A, 246 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 246nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1358.90 грн
5+1354.62 грн
10+1349.49 грн
50+830.11 грн
100+765.52 грн
250+764.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDV305N FDV305N-D.pdf
FDV305N
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDV305N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 900 mA, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 11069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+37.18 грн
50+21.71 грн
100+10.94 грн
500+10.08 грн
1500+9.08 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
FDV305N 2298599.pdf
FDV305N
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDV305N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 900 mA, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.31 грн
9000+6.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDV305N ONSM-S-A0003587639-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDV305N
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDV305N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 900 mA, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 26580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+9.74 грн
500+8.17 грн
1500+7.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCP5501DT33RKG 1748771.pdf
NCP5501DT33RKG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP5501DT33RKG - LDO-Festspannungsregler, 18Vin, 230mV Dropout-Spannung, 3.3V/500mAout, TO-252-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
Nennausgangsspannung: 3.3V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 18V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 500mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 230mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 230mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 9430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+101.70 грн
13+66.41 грн
100+43.76 грн
500+32.06 грн
1000+26.74 грн
2500+20.58 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
S3KB S3MB-D.PDF
S3KB
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - S3KB - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 3 A, Einfach, 1.15 V, 1.5 µs, 80 A
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 80
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.15
Sperrverzögerungszeit: 1.5
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCX17LT1G description 2353842.pdf
BCX17LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCX17LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, PNP, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
56+15.47 грн
110+7.82 грн
142+6.03 грн
500+4.09 грн
1500+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
LC78615E-01US-H LC78615E-D.PDF
LC78615E-01US-H
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LC78615E-01US-H - Audiosteuerung, Digitaler Audio-Signalprozessor, 3V bis 3.6V, Seriell, PQFP, 64 Pin(s), -40 °C
Audiosteuerung: Digitaler Audio-Signalprozessor
Versorgungsspannung: 3V bis 3.6V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40
Steuer-/Bedienschnittstelle: Seriell
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 64
Produktpalette: -
Bauform - Audio-IC: PQFP
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BB-GEVK EVBUM2497-D.PDF
BB-GEVK
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BB-GEVK - Evaluationsboard, Basisplatine IoT-Entwicklung (WiFi & LCD), Hardware-Implementierung IoT-Anwendung
Prozessorkern: NCS36510
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard NCS36510
Unterart Anwendung: Internet of Things (IoT)
Produktpalette: IOT
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5690.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N90C 1785295.pdf
FQPF6N90C
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF6N90C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 6 A, 1.93 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 6
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 56
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 56
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.93
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.93
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVE4153NT1G ONSM-S-A0013750259-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NVE4153NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVE4153NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 26 V, 915 mA, 0.23 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 26V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 915mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+49.48 грн
25+35.55 грн
100+25.38 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BCP68 2552617.pdf
BCP68
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCP68 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 1.5W
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 1A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 125750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
150+6.24 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
NCID9210R2 3409744.pdf
NCID9210R2
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCID9210R2 - Digitaler Isolator, 2 Kanäle, 2.5 V, 5.5 V, WSOIC, 16 Pin(s), 50 Mbps
tariffCode: 85414090
rohsCompliant: YES
Isolation: Galvanisch
Anzahl der Kanäle: 2 Kanäle
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangspegel: -
Eingangspegel: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: 5kV
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Ausbreitungsverzögerung: 20ns
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Übertragungsrate: 50Mbps
Produktpalette: -
Isolations-IC: Digitaler Isolator
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Bauform - Schnittstellenbaustein: WSOIC
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+382.03 грн
25+319.64 грн
50+273.00 грн
100+210.24 грн
250+204.38 грн
500+202.92 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NCID9210 3409744.pdf
NCID9210
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCID9210 - Digitaler Isolator, 2 Kanäle, 2.5 V, 5.5 V, WSOIC, 16 Pin(s), 50 Mbps
tariffCode: 85414090
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangspegel: -
Eingangspegel: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: 5kV
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Übertragungsrate: 50Mbps
Produktpalette: -
Isolations-IC: Digitaler Isolator
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+628.17 грн
10+420.49 грн
25+376.05 грн
50+307.92 грн
100+283.50 грн
250+282.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NCID9210R2 3409744.pdf
NCID9210R2
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCID9210R2 - Digitaler Isolator, 2 Kanäle, 2.5 V, 5.5 V, WSOIC, 16 Pin(s), 50 Mbps
tariffCode: 85414090
rohsCompliant: YES
Isolation: Galvanisch
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangspegel: -
Eingangspegel: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: 5kV
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Übertragungsrate: 50Mbps
Produktpalette: -
Isolations-IC: Digitaler Isolator
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+570.91 грн
10+382.03 грн
25+319.64 грн
50+273.00 грн
100+210.24 грн
250+204.38 грн
500+202.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BTT1G 2354013.pdf
BC847BTT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC847BTT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SC-75, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 450hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SC-75
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 23124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
73+11.71 грн
116+7.43 грн
183+4.67 грн
500+3.18 грн
1500+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 73
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB25N120FL2WG ngtb25n120fl2w-d.pdf
NGTB25N120FL2WG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NGTB25N120FL2WG - IGBT, Field Stop II, 50 A, 2 V, 385 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+643.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120FL2WG ONSM-S-A0013670134-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NGTB15N120FL2WG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NGTB15N120FL2WG - IGBT, 30 A, 2 V, 294 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+546.98 грн
10+496.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BAS20HT1G 1917349.pdf
BAS20HT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAS20HT1G - Kleinsignaldiode, schaltend, Einfach, 200 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 625mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAS20
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 21595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
104+8.28 грн
170+5.05 грн
250+4.15 грн
1000+2.46 грн
10500+0.92 грн
Мінімальне замовлення: 104
В кошику  од. на суму  грн.
BAS20LT1G 2255295.pdf
BAS20LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAS20LT1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 200 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 625mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS20
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 47750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
104+8.28 грн
192+4.47 грн
230+3.73 грн
500+2.61 грн
1000+1.77 грн
5000+0.92 грн
Мінімальне замовлення: 104
В кошику  од. на суму  грн.
BAS20HT1G 1917349.pdf
BAS20HT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAS20HT1G - Kleinsignaldiode, schaltend, Einfach, 200 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 625mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAS20
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 21595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.15 грн
1000+2.46 грн
10500+0.92 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BAS20LT1G 2255295.pdf
BAS20LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAS20LT1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 200 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 625mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS20
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 47750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.61 грн
1000+1.77 грн
5000+0.92 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BAS20LT3G BAS19LT1-D.PDF
BAS20LT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAS20LT3G - Kleinsignaldiode, Einfach, 200 V, 200 mA, 1 V, 50 ns, 625 mA
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 625
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1
Sperrverzögerungszeit: 50
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0210N80 FDBL0210N80-D.pdf
FDBL0210N80
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL0210N80 - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FXLA101L6X FXLA101-D.pdf
FXLA101L6X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FXLA101L6X - DUAL SUPPLY 1-BIT VOLTAGE TRANSLATOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSB1015YTU 2572458.pdf
KSB1015YTU
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSB1015YTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 25 W, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 9MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+84.10 грн
16+54.61 грн
100+49.23 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FCH150N65F-F155 2301860.pdf
FCH150N65F-F155
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCH150N65F-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.133 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.133ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+544.41 грн
5+493.99 грн
10+443.56 грн
50+343.63 грн
100+267.38 грн
250+262.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCB125N65S3 ONSM-S-A0010104092-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FCB125N65S3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCB125N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.105 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 181W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 181W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+255.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532DY si4532dy-d.pdf
SI4532DY
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SI4532DY - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.053 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.053ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.053ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+113.67 грн
10+87.17 грн
100+63.59 грн
500+40.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532DY 2298134.pdf
SI4532DY
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SI4532DY - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.053 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.053ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.053ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+63.59 грн
500+40.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCS2333DR2G 2180990.pdf
NCS2333DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS2333DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 2 Kanäle, 270 kHz, 0.15 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Driftfrei
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.15V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 270kHz
Eingangsoffsetspannung: 6µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 60pA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+110.25 грн
11+80.59 грн
50+72.99 грн
100+60.08 грн
250+52.08 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PZTA06 1852077.pdf
PZTA06
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - PZTA06 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 500mA
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+23.50 грн
500+17.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PZTA06 ONSM-S-A0003589199-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PZTA06
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - PZTA06 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+43.67 грн
24+36.41 грн
100+23.50 грн
500+17.06 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
PZTA56 13231.pdf
PZTA56
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - PZTA56 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 500mA
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+29.23 грн
500+21.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PZTA56 pzta56-d.pdf
PZTA56
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - PZTA56 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+73.67 грн
50+45.81 грн
250+29.74 грн
1000+19.13 грн
2000+16.04 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
2N5302G 112490.pdf
2N5302G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5302G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 30 A, 200 W, TO-204AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 2
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 30
Verlustleistung: 200
Bauform - Transistor: TO-204AA
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+73.16 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 237 474 711 948 1185 1422 1659 1817 1818 1819 1820 1821 1822 1823 1824 1825 1826 1827 1896 2133 2370 2374  [ Наступна Сторінка >> ]