Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (141978) > Сторінка 2265 з 2367

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 236 472 708 944 1180 1416 1652 1888 2124 2260 2261 2262 2263 2264 2265 2266 2267 2268 2269 2270 2360 2367  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NCV57090CDWR2G NCV57090CDWR2G ONSEMI 3191472.pdf Description: ONSEMI - NCV57090CDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanal, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pins, WSOIC, invertierend, nicht invertierend
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: WSOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+131.71 грн
250+118.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ES2B ES2B ONSEMI 2303997.pdf Description: ONSEMI - ES2B - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 2 A, Einfach, 900 mV, 20 ns, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 900mV
Sperrverzögerungszeit: 20ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES2B
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 6427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.81 грн
500+13.37 грн
1500+11.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMUN5135DW1T1G NSVMUN5135DW1T1G ONSEMI 2338005.pdf Description: ONSEMI - NSVMUN5135DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+17.57 грн
82+10.77 грн
132+6.69 грн
500+4.58 грн
1000+3.73 грн
Мінімальне замовлення: 51
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8114ASN280T1G NCV8114ASN280T1G ONSEMI 2290242.pdf Description: ONSEMI - NCV8114ASN280T1G - LDO-Festspannungsregler, 1.7V bis 5.5V, 170mV Dropout, 2.8Vout/300mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: 0
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.7V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 2.8V 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 2.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 170mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 170mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 7420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+43.01 грн
44+20.22 грн
100+11.83 грн
500+10.25 грн
1000+8.71 грн
5000+6.57 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
IRFM120ATF IRFM120ATF ONSEMI irfm120a-d.pdf Description: ONSEMI - IRFM120ATF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.3 A, 0.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.2ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.15 грн
500+30.59 грн
1000+25.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFM120ATF IRFM120ATF ONSEMI irfm120a-d.pdf Description: ONSEMI - IRFM120ATF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.3 A, 0.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+85.40 грн
15+62.70 грн
100+41.15 грн
500+30.59 грн
1000+25.66 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8461DR2G NCV8461DR2G ONSEMI 2236849.pdf Description: ONSEMI - NCV8461DR2G - MOSFET-Treiber, High-Side, 5V-34V Versorgungsspannung, 1.2A Ausgangsstrom, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 34V
Eingabeverzögerung: 140µs
Ausgabeverzögerung: 170µs
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+227.85 грн
10+143.95 грн
50+121.87 грн
100+90.21 грн
250+72.37 грн
500+65.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BCW70LT1G BCW70LT1G ONSEMI ONSM-S-A0013215126-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BCW70LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 215hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.61 грн
1500+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5238BT1G MMSZ5238BT1G ONSEMI mmsz5221bt1-d.pdf Description: ONSEMI - MMSZ5238BT1G - Zener-Diode, 8.7 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 8.7V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.36 грн
503+1.76 грн
513+1.60 грн
1500+1.44 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5238BT1G MMSZ5238BT1G ONSEMI mmsz5221bt1-d.pdf Description: ONSEMI - MMSZ5238BT1G - Zener-Diode, 8.7 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 8.7V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
106+8.39 грн
203+4.36 грн
503+1.76 грн
513+1.60 грн
1500+1.44 грн
Мінімальне замовлення: 106
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ4713T1G MMSZ4713T1G ONSEMI mmsz4678t1-d.pdf Description: ONSEMI - MMSZ4713T1G - Zener-Diode, 30 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 30V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 41375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.45 грн
1000+2.20 грн
5000+1.53 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
SZMMSZ5248ET1G SZMMSZ5248ET1G ONSEMI ONSMS21456-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SZMMSZ5248ET1G - Zener-Diode, 18 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SZMMSZ52xxET1G
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 18V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 23679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.69 грн
157+5.65 грн
500+4.84 грн
1000+3.71 грн
5000+3.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SMMUN2216LT1G SMMUN2216LT1G ONSEMI ONSM-S-A0013775474-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SMMUN2216LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 22912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.00 грн
1000+2.48 грн
5000+1.75 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MC74ACT244DTR2G MC74ACT244DTR2G ONSEMI ONSM-S-A0015956752-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MC74ACT244DTR2G - Puffer / Leitungstreiber, 74ACT244, 4.5V bis 5.5V, TSSOP-20
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 74244
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74ACT
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74ACT244
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer/Leitungstreiber
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.39 грн
500+32.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MC78L12ABDR2G MC78L12ABDR2G ONSEMI mc78l00a-d.pdf Description: ONSEMI - MC78L12ABDR2G - Linearer Festspannungsregler, 12V/100mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Nennausgangsspannung: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 35V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 7812 Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 12V
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+22.52 грн
66+13.51 грн
100+11.83 грн
500+9.51 грн
1000+8.40 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
BC850CLT1G BC850CLT1G ONSEMI bc846alt1-d.pdf Description: ONSEMI - BC850CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 800hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 11083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.48 грн
1500+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56T1G BCP56T1G ONSEMI bcp56t1-d.pdf Description: ONSEMI - BCP56T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7000+13.42 грн
Мінімальне замовлення: 7000
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56T1G BCP56T1G ONSEMI ONSM-S-A0013178767-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BCP56T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 13591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+35.15 грн
250+22.61 грн
1000+12.96 грн
3000+11.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MC33178DR2G MC33178DR2G ONSEMI 89824.pdf Description: ONSEMI - MC33178DR2G - Operationsverstärker, geringe Leistungsaufnahme, 2 Kanäle, 5 MHz, 2 V/µs, ± 2V bis ± 18V, SOIC
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: ± 2V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 2V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 5MHz
Eingangsoffsetspannung: 150µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 100nA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.08 грн
500+18.04 грн
1000+15.82 грн
2500+14.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSVR0340HT1G NSVR0340HT1G ONSEMI 1840608.pdf Description: ONSEMI - NSVR0340HT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 250 mA, 590 mV, 1 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 1A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 590mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4152PT1G NTJD4152PT1G ONSEMI ntjd4152p-d.pdf Description: ONSEMI - NTJD4152PT1G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 880 mA, 880 mA, 0.215 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 880mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 880mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.215ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 272mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.215ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 272mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 34367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.57 грн
500+8.94 грн
1000+6.17 грн
5000+5.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
LM2594DADJR2G LM2594DADJR2G ONSEMI 1712843.pdf Description: ONSEMI - LM2594DADJR2G - DC/DC-Abwärts-Schaltregler (Buck), einstellbar, 4.5V-40Vin, 1.23V-37Vout, 500mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Einstellbar
Ausgangsspannung, min.: 1.23V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 37V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 500mA
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 150kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 4.5V
Topologie: Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Wirkungsgrad: 80%
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+90.21 грн
250+72.67 грн
500+72.14 грн
1000+72.06 грн
2500+71.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C300CTWG NSS1C300CTWG ONSEMI Description: ONSEMI - NSS1C300CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 5 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: LFPAK
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: e2PowerEdge Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+128.94 грн
11+80.98 грн
100+53.69 грн
500+39.44 грн
1000+33.84 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MBR1100RLG MBR1100RLG ONSEMI 2353751.pdf Description: ONSEMI - MBR1100RLG - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 1 A, Einfach, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 790 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 790mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+36.21 грн
36+24.99 грн
100+22.08 грн
500+17.22 грн
1000+13.85 грн
5000+11.43 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
MICROFJ-SMTPA-30035-GEVB MICROFJ-SMTPA-30035-GEVB ONSEMI 2704145.pdf Description: ONSEMI - MICROFJ-SMTPA-30035-GEVB - Evaluationsboard, SiPM-Sensor MicroFJ-30035, 3 Durchsteckstifte, Vorspannung
tariffCode: 84733020
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Evaluationsboard
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard MICROFJ-30035-TSV
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Silizium-Photomultiplier-Sensor (SiPM)
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: MicroFJ-30035-TSV
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6849.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NCV7343MW0R2G NCV7343MW0R2G ONSEMI ncv7343-d.pdf Description: ONSEMI - NCV7343MW0R2G - CAN-Schnittstelle, CAN-FD-Transceiver, 5 Mbps, 4.5 V, 5.5 V, DFNW, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: DFNW
Übertragungsrate, max.: 5Mbps
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: CAN
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Anzahl der Empfänger: 1Receivers
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Anzahl der RX-Puffer: -
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Treiber: 1Treiber
CAN-Schnittstellen-IC: CAN-FD-Transceiver
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Bauform - Schnittstellenbaustein: DFNW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der TX-Puffer: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.33 грн
500+31.74 грн
1000+24.53 грн
2500+24.45 грн
5000+24.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCV7343MW0R2G NCV7343MW0R2G ONSEMI ncv7343-d.pdf Description: ONSEMI - NCV7343MW0R2G - CAN-Schnittstelle, CAN-FD-Transceiver, 5 Mbps, 4.5 V, 5.5 V, DFNW, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: DFNW
Übertragungsrate, max.: 5Mbps
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Anzahl der Empfänger: 1Receivers
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Treiber: 1Treiber
CAN-Schnittstellen-IC: CAN-FD-Transceiver
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+72.77 грн
17+52.11 грн
100+41.33 грн
500+31.74 грн
1000+24.53 грн
2500+24.45 грн
5000+24.37 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC04ADTR2G MC74HC04ADTR2G ONSEMI 1833440.pdf Description: ONSEMI - MC74HC04ADTR2G - Inverter, Baureihe 74HC04, 1 Eingang, 2V bis 6V Versorgungsspannung, 5.2mAout, TSSOP-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 74HC
Anzahl der Elemente: Sechs
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 5.2mA
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74HC04
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4G MJD117T4G ONSEMI MJD112-D.PDF Description: ONSEMI - MJD117T4G - Darlington-Transistor, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+40.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200LT1G NSS20200LT1G ONSEMI 1840610.pdf Description: ONSEMI - NSS20200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 2 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.92 грн
500+10.50 грн
1500+9.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200LT1G NSS12200LT1G ONSEMI 2337905.pdf Description: ONSEMI - NSS12200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 2 A, 460 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.34 грн
500+14.10 грн
1000+11.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200LT1G NSS12200LT1G ONSEMI 2337905.pdf Description: ONSEMI - NSS12200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 2 A, 460 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+38.15 грн
37+24.37 грн
100+16.34 грн
500+14.10 грн
1000+11.73 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C13NTAG NTTFS4C13NTAG ONSEMI ONSM-S-A0017604458-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTTFS4C13NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38 A, 0.0075 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 21.5W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5C632NLT4G NTD5C632NLT4G ONSEMI 3672848.pdf Description: ONSEMI - NTD5C632NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 155 A, 2100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 155A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+146.60 грн
10+109.51 грн
100+82.57 грн
500+61.59 грн
1000+50.79 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5C632NLT4G NTD5C632NLT4G ONSEMI 3672848.pdf Description: ONSEMI - NTD5C632NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 155 A, 2100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 155A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 115W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+82.57 грн
500+61.59 грн
1000+50.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FODM452R2 FODM452R2 ONSEMI 2304143.pdf Description: ONSEMI - FODM452R2 - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, SOP, 5 Pin(s), 50 mA, 3.75 kV, 20 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 20%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -
Bauform - Optokoppler: SOP
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+99.16 грн
500+86.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SMS12CT1G SMS12CT1G ONSEMI ONSM-S-A0013902917-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SMS12CT1G - TVS-Diode, SMS05C, Unidirektional, 12 V, 23 V, TSOP, 6 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TSOP
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 13.3V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 15V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 12V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 350W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: SMS05C
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 23V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMS12CT1G SMS12CT1G ONSEMI ONSM-S-A0013902917-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SMS12CT1G - TVS-Diode, SMS05C, Unidirektional, 12 V, 23 V, TSOP, 6 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TSOP
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 13.3V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 15V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 12V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 350W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: SMS05C
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 23V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MM3Z9V1T1G MM3Z9V1T1G ONSEMI MM3ZyyyT1G_SZMM3ZyyyT1G_Series_rev.11_Sep2014.pdf Description: ONSEMI - MM3Z9V1T1G - Zener-Diode, 9.1 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MM3Z9
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 9.1V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.22 грн
1000+1.86 грн
5000+1.13 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MM5Z9V1T1G MM5Z9V1T1G ONSEMI 2236793.pdf Description: ONSEMI - MM5Z9V1T1G - Zener-Diode, 9.1 V, 200 mW, SOD-523, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MM5ZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 9.1V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+10.16 грн
112+7.92 грн
228+3.88 грн
500+3.53 грн
1000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 87
В кошику  од. на суму  грн.
MC33064D-5R2G MC33064D-5R2G ONSEMI 2337890.pdf description Description: ONSEMI - MC33064D-5R2G - Unterspannungserkennungsschaltung, 1V-6.5Vsupp., 4.61V Schwellenspannung, Active-Low-Reset, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Reset-Schwellenspannung, min.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Reset-Ausgang: Aktiv-Low
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors
Reset-Schwellenspannung, nom.: 4.59V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.23 грн
500+22.39 грн
1000+19.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMUN5135DW1T1G NSVMUN5135DW1T1G ONSEMI 2338005.pdf Description: ONSEMI - NSVMUN5135DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.58 грн
1000+3.73 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1G NSS1C201LT1G ONSEMI 2237006.pdf Description: ONSEMI - NSS1C201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 490 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 490mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 110MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.78 грн
500+12.30 грн
1500+10.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSR02301MX4T5G NSR02301MX4T5G ONSEMI 4032169.pdf Description: ONSEMI - NSR02301MX4T5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 540 mV, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: X4DFN
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 540mV
Sperrverzögerungszeit: 9.4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+10.09 грн
1000+7.07 грн
5000+5.91 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NSR02301MX4T5G NSR02301MX4T5G ONSEMI 4032169.pdf Description: ONSEMI - NSR02301MX4T5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 540 mV, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: X4DFN
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 540mV
Sperrverzögerungszeit: 9.4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+38.68 грн
33+26.85 грн
100+13.51 грн
500+10.09 грн
1000+7.07 грн
5000+5.91 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
STF202-22T1G STF202-22T1G ONSEMI 2353987.pdf Description: ONSEMI - STF202-22T1G - EMI-Filter, 3 Kanäle, USB-Leitungsabschluss, ESD-Schutz, TSOP-6
tariffCode: 85363010
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
EMI-Filter: EMI-Filter mit ESD-Schutz
Bauform - Filter: TSOP
euEccn: NLR
Anzahl der Datenleitungen: 2 Datenleitungen
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Filterkreis: RC Pi-Filter
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SZMMSZ5238BT1G SZMMSZ5238BT1G ONSEMI mmsz5221bt1-d.pdf Description: ONSEMI - SZMMSZ5238BT1G - Zener-Diode, 8.7 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SZMMSZ52xxxT1G
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 8.7V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 22575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.70 грн
1000+4.22 грн
5000+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
SZMMSZ5256BT1G SZMMSZ5256BT1G ONSEMI mmsz5221bt1-d.pdf Description: ONSEMI - SZMMSZ5256BT1G - Zener-Diode, 30 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SZMMSZ52xxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 30V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.85 грн
1000+3.44 грн
5000+2.83 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT190N65S3HF NTMT190N65S3HF ONSEMI ntmt190n65s3hf-d.pdf Description: ONSEMI - NTMT190N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.159 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 162W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.159ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+424.79 грн
10+300.27 грн
100+226.08 грн
500+196.81 грн
1000+177.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT190N65S3HF NTMT190N65S3HF ONSEMI ntmt190n65s3hf-d.pdf Description: ONSEMI - NTMT190N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.159 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 162W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 162W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.159ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.159ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+226.08 грн
500+196.81 грн
1000+177.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8667-TL-H ECH8667-TL-H ONSEMI 2907487.pdf Description: ONSEMI - ECH8667-TL-H - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.039ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-28FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+112.16 грн
13+70.65 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8667-TL-H ECH8667-TL-H ONSEMI 2907487.pdf Description: ONSEMI - ECH8667-TL-H - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.039ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-28FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BPDW1T2G BC847BPDW1T2G ONSEMI ONSM-S-A0013184387-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC847BPDW1T2G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: 380mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT5401WT1G NSVMMBT5401WT1G ONSEMI 2729151.pdf Description: ONSEMI - NSVMMBT5401WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 500 mA, 400 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+13.51 грн
110+8.04 грн
189+4.68 грн
500+4.26 грн
Мінімальне замовлення: 66
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H852NLT1G NVMFD6H852NLT1G ONSEMI nvmfd6h852nl-d.pdf Description: ONSEMI - NVMFD6H852NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 25 A, 25 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 38W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 38W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+128.94 грн
11+82.75 грн
100+56.70 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NCP565ST12T3G NCP565ST12T3G ONSEMI 2160701.pdf Description: ONSEMI - NCP565ST12T3G - LDO-Festspannungsregler, 2.5V-9Vin, 900mV Dropout, 1.2V/1.5Aout, SOT-223-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-223
Nennausgangsspannung: 1.2V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 9V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.5V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 1.2V 1.5A LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 1.2V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 900mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 900mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+151.90 грн
10+90.96 грн
50+77.10 грн
100+58.63 грн
250+48.75 грн
500+41.26 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NCP565ST12T3G NCP565ST12T3G ONSEMI 2160701.pdf Description: ONSEMI - NCP565ST12T3G - LDO-Festspannungsregler, 2.5V-9Vin, 900mV Dropout, 1.2V/1.5Aout, SOT-223-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-223
Nennausgangsspannung: 1.2V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 9V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.5V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 1.2V 1.5A LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 1.2V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 900mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 900mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+58.63 грн
250+48.75 грн
500+41.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCN26000XMNEVB NCN26000XMNEVB ONSEMI 4332469.pdf Description: ONSEMI - NCN26000XMNEVB - Evaluationsboard, NCN26000, 10BASE-T1S-Ethernet-PHY-Transceiver
tariffCode: 85423990
Prozessorkern: NCN26000
Kit-Anwendungsbereich: Schnittstelle
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard NCN26000
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: 10BASE-T1S-Ethernet-PHY-Transceiver
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6589.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NC7S08P5X NC7S08P5X ONSEMI ONSM-S-A0003587594-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - NC7S08P5X - AND-Gatter, NC7S08, 2 Eingänge, 2.6mA, 2V bis 6V, SC-70-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: AND-Gatter
Logik-IC-Familie: 7S
Anzahl der Elemente: Eins
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2.6mA
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 7S08
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 11299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+8.46 грн
201+4.40 грн
275+3.21 грн
500+2.59 грн
1000+2.25 грн
5000+1.96 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335N FDN335N ONSEMI FDN335N-D.PDF Description: ONSEMI - FDN335N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 68832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.37 грн
500+15.50 грн
1000+12.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCV57090CDWR2G 3191472.pdf
NCV57090CDWR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV57090CDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanal, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pins, WSOIC, invertierend, nicht invertierend
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: isoliert
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: WSOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+131.71 грн
250+118.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ES2B 2303997.pdf
ES2B
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ES2B - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 2 A, Einfach, 900 mV, 20 ns, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 900mV
Sperrverzögerungszeit: 20ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES2B
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 6427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+18.81 грн
500+13.37 грн
1500+11.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMUN5135DW1T1G 2338005.pdf
NSVMUN5135DW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVMUN5135DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
51+17.57 грн
82+10.77 грн
132+6.69 грн
500+4.58 грн
1000+3.73 грн
Мінімальне замовлення: 51
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8114ASN280T1G 2290242.pdf
NCV8114ASN280T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV8114ASN280T1G - LDO-Festspannungsregler, 1.7V bis 5.5V, 170mV Dropout, 2.8Vout/300mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: 0
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.7V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 2.8V 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 2.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 170mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 170mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 7420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+43.01 грн
44+20.22 грн
100+11.83 грн
500+10.25 грн
1000+8.71 грн
5000+6.57 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
IRFM120ATF irfm120a-d.pdf
IRFM120ATF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - IRFM120ATF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.3 A, 0.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.2ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+41.15 грн
500+30.59 грн
1000+25.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFM120ATF irfm120a-d.pdf
IRFM120ATF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - IRFM120ATF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.3 A, 0.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+85.40 грн
15+62.70 грн
100+41.15 грн
500+30.59 грн
1000+25.66 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8461DR2G 2236849.pdf
NCV8461DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV8461DR2G - MOSFET-Treiber, High-Side, 5V-34V Versorgungsspannung, 1.2A Ausgangsstrom, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 34V
Eingabeverzögerung: 140µs
Ausgabeverzögerung: 170µs
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+227.85 грн
10+143.95 грн
50+121.87 грн
100+90.21 грн
250+72.37 грн
500+65.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BCW70LT1G ONSM-S-A0013215126-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BCW70LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCW70LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 215hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.61 грн
1500+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5238BT1G mmsz5221bt1-d.pdf
MMSZ5238BT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMSZ5238BT1G - Zener-Diode, 8.7 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 8.7V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.36 грн
503+1.76 грн
513+1.60 грн
1500+1.44 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5238BT1G mmsz5221bt1-d.pdf
MMSZ5238BT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMSZ5238BT1G - Zener-Diode, 8.7 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 8.7V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
106+8.39 грн
203+4.36 грн
503+1.76 грн
513+1.60 грн
1500+1.44 грн
Мінімальне замовлення: 106
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ4713T1G mmsz4678t1-d.pdf
MMSZ4713T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMSZ4713T1G - Zener-Diode, 30 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 30V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 41375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.45 грн
1000+2.20 грн
5000+1.53 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
SZMMSZ5248ET1G ONSMS21456-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SZMMSZ5248ET1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZMMSZ5248ET1G - Zener-Diode, 18 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SZMMSZ52xxET1G
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 18V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 23679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+13.69 грн
157+5.65 грн
500+4.84 грн
1000+3.71 грн
5000+3.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SMMUN2216LT1G ONSM-S-A0013775474-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SMMUN2216LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SMMUN2216LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 22912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.00 грн
1000+2.48 грн
5000+1.75 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MC74ACT244DTR2G ONSM-S-A0015956752-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MC74ACT244DTR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC74ACT244DTR2G - Puffer / Leitungstreiber, 74ACT244, 4.5V bis 5.5V, TSSOP-20
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 74244
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74ACT
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74ACT244
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer/Leitungstreiber
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+39.39 грн
500+32.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MC78L12ABDR2G mc78l00a-d.pdf
MC78L12ABDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC78L12ABDR2G - Linearer Festspannungsregler, 12V/100mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Nennausgangsspannung: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 35V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 7812 Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 12V
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+22.52 грн
66+13.51 грн
100+11.83 грн
500+9.51 грн
1000+8.40 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
BC850CLT1G bc846alt1-d.pdf
BC850CLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC850CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 800hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 11083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.48 грн
1500+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56T1G bcp56t1-d.pdf
BCP56T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCP56T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7000+13.42 грн
Мінімальне замовлення: 7000
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56T1G ONSM-S-A0013178767-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BCP56T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCP56T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 13591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+35.15 грн
250+22.61 грн
1000+12.96 грн
3000+11.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MC33178DR2G 89824.pdf
MC33178DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC33178DR2G - Operationsverstärker, geringe Leistungsaufnahme, 2 Kanäle, 5 MHz, 2 V/µs, ± 2V bis ± 18V, SOIC
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: ± 2V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 2V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 5MHz
Eingangsoffsetspannung: 150µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 100nA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+22.08 грн
500+18.04 грн
1000+15.82 грн
2500+14.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSVR0340HT1G 1840608.pdf
NSVR0340HT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVR0340HT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 250 mA, 590 mV, 1 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 1A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 590mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4152PT1G ntjd4152p-d.pdf
NTJD4152PT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTJD4152PT1G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 880 mA, 880 mA, 0.215 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 880mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 880mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.215ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 272mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.215ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 272mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 34367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+14.57 грн
500+8.94 грн
1000+6.17 грн
5000+5.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
LM2594DADJR2G 1712843.pdf
LM2594DADJR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LM2594DADJR2G - DC/DC-Abwärts-Schaltregler (Buck), einstellbar, 4.5V-40Vin, 1.23V-37Vout, 500mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Einstellbar
Ausgangsspannung, min.: 1.23V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 37V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 500mA
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 150kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 4.5V
Topologie: Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Wirkungsgrad: 80%
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+90.21 грн
250+72.67 грн
500+72.14 грн
1000+72.06 грн
2500+71.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C300CTWG
NSS1C300CTWG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSS1C300CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 5 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: LFPAK
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: e2PowerEdge Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+128.94 грн
11+80.98 грн
100+53.69 грн
500+39.44 грн
1000+33.84 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MBR1100RLG 2353751.pdf
MBR1100RLG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBR1100RLG - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 1 A, Einfach, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 790 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 790mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+36.21 грн
36+24.99 грн
100+22.08 грн
500+17.22 грн
1000+13.85 грн
5000+11.43 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
MICROFJ-SMTPA-30035-GEVB 2704145.pdf
MICROFJ-SMTPA-30035-GEVB
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MICROFJ-SMTPA-30035-GEVB - Evaluationsboard, SiPM-Sensor MicroFJ-30035, 3 Durchsteckstifte, Vorspannung
tariffCode: 84733020
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Evaluationsboard
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard MICROFJ-30035-TSV
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Silizium-Photomultiplier-Sensor (SiPM)
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: MicroFJ-30035-TSV
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6849.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NCV7343MW0R2G ncv7343-d.pdf
NCV7343MW0R2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV7343MW0R2G - CAN-Schnittstelle, CAN-FD-Transceiver, 5 Mbps, 4.5 V, 5.5 V, DFNW, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: DFNW
Übertragungsrate, max.: 5Mbps
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: CAN
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Anzahl der Empfänger: 1Receivers
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Anzahl der RX-Puffer: -
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Treiber: 1Treiber
CAN-Schnittstellen-IC: CAN-FD-Transceiver
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Bauform - Schnittstellenbaustein: DFNW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der TX-Puffer: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+41.33 грн
500+31.74 грн
1000+24.53 грн
2500+24.45 грн
5000+24.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCV7343MW0R2G ncv7343-d.pdf
NCV7343MW0R2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV7343MW0R2G - CAN-Schnittstelle, CAN-FD-Transceiver, 5 Mbps, 4.5 V, 5.5 V, DFNW, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: DFNW
Übertragungsrate, max.: 5Mbps
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Anzahl der Empfänger: 1Receivers
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Treiber: 1Treiber
CAN-Schnittstellen-IC: CAN-FD-Transceiver
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+72.77 грн
17+52.11 грн
100+41.33 грн
500+31.74 грн
1000+24.53 грн
2500+24.45 грн
5000+24.37 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC04ADTR2G 1833440.pdf
MC74HC04ADTR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC74HC04ADTR2G - Inverter, Baureihe 74HC04, 1 Eingang, 2V bis 6V Versorgungsspannung, 5.2mAout, TSSOP-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 74HC
Anzahl der Elemente: Sechs
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 5.2mA
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74HC04
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4G MJD112-D.PDF
MJD117T4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD117T4G - Darlington-Transistor, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+40.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20200LT1G 1840610.pdf
NSS20200LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSS20200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 2 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+11.92 грн
500+10.50 грн
1500+9.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200LT1G 2337905.pdf
NSS12200LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSS12200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 2 A, 460 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+16.34 грн
500+14.10 грн
1000+11.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS12200LT1G 2337905.pdf
NSS12200LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSS12200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 2 A, 460 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+38.15 грн
37+24.37 грн
100+16.34 грн
500+14.10 грн
1000+11.73 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C13NTAG ONSM-S-A0017604458-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTTFS4C13NTAG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS4C13NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38 A, 0.0075 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 21.5W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5C632NLT4G 3672848.pdf
NTD5C632NLT4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD5C632NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 155 A, 2100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 155A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+146.60 грн
10+109.51 грн
100+82.57 грн
500+61.59 грн
1000+50.79 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5C632NLT4G 3672848.pdf
NTD5C632NLT4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD5C632NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 155 A, 2100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 155A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 115W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+82.57 грн
500+61.59 грн
1000+50.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FODM452R2 2304143.pdf
FODM452R2
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FODM452R2 - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, SOP, 5 Pin(s), 50 mA, 3.75 kV, 20 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 20%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -
Bauform - Optokoppler: SOP
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+99.16 грн
500+86.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SMS12CT1G ONSM-S-A0013902917-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SMS12CT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SMS12CT1G - TVS-Diode, SMS05C, Unidirektional, 12 V, 23 V, TSOP, 6 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TSOP
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 13.3V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 15V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 12V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 350W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: SMS05C
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 23V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMS12CT1G ONSM-S-A0013902917-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SMS12CT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SMS12CT1G - TVS-Diode, SMS05C, Unidirektional, 12 V, 23 V, TSOP, 6 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TSOP
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 13.3V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 15V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 12V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 350W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: SMS05C
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 23V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MM3Z9V1T1G MM3ZyyyT1G_SZMM3ZyyyT1G_Series_rev.11_Sep2014.pdf
MM3Z9V1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MM3Z9V1T1G - Zener-Diode, 9.1 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MM3Z9
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 9.1V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.22 грн
1000+1.86 грн
5000+1.13 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MM5Z9V1T1G 2236793.pdf
MM5Z9V1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MM5Z9V1T1G - Zener-Diode, 9.1 V, 200 mW, SOD-523, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MM5ZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 9.1V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
87+10.16 грн
112+7.92 грн
228+3.88 грн
500+3.53 грн
1000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 87
В кошику  од. на суму  грн.
MC33064D-5R2G description 2337890.pdf
MC33064D-5R2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC33064D-5R2G - Unterspannungserkennungsschaltung, 1V-6.5Vsupp., 4.61V Schwellenspannung, Active-Low-Reset, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Reset-Schwellenspannung, min.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Reset-Ausgang: Aktiv-Low
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors
Reset-Schwellenspannung, nom.: 4.59V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+26.23 грн
500+22.39 грн
1000+19.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMUN5135DW1T1G 2338005.pdf
NSVMUN5135DW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVMUN5135DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.58 грн
1000+3.73 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1G 2237006.pdf
NSS1C201LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSS1C201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 490 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 490mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 110MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+13.78 грн
500+12.30 грн
1500+10.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSR02301MX4T5G 4032169.pdf
NSR02301MX4T5G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSR02301MX4T5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 540 mV, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: X4DFN
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 540mV
Sperrverzögerungszeit: 9.4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+10.09 грн
1000+7.07 грн
5000+5.91 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NSR02301MX4T5G 4032169.pdf
NSR02301MX4T5G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSR02301MX4T5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 540 mV, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: X4DFN
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 540mV
Sperrverzögerungszeit: 9.4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+38.68 грн
33+26.85 грн
100+13.51 грн
500+10.09 грн
1000+7.07 грн
5000+5.91 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
STF202-22T1G 2353987.pdf
STF202-22T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - STF202-22T1G - EMI-Filter, 3 Kanäle, USB-Leitungsabschluss, ESD-Schutz, TSOP-6
tariffCode: 85363010
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
EMI-Filter: EMI-Filter mit ESD-Schutz
Bauform - Filter: TSOP
euEccn: NLR
Anzahl der Datenleitungen: 2 Datenleitungen
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Filterkreis: RC Pi-Filter
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+22.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SZMMSZ5238BT1G mmsz5221bt1-d.pdf
SZMMSZ5238BT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZMMSZ5238BT1G - Zener-Diode, 8.7 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SZMMSZ52xxxT1G
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 8.7V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 22575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.70 грн
1000+4.22 грн
5000+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
SZMMSZ5256BT1G mmsz5221bt1-d.pdf
SZMMSZ5256BT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZMMSZ5256BT1G - Zener-Diode, 30 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SZMMSZ52xxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 30V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.85 грн
1000+3.44 грн
5000+2.83 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT190N65S3HF ntmt190n65s3hf-d.pdf
NTMT190N65S3HF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMT190N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.159 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 162W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.159ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+424.79 грн
10+300.27 грн
100+226.08 грн
500+196.81 грн
1000+177.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT190N65S3HF ntmt190n65s3hf-d.pdf
NTMT190N65S3HF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMT190N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.159 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 162W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 162W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.159ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.159ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+226.08 грн
500+196.81 грн
1000+177.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8667-TL-H 2907487.pdf
ECH8667-TL-H
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ECH8667-TL-H - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.039ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-28FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+112.16 грн
13+70.65 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8667-TL-H 2907487.pdf
ECH8667-TL-H
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ECH8667-TL-H - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.039ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-28FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BPDW1T2G ONSM-S-A0013184387-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC847BPDW1T2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC847BPDW1T2G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: 380mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT5401WT1G 2729151.pdf
NSVMMBT5401WT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVMMBT5401WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 500 mA, 400 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
66+13.51 грн
110+8.04 грн
189+4.68 грн
500+4.26 грн
Мінімальне замовлення: 66
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H852NLT1G nvmfd6h852nl-d.pdf
NVMFD6H852NLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFD6H852NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 25 A, 25 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 38W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 38W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+128.94 грн
11+82.75 грн
100+56.70 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NCP565ST12T3G 2160701.pdf
NCP565ST12T3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP565ST12T3G - LDO-Festspannungsregler, 2.5V-9Vin, 900mV Dropout, 1.2V/1.5Aout, SOT-223-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-223
Nennausgangsspannung: 1.2V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 9V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.5V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 1.2V 1.5A LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 1.2V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 900mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 900mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+151.90 грн
10+90.96 грн
50+77.10 грн
100+58.63 грн
250+48.75 грн
500+41.26 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NCP565ST12T3G 2160701.pdf
NCP565ST12T3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP565ST12T3G - LDO-Festspannungsregler, 2.5V-9Vin, 900mV Dropout, 1.2V/1.5Aout, SOT-223-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-223
Nennausgangsspannung: 1.2V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 9V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.5V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 1.2V 1.5A LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 1.2V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 900mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 900mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+58.63 грн
250+48.75 грн
500+41.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCN26000XMNEVB 4332469.pdf
NCN26000XMNEVB
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCN26000XMNEVB - Evaluationsboard, NCN26000, 10BASE-T1S-Ethernet-PHY-Transceiver
tariffCode: 85423990
Prozessorkern: NCN26000
Kit-Anwendungsbereich: Schnittstelle
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard NCN26000
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: 10BASE-T1S-Ethernet-PHY-Transceiver
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6589.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NC7S08P5X ONSM-S-A0003587594-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
NC7S08P5X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7S08P5X - AND-Gatter, NC7S08, 2 Eingänge, 2.6mA, 2V bis 6V, SC-70-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: AND-Gatter
Logik-IC-Familie: 7S
Anzahl der Elemente: Eins
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2.6mA
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 7S08
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 11299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
105+8.46 грн
201+4.40 грн
275+3.21 грн
500+2.59 грн
1000+2.25 грн
5000+1.96 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335N FDN335N-D.PDF
FDN335N
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN335N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 68832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+21.37 грн
500+15.50 грн
1000+12.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 236 472 708 944 1180 1416 1652 1888 2124 2260 2261 2262 2263 2264 2265 2266 2267 2268 2269 2270 2360 2367  [ Наступна Сторінка >> ]