Продукція > PANJIT SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника PANJIT SEMICONDUCTOR (1122) > Сторінка 14 з 19
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PE4105C2A_R1_00501 | PanJit Semiconductor |
Category: Protection diodes - arrays Description: Diode: TVS; 7.5V; 1A; 0.35kW; unidirectional; SOT23; Ch: 2 Mounting: SMD Case: SOT23 Type of diode: TVS Semiconductor structure: unidirectional Capacitance: 0.12nF Leakage current: 1µA Number of channels: 2 Max. forward impulse current: 1A Max. off-state voltage: 5V Breakdown voltage: 7.5V Peak pulse power dissipation: 0.35kW |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| PE4105C3C6_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
Category: Protection diodes - arraysDescription: Diode: TVS; 6V; 13A; unidirectional; SOT363; Ch: 3 Mounting: SMD Case: SOT363 Type of diode: TVS Semiconductor structure: unidirectional Capacitance: 0.12nF Leakage current: 1µA Number of channels: 3 Max. forward impulse current: 13A Max. off-state voltage: 5V Breakdown voltage: 6V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| PEC1605M1Q-AU_R1_005A1 | PanJit Semiconductor |
Category: Protection diodes - arrays Description: Diode: TVS; 6.8V; 2A; bidirectional; DFN1006-2; Ch: 1 Capacitance: 0.6pF Mounting: SMD Type of diode: TVS Leakage current: 75nA Number of channels: 1 Max. forward impulse current: 2A Max. off-state voltage: 5V Breakdown voltage: 6.8V Application: automotive industry Semiconductor structure: bidirectional Case: DFN1006-2 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
PEC1605M1Q_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
Category: Bidirectional TVS SMD diodesDescription: Diode: TVS; ESD; 6.8÷11.2V; bidirectional; DFN1006-2; reel,tape Capacitance: 0.6pF Mounting: SMD Type of diode: TVS Kind of package: reel; tape Leakage current: 75nA Max. off-state voltage: 5.5V Breakdown voltage: 6.8...11.2V Semiconductor structure: bidirectional Case: DFN1006-2 Version: ESD |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PEC33712C2A_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
PEC33712C2A-R1 Protection diodes - arrays |
на замовлення 2983 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PEC4102C2A_R1_00501 | PanJit Semiconductor |
Category: Protection diodes - arrays Description: Diode: TVS; 4V; 0.35kW; bidirectional; SOT23 Mounting: SMD Peak pulse power dissipation: 0.35kW Semiconductor structure: bidirectional Case: SOT23 Type of diode: TVS Leakage current: 0.5µA Max. off-state voltage: 2.5V Breakdown voltage: 4V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| PEC4102CS_R1_00701 | PanJit Semiconductor |
Category: Protection diodes - arrays Description: Diode: TVS; 4V; SOD323 Mounting: SMD Case: SOD323 Type of diode: TVS Leakage current: 0.5µA Breakdown voltage: 4V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| PEC4103C2A_R1_00501 | PanJit Semiconductor |
Category: Protection diodes - arrays Description: Diode: TVS; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Type of diode: TVS |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| PEC4103CS_R1_00701 | PanJit Semiconductor |
Category: Protection diodes - arrays Description: Diode: TVS; 4.5V; 0.35kW; bidirectional; SOD323 Mounting: SMD Peak pulse power dissipation: 0.35kW Semiconductor structure: bidirectional Case: SOD323 Type of diode: TVS Leakage current: 0.5µA Max. off-state voltage: 3.3V Breakdown voltage: 4.5V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| PEC4105C2A_R1_00501 | PanJit Semiconductor |
Category: Protection diodes - arrays Description: Diode: TVS; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Type of diode: TVS |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| PEC4105CS_R1_00701 | PanJit Semiconductor |
Category: Protection diodes - arrays Description: Diode: TVS; SOD323 Mounting: SMD Case: SOD323 Type of diode: TVS |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| PJA138K-AU_R1_000A1 | PanJit Semiconductor |
PJA138K-AU-R1 SMD N channel transistors |
на замовлення 1936 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
PJA3400_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.9A; Idm: 19.6A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 4.9A Pulsed drain current: 19.6A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Gate charge: 5.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2675 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PJA3400_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.9A; Idm: 19.6A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 4.9A Pulsed drain current: 19.6A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Gate charge: 5.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2675 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| PJA3401A_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
PJA3401A-R1 SMD P channel transistors |
на замовлення 1783 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PJA3402_R1_00501 | PanJit Semiconductor | PJA3402-R1 SMD N channel transistors |
на замовлення 9015 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PJA3403_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
PJA3403-R1 SMD P channel transistors |
на замовлення 2314 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PJA3404_R1_00501 | PanJit Semiconductor | PJA3404-R1 SMD N channel transistors |
на замовлення 3260 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PJA3405-AU_R1_000A1 | PanJit Semiconductor |
PJA3405-AU-R1 SMD P channel transistors |
на замовлення 2864 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PJA3406_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
PJA3406-R1 SMD N channel transistors |
на замовлення 2470 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PJA3407_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
PJA3407-R1 SMD P channel transistors |
на замовлення 2364 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PJA3409_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
PJA3409-R1 SMD P channel transistors |
на замовлення 2379 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PJA3412-AU_R1_000A1 | PanJit Semiconductor |
PJA3412-AU-R1 SMD N channel transistors |
на замовлення 1584 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PJA3412_R1_00501 | PanJit Semiconductor | PJA3412-R1 SMD N channel transistors |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PJA3413_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
PJA3413-R1 SMD P channel transistors |
на замовлення 2368 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PJA3416AE_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
PJA3416AE-R1 SMD N channel transistors |
на замовлення 160 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PJA3428_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
PJA3428-R1 SMD N channel transistors |
на замовлення 7390 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PJA3430_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
PJA3430-R1 SMD N channel transistors |
на замовлення 2550 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PJA3432-AU_R1_000A1 | PanJit Semiconductor |
PJA3432-AU-R1 SMD N channel transistors |
на замовлення 1745 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PJA3433-AU_R1_000A1 | PanJit Semiconductor |
PJA3433-AU-R1 SMD P channel transistors |
на замовлення 232 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PJA3433_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
PJA3433-R1 SMD P channel transistors |
на замовлення 6992 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PJA3434_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
PJA3434-R1 SMD N channel transistors |
на замовлення 3770 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PJA3435_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
PJA3435-R1 SMD P channel transistors |
на замовлення 5960 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PJA3436-AU_R1_000A1 | PanJit Semiconductor |
PJA3436-AU-R1 SMD N channel transistors |
на замовлення 2978 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PJA3438-AU_R1_000A1 | PanJit Semiconductor |
PJA3438-AU-R1 SMD N channel transistors |
на замовлення 500 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PJA3440-AU_R1_000A1 | PanJit Semiconductor |
PJA3440-AU-R1 SMD N channel transistors |
на замовлення 5385 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PJA3441-AU_R1_000A1 | PanJit Semiconductor |
PJA3441-AU-R1 SMD P channel transistors |
на замовлення 5725 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PJA3441_R1_00501 | PanJit Semiconductor | PJA3441-R1 SMD P channel transistors |
на замовлення 1673 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PJA3460-AU_R1_000A1 | PanJit Semiconductor | PJA3460-AU-R1 SMD N channel transistors |
на замовлення 1013 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PJA3460_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
PJA3460-R1 SMD N channel transistors |
на замовлення 2474 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PJA3463_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
PJA3463-R1 SMD P channel transistors |
на замовлення 3022 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
PJA3471_R1_00501 | PanJit Semiconductor |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -900mA; Idm: -3.6A; 1.25W Kind of package: reel; tape Case: SOT23 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Drain-source voltage: -100V Pulsed drain current: -3.6A Drain current: -900mA Gate charge: 8nC On-state resistance: 0.7Ω Power dissipation: 1.25W Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9065 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PJA3471_R1_00501 | PanJit Semiconductor |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -900mA; Idm: -3.6A; 1.25W Kind of package: reel; tape Case: SOT23 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Drain-source voltage: -100V Pulsed drain current: -3.6A Drain current: -900mA Gate charge: 8nC On-state resistance: 0.7Ω Power dissipation: 1.25W Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar |
на замовлення 9065 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| PJC138K-AU_R1_000A1 | PanJit Semiconductor |
PJC138K-AU-R1 SMD N channel transistors |
на замовлення 2059 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PJC7400_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
PJC7400-R1 SMD N channel transistors |
на замовлення 5455 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PJC7401_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
PJC7401-R1 SMD P channel transistors |
на замовлення 3105 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
PJC7404_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT323 Kind of package: reel; tape Case: SOT323 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 20V Drain current: 1A Gate charge: 1.6nC On-state resistance: 0.4Ω Power dissipation: 0.35W Pulsed drain current: 4A Gate-source voltage: ±8V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5990 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PJC7404_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT323 Kind of package: reel; tape Case: SOT323 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 20V Drain current: 1A Gate charge: 1.6nC On-state resistance: 0.4Ω Power dissipation: 0.35W Pulsed drain current: 4A Gate-source voltage: ±8V |
на замовлення 5990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PJC7407_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.3A; Idm: -5.2A; 350mW Mounting: SMD Case: SOT323 Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Drain current: -1.3A Drain-source voltage: -20V Pulsed drain current: -5.2A Gate charge: 5.4nC On-state resistance: 0.2Ω Power dissipation: 0.35W Gate-source voltage: ±12V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7545 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PJC7407_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.3A; Idm: -5.2A; 350mW Mounting: SMD Case: SOT323 Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Drain current: -1.3A Drain-source voltage: -20V Pulsed drain current: -5.2A Gate charge: 5.4nC On-state resistance: 0.2Ω Power dissipation: 0.35W Gate-source voltage: ±12V |
на замовлення 7545 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| PJC7409_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 39A; DFN5060-8 Case: DFN5060-8 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Gate-source voltage: 20V Drain current: 39A Drain-source voltage: 60V Polarisation: unipolar |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| PJC7428_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
PJC7428-R1 SMD N channel transistors |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PJC7439-AU_R1_000A1 | PanJit Semiconductor |
PJC7439-AU-R1 SMD P channel transistors |
на замовлення 2875 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PJC7476_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
PJC7476-R1 SMD N channel transistors |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PJD13N10A_L2_00601 | PanJit Semiconductor |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 13A; TO252AA Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 13A Case: TO252AA Gate-source voltage: 20V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| PJD16P06A_L2_00001 | PanJit Semiconductor |
PJD16P06A-L2 SMD P channel transistors |
на замовлення 10928 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
PJD18N20_L2_00001 | PanJit Semiconductor |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 83W; TO252AA Case: TO252AA Mounting: SMD On-state resistance: 0.16Ω Drain current: 11A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 83W Pulsed drain current: 72A Drain-source voltage: 200V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 24nC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PJD25N03_L2_00001 | PanJit Semiconductor |
PJD25N03-L2 SMD N channel transistors |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PJD25N06A-AU_L2_000A1 | PanJit Semiconductor |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; TO252AA Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 25A Case: TO252AA Gate-source voltage: 20V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
PJD25N06A_L2_00001 | PanJit Semiconductor |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 40W; TO252AA Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 25A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 40W Case: TO252AA Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1527 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
| PE4105C2A_R1_00501 |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 7.5V; 1A; 0.35kW; unidirectional; SOT23; Ch: 2
Mounting: SMD
Case: SOT23
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
Capacitance: 0.12nF
Leakage current: 1µA
Number of channels: 2
Max. forward impulse current: 1A
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 7.5V
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 7.5V; 1A; 0.35kW; unidirectional; SOT23; Ch: 2
Mounting: SMD
Case: SOT23
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
Capacitance: 0.12nF
Leakage current: 1µA
Number of channels: 2
Max. forward impulse current: 1A
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 7.5V
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PE4105C3C6_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 6V; 13A; unidirectional; SOT363; Ch: 3
Mounting: SMD
Case: SOT363
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
Capacitance: 0.12nF
Leakage current: 1µA
Number of channels: 3
Max. forward impulse current: 13A
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6V
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 6V; 13A; unidirectional; SOT363; Ch: 3
Mounting: SMD
Case: SOT363
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
Capacitance: 0.12nF
Leakage current: 1µA
Number of channels: 3
Max. forward impulse current: 13A
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PEC1605M1Q-AU_R1_005A1 |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 6.8V; 2A; bidirectional; DFN1006-2; Ch: 1
Capacitance: 0.6pF
Mounting: SMD
Type of diode: TVS
Leakage current: 75nA
Number of channels: 1
Max. forward impulse current: 2A
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.8V
Application: automotive industry
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DFN1006-2
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 6.8V; 2A; bidirectional; DFN1006-2; Ch: 1
Capacitance: 0.6pF
Mounting: SMD
Type of diode: TVS
Leakage current: 75nA
Number of channels: 1
Max. forward impulse current: 2A
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.8V
Application: automotive industry
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DFN1006-2
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PEC1605M1Q_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; ESD; 6.8÷11.2V; bidirectional; DFN1006-2; reel,tape
Capacitance: 0.6pF
Mounting: SMD
Type of diode: TVS
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 75nA
Max. off-state voltage: 5.5V
Breakdown voltage: 6.8...11.2V
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DFN1006-2
Version: ESD
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; ESD; 6.8÷11.2V; bidirectional; DFN1006-2; reel,tape
Capacitance: 0.6pF
Mounting: SMD
Type of diode: TVS
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 75nA
Max. off-state voltage: 5.5V
Breakdown voltage: 6.8...11.2V
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DFN1006-2
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PEC33712C2A_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PEC33712C2A-R1 Protection diodes - arrays
PEC33712C2A-R1 Protection diodes - arrays
на замовлення 2983 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 23.04 грн |
| 155+ | 7.70 грн |
| 425+ | 7.20 грн |
| PEC4102C2A_R1_00501 |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 4V; 0.35kW; bidirectional; SOT23
Mounting: SMD
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOT23
Type of diode: TVS
Leakage current: 0.5µA
Max. off-state voltage: 2.5V
Breakdown voltage: 4V
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 4V; 0.35kW; bidirectional; SOT23
Mounting: SMD
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOT23
Type of diode: TVS
Leakage current: 0.5µA
Max. off-state voltage: 2.5V
Breakdown voltage: 4V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PEC4102CS_R1_00701 |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 4V; SOD323
Mounting: SMD
Case: SOD323
Type of diode: TVS
Leakage current: 0.5µA
Breakdown voltage: 4V
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 4V; SOD323
Mounting: SMD
Case: SOD323
Type of diode: TVS
Leakage current: 0.5µA
Breakdown voltage: 4V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PEC4103C2A_R1_00501 |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Type of diode: TVS
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Type of diode: TVS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PEC4103CS_R1_00701 |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 4.5V; 0.35kW; bidirectional; SOD323
Mounting: SMD
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOD323
Type of diode: TVS
Leakage current: 0.5µA
Max. off-state voltage: 3.3V
Breakdown voltage: 4.5V
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 4.5V; 0.35kW; bidirectional; SOD323
Mounting: SMD
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOD323
Type of diode: TVS
Leakage current: 0.5µA
Max. off-state voltage: 3.3V
Breakdown voltage: 4.5V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PEC4105C2A_R1_00501 |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Type of diode: TVS
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Type of diode: TVS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PEC4105CS_R1_00701 |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; SOD323
Mounting: SMD
Case: SOD323
Type of diode: TVS
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; SOD323
Mounting: SMD
Case: SOD323
Type of diode: TVS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PJA138K-AU_R1_000A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJA138K-AU-R1 SMD N channel transistors
PJA138K-AU-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 1936 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 19.37 грн |
| 490+ | 2.42 грн |
| 1345+ | 2.29 грн |
| PJA3400_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.9A; Idm: 19.6A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.9A
Pulsed drain current: 19.6A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.9A; Idm: 19.6A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.9A
Pulsed drain current: 19.6A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2675 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 29.08 грн |
| 19+ | 17.24 грн |
| 100+ | 10.30 грн |
| 500+ | 7.50 грн |
| 1000+ | 6.50 грн |
| 3000+ | 6.20 грн |
| PJA3400_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.9A; Idm: 19.6A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.9A
Pulsed drain current: 19.6A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.9A; Idm: 19.6A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.9A
Pulsed drain current: 19.6A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2675 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 24.23 грн |
| 31+ | 13.83 грн |
| 100+ | 8.58 грн |
| 500+ | 6.25 грн |
| 1000+ | 5.42 грн |
| PJA3401A_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJA3401A-R1 SMD P channel transistors
PJA3401A-R1 SMD P channel transistors
на замовлення 1783 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 26.60 грн |
| 204+ | 5.81 грн |
| 561+ | 5.50 грн |
| PJA3402_R1_00501 |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJA3402-R1 SMD N channel transistors
PJA3402-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 9015 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 37.69 грн |
| 254+ | 4.68 грн |
| 696+ | 4.42 грн |
| PJA3403_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJA3403-R1 SMD P channel transistors
PJA3403-R1 SMD P channel transistors
на замовлення 2314 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 25.62 грн |
| 255+ | 4.64 грн |
| 702+ | 4.39 грн |
| PJA3404_R1_00501 |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJA3404-R1 SMD N channel transistors
PJA3404-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 3260 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 44.15 грн |
| 225+ | 5.30 грн |
| 617+ | 5.00 грн |
| PJA3405-AU_R1_000A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJA3405-AU-R1 SMD P channel transistors
PJA3405-AU-R1 SMD P channel transistors
на замовлення 2864 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 37.91 грн |
| 196+ | 6.10 грн |
| 538+ | 5.70 грн |
| PJA3406_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJA3406-R1 SMD N channel transistors
PJA3406-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 26.08 грн |
| 220+ | 5.38 грн |
| 605+ | 5.09 грн |
| PJA3407_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJA3407-R1 SMD P channel transistors
PJA3407-R1 SMD P channel transistors
на замовлення 2364 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 39.84 грн |
| 188+ | 6.30 грн |
| 518+ | 5.90 грн |
| PJA3409_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJA3409-R1 SMD P channel transistors
PJA3409-R1 SMD P channel transistors
на замовлення 2379 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 33.11 грн |
| 202+ | 5.88 грн |
| 554+ | 5.56 грн |
| PJA3412-AU_R1_000A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJA3412-AU-R1 SMD N channel transistors
PJA3412-AU-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 1584 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.57 грн |
| 206+ | 5.76 грн |
| 566+ | 5.44 грн |
| 9000+ | 5.43 грн |
| PJA3412_R1_00501 |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJA3412-R1 SMD N channel transistors
PJA3412-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 34.46 грн |
| 313+ | 3.79 грн |
| 859+ | 3.59 грн |
| PJA3413_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJA3413-R1 SMD P channel transistors
PJA3413-R1 SMD P channel transistors
на замовлення 2368 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 31.51 грн |
| 320+ | 3.70 грн |
| 880+ | 3.50 грн |
| PJA3416AE_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJA3416AE-R1 SMD N channel transistors
PJA3416AE-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 160 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 29.72 грн |
| 189+ | 6.30 грн |
| 520+ | 5.90 грн |
| PJA3428_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJA3428-R1 SMD N channel transistors
PJA3428-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 7390 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 29.51 грн |
| 296+ | 4.01 грн |
| 812+ | 3.79 грн |
| PJA3430_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJA3430-R1 SMD N channel transistors
PJA3430-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 23.53 грн |
| 233+ | 5.09 грн |
| 640+ | 4.81 грн |
| PJA3432-AU_R1_000A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJA3432-AU-R1 SMD N channel transistors
PJA3432-AU-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 1745 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 23.53 грн |
| 203+ | 5.86 грн |
| 556+ | 5.54 грн |
| 3000+ | 5.53 грн |
| PJA3433-AU_R1_000A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJA3433-AU-R1 SMD P channel transistors
PJA3433-AU-R1 SMD P channel transistors
на замовлення 232 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 23.48 грн |
| 184+ | 6.50 грн |
| 504+ | 6.10 грн |
| PJA3433_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJA3433-R1 SMD P channel transistors
PJA3433-R1 SMD P channel transistors
на замовлення 6992 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 22.61 грн |
| 201+ | 5.90 грн |
| 554+ | 5.60 грн |
| PJA3434_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJA3434-R1 SMD N channel transistors
PJA3434-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 3770 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 20.26 грн |
| 256+ | 4.63 грн |
| 704+ | 4.38 грн |
| PJA3435_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJA3435-R1 SMD P channel transistors
PJA3435-R1 SMD P channel transistors
на замовлення 5960 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 32.74 грн |
| 233+ | 5.08 грн |
| 641+ | 4.81 грн |
| 30000+ | 4.80 грн |
| PJA3436-AU_R1_000A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJA3436-AU-R1 SMD N channel transistors
PJA3436-AU-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.15 грн |
| 225+ | 5.29 грн |
| 617+ | 5.00 грн |
| PJA3438-AU_R1_000A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJA3438-AU-R1 SMD N channel transistors
PJA3438-AU-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 500 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 34.78 грн |
| 235+ | 5.06 грн |
| 644+ | 4.78 грн |
| PJA3440-AU_R1_000A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJA3440-AU-R1 SMD N channel transistors
PJA3440-AU-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 5385 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 45.87 грн |
| 133+ | 8.90 грн |
| 366+ | 8.40 грн |
| PJA3441-AU_R1_000A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJA3441-AU-R1 SMD P channel transistors
PJA3441-AU-R1 SMD P channel transistors
на замовлення 5725 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 37.47 грн |
| 153+ | 7.70 грн |
| 420+ | 7.30 грн |
| PJA3441_R1_00501 |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJA3441-R1 SMD P channel transistors
PJA3441-R1 SMD P channel transistors
на замовлення 1673 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 36.40 грн |
| 182+ | 6.50 грн |
| 500+ | 6.20 грн |
| PJA3460-AU_R1_000A1 |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJA3460-AU-R1 SMD N channel transistors
PJA3460-AU-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 1013 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.58 грн |
| 149+ | 8.00 грн |
| 411+ | 7.50 грн |
| 9000+ | 7.48 грн |
| PJA3460_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJA3460-R1 SMD N channel transistors
PJA3460-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 2474 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 26.60 грн |
| 152+ | 7.80 грн |
| 419+ | 7.40 грн |
| 1000+ | 7.37 грн |
| PJA3463_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJA3463-R1 SMD P channel transistors
PJA3463-R1 SMD P channel transistors
на замовлення 3022 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 44.37 грн |
| 120+ | 9.90 грн |
| 328+ | 9.40 грн |
| PJA3471_R1_00501 |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -900mA; Idm: -3.6A; 1.25W
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -3.6A
Drain current: -900mA
Gate charge: 8nC
On-state resistance: 0.7Ω
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -900mA; Idm: -3.6A; 1.25W
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -3.6A
Drain current: -900mA
Gate charge: 8nC
On-state resistance: 0.7Ω
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9065 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 36.61 грн |
| 16+ | 20.04 грн |
| 100+ | 12.20 грн |
| 250+ | 10.10 грн |
| 500+ | 8.80 грн |
| 1000+ | 8.40 грн |
| 3000+ | 7.80 грн |
| PJA3471_R1_00501 |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -900mA; Idm: -3.6A; 1.25W
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -3.6A
Drain current: -900mA
Gate charge: 8nC
On-state resistance: 0.7Ω
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -900mA; Idm: -3.6A; 1.25W
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -3.6A
Drain current: -900mA
Gate charge: 8nC
On-state resistance: 0.7Ω
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
на замовлення 9065 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 30.51 грн |
| 26+ | 16.08 грн |
| 100+ | 10.17 грн |
| 250+ | 8.42 грн |
| 500+ | 7.33 грн |
| 1000+ | 7.00 грн |
| 3000+ | 6.50 грн |
| PJC138K-AU_R1_000A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJC138K-AU-R1 SMD N channel transistors
PJC138K-AU-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 2059 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.80 грн |
| 280+ | 4.24 грн |
| 768+ | 4.01 грн |
| PJC7400_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJC7400-R1 SMD N channel transistors
PJC7400-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 5455 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 25.52 грн |
| 171+ | 6.90 грн |
| 470+ | 6.60 грн |
| PJC7401_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJC7401-R1 SMD P channel transistors
PJC7401-R1 SMD P channel transistors
на замовлення 3105 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 43.94 грн |
| 177+ | 6.70 грн |
| 486+ | 6.30 грн |
| PJC7404_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT323
Kind of package: reel; tape
Case: SOT323
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
Gate charge: 1.6nC
On-state resistance: 0.4Ω
Power dissipation: 0.35W
Pulsed drain current: 4A
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT323
Kind of package: reel; tape
Case: SOT323
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
Gate charge: 1.6nC
On-state resistance: 0.4Ω
Power dissipation: 0.35W
Pulsed drain current: 4A
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 36.61 грн |
| 15+ | 21.91 грн |
| 100+ | 13.40 грн |
| 500+ | 9.90 грн |
| 1000+ | 8.60 грн |
| 3000+ | 7.00 грн |
| 6000+ | 6.20 грн |
| PJC7404_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT323
Kind of package: reel; tape
Case: SOT323
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
Gate charge: 1.6nC
On-state resistance: 0.4Ω
Power dissipation: 0.35W
Pulsed drain current: 4A
Gate-source voltage: ±8V
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT323
Kind of package: reel; tape
Case: SOT323
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
Gate charge: 1.6nC
On-state resistance: 0.4Ω
Power dissipation: 0.35W
Pulsed drain current: 4A
Gate-source voltage: ±8V
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 30.51 грн |
| 24+ | 17.58 грн |
| 100+ | 11.17 грн |
| 500+ | 8.25 грн |
| 1000+ | 7.17 грн |
| 3000+ | 5.83 грн |
| PJC7407_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.3A; Idm: -5.2A; 350mW
Mounting: SMD
Case: SOT323
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain current: -1.3A
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -5.2A
Gate charge: 5.4nC
On-state resistance: 0.2Ω
Power dissipation: 0.35W
Gate-source voltage: ±12V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.3A; Idm: -5.2A; 350mW
Mounting: SMD
Case: SOT323
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain current: -1.3A
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -5.2A
Gate charge: 5.4nC
On-state resistance: 0.2Ω
Power dissipation: 0.35W
Gate-source voltage: ±12V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7545 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 28.00 грн |
| 18+ | 18.07 грн |
| 100+ | 10.20 грн |
| 500+ | 7.70 грн |
| 1000+ | 7.00 грн |
| 3000+ | 6.20 грн |
| 6000+ | 6.00 грн |
| PJC7407_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.3A; Idm: -5.2A; 350mW
Mounting: SMD
Case: SOT323
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain current: -1.3A
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -5.2A
Gate charge: 5.4nC
On-state resistance: 0.2Ω
Power dissipation: 0.35W
Gate-source voltage: ±12V
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.3A; Idm: -5.2A; 350mW
Mounting: SMD
Case: SOT323
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain current: -1.3A
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -5.2A
Gate charge: 5.4nC
On-state resistance: 0.2Ω
Power dissipation: 0.35W
Gate-source voltage: ±12V
на замовлення 7545 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 23.33 грн |
| 29+ | 14.50 грн |
| 100+ | 8.50 грн |
| 500+ | 6.42 грн |
| 1000+ | 5.83 грн |
| 3000+ | 5.17 грн |
| 6000+ | 5.00 грн |
| PJC7409_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 39A; DFN5060-8
Case: DFN5060-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate-source voltage: 20V
Drain current: 39A
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 39A; DFN5060-8
Case: DFN5060-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate-source voltage: 20V
Drain current: 39A
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PJC7428_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJC7428-R1 SMD N channel transistors
PJC7428-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 21.29 грн |
| 213+ | 5.59 грн |
| 584+ | 5.28 грн |
| PJC7439-AU_R1_000A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJC7439-AU-R1 SMD P channel transistors
PJC7439-AU-R1 SMD P channel transistors
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 22.08 грн |
| 319+ | 3.72 грн |
| 877+ | 3.51 грн |
| PJC7476_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJC7476-R1 SMD N channel transistors
PJC7476-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 40.92 грн |
| 147+ | 8.10 грн |
| 403+ | 7.70 грн |
| 9000+ | 7.68 грн |
| PJD13N10A_L2_00601 |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 13A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 13A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 13A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 13A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PJD16P06A_L2_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJD16P06A-L2 SMD P channel transistors
PJD16P06A-L2 SMD P channel transistors
на замовлення 10928 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 66.01 грн |
| 47+ | 25.70 грн |
| 127+ | 24.30 грн |
| 1000+ | 24.19 грн |
| PJD18N20_L2_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 83W; TO252AA
Case: TO252AA
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 11A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 83W
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 24nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 83W; TO252AA
Case: TO252AA
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 11A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 83W
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 24nC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PJD25N03_L2_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJD25N03-L2 SMD N channel transistors
PJD25N03-L2 SMD N channel transistors
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 54.17 грн |
| 69+ | 17.30 грн |
| 188+ | 16.40 грн |
| PJD25N06A-AU_L2_000A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PJD25N06A_L2_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 40W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 40W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 40W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 40W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1527 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 50.61 грн |
| 10+ | 33.12 грн |
| 100+ | 23.30 грн |
| 500+ | 19.30 грн |
| 1000+ | 17.90 грн |
| 3000+ | 15.90 грн |
| 6000+ | 15.60 грн |





