Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (141980) > Сторінка 2268 з 2367

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 236 472 708 944 1180 1416 1652 1888 2124 2263 2264 2265 2266 2267 2268 2269 2270 2271 2272 2273 2360 2367  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
H11D1SR2M H11D1SR2M ONSEMI MOC8204M-D.pdf Description: ONSEMI - H11D1SR2M - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 6 Pin(s), 80 mA, 4.17 kV, 20 %
tariffCode: 85414090
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 20%
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 4.17kV
Durchlassstrom If, max.: 80mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 300V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.22 грн
500+31.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NXH020P120MNF1PTG NXH020P120MNF1PTG ONSEMI 3708148.pdf Description: ONSEMI - NXH020P120MNF1PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 51 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.81V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10359.23 грн
5+9602.38 грн
10+8845.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH010P120MNF1PTG NXH010P120MNF1PTG ONSEMI NXH010P120MNF1-D.PDF Description: ONSEMI - NXH010P120MNF1PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 114 A, 1.2 kV, 0.0105 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14001.29 грн
5+13632.14 грн
10+13262.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH040P120MNF1PTG NXH040P120MNF1PTG ONSEMI ONSM-S-A0014762558-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NXH040P120MNF1PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.042 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.81V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8978.88 грн
5+8246.76 грн
10+7514.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH008T120M3F2PTHG ONSEMI 4073654.pdf Description: ONSEMI - NXH008T120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 129 A, 1.2 kV, 0.0115 ohm, Module
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 129A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 371W
Bauform - Transistor: Module
Anzahl der Pins: 29Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12613.00 грн
5+12212.94 грн
10+11812.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH004P120M3F2PTNG NXH004P120M3F2PTNG ONSEMI nxh004p120m3f2ptng-d.pdf Description: ONSEMI - NXH004P120M3F2PTNG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 338 A, 1.2 kV, 5500 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 338A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.098kW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+19940.41 грн
5+19541.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH011T120M3F2PTHG ONSEMI 4073655.pdf Description: ONSEMI - NXH011T120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 91 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 272W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 29Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5634.43 грн
5+5506.38 грн
10+5378.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH003P120M3F2PTNG NXH003P120M3F2PTNG ONSEMI 4018418.pdf Description: ONSEMI - NXH003P120M3F2PTNG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 435 A, 1.2 kV, 0.005 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 435A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.48kW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+18915.08 грн
5+18537.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH004P120M3F2PNG NXH004P120M3F2PNG ONSEMI nxh004p120m3f2png-d.pdf Description: ONSEMI - NXH004P120M3F2PNG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, 2-PACK, Halbbrücke, n-Kanal, 338 A, 1.2 kV, 5500 µohm, PIM
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
Dauer-Drainstrom Id: 338A
hazardous: false
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.098kW
Bauform - Transistor: PIM
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+23087.03 грн
5+22625.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH006P120M3F2PTHG NXH006P120M3F2PTHG ONSEMI 4332486.pdf Description: ONSEMI - NXH006P120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, 2-PACK, Halbbrücke, n-Kanal, 191 A, 1.2 kV, 0.008 ohm, PIM
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 191A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 556W
Bauform - Transistor: PIM
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12614.77 грн
5+12214.70 грн
10+11814.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH007F120M3F2PTHG ONSEMI 4332487.pdf Description: ONSEMI - NXH007F120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, M3S, Vollbrücke, n-Kanal, 149 A, 1.2 kV, 0.01 ohm, PIM
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 149A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 353W
Bauform - Transistor: PIM
Anzahl der Pins: 34Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13875.89 грн
5+13436.08 грн
10+12995.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH011F120M3F2PTHG ONSEMI 4332488.pdf Description: ONSEMI - NXH011F120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, M3S, Vollbrücke, n-Kanal, 105 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, PIM
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 244W
Bauform - Transistor: PIM
Anzahl der Pins: 34Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10727.50 грн
5+10409.57 грн
10+10091.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856ALT1G SBC856ALT1G ONSEMI 2353764.pdf Description: ONSEMI - SBC856ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC856
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 13548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+27.11 грн
54+16.43 грн
100+10.33 грн
500+7.09 грн
1000+5.82 грн
5000+5.09 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856ALT1G SBC856ALT1G ONSEMI 2353764.pdf Description: ONSEMI - SBC856ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC856
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 13548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+7.09 грн
1000+5.82 грн
5000+5.09 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MM3Z5V6C MM3Z5V6C ONSEMI mm3z9v1c-d.pdf Description: ONSEMI - MM3Z5V6C - Zener-Diode, 5.6 V, 200 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MM3Z5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.6V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 11425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.05 грн
1500+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BSR16.. BSR16.. ONSEMI 2303858.pdf Description: ONSEMI - BSR16.. - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, -60V, -800mA, 350mW, SOT-23, SMD
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 25892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.57 грн
500+10.41 грн
1500+8.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4173PT1G NTS4173PT1G ONSEMI 706319.pdf Description: ONSEMI - NTS4173PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.15 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
7WBD3306USG 7WBD3306USG ONSEMI 2255405.pdf Description: ONSEMI - 7WBD3306USG - Bus-Schalter, 2 Kanäle, 7 ohm, US8, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: -
Bauform - Logikbaustein: US8
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: US8
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Versorgungsspannung, min.: 4V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Durchlasswiderstand, max.: 7ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+53.61 грн
27+32.94 грн
100+26.94 грн
500+24.27 грн
1000+17.94 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
7WBD3306USG 7WBD3306USG ONSEMI 2255405.pdf Description: ONSEMI - 7WBD3306USG - Bus-Schalter, 2 Kanäle, 7 ohm, US8, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: -
Bauform - Logikbaustein: US8
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: US8
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Versorgungsspannung, min.: 4V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Durchlasswiderstand, max.: 7ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.94 грн
500+24.27 грн
1000+17.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BCW32LT1G BCW32LT1G ONSEMI ONSM-S-A0013215051-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BCW32LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBTA06LT1G SMMBTA06LT1G ONSEMI mmbta05lt1-d.pdf Description: ONSEMI - SMMBTA06LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 16346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.19 грн
1500+4.57 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
LM224DR2G LM224DR2G ONSEMI 2236828.pdf Description: ONSEMI - LM224DR2G - Operationsverstärker, vierfach, 4 Kanäle, 1 MHz, 0.6 V/µs, 3V bis 32V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 32V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.6V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1MHz
Eingangsoffsetspannung: 2mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: -90nA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.16 грн
500+13.12 грн
1000+11.43 грн
5000+10.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BC848BLT1G BC848BLT1G ONSEMI ONSM-S-A0013180198-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC848BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.89 грн
1500+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BC848BWT1G BC848BWT1G ONSEMI ONSM-S-A0013684657-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC848BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.89 грн
1000+2.38 грн
5000+1.88 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MICROFJ-SMA-40035-GEVB MICROFJ-SMA-40035-GEVB ONSEMI MICROFJ-SMA-40035-GEVB_Web.pdf Description: ONSEMI - MICROFJ-SMA-40035-GEVB - Evaluationsboard, SiPM-Sensor MicroFJ-40035, 3 SMA-Steckverbinder, Vorspannung
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: MICROFJ-40035-TSV
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard MICROFJ-40035-TSV
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Silizium-Photomultiplier-Sensor (SiPM)
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: J-Series SiPM Sensor
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+30268.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BC550CTA BC550CTA ONSEMI BC550-D.PDF Description: ONSEMI - BC550CTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+22.52 грн
69+12.98 грн
100+9.10 грн
500+6.35 грн
1000+5.19 грн
5000+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
NIS4461MT1TXG NIS4461MT1TXG ONSEMI 3191497.pdf Description: ONSEMI - NIS4461MT1TXG - Elektronische Sicherung 9-24V Festplatten & Solid-State-Laufwerke/Industrie/Handgeräte WDFN-EP 10Pin
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Elektronische Sicherung
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WDFN-EP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 9V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 24V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Leistungsschalter: FET
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+98.91 грн
10+97.15 грн
50+95.38 грн
100+86.11 грн
250+77.97 грн
500+76.45 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NIS4461MT3TXG NIS4461MT3TXG ONSEMI 3191497.pdf Description: ONSEMI - NIS4461MT3TXG - Elektronische Sicherung 9-24V Festplatten & Solid-State-Laufwerke/Industrie/Handgeräte WDFN-EP 10Pin
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Elektronische Sicherung
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WDFN-EP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 9V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 24V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Leistungsschalter: FET
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+216.37 грн
10+161.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MMSD4448 MMSD4448 ONSEMI ONSM-S-A0003587715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMSD4448 - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSD4
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+15.98 грн
106+8.35 грн
194+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
MMSD4448 MMSD4448 ONSEMI ONSM-S-A0003587715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMSD4448 - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSD4
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NCP5501DT33RKG NCP5501DT33RKG ONSEMI 1748771.pdf Description: ONSEMI - NCP5501DT33RKG - LDO-Festspannungsregler, 18Vin, 230mV Dropout-Spannung, 3.3V/500mAout, TO-252-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
Nennausgangsspannung: 3.3V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 18V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 500mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 230mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 230mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 9430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.22 грн
500+33.13 грн
1000+27.63 грн
2500+21.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BC847CLT1G BC847CLT1G ONSEMI ONSM-S-A0013180198-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC847CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BC547BTA BC547BTA ONSEMI BC546-50.pdf FAIR-S-A0000134114-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - BC547BTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 24596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+22.87 грн
62+14.31 грн
100+9.01 грн
500+6.14 грн
1000+4.98 грн
5000+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BTT1G BC857BTT1G ONSEMI 2354480.pdf Description: ONSEMI - BC857BTT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.29 грн
9000+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G ONSEMI ONSM-S-A0013307755-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT3906LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.86 грн
9000+1.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G ONSEMI 3817110.pdf Description: ONSEMI - MMBT3906LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 86793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.53 грн
1500+2.11 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
SNUP2114UCMR6T1G SNUP2114UCMR6T1G ONSEMI 2907086.pdf Description: ONSEMI - SNUP2114UCMR6T1G - ESD-Schutzbaustein, 10 V, TSOP, 6 Pin(s), 5 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TSOP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 10V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+41.33 грн
28+31.88 грн
100+22.87 грн
500+16.65 грн
1000+13.63 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
SNUP2114UCMR6T1G SNUP2114UCMR6T1G ONSEMI 2907086.pdf Description: ONSEMI - SNUP2114UCMR6T1G - ESD-Schutzbaustein, 10 V, TSOP, 6 Pin(s), 5 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TSOP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 10V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.87 грн
500+16.65 грн
1000+13.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MC14490DWR2G MC14490DWR2G ONSEMI MC14490-D.PDF Description: ONSEMI - MC14490DWR2G - Kontakt-Entpreller, sechsfach, 3V bis 18V, SOIC-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Logiktyp: Kontakt-Entpreller
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.04 грн
250+42.54 грн
500+41.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FNB33060T FNB33060T ONSEMI fnb33060t-d.pdf Description: ONSEMI - FNB33060T - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 30 A, 2.5 kV, SPM27-RA, SPM3
tariffCode: 85423990
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: SPM3
rohsCompliant: Y-EX
Isolationsspannung: 2.5kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 30A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: SPM27-RA
Produktpalette: Motion SPM 3 Series
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2157.51 грн
5+1862.54 грн
10+1566.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NCV317BD2TR4G NCV317BD2TR4G ONSEMI 2160677.pdf Description: ONSEMI - NCV317BD2TR4G - Linearer Spannungsregler, einstellbar, 1.2V bis 37V/1.5Aout, TO-263-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: 1.2V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 37V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.92 грн
500+31.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCP731ADN500R2G NCP731ADN500R2G ONSEMI 3917127.pdf Description: ONSEMI - NCP731ADN500R2G - LDO-Festspannungsregler, 2.7-38Vin, 0.23V Dropout, 5V/0.15Aout, MSOP-EP-8, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: MSOP-EP
Nennausgangsspannung: 5V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 38V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.7V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 5V 0.15A LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 230mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 230mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NCP731ADN500R2G NCP731ADN500R2G ONSEMI 3917127.pdf Description: ONSEMI - NCP731ADN500R2G - LDO-Festspannungsregler, 2.7-38Vin, 0.23V Dropout, 5V/0.15Aout, MSOP-EP-8, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: MSOP-EP
Nennausgangsspannung: 5V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 38V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.7V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 5V 0.15A LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 230mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 230mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ESD8008MUTAG ESD8008MUTAG ONSEMI ONSM-S-A0011393982-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - ESD8008MUTAG - ESD-Schutzbaustein, 8.1 V, UDFN, 14 Pin(s), 3.3 V
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: UDFN
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 8.1V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 3.3V
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+46.36 грн
25+36.03 грн
100+28.00 грн
500+24.85 грн
1000+21.04 грн
5000+18.77 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SZMM5Z15VT1G SZMM5Z15VT1G ONSEMI 2236793.pdf Description: ONSEMI - SZMM5Z15VT1G - Zener-Diode, 15 V, 500 mW, SOD-523, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SZMM5ZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 15V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+36.21 грн
40+22.26 грн
100+10.07 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
SZMM5Z15VT1G SZMM5Z15VT1G ONSEMI 2236793.pdf Description: ONSEMI - SZMM5Z15VT1G - Zener-Diode, 15 V, 500 mW, SOD-523, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SZMM5ZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 15V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDLL4148 FDLL4148 ONSEMI 1934602.pdf Description: ONSEMI - FDLL4148 - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-80 (MiniMELF)
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: FDLL4x48 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 63401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+1.75 грн
1000+1.51 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MC33079DR2G MC33079DR2G ONSEMI mc33078-d.pdf Description: ONSEMI - MC33079DR2G - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 16 MHz, 7 V/µs, ± 5V bis ± 18V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: ± 5V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 7V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 16MHz
Eingangsoffsetspannung: 150µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 300nA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8535MNADJR2G NCV8535MNADJR2G ONSEMI 2255394.pdf Description: ONSEMI - NCV8535MNADJR2G - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 2.9V-12Vin, 260mV Dropout-Spannung, 1.25V bis 10V/500mAout, DFN-10
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 1.25V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 10V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: DFN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 12V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.9V
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: Adj 500mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 260mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 260mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+78.48 грн
250+62.53 грн
500+57.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MBR0540T1G MBR0540T1G ONSEMI 1596369.pdf Description: ONSEMI - MBR0540T1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 500 mA, Einfach, SOD-123, 2 Pin(s), 510 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
Durchlassstoßstrom: 5.5A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 510mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 112358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+28.17 грн
54+16.51 грн
100+12.81 грн
500+9.18 грн
1500+7.56 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
MBR0530T1G MBR0530T1G ONSEMI ONSM-S-A0000134658-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MBR0530T1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 500 mA, Einfach, SOD-123, 2 Pin(s), 430 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
Durchlassstoßstrom: 5.5A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 430mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MBR05
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.24 грн
9000+4.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MM3Z12VT1G MM3Z12VT1G ONSEMI MM3ZyyyT1G_SZMM3ZyyyT1G_Series_rev.11_Sep2014.pdf Description: ONSEMI - MM3Z12VT1G - Zener-Diode, Universal, 12 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MM3ZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 97305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.48 грн
1500+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
FAD3171MXA FAD3171MXA ONSEMI 4332467.pdf Description: ONSEMI - FAD3171MXA - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 6V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 50ns
Ausgabeverzögerung: 50ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 4915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+220.28 грн
250+216.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FAD3151MXA FAD3151MXA ONSEMI 4332467.pdf Description: ONSEMI - FAD3151MXA - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 6V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 50ns
Ausgabeverzögerung: 50ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+153.67 грн
250+149.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FAD3151MXA FAD3151MXA ONSEMI 4332467.pdf Description: ONSEMI - FAD3151MXA - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 6V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 50ns
Ausgabeverzögerung: 50ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+288.79 грн
10+217.25 грн
25+199.59 грн
50+176.31 грн
100+153.67 грн
250+149.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FAD3171MXA FAD3171MXA ONSEMI 4332467.pdf Description: ONSEMI - FAD3171MXA - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 6V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 50ns
Ausgabeverzögerung: 50ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+405.36 грн
10+308.22 грн
25+284.37 грн
50+251.76 грн
100+220.28 грн
250+216.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SU04M5X NC7SU04M5X ONSEMI 2298196.pdf Description: ONSEMI - NC7SU04M5X - Inverter, NC7S04, 1 Eingang, 2.6mA, 2V bis 6V, SOT-23-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 7SU
Bauform - Logikbaustein: SOT-23
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2.6mA
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 7S04
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+30.38 грн
43+20.93 грн
101+8.77 грн
500+6.86 грн
1000+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SU04M5X NC7SU04M5X ONSEMI 2298196.pdf Description: ONSEMI - NC7SU04M5X - Inverter, NC7S04, 1 Eingang, 2.6mA, 2V bis 6V, SOT-23-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 7SU
Bauform - Logikbaustein: SOT-23
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2.6mA
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 7S04
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.86 грн
1000+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SP04P5X NC7SP04P5X ONSEMI 2304289.pdf Description: ONSEMI - NC7SP04P5X - Inverter, NC7S04, 1 Eingang, 2.6mA, 0.9V bis 3.6V, SC-70-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 7SP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2.6mA
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 900mV
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 7S04
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Eins
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5243BLT1G MMBZ5243BLT1G ONSEMI 2236794.pdf Description: ONSEMI - MMBZ5243BLT1G - Zener-Diode, 13 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBZ52xxBLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 13V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+11.75 грн
123+7.22 грн
199+4.44 грн
500+2.88 грн
1000+1.94 грн
Мінімальне замовлення: 76
В кошику  од. на суму  грн.
H11D1SR2M MOC8204M-D.pdf
H11D1SR2M
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - H11D1SR2M - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 6 Pin(s), 80 mA, 4.17 kV, 20 %
tariffCode: 85414090
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 20%
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 4.17kV
Durchlassstrom If, max.: 80mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 300V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+34.22 грн
500+31.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NXH020P120MNF1PTG 3708148.pdf
NXH020P120MNF1PTG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH020P120MNF1PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 51 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.81V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+10359.23 грн
5+9602.38 грн
10+8845.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH010P120MNF1PTG NXH010P120MNF1-D.PDF
NXH010P120MNF1PTG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH010P120MNF1PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 114 A, 1.2 kV, 0.0105 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+14001.29 грн
5+13632.14 грн
10+13262.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH040P120MNF1PTG ONSM-S-A0014762558-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NXH040P120MNF1PTG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH040P120MNF1PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.042 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.81V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8978.88 грн
5+8246.76 грн
10+7514.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH008T120M3F2PTHG 4073654.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH008T120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 129 A, 1.2 kV, 0.0115 ohm, Module
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 129A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 371W
Bauform - Transistor: Module
Anzahl der Pins: 29Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+12613.00 грн
5+12212.94 грн
10+11812.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH004P120M3F2PTNG nxh004p120m3f2ptng-d.pdf
NXH004P120M3F2PTNG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH004P120M3F2PTNG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 338 A, 1.2 kV, 5500 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 338A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.098kW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+19940.41 грн
5+19541.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH011T120M3F2PTHG 4073655.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH011T120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 91 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 272W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 29Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5634.43 грн
5+5506.38 грн
10+5378.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH003P120M3F2PTNG 4018418.pdf
NXH003P120M3F2PTNG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH003P120M3F2PTNG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 435 A, 1.2 kV, 0.005 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 435A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.48kW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+18915.08 грн
5+18537.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH004P120M3F2PNG nxh004p120m3f2png-d.pdf
NXH004P120M3F2PNG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH004P120M3F2PNG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, 2-PACK, Halbbrücke, n-Kanal, 338 A, 1.2 kV, 5500 µohm, PIM
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
Dauer-Drainstrom Id: 338A
hazardous: false
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.098kW
Bauform - Transistor: PIM
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+23087.03 грн
5+22625.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH006P120M3F2PTHG 4332486.pdf
NXH006P120M3F2PTHG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH006P120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, 2-PACK, Halbbrücke, n-Kanal, 191 A, 1.2 kV, 0.008 ohm, PIM
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 191A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 556W
Bauform - Transistor: PIM
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+12614.77 грн
5+12214.70 грн
10+11814.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH007F120M3F2PTHG 4332487.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH007F120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, M3S, Vollbrücke, n-Kanal, 149 A, 1.2 kV, 0.01 ohm, PIM
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 149A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 353W
Bauform - Transistor: PIM
Anzahl der Pins: 34Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+13875.89 грн
5+13436.08 грн
10+12995.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH011F120M3F2PTHG 4332488.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH011F120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, M3S, Vollbrücke, n-Kanal, 105 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, PIM
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 244W
Bauform - Transistor: PIM
Anzahl der Pins: 34Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+10727.50 грн
5+10409.57 грн
10+10091.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856ALT1G 2353764.pdf
SBC856ALT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBC856ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC856
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 13548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
33+27.11 грн
54+16.43 грн
100+10.33 грн
500+7.09 грн
1000+5.82 грн
5000+5.09 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856ALT1G 2353764.pdf
SBC856ALT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBC856ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC856
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 13548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+7.09 грн
1000+5.82 грн
5000+5.09 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MM3Z5V6C mm3z9v1c-d.pdf
MM3Z5V6C
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MM3Z5V6C - Zener-Diode, 5.6 V, 200 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MM3Z5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.6V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 11425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.05 грн
1500+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BSR16.. 2303858.pdf
BSR16..
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSR16.. - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, -60V, -800mA, 350mW, SOT-23, SMD
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 25892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+14.57 грн
500+10.41 грн
1500+8.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTS4173PT1G 706319.pdf
NTS4173PT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTS4173PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.15 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
7WBD3306USG 2255405.pdf
7WBD3306USG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 7WBD3306USG - Bus-Schalter, 2 Kanäle, 7 ohm, US8, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: -
Bauform - Logikbaustein: US8
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: US8
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Versorgungsspannung, min.: 4V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Durchlasswiderstand, max.: 7ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+53.61 грн
27+32.94 грн
100+26.94 грн
500+24.27 грн
1000+17.94 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
7WBD3306USG 2255405.pdf
7WBD3306USG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 7WBD3306USG - Bus-Schalter, 2 Kanäle, 7 ohm, US8, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: -
Bauform - Logikbaustein: US8
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: US8
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Versorgungsspannung, min.: 4V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Durchlasswiderstand, max.: 7ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+26.94 грн
500+24.27 грн
1000+17.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BCW32LT1G ONSM-S-A0013215051-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BCW32LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCW32LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBTA06LT1G mmbta05lt1-d.pdf
SMMBTA06LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SMMBTA06LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 16346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+5.19 грн
1500+4.57 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
LM224DR2G 2236828.pdf
LM224DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LM224DR2G - Operationsverstärker, vierfach, 4 Kanäle, 1 MHz, 0.6 V/µs, 3V bis 32V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 32V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.6V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1MHz
Eingangsoffsetspannung: 2mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: -90nA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+16.16 грн
500+13.12 грн
1000+11.43 грн
5000+10.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BC848BLT1G ONSM-S-A0013180198-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC848BLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC848BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.89 грн
1500+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BC848BWT1G ONSM-S-A0013684657-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC848BWT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC848BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.89 грн
1000+2.38 грн
5000+1.88 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MICROFJ-SMA-40035-GEVB MICROFJ-SMA-40035-GEVB_Web.pdf
MICROFJ-SMA-40035-GEVB
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MICROFJ-SMA-40035-GEVB - Evaluationsboard, SiPM-Sensor MicroFJ-40035, 3 SMA-Steckverbinder, Vorspannung
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: MICROFJ-40035-TSV
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard MICROFJ-40035-TSV
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Silizium-Photomultiplier-Sensor (SiPM)
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: J-Series SiPM Sensor
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+30268.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BC550CTA BC550-D.PDF
BC550CTA
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC550CTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+22.52 грн
69+12.98 грн
100+9.10 грн
500+6.35 грн
1000+5.19 грн
5000+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
NIS4461MT1TXG 3191497.pdf
NIS4461MT1TXG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NIS4461MT1TXG - Elektronische Sicherung 9-24V Festplatten & Solid-State-Laufwerke/Industrie/Handgeräte WDFN-EP 10Pin
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Elektronische Sicherung
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WDFN-EP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 9V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 24V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Leistungsschalter: FET
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+98.91 грн
10+97.15 грн
50+95.38 грн
100+86.11 грн
250+77.97 грн
500+76.45 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NIS4461MT3TXG 3191497.pdf
NIS4461MT3TXG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NIS4461MT3TXG - Elektronische Sicherung 9-24V Festplatten & Solid-State-Laufwerke/Industrie/Handgeräte WDFN-EP 10Pin
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Elektronische Sicherung
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WDFN-EP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 9V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 24V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Leistungsschalter: FET
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+216.37 грн
10+161.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MMSD4448 ONSM-S-A0003587715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMSD4448
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMSD4448 - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSD4
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
56+15.98 грн
106+8.35 грн
194+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
MMSD4448 ONSM-S-A0003587715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMSD4448
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMSD4448 - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSD4
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NCP5501DT33RKG 1748771.pdf
NCP5501DT33RKG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP5501DT33RKG - LDO-Festspannungsregler, 18Vin, 230mV Dropout-Spannung, 3.3V/500mAout, TO-252-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
Nennausgangsspannung: 3.3V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 18V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 500mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 230mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 230mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 9430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+45.22 грн
500+33.13 грн
1000+27.63 грн
2500+21.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BC847CLT1G ONSM-S-A0013180198-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC847CLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC847CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BC547BTA BC546-50.pdf FAIR-S-A0000134114-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BC547BTA
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC547BTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 24596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
39+22.87 грн
62+14.31 грн
100+9.01 грн
500+6.14 грн
1000+4.98 грн
5000+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BTT1G 2354480.pdf
BC857BTT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC857BTT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.29 грн
9000+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT1G ONSM-S-A0013307755-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBT3906LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT3906LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.86 грн
9000+1.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT3906LT1G 3817110.pdf
MMBT3906LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT3906LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 86793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.53 грн
1500+2.11 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
SNUP2114UCMR6T1G 2907086.pdf
SNUP2114UCMR6T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SNUP2114UCMR6T1G - ESD-Schutzbaustein, 10 V, TSOP, 6 Pin(s), 5 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TSOP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 10V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+41.33 грн
28+31.88 грн
100+22.87 грн
500+16.65 грн
1000+13.63 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
SNUP2114UCMR6T1G 2907086.pdf
SNUP2114UCMR6T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SNUP2114UCMR6T1G - ESD-Schutzbaustein, 10 V, TSOP, 6 Pin(s), 5 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TSOP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 10V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+22.87 грн
500+16.65 грн
1000+13.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MC14490DWR2G MC14490-D.PDF
MC14490DWR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC14490DWR2G - Kontakt-Entpreller, sechsfach, 3V bis 18V, SOIC-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Logiktyp: Kontakt-Entpreller
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+49.04 грн
250+42.54 грн
500+41.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FNB33060T fnb33060t-d.pdf
FNB33060T
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FNB33060T - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 30 A, 2.5 kV, SPM27-RA, SPM3
tariffCode: 85423990
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: SPM3
rohsCompliant: Y-EX
Isolationsspannung: 2.5kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 30A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: SPM27-RA
Produktpalette: Motion SPM 3 Series
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2157.51 грн
5+1862.54 грн
10+1566.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NCV317BD2TR4G 2160677.pdf
NCV317BD2TR4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV317BD2TR4G - Linearer Spannungsregler, einstellbar, 1.2V bis 37V/1.5Aout, TO-263-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: 1.2V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 37V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+36.92 грн
500+31.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCP731ADN500R2G 3917127.pdf
NCP731ADN500R2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP731ADN500R2G - LDO-Festspannungsregler, 2.7-38Vin, 0.23V Dropout, 5V/0.15Aout, MSOP-EP-8, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: MSOP-EP
Nennausgangsspannung: 5V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 38V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.7V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 5V 0.15A LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 230mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 230mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NCP731ADN500R2G 3917127.pdf
NCP731ADN500R2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP731ADN500R2G - LDO-Festspannungsregler, 2.7-38Vin, 0.23V Dropout, 5V/0.15Aout, MSOP-EP-8, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: MSOP-EP
Nennausgangsspannung: 5V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 38V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.7V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 5V 0.15A LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 230mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 230mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ESD8008MUTAG ONSM-S-A0011393982-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ESD8008MUTAG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ESD8008MUTAG - ESD-Schutzbaustein, 8.1 V, UDFN, 14 Pin(s), 3.3 V
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: UDFN
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 8.1V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 3.3V
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+46.36 грн
25+36.03 грн
100+28.00 грн
500+24.85 грн
1000+21.04 грн
5000+18.77 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SZMM5Z15VT1G 2236793.pdf
SZMM5Z15VT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZMM5Z15VT1G - Zener-Diode, 15 V, 500 mW, SOD-523, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SZMM5ZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 15V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+36.21 грн
40+22.26 грн
100+10.07 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
SZMM5Z15VT1G 2236793.pdf
SZMM5Z15VT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZMM5Z15VT1G - Zener-Diode, 15 V, 500 mW, SOD-523, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SZMM5ZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 15V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+10.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDLL4148 1934602.pdf
FDLL4148
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDLL4148 - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-80 (MiniMELF)
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: FDLL4x48 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 63401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+1.75 грн
1000+1.51 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MC33079DR2G mc33078-d.pdf
MC33079DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC33079DR2G - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 16 MHz, 7 V/µs, ± 5V bis ± 18V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: ± 5V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 7V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 16MHz
Eingangsoffsetspannung: 150µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 300nA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+21.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8535MNADJR2G 2255394.pdf
NCV8535MNADJR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV8535MNADJR2G - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 2.9V-12Vin, 260mV Dropout-Spannung, 1.25V bis 10V/500mAout, DFN-10
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 1.25V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 10V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: DFN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 12V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.9V
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: Adj 500mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 260mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 260mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+78.48 грн
250+62.53 грн
500+57.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MBR0540T1G 1596369.pdf
MBR0540T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBR0540T1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 500 mA, Einfach, SOD-123, 2 Pin(s), 510 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
Durchlassstoßstrom: 5.5A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 510mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 112358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
32+28.17 грн
54+16.51 грн
100+12.81 грн
500+9.18 грн
1500+7.56 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
MBR0530T1G ONSM-S-A0000134658-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MBR0530T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBR0530T1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 500 mA, Einfach, SOD-123, 2 Pin(s), 430 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
Durchlassstoßstrom: 5.5A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 430mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MBR05
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.24 грн
9000+4.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MM3Z12VT1G MM3ZyyyT1G_SZMM3ZyyyT1G_Series_rev.11_Sep2014.pdf
MM3Z12VT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MM3Z12VT1G - Zener-Diode, Universal, 12 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MM3ZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 97305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.48 грн
1500+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
FAD3171MXA 4332467.pdf
FAD3171MXA
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FAD3171MXA - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 6V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 50ns
Ausgabeverzögerung: 50ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 4915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+220.28 грн
250+216.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FAD3151MXA 4332467.pdf
FAD3151MXA
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FAD3151MXA - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 6V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 50ns
Ausgabeverzögerung: 50ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+153.67 грн
250+149.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FAD3151MXA 4332467.pdf
FAD3151MXA
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FAD3151MXA - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 6V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 50ns
Ausgabeverzögerung: 50ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+288.79 грн
10+217.25 грн
25+199.59 грн
50+176.31 грн
100+153.67 грн
250+149.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FAD3171MXA 4332467.pdf
FAD3171MXA
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FAD3171MXA - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 6V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 50ns
Ausgabeverzögerung: 50ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+405.36 грн
10+308.22 грн
25+284.37 грн
50+251.76 грн
100+220.28 грн
250+216.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SU04M5X 2298196.pdf
NC7SU04M5X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SU04M5X - Inverter, NC7S04, 1 Eingang, 2.6mA, 2V bis 6V, SOT-23-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 7SU
Bauform - Logikbaustein: SOT-23
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2.6mA
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 7S04
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+30.38 грн
43+20.93 грн
101+8.77 грн
500+6.86 грн
1000+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SU04M5X 2298196.pdf
NC7SU04M5X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SU04M5X - Inverter, NC7S04, 1 Eingang, 2.6mA, 2V bis 6V, SOT-23-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 7SU
Bauform - Logikbaustein: SOT-23
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2.6mA
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 7S04
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+6.86 грн
1000+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SP04P5X 2304289.pdf
NC7SP04P5X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SP04P5X - Inverter, NC7S04, 1 Eingang, 2.6mA, 0.9V bis 3.6V, SC-70-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 7SP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2.6mA
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 900mV
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 7S04
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Eins
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+17.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5243BLT1G 2236794.pdf
MMBZ5243BLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBZ5243BLT1G - Zener-Diode, 13 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBZ52xxBLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 13V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
76+11.75 грн
123+7.22 грн
199+4.44 грн
500+2.88 грн
1000+1.94 грн
Мінімальне замовлення: 76
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 236 472 708 944 1180 1416 1652 1888 2124 2263 2264 2265 2266 2267 2268 2269 2270 2271 2272 2273 2360 2367  [ Наступна Сторінка >> ]