Продукція > PANJIT SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника PANJIT SEMICONDUCTOR (1366) > Сторінка 17 з 23

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PEC3205ES-AU_R1_007A1 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 5.5V; 5A; bidirectional; SOD523; Ch: 1
Type of diode: TVS
Capacitance: 20pF
Leakage current: 0.5µA
Number of channels: 1
Max. forward impulse current: 5A
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 5.5V
Application: automotive industry
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEC3205ES_R1_00701 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 5.5V; 5A; bidirectional; SOD523; Ch: 1
Type of diode: TVS
Capacitance: 20pF
Leakage current: 0.5µA
Number of channels: 1
Max. forward impulse current: 5A
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 5.5V
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEC3205M1Q_R1_00201 PanJit Semiconductor PEC3202M1Q Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; ESD; 5.5÷8V; bidirectional; DFN1006-2; reel,tape
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Capacitance: 20pF
Leakage current: 0.5µA
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 5.5...8V
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DFN1006-2
Version: ESD
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEC3205S1Q_R1_00001 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 5.5V; 5A; bidirectional; DFN0603-2; Ch: 1
Type of diode: TVS
Capacitance: 20pF
Leakage current: 0.5µA
Number of channels: 1
Max. forward impulse current: 5A
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 5.5V
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DFN0603-2
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEC33712C2A-AU_R1_000A1 PEC33712C2A-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 13.3V; 5A; bidirectional; SOT23; Ch: 2
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 12V
Semiconductor structure: bidirectional
Leakage current: 1µA
Case: SOT23
Type of diode: TVS
Number of channels: 2
Breakdown voltage: 13.3V
Max. forward impulse current: 5A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEC33712C2A_R1_00001 PEC33712C2A_R1_00001 PanJit Semiconductor PEC33712C2A.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.5÷13.3V; 8A; asymmetric,bidirectional; ESD
Mounting: SMD
Capacitance: 35pF
Max. off-state voltage: 7...12V
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: asymmetric; bidirectional
Leakage current: 1µA
Case: SOT23
Type of diode: TVS array
Number of channels: 2
Breakdown voltage: 7.5...13.3V
Max. forward impulse current: 8A
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEC3827CS-AU_R1_007A1 PEC3827CS-AU_R1_007A1 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 28V; 3A; bidirectional; SOD323; Ch: 1
Mounting: SMD
Case: SOD323
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 27V
Semiconductor structure: bidirectional
Leakage current: 50nA
Capacitance: 18pF
Type of diode: TVS
Number of channels: 1
Breakdown voltage: 28V
Max. forward impulse current: 3A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEC4105C2A_R1_00501 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 5.5V; 20A; bidirectional; SOT23; Ch: 2
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 5.5V
Max. forward impulse current: 20A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOT23
Mounting: SMD
Leakage current: 0.5µA
Capacitance: 80pF
Number of channels: 2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEC4105CS_R1_00701 PanJit Semiconductor PEC4102CS_SERIES.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 5.5V; 20A; bidirectional; SOD323; Ch: 1
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 5.5V
Max. forward impulse current: 20A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOD323
Mounting: SMD
Leakage current: 0.5µA
Capacitance: 80pF
Number of channels: 1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PG4007-AU_R2_100A1 PG4007-AU_R2_100A1 PanJit Semiconductor Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; Ifsm: 30A; DO41; Ufmax: 1.1V; Ir: 50uA
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Max. forward voltage: 1.1V
Leakage current: 50µA
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJ30072S6_R1_00301 PanJit Semiconductor PJ30072.pdf Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: Converter: DC/DC; Uin: 750mVDC÷5.5VDC; SOT23-6
Input voltage: 750mV DC...5.5V DC
Output current: 0.75A
Case: SOT23-6
Operating temperature: -40...85°C
Type of converter: DC/DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJ4L40W6_R1_00001 PanJit Semiconductor PJ4L40W6.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 30V; quadruple; SOT23-6L; Ch: 4
Case: SOT23-6L
Mounting: SMD
Type of diode: TVS
Number of channels: 4
Breakdown voltage: 30V
Max. off-state voltage: 30V
Semiconductor structure: quadruple
Leakage current: 2µA
Capacitance: 19pF
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA138K-AU_R1_000A1 PJA138K-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA138K-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 500mA; Idm: 1.2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 1614 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
32+14.22 грн
80+5.20 грн
112+3.69 грн
500+2.81 грн
1000+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3402_R1_00501 PJA3402_R1_00501 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.4A; Idm: 17.6A; 1.25W; SOT23
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 17.6A
Power dissipation: 1.25W
Gate charge: 11.3nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 4.4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 92mΩ
на замовлення 9005 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+9.78 грн
62+6.68 грн
100+5.00 грн
250+4.51 грн
500+4.17 грн
1000+3.98 грн
3000+3.57 грн
9000+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3403_R1_00001 PJA3403_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3403.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.1A; Idm: -12.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.1A
Pulsed drain current: -12.4A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 688 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
24+18.66 грн
35+11.80 грн
100+6.87 грн
500+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3404_R1_00501 PJA3404_R1_00501 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.6A; Idm: 22A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.6A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2839 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+32.00 грн
21+19.97 грн
100+9.00 грн
250+8.25 грн
500+7.26 грн
1000+6.44 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3406-AU_R1_000A1 PJA3406-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 1.6A; SOT23-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.6A
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: 8V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3406_R1_00001 PJA3406_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3406.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.4A; Idm: 17.6A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.4A
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 1.25W
Gate charge: 5.8nC
On-state resistance: 70mΩ
Pulsed drain current: 17.6A
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
24+18.66 грн
36+11.47 грн
100+6.12 грн
500+4.56 грн
1000+4.20 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3407E_R1_00501 PJA3407E_R1_00501 PanJit Semiconductor Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 360mA; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.36A
Case: SOT363
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3407_R1_00001 PJA3407_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3407.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.8A; Idm: -15.2A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.8A
Pulsed drain current: -15.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2364 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+29.33 грн
25+17.00 грн
100+10.56 грн
500+7.84 грн
1000+7.01 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3409_R1_00001 PJA3409_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3409.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; Idm: -11.6A; 1.25W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -11.6A
Power dissipation: 1.25W
Gate charge: 9.8nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -2.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 0.15Ω
на замовлення 2379 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
19+24.00 грн
30+13.78 грн
100+8.81 грн
500+6.67 грн
1000+5.98 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3413_R1_00001 PJA3413_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3413.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.4A; Idm: -13.6A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.4A
Pulsed drain current: -13.6A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 146mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2353 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+23.11 грн
39+10.65 грн
100+7.03 грн
500+5.33 грн
1000+4.75 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3415A-AU_R1_000A1 PJA3415A-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3415A-AU.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; Idm: -18A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 88mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -18A
Gate charge: 10nC
на замовлення 23798 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+22.22 грн
28+15.27 грн
100+8.09 грн
250+7.26 грн
500+6.77 грн
1000+6.44 грн
3000+5.78 грн
9000+5.69 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3416AE_R1_00001 PJA3416AE_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3416AE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.5A; Idm: 32A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 8.6nC
на замовлення 141 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+23.11 грн
31+13.62 грн
100+8.42 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3428_R1_00001 PJA3428_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3428.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300mA; Idm: 0.6A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 0.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 7290 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
21+21.33 грн
35+11.88 грн
100+7.41 грн
500+5.49 грн
1000+4.88 грн
3000+4.09 грн
6000+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3433_R1_00001 PJA3433_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3433.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.1A; Idm: -4.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.1A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.97Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -4.4A
Gate charge: 1.6nC
на замовлення 1973 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
23+19.55 грн
50+8.34 грн
63+6.60 грн
100+6.17 грн
500+4.94 грн
1000+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3434_R1_00001 PJA3434_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3434.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 1.5A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.75A
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3740 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
30+15.11 грн
47+8.91 грн
100+5.22 грн
500+3.70 грн
1000+3.42 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3435_R1_00001 PJA3435_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3435.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -500mA; Idm: -1A; 500mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -500mA
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -1A
Gate charge: 1.4nC
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+23.11 грн
33+12.79 грн
100+8.27 грн
500+6.20 грн
1000+5.49 грн
3000+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3436-AU_R1_000A1 PJA3436-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3436-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.2A; Idm: 4.8A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 4.8A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+22.22 грн
34+12.30 грн
100+7.63 грн
500+5.60 грн
1000+4.96 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3438-AU_R1_000A1 PJA3438-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3438-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 500mA; Idm: 1.2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+24.89 грн
28+15.02 грн
100+9.41 грн
500+6.84 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3439-AU_R1_000A1 PJA3439-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3439-AU.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -300mA; Idm: -1A; 500mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -1A
Gate charge: 1.1nC
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+26.66 грн
28+15.27 грн
100+9.23 грн
500+6.64 грн
1000+5.82 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3441-AU_R1_000A1 PJA3441-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3441-AU.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.1A; Idm: -12.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.1A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -12.4A
Gate charge: 6nC
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+41.26 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3441_R1_00501 PJA3441_R1_00501 PanJit Semiconductor Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.1A; Idm: -12.4A; 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -12.4A
Power dissipation: 1.25W
Gate charge: 6nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -3.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -40V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 108mΩ
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+27.55 грн
25+17.08 грн
100+13.04 грн
250+9.08 грн
500+8.50 грн
1000+7.84 грн
3000+7.10 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3463_R1_00001 PJA3463_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3463.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.5A; Idm: -10A; 1.25W; SOT23
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.25W
Gate charge: 10nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -2.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 0.13Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3471_R1_00501 PJA3471_R1_00501 PanJit Semiconductor Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -900mA; Idm: -3.6A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.9A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -3.6A
Gate charge: 8nC
на замовлення 20425 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+30.22 грн
26+15.93 грн
100+10.07 грн
250+8.34 грн
500+7.26 грн
1000+6.93 грн
3000+6.44 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJB100N04S-AU_R2_002A1 PJB100N04S-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJB100N04S-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 161A; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 161A
Case: TO263
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJB100N04V-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJB100N04V-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 219A; TO263AB
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 219A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 20V
Kind of package: reel; tape
Case: TO263AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJB120N03S-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJB120N03S-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 76A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 76A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJB140P04E7-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; DFN3333-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 22A
Drain-source voltage: 100V
Gate-source voltage: 20V
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Case: DFN3333-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7400_R1_00001 PJC7400_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7400.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; Idm: 7.6A; 350mW; SOT323
Mounting: SMD
Case: SOT323
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 7.6A
Drain current: 1.9A
Gate charge: 4.8nC
On-state resistance: 0.11Ω
Power dissipation: 0.35W
Gate-source voltage: ±12V
на замовлення 5345 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
56+8.00 грн
67+6.19 грн
100+5.86 грн
500+5.28 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7401_R1_00001 PJC7401_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7401.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; Idm: -6A; 350mW; SOT323
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
Pulsed drain current: -6A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2075 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+32.00 грн
23+18.16 грн
100+11.64 грн
250+9.90 грн
500+8.75 грн
1000+7.84 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7404_R1_00001 PJC7404_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7404.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT323
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 4A
Power dissipation: 0.35W
Gate charge: 1.6nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT323
On-state resistance: 0.4Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7406_R1_00001 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7409_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7409.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 39A; DFN5060-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 39A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 20V
Kind of package: reel; tape
Case: DFN5060-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7410_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7410.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 38A; DFN5060-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 38A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 20V
Kind of package: reel; tape
Case: DFN5060-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7428_R1_00001 PJC7428_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7428.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300mA; Idm: 0.6A; 350mW; SOT323
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 0.6A
Power dissipation: 0.35W
Gate charge: 0.9nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT323
On-state resistance: 4Ω
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
28+16.00 грн
47+8.91 грн
100+5.63 грн
250+4.74 грн
500+4.17 грн
1000+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7438-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 63.8A; DFN3333-8
Case: DFN3333-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: 20V
Drain current: 63.8A
Drain-source voltage: 80V
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7438_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7438.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; DFN3333-8
Case: DFN3333-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: 20V
Drain current: 55A
Drain-source voltage: 80V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7439-AU_R1_000A1 PJC7439-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJC7439-AU.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -250mA; Idm: -1A; 350mW
Mounting: SMD
Case: SOT323
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -1A
Drain current: -0.25A
Gate charge: 1.1nC
On-state resistance: 13Ω
Power dissipation: 0.35W
Gate-source voltage: ±20V
Application: automotive industry
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
28+16.00 грн
46+9.16 грн
100+5.66 грн
500+4.13 грн
1000+3.60 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7476_R1_00001 PJC7476_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7476.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300mA; Idm: 0.8A; 350mW
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Gate charge: 1.8nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT323
On-state resistance: 9Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD10P10A_L2_00601 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; TO252AA
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 10A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 20V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD11N06A-AU_L2_000A1 PJD11N06A-AU_L2_000A1 PanJit Semiconductor PJD11N06A-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; TO252AA
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 20V
Polarisation: unipolar
Drain current: 11A
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+39.99 грн
17+25.17 грн
100+22.70 грн
500+20.05 грн
1000+18.07 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD11N06A_L2_00601 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD13N10A_L2_00601 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 13A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 13A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD15P06A-AU_L2_000A1 PJD15P06A-AU_L2_000A1 PanJit Semiconductor PJD15P06A-AU Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -15A; Idm: -60A; 25W; TO252AA
Case: TO252AA
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 25W
Gate charge: 17nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -15A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Application: automotive industry
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD15P06A_L2_00601 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; TO252AA
Case: TO252AA
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain current: 15A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD16N06A-AU_L2_000A1 PanJit Semiconductor PJD16N06A-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD16N06A_L2_00601 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD16P06A_L2_00001 PJD16P06A_L2_00001 PanJit Semiconductor PJD16P06A.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -16A; Idm: -64A; 2W; TO252AA
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -16A
Power dissipation: 2W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -64A
Gate charge: 22nC
на замовлення 10428 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+47.99 грн
14+30.62 грн
100+20.88 грн
250+18.65 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD30N04S-AU_L2_002A1 PanJit Semiconductor PJD30N04S-AU Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 43A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 43A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEC3205ES-AU_R1_007A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 5.5V; 5A; bidirectional; SOD523; Ch: 1
Type of diode: TVS
Capacitance: 20pF
Leakage current: 0.5µA
Number of channels: 1
Max. forward impulse current: 5A
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 5.5V
Application: automotive industry
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEC3205ES_R1_00701
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 5.5V; 5A; bidirectional; SOD523; Ch: 1
Type of diode: TVS
Capacitance: 20pF
Leakage current: 0.5µA
Number of channels: 1
Max. forward impulse current: 5A
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 5.5V
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEC3205M1Q_R1_00201 PEC3202M1Q
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; ESD; 5.5÷8V; bidirectional; DFN1006-2; reel,tape
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Capacitance: 20pF
Leakage current: 0.5µA
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 5.5...8V
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DFN1006-2
Version: ESD
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEC3205S1Q_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 5.5V; 5A; bidirectional; DFN0603-2; Ch: 1
Type of diode: TVS
Capacitance: 20pF
Leakage current: 0.5µA
Number of channels: 1
Max. forward impulse current: 5A
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 5.5V
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DFN0603-2
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEC33712C2A-AU_R1_000A1
PEC33712C2A-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 13.3V; 5A; bidirectional; SOT23; Ch: 2
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 12V
Semiconductor structure: bidirectional
Leakage current: 1µA
Case: SOT23
Type of diode: TVS
Number of channels: 2
Breakdown voltage: 13.3V
Max. forward impulse current: 5A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEC33712C2A_R1_00001 PEC33712C2A.pdf
PEC33712C2A_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.5÷13.3V; 8A; asymmetric,bidirectional; ESD
Mounting: SMD
Capacitance: 35pF
Max. off-state voltage: 7...12V
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: asymmetric; bidirectional
Leakage current: 1µA
Case: SOT23
Type of diode: TVS array
Number of channels: 2
Breakdown voltage: 7.5...13.3V
Max. forward impulse current: 8A
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEC3827CS-AU_R1_007A1
PEC3827CS-AU_R1_007A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 28V; 3A; bidirectional; SOD323; Ch: 1
Mounting: SMD
Case: SOD323
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 27V
Semiconductor structure: bidirectional
Leakage current: 50nA
Capacitance: 18pF
Type of diode: TVS
Number of channels: 1
Breakdown voltage: 28V
Max. forward impulse current: 3A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEC4105C2A_R1_00501
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 5.5V; 20A; bidirectional; SOT23; Ch: 2
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 5.5V
Max. forward impulse current: 20A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOT23
Mounting: SMD
Leakage current: 0.5µA
Capacitance: 80pF
Number of channels: 2
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEC4105CS_R1_00701 PEC4102CS_SERIES.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 5.5V; 20A; bidirectional; SOD323; Ch: 1
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 5.5V
Max. forward impulse current: 20A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOD323
Mounting: SMD
Leakage current: 0.5µA
Capacitance: 80pF
Number of channels: 1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PG4007-AU_R2_100A1
PG4007-AU_R2_100A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; Ifsm: 30A; DO41; Ufmax: 1.1V; Ir: 50uA
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Max. forward voltage: 1.1V
Leakage current: 50µA
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJ30072S6_R1_00301 PJ30072.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: Converter: DC/DC; Uin: 750mVDC÷5.5VDC; SOT23-6
Input voltage: 750mV DC...5.5V DC
Output current: 0.75A
Case: SOT23-6
Operating temperature: -40...85°C
Type of converter: DC/DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJ4L40W6_R1_00001 PJ4L40W6.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 30V; quadruple; SOT23-6L; Ch: 4
Case: SOT23-6L
Mounting: SMD
Type of diode: TVS
Number of channels: 4
Breakdown voltage: 30V
Max. off-state voltage: 30V
Semiconductor structure: quadruple
Leakage current: 2µA
Capacitance: 19pF
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA138K-AU_R1_000A1 PJA138K-AU.pdf
PJA138K-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 500mA; Idm: 1.2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 1614 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
32+14.22 грн
80+5.20 грн
112+3.69 грн
500+2.81 грн
1000+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3402_R1_00501
PJA3402_R1_00501
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.4A; Idm: 17.6A; 1.25W; SOT23
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 17.6A
Power dissipation: 1.25W
Gate charge: 11.3nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 4.4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 92mΩ
на замовлення 9005 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
46+9.78 грн
62+6.68 грн
100+5.00 грн
250+4.51 грн
500+4.17 грн
1000+3.98 грн
3000+3.57 грн
9000+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3403_R1_00001 PJA3403.pdf
PJA3403_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.1A; Idm: -12.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.1A
Pulsed drain current: -12.4A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 688 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+18.66 грн
35+11.80 грн
100+6.87 грн
500+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3404_R1_00501
PJA3404_R1_00501
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.6A; Idm: 22A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.6A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2839 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+32.00 грн
21+19.97 грн
100+9.00 грн
250+8.25 грн
500+7.26 грн
1000+6.44 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3406-AU_R1_000A1
PJA3406-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 1.6A; SOT23-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.6A
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: 8V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3406_R1_00001 PJA3406.pdf
PJA3406_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.4A; Idm: 17.6A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.4A
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 1.25W
Gate charge: 5.8nC
On-state resistance: 70mΩ
Pulsed drain current: 17.6A
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+18.66 грн
36+11.47 грн
100+6.12 грн
500+4.56 грн
1000+4.20 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3407E_R1_00501
PJA3407E_R1_00501
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 360mA; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.36A
Case: SOT363
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3407_R1_00001 PJA3407.pdf
PJA3407_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.8A; Idm: -15.2A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.8A
Pulsed drain current: -15.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2364 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+29.33 грн
25+17.00 грн
100+10.56 грн
500+7.84 грн
1000+7.01 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3409_R1_00001 PJA3409.pdf
PJA3409_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; Idm: -11.6A; 1.25W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -11.6A
Power dissipation: 1.25W
Gate charge: 9.8nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -2.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 0.15Ω
на замовлення 2379 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+24.00 грн
30+13.78 грн
100+8.81 грн
500+6.67 грн
1000+5.98 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3413_R1_00001 PJA3413.pdf
PJA3413_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.4A; Idm: -13.6A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.4A
Pulsed drain current: -13.6A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 146mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2353 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+23.11 грн
39+10.65 грн
100+7.03 грн
500+5.33 грн
1000+4.75 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3415A-AU_R1_000A1 PJA3415A-AU.pdf
PJA3415A-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; Idm: -18A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 88mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -18A
Gate charge: 10nC
на замовлення 23798 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+22.22 грн
28+15.27 грн
100+8.09 грн
250+7.26 грн
500+6.77 грн
1000+6.44 грн
3000+5.78 грн
9000+5.69 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3416AE_R1_00001 PJA3416AE.pdf
PJA3416AE_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.5A; Idm: 32A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 8.6nC
на замовлення 141 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+23.11 грн
31+13.62 грн
100+8.42 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3428_R1_00001 PJA3428.pdf
PJA3428_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300mA; Idm: 0.6A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 0.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 7290 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
21+21.33 грн
35+11.88 грн
100+7.41 грн
500+5.49 грн
1000+4.88 грн
3000+4.09 грн
6000+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3433_R1_00001 PJA3433.pdf
PJA3433_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.1A; Idm: -4.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.1A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.97Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -4.4A
Gate charge: 1.6nC
на замовлення 1973 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+19.55 грн
50+8.34 грн
63+6.60 грн
100+6.17 грн
500+4.94 грн
1000+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3434_R1_00001 PJA3434.pdf
PJA3434_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 1.5A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.75A
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3740 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+15.11 грн
47+8.91 грн
100+5.22 грн
500+3.70 грн
1000+3.42 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3435_R1_00001 PJA3435.pdf
PJA3435_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -500mA; Idm: -1A; 500mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -500mA
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -1A
Gate charge: 1.4nC
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+23.11 грн
33+12.79 грн
100+8.27 грн
500+6.20 грн
1000+5.49 грн
3000+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3436-AU_R1_000A1 PJA3436-AU.pdf
PJA3436-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.2A; Idm: 4.8A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 4.8A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+22.22 грн
34+12.30 грн
100+7.63 грн
500+5.60 грн
1000+4.96 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3438-AU_R1_000A1 PJA3438-AU.pdf
PJA3438-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 500mA; Idm: 1.2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+24.89 грн
28+15.02 грн
100+9.41 грн
500+6.84 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3439-AU_R1_000A1 PJA3439-AU.pdf
PJA3439-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -300mA; Idm: -1A; 500mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -1A
Gate charge: 1.1nC
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+26.66 грн
28+15.27 грн
100+9.23 грн
500+6.64 грн
1000+5.82 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3441-AU_R1_000A1 PJA3441-AU.pdf
PJA3441-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.1A; Idm: -12.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.1A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -12.4A
Gate charge: 6nC
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+41.26 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3441_R1_00501
PJA3441_R1_00501
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.1A; Idm: -12.4A; 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -12.4A
Power dissipation: 1.25W
Gate charge: 6nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -3.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -40V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 108mΩ
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+27.55 грн
25+17.08 грн
100+13.04 грн
250+9.08 грн
500+8.50 грн
1000+7.84 грн
3000+7.10 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3463_R1_00001 PJA3463.pdf
PJA3463_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.5A; Idm: -10A; 1.25W; SOT23
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.25W
Gate charge: 10nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -2.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 0.13Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3471_R1_00501
PJA3471_R1_00501
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -900mA; Idm: -3.6A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.9A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -3.6A
Gate charge: 8nC
на замовлення 20425 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+30.22 грн
26+15.93 грн
100+10.07 грн
250+8.34 грн
500+7.26 грн
1000+6.93 грн
3000+6.44 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJB100N04S-AU_R2_002A1 PJB100N04S-AU.pdf
PJB100N04S-AU_R2_002A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 161A; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 161A
Case: TO263
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJB100N04V-AU_R2_002A1 PJB100N04V-AU.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 219A; TO263AB
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 219A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 20V
Kind of package: reel; tape
Case: TO263AB
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJB120N03S-AU_R2_002A1 PJB120N03S-AU.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 76A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 76A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJB140P04E7-AU_R2_002A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; DFN3333-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 22A
Drain-source voltage: 100V
Gate-source voltage: 20V
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Case: DFN3333-8
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7400_R1_00001 PJC7400.pdf
PJC7400_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; Idm: 7.6A; 350mW; SOT323
Mounting: SMD
Case: SOT323
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 7.6A
Drain current: 1.9A
Gate charge: 4.8nC
On-state resistance: 0.11Ω
Power dissipation: 0.35W
Gate-source voltage: ±12V
на замовлення 5345 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
56+8.00 грн
67+6.19 грн
100+5.86 грн
500+5.28 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7401_R1_00001 PJC7401.pdf
PJC7401_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; Idm: -6A; 350mW; SOT323
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
Pulsed drain current: -6A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2075 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+32.00 грн
23+18.16 грн
100+11.64 грн
250+9.90 грн
500+8.75 грн
1000+7.84 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7404_R1_00001 PJC7404.pdf
PJC7404_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT323
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 4A
Power dissipation: 0.35W
Gate charge: 1.6nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT323
On-state resistance: 0.4Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7406_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7409_R1_00001 PJC7409.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 39A; DFN5060-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 39A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 20V
Kind of package: reel; tape
Case: DFN5060-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7410_R1_00001 PJC7410.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 38A; DFN5060-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 38A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 20V
Kind of package: reel; tape
Case: DFN5060-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7428_R1_00001 PJC7428.pdf
PJC7428_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300mA; Idm: 0.6A; 350mW; SOT323
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 0.6A
Power dissipation: 0.35W
Gate charge: 0.9nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT323
On-state resistance: 4Ω
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
28+16.00 грн
47+8.91 грн
100+5.63 грн
250+4.74 грн
500+4.17 грн
1000+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7438-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 63.8A; DFN3333-8
Case: DFN3333-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: 20V
Drain current: 63.8A
Drain-source voltage: 80V
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7438_R1_00001 PJC7438.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; DFN3333-8
Case: DFN3333-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: 20V
Drain current: 55A
Drain-source voltage: 80V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7439-AU_R1_000A1 PJC7439-AU.pdf
PJC7439-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -250mA; Idm: -1A; 350mW
Mounting: SMD
Case: SOT323
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -1A
Drain current: -0.25A
Gate charge: 1.1nC
On-state resistance: 13Ω
Power dissipation: 0.35W
Gate-source voltage: ±20V
Application: automotive industry
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
28+16.00 грн
46+9.16 грн
100+5.66 грн
500+4.13 грн
1000+3.60 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7476_R1_00001 PJC7476.pdf
PJC7476_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300mA; Idm: 0.8A; 350mW
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Gate charge: 1.8nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT323
On-state resistance: 9Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD10P10A_L2_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; TO252AA
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 10A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 20V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD11N06A-AU_L2_000A1 PJD11N06A-AU.pdf
PJD11N06A-AU_L2_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; TO252AA
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 20V
Polarisation: unipolar
Drain current: 11A
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+39.99 грн
17+25.17 грн
100+22.70 грн
500+20.05 грн
1000+18.07 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD11N06A_L2_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD13N10A_L2_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 13A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 13A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD15P06A-AU_L2_000A1 PJD15P06A-AU
PJD15P06A-AU_L2_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -15A; Idm: -60A; 25W; TO252AA
Case: TO252AA
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 25W
Gate charge: 17nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -15A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Application: automotive industry
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD15P06A_L2_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; TO252AA
Case: TO252AA
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain current: 15A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD16N06A-AU_L2_000A1 PJD16N06A-AU.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD16N06A_L2_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD16P06A_L2_00001 PJD16P06A.pdf
PJD16P06A_L2_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -16A; Idm: -64A; 2W; TO252AA
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -16A
Power dissipation: 2W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -64A
Gate charge: 22nC
на замовлення 10428 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+47.99 грн
14+30.62 грн
100+20.88 грн
250+18.65 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD30N04S-AU_L2_002A1 PJD30N04S-AU
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 43A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 43A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.