Продукція > PANJIT SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника PANJIT SEMICONDUCTOR (1216) > Сторінка 17 з 21

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJSD12CW-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJSD05CW-AU_SERIES.pdf PJSD12CW-AU-R1 Protection diodes - arrays
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD12TS_R1_00001 PanJit Semiconductor PJSD03TS_SERIES.pdf PJSD12TS-R1 Unidirectional TVS SMD diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD24TS_R1_00001 PanJit Semiconductor PJSD03TS_SERIES.pdf PJSD24TS-R1 Unidirectional TVS SMD diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD36W-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJSD03W-AU_SERIES.pdf PJSD36W-AU-R1 Unidirectional TVS SMD diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD36W_R1_00001 PanJit Semiconductor PJSD36W-R1 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 9985 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+31.02 грн
189+5.70 грн
519+5.39 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PJT138K-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJT138K-AU-R1 Multi channel transistors
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
15+20.75 грн
204+5.28 грн
559+5.00 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7600_R1_00001 PJT7600_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7600.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 1A/-700mA; 350mW
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 1A/-700mA
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 400/600mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.6/2.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+41.49 грн
11+27.53 грн
100+15.14 грн
169+6.42 грн
463+6.05 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7600_S1_00001 PanJit Semiconductor PJT7600-S1 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7600_R1_00001 PJT7600_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7600.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 1A/-700mA; 350mW
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 1A/-700mA
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 400/600mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.6/2.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+34.58 грн
18+22.09 грн
100+12.61 грн
169+5.35 грн
463+5.05 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7603_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7603.pdf PJT7603-R1 Multi channel transistors
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+24.70 грн
204+5.28 грн
559+5.00 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7605-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJT7605-AU-R1 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7800_R1_00001 PJT7800_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7800.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.4Ω
Gate charge: 1.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 4A
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5983 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+30.63 грн
15+19.34 грн
100+10.92 грн
169+6.42 грн
463+6.05 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7800_R1_00001 PJT7800_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7800.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.4Ω
Gate charge: 1.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 4A
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
на замовлення 5983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+25.52 грн
25+15.52 грн
100+9.10 грн
169+5.35 грн
463+5.05 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7801_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7801.pdf PJT7801-R1 Multi channel transistors
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
13+23.22 грн
169+6.42 грн
463+6.05 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7828_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7828-R1 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7838_R1_00001 PJT7838_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7838.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 400mA; Idm: 1.2A; 350mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.4A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7664 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+30.63 грн
15+19.91 грн
100+11.28 грн
145+7.43 грн
399+7.06 грн
6000+6.88 грн
9000+6.79 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7838_R1_00001 PJT7838_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7838.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 400mA; Idm: 1.2A; 350mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.4A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 7664 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+25.52 грн
24+15.98 грн
100+9.40 грн
145+6.19 грн
399+5.89 грн
6000+5.73 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
PJW3P10A_R2_00001 PanJit Semiconductor PJW3P10A.pdf PJW3P10A-R2 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4N06A-AU_R2_000A1 PJW4N06A-AU_R2_000A1 PanJit Semiconductor PJW4N06A-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; Idm: 8A; 2.6W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4N06A-AU_R2_000A1 PJW4N06A-AU_R2_000A1 PanJit Semiconductor PJW4N06A-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; Idm: 8A; 2.6W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 42500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4N06A_R2_00001 PJW4N06A_R2_00001 PanJit Semiconductor PJW4N06A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; Idm: 8A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 42500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4N06A_R2_00001 PJW4N06A_R2_00001 PanJit Semiconductor PJW4N06A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; Idm: 8A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4P06A-AU_R2_000A1 PanJit Semiconductor PJW4P06A-AU.pdf PJW4P06A-AU-R2 SMD P channel transistors
на замовлення 2683 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+71.33 грн
72+14.95 грн
197+14.13 грн
2500+14.10 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4P06A_R2_00001 PanJit Semiconductor PJW4P06A.pdf PJW4P06A-R2 SMD P channel transistors
на замовлення 1254 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+37.54 грн
94+11.47 грн
257+10.83 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PJW5P06A-AU_R2_000A1 PanJit Semiconductor PJW5P06A-AU-R2 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX138K_R1_00001 PanJit Semiconductor PJX138K-R1 Multi channel transistors
на замовлення 3985 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
21+14.42 грн
193+5.57 грн
531+5.27 грн
4000+5.26 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
PJX138L_R1_00002 PanJit Semiconductor PJX138L-R1 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8603_R1_00001 PJX8603_R1_00001 PanJit Semiconductor PJX8603.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 50/-60V; 360/-200mA; 300mW
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50/-60V
Drain current: 360/-200mA
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5/7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.95/1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1967 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
16+18.77 грн
25+11.62 грн
100+7.98 грн
170+6.33 грн
466+6.05 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8603_R1_00001 PJX8603_R1_00001 PanJit Semiconductor PJX8603.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 50/-60V; 360/-200mA; 300mW
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50/-60V
Drain current: 360/-200mA
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5/7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.95/1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1967 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
27+15.64 грн
41+9.33 грн
100+6.65 грн
170+5.27 грн
466+5.05 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
PMS410_R2_00601 PanJit Semiconductor PMS410.pdf PMS410-R2 SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSDH60120S1B_T0_00601 PanJit Semiconductor PSDH60120S1B-T0 THT universal diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMB050N10NS2_R2_00601 PanJit Semiconductor PSMB050N10NS2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 138W; TO263
Case: TO263
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 138W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 53nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 480A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMB050N10NS2_T0_00601 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 138W; TO263
Case: TO263
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 138W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 53nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 480A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMB050N10NS2_R2_00601 PanJit Semiconductor PSMB050N10NS2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 138W; TO263
Case: TO263
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 138W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 53nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 480A
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMB050N10NS2_T0_00601 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 138W; TO263
Case: TO263
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 138W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 53nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 480A
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMB055N08NS1_R2_00601 PanJit Semiconductor PSMB055N08NS1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 108A; Idm: 360A; 113.6W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 113.6W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMB055N08NS1_T0_00601 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 108A; Idm: 360A; 113.6W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 113.6W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMB055N08NS1_R2_00601 PanJit Semiconductor PSMB055N08NS1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 108A; Idm: 360A; 113.6W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 113.6W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMB055N08NS1_T0_00601 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 108A; Idm: 360A; 113.6W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 113.6W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015N10NS2_R2_00201 PanJit Semiconductor 20230516171020ta7o3bGUZ1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 398A; Idm: 1592A; 250W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 398A
Pulsed drain current: 1592A
Power dissipation: 250W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 128nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015N10NS2_R2_00201 PanJit Semiconductor 20230516171020ta7o3bGUZ1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 398A; Idm: 1592A; 250W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 398A
Pulsed drain current: 1592A
Power dissipation: 250W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 128nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN028N10NS2_R2_00201 PanJit Semiconductor 20230516171020ta7o3bGUZ1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 240A; Idm: 960A; 167W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 240A
Pulsed drain current: 960A
Power dissipation: 167W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN028N10NS2_R2_00201 PanJit Semiconductor 20230516171020ta7o3bGUZ1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 240A; Idm: 960A; 167W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 240A
Pulsed drain current: 960A
Power dissipation: 167W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMP050N10NS2_T0_00601 PSMP050N10NS2_T0_00601 PanJit Semiconductor PSMP050N10NS2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 138W
Case: TO220ABL
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 138W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 53nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 480A
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+229.21 грн
9+124.80 грн
10+119.26 грн
25+113.76 грн
50+110.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMP050N10NS2_T0_00601 PSMP050N10NS2_T0_00601 PanJit Semiconductor PSMP050N10NS2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 138W
Case: TO220ABL
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 138W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 53nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 480A
Mounting: THT
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+191.00 грн
9+100.15 грн
10+99.38 грн
25+94.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMP055N08NS1_T0_00601 PSMP055N08NS1_T0_00601 PanJit Semiconductor PSMP055N08NS1.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 111A; Idm: 360A; 136W; TO220ABL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 111A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 136W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 65.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+146.22 грн
10+79.07 грн
18+62.38 грн
48+58.71 грн
1000+57.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMP055N08NS1_T0_00601 PSMP055N08NS1_T0_00601 PanJit Semiconductor PSMP055N08NS1.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 111A; Idm: 360A; 136W; TO220ABL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 111A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 136W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 65.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+121.85 грн
10+63.45 грн
18+51.99 грн
48+48.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMP075N15NS1_T0_00601 PanJit Semiconductor PSMP075N15NS1.pdf PSMP075N15NS1-T0 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMQC040N10NS2_R2_00601 PSMQC040N10NS2_R2_00601 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 122A; Idm: 488A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 122A
Pulsed drain current: 488A
Power dissipation: 125W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMQC040N10NS2_R2_00601 PSMQC040N10NS2_R2_00601 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 122A; Idm: 488A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 122A
Pulsed drain current: 488A
Power dissipation: 125W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PTGH4065S1_T0_00201 PanJit Semiconductor PTGH4065S1-T0 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PZ1AL3V6B_R1_00001 PanJit Semiconductor PZ1AL3V6B-R1 SMD Zener diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PZS1112BES_R1_00001 PZS1112BES_R1_00001 PanJit Semiconductor PZS113V9BES_SERIES.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 150mW; 12V; SMD; reel,tape; SOD523; single diode; 50nA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.15W
Zener voltage: 12V
Kind of package: reel; tape
Case: SOD523
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 50nA
кількість в упаковці: 30000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PZS1112BES_R1_00001 PZS1112BES_R1_00001 PanJit Semiconductor PZS113V9BES_SERIES.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 150mW; 12V; SMD; reel,tape; SOD523; single diode; 50nA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.15W
Zener voltage: 12V
Kind of package: reel; tape
Case: SOD523
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 50nA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PZS516V2BAS_R1_00001 PanJit Semiconductor PZS513V9BAS_SERIES.pdf PZS516V2BAS-R1 SMD Zener diodes
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
41+7.25 грн
284+3.78 грн
781+3.58 грн
9000+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
RB500V-40_R1_00001 RB500V-40_R1_00001 PanJit Semiconductor RB500V-40.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 45V; 0.1A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SOD323
Max. forward voltage: 0.45V
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 1µA
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
57+7.26 грн
99+3.90 грн
150+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 57
В кошику  од. на суму  грн.
RB500V-40_R1_00001 RB500V-40_R1_00001 PanJit Semiconductor RB500V-40.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 45V; 0.1A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SOD323
Max. forward voltage: 0.45V
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 1µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 499 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
35+8.71 грн
59+4.86 грн
100+3.07 грн
500+2.39 грн
564+1.90 грн
1548+1.80 грн
5000+1.78 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
RB501V-40_R1_00001 RB501V-40_R1_00001 PanJit Semiconductor RB501V-40.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 45V; 0.1A; reel,tape; 200mW
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SOD323
Max. forward voltage: 0.55V
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 10µA
Power dissipation: 0.2W
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
54+7.66 грн
88+4.36 грн
139+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 54
В кошику  од. на суму  грн.
RB501V-40_R1_00001 RB501V-40_R1_00001 PanJit Semiconductor RB501V-40.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 45V; 0.1A; reel,tape; 200mW
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SOD323
Max. forward voltage: 0.55V
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 10µA
Power dissipation: 0.2W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 270 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
33+9.19 грн
53+5.43 грн
100+3.31 грн
500+2.45 грн
646+1.66 грн
1774+1.57 грн
10000+1.50 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
RB520S30_R1_00001 RB520S30_R1_00001 PanJit Semiconductor RB520S30.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Case: SOD523
Max. off-state voltage: 30V
Max. forward voltage: 0.6V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 1A
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky switching
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4976 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
34+8.89 грн
45+6.48 грн
100+4.23 грн
452+2.38 грн
1243+2.24 грн
5000+2.17 грн
10000+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD12CW-AU_R1_000A1 PJSD05CW-AU_SERIES.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJSD12CW-AU-R1 Protection diodes - arrays
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD12TS_R1_00001 PJSD03TS_SERIES.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJSD12TS-R1 Unidirectional TVS SMD diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD24TS_R1_00001 PJSD03TS_SERIES.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJSD24TS-R1 Unidirectional TVS SMD diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD36W-AU_R1_000A1 PJSD03W-AU_SERIES.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJSD36W-AU-R1 Unidirectional TVS SMD diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD36W_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
PJSD36W-R1 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 9985 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.02 грн
189+5.70 грн
519+5.39 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PJT138K-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
PJT138K-AU-R1 Multi channel transistors
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
15+20.75 грн
204+5.28 грн
559+5.00 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7600_R1_00001 PJT7600.pdf
PJT7600_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 1A/-700mA; 350mW
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 1A/-700mA
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 400/600mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.6/2.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.49 грн
11+27.53 грн
100+15.14 грн
169+6.42 грн
463+6.05 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7600_S1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
PJT7600-S1 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7600_R1_00001 PJT7600.pdf
PJT7600_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 1A/-700mA; 350mW
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 1A/-700mA
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 400/600mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.6/2.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+34.58 грн
18+22.09 грн
100+12.61 грн
169+5.35 грн
463+5.05 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7603_R1_00001 PJT7603.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJT7603-R1 Multi channel transistors
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+24.70 грн
204+5.28 грн
559+5.00 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7605-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
PJT7605-AU-R1 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7800_R1_00001 PJT7800.pdf
PJT7800_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.4Ω
Gate charge: 1.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 4A
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5983 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+30.63 грн
15+19.34 грн
100+10.92 грн
169+6.42 грн
463+6.05 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7800_R1_00001 PJT7800.pdf
PJT7800_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.4Ω
Gate charge: 1.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 4A
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
на замовлення 5983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+25.52 грн
25+15.52 грн
100+9.10 грн
169+5.35 грн
463+5.05 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7801_R1_00001 PJT7801.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJT7801-R1 Multi channel transistors
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
13+23.22 грн
169+6.42 грн
463+6.05 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7828_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
PJT7828-R1 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7838_R1_00001 PJT7838.pdf
PJT7838_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 400mA; Idm: 1.2A; 350mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.4A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7664 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+30.63 грн
15+19.91 грн
100+11.28 грн
145+7.43 грн
399+7.06 грн
6000+6.88 грн
9000+6.79 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7838_R1_00001 PJT7838.pdf
PJT7838_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 400mA; Idm: 1.2A; 350mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.4A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 7664 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+25.52 грн
24+15.98 грн
100+9.40 грн
145+6.19 грн
399+5.89 грн
6000+5.73 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
PJW3P10A_R2_00001 PJW3P10A.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJW3P10A-R2 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4N06A-AU_R2_000A1 PJW4N06A-AU.pdf
PJW4N06A-AU_R2_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; Idm: 8A; 2.6W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4N06A-AU_R2_000A1 PJW4N06A-AU.pdf
PJW4N06A-AU_R2_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; Idm: 8A; 2.6W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 42500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4N06A_R2_00001 PJW4N06A.pdf
PJW4N06A_R2_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; Idm: 8A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 42500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4N06A_R2_00001 PJW4N06A.pdf
PJW4N06A_R2_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; Idm: 8A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4P06A-AU_R2_000A1 PJW4P06A-AU.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJW4P06A-AU-R2 SMD P channel transistors
на замовлення 2683 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.33 грн
72+14.95 грн
197+14.13 грн
2500+14.10 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4P06A_R2_00001 PJW4P06A.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJW4P06A-R2 SMD P channel transistors
на замовлення 1254 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+37.54 грн
94+11.47 грн
257+10.83 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PJW5P06A-AU_R2_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
PJW5P06A-AU-R2 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX138K_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
PJX138K-R1 Multi channel transistors
на замовлення 3985 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
21+14.42 грн
193+5.57 грн
531+5.27 грн
4000+5.26 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
PJX138L_R1_00002
Виробник: PanJit Semiconductor
PJX138L-R1 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8603_R1_00001 PJX8603.pdf
PJX8603_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 50/-60V; 360/-200mA; 300mW
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50/-60V
Drain current: 360/-200mA
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5/7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.95/1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1967 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
16+18.77 грн
25+11.62 грн
100+7.98 грн
170+6.33 грн
466+6.05 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8603_R1_00001 PJX8603.pdf
PJX8603_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 50/-60V; 360/-200mA; 300mW
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50/-60V
Drain current: 360/-200mA
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5/7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.95/1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1967 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
27+15.64 грн
41+9.33 грн
100+6.65 грн
170+5.27 грн
466+5.05 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
PMS410_R2_00601 PMS410.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PMS410-R2 SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSDH60120S1B_T0_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
PSDH60120S1B-T0 THT universal diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMB050N10NS2_R2_00601 PSMB050N10NS2.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 138W; TO263
Case: TO263
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 138W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 53nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 480A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMB050N10NS2_T0_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 138W; TO263
Case: TO263
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 138W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 53nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 480A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMB050N10NS2_R2_00601 PSMB050N10NS2.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 138W; TO263
Case: TO263
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 138W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 53nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 480A
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMB050N10NS2_T0_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 138W; TO263
Case: TO263
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 138W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 53nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 480A
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMB055N08NS1_R2_00601 PSMB055N08NS1.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 108A; Idm: 360A; 113.6W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 113.6W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMB055N08NS1_T0_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 108A; Idm: 360A; 113.6W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 113.6W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMB055N08NS1_R2_00601 PSMB055N08NS1.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 108A; Idm: 360A; 113.6W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 113.6W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMB055N08NS1_T0_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 108A; Idm: 360A; 113.6W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 113.6W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015N10NS2_R2_00201 20230516171020ta7o3bGUZ1.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 398A; Idm: 1592A; 250W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 398A
Pulsed drain current: 1592A
Power dissipation: 250W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 128nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015N10NS2_R2_00201 20230516171020ta7o3bGUZ1.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 398A; Idm: 1592A; 250W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 398A
Pulsed drain current: 1592A
Power dissipation: 250W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 128nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN028N10NS2_R2_00201 20230516171020ta7o3bGUZ1.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 240A; Idm: 960A; 167W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 240A
Pulsed drain current: 960A
Power dissipation: 167W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN028N10NS2_R2_00201 20230516171020ta7o3bGUZ1.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 240A; Idm: 960A; 167W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 240A
Pulsed drain current: 960A
Power dissipation: 167W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMP050N10NS2_T0_00601 PSMP050N10NS2.pdf
PSMP050N10NS2_T0_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 138W
Case: TO220ABL
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 138W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 53nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 480A
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+229.21 грн
9+124.80 грн
10+119.26 грн
25+113.76 грн
50+110.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMP050N10NS2_T0_00601 PSMP050N10NS2.pdf
PSMP050N10NS2_T0_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 138W
Case: TO220ABL
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 138W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 53nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 480A
Mounting: THT
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+191.00 грн
9+100.15 грн
10+99.38 грн
25+94.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMP055N08NS1_T0_00601 PSMP055N08NS1.pdf
PSMP055N08NS1_T0_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 111A; Idm: 360A; 136W; TO220ABL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 111A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 136W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 65.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.22 грн
10+79.07 грн
18+62.38 грн
48+58.71 грн
1000+57.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMP055N08NS1_T0_00601 PSMP055N08NS1.pdf
PSMP055N08NS1_T0_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 111A; Idm: 360A; 136W; TO220ABL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 111A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 136W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 65.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+121.85 грн
10+63.45 грн
18+51.99 грн
48+48.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMP075N15NS1_T0_00601 PSMP075N15NS1.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PSMP075N15NS1-T0 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMQC040N10NS2_R2_00601
PSMQC040N10NS2_R2_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 122A; Idm: 488A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 122A
Pulsed drain current: 488A
Power dissipation: 125W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMQC040N10NS2_R2_00601
PSMQC040N10NS2_R2_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 122A; Idm: 488A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 122A
Pulsed drain current: 488A
Power dissipation: 125W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PTGH4065S1_T0_00201
Виробник: PanJit Semiconductor
PTGH4065S1-T0 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PZ1AL3V6B_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
PZ1AL3V6B-R1 SMD Zener diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PZS1112BES_R1_00001 PZS113V9BES_SERIES.pdf
PZS1112BES_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 150mW; 12V; SMD; reel,tape; SOD523; single diode; 50nA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.15W
Zener voltage: 12V
Kind of package: reel; tape
Case: SOD523
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 50nA
кількість в упаковці: 30000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PZS1112BES_R1_00001 PZS113V9BES_SERIES.pdf
PZS1112BES_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 150mW; 12V; SMD; reel,tape; SOD523; single diode; 50nA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.15W
Zener voltage: 12V
Kind of package: reel; tape
Case: SOD523
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 50nA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PZS516V2BAS_R1_00001 PZS513V9BAS_SERIES.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PZS516V2BAS-R1 SMD Zener diodes
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
41+7.25 грн
284+3.78 грн
781+3.58 грн
9000+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
RB500V-40_R1_00001 RB500V-40.pdf
RB500V-40_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 45V; 0.1A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SOD323
Max. forward voltage: 0.45V
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 1µA
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
57+7.26 грн
99+3.90 грн
150+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 57
В кошику  од. на суму  грн.
RB500V-40_R1_00001 RB500V-40.pdf
RB500V-40_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 45V; 0.1A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SOD323
Max. forward voltage: 0.45V
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 1µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 499 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
35+8.71 грн
59+4.86 грн
100+3.07 грн
500+2.39 грн
564+1.90 грн
1548+1.80 грн
5000+1.78 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
RB501V-40_R1_00001 RB501V-40.pdf
RB501V-40_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 45V; 0.1A; reel,tape; 200mW
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SOD323
Max. forward voltage: 0.55V
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 10µA
Power dissipation: 0.2W
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
54+7.66 грн
88+4.36 грн
139+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 54
В кошику  од. на суму  грн.
RB501V-40_R1_00001 RB501V-40.pdf
RB501V-40_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 45V; 0.1A; reel,tape; 200mW
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SOD323
Max. forward voltage: 0.55V
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 10µA
Power dissipation: 0.2W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 270 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
33+9.19 грн
53+5.43 грн
100+3.31 грн
500+2.45 грн
646+1.66 грн
1774+1.57 грн
10000+1.50 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
RB520S30_R1_00001 RB520S30.pdf
RB520S30_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Case: SOD523
Max. off-state voltage: 30V
Max. forward voltage: 0.6V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 1A
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky switching
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4976 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
34+8.89 грн
45+6.48 грн
100+4.23 грн
452+2.38 грн
1243+2.24 грн
5000+2.17 грн
10000+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]