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Доступність |
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FOD817DSD | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD817DSD - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 300 %tariffCode: 85414900 rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES CTR, min.: 300% usEccn: EAR99 Isolationsspannung: 5kV Durchlassstrom If, max.: 50mA euEccn: NLR Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 69558 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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74LCX07MTCX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 74LCX07MTCX - Puffer, 74LCX07, 2V bis 5.5V, TSSOP-14tariffCode: 85411000 Logik-IC-Sockelnummer: 7407 rohsCompliant: YES Logik-IC-Familie: 74LCX Bauform - Logikbaustein: TSSOP hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP MSL: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2V Logikfamilie / Sockelnummer: 74LCX07 euEccn: NLR Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2191 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MBR1H100SFT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MBR1H100SFT3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 1 A, Einfach, SOD-123FL, 2 Pin(s), 760 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123FL Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 760mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MBR1H productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 4664 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MBR1H100SFT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MBR1H100SFT3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 1 A, Einfach, SOD-123FL, 2 Pin(s), 760 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123FL Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 760mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MBR1H productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 4664 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BC817-40LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC817-40LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 19822 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BC817-25LT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC817-25LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 16122 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NTBGS4D1N15MC | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTBGS4D1N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 185 A, 3300 µohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 185A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 316W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2012 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NTBGS4D1N15MC | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTBGS4D1N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 185 A, 3300 µohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 185A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 316W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2012 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NVBGS4D1N15MC | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVBGS4D1N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 185 A, 3300 µohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 185A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 316W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 741 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NVBGS4D1N15MC | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVBGS4D1N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 185 A, 3300 µohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 185A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 316W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 741 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NVD5C454NLT4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVD5C454NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 84 A, 3300 µohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 84A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 56W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NVD5C454NLT4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVD5C454NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 84 A, 3300 µohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 84A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 56W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2N7002K | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N7002K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 99820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2N7002K | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N7002K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 8999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NTD5C648NLT4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTD5C648NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 91 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 91A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 76W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NTD5C648NLT4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTD5C648NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 91 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 91A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 76W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NTMTS4D3N15MC | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMTS4D3N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 3400 µohm, DFNW, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 174A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 293W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 293W Bauform - Transistor: DFNW Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NE5532D8R2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NE5532D8R2G - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 10 MHz, 9 V/µs, 3V bis 20V, SOIC, 8 Pin(s)tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 3V bis 20V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 9V/µs Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: 0°C Rail-to-Rail: - Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 10MHz Eingangsoffsetspannung: 500µV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 300nA Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 70°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2312 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MMBT3904LT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT3904LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 200mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 52260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BC817-16LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC817-16LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDS4435BZ | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.02 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 38605 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCP308SN180T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP308SN180T1G - Überwachungsschaltung, 1.6-5.5Vsupp., 1.8V Schwelle/150ns Verzögerung, manuell, Active-Low, TSOP-6tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Reset-Schwellenspannung, min.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Verzögerungszeit: 150ns Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Reset-Ausgang: Manuell, Aktiv-Low MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors Reset-Schwellenspannung, nom.: 1.67V Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.6V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2694 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCP308MT180TBG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP308MT180TBG - Spannungswächter, 1.6-5.5Vin, Active-Low, Open-Drain, WDFN-6, -40°C bis 125°CtariffCode: 85423190 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Reset-Schwellenspannung, min.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Verzögerungszeit: 300ms Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: WDFN Reset-Ausgang: Aktiv-Low, Open-Drain MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors usEccn: EAR99 Reset-Schwellenspannung, nom.: 1.67V Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.6V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCP330MUTBG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP330MUTBG - IC, Leistungsverteilungsschalter, Active-High, 1 Ausgang, 5Vin, 3A, 0.026 Ohm, UDFN-4tariffCode: 85423990 Durchlasswiderstand: 0.026ohm rohsCompliant: YES Überhitzungsschutz: Nein hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Strombegrenzung: 3A IC-Gehäuse / Bauform: UDFN MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High Leistungsschaltertyp: High-Side euEccn: NLR Eingangsspannung: 5V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2826 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCP339AFCT2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP339AFCT2G - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, 1 Ausgang, 5.5V, 2A, 0.038 Ohm, WLCSP-6tariffCode: 85423990 Durchlasswiderstand: 0.038ohm rohsCompliant: YES Überhitzungsschutz: Ja hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Strombegrenzung: 2A IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High Leistungsschaltertyp: High-Side euEccn: NLR Eingangsspannung: 5.5V Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 41 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCP339AFCT2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP339AFCT2G - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, 1 Ausgang, 5.5V, 2A, 0.038 Ohm, WLCSP-6tariffCode: 85423990 Durchlasswiderstand: 0.038ohm rohsCompliant: YES Überhitzungsschutz: Ja hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Strombegrenzung: 2A IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High Leistungsschaltertyp: High-Side euEccn: NLR Eingangsspannung: 5.5V Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 41 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
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MC79M05CDTRKG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC79M05CDTRKG - LDO-Festspannungsregler, 7905, -35V Eingangsspannung, 500mAout, TO-252-3tariffCode: 85423990 Ausgang: Fest rohsCompliant: Y-EX Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK) Nennausgangsspannung: -5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: 0°C Eingangsspannung, max.: -35V euEccn: NLR Polarität: Negativer Ausgang Eingangsspannung, min.: -6.1V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: -5V 500mA LDO Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: -5V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 500mA Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 1.1V Typische Dropout-Spannung bei Strom: 1.1V Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 6021 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NTMFS2D1N08XT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS2D1N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 201 A, 1900 µohm, DFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 201A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 164W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1428 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NVMFS1D9N08X | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFS1D9N08X - Leistungs-MOSFET, PPAP-fähig, n-Kanal, 80 V, 201 A, 1900 µohm, WDFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 201A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 164W Anzahl der Pins: 5Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm |
на замовлення 1385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NTMFS2D1N08XT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS2D1N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 201 A, 1900 µohm, DFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 201A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 164W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1428 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MC74HC14ADG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC74HC14ADG - Inverter, Schmitt-Trigger, 74HC14, 1 Eingang, 5.2mA, 2V bis 6V, SOIC-14tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Logikfunktion: Wechselrichter Logik-IC-Familie: 74HC Anzahl der Elemente: Sechs Bauform - Logikbaustein: SOIC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 5.2mA IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Versorgungsspannung, min.: 2V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: 74HC14 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 6V Anzahl der Eingänge: 1Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 7542 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MB10S | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MB10S - Brückengleichrichter, Eine Phase, 1 kV, 800 mA, SOIC, 4 Pin(s), 1 VtariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 35A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 1V Bauform - Brückengleichrichter: SOIC usEccn: EAR99 Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage Anzahl der Phasen: Eine Phase Durchschnittlicher Durchlassstrom: 800mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: MB10S productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1kV Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 12067 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MB10S | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MB10S - Brückengleichrichter, Eine Phase, 1 kV, 800 mA, SOIC, 4 Pin(s), 1 VtariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 35A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 1V Bauform - Brückengleichrichter: SOIC usEccn: EAR99 Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage Anzahl der Phasen: Eine Phase Durchschnittlicher Durchlassstrom: 800mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: MB10S productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1kV Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 12067 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MC78M09CDTRKG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC78M09CDTRKG - Linearer Festspannungsregler, 35V Eingangsspannung, 9V/500mAout, TO-252-3tariffCode: 85423990 Ausgang: Fest rohsCompliant: Y-EX Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK) Nennausgangsspannung: 9V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: 0°C Eingangsspannung, max.: 35V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 500mA Eingangsspannung, min.: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Adj 40mA Linear Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: 9V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 500mA Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BC817-25LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC817-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BC817-25LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC817-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MC74ACT10DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC74ACT10DR2G - NAND-Gatter, 74ACT10, 3 Eingänge, 4.5V bis 5.5V, SOIC-14tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Logikfunktion: NAND-Gatter Logik-IC-Familie: 74ACT Anzahl der Elemente: Drei Bauform - Logikbaustein: SOIC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: 74ACT10 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Anzahl der Eingänge: 3Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 5093 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FOD817CSD | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD817CSD - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 200 %tariffCode: 85414900 rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES CTR, min.: 200% usEccn: EAR99 Isolationsspannung: 5kV Durchlassstrom If, max.: 50mA euEccn: NLR Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4051 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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1N5234B | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N5234B - Zener-Diode, 6.2 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, DurchsteckmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-35 rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N52xxB productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 200°C Zener-Spannung, nom.: 6.2V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 10889 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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LM2904DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - LM2904DR2G - Operationsverstärker, Differenzeingang, 2 Kanäle, 1 MHz, 0.6 V/µs, 3V bis 32V, SOIC, 8 Pin(s)tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 3V bis 32V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 0.6V/µs Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: - Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1MHz Eingangsoffsetspannung: 2mV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: -45nA Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 105°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 8684 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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RS1K | ONSEMI |
Description: ONSEMI - RS1K - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 800 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 500 ns, 30 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 500ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: RS1K productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 800V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 6929 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FCA20N60F | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 208W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12.5A Power dissipation: 208W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 98nC Pulsed drain current: 60A |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
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FCB20N60FTM | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; 208W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12.5A Power dissipation: 208W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 760 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
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FCB20N60TM | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; 208W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12.5A Power dissipation: 208W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 98nC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
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FCP20N60 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Power dissipation: 208W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 98nC |
на замовлення 68 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
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MC33152DG | ONSEMI |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; MOSFET gate driver; SO8; -1.5÷1.5A; 0.8÷11.2V; Ch: 2 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Protection: undervoltage UVP Output current: -1.5...1.5A Pulse fall time: 30ns Impulse rise time: 30ns Output voltage: 0.8...11.2V Number of channels: 2 Supply voltage: 6.1...18V DC Kind of package: tube Case: SO8 Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: MOSFET gate driver Kind of output: non-inverting |
на замовлення 48 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
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MC33152DR2G | ONSEMI |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; MOSFET gate driver; SO8; -1.5÷1.5A; 0.8÷11.2V; Ch: 2 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Protection: undervoltage UVP Output current: -1.5...1.5A Pulse fall time: 30ns Impulse rise time: 30ns Output voltage: 0.8...11.2V Number of channels: 2 Supply voltage: 6.1...18V DC Kind of package: reel; tape Case: SO8 Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: MOSFET gate driver Kind of output: non-inverting |
на замовлення 1126 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
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UC3843BD1G | ONSEMI |
Category: Voltage regulators - PWM circuitsDescription: IC: PMIC; PWM controller; 1A; 48÷500kHz; Ch: 1; SO8; flyback; 0÷96% Type of integrated circuit: PMIC Kind of integrated circuit: PWM controller Output current: 1A Frequency: 48...500kHz Number of channels: 1 Case: SO8 Mounting: SMD Operating temperature: 0...70°C Topology: flyback Operating voltage: 7.6...36V Supply voltage: 8.4...36V Duty cycle factor: 0...96% Kind of package: tube Power: 702mW |
на замовлення 316 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
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UC3843BD1R2G | ONSEMI |
Category: Voltage regulators - PWM circuitsDescription: IC: PMIC; PWM controller; 1A; 48÷500kHz; Ch: 1; SO8; flyback; 0÷96% Type of integrated circuit: PMIC Kind of integrated circuit: PWM controller Output current: 1A Frequency: 48...500kHz Number of channels: 1 Case: SO8 Mounting: SMD Operating temperature: 0...70°C Topology: flyback Operating voltage: 7.6...36V Supply voltage: 8.4...36V Duty cycle factor: 0...96% Kind of package: reel; tape Power: 702mW |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
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UC3843BDR2G | ONSEMI |
Category: Voltage regulators - PWM circuitsDescription: IC: PMIC; PWM controller; 1A; 48÷500kHz; Ch: 1; SO14; flyback; 0÷96% Type of integrated circuit: PMIC Kind of integrated circuit: PWM controller Output current: 1A Frequency: 48...500kHz Number of channels: 1 Case: SO14 Mounting: SMD Operating temperature: 0...70°C Topology: flyback Operating voltage: 7.6...36V Supply voltage: 8.4...36V Duty cycle factor: 0...96% Kind of package: reel; tape Power: 862mW |
товару немає в наявності |
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UC3843BNG | ONSEMI |
Category: Voltage regulators - PWM circuitsDescription: IC: PMIC; PWM controller; 1A; 48÷500kHz; Ch: 1; DIP8; flyback; 0÷96% Type of integrated circuit: PMIC Kind of integrated circuit: PWM controller Output current: 1A Frequency: 48...500kHz Number of channels: 1 Case: DIP8 Mounting: THT Operating temperature: 0...70°C Topology: flyback Operating voltage: 7.6...36V Supply voltage: 8.4...36V Duty cycle factor: 0...96% Kind of package: tube Power: 1.25W |
на замовлення 197 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
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UC3843BVD1R2G | ONSEMI |
Category: Voltage regulators - PWM circuitsDescription: IC: PMIC; PWM controller; 1A; 48÷500kHz; Ch: 1; SO8; flyback; 0÷96% Type of integrated circuit: PMIC Kind of integrated circuit: PWM controller Output current: 1A Frequency: 48...500kHz Number of channels: 1 Case: SO8 Mounting: SMD Operating temperature: -40...105°C Topology: flyback Operating voltage: 7.6...36V Supply voltage: 8.4...36V Duty cycle factor: 0...96% Kind of package: reel; tape Power: 702mW |
на замовлення 2029 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
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UC3843BVDR2G | ONSEMI |
Category: Voltage regulators - PWM circuitsDescription: IC: PMIC; PWM controller; 1A; 48÷500kHz; Ch: 1; SO14; flyback; 0÷96% Type of integrated circuit: PMIC Kind of integrated circuit: PWM controller Output current: 1A Frequency: 48...500kHz Number of channels: 1 Case: SO14 Mounting: SMD Operating temperature: -40...105°C Topology: flyback Operating voltage: 7.6...36V Supply voltage: 8.4...36V Duty cycle factor: 0...96% Kind of package: reel; tape Power: 862mW |
на замовлення 1445 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
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| MC74HC573ADTG | ONSEMI |
Category: LatchesDescription: IC: digital; 3-state,octal,latch transparent; Ch: 8; CMOS; 2÷6VDC Type of integrated circuit: digital Kind of integrated circuit: 3-state; latch transparent; octal Number of channels: 8 Supply voltage: 2...6V DC Mounting: SMD Case: TSSOP20 Operating temperature: -55...125°C Kind of output: 3-state Kind of package: tube Family: HC Manufacturer series: HC Technology: CMOS |
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MC74HC573ADTR2G | ONSEMI |
Category: LatchesDescription: IC: digital; D latch; Ch: 8; CMOS; 2÷6VDC; SMD; TSSOP20; HC; -40÷85°C Type of integrated circuit: digital Kind of integrated circuit: D latch Number of channels: 8 Supply voltage: 2...6V DC Mounting: SMD Case: TSSOP20 Operating temperature: -40...85°C Kind of output: 3-state; non-inverting Trigger: level-triggered Manufacturer series: HC Technology: CMOS |
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MC74HC573ADWG | ONSEMI |
Category: LatchesDescription: IC: digital; D latch; Ch: 8; CMOS; 2÷6VDC; SMD; SO20-W; HC; -40÷85°C Manufacturer series: HC Type of integrated circuit: digital Technology: CMOS Kind of integrated circuit: D latch Trigger: level-triggered Mounting: SMD Case: SO20-W Operating temperature: -40...85°C Number of channels: 8 Supply voltage: 2...6V DC Kind of output: 3-state; non-inverting |
на замовлення 96 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
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| MC74HC573ADWR2G | ONSEMI |
Category: LatchesDescription: IC: digital; 3-state,octal,latch transparent; Ch: 8; CMOS; 2÷6VDC Type of integrated circuit: digital Kind of integrated circuit: 3-state; latch transparent; octal Number of channels: 8 Supply voltage: 2...6V DC Mounting: SMD Operating temperature: -55...125°C Kind of output: 3-state Kind of package: reel; tape Family: HC Manufacturer series: HC Technology: CMOS |
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MM74HC573MTC | ONSEMI |
Category: LatchesDescription: IC: digital; D latch; Ch: 8; CMOS; 2÷6VDC; SMD; TSSOP20; HC; -40÷85°C Type of integrated circuit: digital Kind of integrated circuit: D latch Number of channels: 8 Supply voltage: 2...6V DC Mounting: SMD Case: TSSOP20 Operating temperature: -40...85°C Kind of output: 3-state Trigger: level-triggered Manufacturer series: HC Technology: CMOS |
на замовлення 191 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
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MM74HC573MTCX | ONSEMI |
Category: LatchesDescription: IC: digital; D latch; Ch: 8; CMOS; 2÷6VDC; SMD; TSSOP20; HC; -40÷85°C Type of integrated circuit: digital Kind of integrated circuit: D latch Number of channels: 8 Supply voltage: 2...6V DC Mounting: SMD Case: TSSOP20 Operating temperature: -40...85°C Kind of output: 3-state Kind of package: reel; tape Trigger: level-triggered Quiescent current: 160µA Manufacturer series: HC Technology: CMOS |
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MM74HC573WM | ONSEMI |
Category: LatchesDescription: IC: digital; D latch; Ch: 8; CMOS; 2÷6VDC; SMD; SO20; HC; -40÷85°C Type of integrated circuit: digital Kind of integrated circuit: D latch Number of channels: 8 Supply voltage: 2...6V DC Mounting: SMD Case: SO20 Operating temperature: -40...85°C Kind of output: 3-state Trigger: level-triggered Quiescent current: 80µA Manufacturer series: HC Technology: CMOS |
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| FOD817DSD |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD817DSD - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 300 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 300%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FOD817DSD - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 300 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 300%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 69558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 17.26 грн |
| 500+ | 13.65 грн |
| 74LCX07MTCX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 74LCX07MTCX - Puffer, 74LCX07, 2V bis 5.5V, TSSOP-14
tariffCode: 85411000
Logik-IC-Sockelnummer: 7407
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74LCX
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74LCX07
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 74LCX07MTCX - Puffer, 74LCX07, 2V bis 5.5V, TSSOP-14
tariffCode: 85411000
Logik-IC-Sockelnummer: 7407
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74LCX
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74LCX07
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 14.53 грн |
| 500+ | 13.25 грн |
| 1000+ | 11.94 грн |
| MBR1H100SFT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBR1H100SFT3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 1 A, Einfach, SOD-123FL, 2 Pin(s), 760 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FL
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 760mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MBR1H
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MBR1H100SFT3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 1 A, Einfach, SOD-123FL, 2 Pin(s), 760 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FL
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 760mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MBR1H
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 36+ | 23.84 грн |
| 48+ | 17.95 грн |
| 100+ | 15.38 грн |
| 500+ | 12.38 грн |
| 1000+ | 9.89 грн |
| MBR1H100SFT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBR1H100SFT3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 1 A, Einfach, SOD-123FL, 2 Pin(s), 760 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FL
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 760mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MBR1H
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MBR1H100SFT3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 1 A, Einfach, SOD-123FL, 2 Pin(s), 760 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FL
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 760mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MBR1H
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 15.38 грн |
| 500+ | 12.38 грн |
| 1000+ | 9.89 грн |
| BC817-40LT1G | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC817-40LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BC817-40LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 19822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 3.16 грн |
| 1500+ | 2.70 грн |
| BC817-25LT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC817-25LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BC817-25LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 16122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 4.50 грн |
| 1000+ | 2.40 грн |
| 5000+ | 1.93 грн |
| NTBGS4D1N15MC |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBGS4D1N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 185 A, 3300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 316W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NTBGS4D1N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 185 A, 3300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 316W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 355.53 грн |
| 10+ | 261.52 грн |
| 100+ | 224.77 грн |
| 500+ | 189.67 грн |
| 1000+ | 171.42 грн |
| NTBGS4D1N15MC |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBGS4D1N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 185 A, 3300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 316W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NTBGS4D1N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 185 A, 3300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 316W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 261.52 грн |
| 100+ | 224.77 грн |
| 500+ | 189.67 грн |
| 1000+ | 171.42 грн |
| NVBGS4D1N15MC |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVBGS4D1N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 185 A, 3300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 316W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NVBGS4D1N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 185 A, 3300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 316W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 966.61 грн |
| 5+ | 873.45 грн |
| 10+ | 779.44 грн |
| 50+ | 711.07 грн |
| 100+ | 643.92 грн |
| 250+ | 632.20 грн |
| NVBGS4D1N15MC |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVBGS4D1N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 185 A, 3300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 316W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NVBGS4D1N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 185 A, 3300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 316W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 779.44 грн |
| 50+ | 711.07 грн |
| 100+ | 643.92 грн |
| 250+ | 632.20 грн |
| NVD5C454NLT4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVD5C454NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 84 A, 3300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NVD5C454NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 84 A, 3300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 114.52 грн |
| 10+ | 94.01 грн |
| 100+ | 83.50 грн |
| NVD5C454NLT4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVD5C454NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 84 A, 3300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NVD5C454NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 84 A, 3300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 83.50 грн |
| 2N7002K |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7002K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 2N7002K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 99820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 6.01 грн |
| 1500+ | 5.33 грн |
| 2N7002K |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7002K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 2N7002K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 3.68 грн |
| NTD5C648NLT4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD5C648NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 91 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 76W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NTD5C648NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 91 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 76W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 180.15 грн |
| 1000+ | 142.85 грн |
| NTD5C648NLT4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD5C648NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 91 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 76W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NTD5C648NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 91 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 76W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 359.81 грн |
| 10+ | 293.15 грн |
| 100+ | 236.74 грн |
| 500+ | 180.15 грн |
| 1000+ | 142.85 грн |
| NTMTS4D3N15MC |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMTS4D3N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 3400 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 293W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 293W
Bauform - Transistor: DFNW
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NTMTS4D3N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 3400 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 293W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 293W
Bauform - Transistor: DFNW
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 411.09 грн |
| 50+ | 353.15 грн |
| 100+ | 299.62 грн |
| 250+ | 293.76 грн |
| NE5532D8R2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NE5532D8R2G - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 10 MHz, 9 V/µs, 3V bis 20V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 20V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 9V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 10MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 300nA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NE5532D8R2G - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 10 MHz, 9 V/µs, 3V bis 20V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 20V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 9V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 10MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 300nA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 74.76 грн |
| 250+ | 64.98 грн |
| 500+ | 62.56 грн |
| MMBT3904LT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT3904LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MMBT3904LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 52260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 3.76 грн |
| 1000+ | 2.02 грн |
| 5000+ | 1.44 грн |
| BC817-16LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC817-16LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BC817-16LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.05 грн |
| 9000+ | 1.48 грн |
| FDS4435BZ | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDS4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 38605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 30.17 грн |
| 500+ | 23.09 грн |
| 1000+ | 19.85 грн |
| NCP308SN180T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP308SN180T1G - Überwachungsschaltung, 1.6-5.5Vsupp., 1.8V Schwelle/150ns Verzögerung, manuell, Active-Low, TSOP-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Reset-Schwellenspannung, min.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: 150ns
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Reset-Ausgang: Manuell, Aktiv-Low
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors
Reset-Schwellenspannung, nom.: 1.67V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.6V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NCP308SN180T1G - Überwachungsschaltung, 1.6-5.5Vsupp., 1.8V Schwelle/150ns Verzögerung, manuell, Active-Low, TSOP-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Reset-Schwellenspannung, min.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: 150ns
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Reset-Ausgang: Manuell, Aktiv-Low
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors
Reset-Schwellenspannung, nom.: 1.67V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.6V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 38.54 грн |
| 500+ | 29.44 грн |
| 1000+ | 26.23 грн |
| 2500+ | 25.71 грн |
| NCP308MT180TBG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP308MT180TBG - Spannungswächter, 1.6-5.5Vin, Active-Low, Open-Drain, WDFN-6, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Reset-Schwellenspannung, min.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: 300ms
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WDFN
Reset-Ausgang: Aktiv-Low, Open-Drain
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors
usEccn: EAR99
Reset-Schwellenspannung, nom.: 1.67V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.6V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCP308MT180TBG - Spannungswächter, 1.6-5.5Vin, Active-Low, Open-Drain, WDFN-6, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Reset-Schwellenspannung, min.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: 300ms
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WDFN
Reset-Ausgang: Aktiv-Low, Open-Drain
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors
usEccn: EAR99
Reset-Schwellenspannung, nom.: 1.67V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.6V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 33.67 грн |
| NCP330MUTBG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP330MUTBG - IC, Leistungsverteilungsschalter, Active-High, 1 Ausgang, 5Vin, 3A, 0.026 Ohm, UDFN-4
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.026ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Nein
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: 3A
IC-Gehäuse / Bauform: UDFN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCP330MUTBG - IC, Leistungsverteilungsschalter, Active-High, 1 Ausgang, 5Vin, 3A, 0.026 Ohm, UDFN-4
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.026ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Nein
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: 3A
IC-Gehäuse / Bauform: UDFN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 27.43 грн |
| 500+ | 22.62 грн |
| 1000+ | 19.05 грн |
| 2500+ | 18.68 грн |
| NCP339AFCT2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP339AFCT2G - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, 1 Ausgang, 5.5V, 2A, 0.038 Ohm, WLCSP-6
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.038ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: 2A
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCP339AFCT2G - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, 1 Ausgang, 5.5V, 2A, 0.038 Ohm, WLCSP-6
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.038ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: 2A
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 21+ | 42.22 грн |
| 27+ | 32.05 грн |
| NCP339AFCT2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP339AFCT2G - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, 1 Ausgang, 5.5V, 2A, 0.038 Ohm, WLCSP-6
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.038ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: 2A
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCP339AFCT2G - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, 1 Ausgang, 5.5V, 2A, 0.038 Ohm, WLCSP-6
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.038ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: 2A
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| MC79M05CDTRKG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC79M05CDTRKG - LDO-Festspannungsregler, 7905, -35V Eingangsspannung, 500mAout, TO-252-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
Nennausgangsspannung: -5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Eingangsspannung, max.: -35V
euEccn: NLR
Polarität: Negativer Ausgang
Eingangsspannung, min.: -6.1V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -5V 500mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 1.1V
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 1.1V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MC79M05CDTRKG - LDO-Festspannungsregler, 7905, -35V Eingangsspannung, 500mAout, TO-252-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
Nennausgangsspannung: -5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Eingangsspannung, max.: -35V
euEccn: NLR
Polarität: Negativer Ausgang
Eingangsspannung, min.: -6.1V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -5V 500mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 1.1V
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 1.1V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 6021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 22.99 грн |
| 500+ | 18.97 грн |
| 1000+ | 16.78 грн |
| 2500+ | 14.50 грн |
| NTMFS2D1N08XT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS2D1N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 201 A, 1900 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 201A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NTMFS2D1N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 201 A, 1900 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 201A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 111.96 грн |
| 500+ | 87.30 грн |
| 1000+ | 68.57 грн |
| NVMFS1D9N08X |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS1D9N08X - Leistungs-MOSFET, PPAP-fähig, n-Kanal, 80 V, 201 A, 1900 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 201A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
Description: ONSEMI - NVMFS1D9N08X - Leistungs-MOSFET, PPAP-fähig, n-Kanal, 80 V, 201 A, 1900 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 201A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
на замовлення 1385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 160.67 грн |
| 500+ | 124.60 грн |
| 1000+ | 98.90 грн |
| NTMFS2D1N08XT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS2D1N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 201 A, 1900 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 201A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NTMFS2D1N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 201 A, 1900 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 201A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 248.70 грн |
| 10+ | 162.38 грн |
| 100+ | 111.96 грн |
| 500+ | 87.30 грн |
| 1000+ | 68.57 грн |
| MC74HC14ADG | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC74HC14ADG - Inverter, Schmitt-Trigger, 74HC14, 1 Eingang, 5.2mA, 2V bis 6V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 74HC
Anzahl der Elemente: Sechs
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 5.2mA
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74HC14
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MC74HC14ADG - Inverter, Schmitt-Trigger, 74HC14, 1 Eingang, 5.2mA, 2V bis 6V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 74HC
Anzahl der Elemente: Sechs
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 5.2mA
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74HC14
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 34+ | 25.47 грн |
| 50+ | 17.43 грн |
| 100+ | 15.21 грн |
| 500+ | 13.02 грн |
| 1000+ | 11.65 грн |
| 5000+ | 11.21 грн |
| MB10S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MB10S - Brückengleichrichter, Eine Phase, 1 kV, 800 mA, SOIC, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 35A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1V
Bauform - Brückengleichrichter: SOIC
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 800mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MB10S
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MB10S - Brückengleichrichter, Eine Phase, 1 kV, 800 mA, SOIC, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 35A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1V
Bauform - Brückengleichrichter: SOIC
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 800mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MB10S
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 12067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 53.67 грн |
| 24+ | 36.32 грн |
| 100+ | 26.49 грн |
| 500+ | 21.03 грн |
| 1000+ | 17.95 грн |
| 5000+ | 15.68 грн |
| MB10S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MB10S - Brückengleichrichter, Eine Phase, 1 kV, 800 mA, SOIC, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 35A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1V
Bauform - Brückengleichrichter: SOIC
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 800mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MB10S
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MB10S - Brückengleichrichter, Eine Phase, 1 kV, 800 mA, SOIC, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 35A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1V
Bauform - Brückengleichrichter: SOIC
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 800mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MB10S
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 12067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 26.49 грн |
| 500+ | 21.03 грн |
| 1000+ | 17.95 грн |
| 5000+ | 15.68 грн |
| MC78M09CDTRKG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC78M09CDTRKG - Linearer Festspannungsregler, 35V Eingangsspannung, 9V/500mAout, TO-252-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
Nennausgangsspannung: 9V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Eingangsspannung, max.: 35V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Adj 40mA Linear Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 9V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MC78M09CDTRKG - Linearer Festspannungsregler, 35V Eingangsspannung, 9V/500mAout, TO-252-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
Nennausgangsspannung: 9V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Eingangsspannung, max.: 35V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Adj 40mA Linear Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 9V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 13.25 грн |
| BC817-25LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC817-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BC817-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 67+ | 12.82 грн |
| 107+ | 8.00 грн |
| 183+ | 4.68 грн |
| 500+ | 3.16 грн |
| BC817-25LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC817-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BC817-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 3.16 грн |
| MC74ACT10DR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC74ACT10DR2G - NAND-Gatter, 74ACT10, 3 Eingänge, 4.5V bis 5.5V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: NAND-Gatter
Logik-IC-Familie: 74ACT
Anzahl der Elemente: Drei
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74ACT10
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 3Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MC74ACT10DR2G - NAND-Gatter, 74ACT10, 3 Eingänge, 4.5V bis 5.5V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: NAND-Gatter
Logik-IC-Familie: 74ACT
Anzahl der Elemente: Drei
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74ACT10
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 3Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 13.50 грн |
| 500+ | 12.22 грн |
| 1000+ | 10.92 грн |
| 2500+ | 10.62 грн |
| 5000+ | 10.26 грн |
| FOD817CSD |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD817CSD - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 200 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 200%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FOD817CSD - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 200 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 200%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 16.92 грн |
| 500+ | 12.94 грн |
| 1000+ | 11.06 грн |
| 1N5234B |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N5234B - Zener-Diode, 6.2 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N52xxB
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 6.2V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 1N5234B - Zener-Diode, 6.2 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N52xxB
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 6.2V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 106+ | 8.14 грн |
| 187+ | 4.59 грн |
| 399+ | 2.15 грн |
| 500+ | 1.64 грн |
| 1000+ | 1.28 грн |
| 5000+ | 1.16 грн |
| LM2904DR2G | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LM2904DR2G - Operationsverstärker, Differenzeingang, 2 Kanäle, 1 MHz, 0.6 V/µs, 3V bis 32V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 32V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.6V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1MHz
Eingangsoffsetspannung: 2mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: -45nA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - LM2904DR2G - Operationsverstärker, Differenzeingang, 2 Kanäle, 1 MHz, 0.6 V/µs, 3V bis 32V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 32V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.6V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1MHz
Eingangsoffsetspannung: 2mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: -45nA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 8.89 грн |
| 500+ | 7.15 грн |
| 1000+ | 6.25 грн |
| 5000+ | 5.60 грн |
| RS1K |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - RS1K - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 800 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 500 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 500ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: RS1K
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 800V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - RS1K - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 800 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 500 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 500ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: RS1K
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 800V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 6929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 42+ | 20.51 грн |
| 69+ | 12.39 грн |
| 250+ | 9.06 грн |
| 1000+ | 6.92 грн |
| 3000+ | 6.04 грн |
| FCA20N60F |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 208W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 208W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Pulsed drain current: 60A
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 208W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 208W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Pulsed drain current: 60A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FCB20N60FTM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; 208W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; 208W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 366.65 грн |
| 3+ | 314.27 грн |
| 10+ | 269.83 грн |
| 25+ | 233.32 грн |
| 50+ | 209.51 грн |
| 100+ | 190.47 грн |
| 500+ | 185.70 грн |
| FCB20N60TM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; 208W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; 208W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FCP20N60 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 296.56 грн |
| 3+ | 257.92 грн |
| 10+ | 234.11 грн |
| MC33152DG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET gate driver; SO8; -1.5÷1.5A; 0.8÷11.2V; Ch: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Protection: undervoltage UVP
Output current: -1.5...1.5A
Pulse fall time: 30ns
Impulse rise time: 30ns
Output voltage: 0.8...11.2V
Number of channels: 2
Supply voltage: 6.1...18V DC
Kind of package: tube
Case: SO8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: MOSFET gate driver
Kind of output: non-inverting
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET gate driver; SO8; -1.5÷1.5A; 0.8÷11.2V; Ch: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Protection: undervoltage UVP
Output current: -1.5...1.5A
Pulse fall time: 30ns
Impulse rise time: 30ns
Output voltage: 0.8...11.2V
Number of channels: 2
Supply voltage: 6.1...18V DC
Kind of package: tube
Case: SO8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: MOSFET gate driver
Kind of output: non-inverting
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 107.69 грн |
| 10+ | 73.01 грн |
| 16+ | 61.11 грн |
| 43+ | 57.93 грн |
| MC33152DR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET gate driver; SO8; -1.5÷1.5A; 0.8÷11.2V; Ch: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Protection: undervoltage UVP
Output current: -1.5...1.5A
Pulse fall time: 30ns
Impulse rise time: 30ns
Output voltage: 0.8...11.2V
Number of channels: 2
Supply voltage: 6.1...18V DC
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: MOSFET gate driver
Kind of output: non-inverting
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET gate driver; SO8; -1.5÷1.5A; 0.8÷11.2V; Ch: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Protection: undervoltage UVP
Output current: -1.5...1.5A
Pulse fall time: 30ns
Impulse rise time: 30ns
Output voltage: 0.8...11.2V
Number of channels: 2
Supply voltage: 6.1...18V DC
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: MOSFET gate driver
Kind of output: non-inverting
на замовлення 1126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 81.19 грн |
| 10+ | 53.97 грн |
| 25+ | 50.00 грн |
| UC3843BD1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 1A; 48÷500kHz; Ch: 1; SO8; flyback; 0÷96%
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output current: 1A
Frequency: 48...500kHz
Number of channels: 1
Case: SO8
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Topology: flyback
Operating voltage: 7.6...36V
Supply voltage: 8.4...36V
Duty cycle factor: 0...96%
Kind of package: tube
Power: 702mW
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 1A; 48÷500kHz; Ch: 1; SO8; flyback; 0÷96%
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output current: 1A
Frequency: 48...500kHz
Number of channels: 1
Case: SO8
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Topology: flyback
Operating voltage: 7.6...36V
Supply voltage: 8.4...36V
Duty cycle factor: 0...96%
Kind of package: tube
Power: 702mW
на замовлення 316 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 45.30 грн |
| 14+ | 28.97 грн |
| 25+ | 24.68 грн |
| 50+ | 23.97 грн |
| UC3843BD1R2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 1A; 48÷500kHz; Ch: 1; SO8; flyback; 0÷96%
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output current: 1A
Frequency: 48...500kHz
Number of channels: 1
Case: SO8
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Topology: flyback
Operating voltage: 7.6...36V
Supply voltage: 8.4...36V
Duty cycle factor: 0...96%
Kind of package: reel; tape
Power: 702mW
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 1A; 48÷500kHz; Ch: 1; SO8; flyback; 0÷96%
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output current: 1A
Frequency: 48...500kHz
Number of channels: 1
Case: SO8
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Topology: flyback
Operating voltage: 7.6...36V
Supply voltage: 8.4...36V
Duty cycle factor: 0...96%
Kind of package: reel; tape
Power: 702mW
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| UC3843BDR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 1A; 48÷500kHz; Ch: 1; SO14; flyback; 0÷96%
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output current: 1A
Frequency: 48...500kHz
Number of channels: 1
Case: SO14
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Topology: flyback
Operating voltage: 7.6...36V
Supply voltage: 8.4...36V
Duty cycle factor: 0...96%
Kind of package: reel; tape
Power: 862mW
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 1A; 48÷500kHz; Ch: 1; SO14; flyback; 0÷96%
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output current: 1A
Frequency: 48...500kHz
Number of channels: 1
Case: SO14
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Topology: flyback
Operating voltage: 7.6...36V
Supply voltage: 8.4...36V
Duty cycle factor: 0...96%
Kind of package: reel; tape
Power: 862mW
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| UC3843BNG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 1A; 48÷500kHz; Ch: 1; DIP8; flyback; 0÷96%
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output current: 1A
Frequency: 48...500kHz
Number of channels: 1
Case: DIP8
Mounting: THT
Operating temperature: 0...70°C
Topology: flyback
Operating voltage: 7.6...36V
Supply voltage: 8.4...36V
Duty cycle factor: 0...96%
Kind of package: tube
Power: 1.25W
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 1A; 48÷500kHz; Ch: 1; DIP8; flyback; 0÷96%
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output current: 1A
Frequency: 48...500kHz
Number of channels: 1
Case: DIP8
Mounting: THT
Operating temperature: 0...70°C
Topology: flyback
Operating voltage: 7.6...36V
Supply voltage: 8.4...36V
Duty cycle factor: 0...96%
Kind of package: tube
Power: 1.25W
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 70.94 грн |
| 10+ | 41.19 грн |
| 25+ | 38.57 грн |
| 50+ | 36.59 грн |
| 100+ | 34.68 грн |
| UC3843BVD1R2G | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 1A; 48÷500kHz; Ch: 1; SO8; flyback; 0÷96%
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output current: 1A
Frequency: 48...500kHz
Number of channels: 1
Case: SO8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Topology: flyback
Operating voltage: 7.6...36V
Supply voltage: 8.4...36V
Duty cycle factor: 0...96%
Kind of package: reel; tape
Power: 702mW
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 1A; 48÷500kHz; Ch: 1; SO8; flyback; 0÷96%
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output current: 1A
Frequency: 48...500kHz
Number of channels: 1
Case: SO8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Topology: flyback
Operating voltage: 7.6...36V
Supply voltage: 8.4...36V
Duty cycle factor: 0...96%
Kind of package: reel; tape
Power: 702mW
на замовлення 2029 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 78.63 грн |
| 10+ | 44.68 грн |
| 25+ | 36.66 грн |
| 100+ | 27.78 грн |
| 250+ | 23.65 грн |
| 500+ | 21.82 грн |
| UC3843BVDR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 1A; 48÷500kHz; Ch: 1; SO14; flyback; 0÷96%
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output current: 1A
Frequency: 48...500kHz
Number of channels: 1
Case: SO14
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Topology: flyback
Operating voltage: 7.6...36V
Supply voltage: 8.4...36V
Duty cycle factor: 0...96%
Kind of package: reel; tape
Power: 862mW
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 1A; 48÷500kHz; Ch: 1; SO14; flyback; 0÷96%
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output current: 1A
Frequency: 48...500kHz
Number of channels: 1
Case: SO14
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Topology: flyback
Operating voltage: 7.6...36V
Supply voltage: 8.4...36V
Duty cycle factor: 0...96%
Kind of package: reel; tape
Power: 862mW
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 80.34 грн |
| 10+ | 46.19 грн |
| 25+ | 38.09 грн |
| 100+ | 29.20 грн |
| 250+ | 25.16 грн |
| 500+ | 22.94 грн |
| MC74HC573ADTG | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Latches
Description: IC: digital; 3-state,octal,latch transparent; Ch: 8; CMOS; 2÷6VDC
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; latch transparent; octal
Number of channels: 8
Supply voltage: 2...6V DC
Mounting: SMD
Case: TSSOP20
Operating temperature: -55...125°C
Kind of output: 3-state
Kind of package: tube
Family: HC
Manufacturer series: HC
Technology: CMOS
Category: Latches
Description: IC: digital; 3-state,octal,latch transparent; Ch: 8; CMOS; 2÷6VDC
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; latch transparent; octal
Number of channels: 8
Supply voltage: 2...6V DC
Mounting: SMD
Case: TSSOP20
Operating temperature: -55...125°C
Kind of output: 3-state
Kind of package: tube
Family: HC
Manufacturer series: HC
Technology: CMOS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MC74HC573ADTR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Latches
Description: IC: digital; D latch; Ch: 8; CMOS; 2÷6VDC; SMD; TSSOP20; HC; -40÷85°C
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: D latch
Number of channels: 8
Supply voltage: 2...6V DC
Mounting: SMD
Case: TSSOP20
Operating temperature: -40...85°C
Kind of output: 3-state; non-inverting
Trigger: level-triggered
Manufacturer series: HC
Technology: CMOS
Category: Latches
Description: IC: digital; D latch; Ch: 8; CMOS; 2÷6VDC; SMD; TSSOP20; HC; -40÷85°C
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: D latch
Number of channels: 8
Supply voltage: 2...6V DC
Mounting: SMD
Case: TSSOP20
Operating temperature: -40...85°C
Kind of output: 3-state; non-inverting
Trigger: level-triggered
Manufacturer series: HC
Technology: CMOS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MC74HC573ADWG | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Latches
Description: IC: digital; D latch; Ch: 8; CMOS; 2÷6VDC; SMD; SO20-W; HC; -40÷85°C
Manufacturer series: HC
Type of integrated circuit: digital
Technology: CMOS
Kind of integrated circuit: D latch
Trigger: level-triggered
Mounting: SMD
Case: SO20-W
Operating temperature: -40...85°C
Number of channels: 8
Supply voltage: 2...6V DC
Kind of output: 3-state; non-inverting
Category: Latches
Description: IC: digital; D latch; Ch: 8; CMOS; 2÷6VDC; SMD; SO20-W; HC; -40÷85°C
Manufacturer series: HC
Type of integrated circuit: digital
Technology: CMOS
Kind of integrated circuit: D latch
Trigger: level-triggered
Mounting: SMD
Case: SO20-W
Operating temperature: -40...85°C
Number of channels: 8
Supply voltage: 2...6V DC
Kind of output: 3-state; non-inverting
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 56.41 грн |
| 10+ | 43.01 грн |
| 11+ | 38.89 грн |
| 25+ | 34.20 грн |
| 38+ | 32.46 грн |
| 42+ | 22.70 грн |
| MC74HC573ADWR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Latches
Description: IC: digital; 3-state,octal,latch transparent; Ch: 8; CMOS; 2÷6VDC
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; latch transparent; octal
Number of channels: 8
Supply voltage: 2...6V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...125°C
Kind of output: 3-state
Kind of package: reel; tape
Family: HC
Manufacturer series: HC
Technology: CMOS
Category: Latches
Description: IC: digital; 3-state,octal,latch transparent; Ch: 8; CMOS; 2÷6VDC
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; latch transparent; octal
Number of channels: 8
Supply voltage: 2...6V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...125°C
Kind of output: 3-state
Kind of package: reel; tape
Family: HC
Manufacturer series: HC
Technology: CMOS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MM74HC573MTC |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Latches
Description: IC: digital; D latch; Ch: 8; CMOS; 2÷6VDC; SMD; TSSOP20; HC; -40÷85°C
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: D latch
Number of channels: 8
Supply voltage: 2...6V DC
Mounting: SMD
Case: TSSOP20
Operating temperature: -40...85°C
Kind of output: 3-state
Trigger: level-triggered
Manufacturer series: HC
Technology: CMOS
Category: Latches
Description: IC: digital; D latch; Ch: 8; CMOS; 2÷6VDC; SMD; TSSOP20; HC; -40÷85°C
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: D latch
Number of channels: 8
Supply voltage: 2...6V DC
Mounting: SMD
Case: TSSOP20
Operating temperature: -40...85°C
Kind of output: 3-state
Trigger: level-triggered
Manufacturer series: HC
Technology: CMOS
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 441.00 грн |
| 4+ | 250.78 грн |
| 10+ | 249.99 грн |
| 11+ | 236.49 грн |
| MM74HC573MTCX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Latches
Description: IC: digital; D latch; Ch: 8; CMOS; 2÷6VDC; SMD; TSSOP20; HC; -40÷85°C
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: D latch
Number of channels: 8
Supply voltage: 2...6V DC
Mounting: SMD
Case: TSSOP20
Operating temperature: -40...85°C
Kind of output: 3-state
Kind of package: reel; tape
Trigger: level-triggered
Quiescent current: 160µA
Manufacturer series: HC
Technology: CMOS
Category: Latches
Description: IC: digital; D latch; Ch: 8; CMOS; 2÷6VDC; SMD; TSSOP20; HC; -40÷85°C
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: D latch
Number of channels: 8
Supply voltage: 2...6V DC
Mounting: SMD
Case: TSSOP20
Operating temperature: -40...85°C
Kind of output: 3-state
Kind of package: reel; tape
Trigger: level-triggered
Quiescent current: 160µA
Manufacturer series: HC
Technology: CMOS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MM74HC573WM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Latches
Description: IC: digital; D latch; Ch: 8; CMOS; 2÷6VDC; SMD; SO20; HC; -40÷85°C
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: D latch
Number of channels: 8
Supply voltage: 2...6V DC
Mounting: SMD
Case: SO20
Operating temperature: -40...85°C
Kind of output: 3-state
Trigger: level-triggered
Quiescent current: 80µA
Manufacturer series: HC
Technology: CMOS
Category: Latches
Description: IC: digital; D latch; Ch: 8; CMOS; 2÷6VDC; SMD; SO20; HC; -40÷85°C
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: D latch
Number of channels: 8
Supply voltage: 2...6V DC
Mounting: SMD
Case: SO20
Operating temperature: -40...85°C
Kind of output: 3-state
Trigger: level-triggered
Quiescent current: 80µA
Manufacturer series: HC
Technology: CMOS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.




































