Продукція > PANJIT SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника PANJIT SEMICONDUCTOR (1081) > Сторінка 14 з 19

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJD13N10A_L2_00601 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 13A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 13A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD16P06A_L2_00001 PanJit Semiconductor PJD16P06A.pdf PJD16P06A-L2 SMD P channel transistors
на замовлення 10928 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+65.56 грн
47+25.52 грн
127+24.13 грн
1000+24.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N03_L2_00001 PanJit Semiconductor PJD25N03.pdf PJD25N03-L2 SMD N channel transistors
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
6+53.80 грн
69+17.18 грн
188+16.29 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N06A-AU_L2_000A1 PanJit Semiconductor PJD25N06A-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N06A_L2_00001 PJD25N06A_L2_00001 PanJit Semiconductor PJD25N06A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 40W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 40W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1527 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
7+50.27 грн
10+32.90 грн
100+23.14 грн
500+19.17 грн
1000+17.78 грн
3000+15.79 грн
6000+15.49 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N06A_L2_00001 PJD25N06A_L2_00001 PanJit Semiconductor PJD25N06A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 40W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 40W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1527 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+41.89 грн
16+26.40 грн
100+19.28 грн
500+15.97 грн
1000+14.81 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N10A_L2_00601 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 25A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 25A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD30N04S-AU_L2_002A1 PanJit Semiconductor PJD30N04S-AU Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 43A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 43A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD35P03_L2_00001 PanJit Semiconductor PJD35P03.pdf PJD35P03-L2 SMD P channel transistors
на замовлення 2503 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
6+60.96 грн
69+17.08 грн
190+16.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PJD40N04_L2_00601 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD45N06A_L2_00001 PanJit Semiconductor PJx45N06A.pdf PJD45N06A-L2 SMD N channel transistors
на замовлення 209 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+84.39 грн
49+24.23 грн
134+22.94 грн
9000+22.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PJD50P06A-AU_L2_002A1 PanJit Semiconductor Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 49A; TO252AA
Case: TO252AA
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 49A
Gate-source voltage: 20V
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60N06SA-AU_L2_006A1 PanJit Semiconductor PJD60N06SA-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 66A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 66A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N03_L2_00001 PanJit Semiconductor PJx80N03.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 80A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N06SA-AU_L2_006A1 PanJit Semiconductor PJD80N06SA-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 94A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 94A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD9N10A_L2_00601 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJE138K_R1_00001 PanJit Semiconductor PJE138K.pdf PJE138K-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 1819 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+16.78 грн
225+5.24 грн
618+4.96 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
PJE5UFN10A_R1_00001 PanJit Semiconductor PJE5UFN10A.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 6V; 2.5A; unidirectional; DFN2510-10; Ch: 4
Case: DFN2510-10
Mounting: SMD
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
Capacitance: 0.8pF
Leakage current: 1µA
Max. forward impulse current: 2.5A
Number of channels: 4
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJE5V0U8TB-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJE5V0U8TB-AU-R1 Protection diodes - arrays
на замовлення 19922 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
8+41.93 грн
164+7.15 грн
450+6.75 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8403_R1_00001 PanJit Semiconductor PJE8403.pdf PJE8403-R1 SMD P channel transistors
на замовлення 3975 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
14+23.42 грн
170+6.95 грн
466+6.55 грн
1000+6.50 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8408_R1_00001 PanJit Semiconductor PJE8408.pdf PJE8408-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 3825 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
25+13.16 грн
170+6.95 грн
250+6.50 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
PJGBLC03C_R1_00001 PanJit Semiconductor PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf PJGBLC03C-R1 Protection diodes - arrays
на замовлення 3456 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
11+30.48 грн
133+8.94 грн
365+8.44 грн
5000+8.35 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJGBLC05C-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 7V; 1A; 0.35kW; bidirectional; SOD323; Ch: 1
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 7V
Max. forward impulse current: 1A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 5V
Leakage current: 5µA
Number of channels: 1
Capacitance: 3pF
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJGBLC05C_R1_00001 PJGBLC05C_R1_00001 PanJit Semiconductor PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.03÷7.77V; 1A; 350W; bidirectional; SOD323; Ch: 1
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 7.03...7.77V
Max. forward impulse current: 1A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 5V
Leakage current: 5µA
Number of channels: 1
Capacitance: 3pF
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1376 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
12+26.74 грн
18+18.05 грн
100+11.82 грн
500+9.04 грн
1000+8.04 грн
10000+7.35 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PJGBLC05C_R1_00001 PJGBLC05C_R1_00001 PanJit Semiconductor PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.03÷7.77V; 1A; 350W; bidirectional; SOD323; Ch: 1
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 7.03...7.77V
Max. forward impulse current: 1A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 5V
Leakage current: 5µA
Number of channels: 1
Capacitance: 3pF
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+22.28 грн
29+14.48 грн
100+9.85 грн
500+7.53 грн
1000+6.70 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
PJGBLC05_R1_00001 PanJit Semiconductor PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 7.77V; 1A; 0.35kW; unidirectional; SOD323; Ch: 1
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 7.77V
Max. forward impulse current: 1A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 5V
Leakage current: 5µA
Number of channels: 1
Capacitance: 3pF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJGBLC12C_R1_00001 PanJit Semiconductor PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf PJGBLC12C-R1 Protection diodes - arrays
на замовлення 4415 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
13+26.42 грн
141+8.34 грн
386+7.95 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PJGBLC24C_R1_00001 PanJit Semiconductor PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf PJGBLC24C-R1 Protection diodes - arrays
на замовлення 4380 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
13+25.03 грн
141+8.34 грн
386+7.95 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PJL9407_R2_00001 PanJit Semiconductor PJL9407-R2 SMD P channel transistors
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
9+39.68 грн
111+10.73 грн
304+10.13 грн
7500+10.11 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PJL9850_R2_00001 PanJit Semiconductor PJL9850.pdf PJL9850-R2 Multi channel transistors
на замовлення 5047 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+67.06 грн
65+18.17 грн
179+17.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PJMB125N60FRC_R2_00201 PanJit Semiconductor PJMB125N60FRC Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; TO263AB
Polarisation: unipolar
Drain current: 30A
Gate-source voltage: 30V
Case: TO263AB
Drain-source voltage: 600V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMB130N65EC_R2_00601 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 29A; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 29A
Case: TO263
Gate-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMB130N65EC_T0_00601 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 29A; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 29A
Case: TO263
Gate-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMB210N65EC_R2_00601 PanJit Semiconductor PJMB210N65EC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 42A
Gate charge: 34nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMB390N65EC_R2_00601 PanJit Semiconductor PJMB390N65EC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 22A; 87.5W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 87.5W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMB390N65EC_T0_00601 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 22A; 87.5W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 87.5W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ12A-AU_R1_007A1 PanJit Semiconductor PJMBZ5V6A-AU_SER.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 11.4÷12.6V; 40W; double,common anode; SOT23
Type of diode: TVS array
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Semiconductor structure: common anode; double
Leakage current: 0.2µA
Max. off-state voltage: 8.5V
Breakdown voltage: 11.4...12.6V
Peak pulse power dissipation: 40W
Application: automotive industry
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ18A-AU_R1_007A1 PanJit Semiconductor PJMBZ5V6A-AU_SER.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 17.1÷18.9V; 40W; double,common anode; SOT23
Application: automotive industry
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Leakage current: 50nA
Number of channels: 2
Max. off-state voltage: 14.5V
Breakdown voltage: 17.1...18.9V
Peak pulse power dissipation: 40W
Semiconductor structure: common anode; double
Case: SOT23
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ20A-AU_R1_007A1 PanJit Semiconductor PJMBZ5V6A-AU_SERIES.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 21V; 1.4A; 0.04kW; unidirectional; SOT23; Ch: 2
Type of diode: TVS
Leakage current: 50nA
Max. forward impulse current: 1.4A
Number of channels: 2
Max. off-state voltage: 17V
Breakdown voltage: 21V
Peak pulse power dissipation: 40W
Application: automotive industry
Case: SOT23
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ27V-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJMBZ15V-AU_SERIES.pdf PJMBZ27V-AU-R1 Protection diodes - arrays
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
19+17.29 грн
235+5.03 грн
644+4.75 грн
9000+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
PJMD190N65FR2_L2_00601 PanJit Semiconductor PJMD190N65FR2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19.7A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19.7A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMD280N60E1_L2_00601 PanJit Semiconductor PJMD280N60E1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; Idm: 41.4A; 49.1W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 41.4A
Power dissipation: 49.1W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMD360N60EC_L2_00001 PJMD360N60EC_L2_00001 PanJit Semiconductor PJMD360N60EC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 87.5W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 87.5W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMD390N65EC_L2_00001 PJMD390N65EC_L2_00001 PanJit Semiconductor PJMD390N65EC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 22A; 87.5W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 87.5W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMD580N60E1_L2_00001 PJMD580N60E1_L2_00001 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 24A; 54W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 54W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.58Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMD990N65EC_L2_00001 PJMD990N65EC_L2_00001 PanJit Semiconductor PJMD990N65EC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 9.5A; 47.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.7A
Pulsed drain current: 9.5A
Power dissipation: 47.5W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 990mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF060N65FR2_T0_00601 PanJit Semiconductor PJMF060N65FR2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 48.3A; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48.3A
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF080N65FR2_T0_00601 PanJit Semiconductor PJMF080N65FR2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 29.2A; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 29.2A
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF099N60EC_T0_00601 PanJit Semiconductor PJMF099N60EC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 88A; 14W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 39A
Power dissipation: 14W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 88A
Gate charge: 60nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF120N60EC_T0_00001 PJMF120N60EC_T0_00001 PanJit Semiconductor PJMF120N60EC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 69A; 33W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 33W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 69A
Gate charge: 51nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF125N60FRC_T0_00601 PanJit Semiconductor PJMF125N60FRC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29A; ITO220AB
Polarisation: unipolar
Drain current: 29A
Gate-source voltage: 30V
Case: ITO220AB
Drain-source voltage: 600V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF130N65EC_T0_006A1 PanJit Semiconductor Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 29A; Idm: 63A; 14W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 63A
Power dissipation: 14W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF190N60E1_T0_00001 PJMF190N60E1_T0_00001 PanJit Semiconductor PJMF190N60E1.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 60A; 38W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 38W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 41 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+239.58 грн
10+213.49 грн
25+189.69 грн
50+175.79 грн
100+160.89 грн
250+144.01 грн
500+131.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF190N60E1_T0_00001 PJMF190N60E1_T0_00001 PanJit Semiconductor PJMF190N60E1.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 60A; 38W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 38W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+199.65 грн
10+171.32 грн
25+158.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF190N65FR2_T0_00601 PanJit Semiconductor PJMF190N65FR2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19.6A; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19.6A
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF210N65EC_T0_00601 PJMF210N65EC_T0_00601 PanJit Semiconductor PJMF210N65EC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 32W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 32W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 42A
Gate charge: 34nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+242.78 грн
10+130.98 грн
50+114.21 грн
100+110.24 грн
250+104.28 грн
500+100.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF210N65EC_T0_00601 PJMF210N65EC_T0_00601 PanJit Semiconductor PJMF210N65EC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 32W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 32W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 42A
Gate charge: 34nC
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+202.32 грн
10+105.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF280N60E1_T0_00001 PJMF280N60E1_T0_00001 PanJit Semiconductor PJMF280N60E1.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; Idm: 41.4A; 34W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 41.4A
Power dissipation: 34W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 96 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+194.66 грн
10+111.38 грн
50+97.33 грн
100+93.36 грн
250+87.40 грн
500+83.42 грн
1000+82.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF280N60E1_T0_00001 PJMF280N60E1_T0_00001 PanJit Semiconductor PJMF280N60E1.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; Idm: 41.4A; 34W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 41.4A
Power dissipation: 34W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+162.21 грн
10+89.38 грн
50+81.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF280N65E1_T0_00001 PJMF280N65E1_T0_00001 PanJit Semiconductor PJMF280N65E1.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; Idm: 41.4A; 35.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 41.4A
Power dissipation: 35.7W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+211.77 грн
10+152.64 грн
50+131.09 грн
100+122.16 грн
250+117.19 грн
500+105.27 грн
1000+103.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJD13N10A_L2_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 13A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 13A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD16P06A_L2_00001 PJD16P06A.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJD16P06A-L2 SMD P channel transistors
на замовлення 10928 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.56 грн
47+25.52 грн
127+24.13 грн
1000+24.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N03_L2_00001 PJD25N03.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJD25N03-L2 SMD N channel transistors
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
6+53.80 грн
69+17.18 грн
188+16.29 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N06A-AU_L2_000A1 PJD25N06A-AU.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N06A_L2_00001 PJD25N06A.pdf
PJD25N06A_L2_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 40W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 40W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1527 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.27 грн
10+32.90 грн
100+23.14 грн
500+19.17 грн
1000+17.78 грн
3000+15.79 грн
6000+15.49 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N06A_L2_00001 PJD25N06A.pdf
PJD25N06A_L2_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 40W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 40W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1527 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+41.89 грн
16+26.40 грн
100+19.28 грн
500+15.97 грн
1000+14.81 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N10A_L2_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 25A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 25A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD30N04S-AU_L2_002A1 PJD30N04S-AU
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 43A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 43A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD35P03_L2_00001 PJD35P03.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJD35P03-L2 SMD P channel transistors
на замовлення 2503 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.96 грн
69+17.08 грн
190+16.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PJD40N04_L2_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD45N06A_L2_00001 PJx45N06A.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJD45N06A-L2 SMD N channel transistors
на замовлення 209 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.39 грн
49+24.23 грн
134+22.94 грн
9000+22.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PJD50P06A-AU_L2_002A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 49A; TO252AA
Case: TO252AA
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 49A
Gate-source voltage: 20V
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60N06SA-AU_L2_006A1 PJD60N06SA-AU.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 66A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 66A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N03_L2_00001 PJx80N03.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 80A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N06SA-AU_L2_006A1 PJD80N06SA-AU.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 94A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 94A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD9N10A_L2_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJE138K_R1_00001 PJE138K.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJE138K-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 1819 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.78 грн
225+5.24 грн
618+4.96 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
PJE5UFN10A_R1_00001 PJE5UFN10A.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 6V; 2.5A; unidirectional; DFN2510-10; Ch: 4
Case: DFN2510-10
Mounting: SMD
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
Capacitance: 0.8pF
Leakage current: 1µA
Max. forward impulse current: 2.5A
Number of channels: 4
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJE5V0U8TB-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
PJE5V0U8TB-AU-R1 Protection diodes - arrays
на замовлення 19922 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.93 грн
164+7.15 грн
450+6.75 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8403_R1_00001 PJE8403.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJE8403-R1 SMD P channel transistors
на замовлення 3975 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.42 грн
170+6.95 грн
466+6.55 грн
1000+6.50 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8408_R1_00001 PJE8408.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJE8408-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 3825 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
25+13.16 грн
170+6.95 грн
250+6.50 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
PJGBLC03C_R1_00001 PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJGBLC03C-R1 Protection diodes - arrays
на замовлення 3456 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.48 грн
133+8.94 грн
365+8.44 грн
5000+8.35 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJGBLC05C-AU_R1_000A1 PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 7V; 1A; 0.35kW; bidirectional; SOD323; Ch: 1
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 7V
Max. forward impulse current: 1A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 5V
Leakage current: 5µA
Number of channels: 1
Capacitance: 3pF
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJGBLC05C_R1_00001 PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf
PJGBLC05C_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.03÷7.77V; 1A; 350W; bidirectional; SOD323; Ch: 1
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 7.03...7.77V
Max. forward impulse current: 1A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 5V
Leakage current: 5µA
Number of channels: 1
Capacitance: 3pF
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1376 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
12+26.74 грн
18+18.05 грн
100+11.82 грн
500+9.04 грн
1000+8.04 грн
10000+7.35 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PJGBLC05C_R1_00001 PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf
PJGBLC05C_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.03÷7.77V; 1A; 350W; bidirectional; SOD323; Ch: 1
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 7.03...7.77V
Max. forward impulse current: 1A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 5V
Leakage current: 5µA
Number of channels: 1
Capacitance: 3pF
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+22.28 грн
29+14.48 грн
100+9.85 грн
500+7.53 грн
1000+6.70 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
PJGBLC05_R1_00001 PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 7.77V; 1A; 0.35kW; unidirectional; SOD323; Ch: 1
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 7.77V
Max. forward impulse current: 1A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 5V
Leakage current: 5µA
Number of channels: 1
Capacitance: 3pF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJGBLC12C_R1_00001 PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJGBLC12C-R1 Protection diodes - arrays
на замовлення 4415 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.42 грн
141+8.34 грн
386+7.95 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PJGBLC24C_R1_00001 PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJGBLC24C-R1 Protection diodes - arrays
на замовлення 4380 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.03 грн
141+8.34 грн
386+7.95 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PJL9407_R2_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
PJL9407-R2 SMD P channel transistors
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.68 грн
111+10.73 грн
304+10.13 грн
7500+10.11 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PJL9850_R2_00001 PJL9850.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJL9850-R2 Multi channel transistors
на замовлення 5047 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.06 грн
65+18.17 грн
179+17.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PJMB125N60FRC_R2_00201 PJMB125N60FRC
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; TO263AB
Polarisation: unipolar
Drain current: 30A
Gate-source voltage: 30V
Case: TO263AB
Drain-source voltage: 600V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMB130N65EC_R2_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 29A; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 29A
Case: TO263
Gate-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMB130N65EC_T0_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 29A; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 29A
Case: TO263
Gate-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMB210N65EC_R2_00601 PJMB210N65EC.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 42A
Gate charge: 34nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMB390N65EC_R2_00601 PJMB390N65EC.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 22A; 87.5W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 87.5W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMB390N65EC_T0_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 22A; 87.5W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 87.5W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ12A-AU_R1_007A1 PJMBZ5V6A-AU_SER.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 11.4÷12.6V; 40W; double,common anode; SOT23
Type of diode: TVS array
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Semiconductor structure: common anode; double
Leakage current: 0.2µA
Max. off-state voltage: 8.5V
Breakdown voltage: 11.4...12.6V
Peak pulse power dissipation: 40W
Application: automotive industry
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ18A-AU_R1_007A1 PJMBZ5V6A-AU_SER.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 17.1÷18.9V; 40W; double,common anode; SOT23
Application: automotive industry
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Leakage current: 50nA
Number of channels: 2
Max. off-state voltage: 14.5V
Breakdown voltage: 17.1...18.9V
Peak pulse power dissipation: 40W
Semiconductor structure: common anode; double
Case: SOT23
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ20A-AU_R1_007A1 PJMBZ5V6A-AU_SERIES.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 21V; 1.4A; 0.04kW; unidirectional; SOT23; Ch: 2
Type of diode: TVS
Leakage current: 50nA
Max. forward impulse current: 1.4A
Number of channels: 2
Max. off-state voltage: 17V
Breakdown voltage: 21V
Peak pulse power dissipation: 40W
Application: automotive industry
Case: SOT23
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ27V-AU_R1_000A1 PJMBZ15V-AU_SERIES.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJMBZ27V-AU-R1 Protection diodes - arrays
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
19+17.29 грн
235+5.03 грн
644+4.75 грн
9000+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
PJMD190N65FR2_L2_00601 PJMD190N65FR2
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19.7A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19.7A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMD280N60E1_L2_00601 PJMD280N60E1.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; Idm: 41.4A; 49.1W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 41.4A
Power dissipation: 49.1W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMD360N60EC_L2_00001 PJMD360N60EC.pdf
PJMD360N60EC_L2_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 87.5W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 87.5W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMD390N65EC_L2_00001 PJMD390N65EC.pdf
PJMD390N65EC_L2_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 22A; 87.5W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 87.5W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMD580N60E1_L2_00001
PJMD580N60E1_L2_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 24A; 54W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 54W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.58Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMD990N65EC_L2_00001 PJMD990N65EC.pdf
PJMD990N65EC_L2_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 9.5A; 47.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.7A
Pulsed drain current: 9.5A
Power dissipation: 47.5W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 990mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF060N65FR2_T0_00601 PJMF060N65FR2
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 48.3A; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48.3A
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF080N65FR2_T0_00601 PJMF080N65FR2
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 29.2A; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 29.2A
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF099N60EC_T0_00601 PJMF099N60EC.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 88A; 14W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 39A
Power dissipation: 14W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 88A
Gate charge: 60nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF120N60EC_T0_00001 PJMF120N60EC.pdf
PJMF120N60EC_T0_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 69A; 33W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 33W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 69A
Gate charge: 51nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF125N60FRC_T0_00601 PJMF125N60FRC.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29A; ITO220AB
Polarisation: unipolar
Drain current: 29A
Gate-source voltage: 30V
Case: ITO220AB
Drain-source voltage: 600V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF130N65EC_T0_006A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 29A; Idm: 63A; 14W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 63A
Power dissipation: 14W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF190N60E1_T0_00001 PJMF190N60E1.pdf
PJMF190N60E1_T0_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 60A; 38W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 38W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 41 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+239.58 грн
10+213.49 грн
25+189.69 грн
50+175.79 грн
100+160.89 грн
250+144.01 грн
500+131.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF190N60E1_T0_00001 PJMF190N60E1.pdf
PJMF190N60E1_T0_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 60A; 38W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 38W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+199.65 грн
10+171.32 грн
25+158.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF190N65FR2_T0_00601 PJMF190N65FR2
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19.6A; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19.6A
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF210N65EC_T0_00601 PJMF210N65EC.pdf
PJMF210N65EC_T0_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 32W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 32W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 42A
Gate charge: 34nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+242.78 грн
10+130.98 грн
50+114.21 грн
100+110.24 грн
250+104.28 грн
500+100.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF210N65EC_T0_00601 PJMF210N65EC.pdf
PJMF210N65EC_T0_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 32W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 32W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 42A
Gate charge: 34nC
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+202.32 грн
10+105.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF280N60E1_T0_00001 PJMF280N60E1.pdf
PJMF280N60E1_T0_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; Idm: 41.4A; 34W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 41.4A
Power dissipation: 34W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 96 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+194.66 грн
10+111.38 грн
50+97.33 грн
100+93.36 грн
250+87.40 грн
500+83.42 грн
1000+82.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF280N60E1_T0_00001 PJMF280N60E1.pdf
PJMF280N60E1_T0_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; Idm: 41.4A; 34W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 41.4A
Power dissipation: 34W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+162.21 грн
10+89.38 грн
50+81.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF280N65E1_T0_00001 PJMF280N65E1.pdf
PJMF280N65E1_T0_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; Idm: 41.4A; 35.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 41.4A
Power dissipation: 35.7W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+211.77 грн
10+152.64 грн
50+131.09 грн
100+122.16 грн
250+117.19 грн
500+105.27 грн
1000+103.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19  [ Наступна Сторінка >> ]