Продукція > PANJIT SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника PANJIT SEMICONDUCTOR (1216) > Сторінка 17 з 21

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJQ5548V-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJQ5548V-AU.pdf PJQ5548V-AU-R2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5576A-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJQ5576A-AU.pdf PJQ5576A-AU-R2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5844-AU_R2_000A1 PanJit Semiconductor PJQ5844-AU.pdf PJQ5844-AU-R2 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5948-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJQ5948-AU.pdf PJQ5948-AU-R2 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5948V-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJQ5948V-AU.pdf PJQ5948V-AU-R2 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6403_S1_00001 PanJit Semiconductor PJS6403-S1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6421-AU_S1_000A1 PanJit Semiconductor PJS6421-AU.pdf PJS6421-AU-S1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6421_S1_00001 PanJit Semiconductor PJS6421.pdf PJS6421-S1 SMD P channel transistors
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+35.20 грн
117+9.57 грн
320+9.00 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6461-AU_S1_000A1 PanJit Semiconductor PJS6461-AU.pdf PJS6461-AU-S1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6601_S1_00001 PJS6601_S1_00001 PanJit Semiconductor Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 4.1/-3.1A; 1.25W
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Case: SOT23-6
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.6/5.4nC
On-state resistance: 95/190mΩ
Power dissipation: 1.25W
Drain current: 4.1/-3.1A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20/-20V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2689 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+33.67 грн
13+22.73 грн
100+16.68 грн
131+8.53 грн
360+8.05 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6601_S1_00001 PJS6601_S1_00001 PanJit Semiconductor Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 4.1/-3.1A; 1.25W
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Case: SOT23-6
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.6/5.4nC
On-state resistance: 95/190mΩ
Power dissipation: 1.25W
Drain current: 4.1/-3.1A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20/-20V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2689 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+28.06 грн
22+18.24 грн
100+13.90 грн
131+7.11 грн
360+6.71 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6816_S1_00001 PanJit Semiconductor PJS6816.pdf PJS6816-S1 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6839_S1_00001 PanJit Semiconductor PJS6839.pdf PJS6839-S1 Multi channel transistors
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
16+19.28 грн
213+5.23 грн
584+4.95 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD03TS-AU_R1_000A1 PJSD03TS-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJSD03TS-AU_SERIES.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 120W; 4V; 5A; unidirectional; SOD523; reel,tape; 200pF
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 120W
Max. off-state voltage: 3.3V
Breakdown voltage: 4V
Max. forward impulse current: 5A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Capacitance: 200pF
Leakage current: 0.2mA
Application: automotive industry
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
39+11.05 грн
52+7.74 грн
100+5.80 грн
217+4.27 грн
597+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD03TS-AU_R1_000A1 PJSD03TS-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJSD03TS-AU_SERIES.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 120W; 4V; 5A; unidirectional; SOD523; reel,tape; 200pF
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 120W
Max. off-state voltage: 3.3V
Breakdown voltage: 4V
Max. forward impulse current: 5A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Capacitance: 200pF
Leakage current: 0.2mA
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
24+13.26 грн
31+9.64 грн
100+6.95 грн
217+5.13 грн
597+4.85 грн
5000+4.65 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD05TS-AU_R1_000A1 PJSD05TS-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJSD03TS-AU_SERIES.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 120W; 6V; 5A; unidirectional; SOD523; reel,tape; 110pF
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 120W
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6V
Max. forward impulse current: 5A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Capacitance: 110pF
Application: automotive industry
на замовлення 4777 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+14.46 грн
42+9.47 грн
100+7.11 грн
178+5.21 грн
489+4.90 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD05TS-AU_R1_000A1 PJSD05TS-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJSD03TS-AU_SERIES.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 120W; 6V; 5A; unidirectional; SOD523; reel,tape; 110pF
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 120W
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6V
Max. forward impulse current: 5A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Capacitance: 110pF
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4777 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
18+17.35 грн
25+11.81 грн
100+8.53 грн
178+6.25 грн
489+5.87 грн
5000+5.68 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD05TS_R1_00001 PanJit Semiconductor PJSD03TS_SERIES.pdf PJSD05TS-R1 Unidirectional TVS SMD diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD12CW-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJSD05CW-AU_SERIES.pdf PJSD12CW-AU-R1 Protection diodes - arrays
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD12TS_R1_00001 PanJit Semiconductor PJSD03TS_SERIES.pdf PJSD12TS-R1 Unidirectional TVS SMD diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD24TS_R1_00001 PJSD24TS_R1_00001 PanJit Semiconductor PJSD03TS_SERIES.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 120W; 26.7V; unidirectional; SOD523; reel,tape; 25pF
Type of diode: TVS
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 24V
Semiconductor structure: unidirectional
Capacitance: 25pF
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Breakdown voltage: 26.7V
Peak pulse power dissipation: 120W
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD24TS_R1_00001 PJSD24TS_R1_00001 PanJit Semiconductor PJSD03TS_SERIES.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 120W; 26.7V; unidirectional; SOD523; reel,tape; 25pF
Type of diode: TVS
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 24V
Semiconductor structure: unidirectional
Capacitance: 25pF
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Breakdown voltage: 26.7V
Peak pulse power dissipation: 120W
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD36W-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJSD03W-AU_SERIES.pdf PJSD36W-AU-R1 Unidirectional TVS SMD diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD36W_R1_00001 PanJit Semiconductor PJSD36W-R1 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 9985 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+32.04 грн
189+5.88 грн
519+5.56 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PJT138K-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJT138K-AU-R1 Multi channel transistors
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
15+21.43 грн
204+5.46 грн
559+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7600_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7600.pdf PJT7600-R1 Multi channel transistors
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+38.77 грн
169+6.63 грн
463+6.25 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7600_S1_00001 PanJit Semiconductor PJT7600-S1 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7603_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7603.pdf PJT7603-R1 Multi channel transistors
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+25.51 грн
204+5.46 грн
559+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7605-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJT7605-AU-R1 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7800_R1_00001 PJT7800_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7800.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT363
Case: SOT363
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1.6nC
Power dissipation: 0.35W
On-state resistance: 0.4Ω
Drain current: 1A
Pulsed drain current: 4A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5978 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+30.61 грн
16+19.58 грн
100+9.95 грн
171+6.54 грн
470+6.16 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7800_R1_00001 PJT7800_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7800.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT363
Case: SOT363
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1.6nC
Power dissipation: 0.35W
On-state resistance: 0.4Ω
Drain current: 1A
Pulsed drain current: 4A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 5978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+25.51 грн
26+15.71 грн
100+8.29 грн
171+5.45 грн
470+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7801_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7801.pdf PJT7801-R1 Multi channel transistors
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
13+23.98 грн
169+6.63 грн
463+6.25 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7828_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7828-R1 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7838_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7838.pdf PJT7838-R1 Multi channel transistors
на замовлення 7675 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
16+19.69 грн
145+7.67 грн
399+7.20 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
PJW3P10A_R2_00001 PanJit Semiconductor PJW3P10A.pdf PJW3P10A-R2 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4N06A-AU_R2_000A1 PJW4N06A-AU_R2_000A1 PanJit Semiconductor PJW4N06A-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; Idm: 8A; 2.6W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4N06A-AU_R2_000A1 PJW4N06A-AU_R2_000A1 PanJit Semiconductor PJW4N06A-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; Idm: 8A; 2.6W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 42500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4N06A_R2_00001 PJW4N06A_R2_00001 PanJit Semiconductor PJW4N06A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; Idm: 8A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 42500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4N06A_R2_00001 PJW4N06A_R2_00001 PanJit Semiconductor PJW4N06A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; Idm: 8A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4P06A-AU_R2_000A1 PanJit Semiconductor PJW4P06A-AU.pdf PJW4P06A-AU-R2 SMD P channel transistors
на замовлення 2683 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+73.67 грн
72+15.44 грн
197+14.59 грн
2500+14.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4P06A_R2_00001 PanJit Semiconductor PJW4P06A.pdf PJW4P06A-R2 SMD P channel transistors
на замовлення 1254 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+38.77 грн
94+11.84 грн
257+11.18 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PJW5P06A-AU_R2_000A1 PanJit Semiconductor PJW5P06A-AU-R2 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX138K_R1_00001 PJX138K_R1_00001 PanJit Semiconductor Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 350mA; Idm: 1.2A; 223mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.35A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 223mW
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3945 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
14+23.47 грн
21+14.37 грн
100+7.93 грн
193+5.77 грн
531+5.46 грн
2000+5.25 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PJX138K_R1_00001 PJX138K_R1_00001 PanJit Semiconductor Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 350mA; Idm: 1.2A; 223mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.35A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 223mW
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
22+19.56 грн
35+11.53 грн
100+6.61 грн
193+4.81 грн
531+4.55 грн
2000+4.37 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
PJX138L_R1_00002 PanJit Semiconductor PJX138L-R1 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8603_R1_00001 PJX8603_R1_00001 PanJit Semiconductor PJX8603.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 50/-60V; 360/-200mA; 300mW
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50/-60V
Drain current: 360/-200mA
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5/7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.95/1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1967 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+27.55 грн
19+16.23 грн
100+10.90 грн
170+6.54 грн
466+6.25 грн
24000+6.16 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8603_R1_00001 PJX8603_R1_00001 PanJit Semiconductor PJX8603.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 50/-60V; 360/-200mA; 300mW
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50/-60V
Drain current: 360/-200mA
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5/7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.95/1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1967 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+22.96 грн
31+13.03 грн
100+9.08 грн
170+5.45 грн
466+5.21 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
PMS410_R2_00601 PanJit Semiconductor PMS410.pdf PMS410-R2 SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSDH60120S1B_T0_00601 PanJit Semiconductor PSDH60120S1B-T0 THT universal diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMB050N10NS2_R2_00601 PanJit Semiconductor PSMB050N10NS2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 138W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 138W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMB050N10NS2_T0_00601 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 138W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 138W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMB050N10NS2_R2_00601 PanJit Semiconductor PSMB050N10NS2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 138W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 138W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMB050N10NS2_T0_00601 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 138W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 138W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMB055N08NS1_R2_00601 PanJit Semiconductor PSMB055N08NS1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 108A; Idm: 360A; 113.6W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 113.6W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMB055N08NS1_T0_00601 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 108A; Idm: 360A; 113.6W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 113.6W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMB055N08NS1_R2_00601 PanJit Semiconductor PSMB055N08NS1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 108A; Idm: 360A; 113.6W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 113.6W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMB055N08NS1_T0_00601 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 108A; Idm: 360A; 113.6W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 113.6W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015N10NS2_R2_00201 PanJit Semiconductor 20230516171020ta7o3bGUZ1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 398A; Idm: 1592A; 250W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 398A
Pulsed drain current: 1592A
Power dissipation: 250W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 128nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015N10NS2_R2_00201 PanJit Semiconductor 20230516171020ta7o3bGUZ1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 398A; Idm: 1592A; 250W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 398A
Pulsed drain current: 1592A
Power dissipation: 250W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 128nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN028N10NS2_R2_00201 PanJit Semiconductor 20230516171020ta7o3bGUZ1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 240A; Idm: 960A; 167W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 240A
Pulsed drain current: 960A
Power dissipation: 167W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5548V-AU_R2_002A1 PJQ5548V-AU.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJQ5548V-AU-R2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5576A-AU_R2_002A1 PJQ5576A-AU.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJQ5576A-AU-R2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5844-AU_R2_000A1 PJQ5844-AU.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJQ5844-AU-R2 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5948-AU_R2_002A1 PJQ5948-AU.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJQ5948-AU-R2 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5948V-AU_R2_002A1 PJQ5948V-AU.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJQ5948V-AU-R2 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6403_S1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
PJS6403-S1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6421-AU_S1_000A1 PJS6421-AU.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJS6421-AU-S1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6421_S1_00001 PJS6421.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJS6421-S1 SMD P channel transistors
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.20 грн
117+9.57 грн
320+9.00 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6461-AU_S1_000A1 PJS6461-AU.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJS6461-AU-S1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6601_S1_00001
PJS6601_S1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 4.1/-3.1A; 1.25W
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Case: SOT23-6
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.6/5.4nC
On-state resistance: 95/190mΩ
Power dissipation: 1.25W
Drain current: 4.1/-3.1A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20/-20V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2689 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.67 грн
13+22.73 грн
100+16.68 грн
131+8.53 грн
360+8.05 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6601_S1_00001
PJS6601_S1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 4.1/-3.1A; 1.25W
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Case: SOT23-6
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.6/5.4nC
On-state resistance: 95/190mΩ
Power dissipation: 1.25W
Drain current: 4.1/-3.1A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20/-20V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2689 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+28.06 грн
22+18.24 грн
100+13.90 грн
131+7.11 грн
360+6.71 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6816_S1_00001 PJS6816.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJS6816-S1 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6839_S1_00001 PJS6839.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJS6839-S1 Multi channel transistors
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
16+19.28 грн
213+5.23 грн
584+4.95 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD03TS-AU_R1_000A1 PJSD03TS-AU_SERIES.pdf
PJSD03TS-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 120W; 4V; 5A; unidirectional; SOD523; reel,tape; 200pF
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 120W
Max. off-state voltage: 3.3V
Breakdown voltage: 4V
Max. forward impulse current: 5A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Capacitance: 200pF
Leakage current: 0.2mA
Application: automotive industry
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
39+11.05 грн
52+7.74 грн
100+5.80 грн
217+4.27 грн
597+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD03TS-AU_R1_000A1 PJSD03TS-AU_SERIES.pdf
PJSD03TS-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 120W; 4V; 5A; unidirectional; SOD523; reel,tape; 200pF
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 120W
Max. off-state voltage: 3.3V
Breakdown voltage: 4V
Max. forward impulse current: 5A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Capacitance: 200pF
Leakage current: 0.2mA
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
24+13.26 грн
31+9.64 грн
100+6.95 грн
217+5.13 грн
597+4.85 грн
5000+4.65 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD05TS-AU_R1_000A1 PJSD03TS-AU_SERIES.pdf
PJSD05TS-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 120W; 6V; 5A; unidirectional; SOD523; reel,tape; 110pF
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 120W
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6V
Max. forward impulse current: 5A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Capacitance: 110pF
Application: automotive industry
на замовлення 4777 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
30+14.46 грн
42+9.47 грн
100+7.11 грн
178+5.21 грн
489+4.90 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD05TS-AU_R1_000A1 PJSD03TS-AU_SERIES.pdf
PJSD05TS-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 120W; 6V; 5A; unidirectional; SOD523; reel,tape; 110pF
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 120W
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6V
Max. forward impulse current: 5A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Capacitance: 110pF
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4777 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
18+17.35 грн
25+11.81 грн
100+8.53 грн
178+6.25 грн
489+5.87 грн
5000+5.68 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD05TS_R1_00001 PJSD03TS_SERIES.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJSD05TS-R1 Unidirectional TVS SMD diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD12CW-AU_R1_000A1 PJSD05CW-AU_SERIES.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJSD12CW-AU-R1 Protection diodes - arrays
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD12TS_R1_00001 PJSD03TS_SERIES.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJSD12TS-R1 Unidirectional TVS SMD diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD24TS_R1_00001 PJSD03TS_SERIES.pdf
PJSD24TS_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 120W; 26.7V; unidirectional; SOD523; reel,tape; 25pF
Type of diode: TVS
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 24V
Semiconductor structure: unidirectional
Capacitance: 25pF
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Breakdown voltage: 26.7V
Peak pulse power dissipation: 120W
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD24TS_R1_00001 PJSD03TS_SERIES.pdf
PJSD24TS_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 120W; 26.7V; unidirectional; SOD523; reel,tape; 25pF
Type of diode: TVS
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 24V
Semiconductor structure: unidirectional
Capacitance: 25pF
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Breakdown voltage: 26.7V
Peak pulse power dissipation: 120W
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD36W-AU_R1_000A1 PJSD03W-AU_SERIES.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJSD36W-AU-R1 Unidirectional TVS SMD diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD36W_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
PJSD36W-R1 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 9985 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.04 грн
189+5.88 грн
519+5.56 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PJT138K-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
PJT138K-AU-R1 Multi channel transistors
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
15+21.43 грн
204+5.46 грн
559+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7600_R1_00001 PJT7600.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJT7600-R1 Multi channel transistors
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+38.77 грн
169+6.63 грн
463+6.25 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7600_S1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
PJT7600-S1 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7603_R1_00001 PJT7603.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJT7603-R1 Multi channel transistors
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+25.51 грн
204+5.46 грн
559+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7605-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
PJT7605-AU-R1 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7800_R1_00001 PJT7800.pdf
PJT7800_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT363
Case: SOT363
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1.6nC
Power dissipation: 0.35W
On-state resistance: 0.4Ω
Drain current: 1A
Pulsed drain current: 4A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5978 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+30.61 грн
16+19.58 грн
100+9.95 грн
171+6.54 грн
470+6.16 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7800_R1_00001 PJT7800.pdf
PJT7800_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT363
Case: SOT363
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1.6nC
Power dissipation: 0.35W
On-state resistance: 0.4Ω
Drain current: 1A
Pulsed drain current: 4A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 5978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+25.51 грн
26+15.71 грн
100+8.29 грн
171+5.45 грн
470+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7801_R1_00001 PJT7801.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJT7801-R1 Multi channel transistors
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
13+23.98 грн
169+6.63 грн
463+6.25 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7828_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
PJT7828-R1 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7838_R1_00001 PJT7838.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJT7838-R1 Multi channel transistors
на замовлення 7675 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
16+19.69 грн
145+7.67 грн
399+7.20 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
PJW3P10A_R2_00001 PJW3P10A.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJW3P10A-R2 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4N06A-AU_R2_000A1 PJW4N06A-AU.pdf
PJW4N06A-AU_R2_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; Idm: 8A; 2.6W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4N06A-AU_R2_000A1 PJW4N06A-AU.pdf
PJW4N06A-AU_R2_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; Idm: 8A; 2.6W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 42500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4N06A_R2_00001 PJW4N06A.pdf
PJW4N06A_R2_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; Idm: 8A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 42500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4N06A_R2_00001 PJW4N06A.pdf
PJW4N06A_R2_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; Idm: 8A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4P06A-AU_R2_000A1 PJW4P06A-AU.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJW4P06A-AU-R2 SMD P channel transistors
на замовлення 2683 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.67 грн
72+15.44 грн
197+14.59 грн
2500+14.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4P06A_R2_00001 PJW4P06A.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJW4P06A-R2 SMD P channel transistors
на замовлення 1254 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+38.77 грн
94+11.84 грн
257+11.18 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PJW5P06A-AU_R2_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
PJW5P06A-AU-R2 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX138K_R1_00001
PJX138K_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 350mA; Idm: 1.2A; 223mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.35A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 223mW
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3945 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.47 грн
21+14.37 грн
100+7.93 грн
193+5.77 грн
531+5.46 грн
2000+5.25 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PJX138K_R1_00001
PJX138K_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 350mA; Idm: 1.2A; 223mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.35A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 223mW
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
22+19.56 грн
35+11.53 грн
100+6.61 грн
193+4.81 грн
531+4.55 грн
2000+4.37 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
PJX138L_R1_00002
Виробник: PanJit Semiconductor
PJX138L-R1 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8603_R1_00001 PJX8603.pdf
PJX8603_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 50/-60V; 360/-200mA; 300mW
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50/-60V
Drain current: 360/-200mA
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5/7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.95/1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1967 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.55 грн
19+16.23 грн
100+10.90 грн
170+6.54 грн
466+6.25 грн
24000+6.16 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8603_R1_00001 PJX8603.pdf
PJX8603_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 50/-60V; 360/-200mA; 300mW
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50/-60V
Drain current: 360/-200mA
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5/7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.95/1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1967 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
19+22.96 грн
31+13.03 грн
100+9.08 грн
170+5.45 грн
466+5.21 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
PMS410_R2_00601 PMS410.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PMS410-R2 SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSDH60120S1B_T0_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
PSDH60120S1B-T0 THT universal diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMB050N10NS2_R2_00601 PSMB050N10NS2.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 138W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 138W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMB050N10NS2_T0_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 138W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 138W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMB050N10NS2_R2_00601 PSMB050N10NS2.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 138W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 138W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMB050N10NS2_T0_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 138W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 138W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMB055N08NS1_R2_00601 PSMB055N08NS1.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 108A; Idm: 360A; 113.6W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 113.6W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMB055N08NS1_T0_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 108A; Idm: 360A; 113.6W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 113.6W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMB055N08NS1_R2_00601 PSMB055N08NS1.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 108A; Idm: 360A; 113.6W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 113.6W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMB055N08NS1_T0_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 108A; Idm: 360A; 113.6W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 113.6W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015N10NS2_R2_00201 20230516171020ta7o3bGUZ1.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 398A; Idm: 1592A; 250W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 398A
Pulsed drain current: 1592A
Power dissipation: 250W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 128nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015N10NS2_R2_00201 20230516171020ta7o3bGUZ1.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 398A; Idm: 1592A; 250W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 398A
Pulsed drain current: 1592A
Power dissipation: 250W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 128nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN028N10NS2_R2_00201 20230516171020ta7o3bGUZ1.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 240A; Idm: 960A; 167W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 240A
Pulsed drain current: 960A
Power dissipation: 167W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]