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NDS0610 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDS0610 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 120 mA, 10 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 32392 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MC74LCX08DTR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC74LCX08DTR2G - AND-Gatter, Baureihe 74LCX08, 2 Eingänge, 2V bis 3.6V Versorgungsspannung, TSSOP-14tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Logikfunktion: AND-Gatter Logik-IC-Familie: 74LCX Anzahl der Elemente: Vier Bauform - Logikbaustein: TSSOP hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: - IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: 74LCX08 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Anzahl der Eingänge: 2Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1943 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MURS320T3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MURS320T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 890 mV, 35 ns, 100 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AB (SMC) Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 890mV Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 15410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDD4141 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD4141 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0123 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 2333 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MC33151DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC33151DR2G - MOSFET-Treiber, 6.5V-18V Versorgungsspannung, SOIC-8tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 1.5A Treiberkonfiguration: Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1.5A Versorgungsspannung, min.: 6.5V euEccn: NLR Gate-Treiber: Nicht isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 18V Eingabeverzögerung: 35ns Ausgabeverzögerung: 36ns Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MBRB20100CTT4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MBRB20100CTT4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Durchlassstoßstrom: 150A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 950mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MBRB2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 6311 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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LM201AVDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - LM201AVDR2G - Operationsverstärker, einfach, 1 Kanäle, 1 MHz, 0.5 V/µs, 3V bis 22V, NSOIC, 8 Pin(s)tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 3V bis 22V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 0.5V/µs Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: - Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1MHz Eingangsoffsetspannung: 700µV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 30nA Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 105°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1099 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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LM201ADR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - LM201ADR2G - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 1 MHz, 0.5 V/µs, ± 5V bis ± 20V, SOIC, 8 Pin(s)tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: ± 5V bis ± 20V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 0.5V/µs Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -25°C Rail-to-Rail: - Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1MHz Eingangsoffsetspannung: 700µV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 30nA Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2452 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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LP2951CDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - LP2951CDR2G - LDO Voltage Regulator, Adjustable, 2.25V to 30V in, 350mV drop, 1.25V to 29V/0.1A out, SOIC-8tariffCode: 85423990 Ausgang: Einstellbar rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: 1.25V IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: 29V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 30V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 100mA Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: 2.25V Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Ausgangsspannung, nom.: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 100mA Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 350mV Typische Dropout-Spannung bei Strom: 350mV Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 6863 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCV7710DQBR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV7710DQBR2G - Relaistreiber, AEC-Q100, 5.5V bis 28V Versorgungsspannung, SSOP-EP-36, 150°CtariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 6A Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SSOP-EP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: - Versorgungsspannung, min.: 5.5V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 36Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 28V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCV7710DQBR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV7710DQBR2G - Relaistreiber, AEC-Q100, 5.5V bis 28V Versorgungsspannung, SSOP-EP-36, 150°CtariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 6A Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SSOP-EP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: - Versorgungsspannung, min.: 5.5V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 36Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 28V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NSVBAS19LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSVBAS19LT1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 120 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 2 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 2A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 120V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4689 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MMBFJ177LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBFJ177LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, -20 mA, 2.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °CtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -20mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 2.5V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 29237 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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1N4733A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N4733A - Zener-Diode, 5.1 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C, DurchsteckmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL) rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N47xxA productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 200°C Zener-Spannung, nom.: 5.1V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 5374 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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LM2903DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - LM2903DR2G - Analoger Komparator, Präzisionskomparator, 2 Kanäle, 1.5 µs, 2V bis 36V, ± 1V bis ± 18V, SOICtariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Komparatorausgang: CMOS, MOS, TTL, DTL, ECL Versorgungsspannung: 2V bis 36V, ± 1V bis ± 18V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Komparatortyp: Präzisionskomparator euEccn: NLR Stromversorgung: Einfache & zweifache Spannungsversorgung Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ansprechzeit / Ausbreitungsverzögerung: 1.5µs Betriebstemperatur, max.: 105°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 41265 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MC33152DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC33152DR2G - MOSFET-Treiber, 6.1V-18V Versorgungsspannung, SOIC-8tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 1.5A Treiberkonfiguration: Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1.5A Versorgungsspannung, min.: 6.1V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 18V Eingabeverzögerung: 55ns Ausgabeverzögerung: 40ns Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 887 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MMBZ5230BLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBZ5230BLT1G - Zener-Diode, 4.7 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBZ52xxBLT1G productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 4.7V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 63996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDT458P | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDT458P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.13 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3065 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MC7805CDTRKG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC7805CDTRKG - Linearer Festspannungsregler, 5.0V bis 18Vin, 5.0 V / 1Aout, DPAK-3tariffCode: 85423990 Ausgang: Fest rohsCompliant: Y-EX Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK) Nennausgangsspannung: 5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: 0°C Eingangsspannung, max.: 35V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 1A Eingangsspannung, min.: 7V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: 5V 1A Linear Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: 5V productTraceability: No Ausgangsstrom, max.: 1A Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 11450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MBRB2545CTT4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MBRB2545CTT4G - Schottky-Gleichrichterdiode, Universal, 45 V, 30 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-263 (D2PAK)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Durchlassstoßstrom: 150A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 820mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MBRB2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 45V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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1N4148WS | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N4148WS - Kleinsignaldiode, Einfach, 75 V, 150 mA, 1 V, 4 ns, 4 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323FL Durchlassstoßstrom: 4A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 4ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N4148 productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 75V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 781358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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1N4148WS | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N4148WS - Kleinsignaldiode, Einfach, 75 V, 150 mA, 1 V, 4 ns, 4 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323FL Durchlassstoßstrom: 4A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 4ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N4148 productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 75V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 781358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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1N4148WS | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N4148WS - Kleinsignaldiode, Einfach, 75 V, 150 mA, 1 V, 4 ns, 4 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323FL Durchlassstoßstrom: 4A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 4ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N4148 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 75V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MC33272ADR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC33272ADR2G - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 24 MHz, 10 V/µs, 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V, SOIC, 8 Pin(s)tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 10V/µs Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: - Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 24MHz Eingangsoffsetspannung: 100µV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 300nA Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1048 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MM74HCT245MTCX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MM74HCT245MTCX - Puffer, 74HCT245, 4.5V bis 5.5V, TSSOP-20tariffCode: 85423990 Logik-IC-Sockelnummer: 74245 rohsCompliant: YES Logik-IC-Familie: 74HCT Bauform - Logikbaustein: TSSOP hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP MSL: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V Logikfamilie / Sockelnummer: 74HCT245 euEccn: NLR Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend Anzahl der Pins: 20Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 853 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SZMMSZ5236BT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SZMMSZ5236BT1G - Zener-Diode, 7.5 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: SZMMSZ52xxxT1G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 7.5V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1434 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SZMMSZ15ET1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SZMMSZ15ET1G - Zener-Diode, 15 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 15V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 11401 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCV57540DWKR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV57540DWKR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, IGBT, WSOIC-16tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6.5A Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: Nicht invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 6.5A Versorgungsspannung, min.: 3.3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NJV4031NT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NJV4031NT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 215MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2815 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NVMFD5C446NLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFD5C446NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 145 A, 145 A, 0.0022 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 145A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 145A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0022ohm Verlustleistung, p-Kanal: 125W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0022ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 125W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 3722 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NVMFD5C446NLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFD5C446NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 145 A, 145 A, 0.0022 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 145A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 145A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0022ohm Verlustleistung, p-Kanal: 125W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0022ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 125W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 3722 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NVMFD5C680NLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFD5C680NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 26 A, 26 A, 0.028 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 26A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 19W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 19W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1252 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NVMFD5C680NLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFD5C680NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 26 A, 26 A, 0.028 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 26A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 19W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 19W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1252 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCP5501DT50RKG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP5501DT50RKG - LDO-Festspannungsregler, 2.5V-16Vin, 230mV Dropout, 5V/500mAout, TO-252-3tariffCode: 85423990 Ausgang: Fest rohsCompliant: Y-EX Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK) Nennausgangsspannung: 5V usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 16V euEccn: NLR Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: 2.5V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: 5V 500mA LDO Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: 5V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 500mA Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 230mV Typische Dropout-Spannung bei Strom: 230mV Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 3398 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MC74ACT14DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC74ACT14DR2G - Inverter, Schmitt-Trigger, 74ACT14, 6 Eingänge, 50mA, 4.5V bis 5.5V, SOIC-14tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Logikfunktion: Wechselrichter Logik-IC-Familie: 74ACT Anzahl der Elemente: Sechs Bauform - Logikbaustein: SOIC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 50mA isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: 74ACT14 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Anzahl der Eingänge: 1Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 5934 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MB6S | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MB6S - Brückengleichrichter, Eine Phase, 600 V, 500 mA, SOIC, 4 Pin(s), 1 VtariffCode: 85369010 Durchlassstoßstrom: 35A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1V Bauform - Brückengleichrichter: SOIC usEccn: EAR99 Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage Anzahl der Phasen: Eine Phase Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: MB6S productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 27414 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MB6S | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MB6S - Brückengleichrichter, Eine Phase, 600 V, 500 mA, SOIC, 4 Pin(s), 1 VtariffCode: 85369010 Durchlassstoßstrom: 35A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1V Bauform - Brückengleichrichter: SOIC usEccn: EAR99 Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage Anzahl der Phasen: Eine Phase Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: MB6S productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 27414 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDS2672 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS2672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.9 A, 0.07 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 6136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDS2672 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS2672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.9 A, 0.07 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 6136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SZBZX84B5V1LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SZBZX84B5V1LT1G - Zener-Diode, 5.1 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SZBZX84BxxxLT1G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 5.1V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
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NV25640DWVLT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NV25640DWVLT3G - EEPROM, AEC-Q100, 64 Kbit, 8K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, SOIC, 8 Pin(s)tariffCode: 85423269 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Speicherdichte: 64Kbit usEccn: EAR99 Taktfrequenz, max.: 20MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 64Kbit SPI Serial EEPROM productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NV25160DTVLT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NV25160DTVLT3G - EEPROM, AEC-Q100, 16 Kbit, 2K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, TSSOP, 8 Pin(s)tariffCode: 85423269 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Speicherdichte: 16Kbit usEccn: EAR99 Taktfrequenz, max.: 20MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 16Kbit SPI Serial EEPROM productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NV25160DWVLT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NV25160DWVLT3G - EEPROM, AEC-Q100, 16 Kbit, 2K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, SOIC, 8 Pin(s)tariffCode: 85423269 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Speicherdichte: 16Kbit usEccn: EAR99 Taktfrequenz, max.: 20MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 16Kbit SPI Serial EEPROM productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 125°C Speicherkonfiguration: 2K x 8 Bit SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NV25160DWVLT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NV25160DWVLT3G - EEPROM, AEC-Q100, 16 Kbit, 2K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, SOIC, 8 Pin(s)tariffCode: 85423269 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Speicherdichte: 16Kbit usEccn: EAR99 Taktfrequenz, max.: 20MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 16Kbit SPI Serial EEPROM productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NV25320DTVLT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NV25320DTVLT3G - EEPROM, AEC-Q100, 32 Kbit, 4K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, TSSOP, 8 Pin(s)tariffCode: 85423269 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Speicherdichte: 32Kbit usEccn: EAR99 Taktfrequenz, max.: 20MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 32Kbit SPI Serial EEPROM productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NV25640DWVLT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NV25640DWVLT3G - EEPROM, AEC-Q100, 64 Kbit, 8K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, SOIC, 8 Pin(s)tariffCode: 85423269 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Speicherdichte: 64Kbit usEccn: EAR99 Taktfrequenz, max.: 20MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 64Kbit SPI Serial EEPROM productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 125°C Speicherkonfiguration: 8K x 8 Bit SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NV25160DTVLT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NV25160DTVLT3G - EEPROM, AEC-Q100, 16 Kbit, 2K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, TSSOP, 8 Pin(s)tariffCode: 85423269 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP Speicherdichte: 16Kbit usEccn: EAR99 Taktfrequenz, max.: 20MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 16Kbit SPI Serial EEPROM productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 125°C Speicherkonfiguration: 2K x 8 Bit SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NV25320DTVLT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NV25320DTVLT3G - EEPROM, AEC-Q100, 32 Kbit, 4K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, TSSOP, 8 Pin(s)tariffCode: 85423269 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP Speicherdichte: 32Kbit usEccn: EAR99 Taktfrequenz, max.: 20MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 32Kbit SPI Serial EEPROM productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 125°C Speicherkonfiguration: 4K x 8 Bit SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MC34072DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC34072DR2G - Operationsverstärker, Kurzschlussschutz am Ausgang, 2 Kanäle, 4.5 MHz, 13 V/µs, 3V bis 44V, SOICtariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 3V bis 44V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 13V/µs Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: 0°C Rail-to-Rail: - Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 4.5MHz Eingangsoffsetspannung: 1mV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 100nA Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 70°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3602 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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RS1M | ONSEMI |
Description: ONSEMI - RS1M - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.3 V, 500 ns, 30 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 500ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: RS1M productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 1kV Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 18834 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MAX809STRG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MAX809STRG - Mikroprozessor, 1V-5.5V Versorgungsspannung, 2.93V Schwelle, 460ms, Active-Low, Push-Pull, SOT-23-3tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Reset-Schwellenspannung, min.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Verzögerungszeit: 460ms Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23 Reset-Ausgang: Aktiv-Low, Push-Pull MSL: - usEccn: EAR99 Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors Reset-Schwellenspannung, nom.: 2.93V Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 105°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 10789 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NFAM2512L7B | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NFAM2512L7B - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 1.2 kV, 25 A, 2.5 kVrms, DIP 39tariffCode: 85412900 IPM-Leistungsbaustein: IGBT productTraceability: Yes-Date/Lot Code IPM-Baureihe: - rohsCompliant: Y-EX Isolationsspannung: 2.5kVrms euEccn: NLR hazardous: false Nennstrom (Ic/Id): 25A rohsPhthalatesCompliant: YES Nennspannung (Vces / Vdss): 1.2kV usEccn: EAR99 Bauform - IPM: DIP 39 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 62 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NFAM3512L7B | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NFAM3512L7B - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 1.2 kV, 35 A, 2.5 kVrms, DIP 39tariffCode: 85412900 IPM-Leistungsbaustein: IGBT productTraceability: Yes-Date/Lot Code IPM-Baureihe: - rohsCompliant: Y-EX Isolationsspannung: 2.5kVrms euEccn: NLR hazardous: false Nennstrom (Ic/Id): 35A rohsPhthalatesCompliant: YES Nennspannung (Vces / Vdss): 1.2kV usEccn: EAR99 Bauform - IPM: DIP 39 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 178 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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RS1J | ONSEMI |
Description: ONSEMI - RS1J - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 250 ns, 30 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 250ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: RS1J productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 37348 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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RS1J | ONSEMI |
Description: ONSEMI - RS1J - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 250 ns, 30 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 250ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: RS1J productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 37348 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ESD9L3.3ST5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ESD9L3.3ST5G - ESD-Schutzbaustein, 9 V, SOD-923, 2 Pin(s), 3.3 V, 150 mW, ESD9LtariffCode: 85363010 Bauform - Diode: SOD-923 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 150mW euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 9V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Betriebsspannung: 3.3V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: ESD9L productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 57242 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GBPC3510 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - GBPC3510 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 1 kV, 35 A, Modul, 4 Pin(s), 1.1 VtariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 400A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.1V Bauform - Brückengleichrichter: Modul usEccn: EAR99 Montage des Brückengleichrichters: Panelmontage Anzahl der Phasen: Eine Phase Durchschnittlicher Durchlassstrom: 35A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: GBPC3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1kV Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SMMUN2233LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SMMUN2233LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 50717 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MMBTA42LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBTA42LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 300 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 58500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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74AC32SCX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 74AC32SCX - OR-Gatter, 74AC32, 8 Eingänge, 24mA, 2V bis 6V, SOIC-14tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Logikfunktion: OR-Gatter Logik-IC-Familie: 74AC Anzahl der Elemente: Vier Bauform - Logikbaustein: SOIC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 24mA IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: 74AC32 productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 6V Anzahl der Eingänge: 2Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2799 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| NDS0610 |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDS0610 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 120 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NDS0610 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 120 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 32392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 16.55 грн |
| 500+ | 11.81 грн |
| 1500+ | 9.85 грн |
| MC74LCX08DTR2G |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC74LCX08DTR2G - AND-Gatter, Baureihe 74LCX08, 2 Eingänge, 2V bis 3.6V Versorgungsspannung, TSSOP-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: AND-Gatter
Logik-IC-Familie: 74LCX
Anzahl der Elemente: Vier
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74LCX08
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MC74LCX08DTR2G - AND-Gatter, Baureihe 74LCX08, 2 Eingänge, 2V bis 3.6V Versorgungsspannung, TSSOP-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: AND-Gatter
Logik-IC-Familie: 74LCX
Anzahl der Elemente: Vier
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74LCX08
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 25.17 грн |
| 500+ | 20.62 грн |
| 1000+ | 16.87 грн |
| MURS320T3G |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MURS320T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 890 mV, 35 ns, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 890mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MURS320T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 890 mV, 35 ns, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 890mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 15410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 29.17 грн |
| 500+ | 21.51 грн |
| 1000+ | 18.06 грн |
| FDD4141 |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD4141 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0123 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FDD4141 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0123 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 2333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 50.77 грн |
| 500+ | 36.96 грн |
| 1000+ | 31.05 грн |
| MC33151DR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC33151DR2G - MOSFET-Treiber, 6.5V-18V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1.5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.5A
Versorgungsspannung, min.: 6.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 35ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MC33151DR2G - MOSFET-Treiber, 6.5V-18V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1.5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.5A
Versorgungsspannung, min.: 6.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 35ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 94.62 грн |
| 250+ | 76.89 грн |
| 500+ | 69.72 грн |
| MBRB20100CTT4G |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBRB20100CTT4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Durchlassstoßstrom: 150A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MBRB2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MBRB20100CTT4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Durchlassstoßstrom: 150A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MBRB2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 6311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 88.15 грн |
| 250+ | 79.87 грн |
| LM201AVDR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LM201AVDR2G - Operationsverstärker, einfach, 1 Kanäle, 1 MHz, 0.5 V/µs, 3V bis 22V, NSOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 22V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.5V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1MHz
Eingangsoffsetspannung: 700µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 30nA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - LM201AVDR2G - Operationsverstärker, einfach, 1 Kanäle, 1 MHz, 0.5 V/µs, 3V bis 22V, NSOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 22V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.5V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1MHz
Eingangsoffsetspannung: 700µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 30nA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 17.77 грн |
| 500+ | 14.48 грн |
| 1000+ | 12.84 грн |
| LM201ADR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LM201ADR2G - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 1 MHz, 0.5 V/µs, ± 5V bis ± 20V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: ± 5V bis ± 20V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.5V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1MHz
Eingangsoffsetspannung: 700µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 30nA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - LM201ADR2G - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 1 MHz, 0.5 V/µs, ± 5V bis ± 20V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: ± 5V bis ± 20V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.5V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1MHz
Eingangsoffsetspannung: 700µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 30nA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 17.68 грн |
| 500+ | 14.39 грн |
| 1000+ | 12.84 грн |
| LP2951CDR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LP2951CDR2G - LDO Voltage Regulator, Adjustable, 2.25V to 30V in, 350mV drop, 1.25V to 29V/0.1A out, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 1.25V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 29V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 30V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.25V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 350mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 350mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - LP2951CDR2G - LDO Voltage Regulator, Adjustable, 2.25V to 30V in, 350mV drop, 1.25V to 29V/0.1A out, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 1.25V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 29V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 30V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.25V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 350mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 350mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 24.21 грн |
| 500+ | 20.06 грн |
| 1000+ | 17.77 грн |
| 2500+ | 17.24 грн |
| NCV7710DQBR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV7710DQBR2G - Relaistreiber, AEC-Q100, 5.5V bis 28V Versorgungsspannung, SSOP-EP-36, 150°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 6A
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP-EP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -
Versorgungsspannung, min.: 5.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 28V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCV7710DQBR2G - Relaistreiber, AEC-Q100, 5.5V bis 28V Versorgungsspannung, SSOP-EP-36, 150°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 6A
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP-EP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -
Versorgungsspannung, min.: 5.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 28V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 688.87 грн |
| 10+ | 462.44 грн |
| 25+ | 403.22 грн |
| 50+ | 343.69 грн |
| 100+ | 288.88 грн |
| 250+ | 276.94 грн |
| NCV7710DQBR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV7710DQBR2G - Relaistreiber, AEC-Q100, 5.5V bis 28V Versorgungsspannung, SSOP-EP-36, 150°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 6A
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP-EP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -
Versorgungsspannung, min.: 5.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 28V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCV7710DQBR2G - Relaistreiber, AEC-Q100, 5.5V bis 28V Versorgungsspannung, SSOP-EP-36, 150°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 6A
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP-EP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -
Versorgungsspannung, min.: 5.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 28V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 462.44 грн |
| 25+ | 403.22 грн |
| 50+ | 343.69 грн |
| 100+ | 288.88 грн |
| 250+ | 276.94 грн |
| NSVBAS19LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVBAS19LT1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 120 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 120V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NSVBAS19LT1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 120 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 120V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 3.01 грн |
| 1000+ | 2.64 грн |
| MMBFJ177LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBFJ177LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, -20 mA, 2.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -20mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 2.5V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MMBFJ177LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, -20 mA, 2.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -20mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 2.5V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 29237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 16.55 грн |
| 500+ | 12.05 грн |
| 1500+ | 9.85 грн |
| 1N4733A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4733A - Zener-Diode, 5.1 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N47xxA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 1N4733A - Zener-Diode, 5.1 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N47xxA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 72+ | 12.11 грн |
| 127+ | 6.87 грн |
| 209+ | 4.17 грн |
| 500+ | 3.07 грн |
| 1000+ | 2.75 грн |
| 5000+ | 2.46 грн |
| LM2903DR2G | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LM2903DR2G - Analoger Komparator, Präzisionskomparator, 2 Kanäle, 1.5 µs, 2V bis 36V, ± 1V bis ± 18V, SOIC
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Komparatorausgang: CMOS, MOS, TTL, DTL, ECL
Versorgungsspannung: 2V bis 36V, ± 1V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Komparatortyp: Präzisionskomparator
euEccn: NLR
Stromversorgung: Einfache & zweifache Spannungsversorgung
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ansprechzeit / Ausbreitungsverzögerung: 1.5µs
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - LM2903DR2G - Analoger Komparator, Präzisionskomparator, 2 Kanäle, 1.5 µs, 2V bis 36V, ± 1V bis ± 18V, SOIC
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Komparatorausgang: CMOS, MOS, TTL, DTL, ECL
Versorgungsspannung: 2V bis 36V, ± 1V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Komparatortyp: Präzisionskomparator
euEccn: NLR
Stromversorgung: Einfache & zweifache Spannungsversorgung
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ansprechzeit / Ausbreitungsverzögerung: 1.5µs
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 41265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 9.67 грн |
| 500+ | 7.76 грн |
| 1000+ | 6.49 грн |
| 5000+ | 6.12 грн |
| 10000+ | 5.75 грн |
| MC33152DR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC33152DR2G - MOSFET-Treiber, 6.1V-18V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1.5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.5A
Versorgungsspannung, min.: 6.1V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 55ns
Ausgabeverzögerung: 40ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MC33152DR2G - MOSFET-Treiber, 6.1V-18V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1.5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.5A
Versorgungsspannung, min.: 6.1V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 55ns
Ausgabeverzögerung: 40ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 55.23 грн |
| 250+ | 47.85 грн |
| 500+ | 45.91 грн |
| MMBZ5230BLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBZ5230BLT1G - Zener-Diode, 4.7 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBZ52xxBLT1G
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.7V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MMBZ5230BLT1G - Zener-Diode, 4.7 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBZ52xxBLT1G
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.7V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 63996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 1.67 грн |
| 1000+ | 1.43 грн |
| 5000+ | 0.96 грн |
| FDT458P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDT458P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.13 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDT458P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.13 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 76.20 грн |
| 50+ | 51.56 грн |
| 250+ | 38.14 грн |
| 1000+ | 25.88 грн |
| 2000+ | 21.65 грн |
| MC7805CDTRKG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC7805CDTRKG - Linearer Festspannungsregler, 5.0V bis 18Vin, 5.0 V / 1Aout, DPAK-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Eingangsspannung, max.: 35V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 1A
Eingangsspannung, min.: 7V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 5V 1A Linear Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 1A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MC7805CDTRKG - Linearer Festspannungsregler, 5.0V bis 18Vin, 5.0 V / 1Aout, DPAK-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Eingangsspannung, max.: 35V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 1A
Eingangsspannung, min.: 7V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 5V 1A Linear Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 1A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 11450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 21.08 грн |
| 500+ | 17.31 грн |
| 1000+ | 15.00 грн |
| 2500+ | 12.99 грн |
| 5000+ | 12.76 грн |
| MBRB2545CTT4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBRB2545CTT4G - Schottky-Gleichrichterdiode, Universal, 45 V, 30 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Durchlassstoßstrom: 150A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 820mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MBRB2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 45V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MBRB2545CTT4G - Schottky-Gleichrichterdiode, Universal, 45 V, 30 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Durchlassstoßstrom: 150A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 820mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MBRB2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 45V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 84.91 грн |
| 250+ | 76.89 грн |
| 1N4148WS |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4148WS - Kleinsignaldiode, Einfach, 75 V, 150 mA, 1 V, 4 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323FL
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N4148
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 1N4148WS - Kleinsignaldiode, Einfach, 75 V, 150 mA, 1 V, 4 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323FL
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N4148
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 781358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 91+ | 9.58 грн |
| 152+ | 5.74 грн |
| 162+ | 5.40 грн |
| 500+ | 3.72 грн |
| 1500+ | 3.06 грн |
| 1N4148WS |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4148WS - Kleinsignaldiode, Einfach, 75 V, 150 mA, 1 V, 4 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323FL
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N4148
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 1N4148WS - Kleinsignaldiode, Einfach, 75 V, 150 mA, 1 V, 4 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323FL
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N4148
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 781358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 3.72 грн |
| 1500+ | 3.06 грн |
| 1N4148WS |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4148WS - Kleinsignaldiode, Einfach, 75 V, 150 mA, 1 V, 4 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323FL
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N4148
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 1N4148WS - Kleinsignaldiode, Einfach, 75 V, 150 mA, 1 V, 4 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323FL
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N4148
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 1.76 грн |
| 9000+ | 1.59 грн |
| MC33272ADR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC33272ADR2G - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 24 MHz, 10 V/µs, 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 10V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 24MHz
Eingangsoffsetspannung: 100µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 300nA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MC33272ADR2G - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 24 MHz, 10 V/µs, 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 10V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 24MHz
Eingangsoffsetspannung: 100µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 300nA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 29.35 грн |
| 500+ | 24.18 грн |
| 1000+ | 21.42 грн |
| MM74HCT245MTCX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MM74HCT245MTCX - Puffer, 74HCT245, 4.5V bis 5.5V, TSSOP-20
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 74245
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74HCT
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74HCT245
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MM74HCT245MTCX - Puffer, 74HCT245, 4.5V bis 5.5V, TSSOP-20
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 74245
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74HCT
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74HCT245
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 30.92 грн |
| 500+ | 25.55 грн |
| SZMMSZ5236BT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZMMSZ5236BT1G - Zener-Diode, 7.5 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SZMMSZ52xxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 7.5V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - SZMMSZ5236BT1G - Zener-Diode, 7.5 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SZMMSZ52xxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 7.5V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 4.60 грн |
| 1000+ | 3.92 грн |
| SZMMSZ15ET1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZMMSZ15ET1G - Zener-Diode, 15 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 15V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - SZMMSZ15ET1G - Zener-Diode, 15 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 15V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 11401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 3.86 грн |
| 1000+ | 3.45 грн |
| 5000+ | 3.09 грн |
| NCV57540DWKR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV57540DWKR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, IGBT, WSOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCV57540DWKR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, IGBT, WSOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 158.25 грн |
| 250+ | 144.82 грн |
| 500+ | 141.08 грн |
| 1000+ | 138.10 грн |
| NJV4031NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NJV4031NT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 215MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NJV4031NT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 215MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 27.00 грн |
| 500+ | 20.06 грн |
| 1000+ | 17.39 грн |
| NVMFD5C446NLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFD5C446NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 145 A, 145 A, 0.0022 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 145A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 145A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 125W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0022ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 125W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NVMFD5C446NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 145 A, 145 A, 0.0022 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 145A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 145A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 125W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0022ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 125W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 317.87 грн |
| 10+ | 238.62 грн |
| 100+ | 201.17 грн |
| 500+ | 177.10 грн |
| 1000+ | 160.49 грн |
| NVMFD5C446NLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFD5C446NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 145 A, 145 A, 0.0022 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 145A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 145A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 125W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0022ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 125W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NVMFD5C446NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 145 A, 145 A, 0.0022 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 145A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 145A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 125W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0022ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 125W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 201.17 грн |
| 500+ | 177.10 грн |
| 1000+ | 160.49 грн |
| NVMFD5C680NLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFD5C680NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 26 A, 26 A, 0.028 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 26A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 19W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 19W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NVMFD5C680NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 26 A, 26 A, 0.028 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 26A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 19W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 19W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 118.44 грн |
| 10+ | 87.96 грн |
| 100+ | 68.10 грн |
| 500+ | 54.75 грн |
| 1000+ | 48.67 грн |
| NVMFD5C680NLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFD5C680NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 26 A, 26 A, 0.028 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 26A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 19W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 19W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NVMFD5C680NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 26 A, 26 A, 0.028 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 26A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 19W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 19W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 68.10 грн |
| 500+ | 54.75 грн |
| 1000+ | 48.67 грн |
| NCP5501DT50RKG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP5501DT50RKG - LDO-Festspannungsregler, 2.5V-16Vin, 230mV Dropout, 5V/500mAout, TO-252-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
Nennausgangsspannung: 5V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 16V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.5V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 5V 500mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 230mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 230mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCP5501DT50RKG - LDO-Festspannungsregler, 2.5V-16Vin, 230mV Dropout, 5V/500mAout, TO-252-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
Nennausgangsspannung: 5V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 16V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.5V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 5V 500mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 230mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 230mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 50.86 грн |
| 500+ | 37.04 грн |
| 1000+ | 29.11 грн |
| 2500+ | 25.53 грн |
| MC74ACT14DR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC74ACT14DR2G - Inverter, Schmitt-Trigger, 74ACT14, 6 Eingänge, 50mA, 4.5V bis 5.5V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 74ACT
Anzahl der Elemente: Sechs
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 50mA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74ACT14
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MC74ACT14DR2G - Inverter, Schmitt-Trigger, 74ACT14, 6 Eingänge, 50mA, 4.5V bis 5.5V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 74ACT
Anzahl der Elemente: Sechs
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 50mA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74ACT14
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 16.20 грн |
| 500+ | 13.42 грн |
| 1000+ | 11.79 грн |
| 5000+ | 10.75 грн |
| MB6S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MB6S - Brückengleichrichter, Eine Phase, 600 V, 500 mA, SOIC, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85369010
Durchlassstoßstrom: 35A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Bauform - Brückengleichrichter: SOIC
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MB6S
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MB6S - Brückengleichrichter, Eine Phase, 600 V, 500 mA, SOIC, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85369010
Durchlassstoßstrom: 35A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Bauform - Brückengleichrichter: SOIC
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MB6S
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 27414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 56.78 грн |
| 50+ | 36.75 грн |
| 100+ | 25.34 грн |
| 500+ | 17.95 грн |
| 1500+ | 14.78 грн |
| MB6S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MB6S - Brückengleichrichter, Eine Phase, 600 V, 500 mA, SOIC, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85369010
Durchlassstoßstrom: 35A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Bauform - Brückengleichrichter: SOIC
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MB6S
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MB6S - Brückengleichrichter, Eine Phase, 600 V, 500 mA, SOIC, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85369010
Durchlassstoßstrom: 35A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Bauform - Brückengleichrichter: SOIC
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MB6S
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 27414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 25.34 грн |
| 500+ | 17.95 грн |
| 1500+ | 14.78 грн |
| FDS2672 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS2672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.9 A, 0.07 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDS2672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.9 A, 0.07 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 198.56 грн |
| 10+ | 136.73 грн |
| 100+ | 96.67 грн |
| 500+ | 71.65 грн |
| 1000+ | 60.99 грн |
| 5000+ | 58.90 грн |
| FDS2672 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS2672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.9 A, 0.07 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDS2672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.9 A, 0.07 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 96.67 грн |
| 500+ | 71.65 грн |
| 1000+ | 60.99 грн |
| 5000+ | 58.90 грн |
| SZBZX84B5V1LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZBZX84B5V1LT1G - Zener-Diode, 5.1 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SZBZX84BxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - SZBZX84B5V1LT1G - Zener-Diode, 5.1 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SZBZX84BxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| NV25640DWVLT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NV25640DWVLT3G - EEPROM, AEC-Q100, 64 Kbit, 8K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423269
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherdichte: 64Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 64Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - NV25640DWVLT3G - EEPROM, AEC-Q100, 64 Kbit, 8K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423269
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherdichte: 64Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 64Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 40.67 грн |
| 500+ | 37.04 грн |
| 1000+ | 33.52 грн |
| 2500+ | 32.84 грн |
| NV25160DTVLT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NV25160DTVLT3G - EEPROM, AEC-Q100, 16 Kbit, 2K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, TSSOP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423269
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherdichte: 16Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 16Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - NV25160DTVLT3G - EEPROM, AEC-Q100, 16 Kbit, 2K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, TSSOP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423269
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherdichte: 16Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 16Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 39.36 грн |
| 500+ | 35.82 грн |
| 1000+ | 32.40 грн |
| 2500+ | 31.72 грн |
| NV25160DWVLT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NV25160DWVLT3G - EEPROM, AEC-Q100, 16 Kbit, 2K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423269
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 16Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 16Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 2K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NV25160DWVLT3G - EEPROM, AEC-Q100, 16 Kbit, 2K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423269
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 16Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 16Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 2K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 48.77 грн |
| 20+ | 44.59 грн |
| 100+ | 39.19 грн |
| 500+ | 35.74 грн |
| 1000+ | 32.32 грн |
| 2500+ | 31.65 грн |
| NV25160DWVLT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NV25160DWVLT3G - EEPROM, AEC-Q100, 16 Kbit, 2K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423269
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherdichte: 16Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 16Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - NV25160DWVLT3G - EEPROM, AEC-Q100, 16 Kbit, 2K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423269
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherdichte: 16Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 16Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 39.19 грн |
| 500+ | 35.74 грн |
| 1000+ | 32.32 грн |
| 2500+ | 31.65 грн |
| NV25320DTVLT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NV25320DTVLT3G - EEPROM, AEC-Q100, 32 Kbit, 4K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, TSSOP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423269
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherdichte: 32Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 32Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - NV25320DTVLT3G - EEPROM, AEC-Q100, 32 Kbit, 4K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, TSSOP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423269
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherdichte: 32Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 32Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 39.71 грн |
| 500+ | 36.23 грн |
| 1000+ | 32.77 грн |
| 2500+ | 32.10 грн |
| NV25640DWVLT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NV25640DWVLT3G - EEPROM, AEC-Q100, 64 Kbit, 8K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423269
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 64Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 64Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 8K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NV25640DWVLT3G - EEPROM, AEC-Q100, 64 Kbit, 8K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423269
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 64Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 64Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 8K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 50.60 грн |
| 19+ | 46.33 грн |
| 100+ | 40.67 грн |
| 500+ | 37.04 грн |
| 1000+ | 33.52 грн |
| 2500+ | 32.84 грн |
| NV25160DTVLT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NV25160DTVLT3G - EEPROM, AEC-Q100, 16 Kbit, 2K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, TSSOP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423269
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Speicherdichte: 16Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 16Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 2K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NV25160DTVLT3G - EEPROM, AEC-Q100, 16 Kbit, 2K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, TSSOP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423269
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Speicherdichte: 16Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 16Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 2K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 48.94 грн |
| 20+ | 44.76 грн |
| 100+ | 39.36 грн |
| 500+ | 35.82 грн |
| 1000+ | 32.40 грн |
| 2500+ | 31.72 грн |
| NV25320DTVLT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NV25320DTVLT3G - EEPROM, AEC-Q100, 32 Kbit, 4K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, TSSOP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423269
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Speicherdichte: 32Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 32Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 4K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NV25320DTVLT3G - EEPROM, AEC-Q100, 32 Kbit, 4K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, TSSOP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423269
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Speicherdichte: 32Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 32Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 4K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 49.81 грн |
| 20+ | 45.20 грн |
| 100+ | 39.71 грн |
| 500+ | 36.23 грн |
| 1000+ | 32.77 грн |
| 2500+ | 32.10 грн |
| MC34072DR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC34072DR2G - Operationsverstärker, Kurzschlussschutz am Ausgang, 2 Kanäle, 4.5 MHz, 13 V/µs, 3V bis 44V, SOIC
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 44V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 13V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 4.5MHz
Eingangsoffsetspannung: 1mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 100nA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MC34072DR2G - Operationsverstärker, Kurzschlussschutz am Ausgang, 2 Kanäle, 4.5 MHz, 13 V/µs, 3V bis 44V, SOIC
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 44V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 13V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 4.5MHz
Eingangsoffsetspannung: 1mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 100nA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 18.99 грн |
| 500+ | 15.36 грн |
| 1000+ | 13.06 грн |
| RS1M |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - RS1M - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.3 V, 500 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 500ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: RS1M
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - RS1M - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.3 V, 500 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 500ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: RS1M
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 18834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 40+ | 22.21 грн |
| 63+ | 13.85 грн |
| 250+ | 11.67 грн |
| 1000+ | 6.34 грн |
| 3000+ | 5.64 грн |
| MAX809STRG | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MAX809STRG - Mikroprozessor, 1V-5.5V Versorgungsspannung, 2.93V Schwelle, 460ms, Active-Low, Push-Pull, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Reset-Schwellenspannung, min.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: 460ms
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Reset-Ausgang: Aktiv-Low, Push-Pull
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors
Reset-Schwellenspannung, nom.: 2.93V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MAX809STRG - Mikroprozessor, 1V-5.5V Versorgungsspannung, 2.93V Schwelle, 460ms, Active-Low, Push-Pull, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Reset-Schwellenspannung, min.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: 460ms
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Reset-Ausgang: Aktiv-Low, Push-Pull
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors
Reset-Schwellenspannung, nom.: 2.93V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 13.06 грн |
| 500+ | 12.05 грн |
| 1000+ | 10.97 грн |
| 5000+ | 9.78 грн |
| 10000+ | 9.55 грн |
| NFAM2512L7B |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NFAM2512L7B - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 1.2 kV, 25 A, 2.5 kVrms, DIP 39
tariffCode: 85412900
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: -
rohsCompliant: Y-EX
Isolationsspannung: 2.5kVrms
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 25A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 1.2kV
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: DIP 39
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NFAM2512L7B - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 1.2 kV, 25 A, 2.5 kVrms, DIP 39
tariffCode: 85412900
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: -
rohsCompliant: Y-EX
Isolationsspannung: 2.5kVrms
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 25A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 1.2kV
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: DIP 39
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2552.56 грн |
| 5+ | 2084.02 грн |
| 10+ | 1615.49 грн |
| 50+ | 1470.17 грн |
| NFAM3512L7B |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NFAM3512L7B - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 1.2 kV, 35 A, 2.5 kVrms, DIP 39
tariffCode: 85412900
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: -
rohsCompliant: Y-EX
Isolationsspannung: 2.5kVrms
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 35A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 1.2kV
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: DIP 39
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NFAM3512L7B - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 1.2 kV, 35 A, 2.5 kVrms, DIP 39
tariffCode: 85412900
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: -
rohsCompliant: Y-EX
Isolationsspannung: 2.5kVrms
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 35A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 1.2kV
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: DIP 39
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2340.93 грн |
| 5+ | 2128.44 грн |
| 10+ | 1915.94 грн |
| 50+ | 1743.51 грн |
| 100+ | 1576.55 грн |
| RS1J |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - RS1J - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 250 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 250ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: RS1J
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - RS1J - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 250 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 250ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: RS1J
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 37348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 40+ | 22.12 грн |
| 61+ | 14.46 грн |
| 100+ | 9.93 грн |
| 500+ | 7.99 грн |
| 1000+ | 6.29 грн |
| 5000+ | 5.33 грн |
| RS1J |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - RS1J - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 250 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 250ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: RS1J
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - RS1J - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 250 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 250ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: RS1J
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 37348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 9.93 грн |
| 500+ | 7.99 грн |
| 1000+ | 6.29 грн |
| 5000+ | 5.33 грн |
| ESD9L3.3ST5G |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ESD9L3.3ST5G - ESD-Schutzbaustein, 9 V, SOD-923, 2 Pin(s), 3.3 V, 150 mW, ESD9L
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SOD-923
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 9V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 3.3V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: ESD9L
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - ESD9L3.3ST5G - ESD-Schutzbaustein, 9 V, SOD-923, 2 Pin(s), 3.3 V, 150 mW, ESD9L
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SOD-923
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 9V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 3.3V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: ESD9L
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 57242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 9.06 грн |
| 500+ | 7.97 грн |
| 1000+ | 6.02 грн |
| 5000+ | 5.65 грн |
| GBPC3510 |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - GBPC3510 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 1 kV, 35 A, Modul, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 400A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: Modul
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Panelmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 35A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: GBPC3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - GBPC3510 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 1 kV, 35 A, Modul, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 400A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: Modul
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Panelmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 35A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: GBPC3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 530.37 грн |
| SMMUN2233LT1G |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SMMUN2233LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - SMMUN2233LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 50717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 3.05 грн |
| 1000+ | 2.22 грн |
| 5000+ | 1.90 грн |
| MMBTA42LT1G |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTA42LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 300 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MMBTA42LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 300 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 58500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 4.12 грн |
| 1500+ | 3.13 грн |
| 74AC32SCX |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 74AC32SCX - OR-Gatter, 74AC32, 8 Eingänge, 24mA, 2V bis 6V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: OR-Gatter
Logik-IC-Familie: 74AC
Anzahl der Elemente: Vier
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 24mA
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74AC32
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 74AC32SCX - OR-Gatter, 74AC32, 8 Eingänge, 24mA, 2V bis 6V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: OR-Gatter
Logik-IC-Familie: 74AC
Anzahl der Elemente: Vier
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 24mA
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74AC32
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 15.85 грн |
| 500+ | 12.94 грн |
| 1000+ | 11.87 грн |
































