Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (142402) > Сторінка 2264 з 2374

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 237 474 711 948 1185 1422 1659 1896 2133 2259 2260 2261 2262 2263 2264 2265 2266 2267 2268 2269 2370 2374  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC817-40LT1G BC817-40LT1G ONSEMI ONSM-S-A0013684650-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: ONSEMI - BC817-40LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-25LT3G BC817-25LT3G ONSEMI 2237010.pdf Description: ONSEMI - BC817-25LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 16122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.45 грн
1000+2.38 грн
5000+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NTBGS4D1N15MC NTBGS4D1N15MC ONSEMI ntbgs4d1n15mc-d.pdf Description: ONSEMI - NTBGS4D1N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 185 A, 3300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 316W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+351.45 грн
10+258.52 грн
100+222.19 грн
500+187.49 грн
1000+169.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTBGS4D1N15MC NTBGS4D1N15MC ONSEMI ntbgs4d1n15mc-d.pdf Description: ONSEMI - NTBGS4D1N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 185 A, 3300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 316W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+258.52 грн
100+222.19 грн
500+187.49 грн
1000+169.45 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NVBGS4D1N15MC NVBGS4D1N15MC ONSEMI nvbgs4d1n15mc-d.pdf Description: ONSEMI - NVBGS4D1N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 185 A, 3300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 316W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+955.50 грн
5+863.41 грн
10+770.48 грн
50+702.90 грн
100+636.52 грн
250+624.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBGS4D1N15MC NVBGS4D1N15MC ONSEMI nvbgs4d1n15mc-d.pdf Description: ONSEMI - NVBGS4D1N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 185 A, 3300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 316W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+770.48 грн
50+702.90 грн
100+636.52 грн
250+624.93 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C454NLT4G NVD5C454NLT4G ONSEMI nvd5c454nl-d.pdf Description: ONSEMI - NVD5C454NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 84 A, 3300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+113.21 грн
10+92.93 грн
100+82.54 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C454NLT4G NVD5C454NLT4G ONSEMI nvd5c454nl-d.pdf Description: ONSEMI - NVD5C454NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 84 A, 3300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+82.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K 2N7002K ONSEMI ONSM-S-A0013339452-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N7002K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 99820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.94 грн
1500+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K 2N7002K ONSEMI 2n7002k-fsc-d.pdf SOT232N70S702K.pdf 2N7002K.pdf 5399_2N7002K%20SOT-23.PDF Description: ONSEMI - 2N7002K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5C648NLT4G NTD5C648NLT4G ONSEMI ntd5c648nl-d.pdf Description: ONSEMI - NTD5C648NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 91 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 76W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+178.08 грн
1000+141.21 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5C648NLT4G NTD5C648NLT4G ONSEMI ntd5c648nl-d.pdf Description: ONSEMI - NTD5C648NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 91 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 76W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+355.67 грн
10+289.78 грн
100+234.02 грн
500+178.08 грн
1000+141.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS4D3N15MC NTMTS4D3N15MC ONSEMI ntmts4d3n15mc-d.pdf Description: ONSEMI - NTMTS4D3N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 3400 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 293W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 293W
Bauform - Transistor: DFNW
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+406.36 грн
50+349.09 грн
100+296.17 грн
250+290.38 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NE5532D8R2G NE5532D8R2G ONSEMI NE5532-D.PDF Description: ONSEMI - NE5532D8R2G - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 10 MHz, 9 V/µs, 3V bis 20V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 20V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 9V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 10MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 300nA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+73.90 грн
250+64.23 грн
500+61.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT3G MMBT3904LT3G ONSEMI ONSM-S-A0013298766-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT3904LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 52260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.72 грн
1000+1.99 грн
5000+1.42 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-16LT1G BC817-16LT1G ONSEMI 1842041.pdf Description: ONSEMI - BC817-16LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.03 грн
9000+1.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZ FDS4435BZ ONSEMI FDS4435BZ-D.PDF description Description: ONSEMI - FDS4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 38605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.82 грн
500+22.83 грн
1000+19.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCP308SN180T1G NCP308SN180T1G ONSEMI 2236957.pdf Description: ONSEMI - NCP308SN180T1G - Überwachungsschaltung, 1.6-5.5Vsupp., 1.8V Schwelle/150ns Verzögerung, manuell, Active-Low, TSOP-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Reset-Schwellenspannung, min.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: 150ns
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Reset-Ausgang: Manuell, Aktiv-Low
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors
Reset-Schwellenspannung, nom.: 1.67V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.6V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.10 грн
500+29.10 грн
1000+25.92 грн
2500+25.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCP308MT180TBG NCP308MT180TBG ONSEMI NCP308-D.PDF Description: ONSEMI - NCP308MT180TBG - Spannungswächter, 1.6-5.5Vin, Active-Low, Open-Drain, WDFN-6, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Reset-Schwellenspannung, min.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: 300ms
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WDFN
Reset-Ausgang: Aktiv-Low, Open-Drain
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors
usEccn: EAR99
Reset-Schwellenspannung, nom.: 1.67V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.6V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NCP330MUTBG NCP330MUTBG ONSEMI 2355045.pdf Description: ONSEMI - NCP330MUTBG - IC, Leistungsverteilungsschalter, Active-High, 1 Ausgang, 5Vin, 3A, 0.026 Ohm, UDFN-4
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.026ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Nein
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: 3A
IC-Gehäuse / Bauform: UDFN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.12 грн
500+22.36 грн
1000+18.83 грн
2500+18.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCP339AFCT2G NCP339AFCT2G ONSEMI 2371175.pdf Description: ONSEMI - NCP339AFCT2G - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, 1 Ausgang, 5.5V, 2A, 0.038 Ohm, WLCSP-6
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.038ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: 2A
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+41.73 грн
27+31.68 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
NCP339AFCT2G NCP339AFCT2G ONSEMI 2371175.pdf Description: ONSEMI - NCP339AFCT2G - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, 1 Ausgang, 5.5V, 2A, 0.038 Ohm, WLCSP-6
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.038ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: 2A
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MC79M05CDTRKG MC79M05CDTRKG ONSEMI 1747960.pdf Description: ONSEMI - MC79M05CDTRKG - LDO-Festspannungsregler, 7905, -35V Eingangsspannung, 500mAout, TO-252-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
Nennausgangsspannung: -5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Eingangsspannung, max.: -35V
euEccn: NLR
Polarität: Negativer Ausgang
Eingangsspannung, min.: -6.1V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -5V 500mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 1.1V
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 1.1V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 6021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.73 грн
500+18.75 грн
1000+16.58 грн
2500+14.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS2D1N08XT1G NTMFS2D1N08XT1G ONSEMI 4164745.pdf Description: ONSEMI - NTMFS2D1N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 201 A, 1900 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 201A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+110.67 грн
500+86.29 грн
1000+67.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS1D9N08X NVMFS1D9N08X ONSEMI 4332482.pdf Description: ONSEMI - NVMFS1D9N08X - Leistungs-MOSFET, PPAP-fähig, n-Kanal, 80 V, 201 A, 1900 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 201A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
на замовлення 1385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+158.83 грн
500+123.16 грн
1000+97.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS2D1N08XT1G NTMFS2D1N08XT1G ONSEMI 4164745.pdf Description: ONSEMI - NTMFS2D1N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 201 A, 1900 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 201A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+245.84 грн
10+160.52 грн
100+110.67 грн
500+86.29 грн
1000+67.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MB10S MB10S ONSEMI ONSM-S-A0013297225-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MB10S - Brückengleichrichter, Eine Phase, 1 kV, 800 mA, SOIC, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 35A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1V
Bauform - Brückengleichrichter: SOIC
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 800mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MB10S
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 12067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+53.06 грн
24+35.91 грн
100+26.19 грн
500+20.79 грн
1000+17.74 грн
5000+15.50 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
MB10S MB10S ONSEMI ONSM-S-A0013297225-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MB10S - Brückengleichrichter, Eine Phase, 1 kV, 800 mA, SOIC, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 35A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1V
Bauform - Brückengleichrichter: SOIC
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 800mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MB10S
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 12067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.19 грн
500+20.79 грн
1000+17.74 грн
5000+15.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MC78M09CDTRKG MC78M09CDTRKG ONSEMI 1746757.pdf Description: ONSEMI - MC78M09CDTRKG - Linearer Festspannungsregler, 35V Eingangsspannung, 9V/500mAout, TO-252-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
Nennausgangsspannung: 9V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Eingangsspannung, max.: 35V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Adj 40mA Linear Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 9V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-25LT1G BC817-25LT1G ONSEMI ONSM-S-A0013684650-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC817-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+12.67 грн
107+7.91 грн
183+4.63 грн
500+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 67
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-25LT1G BC817-25LT1G ONSEMI ONSM-S-A0013684650-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC817-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MC74ACT10DR2G MC74ACT10DR2G ONSEMI ONSM-S-A0013277191-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MC74ACT10DR2G - NAND-Gatter, 74ACT10, 3 Eingänge, 4.5V bis 5.5V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: NAND-Gatter
Logik-IC-Familie: 74ACT
Anzahl der Elemente: Drei
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74ACT10
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 3Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.35 грн
500+12.08 грн
1000+10.79 грн
2500+10.50 грн
5000+10.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FOD817CSD FOD817CSD ONSEMI 2299543.pdf Description: ONSEMI - FOD817CSD - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 200 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 200%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.73 грн
500+12.79 грн
1000+10.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1N5234B 1N5234B ONSEMI ONSM-S-A0013184587-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 1N5234B - Zener-Diode, 6.2 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N52xxB
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 6.2V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
106+8.04 грн
187+4.54 грн
399+2.12 грн
500+1.62 грн
1000+1.27 грн
5000+1.15 грн
Мінімальне замовлення: 106
В кошику  од. на суму  грн.
LM2904DR2G LM2904DR2G ONSEMI 2236829.pdf description Description: ONSEMI - LM2904DR2G - Operationsverstärker, Differenzeingang, 2 Kanäle, 1 MHz, 0.6 V/µs, 3V bis 32V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 32V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.6V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1MHz
Eingangsoffsetspannung: 2mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: -45nA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.79 грн
500+7.07 грн
1000+6.18 грн
5000+5.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RS1K RS1K ONSEMI RS1A-RS1M%20N0988%20REV.B.pdf Description: ONSEMI - RS1K - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 800 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 500 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 500ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: RS1K
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 800V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 6929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+20.28 грн
69+12.25 грн
250+8.96 грн
1000+6.84 грн
3000+5.97 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC14ADG MC74HC14ADG ONSEMI ONSMS39158-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: ONSEMI - MC74HC14ADG - HEX INVERTER, SCHMITT TRIGGER SOIC-14
tariffCode: 85423990
MSL: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Bauform - Logikbaustein: SOIC
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
usEccn: EAR99
на замовлення 1221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+25.09 грн
49+17.40 грн
110+15.29 грн
550+13.18 грн
1045+11.95 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
NCP51460SN33T1G NCP51460SN33T1G ONSEMI 1878423.pdf Description: ONSEMI - NCP51460SN33T1G - Spannungsreferenz, hohe Genauigkeit, Micropower, in Reihe, fest, Baureihe NCP51460, 3.3V, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Referenzspannung, max.: 3.333V
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Referenzspannung, min.: 3.267V
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Temperaturkoeffizient: ± 18ppm/°C
Eingangsspannung, max.: 28V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: NCP51460
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Spannungsreferenz: In Reihe, fest
Anfangsgenauigkeit: 1%
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 56759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.96 грн
500+24.95 грн
1000+17.74 грн
2500+17.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCP563SQ33T1G NCP563SQ33T1G ONSEMI 2161088.pdf Description: ONSEMI - NCP563SQ33T1G - LDO-Festspannungsregler, 4V to 6Vin, 190mV Dropout, 3.3Vout und 80mAout, SC-70-4
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 80mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 80mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 80mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 190mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 190mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.39 грн
500+16.94 грн
1000+14.27 грн
2500+13.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC14ADG MC74HC14ADG ONSEMI ONSMS39158-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: ONSEMI - MC74HC14ADG - Inverter, Schmitt-Trigger, 74HC14, 1 Eingang, 5.2mA, 2V bis 6V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 74HC
Anzahl der Elemente: Sechs
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 5.2mA
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74HC14
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+25.18 грн
50+17.23 грн
100+15.04 грн
500+12.87 грн
1000+11.51 грн
5000+11.08 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G ONSEMI ONSM-S-A0013307714-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.10 грн
9000+1.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G ONSEMI 1571923.pdf Description: ONSEMI - MMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 72447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.28 грн
1500+2.52 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MC78L05ABDR2G MC78L05ABDR2G ONSEMI mc78l00a-d.pdf description Description: ONSEMI - MC78L05ABDR2G - Linearer Festspannungsregler, 7805, 10V bis 30Vin, 5V und 0.1Aout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 30V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Eingangsspannung, min.: 10V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 7805 Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 29138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.41 грн
500+9.26 грн
1000+8.11 грн
5000+7.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MC7805ABD2TR4G MC7805ABD2TR4G ONSEMI mc7800-d.pdf Description: ONSEMI - MC7805ABD2TR4G - Linearer Festspannungsregler, 5V/1Aout, TO-263-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: -V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 35V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 1A
Eingangsspannung, min.: -V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 7805 Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 1A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.76 грн
500+32.32 грн
1000+20.13 грн
2500+19.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
74ACT244MTCX 74ACT244MTCX ONSEMI 2298504.pdf Description: ONSEMI - 74ACT244MTCX - Puffer / Leitungstreiber, 74ACT244, 4.5V bis 5.5V, TSSOP-20
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 74244
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74ACT
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74ACT244
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+40.21 грн
500+33.34 грн
1000+29.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG028N170M1 NTBG028N170M1 ONSEMI NTBG028N170M1-D.PDF Description: ONSEMI - NTBG028N170M1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 71 A, 1.7 kV, 0.028 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85414900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 428W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+2504.07 грн
50+2287.55 грн
100+2076.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG028N170M1 NTBG028N170M1 ONSEMI NTBG028N170M1-D.PDF Description: ONSEMI - NTBG028N170M1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 71 A, 1.7 kV, 0.028 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85414900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 428W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2776.10 грн
5+2640.09 грн
10+2504.07 грн
50+2287.55 грн
100+2076.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCA20N60F FCA20N60F ONSEMI fca20n60f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 208W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 208W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Pulsed drain current: 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60FTM FCB20N60FTM ONSEMI fcb20n60f-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; 208W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+362.43 грн
3+310.66 грн
10+266.72 грн
25+230.64 грн
50+207.10 грн
100+188.28 грн
500+183.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60TM FCB20N60TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BED40BDF99915E28&compId=FCB20N60.pdf?ci_sign=de181f8cc01307fe38c07adb5e4af3bdb8b509db Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; 208W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP20N60 FCP20N60 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB8D9526FFE28&compId=FCP20N60.pdf?ci_sign=0c4dc357d8eb3c951b7ae0daf8438e85f5ce660f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+293.16 грн
3+254.96 грн
10+231.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MC33152DG MC33152DG ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78688FCF64D59C745&compId=MC33152_MC34152.PDF?ci_sign=0b77991d653ff9e652ba366b7a11324dc8db285c Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET gate driver; SO8; -1.5÷1.5A; 0.8÷11.2V; Ch: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Protection: undervoltage UVP
Output current: -1.5...1.5A
Pulse fall time: 30ns
Impulse rise time: 30ns
Output voltage: 0.8...11.2V
Number of channels: 2
Supply voltage: 6.1...18V DC
Kind of package: tube
Case: SO8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: MOSFET gate driver
Kind of output: non-inverting
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+106.45 грн
10+72.17 грн
16+60.41 грн
43+57.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MC33152DR2G MC33152DR2G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78688FCF64D59C745&compId=MC33152_MC34152.PDF?ci_sign=0b77991d653ff9e652ba366b7a11324dc8db285c Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET gate driver; SO8; -1.5÷1.5A; 0.8÷11.2V; Ch: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Protection: undervoltage UVP
Output current: -1.5...1.5A
Pulse fall time: 30ns
Impulse rise time: 30ns
Output voltage: 0.8...11.2V
Number of channels: 2
Supply voltage: 6.1...18V DC
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: MOSFET gate driver
Kind of output: non-inverting
на замовлення 1126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+80.26 грн
10+53.34 грн
25+49.42 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
UC3843BD1G UC3843BD1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD9090E2F058D0E0D3&compId=UC2842-3B_UC3842-3B.pdf?ci_sign=ff34fa72b8fed214104e4f518e75ca5e9555885a Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 1A; 48÷500kHz; Ch: 1; SO8; flyback; 0÷96%
Case: SO8
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Duty cycle factor: 0...96%
Output current: 1A
Power: 702mW
Number of channels: 1
Operating voltage: 7.6...36V
Supply voltage: 8.4...36V
Frequency: 48...500kHz
Topology: flyback
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UC3843BD1R2G UC3843BD1R2G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD9090E2F058D0E0D3&compId=UC2842-3B_UC3842-3B.pdf?ci_sign=ff34fa72b8fed214104e4f518e75ca5e9555885a Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 1A; 48÷500kHz; Ch: 1; SO8; flyback; 0÷96%
Case: SO8
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Duty cycle factor: 0...96%
Output current: 1A
Power: 702mW
Number of channels: 1
Operating voltage: 7.6...36V
Supply voltage: 8.4...36V
Frequency: 48...500kHz
Topology: flyback
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UC3843BDR2G UC3843BDR2G ONSEMI uc3842b-d.pdf Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 1A; 48÷500kHz; Ch: 1; SO14; flyback; 0÷96%
Case: SO14
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Duty cycle factor: 0...96%
Output current: 1A
Power: 862mW
Number of channels: 1
Operating voltage: 7.6...36V
Supply voltage: 8.4...36V
Frequency: 48...500kHz
Topology: flyback
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UC3843BNG UC3843BNG ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD9090E2F058D0E0D3&compId=UC2842-3B_UC3842-3B.pdf?ci_sign=ff34fa72b8fed214104e4f518e75ca5e9555885a Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 1A; 48÷500kHz; Ch: 1; DIP8; flyback; 0÷96%
Case: DIP8
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Kind of package: tube
Mounting: THT
Operating temperature: 0...70°C
Duty cycle factor: 0...96%
Output current: 1A
Power: 1.25W
Number of channels: 1
Operating voltage: 7.6...36V
Supply voltage: 8.4...36V
Frequency: 48...500kHz
Topology: flyback
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+70.12 грн
10+40.71 грн
25+38.13 грн
50+36.16 грн
100+34.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
UC3843BVD1R2G UC3843BVD1R2G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD9090E2F058D0E0D3&compId=UC2842-3B_UC3842-3B.pdf?ci_sign=ff34fa72b8fed214104e4f518e75ca5e9555885a description Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 1A; 48÷500kHz; Ch: 1; SO8; flyback; 0÷96%
Case: SO8
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Duty cycle factor: 0...96%
Output current: 1A
Power: 702mW
Number of channels: 1
Operating voltage: 7.6...36V
Supply voltage: 8.4...36V
Frequency: 48...500kHz
Topology: flyback
на замовлення 2029 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+77.72 грн
10+44.17 грн
25+36.24 грн
100+27.46 грн
250+23.38 грн
500+21.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
UC3843BVDR2G UC3843BVDR2G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD9090E2F058D0E0D3&compId=UC2842-3B_UC3842-3B.pdf?ci_sign=ff34fa72b8fed214104e4f518e75ca5e9555885a Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 1A; 48÷500kHz; Ch: 1; SO14; flyback; 0÷96%
Case: SO14
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Duty cycle factor: 0...96%
Output current: 1A
Power: 862mW
Number of channels: 1
Operating voltage: 7.6...36V
Supply voltage: 8.4...36V
Frequency: 48...500kHz
Topology: flyback
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+79.41 грн
10+45.66 грн
25+37.66 грн
100+28.87 грн
250+24.87 грн
500+22.67 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC573ADTG ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDA4E62BF3CB30C0D3&compId=MC74HC573A-D.pdf?ci_sign=f45a0b567e01114781da1c6c498faf2efb6655d5 description Category: Latches
Description: IC: digital; 3-state,octal,latch transparent; Ch: 8; CMOS; 2÷6VDC
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; latch transparent; octal
Number of channels: 8
Supply voltage: 2...6V DC
Mounting: SMD
Case: TSSOP20
Operating temperature: -55...125°C
Kind of output: 3-state
Kind of package: tube
Family: HC
Manufacturer series: HC
Technology: CMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-40LT1G description ONSM-S-A0013684650-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC817-40LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC817-40LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-25LT3G 2237010.pdf
BC817-25LT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC817-25LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 16122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.45 грн
1000+2.38 грн
5000+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NTBGS4D1N15MC ntbgs4d1n15mc-d.pdf
NTBGS4D1N15MC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBGS4D1N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 185 A, 3300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 316W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+351.45 грн
10+258.52 грн
100+222.19 грн
500+187.49 грн
1000+169.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTBGS4D1N15MC ntbgs4d1n15mc-d.pdf
NTBGS4D1N15MC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBGS4D1N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 185 A, 3300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 316W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+258.52 грн
100+222.19 грн
500+187.49 грн
1000+169.45 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NVBGS4D1N15MC nvbgs4d1n15mc-d.pdf
NVBGS4D1N15MC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVBGS4D1N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 185 A, 3300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 316W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+955.50 грн
5+863.41 грн
10+770.48 грн
50+702.90 грн
100+636.52 грн
250+624.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBGS4D1N15MC nvbgs4d1n15mc-d.pdf
NVBGS4D1N15MC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVBGS4D1N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 185 A, 3300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 316W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+770.48 грн
50+702.90 грн
100+636.52 грн
250+624.93 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C454NLT4G nvd5c454nl-d.pdf
NVD5C454NLT4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVD5C454NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 84 A, 3300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+113.21 грн
10+92.93 грн
100+82.54 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C454NLT4G nvd5c454nl-d.pdf
NVD5C454NLT4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVD5C454NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 84 A, 3300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+82.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K ONSM-S-A0013339452-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N7002K
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7002K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 99820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+5.94 грн
1500+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K 2n7002k-fsc-d.pdf SOT232N70S702K.pdf 2N7002K.pdf 5399_2N7002K%20SOT-23.PDF
2N7002K
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7002K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5C648NLT4G ntd5c648nl-d.pdf
NTD5C648NLT4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD5C648NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 91 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 76W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+178.08 грн
1000+141.21 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5C648NLT4G ntd5c648nl-d.pdf
NTD5C648NLT4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD5C648NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 91 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 76W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+355.67 грн
10+289.78 грн
100+234.02 грн
500+178.08 грн
1000+141.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS4D3N15MC ntmts4d3n15mc-d.pdf
NTMTS4D3N15MC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMTS4D3N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 3400 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 293W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 293W
Bauform - Transistor: DFNW
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+406.36 грн
50+349.09 грн
100+296.17 грн
250+290.38 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NE5532D8R2G NE5532-D.PDF
NE5532D8R2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NE5532D8R2G - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 10 MHz, 9 V/µs, 3V bis 20V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 20V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 9V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 10MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 300nA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+73.90 грн
250+64.23 грн
500+61.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3904LT3G ONSM-S-A0013298766-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBT3904LT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT3904LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 52260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.72 грн
1000+1.99 грн
5000+1.42 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-16LT1G 1842041.pdf
BC817-16LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC817-16LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.03 грн
9000+1.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435BZ description FDS4435BZ-D.PDF
FDS4435BZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 38605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+29.82 грн
500+22.83 грн
1000+19.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCP308SN180T1G 2236957.pdf
NCP308SN180T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP308SN180T1G - Überwachungsschaltung, 1.6-5.5Vsupp., 1.8V Schwelle/150ns Verzögerung, manuell, Active-Low, TSOP-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Reset-Schwellenspannung, min.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: 150ns
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Reset-Ausgang: Manuell, Aktiv-Low
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors
Reset-Schwellenspannung, nom.: 1.67V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.6V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+38.10 грн
500+29.10 грн
1000+25.92 грн
2500+25.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCP308MT180TBG NCP308-D.PDF
NCP308MT180TBG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP308MT180TBG - Spannungswächter, 1.6-5.5Vin, Active-Low, Open-Drain, WDFN-6, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Reset-Schwellenspannung, min.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: 300ms
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WDFN
Reset-Ausgang: Aktiv-Low, Open-Drain
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors
usEccn: EAR99
Reset-Schwellenspannung, nom.: 1.67V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.6V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+33.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NCP330MUTBG 2355045.pdf
NCP330MUTBG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP330MUTBG - IC, Leistungsverteilungsschalter, Active-High, 1 Ausgang, 5Vin, 3A, 0.026 Ohm, UDFN-4
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.026ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Nein
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: 3A
IC-Gehäuse / Bauform: UDFN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+27.12 грн
500+22.36 грн
1000+18.83 грн
2500+18.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCP339AFCT2G 2371175.pdf
NCP339AFCT2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP339AFCT2G - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, 1 Ausgang, 5.5V, 2A, 0.038 Ohm, WLCSP-6
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.038ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: 2A
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+41.73 грн
27+31.68 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
NCP339AFCT2G 2371175.pdf
NCP339AFCT2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP339AFCT2G - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, 1 Ausgang, 5.5V, 2A, 0.038 Ohm, WLCSP-6
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.038ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: 2A
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MC79M05CDTRKG 1747960.pdf
MC79M05CDTRKG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC79M05CDTRKG - LDO-Festspannungsregler, 7905, -35V Eingangsspannung, 500mAout, TO-252-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
Nennausgangsspannung: -5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Eingangsspannung, max.: -35V
euEccn: NLR
Polarität: Negativer Ausgang
Eingangsspannung, min.: -6.1V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -5V 500mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 1.1V
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 1.1V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 6021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+22.73 грн
500+18.75 грн
1000+16.58 грн
2500+14.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS2D1N08XT1G 4164745.pdf
NTMFS2D1N08XT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS2D1N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 201 A, 1900 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 201A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+110.67 грн
500+86.29 грн
1000+67.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS1D9N08X 4332482.pdf
NVMFS1D9N08X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS1D9N08X - Leistungs-MOSFET, PPAP-fähig, n-Kanal, 80 V, 201 A, 1900 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 201A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
на замовлення 1385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+158.83 грн
500+123.16 грн
1000+97.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS2D1N08XT1G 4164745.pdf
NTMFS2D1N08XT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS2D1N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 201 A, 1900 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 201A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+245.84 грн
10+160.52 грн
100+110.67 грн
500+86.29 грн
1000+67.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MB10S ONSM-S-A0013297225-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MB10S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MB10S - Brückengleichrichter, Eine Phase, 1 kV, 800 mA, SOIC, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 35A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1V
Bauform - Brückengleichrichter: SOIC
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 800mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MB10S
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 12067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+53.06 грн
24+35.91 грн
100+26.19 грн
500+20.79 грн
1000+17.74 грн
5000+15.50 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
MB10S ONSM-S-A0013297225-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MB10S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MB10S - Brückengleichrichter, Eine Phase, 1 kV, 800 mA, SOIC, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 35A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1V
Bauform - Brückengleichrichter: SOIC
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 800mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MB10S
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 12067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+26.19 грн
500+20.79 грн
1000+17.74 грн
5000+15.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MC78M09CDTRKG 1746757.pdf
MC78M09CDTRKG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC78M09CDTRKG - Linearer Festspannungsregler, 35V Eingangsspannung, 9V/500mAout, TO-252-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
Nennausgangsspannung: 9V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Eingangsspannung, max.: 35V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Adj 40mA Linear Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 9V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+13.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-25LT1G ONSM-S-A0013684650-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC817-25LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC817-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
67+12.67 грн
107+7.91 грн
183+4.63 грн
500+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 67
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-25LT1G ONSM-S-A0013684650-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC817-25LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC817-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MC74ACT10DR2G ONSM-S-A0013277191-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MC74ACT10DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC74ACT10DR2G - NAND-Gatter, 74ACT10, 3 Eingänge, 4.5V bis 5.5V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: NAND-Gatter
Logik-IC-Familie: 74ACT
Anzahl der Elemente: Drei
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74ACT10
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 3Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+13.35 грн
500+12.08 грн
1000+10.79 грн
2500+10.50 грн
5000+10.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FOD817CSD 2299543.pdf
FOD817CSD
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD817CSD - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 200 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 200%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+16.73 грн
500+12.79 грн
1000+10.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1N5234B ONSM-S-A0013184587-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
1N5234B
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N5234B - Zener-Diode, 6.2 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N52xxB
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 6.2V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
106+8.04 грн
187+4.54 грн
399+2.12 грн
500+1.62 грн
1000+1.27 грн
5000+1.15 грн
Мінімальне замовлення: 106
В кошику  од. на суму  грн.
LM2904DR2G description 2236829.pdf
LM2904DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LM2904DR2G - Operationsverstärker, Differenzeingang, 2 Kanäle, 1 MHz, 0.6 V/µs, 3V bis 32V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 32V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.6V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1MHz
Eingangsoffsetspannung: 2mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: -45nA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+8.79 грн
500+7.07 грн
1000+6.18 грн
5000+5.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RS1K RS1A-RS1M%20N0988%20REV.B.pdf
RS1K
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - RS1K - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 800 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 500 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 500ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: RS1K
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 800V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 6929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
42+20.28 грн
69+12.25 грн
250+8.96 грн
1000+6.84 грн
3000+5.97 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC14ADG description ONSMS39158-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MC74HC14ADG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC74HC14ADG - HEX INVERTER, SCHMITT TRIGGER SOIC-14
tariffCode: 85423990
MSL: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Bauform - Logikbaustein: SOIC
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
usEccn: EAR99
на замовлення 1221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+25.09 грн
49+17.40 грн
110+15.29 грн
550+13.18 грн
1045+11.95 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
NCP51460SN33T1G 1878423.pdf
NCP51460SN33T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP51460SN33T1G - Spannungsreferenz, hohe Genauigkeit, Micropower, in Reihe, fest, Baureihe NCP51460, 3.3V, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Referenzspannung, max.: 3.333V
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Referenzspannung, min.: 3.267V
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Temperaturkoeffizient: ± 18ppm/°C
Eingangsspannung, max.: 28V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: NCP51460
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Spannungsreferenz: In Reihe, fest
Anfangsgenauigkeit: 1%
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 56759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+33.96 грн
500+24.95 грн
1000+17.74 грн
2500+17.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCP563SQ33T1G 2161088.pdf
NCP563SQ33T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP563SQ33T1G - LDO-Festspannungsregler, 4V to 6Vin, 190mV Dropout, 3.3Vout und 80mAout, SC-70-4
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 80mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 80mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 80mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 190mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 190mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+22.39 грн
500+16.94 грн
1000+14.27 грн
2500+13.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC14ADG description ONSMS39158-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MC74HC14ADG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC74HC14ADG - Inverter, Schmitt-Trigger, 74HC14, 1 Eingang, 5.2mA, 2V bis 6V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 74HC
Anzahl der Elemente: Sechs
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 5.2mA
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74HC14
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+25.18 грн
50+17.23 грн
100+15.04 грн
500+12.87 грн
1000+11.51 грн
5000+11.08 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G ONSM-S-A0013307714-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBT5551LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.10 грн
9000+1.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LT1G 1571923.pdf
MMBT5551LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 72447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.28 грн
1500+2.52 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MC78L05ABDR2G description mc78l00a-d.pdf
MC78L05ABDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC78L05ABDR2G - Linearer Festspannungsregler, 7805, 10V bis 30Vin, 5V und 0.1Aout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 30V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Eingangsspannung, min.: 10V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 7805 Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 29138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+11.41 грн
500+9.26 грн
1000+8.11 грн
5000+7.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MC7805ABD2TR4G mc7800-d.pdf
MC7805ABD2TR4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC7805ABD2TR4G - Linearer Festspannungsregler, 5V/1Aout, TO-263-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: -V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 35V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 1A
Eingangsspannung, min.: -V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 7805 Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 1A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+43.76 грн
500+32.32 грн
1000+20.13 грн
2500+19.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
74ACT244MTCX 2298504.pdf
74ACT244MTCX
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 74ACT244MTCX - Puffer / Leitungstreiber, 74ACT244, 4.5V bis 5.5V, TSSOP-20
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 74244
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74ACT
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74ACT244
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+40.21 грн
500+33.34 грн
1000+29.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG028N170M1 NTBG028N170M1-D.PDF
NTBG028N170M1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBG028N170M1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 71 A, 1.7 kV, 0.028 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85414900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 428W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+2504.07 грн
50+2287.55 грн
100+2076.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG028N170M1 NTBG028N170M1-D.PDF
NTBG028N170M1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBG028N170M1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 71 A, 1.7 kV, 0.028 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85414900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 428W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2776.10 грн
5+2640.09 грн
10+2504.07 грн
50+2287.55 грн
100+2076.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCA20N60F fca20n60f-d.pdf
FCA20N60F
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 208W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 208W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Pulsed drain current: 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60FTM fcb20n60f-d.pdf
FCB20N60FTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; 208W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+362.43 грн
3+310.66 грн
10+266.72 грн
25+230.64 грн
50+207.10 грн
100+188.28 грн
500+183.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BED40BDF99915E28&compId=FCB20N60.pdf?ci_sign=de181f8cc01307fe38c07adb5e4af3bdb8b509db
FCB20N60TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; 208W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP20N60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB8D9526FFE28&compId=FCP20N60.pdf?ci_sign=0c4dc357d8eb3c951b7ae0daf8438e85f5ce660f
FCP20N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+293.16 грн
3+254.96 грн
10+231.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MC33152DG pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78688FCF64D59C745&compId=MC33152_MC34152.PDF?ci_sign=0b77991d653ff9e652ba366b7a11324dc8db285c
MC33152DG
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET gate driver; SO8; -1.5÷1.5A; 0.8÷11.2V; Ch: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Protection: undervoltage UVP
Output current: -1.5...1.5A
Pulse fall time: 30ns
Impulse rise time: 30ns
Output voltage: 0.8...11.2V
Number of channels: 2
Supply voltage: 6.1...18V DC
Kind of package: tube
Case: SO8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: MOSFET gate driver
Kind of output: non-inverting
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+106.45 грн
10+72.17 грн
16+60.41 грн
43+57.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MC33152DR2G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78688FCF64D59C745&compId=MC33152_MC34152.PDF?ci_sign=0b77991d653ff9e652ba366b7a11324dc8db285c
MC33152DR2G
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET gate driver; SO8; -1.5÷1.5A; 0.8÷11.2V; Ch: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Protection: undervoltage UVP
Output current: -1.5...1.5A
Pulse fall time: 30ns
Impulse rise time: 30ns
Output voltage: 0.8...11.2V
Number of channels: 2
Supply voltage: 6.1...18V DC
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: MOSFET gate driver
Kind of output: non-inverting
на замовлення 1126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+80.26 грн
10+53.34 грн
25+49.42 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
UC3843BD1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD9090E2F058D0E0D3&compId=UC2842-3B_UC3842-3B.pdf?ci_sign=ff34fa72b8fed214104e4f518e75ca5e9555885a
UC3843BD1G
Виробник: ONSEMI
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 1A; 48÷500kHz; Ch: 1; SO8; flyback; 0÷96%
Case: SO8
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Duty cycle factor: 0...96%
Output current: 1A
Power: 702mW
Number of channels: 1
Operating voltage: 7.6...36V
Supply voltage: 8.4...36V
Frequency: 48...500kHz
Topology: flyback
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UC3843BD1R2G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD9090E2F058D0E0D3&compId=UC2842-3B_UC3842-3B.pdf?ci_sign=ff34fa72b8fed214104e4f518e75ca5e9555885a
UC3843BD1R2G
Виробник: ONSEMI
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 1A; 48÷500kHz; Ch: 1; SO8; flyback; 0÷96%
Case: SO8
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Duty cycle factor: 0...96%
Output current: 1A
Power: 702mW
Number of channels: 1
Operating voltage: 7.6...36V
Supply voltage: 8.4...36V
Frequency: 48...500kHz
Topology: flyback
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UC3843BDR2G uc3842b-d.pdf
UC3843BDR2G
Виробник: ONSEMI
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 1A; 48÷500kHz; Ch: 1; SO14; flyback; 0÷96%
Case: SO14
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Duty cycle factor: 0...96%
Output current: 1A
Power: 862mW
Number of channels: 1
Operating voltage: 7.6...36V
Supply voltage: 8.4...36V
Frequency: 48...500kHz
Topology: flyback
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UC3843BNG pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD9090E2F058D0E0D3&compId=UC2842-3B_UC3842-3B.pdf?ci_sign=ff34fa72b8fed214104e4f518e75ca5e9555885a
UC3843BNG
Виробник: ONSEMI
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 1A; 48÷500kHz; Ch: 1; DIP8; flyback; 0÷96%
Case: DIP8
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Kind of package: tube
Mounting: THT
Operating temperature: 0...70°C
Duty cycle factor: 0...96%
Output current: 1A
Power: 1.25W
Number of channels: 1
Operating voltage: 7.6...36V
Supply voltage: 8.4...36V
Frequency: 48...500kHz
Topology: flyback
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+70.12 грн
10+40.71 грн
25+38.13 грн
50+36.16 грн
100+34.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
UC3843BVD1R2G description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD9090E2F058D0E0D3&compId=UC2842-3B_UC3842-3B.pdf?ci_sign=ff34fa72b8fed214104e4f518e75ca5e9555885a
UC3843BVD1R2G
Виробник: ONSEMI
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 1A; 48÷500kHz; Ch: 1; SO8; flyback; 0÷96%
Case: SO8
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Duty cycle factor: 0...96%
Output current: 1A
Power: 702mW
Number of channels: 1
Operating voltage: 7.6...36V
Supply voltage: 8.4...36V
Frequency: 48...500kHz
Topology: flyback
на замовлення 2029 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+77.72 грн
10+44.17 грн
25+36.24 грн
100+27.46 грн
250+23.38 грн
500+21.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
UC3843BVDR2G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD9090E2F058D0E0D3&compId=UC2842-3B_UC3842-3B.pdf?ci_sign=ff34fa72b8fed214104e4f518e75ca5e9555885a
UC3843BVDR2G
Виробник: ONSEMI
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 1A; 48÷500kHz; Ch: 1; SO14; flyback; 0÷96%
Case: SO14
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Duty cycle factor: 0...96%
Output current: 1A
Power: 862mW
Number of channels: 1
Operating voltage: 7.6...36V
Supply voltage: 8.4...36V
Frequency: 48...500kHz
Topology: flyback
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+79.41 грн
10+45.66 грн
25+37.66 грн
100+28.87 грн
250+24.87 грн
500+22.67 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC573ADTG description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDA4E62BF3CB30C0D3&compId=MC74HC573A-D.pdf?ci_sign=f45a0b567e01114781da1c6c498faf2efb6655d5
Виробник: ONSEMI
Category: Latches
Description: IC: digital; 3-state,octal,latch transparent; Ch: 8; CMOS; 2÷6VDC
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; latch transparent; octal
Number of channels: 8
Supply voltage: 2...6V DC
Mounting: SMD
Case: TSSOP20
Operating temperature: -55...125°C
Kind of output: 3-state
Kind of package: tube
Family: HC
Manufacturer series: HC
Technology: CMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 237 474 711 948 1185 1422 1659 1896 2133 2259 2260 2261 2262 2263 2264 2265 2266 2267 2268 2269 2370 2374  [ Наступна Сторінка >> ]