Продукція > PANJIT SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника PANJIT SEMICONDUCTOR (1049) > Сторінка 14 з 18

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJE8403_R1_00001 PanJit Semiconductor PJE8403.pdf PJE8403-R1 SMD P channel transistors
на замовлення 3995 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
14+24.22 грн
170+6.91 грн
466+6.51 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8408_R1_00001 PanJit Semiconductor PJE8408.pdf PJE8408-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 3825 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
25+13.07 грн
170+6.91 грн
250+6.56 грн
466+6.51 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
PJEC12VM1TA-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJEC12VM1TA-AU_SERIES.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; SOT23
Application: automotive industry
Type of diode: TVS
Case: SOT23
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJEC12VM1TA_R1_00001 PanJit Semiconductor PJEC12VM1TA Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; SOT23
Type of diode: TVS
Case: SOT23
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJGBLC03C_R1_00001 PanJit Semiconductor PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf PJGBLC03C-R1 Protection diodes - arrays
на замовлення 3466 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
11+29.53 грн
133+8.88 грн
365+8.38 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJGBLC05C-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 7V; 1A; 0.35kW; bidirectional; SOD323; Ch: 1
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 7V
Max. forward impulse current: 1A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 5V
Leakage current: 5µA
Number of channels: 1
Capacitance: 3pF
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJGBLC05C_R1_00001 PJGBLC05C_R1_00001 PanJit Semiconductor PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.03÷7.77V; 1A; 350W; bidirectional; SOD323; Ch: 1
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 7.03...7.77V
Max. forward impulse current: 1A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 5V
Leakage current: 5µA
Number of channels: 1
Capacitance: 3pF
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1376 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
12+26.56 грн
18+17.93 грн
100+11.74 грн
500+8.98 грн
1000+7.99 грн
10000+7.30 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PJGBLC05C_R1_00001 PJGBLC05C_R1_00001 PanJit Semiconductor PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.03÷7.77V; 1A; 350W; bidirectional; SOD323; Ch: 1
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 7.03...7.77V
Max. forward impulse current: 1A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 5V
Leakage current: 5µA
Number of channels: 1
Capacitance: 3pF
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+22.13 грн
29+14.39 грн
100+9.78 грн
500+7.48 грн
1000+6.66 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
PJGBLC05_R1_00001 PanJit Semiconductor PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 7.77V; 1A; 0.35kW; unidirectional; SOD323; Ch: 1
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 7.77V
Max. forward impulse current: 1A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 5V
Leakage current: 5µA
Number of channels: 1
Capacitance: 3pF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJGBLC12C_R1_00001 PanJit Semiconductor PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf PJGBLC12C-R1 Protection diodes - arrays
на замовлення 4455 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
21+15.40 грн
145+8.38 грн
390+7.89 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
PJGBLC24C_R1_00001 PanJit Semiconductor PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf PJGBLC24C-R1 Protection diodes - arrays
на замовлення 4380 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
21+15.40 грн
145+8.38 грн
390+7.89 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
PJL9407_R2_00001 PanJit Semiconductor PJL9407-R2 SMD P channel transistors
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
9+39.41 грн
111+10.65 грн
304+10.06 грн
7500+10.04 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PJL9850_R2_00001 PanJit Semiconductor PJL9850.pdf PJL9850-R2 Multi channel transistors
на замовлення 5047 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+66.61 грн
66+18.05 грн
179+17.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PJMB125N60FRC_R2_00201 PanJit Semiconductor PJMB125N60FRC Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; TO263AB
Polarisation: unipolar
Drain current: 30A
Gate-source voltage: 30V
Case: TO263AB
Drain-source voltage: 600V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMB130N65EC_R2_00601 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 29A; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 29A
Case: TO263
Gate-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMB130N65EC_T0_00601 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 29A; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 29A
Case: TO263
Gate-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMB210N65EC_R2_00601 PanJit Semiconductor PJMB210N65EC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 42A
Gate charge: 34nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMB390N65EC_R2_00601 PanJit Semiconductor PJMB390N65EC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 22A; 87.5W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 87.5W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMB390N65EC_T0_00601 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 22A; 87.5W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 87.5W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ18A-AU_R1_007A1 PanJit Semiconductor PJMBZ5V6A-AU_SER.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 17.1÷18.9V; 40W; double,common anode; SOT23
Application: automotive industry
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Leakage current: 50nA
Number of channels: 2
Max. off-state voltage: 14.5V
Breakdown voltage: 17.1...18.9V
Peak pulse power dissipation: 40W
Semiconductor structure: common anode; double
Case: SOT23
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ27V-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJMBZ15V-AU_SERIES.pdf PJMBZ27V-AU-R1 Protection diodes - arrays
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
19+17.18 грн
235+5.01 грн
644+4.74 грн
9000+4.73 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
PJMD190N65FR2_L2_00601 PanJit Semiconductor PJMD190N65FR2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19.7A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19.7A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMD360N60EC_L2_00001 PJMD360N60EC_L2_00001 PanJit Semiconductor PJMD360N60EC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 87.5W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 87.5W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMD390N65EC_L2_00001 PJMD390N65EC_L2_00001 PanJit Semiconductor PJMD390N65EC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 22A; 87.5W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 87.5W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMD990N65EC_L2_00001 PJMD990N65EC_L2_00001 PanJit Semiconductor PJMD990N65EC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 9.5A; 47.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.7A
Pulsed drain current: 9.5A
Power dissipation: 47.5W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 990mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF060N65FR2_T0_00601 PanJit Semiconductor PJMF060N65FR2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 48.3A; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48.3A
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF080N65FR2_T0_00601 PanJit Semiconductor PJMF080N65FR2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 29.2A; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 29.2A
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF120N60EC_T0_00001 PJMF120N60EC_T0_00001 PanJit Semiconductor PJMF120N60EC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 69A; 33W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 33W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 69A
Gate charge: 51nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF125N60FRC_T0_00601 PanJit Semiconductor PJMF125N60FRC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29A; ITO220AB
Polarisation: unipolar
Drain current: 29A
Gate-source voltage: 30V
Case: ITO220AB
Drain-source voltage: 600V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF130N65EC_T0_006A1 PanJit Semiconductor Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 29A; Idm: 63A; 14W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 63A
Power dissipation: 14W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF190N60E1_T0_00001 PJMF190N60E1_T0_00001 PanJit Semiconductor PJMF190N60E1.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 60A; 38W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 38W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 41 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+237.97 грн
10+212.05 грн
25+188.42 грн
50+174.61 грн
100+159.81 грн
250+143.04 грн
500+130.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF190N60E1_T0_00001 PJMF190N60E1_T0_00001 PanJit Semiconductor PJMF190N60E1.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 60A; 38W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 38W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+198.31 грн
10+170.17 грн
25+157.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF190N65FR2_T0_00601 PanJit Semiconductor PJMF190N65FR2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19.6A; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19.6A
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF210N65EC_T0_00601 PJMF210N65EC_T0_00601 PanJit Semiconductor PJMF210N65EC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 32W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 32W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 42A
Gate charge: 34nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+241.15 грн
10+130.10 грн
50+113.44 грн
100+109.50 грн
250+103.58 грн
500+99.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF210N65EC_T0_00601 PJMF210N65EC_T0_00601 PanJit Semiconductor PJMF210N65EC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 32W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 32W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 42A
Gate charge: 34nC
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+200.96 грн
10+104.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF280N60E1_T0_00001 PanJit Semiconductor PJMF280N60E1.pdf PJMF280N60E1-T0 THT N channel transistors
на замовлення 98 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+219.91 грн
13+90.76 грн
36+85.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF280N65E1_T0_00001 PJMF280N65E1_T0_00001 PanJit Semiconductor PJMF280N65E1.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; Idm: 41.4A; 35.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 41.4A
Power dissipation: 35.7W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+210.35 грн
10+151.61 грн
50+130.21 грн
100+121.34 грн
250+116.40 грн
500+104.57 грн
1000+102.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF280N65E1_T0_00001 PJMF280N65E1_T0_00001 PanJit Semiconductor PJMF280N65E1.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; Idm: 41.4A; 35.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 41.4A
Power dissipation: 35.7W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+175.29 грн
10+121.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF360N60EC_T0_00001 PJMF360N60EC_T0_00001 PanJit Semiconductor PJMF360N60EC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 30W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 30W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF390N65EC_T0_00001 PJMF390N65EC_T0_00001 PanJit Semiconductor PJMF390N65EC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 22A; 29.5W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 29.5W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+124.30 грн
10+87.08 грн
50+77.93 грн
100+75.96 грн
250+71.03 грн
500+69.05 грн
1000+66.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF390N65EC_T0_00001 PJMF390N65EC_T0_00001 PanJit Semiconductor PJMF390N65EC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 22A; 29.5W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 29.5W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+103.58 грн
10+69.88 грн
50+64.94 грн
100+63.30 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF990N65EC_T0_00001 PJMF990N65EC_T0_00001 PanJit Semiconductor PJMF990N65EC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 9.5A; 22.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.7A
Pulsed drain current: 9.5A
Power dissipation: 22.5W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 990mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 9.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH040N60EC_T0_00201 PanJit Semiconductor Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 71A; Idm: 212A; 200W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 71A
Pulsed drain current: 212A
Power dissipation: 200W
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 144nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH060N65FR2_T0_00601 PanJit Semiconductor PJMH060N65FR2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 58.3A; TO247AD-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 58.3A
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH074N60FRCH_T0_00601 PanJit Semiconductor PJMH074N60FRCH.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 53A; TO247AD-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 53A
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH074N60FRC_T0_00601 PJMH074N60FRC_T0_00601 PanJit Semiconductor PJMH074N60FRC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 53A; Idm: 117A; 446W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 53A
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 84nC
On-state resistance: 74mΩ
Pulsed drain current: 117A
Power dissipation: 446W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH080N65FR2_T0_00601 PanJit Semiconductor PJMH080N65FR2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; TO247AD-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH120N60EC_T0_00601 PJMH120N60EC_T0_00601 PanJit Semiconductor PJMH120N60EC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 69A; 235W; TO247AD-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 235W
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 69A
Gate charge: 51nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH125N60FRC_T0_00601 PanJit Semiconductor PJMH125N60FRC Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; TO247AD-3
Polarisation: unipolar
Drain current: 30A
Gate-source voltage: 30V
Case: TO247AD-3
Drain-source voltage: 600V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH190N60E1_T0_00601 PanJit Semiconductor PJMH190N60E1.pdf PJMH190N60E1-T0 THT N channel transistors
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+413.26 грн
9+137.12 грн
24+130.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH190N65FR2_T0_00601 PanJit Semiconductor PJMH190N65FR2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19.7A; TO247AD-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19.7A
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: 20V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMK040N60EC_T0_00201 PanJit Semiconductor PJMK040N60EC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 71A; TO247AD-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 71A
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: 40V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMK074N60FRCH_T0_00201 PanJit Semiconductor PJMK074N60FRCH.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 53A; TO247AD-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 53A
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: 74V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP060N65FR2_T0_00601 PanJit Semiconductor PJMP060N65FR2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 58.3A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 58.3A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP080N65FR2_T0_00601 PanJit Semiconductor PJMP080N65FR2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP120N60EC_T0_00001 PJMP120N60EC_T0_00001 PanJit Semiconductor PJMP120N60EC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 69A; 235W; TO220ABL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 235W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 51nC
Pulsed drain current: 69A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+332.52 грн
10+286.84 грн
50+231.82 грн
100+208.15 грн
250+192.36 грн
500+184.47 грн
1000+165.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP120N60EC_T0_00001 PJMP120N60EC_T0_00001 PanJit Semiconductor PJMP120N60EC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 69A; 235W; TO220ABL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 235W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 51nC
Pulsed drain current: 69A
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+277.10 грн
10+230.18 грн
50+193.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP125N60FRC_T0_00601 PanJit Semiconductor PJMP125N60FRC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; TO220AB
Polarisation: unipolar
Drain current: 30A
Gate-source voltage: 30V
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 600V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP130N65EC_T0_00001 PanJit Semiconductor PJMP130N65EC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP190N65FR2_T0_00601 PanJit Semiconductor PJMP190N65FR2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19.7A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19.7A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: 20V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8403_R1_00001 PJE8403.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJE8403-R1 SMD P channel transistors
на замовлення 3995 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
14+24.22 грн
170+6.91 грн
466+6.51 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8408_R1_00001 PJE8408.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJE8408-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 3825 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
25+13.07 грн
170+6.91 грн
250+6.56 грн
466+6.51 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
PJEC12VM1TA-AU_R1_000A1 PJEC12VM1TA-AU_SERIES.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; SOT23
Application: automotive industry
Type of diode: TVS
Case: SOT23
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJEC12VM1TA_R1_00001 PJEC12VM1TA
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; SOT23
Type of diode: TVS
Case: SOT23
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJGBLC03C_R1_00001 PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJGBLC03C-R1 Protection diodes - arrays
на замовлення 3466 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.53 грн
133+8.88 грн
365+8.38 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJGBLC05C-AU_R1_000A1 PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 7V; 1A; 0.35kW; bidirectional; SOD323; Ch: 1
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 7V
Max. forward impulse current: 1A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 5V
Leakage current: 5µA
Number of channels: 1
Capacitance: 3pF
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJGBLC05C_R1_00001 PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf
PJGBLC05C_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.03÷7.77V; 1A; 350W; bidirectional; SOD323; Ch: 1
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 7.03...7.77V
Max. forward impulse current: 1A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 5V
Leakage current: 5µA
Number of channels: 1
Capacitance: 3pF
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1376 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
12+26.56 грн
18+17.93 грн
100+11.74 грн
500+8.98 грн
1000+7.99 грн
10000+7.30 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PJGBLC05C_R1_00001 PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf
PJGBLC05C_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.03÷7.77V; 1A; 350W; bidirectional; SOD323; Ch: 1
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 7.03...7.77V
Max. forward impulse current: 1A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 5V
Leakage current: 5µA
Number of channels: 1
Capacitance: 3pF
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+22.13 грн
29+14.39 грн
100+9.78 грн
500+7.48 грн
1000+6.66 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
PJGBLC05_R1_00001 PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 7.77V; 1A; 0.35kW; unidirectional; SOD323; Ch: 1
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 7.77V
Max. forward impulse current: 1A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 5V
Leakage current: 5µA
Number of channels: 1
Capacitance: 3pF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJGBLC12C_R1_00001 PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJGBLC12C-R1 Protection diodes - arrays
на замовлення 4455 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
21+15.40 грн
145+8.38 грн
390+7.89 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
PJGBLC24C_R1_00001 PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJGBLC24C-R1 Protection diodes - arrays
на замовлення 4380 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
21+15.40 грн
145+8.38 грн
390+7.89 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
PJL9407_R2_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
PJL9407-R2 SMD P channel transistors
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.41 грн
111+10.65 грн
304+10.06 грн
7500+10.04 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PJL9850_R2_00001 PJL9850.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJL9850-R2 Multi channel transistors
на замовлення 5047 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.61 грн
66+18.05 грн
179+17.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PJMB125N60FRC_R2_00201 PJMB125N60FRC
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; TO263AB
Polarisation: unipolar
Drain current: 30A
Gate-source voltage: 30V
Case: TO263AB
Drain-source voltage: 600V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMB130N65EC_R2_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 29A; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 29A
Case: TO263
Gate-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMB130N65EC_T0_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 29A; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 29A
Case: TO263
Gate-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMB210N65EC_R2_00601 PJMB210N65EC.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 42A
Gate charge: 34nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMB390N65EC_R2_00601 PJMB390N65EC.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 22A; 87.5W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 87.5W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMB390N65EC_T0_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 22A; 87.5W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 87.5W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ18A-AU_R1_007A1 PJMBZ5V6A-AU_SER.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 17.1÷18.9V; 40W; double,common anode; SOT23
Application: automotive industry
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Leakage current: 50nA
Number of channels: 2
Max. off-state voltage: 14.5V
Breakdown voltage: 17.1...18.9V
Peak pulse power dissipation: 40W
Semiconductor structure: common anode; double
Case: SOT23
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ27V-AU_R1_000A1 PJMBZ15V-AU_SERIES.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJMBZ27V-AU-R1 Protection diodes - arrays
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
19+17.18 грн
235+5.01 грн
644+4.74 грн
9000+4.73 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
PJMD190N65FR2_L2_00601 PJMD190N65FR2
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19.7A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19.7A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMD360N60EC_L2_00001 PJMD360N60EC.pdf
PJMD360N60EC_L2_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 87.5W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 87.5W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMD390N65EC_L2_00001 PJMD390N65EC.pdf
PJMD390N65EC_L2_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 22A; 87.5W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 87.5W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMD990N65EC_L2_00001 PJMD990N65EC.pdf
PJMD990N65EC_L2_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 9.5A; 47.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.7A
Pulsed drain current: 9.5A
Power dissipation: 47.5W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 990mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF060N65FR2_T0_00601 PJMF060N65FR2
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 48.3A; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48.3A
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF080N65FR2_T0_00601 PJMF080N65FR2
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 29.2A; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 29.2A
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF120N60EC_T0_00001 PJMF120N60EC.pdf
PJMF120N60EC_T0_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 69A; 33W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 33W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 69A
Gate charge: 51nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF125N60FRC_T0_00601 PJMF125N60FRC.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29A; ITO220AB
Polarisation: unipolar
Drain current: 29A
Gate-source voltage: 30V
Case: ITO220AB
Drain-source voltage: 600V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF130N65EC_T0_006A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 29A; Idm: 63A; 14W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 63A
Power dissipation: 14W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF190N60E1_T0_00001 PJMF190N60E1.pdf
PJMF190N60E1_T0_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 60A; 38W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 38W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 41 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+237.97 грн
10+212.05 грн
25+188.42 грн
50+174.61 грн
100+159.81 грн
250+143.04 грн
500+130.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF190N60E1_T0_00001 PJMF190N60E1.pdf
PJMF190N60E1_T0_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 60A; 38W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 38W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+198.31 грн
10+170.17 грн
25+157.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF190N65FR2_T0_00601 PJMF190N65FR2
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19.6A; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19.6A
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF210N65EC_T0_00601 PJMF210N65EC.pdf
PJMF210N65EC_T0_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 32W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 32W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 42A
Gate charge: 34nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+241.15 грн
10+130.10 грн
50+113.44 грн
100+109.50 грн
250+103.58 грн
500+99.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF210N65EC_T0_00601 PJMF210N65EC.pdf
PJMF210N65EC_T0_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 32W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 32W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 42A
Gate charge: 34nC
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+200.96 грн
10+104.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF280N60E1_T0_00001 PJMF280N60E1.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJMF280N60E1-T0 THT N channel transistors
на замовлення 98 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+219.91 грн
13+90.76 грн
36+85.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF280N65E1_T0_00001 PJMF280N65E1.pdf
PJMF280N65E1_T0_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; Idm: 41.4A; 35.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 41.4A
Power dissipation: 35.7W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+210.35 грн
10+151.61 грн
50+130.21 грн
100+121.34 грн
250+116.40 грн
500+104.57 грн
1000+102.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF280N65E1_T0_00001 PJMF280N65E1.pdf
PJMF280N65E1_T0_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; Idm: 41.4A; 35.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 41.4A
Power dissipation: 35.7W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+175.29 грн
10+121.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF360N60EC_T0_00001 PJMF360N60EC.pdf
PJMF360N60EC_T0_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 30W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 30W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF390N65EC_T0_00001 PJMF390N65EC.pdf
PJMF390N65EC_T0_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 22A; 29.5W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 29.5W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+124.30 грн
10+87.08 грн
50+77.93 грн
100+75.96 грн
250+71.03 грн
500+69.05 грн
1000+66.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF390N65EC_T0_00001 PJMF390N65EC.pdf
PJMF390N65EC_T0_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 22A; 29.5W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 29.5W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+103.58 грн
10+69.88 грн
50+64.94 грн
100+63.30 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF990N65EC_T0_00001 PJMF990N65EC.pdf
PJMF990N65EC_T0_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 9.5A; 22.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.7A
Pulsed drain current: 9.5A
Power dissipation: 22.5W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 990mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 9.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH040N60EC_T0_00201
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 71A; Idm: 212A; 200W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 71A
Pulsed drain current: 212A
Power dissipation: 200W
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 144nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH060N65FR2_T0_00601 PJMH060N65FR2
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 58.3A; TO247AD-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 58.3A
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH074N60FRCH_T0_00601 PJMH074N60FRCH.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 53A; TO247AD-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 53A
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH074N60FRC_T0_00601 PJMH074N60FRC.pdf
PJMH074N60FRC_T0_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 53A; Idm: 117A; 446W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 53A
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 84nC
On-state resistance: 74mΩ
Pulsed drain current: 117A
Power dissipation: 446W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH080N65FR2_T0_00601 PJMH080N65FR2
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; TO247AD-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH120N60EC_T0_00601 PJMH120N60EC.pdf
PJMH120N60EC_T0_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 69A; 235W; TO247AD-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 235W
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 69A
Gate charge: 51nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH125N60FRC_T0_00601 PJMH125N60FRC
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; TO247AD-3
Polarisation: unipolar
Drain current: 30A
Gate-source voltage: 30V
Case: TO247AD-3
Drain-source voltage: 600V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH190N60E1_T0_00601 PJMH190N60E1.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJMH190N60E1-T0 THT N channel transistors
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+413.26 грн
9+137.12 грн
24+130.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH190N65FR2_T0_00601 PJMH190N65FR2
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19.7A; TO247AD-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19.7A
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: 20V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMK040N60EC_T0_00201 PJMK040N60EC.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 71A; TO247AD-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 71A
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: 40V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMK074N60FRCH_T0_00201 PJMK074N60FRCH.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 53A; TO247AD-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 53A
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: 74V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP060N65FR2_T0_00601 PJMP060N65FR2
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 58.3A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 58.3A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP080N65FR2_T0_00601 PJMP080N65FR2
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP120N60EC_T0_00001 PJMP120N60EC.pdf
PJMP120N60EC_T0_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 69A; 235W; TO220ABL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 235W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 51nC
Pulsed drain current: 69A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+332.52 грн
10+286.84 грн
50+231.82 грн
100+208.15 грн
250+192.36 грн
500+184.47 грн
1000+165.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP120N60EC_T0_00001 PJMP120N60EC.pdf
PJMP120N60EC_T0_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 69A; 235W; TO220ABL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 235W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 51nC
Pulsed drain current: 69A
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+277.10 грн
10+230.18 грн
50+193.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP125N60FRC_T0_00601 PJMP125N60FRC.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; TO220AB
Polarisation: unipolar
Drain current: 30A
Gate-source voltage: 30V
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 600V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP130N65EC_T0_00001 PJMP130N65EC.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP190N65FR2_T0_00601 PJMP190N65FR2
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19.7A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19.7A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: 20V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18  [ Наступна Сторінка >> ]