| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NJL1302DG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NJL1302DG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 260 V, 15 A, 200 W, TO-264, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-264 Dauerkollektorstrom: 15A Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 260V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 413 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TIP48G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - TIP48G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 1 A, 40 W, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 10MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1326 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TIP48TU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - TIP48TU - 1.0 A, 300 V NPN BIPOLAR POWER TRANSISTOSVHC: Lead (19-Jan-2021) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
NXH25C120L2C2SG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NXH25C120L2C2SG - IGBT-Modul, Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: Y-EX IGBT-Technologie: - Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötanschluss Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: DIP Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 25A Anzahl der Pins: 26Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse] productTraceability: No Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal DC-Kollektorstrom: 25A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NXH35C120L2C2SG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NXH35C120L2C2SG - IGBT-Modul, Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: Y-EX IGBT-Technologie: - Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötanschluss Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: DIP Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 35A Anzahl der Pins: 26Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse] productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal DC-Kollektorstrom: 35A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NXH50C120L2C2ESG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NXH50C120L2C2ESG - IGBT-Modul, Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: Y-EX IGBT-Technologie: - Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötanschluss Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: DIP Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 50A Anzahl der Pins: 26Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse] productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal DC-Kollektorstrom: 50A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NXH35C120L2C2ESG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NXH35C120L2C2ESG - IGBT-Modul, Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: Y-EX IGBT-Technologie: - Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötanschluss Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: DIP Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 35A Anzahl der Pins: 26Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse] productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal DC-Kollektorstrom: 35A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
KSC2334YTU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSC2334YTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 7 A, 40 W, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 7A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: KSC2334 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 53 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BC858AWT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC858AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 6660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BC858BWT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC858BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 150 mW, SC-70, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SC-70 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BC858BWT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC858BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 150 mW, SC-70, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SC-70 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BC858AWT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC858AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 6660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BC858BLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC858BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1278 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FAN7710VN | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FAN7710VN - Controller, Vorschaltgerät, CFL-Controller, 14.4V DC bis 440V DC Versorgung, DIP-8, -40°C bis 125°CVersorgungsspannung, min.: 14.4 Bauform - Controller-IC: DIP Anzahl der Pins: 8 Vorschaltgerät: CFL-Controller Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, max.: 440 Betriebstemperatur, max.: 125 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
1N4745A. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N4745A. - Zener-Diode, 16 V, 1.3 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C, DurchsteckmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL) rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N47xxA productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 200°C Zener-Spannung, nom.: 16V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 9170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
1N4745ATR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N4745ATR - Zener-Diode, 16 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °CZener-Spannung, nom.: 16 Verlustleistung: 1 Anzahl der Pins: 2 Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL) Qualifikation: - Betriebstemperatur, max.: 200 Produktpalette: 1N47xxA SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
BYW51-200G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BYW51-200G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, zweifach, 200 V, 16 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 970 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220AB Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 970mV Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: BYW51 productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1157 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NL17SZ175DBVT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NL17SZ175DBVT1G - D-TYPE FLIP-FLOP WITH ASYNCHRONOUS CLEARMSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
FCD3400N80Z | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCD3400N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.75 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 32W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperFET II productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.75ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2060 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FCD3400N80Z | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCD3400N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.75 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 32W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperFET II productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.75ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2060 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
74LCX14BQX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 74LCX14BQX - Logik-IC, Wechselrichter, Sechs, 1 Inputs, 14 Pin(s), DQFN, 74LCX14tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Logikfunktion: Wechselrichter Logik-IC-Familie: 74LCX Anzahl der Elemente: Sechs Bauform - Logikbaustein: DQFN hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: - IC-Gehäuse / Bauform: DQFN MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: 74LCX14 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Anzahl der Eingänge: 1Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1626 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
VEC2616-TL-W | ONSEMI |
Description: ONSEMI - VEC2616-TL-W - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.062 ohm, VEC, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 3 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 900 Bauform - Transistor: VEC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.062 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 2.6 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
VEC2616-TL-W | ONSEMI |
Description: ONSEMI - VEC2616-TL-W - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.062 ohm, VEC, OberflächenmontageSVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
VEC2415-TL-W | ONSEMI |
Description: ONSEMI - VEC2415-TL-W - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.062 ohm, VEC, OberflächenmontageSVHC: Lead (17-Jan-2022) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
VEC2415-TL-W | ONSEMI |
Description: ONSEMI - VEC2415-TL-W - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.062 ohm, VEC, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 3 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 900 Bauform - Transistor: VEC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.062 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 2.6 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
CAT5119TBI-10GT3 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CAT5119TBI-10GT3 - DIGITAL POTENTIOMETER (POT)MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
FJA4210OTU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FJA4210OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 140 V, 10 A, 100 W, TO-3P, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 70 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 10 Verlustleistung: 100 Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140 Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 30 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 984 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NRVUS120VT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NRVUS120VT3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 875 mV, 35 ns, 40 ABauform - Diode: DO-214AA (SMB) Durchlassstoßstrom: 40 Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 875 Sperrverzögerungszeit: 35 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200 Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NRVUS120VT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NRVUS120VT3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 875 mV, 35 ns, 40 ASVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
SD05T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SD05T1G - TVS-Diode, SD05T1, Unidirektional, 5 V, 14.5 V, SOD-323, 2 Pin(s)tariffCode: 85363030 Bauform - Diode: SOD-323 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 6.2V Qualifikation: AEC-Q101 Durchbruchspannung, max.: 7.3V usEccn: EAR99 Sperrspannung: 5V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 350W TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: SD05T1 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 14.5V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
CAT3200HU2-GT3 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CAT3200HU2-GT3 - DC/DC-Aufwärtswandler, Schaltkondensator, einstellbar, 2.7V-4.5Vin, 3V bis 5V/100mAout, UDFN-8tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Nominelle feste Ausgangsspannung: 5V IC-Gehäuse / Bauform: UDFN MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Einstellbare Ausgangsspannung, max.: 6V Betriebstemperatur, min.: -40°C Einstellbare Ausgangsspannung, min.: 2.7V Eingangsspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 100mA Eingangsspannung, min.: 2.7V Topologie: Boost (Aufwärts) Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 343 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDP038AN06A0 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDP038AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0035 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 80 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 310 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
FDP038AN06A0-F102 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDP038AN06A0-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0035 ohm, TO-220, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 80 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 310 Bauform - Transistor: TO-220 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: Power Trench Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
NCV8402ADDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV8402ADDR2G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 42 V, 42 V, 2 A, 2 A, 0.165 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 42V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.165ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.62W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 42V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.165ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.62W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 6085 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BZX84C10LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BZX84C10LT1G - Zener-Diode, 10 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BZX84CxxxLT1G productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 10V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 32784 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
D45H8G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - D45H8G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 10 A, 70 W, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 70W Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 10A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 40MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 3443 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2N5550TA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N5550TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 140 V, 600 mA, 1.5 W, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1008 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FSBB15CH120D | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FSBB15CH120D - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 1.2 kV, 15 A, 2500 Vrms, SPMMF-027, SPM3IPM-Baureihe: SPM3 Isolationsspannung: 2500 Nennstrom (Ic/Id): 15 Nennspannung (Vces / Vdss): 1.2 Bauform - IPM: SPMMF-027 Produktpalette: Motion SPM 3 Series SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
DTC124XET1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - DTC124XET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohmtariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SC-75 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 7258 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NCP1256BSN65T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1256BSN65T1G - PWM-Controller, Current-Mode, bis zu 35V Versorgungsspannung, 65/100kHz, 500mAout, TSOP-6tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Schaltfrequenz, max.: 70kHz Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Schaltfrequenz, min.: 61kHz MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Schaltfrequenz, typ.: 65kHz Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: - euEccn: NLR Netzteil-Controller: Sekundärseitiger Regler Topologie: Flyback Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Steuer-/Bedienmodus: Current-Mode-Regelung productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: - Tastverhältnis, min.: - Betriebstemperatur, max.: 125°C Tastverhältnis, max.: 83% SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 5833 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
AR0237CSSC12SPRA0-DR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0237CSSC12SPRA0-DR - IMAGE SENSORMSL: MSL 4 - 72 Stunden SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
AR0221SR2C00SUEA0-DPBR1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0221SR2C00SUEA0-DPBR1 - CMOS IMAGE SENSOR, 2.1 MPMSL: MSL 4 - 72 Stunden SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
BZX79-C20 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BZX79-C20 - Zener-Diode, 20 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °CZener-Spannung, nom.: 20 Verlustleistung: 500 Anzahl der Pins: 2 Bauform - Diode: DO-35 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 500 Betriebstemperatur, max.: 200 Produktpalette: BZX79 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
RHRG30120 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - RHRG30120 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, Soft-Recovery, 1.2 kV, 30 A, Einfach, 3.2 V, 75 ns, 300 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Durchlassstoßstrom: 300A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 3.2V Sperrverzögerungszeit: 75ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: RHRG3 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 347 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SZNUP2105LT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SZNUP2105LT3G - CAN BUS PROTECTOR, DUAL LINESVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
NTBGS001N06C | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTBGS001N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 342 A, 0.00089 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 342A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 245W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 245W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 890µohm Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 890µohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
NTBGS001N06C | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTBGS001N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 342 A, 0.00089 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 342A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 245W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 245W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 890µohm Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 890µohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FOD817D3SD | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD817D3SD - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 300 %tariffCode: 85414900 rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES CTR, min.: 300% usEccn: EAR99 Isolationsspannung: 5kV Durchlassstrom If, max.: 50mA euEccn: NLR Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 8885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTR4502PT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTR4502PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.95 A, 0.2 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.95A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 17666 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FOD8523S | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD8523S - Optokoppler, Darlington-Ausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 1000 %tariffCode: 85414900 rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES CTR, min.: 1000% usEccn: EAR99 Isolationsspannung: 5kV Durchlassstrom If, max.: 50mA euEccn: NLR Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 300V Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FOD8001 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD8001 - Optokoppler, 1 Kanal, 3.75 kV, 20 Mbaud, SOIC, 8 Pin(s)tariffCode: 85414900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Anzahl der Kanäle: 1 Kanal rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 8Pin(s) Isolationsspannung: 3.75kV euEccn: NLR hazardous: false Bauform - Optokoppler: SOIC rohsPhthalatesCompliant: YES Übertragungsrate: 20Mbaud usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 614 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FOD8482 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD8482 - Optokoppler, breite Anschlüsse, 1 Kanal, 5 kV, 1 Mbps, SOP, 6 Pin(s), FOD848xtariffCode: 85414900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Anzahl der Kanäle: 1 Kanal rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 6Pin(s) Isolationsspannung: 5kV euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false Bauform - Optokoppler: SOP rohsPhthalatesCompliant: YES Übertragungsrate: 1Mbps usEccn: EAR99 Produktpalette: FOD848x SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1609 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FOD8480 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD8480 - Optokoppler, 1 Kanal, 5 kV, 1 Mbps, SOP, 6 Pin(s), FOD848xtariffCode: 85414900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Anzahl der Kanäle: 1 Kanal rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 6Pin(s) Isolationsspannung: 5kV euEccn: NLR hazardous: false Bauform - Optokoppler: SOP rohsPhthalatesCompliant: YES Übertragungsrate: 1Mbps usEccn: EAR99 Produktpalette: FOD848x SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 306 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FOD852S | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD852S - Optokoppler, Darlington-Ausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 1000 %tariffCode: 85414900 rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES CTR, min.: 1000% usEccn: EAR99 Isolationsspannung: 5kV Durchlassstrom If, max.: 50mA euEccn: NLR Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 300V Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 242 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FOD8482TR2 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD8482TR2 - Optokoppler, 1 Kanal, 5 kV, 1 Mbps, WSOIC, 6 Pin(s), FOD848xtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Isolationsspannung: 5kV euEccn: NLR Bauform - Optokoppler: WSOIC Anzahl der Pins: 6Pin(s) Übertragungsrate: 1Mbps Produktpalette: FOD848x productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FOD8482TR2 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD8482TR2 - Optokoppler, 1 Kanal, 5 kV, 1 Mbps, WSOIC, 6 Pin(s), FOD848xtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Isolationsspannung: 5kV euEccn: NLR Bauform - Optokoppler: WSOIC Anzahl der Pins: 6Pin(s) Übertragungsrate: 1Mbps Produktpalette: FOD848x productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
FOD852SD | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD852SD - Optokoppler, Darlington-Ausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 1000 %tariffCode: 85414900 rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES CTR, min.: 1000% usEccn: EAR99 Isolationsspannung: 5kV Durchlassstrom If, max.: 50mA euEccn: NLR Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 300V Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage Anzahl der Pins: 4Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 6891 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FOD8523SD | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD8523SD - Optokoppler, Darlington-Ausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 1000 %tariffCode: 85414900 rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES CTR, min.: 1000% usEccn: EAR99 Isolationsspannung: 5kV Durchlassstrom If, max.: 50mA euEccn: NLR Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 300V Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1851 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TL431BVLPRAG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - TL431BVLPRAG - Spannungsreferenz, Shunt - einstellbar, 2.495V bis 36V Referenzspannung, ± 50ppm/°C, TO-92-3tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Referenzspannung, max.: 36V isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TO-92 Referenzspannung, min.: 2.495V MSL: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Temperaturkoeffizient: ± 50ppm/°C Eingangsspannung, max.: 36V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TL431B productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 125°C Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar Anfangsgenauigkeit: 0.4% SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NCP785AH50T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP785AH50T1G - Linearer Spannungsregler, feste Ausgangsspannung, 50V-450V Eingangsspannung, 5V/10mAout, SOT-89-3tariffCode: 85423990 Ausgang: Fest rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOT-89 Nennausgangsspannung: 5V MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 450V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 10mA Eingangsspannung, min.: 50V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: 5V 10mA Linear Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: 5V productTraceability: No Ausgangsstrom, max.: 10mA Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 109 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| NJL1302DG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NJL1302DG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 260 V, 15 A, 200 W, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-264
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 260V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NJL1302DG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 260 V, 15 A, 200 W, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-264
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 260V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 588.17 грн |
| 10+ | 347.07 грн |
| 100+ | 288.79 грн |
| TIP48G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TIP48G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 1 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - TIP48G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 1 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 128.94 грн |
| 15+ | 61.73 грн |
| 100+ | 55.02 грн |
| 500+ | 33.13 грн |
| 1000+ | 30.13 грн |
| TIP48TU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TIP48TU - 1.0 A, 300 V NPN BIPOLAR POWER TRANSISTO
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - TIP48TU - 1.0 A, 300 V NPN BIPOLAR POWER TRANSISTO
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NXH25C120L2C2SG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH25C120L2C2SG - IGBT-Modul, Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: DIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 25A
Anzahl der Pins: 26Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 25A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NXH25C120L2C2SG - IGBT-Modul, Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: DIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 25A
Anzahl der Pins: 26Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 25A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3653.55 грн |
| 5+ | 3580.25 грн |
| NXH35C120L2C2SG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH35C120L2C2SG - IGBT-Modul, Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: DIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 35A
Anzahl der Pins: 26Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 35A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NXH35C120L2C2SG - IGBT-Modul, Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: DIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 35A
Anzahl der Pins: 26Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 35A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 5350.94 грн |
| NXH50C120L2C2ESG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH50C120L2C2ESG - IGBT-Modul, Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: DIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 26Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 50A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NXH50C120L2C2ESG - IGBT-Modul, Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: DIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 26Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 50A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 8593.83 грн |
| NXH35C120L2C2ESG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH35C120L2C2ESG - IGBT-Modul, Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: DIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 35A
Anzahl der Pins: 26Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 35A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NXH35C120L2C2ESG - IGBT-Modul, Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: DIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 35A
Anzahl der Pins: 26Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 35A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 5479.88 грн |
| KSC2334YTU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSC2334YTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 7 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: KSC2334
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - KSC2334YTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 7 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: KSC2334
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 137.77 грн |
| 14+ | 65.53 грн |
| BC858AWT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC858AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BC858AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 59+ | 15.19 грн |
| 98+ | 9.10 грн |
| 156+ | 5.67 грн |
| 500+ | 3.85 грн |
| 1000+ | 3.12 грн |
| 5000+ | 2.82 грн |
| BC858BWT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC858BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BC858BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 3.61 грн |
| BC858BWT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC858BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BC858BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 62+ | 14.40 грн |
| 103+ | 8.63 грн |
| 166+ | 5.33 грн |
| 500+ | 3.61 грн |
| BC858AWT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC858AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BC858AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 3.85 грн |
| 1000+ | 3.12 грн |
| 5000+ | 2.82 грн |
| BC858BLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC858BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BC858BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 96+ | 9.27 грн |
| 161+ | 5.50 грн |
| 255+ | 3.47 грн |
| 500+ | 2.44 грн |
| FAN7710VN |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FAN7710VN - Controller, Vorschaltgerät, CFL-Controller, 14.4V DC bis 440V DC Versorgung, DIP-8, -40°C bis 125°C
Versorgungsspannung, min.: 14.4
Bauform - Controller-IC: DIP
Anzahl der Pins: 8
Vorschaltgerät: CFL-Controller
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, max.: 440
Betriebstemperatur, max.: 125
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FAN7710VN - Controller, Vorschaltgerät, CFL-Controller, 14.4V DC bis 440V DC Versorgung, DIP-8, -40°C bis 125°C
Versorgungsspannung, min.: 14.4
Bauform - Controller-IC: DIP
Anzahl der Pins: 8
Vorschaltgerät: CFL-Controller
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, max.: 440
Betriebstemperatur, max.: 125
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 1N4745A. |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4745A. - Zener-Diode, 16 V, 1.3 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N47xxA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 16V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 1N4745A. - Zener-Diode, 16 V, 1.3 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N47xxA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 16V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 61+ | 14.66 грн |
| 96+ | 9.27 грн |
| 200+ | 4.42 грн |
| 500+ | 3.85 грн |
| 1000+ | 3.41 грн |
| 5000+ | 3.04 грн |
| 1N4745ATR |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4745ATR - Zener-Diode, 16 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 16
Verlustleistung: 1
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: 1N47xxA
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - 1N4745ATR - Zener-Diode, 16 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 16
Verlustleistung: 1
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: 1N47xxA
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BYW51-200G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BYW51-200G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, zweifach, 200 V, 16 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 970 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AB
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 970mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BYW51
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - BYW51-200G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, zweifach, 200 V, 16 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 970 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AB
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 970mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BYW51
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 173.98 грн |
| 12+ | 75.42 грн |
| 100+ | 72.24 грн |
| 500+ | 66.10 грн |
| 1000+ | 59.65 грн |
| NL17SZ175DBVT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NL17SZ175DBVT1G - D-TYPE FLIP-FLOP WITH ASYNCHRONOUS CLEAR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NL17SZ175DBVT1G - D-TYPE FLIP-FLOP WITH ASYNCHRONOUS CLEAR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FCD3400N80Z |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCD3400N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.75 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.75ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FCD3400N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.75 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.75ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 95.38 грн |
| 12+ | 77.98 грн |
| 100+ | 63.67 грн |
| 500+ | 57.08 грн |
| 1000+ | 50.79 грн |
| FCD3400N80Z |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCD3400N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.75 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.75ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FCD3400N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.75 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.75ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 63.67 грн |
| 500+ | 57.08 грн |
| 1000+ | 50.79 грн |
| 74LCX14BQX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 74LCX14BQX - Logik-IC, Wechselrichter, Sechs, 1 Inputs, 14 Pin(s), DQFN, 74LCX14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 74LCX
Anzahl der Elemente: Sechs
Bauform - Logikbaustein: DQFN
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: DQFN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74LCX14
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 74LCX14BQX - Logik-IC, Wechselrichter, Sechs, 1 Inputs, 14 Pin(s), DQFN, 74LCX14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 74LCX
Anzahl der Elemente: Sechs
Bauform - Logikbaustein: DQFN
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: DQFN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74LCX14
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 23+ | 38.86 грн |
| 32+ | 28.26 грн |
| 100+ | 21.90 грн |
| 500+ | 17.96 грн |
| 1000+ | 15.06 грн |
| VEC2616-TL-W |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - VEC2616-TL-W - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.062 ohm, VEC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 3
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 900
Bauform - Transistor: VEC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.062
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.6
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - VEC2616-TL-W - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.062 ohm, VEC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 3
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 900
Bauform - Transistor: VEC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.062
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.6
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 75.42 грн |
| 14+ | 64.12 грн |
| 100+ | 44.78 грн |
| VEC2616-TL-W |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - VEC2616-TL-W - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.062 ohm, VEC, Oberflächenmontage
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - VEC2616-TL-W - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.062 ohm, VEC, Oberflächenmontage
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 44.78 грн |
| VEC2415-TL-W |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - VEC2415-TL-W - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.062 ohm, VEC, Oberflächenmontage
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - VEC2415-TL-W - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.062 ohm, VEC, Oberflächenmontage
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| VEC2415-TL-W |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - VEC2415-TL-W - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.062 ohm, VEC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 3
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 900
Bauform - Transistor: VEC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.062
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.6
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - VEC2415-TL-W - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.062 ohm, VEC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 3
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 900
Bauform - Transistor: VEC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.062
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.6
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| CAT5119TBI-10GT3 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5119TBI-10GT3 - DIGITAL POTENTIOMETER (POT)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - CAT5119TBI-10GT3 - DIGITAL POTENTIOMETER (POT)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FJA4210OTU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FJA4210OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 140 V, 10 A, 100 W, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 70
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10
Verlustleistung: 100
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FJA4210OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 140 V, 10 A, 100 W, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 70
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10
Verlustleistung: 100
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 258.76 грн |
| 10+ | 219.90 грн |
| 100+ | 161.61 грн |
| 500+ | 132.85 грн |
| NRVUS120VT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NRVUS120VT3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 875 mV, 35 ns, 40 A
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 40
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 875
Sperrverzögerungszeit: 35
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NRVUS120VT3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 875 mV, 35 ns, 40 A
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 40
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 875
Sperrverzögerungszeit: 35
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NRVUS120VT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NRVUS120VT3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 875 mV, 35 ns, 40 A
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NRVUS120VT3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 875 mV, 35 ns, 40 A
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SD05T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SD05T1G - TVS-Diode, SD05T1, Unidirektional, 5 V, 14.5 V, SOD-323, 2 Pin(s)
tariffCode: 85363030
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 6.2V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 7.3V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 5V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 350W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SD05T1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 14.5V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - SD05T1G - TVS-Diode, SD05T1, Unidirektional, 5 V, 14.5 V, SOD-323, 2 Pin(s)
tariffCode: 85363030
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 6.2V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 7.3V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 5V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 350W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SD05T1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 14.5V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 29.94 грн |
| 50+ | 17.75 грн |
| 100+ | 12.72 грн |
| 500+ | 9.51 грн |
| 1500+ | 8.18 грн |
| CAT3200HU2-GT3 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT3200HU2-GT3 - DC/DC-Aufwärtswandler, Schaltkondensator, einstellbar, 2.7V-4.5Vin, 3V bis 5V/100mAout, UDFN-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nominelle feste Ausgangsspannung: 5V
IC-Gehäuse / Bauform: UDFN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: 6V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: 2.7V
Eingangsspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Eingangsspannung, min.: 2.7V
Topologie: Boost (Aufwärts)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - CAT3200HU2-GT3 - DC/DC-Aufwärtswandler, Schaltkondensator, einstellbar, 2.7V-4.5Vin, 3V bis 5V/100mAout, UDFN-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nominelle feste Ausgangsspannung: 5V
IC-Gehäuse / Bauform: UDFN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: 6V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: 2.7V
Eingangsspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Eingangsspannung, min.: 2.7V
Topologie: Boost (Aufwärts)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 151.02 грн |
| 10+ | 128.06 грн |
| 50+ | 110.39 грн |
| 100+ | 86.11 грн |
| 250+ | 69.49 грн |
| FDP038AN06A0 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP038AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0035 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 80
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 310
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FDP038AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0035 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 80
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 310
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FDP038AN06A0-F102 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP038AN06A0-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0035 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 80
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 310
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Power Trench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FDP038AN06A0-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0035 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 80
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 310
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Power Trench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NCV8402ADDR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV8402ADDR2G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 42 V, 42 V, 2 A, 2 A, 0.165 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 42V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.165ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.62W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 42V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.165ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.62W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCV8402ADDR2G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 42 V, 42 V, 2 A, 2 A, 0.165 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 42V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.165ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.62W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 42V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.165ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.62W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 173.10 грн |
| 50+ | 93.61 грн |
| 100+ | 68.36 грн |
| 500+ | 56.67 грн |
| 1000+ | 47.99 грн |
| BZX84C10LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84C10LT1G - Zener-Diode, 10 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 10V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BZX84C10LT1G - Zener-Diode, 10 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 10V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 32784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 101+ | 8.80 грн |
| 171+ | 5.19 грн |
| 347+ | 2.55 грн |
| 1000+ | 2.21 грн |
| 15000+ | 0.98 грн |
| D45H8G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - D45H8G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 10 A, 70 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - D45H8G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 10 A, 70 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 98.91 грн |
| 18+ | 50.87 грн |
| 100+ | 46.72 грн |
| 500+ | 32.31 грн |
| 1000+ | 24.90 грн |
| 2N5550TA |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5550TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 140 V, 600 mA, 1.5 W, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 2N5550TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 140 V, 600 mA, 1.5 W, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 38+ | 23.67 грн |
| 61+ | 14.48 грн |
| 100+ | 9.01 грн |
| 500+ | 6.20 грн |
| 1000+ | 5.07 грн |
| FSBB15CH120D |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSBB15CH120D - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 1.2 kV, 15 A, 2500 Vrms, SPMMF-027, SPM3
IPM-Baureihe: SPM3
Isolationsspannung: 2500
Nennstrom (Ic/Id): 15
Nennspannung (Vces / Vdss): 1.2
Bauform - IPM: SPMMF-027
Produktpalette: Motion SPM 3 Series
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FSBB15CH120D - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 1.2 kV, 15 A, 2500 Vrms, SPMMF-027, SPM3
IPM-Baureihe: SPM3
Isolationsspannung: 2500
Nennstrom (Ic/Id): 15
Nennspannung (Vces / Vdss): 1.2
Bauform - IPM: SPMMF-027
Produktpalette: Motion SPM 3 Series
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| DTC124XET1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DTC124XET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-75
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - DTC124XET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-75
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 70+ | 12.72 грн |
| 108+ | 8.22 грн |
| 169+ | 5.25 грн |
| 500+ | 3.46 грн |
| 1000+ | 2.76 грн |
| 5000+ | 2.10 грн |
| NCP1256BSN65T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1256BSN65T1G - PWM-Controller, Current-Mode, bis zu 35V Versorgungsspannung, 65/100kHz, 500mAout, TSOP-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: 70kHz
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Schaltfrequenz, min.: 61kHz
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 65kHz
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Netzteil-Controller: Sekundärseitiger Regler
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Current-Mode-Regelung
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: -
Tastverhältnis, min.: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Tastverhältnis, max.: 83%
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCP1256BSN65T1G - PWM-Controller, Current-Mode, bis zu 35V Versorgungsspannung, 65/100kHz, 500mAout, TSOP-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: 70kHz
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Schaltfrequenz, min.: 61kHz
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 65kHz
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Netzteil-Controller: Sekundärseitiger Regler
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Current-Mode-Regelung
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: -
Tastverhältnis, min.: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Tastverhältnis, max.: 83%
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 28+ | 32.23 грн |
| 38+ | 23.84 грн |
| 100+ | 19.52 грн |
| 500+ | 15.09 грн |
| 1000+ | 13.25 грн |
| 2500+ | 13.17 грн |
| 5000+ | 13.10 грн |
| AR0237CSSC12SPRA0-DR |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0237CSSC12SPRA0-DR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - AR0237CSSC12SPRA0-DR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AR0221SR2C00SUEA0-DPBR1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0221SR2C00SUEA0-DPBR1 - CMOS IMAGE SENSOR, 2.1 MP
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Description: ONSEMI - AR0221SR2C00SUEA0-DPBR1 - CMOS IMAGE SENSOR, 2.1 MP
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BZX79-C20 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX79-C20 - Zener-Diode, 20 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 20
Verlustleistung: 500
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-35
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 500
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: BZX79
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - BZX79-C20 - Zener-Diode, 20 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 20
Verlustleistung: 500
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-35
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 500
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: BZX79
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RHRG30120 | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - RHRG30120 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, Soft-Recovery, 1.2 kV, 30 A, Einfach, 3.2 V, 75 ns, 300 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Durchlassstoßstrom: 300A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 3.2V
Sperrverzögerungszeit: 75ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: RHRG3
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - RHRG30120 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, Soft-Recovery, 1.2 kV, 30 A, Einfach, 3.2 V, 75 ns, 300 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Durchlassstoßstrom: 300A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 3.2V
Sperrverzögerungszeit: 75ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: RHRG3
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 205.77 грн |
| 10+ | 175.74 грн |
| 100+ | 130.70 грн |
| SZNUP2105LT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZNUP2105LT3G - CAN BUS PROTECTOR, DUAL LINE
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - SZNUP2105LT3G - CAN BUS PROTECTOR, DUAL LINE
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NTBGS001N06C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBGS001N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 342 A, 0.00089 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 342A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 245W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 890µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 890µohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NTBGS001N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 342 A, 0.00089 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 342A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 245W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 890µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 890µohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NTBGS001N06C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBGS001N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 342 A, 0.00089 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 342A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 245W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 890µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 890µohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NTBGS001N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 342 A, 0.00089 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 342A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 245W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 890µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 890µohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 884.02 грн |
| 100+ | 747.14 грн |
| FOD817D3SD |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD817D3SD - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 300 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 300%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FOD817D3SD - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 300 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 300%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 41.42 грн |
| 31+ | 28.70 грн |
| 100+ | 20.58 грн |
| 500+ | 15.75 грн |
| 1000+ | 10.75 грн |
| NTR4502PT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR4502PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.95 A, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NTR4502PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.95 A, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 17666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 42+ | 21.20 грн |
| 66+ | 13.42 грн |
| 100+ | 10.24 грн |
| 500+ | 8.53 грн |
| 1500+ | 7.72 грн |
| FOD8523S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD8523S - Optokoppler, Darlington-Ausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 1000 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 1000%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 300V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FOD8523S - Optokoppler, Darlington-Ausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 1000 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 1000%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 300V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 90.08 грн |
| 15+ | 61.64 грн |
| 25+ | 56.70 грн |
| 50+ | 48.14 грн |
| 100+ | 40.20 грн |
| 500+ | 38.76 грн |
| FOD8001 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD8001 - Optokoppler, 1 Kanal, 3.75 kV, 20 Mbaud, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85414900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOIC
rohsPhthalatesCompliant: YES
Übertragungsrate: 20Mbaud
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FOD8001 - Optokoppler, 1 Kanal, 3.75 kV, 20 Mbaud, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85414900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOIC
rohsPhthalatesCompliant: YES
Übertragungsrate: 20Mbaud
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 286.14 грн |
| 10+ | 271.12 грн |
| 25+ | 256.11 грн |
| 50+ | 224.70 грн |
| 100+ | 194.54 грн |
| 500+ | 181.67 грн |
| FOD8482 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD8482 - Optokoppler, breite Anschlüsse, 1 Kanal, 5 kV, 1 Mbps, SOP, 6 Pin(s), FOD848x
tariffCode: 85414900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Isolationsspannung: 5kV
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOP
rohsPhthalatesCompliant: YES
Übertragungsrate: 1Mbps
usEccn: EAR99
Produktpalette: FOD848x
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FOD8482 - Optokoppler, breite Anschlüsse, 1 Kanal, 5 kV, 1 Mbps, SOP, 6 Pin(s), FOD848x
tariffCode: 85414900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Isolationsspannung: 5kV
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOP
rohsPhthalatesCompliant: YES
Übertragungsrate: 1Mbps
usEccn: EAR99
Produktpalette: FOD848x
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 160.73 грн |
| 10+ | 119.22 грн |
| 25+ | 107.74 грн |
| 50+ | 95.13 грн |
| 100+ | 83.27 грн |
| 500+ | 76.45 грн |
| FOD8480 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD8480 - Optokoppler, 1 Kanal, 5 kV, 1 Mbps, SOP, 6 Pin(s), FOD848x
tariffCode: 85414900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Isolationsspannung: 5kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOP
rohsPhthalatesCompliant: YES
Übertragungsrate: 1Mbps
usEccn: EAR99
Produktpalette: FOD848x
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FOD8480 - Optokoppler, 1 Kanal, 5 kV, 1 Mbps, SOP, 6 Pin(s), FOD848x
tariffCode: 85414900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Isolationsspannung: 5kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOP
rohsPhthalatesCompliant: YES
Übertragungsrate: 1Mbps
usEccn: EAR99
Produktpalette: FOD848x
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 171.33 грн |
| 10+ | 134.24 грн |
| 25+ | 117.46 грн |
| 100+ | 92.67 грн |
| FOD852S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD852S - Optokoppler, Darlington-Ausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 1000 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 1000%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 300V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FOD852S - Optokoppler, Darlington-Ausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 1000 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 1000%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 300V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 99.79 грн |
| 16+ | 58.46 грн |
| 25+ | 52.81 грн |
| 50+ | 43.87 грн |
| 100+ | 35.65 грн |
| FOD8482TR2 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD8482TR2 - Optokoppler, 1 Kanal, 5 kV, 1 Mbps, WSOIC, 6 Pin(s), FOD848x
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 5kV
euEccn: NLR
Bauform - Optokoppler: WSOIC
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Übertragungsrate: 1Mbps
Produktpalette: FOD848x
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - FOD8482TR2 - Optokoppler, 1 Kanal, 5 kV, 1 Mbps, WSOIC, 6 Pin(s), FOD848x
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 5kV
euEccn: NLR
Bauform - Optokoppler: WSOIC
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Übertragungsrate: 1Mbps
Produktpalette: FOD848x
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 252.58 грн |
| FOD8482TR2 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD8482TR2 - Optokoppler, 1 Kanal, 5 kV, 1 Mbps, WSOIC, 6 Pin(s), FOD848x
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 5kV
euEccn: NLR
Bauform - Optokoppler: WSOIC
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Übertragungsrate: 1Mbps
Produktpalette: FOD848x
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FOD8482TR2 - Optokoppler, 1 Kanal, 5 kV, 1 Mbps, WSOIC, 6 Pin(s), FOD848x
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 5kV
euEccn: NLR
Bauform - Optokoppler: WSOIC
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Übertragungsrate: 1Mbps
Produktpalette: FOD848x
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| FOD852SD |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD852SD - Optokoppler, Darlington-Ausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 1000 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 1000%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 300V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FOD852SD - Optokoppler, Darlington-Ausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 1000 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 1000%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 300V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 43.98 грн |
| 500+ | 37.56 грн |
| 1000+ | 27.10 грн |
| 3000+ | 26.95 грн |
| FOD8523SD |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD8523SD - Optokoppler, Darlington-Ausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 1000 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 1000%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 300V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FOD8523SD - Optokoppler, Darlington-Ausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 1000 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 1000%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 300V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 83.90 грн |
| 16+ | 58.64 грн |
| 50+ | 51.05 грн |
| 200+ | 40.26 грн |
| 500+ | 31.26 грн |
| TL431BVLPRAG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TL431BVLPRAG - Spannungsreferenz, Shunt - einstellbar, 2.495V bis 36V Referenzspannung, ± 50ppm/°C, TO-92-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Referenzspannung, max.: 36V
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TO-92
Referenzspannung, min.: 2.495V
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: ± 50ppm/°C
Eingangsspannung, max.: 36V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TL431B
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 0.4%
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - TL431BVLPRAG - Spannungsreferenz, Shunt - einstellbar, 2.495V bis 36V Referenzspannung, ± 50ppm/°C, TO-92-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Referenzspannung, max.: 36V
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TO-92
Referenzspannung, min.: 2.495V
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: ± 50ppm/°C
Eingangsspannung, max.: 36V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TL431B
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 0.4%
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 27+ | 33.91 грн |
| 38+ | 23.67 грн |
| 100+ | 18.37 грн |
| 500+ | 14.60 грн |
| NCP785AH50T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP785AH50T1G - Linearer Spannungsregler, feste Ausgangsspannung, 50V-450V Eingangsspannung, 5V/10mAout, SOT-89-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-89
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 450V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 10mA
Eingangsspannung, min.: 50V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 5V 10mA Linear Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 10mA
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NCP785AH50T1G - Linearer Spannungsregler, feste Ausgangsspannung, 50V-450V Eingangsspannung, 5V/10mAout, SOT-89-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-89
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 450V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 10mA
Eingangsspannung, min.: 50V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 5V 10mA Linear Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 10mA
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 85.66 грн |
| 15+ | 61.47 грн |
| 50+ | 55.55 грн |
| 100+ | 45.43 грн |




































