Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (146206) > Сторінка 2423 з 2437

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 243 486 729 972 1215 1458 1701 1944 2187 2418 2419 2420 2421 2422 2423 2424 2425 2426 2427 2428 2430 2437  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDB0190N807L FDB0190N807L ONSEMI FDB0190N807L-D.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 190A; Idm: 1440A; 250W; D2PAK-6
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK-6
On-state resistance: 4.3mΩ
Pulsed drain current: 1.44kA
Power dissipation: 250W
Gate charge: 249nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 190A
Kind of channel: enhancement
на замовлення 778 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+433.52 грн
5+336.30 грн
10+298.56 грн
100+275.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL099N60S5 ONSEMI nthl099n60s5-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 33A; Idm: 95A; 184W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 33A
Power dissipation: 184W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 95A
Gate charge: 48nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT199N60 ONSEMI FCMT199N60-D.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; Idm: 60.6A; 208W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 208W
Case: Power88
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.199Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 60.6A
Gate charge: 57nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT299N60 ONSEMI FCMT299N60-D.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.9A; Idm: 36A; 125W; Power88
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.9A
Power dissipation: 125W
Case: Power88
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.299Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 36A
Gate charge: 51nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ177 MMBFJ177 ONSEMI MMBFJ17X-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 1.5mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: P-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 1.5mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
On-state resistance: 300Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
Gate-source voltage: 30V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0165N807L ONSEMI FDB0165N807L-D.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 310A; Idm: 1780A; 300W; D2PAK-7
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 1780A
Power dissipation: 300W
Gate charge: 217nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 310A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK-7
On-state resistance: 1.6mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF4416 MMBF4416 ONSEMI MMBF4416.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 5mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 5mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
на замовлення 1365 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
30+15.35 грн
40+10.48 грн
100+9.81 грн
500+8.55 грн
1000+7.72 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF4416A MMBF4416A ONSEMI MMBF4416A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 5mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 5mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -35V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
на замовлення 1486 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
36+12.64 грн
48+8.89 грн
100+8.30 грн
500+7.13 грн
1000+6.21 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8413DTRKG NCV8413DTRKG ONSEMI ncv8413-d.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; Ch: 1; N-Channel; SMD; DPAK; reel,tape
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: DPAK
On-state resistance: 37mΩ
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 42V
Active logical level: low
Kind of output: N-Channel
Operating temperature: -40...150°C
Integrated circuit features: thermal protection
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD6N50CTM FQD6N50CTM ONSEMI FQD6N50C-D.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.7A; Idm: 18A; 61W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 61W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP5501DT50RKG NCP5501DT50RKG ONSEMI NCP5500_1.PDF Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.5A; DPAK; SMD; ±4.9%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 0.23V
Output voltage: 5V
Output current: 0.5A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Tolerance: ±4.9%
Number of channels: 1
Input voltage: 6...16V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 146 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+54.19 грн
12+35.39 грн
25+32.20 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCP5501DT33RKG NCP5501DT33RKG ONSEMI NCP5500_1.PDF Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V; 0.5A; DPAK; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 0.23V
Output voltage: 3.3V
Output current: 0.5A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Tolerance: ±4.9%
Number of channels: 1
Input voltage: 4.3...16V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2758 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+44.25 грн
15+29.18 грн
25+25.49 грн
100+21.80 грн
250+20.38 грн
2500+18.53 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H800NLT1G NVMFS6H800NLT1G ONSEMI nvmfs6h800nl-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 224A; Idm: 900A; 107W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 224A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 107W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 112nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1266 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+355.85 грн
10+259.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C638NLT1G NVMFS5C638NLT1G ONSEMI nvmfs5c638nl-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 133A; Idm: 811A; 50W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 133A
Pulsed drain current: 811A
Power dissipation: 50W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1496 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+219.47 грн
10+132.51 грн
100+94.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C426NAFT1GNVMFS5C426NAFT1G
NVMFS5C426NAFT1GNVMFS5C426NAFT1G
 NVMFS5C426NAFT1G ONSEMI nvmfs5c426n-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 235A; Idm: 900A; 64W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 235A
Power dissipation: 64W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 900A
Gate charge: 65nC
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+301.66 грн
10+183.66 грн
100+135.02 грн
250+126.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C426NT1G NTMFS5C426NT1G ONSEMI ntmfs5c426n-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 235A; Idm: 900A; 64W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 235A
Power dissipation: 64W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 900A
Gate charge: 65nC
на замовлення 1437 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+93.03 грн
10+61.14 грн
100+48.89 грн
250+45.45 грн
500+41.93 грн
1000+40.93 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NRVB5100MFST1G ONSEMI mbr5100mfs-d.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN5; SMD; 100V; 5A; reel,tape
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 5A
Max. load current: 10A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: DFN5
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 75A
Max. forward voltage: 0.98V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRVTS1545EMFST1G ONSEMI nts1545emfs-d.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN5; SMD; 45V; 15A; reel,tape
Case: DFN5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 210A
Max. forward voltage: 0.6V
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 15A
Max. load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRVB10100MFST1G ONSEMI mbr10100mfs-d.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN5; SMD; 100V; 10A; reel,tape
Mounting: SMD
Max. load current: 20A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: DFN5
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 150A
Max. forward voltage: 0.95V
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRVTS30100MFST3G ONSEMI nrvts30100mfs-d.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN5; SMD; 100V; 30A; reel,tape
Mounting: SMD
Max. load current: 60A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: DFN5
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 350A
Max. forward voltage: 0.76V
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 30A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRVB440MFSWFT1G ONSEMI mbr440mfs-d.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN5; SMD; 40V; 4A; reel,tape
Case: DFN5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 40A
Max. forward voltage: 0.65V
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 4A
Max. load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRVB10100MFST3G ONSEMI mbr10100mfs-d.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN5; SMD; 100V; 10A; reel,tape
Mounting: SMD
Max. load current: 20A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: DFN5
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 150A
Max. forward voltage: 0.95V
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRVB1045MFST1G ONSEMI mbr1045mfs-d.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN5; SMD; 45V; 10A; reel,tape
Case: DFN5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 150A
Max. forward voltage: 0.75V
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 10A
Max. load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRVB1045MFST3G ONSEMI MBR1045MFS-D.PDF Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN5; SMD; 45V; 10A; reel,tape
Case: DFN5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 150A
Max. forward voltage: 0.75V
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 10A
Max. load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRVB2045EMFST1G ONSEMI mbr2045emfs-d.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN5; SMD; 45V; 20A; reel,tape
Case: DFN5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 0.4kA
Max. forward voltage: 0.64V
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 20A
Max. load current: 40A
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRVB2045EMFST3G ONSEMI mbr2045emfs-d.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN5; SMD; 45V; 20A; reel,tape
Case: DFN5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 0.4kA
Max. forward voltage: 0.64V
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 20A
Max. load current: 40A
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRVB30H100MFST1G ONSEMI mbr30h100mfs-d.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN5; SMD; 100V; 30A; reel,tape
Mounting: SMD
Max. load current: 60A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: DFN5
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 0.3kA
Max. forward voltage: 0.9V
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 30A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRVB30H100MFST3G ONSEMI mbr30h100mfs-d.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN5; SMD; 100V; 30A; reel,tape
Mounting: SMD
Max. load current: 60A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: DFN5
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 0.3kA
Max. forward voltage: 0.9V
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 30A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRVB440MFST1G ONSEMI mbr440mfs-d.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN5; SMD; 40V; 4A; reel,tape
Case: DFN5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 40A
Max. forward voltage: 0.65V
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 4A
Max. load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NRVB440MFSWFT3G ONSEMI mbr440mfs-d.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN5; SMD; 40V; 4A; reel,tape
Case: DFN5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 40A
Max. forward voltage: 0.65V
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 4A
Max. load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRVB460MFST1G ONSEMI mbr460mfs-d.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN5; SMD; 60V; 4A; reel,tape
Case: DFN5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 40A
Max. forward voltage: 0.74V
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 4A
Max. load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRVB860MFST1G ONSEMI MBR860MFS-D.PDF Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN5; SMD; 60V; 8A; reel,tape
Case: DFN5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 150A
Max. forward voltage: 0.8V
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 8A
Max. load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRVB860MFST3G ONSEMI MBR860MFS-D.PDF Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN5; SMD; 60V; 8A; reel,tape
Case: DFN5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 150A
Max. forward voltage: 0.8V
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 8A
Max. load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRVB8H100MFSWFT1G ONSEMI mbr8h100mfs-d.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN5; SMD; 100V; 8A; reel,tape
Mounting: SMD
Max. load current: 16A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: DFN5
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 75A
Max. forward voltage: 0.9V
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRVB8H100MFSWFT3G ONSEMI mbr8h100mfs-d.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN5; SMD; 100V; 8A; reel,tape
Mounting: SMD
Max. load current: 16A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: DFN5
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 75A
Max. forward voltage: 0.9V
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRVTS1045EMFST1G ONSEMI nts1045emfs-d.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN5; SMD; 45V; 10A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DFN5
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.6V
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 210A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRVTS1045EMFST3G ONSEMI nts1045emfs-d.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN5; SMD; 45V; 10A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DFN5
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.6V
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 210A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRVTS12100EMFST3G ONSEMI NTS12100EMFS-D.PDF Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN5; SMD; 100V; 12A; reel,tape
Case: DFN5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 200A
Max. forward voltage: 0.73V
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 12A
Max. load current: 24A
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N3773G 2N3773G ONSEMI 111421.pdf description Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 16A; 150W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 16A
Power dissipation: 150W
Case: TO3
Mounting: THT
Frequency: 200kHz
Kind of package: in-tray
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+504.87 грн
5+399.20 грн
10+381.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MC33078DG MC33078DG ONSEMI MC33078DG.PDF description Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 16MHz; Ch: 2; ±5÷18VDC,10÷36VDC; SO8
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 16MHz
Number of channels: dual; 2
Mounting: SMT
Voltage supply range: ± 5...18V DC; 10...36V DC
Case: SO8
Operating temperature: -40...85°C
Slew rate: 7V/μs
Input offset voltage: 3mV
Kind of package: tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5226A-4-TL-E 2SC5226A-4-TL-E ONSEMI 2SC5226A-D.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 10V; 0.07A; 0.15W; SC70
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 10V
Collector current: 70mA
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70
Current gain: 90...180
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 5...7GHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4148 1N4148 ONSEMI 1N91x_1N4x48.PDF Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 100V; 0.2A; Ifsm: 1A; DO35; bulk; Ufmax: 1V
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: small signal
Case: DO35
Kind of package: bulk
Max. forward voltage: 1V
Reverse recovery time: 4ns
Power dissipation: 0.5W
Capacitance: 4pF
Max. forward impulse current: 1A
на замовлення 6314 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
72+6.32 грн
162+2.60 грн
212+1.98 грн
500+1.55 грн
1000+1.38 грн
2000+1.22 грн
2500+1.17 грн
5000+1.00 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJF15031G MJF15031G ONSEMI MJF15031G.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 8A; 36W; TO220FP
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 8A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
Current gain: 40
на замовлення 242 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+187.86 грн
10+104.83 грн
20+95.61 грн
50+88.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTA4001NT1G NTA4001NT1G ONSEMI NTA4001N.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.238A; 0.3W; SC75; ESD
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Drain current: 0.238A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: reel; tape
Case: SC75
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVS4001NT1G ONSEMI nts4001n-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 270mA; Idm: 0.8A; 330mW; SC70
Case: SC70
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.33W
Gate charge: 0.9nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.27A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRA210LT3G MBRA210LT3G ONSEMI mbra210lt3-d.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 10V; 2A; reel,tape
Case: SMA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 160A
Max. forward voltage: 0.26V
Max. off-state voltage: 10V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 4761 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+57.80 грн
12+35.06 грн
50+24.07 грн
100+20.97 грн
250+18.03 грн
500+17.70 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CAT24S128C4UTR ONSEMI CAT24S128-D.pdf Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 128kbEEPROM; I2C; 16kx8bit; 1.7÷5.5V; 1MHz
Kind of package: reel; tape
Case: WLCSP4
Interface: I2C
Operating voltage: 1.7...5.5V
Kind of memory: EEPROM
Mounting: SMD
Access time: 400ns
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 1MHz
Memory: 128kb EEPROM
Kind of interface: serial
Memory organisation: 16kx8bit
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
H11F1M H11F1M ONSEMI H11F1M.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 7kV; Uce: 30V; DIP6
Mounting: THT
Manufacturer series: H11FXM
Collector-emitter voltage: 30V
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 7kV
Type of optocoupler: optocoupler
Turn-on time: 25µs
Case: DIP6
Turn-off time: 25µs
Number of channels: 1
на замовлення 348 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+96.64 грн
6+79.67 грн
10+58.71 грн
25+57.87 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
H11F3M H11F3M ONSEMI H11F3M.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: FET transistor; Uinsul: 7.5kV; Uce: 15V
Mounting: THT
Manufacturer series: H11FXM
Collector-emitter voltage: 15V
Kind of output: FET transistor
Insulation voltage: 7.5kV
Max. off-state voltage: 5V
Type of optocoupler: optocoupler
Turn-on time: 45µs
Case: DIP6
Turn-off time: 45µs
Number of channels: 1
на замовлення 699 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+289.91 грн
25+199.60 грн
50+180.31 грн
100+171.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
H11F1TVM ONSEMI h11f3m-d.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: FET transistor; Uinsul: 4.17kV; PDIP6
Mounting: THT
Manufacturer series: H11FXM
Collector-emitter voltage: 30V
Kind of output: FET transistor
Insulation voltage: 4.17kV
Max. off-state voltage: 5V
Type of optocoupler: optocoupler
Turn-on time: 45µs
Case: PDIP6
Turn-off time: 45µs
Number of channels: 1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EGP20J ONSEMI egp20k-d.pdf FAIRS45036-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 2A; Ifsm: 75A; DO15; reel,tape; 75ns
Case: DO15
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 75A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 75ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EGP20C ONSEMI FAIRS45036-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 150V; 2A; Ifsm: 75A; DO15; reel,tape; 50ns
Case: DO15
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 75A
Max. off-state voltage: 150V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 50ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EGP20D ONSEMI EGP20K-D.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 2A; Ifsm: 75A; DO15; reel,tape; 50ns
Case: DO15
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 75A
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 50ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC3508 ONSEMI GBPCxx.PDF Category: Square single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; Ufmax: 1.1V; If: 35A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 35A
Max. forward impulse current: 0.4kA
Version: square
Case: GBPC
Electrical mounting: THT
Leads: connectors FASTON
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC3508W ONSEMI GBPCxx.PDF Category: Square single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; Ufmax: 1.1V; If: 35A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 35A
Max. forward impulse current: 0.4kA
Version: square
Case: GBPC-W
Electrical mounting: THT
Leads: wire Ø 1.0mm
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3906DW1T1G MBT3906DW1T1G ONSEMI mbt3906.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 40V; 0.2A; 0.15W; SC70-6,SC88,SOT363
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 40V
Power dissipation: 0.15W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP x2
Current gain: 100...300
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Frequency: 250MHz
Collector current: 0.2A
на замовлення 18001 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+9.93 грн
76+5.54 грн
122+3.45 грн
500+2.59 грн
1000+2.32 грн
3000+1.97 грн
6000+1.79 грн
9000+1.69 грн
15000+1.60 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT3906DW1T1G SMBT3906DW1T1G ONSEMI mbt3906dw1t1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 40V; 0.2A; 0.15W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
Application: automotive industry
Current gain: 100...300
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74LVX132MX 74LVX132MX ONSEMI 74lvx132-d.pdf FAIRS26108-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NAND; Ch: 4; IN: 2; SMD; SO14; 2÷3.6VDC; -40÷85°C; 20uA
Mounting: SMD
Supply voltage: 2...3.6V DC
Kind of gate: NAND
Type of integrated circuit: digital
Operating temperature: -40...85°C
Quiescent current: 20µA
Kind of input: with Schmitt trigger
Number of inputs: 2
Kind of package: reel; tape
Case: SO14
Family: LVX
Number of channels: quad; 4
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5231DW1T1G MUN5231DW1T1G ONSEMI dtc123ed-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 385mW; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.385W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Current gain: 8...15
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC14050BDTR2G MC14050BDTR2G ONSEMI MC14049B-D.pdf Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer,hex; Ch: 6; IN: 1; CMOS; SMD; TSSOP16; -55÷125°C
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: buffer; hex
Number of channels: 6
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: TSSOP16
Operating temperature: -55...125°C
Supply voltage: 3...18V DC
Number of inputs: 1
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0190N807L FDB0190N807L-D.PDF
FDB0190N807L
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 190A; Idm: 1440A; 250W; D2PAK-6
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK-6
On-state resistance: 4.3mΩ
Pulsed drain current: 1.44kA
Power dissipation: 250W
Gate charge: 249nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 190A
Kind of channel: enhancement
на замовлення 778 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+433.52 грн
5+336.30 грн
10+298.56 грн
100+275.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL099N60S5 nthl099n60s5-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 33A; Idm: 95A; 184W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 33A
Power dissipation: 184W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 95A
Gate charge: 48nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT199N60 FCMT199N60-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; Idm: 60.6A; 208W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 208W
Case: Power88
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.199Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 60.6A
Gate charge: 57nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT299N60 FCMT299N60-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.9A; Idm: 36A; 125W; Power88
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.9A
Power dissipation: 125W
Case: Power88
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.299Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 36A
Gate charge: 51nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBFJ177 MMBFJ17X-DTE.pdf
MMBFJ177
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 1.5mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: P-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 1.5mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
On-state resistance: 300Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
Gate-source voltage: 30V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0165N807L FDB0165N807L-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 310A; Idm: 1780A; 300W; D2PAK-7
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 1780A
Power dissipation: 300W
Gate charge: 217nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 310A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK-7
On-state resistance: 1.6mΩ
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF4416 MMBF4416.pdf
MMBF4416
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 5mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 5mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
на замовлення 1365 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+15.35 грн
40+10.48 грн
100+9.81 грн
500+8.55 грн
1000+7.72 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF4416A MMBF4416A.pdf
MMBF4416A
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 5mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 5mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -35V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
на замовлення 1486 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
36+12.64 грн
48+8.89 грн
100+8.30 грн
500+7.13 грн
1000+6.21 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8413DTRKG ncv8413-d.pdf
NCV8413DTRKG
Виробник: ONSEMI
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; Ch: 1; N-Channel; SMD; DPAK; reel,tape
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: DPAK
On-state resistance: 37mΩ
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 42V
Active logical level: low
Kind of output: N-Channel
Operating temperature: -40...150°C
Integrated circuit features: thermal protection
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD6N50CTM FQD6N50C-D.pdf
FQD6N50CTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.7A; Idm: 18A; 61W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 61W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP5501DT50RKG NCP5500_1.PDF
NCP5501DT50RKG
Виробник: ONSEMI
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.5A; DPAK; SMD; ±4.9%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 0.23V
Output voltage: 5V
Output current: 0.5A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Tolerance: ±4.9%
Number of channels: 1
Input voltage: 6...16V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 146 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+54.19 грн
12+35.39 грн
25+32.20 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCP5501DT33RKG NCP5500_1.PDF
NCP5501DT33RKG
Виробник: ONSEMI
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V; 0.5A; DPAK; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 0.23V
Output voltage: 3.3V
Output current: 0.5A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Tolerance: ±4.9%
Number of channels: 1
Input voltage: 4.3...16V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2758 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+44.25 грн
15+29.18 грн
25+25.49 грн
100+21.80 грн
250+20.38 грн
2500+18.53 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H800NLT1G nvmfs6h800nl-d.pdf
NVMFS6H800NLT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 224A; Idm: 900A; 107W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 224A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 107W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 112nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1266 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+355.85 грн
10+259.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C638NLT1G nvmfs5c638nl-d.pdf
NVMFS5C638NLT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 133A; Idm: 811A; 50W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 133A
Pulsed drain current: 811A
Power dissipation: 50W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1496 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+219.47 грн
10+132.51 грн
100+94.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C426NAFT1G nvmfs5c426n-d.pdf
NVMFS5C426NAFT1GNVMFS5C426NAFT1G
NVMFS5C426NAFT1GNVMFS5C426NAFT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 235A; Idm: 900A; 64W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 235A
Power dissipation: 64W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 900A
Gate charge: 65nC
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+301.66 грн
10+183.66 грн
100+135.02 грн
250+126.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C426NT1G ntmfs5c426n-d.pdf
NTMFS5C426NT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 235A; Idm: 900A; 64W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 235A
Power dissipation: 64W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 900A
Gate charge: 65nC
на замовлення 1437 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+93.03 грн
10+61.14 грн
100+48.89 грн
250+45.45 грн
500+41.93 грн
1000+40.93 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NRVB5100MFST1G mbr5100mfs-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN5; SMD; 100V; 5A; reel,tape
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 5A
Max. load current: 10A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: DFN5
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 75A
Max. forward voltage: 0.98V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRVTS1545EMFST1G nts1545emfs-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN5; SMD; 45V; 15A; reel,tape
Case: DFN5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 210A
Max. forward voltage: 0.6V
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 15A
Max. load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRVB10100MFST1G mbr10100mfs-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN5; SMD; 100V; 10A; reel,tape
Mounting: SMD
Max. load current: 20A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: DFN5
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 150A
Max. forward voltage: 0.95V
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRVTS30100MFST3G nrvts30100mfs-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN5; SMD; 100V; 30A; reel,tape
Mounting: SMD
Max. load current: 60A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: DFN5
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 350A
Max. forward voltage: 0.76V
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 30A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRVB440MFSWFT1G mbr440mfs-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN5; SMD; 40V; 4A; reel,tape
Case: DFN5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 40A
Max. forward voltage: 0.65V
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 4A
Max. load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRVB10100MFST3G mbr10100mfs-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN5; SMD; 100V; 10A; reel,tape
Mounting: SMD
Max. load current: 20A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: DFN5
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 150A
Max. forward voltage: 0.95V
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRVB1045MFST1G mbr1045mfs-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN5; SMD; 45V; 10A; reel,tape
Case: DFN5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 150A
Max. forward voltage: 0.75V
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 10A
Max. load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRVB1045MFST3G MBR1045MFS-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN5; SMD; 45V; 10A; reel,tape
Case: DFN5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 150A
Max. forward voltage: 0.75V
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 10A
Max. load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRVB2045EMFST1G mbr2045emfs-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN5; SMD; 45V; 20A; reel,tape
Case: DFN5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 0.4kA
Max. forward voltage: 0.64V
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 20A
Max. load current: 40A
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRVB2045EMFST3G mbr2045emfs-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN5; SMD; 45V; 20A; reel,tape
Case: DFN5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 0.4kA
Max. forward voltage: 0.64V
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 20A
Max. load current: 40A
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRVB30H100MFST1G mbr30h100mfs-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN5; SMD; 100V; 30A; reel,tape
Mounting: SMD
Max. load current: 60A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: DFN5
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 0.3kA
Max. forward voltage: 0.9V
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 30A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRVB30H100MFST3G mbr30h100mfs-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN5; SMD; 100V; 30A; reel,tape
Mounting: SMD
Max. load current: 60A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: DFN5
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 0.3kA
Max. forward voltage: 0.9V
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 30A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRVB440MFST1G mbr440mfs-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN5; SMD; 40V; 4A; reel,tape
Case: DFN5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 40A
Max. forward voltage: 0.65V
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 4A
Max. load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NRVB440MFSWFT3G mbr440mfs-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN5; SMD; 40V; 4A; reel,tape
Case: DFN5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 40A
Max. forward voltage: 0.65V
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 4A
Max. load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRVB460MFST1G mbr460mfs-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN5; SMD; 60V; 4A; reel,tape
Case: DFN5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 40A
Max. forward voltage: 0.74V
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 4A
Max. load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRVB860MFST1G MBR860MFS-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN5; SMD; 60V; 8A; reel,tape
Case: DFN5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 150A
Max. forward voltage: 0.8V
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 8A
Max. load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRVB860MFST3G MBR860MFS-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN5; SMD; 60V; 8A; reel,tape
Case: DFN5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 150A
Max. forward voltage: 0.8V
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 8A
Max. load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRVB8H100MFSWFT1G mbr8h100mfs-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN5; SMD; 100V; 8A; reel,tape
Mounting: SMD
Max. load current: 16A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: DFN5
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 75A
Max. forward voltage: 0.9V
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRVB8H100MFSWFT3G mbr8h100mfs-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN5; SMD; 100V; 8A; reel,tape
Mounting: SMD
Max. load current: 16A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: DFN5
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 75A
Max. forward voltage: 0.9V
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRVTS1045EMFST1G nts1045emfs-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN5; SMD; 45V; 10A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DFN5
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.6V
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 210A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRVTS1045EMFST3G nts1045emfs-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN5; SMD; 45V; 10A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DFN5
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.6V
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 210A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRVTS12100EMFST3G NTS12100EMFS-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN5; SMD; 100V; 12A; reel,tape
Case: DFN5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 200A
Max. forward voltage: 0.73V
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 12A
Max. load current: 24A
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N3773G description 111421.pdf
2N3773G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 16A; 150W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 16A
Power dissipation: 150W
Case: TO3
Mounting: THT
Frequency: 200kHz
Kind of package: in-tray
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+504.87 грн
5+399.20 грн
10+381.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MC33078DG description MC33078DG.PDF
MC33078DG
Виробник: ONSEMI
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 16MHz; Ch: 2; ±5÷18VDC,10÷36VDC; SO8
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 16MHz
Number of channels: dual; 2
Mounting: SMT
Voltage supply range: ± 5...18V DC; 10...36V DC
Case: SO8
Operating temperature: -40...85°C
Slew rate: 7V/μs
Input offset voltage: 3mV
Kind of package: tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5226A-4-TL-E 2SC5226A-D.PDF
2SC5226A-4-TL-E
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 10V; 0.07A; 0.15W; SC70
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 10V
Collector current: 70mA
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70
Current gain: 90...180
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 5...7GHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4148 1N91x_1N4x48.PDF
1N4148
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 100V; 0.2A; Ifsm: 1A; DO35; bulk; Ufmax: 1V
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: small signal
Case: DO35
Kind of package: bulk
Max. forward voltage: 1V
Reverse recovery time: 4ns
Power dissipation: 0.5W
Capacitance: 4pF
Max. forward impulse current: 1A
на замовлення 6314 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
72+6.32 грн
162+2.60 грн
212+1.98 грн
500+1.55 грн
1000+1.38 грн
2000+1.22 грн
2500+1.17 грн
5000+1.00 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJF15031G MJF15031G.pdf
MJF15031G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 8A; 36W; TO220FP
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 8A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
Current gain: 40
на замовлення 242 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+187.86 грн
10+104.83 грн
20+95.61 грн
50+88.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTA4001NT1G NTA4001N.PDF
NTA4001NT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.238A; 0.3W; SC75; ESD
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Drain current: 0.238A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: reel; tape
Case: SC75
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVS4001NT1G nts4001n-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 270mA; Idm: 0.8A; 330mW; SC70
Case: SC70
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.33W
Gate charge: 0.9nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.27A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRA210LT3G mbra210lt3-d.pdf
MBRA210LT3G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 10V; 2A; reel,tape
Case: SMA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 160A
Max. forward voltage: 0.26V
Max. off-state voltage: 10V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 4761 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+57.80 грн
12+35.06 грн
50+24.07 грн
100+20.97 грн
250+18.03 грн
500+17.70 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CAT24S128C4UTR CAT24S128-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 128kbEEPROM; I2C; 16kx8bit; 1.7÷5.5V; 1MHz
Kind of package: reel; tape
Case: WLCSP4
Interface: I2C
Operating voltage: 1.7...5.5V
Kind of memory: EEPROM
Mounting: SMD
Access time: 400ns
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 1MHz
Memory: 128kb EEPROM
Kind of interface: serial
Memory organisation: 16kx8bit
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
H11F1M H11F1M.pdf
H11F1M
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 7kV; Uce: 30V; DIP6
Mounting: THT
Manufacturer series: H11FXM
Collector-emitter voltage: 30V
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 7kV
Type of optocoupler: optocoupler
Turn-on time: 25µs
Case: DIP6
Turn-off time: 25µs
Number of channels: 1
на замовлення 348 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+96.64 грн
6+79.67 грн
10+58.71 грн
25+57.87 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
H11F3M H11F3M.pdf
H11F3M
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: FET transistor; Uinsul: 7.5kV; Uce: 15V
Mounting: THT
Manufacturer series: H11FXM
Collector-emitter voltage: 15V
Kind of output: FET transistor
Insulation voltage: 7.5kV
Max. off-state voltage: 5V
Type of optocoupler: optocoupler
Turn-on time: 45µs
Case: DIP6
Turn-off time: 45µs
Number of channels: 1
на замовлення 699 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+289.91 грн
25+199.60 грн
50+180.31 грн
100+171.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
H11F1TVM h11f3m-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: FET transistor; Uinsul: 4.17kV; PDIP6
Mounting: THT
Manufacturer series: H11FXM
Collector-emitter voltage: 30V
Kind of output: FET transistor
Insulation voltage: 4.17kV
Max. off-state voltage: 5V
Type of optocoupler: optocoupler
Turn-on time: 45µs
Case: PDIP6
Turn-off time: 45µs
Number of channels: 1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EGP20J egp20k-d.pdf FAIRS45036-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 2A; Ifsm: 75A; DO15; reel,tape; 75ns
Case: DO15
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 75A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 75ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EGP20C FAIRS45036-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 150V; 2A; Ifsm: 75A; DO15; reel,tape; 50ns
Case: DO15
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 75A
Max. off-state voltage: 150V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 50ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EGP20D EGP20K-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 2A; Ifsm: 75A; DO15; reel,tape; 50ns
Case: DO15
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 75A
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 50ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC3508 GBPCxx.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: Square single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; Ufmax: 1.1V; If: 35A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 35A
Max. forward impulse current: 0.4kA
Version: square
Case: GBPC
Electrical mounting: THT
Leads: connectors FASTON
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC3508W GBPCxx.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: Square single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; Ufmax: 1.1V; If: 35A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 35A
Max. forward impulse current: 0.4kA
Version: square
Case: GBPC-W
Electrical mounting: THT
Leads: wire Ø 1.0mm
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBT3906DW1T1G mbt3906.pdf
MBT3906DW1T1G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 40V; 0.2A; 0.15W; SC70-6,SC88,SOT363
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 40V
Power dissipation: 0.15W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP x2
Current gain: 100...300
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Frequency: 250MHz
Collector current: 0.2A
на замовлення 18001 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
46+9.93 грн
76+5.54 грн
122+3.45 грн
500+2.59 грн
1000+2.32 грн
3000+1.97 грн
6000+1.79 грн
9000+1.69 грн
15000+1.60 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT3906DW1T1G mbt3906dw1t1-d.pdf
SMBT3906DW1T1G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 40V; 0.2A; 0.15W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
Application: automotive industry
Current gain: 100...300
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74LVX132MX 74lvx132-d.pdf FAIRS26108-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
74LVX132MX
Виробник: ONSEMI
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NAND; Ch: 4; IN: 2; SMD; SO14; 2÷3.6VDC; -40÷85°C; 20uA
Mounting: SMD
Supply voltage: 2...3.6V DC
Kind of gate: NAND
Type of integrated circuit: digital
Operating temperature: -40...85°C
Quiescent current: 20µA
Kind of input: with Schmitt trigger
Number of inputs: 2
Kind of package: reel; tape
Case: SO14
Family: LVX
Number of channels: quad; 4
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5231DW1T1G dtc123ed-d.pdf
MUN5231DW1T1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 385mW; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.385W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Current gain: 8...15
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC14050BDTR2G MC14049B-D.pdf
MC14050BDTR2G
Виробник: ONSEMI
Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer,hex; Ch: 6; IN: 1; CMOS; SMD; TSSOP16; -55÷125°C
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: buffer; hex
Number of channels: 6
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: TSSOP16
Operating temperature: -55...125°C
Supply voltage: 3...18V DC
Number of inputs: 1
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 243 486 729 972 1215 1458 1701 1944 2187 2418 2419 2420 2421 2422 2423 2424 2425 2426 2427 2428 2430 2437  [ Наступна Сторінка >> ]