Продукція > PANJIT SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника PANJIT SEMICONDUCTOR (1202) > Сторінка 16 з 21
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
PJQ4524P-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor | PJQ4524P-AU-R2 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PJQ4526P-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor | PJQ4526P-AU-R2 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PJQ4528P-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor | PJQ4528P-AU-R2 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PJQ4530P-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor | PJQ4530P-AU-R2 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PJQ4534P-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor | PJQ4534P-AU-R2 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PJQ4534P_R2_00201 | PanJit Semiconductor | PJQ4534P-R2 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
PJQ4546P-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 64A; Idm: 256A; 42W; DFN3333-8 Drain-source voltage: 40V Drain current: 64A On-state resistance: 7.9mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 42W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 20nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 256A Mounting: SMD Case: DFN3333-8 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
PJQ4546P-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 64A; Idm: 256A; 42W; DFN3333-8 Drain-source voltage: 40V Drain current: 64A On-state resistance: 7.9mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 42W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 20nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 256A Mounting: SMD Case: DFN3333-8 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
PJQ4546VP-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 61A; Idm: 244A; 42W; DFN3333-8 Drain-source voltage: 40V Drain current: 61A On-state resistance: 7.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 42W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 23nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 244A Mounting: SMD Case: DFN3333-8 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
PJQ4546VP-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 61A; Idm: 244A; 42W; DFN3333-8 Drain-source voltage: 40V Drain current: 61A On-state resistance: 7.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 42W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 23nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 244A Mounting: SMD Case: DFN3333-8 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
PJQ4548P-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 43A; Idm: 172A; 30W; DFN3333-8 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 40V Drain current: 43A On-state resistance: 12.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 30W Polarisation: unipolar Gate charge: 13nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 172A Mounting: SMD Case: DFN3333-8 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
PJQ4548P-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 43A; Idm: 172A; 30W; DFN3333-8 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 40V Drain current: 43A On-state resistance: 12.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 30W Polarisation: unipolar Gate charge: 13nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 172A Mounting: SMD Case: DFN3333-8 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
PJQ4548VP-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; Idm: 160A; 30W; DFN3333-8 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 40V Drain current: 40A On-state resistance: 12.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 30W Polarisation: unipolar Gate charge: 9.5nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 160A Mounting: SMD Case: DFN3333-8 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
PJQ4548VP-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; Idm: 160A; 30W; DFN3333-8 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 40V Drain current: 40A On-state resistance: 12.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 30W Polarisation: unipolar Gate charge: 9.5nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 160A Mounting: SMD Case: DFN3333-8 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
PJQ4576AP-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PJQ4848P_R2_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PJQ5439E-AU_R2_006A1 | PanJit Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PJQ5520-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor | PJQ5520-AU-R2 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PJQ5522-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor | PJQ5522-AU-R2 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PJQ5528-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 244A; 15.6W Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 61A On-state resistance: 6mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 15.6W Polarisation: unipolar Gate charge: 11nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 244A Mounting: SMD Case: DFN5060-8 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PJQ5528-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 244A; 15.6W Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 61A On-state resistance: 6mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 15.6W Polarisation: unipolar Gate charge: 11nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 244A Mounting: SMD Case: DFN5060-8 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PJQ5534-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PJQ5540V-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PJQ5542V-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PJQ5544-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2965 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
PJQ5544V-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PJQ5546-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PJQ5546V-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PJQ5548-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
PJQ5548V-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 45A; Idm: 180A; 36W; DFN5060-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 45A Pulsed drain current: 180A Power dissipation: 36W Case: DFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
PJQ5548V-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 45A; Idm: 180A; 36W; DFN5060-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 45A Pulsed drain current: 180A Power dissipation: 36W Case: DFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
PJQ5576A-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PJQ5844-AU_R2_000A1 | PanJit Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PJQ5948-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PJQ5948V-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PJS6403_S1_00001 | PanJit Semiconductor | PJS6403-S1 SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PJS6421-AU_S1_000A1 | PanJit Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
PJS6421_S1_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7.4A; Idm: -29.6A; 2W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -7.4A Pulsed drain current: -29.6A Power dissipation: 2W Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 40mΩ Mounting: SMD Gate charge: 16.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2970 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
PJS6421_S1_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7.4A; Idm: -29.6A; 2W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -7.4A Pulsed drain current: -29.6A Power dissipation: 2W Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 40mΩ Mounting: SMD Gate charge: 16.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2970 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
PJS6461-AU_S1_000A1 | PanJit Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
PJS6601_S1_00001 | PanJit Semiconductor |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 4.1/-3.1A; 1.25W Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 4.1/-3.1A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23-6 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 95/190mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 4.6/5.4nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2626 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
PJS6601_S1_00001 | PanJit Semiconductor |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 4.1/-3.1A; 1.25W Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 4.1/-3.1A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23-6 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 95/190mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 4.6/5.4nC |
на замовлення 2626 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
PJS6816_S1_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
PJS6839_S1_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -300mA; Idm: -1A; 500mW Mounting: SMD Case: SOT23-6 Drain-source voltage: -60V Drain current: -300mA On-state resistance: 13Ω Type of transistor: P-MOSFET x2 Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 1.1nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -1A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2949 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
PJS6839_S1_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -300mA; Idm: -1A; 500mW Mounting: SMD Case: SOT23-6 Drain-source voltage: -60V Drain current: -300mA On-state resistance: 13Ω Type of transistor: P-MOSFET x2 Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 1.1nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -1A |
на замовлення 2949 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
PJSD03TS-AU_R1_000A1 | PanJit Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4750 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
PJSD05TS-AU_R1_000A1 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Diode: TVS; 120W; 6V; 5A; unidirectional; SOD523; reel,tape; 110pF Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 120W Max. off-state voltage: 5V Breakdown voltage: 6V Semiconductor structure: unidirectional Case: SOD523 Mounting: SMD Leakage current: 5µA Kind of package: reel; tape Capacitance: 110pF Version: ESD Application: automotive industry Max. forward impulse current: 5A |
на замовлення 4818 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
PJSD05TS-AU_R1_000A1 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Diode: TVS; 120W; 6V; 5A; unidirectional; SOD523; reel,tape; 110pF Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 120W Max. off-state voltage: 5V Breakdown voltage: 6V Semiconductor structure: unidirectional Case: SOD523 Mounting: SMD Leakage current: 5µA Kind of package: reel; tape Capacitance: 110pF Version: ESD Application: automotive industry Max. forward impulse current: 5A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4818 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
PJSD05TS_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PJSD12CW-AU_R1_000A1 | PanJit Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PJSD12TS_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PJSD24TS_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PJSD36W-AU_R1_000A1 | PanJit Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PJSD36W_R1_00001 | PanJit Semiconductor | PJSD36W-R1 Unidirectional TVS SMD diodes |
на замовлення 9985 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
PJT138K-AU_R1_000A1 | PanJit Semiconductor | PJT138K-AU-R1 Multi channel transistors |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
PJT7600_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 1A/-700mA; 350mW Case: SOT363 Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 1A/-700mA On-state resistance: 400/600mΩ Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 0.35W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 1.6/2.2nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2695 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
PJT7600_S1_00001 | PanJit Semiconductor | PJT7600-S1 Multi channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
PJT7600_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 1A/-700mA; 350mW Case: SOT363 Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 1A/-700mA On-state resistance: 400/600mΩ Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 0.35W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 1.6/2.2nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Mounting: SMD |
на замовлення 2695 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
PJT7603_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 50/-60V; -250/400mA; 350mW Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.35W Case: SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape On-state resistance: 2.5/6Ω Gate charge: 0.95/1.1nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 50/-60V Drain current: -250/400mA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
PJT7603_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 50/-60V; -250/400mA; 350mW Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.35W Case: SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape On-state resistance: 2.5/6Ω Gate charge: 0.95/1.1nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 50/-60V Drain current: -250/400mA |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
PJQ4524P-AU_R2_002A1 |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJQ4524P-AU-R2 SMD N channel transistors
PJQ4524P-AU-R2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJQ4526P-AU_R2_002A1 |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJQ4526P-AU-R2 SMD N channel transistors
PJQ4526P-AU-R2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJQ4528P-AU_R2_002A1 |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJQ4528P-AU-R2 SMD N channel transistors
PJQ4528P-AU-R2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJQ4530P-AU_R2_002A1 |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJQ4530P-AU-R2 SMD N channel transistors
PJQ4530P-AU-R2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJQ4534P-AU_R2_002A1 |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJQ4534P-AU-R2 SMD N channel transistors
PJQ4534P-AU-R2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJQ4534P_R2_00201 |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJQ4534P-R2 SMD N channel transistors
PJQ4534P-R2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJQ4546P-AU_R2_002A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 64A; Idm: 256A; 42W; DFN3333-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 64A
On-state resistance: 7.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 256A
Mounting: SMD
Case: DFN3333-8
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 64A; Idm: 256A; 42W; DFN3333-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 64A
On-state resistance: 7.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 256A
Mounting: SMD
Case: DFN3333-8
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJQ4546P-AU_R2_002A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 64A; Idm: 256A; 42W; DFN3333-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 64A
On-state resistance: 7.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 256A
Mounting: SMD
Case: DFN3333-8
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 64A; Idm: 256A; 42W; DFN3333-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 64A
On-state resistance: 7.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 256A
Mounting: SMD
Case: DFN3333-8
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJQ4546VP-AU_R2_002A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 61A; Idm: 244A; 42W; DFN3333-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 61A
On-state resistance: 7.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 23nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 244A
Mounting: SMD
Case: DFN3333-8
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 61A; Idm: 244A; 42W; DFN3333-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 61A
On-state resistance: 7.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 23nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 244A
Mounting: SMD
Case: DFN3333-8
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJQ4546VP-AU_R2_002A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 61A; Idm: 244A; 42W; DFN3333-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 61A
On-state resistance: 7.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 23nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 244A
Mounting: SMD
Case: DFN3333-8
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 61A; Idm: 244A; 42W; DFN3333-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 61A
On-state resistance: 7.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 23nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 244A
Mounting: SMD
Case: DFN3333-8
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJQ4548P-AU_R2_002A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 43A; Idm: 172A; 30W; DFN3333-8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 43A
On-state resistance: 12.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 172A
Mounting: SMD
Case: DFN3333-8
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 43A; Idm: 172A; 30W; DFN3333-8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 43A
On-state resistance: 12.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 172A
Mounting: SMD
Case: DFN3333-8
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJQ4548P-AU_R2_002A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 43A; Idm: 172A; 30W; DFN3333-8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 43A
On-state resistance: 12.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 172A
Mounting: SMD
Case: DFN3333-8
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 43A; Idm: 172A; 30W; DFN3333-8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 43A
On-state resistance: 12.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 172A
Mounting: SMD
Case: DFN3333-8
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJQ4548VP-AU_R2_002A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; Idm: 160A; 30W; DFN3333-8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 12.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 160A
Mounting: SMD
Case: DFN3333-8
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; Idm: 160A; 30W; DFN3333-8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 12.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 160A
Mounting: SMD
Case: DFN3333-8
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJQ4548VP-AU_R2_002A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; Idm: 160A; 30W; DFN3333-8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 12.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 160A
Mounting: SMD
Case: DFN3333-8
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; Idm: 160A; 30W; DFN3333-8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 12.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 160A
Mounting: SMD
Case: DFN3333-8
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJQ4576AP-AU_R2_002A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJQ4576AP-AU-R2 SMD N channel transistors
PJQ4576AP-AU-R2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJQ4848P_R2_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJQ4848P-R2 Multi channel transistors
PJQ4848P-R2 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJQ5439E-AU_R2_006A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJQ5439E-AU-R2 SMD P channel transistors
PJQ5439E-AU-R2 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJQ5520-AU_R2_002A1 |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJQ5520-AU-R2 SMD N channel transistors
PJQ5520-AU-R2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJQ5522-AU_R2_002A1 |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJQ5522-AU-R2 SMD N channel transistors
PJQ5522-AU-R2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJQ5528-AU_R2_002A1 |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 244A; 15.6W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 61A
On-state resistance: 6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 15.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 244A
Mounting: SMD
Case: DFN5060-8
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 244A; 15.6W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 61A
On-state resistance: 6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 15.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 244A
Mounting: SMD
Case: DFN5060-8
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJQ5528-AU_R2_002A1 |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 244A; 15.6W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 61A
On-state resistance: 6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 15.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 244A
Mounting: SMD
Case: DFN5060-8
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 244A; 15.6W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 61A
On-state resistance: 6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 15.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 244A
Mounting: SMD
Case: DFN5060-8
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJQ5534-AU_R2_002A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJQ5534-AU-R2 SMD N channel transistors
PJQ5534-AU-R2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJQ5540V-AU_R2_002A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJQ5540V-AU-R2 SMD N channel transistors
PJQ5540V-AU-R2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJQ5542V-AU_R2_002A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJQ5542V-AU-R2 SMD N channel transistors
PJQ5542V-AU-R2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJQ5544-AU_R2_002A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJQ5544-AU-R2 SMD N channel transistors
PJQ5544-AU-R2 SMD N channel transistors
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 113.99 грн |
29+ | 36.87 грн |
79+ | 34.89 грн |
PJQ5544V-AU_R2_002A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJQ5544V-AU-R2 SMD N channel transistors
PJQ5544V-AU-R2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJQ5546-AU_R2_002A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJQ5546-AU-R2 SMD N channel transistors
PJQ5546-AU-R2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJQ5546V-AU_R2_002A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJQ5546V-AU-R2 SMD N channel transistors
PJQ5546V-AU-R2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJQ5548-AU_R2_002A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJQ5548-AU-R2 SMD N channel transistors
PJQ5548-AU-R2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJQ5548V-AU_R2_002A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 45A; Idm: 180A; 36W; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 36W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 45A; Idm: 180A; 36W; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 36W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJQ5548V-AU_R2_002A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 45A; Idm: 180A; 36W; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 36W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 45A; Idm: 180A; 36W; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 36W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJQ5576A-AU_R2_002A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJQ5576A-AU-R2 SMD N channel transistors
PJQ5576A-AU-R2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJQ5844-AU_R2_000A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJQ5844-AU-R2 Multi channel transistors
PJQ5844-AU-R2 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJQ5948-AU_R2_002A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJQ5948-AU-R2 Multi channel transistors
PJQ5948-AU-R2 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJQ5948V-AU_R2_002A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJQ5948V-AU-R2 Multi channel transistors
PJQ5948V-AU-R2 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJS6403_S1_00001 |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJS6403-S1 SMD P channel transistors
PJS6403-S1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJS6421-AU_S1_000A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJS6421-AU-S1 SMD P channel transistors
PJS6421-AU-S1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJS6421_S1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7.4A; Idm: -29.6A; 2W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -7.4A
Pulsed drain current: -29.6A
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7.4A; Idm: -29.6A; 2W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -7.4A
Pulsed drain current: -29.6A
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 31.88 грн |
14+ | 21.42 грн |
100+ | 16.42 грн |
117+ | 9.24 грн |
320+ | 8.70 грн |
PJS6421_S1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7.4A; Idm: -29.6A; 2W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -7.4A
Pulsed drain current: -29.6A
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7.4A; Idm: -29.6A; 2W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -7.4A
Pulsed drain current: -29.6A
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
16+ | 26.56 грн |
22+ | 17.19 грн |
100+ | 13.68 грн |
117+ | 7.70 грн |
320+ | 7.25 грн |
PJS6461-AU_S1_000A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJS6461-AU-S1 SMD P channel transistors
PJS6461-AU-S1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJS6601_S1_00001 |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 4.1/-3.1A; 1.25W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 4.1/-3.1A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 95/190mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 4.6/5.4nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 4.1/-3.1A; 1.25W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 4.1/-3.1A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 95/190mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 4.6/5.4nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2626 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 31.88 грн |
13+ | 21.52 грн |
100+ | 15.79 грн |
131+ | 8.07 грн |
360+ | 7.62 грн |
PJS6601_S1_00001 |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 4.1/-3.1A; 1.25W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 4.1/-3.1A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 95/190mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 4.6/5.4nC
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 4.1/-3.1A; 1.25W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 4.1/-3.1A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 95/190mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 4.6/5.4nC
на замовлення 2626 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
16+ | 26.56 грн |
22+ | 17.27 грн |
100+ | 13.16 грн |
131+ | 6.73 грн |
360+ | 6.35 грн |
PJS6816_S1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJS6816-S1 Multi channel transistors
PJS6816-S1 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJS6839_S1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -300mA; Idm: -1A; 500mW
Mounting: SMD
Case: SOT23-6
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -300mA
On-state resistance: 13Ω
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -1A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -300mA; Idm: -1A; 500mW
Mounting: SMD
Case: SOT23-6
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -300mA
On-state resistance: 13Ω
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -1A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
17+ | 17.39 грн |
24+ | 11.64 грн |
100+ | 9.03 грн |
213+ | 4.98 грн |
584+ | 4.71 грн |
PJS6839_S1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -300mA; Idm: -1A; 500mW
Mounting: SMD
Case: SOT23-6
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -300mA
On-state resistance: 13Ω
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -1A
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -300mA; Idm: -1A; 500mW
Mounting: SMD
Case: SOT23-6
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -300mA
On-state resistance: 13Ω
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -1A
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
28+ | 14.49 грн |
40+ | 9.34 грн |
100+ | 7.53 грн |
213+ | 4.15 грн |
584+ | 3.92 грн |
PJSD03TS-AU_R1_000A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJSD03TS-AU-R1 Unidirectional TVS SMD diodes
PJSD03TS-AU-R1 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 4750 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
21+ | 13.91 грн |
217+ | 4.84 грн |
597+ | 4.58 грн |
PJSD05TS-AU_R1_000A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 120W; 6V; 5A; unidirectional; SOD523; reel,tape; 110pF
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 120W
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 110pF
Version: ESD
Application: automotive industry
Max. forward impulse current: 5A
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 120W; 6V; 5A; unidirectional; SOD523; reel,tape; 110pF
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 120W
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 110pF
Version: ESD
Application: automotive industry
Max. forward impulse current: 5A
на замовлення 4818 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
30+ | 13.68 грн |
42+ | 8.97 грн |
100+ | 6.73 грн |
178+ | 4.93 грн |
489+ | 4.63 грн |
PJSD05TS-AU_R1_000A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 120W; 6V; 5A; unidirectional; SOD523; reel,tape; 110pF
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 120W
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 110pF
Version: ESD
Application: automotive industry
Max. forward impulse current: 5A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 120W; 6V; 5A; unidirectional; SOD523; reel,tape; 110pF
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 120W
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 110pF
Version: ESD
Application: automotive industry
Max. forward impulse current: 5A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4818 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
18+ | 16.42 грн |
25+ | 11.18 грн |
100+ | 8.07 грн |
178+ | 5.92 грн |
489+ | 5.56 грн |
5000+ | 5.38 грн |
PJSD05TS_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJSD05TS-R1 Unidirectional TVS SMD diodes
PJSD05TS-R1 Unidirectional TVS SMD diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJSD12CW-AU_R1_000A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJSD12CW-AU-R1 Protection diodes - arrays
PJSD12CW-AU-R1 Protection diodes - arrays
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJSD12TS_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJSD12TS-R1 Unidirectional TVS SMD diodes
PJSD12TS-R1 Unidirectional TVS SMD diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJSD24TS_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJSD24TS-R1 Unidirectional TVS SMD diodes
PJSD24TS-R1 Unidirectional TVS SMD diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJSD36W-AU_R1_000A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJSD36W-AU-R1 Unidirectional TVS SMD diodes
PJSD36W-AU-R1 Unidirectional TVS SMD diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJSD36W_R1_00001 |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJSD36W-R1 Unidirectional TVS SMD diodes
PJSD36W-R1 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 9985 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 30.33 грн |
189+ | 5.57 грн |
519+ | 5.27 грн |
PJT138K-AU_R1_000A1 |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJT138K-AU-R1 Multi channel transistors
PJT138K-AU-R1 Multi channel transistors
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
15+ | 20.29 грн |
204+ | 5.17 грн |
559+ | 4.89 грн |
PJT7600_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 1A/-700mA; 350mW
Case: SOT363
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 1A/-700mA
On-state resistance: 400/600mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.6/2.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 1A/-700mA; 350mW
Case: SOT363
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 1A/-700mA
On-state resistance: 400/600mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.6/2.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 40.57 грн |
11+ | 26.92 грн |
100+ | 14.80 грн |
169+ | 6.28 грн |
463+ | 5.92 грн |
PJT7600_S1_00001 |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJT7600-S1 Multi channel transistors
PJT7600-S1 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJT7600_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 1A/-700mA; 350mW
Case: SOT363
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 1A/-700mA
On-state resistance: 400/600mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.6/2.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 1A/-700mA; 350mW
Case: SOT363
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 1A/-700mA
On-state resistance: 400/600mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.6/2.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
12+ | 33.81 грн |
18+ | 21.60 грн |
100+ | 12.33 грн |
169+ | 5.23 грн |
463+ | 4.93 грн |
PJT7603_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 50/-60V; -250/400mA; 350mW
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 2.5/6Ω
Gate charge: 0.95/1.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 50/-60V
Drain current: -250/400mA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 50/-60V; -250/400mA; 350mW
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 2.5/6Ω
Gate charge: 0.95/1.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 50/-60V
Drain current: -250/400mA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
13+ | 23.18 грн |
16+ | 18.54 грн |
100+ | 12.95 грн |
204+ | 5.30 грн |
559+ | 5.01 грн |
PJT7603_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 50/-60V; -250/400mA; 350mW
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 2.5/6Ω
Gate charge: 0.95/1.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 50/-60V
Drain current: -250/400mA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 50/-60V; -250/400mA; 350mW
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 2.5/6Ω
Gate charge: 0.95/1.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 50/-60V
Drain current: -250/400mA
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
21+ | 19.32 грн |
26+ | 14.88 грн |
100+ | 10.79 грн |
204+ | 4.42 грн |
559+ | 4.18 грн |