Продукція > PANJIT SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника PANJIT SEMICONDUCTOR (1202) > Сторінка 14 з 21
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
PJC7404_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT323 Case: SOT323 Drain-source voltage: 20V Drain current: 1A On-state resistance: 0.4Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.35W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 1.6nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 4A Mounting: SMD |
на замовлення 5990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
PJC7407_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() |
на замовлення 8474 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
PJC7428_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
PJC7439-AU_R1_000A1 | PanJit Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
PJC7476_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300mA; Idm: 0.8A; 350mW Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.35W Case: SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.3A On-state resistance: 9Ω Gate charge: 1.8nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.8A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PJC7476_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300mA; Idm: 0.8A; 350mW Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.35W Case: SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.3A On-state resistance: 9Ω Gate charge: 1.8nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.8A |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
PJD15P06A-AU_L2_000A1 | PanJit Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PJD16P06A_L2_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() |
на замовлення 11044 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
PJD18N20_L2_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 83W; TO252AA Case: TO252AA Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 24nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 72A Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A On-state resistance: 0.16Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 83W Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
PJD18N20_L2_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 83W; TO252AA Case: TO252AA Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 24nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 72A Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A On-state resistance: 0.16Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 83W Polarisation: unipolar |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
PJD25N03_L2_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
PJD25N04V-AU_L2_002A1 | PanJit Semiconductor | PJD25N04V-AU-L2 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
PJD25N06A_L2_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 40W; TO252AA Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 25A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 40W Case: TO252AA Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1589 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PJD25N06A_L2_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 40W; TO252AA Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 25A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 40W Case: TO252AA Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1589 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
PJD35P03_L2_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
PJD40P03E-AU_L2_006A1 | PanJit Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
PJD45N06A_L2_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; Idm: 180A; 63W; TO252AA Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 45A Pulsed drain current: 180A Power dissipation: 63W Case: TO252AA Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Gate charge: 39nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1568 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PJD45N06A_L2_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; Idm: 180A; 63W; TO252AA Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 45A Pulsed drain current: 180A Power dissipation: 63W Case: TO252AA Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Gate charge: 39nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1568 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
PJD45P03E-AU_L2_006A1 | PanJit Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PJD45P04_L2_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PJD55N04S-AU_L2_002A1 | PanJit Semiconductor |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 87A; Idm: 348A; 36W; TO252AA Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 87A Power dissipation: 36W Case: TO252AA Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 348A |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PJD55N04S-AU_L2_002A1 | PanJit Semiconductor |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 87A; Idm: 348A; 36W; TO252AA Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 87A Power dissipation: 36W Case: TO252AA Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 348A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PJD55N04V-AU_L2_002A1 | PanJit Semiconductor | PJD55N04V-AU-L2 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PJD55P03E-AU_L2_006A1 | PanJit Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PJD60P04E-AU_L2_006A1 | PanJit Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PJD70P03E-AU_L2_006A1 | PanJit Semiconductor | PJD70P03E-AU-L2 SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PJD75P04E-AU_L2_006A1 | PanJit Semiconductor | PJD75P04E-AU-L2 SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PJD90P03E-AU_L2_006A1 | PanJit Semiconductor | PJD90P03E-AU-L2 SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PJDLC05_R1_00001 | PanJit Semiconductor | PJDLC05-R1 Protection diodes - arrays |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PJE138K_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3600 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
PJE5V0U8TB-AU_R1_000A1 | PanJit Semiconductor |
Category: Protection diodes - arrays Description: Diode: TVS array; 5.8÷10.2V; SOT523; reel,tape; ESD Type of diode: TVS array Breakdown voltage: 5.8...10.2V Mounting: SMD Case: SOT523 Capacitance: 0.8pF Application: automotive industry Version: ESD Kind of package: reel; tape Max. off-state voltage: 5V Leakage current: 1µA |
на замовлення 19933 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PJE5V0U8TB-AU_R1_000A1 | PanJit Semiconductor |
Category: Protection diodes - arrays Description: Diode: TVS array; 5.8÷10.2V; SOT523; reel,tape; ESD Type of diode: TVS array Breakdown voltage: 5.8...10.2V Mounting: SMD Case: SOT523 Capacitance: 0.8pF Application: automotive industry Version: ESD Kind of package: reel; tape Max. off-state voltage: 5V Leakage current: 1µA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 19933 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
PJE8402_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PJE8403_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3995 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
PJE8408_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3835 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
PJEC2415VM1WS-AU_R1_000A1 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Diode: TVS; 17.1÷30.3V; 160W; asymmetric,bidirectional; SOD323 Version: ESD Capacitance: 17pF Max. off-state voltage: 15...24V Semiconductor structure: asymmetric; bidirectional Breakdown voltage: 17.1...30.3V Leakage current: 50nA Application: automotive industry Kind of package: reel; tape Peak pulse power dissipation: 160W Type of diode: TVS Mounting: SMD Case: SOD323 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
PJEC2415VM1WS-AU_R1_000A1 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Diode: TVS; 17.1÷30.3V; 160W; asymmetric,bidirectional; SOD323 Version: ESD Capacitance: 17pF Max. off-state voltage: 15...24V Semiconductor structure: asymmetric; bidirectional Breakdown voltage: 17.1...30.3V Leakage current: 50nA Application: automotive industry Kind of package: reel; tape Peak pulse power dissipation: 160W Type of diode: TVS Mounting: SMD Case: SOD323 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
PJGBLC03C-AU_R1_000A1 | PanJit Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PJGBLC03C_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
PJGBLC05C_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Diode: TVS array; 7.03÷7.77V; 1A; 350W; bidirectional; SOD323 Capacitance: 3pF Max. off-state voltage: 5V Semiconductor structure: bidirectional Max. forward impulse current: 1A Breakdown voltage: 7.03...7.77V Leakage current: 5µA Kind of package: reel; tape Type of diode: TVS array Case: SOD323 Mounting: SMD Peak pulse power dissipation: 0.35kW кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 3795 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PJGBLC05C_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Diode: TVS array; 7.03÷7.77V; 1A; 350W; bidirectional; SOD323 Capacitance: 3pF Max. off-state voltage: 5V Semiconductor structure: bidirectional Max. forward impulse current: 1A Breakdown voltage: 7.03...7.77V Leakage current: 5µA Kind of package: reel; tape Type of diode: TVS array Case: SOD323 Mounting: SMD Peak pulse power dissipation: 0.35kW |
на замовлення 3795 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
PJGBLC08C-AU_R1_000A1 | PanJit Semiconductor | PJGBLC08C-AU-R1 Protection diodes - arrays |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PJGBLC12C_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4805 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
PJGBLC24C_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4455 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
PJL9407_R2_00001 | PanJit Semiconductor | PJL9407-R2 SMD P channel transistors |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
PJL9850_R2_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() |
на замовлення 62 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
PJMB210N65EC_R2_00601 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 19A Power dissipation: 150W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.21Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 34nC Pulsed drain current: 42A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PJMB210N65EC_R2_00601 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 19A Power dissipation: 150W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.21Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 34nC Pulsed drain current: 42A |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PJMB390N65EC_R2_00601 | PanJit Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PJMB390N65EC_T0_00601 | PanJit Semiconductor | PJMB390N65EC-T0 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PJMBZ12A-AU_R1_007A1 | PanJit Semiconductor | PJMBZ12A-AU-R1 Protection diodes - arrays |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PJMBZ15A-AU_R1_007A1 | PanJit Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PJMBZ18A-AU_R1_007A1 | PanJit Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PJMBZ27A-AU_R1_007A1 | PanJit Semiconductor | PJMBZ27A-AU-R1 Protection diodes - arrays |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
PJMBZ27V-AU_R1_000A1 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Diode: TVS array; 25.65÷28.35V; 40W; double,common cathode; SOT23 Type of diode: TVS array Case: SOT23 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 22V Semiconductor structure: common cathode; double Capacitance: 50pF Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Version: ESD Peak pulse power dissipation: 40W Breakdown voltage: 25.65...28.35V Leakage current: 50nA |
на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PJMBZ27V-AU_R1_000A1 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Diode: TVS array; 25.65÷28.35V; 40W; double,common cathode; SOT23 Type of diode: TVS array Case: SOT23 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 22V Semiconductor structure: common cathode; double Capacitance: 50pF Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Version: ESD Peak pulse power dissipation: 40W Breakdown voltage: 25.65...28.35V Leakage current: 50nA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2950 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
PJMBZ27V-AU_R2_000A1 | PanJit Semiconductor | PJMBZ27V-AU-R2 Protection diodes - arrays |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PJMBZ33A-AU_R1_007A1 | PanJit Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PJMBZ5V6A-AU_R1_007A1 | PanJit Semiconductor | PJMBZ5V6A-AU-R1 Protection diodes - arrays |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PJMBZ6V2A-AU_R1_007A1 | PanJit Semiconductor | PJMBZ6V2A-AU-R1 Protection diodes - arrays |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
PJC7404_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT323
Case: SOT323
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 4A
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT323
Case: SOT323
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 4A
Mounting: SMD
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
18+ | 22.54 грн |
27+ | 14.05 грн |
100+ | 8.52 грн |
179+ | 4.93 грн |
491+ | 4.63 грн |
PJC7407_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJC7407-R1 SMD P channel transistors
PJC7407-R1 SMD P channel transistors
на замовлення 8474 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 35.74 грн |
182+ | 5.74 грн |
500+ | 5.47 грн |
PJC7428_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJC7428-R1 SMD N channel transistors
PJC7428-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
13+ | 24.05 грн |
213+ | 4.95 грн |
584+ | 4.68 грн |
PJC7439-AU_R1_000A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJC7439-AU-R1 SMD P channel transistors
PJC7439-AU-R1 SMD P channel transistors
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
12+ | 24.63 грн |
319+ | 3.29 грн |
877+ | 3.11 грн |
PJC7476_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300mA; Idm: 0.8A; 350mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.3A
On-state resistance: 9Ω
Gate charge: 1.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.8A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300mA; Idm: 0.8A; 350mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.3A
On-state resistance: 9Ω
Gate charge: 1.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.8A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 34.78 грн |
12+ | 24.78 грн |
100+ | 8.43 грн |
147+ | 7.18 грн |
403+ | 6.82 грн |
1000+ | 6.64 грн |
3000+ | 6.55 грн |
PJC7476_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300mA; Idm: 0.8A; 350mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.3A
On-state resistance: 9Ω
Gate charge: 1.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.8A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300mA; Idm: 0.8A; 350mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.3A
On-state resistance: 9Ω
Gate charge: 1.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.8A
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
14+ | 28.98 грн |
19+ | 19.88 грн |
100+ | 7.03 грн |
147+ | 5.98 грн |
403+ | 5.68 грн |
1000+ | 5.53 грн |
3000+ | 5.46 грн |
PJD15P06A-AU_L2_000A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJD15P06A-AU-L2 SMD P channel transistors
PJD15P06A-AU-L2 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJD16P06A_L2_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJD16P06A-L2 SMD P channel transistors
PJD16P06A-L2 SMD P channel transistors
на замовлення 11044 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 51.20 грн |
47+ | 22.78 грн |
127+ | 21.53 грн |
6000+ | 21.52 грн |
PJD18N20_L2_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 83W; TO252AA
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 83W; TO252AA
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJD18N20_L2_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 83W; TO252AA
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 83W; TO252AA
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJD25N03_L2_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJD25N03-L2 SMD N channel transistors
PJD25N03-L2 SMD N channel transistors
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 36.71 грн |
69+ | 15.34 грн |
188+ | 14.53 грн |
PJD25N04V-AU_L2_002A1 |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJD25N04V-AU-L2 SMD N channel transistors
PJD25N04V-AU-L2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJD25N06A_L2_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 40W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 40W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 40W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 40W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1589 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 51.20 грн |
10+ | 33.44 грн |
69+ | 15.43 грн |
189+ | 14.53 грн |
6000+ | 13.99 грн |
PJD25N06A_L2_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 40W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 40W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 40W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 40W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1589 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 42.66 грн |
14+ | 26.84 грн |
69+ | 12.86 грн |
189+ | 12.11 грн |
PJD35P03_L2_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJD35P03-L2 SMD P channel transistors
PJD35P03-L2 SMD P channel transistors
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 47.33 грн |
69+ | 15.25 грн |
190+ | 14.35 грн |
PJD40P03E-AU_L2_006A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJD40P03E-AU-L2 SMD P channel transistors
PJD40P03E-AU-L2 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJD45N06A_L2_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; Idm: 180A; 63W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 63W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; Idm: 180A; 63W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 63W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1568 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 65.69 грн |
10+ | 42.29 грн |
49+ | 21.80 грн |
134+ | 20.63 грн |
6000+ | 19.82 грн |
PJD45N06A_L2_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; Idm: 180A; 63W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 63W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; Idm: 180A; 63W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 63W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1568 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 54.74 грн |
12+ | 33.94 грн |
49+ | 18.16 грн |
134+ | 17.19 грн |
PJD45P03E-AU_L2_006A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJD45P03E-AU-L2 SMD P channel transistors
PJD45P03E-AU-L2 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJD45P04_L2_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJD45P04-L2 SMD P channel transistors
PJD45P04-L2 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJD55N04S-AU_L2_002A1 |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 87A; Idm: 348A; 36W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 87A
Power dissipation: 36W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 348A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 87A; Idm: 348A; 36W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 87A
Power dissipation: 36W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 348A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJD55N04S-AU_L2_002A1 |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 87A; Idm: 348A; 36W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 87A
Power dissipation: 36W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 348A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 87A; Idm: 348A; 36W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 87A
Power dissipation: 36W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 348A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJD55N04V-AU_L2_002A1 |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJD55N04V-AU-L2 SMD N channel transistors
PJD55N04V-AU-L2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJD55P03E-AU_L2_006A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJD55P03E-AU-L2 SMD P channel transistors
PJD55P03E-AU-L2 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJD60P04E-AU_L2_006A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJD60P04E-AU-L2 SMD P channel transistors
PJD60P04E-AU-L2 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJD70P03E-AU_L2_006A1 |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJD70P03E-AU-L2 SMD P channel transistors
PJD70P03E-AU-L2 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJD75P04E-AU_L2_006A1 |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJD75P04E-AU-L2 SMD P channel transistors
PJD75P04E-AU-L2 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJD90P03E-AU_L2_006A1 |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJD90P03E-AU-L2 SMD P channel transistors
PJD90P03E-AU-L2 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJDLC05_R1_00001 |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJDLC05-R1 Protection diodes - arrays
PJDLC05-R1 Protection diodes - arrays
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJE138K_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJE138K-R1 SMD N channel transistors
PJE138K-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
15+ | 20.29 грн |
225+ | 4.68 грн |
618+ | 4.42 грн |
PJE5V0U8TB-AU_R1_000A1 |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 5.8÷10.2V; SOT523; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 5.8...10.2V
Mounting: SMD
Case: SOT523
Capacitance: 0.8pF
Application: automotive industry
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 5V
Leakage current: 1µA
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 5.8÷10.2V; SOT523; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 5.8...10.2V
Mounting: SMD
Case: SOT523
Capacitance: 0.8pF
Application: automotive industry
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 5V
Leakage current: 1µA
на замовлення 19933 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
18+ | 22.54 грн |
164+ | 5.31 грн |
450+ | 5.01 грн |
8000+ | 4.86 грн |
PJE5V0U8TB-AU_R1_000A1 |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 5.8÷10.2V; SOT523; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 5.8...10.2V
Mounting: SMD
Case: SOT523
Capacitance: 0.8pF
Application: automotive industry
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 5V
Leakage current: 1µA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 5.8÷10.2V; SOT523; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 5.8...10.2V
Mounting: SMD
Case: SOT523
Capacitance: 0.8pF
Application: automotive industry
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 5V
Leakage current: 1µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19933 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 27.05 грн |
164+ | 6.61 грн |
450+ | 6.01 грн |
8000+ | 5.83 грн |
PJE8402_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJE8402-R1 SMD N channel transistors
PJE8402-R1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJE8403_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJE8403-R1 SMD P channel transistors
PJE8403-R1 SMD P channel transistors
на замовлення 3995 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 27.05 грн |
170+ | 6.19 грн |
466+ | 5.83 грн |
PJE8408_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJE8408-R1 SMD N channel transistors
PJE8408-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 3835 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
21+ | 14.30 грн |
170+ | 6.19 грн |
466+ | 5.83 грн |
PJEC2415VM1WS-AU_R1_000A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 17.1÷30.3V; 160W; asymmetric,bidirectional; SOD323
Version: ESD
Capacitance: 17pF
Max. off-state voltage: 15...24V
Semiconductor structure: asymmetric; bidirectional
Breakdown voltage: 17.1...30.3V
Leakage current: 50nA
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Peak pulse power dissipation: 160W
Type of diode: TVS
Mounting: SMD
Case: SOD323
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 17.1÷30.3V; 160W; asymmetric,bidirectional; SOD323
Version: ESD
Capacitance: 17pF
Max. off-state voltage: 15...24V
Semiconductor structure: asymmetric; bidirectional
Breakdown voltage: 17.1...30.3V
Leakage current: 50nA
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Peak pulse power dissipation: 160W
Type of diode: TVS
Mounting: SMD
Case: SOD323
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJEC2415VM1WS-AU_R1_000A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 17.1÷30.3V; 160W; asymmetric,bidirectional; SOD323
Version: ESD
Capacitance: 17pF
Max. off-state voltage: 15...24V
Semiconductor structure: asymmetric; bidirectional
Breakdown voltage: 17.1...30.3V
Leakage current: 50nA
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Peak pulse power dissipation: 160W
Type of diode: TVS
Mounting: SMD
Case: SOD323
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 17.1÷30.3V; 160W; asymmetric,bidirectional; SOD323
Version: ESD
Capacitance: 17pF
Max. off-state voltage: 15...24V
Semiconductor structure: asymmetric; bidirectional
Breakdown voltage: 17.1...30.3V
Leakage current: 50nA
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Peak pulse power dissipation: 160W
Type of diode: TVS
Mounting: SMD
Case: SOD323
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJGBLC03C-AU_R1_000A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJGBLC03C-AU-R1 Protection diodes - arrays
PJGBLC03C-AU-R1 Protection diodes - arrays
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJGBLC03C_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJGBLC03C-R1 Protection diodes - arrays
PJGBLC03C-R1 Protection diodes - arrays
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
21+ | 14.01 грн |
140+ | 7.71 грн |
375+ | 7.27 грн |
PJGBLC05C_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.03÷7.77V; 1A; 350W; bidirectional; SOD323
Capacitance: 3pF
Max. off-state voltage: 5V
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 1A
Breakdown voltage: 7.03...7.77V
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Case: SOD323
Mounting: SMD
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
кількість в упаковці: 5 шт
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.03÷7.77V; 1A; 350W; bidirectional; SOD323
Capacitance: 3pF
Max. off-state voltage: 5V
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 1A
Breakdown voltage: 7.03...7.77V
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Case: SOD323
Mounting: SMD
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3795 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 13.33 грн |
30+ | 10.34 грн |
100+ | 8.97 грн |
145+ | 7.62 грн |
390+ | 7.27 грн |
2500+ | 7.18 грн |
5000+ | 7.00 грн |
PJGBLC05C_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.03÷7.77V; 1A; 350W; bidirectional; SOD323
Capacitance: 3pF
Max. off-state voltage: 5V
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 1A
Breakdown voltage: 7.03...7.77V
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Case: SOD323
Mounting: SMD
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.03÷7.77V; 1A; 350W; bidirectional; SOD323
Capacitance: 3pF
Max. off-state voltage: 5V
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 1A
Breakdown voltage: 7.03...7.77V
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Case: SOD323
Mounting: SMD
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
на замовлення 3795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
40+ | 11.11 грн |
50+ | 8.30 грн |
100+ | 7.48 грн |
145+ | 6.35 грн |
390+ | 6.05 грн |
2500+ | 5.98 грн |
PJGBLC08C-AU_R1_000A1 |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJGBLC08C-AU-R1 Protection diodes - arrays
PJGBLC08C-AU-R1 Protection diodes - arrays
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJGBLC12C_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJGBLC12C-R1 Protection diodes - arrays
PJGBLC12C-R1 Protection diodes - arrays
на замовлення 4805 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
21+ | 14.01 грн |
145+ | 7.45 грн |
390+ | 7.09 грн |
10000+ | 7.08 грн |
PJGBLC24C_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJGBLC24C-R1 Protection diodes - arrays
PJGBLC24C-R1 Protection diodes - arrays
на замовлення 4455 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
21+ | 14.01 грн |
145+ | 7.45 грн |
390+ | 7.09 грн |
10000+ | 7.08 грн |
PJL9407_R2_00001 |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJL9407-R2 SMD P channel transistors
PJL9407-R2 SMD P channel transistors
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
21+ | 14.30 грн |
111+ | 9.51 грн |
304+ | 8.97 грн |
PJL9850_R2_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJL9850-R2 Multi channel transistors
PJL9850-R2 Multi channel transistors
на замовлення 62 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 39.61 грн |
73+ | 14.44 грн |
200+ | 13.63 грн |
2500+ | 13.60 грн |
PJMB210N65EC_R2_00601 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 34nC
Pulsed drain current: 42A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 34nC
Pulsed drain current: 42A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJMB210N65EC_R2_00601 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 34nC
Pulsed drain current: 42A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 34nC
Pulsed drain current: 42A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJMB390N65EC_R2_00601 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJMB390N65EC-R2 SMD N channel transistors
PJMB390N65EC-R2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJMB390N65EC_T0_00601 |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJMB390N65EC-T0 SMD N channel transistors
PJMB390N65EC-T0 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJMBZ12A-AU_R1_007A1 |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJMBZ12A-AU-R1 Protection diodes - arrays
PJMBZ12A-AU-R1 Protection diodes - arrays
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJMBZ15A-AU_R1_007A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJMBZ15A-AU-R1 Protection diodes - arrays
PJMBZ15A-AU-R1 Protection diodes - arrays
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJMBZ18A-AU_R1_007A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJMBZ18A-AU-R1 Protection diodes - arrays
PJMBZ18A-AU-R1 Protection diodes - arrays
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJMBZ27A-AU_R1_007A1 |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJMBZ27A-AU-R1 Protection diodes - arrays
PJMBZ27A-AU-R1 Protection diodes - arrays
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJMBZ27V-AU_R1_000A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 25.65÷28.35V; 40W; double,common cathode; SOT23
Type of diode: TVS array
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 22V
Semiconductor structure: common cathode; double
Capacitance: 50pF
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 40W
Breakdown voltage: 25.65...28.35V
Leakage current: 50nA
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 25.65÷28.35V; 40W; double,common cathode; SOT23
Type of diode: TVS array
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 22V
Semiconductor structure: common cathode; double
Capacitance: 50pF
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 40W
Breakdown voltage: 25.65...28.35V
Leakage current: 50nA
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
34+ | 12.08 грн |
47+ | 8.07 грн |
59+ | 6.43 грн |
100+ | 5.83 грн |
235+ | 3.74 грн |
500+ | 3.73 грн |
644+ | 3.53 грн |
PJMBZ27V-AU_R1_000A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 25.65÷28.35V; 40W; double,common cathode; SOT23
Type of diode: TVS array
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 22V
Semiconductor structure: common cathode; double
Capacitance: 50pF
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 40W
Breakdown voltage: 25.65...28.35V
Leakage current: 50nA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 25.65÷28.35V; 40W; double,common cathode; SOT23
Type of diode: TVS array
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 22V
Semiconductor structure: common cathode; double
Capacitance: 50pF
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 40W
Breakdown voltage: 25.65...28.35V
Leakage current: 50nA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 14.49 грн |
28+ | 10.06 грн |
50+ | 7.71 грн |
100+ | 7.00 грн |
235+ | 4.48 грн |
644+ | 4.23 грн |
PJMBZ27V-AU_R2_000A1 |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJMBZ27V-AU-R2 Protection diodes - arrays
PJMBZ27V-AU-R2 Protection diodes - arrays
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJMBZ33A-AU_R1_007A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJMBZ33A-AU-R1 Protection diodes - arrays
PJMBZ33A-AU-R1 Protection diodes - arrays
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJMBZ5V6A-AU_R1_007A1 |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJMBZ5V6A-AU-R1 Protection diodes - arrays
PJMBZ5V6A-AU-R1 Protection diodes - arrays
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJMBZ6V2A-AU_R1_007A1 |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJMBZ6V2A-AU-R1 Protection diodes - arrays
PJMBZ6V2A-AU-R1 Protection diodes - arrays
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.