Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (146207) > Сторінка 2382 з 2437

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 243 486 729 972 1215 1458 1701 1944 2187 2377 2378 2379 2380 2381 2382 2383 2384 2385 2386 2387 2430 2437  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ES1C ES1C ONSEMI ES1x.PDF Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 150V; 1A; 15ns; SMA; Ufmax: 0.92V; Ifsm: 30A
Mounting: SMD
Capacitance: 7pF
Power dissipation: 1.47W
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 150V
Kind of package: reel; tape
Case: SMA
Features of semiconductor devices: fast switching
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 15ns
Leakage current: 0.1mA
Max. forward voltage: 0.92V
Load current: 1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE253G MJE253G ONSEMI MJE253G.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 4A; 15W; TO225
Case: TO225
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 100V
Power dissipation: 15W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Current gain: 40...180
Kind of package: bulk
Frequency: 40MHz
Collector current: 4A
на замовлення 330 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+75.87 грн
10+43.86 грн
50+33.04 грн
100+29.52 грн
250+26.25 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243G MJE243G ONSEMI MJE253G.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 4A; 15W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 4A
Power dissipation: 15W
Case: TO225
Current gain: 40...180
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 40MHz
на замовлення 827 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+74.06 грн
12+37.07 грн
100+28.51 грн
200+26.08 грн
250+25.49 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350ET80 ONSEMI fdms86350et80-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 140A; 187W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 140A
Power dissipation: 187W
Case: PQFN8
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150 ONSEMI fdms86150-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 187W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
Power dissipation: 187W
Case: PQFN8
On-state resistance: 9.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86324 FDMC86324 ONSEMI FDMC86324.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 20A; 41W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 20A
Power dissipation: 41W
Case: PQFN8
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Technology: PowerTrench®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0306AS ONSEMI fdms0306as-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 49A; Idm: 100A; 59W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 59W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS1D2N02P1E ONSEMI nttfs1d2n02p1e-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 180A; Idm: 195A; 52W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 180A
Pulsed drain current: 195A
Power dissipation: 52W
Case: PQFN8
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D5N08LC ONSEMI fdms4d5n08lc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 80V; 116A; 113.6W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 116A
Power dissipation: 113.6W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 71nC
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT1D3N08B ONSEMI fdmt1d3n08b-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 103A; Idm: 864A; 178W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 103A
Pulsed drain current: 864A
Power dissipation: 178W
Case: PQFN8
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFSC012N15MC ONSEMI ntmfsc012n15mc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 80A; Idm: 1067A; 58W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 1067A
Power dissipation: 58W
Case: PQFN8
On-state resistance: 11.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3020DC ONSEMI fdmc3020dc-d.pdf FAIR-S-A0002365617-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; Idm: 100A; 50W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 50W
Case: PQFN8
On-state resistance: 9.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4D9P20X8 ONSEMI fdmc4d9p20x8-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -47A; Idm: -335A; 40W; PQFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -47A
Pulsed drain current: -335A
Power dissipation: 40W
Case: PQFN8
On-state resistance: 16.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 109nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7570S ONSEMI fdmc7570s-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; Idm: 120A; 59W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 59W
Case: PQFN8
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCS20074DR2G NCS20074DR2G ONSEMI ncs20071-d.pdf Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 3MHz; Ch: 4; ±1.35÷18VDC,2.7÷36VDC
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMT
Type of integrated circuit: operational amplifier
Number of channels: quad; 4
Integrated circuit features: rail-to-rail output
Case: SO14
Operating temperature: -40...125°C
Input offset current: 75pA
Input bias current: 1.5nA
Input offset voltage: 3mV
Voltage supply range: ± 1.35...18V DC; 2.7...36V DC
Slew rate: 2.4V/μs
Bandwidth: 3MHz
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+44.25 грн
14+30.02 грн
25+26.59 грн
50+24.40 грн
100+22.56 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV20074DTBR2G ONSEMI ncs20071-d.pdf Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 3MHz; Ch: 4; ±1.35÷18VDC,2.7÷36VDC
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMT
Type of integrated circuit: operational amplifier
Number of channels: quad; 4
Integrated circuit features: rail-to-rail output
Case: TSSOP14
Operating temperature: -40...125°C
Input offset current: 75pA
Input bias current: 1.5nA
Input offset voltage: 3mV
Voltage supply range: ± 1.35...18V DC; 2.7...36V DC
Slew rate: 2.4V/μs
Bandwidth: 3MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCS20074DTBR2G ONSEMI ncs20071-d.pdf Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 3MHz; Ch: 4; ±1.35÷18VDC,2.7÷36VDC
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMT
Type of integrated circuit: operational amplifier
Number of channels: quad; 4
Integrated circuit features: rail-to-rail output
Case: TSSOP14
Operating temperature: -40...125°C
Input offset current: 75pA
Input bias current: 1.5nA
Input offset voltage: 3mV
Voltage supply range: ± 1.35...18V DC; 2.7...36V DC
Slew rate: 2.4V/μs
Bandwidth: 3MHz
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV20074DR2G ONSEMI ncs20071-d.pdf Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 3MHz; Ch: 4; ±1.35÷18VDC,2.7÷36VDC
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMT
Type of integrated circuit: operational amplifier
Number of channels: quad; 4
Integrated circuit features: rail-to-rail output
Case: SO14
Operating temperature: -40...125°C
Input offset current: 75pA
Input bias current: 1.5nA
Input offset voltage: 3mV
Voltage supply range: ± 1.35...18V DC; 2.7...36V DC
Slew rate: 2.4V/μs
Bandwidth: 3MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRS410LT3G MBRS410LT3G ONSEMI MBRS410LT3G-DTE.PDF Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 10V; 4A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 10V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.225V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 883 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+120.12 грн
6+78.83 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDLL300A FDLL300A ONSEMI FDLL300A.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 125V; 0.5A; SOD80; Ufmax: 1V; Ifsm: 4A; 500mW
Type of diode: switching
Case: SOD80
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 125V
Load current: 0.5A
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 6pF
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 4A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.5W
Max. load current: 0.6A
на замовлення 1221 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
63+7.23 грн
66+6.37 грн
78+5.43 грн
100+5.00 грн
500+3.98 грн
1000+3.54 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FNB41560FNB41560
FNB41560FNB41560
 FNB41560 ONSEMI fnb41560b2-d.pdf Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,NTC thermistor; SPMAA-A26
Mounting: THT
Frequency: 20kHz
Number of channels: 6
Power dissipation: 34W
Operating voltage: 13.5...16.5/0...400V DC
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: Motion SPM® 45
Case: SPMAA-A26
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Operating temperature: -40...125°C
Output current: 15A
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1259.91 грн
3+1056.70 грн
12+943.48 грн
24+812.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4243 FDD4243 ONSEMI FDD4243.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -14A; 42W; DPAK
Power dissipation: 42W
Gate charge: 29nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: -14A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -40V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: SMD
на замовлення 2407 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+84.90 грн
8+56.02 грн
10+46.80 грн
50+31.70 грн
100+30.44 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCS20071SN2T1G NCS20071SN2T1G ONSEMI NCS20071_2_4.PDF Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 3MHz; Ch: 1; ±1.35÷18VDC,2.7÷36VDC
Type of integrated circuit: operational amplifier
Case: TSOP5
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Input offset voltage: 4.5mV
Voltage supply range: ± 1.35...18V DC; 2.7...36V DC
Slew rate: 2.8V/μs
Bandwidth: 3MHz
Integrated circuit features: rail-to-rail output
Number of channels: single; 1
на замовлення 2181 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+38.84 грн
16+26.42 грн
25+24.74 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS002N04CLTAG ONSEMI nttfs002n04cl-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 142A; Idm: 706A; 27W; WDFN8
Case: WDFN8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 49nC
On-state resistance: 2.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 27W
Drain current: 142A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 706A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS002N04CTAG ONSEMI Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 136A; Idm: 676A; 27W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 676A
Power dissipation: 27W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS002N04CLTAG ONSEMI nvtfs002n04cl-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 142A; Idm: 706A; 27W; WDFN8
Case: WDFN8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 49nC
On-state resistance: 2.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 27W
Drain current: 142A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 706A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS002N04CTAG ONSEMI Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 136A; Idm: 676A; 27W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 676A
Power dissipation: 27W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS002N04CLTAG ONSEMI nvtfs002n04cl-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 142A; Idm: 706A; 27W; WDFNW8
Case: WDFNW8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 49nC
On-state resistance: 2.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 27W
Drain current: 142A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 706A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS002N04CTAG ONSEMI nvtfs002n04c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 136A; Idm: 676A; 27W; WDFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 676A
Power dissipation: 27W
Case: WDFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV6357MTWATXG ONSEMI ncv6357-d.pdf Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; SMD; reel,tape; automotive industry
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP383LMUAJAATXG ONSEMI ncp383-d.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.5÷2.8A; Ch: 2; N-Channel; SMD; uDFN10
Mounting: SMD
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Active logical level: low
Control voltage: 0...5.5V DC
Output current: 0.5...2.8A
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Kind of package: reel; tape
Case: uDFN10
Kind of integrated circuit: high-side
Number of channels: 2
On-state resistance: 95mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5250BLT1G MMBZ5250BLT1G ONSEMI MMBZ52xxBLT1G.PDF Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.3W; 20V; SMD; SOT23; single diode; reel,tape
Type of diode: Zener
Semiconductor structure: single diode
Mounting: SMD
Case: SOT23
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: MMBZ52xxBLT1G
Power dissipation: 0.3W
Zener voltage: 20V
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
63+7.23 грн
109+3.86 грн
148+2.83 грн
174+2.42 грн
500+1.62 грн
1000+1.49 грн
1500+1.43 грн
3000+1.33 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10TM FQD13N10TM ONSEMI FQD13N10.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.3A; 40W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSR0320MW2T1G NSR0320MW2T1G ONSEMI NSR0320MW2T1G.PDF Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOD323; SMD; 23V; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 23V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 51895 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
28+16.26 грн
44+9.73 грн
61+6.93 грн
100+5.97 грн
250+4.93 грн
500+4.29 грн
1000+3.73 грн
3000+3.04 грн
6000+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4922G 2N4922G ONSEMI 2N4921-D.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 30W; TO225
Kind of package: bulk
Mounting: THT
Type of transistor: NPN
Case: TO225
Collector current: 1A
Power dissipation: 30W
Current gain: 30...150
Frequency: 3MHz
Collector-emitter voltage: 60V
Polarisation: bipolar
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+83.09 грн
10+50.24 грн
25+42.69 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBR2545CTG MBR2545CTG ONSEMI MBR2545CTG.PDF description Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 45V; 15Ax2; TO220-3; Ufmax: 0.72V
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 150A
Max. forward voltage: 0.72V
Max. off-state voltage: 45V
Heatsink thickness: 1.15...1.39mm
Load current: 15A x2
Max. load current: 30A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220-3
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 185 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+196.89 грн
5+134.18 грн
10+104.83 грн
50+95.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HCPL2611 HCPL2611 ONSEMI HCPL2611.pdf Category: Optocouplers - digital output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: Schmitt trigger; 10Mbps; DIP8
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: Schmitt trigger
Transfer rate: 10Mbps
Case: DIP8
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 12ns
Slew rate: 2.5kV/μs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HCPL2611M HCPL2611M ONSEMI HCPL2611M.pdf Category: Optocouplers - digital output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: logic; Uinsul: 5kV; 10Mbps; DIP8
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: logic
Insulation voltage: 5kV
Transfer rate: 10Mbps
Case: DIP8
Turn-on time: 30ns
Turn-off time: 30ns
Slew rate: 15kV/μs
Max. off-state voltage: 5V
Output voltage: -500mV...7V
Manufacturer series: HCPL2611M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74AC374DWG ONSEMI MC74AC374-D.pdf Category: Flip-Flops
Description: IC: digital; 3-state,octal,D flip-flop; Ch: 8; CMOS; AC; SMD; SOIC20
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; D flip-flop; octal
Case: SOIC20
Number of channels: 8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Technology: CMOS
Kind of package: tube
Family: AC
Supply voltage: 2...6V DC
Manufacturer series: AC
Kind of output: 3-state
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74AC374DWR2G ONSEMI MC74AC374-D.pdf Category: Flip-Flops
Description: IC: digital; 3-state,octal,D flip-flop; Ch: 8; CMOS; AC; SMD; SOIC20
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; D flip-flop; octal
Case: SOIC20
Number of channels: 8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Technology: CMOS
Kind of package: reel; tape
Family: AC
Supply voltage: 2...6V DC
Manufacturer series: AC
Kind of output: 3-state
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH600N65L4Q2F2SG ONSEMI nxh600n65l4q2f2-d.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 650V; Ic: 600A; PIM41; SiC
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: NTC thermistor; three-level inverter; single-phase
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 600A
Case: PIM41
Application: for UPS; Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: SiC
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH160T120L2Q2F2S1G ONSEMI nxh160t120l2q2f2s1-d.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; 3-level inverter SPLIT-TNPC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 181A
Pulsed collector current: 543A
Topology: 3-level inverter SPLIT-TNPC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Case: PIM56
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH200T120H3Q2F2STNG ONSEMI nxh200t120h3q2f2stng-d.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; Ic: 330A; PIM
Case: PIM
Collector current: 330A
Type of semiconductor module: IGBT
на замовлення 396 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+11364.47 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH200T120H3Q2F2SG ONSEMI nxh200t120h3q2f2-d.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; Ic: 330A; PIM
Case: PIM
Collector current: 330A
Type of semiconductor module: IGBT
на замовлення 192 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+11364.47 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH450B100H4Q2F2SG ONSEMI nxh450b100h4q2f2-d.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; Ic: 101A; PIM
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 101A
Type of semiconductor module: IGBT
Case: PIM
на замовлення 216 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+12903.46 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D6N03CT1G ONSEMI ntmfs0d6n03c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 433A; Idm: 900A; 200W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 433A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 200W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 620µΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5112DW1T1G MUN5112DW1T1G ONSEMI MUN5112DW1.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 22kΩ
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
на замовлення 2279 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
63+7.23 грн
109+3.86 грн
175+2.41 грн
500+1.78 грн
1000+1.58 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1203P60G ONSEMI ncp1203-d.pdf Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: IC: PMIC; AC/DC switcher,PWM controller; DIP8; flyback; SMPS; tube
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: AC/DC switcher; PWM controller
Output current: 0.25A
Mounting: THT
Case: DIP8
Topology: flyback
Number of channels: 1
Operating temperature: 0...125°C
Operating voltage: 7.8...16V DC
Kind of package: tube
Application: SMPS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FSDM0465REWDTU ONSEMI fsdm0465re-d.pdf Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; AC/DC switcher,PWM controller; 1.4A; 650V; 66kHz; Ch: 1
Mounting: THT
Operating temperature: -25...85°C
Case: TO220F-6L
Frequency: 66kHz
Number of channels: 1
Output current: 1.4A
On-state resistance: 2.6Ω
Operating voltage: 8...19V DC
Power: 48W
Duty cycle factor: 77...87%
Kind of integrated circuit: AC/DC switcher; PWM controller
Output voltage: 650V
Input voltage: 85...265V
Topology: flyback
Application: SMPS
Type of integrated circuit: PMIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDP6060 ONSEMI ndp6060-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 48A; Idm: 144A; 100W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 48A
Power dissipation: 100W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25µΩ
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 144A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5233T1G MUN5233T1G ONSEMI MUN5233.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.31W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.31W
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Current gain: 200
на замовлення 19924 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+9.93 грн
59+7.13 грн
88+4.81 грн
105+4.03 грн
250+3.21 грн
500+2.73 грн
1000+2.35 грн
1500+2.16 грн
3000+1.90 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C302NT1G ONSEMI ntmfs4c302n-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 230A; Idm: 900A; 96W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 230A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 96W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJW18020G MJW18020G ONSEMI MJW18020.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 450V; 30A; 250W; TO247-3
Frequency: 13MHz
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 450V
Power dissipation: 250W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 14...34
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Collector current: 30A
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+513.90 грн
3+426.87 грн
5+395.84 грн
10+374.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJF18004G MJF18004G ONSEMI MJF18004.PDF description Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 450V; 5A; 35W; TO220FP
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 450V
Collector current: 5A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Current gain: 14...34
Frequency: 13MHz
на замовлення 56 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+170.70 грн
10+107.35 грн
50+87.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCS20092DMR2G ONSEMI ncs2009-d.pdf Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 350kHz; Ch: 2; 1.8÷5.5VDC; Micro8; 4mV
Operating temperature: -40...125°C
Case: Micro8
Type of integrated circuit: operational amplifier
Input offset current: 1pA
Input bias current: 1pA
Input offset voltage: 4mV
Slew rate: 0.15V/μs
Voltage supply range: 1.8...5.5V DC
Bandwidth: 350kHz
Kind of package: reel; tape
Number of channels: dual; 2
Mounting: SMT
Integrated circuit features: low power; rail-to-rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCS20092DR2G ONSEMI ncs2009-d.pdf Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 350kHz; Ch: 2; 1.8÷5.5VDC; SO8; 4mV
Operating temperature: -40...125°C
Case: SO8
Type of integrated circuit: operational amplifier
Input offset current: 1pA
Input bias current: 1pA
Input offset voltage: 4mV
Slew rate: 0.15V/μs
Voltage supply range: 1.8...5.5V DC
Bandwidth: 350kHz
Kind of package: reel; tape
Number of channels: dual; 2
Mounting: SMT
Integrated circuit features: low power; rail-to-rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCS20092DTBR2G ONSEMI ncs2009-d.pdf Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 350kHz; Ch: 2; 1.8÷5.5VDC; TSSOP8; 4mV
Operating temperature: -40...125°C
Case: TSSOP8
Type of integrated circuit: operational amplifier
Input offset current: 1pA
Input bias current: 1pA
Input offset voltage: 4mV
Slew rate: 0.15V/μs
Voltage supply range: 1.8...5.5V DC
Bandwidth: 350kHz
Kind of package: reel; tape
Number of channels: dual; 2
Mounting: SMT
Integrated circuit features: low power; rail-to-rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LE25U20AMB-AH ONSEMI LE25U20AMB-D.pdf Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 2MbFLASH; Flash: 256kx8bit; 30MHz; 2.3÷3.6V
Operating voltage: 2.3...3.6V
Mounting: SMD
Case: SOIC8
Operating temperature: -40...85°C
Kind of memory: NOR
Flash memory organisation: 256kx8bit
Type of integrated circuit: FLASH memory
Memory: 2Mb FLASH
Operating frequency: 30MHz
Kind of interface: serial
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LE25U20AQGTXG ONSEMI LE25U20AQG-D.pdf Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 2MbFLASH; Flash: 256kx8bit; 30MHz; 2.3÷3.6V
Operating voltage: 2.3...3.6V
Mounting: SMD
Case: WDFN8
Operating temperature: -40...85°C
Kind of memory: NOR
Flash memory organisation: 256kx8bit
Type of integrated circuit: FLASH memory
Memory: 2Mb FLASH
Operating frequency: 30MHz
Kind of interface: serial
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FSQ0765RSUDTU FSQ0765RSUDTU ONSEMI fsq0765rs-d.pdf FAIRS29178-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller,resonant mode controller; 2.28A; 650V
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller; resonant mode controller
Output current: 2.28A
Output voltage: 650V
Frequency: 66.7kHz
Number of channels: 1
Case: TO220-6
Mounting: THT
Operating temperature: -25...85°C
Topology: flyback
Input voltage: 85...265V
On-state resistance: 1.6Ω
Power: 70W
Operating voltage: 8...19V DC
на замовлення 308 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+175.21 грн
5+145.92 грн
25+129.15 грн
100+126.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES1C ES1x.PDF
ES1C
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 150V; 1A; 15ns; SMA; Ufmax: 0.92V; Ifsm: 30A
Mounting: SMD
Capacitance: 7pF
Power dissipation: 1.47W
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 150V
Kind of package: reel; tape
Case: SMA
Features of semiconductor devices: fast switching
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 15ns
Leakage current: 0.1mA
Max. forward voltage: 0.92V
Load current: 1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE253G MJE253G.pdf
MJE253G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 4A; 15W; TO225
Case: TO225
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 100V
Power dissipation: 15W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Current gain: 40...180
Kind of package: bulk
Frequency: 40MHz
Collector current: 4A
на замовлення 330 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+75.87 грн
10+43.86 грн
50+33.04 грн
100+29.52 грн
250+26.25 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243G MJE253G.pdf
MJE243G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 4A; 15W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 4A
Power dissipation: 15W
Case: TO225
Current gain: 40...180
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 40MHz
на замовлення 827 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+74.06 грн
12+37.07 грн
100+28.51 грн
200+26.08 грн
250+25.49 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350ET80 fdms86350et80-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 140A; 187W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 140A
Power dissipation: 187W
Case: PQFN8
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150 fdms86150-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 187W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
Power dissipation: 187W
Case: PQFN8
On-state resistance: 9.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86324 FDMC86324.pdf
FDMC86324
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 20A; 41W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 20A
Power dissipation: 41W
Case: PQFN8
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Technology: PowerTrench®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0306AS fdms0306as-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 49A; Idm: 100A; 59W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 59W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS1D2N02P1E nttfs1d2n02p1e-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 180A; Idm: 195A; 52W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 180A
Pulsed drain current: 195A
Power dissipation: 52W
Case: PQFN8
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D5N08LC fdms4d5n08lc-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 80V; 116A; 113.6W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 116A
Power dissipation: 113.6W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 71nC
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT1D3N08B fdmt1d3n08b-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 103A; Idm: 864A; 178W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 103A
Pulsed drain current: 864A
Power dissipation: 178W
Case: PQFN8
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFSC012N15MC ntmfsc012n15mc-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 80A; Idm: 1067A; 58W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 1067A
Power dissipation: 58W
Case: PQFN8
On-state resistance: 11.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3020DC fdmc3020dc-d.pdf FAIR-S-A0002365617-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; Idm: 100A; 50W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 50W
Case: PQFN8
On-state resistance: 9.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4D9P20X8 fdmc4d9p20x8-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -47A; Idm: -335A; 40W; PQFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -47A
Pulsed drain current: -335A
Power dissipation: 40W
Case: PQFN8
On-state resistance: 16.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 109nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7570S fdmc7570s-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; Idm: 120A; 59W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 59W
Case: PQFN8
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCS20074DR2G ncs20071-d.pdf
NCS20074DR2G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 3MHz; Ch: 4; ±1.35÷18VDC,2.7÷36VDC
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMT
Type of integrated circuit: operational amplifier
Number of channels: quad; 4
Integrated circuit features: rail-to-rail output
Case: SO14
Operating temperature: -40...125°C
Input offset current: 75pA
Input bias current: 1.5nA
Input offset voltage: 3mV
Voltage supply range: ± 1.35...18V DC; 2.7...36V DC
Slew rate: 2.4V/μs
Bandwidth: 3MHz
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+44.25 грн
14+30.02 грн
25+26.59 грн
50+24.40 грн
100+22.56 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV20074DTBR2G ncs20071-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 3MHz; Ch: 4; ±1.35÷18VDC,2.7÷36VDC
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMT
Type of integrated circuit: operational amplifier
Number of channels: quad; 4
Integrated circuit features: rail-to-rail output
Case: TSSOP14
Operating temperature: -40...125°C
Input offset current: 75pA
Input bias current: 1.5nA
Input offset voltage: 3mV
Voltage supply range: ± 1.35...18V DC; 2.7...36V DC
Slew rate: 2.4V/μs
Bandwidth: 3MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCS20074DTBR2G ncs20071-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 3MHz; Ch: 4; ±1.35÷18VDC,2.7÷36VDC
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMT
Type of integrated circuit: operational amplifier
Number of channels: quad; 4
Integrated circuit features: rail-to-rail output
Case: TSSOP14
Operating temperature: -40...125°C
Input offset current: 75pA
Input bias current: 1.5nA
Input offset voltage: 3mV
Voltage supply range: ± 1.35...18V DC; 2.7...36V DC
Slew rate: 2.4V/μs
Bandwidth: 3MHz
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV20074DR2G ncs20071-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 3MHz; Ch: 4; ±1.35÷18VDC,2.7÷36VDC
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMT
Type of integrated circuit: operational amplifier
Number of channels: quad; 4
Integrated circuit features: rail-to-rail output
Case: SO14
Operating temperature: -40...125°C
Input offset current: 75pA
Input bias current: 1.5nA
Input offset voltage: 3mV
Voltage supply range: ± 1.35...18V DC; 2.7...36V DC
Slew rate: 2.4V/μs
Bandwidth: 3MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRS410LT3G MBRS410LT3G-DTE.PDF
MBRS410LT3G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 10V; 4A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 10V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.225V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 883 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+120.12 грн
6+78.83 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDLL300A FDLL300A.pdf
FDLL300A
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 125V; 0.5A; SOD80; Ufmax: 1V; Ifsm: 4A; 500mW
Type of diode: switching
Case: SOD80
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 125V
Load current: 0.5A
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 6pF
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 4A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.5W
Max. load current: 0.6A
на замовлення 1221 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
63+7.23 грн
66+6.37 грн
78+5.43 грн
100+5.00 грн
500+3.98 грн
1000+3.54 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FNB41560 fnb41560b2-d.pdf
FNB41560FNB41560
FNB41560FNB41560
Виробник: ONSEMI
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,NTC thermistor; SPMAA-A26
Mounting: THT
Frequency: 20kHz
Number of channels: 6
Power dissipation: 34W
Operating voltage: 13.5...16.5/0...400V DC
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: Motion SPM® 45
Case: SPMAA-A26
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Operating temperature: -40...125°C
Output current: 15A
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1259.91 грн
3+1056.70 грн
12+943.48 грн
24+812.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4243 FDD4243.pdf
FDD4243
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -14A; 42W; DPAK
Power dissipation: 42W
Gate charge: 29nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: -14A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -40V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: SMD
на замовлення 2407 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+84.90 грн
8+56.02 грн
10+46.80 грн
50+31.70 грн
100+30.44 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCS20071SN2T1G NCS20071_2_4.PDF
NCS20071SN2T1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 3MHz; Ch: 1; ±1.35÷18VDC,2.7÷36VDC
Type of integrated circuit: operational amplifier
Case: TSOP5
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Input offset voltage: 4.5mV
Voltage supply range: ± 1.35...18V DC; 2.7...36V DC
Slew rate: 2.8V/μs
Bandwidth: 3MHz
Integrated circuit features: rail-to-rail output
Number of channels: single; 1
на замовлення 2181 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+38.84 грн
16+26.42 грн
25+24.74 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS002N04CLTAG nttfs002n04cl-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 142A; Idm: 706A; 27W; WDFN8
Case: WDFN8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 49nC
On-state resistance: 2.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 27W
Drain current: 142A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 706A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS002N04CTAG
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 136A; Idm: 676A; 27W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 676A
Power dissipation: 27W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS002N04CLTAG nvtfs002n04cl-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 142A; Idm: 706A; 27W; WDFN8
Case: WDFN8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 49nC
On-state resistance: 2.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 27W
Drain current: 142A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 706A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS002N04CTAG
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 136A; Idm: 676A; 27W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 676A
Power dissipation: 27W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS002N04CLTAG nvtfs002n04cl-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 142A; Idm: 706A; 27W; WDFNW8
Case: WDFNW8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 49nC
On-state resistance: 2.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 27W
Drain current: 142A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 706A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS002N04CTAG nvtfs002n04c-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 136A; Idm: 676A; 27W; WDFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 676A
Power dissipation: 27W
Case: WDFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV6357MTWATXG ncv6357-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; SMD; reel,tape; automotive industry
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP383LMUAJAATXG ncp383-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.5÷2.8A; Ch: 2; N-Channel; SMD; uDFN10
Mounting: SMD
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Active logical level: low
Control voltage: 0...5.5V DC
Output current: 0.5...2.8A
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Kind of package: reel; tape
Case: uDFN10
Kind of integrated circuit: high-side
Number of channels: 2
On-state resistance: 95mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5250BLT1G MMBZ52xxBLT1G.PDF
MMBZ5250BLT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.3W; 20V; SMD; SOT23; single diode; reel,tape
Type of diode: Zener
Semiconductor structure: single diode
Mounting: SMD
Case: SOT23
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: MMBZ52xxBLT1G
Power dissipation: 0.3W
Zener voltage: 20V
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
63+7.23 грн
109+3.86 грн
148+2.83 грн
174+2.42 грн
500+1.62 грн
1000+1.49 грн
1500+1.43 грн
3000+1.33 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10TM FQD13N10.pdf
FQD13N10TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.3A; 40W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSR0320MW2T1G NSR0320MW2T1G.PDF
NSR0320MW2T1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOD323; SMD; 23V; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 23V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 51895 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
28+16.26 грн
44+9.73 грн
61+6.93 грн
100+5.97 грн
250+4.93 грн
500+4.29 грн
1000+3.73 грн
3000+3.04 грн
6000+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4922G 2N4921-D.PDF
2N4922G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 30W; TO225
Kind of package: bulk
Mounting: THT
Type of transistor: NPN
Case: TO225
Collector current: 1A
Power dissipation: 30W
Current gain: 30...150
Frequency: 3MHz
Collector-emitter voltage: 60V
Polarisation: bipolar
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+83.09 грн
10+50.24 грн
25+42.69 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBR2545CTG description MBR2545CTG.PDF
MBR2545CTG
Виробник: ONSEMI
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 45V; 15Ax2; TO220-3; Ufmax: 0.72V
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 150A
Max. forward voltage: 0.72V
Max. off-state voltage: 45V
Heatsink thickness: 1.15...1.39mm
Load current: 15A x2
Max. load current: 30A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220-3
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 185 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+196.89 грн
5+134.18 грн
10+104.83 грн
50+95.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HCPL2611 HCPL2611.pdf
HCPL2611
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - digital output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: Schmitt trigger; 10Mbps; DIP8
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: Schmitt trigger
Transfer rate: 10Mbps
Case: DIP8
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 12ns
Slew rate: 2.5kV/μs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HCPL2611M HCPL2611M.pdf
HCPL2611M
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - digital output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: logic; Uinsul: 5kV; 10Mbps; DIP8
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: logic
Insulation voltage: 5kV
Transfer rate: 10Mbps
Case: DIP8
Turn-on time: 30ns
Turn-off time: 30ns
Slew rate: 15kV/μs
Max. off-state voltage: 5V
Output voltage: -500mV...7V
Manufacturer series: HCPL2611M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74AC374DWG MC74AC374-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Flip-Flops
Description: IC: digital; 3-state,octal,D flip-flop; Ch: 8; CMOS; AC; SMD; SOIC20
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; D flip-flop; octal
Case: SOIC20
Number of channels: 8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Technology: CMOS
Kind of package: tube
Family: AC
Supply voltage: 2...6V DC
Manufacturer series: AC
Kind of output: 3-state
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74AC374DWR2G MC74AC374-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Flip-Flops
Description: IC: digital; 3-state,octal,D flip-flop; Ch: 8; CMOS; AC; SMD; SOIC20
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; D flip-flop; octal
Case: SOIC20
Number of channels: 8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Technology: CMOS
Kind of package: reel; tape
Family: AC
Supply voltage: 2...6V DC
Manufacturer series: AC
Kind of output: 3-state
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH600N65L4Q2F2SG nxh600n65l4q2f2-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 650V; Ic: 600A; PIM41; SiC
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: NTC thermistor; three-level inverter; single-phase
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 600A
Case: PIM41
Application: for UPS; Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: SiC
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH160T120L2Q2F2S1G nxh160t120l2q2f2s1-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; 3-level inverter SPLIT-TNPC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 181A
Pulsed collector current: 543A
Topology: 3-level inverter SPLIT-TNPC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Case: PIM56
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH200T120H3Q2F2STNG nxh200t120h3q2f2stng-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; Ic: 330A; PIM
Case: PIM
Collector current: 330A
Type of semiconductor module: IGBT
на замовлення 396 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+11364.47 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH200T120H3Q2F2SG nxh200t120h3q2f2-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; Ic: 330A; PIM
Case: PIM
Collector current: 330A
Type of semiconductor module: IGBT
на замовлення 192 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+11364.47 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH450B100H4Q2F2SG nxh450b100h4q2f2-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; Ic: 101A; PIM
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 101A
Type of semiconductor module: IGBT
Case: PIM
на замовлення 216 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+12903.46 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D6N03CT1G ntmfs0d6n03c-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 433A; Idm: 900A; 200W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 433A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 200W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 620µΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5112DW1T1G MUN5112DW1.PDF
MUN5112DW1T1G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 22kΩ
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
на замовлення 2279 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
63+7.23 грн
109+3.86 грн
175+2.41 грн
500+1.78 грн
1000+1.58 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1203P60G ncp1203-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: IC: PMIC; AC/DC switcher,PWM controller; DIP8; flyback; SMPS; tube
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: AC/DC switcher; PWM controller
Output current: 0.25A
Mounting: THT
Case: DIP8
Topology: flyback
Number of channels: 1
Operating temperature: 0...125°C
Operating voltage: 7.8...16V DC
Kind of package: tube
Application: SMPS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FSDM0465REWDTU fsdm0465re-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; AC/DC switcher,PWM controller; 1.4A; 650V; 66kHz; Ch: 1
Mounting: THT
Operating temperature: -25...85°C
Case: TO220F-6L
Frequency: 66kHz
Number of channels: 1
Output current: 1.4A
On-state resistance: 2.6Ω
Operating voltage: 8...19V DC
Power: 48W
Duty cycle factor: 77...87%
Kind of integrated circuit: AC/DC switcher; PWM controller
Output voltage: 650V
Input voltage: 85...265V
Topology: flyback
Application: SMPS
Type of integrated circuit: PMIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDP6060 ndp6060-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 48A; Idm: 144A; 100W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 48A
Power dissipation: 100W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25µΩ
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 144A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5233T1G MUN5233.pdf
MUN5233T1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.31W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.31W
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Current gain: 200
на замовлення 19924 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
46+9.93 грн
59+7.13 грн
88+4.81 грн
105+4.03 грн
250+3.21 грн
500+2.73 грн
1000+2.35 грн
1500+2.16 грн
3000+1.90 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C302NT1G ntmfs4c302n-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 230A; Idm: 900A; 96W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 230A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 96W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJW18020G MJW18020.pdf
MJW18020G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 450V; 30A; 250W; TO247-3
Frequency: 13MHz
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 450V
Power dissipation: 250W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 14...34
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Collector current: 30A
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+513.90 грн
3+426.87 грн
5+395.84 грн
10+374.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJF18004G description MJF18004.PDF
MJF18004G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 450V; 5A; 35W; TO220FP
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 450V
Collector current: 5A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Current gain: 14...34
Frequency: 13MHz
на замовлення 56 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+170.70 грн
10+107.35 грн
50+87.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCS20092DMR2G ncs2009-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 350kHz; Ch: 2; 1.8÷5.5VDC; Micro8; 4mV
Operating temperature: -40...125°C
Case: Micro8
Type of integrated circuit: operational amplifier
Input offset current: 1pA
Input bias current: 1pA
Input offset voltage: 4mV
Slew rate: 0.15V/μs
Voltage supply range: 1.8...5.5V DC
Bandwidth: 350kHz
Kind of package: reel; tape
Number of channels: dual; 2
Mounting: SMT
Integrated circuit features: low power; rail-to-rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCS20092DR2G ncs2009-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 350kHz; Ch: 2; 1.8÷5.5VDC; SO8; 4mV
Operating temperature: -40...125°C
Case: SO8
Type of integrated circuit: operational amplifier
Input offset current: 1pA
Input bias current: 1pA
Input offset voltage: 4mV
Slew rate: 0.15V/μs
Voltage supply range: 1.8...5.5V DC
Bandwidth: 350kHz
Kind of package: reel; tape
Number of channels: dual; 2
Mounting: SMT
Integrated circuit features: low power; rail-to-rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCS20092DTBR2G ncs2009-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 350kHz; Ch: 2; 1.8÷5.5VDC; TSSOP8; 4mV
Operating temperature: -40...125°C
Case: TSSOP8
Type of integrated circuit: operational amplifier
Input offset current: 1pA
Input bias current: 1pA
Input offset voltage: 4mV
Slew rate: 0.15V/μs
Voltage supply range: 1.8...5.5V DC
Bandwidth: 350kHz
Kind of package: reel; tape
Number of channels: dual; 2
Mounting: SMT
Integrated circuit features: low power; rail-to-rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LE25U20AMB-AH LE25U20AMB-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 2MbFLASH; Flash: 256kx8bit; 30MHz; 2.3÷3.6V
Operating voltage: 2.3...3.6V
Mounting: SMD
Case: SOIC8
Operating temperature: -40...85°C
Kind of memory: NOR
Flash memory organisation: 256kx8bit
Type of integrated circuit: FLASH memory
Memory: 2Mb FLASH
Operating frequency: 30MHz
Kind of interface: serial
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LE25U20AQGTXG LE25U20AQG-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 2MbFLASH; Flash: 256kx8bit; 30MHz; 2.3÷3.6V
Operating voltage: 2.3...3.6V
Mounting: SMD
Case: WDFN8
Operating temperature: -40...85°C
Kind of memory: NOR
Flash memory organisation: 256kx8bit
Type of integrated circuit: FLASH memory
Memory: 2Mb FLASH
Operating frequency: 30MHz
Kind of interface: serial
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FSQ0765RSUDTU fsq0765rs-d.pdf FAIRS29178-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FSQ0765RSUDTU
Виробник: ONSEMI
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller,resonant mode controller; 2.28A; 650V
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller; resonant mode controller
Output current: 2.28A
Output voltage: 650V
Frequency: 66.7kHz
Number of channels: 1
Case: TO220-6
Mounting: THT
Operating temperature: -25...85°C
Topology: flyback
Input voltage: 85...265V
On-state resistance: 1.6Ω
Power: 70W
Operating voltage: 8...19V DC
на замовлення 308 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+175.21 грн
5+145.92 грн
25+129.15 грн
100+126.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 243 486 729 972 1215 1458 1701 1944 2187 2377 2378 2379 2380 2381 2382 2383 2384 2385 2386 2387 2430 2437  [ Наступна Сторінка >> ]