Продукція > PANJIT SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника PANJIT SEMICONDUCTOR (1215) > Сторінка 14 з 21

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJC138K-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJC138K-AU.pdf PJC138K-AU-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 2510 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+25.19 грн
280+3.84 грн
768+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7400_R1_00001 PJC7400_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7400.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; Idm: 7.6A; 350mW; SOT323
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 1.9A
On-state resistance: 0.11Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 7.6A
Drain-source voltage: 30V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5940 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+28.65 грн
14+21.24 грн
100+14.40 грн
171+6.24 грн
470+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7400_R1_00001 PJC7400_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7400.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; Idm: 7.6A; 350mW; SOT323
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 1.9A
On-state resistance: 0.11Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 7.6A
Drain-source voltage: 30V
на замовлення 5940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+23.88 грн
23+17.05 грн
100+12.00 грн
171+5.20 грн
470+4.89 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7401_R1_00001 PJC7401_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7401.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; Idm: -6A; 350mW; SOT323
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
On-state resistance: 0.18Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -6A
Mounting: SMD
Case: SOT323
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1845 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+38.53 грн
13+22.58 грн
100+13.94 грн
166+6.51 грн
453+6.15 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7401_R1_00001 PJC7401_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7401.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; Idm: -6A; 350mW; SOT323
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
On-state resistance: 0.18Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -6A
Mounting: SMD
Case: SOT323
на замовлення 1845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+32.11 грн
22+18.12 грн
100+11.62 грн
166+5.43 грн
453+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7404_R1_00001 PJC7404_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7404.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT323
Case: SOT323
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 4A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+27.66 грн
16+17.91 грн
100+10.46 грн
179+5.96 грн
491+5.69 грн
15000+5.60 грн
21000+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7404_R1_00001 PJC7404_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7404.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT323
Case: SOT323
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 4A
Mounting: SMD
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+23.05 грн
27+14.37 грн
100+8.72 грн
179+4.97 грн
491+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7407_R1_00001 PJC7407_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7407.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.3A; Idm: -5.2A; 350mW
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.3A
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -5.2A
Case: SOT323
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8144 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+27.66 грн
17+17.72 грн
100+9.54 грн
182+5.96 грн
500+5.60 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7407_R1_00001 PJC7407_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7407.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.3A; Idm: -5.2A; 350mW
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.3A
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -5.2A
Case: SOT323
на замовлення 8144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+23.05 грн
27+14.22 грн
100+7.95 грн
182+4.97 грн
500+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7428_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7428.pdf PJC7428-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
13+24.60 грн
213+5.06 грн
584+4.79 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7439-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJC7439-AU.pdf PJC7439-AU-R1 SMD P channel transistors
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+25.19 грн
319+3.37 грн
877+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7476_R1_00001 PJC7476_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7476.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300mA; Idm: 0.8A; 350mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+35.57 грн
12+25.34 грн
100+8.62 грн
147+7.34 грн
403+6.97 грн
1000+6.79 грн
3000+6.70 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7476_R1_00001 PJC7476_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7476.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300mA; Idm: 0.8A; 350mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+29.64 грн
19+20.34 грн
100+7.19 грн
147+6.12 грн
403+5.81 грн
1000+5.66 грн
3000+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PJD15P06A-AU_L2_000A1 PanJit Semiconductor PJD15P06A-AU PJD15P06A-AU-L2 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD16P06A_L2_00001 PanJit Semiconductor PJD16P06A.pdf PJD16P06A-L2 SMD P channel transistors
на замовлення 11044 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+52.36 грн
47+23.30 грн
127+22.02 грн
6000+22.01 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PJD18N20_L2_00001 PJD18N20_L2_00001 PanJit Semiconductor PJx18N20.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 83W; TO252AA
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD18N20_L2_00001 PJD18N20_L2_00001 PanJit Semiconductor PJx18N20.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 83W; TO252AA
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N03_L2_00001 PJD25N03_L2_00001 PanJit Semiconductor PJD25N03.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25A; Idm: 100A; 25W; TO252AA
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Case: TO252AA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+45.45 грн
11+28.48 грн
69+15.87 грн
188+14.95 грн
1000+14.40 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N03_L2_00001 PJD25N03_L2_00001 PanJit Semiconductor PJD25N03.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25A; Idm: 100A; 25W; TO252AA
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Case: TO252AA
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+37.87 грн
17+22.86 грн
69+13.23 грн
188+12.46 грн
1000+12.00 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N04V-AU_L2_002A1 PanJit Semiconductor PJD25N04V-AU-L2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N06A_L2_00001 PJD25N06A_L2_00001 PanJit Semiconductor PJD25N06A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 40W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 40W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1589 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+52.36 грн
10+34.20 грн
69+15.78 грн
189+14.86 грн
6000+14.31 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N06A_L2_00001 PJD25N06A_L2_00001 PanJit Semiconductor PJD25N06A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 40W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 40W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1589 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+43.63 грн
14+27.45 грн
69+13.15 грн
189+12.38 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PJD35P03_L2_00001 PanJit Semiconductor PJD35P03.pdf PJD35P03-L2 SMD P channel transistors
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+48.41 грн
69+15.60 грн
190+14.68 грн
3000+14.67 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PJD40P03E-AU_L2_006A1 PanJit Semiconductor PJD40P03E-AU PJD40P03E-AU-L2 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD45N06A_L2_00001 PJD45N06A_L2_00001 PanJit Semiconductor PJx45N06A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; Idm: 180A; 63W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 63W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1568 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+67.18 грн
10+43.25 грн
49+22.29 грн
134+21.10 грн
6000+20.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PJD45N06A_L2_00001 PJD45N06A_L2_00001 PanJit Semiconductor PJx45N06A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; Idm: 180A; 63W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 63W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1568 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+55.98 грн
12+34.71 грн
49+18.58 грн
134+17.58 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PJD45P03E-AU_L2_006A1 PanJit Semiconductor PJD45P03E-AU.pdf PJD45P03E-AU-L2 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD45P04_L2_00001 PanJit Semiconductor PJD45P04.pdf PJD45P04-L2 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD55N04S-AU_L2_002A1 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 87A; Idm: 348A; 36W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 87A
Power dissipation: 36W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 348A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD55N04S-AU_L2_002A1 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 87A; Idm: 348A; 36W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 87A
Power dissipation: 36W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 348A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD55N04V-AU_L2_002A1 PanJit Semiconductor PJD55N04V-AU-L2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD55P03E-AU_L2_006A1 PanJit Semiconductor PJD55P03E-AU.pdf PJD55P03E-AU-L2 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60P04E-AU_L2_006A1 PanJit Semiconductor PJD60P04E-AU PJD60P04E-AU-L2 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD70P03E-AU_L2_006A1 PanJit Semiconductor PJD70P03E-AU-L2 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD75P04E-AU_L2_006A1 PanJit Semiconductor PJD75P04E-AU-L2 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD90P03E-AU_L2_006A1 PanJit Semiconductor PJD90P03E-AU-L2 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJDLC05_R1_00001 PanJit Semiconductor PJDLC05-R1 Protection diodes - arrays
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJE138K_R1_00001 PanJit Semiconductor PJE138K.pdf PJE138K-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
15+20.75 грн
225+4.79 грн
618+4.52 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PJE5V0U8TB-AU_R1_000A1 PJE5V0U8TB-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 5.8÷10.2V; SOT523; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 5.8...10.2V
Mounting: SMD
Case: SOT523
Capacitance: 0.8pF
Application: automotive industry
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 5V
Leakage current: 1µA
на замовлення 19933 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+23.05 грн
164+5.43 грн
450+5.12 грн
8000+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
PJE5V0U8TB-AU_R1_000A1 PJE5V0U8TB-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 5.8÷10.2V; SOT523; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 5.8...10.2V
Mounting: SMD
Case: SOT523
Capacitance: 0.8pF
Application: automotive industry
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 5V
Leakage current: 1µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19933 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+27.66 грн
164+6.76 грн
450+6.15 грн
8000+5.96 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8402_R1_00001 PanJit Semiconductor PJE8402.pdf PJE8402-R1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8403_R1_00001 PanJit Semiconductor PJE8403.pdf PJE8403-R1 SMD P channel transistors
на замовлення 3995 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+27.66 грн
170+6.33 грн
466+5.96 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8408_R1_00001 PanJit Semiconductor PJE8408.pdf PJE8408-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 3835 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
21+14.62 грн
170+6.33 грн
466+5.96 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
PJEC2415VM1WS-AU_R1_000A1 PJEC2415VM1WS-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJEC2415VM1WS-AU Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 17.1÷30.3V; 160W; asymmetric,bidirectional; SOD323
Mounting: SMD
Case: SOD323
Capacitance: 17pF
Max. off-state voltage: 15...24V
Semiconductor structure: asymmetric; bidirectional
Breakdown voltage: 17.1...30.3V
Leakage current: 50nA
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 160W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJEC2415VM1WS-AU_R1_000A1 PJEC2415VM1WS-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJEC2415VM1WS-AU Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 17.1÷30.3V; 160W; asymmetric,bidirectional; SOD323
Mounting: SMD
Case: SOD323
Capacitance: 17pF
Max. off-state voltage: 15...24V
Semiconductor structure: asymmetric; bidirectional
Breakdown voltage: 17.1...30.3V
Leakage current: 50nA
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 160W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJGBLC03C-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJGBLC24C-AU PJGBLC03C-AU-R1 Protection diodes - arrays
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJGBLC03C_R1_00001 PanJit Semiconductor PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf PJGBLC03C-R1 Protection diodes - arrays
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
21+14.33 грн
140+7.89 грн
375+7.43 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
PJGBLC05C_R1_00001 PanJit Semiconductor PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf PJGBLC05C-R1 Protection diodes - arrays
на замовлення 3820 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
21+14.33 грн
145+7.61 грн
390+7.25 грн
10000+7.24 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
PJGBLC08C-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJGBLC08C-AU-R1 Protection diodes - arrays
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJGBLC12C_R1_00001 PanJit Semiconductor PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf PJGBLC12C-R1 Protection diodes - arrays
на замовлення 4805 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
21+14.33 грн
145+7.61 грн
390+7.25 грн
10000+7.24 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
PJGBLC24C_R1_00001 PanJit Semiconductor PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf PJGBLC24C-R1 Protection diodes - arrays
на замовлення 4455 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
21+14.33 грн
145+7.61 грн
390+7.25 грн
10000+7.24 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
PJL9407_R2_00001 PanJit Semiconductor PJL9407-R2 SMD P channel transistors
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
21+14.62 грн
111+9.72 грн
304+9.17 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
PJL9850_R2_00001 PanJit Semiconductor PJL9850.pdf PJL9850-R2 Multi channel transistors
на замовлення 62 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+40.51 грн
73+14.77 грн
200+13.94 грн
2500+13.91 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PJMB210N65EC_R2_00601 PanJit Semiconductor PJMB210N65EC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 34nC
Pulsed drain current: 42A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMB210N65EC_R2_00601 PanJit Semiconductor PJMB210N65EC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 34nC
Pulsed drain current: 42A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMB390N65EC_R2_00601 PanJit Semiconductor PJMB390N65EC.pdf PJMB390N65EC-R2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMB390N65EC_T0_00601 PanJit Semiconductor PJMB390N65EC-T0 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ12A-AU_R1_007A1 PanJit Semiconductor PJMBZ12A-AU-R1 Protection diodes - arrays
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ15A-AU_R1_007A1 PanJit Semiconductor PJMBZ5V6A-AU_SERIES.pdf PJMBZ15A-AU-R1 Protection diodes - arrays
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ18A-AU_R1_007A1 PanJit Semiconductor PJMBZ5V6A-AU_SERIES.pdf PJMBZ18A-AU-R1 Protection diodes - arrays
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC138K-AU_R1_000A1 PJC138K-AU.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJC138K-AU-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 2510 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+25.19 грн
280+3.84 грн
768+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7400_R1_00001 PJC7400.pdf
PJC7400_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; Idm: 7.6A; 350mW; SOT323
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 1.9A
On-state resistance: 0.11Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 7.6A
Drain-source voltage: 30V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5940 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+28.65 грн
14+21.24 грн
100+14.40 грн
171+6.24 грн
470+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7400_R1_00001 PJC7400.pdf
PJC7400_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; Idm: 7.6A; 350mW; SOT323
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 1.9A
On-state resistance: 0.11Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 7.6A
Drain-source voltage: 30V
на замовлення 5940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+23.88 грн
23+17.05 грн
100+12.00 грн
171+5.20 грн
470+4.89 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7401_R1_00001 PJC7401.pdf
PJC7401_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; Idm: -6A; 350mW; SOT323
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
On-state resistance: 0.18Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -6A
Mounting: SMD
Case: SOT323
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1845 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+38.53 грн
13+22.58 грн
100+13.94 грн
166+6.51 грн
453+6.15 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7401_R1_00001 PJC7401.pdf
PJC7401_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; Idm: -6A; 350mW; SOT323
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
On-state resistance: 0.18Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -6A
Mounting: SMD
Case: SOT323
на замовлення 1845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+32.11 грн
22+18.12 грн
100+11.62 грн
166+5.43 грн
453+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7404_R1_00001 PJC7404.pdf
PJC7404_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT323
Case: SOT323
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 4A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+27.66 грн
16+17.91 грн
100+10.46 грн
179+5.96 грн
491+5.69 грн
15000+5.60 грн
21000+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7404_R1_00001 PJC7404.pdf
PJC7404_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT323
Case: SOT323
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 4A
Mounting: SMD
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+23.05 грн
27+14.37 грн
100+8.72 грн
179+4.97 грн
491+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7407_R1_00001 PJC7407.pdf
PJC7407_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.3A; Idm: -5.2A; 350mW
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.3A
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -5.2A
Case: SOT323
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8144 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+27.66 грн
17+17.72 грн
100+9.54 грн
182+5.96 грн
500+5.60 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7407_R1_00001 PJC7407.pdf
PJC7407_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.3A; Idm: -5.2A; 350mW
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.3A
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -5.2A
Case: SOT323
на замовлення 8144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+23.05 грн
27+14.22 грн
100+7.95 грн
182+4.97 грн
500+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7428_R1_00001 PJC7428.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJC7428-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
13+24.60 грн
213+5.06 грн
584+4.79 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7439-AU_R1_000A1 PJC7439-AU.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJC7439-AU-R1 SMD P channel transistors
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+25.19 грн
319+3.37 грн
877+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7476_R1_00001 PJC7476.pdf
PJC7476_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300mA; Idm: 0.8A; 350mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.57 грн
12+25.34 грн
100+8.62 грн
147+7.34 грн
403+6.97 грн
1000+6.79 грн
3000+6.70 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7476_R1_00001 PJC7476.pdf
PJC7476_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300mA; Idm: 0.8A; 350mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+29.64 грн
19+20.34 грн
100+7.19 грн
147+6.12 грн
403+5.81 грн
1000+5.66 грн
3000+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PJD15P06A-AU_L2_000A1 PJD15P06A-AU
Виробник: PanJit Semiconductor
PJD15P06A-AU-L2 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD16P06A_L2_00001 PJD16P06A.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJD16P06A-L2 SMD P channel transistors
на замовлення 11044 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+52.36 грн
47+23.30 грн
127+22.02 грн
6000+22.01 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PJD18N20_L2_00001 PJx18N20.pdf
PJD18N20_L2_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 83W; TO252AA
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD18N20_L2_00001 PJx18N20.pdf
PJD18N20_L2_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 83W; TO252AA
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N03_L2_00001 PJD25N03.pdf
PJD25N03_L2_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25A; Idm: 100A; 25W; TO252AA
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Case: TO252AA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+45.45 грн
11+28.48 грн
69+15.87 грн
188+14.95 грн
1000+14.40 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N03_L2_00001 PJD25N03.pdf
PJD25N03_L2_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25A; Idm: 100A; 25W; TO252AA
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Case: TO252AA
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+37.87 грн
17+22.86 грн
69+13.23 грн
188+12.46 грн
1000+12.00 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N04V-AU_L2_002A1
Виробник: PanJit Semiconductor
PJD25N04V-AU-L2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N06A_L2_00001 PJD25N06A.pdf
PJD25N06A_L2_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 40W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 40W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1589 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+52.36 грн
10+34.20 грн
69+15.78 грн
189+14.86 грн
6000+14.31 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N06A_L2_00001 PJD25N06A.pdf
PJD25N06A_L2_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 40W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 40W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1589 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+43.63 грн
14+27.45 грн
69+13.15 грн
189+12.38 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PJD35P03_L2_00001 PJD35P03.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJD35P03-L2 SMD P channel transistors
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.41 грн
69+15.60 грн
190+14.68 грн
3000+14.67 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PJD40P03E-AU_L2_006A1 PJD40P03E-AU
Виробник: PanJit Semiconductor
PJD40P03E-AU-L2 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD45N06A_L2_00001 PJx45N06A.pdf
PJD45N06A_L2_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; Idm: 180A; 63W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 63W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1568 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.18 грн
10+43.25 грн
49+22.29 грн
134+21.10 грн
6000+20.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PJD45N06A_L2_00001 PJx45N06A.pdf
PJD45N06A_L2_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; Idm: 180A; 63W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 63W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1568 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+55.98 грн
12+34.71 грн
49+18.58 грн
134+17.58 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PJD45P03E-AU_L2_006A1 PJD45P03E-AU.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJD45P03E-AU-L2 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD45P04_L2_00001 PJD45P04.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJD45P04-L2 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD55N04S-AU_L2_002A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 87A; Idm: 348A; 36W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 87A
Power dissipation: 36W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 348A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD55N04S-AU_L2_002A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 87A; Idm: 348A; 36W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 87A
Power dissipation: 36W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 348A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD55N04V-AU_L2_002A1
Виробник: PanJit Semiconductor
PJD55N04V-AU-L2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD55P03E-AU_L2_006A1 PJD55P03E-AU.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJD55P03E-AU-L2 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60P04E-AU_L2_006A1 PJD60P04E-AU
Виробник: PanJit Semiconductor
PJD60P04E-AU-L2 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD70P03E-AU_L2_006A1
Виробник: PanJit Semiconductor
PJD70P03E-AU-L2 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD75P04E-AU_L2_006A1
Виробник: PanJit Semiconductor
PJD75P04E-AU-L2 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD90P03E-AU_L2_006A1
Виробник: PanJit Semiconductor
PJD90P03E-AU-L2 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJDLC05_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
PJDLC05-R1 Protection diodes - arrays
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJE138K_R1_00001 PJE138K.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJE138K-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
15+20.75 грн
225+4.79 грн
618+4.52 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PJE5V0U8TB-AU_R1_000A1
PJE5V0U8TB-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 5.8÷10.2V; SOT523; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 5.8...10.2V
Mounting: SMD
Case: SOT523
Capacitance: 0.8pF
Application: automotive industry
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 5V
Leakage current: 1µA
на замовлення 19933 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+23.05 грн
164+5.43 грн
450+5.12 грн
8000+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
PJE5V0U8TB-AU_R1_000A1
PJE5V0U8TB-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 5.8÷10.2V; SOT523; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 5.8...10.2V
Mounting: SMD
Case: SOT523
Capacitance: 0.8pF
Application: automotive industry
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 5V
Leakage current: 1µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19933 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+27.66 грн
164+6.76 грн
450+6.15 грн
8000+5.96 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8402_R1_00001 PJE8402.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJE8402-R1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8403_R1_00001 PJE8403.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJE8403-R1 SMD P channel transistors
на замовлення 3995 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+27.66 грн
170+6.33 грн
466+5.96 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8408_R1_00001 PJE8408.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJE8408-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 3835 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
21+14.62 грн
170+6.33 грн
466+5.96 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
PJEC2415VM1WS-AU_R1_000A1 PJEC2415VM1WS-AU
PJEC2415VM1WS-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 17.1÷30.3V; 160W; asymmetric,bidirectional; SOD323
Mounting: SMD
Case: SOD323
Capacitance: 17pF
Max. off-state voltage: 15...24V
Semiconductor structure: asymmetric; bidirectional
Breakdown voltage: 17.1...30.3V
Leakage current: 50nA
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 160W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJEC2415VM1WS-AU_R1_000A1 PJEC2415VM1WS-AU
PJEC2415VM1WS-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 17.1÷30.3V; 160W; asymmetric,bidirectional; SOD323
Mounting: SMD
Case: SOD323
Capacitance: 17pF
Max. off-state voltage: 15...24V
Semiconductor structure: asymmetric; bidirectional
Breakdown voltage: 17.1...30.3V
Leakage current: 50nA
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 160W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJGBLC03C-AU_R1_000A1 PJGBLC24C-AU
Виробник: PanJit Semiconductor
PJGBLC03C-AU-R1 Protection diodes - arrays
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJGBLC03C_R1_00001 PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJGBLC03C-R1 Protection diodes - arrays
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
21+14.33 грн
140+7.89 грн
375+7.43 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
PJGBLC05C_R1_00001 PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJGBLC05C-R1 Protection diodes - arrays
на замовлення 3820 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
21+14.33 грн
145+7.61 грн
390+7.25 грн
10000+7.24 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
PJGBLC08C-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
PJGBLC08C-AU-R1 Protection diodes - arrays
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJGBLC12C_R1_00001 PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJGBLC12C-R1 Protection diodes - arrays
на замовлення 4805 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
21+14.33 грн
145+7.61 грн
390+7.25 грн
10000+7.24 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
PJGBLC24C_R1_00001 PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJGBLC24C-R1 Protection diodes - arrays
на замовлення 4455 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
21+14.33 грн
145+7.61 грн
390+7.25 грн
10000+7.24 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
PJL9407_R2_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
PJL9407-R2 SMD P channel transistors
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
21+14.62 грн
111+9.72 грн
304+9.17 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
PJL9850_R2_00001 PJL9850.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJL9850-R2 Multi channel transistors
на замовлення 62 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.51 грн
73+14.77 грн
200+13.94 грн
2500+13.91 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PJMB210N65EC_R2_00601 PJMB210N65EC.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 34nC
Pulsed drain current: 42A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMB210N65EC_R2_00601 PJMB210N65EC.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 34nC
Pulsed drain current: 42A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMB390N65EC_R2_00601 PJMB390N65EC.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJMB390N65EC-R2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMB390N65EC_T0_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
PJMB390N65EC-T0 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ12A-AU_R1_007A1
Виробник: PanJit Semiconductor
PJMBZ12A-AU-R1 Protection diodes - arrays
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ15A-AU_R1_007A1 PJMBZ5V6A-AU_SERIES.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJMBZ15A-AU-R1 Protection diodes - arrays
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ18A-AU_R1_007A1 PJMBZ5V6A-AU_SERIES.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJMBZ18A-AU-R1 Protection diodes - arrays
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]