Продукція > PANJIT SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника PANJIT SEMICONDUCTOR (1215) > Сторінка 16 з 21
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
PJQ4401P-AU_R2_000A1 | PanJit Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PJQ4403P_R2_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PJQ4433EP-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor | PJQ4433EP-AU-R2 SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PJQ4433EP_R2_00201 | PanJit Semiconductor | PJQ4433EP-R2 SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PJQ4435EP_R2_00201 | PanJit Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PJQ4437EP_R2_00201 | PanJit Semiconductor |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -38A; Idm: -123A; 13.5W Case: DFN3333-8 Drain-source voltage: -30V Drain current: -38A On-state resistance: 15.4mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 13.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Gate charge: 32nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: -123A Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PJQ4437EP_R2_00201 | PanJit Semiconductor |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -38A; Idm: -123A; 13.5W Case: DFN3333-8 Drain-source voltage: -30V Drain current: -38A On-state resistance: 15.4mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 13.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Gate charge: 32nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: -123A Mounting: SMD |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PJQ4439EP_R2_00201 | PanJit Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PJQ4465AP-AU_R2_000A1 | PanJit Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PJQ4524P-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor | PJQ4524P-AU-R2 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PJQ4526P-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor | PJQ4526P-AU-R2 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PJQ4528P-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor | PJQ4528P-AU-R2 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PJQ4530P-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor | PJQ4530P-AU-R2 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PJQ4534P-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor | PJQ4534P-AU-R2 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PJQ4534P_R2_00201 | PanJit Semiconductor | PJQ4534P-R2 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
PJQ4546P-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 64A; Idm: 256A; 42W; DFN3333-8 Drain-source voltage: 40V Drain current: 64A On-state resistance: 7.9mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 42W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 20nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 256A Mounting: SMD Case: DFN3333-8 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
PJQ4546P-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 64A; Idm: 256A; 42W; DFN3333-8 Drain-source voltage: 40V Drain current: 64A On-state resistance: 7.9mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 42W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 20nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 256A Mounting: SMD Case: DFN3333-8 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
PJQ4546VP-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 61A; Idm: 244A; 42W; DFN3333-8 Drain-source voltage: 40V Drain current: 61A On-state resistance: 7.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 42W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 23nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 244A Mounting: SMD Case: DFN3333-8 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
PJQ4546VP-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 61A; Idm: 244A; 42W; DFN3333-8 Drain-source voltage: 40V Drain current: 61A On-state resistance: 7.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 42W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 23nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 244A Mounting: SMD Case: DFN3333-8 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
PJQ4548P-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 43A; Idm: 172A; 30W; DFN3333-8 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 40V Drain current: 43A On-state resistance: 12.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 30W Polarisation: unipolar Gate charge: 13nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 172A Mounting: SMD Case: DFN3333-8 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
PJQ4548P-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 43A; Idm: 172A; 30W; DFN3333-8 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 40V Drain current: 43A On-state resistance: 12.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 30W Polarisation: unipolar Gate charge: 13nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 172A Mounting: SMD Case: DFN3333-8 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
PJQ4548VP-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; Idm: 160A; 30W; DFN3333-8 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 40V Drain current: 40A On-state resistance: 12.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 30W Polarisation: unipolar Gate charge: 9.5nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 160A Mounting: SMD Case: DFN3333-8 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
PJQ4548VP-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; Idm: 160A; 30W; DFN3333-8 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 40V Drain current: 40A On-state resistance: 12.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 30W Polarisation: unipolar Gate charge: 9.5nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 160A Mounting: SMD Case: DFN3333-8 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
PJQ4576AP-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 140A; 21W; DFN3333-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 35A Pulsed drain current: 140A Power dissipation: 21W Case: DFN3333-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17mΩ Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PJQ4576AP-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 140A; 21W; DFN3333-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 35A Pulsed drain current: 140A Power dissipation: 21W Case: DFN3333-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17mΩ Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PJQ4848P_R2_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PJQ5439E-AU_R2_006A1 | PanJit Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PJQ5520-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor | PJQ5520-AU-R2 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PJQ5522-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor | PJQ5522-AU-R2 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PJQ5528-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 244A; 15.6W Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 61A On-state resistance: 6mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 15.6W Polarisation: unipolar Gate charge: 11nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 244A Mounting: SMD Case: DFN5060-8 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PJQ5528-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 244A; 15.6W Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 61A On-state resistance: 6mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 15.6W Polarisation: unipolar Gate charge: 11nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 244A Mounting: SMD Case: DFN5060-8 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PJQ5534-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 156A; 11.5W Drain-source voltage: 30V Drain current: 39A On-state resistance: 9.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 11.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 9.5nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 156A Mounting: SMD Case: DFN5060-8 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PJQ5534-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 156A; 11.5W Drain-source voltage: 30V Drain current: 39A On-state resistance: 9.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 11.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 9.5nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 156A Mounting: SMD Case: DFN5060-8 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PJQ5540V-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PJQ5542V-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PJQ5544-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2965 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
PJQ5544V-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A; 94W; DFN5060-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 120A Pulsed drain current: 480A Power dissipation: 94W Case: DFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 34nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
PJQ5544V-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A; 94W; DFN5060-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 120A Pulsed drain current: 480A Power dissipation: 94W Case: DFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 34nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
PJQ5546-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PJQ5546V-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PJQ5548-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PJQ5548V-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PJQ5576A-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PJQ5844-AU_R2_000A1 | PanJit Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PJQ5948-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PJQ5948V-AU_R2_002A1 | PanJit Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PJS6403_S1_00001 | PanJit Semiconductor | PJS6403-S1 SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PJS6421-AU_S1_000A1 | PanJit Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PJS6421_S1_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2970 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
PJS6461-AU_S1_000A1 | PanJit Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
PJS6601_S1_00001 | PanJit Semiconductor |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 4.1/-3.1A; 1.25W Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 4.1/-3.1A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23-6 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 95/190mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4.6/5.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2716 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
PJS6601_S1_00001 | PanJit Semiconductor |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 4.1/-3.1A; 1.25W Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 4.1/-3.1A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23-6 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 95/190mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4.6/5.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2716 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
PJS6816_S1_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
PJS6839_S1_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -300mA; Idm: -1A; 500mW Mounting: SMD Case: SOT23-6 Drain-source voltage: -60V Drain current: -300mA On-state resistance: 13Ω Type of transistor: P-MOSFET x2 Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 1.1nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -1A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2949 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
PJS6839_S1_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -300mA; Idm: -1A; 500mW Mounting: SMD Case: SOT23-6 Drain-source voltage: -60V Drain current: -300mA On-state resistance: 13Ω Type of transistor: P-MOSFET x2 Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 1.1nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -1A |
на замовлення 2949 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
PJSD03TS-AU_R1_000A1 | PanJit Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4750 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
PJSD05TS-AU_R1_000A1 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Diode: TVS; 120W; 6V; 5A; unidirectional; SOD523; reel,tape; 110pF Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 120W Max. off-state voltage: 5V Breakdown voltage: 6V Semiconductor structure: unidirectional Case: SOD523 Mounting: SMD Leakage current: 5µA Kind of package: reel; tape Capacitance: 110pF Version: ESD Application: automotive industry Max. forward impulse current: 5A |
на замовлення 4818 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
PJSD05TS-AU_R1_000A1 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Diode: TVS; 120W; 6V; 5A; unidirectional; SOD523; reel,tape; 110pF Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 120W Max. off-state voltage: 5V Breakdown voltage: 6V Semiconductor structure: unidirectional Case: SOD523 Mounting: SMD Leakage current: 5µA Kind of package: reel; tape Capacitance: 110pF Version: ESD Application: automotive industry Max. forward impulse current: 5A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4818 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
PJSD05TS_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PJSD12CW-AU_R1_000A1 | PanJit Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
PJQ4401P-AU_R2_000A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJQ4401P-AU-R2 SMD P channel transistors
PJQ4401P-AU-R2 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJQ4403P_R2_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJQ4403P-R2 SMD P channel transistors
PJQ4403P-R2 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJQ4433EP-AU_R2_002A1 |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJQ4433EP-AU-R2 SMD P channel transistors
PJQ4433EP-AU-R2 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJQ4433EP_R2_00201 |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJQ4433EP-R2 SMD P channel transistors
PJQ4433EP-R2 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJQ4435EP_R2_00201 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJQ4435EP-R2 SMD P channel transistors
PJQ4435EP-R2 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJQ4437EP_R2_00201 |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -38A; Idm: -123A; 13.5W
Case: DFN3333-8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -38A
On-state resistance: 15.4mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 13.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Gate charge: 32nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: -123A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -38A; Idm: -123A; 13.5W
Case: DFN3333-8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -38A
On-state resistance: 15.4mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 13.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Gate charge: 32nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: -123A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJQ4437EP_R2_00201 |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -38A; Idm: -123A; 13.5W
Case: DFN3333-8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -38A
On-state resistance: 15.4mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 13.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Gate charge: 32nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: -123A
Mounting: SMD
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -38A; Idm: -123A; 13.5W
Case: DFN3333-8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -38A
On-state resistance: 15.4mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 13.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Gate charge: 32nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: -123A
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJQ4439EP_R2_00201 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJQ4439EP-R2 SMD P channel transistors
PJQ4439EP-R2 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJQ4465AP-AU_R2_000A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJQ4465AP-AU-R2 SMD P channel transistors
PJQ4465AP-AU-R2 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJQ4524P-AU_R2_002A1 |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJQ4524P-AU-R2 SMD N channel transistors
PJQ4524P-AU-R2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJQ4526P-AU_R2_002A1 |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJQ4526P-AU-R2 SMD N channel transistors
PJQ4526P-AU-R2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJQ4528P-AU_R2_002A1 |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJQ4528P-AU-R2 SMD N channel transistors
PJQ4528P-AU-R2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJQ4530P-AU_R2_002A1 |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJQ4530P-AU-R2 SMD N channel transistors
PJQ4530P-AU-R2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJQ4534P-AU_R2_002A1 |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJQ4534P-AU-R2 SMD N channel transistors
PJQ4534P-AU-R2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJQ4534P_R2_00201 |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJQ4534P-R2 SMD N channel transistors
PJQ4534P-R2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJQ4546P-AU_R2_002A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 64A; Idm: 256A; 42W; DFN3333-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 64A
On-state resistance: 7.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 256A
Mounting: SMD
Case: DFN3333-8
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 64A; Idm: 256A; 42W; DFN3333-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 64A
On-state resistance: 7.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 256A
Mounting: SMD
Case: DFN3333-8
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJQ4546P-AU_R2_002A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 64A; Idm: 256A; 42W; DFN3333-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 64A
On-state resistance: 7.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 256A
Mounting: SMD
Case: DFN3333-8
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 64A; Idm: 256A; 42W; DFN3333-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 64A
On-state resistance: 7.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 256A
Mounting: SMD
Case: DFN3333-8
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJQ4546VP-AU_R2_002A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 61A; Idm: 244A; 42W; DFN3333-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 61A
On-state resistance: 7.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 23nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 244A
Mounting: SMD
Case: DFN3333-8
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 61A; Idm: 244A; 42W; DFN3333-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 61A
On-state resistance: 7.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 23nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 244A
Mounting: SMD
Case: DFN3333-8
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJQ4546VP-AU_R2_002A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 61A; Idm: 244A; 42W; DFN3333-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 61A
On-state resistance: 7.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 23nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 244A
Mounting: SMD
Case: DFN3333-8
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 61A; Idm: 244A; 42W; DFN3333-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 61A
On-state resistance: 7.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 23nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 244A
Mounting: SMD
Case: DFN3333-8
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJQ4548P-AU_R2_002A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 43A; Idm: 172A; 30W; DFN3333-8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 43A
On-state resistance: 12.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 172A
Mounting: SMD
Case: DFN3333-8
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 43A; Idm: 172A; 30W; DFN3333-8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 43A
On-state resistance: 12.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 172A
Mounting: SMD
Case: DFN3333-8
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJQ4548P-AU_R2_002A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 43A; Idm: 172A; 30W; DFN3333-8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 43A
On-state resistance: 12.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 172A
Mounting: SMD
Case: DFN3333-8
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 43A; Idm: 172A; 30W; DFN3333-8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 43A
On-state resistance: 12.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 172A
Mounting: SMD
Case: DFN3333-8
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJQ4548VP-AU_R2_002A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; Idm: 160A; 30W; DFN3333-8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 12.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 160A
Mounting: SMD
Case: DFN3333-8
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; Idm: 160A; 30W; DFN3333-8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 12.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 160A
Mounting: SMD
Case: DFN3333-8
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJQ4548VP-AU_R2_002A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; Idm: 160A; 30W; DFN3333-8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 12.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 160A
Mounting: SMD
Case: DFN3333-8
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; Idm: 160A; 30W; DFN3333-8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 12.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 160A
Mounting: SMD
Case: DFN3333-8
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJQ4576AP-AU_R2_002A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 140A; 21W; DFN3333-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 21W
Case: DFN3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 140A; 21W; DFN3333-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 21W
Case: DFN3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJQ4576AP-AU_R2_002A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 140A; 21W; DFN3333-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 21W
Case: DFN3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 140A; 21W; DFN3333-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 21W
Case: DFN3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJQ4848P_R2_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJQ4848P-R2 Multi channel transistors
PJQ4848P-R2 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJQ5439E-AU_R2_006A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJQ5439E-AU-R2 SMD P channel transistors
PJQ5439E-AU-R2 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJQ5520-AU_R2_002A1 |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJQ5520-AU-R2 SMD N channel transistors
PJQ5520-AU-R2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJQ5522-AU_R2_002A1 |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJQ5522-AU-R2 SMD N channel transistors
PJQ5522-AU-R2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJQ5528-AU_R2_002A1 |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 244A; 15.6W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 61A
On-state resistance: 6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 15.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 244A
Mounting: SMD
Case: DFN5060-8
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 244A; 15.6W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 61A
On-state resistance: 6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 15.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 244A
Mounting: SMD
Case: DFN5060-8
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJQ5528-AU_R2_002A1 |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 244A; 15.6W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 61A
On-state resistance: 6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 15.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 244A
Mounting: SMD
Case: DFN5060-8
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 244A; 15.6W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 61A
On-state resistance: 6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 15.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 244A
Mounting: SMD
Case: DFN5060-8
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJQ5534-AU_R2_002A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 156A; 11.5W
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
On-state resistance: 9.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 11.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 9.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 156A
Mounting: SMD
Case: DFN5060-8
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 156A; 11.5W
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
On-state resistance: 9.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 11.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 9.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 156A
Mounting: SMD
Case: DFN5060-8
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJQ5534-AU_R2_002A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 156A; 11.5W
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
On-state resistance: 9.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 11.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 9.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 156A
Mounting: SMD
Case: DFN5060-8
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 156A; 11.5W
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
On-state resistance: 9.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 11.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 9.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 156A
Mounting: SMD
Case: DFN5060-8
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJQ5540V-AU_R2_002A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJQ5540V-AU-R2 SMD N channel transistors
PJQ5540V-AU-R2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJQ5542V-AU_R2_002A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJQ5542V-AU-R2 SMD N channel transistors
PJQ5542V-AU-R2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJQ5544-AU_R2_002A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJQ5544-AU-R2 SMD N channel transistors
PJQ5544-AU-R2 SMD N channel transistors
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 116.58 грн |
29+ | 37.70 грн |
79+ | 35.69 грн |
PJQ5544V-AU_R2_002A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A; 94W; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 94W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A; 94W; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 94W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJQ5544V-AU_R2_002A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A; 94W; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 94W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A; 94W; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 94W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJQ5546-AU_R2_002A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJQ5546-AU-R2 SMD N channel transistors
PJQ5546-AU-R2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJQ5546V-AU_R2_002A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJQ5546V-AU-R2 SMD N channel transistors
PJQ5546V-AU-R2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJQ5548-AU_R2_002A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJQ5548-AU-R2 SMD N channel transistors
PJQ5548-AU-R2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJQ5548V-AU_R2_002A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJQ5548V-AU-R2 SMD N channel transistors
PJQ5548V-AU-R2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJQ5576A-AU_R2_002A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJQ5576A-AU-R2 SMD N channel transistors
PJQ5576A-AU-R2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJQ5844-AU_R2_000A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJQ5844-AU-R2 Multi channel transistors
PJQ5844-AU-R2 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJQ5948-AU_R2_002A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJQ5948-AU-R2 Multi channel transistors
PJQ5948-AU-R2 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJQ5948V-AU_R2_002A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJQ5948V-AU-R2 Multi channel transistors
PJQ5948V-AU-R2 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJS6403_S1_00001 |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJS6403-S1 SMD P channel transistors
PJS6403-S1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJS6421-AU_S1_000A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJS6421-AU-S1 SMD P channel transistors
PJS6421-AU-S1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJS6421_S1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJS6421-S1 SMD P channel transistors
PJS6421-S1 SMD P channel transistors
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 34.08 грн |
117+ | 9.27 грн |
320+ | 8.72 грн |
PJS6461-AU_S1_000A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJS6461-AU-S1 SMD P channel transistors
PJS6461-AU-S1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJS6601_S1_00001 |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 4.1/-3.1A; 1.25W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 4.1/-3.1A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 95/190mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.6/5.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 4.1/-3.1A; 1.25W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 4.1/-3.1A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 95/190mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.6/5.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2716 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 32.60 грн |
13+ | 22.01 грн |
100+ | 16.15 грн |
131+ | 8.26 грн |
360+ | 7.80 грн |
PJS6601_S1_00001 |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 4.1/-3.1A; 1.25W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 4.1/-3.1A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 95/190mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.6/5.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 4.1/-3.1A; 1.25W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 4.1/-3.1A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 95/190mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.6/5.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2716 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
16+ | 27.17 грн |
22+ | 17.66 грн |
100+ | 13.46 грн |
131+ | 6.88 грн |
360+ | 6.50 грн |
PJS6816_S1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJS6816-S1 Multi channel transistors
PJS6816-S1 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJS6839_S1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -300mA; Idm: -1A; 500mW
Mounting: SMD
Case: SOT23-6
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -300mA
On-state resistance: 13Ω
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -1A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -300mA; Idm: -1A; 500mW
Mounting: SMD
Case: SOT23-6
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -300mA
On-state resistance: 13Ω
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -1A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
17+ | 17.78 грн |
24+ | 11.91 грн |
100+ | 9.24 грн |
213+ | 5.09 грн |
584+ | 4.82 грн |
PJS6839_S1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -300mA; Idm: -1A; 500mW
Mounting: SMD
Case: SOT23-6
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -300mA
On-state resistance: 13Ω
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -1A
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -300mA; Idm: -1A; 500mW
Mounting: SMD
Case: SOT23-6
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -300mA
On-state resistance: 13Ω
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -1A
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
28+ | 14.82 грн |
40+ | 9.56 грн |
100+ | 7.70 грн |
213+ | 4.24 грн |
584+ | 4.01 грн |
PJSD03TS-AU_R1_000A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJSD03TS-AU-R1 Unidirectional TVS SMD diodes
PJSD03TS-AU-R1 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 4750 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
21+ | 14.23 грн |
217+ | 4.95 грн |
597+ | 4.69 грн |
PJSD05TS-AU_R1_000A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 120W; 6V; 5A; unidirectional; SOD523; reel,tape; 110pF
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 120W
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 110pF
Version: ESD
Application: automotive industry
Max. forward impulse current: 5A
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 120W; 6V; 5A; unidirectional; SOD523; reel,tape; 110pF
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 120W
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 110pF
Version: ESD
Application: automotive industry
Max. forward impulse current: 5A
на замовлення 4818 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
30+ | 14.00 грн |
42+ | 9.17 грн |
100+ | 6.88 грн |
178+ | 5.05 грн |
489+ | 4.74 грн |
PJSD05TS-AU_R1_000A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 120W; 6V; 5A; unidirectional; SOD523; reel,tape; 110pF
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 120W
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 110pF
Version: ESD
Application: automotive industry
Max. forward impulse current: 5A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 120W; 6V; 5A; unidirectional; SOD523; reel,tape; 110pF
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 120W
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 110pF
Version: ESD
Application: automotive industry
Max. forward impulse current: 5A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4818 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
18+ | 16.80 грн |
25+ | 11.43 грн |
100+ | 8.26 грн |
178+ | 6.05 грн |
489+ | 5.69 грн |
5000+ | 5.50 грн |
PJSD05TS_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJSD05TS-R1 Unidirectional TVS SMD diodes
PJSD05TS-R1 Unidirectional TVS SMD diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJSD12CW-AU_R1_000A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJSD12CW-AU-R1 Protection diodes - arrays
PJSD12CW-AU-R1 Protection diodes - arrays
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.