| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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BZX79C15 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BZX79C15 - Zener-Diode, 15 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, DurchsteckmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-35 euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BZX79 productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 200°C Zener-Spannung, nom.: 15V |
на замовлення 46668 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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BZX79-C4V7 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BZX79-C4V7 - Zener-Diode, 4.7 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-35 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BZX79 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 200°C Zener-Spannung, nom.: 4.7V |
на замовлення 12688 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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BZX79C3V3 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BZX79C3V3 - Zener-Diode, 3.3 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, DurchsteckmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-35 euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BZX79 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 200°C Zener-Spannung, nom.: 3.3V |
на замовлення 12396 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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BZX79-C10 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BZX79-C10 - Zener-Diode, 10 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-35 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BZX79 Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 200°C Zener-Spannung, nom.: 10V |
на замовлення 7872 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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BZX79-C9V1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BZX79-C9V1 - Zener-Diode, 9.1 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, DurchsteckmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-35 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BZX79 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 200°C Zener-Spannung, nom.: 9.1V |
на замовлення 2071 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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KSP13BU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSP13BU - Darlington-Transistor, NPN, 30 V, 625 mW, 500 mA, TO-92, 3 Pin(s)tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 10000hFE Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung Pd: 625mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - HF-Transistor: TO-92 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 500mA Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 5750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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KSP13TA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSP13TA - Darlington-Transistor, NPN, 30 V, 625 mW, 500 mA, TO-92, 3 Pin(s)tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 10000hFE Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung Pd: 625mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - HF-Transistor: TO-92 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 500mA Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1616 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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BUV21G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BUV21G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 200 V, 40 A, 250 W, TO-3, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 250W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-3 Dauerkollektorstrom: 40A Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 8MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C |
на замовлення 55 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDG6322C | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDG6322C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 220 mA, 220 mA, 2.6 ohmtariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.6ohm Verlustleistung, p-Kanal: 300mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.6ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 300mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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NUP4114UCW1T2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NUP4114UCW1T2G - ESD-Schutzbaustein, 10 V, SC-88, 6 Pin(s), 5.5 V, NUP4114tariffCode: 85363010 Bauform - Diode: SC-88 euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Verlustleistung Pd: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Begrenzungsspannung Vc, max.: 10V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Betriebsspannung: 5.5V Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: NUP4114 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 |
на замовлення 109 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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NUP4114UCLW1T2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NUP4114UCLW1T2G - ESD-Schutzbaustein, 10 V, SC-88, 6 Pin(s), 5.5 V, NUP4114tariffCode: 85363010 Bauform - Diode: SC-88 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 10V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Betriebsspannung: 5.5V Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: NUP4114 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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FDD9511L-F085 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD9511L-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 25 A, 0.017 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 25 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 48.4 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: PowerTrench Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.017 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 1.8 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
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Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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FDD9511L-F085 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD9511L-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 25 A, 0.017 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 25 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 48.4 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: PowerTrench Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.017 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 1.8 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
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Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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BC847AWT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC847AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 319 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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PCA9655EDWR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - PCA9655EDWR2G - I/O-Erweiterung, 16bit, 1 MHz, I2C, 1.65 V, 5.5 V, SOICMSL: MSL 3 - 168 Stunden IC-Schnittstelle: I2C Versorgungsspannung, min.: 1.65 Busfrequenz: 1 Anzahl der Ein-/Ausgänge: 16 Anzahl der Pins: 24 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 5.5 Bauform - Schnittstellenbaustein: SOIC Chipkonfiguration: 16bit SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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NLVVHC1GT126DT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NLVVHC1GT126DT1G - SINGLE NON-INVERTING BUFFER, TTL LEVEL MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
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NLVVHC1GT126DF1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NLVVHC1GT126DF1G - SINGLE NON-INVERTING BUFFER, TTL LEVEL MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
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NLVVHCT125ADTRG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NLVVHCT125ADTRG - QUAD BUS BUFFER, 3-STATE, TTL LEVELMSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
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NLVVHCT126ADTR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NLVVHCT126ADTR2G - QUAD BUS BUFFER, 3-STATE, TTL LEVEL MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
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NLVVHC1GT50DFT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NLVVHC1GT50DFT1G - SINGLE NON-INVERTING BUFFER, TTL LEVEL MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
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NL17VHC1GT50DF1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NL17VHC1GT50DF1G - SINGLE NON-INVERTING BUFFER, TTL LEVELMSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
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NCL30086BHDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCL30086BHDR2G - LED-Treiber, Buck-Boost, Flyback, SEPIC, 8.2V bis 20Vin, 1 Ausgang, 12V/500mAout, SOIC-10tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: 12V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 20V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 500mA Eingangsspannung, min.: 8.2V Topologie: Buck-Boost, Flyback, SEPIC Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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NCL37733BSNT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCL37733BSNT1G - LED-Treiber, Buck-Boost/Flyback/SEPIC, TSOP-6, -40 bis 125°CtariffCode: 85423990 Schaltfrequenz: - euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSOP MSL: MSL 3 - 168 Stunden Schaltfrequenz, typ.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 25.5V Bauform - Treiber: TSOP SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Ausgangsstrom, max.: - Bausteintopologie: Buck-Boost, Flyback, SEPIC Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Eingangsspannung, min.: 9.4V Topologie: Buck-Boost, Flyback, SEPIC Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 LED-Treiber: Isoliert, nicht isoliert Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge |
на замовлення 2925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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KA78R05CTU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KA78R05CTU - LDO-Festspannungsregler, 35Vin, 500mV Dropout-Spannung, 5V/1Aout, TO-220FP-4Ausgang: Fest Feste Ausgangsspannung, nom.: 5 Ausgangsstrom: 1 Einstellbare Ausgangsspannung, max.: - Bauform - LDO-Regler: TO-220FP Betriebstemperatur, min.: -20 Einstellbare Ausgangsspannung, min.: - Eingangsspannung, max.: 35 Eingangsspannung, min.: - Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: 5V 1A LDO Voltage Regulators Dropout-Spannung Vdo: 500 Betriebstemperatur, max.: 80 SVHC: Lead (27-Jun-2018) |
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KA5H0365RTU.. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KA5H0365RTU.. - HIGH-SIDE POWER SWITCH, 28V, TO220-4Durchlasswiderstand: 4.5 Überhitzungsschutz: Yes Strombegrenzung: 2.15 Betriebstemperatur, min.: -25 Polarität der Eingänge On / Enable: Active High Leistungsschaltertyp: High Side Eingangsspannung: 28 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TO-220 Betriebstemperatur, max.: 85 Anzahl der Ausgänge: 1 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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Мінімальне замовлення: 200 шт В кошику од. на суму грн. |
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RB520S30T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - RB520S30T1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 600 mV, 200 mA, 150 °CtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-523 Durchlassstoßstrom: 200mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 600mV Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: RB520 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 30V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 23926 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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RB520S30T5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - RB520S30T5G - SCHOTTKY BARRIER DIODE, 30 VSVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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Мінімальне замовлення: 16000 шт В кошику од. на суму грн. |
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RB520S30 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - RB520S30 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 600 mV, 1 A, 150 °CDurchlassspannung Vf max.: 600 Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 30 Anzahl der Pins: 2 Bauform - Diode: SOD-523F Diodenkonfiguration: Einfach Betriebstemperatur, max.: 150 Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 1 Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 200 Produktpalette: RB520 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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NL37WZ07USG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NL37WZ07USG - Puffer, 1.65V bis 5.5V, US8-8Logik-IC-Sockelnummer: - Logik-IC-Familie: 37WZ Bauform - Logikbaustein: US8 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -55 Versorgungsspannung, min.: 1.65 Logikfamilie / Sockelnummer: - Logikbaustein: Puffer, invertierend Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 5.5 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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NL37WZ07USG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NL37WZ07USG - Puffer, 1.65V bis 5.5V, US8-8Logik-IC-Sockelnummer: - Logik-IC-Familie: 37WZ Bauform - Logikbaustein: US8 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -55 Versorgungsspannung, min.: 1.65 Logikfamilie / Sockelnummer: - Logikbaustein: Puffer, invertierend Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 5.5 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| NRVB230LSFT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NRVB230LSFT1G - Schottky-Gleichrichterdiode, Einfach, SOD-123FL, 2 Pin(s)Bauform - Diode: SOD-123FL Durchlassstoßstrom: 40 Durchlassspannung Vf max.: 430 Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 430 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 2 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 40 Betriebstemperatur, max.: 125 Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 30 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
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Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | |
| NRVB230LSFT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NRVB230LSFT1G - Schottky-Gleichrichterdiode, Einfach, SOD-123FL, 2 Pin(s)Bauform - Diode: SOD-123FL Durchlassstoßstrom: 40 Durchlassspannung Vf max.: 430 Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 430 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 2 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 40 Betriebstemperatur, max.: 125 Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 30 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
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Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | |
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PZT2907AT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - PZT2907AT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3106 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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PZT2907AT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - PZT2907AT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3161 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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CAT5120SDI-50GT3 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CAT5120SDI-50GT3 - DIGITAL POTENTIOMETER (POT)MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
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SI4435DY | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SI4435DY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.02 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 2.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm |
на замовлення 6372 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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TCP-5027UB-DT | ONSEMI |
Description: ONSEMI - TCP-5027UB-DT - SPECIAL FUNCTION ICMSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. |
| AR0140AT3C00XUEAH3-GEVB | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0140AT3C00XUEAH3-GEVB - Evaluationsboard, Sunex DSL945D Headboard für iBGA Demo 3-Basisplatine, 1.2MP, 1/4", RGBProzessorkern: AR0140AT3C00XUEA0-DPBR, AR0140AT3C00XUEA0-DRBR, AR0140AT3C00XUEA0-TPBR Kit-Anwendungsbereich: Sensor Prozessorhersteller: On Semiconductor Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard AR0140AT3C00XUEA0-DPBR/AR0140AT3C00XUEA0-DRBR/AR0140AT3C00XUEA0-TPBR Unterart Anwendung: Bildsensor Produktpalette: - SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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AR0130CSSC00SPCAH-GEVB | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0130CSSC00SPCAH-GEVB - Evaluationsboard, Sunex DSL945D Headboard für AGB1N0CS Demo 3-Basisplatine, 1.2MP, 1/3", RGBtariffCode: 84715000 Kit-Anwendungsbereich: Sensor euEccn: NLR rohsCompliant: YES Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard AR0130CSSC00SPCA0-DPBR/AR0130CSSC00SPCA0-DRBR Prozessorhersteller: On Semiconductor hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Unterart Anwendung: Bildsensor Verwendeter IC / verwendetes Modul: AR0130CS Leiterplatte: Evaluationsboard SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) Prozessorkern: AR0132AT6C00XPEA0-DPBR/DRBR/TPBR/TRBR Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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AR0230CSSC00SUEAH3-GEVB | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0230CSSC00SUEAH3-GEVB - Evaluationsboard, Sunex DSL945D Headboard für iBGA Demo 3-Basisplatine, 2MP, 1/3", RGBtariffCode: 84715000 Prozessorkern: AR0230CSSC00SUEA0-DRBR Kit-Anwendungsbereich: Sensor productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorhersteller: On Semiconductor Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard AR0230CSSC00SUEA0-DRBR euEccn: NLR Unterart Anwendung: Bildsensor hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) |
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| AR0238CSSC12SHRAH3-GEVB | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0238CSSC12SHRAH3-GEVB - Evaluationsboard, Sunex DSL945D Headboard für iBGA Demo 3-Basisplatine, 2MP, 1/3", MonoProzessorkern: AR0238CSSC12SHRA0-DR Kit-Anwendungsbereich: Sensor Prozessorhersteller: On Semiconductor Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard AR0238CSSC12SHRA0-DR Unterart Anwendung: Bildsensor Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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| AR0330CS1C12SPKAH3-GEVB | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0330CS1C12SPKAH3-GEVB - Evaluationsboard, Sunex DSL945D Headboard für AGB1N0CS Demo 3-Basisplatine, 3.5MP, 1/3", RGBProzessorkern: AR0330CS1C12SPKA0-CP, AR0330CS1C12SPKA0-CR Kit-Anwendungsbereich: Sensor Prozessorhersteller: On Semiconductor Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard AR0330CS1C12SPKA0-CP/AR0330CS1C12SPKA0-CR Unterart Anwendung: Bildsensor Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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RS1JFP | ONSEMI |
Description: ONSEMI - RS1JFP - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1.2 A, Einfach, 1.3 V, 300 ns, 50 AtariffCode: 85412900 Bauform - Diode: SOD-123HE Durchlassstoßstrom: 50A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 300ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.2A SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 651 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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RS1JFP | ONSEMI |
Description: ONSEMI - RS1JFP - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1.2 A, Einfach, 1.3 V, 300 ns, 50 AtariffCode: 85412900 Bauform - Diode: SOD-123HE Durchlassstoßstrom: 50A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 300ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.2A SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 651 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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RS1JFA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - RS1JFA - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 800 mA, Einfach, 1.3 V, 250 ns, 30 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123FA Durchlassstoßstrom: 30A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 250ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 800mA SVHC: Lead (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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RS1JFA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - RS1JFA - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 800 mA, Einfach, 1.3 V, 250 ns, 30 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123FA Durchlassstoßstrom: 30A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 250ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 800mA SVHC: Lead (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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2N4124BU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N4124BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 200 mA, 625 mW, TO-92, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 60 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 625 Übergangsfrequenz ft: 300 Bauform - Transistor: TO-92 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 25 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 200 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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Мінімальне замовлення: 20000 шт В кошику од. на суму грн. |
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2SC5242OTU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC5242OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 250 V, 17 A, 130 W, TO-3P, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 130W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-3P Dauerkollektorstrom: 17A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 151 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCP1611BDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1611BDR2G - PFC CONTROLLERMSL: MSL 2 - 1 Jahr SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
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KSA992FBU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSA992FBU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 50 mA, 500 mW, TO-226AA, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 430hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-226AA Dauerkollektorstrom: 50mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 65108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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KSA992FATA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSA992FATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 50 mA, 500 mW, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 50mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: KSA992 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 14182 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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2N3772G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N3772G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 20 A, 150 W, TO-204, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 5 Verlustleistung Pd: 150 Übergangsfrequenz ft: 200 Bauform - Transistor: TO-204 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 20 Betriebstemperatur, max.: 200 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
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NCH-RSL10-101Q48-ABG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCH-RSL10-101Q48-ABG - HF-Transceiver, 2.4GHz bis 2.48GHz, FSK, 2MB/s, 6dBm Ausgang, -94dBm Eingang, 1.1V bis 3.3V, QFN-48tariffCode: 85423990 Versorgungsspannung, max.: 3.3V Betriebstemperatur, max.: 85°C Übertragungsstrom: 25mA productTraceability: Yes-Date/Lot Code Anzahl der Pins: 48Pin(s) Bauform - HF-IC: QFN Betriebstemperatur, min.: -40°C HF/IF-Modulation: FSK Frequenzgang HF, max.: 2.48GHz Übertragungsrate: 2Mbps MSL: MSL 3 - 168 Stunden Frequenz, min.: 2.4GHz hazardous: false Produktpalette: - usEccn: 5A991.g Ausgangsleistung (dBm): 6dBm HF-Primärfunktion: Transceiver Frequenzgang HF, min.: 2.4GHz rohsCompliant: YES SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Empfindlichkeit (dBm): -94dBm IC-Gehäuse / Bauform: QFN Versorgungsspannung, min.: 1.1V Frequenz, max.: 2.48GHz Anwendungsbereiche HF-Transceiver: Leistungsstarke Wearables & medizinische Geräte rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Empfangsstrom: 6.2mA euEccn: NLR |
на замовлення 819 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FQP8P10. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQP8P10. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 8 A, 0.41 ohm, TO-220, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 8 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 65 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.41 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: Lead (08-Jul-2021) |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TIP31CG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - TIP31CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 3 A, 40 W, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 40W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TIPxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 5845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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CPH3910-TL-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CPH3910-TL-E - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.8 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °CtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.8V |
на замовлення 13230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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2SB1203S-TL-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SB1203S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 5 A, 20 W, TO-252 (DPAK), OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 140 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 20 Übergangsfrequenz ft: 130 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 5 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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2SB1203S-TL-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SB1203S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 5 A, 20 W, TO-252 (DPAK), OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 140 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 20 Übergangsfrequenz ft: 130 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 5 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. |
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GBU6D | ONSEMI |
Description: ONSEMI - GBU6D - Brückengleichrichter, Eine Phase, 200 V, 6 A, SIP, 4 Pin(s), 1 VtariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 175A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1V Bauform - Brückengleichrichter: SIP Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage Anzahl der Phasen: Eine Phase Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: GBU6D productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 4018 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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NC7WZ07P6X | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NC7WZ07P6X - Puffer, 1.65V bis 5.5V, SC-70-6tariffCode: 85423990 euEccn: NLR Logik-IC-Sockelnummer: - rohsCompliant: YES Logik-IC-Familie: NC7W Bauform - Logikbaustein: SC-70 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SC-70 MSL: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.65V Logikfamilie / Sockelnummer: - Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C |
на замовлення 59625 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
| BZX79C15 |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX79C15 - Zener-Diode, 15 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 15V
Description: ONSEMI - BZX79C15 - Zener-Diode, 15 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 15V
на замовлення 46668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BZX79-C4V7 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX79-C4V7 - Zener-Diode, 4.7 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 4.7V
Description: ONSEMI - BZX79-C4V7 - Zener-Diode, 4.7 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 4.7V
на замовлення 12688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BZX79C3V3 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX79C3V3 - Zener-Diode, 3.3 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 3.3V
Description: ONSEMI - BZX79C3V3 - Zener-Diode, 3.3 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 3.3V
на замовлення 12396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BZX79-C10 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX79-C10 - Zener-Diode, 10 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 10V
Description: ONSEMI - BZX79-C10 - Zener-Diode, 10 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 10V
на замовлення 7872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BZX79-C9V1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX79-C9V1 - Zener-Diode, 9.1 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 9.1V
Description: ONSEMI - BZX79-C9V1 - Zener-Diode, 9.1 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 9.1V
на замовлення 2071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| KSP13BU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSP13BU - Darlington-Transistor, NPN, 30 V, 625 mW, 500 mA, TO-92, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 10000hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 500mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - KSP13BU - Darlington-Transistor, NPN, 30 V, 625 mW, 500 mA, TO-92, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 10000hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 500mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| KSP13TA |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSP13TA - Darlington-Transistor, NPN, 30 V, 625 mW, 500 mA, TO-92, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 10000hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 500mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - KSP13TA - Darlington-Transistor, NPN, 30 V, 625 mW, 500 mA, TO-92, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 10000hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 500mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BUV21G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BUV21G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 200 V, 40 A, 250 W, TO-3, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 8MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Description: ONSEMI - BUV21G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 200 V, 40 A, 250 W, TO-3, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 8MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDG6322C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDG6322C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 220 mA, 220 mA, 2.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDG6322C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 220 mA, 220 mA, 2.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику
од. на суму грн.
| NUP4114UCW1T2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NUP4114UCW1T2G - ESD-Schutzbaustein, 10 V, SC-88, 6 Pin(s), 5.5 V, NUP4114
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SC-88
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Begrenzungsspannung Vc, max.: 10V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: NUP4114
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - NUP4114UCW1T2G - ESD-Schutzbaustein, 10 V, SC-88, 6 Pin(s), 5.5 V, NUP4114
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SC-88
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Begrenzungsspannung Vc, max.: 10V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: NUP4114
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NUP4114UCLW1T2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NUP4114UCLW1T2G - ESD-Schutzbaustein, 10 V, SC-88, 6 Pin(s), 5.5 V, NUP4114
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SC-88
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 10V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: NUP4114
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NUP4114UCLW1T2G - ESD-Schutzbaustein, 10 V, SC-88, 6 Pin(s), 5.5 V, NUP4114
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SC-88
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 10V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: NUP4114
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDD9511L-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD9511L-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 25 A, 0.017 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 25
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 48.4
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.017
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.8
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - FDD9511L-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 25 A, 0.017 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 25
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 48.4
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.017
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.8
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FDD9511L-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD9511L-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 25 A, 0.017 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 25
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 48.4
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.017
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.8
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - FDD9511L-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 25 A, 0.017 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 25
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 48.4
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.017
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.8
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BC847AWT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC847AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BC847AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PCA9655EDWR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - PCA9655EDWR2G - I/O-Erweiterung, 16bit, 1 MHz, I2C, 1.65 V, 5.5 V, SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
IC-Schnittstelle: I2C
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Busfrequenz: 1
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 16
Anzahl der Pins: 24
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Bauform - Schnittstellenbaustein: SOIC
Chipkonfiguration: 16bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - PCA9655EDWR2G - I/O-Erweiterung, 16bit, 1 MHz, I2C, 1.65 V, 5.5 V, SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
IC-Schnittstelle: I2C
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Busfrequenz: 1
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 16
Anzahl der Pins: 24
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Bauform - Schnittstellenbaustein: SOIC
Chipkonfiguration: 16bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NLVVHC1GT126DT1G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLVVHC1GT126DT1G - SINGLE NON-INVERTING BUFFER, TTL LEVEL
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NLVVHC1GT126DT1G - SINGLE NON-INVERTING BUFFER, TTL LEVEL
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| NLVVHC1GT126DF1G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLVVHC1GT126DF1G - SINGLE NON-INVERTING BUFFER, TTL LEVEL
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NLVVHC1GT126DF1G - SINGLE NON-INVERTING BUFFER, TTL LEVEL
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| NLVVHCT125ADTRG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLVVHCT125ADTRG - QUAD BUS BUFFER, 3-STATE, TTL LEVEL
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NLVVHCT125ADTRG - QUAD BUS BUFFER, 3-STATE, TTL LEVEL
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| NLVVHCT126ADTR2G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLVVHCT126ADTR2G - QUAD BUS BUFFER, 3-STATE, TTL LEVEL
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NLVVHCT126ADTR2G - QUAD BUS BUFFER, 3-STATE, TTL LEVEL
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
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| NLVVHC1GT50DFT1G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLVVHC1GT50DFT1G - SINGLE NON-INVERTING BUFFER, TTL LEVEL
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NLVVHC1GT50DFT1G - SINGLE NON-INVERTING BUFFER, TTL LEVEL
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
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| NL17VHC1GT50DF1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NL17VHC1GT50DF1G - SINGLE NON-INVERTING BUFFER, TTL LEVEL
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - NL17VHC1GT50DF1G - SINGLE NON-INVERTING BUFFER, TTL LEVEL
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
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| NCL30086BHDR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCL30086BHDR2G - LED-Treiber, Buck-Boost, Flyback, SEPIC, 8.2V bis 20Vin, 1 Ausgang, 12V/500mAout, SOIC-10
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 12V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 20V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Eingangsspannung, min.: 8.2V
Topologie: Buck-Boost, Flyback, SEPIC
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NCL30086BHDR2G - LED-Treiber, Buck-Boost, Flyback, SEPIC, 8.2V bis 20Vin, 1 Ausgang, 12V/500mAout, SOIC-10
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 12V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 20V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Eingangsspannung, min.: 8.2V
Topologie: Buck-Boost, Flyback, SEPIC
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
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| NCL37733BSNT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCL37733BSNT1G - LED-Treiber, Buck-Boost/Flyback/SEPIC, TSOP-6, -40 bis 125°C
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Schaltfrequenz, typ.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 25.5V
Bauform - Treiber: TSOP
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: -
Bausteintopologie: Buck-Boost, Flyback, SEPIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsspannung, min.: 9.4V
Topologie: Buck-Boost, Flyback, SEPIC
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
LED-Treiber: Isoliert, nicht isoliert
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
Description: ONSEMI - NCL37733BSNT1G - LED-Treiber, Buck-Boost/Flyback/SEPIC, TSOP-6, -40 bis 125°C
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Schaltfrequenz, typ.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 25.5V
Bauform - Treiber: TSOP
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: -
Bausteintopologie: Buck-Boost, Flyback, SEPIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsspannung, min.: 9.4V
Topologie: Buck-Boost, Flyback, SEPIC
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
LED-Treiber: Isoliert, nicht isoliert
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| KA78R05CTU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KA78R05CTU - LDO-Festspannungsregler, 35Vin, 500mV Dropout-Spannung, 5V/1Aout, TO-220FP-4
Ausgang: Fest
Feste Ausgangsspannung, nom.: 5
Ausgangsstrom: 1
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: TO-220FP
Betriebstemperatur, min.: -20
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 35
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: 5V 1A LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 500
Betriebstemperatur, max.: 80
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - KA78R05CTU - LDO-Festspannungsregler, 35Vin, 500mV Dropout-Spannung, 5V/1Aout, TO-220FP-4
Ausgang: Fest
Feste Ausgangsspannung, nom.: 5
Ausgangsstrom: 1
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: TO-220FP
Betriebstemperatur, min.: -20
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 35
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: 5V 1A LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 500
Betriebstemperatur, max.: 80
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
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| KA5H0365RTU.. |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KA5H0365RTU.. - HIGH-SIDE POWER SWITCH, 28V, TO220-4
Durchlasswiderstand: 4.5
Überhitzungsschutz: Yes
Strombegrenzung: 2.15
Betriebstemperatur, min.: -25
Polarität der Eingänge On / Enable: Active High
Leistungsschaltertyp: High Side
Eingangsspannung: 28
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TO-220
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - KA5H0365RTU.. - HIGH-SIDE POWER SWITCH, 28V, TO220-4
Durchlasswiderstand: 4.5
Überhitzungsschutz: Yes
Strombegrenzung: 2.15
Betriebstemperatur, min.: -25
Polarität der Eingänge On / Enable: Active High
Leistungsschaltertyp: High Side
Eingangsspannung: 28
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TO-220
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 200 шт
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| RB520S30T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - RB520S30T1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 600 mV, 200 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 200mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 600mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: RB520
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - RB520S30T1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 600 mV, 200 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 200mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 600mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: RB520
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 23926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RB520S30T5G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - RB520S30T5G - SCHOTTKY BARRIER DIODE, 30 V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - RB520S30T5G - SCHOTTKY BARRIER DIODE, 30 V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 16000 шт
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| RB520S30 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - RB520S30 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 600 mV, 1 A, 150 °C
Durchlassspannung Vf max.: 600
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 30
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: SOD-523F
Diodenkonfiguration: Einfach
Betriebstemperatur, max.: 150
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 1
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 200
Produktpalette: RB520
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - RB520S30 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 600 mV, 1 A, 150 °C
Durchlassspannung Vf max.: 600
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 30
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: SOD-523F
Diodenkonfiguration: Einfach
Betriebstemperatur, max.: 150
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 1
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 200
Produktpalette: RB520
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
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| NL37WZ07USG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NL37WZ07USG - Puffer, 1.65V bis 5.5V, US8-8
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logik-IC-Familie: 37WZ
Bauform - Logikbaustein: US8
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: -
Logikbaustein: Puffer, invertierend
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NL37WZ07USG - Puffer, 1.65V bis 5.5V, US8-8
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logik-IC-Familie: 37WZ
Bauform - Logikbaustein: US8
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: -
Logikbaustein: Puffer, invertierend
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NL37WZ07USG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NL37WZ07USG - Puffer, 1.65V bis 5.5V, US8-8
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logik-IC-Familie: 37WZ
Bauform - Logikbaustein: US8
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: -
Logikbaustein: Puffer, invertierend
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NL37WZ07USG - Puffer, 1.65V bis 5.5V, US8-8
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logik-IC-Familie: 37WZ
Bauform - Logikbaustein: US8
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: -
Logikbaustein: Puffer, invertierend
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NRVB230LSFT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NRVB230LSFT1G - Schottky-Gleichrichterdiode, Einfach, SOD-123FL, 2 Pin(s)
Bauform - Diode: SOD-123FL
Durchlassstoßstrom: 40
Durchlassspannung Vf max.: 430
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 430
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 2
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 40
Betriebstemperatur, max.: 125
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 30
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NRVB230LSFT1G - Schottky-Gleichrichterdiode, Einfach, SOD-123FL, 2 Pin(s)
Bauform - Diode: SOD-123FL
Durchlassstoßstrom: 40
Durchlassspannung Vf max.: 430
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 430
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 2
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 40
Betriebstemperatur, max.: 125
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 30
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
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| NRVB230LSFT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NRVB230LSFT1G - Schottky-Gleichrichterdiode, Einfach, SOD-123FL, 2 Pin(s)
Bauform - Diode: SOD-123FL
Durchlassstoßstrom: 40
Durchlassspannung Vf max.: 430
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 430
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 2
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 40
Betriebstemperatur, max.: 125
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 30
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NRVB230LSFT1G - Schottky-Gleichrichterdiode, Einfach, SOD-123FL, 2 Pin(s)
Bauform - Diode: SOD-123FL
Durchlassstoßstrom: 40
Durchlassspannung Vf max.: 430
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 430
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 2
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 40
Betriebstemperatur, max.: 125
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 30
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
| PZT2907AT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - PZT2907AT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - PZT2907AT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PZT2907AT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - PZT2907AT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - PZT2907AT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| CAT5120SDI-50GT3 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5120SDI-50GT3 - DIGITAL POTENTIOMETER (POT)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - CAT5120SDI-50GT3 - DIGITAL POTENTIOMETER (POT)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SI4435DY |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SI4435DY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
Description: ONSEMI - SI4435DY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 6372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TCP-5027UB-DT |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TCP-5027UB-DT - SPECIAL FUNCTION IC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - TCP-5027UB-DT - SPECIAL FUNCTION IC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
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од. на суму грн.
| AR0140AT3C00XUEAH3-GEVB |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0140AT3C00XUEAH3-GEVB - Evaluationsboard, Sunex DSL945D Headboard für iBGA Demo 3-Basisplatine, 1.2MP, 1/4", RGB
Prozessorkern: AR0140AT3C00XUEA0-DPBR, AR0140AT3C00XUEA0-DRBR, AR0140AT3C00XUEA0-TPBR
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard AR0140AT3C00XUEA0-DPBR/AR0140AT3C00XUEA0-DRBR/AR0140AT3C00XUEA0-TPBR
Unterart Anwendung: Bildsensor
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
Description: ONSEMI - AR0140AT3C00XUEAH3-GEVB - Evaluationsboard, Sunex DSL945D Headboard für iBGA Demo 3-Basisplatine, 1.2MP, 1/4", RGB
Prozessorkern: AR0140AT3C00XUEA0-DPBR, AR0140AT3C00XUEA0-DRBR, AR0140AT3C00XUEA0-TPBR
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard AR0140AT3C00XUEA0-DPBR/AR0140AT3C00XUEA0-DRBR/AR0140AT3C00XUEA0-TPBR
Unterart Anwendung: Bildsensor
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| AR0130CSSC00SPCAH-GEVB |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0130CSSC00SPCAH-GEVB - Evaluationsboard, Sunex DSL945D Headboard für AGB1N0CS Demo 3-Basisplatine, 1.2MP, 1/3", RGB
tariffCode: 84715000
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard AR0130CSSC00SPCA0-DPBR/AR0130CSSC00SPCA0-DRBR
Prozessorhersteller: On Semiconductor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Bildsensor
Verwendeter IC / verwendetes Modul: AR0130CS
Leiterplatte: Evaluationsboard
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Prozessorkern: AR0132AT6C00XPEA0-DPBR/DRBR/TPBR/TRBR
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - AR0130CSSC00SPCAH-GEVB - Evaluationsboard, Sunex DSL945D Headboard für AGB1N0CS Demo 3-Basisplatine, 1.2MP, 1/3", RGB
tariffCode: 84715000
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard AR0130CSSC00SPCA0-DPBR/AR0130CSSC00SPCA0-DRBR
Prozessorhersteller: On Semiconductor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Bildsensor
Verwendeter IC / verwendetes Modul: AR0130CS
Leiterplatte: Evaluationsboard
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Prozessorkern: AR0132AT6C00XPEA0-DPBR/DRBR/TPBR/TRBR
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| AR0230CSSC00SUEAH3-GEVB |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0230CSSC00SUEAH3-GEVB - Evaluationsboard, Sunex DSL945D Headboard für iBGA Demo 3-Basisplatine, 2MP, 1/3", RGB
tariffCode: 84715000
Prozessorkern: AR0230CSSC00SUEA0-DRBR
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard AR0230CSSC00SUEA0-DRBR
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Bildsensor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
Description: ONSEMI - AR0230CSSC00SUEAH3-GEVB - Evaluationsboard, Sunex DSL945D Headboard für iBGA Demo 3-Basisplatine, 2MP, 1/3", RGB
tariffCode: 84715000
Prozessorkern: AR0230CSSC00SUEA0-DRBR
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard AR0230CSSC00SUEA0-DRBR
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Bildsensor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
товару немає в наявності
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| AR0238CSSC12SHRAH3-GEVB |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0238CSSC12SHRAH3-GEVB - Evaluationsboard, Sunex DSL945D Headboard für iBGA Demo 3-Basisplatine, 2MP, 1/3", Mono
Prozessorkern: AR0238CSSC12SHRA0-DR
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard AR0238CSSC12SHRA0-DR
Unterart Anwendung: Bildsensor
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - AR0238CSSC12SHRAH3-GEVB - Evaluationsboard, Sunex DSL945D Headboard für iBGA Demo 3-Basisplatine, 2MP, 1/3", Mono
Prozessorkern: AR0238CSSC12SHRA0-DR
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard AR0238CSSC12SHRA0-DR
Unterart Anwendung: Bildsensor
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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| AR0330CS1C12SPKAH3-GEVB |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0330CS1C12SPKAH3-GEVB - Evaluationsboard, Sunex DSL945D Headboard für AGB1N0CS Demo 3-Basisplatine, 3.5MP, 1/3", RGB
Prozessorkern: AR0330CS1C12SPKA0-CP, AR0330CS1C12SPKA0-CR
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard AR0330CS1C12SPKA0-CP/AR0330CS1C12SPKA0-CR
Unterart Anwendung: Bildsensor
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - AR0330CS1C12SPKAH3-GEVB - Evaluationsboard, Sunex DSL945D Headboard für AGB1N0CS Demo 3-Basisplatine, 3.5MP, 1/3", RGB
Prozessorkern: AR0330CS1C12SPKA0-CP, AR0330CS1C12SPKA0-CR
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard AR0330CS1C12SPKA0-CP/AR0330CS1C12SPKA0-CR
Unterart Anwendung: Bildsensor
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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| RS1JFP |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - RS1JFP - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1.2 A, Einfach, 1.3 V, 300 ns, 50 A
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: SOD-123HE
Durchlassstoßstrom: 50A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 300ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.2A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - RS1JFP - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1.2 A, Einfach, 1.3 V, 300 ns, 50 A
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: SOD-123HE
Durchlassstoßstrom: 50A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 300ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.2A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RS1JFP |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - RS1JFP - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1.2 A, Einfach, 1.3 V, 300 ns, 50 A
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: SOD-123HE
Durchlassstoßstrom: 50A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 300ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.2A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - RS1JFP - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1.2 A, Einfach, 1.3 V, 300 ns, 50 A
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: SOD-123HE
Durchlassstoßstrom: 50A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 300ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.2A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RS1JFA |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - RS1JFA - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 800 mA, Einfach, 1.3 V, 250 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FA
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 250ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 800mA
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - RS1JFA - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 800 mA, Einfach, 1.3 V, 250 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FA
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 250ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 800mA
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RS1JFA |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - RS1JFA - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 800 mA, Einfach, 1.3 V, 250 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FA
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 250ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 800mA
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - RS1JFA - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 800 mA, Einfach, 1.3 V, 250 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FA
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 250ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 800mA
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2N4124BU |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N4124BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 200 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 60
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 625
Übergangsfrequenz ft: 300
Bauform - Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 25
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 200
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - 2N4124BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 200 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 60
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 625
Übergangsfrequenz ft: 300
Bauform - Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 25
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 200
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20000 шт
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| 2SC5242OTU |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5242OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 250 V, 17 A, 130 W, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3P
Dauerkollektorstrom: 17A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - 2SC5242OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 250 V, 17 A, 130 W, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3P
Dauerkollektorstrom: 17A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NCP1611BDR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1611BDR2G - PFC CONTROLLER
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NCP1611BDR2G - PFC CONTROLLER
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
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од. на суму грн.
| KSA992FBU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSA992FBU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 50 mA, 500 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 430hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-226AA
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - KSA992FBU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 50 mA, 500 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 430hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-226AA
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 65108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| KSA992FATA |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSA992FATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 50 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: KSA992
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - KSA992FATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 50 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: KSA992
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 14182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2N3772G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N3772G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 20 A, 150 W, TO-204, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 5
Verlustleistung Pd: 150
Übergangsfrequenz ft: 200
Bauform - Transistor: TO-204
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 20
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - 2N3772G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 20 A, 150 W, TO-204, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 5
Verlustleistung Pd: 150
Übergangsfrequenz ft: 200
Bauform - Transistor: TO-204
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 20
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NCH-RSL10-101Q48-ABG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCH-RSL10-101Q48-ABG - HF-Transceiver, 2.4GHz bis 2.48GHz, FSK, 2MB/s, 6dBm Ausgang, -94dBm Eingang, 1.1V bis 3.3V, QFN-48
tariffCode: 85423990
Versorgungsspannung, max.: 3.3V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Übertragungsstrom: 25mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Bauform - HF-IC: QFN
Betriebstemperatur, min.: -40°C
HF/IF-Modulation: FSK
Frequenzgang HF, max.: 2.48GHz
Übertragungsrate: 2Mbps
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Frequenz, min.: 2.4GHz
hazardous: false
Produktpalette: -
usEccn: 5A991.g
Ausgangsleistung (dBm): 6dBm
HF-Primärfunktion: Transceiver
Frequenzgang HF, min.: 2.4GHz
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Empfindlichkeit (dBm): -94dBm
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
Versorgungsspannung, min.: 1.1V
Frequenz, max.: 2.48GHz
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: Leistungsstarke Wearables & medizinische Geräte
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Empfangsstrom: 6.2mA
euEccn: NLR
Description: ONSEMI - NCH-RSL10-101Q48-ABG - HF-Transceiver, 2.4GHz bis 2.48GHz, FSK, 2MB/s, 6dBm Ausgang, -94dBm Eingang, 1.1V bis 3.3V, QFN-48
tariffCode: 85423990
Versorgungsspannung, max.: 3.3V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Übertragungsstrom: 25mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Bauform - HF-IC: QFN
Betriebstemperatur, min.: -40°C
HF/IF-Modulation: FSK
Frequenzgang HF, max.: 2.48GHz
Übertragungsrate: 2Mbps
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Frequenz, min.: 2.4GHz
hazardous: false
Produktpalette: -
usEccn: 5A991.g
Ausgangsleistung (dBm): 6dBm
HF-Primärfunktion: Transceiver
Frequenzgang HF, min.: 2.4GHz
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Empfindlichkeit (dBm): -94dBm
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
Versorgungsspannung, min.: 1.1V
Frequenz, max.: 2.48GHz
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: Leistungsstarke Wearables & medizinische Geräte
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Empfangsstrom: 6.2mA
euEccn: NLR
на замовлення 819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FQP8P10. |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP8P10. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 8 A, 0.41 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 8
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 65
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.41
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
Description: ONSEMI - FQP8P10. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 8 A, 0.41 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 8
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 65
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.41
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TIP31CG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TIP31CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 3 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TIPxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - TIP31CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 3 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TIPxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| CPH3910-TL-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CPH3910-TL-E - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.8 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.8V
Description: ONSEMI - CPH3910-TL-E - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.8 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.8V
на замовлення 13230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SB1203S-TL-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SB1203S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 5 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 20
Übergangsfrequenz ft: 130
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - 2SB1203S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 5 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 20
Übergangsfrequenz ft: 130
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SB1203S-TL-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SB1203S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 5 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 20
Übergangsfrequenz ft: 130
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - 2SB1203S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 5 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 20
Übergangsfrequenz ft: 130
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| GBU6D |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - GBU6D - Brückengleichrichter, Eine Phase, 200 V, 6 A, SIP, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 175A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Bauform - Brückengleichrichter: SIP
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: GBU6D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - GBU6D - Brückengleichrichter, Eine Phase, 200 V, 6 A, SIP, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 175A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Bauform - Brückengleichrichter: SIP
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: GBU6D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NC7WZ07P6X |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7WZ07P6X - Puffer, 1.65V bis 5.5V, SC-70-6
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Logik-IC-Sockelnummer: -
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: NC7W
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikfamilie / Sockelnummer: -
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Description: ONSEMI - NC7WZ07P6X - Puffer, 1.65V bis 5.5V, SC-70-6
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Logik-IC-Sockelnummer: -
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: NC7W
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikfamilie / Sockelnummer: -
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 59625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)



































