Продукція > PANJIT SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника PANJIT SEMICONDUCTOR (1216) > Сторінка 14 з 21

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJA3440-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3440-AU.pdf PJA3440-AU-R1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3441-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3441-AU.pdf PJA3441-AU-R1 SMD P channel transistors
на замовлення 325 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+36.73 грн
163+6.82 грн
447+6.44 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3441_R1_00501 PanJit Semiconductor PJA3441-R1 SMD P channel transistors
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+34.49 грн
182+6.06 грн
500+5.78 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3460-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3460-AU-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 2235 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+31.63 грн
149+7.49 грн
411+7.01 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3460_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3460.pdf PJA3460-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+38.26 грн
152+7.30 грн
419+6.92 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3461-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3461-AU.pdf PJA3461-AU-R1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3461_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3461.pdf PJA3461-R1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3463_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3463.pdf PJA3463-R1 SMD P channel transistors
на замовлення 78 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+34.69 грн
133+8.34 грн
364+7.96 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3471_R1_00501 PanJit Semiconductor PJA3471-R1 SMD P channel transistors
на замовлення 6095 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+32.65 грн
116+9.57 грн
318+9.10 грн
24000+9.05 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PJC138K-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJC138K-AU.pdf PJC138K-AU-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 2510 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+26.02 грн
280+3.97 грн
768+3.76 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7400_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7400.pdf PJC7400-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 5940 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+31.63 грн
171+6.54 грн
470+6.16 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7401_R1_00001 PJC7401_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7401.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; Idm: -6A; 350mW; SOT323
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
Pulsed drain current: -6A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1315 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+39.79 грн
13+23.32 грн
100+14.40 грн
166+6.73 грн
453+6.35 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7401_R1_00001 PJC7401_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7401.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; Idm: -6A; 350mW; SOT323
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
Pulsed drain current: -6A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1315 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+33.16 грн
22+18.71 грн
100+12.00 грн
166+5.61 грн
453+5.29 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7404_R1_00001 PJC7404_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7404.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT323
Case: SOT323
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
Gate charge: 1.6nC
On-state resistance: 0.4Ω
Power dissipation: 0.35W
Pulsed drain current: 4A
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+35.71 грн
14+21.45 грн
100+13.17 грн
179+6.25 грн
491+5.87 грн
9000+5.68 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7404_R1_00001 PJC7404_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7404.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT323
Case: SOT323
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
Gate charge: 1.6nC
On-state resistance: 0.4Ω
Power dissipation: 0.35W
Pulsed drain current: 4A
Gate-source voltage: ±8V
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+29.76 грн
23+17.21 грн
100+10.97 грн
179+5.21 грн
491+4.90 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7407_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7407.pdf PJC7407-R1 SMD P channel transistors
на замовлення 8474 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+37.75 грн
182+6.06 грн
500+5.78 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7428_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7428.pdf PJC7428-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
13+25.41 грн
213+5.23 грн
584+4.95 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7439-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJC7439-AU.pdf PJC7439-AU-R1 SMD P channel transistors
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+26.02 грн
319+3.48 грн
877+3.29 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7476_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7476.pdf PJC7476-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+38.77 грн
170+6.54 грн
466+6.16 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PJD15P06A-AU_L2_000A1 PanJit Semiconductor PJD15P06A-AU PJD15P06A-AU-L2 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD16P06A_L2_00001 PanJit Semiconductor PJD16P06A.pdf PJD16P06A-L2 SMD P channel transistors
на замовлення 11044 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+54.08 грн
47+24.07 грн
127+22.74 грн
6000+22.73 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PJD18N20_L2_00001 PJD18N20_L2_00001 PanJit Semiconductor PJx18N20.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 83W; TO252AA
Case: TO252AA
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 11A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 83W
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 24nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD18N20_L2_00001 PJD18N20_L2_00001 PanJit Semiconductor PJx18N20.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 83W; TO252AA
Case: TO252AA
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 11A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 83W
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 24nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N03_L2_00001 PJD25N03_L2_00001 PanJit Semiconductor PJD25N03.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25A; Idm: 100A; 25W; TO252AA
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25A
Gate charge: 4.3nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 25W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: TO252AA
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+47.96 грн
10+30.70 грн
69+16.30 грн
188+15.35 грн
1000+14.78 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N03_L2_00001 PJD25N03_L2_00001 PanJit Semiconductor PJD25N03.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25A; Idm: 100A; 25W; TO252AA
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25A
Gate charge: 4.3nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 25W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: TO252AA
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+39.96 грн
17+24.63 грн
69+13.58 грн
188+12.79 грн
1000+12.32 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N04V-AU_L2_002A1 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 42A; Idm: 168A; 18W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 18W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N04V-AU_L2_002A1 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 42A; Idm: 168A; 18W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 18W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N06A_L2_00001 PJD25N06A_L2_00001 PanJit Semiconductor PJD25N06A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 40W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 40W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1544 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+51.02 грн
10+33.94 грн
69+16.30 грн
188+15.35 грн
9000+14.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N06A_L2_00001 PJD25N06A_L2_00001 PanJit Semiconductor PJD25N06A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 40W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 40W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1544 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+42.51 грн
15+27.24 грн
69+13.58 грн
188+12.79 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PJD35P03_L2_00001 PanJit Semiconductor PJD35P03.pdf PJD35P03-L2 SMD P channel transistors
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+50.00 грн
69+16.11 грн
190+15.16 грн
3000+15.15 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PJD40P03E-AU_L2_006A1 PanJit Semiconductor PJD40P03E-AU PJD40P03E-AU-L2 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD45N06A_L2_00001 PJD45N06A_L2_00001 PanJit Semiconductor PJx45N06A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; Idm: 180A; 63W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 63W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 239 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+76.53 грн
10+51.56 грн
49+22.93 грн
134+21.70 грн
3000+21.60 грн
6000+20.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PJD45N06A_L2_00001 PJD45N06A_L2_00001 PanJit Semiconductor PJx45N06A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; Idm: 180A; 63W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 63W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+63.77 грн
10+41.37 грн
49+19.11 грн
134+18.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PJD45P03E-AU_L2_006A1 PanJit Semiconductor PJD45P03E-AU.pdf PJD45P03E-AU-L2 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD45P04_L2_00001 PanJit Semiconductor PJD45P04.pdf PJD45P04-L2 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD55N04S-AU_L2_002A1 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 87A; Idm: 348A; 36W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 87A
Pulsed drain current: 348A
Power dissipation: 36W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD55N04S-AU_L2_002A1 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 87A; Idm: 348A; 36W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 87A
Pulsed drain current: 348A
Power dissipation: 36W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD55N04V-AU_L2_002A1 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 128A; Idm: 512A; 53W; TO252AA
Case: TO252AA
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 34nC
On-state resistance: 3.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 53W
Drain current: 128A
Pulsed drain current: 512A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD55N04V-AU_L2_002A1 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 128A; Idm: 512A; 53W; TO252AA
Case: TO252AA
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 34nC
On-state resistance: 3.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 53W
Drain current: 128A
Pulsed drain current: 512A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD55P03E-AU_L2_006A1 PanJit Semiconductor PJD55P03E-AU.pdf PJD55P03E-AU-L2 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60P04E-AU_L2_006A1 PanJit Semiconductor PJD60P04E-AU PJD60P04E-AU-L2 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD70P03E-AU_L2_006A1 PanJit Semiconductor PJD70P03E-AU-L2 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD75P04E-AU_L2_006A1 PanJit Semiconductor PJD75P04E-AU-L2 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD90P03E-AU_L2_006A1 PanJit Semiconductor PJD90P03E-AU-L2 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJDLC05_R1_00001 PJDLC05_R1_00001 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6V; 5A; SOT23; Ch: 2; reel,tape; ESD
Case: SOT23
Version: ESD
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Capacitance: 1pF
Leakage current: 20µA
Number of channels: 2
Max. forward impulse current: 5A
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6V
кількість в упаковці: 30000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJDLC05_R1_00001 PJDLC05_R1_00001 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6V; 5A; SOT23; Ch: 2; reel,tape; ESD
Case: SOT23
Version: ESD
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Capacitance: 1pF
Leakage current: 20µA
Number of channels: 2
Max. forward impulse current: 5A
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJE138K_R1_00001 PanJit Semiconductor PJE138K.pdf PJE138K-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
15+21.43 грн
225+4.95 грн
618+4.67 грн
8000+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PJE5V0U8TB-AU_R1_000A1 PJE5V0U8TB-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 5.8÷10.2V; SOT523; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 5.8...10.2V
Mounting: SMD
Case: SOT523
Max. off-state voltage: 5V
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Version: ESD
Leakage current: 1µA
Capacitance: 0.8pF
на замовлення 19933 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+23.81 грн
164+5.68 грн
450+5.37 грн
8000+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
PJE5V0U8TB-AU_R1_000A1 PJE5V0U8TB-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 5.8÷10.2V; SOT523; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 5.8...10.2V
Mounting: SMD
Case: SOT523
Max. off-state voltage: 5V
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Version: ESD
Leakage current: 1µA
Capacitance: 0.8pF
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19933 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+28.57 грн
164+7.08 грн
450+6.44 грн
8000+6.16 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8402_R1_00001 PJE8402_R1_00001 PanJit Semiconductor PJE8402.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 700mA; Idm: 2.8A; 300mW; SOT523
Case: SOT523
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 2.8A
Drain current: 0.7A
Gate charge: 1.6nC
Power dissipation: 0.3W
On-state resistance: 0.4Ω
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8402_R1_00001 PJE8402_R1_00001 PanJit Semiconductor PJE8402.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 700mA; Idm: 2.8A; 300mW; SOT523
Case: SOT523
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 2.8A
Drain current: 0.7A
Gate charge: 1.6nC
Power dissipation: 0.3W
On-state resistance: 0.4Ω
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8403_R1_00001 PJE8403_R1_00001 PanJit Semiconductor PJE8403.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -600mA; Idm: -2.4A; 300mW
Case: SOT523
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -2.4A
Drain current: -600mA
Gate charge: 2.2nC
Power dissipation: 0.3W
On-state resistance: 0.6Ω
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3995 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
14+22.45 грн
23+12.89 грн
100+7.77 грн
170+6.54 грн
466+6.16 грн
500+5.97 грн
1000+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8403_R1_00001 PJE8403_R1_00001 PanJit Semiconductor PJE8403.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -600mA; Idm: -2.4A; 300mW
Case: SOT523
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -2.4A
Drain current: -600mA
Gate charge: 2.2nC
Power dissipation: 0.3W
On-state resistance: 0.6Ω
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
на замовлення 3995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
23+18.71 грн
39+10.34 грн
100+6.47 грн
170+5.45 грн
466+5.13 грн
500+4.97 грн
1000+4.90 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8408_R1_00001 PJE8408_R1_00001 PanJit Semiconductor PJE8408.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 500mA; Idm: 1A; 300mW; SOT523
Case: SOT523
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 1A
Drain current: 0.5A
Gate charge: 1.4nC
Power dissipation: 0.3W
On-state resistance: 3Ω
Gate-source voltage: ±10V
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3835 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
28+11.22 грн
39+7.67 грн
100+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8408_R1_00001 PJE8408_R1_00001 PanJit Semiconductor PJE8408.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 500mA; Idm: 1A; 300mW; SOT523
Case: SOT523
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 1A
Drain current: 0.5A
Gate charge: 1.4nC
Power dissipation: 0.3W
On-state resistance: 3Ω
Gate-source voltage: ±10V
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
на замовлення 3835 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
46+9.35 грн
65+6.16 грн
100+4.90 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
PJEC2415VM1WS-AU_R1_000A1 PJEC2415VM1WS-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJEC2415VM1WS-AU Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 17.1÷30.3V; 160W; asymmetric,bidirectional; SOD323
Semiconductor structure: asymmetric; bidirectional
Application: automotive industry
Version: ESD
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SOD323
Type of diode: TVS
Capacitance: 17pF
Leakage current: 50nA
Max. off-state voltage: 15...24V
Breakdown voltage: 17.1...30.3V
Peak pulse power dissipation: 160W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJEC2415VM1WS-AU_R1_000A1 PJEC2415VM1WS-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJEC2415VM1WS-AU Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 17.1÷30.3V; 160W; asymmetric,bidirectional; SOD323
Semiconductor structure: asymmetric; bidirectional
Application: automotive industry
Version: ESD
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SOD323
Type of diode: TVS
Capacitance: 17pF
Leakage current: 50nA
Max. off-state voltage: 15...24V
Breakdown voltage: 17.1...30.3V
Peak pulse power dissipation: 160W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJGBLC03C-AU_R1_000A1 PJGBLC03C-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJGBLC24C-AU Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 4.75÷5.25V; 1A; 350W; SOD323; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 4.75...5.25V
Max. forward impulse current: 1A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 3.3V
Leakage current: 20µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 3pF
Version: ESD
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJGBLC03C-AU_R1_000A1 PJGBLC03C-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJGBLC24C-AU Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 4.75÷5.25V; 1A; 350W; SOD323; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 4.75...5.25V
Max. forward impulse current: 1A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 3.3V
Leakage current: 20µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 3pF
Version: ESD
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJGBLC03C_R1_00001 PJGBLC03C_R1_00001 PanJit Semiconductor PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 4.75÷5.25V; 1A; 350W; bidirectional; SOD323
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 4.75...5.25V
Max. forward impulse current: 1A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 3.3V
Leakage current: 20µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 3pF
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4020 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+27.55 грн
17+17.91 грн
100+11.65 грн
133+8.43 грн
365+7.96 грн
10000+7.67 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3440-AU_R1_000A1 PJA3440-AU.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJA3440-AU-R1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3441-AU_R1_000A1 PJA3441-AU.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJA3441-AU-R1 SMD P channel transistors
на замовлення 325 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.73 грн
163+6.82 грн
447+6.44 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3441_R1_00501
Виробник: PanJit Semiconductor
PJA3441-R1 SMD P channel transistors
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+34.49 грн
182+6.06 грн
500+5.78 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3460-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
PJA3460-AU-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 2235 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.63 грн
149+7.49 грн
411+7.01 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3460_R1_00001 PJA3460.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJA3460-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+38.26 грн
152+7.30 грн
419+6.92 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3461-AU_R1_000A1 PJA3461-AU.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJA3461-AU-R1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3461_R1_00001 PJA3461.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJA3461-R1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3463_R1_00001 PJA3463.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJA3463-R1 SMD P channel transistors
на замовлення 78 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+34.69 грн
133+8.34 грн
364+7.96 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3471_R1_00501
Виробник: PanJit Semiconductor
PJA3471-R1 SMD P channel transistors
на замовлення 6095 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.65 грн
116+9.57 грн
318+9.10 грн
24000+9.05 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PJC138K-AU_R1_000A1 PJC138K-AU.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJC138K-AU-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 2510 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+26.02 грн
280+3.97 грн
768+3.76 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7400_R1_00001 PJC7400.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJC7400-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 5940 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.63 грн
171+6.54 грн
470+6.16 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7401_R1_00001 PJC7401.pdf
PJC7401_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; Idm: -6A; 350mW; SOT323
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
Pulsed drain current: -6A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1315 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+39.79 грн
13+23.32 грн
100+14.40 грн
166+6.73 грн
453+6.35 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7401_R1_00001 PJC7401.pdf
PJC7401_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; Idm: -6A; 350mW; SOT323
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
Pulsed drain current: -6A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1315 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+33.16 грн
22+18.71 грн
100+12.00 грн
166+5.61 грн
453+5.29 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7404_R1_00001 PJC7404.pdf
PJC7404_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT323
Case: SOT323
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
Gate charge: 1.6nC
On-state resistance: 0.4Ω
Power dissipation: 0.35W
Pulsed drain current: 4A
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.71 грн
14+21.45 грн
100+13.17 грн
179+6.25 грн
491+5.87 грн
9000+5.68 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7404_R1_00001 PJC7404.pdf
PJC7404_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT323
Case: SOT323
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
Gate charge: 1.6nC
On-state resistance: 0.4Ω
Power dissipation: 0.35W
Pulsed drain current: 4A
Gate-source voltage: ±8V
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+29.76 грн
23+17.21 грн
100+10.97 грн
179+5.21 грн
491+4.90 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7407_R1_00001 PJC7407.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJC7407-R1 SMD P channel transistors
на замовлення 8474 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.75 грн
182+6.06 грн
500+5.78 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7428_R1_00001 PJC7428.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJC7428-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.41 грн
213+5.23 грн
584+4.95 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7439-AU_R1_000A1 PJC7439-AU.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJC7439-AU-R1 SMD P channel transistors
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+26.02 грн
319+3.48 грн
877+3.29 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7476_R1_00001 PJC7476.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJC7476-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+38.77 грн
170+6.54 грн
466+6.16 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PJD15P06A-AU_L2_000A1 PJD15P06A-AU
Виробник: PanJit Semiconductor
PJD15P06A-AU-L2 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD16P06A_L2_00001 PJD16P06A.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJD16P06A-L2 SMD P channel transistors
на замовлення 11044 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+54.08 грн
47+24.07 грн
127+22.74 грн
6000+22.73 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PJD18N20_L2_00001 PJx18N20.pdf
PJD18N20_L2_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 83W; TO252AA
Case: TO252AA
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 11A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 83W
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 24nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD18N20_L2_00001 PJx18N20.pdf
PJD18N20_L2_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 83W; TO252AA
Case: TO252AA
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 11A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 83W
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 24nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N03_L2_00001 PJD25N03.pdf
PJD25N03_L2_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25A; Idm: 100A; 25W; TO252AA
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25A
Gate charge: 4.3nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 25W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: TO252AA
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.96 грн
10+30.70 грн
69+16.30 грн
188+15.35 грн
1000+14.78 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N03_L2_00001 PJD25N03.pdf
PJD25N03_L2_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25A; Idm: 100A; 25W; TO252AA
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25A
Gate charge: 4.3nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 25W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: TO252AA
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+39.96 грн
17+24.63 грн
69+13.58 грн
188+12.79 грн
1000+12.32 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N04V-AU_L2_002A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 42A; Idm: 168A; 18W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 18W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N04V-AU_L2_002A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 42A; Idm: 168A; 18W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 18W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N06A_L2_00001 PJD25N06A.pdf
PJD25N06A_L2_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 40W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 40W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1544 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+51.02 грн
10+33.94 грн
69+16.30 грн
188+15.35 грн
9000+14.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N06A_L2_00001 PJD25N06A.pdf
PJD25N06A_L2_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 40W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 40W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1544 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+42.51 грн
15+27.24 грн
69+13.58 грн
188+12.79 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PJD35P03_L2_00001 PJD35P03.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJD35P03-L2 SMD P channel transistors
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.00 грн
69+16.11 грн
190+15.16 грн
3000+15.15 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PJD40P03E-AU_L2_006A1 PJD40P03E-AU
Виробник: PanJit Semiconductor
PJD40P03E-AU-L2 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD45N06A_L2_00001 PJx45N06A.pdf
PJD45N06A_L2_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; Idm: 180A; 63W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 63W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 239 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+76.53 грн
10+51.56 грн
49+22.93 грн
134+21.70 грн
3000+21.60 грн
6000+20.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PJD45N06A_L2_00001 PJx45N06A.pdf
PJD45N06A_L2_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; Idm: 180A; 63W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 63W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+63.77 грн
10+41.37 грн
49+19.11 грн
134+18.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PJD45P03E-AU_L2_006A1 PJD45P03E-AU.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJD45P03E-AU-L2 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD45P04_L2_00001 PJD45P04.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJD45P04-L2 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD55N04S-AU_L2_002A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 87A; Idm: 348A; 36W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 87A
Pulsed drain current: 348A
Power dissipation: 36W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD55N04S-AU_L2_002A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 87A; Idm: 348A; 36W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 87A
Pulsed drain current: 348A
Power dissipation: 36W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD55N04V-AU_L2_002A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 128A; Idm: 512A; 53W; TO252AA
Case: TO252AA
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 34nC
On-state resistance: 3.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 53W
Drain current: 128A
Pulsed drain current: 512A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD55N04V-AU_L2_002A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 128A; Idm: 512A; 53W; TO252AA
Case: TO252AA
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 34nC
On-state resistance: 3.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 53W
Drain current: 128A
Pulsed drain current: 512A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD55P03E-AU_L2_006A1 PJD55P03E-AU.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJD55P03E-AU-L2 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60P04E-AU_L2_006A1 PJD60P04E-AU
Виробник: PanJit Semiconductor
PJD60P04E-AU-L2 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD70P03E-AU_L2_006A1
Виробник: PanJit Semiconductor
PJD70P03E-AU-L2 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD75P04E-AU_L2_006A1
Виробник: PanJit Semiconductor
PJD75P04E-AU-L2 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD90P03E-AU_L2_006A1
Виробник: PanJit Semiconductor
PJD90P03E-AU-L2 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJDLC05_R1_00001
PJDLC05_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6V; 5A; SOT23; Ch: 2; reel,tape; ESD
Case: SOT23
Version: ESD
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Capacitance: 1pF
Leakage current: 20µA
Number of channels: 2
Max. forward impulse current: 5A
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6V
кількість в упаковці: 30000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJDLC05_R1_00001
PJDLC05_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6V; 5A; SOT23; Ch: 2; reel,tape; ESD
Case: SOT23
Version: ESD
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Capacitance: 1pF
Leakage current: 20µA
Number of channels: 2
Max. forward impulse current: 5A
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJE138K_R1_00001 PJE138K.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJE138K-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
15+21.43 грн
225+4.95 грн
618+4.67 грн
8000+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PJE5V0U8TB-AU_R1_000A1
PJE5V0U8TB-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 5.8÷10.2V; SOT523; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 5.8...10.2V
Mounting: SMD
Case: SOT523
Max. off-state voltage: 5V
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Version: ESD
Leakage current: 1µA
Capacitance: 0.8pF
на замовлення 19933 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+23.81 грн
164+5.68 грн
450+5.37 грн
8000+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
PJE5V0U8TB-AU_R1_000A1
PJE5V0U8TB-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 5.8÷10.2V; SOT523; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 5.8...10.2V
Mounting: SMD
Case: SOT523
Max. off-state voltage: 5V
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Version: ESD
Leakage current: 1µA
Capacitance: 0.8pF
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19933 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+28.57 грн
164+7.08 грн
450+6.44 грн
8000+6.16 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8402_R1_00001 PJE8402.pdf
PJE8402_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 700mA; Idm: 2.8A; 300mW; SOT523
Case: SOT523
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 2.8A
Drain current: 0.7A
Gate charge: 1.6nC
Power dissipation: 0.3W
On-state resistance: 0.4Ω
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8402_R1_00001 PJE8402.pdf
PJE8402_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 700mA; Idm: 2.8A; 300mW; SOT523
Case: SOT523
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 2.8A
Drain current: 0.7A
Gate charge: 1.6nC
Power dissipation: 0.3W
On-state resistance: 0.4Ω
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8403_R1_00001 PJE8403.pdf
PJE8403_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -600mA; Idm: -2.4A; 300mW
Case: SOT523
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -2.4A
Drain current: -600mA
Gate charge: 2.2nC
Power dissipation: 0.3W
On-state resistance: 0.6Ω
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3995 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
14+22.45 грн
23+12.89 грн
100+7.77 грн
170+6.54 грн
466+6.16 грн
500+5.97 грн
1000+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8403_R1_00001 PJE8403.pdf
PJE8403_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -600mA; Idm: -2.4A; 300mW
Case: SOT523
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -2.4A
Drain current: -600mA
Gate charge: 2.2nC
Power dissipation: 0.3W
On-state resistance: 0.6Ω
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
на замовлення 3995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
23+18.71 грн
39+10.34 грн
100+6.47 грн
170+5.45 грн
466+5.13 грн
500+4.97 грн
1000+4.90 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8408_R1_00001 PJE8408.pdf
PJE8408_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 500mA; Idm: 1A; 300mW; SOT523
Case: SOT523
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 1A
Drain current: 0.5A
Gate charge: 1.4nC
Power dissipation: 0.3W
On-state resistance: 3Ω
Gate-source voltage: ±10V
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3835 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
28+11.22 грн
39+7.67 грн
100+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8408_R1_00001 PJE8408.pdf
PJE8408_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 500mA; Idm: 1A; 300mW; SOT523
Case: SOT523
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 1A
Drain current: 0.5A
Gate charge: 1.4nC
Power dissipation: 0.3W
On-state resistance: 3Ω
Gate-source voltage: ±10V
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
на замовлення 3835 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
46+9.35 грн
65+6.16 грн
100+4.90 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
PJEC2415VM1WS-AU_R1_000A1 PJEC2415VM1WS-AU
PJEC2415VM1WS-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 17.1÷30.3V; 160W; asymmetric,bidirectional; SOD323
Semiconductor structure: asymmetric; bidirectional
Application: automotive industry
Version: ESD
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SOD323
Type of diode: TVS
Capacitance: 17pF
Leakage current: 50nA
Max. off-state voltage: 15...24V
Breakdown voltage: 17.1...30.3V
Peak pulse power dissipation: 160W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJEC2415VM1WS-AU_R1_000A1 PJEC2415VM1WS-AU
PJEC2415VM1WS-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 17.1÷30.3V; 160W; asymmetric,bidirectional; SOD323
Semiconductor structure: asymmetric; bidirectional
Application: automotive industry
Version: ESD
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SOD323
Type of diode: TVS
Capacitance: 17pF
Leakage current: 50nA
Max. off-state voltage: 15...24V
Breakdown voltage: 17.1...30.3V
Peak pulse power dissipation: 160W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJGBLC03C-AU_R1_000A1 PJGBLC24C-AU
PJGBLC03C-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 4.75÷5.25V; 1A; 350W; SOD323; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 4.75...5.25V
Max. forward impulse current: 1A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 3.3V
Leakage current: 20µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 3pF
Version: ESD
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJGBLC03C-AU_R1_000A1 PJGBLC24C-AU
PJGBLC03C-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 4.75÷5.25V; 1A; 350W; SOD323; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 4.75...5.25V
Max. forward impulse current: 1A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 3.3V
Leakage current: 20µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 3pF
Version: ESD
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJGBLC03C_R1_00001 PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf
PJGBLC03C_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 4.75÷5.25V; 1A; 350W; bidirectional; SOD323
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 4.75...5.25V
Max. forward impulse current: 1A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 3.3V
Leakage current: 20µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 3pF
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4020 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.55 грн
17+17.91 грн
100+11.65 грн
133+8.43 грн
365+7.96 грн
10000+7.67 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]