Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (144969) > Сторінка 2377 з 2417

Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 241 482 723 964 1205 1446 1687 1928 2169 2372 2373 2374 2375 2376 2377 2378 2379 2380 2381 2382 2410 2417  Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MM74HCT573WMX MM74HCT573WMX ONSEMI mm74hct573-d.pdf FAIRS38127-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Latches
Description: IC: digital; D latch; Ch: 8; TTL; 4.5÷5.5VDC; SMD; SO20; HCT; -40÷85°C
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: D latch
Number of channels: 8
Technology: TTL
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Mounting: SMD
Case: SO20
Operating temperature: -40...85°C
Family: HCT
Kind of output: 3-state
Kind of package: reel; tape
Quiescent current: 160µA
Manufacturer series: HCT
Trigger: level-triggered
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MM74HCT573MTC ONSEMI MM74HCT573-D.pdf Category: Latches
Description: IC: digital; 3-state,octal,D latch; Ch: 8; CMOS,TTL; 4.5÷5.5VDC
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; D latch; octal
Number of channels: 8
Technology: CMOS; TTL
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Mounting: SMD
Case: TSSOP20WB
Operating temperature: -55...125°C
Family: HCT
Kind of output: 3-state
Kind of package: tube
Manufacturer series: HCT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HCT573ADTR2G MC74HCT573ADTR2G ONSEMI mc74hct573a-d.pdf Category: Latches
Description: IC: digital; latch transparent; Ch: 8; CMOS,TTL; 4.5÷5.5VDC; SMD
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: latch transparent
Number of channels: 8
Technology: CMOS; TTL
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Mounting: SMD
Case: TSSOP20
Operating temperature: -55...125°C
Family: HCT
Kind of output: 3-state
Kind of package: reel; tape
Quiescent current: 160µA
Manufacturer series: HCT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MM74HCT573MTCX ONSEMI MM74HCT573-D.pdf Category: Latches
Description: IC: digital; 3-state,octal,D latch; Ch: 8; CMOS,TTL; 4.5÷5.5VDC
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; D latch; octal
Number of channels: 8
Technology: CMOS; TTL
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Mounting: SMD
Case: SO20WB
Operating temperature: -55...125°C
Family: HCT
Kind of output: 3-state
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: HCT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
4N26SR2M 4N26SR2M ONSEMI 4N28SM.pdf 4N26SR2M.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 7.5kV; Uce: 30V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 7.5kV
Collector-emitter voltage: 30V
Case: Gull wing 6
CTR@If: 20%@10mA
Turn-on time: 2µs
Turn-off time: 2µs
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856BDW1T3G SBC856BDW1T3G ONSEMI bc856bdw1t1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5227BT1G MMSZ5227BT1G ONSEMI MMSZ52xxT1G.PDF Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 3.6V; SMD; reel,tape; SOD123; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 3.6V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Case: SOD123
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: MMSZ52xxB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SZMMSZ5227BT1G ONSEMI MMSZ52xxT1G.PDF Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 3.6V; SMD; reel,tape; SOD123; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 3.6V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Case: SOD123
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: MMSZ52xxB
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES2B ES2B ONSEMI es2d-d.pdf es2a.pdf FAIRS47395-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw ES2_1.pdf ES2A SERIES_L2102.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 2A; 20ns; SMB; Ufmax: 0.9V; Ifsm: 50A
Reverse recovery time: 20ns
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 50A
Max. forward voltage: 0.9V
Power dissipation: 1.66W
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 2A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.35mA
Case: SMB
Capacitance: 18pF
Type of diode: rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC858ALT1G BC858ALT1G ONSEMI BC856_7_8.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
Current gain: 125...250
Kind of package: reel; tape
на замовлення 4133 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
63+7.10 грн
107+3.87 грн
187+2.21 грн
500+1.56 грн
1000+1.36 грн
3000+1.13 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858AWT1G ONSEMI BC856BWT1-D.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
Current gain: 125...250
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR360G MBR360G ONSEMI MBR360RLG.PDF Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 60V; 3A; DO201AD; Ufmax: 1.08V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1.08V
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: bulk
на замовлення 434 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+40.80 грн
14+29.48 грн
16+25.86 грн
50+19.27 грн
100+17.05 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF02S DF02S ONSEMI DF02S.pdf Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 200V; If: 1.5A; Ifsm: 50A; SDIP 4L
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1.5A
Case: SDIP 4L
Electrical mounting: SMT
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1472 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+62.09 грн
12+34.43 грн
50+27.26 грн
100+24.71 грн
200+22.32 грн
250+21.66 грн
500+19.44 грн
1000+17.54 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MM74HCT138MX MM74HCT138MX ONSEMI MM74HCT138-D.PDF Category: Decoders, multiplexers, switches
Description: IC: digital; 3 to 8 line,line decoder; Ch: 1; IN: 3; CMOS; SMD; SO16
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3 to 8 line; line decoder
Number of channels: 1
Number of inputs: 3
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SO16
Manufacturer series: HCT
Family: HCT
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Kind of package: reel; tape
Quiescent current: 160µA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HCT138ADR2G MC74HCT138ADR2G ONSEMI MC74HCT138A-D.pdf Category: Decoders, multiplexers, switches
Description: IC: digital; decoder,demultiplexer; Ch: 1; IN: 6; CMOS,TTL; SMD; HCT
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: decoder; demultiplexer
Number of inputs: 6
Mounting: SMD
Case: SOIC16
Family: HCT
Operating temperature: -55...125°C
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 1
Supply voltage: 2...6V DC
Manufacturer series: HCT
Technology: CMOS; TTL
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HCT138ADTR2G MC74HCT138ADTR2G ONSEMI MC74HCT138A-D.pdf Category: Decoders, multiplexers, switches
Description: IC: digital; decoder,demultiplexer; Ch: 1; IN: 6; CMOS,TTL; SMD; HCT
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: decoder; demultiplexer
Number of inputs: 6
Mounting: SMD
Case: TSSOP16
Family: HCT
Operating temperature: -55...125°C
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 1
Supply voltage: 2...6V DC
Manufacturer series: HCT
Technology: CMOS; TTL
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MM74HCT138M MM74HCT138M ONSEMI ONSM-S-A0003587563-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Decoders, multiplexers, switches
Description: IC: digital; 3 to 8 line,line decoder; Ch: 1; IN: 3; TTL; SMD; SO16
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3 to 8 line; line decoder
Number of channels: 1
Number of inputs: 3
Technology: TTL
Mounting: SMD
Case: SO16
Manufacturer series: HCT
Family: HCT
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6375 FDS6375 ONSEMI FDS6375.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
Gate charge: 36nC
On-state resistance: 39mΩ
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
на замовлення 758 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+71.84 грн
8+56.17 грн
10+49.25 грн
50+35.00 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSR20F40NXT5G ONSEMI nsr20f40-d.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; 0603; SMD; 40V; 2A; reel,tape
Mounting: SMD
Load current: 2A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying
Case - inch: 0603
Case - mm: 1608
Max. forward impulse current: 28A
Max. forward voltage: 0.55V
Max. off-state voltage: 40V
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+42.57 грн
14+30.31 грн
17+25.53 грн
25+20.10 грн
100+17.21 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC634P FDC634P ONSEMI FDC634P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.13Ω
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.5A
Gate charge: 10nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV20200LT1G ONSEMI nss20200l-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 20V; 2A; 0.71W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Frequency: 100MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.71W
Collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 20V
Current gain: 250
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV20200DMTWTBG ONSEMI nss20200dmt-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 20V; 2A; 2.1W; WDFN6
Mounting: SMD
Case: WDFN6
Frequency: 155MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP x2
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2.1W
Collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 20V
Current gain: 100
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C27LT1G BZX84C27LT1G ONSEMI BZX84B_BZX84C.PDF Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.3W; 27V; SMD; SOT23; single diode; reel,tape; BZX84C
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.3W
Zener voltage: 27V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOT23
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: BZX84C
на замовлення 2455 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
72+6.21 грн
125+3.29 грн
248+1.66 грн
500+1.31 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G ONSEMI MUN5211DW1.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 60
на замовлення 23555 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+9.76 грн
57+7.25 грн
65+6.34 грн
112+3.71 грн
500+2.70 грн
1000+2.39 грн
1500+2.24 грн
3000+2.03 грн
6000+1.87 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5211DW1T1G SMUN5211DW1T1G ONSEMI dtc114ed-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; R1: 10kΩ; R2: 10kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 10kΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BS BC847BS ONSEMI BC847BS-FAI-DTE.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 45V; 0.1A; 0.21W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.21W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S3M S3M ONSEMI S3A.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 3A; 2.5us; SMC; Ufmax: 1.2V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Reverse recovery time: 2.5µs
Semiconductor structure: single diode
Case: SMC
Max. forward voltage: 1.2V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 60pF
Power dissipation: 2.6W
на замовлення 2027 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+32.82 грн
19+21.74 грн
50+16.80 грн
100+15.07 грн
250+13.01 грн
500+11.69 грн
1000+11.37 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NRVS3MB ONSEMI s3mb-d.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1000V; 3A; 1.5us; SMC; Ufmax: 1.15V; Ifsm: 80A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Case: SMC
Max. forward voltage: 1.15V
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: reel; tape
Reverse recovery time: 1.5µs
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FXLA104UMX ONSEMI FXLA104UM12X.pdf Category: Level translators
Description: IC: digital; Ch: 4; 1.1÷3.6VDC; SMD; UMLP16; -40÷85°C; reel,tape
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; bidirectional; logic level voltage translator; non-inverting
Number of channels: 4
Supply voltage: 1.1...3.6V DC
Mounting: SMD
Case: UMLP16
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Number of inputs: 4
Number of outputs: 4
Integrated circuit features: auto-direction sensing
Frequency: 140MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935A FDS4935A ONSEMI FDS4935A.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+106.43 грн
6+77.91 грн
10+67.37 грн
50+47.19 грн
100+40.93 грн
125+39.28 грн
500+37.47 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX79C9V1-T50A ONSEMI BZX79C.PDF Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 9.1V; Ammo Pack; CASE017AG; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 9.1V
Case: CASE017AG
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: Ammo Pack
Manufacturer series: BZX79C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2V7002KT1G 2V7002KT1G ONSEMI 2N7002K-D.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.3A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
на замовлення 5567 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
39+11.53 грн
56+7.41 грн
78+5.30 грн
100+4.53 грн
500+3.06 грн
1000+2.78 грн
1500+2.59 грн
3000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT1G NTJD5121NT1G ONSEMI NTJD5121N_NVJD5121N.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.295A; 0.25W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.295A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 15197 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
28+15.96 грн
38+10.87 грн
47+8.83 грн
55+7.51 грн
100+6.40 грн
250+5.26 грн
500+4.59 грн
1000+4.04 грн
3000+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74ACT244DTR2G MC74ACT244DTR2G ONSEMI mc74ac244-d.pdf Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer,non-inverting,line driver; Ch: 8; CMOS; SMD
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: buffer; line driver; non-inverting
Case: TSSOP20
Operating temperature: -40...85°C
Technology: CMOS
Number of channels: 8
Mounting: SMD
Supply voltage: 2...6V DC
Manufacturer series: ACT
Kind of output: 3-state
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74ACT244DWR2G ONSEMI MC74AC244-D.pdf Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; 3-state,buffer,octal,line driver; Ch: 8; TTL; SMD
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; buffer; line driver; octal
Case: SOIC20
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Technology: TTL
Family: ACT
Number of channels: 8
Mounting: SMD
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Manufacturer series: ACT
Kind of output: 3-state
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PZTA28 PZTA28 ONSEMI PZTA28.pdf Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 0.8A; 1W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 125MHz
Kind of transistor: Darlington
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PZTA29 PZTA29 ONSEMI PZTA29.pdf Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 0.8A; 1W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 125MHz
Kind of transistor: Darlington
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SZMMSZ5245BT1G SZMMSZ5245BT1G ONSEMI MMSZ52xxT1G.PDF Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 15V; SMD; SOD123; reel,tape; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 15V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOD123
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: MMSZ52xxB
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC14016BDR2G ONSEMI mc14016b-d.pdf Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: analog switch; demultiplexer,multiplexer; SPST-NO; Ch: 4; 30uA
Type of integrated circuit: analog switch
Kind of integrated circuit: demultiplexer; multiplexer
Number of channels: 4
Case: SOIC14
Supply voltage: 3...18V
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...125°C
Quiescent current: 30µA
Output configuration: SPST-NO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSR20F30NXT5G ONSEMI NSR20F30NXT5G.PDF Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DSN0603-2; SMD; 30V; 2A; reel,tape
Case: DSN0603-2
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 0.48V
Load current: 2A
Max. load current: 4A
Max. off-state voltage: 30V
Max. forward impulse current: 28A
на замовлення 835 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+40.80 грн
18+23.88 грн
50+17.79 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSR20F20NXT5G ONSEMI nsr20f20-d.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DSN0603-2; SMD; 20V; 2A; reel,tape
Case: DSN0603-2
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Mounting: SMD
Load current: 2A
Max. forward voltage: 0.45V
Max. off-state voltage: 20V
Max. load current: 4A
Max. forward impulse current: 28A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSR2030QMUTWG ONSEMI NSR2030QMU.PDF Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 30V; If: 2A; Ifsm: 12.5A
Electrical mounting: SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Case: uDFN4
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: Schottky
Load current: 2A
Max. forward voltage: 0.65V
Max. off-state voltage: 30V
Max. forward impulse current: 12.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJW0281G NJW0281G ONSEMI NJW0281_NJW0302.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 15A; 150W; TO3P
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 15A
Power dissipation: 150W
Case: TO3P
Current gain: 75...150
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
Application: automotive industry
на замовлення 318 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+216.60 грн
10+163.07 грн
20+141.66 грн
30+134.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MM3Z8V2B ONSEMI MM3Z9V1B.PDF Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.2W; 8.2V; SMD; SOD323F; reel,tape; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.2W
Zener voltage: 8.2V
Mounting: SMD
Tolerance: ±2%
Case: SOD323F
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: MM3ZxxB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS016N06CT1G ONSEMI nvmfs016n06c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 33A; Idm: 226A; 18W; DFNW5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 33A
Power dissipation: 18W
Case: DFNW5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 226A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65UPD ONSEMI fgh75t65upd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 385nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65UPD-F085 ONSEMI FGH75T65UP_F085-D.PDF Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 385nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65UPD-F155 ONSEMI FGH75T65UPD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 385nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL75T65MQDT ONSEMI fghl75t65mqdt-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL75T65LQDT ONSEMI fghl75t65lqdt-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 234W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 234W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 793nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL75T65MQD ONSEMI fghl75t65mqd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7P20 FQPF7P20 ONSEMI FQPF7P20-D.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.3A; Idm: -20.8A; 45W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -3.3A
Pulsed drain current: -20.8A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N90 FQPF5N90 ONSEMI fqpf5n90-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.9A; Idm: 12A; 51W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.9A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 51W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N80 FQPF2N80 ONSEMI fqpf2n80-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 950mA; Idm: 6A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 0.95A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N40 FQPF5N40 ONSEMI fqpf5n40-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.9A; Idm: 12A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.9A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF13N06L FQPF13N06L ONSEMI fqpf13n06l-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.1A; Idm: 40A; 24W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.1A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 24W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF16N25C FQPF16N25C ONSEMI fqp16n25c-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 9.8A; Idm: 62.4A; 43W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 9.8A
Pulsed drain current: 62.4A
Power dissipation: 43W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 53.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF19N20 FQPF19N20 ONSEMI FAIRS45975-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 7.5A; Idm: 48A; 50W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 7.5A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 50W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF45N15V2 FQPF45N15V2 ONSEMI fqpf45n15v2-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 31A; Idm: 180A; 66W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 31A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 66W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N80CT FQPF6N80CT ONSEMI fqpf6n80c-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; Idm: 22A; 51W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 51W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MM74HCT573WMX mm74hct573-d.pdf FAIRS38127-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Category: Latches
Description: IC: digital; D latch; Ch: 8; TTL; 4.5÷5.5VDC; SMD; SO20; HCT; -40÷85°C
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: D latch
Number of channels: 8
Technology: TTL
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Mounting: SMD
Case: SO20
Operating temperature: -40...85°C
Family: HCT
Kind of output: 3-state
Kind of package: reel; tape
Quiescent current: 160µA
Manufacturer series: HCT
Trigger: level-triggered
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MM74HCT573MTC MM74HCT573-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Latches
Description: IC: digital; 3-state,octal,D latch; Ch: 8; CMOS,TTL; 4.5÷5.5VDC
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; D latch; octal
Number of channels: 8
Technology: CMOS; TTL
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Mounting: SMD
Case: TSSOP20WB
Operating temperature: -55...125°C
Family: HCT
Kind of output: 3-state
Kind of package: tube
Manufacturer series: HCT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HCT573ADTR2G mc74hct573a-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Latches
Description: IC: digital; latch transparent; Ch: 8; CMOS,TTL; 4.5÷5.5VDC; SMD
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: latch transparent
Number of channels: 8
Technology: CMOS; TTL
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Mounting: SMD
Case: TSSOP20
Operating temperature: -55...125°C
Family: HCT
Kind of output: 3-state
Kind of package: reel; tape
Quiescent current: 160µA
Manufacturer series: HCT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MM74HCT573MTCX MM74HCT573-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Latches
Description: IC: digital; 3-state,octal,D latch; Ch: 8; CMOS,TTL; 4.5÷5.5VDC
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; D latch; octal
Number of channels: 8
Technology: CMOS; TTL
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Mounting: SMD
Case: SO20WB
Operating temperature: -55...125°C
Family: HCT
Kind of output: 3-state
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: HCT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
4N26SR2M 4N28SM.pdf 4N26SR2M.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 7.5kV; Uce: 30V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 7.5kV
Collector-emitter voltage: 30V
Case: Gull wing 6
CTR@If: 20%@10mA
Turn-on time: 2µs
Turn-off time: 2µs
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856BDW1T3G bc856bdw1t1-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5227BT1G MMSZ52xxT1G.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 3.6V; SMD; reel,tape; SOD123; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 3.6V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Case: SOD123
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: MMSZ52xxB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SZMMSZ5227BT1G MMSZ52xxT1G.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 3.6V; SMD; reel,tape; SOD123; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 3.6V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Case: SOD123
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: MMSZ52xxB
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES2B es2d-d.pdf es2a.pdf FAIRS47395-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw ES2_1.pdf ES2A SERIES_L2102.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 2A; 20ns; SMB; Ufmax: 0.9V; Ifsm: 50A
Reverse recovery time: 20ns
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 50A
Max. forward voltage: 0.9V
Power dissipation: 1.66W
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 2A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.35mA
Case: SMB
Capacitance: 18pF
Type of diode: rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC858ALT1G BC856_7_8.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
Current gain: 125...250
Kind of package: reel; tape
на замовлення 4133 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
63+7.10 грн
107+3.87 грн
187+2.21 грн
500+1.56 грн
1000+1.36 грн
3000+1.13 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858AWT1G BC856BWT1-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
Current gain: 125...250
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR360G MBR360RLG.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 60V; 3A; DO201AD; Ufmax: 1.08V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1.08V
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: bulk
на замовлення 434 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+40.80 грн
14+29.48 грн
16+25.86 грн
50+19.27 грн
100+17.05 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF02S DF02S.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 200V; If: 1.5A; Ifsm: 50A; SDIP 4L
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1.5A
Case: SDIP 4L
Electrical mounting: SMT
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1472 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+62.09 грн
12+34.43 грн
50+27.26 грн
100+24.71 грн
200+22.32 грн
250+21.66 грн
500+19.44 грн
1000+17.54 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MM74HCT138MX MM74HCT138-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: Decoders, multiplexers, switches
Description: IC: digital; 3 to 8 line,line decoder; Ch: 1; IN: 3; CMOS; SMD; SO16
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3 to 8 line; line decoder
Number of channels: 1
Number of inputs: 3
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SO16
Manufacturer series: HCT
Family: HCT
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Kind of package: reel; tape
Quiescent current: 160µA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HCT138ADR2G MC74HCT138A-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Decoders, multiplexers, switches
Description: IC: digital; decoder,demultiplexer; Ch: 1; IN: 6; CMOS,TTL; SMD; HCT
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: decoder; demultiplexer
Number of inputs: 6
Mounting: SMD
Case: SOIC16
Family: HCT
Operating temperature: -55...125°C
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 1
Supply voltage: 2...6V DC
Manufacturer series: HCT
Technology: CMOS; TTL
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HCT138ADTR2G MC74HCT138A-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Decoders, multiplexers, switches
Description: IC: digital; decoder,demultiplexer; Ch: 1; IN: 6; CMOS,TTL; SMD; HCT
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: decoder; demultiplexer
Number of inputs: 6
Mounting: SMD
Case: TSSOP16
Family: HCT
Operating temperature: -55...125°C
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 1
Supply voltage: 2...6V DC
Manufacturer series: HCT
Technology: CMOS; TTL
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MM74HCT138M ONSM-S-A0003587563-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Category: Decoders, multiplexers, switches
Description: IC: digital; 3 to 8 line,line decoder; Ch: 1; IN: 3; TTL; SMD; SO16
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3 to 8 line; line decoder
Number of channels: 1
Number of inputs: 3
Technology: TTL
Mounting: SMD
Case: SO16
Manufacturer series: HCT
Family: HCT
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6375 FDS6375.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
Gate charge: 36nC
On-state resistance: 39mΩ
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
на замовлення 758 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+71.84 грн
8+56.17 грн
10+49.25 грн
50+35.00 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSR20F40NXT5G nsr20f40-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; 0603; SMD; 40V; 2A; reel,tape
Mounting: SMD
Load current: 2A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying
Case - inch: 0603
Case - mm: 1608
Max. forward impulse current: 28A
Max. forward voltage: 0.55V
Max. off-state voltage: 40V
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+42.57 грн
14+30.31 грн
17+25.53 грн
25+20.10 грн
100+17.21 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC634P FDC634P.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.13Ω
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.5A
Gate charge: 10nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV20200LT1G nss20200l-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 20V; 2A; 0.71W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Frequency: 100MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.71W
Collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 20V
Current gain: 250
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV20200DMTWTBG nss20200dmt-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 20V; 2A; 2.1W; WDFN6
Mounting: SMD
Case: WDFN6
Frequency: 155MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP x2
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2.1W
Collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 20V
Current gain: 100
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C27LT1G BZX84B_BZX84C.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.3W; 27V; SMD; SOT23; single diode; reel,tape; BZX84C
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.3W
Zener voltage: 27V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOT23
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: BZX84C
на замовлення 2455 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
72+6.21 грн
125+3.29 грн
248+1.66 грн
500+1.31 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 60
на замовлення 23555 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
46+9.76 грн
57+7.25 грн
65+6.34 грн
112+3.71 грн
500+2.70 грн
1000+2.39 грн
1500+2.24 грн
3000+2.03 грн
6000+1.87 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5211DW1T1G dtc114ed-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; R1: 10kΩ; R2: 10kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 10kΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BS BC847BS-FAI-DTE.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 45V; 0.1A; 0.21W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.21W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S3M S3A.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 3A; 2.5us; SMC; Ufmax: 1.2V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Reverse recovery time: 2.5µs
Semiconductor structure: single diode
Case: SMC
Max. forward voltage: 1.2V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 60pF
Power dissipation: 2.6W
на замовлення 2027 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+32.82 грн
19+21.74 грн
50+16.80 грн
100+15.07 грн
250+13.01 грн
500+11.69 грн
1000+11.37 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NRVS3MB s3mb-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1000V; 3A; 1.5us; SMC; Ufmax: 1.15V; Ifsm: 80A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Case: SMC
Max. forward voltage: 1.15V
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: reel; tape
Reverse recovery time: 1.5µs
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FXLA104UMX FXLA104UM12X.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Level translators
Description: IC: digital; Ch: 4; 1.1÷3.6VDC; SMD; UMLP16; -40÷85°C; reel,tape
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; bidirectional; logic level voltage translator; non-inverting
Number of channels: 4
Supply voltage: 1.1...3.6V DC
Mounting: SMD
Case: UMLP16
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Number of inputs: 4
Number of outputs: 4
Integrated circuit features: auto-direction sensing
Frequency: 140MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935A FDS4935A.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+106.43 грн
6+77.91 грн
10+67.37 грн
50+47.19 грн
100+40.93 грн
125+39.28 грн
500+37.47 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX79C9V1-T50A BZX79C.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 9.1V; Ammo Pack; CASE017AG; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 9.1V
Case: CASE017AG
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: Ammo Pack
Manufacturer series: BZX79C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2V7002KT1G 2N7002K-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.3A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
на замовлення 5567 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
39+11.53 грн
56+7.41 грн
78+5.30 грн
100+4.53 грн
500+3.06 грн
1000+2.78 грн
1500+2.59 грн
3000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT1G NTJD5121N_NVJD5121N.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.295A; 0.25W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.295A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 15197 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
28+15.96 грн
38+10.87 грн
47+8.83 грн
55+7.51 грн
100+6.40 грн
250+5.26 грн
500+4.59 грн
1000+4.04 грн
3000+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74ACT244DTR2G mc74ac244-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer,non-inverting,line driver; Ch: 8; CMOS; SMD
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: buffer; line driver; non-inverting
Case: TSSOP20
Operating temperature: -40...85°C
Technology: CMOS
Number of channels: 8
Mounting: SMD
Supply voltage: 2...6V DC
Manufacturer series: ACT
Kind of output: 3-state
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74ACT244DWR2G MC74AC244-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; 3-state,buffer,octal,line driver; Ch: 8; TTL; SMD
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; buffer; line driver; octal
Case: SOIC20
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Technology: TTL
Family: ACT
Number of channels: 8
Mounting: SMD
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Manufacturer series: ACT
Kind of output: 3-state
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PZTA28 PZTA28.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 0.8A; 1W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 125MHz
Kind of transistor: Darlington
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PZTA29 PZTA29.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 0.8A; 1W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 125MHz
Kind of transistor: Darlington
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SZMMSZ5245BT1G MMSZ52xxT1G.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 15V; SMD; SOD123; reel,tape; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 15V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOD123
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: MMSZ52xxB
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC14016BDR2G mc14016b-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: analog switch; demultiplexer,multiplexer; SPST-NO; Ch: 4; 30uA
Type of integrated circuit: analog switch
Kind of integrated circuit: demultiplexer; multiplexer
Number of channels: 4
Case: SOIC14
Supply voltage: 3...18V
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...125°C
Quiescent current: 30µA
Output configuration: SPST-NO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSR20F30NXT5G NSR20F30NXT5G.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DSN0603-2; SMD; 30V; 2A; reel,tape
Case: DSN0603-2
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 0.48V
Load current: 2A
Max. load current: 4A
Max. off-state voltage: 30V
Max. forward impulse current: 28A
на замовлення 835 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+40.80 грн
18+23.88 грн
50+17.79 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSR20F20NXT5G nsr20f20-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DSN0603-2; SMD; 20V; 2A; reel,tape
Case: DSN0603-2
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Mounting: SMD
Load current: 2A
Max. forward voltage: 0.45V
Max. off-state voltage: 20V
Max. load current: 4A
Max. forward impulse current: 28A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSR2030QMUTWG NSR2030QMU.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 30V; If: 2A; Ifsm: 12.5A
Electrical mounting: SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Case: uDFN4
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: Schottky
Load current: 2A
Max. forward voltage: 0.65V
Max. off-state voltage: 30V
Max. forward impulse current: 12.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJW0281G NJW0281_NJW0302.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 15A; 150W; TO3P
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 15A
Power dissipation: 150W
Case: TO3P
Current gain: 75...150
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
Application: automotive industry
на замовлення 318 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+216.60 грн
10+163.07 грн
20+141.66 грн
30+134.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MM3Z8V2B MM3Z9V1B.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.2W; 8.2V; SMD; SOD323F; reel,tape; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.2W
Zener voltage: 8.2V
Mounting: SMD
Tolerance: ±2%
Case: SOD323F
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: MM3ZxxB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS016N06CT1G nvmfs016n06c-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 33A; Idm: 226A; 18W; DFNW5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 33A
Power dissipation: 18W
Case: DFNW5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 226A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65UPD fgh75t65upd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 385nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65UPD-F085 FGH75T65UP_F085-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 385nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65UPD-F155 FGH75T65UPD.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 385nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL75T65MQDT fghl75t65mqdt-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL75T65LQDT fghl75t65lqdt-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 234W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 234W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 793nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL75T65MQD fghl75t65mqd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7P20 FQPF7P20-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.3A; Idm: -20.8A; 45W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -3.3A
Pulsed drain current: -20.8A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N90 fqpf5n90-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.9A; Idm: 12A; 51W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.9A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 51W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N80 fqpf2n80-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 950mA; Idm: 6A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 0.95A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N40 fqpf5n40-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.9A; Idm: 12A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.9A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF13N06L fqpf13n06l-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.1A; Idm: 40A; 24W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.1A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 24W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF16N25C fqp16n25c-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 9.8A; Idm: 62.4A; 43W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 9.8A
Pulsed drain current: 62.4A
Power dissipation: 43W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 53.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF19N20 FAIRS45975-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 7.5A; Idm: 48A; 50W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 7.5A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 50W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF45N15V2 fqpf45n15v2-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 31A; Idm: 180A; 66W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 31A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 66W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N80CT fqpf6n80c-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; Idm: 22A; 51W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 51W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 241 482 723 964 1205 1446 1687 1928 2169 2372 2373 2374 2375 2376 2377 2378 2379 2380 2381 2382 2410 2417  Наступна Сторінка >> ]