Продукція > PANJIT SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника PANJIT SEMICONDUCTOR (1147) > Сторінка 16 з 20

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJMF190N65FR2_T0_00601 PanJit Semiconductor PJMF190N65FR2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19.6A; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19.6A
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF210N65EC_T0_00601 PJMF210N65EC_T0_00601 PanJit Semiconductor PJMF210N65EC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 32W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 32W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 42A
Gate charge: 34nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF280N60E1_T0_00001 PJMF280N60E1_T0_00001 PanJit Semiconductor PJMF280N60E1.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; Idm: 41.4A; 34W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 41.4A
Power dissipation: 34W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF360N60EC_T0_00001 PJMF360N60EC_T0_00001 PanJit Semiconductor PJMF360N60EC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 30W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 30W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF580N60E1_T0_00001 PJMF580N60E1_T0_00001 PanJit Semiconductor PJMF580N60E1.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 24A; 28W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 28W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.58Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF990N65EC_T0_00001 PJMF990N65EC_T0_00001 PanJit Semiconductor PJMF990N65EC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 9.5A; 22.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.7A
Pulsed drain current: 9.5A
Power dissipation: 22.5W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 990mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 9.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH040N60EC_T0_00201 PanJit Semiconductor Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 71A; Idm: 212A; 200W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 71A
Pulsed drain current: 212A
Power dissipation: 200W
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 144nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH060N65FR2_T0_00601 PanJit Semiconductor PJMH060N65FR2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 58.3A; TO247AD-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 58.3A
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH074N60FRC_T0_00601 PJMH074N60FRC_T0_00601 PanJit Semiconductor PJMH074N60FRC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 53A; Idm: 117A; 446W
Case: TO247AD-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±30V
Gate charge: 84nC
On-state resistance: 74mΩ
Power dissipation: 446W
Drain current: 53A
Drain-source voltage: 600V
Pulsed drain current: 117A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH099N60EC_T0_00601 PanJit Semiconductor PJMH099N60EC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; TO247AD-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 39A
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH120N60EC_T0_00601 PJMH120N60EC_T0_00601 PanJit Semiconductor PJMH120N60EC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 69A; 235W; TO247AD-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 235W
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 69A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH190N60E1_T0_00601 PanJit Semiconductor PJMH190N60E1.pdf PJMH190N60E1-T0 THT N channel transistors
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+399.90 грн
9+131.73 грн
24+124.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH190N65FR2_T0_00601 PanJit Semiconductor PJMH190N65FR2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19.7A; TO247AD-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19.7A
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: 20V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMK040N60EC_T0_00201 PanJit Semiconductor PJMK040N60EC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 71A; TO247AD-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 71A
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: 40V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP060N65FR2_T0_00601 PanJit Semiconductor PJMP060N65FR2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 58.3A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 58.3A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP099N60EC_T0_00601 PanJit Semiconductor PJMP099N60EC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 39A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP120N60EC_T0_00001 PJMP120N60EC_T0_00001 PanJit Semiconductor PJMP120N60EC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 69A; 235W; TO220ABL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 235W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 51nC
Pulsed drain current: 69A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 86 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+321.77 грн
10+277.57 грн
50+224.33 грн
100+201.42 грн
250+186.15 грн
500+178.51 грн
1000+160.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP120N60EC_T0_00001 PJMP120N60EC_T0_00001 PanJit Semiconductor PJMP120N60EC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 69A; 235W; TO220ABL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 235W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 51nC
Pulsed drain current: 69A
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+268.14 грн
10+222.74 грн
50+186.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP190N65FR2_T0_00601 PanJit Semiconductor PJMP190N65FR2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19.7A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19.7A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: 20V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP210N65EC_T0_00601 PJMP210N65EC_T0_00601 PanJit Semiconductor PJMP210N65EC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO220ABL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 150W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 42A
Gate charge: 34nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP360N60EC_T0_00001 PJMP360N60EC_T0_00001 PanJit Semiconductor PJMP360N60EC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 87.5W; TO220ABL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 87.5W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP125N06SA-AU_T0_006A1 PanJit Semiconductor PJP125N06SA-AU.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 215A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 215A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: 20V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP18N20_T0_00001 PanJit Semiconductor PJx18N20.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Drain current: 18A
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ1908-AU_R1_002A1 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 500mA; Idm: 1.2A; 900mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.9W
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ1908_R1_00201 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 500mA; Idm: 1.2A; 900mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.9W
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ2460-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJQ2460-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; Idm: 12.8A; 2.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 12.8A
Power dissipation: 2.4W
Case: DFN2020B-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4433EP_R2_00201 PanJit Semiconductor Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -62A; Idm: -195A; 21.7W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -62A
Pulsed drain current: -195A
Power dissipation: 21.7W
Case: DFN3333-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4435EP_R2_00201 PanJit Semiconductor PJQ4435EP.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -41A; Idm: -138A; 13.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -41A
Pulsed drain current: -138A
Power dissipation: 13.5W
Case: DFN3333-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4468AP-AU_R2_000A1 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 18A; DFN3333-8
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Case: DFN3333-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 18A
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4534P-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 38A; Idm: 152A; 10.7W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: DFN3333-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9.5nC
On-state resistance: 9.3mΩ
Power dissipation: 10.7W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 38A
Pulsed drain current: 152A
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4534P_R2_00201 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 36A; Idm: 144A; 7W; DFN3333-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: DFN3333-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9.5nC
On-state resistance: 8.9mΩ
Power dissipation: 7W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 144A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4546VP-AU_R2_002A1 PJQ4546VP-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJQ4546VP-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 61A; Idm: 244A; 42W; DFN3333-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 244A
Power dissipation: 42W
Case: DFN3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5474A_R2_00001 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; DFN5060-8
Case: DFN5060-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Drain current: 18A
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5544-AU_R2_002A1 PJQ5544-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJQ5544-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; Idm: 520A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 520A
Power dissipation: 100W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5544-AU_R2_002A1 PJQ5544-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJQ5544-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; Idm: 520A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 520A
Power dissipation: 100W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5544V-AU_R2_002A1 PJQ5544V-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJQ5544V-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A; 94W; DFN5060-8
Mounting: SMD
Case: DFN5060-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 34nC
On-state resistance: 4.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 94W
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Polarisation: unipolar
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5546V-AU_R2_002A1 PJQ5546V-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJQ5546V-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 79A; Idm: 316A; 65W; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 316A
Power dissipation: 65W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5948V-AU_R2_002A1 PJQ5948V-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJQ5948V-AU.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 35A; Idm: 140A; 32W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 32W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6421_S1_00001 PanJit Semiconductor PJS6421.pdf PJS6421-S1 SMD P channel transistors
на замовлення 2941 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+36.49 грн
117+9.64 грн
320+9.16 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6601_S1_00001 PJS6601_S1_00001 PanJit Semiconductor Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 4.1/-3.1A; 1.25W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 4.1/-3.1A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 95/190mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.6/5.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2648 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+31.87 грн
15+21.21 грн
100+15.56 грн
250+13.84 грн
500+12.70 грн
1000+11.55 грн
3000+9.93 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6601_S1_00001 PJS6601_S1_00001 PanJit Semiconductor Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 4.1/-3.1A; 1.25W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 4.1/-3.1A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 95/190mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.6/5.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+26.56 грн
24+17.02 грн
100+12.97 грн
250+11.53 грн
500+10.58 грн
1000+9.63 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6839_S1_00001 PJS6839_S1_00001 PanJit Semiconductor PJS6839.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -300mA; Idm: -1A; 500mW
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -1A
Drain current: -0.3A
Gate charge: 1.1nC
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 13Ω
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23-6
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+28.78 грн
16+19.03 грн
100+11.20 грн
213+5.29 грн
584+4.99 грн
30000+4.96 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6839_S1_00001 PJS6839_S1_00001 PanJit Semiconductor PJS6839.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -300mA; Idm: -1A; 500mW
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -1A
Drain current: -0.3A
Gate charge: 1.1nC
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 13Ω
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23-6
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+23.99 грн
27+15.27 грн
100+9.33 грн
213+4.41 грн
584+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD03TS-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJSD03TS-AU_SERIES.pdf PJSD03TS-AU-R1 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
21+14.80 грн
217+5.19 грн
597+4.91 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD05TS-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJSD03TS-AU_SERIES.pdf PJSD05TS-AU-R1 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 4767 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
18+18.09 грн
178+6.40 грн
489+6.01 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD05W_R1_00001 PanJit Semiconductor PJSD03W_SERIES.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; SOD323
Type of diode: TVS
Mounting: SMD
Case: SOD323
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD12CW-AU_R1_000A1 PJSD12CW-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJSD05CW-AU_SERIES.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 13.3÷14.7V; 15A; 350W; SOD323; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS array
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Max. off-state voltage: 12V
Breakdown voltage: 13.3...14.7V
Max. forward impulse current: 15A
Case: SOD323
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Application: automotive industry
Capacitance: 0.1nF
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD15W_R1_00001 PanJit Semiconductor PJSD03W_SERIES.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; SOD323
Type of diode: TVS
Mounting: SMD
Case: SOD323
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD24TS_R1_00001 PJSD24TS_R1_00001 PanJit Semiconductor PJSD03TS_SERIES.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 120W; 26.7V; unidirectional; SOD523; reel,tape; 25pF
Type of diode: TVS
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 24V
Semiconductor structure: unidirectional
Capacitance: 25pF
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Breakdown voltage: 26.7V
Peak pulse power dissipation: 120W
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD36W_R1_00001 PanJit Semiconductor PJSD36W-R1 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 4635 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+30.33 грн
189+6.01 грн
518+5.63 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJT138K-AU_R1_000A1 PJT138K-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 360mA; Idm: 1.2A; 236mW
Mounting: SMD
Case: SOT363
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1nC
Power dissipation: 0.236W
Drain current: 0.36A
Pulsed drain current: 1.2A
On-state resistance: 4.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 50V
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+17.99 грн
40+10.10 грн
100+6.07 грн
500+4.41 грн
1000+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
PJT138K-AU_R1_000A1 PJT138K-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 360mA; Idm: 1.2A; 236mW
Mounting: SMD
Case: SOT363
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1nC
Power dissipation: 0.236W
Drain current: 0.36A
Pulsed drain current: 1.2A
On-state resistance: 4.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 50V
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
15+21.59 грн
24+12.59 грн
100+7.28 грн
500+5.29 грн
1000+5.03 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7600_R1_00001 PJT7600_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7600.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 1A/-700mA; 350mW
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 1A/-700mA
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 400/600mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.6/2.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2685 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+45.23 грн
11+27.46 грн
100+16.90 грн
500+12.79 грн
1000+11.55 грн
3000+9.83 грн
6000+8.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7600_R1_00001 PJT7600_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7600.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 1A/-700mA; 350mW
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 1A/-700mA
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 400/600mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.6/2.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2685 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+37.69 грн
19+22.04 грн
100+14.08 грн
500+10.66 грн
1000+9.63 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7603_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7603.pdf PJT7603-R1 Multi channel transistors
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
13+24.91 грн
204+5.55 грн
559+5.24 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7605-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Case: SOT363
Polarisation: unipolar
Gate charge: 700pC/1.1nC
Drain current: 250/-250mA
Power dissipation: 0.35W
On-state resistance: 3/4Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60/-60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7800_R1_00001 PJT7800_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7800.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT363
Case: SOT363
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1.6nC
Power dissipation: 0.35W
On-state resistance: 0.4Ω
Drain current: 1A
Pulsed drain current: 4A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5978 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+28.78 грн
17+18.34 грн
100+9.26 грн
500+8.02 грн
1000+7.45 грн
3000+6.01 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7800_R1_00001 PJT7800_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7800.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT363
Case: SOT363
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1.6nC
Power dissipation: 0.35W
On-state resistance: 0.4Ω
Drain current: 1A
Pulsed drain current: 4A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 5978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+23.99 грн
28+14.72 грн
100+7.72 грн
500+6.68 грн
1000+6.20 грн
3000+5.01 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7801_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7801.pdf PJT7801-R1 Multi channel transistors
на замовлення 2845 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+42.35 грн
169+6.68 грн
463+6.30 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7808_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7808.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -250mA; SOT363
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.25A
Gate-source voltage: 20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF190N65FR2_T0_00601 PJMF190N65FR2
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19.6A; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19.6A
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF210N65EC_T0_00601 PJMF210N65EC.pdf
PJMF210N65EC_T0_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 32W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 32W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 42A
Gate charge: 34nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF280N60E1_T0_00001 PJMF280N60E1.pdf
PJMF280N60E1_T0_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; Idm: 41.4A; 34W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 41.4A
Power dissipation: 34W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF360N60EC_T0_00001 PJMF360N60EC.pdf
PJMF360N60EC_T0_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 30W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 30W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF580N60E1_T0_00001 PJMF580N60E1.pdf
PJMF580N60E1_T0_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 24A; 28W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 28W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.58Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF990N65EC_T0_00001 PJMF990N65EC.pdf
PJMF990N65EC_T0_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 9.5A; 22.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.7A
Pulsed drain current: 9.5A
Power dissipation: 22.5W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 990mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 9.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH040N60EC_T0_00201
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 71A; Idm: 212A; 200W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 71A
Pulsed drain current: 212A
Power dissipation: 200W
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 144nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH060N65FR2_T0_00601 PJMH060N65FR2
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 58.3A; TO247AD-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 58.3A
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH074N60FRC_T0_00601 PJMH074N60FRC.pdf
PJMH074N60FRC_T0_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 53A; Idm: 117A; 446W
Case: TO247AD-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±30V
Gate charge: 84nC
On-state resistance: 74mΩ
Power dissipation: 446W
Drain current: 53A
Drain-source voltage: 600V
Pulsed drain current: 117A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH099N60EC_T0_00601 PJMH099N60EC.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; TO247AD-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 39A
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH120N60EC_T0_00601 PJMH120N60EC.pdf
PJMH120N60EC_T0_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 69A; 235W; TO247AD-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 235W
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 69A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH190N60E1_T0_00601 PJMH190N60E1.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJMH190N60E1-T0 THT N channel transistors
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+399.90 грн
9+131.73 грн
24+124.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH190N65FR2_T0_00601 PJMH190N65FR2
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19.7A; TO247AD-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19.7A
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: 20V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMK040N60EC_T0_00201 PJMK040N60EC.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 71A; TO247AD-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 71A
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: 40V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP060N65FR2_T0_00601 PJMP060N65FR2
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 58.3A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 58.3A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP099N60EC_T0_00601 PJMP099N60EC.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 39A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP120N60EC_T0_00001 PJMP120N60EC.pdf
PJMP120N60EC_T0_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 69A; 235W; TO220ABL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 235W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 51nC
Pulsed drain current: 69A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 86 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+321.77 грн
10+277.57 грн
50+224.33 грн
100+201.42 грн
250+186.15 грн
500+178.51 грн
1000+160.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP120N60EC_T0_00001 PJMP120N60EC.pdf
PJMP120N60EC_T0_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 69A; 235W; TO220ABL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 235W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 51nC
Pulsed drain current: 69A
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+268.14 грн
10+222.74 грн
50+186.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP190N65FR2_T0_00601 PJMP190N65FR2
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19.7A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19.7A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: 20V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP210N65EC_T0_00601 PJMP210N65EC.pdf
PJMP210N65EC_T0_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO220ABL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 150W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 42A
Gate charge: 34nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP360N60EC_T0_00001 PJMP360N60EC.pdf
PJMP360N60EC_T0_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 87.5W; TO220ABL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 87.5W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP125N06SA-AU_T0_006A1 PJP125N06SA-AU.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 215A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 215A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: 20V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP18N20_T0_00001 PJx18N20.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Drain current: 18A
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ1908-AU_R1_002A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 500mA; Idm: 1.2A; 900mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.9W
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ1908_R1_00201
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 500mA; Idm: 1.2A; 900mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.9W
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ2460-AU_R1_000A1 PJQ2460-AU.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; Idm: 12.8A; 2.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 12.8A
Power dissipation: 2.4W
Case: DFN2020B-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4433EP_R2_00201
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -62A; Idm: -195A; 21.7W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -62A
Pulsed drain current: -195A
Power dissipation: 21.7W
Case: DFN3333-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4435EP_R2_00201 PJQ4435EP.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -41A; Idm: -138A; 13.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -41A
Pulsed drain current: -138A
Power dissipation: 13.5W
Case: DFN3333-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4468AP-AU_R2_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 18A; DFN3333-8
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Case: DFN3333-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 18A
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4534P-AU_R2_002A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 38A; Idm: 152A; 10.7W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: DFN3333-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9.5nC
On-state resistance: 9.3mΩ
Power dissipation: 10.7W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 38A
Pulsed drain current: 152A
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4534P_R2_00201
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 36A; Idm: 144A; 7W; DFN3333-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: DFN3333-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9.5nC
On-state resistance: 8.9mΩ
Power dissipation: 7W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 144A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4546VP-AU_R2_002A1 PJQ4546VP-AU.pdf
PJQ4546VP-AU_R2_002A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 61A; Idm: 244A; 42W; DFN3333-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 244A
Power dissipation: 42W
Case: DFN3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5474A_R2_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; DFN5060-8
Case: DFN5060-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Drain current: 18A
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5544-AU_R2_002A1 PJQ5544-AU.pdf
PJQ5544-AU_R2_002A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; Idm: 520A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 520A
Power dissipation: 100W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5544-AU_R2_002A1 PJQ5544-AU.pdf
PJQ5544-AU_R2_002A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; Idm: 520A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 520A
Power dissipation: 100W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5544V-AU_R2_002A1 PJQ5544V-AU.pdf
PJQ5544V-AU_R2_002A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A; 94W; DFN5060-8
Mounting: SMD
Case: DFN5060-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 34nC
On-state resistance: 4.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 94W
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Polarisation: unipolar
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5546V-AU_R2_002A1 PJQ5546V-AU.pdf
PJQ5546V-AU_R2_002A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 79A; Idm: 316A; 65W; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 316A
Power dissipation: 65W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5948V-AU_R2_002A1 PJQ5948V-AU.pdf
PJQ5948V-AU_R2_002A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 35A; Idm: 140A; 32W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 32W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6421_S1_00001 PJS6421.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJS6421-S1 SMD P channel transistors
на замовлення 2941 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.49 грн
117+9.64 грн
320+9.16 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6601_S1_00001
PJS6601_S1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 4.1/-3.1A; 1.25W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 4.1/-3.1A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 95/190mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.6/5.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2648 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.87 грн
15+21.21 грн
100+15.56 грн
250+13.84 грн
500+12.70 грн
1000+11.55 грн
3000+9.93 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6601_S1_00001
PJS6601_S1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 4.1/-3.1A; 1.25W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 4.1/-3.1A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 95/190mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.6/5.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+26.56 грн
24+17.02 грн
100+12.97 грн
250+11.53 грн
500+10.58 грн
1000+9.63 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6839_S1_00001 PJS6839.pdf
PJS6839_S1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -300mA; Idm: -1A; 500mW
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -1A
Drain current: -0.3A
Gate charge: 1.1nC
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 13Ω
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23-6
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+28.78 грн
16+19.03 грн
100+11.20 грн
213+5.29 грн
584+4.99 грн
30000+4.96 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6839_S1_00001 PJS6839.pdf
PJS6839_S1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -300mA; Idm: -1A; 500mW
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -1A
Drain current: -0.3A
Gate charge: 1.1nC
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 13Ω
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23-6
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+23.99 грн
27+15.27 грн
100+9.33 грн
213+4.41 грн
584+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD03TS-AU_R1_000A1 PJSD03TS-AU_SERIES.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJSD03TS-AU-R1 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
21+14.80 грн
217+5.19 грн
597+4.91 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD05TS-AU_R1_000A1 PJSD03TS-AU_SERIES.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJSD05TS-AU-R1 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 4767 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
18+18.09 грн
178+6.40 грн
489+6.01 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD05W_R1_00001 PJSD03W_SERIES.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; SOD323
Type of diode: TVS
Mounting: SMD
Case: SOD323
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD12CW-AU_R1_000A1 PJSD05CW-AU_SERIES.pdf
PJSD12CW-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 13.3÷14.7V; 15A; 350W; SOD323; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS array
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Max. off-state voltage: 12V
Breakdown voltage: 13.3...14.7V
Max. forward impulse current: 15A
Case: SOD323
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Application: automotive industry
Capacitance: 0.1nF
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD15W_R1_00001 PJSD03W_SERIES.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; SOD323
Type of diode: TVS
Mounting: SMD
Case: SOD323
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD24TS_R1_00001 PJSD03TS_SERIES.pdf
PJSD24TS_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 120W; 26.7V; unidirectional; SOD523; reel,tape; 25pF
Type of diode: TVS
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 24V
Semiconductor structure: unidirectional
Capacitance: 25pF
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Breakdown voltage: 26.7V
Peak pulse power dissipation: 120W
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD36W_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
PJSD36W-R1 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 4635 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.33 грн
189+6.01 грн
518+5.63 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJT138K-AU_R1_000A1
PJT138K-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 360mA; Idm: 1.2A; 236mW
Mounting: SMD
Case: SOT363
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1nC
Power dissipation: 0.236W
Drain current: 0.36A
Pulsed drain current: 1.2A
On-state resistance: 4.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 50V
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
24+17.99 грн
40+10.10 грн
100+6.07 грн
500+4.41 грн
1000+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
PJT138K-AU_R1_000A1
PJT138K-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 360mA; Idm: 1.2A; 236mW
Mounting: SMD
Case: SOT363
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1nC
Power dissipation: 0.236W
Drain current: 0.36A
Pulsed drain current: 1.2A
On-state resistance: 4.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 50V
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
15+21.59 грн
24+12.59 грн
100+7.28 грн
500+5.29 грн
1000+5.03 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7600_R1_00001 PJT7600.pdf
PJT7600_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 1A/-700mA; 350mW
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 1A/-700mA
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 400/600mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.6/2.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2685 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+45.23 грн
11+27.46 грн
100+16.90 грн
500+12.79 грн
1000+11.55 грн
3000+9.83 грн
6000+8.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7600_R1_00001 PJT7600.pdf
PJT7600_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 1A/-700mA; 350mW
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 1A/-700mA
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 400/600mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.6/2.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2685 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+37.69 грн
19+22.04 грн
100+14.08 грн
500+10.66 грн
1000+9.63 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7603_R1_00001 PJT7603.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJT7603-R1 Multi channel transistors
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
13+24.91 грн
204+5.55 грн
559+5.24 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7605-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Case: SOT363
Polarisation: unipolar
Gate charge: 700pC/1.1nC
Drain current: 250/-250mA
Power dissipation: 0.35W
On-state resistance: 3/4Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60/-60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7800_R1_00001 PJT7800.pdf
PJT7800_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT363
Case: SOT363
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1.6nC
Power dissipation: 0.35W
On-state resistance: 0.4Ω
Drain current: 1A
Pulsed drain current: 4A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5978 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+28.78 грн
17+18.34 грн
100+9.26 грн
500+8.02 грн
1000+7.45 грн
3000+6.01 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7800_R1_00001 PJT7800.pdf
PJT7800_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT363
Case: SOT363
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1.6nC
Power dissipation: 0.35W
On-state resistance: 0.4Ω
Drain current: 1A
Pulsed drain current: 4A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 5978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+23.99 грн
28+14.72 грн
100+7.72 грн
500+6.68 грн
1000+6.20 грн
3000+5.01 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7801_R1_00001 PJT7801.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJT7801-R1 Multi channel transistors
на замовлення 2845 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.35 грн
169+6.68 грн
463+6.30 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7808_R1_00001 PJT7808.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -250mA; SOT363
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.25A
Gate-source voltage: 20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20  [ Наступна Сторінка >> ]