Продукція > PANJIT SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника PANJIT SEMICONDUCTOR (1146) > Сторінка 17 з 20

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJT7838_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7838.pdf PJT7838-R1 Multi channel transistors
на замовлення 7648 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+43.49 грн
145+7.83 грн
398+7.35 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4N06A-AU_R2_000A1 PJW4N06A-AU_R2_000A1 PanJit Semiconductor PJW4N06A-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; Idm: 8A; 2.6W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4N06A_R2_00001 PJW4N06A_R2_00001 PanJit Semiconductor PJW4N06A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; Idm: 8A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4P06A-AU_R2_000A1 PanJit Semiconductor PJW4P06A-AU.pdf PJW4P06A-AU-R2 SMD P channel transistors
на замовлення 3190 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+63.43 грн
68+16.61 грн
186+15.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4P06A_R2_00001 PanJit Semiconductor PJW4P06A.pdf PJW4P06A-R2 SMD P channel transistors
на замовлення 865 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+53.87 грн
89+12.70 грн
245+11.93 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PJX138K_R1_00001 PanJit Semiconductor PJX138K-R1 Multi channel transistors
на замовлення 3935 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
13+24.45 грн
193+5.84 грн
531+5.52 грн
8000+5.51 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8603_R1_00001 PJX8603_R1_00001 PanJit Semiconductor PJX8603.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 50/-60V; 360/-200mA; 300mW
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50/-60V
Drain current: 360/-200mA
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5/7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.95/1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1927 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+25.70 грн
20+15.17 грн
100+10.21 грн
500+8.21 грн
1000+7.54 грн
2000+7.06 грн
4000+6.68 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8603_R1_00001 PJX8603_R1_00001 PanJit Semiconductor PJX8603.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 50/-60V; 360/-200mA; 300mW
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50/-60V
Drain current: 360/-200mA
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5/7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.95/1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1927 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+21.42 грн
33+12.17 грн
100+8.51 грн
500+6.84 грн
1000+6.28 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8839_R1_00001 PanJit Semiconductor PJX8839.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 68A; DFN5060-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 68A
Case: DFN5060-8
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMSM608_R2_00301 PanJit Semiconductor Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 6A; Ifsm: 150A; M6
Type of bridge rectifier: single-phase
Electrical mounting: SMT
Max. forward voltage: 1V
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 150A
Case: M6
Max. off-state voltage: 0.8kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMB033N10NS2_R2_00201 PanJit Semiconductor PSMB033N10NS2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 68A; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 68A
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMB050N10NS2_R2_00601 PanJit Semiconductor PSMB050N10NS2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 138W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 138W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMB050N10NS2_T0_00601 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 138W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 138W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMB055N08NS1_R2_00601 PanJit Semiconductor PSMB055N08NS1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 108A; Idm: 360A; 113.6W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 113.6W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMB055N08NS1_T0_00601 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 108A; Idm: 360A; 113.6W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 113.6W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015N10NS2_R2_00201 PanJit Semiconductor 20230516171020ta7o3bGUZ1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 398A; Idm: 1592A; 250W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 398A
Pulsed drain current: 1592A
Power dissipation: 250W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 128nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN028N10NS2_R2_00201 PanJit Semiconductor 20230516171020ta7o3bGUZ1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 240A; Idm: 960A; 167W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 240A
Pulsed drain current: 960A
Power dissipation: 167W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMP033N10NS2_T0_00601 PanJit Semiconductor PSMP033N10NS2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 68A; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 68A
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMP050N10NS2_T0_00601 PSMP050N10NS2_T0_00601 PanJit Semiconductor PSMP050N10NS2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 138W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 138W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMP055N08NS1_T0_00601 PSMP055N08NS1_T0_00601 PanJit Semiconductor PSMP055N08NS1.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 111A; Idm: 360A; 136W; TO220ABL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 111A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 136W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 65.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+166.54 грн
10+94.17 грн
18+65.87 грн
47+62.05 грн
5000+59.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMP055N08NS1_T0_00601 PSMP055N08NS1_T0_00601 PanJit Semiconductor PSMP055N08NS1.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 111A; Idm: 360A; 136W; TO220ABL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 111A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 136W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 65.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+138.78 грн
10+75.57 грн
18+54.89 грн
47+51.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMQC040N10NS2_R2_00601 PSMQC040N10NS2_R2_00601 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 122A; Idm: 488A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 122A
Pulsed drain current: 488A
Power dissipation: 125W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMQC042N10LS2_R2_00201 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 68A; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 68A
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMQC060N06LS1-AU_R2_006A1 PanJit Semiconductor PSMQC060N06LS1-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 68A; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 68A
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMQC060N06LS1_R2_00201 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 68A; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 68A
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PZ1AL3V6B_R1_00001 PZ1AL3V6B_R1_00001 PanJit Semiconductor pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE9DFD777F43B000D6&compId=PZ1AL2V5B_SERIES.pdf?ci_sign=ea874c3065385691540a120aa0607719ef6dba2b Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1W; 3.6V; SMD; reel,tape; SOD123F; single diode; 100uA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1W
Zener voltage: 3.6V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Case: SOD123F
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.1mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PZS1112BES_R1_00001 PZS1112BES_R1_00001 PanJit Semiconductor pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE9DFD7D0E97BE80D6&compId=PZS113V9BES_SERIES.pdf?ci_sign=853258471ac4652b4efaf8e6a22e525f801d3fd0 Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 150mW; 12V; SMD; reel,tape; SOD523; single diode; 50nA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.15W
Zener voltage: 12V
Kind of package: reel; tape
Case: SOD523
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 50nA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PZS1117BES_R1_00001 PanJit Semiconductor pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE9DFD7D0E97BE80D6&compId=PZS113V9BES_SERIES.pdf?ci_sign=853258471ac4652b4efaf8e6a22e525f801d3fd0 Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 150mW; 17V; SMD; reel,tape; SOD523; single diode
Case: SOD523
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.15W
Zener voltage: 17V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PZS1125BES_R1_00001 PanJit Semiconductor pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE9DFD7D0E97BE80D6&compId=PZS113V9BES_SERIES.pdf?ci_sign=853258471ac4652b4efaf8e6a22e525f801d3fd0 Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 150mW; 25V; SMD; reel,tape; SOD523; single diode
Case: SOD523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.15W
Tolerance: ±5%
Zener voltage: 25V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PZS5125BAS-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 500mW; 25V; SMD; reel,tape; SOD123; single diode
Application: automotive industry
Case: SOD123
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Tolerance: ±5%
Zener voltage: 25V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PZS5125BCH-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 500mW; 25V; SMD; reel,tape; SOD323HE; single diode
Application: automotive industry
Case: SOD323HE
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Tolerance: ±5%
Zener voltage: 25V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PZS5125BCH_R1_00001 PanJit Semiconductor pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD0B19080F39BF840E3&compId=PZS513V9BCH_SER.pdf?ci_sign=75489329afbdf064867862a5bb9f67c3faa695d9 Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 500mW; 25V; SMD; reel,tape; SOD323HE; single diode
Case: SOD323HE
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Tolerance: ±5%
Zener voltage: 25V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PZS516V2BAS_R1_00001 PanJit Semiconductor PZS513V9BAS_SERIES.pdf PZS516V2BAS-R1 SMD Zener diodes
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
26+11.89 грн
284+3.97 грн
781+3.75 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
RB500V-40_R1_00001 PanJit Semiconductor RB500V-40.pdf RB500V-40-R1 SMD Schottky diodes
на замовлення 6770 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
35+9.07 грн
637+1.77 грн
1753+1.67 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
RB501V-40_R1_00001 PanJit Semiconductor RB501V-40.pdf RB501V-40-R1 SMD Schottky diodes
на замовлення 5250 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
27+11.72 грн
624+1.80 грн
1716+1.71 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
RB520S30_R1_00001 RB520S30_R1_00001 PanJit Semiconductor RB520S30.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. forward voltage: 0.6V
Leakage current: 1µA
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4976 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
38+8.22 грн
53+5.65 грн
100+4.08 грн
500+3.17 грн
1000+2.80 грн
2000+2.43 грн
5000+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
RB520S30_R1_00001 RB520S30_R1_00001 PanJit Semiconductor RB520S30.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. forward voltage: 0.6V
Leakage current: 1µA
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 4976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
63+6.85 грн
88+4.53 грн
118+3.40 грн
500+2.64 грн
1000+2.33 грн
2000+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
RB521S30_R1_00001 RB521S30_R1_00001 PanJit Semiconductor RB521S30.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Leakage current: 0.1mA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6478 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
38+8.22 грн
59+5.06 грн
100+3.29 грн
500+2.46 грн
1000+2.16 грн
2000+2.05 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
RB521S30_R1_00001 RB521S30_R1_00001 PanJit Semiconductor RB521S30.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Leakage current: 0.1mA
на замовлення 6478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
63+6.85 грн
99+4.06 грн
145+2.74 грн
500+2.05 грн
1000+1.80 грн
2000+1.71 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
RB751S40-AU_R1_000A1 RB751S40-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor RB751S40-AU.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 40V; 0.3A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.37V
Max. forward impulse current: 0.5A
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 10µA
Application: automotive industry
на замовлення 2785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+8.57 грн
70+5.73 грн
100+4.03 грн
500+3.13 грн
1000+2.81 грн
2500+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
RB751S40-AU_R1_000A1 RB751S40-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor RB751S40-AU.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 40V; 0.3A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.37V
Max. forward impulse current: 0.5A
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 10µA
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2785 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
30+10.28 грн
42+7.14 грн
100+4.84 грн
500+3.76 грн
1000+3.37 грн
2500+2.89 грн
5000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
RB751V-40-AU_R1_000A1 RB751V-40-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor RB751V-40-AU.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 40V; 0.3A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. forward voltage: 0.55V
Leakage current: 22µA
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Max. forward impulse current: 0.6A
на замовлення 4899 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
32+13.71 грн
51+7.88 грн
100+4.92 грн
388+2.42 грн
1067+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
RB751V-40X_R1_00001 RB751V-40X_R1_00001 PanJit Semiconductor RB751V-40X.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 40V; 30mA; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 30mA
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. forward voltage: 0.37V
Max. load current: 0.2A
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: reel; tape
на замовлення 4279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
56+7.71 грн
62+6.44 грн
103+3.87 грн
452+2.08 грн
1241+1.96 грн
2500+1.89 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
RB751V-40_R1_00001 RB751V-40_R1_00001 PanJit Semiconductor RB751V-40.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 40V; 0.3A; reel,tape; 200mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. forward voltage: 0.34V
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 0.6A
Power dissipation: 0.2W
на замовлення 3247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
46+9.42 грн
80+5.01 грн
124+3.22 грн
462+2.04 грн
1269+1.93 грн
2000+1.89 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
RB751V-40-AU_R1_000A1 RB751V-40-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor RB751V-40-AU.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 40V; 0.3A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. forward voltage: 0.55V
Leakage current: 22µA
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Max. forward impulse current: 0.6A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4899 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
19+16.45 грн
31+9.81 грн
100+5.90 грн
388+2.90 грн
1067+2.75 грн
5000+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
RB751V-40_R1_00001 RB751V-40_R1_00001 PanJit Semiconductor RB751V-40.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 40V; 0.3A; reel,tape; 200mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. forward voltage: 0.34V
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 0.6A
Power dissipation: 0.2W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3247 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
28+11.31 грн
48+6.25 грн
100+3.87 грн
462+2.44 грн
1269+2.31 грн
2000+2.27 грн
5000+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
RB751V-40X_R1_00001 RB751V-40X_R1_00001 PanJit Semiconductor RB751V-40X.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 40V; 30mA; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 30mA
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. forward voltage: 0.37V
Max. load current: 0.2A
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4279 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
34+9.25 грн
38+8.03 грн
100+4.64 грн
452+2.49 грн
1241+2.36 грн
2000+2.35 грн
2500+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
RS1002FL_R1_00001 RS1002FL_R1_00001 PanJit Semiconductor RS1001FL_SERIES.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 500ns; SOD123F; Ufmax: 1.3V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1A
Reverse recovery time: 0.5µs
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated
Case: SOD123F
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 50µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
22+14.39 грн
34+8.92 грн
100+5.09 грн
500+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
RS1002FL_R1_00001 RS1002FL_R1_00001 PanJit Semiconductor RS1001FL_SERIES.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 500ns; SOD123F; Ufmax: 1.3V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1A
Reverse recovery time: 0.5µs
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated
Case: SOD123F
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 50µA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
36+11.99 грн
56+7.16 грн
100+4.24 грн
500+3.33 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
RS1004FL_R1_00001 RS1004FL_R1_00001 PanJit Semiconductor RS1001FL_SERIES.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 500ns; SOD123F; Ufmax: 1.3V
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 0.5µs
Leakage current: 50µA
Load current: 1A
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 0.4kV
Case: SOD123F
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
22+14.39 грн
52+5.75 грн
100+4.12 грн
500+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
RS1004FL_R1_00001 RS1004FL_R1_00001 PanJit Semiconductor RS1001FL_SERIES.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 500ns; SOD123F; Ufmax: 1.3V
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 0.5µs
Leakage current: 50µA
Load current: 1A
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 0.4kV
Case: SOD123F
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
36+11.99 грн
87+4.61 грн
116+3.44 грн
500+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
RS1006FL_R1_00001 RS1006FL_R1_00001 PanJit Semiconductor RS1001FL_SERIES.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 500ns; SOD123F; Ufmax: 1.3V
Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated
Type of diode: rectifying
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Mounting: SMD
Case: SOD123F
Reverse recovery time: 0.5µs
Leakage current: 50µA
Load current: 1A
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 0.6kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1008FL_R1_00001 RS1008FL_R1_00001 PanJit Semiconductor RS1001FL_SERIES.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 800V; 1A; 500ns; SOD123F; Ufmax: 1.3V
Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated
Type of diode: rectifying
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Mounting: SMD
Case: SOD123F
Reverse recovery time: 0.5µs
Leakage current: 50µA
Load current: 1A
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 0.8kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
22+14.39 грн
25+12.29 грн
100+7.74 грн
250+4.50 грн
686+4.26 грн
3000+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
RS1008FL_R1_00001 RS1008FL_R1_00001 PanJit Semiconductor RS1001FL_SERIES.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 800V; 1A; 500ns; SOD123F; Ufmax: 1.3V
Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated
Type of diode: rectifying
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Mounting: SMD
Case: SOD123F
Reverse recovery time: 0.5µs
Leakage current: 50µA
Load current: 1A
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 0.8kV
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
36+11.99 грн
41+9.86 грн
100+6.45 грн
250+3.75 грн
686+3.55 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
RS1010FL_R1_00001 RS1010FL_R1_00001 PanJit Semiconductor RS1001FL_SERIES.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 500ns; SOD123F; Ufmax: 1.3V; Ir: 50uA
Load current: 1A
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 1kV
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD123F
Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated
Type of diode: rectifying
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 0.5µs
Leakage current: 50µA
Max. forward voltage: 1.3V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2054 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
15+20.56 грн
25+11.99 грн
100+7.80 грн
500+5.99 грн
1000+5.37 грн
3000+4.52 грн
6000+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
RS1010FL_R1_00001 RS1010FL_R1_00001 PanJit Semiconductor RS1001FL_SERIES.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 500ns; SOD123F; Ufmax: 1.3V; Ir: 50uA
Load current: 1A
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 1kV
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD123F
Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated
Type of diode: rectifying
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 0.5µs
Leakage current: 50µA
Max. forward voltage: 1.3V
на замовлення 2054 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+17.13 грн
42+9.63 грн
100+6.50 грн
500+5.00 грн
1000+4.48 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
RS1D_R1_00001 RS1D_R1_00001 PanJit Semiconductor RS1A_SERIES.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 150ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 0.15mA
Reverse recovery time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1740 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
18+17.48 грн
29+10.31 грн
100+6.59 грн
250+5.57 грн
356+3.16 грн
978+2.98 грн
23400+2.96 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
RS1D_R1_00001 RS1D_R1_00001 PanJit Semiconductor RS1A_SERIES.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 150ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 0.15mA
Reverse recovery time: 150ns
на замовлення 1740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+14.56 грн
49+8.27 грн
100+5.49 грн
250+4.65 грн
356+2.63 грн
978+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
RS1J_R1_00001 RS1J_R1_00001 PanJit Semiconductor RS1A_SERIES.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 250ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Kind of package: reel; tape
Case: SMA
Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 250ns
Leakage current: 0.15mA
Load current: 1A
Max. forward voltage: 1.3V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1584 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
20+15.42 грн
29+10.41 грн
100+5.87 грн
500+4.23 грн
1000+3.75 грн
1800+3.42 грн
3600+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
RS1J_R1_00001 RS1J_R1_00001 PanJit Semiconductor RS1A_SERIES.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 250ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Kind of package: reel; tape
Case: SMA
Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 250ns
Leakage current: 0.15mA
Load current: 1A
Max. forward voltage: 1.3V
на замовлення 1584 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
34+12.85 грн
48+8.35 грн
100+4.89 грн
500+3.52 грн
1000+3.13 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7838_R1_00001 PJT7838.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJT7838-R1 Multi channel transistors
на замовлення 7648 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.49 грн
145+7.83 грн
398+7.35 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4N06A-AU_R2_000A1 PJW4N06A-AU.pdf
PJW4N06A-AU_R2_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; Idm: 8A; 2.6W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4N06A_R2_00001 PJW4N06A.pdf
PJW4N06A_R2_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; Idm: 8A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4P06A-AU_R2_000A1 PJW4P06A-AU.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJW4P06A-AU-R2 SMD P channel transistors
на замовлення 3190 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+63.43 грн
68+16.61 грн
186+15.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4P06A_R2_00001 PJW4P06A.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJW4P06A-R2 SMD P channel transistors
на замовлення 865 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+53.87 грн
89+12.70 грн
245+11.93 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PJX138K_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
PJX138K-R1 Multi channel transistors
на замовлення 3935 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
13+24.45 грн
193+5.84 грн
531+5.52 грн
8000+5.51 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8603_R1_00001 PJX8603.pdf
PJX8603_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 50/-60V; 360/-200mA; 300mW
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50/-60V
Drain current: 360/-200mA
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5/7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.95/1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1927 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+25.70 грн
20+15.17 грн
100+10.21 грн
500+8.21 грн
1000+7.54 грн
2000+7.06 грн
4000+6.68 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8603_R1_00001 PJX8603.pdf
PJX8603_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 50/-60V; 360/-200mA; 300mW
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50/-60V
Drain current: 360/-200mA
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5/7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.95/1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1927 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+21.42 грн
33+12.17 грн
100+8.51 грн
500+6.84 грн
1000+6.28 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8839_R1_00001 PJX8839.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 68A; DFN5060-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 68A
Case: DFN5060-8
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMSM608_R2_00301
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 6A; Ifsm: 150A; M6
Type of bridge rectifier: single-phase
Electrical mounting: SMT
Max. forward voltage: 1V
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 150A
Case: M6
Max. off-state voltage: 0.8kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMB033N10NS2_R2_00201 PSMB033N10NS2.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 68A; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 68A
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMB050N10NS2_R2_00601 PSMB050N10NS2.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 138W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 138W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMB050N10NS2_T0_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 138W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 138W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMB055N08NS1_R2_00601 PSMB055N08NS1.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 108A; Idm: 360A; 113.6W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 113.6W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMB055N08NS1_T0_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 108A; Idm: 360A; 113.6W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 113.6W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015N10NS2_R2_00201 20230516171020ta7o3bGUZ1.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 398A; Idm: 1592A; 250W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 398A
Pulsed drain current: 1592A
Power dissipation: 250W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 128nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN028N10NS2_R2_00201 20230516171020ta7o3bGUZ1.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 240A; Idm: 960A; 167W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 240A
Pulsed drain current: 960A
Power dissipation: 167W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMP033N10NS2_T0_00601 PSMP033N10NS2
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 68A; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 68A
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMP050N10NS2_T0_00601 PSMP050N10NS2.pdf
PSMP050N10NS2_T0_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 138W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 138W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMP055N08NS1_T0_00601 PSMP055N08NS1.pdf
PSMP055N08NS1_T0_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 111A; Idm: 360A; 136W; TO220ABL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 111A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 136W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 65.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+166.54 грн
10+94.17 грн
18+65.87 грн
47+62.05 грн
5000+59.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMP055N08NS1_T0_00601 PSMP055N08NS1.pdf
PSMP055N08NS1_T0_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 111A; Idm: 360A; 136W; TO220ABL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 111A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 136W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 65.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+138.78 грн
10+75.57 грн
18+54.89 грн
47+51.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMQC040N10NS2_R2_00601
PSMQC040N10NS2_R2_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 122A; Idm: 488A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 122A
Pulsed drain current: 488A
Power dissipation: 125W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMQC042N10LS2_R2_00201
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 68A; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 68A
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMQC060N06LS1-AU_R2_006A1 PSMQC060N06LS1-AU.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 68A; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 68A
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMQC060N06LS1_R2_00201
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 68A; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 68A
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PZ1AL3V6B_R1_00001 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE9DFD777F43B000D6&compId=PZ1AL2V5B_SERIES.pdf?ci_sign=ea874c3065385691540a120aa0607719ef6dba2b
PZ1AL3V6B_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1W; 3.6V; SMD; reel,tape; SOD123F; single diode; 100uA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1W
Zener voltage: 3.6V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Case: SOD123F
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.1mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PZS1112BES_R1_00001 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE9DFD7D0E97BE80D6&compId=PZS113V9BES_SERIES.pdf?ci_sign=853258471ac4652b4efaf8e6a22e525f801d3fd0
PZS1112BES_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 150mW; 12V; SMD; reel,tape; SOD523; single diode; 50nA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.15W
Zener voltage: 12V
Kind of package: reel; tape
Case: SOD523
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 50nA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PZS1117BES_R1_00001 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE9DFD7D0E97BE80D6&compId=PZS113V9BES_SERIES.pdf?ci_sign=853258471ac4652b4efaf8e6a22e525f801d3fd0
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 150mW; 17V; SMD; reel,tape; SOD523; single diode
Case: SOD523
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.15W
Zener voltage: 17V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PZS1125BES_R1_00001 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE9DFD7D0E97BE80D6&compId=PZS113V9BES_SERIES.pdf?ci_sign=853258471ac4652b4efaf8e6a22e525f801d3fd0
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 150mW; 25V; SMD; reel,tape; SOD523; single diode
Case: SOD523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.15W
Tolerance: ±5%
Zener voltage: 25V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PZS5125BAS-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 500mW; 25V; SMD; reel,tape; SOD123; single diode
Application: automotive industry
Case: SOD123
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Tolerance: ±5%
Zener voltage: 25V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PZS5125BCH-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 500mW; 25V; SMD; reel,tape; SOD323HE; single diode
Application: automotive industry
Case: SOD323HE
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Tolerance: ±5%
Zener voltage: 25V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PZS5125BCH_R1_00001 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD0B19080F39BF840E3&compId=PZS513V9BCH_SER.pdf?ci_sign=75489329afbdf064867862a5bb9f67c3faa695d9
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 500mW; 25V; SMD; reel,tape; SOD323HE; single diode
Case: SOD323HE
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Tolerance: ±5%
Zener voltage: 25V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PZS516V2BAS_R1_00001 PZS513V9BAS_SERIES.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PZS516V2BAS-R1 SMD Zener diodes
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
26+11.89 грн
284+3.97 грн
781+3.75 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
RB500V-40_R1_00001 RB500V-40.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
RB500V-40-R1 SMD Schottky diodes
на замовлення 6770 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
35+9.07 грн
637+1.77 грн
1753+1.67 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
RB501V-40_R1_00001 RB501V-40.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
RB501V-40-R1 SMD Schottky diodes
на замовлення 5250 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
27+11.72 грн
624+1.80 грн
1716+1.71 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
RB520S30_R1_00001 RB520S30.pdf
RB520S30_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. forward voltage: 0.6V
Leakage current: 1µA
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4976 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
38+8.22 грн
53+5.65 грн
100+4.08 грн
500+3.17 грн
1000+2.80 грн
2000+2.43 грн
5000+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
RB520S30_R1_00001 RB520S30.pdf
RB520S30_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. forward voltage: 0.6V
Leakage current: 1µA
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 4976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
63+6.85 грн
88+4.53 грн
118+3.40 грн
500+2.64 грн
1000+2.33 грн
2000+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
RB521S30_R1_00001 RB521S30.pdf
RB521S30_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Leakage current: 0.1mA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6478 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
38+8.22 грн
59+5.06 грн
100+3.29 грн
500+2.46 грн
1000+2.16 грн
2000+2.05 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
RB521S30_R1_00001 RB521S30.pdf
RB521S30_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Leakage current: 0.1mA
на замовлення 6478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
63+6.85 грн
99+4.06 грн
145+2.74 грн
500+2.05 грн
1000+1.80 грн
2000+1.71 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
RB751S40-AU_R1_000A1 RB751S40-AU.pdf
RB751S40-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 40V; 0.3A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.37V
Max. forward impulse current: 0.5A
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 10µA
Application: automotive industry
на замовлення 2785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+8.57 грн
70+5.73 грн
100+4.03 грн
500+3.13 грн
1000+2.81 грн
2500+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
RB751S40-AU_R1_000A1 RB751S40-AU.pdf
RB751S40-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 40V; 0.3A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.37V
Max. forward impulse current: 0.5A
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 10µA
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2785 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
30+10.28 грн
42+7.14 грн
100+4.84 грн
500+3.76 грн
1000+3.37 грн
2500+2.89 грн
5000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
RB751V-40-AU_R1_000A1 RB751V-40-AU.pdf
RB751V-40-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 40V; 0.3A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. forward voltage: 0.55V
Leakage current: 22µA
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Max. forward impulse current: 0.6A
на замовлення 4899 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
32+13.71 грн
51+7.88 грн
100+4.92 грн
388+2.42 грн
1067+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
RB751V-40X_R1_00001 RB751V-40X.pdf
RB751V-40X_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 40V; 30mA; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 30mA
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. forward voltage: 0.37V
Max. load current: 0.2A
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: reel; tape
на замовлення 4279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
56+7.71 грн
62+6.44 грн
103+3.87 грн
452+2.08 грн
1241+1.96 грн
2500+1.89 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
RB751V-40_R1_00001 RB751V-40.pdf
RB751V-40_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 40V; 0.3A; reel,tape; 200mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. forward voltage: 0.34V
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 0.6A
Power dissipation: 0.2W
на замовлення 3247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
46+9.42 грн
80+5.01 грн
124+3.22 грн
462+2.04 грн
1269+1.93 грн
2000+1.89 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
RB751V-40-AU_R1_000A1 RB751V-40-AU.pdf
RB751V-40-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 40V; 0.3A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. forward voltage: 0.55V
Leakage current: 22µA
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Max. forward impulse current: 0.6A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4899 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
19+16.45 грн
31+9.81 грн
100+5.90 грн
388+2.90 грн
1067+2.75 грн
5000+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
RB751V-40_R1_00001 RB751V-40.pdf
RB751V-40_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 40V; 0.3A; reel,tape; 200mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. forward voltage: 0.34V
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 0.6A
Power dissipation: 0.2W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3247 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
28+11.31 грн
48+6.25 грн
100+3.87 грн
462+2.44 грн
1269+2.31 грн
2000+2.27 грн
5000+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
RB751V-40X_R1_00001 RB751V-40X.pdf
RB751V-40X_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 40V; 30mA; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 30mA
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. forward voltage: 0.37V
Max. load current: 0.2A
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4279 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
34+9.25 грн
38+8.03 грн
100+4.64 грн
452+2.49 грн
1241+2.36 грн
2000+2.35 грн
2500+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
RS1002FL_R1_00001 RS1001FL_SERIES.pdf
RS1002FL_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 500ns; SOD123F; Ufmax: 1.3V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1A
Reverse recovery time: 0.5µs
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated
Case: SOD123F
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 50µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
22+14.39 грн
34+8.92 грн
100+5.09 грн
500+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
RS1002FL_R1_00001 RS1001FL_SERIES.pdf
RS1002FL_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 500ns; SOD123F; Ufmax: 1.3V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1A
Reverse recovery time: 0.5µs
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated
Case: SOD123F
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 50µA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
36+11.99 грн
56+7.16 грн
100+4.24 грн
500+3.33 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
RS1004FL_R1_00001 RS1001FL_SERIES.pdf
RS1004FL_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 500ns; SOD123F; Ufmax: 1.3V
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 0.5µs
Leakage current: 50µA
Load current: 1A
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 0.4kV
Case: SOD123F
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
22+14.39 грн
52+5.75 грн
100+4.12 грн
500+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
RS1004FL_R1_00001 RS1001FL_SERIES.pdf
RS1004FL_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 500ns; SOD123F; Ufmax: 1.3V
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 0.5µs
Leakage current: 50µA
Load current: 1A
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 0.4kV
Case: SOD123F
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
36+11.99 грн
87+4.61 грн
116+3.44 грн
500+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
RS1006FL_R1_00001 RS1001FL_SERIES.pdf
RS1006FL_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 500ns; SOD123F; Ufmax: 1.3V
Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated
Type of diode: rectifying
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Mounting: SMD
Case: SOD123F
Reverse recovery time: 0.5µs
Leakage current: 50µA
Load current: 1A
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 0.6kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1008FL_R1_00001 RS1001FL_SERIES.pdf
RS1008FL_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 800V; 1A; 500ns; SOD123F; Ufmax: 1.3V
Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated
Type of diode: rectifying
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Mounting: SMD
Case: SOD123F
Reverse recovery time: 0.5µs
Leakage current: 50µA
Load current: 1A
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 0.8kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
22+14.39 грн
25+12.29 грн
100+7.74 грн
250+4.50 грн
686+4.26 грн
3000+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
RS1008FL_R1_00001 RS1001FL_SERIES.pdf
RS1008FL_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 800V; 1A; 500ns; SOD123F; Ufmax: 1.3V
Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated
Type of diode: rectifying
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Mounting: SMD
Case: SOD123F
Reverse recovery time: 0.5µs
Leakage current: 50µA
Load current: 1A
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 0.8kV
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
36+11.99 грн
41+9.86 грн
100+6.45 грн
250+3.75 грн
686+3.55 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
RS1010FL_R1_00001 RS1001FL_SERIES.pdf
RS1010FL_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 500ns; SOD123F; Ufmax: 1.3V; Ir: 50uA
Load current: 1A
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 1kV
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD123F
Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated
Type of diode: rectifying
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 0.5µs
Leakage current: 50µA
Max. forward voltage: 1.3V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2054 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
15+20.56 грн
25+11.99 грн
100+7.80 грн
500+5.99 грн
1000+5.37 грн
3000+4.52 грн
6000+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
RS1010FL_R1_00001 RS1001FL_SERIES.pdf
RS1010FL_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 500ns; SOD123F; Ufmax: 1.3V; Ir: 50uA
Load current: 1A
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 1kV
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD123F
Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated
Type of diode: rectifying
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 0.5µs
Leakage current: 50µA
Max. forward voltage: 1.3V
на замовлення 2054 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+17.13 грн
42+9.63 грн
100+6.50 грн
500+5.00 грн
1000+4.48 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
RS1D_R1_00001 RS1A_SERIES.pdf
RS1D_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 150ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 0.15mA
Reverse recovery time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1740 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
18+17.48 грн
29+10.31 грн
100+6.59 грн
250+5.57 грн
356+3.16 грн
978+2.98 грн
23400+2.96 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
RS1D_R1_00001 RS1A_SERIES.pdf
RS1D_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 150ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 0.15mA
Reverse recovery time: 150ns
на замовлення 1740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
30+14.56 грн
49+8.27 грн
100+5.49 грн
250+4.65 грн
356+2.63 грн
978+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
RS1J_R1_00001 RS1A_SERIES.pdf
RS1J_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 250ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Kind of package: reel; tape
Case: SMA
Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 250ns
Leakage current: 0.15mA
Load current: 1A
Max. forward voltage: 1.3V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1584 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
20+15.42 грн
29+10.41 грн
100+5.87 грн
500+4.23 грн
1000+3.75 грн
1800+3.42 грн
3600+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
RS1J_R1_00001 RS1A_SERIES.pdf
RS1J_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 250ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Kind of package: reel; tape
Case: SMA
Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 250ns
Leakage current: 0.15mA
Load current: 1A
Max. forward voltage: 1.3V
на замовлення 1584 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
34+12.85 грн
48+8.35 грн
100+4.89 грн
500+3.52 грн
1000+3.13 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20  [ Наступна Сторінка >> ]