Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (147385) > Сторінка 2384 з 2457

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BC858ALT1G BC858ALT1G ONSEMI BC856_7_8.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 125...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 1404 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
56+8.23 грн
88+4.84 грн
128+3.32 грн
200+2.91 грн
500+2.40 грн
869+1.12 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858AWT1G BC858AWT1G ONSEMI BC856BWT1-D.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 125...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR360G MBR360G ONSEMI MBR360RLG.PDF Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 60V; 3A; DO201AD; Ufmax: 1.08V
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 80A
Max. forward voltage: 1.08V
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 3A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: single diode
Case: DO201AD
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 411 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+53.03 грн
11+40.92 грн
12+36.00 грн
50+24.20 грн
59+16.47 грн
162+15.54 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF02S DF02S ONSEMI DF02S.pdf Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 200V; If: 1.5A; Ifsm: 50A; SDIP 4L
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1.5A
Case: SDIP 4L
Electrical mounting: SMT
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1472 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+64.00 грн
12+35.49 грн
50+28.10 грн
100+25.47 грн
200+23.01 грн
250+22.33 грн
500+20.04 грн
1000+18.08 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MM74HCT138MX MM74HCT138MX ONSEMI MM74HCT138-D.PDF Category: Decoders, multiplexers, switches
Description: IC: digital; 3 to 8 line,line decoder; Ch: 1; IN: 3; CMOS; SMD; SO16
Type of integrated circuit: digital
Case: SO16
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...85°C
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Manufacturer series: HCT
Technology: CMOS
Quiescent current: 160µA
Number of inputs: 3
Family: HCT
Kind of integrated circuit: 3 to 8 line; line decoder
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HCT138ADR2G MC74HCT138ADR2G ONSEMI MC74HCT138A-D.pdf Category: Decoders, multiplexers, switches
Description: IC: digital; decoder,demultiplexer; Ch: 1; IN: 6; CMOS,TTL; SMD; HCT
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: decoder; demultiplexer
Number of channels: 1
Number of inputs: 6
Mounting: SMD
Case: SOIC16
Family: HCT
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2...6V DC
Manufacturer series: HCT
Operating temperature: -55...125°C
Technology: CMOS; TTL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HCT138ADTR2G MC74HCT138ADTR2G ONSEMI MC74HCT138A-D.pdf Category: Decoders, multiplexers, switches
Description: IC: digital; decoder,demultiplexer; Ch: 1; IN: 6; CMOS,TTL; SMD; HCT
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: decoder; demultiplexer
Number of channels: 1
Number of inputs: 6
Mounting: SMD
Case: TSSOP16
Family: HCT
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2...6V DC
Manufacturer series: HCT
Operating temperature: -55...125°C
Technology: CMOS; TTL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MM74HCT138M MM74HCT138M ONSEMI MM74HCT138-D.PDF Category: Decoders, multiplexers, switches
Description: IC: digital; 3 to 8 line,line decoder; Ch: 1; IN: 3; TTL; SMD; SO16
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3 to 8 line; line decoder
Number of channels: 1
Number of inputs: 3
Mounting: SMD
Case: SO16
Family: HCT
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Manufacturer series: HCT
Operating temperature: -40...85°C
Technology: TTL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6375 FDS6375 ONSEMI FDS6375.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
Gate charge: 36nC
On-state resistance: 39mΩ
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
на замовлення 758 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+74.06 грн
8+57.90 грн
10+50.77 грн
50+36.08 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSR20F40NXT5G ONSEMI nsr20f40-d.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; 0603; SMD; 40V; 2A; reel,tape
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 28A
Max. forward voltage: 0.55V
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 2A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying
Case - inch: 0603
Case - mm: 1608
на замовлення 4840 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+40.23 грн
14+32.26 грн
15+28.36 грн
50+19.10 грн
100+17.40 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC634P FDC634P ONSEMI FDC634P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 10nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV20200LT1G NSV20200LT1G ONSEMI nss20200l-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 20V; 2A; 0.71W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 2A
Power dissipation: 0.71W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV20200DMTWTBG ONSEMI nss20200dmt-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 20V; 2A; 2.1W; WDFN6
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 2A
Power dissipation: 2.1W
Case: WDFN6
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 155MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C27LT1G BZX84C27LT1G ONSEMI BZX84B_BZX84C.PDF Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.3W; 27V; SMD; SOT23; single diode; reel,tape; BZX84C
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.3W
Zener voltage: 27V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOT23
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: BZX84C
на замовлення 2455 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
72+6.40 грн
125+3.40 грн
248+1.72 грн
500+1.35 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1T1G ONSEMI MUN5211DW1.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
на замовлення 3644 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
34+13.71 грн
45+9.51 грн
52+8.24 грн
77+5.52 грн
100+4.65 грн
500+3.28 грн
715+1.35 грн
1964+1.28 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5211DW1T1G SMUN5211DW1T1G ONSEMI dtc114ed-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BS BC847BS ONSEMI BC847BS-FAI-DTE.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 45V; 0.1A; 0.21W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.21W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S3M S3M ONSEMI S3A.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 3A; 2.5us; SMC; Ufmax: 1.2V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 100A
Case: SMC
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.2V
Reverse recovery time: 2.5µs
Capacitance: 60pF
Power dissipation: 2.6W
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+45.72 грн
17+25.39 грн
50+17.24 грн
100+14.86 грн
250+12.40 грн
500+11.72 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NRVS3MB ONSEMI s3mb-d.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1000V; 3A; 1.5us; SMC; Ufmax: 1.15V; Ifsm: 80A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Case: SMC
Max. forward voltage: 1.15V
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Reverse recovery time: 1.5µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FXLA104UMX ONSEMI FXLA104UM12X.pdf Category: Level translators
Description: IC: digital; Ch: 4; 1.1÷3.6VDC; SMD; UMLP16; -40÷85°C; reel,tape
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; bidirectional; logic level voltage translator; non-inverting
Number of channels: 4
Supply voltage: 1.1...3.6V DC
Mounting: SMD
Case: UMLP16
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Number of inputs: 4
Number of outputs: 4
Integrated circuit features: auto-direction sensing
Frequency: 140MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935A FDS4935A ONSEMI FDS4935A.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+139.89 грн
5+89.32 грн
10+76.92 грн
23+42.45 грн
63+40.16 грн
1000+38.63 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX79C9V1-T50A ONSEMI BZX79C.PDF Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 9.1V; Ammo Pack; CASE017AG; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 9.1V
Case: CASE017AG
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: Ammo Pack
Manufacturer series: BZX79C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2V7002KT1G 2V7002KT1G ONSEMI 2N7002K-D.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.3A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2310 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
30+15.54 грн
50+8.49 грн
68+6.27 грн
100+5.54 грн
200+4.91 грн
500+4.08 грн
635+1.52 грн
1745+1.43 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT1G NTJD5121NT1G ONSEMI NTJD5121N_NVJD5121N.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.295A; 0.25W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.295A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.9nC
Version: ESD
на замовлення 8217 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
22+21.03 грн
33+12.91 грн
38+11.29 грн
51+8.39 грн
100+7.33 грн
250+6.09 грн
309+3.13 грн
850+2.95 грн
6000+2.84 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74ACT244DTR2G MC74ACT244DTR2G ONSEMI mc74ac244-d.pdf Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer,non-inverting,line driver; Ch: 8; CMOS; SMD
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: buffer; line driver; non-inverting
Number of channels: 8
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: TSSOP20
Kind of output: 3-state
Supply voltage: 2...6V DC
Manufacturer series: ACT
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74ACT244DWR2G ONSEMI MC74AC244-D.pdf Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; 3-state,buffer,octal,line driver; Ch: 8; TTL; SMD
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; buffer; line driver; octal
Number of channels: 8
Technology: TTL
Mounting: SMD
Case: SOIC20
Kind of output: 3-state
Family: ACT
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Manufacturer series: ACT
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PZTA28 PZTA28 ONSEMI PZTA28.pdf Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 0.8A; 1W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 125MHz
Kind of transistor: Darlington
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PZTA29 PZTA29 ONSEMI PZTA29.pdf Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 0.8A; 1W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 125MHz
Kind of transistor: Darlington
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SZMMSZ5245BT1G SZMMSZ5245BT1G ONSEMI MMSZ52xxT1G.PDF Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 15V; SMD; SOD123; single diode; reel,tape
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 15V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOD123
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: MMSZ52xxB
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC14016BDR2G MC14016BDR2G ONSEMI mc14016b-d.pdf Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: analog switch; demultiplexer,multiplexer; SPST-NO; Ch: 4; 30uA
Type of integrated circuit: analog switch
Kind of integrated circuit: demultiplexer; multiplexer
Output configuration: SPST-NO
Number of channels: 4
Case: SOIC14
Supply voltage: 3...18V
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...125°C
Quiescent current: 30µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSR20F30NXT5GNSR20F30NXT5G
NSR20F30NXT5GNSR20F30NXT5G
 NSR20F30NXT5G ONSEMI NSR20F30NXT5G.PDF Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DSN0603-2; SMD; 30V; 2A; reel,tape
Max. forward impulse current: 28A
Max. forward voltage: 0.48V
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 2A
Max. load current: 4A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: DSN0603-2
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
на замовлення 417 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+45.72 грн
14+31.75 грн
16+27.00 грн
50+18.51 грн
100+17.74 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSR20F20NXT5G ONSEMI nsr20f20-d.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DSN0603-2; SMD; 20V; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DSN0603-2
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 20V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.45V
Max. load current: 4A
Max. forward impulse current: 28A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSR2030QMUTWG ONSEMI NSR2030QMU.PDF Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 30V; If: 2A; Ifsm: 12.5A
Case: uDFN4
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 2A
Max. forward voltage: 0.65V
Max. forward impulse current: 12.5A
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: Schottky
Electrical mounting: SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJW0281G NJW0281G ONSEMI NJW0281_NJW0302.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 15A; 150W; TO3P
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 150W
Case: TO3P
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 250V
Application: automotive industry
Current gain: 75...150
Frequency: 30MHz
Collector current: 15A
на замовлення 237 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+263.20 грн
7+151.97 грн
18+143.48 грн
120+138.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MM3Z8V2B ONSEMI MM3Z9V1B.PDF Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.2W; 8.2V; SMD; SOD323F; reel,tape; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.2W
Zener voltage: 8.2V
Mounting: SMD
Tolerance: ±2%
Case: SOD323F
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: MM3ZxxB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS016N06CT1G ONSEMI nvmfs016n06c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 33A; Idm: 226A; 18W; DFNW5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 33A
Power dissipation: 18W
Case: DFNW5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 226A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65UPD ONSEMI fgh75t65upd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 385nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65UPD-F085 ONSEMI FGH75T65UP_F085-D.PDF Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 385nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65UPD-F155 ONSEMI FGH75T65UPD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 385nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL75T65MQDT ONSEMI fghl75t65mqdt-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL75T65LQDT ONSEMI fghl75t65lqdt-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 234W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 234W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 793nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL75T65MQD ONSEMI fghl75t65mqd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7P20 FQPF7P20 ONSEMI FQPF7P20-D.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.3A; Idm: -20.8A; 45W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -3.3A
Pulsed drain current: -20.8A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N90 FQPF5N90 ONSEMI fqpf5n90-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.9A; Idm: 12A; 51W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.9A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 51W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N80 FQPF2N80 ONSEMI fqpf2n80-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 950mA; Idm: 6A; 35W; TO220FP
Mounting: THT
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 35W
Gate charge: 15nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.95A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO220FP
On-state resistance: 6.3Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N40 FQPF5N40 ONSEMI fqpf5n40-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.9A; Idm: 12A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 12A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF13N06L FQPF13N06L ONSEMI fqpf13n06l-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.1A; Idm: 40A; 24W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.1A
Power dissipation: 24W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF16N25C FQPF16N25C ONSEMI fqp16n25c-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 9.8A; Idm: 62.4A; 43W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 9.8A
Power dissipation: 43W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 53.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 62.4A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF19N20 FQPF19N20 ONSEMI FQPF19N20-D.pdf fqpf19n20-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 7.5A; Idm: 48A; 50W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 50W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 48A
Gate charge: 40nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF45N15V2 FQPF45N15V2 ONSEMI fqpf45n15v2-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 31A; Idm: 180A; 66W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 31A
Power dissipation: 66W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 180A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N80CT FQPF6N80CT ONSEMI fqpf6n80c-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; Idm: 22A; 51W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 51W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF22N30 FQPF22N30 ONSEMI fqpf22n30-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 7.6A; Idm: 48A; 56W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 56W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 48A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF27N25 FQPF27N25 ONSEMI fqpf27n25-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.9A; Idm: 56A; 55W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.9A
Power dissipation: 55W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 56A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N80YDTU FQPF2N80YDTU ONSEMI fqpf2n80ydtu-d.pdf FAIRS45220-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 950mA; Idm: 6A; 35W; TO220FP
Mounting: THT
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 35W
Gate charge: 15nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.95A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO220FP
On-state resistance: 6.3Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF32N20C FQPF32N20C ONSEMI fqpf32n20c-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 17.8A; Idm: 112A; 50W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 17.8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 82mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 112A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSC5026MOS KSC5026MOS ONSEMI KSC5026M.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 800V; 1.5A; 20W; TO126ISO
Power dissipation: 20W
Polarisation: bipolar
Pulsed collector current: 5A
Type of transistor: NPN
Current gain: 20...40
Kind of package: bulk
Case: TO126ISO
Frequency: 15MHz
Collector current: 1.5A
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 800V
на замовлення 1761 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+103.32 грн
10+55.53 грн
27+37.19 грн
72+35.15 грн
1000+33.79 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD16N25CTM FQD16N25CTM ONSEMI FQD16N25C.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10.1A; 160W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 10.1A
Power dissipation: 160W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 53.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4893 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+133.49 грн
10+73.19 грн
22+44.40 грн
61+41.94 грн
1000+40.33 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP16N25 FQP16N25 ONSEMI fqp16n25-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10A; Idm: 64A; 142W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 10A
Power dissipation: 142W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 64A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM2903VDR2G ONSEMI lm393-d.pdf description Category: SMD comparators
Description: IC: comparator; universal; Cmp: 2; 2÷36V; SMT; SO8; reel,tape
Type of integrated circuit: comparator
Kind of comparator: universal
Number of comparators: 2
Mounting: SMT
Case: SO8
Operating temperature: -40...125°C
Input offset voltage: 7mV
Kind of package: reel; tape
Input offset current: 5nA
Operating voltage: 2...36V
Input bias current: 20nA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QRD1114 QRD1114 ONSEMI QRD1114.PDF description Category: PCB Photoelectric Sensors
Description: Sensor: photoelectric; diffuse-reflective; NPN; Usup: 5VDC; PCB
Type of sensor: photoelectric
Operation mode: diffuse-reflective
Output configuration: NPN
Supply voltage: 5V DC
Mounting: PCB
Body dimensions: 4.39x6.1x4.65mm
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+96.79 грн
10+95.09 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858ALT1G BC856_7_8.PDF
BC858ALT1G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 125...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 1404 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
56+8.23 грн
88+4.84 грн
128+3.32 грн
200+2.91 грн
500+2.40 грн
869+1.12 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858AWT1G BC856BWT1-D.PDF
BC858AWT1G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 125...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR360G MBR360RLG.PDF
MBR360G
Виробник: ONSEMI
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 60V; 3A; DO201AD; Ufmax: 1.08V
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 80A
Max. forward voltage: 1.08V
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 3A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: single diode
Case: DO201AD
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 411 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+53.03 грн
11+40.92 грн
12+36.00 грн
50+24.20 грн
59+16.47 грн
162+15.54 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF02S DF02S.pdf
DF02S
Виробник: ONSEMI
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 200V; If: 1.5A; Ifsm: 50A; SDIP 4L
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1.5A
Case: SDIP 4L
Electrical mounting: SMT
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1472 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+64.00 грн
12+35.49 грн
50+28.10 грн
100+25.47 грн
200+23.01 грн
250+22.33 грн
500+20.04 грн
1000+18.08 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MM74HCT138MX MM74HCT138-D.PDF
MM74HCT138MX
Виробник: ONSEMI
Category: Decoders, multiplexers, switches
Description: IC: digital; 3 to 8 line,line decoder; Ch: 1; IN: 3; CMOS; SMD; SO16
Type of integrated circuit: digital
Case: SO16
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...85°C
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Manufacturer series: HCT
Technology: CMOS
Quiescent current: 160µA
Number of inputs: 3
Family: HCT
Kind of integrated circuit: 3 to 8 line; line decoder
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HCT138ADR2G MC74HCT138A-D.pdf
MC74HCT138ADR2G
Виробник: ONSEMI
Category: Decoders, multiplexers, switches
Description: IC: digital; decoder,demultiplexer; Ch: 1; IN: 6; CMOS,TTL; SMD; HCT
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: decoder; demultiplexer
Number of channels: 1
Number of inputs: 6
Mounting: SMD
Case: SOIC16
Family: HCT
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2...6V DC
Manufacturer series: HCT
Operating temperature: -55...125°C
Technology: CMOS; TTL
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HCT138ADTR2G MC74HCT138A-D.pdf
MC74HCT138ADTR2G
Виробник: ONSEMI
Category: Decoders, multiplexers, switches
Description: IC: digital; decoder,demultiplexer; Ch: 1; IN: 6; CMOS,TTL; SMD; HCT
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: decoder; demultiplexer
Number of channels: 1
Number of inputs: 6
Mounting: SMD
Case: TSSOP16
Family: HCT
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2...6V DC
Manufacturer series: HCT
Operating temperature: -55...125°C
Technology: CMOS; TTL
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MM74HCT138M MM74HCT138-D.PDF
MM74HCT138M
Виробник: ONSEMI
Category: Decoders, multiplexers, switches
Description: IC: digital; 3 to 8 line,line decoder; Ch: 1; IN: 3; TTL; SMD; SO16
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3 to 8 line; line decoder
Number of channels: 1
Number of inputs: 3
Mounting: SMD
Case: SO16
Family: HCT
Kind of package: tube
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Manufacturer series: HCT
Operating temperature: -40...85°C
Technology: TTL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6375 FDS6375.pdf
FDS6375
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
Gate charge: 36nC
On-state resistance: 39mΩ
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
на замовлення 758 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+74.06 грн
8+57.90 грн
10+50.77 грн
50+36.08 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSR20F40NXT5G nsr20f40-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; 0603; SMD; 40V; 2A; reel,tape
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 28A
Max. forward voltage: 0.55V
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 2A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying
Case - inch: 0603
Case - mm: 1608
на замовлення 4840 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+40.23 грн
14+32.26 грн
15+28.36 грн
50+19.10 грн
100+17.40 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC634P FDC634P.pdf
FDC634P
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 10nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV20200LT1G nss20200l-d.pdf
NSV20200LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 20V; 2A; 0.71W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 2A
Power dissipation: 0.71W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSV20200DMTWTBG nss20200dmt-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 20V; 2A; 2.1W; WDFN6
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 2A
Power dissipation: 2.1W
Case: WDFN6
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 155MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C27LT1G BZX84B_BZX84C.PDF
BZX84C27LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.3W; 27V; SMD; SOT23; single diode; reel,tape; BZX84C
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.3W
Zener voltage: 27V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOT23
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: BZX84C
на замовлення 2455 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
72+6.40 грн
125+3.40 грн
248+1.72 грн
500+1.35 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211DW1T1G MUN5211DW1.PDF
MUN5211DW1T1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
на замовлення 3644 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
34+13.71 грн
45+9.51 грн
52+8.24 грн
77+5.52 грн
100+4.65 грн
500+3.28 грн
715+1.35 грн
1964+1.28 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5211DW1T1G dtc114ed-d.pdf
SMUN5211DW1T1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BS BC847BS-FAI-DTE.pdf
BC847BS
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 45V; 0.1A; 0.21W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.21W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S3M S3A.pdf
S3M
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 3A; 2.5us; SMC; Ufmax: 1.2V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 100A
Case: SMC
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.2V
Reverse recovery time: 2.5µs
Capacitance: 60pF
Power dissipation: 2.6W
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+45.72 грн
17+25.39 грн
50+17.24 грн
100+14.86 грн
250+12.40 грн
500+11.72 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NRVS3MB s3mb-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1000V; 3A; 1.5us; SMC; Ufmax: 1.15V; Ifsm: 80A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Case: SMC
Max. forward voltage: 1.15V
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Reverse recovery time: 1.5µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FXLA104UMX FXLA104UM12X.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Level translators
Description: IC: digital; Ch: 4; 1.1÷3.6VDC; SMD; UMLP16; -40÷85°C; reel,tape
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; bidirectional; logic level voltage translator; non-inverting
Number of channels: 4
Supply voltage: 1.1...3.6V DC
Mounting: SMD
Case: UMLP16
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Number of inputs: 4
Number of outputs: 4
Integrated circuit features: auto-direction sensing
Frequency: 140MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935A FDS4935A.pdf
FDS4935A
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+139.89 грн
5+89.32 грн
10+76.92 грн
23+42.45 грн
63+40.16 грн
1000+38.63 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX79C9V1-T50A BZX79C.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 9.1V; Ammo Pack; CASE017AG; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 9.1V
Case: CASE017AG
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: Ammo Pack
Manufacturer series: BZX79C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2V7002KT1G 2N7002K-D.PDF
2V7002KT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.3A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2310 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+15.54 грн
50+8.49 грн
68+6.27 грн
100+5.54 грн
200+4.91 грн
500+4.08 грн
635+1.52 грн
1745+1.43 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT1G NTJD5121N_NVJD5121N.pdf
NTJD5121NT1G
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.295A; 0.25W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.295A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.9nC
Version: ESD
на замовлення 8217 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+21.03 грн
33+12.91 грн
38+11.29 грн
51+8.39 грн
100+7.33 грн
250+6.09 грн
309+3.13 грн
850+2.95 грн
6000+2.84 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74ACT244DTR2G mc74ac244-d.pdf
MC74ACT244DTR2G
Виробник: ONSEMI
Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer,non-inverting,line driver; Ch: 8; CMOS; SMD
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: buffer; line driver; non-inverting
Number of channels: 8
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: TSSOP20
Kind of output: 3-state
Supply voltage: 2...6V DC
Manufacturer series: ACT
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74ACT244DWR2G MC74AC244-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; 3-state,buffer,octal,line driver; Ch: 8; TTL; SMD
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; buffer; line driver; octal
Number of channels: 8
Technology: TTL
Mounting: SMD
Case: SOIC20
Kind of output: 3-state
Family: ACT
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Manufacturer series: ACT
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PZTA28 PZTA28.pdf
PZTA28
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 0.8A; 1W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 125MHz
Kind of transistor: Darlington
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PZTA29 PZTA29.pdf
PZTA29
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 0.8A; 1W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 125MHz
Kind of transistor: Darlington
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SZMMSZ5245BT1G MMSZ52xxT1G.PDF
SZMMSZ5245BT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 15V; SMD; SOD123; single diode; reel,tape
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 15V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOD123
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: MMSZ52xxB
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC14016BDR2G mc14016b-d.pdf
MC14016BDR2G
Виробник: ONSEMI
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: analog switch; demultiplexer,multiplexer; SPST-NO; Ch: 4; 30uA
Type of integrated circuit: analog switch
Kind of integrated circuit: demultiplexer; multiplexer
Output configuration: SPST-NO
Number of channels: 4
Case: SOIC14
Supply voltage: 3...18V
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...125°C
Quiescent current: 30µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSR20F30NXT5G NSR20F30NXT5G.PDF
NSR20F30NXT5GNSR20F30NXT5G
NSR20F30NXT5GNSR20F30NXT5G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DSN0603-2; SMD; 30V; 2A; reel,tape
Max. forward impulse current: 28A
Max. forward voltage: 0.48V
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 2A
Max. load current: 4A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: DSN0603-2
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
на замовлення 417 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+45.72 грн
14+31.75 грн
16+27.00 грн
50+18.51 грн
100+17.74 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSR20F20NXT5G nsr20f20-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DSN0603-2; SMD; 20V; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DSN0603-2
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 20V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.45V
Max. load current: 4A
Max. forward impulse current: 28A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSR2030QMUTWG NSR2030QMU.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 30V; If: 2A; Ifsm: 12.5A
Case: uDFN4
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 2A
Max. forward voltage: 0.65V
Max. forward impulse current: 12.5A
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: Schottky
Electrical mounting: SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJW0281G NJW0281_NJW0302.pdf
NJW0281G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 15A; 150W; TO3P
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 150W
Case: TO3P
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 250V
Application: automotive industry
Current gain: 75...150
Frequency: 30MHz
Collector current: 15A
на замовлення 237 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+263.20 грн
7+151.97 грн
18+143.48 грн
120+138.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MM3Z8V2B MM3Z9V1B.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.2W; 8.2V; SMD; SOD323F; reel,tape; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.2W
Zener voltage: 8.2V
Mounting: SMD
Tolerance: ±2%
Case: SOD323F
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: MM3ZxxB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS016N06CT1G nvmfs016n06c-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 33A; Idm: 226A; 18W; DFNW5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 33A
Power dissipation: 18W
Case: DFNW5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 226A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65UPD fgh75t65upd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 385nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65UPD-F085 FGH75T65UP_F085-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 385nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH75T65UPD-F155 FGH75T65UPD.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 385nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL75T65MQDT fghl75t65mqdt-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL75T65LQDT fghl75t65lqdt-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 234W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 234W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 793nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL75T65MQD fghl75t65mqd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7P20 FQPF7P20-D.pdf
FQPF7P20
Виробник: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.3A; Idm: -20.8A; 45W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -3.3A
Pulsed drain current: -20.8A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N90 fqpf5n90-d.pdf
FQPF5N90
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.9A; Idm: 12A; 51W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.9A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 51W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N80 fqpf2n80-d.pdf
FQPF2N80
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 950mA; Idm: 6A; 35W; TO220FP
Mounting: THT
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 35W
Gate charge: 15nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.95A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO220FP
On-state resistance: 6.3Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N40 fqpf5n40-d.pdf
FQPF5N40
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.9A; Idm: 12A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 12A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF13N06L fqpf13n06l-d.pdf
FQPF13N06L
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.1A; Idm: 40A; 24W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.1A
Power dissipation: 24W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF16N25C fqp16n25c-d.pdf
FQPF16N25C
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 9.8A; Idm: 62.4A; 43W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 9.8A
Power dissipation: 43W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 53.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 62.4A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF19N20 FQPF19N20-D.pdf fqpf19n20-d.pdf
FQPF19N20
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 7.5A; Idm: 48A; 50W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 50W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 48A
Gate charge: 40nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF45N15V2 fqpf45n15v2-d.pdf
FQPF45N15V2
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 31A; Idm: 180A; 66W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 31A
Power dissipation: 66W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 180A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N80CT fqpf6n80c-d.pdf
FQPF6N80CT
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; Idm: 22A; 51W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 51W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF22N30 fqpf22n30-d.pdf
FQPF22N30
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 7.6A; Idm: 48A; 56W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 56W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 48A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF27N25 fqpf27n25-d.pdf
FQPF27N25
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.9A; Idm: 56A; 55W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.9A
Power dissipation: 55W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 56A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N80YDTU fqpf2n80ydtu-d.pdf FAIRS45220-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQPF2N80YDTU
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 950mA; Idm: 6A; 35W; TO220FP
Mounting: THT
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 35W
Gate charge: 15nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.95A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO220FP
On-state resistance: 6.3Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF32N20C fqpf32n20c-d.pdf
FQPF32N20C
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 17.8A; Idm: 112A; 50W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 17.8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 82mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 112A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSC5026MOS KSC5026M.pdf
KSC5026MOS
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 800V; 1.5A; 20W; TO126ISO
Power dissipation: 20W
Polarisation: bipolar
Pulsed collector current: 5A
Type of transistor: NPN
Current gain: 20...40
Kind of package: bulk
Case: TO126ISO
Frequency: 15MHz
Collector current: 1.5A
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 800V
на замовлення 1761 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+103.32 грн
10+55.53 грн
27+37.19 грн
72+35.15 грн
1000+33.79 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD16N25CTM FQD16N25C.pdf
FQD16N25CTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10.1A; 160W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 10.1A
Power dissipation: 160W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 53.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4893 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+133.49 грн
10+73.19 грн
22+44.40 грн
61+41.94 грн
1000+40.33 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP16N25 fqp16n25-d.pdf
FQP16N25
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10A; Idm: 64A; 142W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 10A
Power dissipation: 142W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 64A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM2903VDR2G description lm393-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD comparators
Description: IC: comparator; universal; Cmp: 2; 2÷36V; SMT; SO8; reel,tape
Type of integrated circuit: comparator
Kind of comparator: universal
Number of comparators: 2
Mounting: SMT
Case: SO8
Operating temperature: -40...125°C
Input offset voltage: 7mV
Kind of package: reel; tape
Input offset current: 5nA
Operating voltage: 2...36V
Input bias current: 20nA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QRD1114 description QRD1114.PDF
QRD1114
Виробник: ONSEMI
Category: PCB Photoelectric Sensors
Description: Sensor: photoelectric; diffuse-reflective; NPN; Usup: 5VDC; PCB
Type of sensor: photoelectric
Operation mode: diffuse-reflective
Output configuration: NPN
Supply voltage: 5V DC
Mounting: PCB
Body dimensions: 4.39x6.1x4.65mm
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+96.79 грн
10+95.09 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.