Продукція > PANJIT SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника PANJIT SEMICONDUCTOR (855) > Сторінка 10 з 15
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PJA138K-AU_R1_000A1 | PanJit Semiconductor |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 500mA; Idm: 1.2A; 500mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.5A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2750 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PJA138K_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 500mA; Idm: 1.2A; 500mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.5A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
PJA3400_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.9A; Idm: 19.6A; 1.25W; SOT23 Case: SOT23 Polarisation: unipolar Gate charge: 5.7nC On-state resistance: 60mΩ Power dissipation: 1.25W Drain current: 4.9A Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 19.6A Drain-source voltage: 30V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2675 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PJA3400_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.9A; Idm: 19.6A; 1.25W; SOT23 Case: SOT23 Polarisation: unipolar Gate charge: 5.7nC On-state resistance: 60mΩ Power dissipation: 1.25W Drain current: 4.9A Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 19.6A Drain-source voltage: 30V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD |
на замовлення 2675 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PJA3401A_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -14.4A; 1.25W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -3.6A Pulsed drain current: -14.4A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 86mΩ Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1793 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PJA3401A_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -14.4A; 1.25W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -3.6A Pulsed drain current: -14.4A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 86mΩ Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1793 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| PJA3402_R1_00501 | PanJit Semiconductor | PJA3402-R1 SMD N channel transistors |
на замовлення 9015 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PJA3403_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
PJA3403-R1 SMD P channel transistors |
на замовлення 2334 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PJA3404_R1_00501 | PanJit Semiconductor | PJA3404-R1 SMD N channel transistors |
на замовлення 3904 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PJA3405-AU_R1_000A1 | PanJit Semiconductor |
PJA3405-AU-R1 SMD P channel transistors |
на замовлення 2864 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PJA3406_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
PJA3406-R1 SMD N channel transistors |
на замовлення 2470 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
PJA3407_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.8A; Idm: -15.2A; 1.25W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -3.8A Pulsed drain current: -15.2A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 80mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2925 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PJA3407_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.8A; Idm: -15.2A; 1.25W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -3.8A Pulsed drain current: -15.2A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 80mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2925 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| PJA3409_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
PJA3409-R1 SMD P channel transistors |
на замовлення 2380 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
PJA3411-AU_R1_000A1 | PanJit Semiconductor |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.1A; Idm: -12.4A; 1.25W Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: SOT23 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Pulsed drain current: -12.4A Drain current: -3.1A Gate charge: 5.4nC On-state resistance: 0.19Ω Power dissipation: 1.25W Gate-source voltage: ±12V Application: automotive industry |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PJA3411-AU_R1_000A1 | PanJit Semiconductor |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.1A; Idm: -12.4A; 1.25W Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: SOT23 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Pulsed drain current: -12.4A Drain current: -3.1A Gate charge: 5.4nC On-state resistance: 0.19Ω Power dissipation: 1.25W Gate-source voltage: ±12V Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| PJA3412-AU_R1_000A1 | PanJit Semiconductor |
PJA3412-AU-R1 SMD N channel transistors |
на замовлення 2136 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PJA3412_R1_00501 | PanJit Semiconductor | PJA3412-R1 SMD N channel transistors |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PJA3413_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
PJA3413-R1 SMD P channel transistors |
на замовлення 2370 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PJA3415A-AU_R1_000A1 | PanJit Semiconductor |
PJA3415A-AU-R1 SMD P channel transistors |
на замовлення 2840 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PJA3416AE_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
PJA3416AE-R1 SMD N channel transistors |
на замовлення 2460 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PJA3428_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
PJA3428-R1 SMD N channel transistors |
на замовлення 7390 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
PJA3430_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; Idm: 8A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: SOT23 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 2A Gate charge: 1.8nC On-state resistance: 0.4Ω Power dissipation: 1.25W Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 8A Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2565 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PJA3430_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; Idm: 8A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: SOT23 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 2A Gate charge: 1.8nC On-state resistance: 0.4Ω Power dissipation: 1.25W Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 8A Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2565 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PJA3432-AU_R1_000A1 | PanJit Semiconductor |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.6A; Idm: 6.4A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: SOT23 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 1.6A Gate charge: 1.5nC On-state resistance: 570mΩ Power dissipation: 1.25W Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 6.4A Application: automotive industry Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1770 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PJA3432-AU_R1_000A1 | PanJit Semiconductor |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.6A; Idm: 6.4A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: SOT23 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 1.6A Gate charge: 1.5nC On-state resistance: 570mΩ Power dissipation: 1.25W Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 6.4A Application: automotive industry Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1770 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PJA3433-AU_R1_000A1 | PanJit Semiconductor |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.1A; Idm: -4.4A; 1.25W Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: SOT23 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -1.1A Gate charge: 1.6nC On-state resistance: 0.97Ω Power dissipation: 1.25W Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -4.4A Application: automotive industry Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1455 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PJA3433-AU_R1_000A1 | PanJit Semiconductor |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.1A; Idm: -4.4A; 1.25W Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: SOT23 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -1.1A Gate charge: 1.6nC On-state resistance: 0.97Ω Power dissipation: 1.25W Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -4.4A Application: automotive industry Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1455 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PJA3433_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.1A; Idm: -4.4A; 1.25W Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: SOT23 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -1.1A Gate charge: 1.6nC On-state resistance: 0.97Ω Power dissipation: 1.25W Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -4.4A Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7014 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PJA3433_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.1A; Idm: -4.4A; 1.25W Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: SOT23 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -1.1A Gate charge: 1.6nC On-state resistance: 0.97Ω Power dissipation: 1.25W Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -4.4A Kind of channel: enhancement |
на замовлення 7014 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PJA3434_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 1.5A; 500mW; SOT23 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Case: SOT23 Gate charge: 1.4nC On-state resistance: 3Ω Power dissipation: 0.5W Drain current: 0.75A Pulsed drain current: 1.5A Gate-source voltage: ±10V Drain-source voltage: 20V Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3820 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PJA3434_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 1.5A; 500mW; SOT23 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Case: SOT23 Gate charge: 1.4nC On-state resistance: 3Ω Power dissipation: 0.5W Drain current: 0.75A Pulsed drain current: 1.5A Gate-source voltage: ±10V Drain-source voltage: 20V Polarisation: unipolar |
на замовлення 3820 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PJA3435_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -500mA; Idm: -1A; 500mW; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: SOT23 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.5A Gate charge: 1.4nC On-state resistance: 6Ω Power dissipation: 0.5W Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: -1A Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5960 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PJA3435_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -500mA; Idm: -1A; 500mW; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: SOT23 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.5A Gate charge: 1.4nC On-state resistance: 6Ω Power dissipation: 0.5W Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: -1A Kind of channel: enhancement |
на замовлення 5960 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PJA3436-AU_R1_000A1 | PanJit Semiconductor |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.2A; Idm: 4.8A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: SOT23 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.2A Gate charge: 0.9nC On-state resistance: 0.9Ω Power dissipation: 1.25W Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 4.8A Application: automotive industry Kind of channel: enhancement |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PJA3436-AU_R1_000A1 | PanJit Semiconductor |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.2A; Idm: 4.8A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: SOT23 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.2A Gate charge: 0.9nC On-state resistance: 0.9Ω Power dissipation: 1.25W Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 4.8A Application: automotive industry Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PJA3438-AU_R1_000A1 | PanJit Semiconductor |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 500mA; Idm: 1.2A; 500mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: SOT23 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.5A Gate charge: 0.95nC On-state resistance: 6Ω Power dissipation: 0.5W Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1.2A Application: automotive industry Kind of channel: enhancement |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PJA3438-AU_R1_000A1 | PanJit Semiconductor |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 500mA; Idm: 1.2A; 500mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: SOT23 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.5A Gate charge: 0.95nC On-state resistance: 6Ω Power dissipation: 0.5W Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1.2A Application: automotive industry Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PJA3439-AU_R1_000A1 | PanJit Semiconductor |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -300mA; Idm: -1A; 500mW; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: SOT23 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -0.3A Gate charge: 1.1nC On-state resistance: 13Ω Power dissipation: 0.5W Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -1A Application: automotive industry Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1487 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PJA3439-AU_R1_000A1 | PanJit Semiconductor |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -300mA; Idm: -1A; 500mW; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: SOT23 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -0.3A Gate charge: 1.1nC On-state resistance: 13Ω Power dissipation: 0.5W Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -1A Application: automotive industry Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1487 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| PJA3440-AU_R1_000A1 | PanJit Semiconductor |
PJA3440-AU-R1 SMD N channel transistors |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PJA3441-AU_R1_000A1 | PanJit Semiconductor |
PJA3441-AU-R1 SMD P channel transistors |
на замовлення 2725 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PJA3441_R1_00501 | PanJit Semiconductor | PJA3441-R1 SMD P channel transistors |
на замовлення 1863 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
PJA3460-AU_R1_000A1 | PanJit Semiconductor |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.5A; Idm: 10A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 2.5A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 90mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
на замовлення 1013 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PJA3460-AU_R1_000A1 | PanJit Semiconductor |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.5A; Idm: 10A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 2.5A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 90mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1013 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PJA3460_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.5A; Idm: 10A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 2.5A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 90mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3485 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PJA3460_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.5A; Idm: 10A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 2.5A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 90mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 3485 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| PJA3463_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
PJA3463-R1 SMD P channel transistors |
на замовлення 845 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PJA3471_R1_00501 | PanJit Semiconductor | PJA3471-R1 SMD P channel transistors |
на замовлення 12065 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PJC138K-AU_R1_000A1 | PanJit Semiconductor |
PJC138K-AU-R1 SMD N channel transistors |
на замовлення 2059 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PJC7400_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
PJC7400-R1 SMD N channel transistors |
на замовлення 5455 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
PJC7401_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; Idm: -6A; 350mW; SOT323 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -1.5A Pulsed drain current: -6A Power dissipation: 0.35W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1315 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PJC7401_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; Idm: -6A; 350mW; SOT323 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -1.5A Pulsed drain current: -6A Power dissipation: 0.35W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1315 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PJC7404_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT323 Case: SOT323 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 20V Drain current: 1A Gate charge: 1.6nC On-state resistance: 0.4Ω Power dissipation: 0.35W Pulsed drain current: 4A Gate-source voltage: ±8V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5990 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PJC7404_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT323 Case: SOT323 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 20V Drain current: 1A Gate charge: 1.6nC On-state resistance: 0.4Ω Power dissipation: 0.35W Pulsed drain current: 4A Gate-source voltage: ±8V |
на замовлення 5990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| PJC7407_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
PJC7407-R1 SMD P channel transistors |
на замовлення 7545 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
PJC7428_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300mA; Idm: 0.6A; 350mW; SOT323 Case: SOT323 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 0.9nC On-state resistance: 4Ω Drain current: 0.3A Power dissipation: 0.35W Pulsed drain current: 0.6A Gate-source voltage: ±10V Drain-source voltage: 30V Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PJC7428_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300mA; Idm: 0.6A; 350mW; SOT323 Case: SOT323 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 0.9nC On-state resistance: 4Ω Drain current: 0.3A Power dissipation: 0.35W Pulsed drain current: 0.6A Gate-source voltage: ±10V Drain-source voltage: 30V Kind of package: reel; tape |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PJC7439-AU_R1_000A1 | PanJit Semiconductor |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -250mA; Idm: -1A; 350mW Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Pulsed drain current: -1A Drain current: -250mA Gate charge: 1.1nC Power dissipation: 0.35W On-state resistance: 13Ω Gate-source voltage: ±20V Case: SOT323 Application: automotive industry |
на замовлення 2875 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PJC7439-AU_R1_000A1 | PanJit Semiconductor |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -250mA; Idm: -1A; 350mW Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Pulsed drain current: -1A Drain current: -250mA Gate charge: 1.1nC Power dissipation: 0.35W On-state resistance: 13Ω Gate-source voltage: ±20V Case: SOT323 Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2875 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
| PJA138K-AU_R1_000A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 500mA; Idm: 1.2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 500mA; Idm: 1.2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 17.48 грн |
| 29+ | 10.41 грн |
| 100+ | 6.33 грн |
| 490+ | 2.29 грн |
| 1345+ | 2.17 грн |
| 15000+ | 2.08 грн |
| PJA138K_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 500mA; Idm: 1.2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 500mA; Idm: 1.2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PJA3400_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.9A; Idm: 19.6A; 1.25W; SOT23
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Gate charge: 5.7nC
On-state resistance: 60mΩ
Power dissipation: 1.25W
Drain current: 4.9A
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 19.6A
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.9A; Idm: 19.6A; 1.25W; SOT23
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Gate charge: 5.7nC
On-state resistance: 60mΩ
Power dissipation: 1.25W
Drain current: 4.9A
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 19.6A
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2675 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 33.92 грн |
| 15+ | 20.62 грн |
| 100+ | 12.60 грн |
| 500+ | 9.24 грн |
| 1000+ | 8.08 грн |
| 3000+ | 6.55 грн |
| 6000+ | 5.79 грн |
| PJA3400_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.9A; Idm: 19.6A; 1.25W; SOT23
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Gate charge: 5.7nC
On-state resistance: 60mΩ
Power dissipation: 1.25W
Drain current: 4.9A
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 19.6A
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.9A; Idm: 19.6A; 1.25W; SOT23
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Gate charge: 5.7nC
On-state resistance: 60mΩ
Power dissipation: 1.25W
Drain current: 4.9A
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 19.6A
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
на замовлення 2675 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 28.27 грн |
| 25+ | 16.55 грн |
| 100+ | 10.50 грн |
| 500+ | 7.70 грн |
| 1000+ | 6.73 грн |
| PJA3401A_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -14.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -14.4A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 86mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -14.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -14.4A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 86mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1793 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 24.67 грн |
| 22+ | 14.08 грн |
| 100+ | 8.56 грн |
| 500+ | 6.33 грн |
| 1000+ | 5.57 грн |
| 3000+ | 5.03 грн |
| PJA3401A_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -14.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -14.4A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 86mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -14.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -14.4A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 86mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1793 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 21+ | 20.56 грн |
| 36+ | 11.30 грн |
| 100+ | 7.14 грн |
| 500+ | 5.27 грн |
| 1000+ | 4.65 грн |
| PJA3402_R1_00501 |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJA3402-R1 SMD N channel transistors
PJA3402-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 9015 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 35.98 грн |
| 254+ | 4.45 грн |
| 696+ | 4.21 грн |
| PJA3403_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJA3403-R1 SMD P channel transistors
PJA3403-R1 SMD P channel transistors
на замовлення 2334 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 24.46 грн |
| 255+ | 4.42 грн |
| 702+ | 4.17 грн |
| PJA3404_R1_00501 |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJA3404-R1 SMD N channel transistors
PJA3404-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 3904 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 42.15 грн |
| 225+ | 5.06 грн |
| 617+ | 4.77 грн |
| PJA3405-AU_R1_000A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJA3405-AU-R1 SMD P channel transistors
PJA3405-AU-R1 SMD P channel transistors
на замовлення 2864 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 36.19 грн |
| 196+ | 5.73 грн |
| 538+ | 5.44 грн |
| PJA3406_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJA3406-R1 SMD N channel transistors
PJA3406-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 24.90 грн |
| 220+ | 5.12 грн |
| 605+ | 4.84 грн |
| PJA3407_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.8A; Idm: -15.2A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.8A
Pulsed drain current: -15.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.8A; Idm: -15.2A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.8A
Pulsed drain current: -15.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 35.98 грн |
| 14+ | 22.01 грн |
| 100+ | 13.17 грн |
| 188+ | 5.92 грн |
| 518+ | 5.63 грн |
| 75000+ | 5.44 грн |
| PJA3407_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.8A; Idm: -15.2A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.8A
Pulsed drain current: -15.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.8A; Idm: -15.2A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.8A
Pulsed drain current: -15.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 29.98 грн |
| 23+ | 17.66 грн |
| 100+ | 10.98 грн |
| 188+ | 4.93 грн |
| 518+ | 4.69 грн |
| PJA3409_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJA3409-R1 SMD P channel transistors
PJA3409-R1 SMD P channel transistors
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 31.61 грн |
| 202+ | 5.58 грн |
| 554+ | 5.29 грн |
| PJA3411-AU_R1_000A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.1A; Idm: -12.4A; 1.25W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -12.4A
Drain current: -3.1A
Gate charge: 5.4nC
On-state resistance: 0.19Ω
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±12V
Application: automotive industry
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.1A; Idm: -12.4A; 1.25W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -12.4A
Drain current: -3.1A
Gate charge: 5.4nC
On-state resistance: 0.19Ω
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±12V
Application: automotive industry
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24+ | 17.99 грн |
| 39+ | 10.26 грн |
| 100+ | 7.09 грн |
| 224+ | 4.18 грн |
| 616+ | 3.95 грн |
| PJA3411-AU_R1_000A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.1A; Idm: -12.4A; 1.25W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -12.4A
Drain current: -3.1A
Gate charge: 5.4nC
On-state resistance: 0.19Ω
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±12V
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.1A; Idm: -12.4A; 1.25W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -12.4A
Drain current: -3.1A
Gate charge: 5.4nC
On-state resistance: 0.19Ω
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±12V
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 21.59 грн |
| 24+ | 12.79 грн |
| 100+ | 8.51 грн |
| 224+ | 5.02 грн |
| 616+ | 4.74 грн |
| 75000+ | 4.56 грн |
| PJA3412-AU_R1_000A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJA3412-AU-R1 SMD N channel transistors
PJA3412-AU-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 2136 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 29.19 грн |
| 206+ | 5.47 грн |
| 566+ | 5.17 грн |
| 9000+ | 5.16 грн |
| PJA3412_R1_00501 |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJA3412-R1 SMD N channel transistors
PJA3412-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 32.90 грн |
| 313+ | 3.61 грн |
| 859+ | 3.41 грн |
| PJA3413_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJA3413-R1 SMD P channel transistors
PJA3413-R1 SMD P channel transistors
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 33.21 грн |
| 320+ | 3.52 грн |
| 880+ | 3.33 грн |
| PJA3415A-AU_R1_000A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJA3415A-AU-R1 SMD P channel transistors
PJA3415A-AU-R1 SMD P channel transistors
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 28.78 грн |
| 151+ | 7.54 грн |
| 413+ | 7.06 грн |
| PJA3416AE_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJA3416AE-R1 SMD N channel transistors
PJA3416AE-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 35.36 грн |
| 189+ | 5.96 грн |
| 520+ | 5.63 грн |
| PJA3428_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJA3428-R1 SMD N channel transistors
PJA3428-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 7390 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 27.86 грн |
| 296+ | 3.81 грн |
| 814+ | 3.60 грн |
| PJA3430_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; Idm: 8A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Gate charge: 1.8nC
On-state resistance: 0.4Ω
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 8A
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; Idm: 8A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Gate charge: 1.8nC
On-state resistance: 0.4Ω
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 8A
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2565 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 22.62 грн |
| 24+ | 12.89 грн |
| 100+ | 7.77 грн |
| 233+ | 4.83 грн |
| 640+ | 4.57 грн |
| 3000+ | 4.46 грн |
| PJA3430_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; Idm: 8A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Gate charge: 1.8nC
On-state resistance: 0.4Ω
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 8A
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; Idm: 8A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Gate charge: 1.8nC
On-state resistance: 0.4Ω
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 8A
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2565 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 23+ | 18.85 грн |
| 39+ | 10.34 грн |
| 100+ | 6.48 грн |
| 233+ | 4.03 грн |
| 640+ | 3.81 грн |
| PJA3432-AU_R1_000A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.6A; Idm: 6.4A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.6A
Gate charge: 1.5nC
On-state resistance: 570mΩ
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 6.4A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.6A; Idm: 6.4A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.6A
Gate charge: 1.5nC
On-state resistance: 570mΩ
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 6.4A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24+ | 17.99 грн |
| 40+ | 9.94 грн |
| 100+ | 6.25 грн |
| 203+ | 4.64 грн |
| 500+ | 4.52 грн |
| 556+ | 4.38 грн |
| 1000+ | 4.22 грн |
| PJA3432-AU_R1_000A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.6A; Idm: 6.4A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.6A
Gate charge: 1.5nC
On-state resistance: 570mΩ
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 6.4A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.6A; Idm: 6.4A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.6A
Gate charge: 1.5nC
On-state resistance: 570mΩ
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 6.4A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 21.59 грн |
| 24+ | 12.39 грн |
| 100+ | 7.50 грн |
| 203+ | 5.57 грн |
| 500+ | 5.42 грн |
| 556+ | 5.26 грн |
| 1000+ | 5.06 грн |
| PJA3433-AU_R1_000A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.1A; Idm: -4.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.1A
Gate charge: 1.6nC
On-state resistance: 0.97Ω
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -4.4A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.1A; Idm: -4.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.1A
Gate charge: 1.6nC
On-state resistance: 0.97Ω
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -4.4A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24+ | 17.99 грн |
| 40+ | 9.94 грн |
| 100+ | 6.28 грн |
| 184+ | 5.09 грн |
| 500+ | 4.69 грн |
| 504+ | 4.61 грн |
| PJA3433-AU_R1_000A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.1A; Idm: -4.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.1A
Gate charge: 1.6nC
On-state resistance: 0.97Ω
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -4.4A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.1A; Idm: -4.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.1A
Gate charge: 1.6nC
On-state resistance: 0.97Ω
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -4.4A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1455 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 21.59 грн |
| 24+ | 12.39 грн |
| 100+ | 7.54 грн |
| 184+ | 6.11 грн |
| 500+ | 5.63 грн |
| 504+ | 5.54 грн |
| PJA3433_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.1A; Idm: -4.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.1A
Gate charge: 1.6nC
On-state resistance: 0.97Ω
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -4.4A
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.1A; Idm: -4.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.1A
Gate charge: 1.6nC
On-state resistance: 0.97Ω
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -4.4A
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7014 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 24.67 грн |
| 21+ | 14.47 грн |
| 100+ | 8.46 грн |
| 202+ | 5.59 грн |
| 553+ | 5.29 грн |
| 3000+ | 5.12 грн |
| PJA3433_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.1A; Idm: -4.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.1A
Gate charge: 1.6nC
On-state resistance: 0.97Ω
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -4.4A
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.1A; Idm: -4.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.1A
Gate charge: 1.6nC
On-state resistance: 0.97Ω
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -4.4A
Kind of channel: enhancement
на замовлення 7014 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 21+ | 20.56 грн |
| 35+ | 11.61 грн |
| 100+ | 7.05 грн |
| 202+ | 4.66 грн |
| 553+ | 4.41 грн |
| 3000+ | 4.26 грн |
| PJA3434_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 1.5A; 500mW; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Gate charge: 1.4nC
On-state resistance: 3Ω
Power dissipation: 0.5W
Drain current: 0.75A
Pulsed drain current: 1.5A
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 20V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 1.5A; 500mW; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Gate charge: 1.4nC
On-state resistance: 3Ω
Power dissipation: 0.5W
Drain current: 0.75A
Pulsed drain current: 1.5A
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 20V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3820 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 21.59 грн |
| 24+ | 12.49 грн |
| 100+ | 7.64 грн |
| 500+ | 5.57 грн |
| 1000+ | 4.87 грн |
| 3000+ | 4.01 грн |
| PJA3434_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 1.5A; 500mW; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Gate charge: 1.4nC
On-state resistance: 3Ω
Power dissipation: 0.5W
Drain current: 0.75A
Pulsed drain current: 1.5A
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 20V
Polarisation: unipolar
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 1.5A; 500mW; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Gate charge: 1.4nC
On-state resistance: 3Ω
Power dissipation: 0.5W
Drain current: 0.75A
Pulsed drain current: 1.5A
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 20V
Polarisation: unipolar
на замовлення 3820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24+ | 17.99 грн |
| 40+ | 10.02 грн |
| 100+ | 6.36 грн |
| 500+ | 4.65 грн |
| 1000+ | 4.06 грн |
| 3000+ | 3.34 грн |
| PJA3435_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -500mA; Idm: -1A; 500mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.5A
Gate charge: 1.4nC
On-state resistance: 6Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: -1A
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -500mA; Idm: -1A; 500mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.5A
Gate charge: 1.4nC
On-state resistance: 6Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: -1A
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5960 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 28.78 грн |
| 18+ | 16.55 грн |
| 100+ | 10.33 грн |
| 233+ | 4.83 грн |
| 641+ | 4.56 грн |
| 24000+ | 4.39 грн |
| PJA3435_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -500mA; Idm: -1A; 500mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.5A
Gate charge: 1.4nC
On-state resistance: 6Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: -1A
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -500mA; Idm: -1A; 500mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.5A
Gate charge: 1.4nC
On-state resistance: 6Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: -1A
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 23.99 грн |
| 30+ | 13.28 грн |
| 100+ | 8.61 грн |
| 233+ | 4.03 грн |
| 641+ | 3.80 грн |
| PJA3436-AU_R1_000A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.2A; Idm: 4.8A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.2A
Gate charge: 0.9nC
On-state resistance: 0.9Ω
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 4.8A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.2A; Idm: 4.8A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.2A
Gate charge: 0.9nC
On-state resistance: 0.9Ω
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 4.8A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 23.13 грн |
| 32+ | 12.73 грн |
| 100+ | 7.86 грн |
| 225+ | 4.18 грн |
| 617+ | 3.95 грн |
| PJA3436-AU_R1_000A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.2A; Idm: 4.8A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.2A
Gate charge: 0.9nC
On-state resistance: 0.9Ω
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 4.8A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.2A; Idm: 4.8A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.2A
Gate charge: 0.9nC
On-state resistance: 0.9Ω
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 4.8A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 27.76 грн |
| 19+ | 15.86 грн |
| 100+ | 9.43 грн |
| 225+ | 5.02 грн |
| 617+ | 4.74 грн |
| 6000+ | 4.64 грн |
| 9000+ | 4.56 грн |
| PJA3438-AU_R1_000A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 500mA; Idm: 1.2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.5A
Gate charge: 0.95nC
On-state resistance: 6Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.2A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 500mA; Idm: 1.2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.5A
Gate charge: 0.95nC
On-state resistance: 6Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.2A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 25.70 грн |
| 26+ | 15.67 грн |
| 100+ | 9.78 грн |
| 235+ | 4.00 грн |
| PJA3438-AU_R1_000A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 500mA; Idm: 1.2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.5A
Gate charge: 0.95nC
On-state resistance: 6Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.2A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 500mA; Idm: 1.2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.5A
Gate charge: 0.95nC
On-state resistance: 6Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.2A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 30.84 грн |
| 16+ | 19.53 грн |
| 100+ | 11.74 грн |
| 235+ | 4.80 грн |
| 644+ | 4.54 грн |
| 15000+ | 4.53 грн |
| 21000+ | 4.37 грн |
| PJA3439-AU_R1_000A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -300mA; Idm: -1A; 500mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.3A
Gate charge: 1.1nC
On-state resistance: 13Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -1A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -300mA; Idm: -1A; 500mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.3A
Gate charge: 1.1nC
On-state resistance: 13Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -1A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1487 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 27.41 грн |
| 26+ | 15.83 грн |
| 100+ | 9.59 грн |
| 219+ | 4.30 грн |
| 601+ | 4.06 грн |
| PJA3439-AU_R1_000A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -300mA; Idm: -1A; 500mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.3A
Gate charge: 1.1nC
On-state resistance: 13Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -1A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -300mA; Idm: -1A; 500mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.3A
Gate charge: 1.1nC
On-state resistance: 13Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -1A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1487 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 32.90 грн |
| 16+ | 19.73 грн |
| 100+ | 11.51 грн |
| 219+ | 5.15 грн |
| 601+ | 4.87 грн |
| 24000+ | 4.74 грн |
| PJA3440-AU_R1_000A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJA3440-AU-R1 SMD N channel transistors
PJA3440-AU-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 43.79 грн |
| 132+ | 8.50 грн |
| 363+ | 8.11 грн |
| PJA3441-AU_R1_000A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJA3441-AU-R1 SMD P channel transistors
PJA3441-AU-R1 SMD P channel transistors
на замовлення 2725 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 43.18 грн |
| 155+ | 7.25 грн |
| 425+ | 6.87 грн |
| PJA3441_R1_00501 |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJA3441-R1 SMD P channel transistors
PJA3441-R1 SMD P channel transistors
на замовлення 1863 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 34.75 грн |
| 182+ | 6.20 грн |
| 500+ | 5.82 грн |
| PJA3460-AU_R1_000A1 |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.5A; Idm: 10A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.5A; Idm: 10A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 1013 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 23.13 грн |
| 100+ | 15.51 грн |
| 149+ | 6.28 грн |
| 411+ | 5.97 грн |
| PJA3460-AU_R1_000A1 |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.5A; Idm: 10A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.5A; Idm: 10A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1013 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 27.76 грн |
| 100+ | 19.33 грн |
| 149+ | 7.54 грн |
| 411+ | 7.16 грн |
| 6000+ | 6.97 грн |
| PJA3460_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.5A; Idm: 10A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.5A; Idm: 10A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3485 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 28.78 грн |
| 17+ | 17.65 грн |
| 100+ | 9.83 грн |
| 152+ | 7.45 грн |
| 419+ | 6.97 грн |
| 3000+ | 6.68 грн |
| PJA3460_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.5A; Idm: 10A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.5A; Idm: 10A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 23.99 грн |
| 29+ | 14.16 грн |
| 100+ | 8.19 грн |
| 152+ | 6.20 грн |
| 419+ | 5.81 грн |
| 3000+ | 5.57 грн |
| PJA3463_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJA3463-R1 SMD P channel transistors
PJA3463-R1 SMD P channel transistors
на замовлення 845 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 40.61 грн |
| 125+ | 9.07 грн |
| 342+ | 8.59 грн |
| PJA3471_R1_00501 |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJA3471-R1 SMD P channel transistors
PJA3471-R1 SMD P channel transistors
на замовлення 12065 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 35.67 грн |
| 129+ | 8.78 грн |
| 354+ | 8.30 грн |
| PJC138K-AU_R1_000A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJC138K-AU-R1 SMD N channel transistors
PJC138K-AU-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 2059 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 28.32 грн |
| 280+ | 4.04 грн |
| 768+ | 3.82 грн |
| PJC7400_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJC7400-R1 SMD N channel transistors
PJC7400-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 5455 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 31.97 грн |
| 171+ | 6.59 грн |
| 470+ | 6.20 грн |
| PJC7401_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; Idm: -6A; 350mW; SOT323
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
Pulsed drain current: -6A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; Idm: -6A; 350mW; SOT323
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
Pulsed drain current: -6A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1315 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 40.09 грн |
| 13+ | 23.49 грн |
| 100+ | 14.51 грн |
| 166+ | 6.78 грн |
| 453+ | 6.40 грн |
| PJC7401_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; Idm: -6A; 350mW; SOT323
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
Pulsed drain current: -6A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; Idm: -6A; 350mW; SOT323
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
Pulsed drain current: -6A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1315 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 33.41 грн |
| 22+ | 18.85 грн |
| 100+ | 12.09 грн |
| 166+ | 5.65 грн |
| 453+ | 5.33 грн |
| PJC7404_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT323
Case: SOT323
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
Gate charge: 1.6nC
On-state resistance: 0.4Ω
Power dissipation: 0.35W
Pulsed drain current: 4A
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT323
Case: SOT323
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
Gate charge: 1.6nC
On-state resistance: 0.4Ω
Power dissipation: 0.35W
Pulsed drain current: 4A
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 35.98 грн |
| 14+ | 21.61 грн |
| 100+ | 13.27 грн |
| 179+ | 6.30 грн |
| 491+ | 5.92 грн |
| 9000+ | 5.73 грн |
| PJC7404_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT323
Case: SOT323
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
Gate charge: 1.6nC
On-state resistance: 0.4Ω
Power dissipation: 0.35W
Pulsed drain current: 4A
Gate-source voltage: ±8V
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT323
Case: SOT323
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
Gate charge: 1.6nC
On-state resistance: 0.4Ω
Power dissipation: 0.35W
Pulsed drain current: 4A
Gate-source voltage: ±8V
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 29.98 грн |
| 23+ | 17.34 грн |
| 100+ | 11.06 грн |
| 179+ | 5.25 грн |
| 491+ | 4.93 грн |
| PJC7407_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJC7407-R1 SMD P channel transistors
PJC7407-R1 SMD P channel transistors
на замовлення 7545 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 31.25 грн |
| 182+ | 6.20 грн |
| 500+ | 5.82 грн |
| PJC7428_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300mA; Idm: 0.6A; 350mW; SOT323
Case: SOT323
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.9nC
On-state resistance: 4Ω
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.35W
Pulsed drain current: 0.6A
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300mA; Idm: 0.6A; 350mW; SOT323
Case: SOT323
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.9nC
On-state resistance: 4Ω
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.35W
Pulsed drain current: 0.6A
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 18.50 грн |
| 28+ | 10.71 грн |
| 100+ | 6.51 грн |
| 250+ | 5.48 грн |
| 500+ | 4.83 грн |
| PJC7428_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300mA; Idm: 0.6A; 350mW; SOT323
Case: SOT323
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.9nC
On-state resistance: 4Ω
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.35W
Pulsed drain current: 0.6A
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: reel; tape
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300mA; Idm: 0.6A; 350mW; SOT323
Case: SOT323
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.9nC
On-state resistance: 4Ω
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.35W
Pulsed drain current: 0.6A
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 28+ | 15.42 грн |
| 47+ | 8.59 грн |
| 100+ | 5.43 грн |
| 250+ | 4.57 грн |
| 500+ | 4.03 грн |
| PJC7439-AU_R1_000A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -250mA; Idm: -1A; 350mW
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -1A
Drain current: -250mA
Gate charge: 1.1nC
Power dissipation: 0.35W
On-state resistance: 13Ω
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT323
Application: automotive industry
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -250mA; Idm: -1A; 350mW
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -1A
Drain current: -250mA
Gate charge: 1.1nC
Power dissipation: 0.35W
On-state resistance: 13Ω
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT323
Application: automotive industry
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 17.13 грн |
| 42+ | 9.55 грн |
| 100+ | 5.89 грн |
| 319+ | 2.94 грн |
| 875+ | 2.78 грн |
| PJC7439-AU_R1_000A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -250mA; Idm: -1A; 350mW
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -1A
Drain current: -250mA
Gate charge: 1.1nC
Power dissipation: 0.35W
On-state resistance: 13Ω
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT323
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -250mA; Idm: -1A; 350mW
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -1A
Drain current: -250mA
Gate charge: 1.1nC
Power dissipation: 0.35W
On-state resistance: 13Ω
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT323
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 20.56 грн |
| 25+ | 11.90 грн |
| 100+ | 7.06 грн |
| 319+ | 3.52 грн |
| 875+ | 3.33 грн |
| 6000+ | 3.26 грн |
| 9000+ | 3.20 грн |


