Продукція > PANJIT SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника PANJIT SEMICONDUCTOR (1202) > Сторінка 12 з 21
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
PCDF0865G1_T0_00601 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; ITO220AC; Ir: 60uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Case: ITO220AC Kind of package: tube Max. load current: 28A Max. forward voltage: 1.8V Max. forward impulse current: 0.48kA Leakage current: 60µA Power dissipation: 78.1W кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PCDF0865G1_T0_00601 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; ITO220AC; Ir: 60uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Case: ITO220AC Kind of package: tube Max. load current: 28A Max. forward voltage: 1.8V Max. forward impulse current: 0.48kA Leakage current: 60µA Power dissipation: 78.1W |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PCDF1065G1_T0_00601 | PanJit Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
PCDH20120CCG1_T0_00601 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; 167.8W Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO247-3 Max. load current: 52A Max. forward impulse current: 720A Leakage current: 0.1mA Kind of package: tube Power dissipation: 167.8W Max. forward voltage: 2V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
PCDH20120CCG1_T0_00601 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; 167.8W Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO247-3 Max. load current: 52A Max. forward impulse current: 720A Leakage current: 0.1mA Kind of package: tube Power dissipation: 167.8W Max. forward voltage: 2V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
PCDH20120CCGB_T0_00601 | PanJit Semiconductor |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; 209W Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO247-3 Max. load current: 72A Max. forward impulse current: 0.92kA Leakage current: 0.1mA Kind of package: tube Power dissipation: 209W Max. forward voltage: 1.9V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PCDH20120CCGB_T0_00601 | PanJit Semiconductor |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; 209W Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO247-3 Max. load current: 72A Max. forward impulse current: 0.92kA Leakage current: 0.1mA Kind of package: tube Power dissipation: 209W Max. forward voltage: 1.9V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
PCDH2065CCG1_T0_00601 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; Ir: 70uA Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Max. load current: 40A Max. forward voltage: 1.8V Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Max. forward impulse current: 0.64kA Leakage current: 70µA Power dissipation: 98W Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Case: TO247-3 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PCDH2065CCG1_T0_00601 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; Ir: 70uA Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Max. load current: 40A Max. forward voltage: 1.8V Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Max. forward impulse current: 0.64kA Leakage current: 70µA Power dissipation: 98W Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Case: TO247-3 |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
PCDH2065CCGB_T0_00601 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; 138W Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Max. load current: 48A Max. forward voltage: 1.4V Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Max. forward impulse current: 704A Leakage current: 0.1mA Power dissipation: 138W Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Case: TO247-3 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PCDH2065CCGB_T0_00601 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; 138W Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Max. load current: 48A Max. forward voltage: 1.4V Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Max. forward impulse current: 704A Leakage current: 0.1mA Power dissipation: 138W Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Case: TO247-3 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PCDH2065CCGC_T0_00601 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; 90W Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Max. load current: 28A Max. forward voltage: 1.8V Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Max. forward impulse current: 384A Leakage current: 0.1mA Power dissipation: 90W Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Case: TO247-3 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PCDH2065CCGC_T0_00601 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; 90W Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Max. load current: 28A Max. forward voltage: 1.8V Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Max. forward impulse current: 384A Leakage current: 0.1mA Power dissipation: 90W Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Case: TO247-3 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PCDH30120CCG1_T0_00601 | PanJit Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PCDH30120CCGB_T0_00601 | PanJit Semiconductor | PCDH30120CCGB-T0 THT Schottky diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PCDH3065CCG1_T0_00601 | PanJit Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PCDH3065CCGB_T0_00601 | PanJit Semiconductor | PCDH3065CCGB-T0 THT Schottky diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PCDH3065CCGC_T0_00601 | PanJit Semiconductor | PCDH3065CCGC-T0 THT Schottky diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PCDH40120CCG1_T0_00601 | PanJit Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PCDH40120CCGB_T0_00601 | PanJit Semiconductor | PCDH40120CCGB-T0 THT Schottky diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PCDH4065CCG1_T0_00601 | PanJit Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PCDH4065CCGB_T0_00601 | PanJit Semiconductor | PCDH4065CCGB-T0 THT Schottky diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PCDH4065CCGC_T0_00601 | PanJit Semiconductor | PCDH4065CCGC-T0 THT Schottky diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PCDP0465G1_T0_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PCDP05120G1_T0_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PCDP0665G1_T0_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PCDP08120G1_T0_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PCDP0865G1_T0_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PCDP10120G1_T0_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PCDP1065G1_T0_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PCDP1265G1_T0_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
PCDP15120G1_T0_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15A; TO220AC; Ufmax: 2V Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 880A Leakage current: 140µA Power dissipation: 223.9W Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Case: TO220AC Max. off-state voltage: 1.2kV Max. load current: 120A Max. forward voltage: 2V Load current: 15A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
PCDP15120G1_T0_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15A; TO220AC; Ufmax: 2V Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 880A Leakage current: 140µA Power dissipation: 223.9W Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Case: TO220AC Max. off-state voltage: 1.2kV Max. load current: 120A Max. forward voltage: 2V Load current: 15A |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
PCDP1665G1_T0_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PCDP20120G1_T0_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PCDP2065G1_T0_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
PDZ5.1B-AU_R1_000A1 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Diode: Zener; 400mW; 5.1V; SMD; reel,tape; SOD323; single diode Type of diode: Zener Power dissipation: 0.4W Zener voltage: 5.1V Kind of package: reel; tape Case: SOD323 Mounting: SMD Tolerance: ±2% Semiconductor structure: single diode Leakage current: 0.75µA Application: automotive industry |
на замовлення 4990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PDZ5.1B-AU_R1_000A1 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Diode: Zener; 400mW; 5.1V; SMD; reel,tape; SOD323; single diode Type of diode: Zener Power dissipation: 0.4W Zener voltage: 5.1V Kind of package: reel; tape Case: SOD323 Mounting: SMD Tolerance: ±2% Semiconductor structure: single diode Leakage current: 0.75µA Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4990 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
PE1403M1Q_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
PE1805C4A6_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Diode: TVS array; 6÷9V; 5A; unidirectional; SOT23-6; reel,tape; ESD Max. off-state voltage: 5V Semiconductor structure: unidirectional Max. forward impulse current: 5A Breakdown voltage: 6...9V Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape Type of diode: TVS array Version: ESD Mounting: SMD Case: SOT23-6 Capacitance: 0.8pF кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8550 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PE1805C4A6_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Diode: TVS array; 6÷9V; 5A; unidirectional; SOT23-6; reel,tape; ESD Max. off-state voltage: 5V Semiconductor structure: unidirectional Max. forward impulse current: 5A Breakdown voltage: 6...9V Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape Type of diode: TVS array Version: ESD Mounting: SMD Case: SOT23-6 Capacitance: 0.8pF |
на замовлення 8550 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PE1805C4C6_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Diode: TVS array; 6÷9V; 5A; unidirectional; SOT363; reel,tape; ESD Max. off-state voltage: 5V Semiconductor structure: unidirectional Max. forward impulse current: 5A Breakdown voltage: 6...9V Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape Type of diode: TVS array Version: ESD Mounting: SMD Case: SOT363 Capacitance: 0.8pF кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2980 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PE1805C4C6_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Diode: TVS array; 6÷9V; 5A; unidirectional; SOT363; reel,tape; ESD Max. off-state voltage: 5V Semiconductor structure: unidirectional Max. forward impulse current: 5A Breakdown voltage: 6...9V Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape Type of diode: TVS array Version: ESD Mounting: SMD Case: SOT363 Capacitance: 0.8pF |
на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PE4105C1ES_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
Category: Protection diodes - arrays Description: Diode: TVS array; 6÷7.5V; 13A; unidirectional; SOD523; reel,tape Case: SOD523 Capacitance: 120pF Max. off-state voltage: 5V Semiconductor structure: unidirectional Max. forward impulse current: 13A Breakdown voltage: 6...7.5V Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape Type of diode: TVS array Version: ESD Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4200 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PE4105C1ES_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
Category: Protection diodes - arrays Description: Diode: TVS array; 6÷7.5V; 13A; unidirectional; SOD523; reel,tape Case: SOD523 Capacitance: 120pF Max. off-state voltage: 5V Semiconductor structure: unidirectional Max. forward impulse current: 13A Breakdown voltage: 6...7.5V Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape Type of diode: TVS array Version: ESD Mounting: SMD |
на замовлення 4200 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
PEC11SD03M1Q_R1_00501 | PanJit Semiconductor |
Category: Bidirectional TVS SMD diodes Description: Diode: TVS; 5.5V; 3.5A; bidirectional; DFN1006-2; reel,tape; ESD Type of diode: TVS Max. off-state voltage: 3V Breakdown voltage: 5.5V Max. forward impulse current: 3.5A Semiconductor structure: bidirectional Case: DFN1006-2 Mounting: SMD Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape Capacitance: 0.19pF Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PEC11SD03M1Q_R1_00501 | PanJit Semiconductor |
Category: Bidirectional TVS SMD diodes Description: Diode: TVS; 5.5V; 3.5A; bidirectional; DFN1006-2; reel,tape; ESD Type of diode: TVS Max. off-state voltage: 3V Breakdown voltage: 5.5V Max. forward impulse current: 3.5A Semiconductor structure: bidirectional Case: DFN1006-2 Mounting: SMD Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape Capacitance: 0.19pF Version: ESD |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
PEC1605M1Q_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Diode: TVS; 6.8÷11.2V; bidirectional; DFN1006-2; reel,tape; ESD Capacitance: 0.6pF Mounting: SMD Breakdown voltage: 6.8...11.2V Leakage current: 75nA Kind of package: reel; tape Type of diode: TVS Version: ESD Case: DFN1006-2 Max. off-state voltage: 5.5V Semiconductor structure: bidirectional кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
PEC1605M1Q_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Diode: TVS; 6.8÷11.2V; bidirectional; DFN1006-2; reel,tape; ESD Capacitance: 0.6pF Mounting: SMD Breakdown voltage: 6.8...11.2V Leakage current: 75nA Kind of package: reel; tape Type of diode: TVS Version: ESD Case: DFN1006-2 Max. off-state voltage: 5.5V Semiconductor structure: bidirectional |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
PEC3202M1Q_R1_00201 | PanJit Semiconductor | PEC3202M1Q-R1 Bidirectional TVS SMD diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PEC3205M1Q_R1_00201 | PanJit Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PEC3324C2A-AU_R1_000A1 | PanJit Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
PEC33712C2A_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Diode: TVS array; 7.5÷13.3V; 8A; asymmetric,bidirectional; SOT23 Mounting: SMD Capacitance: 35pF Kind of package: reel; tape Type of diode: TVS array Version: ESD Case: SOT23 Max. off-state voltage: 7...12V Semiconductor structure: asymmetric; bidirectional Max. forward impulse current: 8A Breakdown voltage: 7.5...13.3V Leakage current: 1µA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1455 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PEC33712C2A_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Diode: TVS array; 7.5÷13.3V; 8A; asymmetric,bidirectional; SOT23 Mounting: SMD Capacitance: 35pF Kind of package: reel; tape Type of diode: TVS array Version: ESD Case: SOT23 Max. off-state voltage: 7...12V Semiconductor structure: asymmetric; bidirectional Max. forward impulse current: 8A Breakdown voltage: 7.5...13.3V Leakage current: 1µA |
на замовлення 1455 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
PG4007-AU_R2_100A1 | PanJit Semiconductor | PG4007-AU-R2 THT universal diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PJA138K-AU_R1_000A1 | PanJit Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2840 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
PJA138K-AU_R2_000A1 | PanJit Semiconductor | PJA138K-AU-R2 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PJA138K_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PJA3400_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2717 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
PJA3401A_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -14.4A; 1.25W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -3.6A Pulsed drain current: -14.4A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 86mΩ Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1904 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
PCDF0865G1_T0_00601 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; ITO220AC; Ir: 60uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: ITO220AC
Kind of package: tube
Max. load current: 28A
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 0.48kA
Leakage current: 60µA
Power dissipation: 78.1W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; ITO220AC; Ir: 60uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: ITO220AC
Kind of package: tube
Max. load current: 28A
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 0.48kA
Leakage current: 60µA
Power dissipation: 78.1W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PCDF0865G1_T0_00601 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; ITO220AC; Ir: 60uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: ITO220AC
Kind of package: tube
Max. load current: 28A
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 0.48kA
Leakage current: 60µA
Power dissipation: 78.1W
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; ITO220AC; Ir: 60uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: ITO220AC
Kind of package: tube
Max. load current: 28A
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 0.48kA
Leakage current: 60µA
Power dissipation: 78.1W
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PCDF1065G1_T0_00601 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PCDF1065G1-T0 THT Schottky diodes
PCDF1065G1-T0 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PCDH20120CCG1_T0_00601 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; 167.8W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. load current: 52A
Max. forward impulse current: 720A
Leakage current: 0.1mA
Kind of package: tube
Power dissipation: 167.8W
Max. forward voltage: 2V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; 167.8W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. load current: 52A
Max. forward impulse current: 720A
Leakage current: 0.1mA
Kind of package: tube
Power dissipation: 167.8W
Max. forward voltage: 2V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PCDH20120CCG1_T0_00601 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; 167.8W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. load current: 52A
Max. forward impulse current: 720A
Leakage current: 0.1mA
Kind of package: tube
Power dissipation: 167.8W
Max. forward voltage: 2V
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; 167.8W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. load current: 52A
Max. forward impulse current: 720A
Leakage current: 0.1mA
Kind of package: tube
Power dissipation: 167.8W
Max. forward voltage: 2V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PCDH20120CCGB_T0_00601 |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; 209W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. load current: 72A
Max. forward impulse current: 0.92kA
Leakage current: 0.1mA
Kind of package: tube
Power dissipation: 209W
Max. forward voltage: 1.9V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; 209W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. load current: 72A
Max. forward impulse current: 0.92kA
Leakage current: 0.1mA
Kind of package: tube
Power dissipation: 209W
Max. forward voltage: 1.9V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PCDH20120CCGB_T0_00601 |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; 209W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. load current: 72A
Max. forward impulse current: 0.92kA
Leakage current: 0.1mA
Kind of package: tube
Power dissipation: 209W
Max. forward voltage: 1.9V
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; 209W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. load current: 72A
Max. forward impulse current: 0.92kA
Leakage current: 0.1mA
Kind of package: tube
Power dissipation: 209W
Max. forward voltage: 1.9V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PCDH2065CCG1_T0_00601 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; Ir: 70uA
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 40A
Max. forward voltage: 1.8V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 0.64kA
Leakage current: 70µA
Power dissipation: 98W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; Ir: 70uA
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 40A
Max. forward voltage: 1.8V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 0.64kA
Leakage current: 70µA
Power dissipation: 98W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 430.84 грн |
4+ | 318.57 грн |
10+ | 289.73 грн |
150+ | 286.14 грн |
600+ | 278.97 грн |
PCDH2065CCG1_T0_00601 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; Ir: 70uA
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 40A
Max. forward voltage: 1.8V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 0.64kA
Leakage current: 70µA
Power dissipation: 98W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; Ir: 70uA
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 40A
Max. forward voltage: 1.8V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 0.64kA
Leakage current: 70µA
Power dissipation: 98W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 359.03 грн |
4+ | 255.64 грн |
10+ | 241.44 грн |
PCDH2065CCGB_T0_00601 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; 138W
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 48A
Max. forward voltage: 1.4V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 704A
Leakage current: 0.1mA
Power dissipation: 138W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; 138W
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 48A
Max. forward voltage: 1.4V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 704A
Leakage current: 0.1mA
Power dissipation: 138W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PCDH2065CCGB_T0_00601 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; 138W
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 48A
Max. forward voltage: 1.4V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 704A
Leakage current: 0.1mA
Power dissipation: 138W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; 138W
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 48A
Max. forward voltage: 1.4V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 704A
Leakage current: 0.1mA
Power dissipation: 138W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PCDH2065CCGC_T0_00601 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; 90W
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 28A
Max. forward voltage: 1.8V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 384A
Leakage current: 0.1mA
Power dissipation: 90W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; 90W
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 28A
Max. forward voltage: 1.8V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 384A
Leakage current: 0.1mA
Power dissipation: 90W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PCDH2065CCGC_T0_00601 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; 90W
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 28A
Max. forward voltage: 1.8V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 384A
Leakage current: 0.1mA
Power dissipation: 90W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; 90W
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 28A
Max. forward voltage: 1.8V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 384A
Leakage current: 0.1mA
Power dissipation: 90W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PCDH30120CCG1_T0_00601 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PCDH30120CCG1-T0 THT Schottky diodes
PCDH30120CCG1-T0 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PCDH30120CCGB_T0_00601 |
Виробник: PanJit Semiconductor
PCDH30120CCGB-T0 THT Schottky diodes
PCDH30120CCGB-T0 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PCDH3065CCG1_T0_00601 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PCDH3065CCG1-T0 THT Schottky diodes
PCDH3065CCG1-T0 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PCDH3065CCGB_T0_00601 |
Виробник: PanJit Semiconductor
PCDH3065CCGB-T0 THT Schottky diodes
PCDH3065CCGB-T0 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PCDH3065CCGC_T0_00601 |
Виробник: PanJit Semiconductor
PCDH3065CCGC-T0 THT Schottky diodes
PCDH3065CCGC-T0 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PCDH40120CCG1_T0_00601 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PCDH40120CCG1-T0 THT Schottky diodes
PCDH40120CCG1-T0 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PCDH40120CCGB_T0_00601 |
Виробник: PanJit Semiconductor
PCDH40120CCGB-T0 THT Schottky diodes
PCDH40120CCGB-T0 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PCDH4065CCG1_T0_00601 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PCDH4065CCG1-T0 THT Schottky diodes
PCDH4065CCG1-T0 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PCDH4065CCGB_T0_00601 |
Виробник: PanJit Semiconductor
PCDH4065CCGB-T0 THT Schottky diodes
PCDH4065CCGB-T0 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PCDH4065CCGC_T0_00601 |
Виробник: PanJit Semiconductor
PCDH4065CCGC-T0 THT Schottky diodes
PCDH4065CCGC-T0 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PCDP0465G1_T0_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PCDP0465G1-T0 THT Schottky diodes
PCDP0465G1-T0 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PCDP05120G1_T0_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PCDP05120G1-T0 THT Schottky diodes
PCDP05120G1-T0 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PCDP0665G1_T0_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PCDP0665G1-T0 THT Schottky diodes
PCDP0665G1-T0 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PCDP08120G1_T0_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PCDP08120G1-T0 THT Schottky diodes
PCDP08120G1-T0 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PCDP0865G1_T0_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PCDP0865G1-T0 THT Schottky diodes
PCDP0865G1-T0 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PCDP10120G1_T0_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PCDP10120G1-T0 THT Schottky diodes
PCDP10120G1-T0 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PCDP1065G1_T0_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PCDP1065G1-T0 THT Schottky diodes
PCDP1065G1-T0 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PCDP1265G1_T0_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PCDP1265G1-T0 THT Schottky diodes
PCDP1265G1-T0 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PCDP15120G1_T0_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15A; TO220AC; Ufmax: 2V
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 880A
Leakage current: 140µA
Power dissipation: 223.9W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO220AC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 120A
Max. forward voltage: 2V
Load current: 15A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15A; TO220AC; Ufmax: 2V
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 880A
Leakage current: 140µA
Power dissipation: 223.9W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO220AC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 120A
Max. forward voltage: 2V
Load current: 15A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PCDP15120G1_T0_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15A; TO220AC; Ufmax: 2V
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 880A
Leakage current: 140µA
Power dissipation: 223.9W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO220AC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 120A
Max. forward voltage: 2V
Load current: 15A
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15A; TO220AC; Ufmax: 2V
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 880A
Leakage current: 140µA
Power dissipation: 223.9W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO220AC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 120A
Max. forward voltage: 2V
Load current: 15A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PCDP1665G1_T0_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PCDP1665G1-T0 THT Schottky diodes
PCDP1665G1-T0 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PCDP20120G1_T0_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PCDP20120G1-T0 THT Schottky diodes
PCDP20120G1-T0 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PCDP2065G1_T0_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PCDP2065G1-T0 THT Schottky diodes
PCDP2065G1-T0 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PDZ5.1B-AU_R1_000A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 400mW; 5.1V; SMD; reel,tape; SOD323; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.4W
Zener voltage: 5.1V
Kind of package: reel; tape
Case: SOD323
Mounting: SMD
Tolerance: ±2%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.75µA
Application: automotive industry
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 400mW; 5.1V; SMD; reel,tape; SOD323; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.4W
Zener voltage: 5.1V
Kind of package: reel; tape
Case: SOD323
Mounting: SMD
Tolerance: ±2%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.75µA
Application: automotive industry
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
42+ | 9.66 грн |
57+ | 6.65 грн |
124+ | 3.02 грн |
390+ | 2.24 грн |
1072+ | 2.12 грн |
PDZ5.1B-AU_R1_000A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 400mW; 5.1V; SMD; reel,tape; SOD323; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.4W
Zener voltage: 5.1V
Kind of package: reel; tape
Case: SOD323
Mounting: SMD
Tolerance: ±2%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.75µA
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 400mW; 5.1V; SMD; reel,tape; SOD323; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.4W
Zener voltage: 5.1V
Kind of package: reel; tape
Case: SOD323
Mounting: SMD
Tolerance: ±2%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.75µA
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 11.59 грн |
34+ | 8.29 грн |
100+ | 3.62 грн |
390+ | 2.69 грн |
1072+ | 2.55 грн |
10000+ | 2.54 грн |
15000+ | 2.51 грн |
PE1403M1Q_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PE1403M1Q-R1 Protection diodes - arrays
PE1403M1Q-R1 Protection diodes - arrays
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PE1805C4A6_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6÷9V; 5A; unidirectional; SOT23-6; reel,tape; ESD
Max. off-state voltage: 5V
Semiconductor structure: unidirectional
Max. forward impulse current: 5A
Breakdown voltage: 6...9V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Version: ESD
Mounting: SMD
Case: SOT23-6
Capacitance: 0.8pF
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6÷9V; 5A; unidirectional; SOT23-6; reel,tape; ESD
Max. off-state voltage: 5V
Semiconductor structure: unidirectional
Max. forward impulse current: 5A
Breakdown voltage: 6...9V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Version: ESD
Mounting: SMD
Case: SOT23-6
Capacitance: 0.8pF
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8550 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
19+ | 15.46 грн |
27+ | 10.62 грн |
100+ | 6.99 грн |
195+ | 5.44 грн |
500+ | 5.30 грн |
534+ | 5.14 грн |
1000+ | 4.94 грн |
PE1805C4A6_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6÷9V; 5A; unidirectional; SOT23-6; reel,tape; ESD
Max. off-state voltage: 5V
Semiconductor structure: unidirectional
Max. forward impulse current: 5A
Breakdown voltage: 6...9V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Version: ESD
Mounting: SMD
Case: SOT23-6
Capacitance: 0.8pF
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6÷9V; 5A; unidirectional; SOT23-6; reel,tape; ESD
Max. off-state voltage: 5V
Semiconductor structure: unidirectional
Max. forward impulse current: 5A
Breakdown voltage: 6...9V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Version: ESD
Mounting: SMD
Case: SOT23-6
Capacitance: 0.8pF
на замовлення 8550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
32+ | 12.88 грн |
44+ | 8.52 грн |
100+ | 5.82 грн |
195+ | 4.53 грн |
500+ | 4.42 грн |
534+ | 4.28 грн |
1000+ | 4.12 грн |
PE1805C4C6_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6÷9V; 5A; unidirectional; SOT363; reel,tape; ESD
Max. off-state voltage: 5V
Semiconductor structure: unidirectional
Max. forward impulse current: 5A
Breakdown voltage: 6...9V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Version: ESD
Mounting: SMD
Case: SOT363
Capacitance: 0.8pF
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6÷9V; 5A; unidirectional; SOT363; reel,tape; ESD
Max. off-state voltage: 5V
Semiconductor structure: unidirectional
Max. forward impulse current: 5A
Breakdown voltage: 6...9V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Version: ESD
Mounting: SMD
Case: SOT363
Capacitance: 0.8pF
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
19+ | 15.46 грн |
31+ | 9.04 грн |
100+ | 6.10 грн |
232+ | 4.55 грн |
638+ | 4.30 грн |
3000+ | 4.18 грн |
6000+ | 4.14 грн |
PE1805C4C6_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6÷9V; 5A; unidirectional; SOT363; reel,tape; ESD
Max. off-state voltage: 5V
Semiconductor structure: unidirectional
Max. forward impulse current: 5A
Breakdown voltage: 6...9V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Version: ESD
Mounting: SMD
Case: SOT363
Capacitance: 0.8pF
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6÷9V; 5A; unidirectional; SOT363; reel,tape; ESD
Max. off-state voltage: 5V
Semiconductor structure: unidirectional
Max. forward impulse current: 5A
Breakdown voltage: 6...9V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Version: ESD
Mounting: SMD
Case: SOT363
Capacitance: 0.8pF
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
32+ | 12.88 грн |
52+ | 7.25 грн |
100+ | 5.08 грн |
232+ | 3.79 грн |
638+ | 3.58 грн |
PE4105C1ES_R1_00001 |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6÷7.5V; 13A; unidirectional; SOD523; reel,tape
Case: SOD523
Capacitance: 120pF
Max. off-state voltage: 5V
Semiconductor structure: unidirectional
Max. forward impulse current: 13A
Breakdown voltage: 6...7.5V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Version: ESD
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6÷7.5V; 13A; unidirectional; SOD523; reel,tape
Case: SOD523
Capacitance: 120pF
Max. off-state voltage: 5V
Semiconductor structure: unidirectional
Max. forward impulse current: 13A
Breakdown voltage: 6...7.5V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Version: ESD
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
72+ | 4.03 грн |
108+ | 2.61 грн |
127+ | 2.13 грн |
250+ | 1.92 грн |
500+ | 1.78 грн |
674+ | 1.60 грн |
1852+ | 1.51 грн |
PE4105C1ES_R1_00001 |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6÷7.5V; 13A; unidirectional; SOD523; reel,tape
Case: SOD523
Capacitance: 120pF
Max. off-state voltage: 5V
Semiconductor structure: unidirectional
Max. forward impulse current: 13A
Breakdown voltage: 6...7.5V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Version: ESD
Mounting: SMD
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6÷7.5V; 13A; unidirectional; SOD523; reel,tape
Case: SOD523
Capacitance: 120pF
Max. off-state voltage: 5V
Semiconductor structure: unidirectional
Max. forward impulse current: 13A
Breakdown voltage: 6...7.5V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Version: ESD
Mounting: SMD
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
120+ | 3.36 грн |
179+ | 2.09 грн |
211+ | 1.77 грн |
250+ | 1.60 грн |
500+ | 1.48 грн |
674+ | 1.33 грн |
1852+ | 1.26 грн |
PEC11SD03M1Q_R1_00501 |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 5.5V; 3.5A; bidirectional; DFN1006-2; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 3V
Breakdown voltage: 5.5V
Max. forward impulse current: 3.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DFN1006-2
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 0.19pF
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 5.5V; 3.5A; bidirectional; DFN1006-2; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 3V
Breakdown voltage: 5.5V
Max. forward impulse current: 3.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DFN1006-2
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 0.19pF
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PEC11SD03M1Q_R1_00501 |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 5.5V; 3.5A; bidirectional; DFN1006-2; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 3V
Breakdown voltage: 5.5V
Max. forward impulse current: 3.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DFN1006-2
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 0.19pF
Version: ESD
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 5.5V; 3.5A; bidirectional; DFN1006-2; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 3V
Breakdown voltage: 5.5V
Max. forward impulse current: 3.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DFN1006-2
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 0.19pF
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PEC1605M1Q_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 6.8÷11.2V; bidirectional; DFN1006-2; reel,tape; ESD
Capacitance: 0.6pF
Mounting: SMD
Breakdown voltage: 6.8...11.2V
Leakage current: 75nA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Version: ESD
Case: DFN1006-2
Max. off-state voltage: 5.5V
Semiconductor structure: bidirectional
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 6.8÷11.2V; bidirectional; DFN1006-2; reel,tape; ESD
Capacitance: 0.6pF
Mounting: SMD
Breakdown voltage: 6.8...11.2V
Leakage current: 75nA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Version: ESD
Case: DFN1006-2
Max. off-state voltage: 5.5V
Semiconductor structure: bidirectional
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PEC1605M1Q_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 6.8÷11.2V; bidirectional; DFN1006-2; reel,tape; ESD
Capacitance: 0.6pF
Mounting: SMD
Breakdown voltage: 6.8...11.2V
Leakage current: 75nA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Version: ESD
Case: DFN1006-2
Max. off-state voltage: 5.5V
Semiconductor structure: bidirectional
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 6.8÷11.2V; bidirectional; DFN1006-2; reel,tape; ESD
Capacitance: 0.6pF
Mounting: SMD
Breakdown voltage: 6.8...11.2V
Leakage current: 75nA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Version: ESD
Case: DFN1006-2
Max. off-state voltage: 5.5V
Semiconductor structure: bidirectional
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PEC3202M1Q_R1_00201 |
Виробник: PanJit Semiconductor
PEC3202M1Q-R1 Bidirectional TVS SMD diodes
PEC3202M1Q-R1 Bidirectional TVS SMD diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PEC3205M1Q_R1_00201 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PEC3205M1Q-R1 Bidirectional TVS SMD diodes
PEC3205M1Q-R1 Bidirectional TVS SMD diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PEC3324C2A-AU_R1_000A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PEC3324C2A-AU-R1 Protection diodes - arrays
PEC3324C2A-AU-R1 Protection diodes - arrays
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 27.05 грн |
133+ | 7.89 грн |
364+ | 7.53 грн |
PEC33712C2A_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.5÷13.3V; 8A; asymmetric,bidirectional; SOT23
Mounting: SMD
Capacitance: 35pF
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Version: ESD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 7...12V
Semiconductor structure: asymmetric; bidirectional
Max. forward impulse current: 8A
Breakdown voltage: 7.5...13.3V
Leakage current: 1µA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.5÷13.3V; 8A; asymmetric,bidirectional; SOT23
Mounting: SMD
Capacitance: 35pF
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Version: ESD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 7...12V
Semiconductor structure: asymmetric; bidirectional
Max. forward impulse current: 8A
Breakdown voltage: 7.5...13.3V
Leakage current: 1µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1455 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
22+ | 13.52 грн |
33+ | 8.57 грн |
100+ | 7.45 грн |
170+ | 6.19 грн |
466+ | 5.83 грн |
1000+ | 5.56 грн |
PEC33712C2A_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.5÷13.3V; 8A; asymmetric,bidirectional; SOT23
Mounting: SMD
Capacitance: 35pF
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Version: ESD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 7...12V
Semiconductor structure: asymmetric; bidirectional
Max. forward impulse current: 8A
Breakdown voltage: 7.5...13.3V
Leakage current: 1µA
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.5÷13.3V; 8A; asymmetric,bidirectional; SOT23
Mounting: SMD
Capacitance: 35pF
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Version: ESD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 7...12V
Semiconductor structure: asymmetric; bidirectional
Max. forward impulse current: 8A
Breakdown voltage: 7.5...13.3V
Leakage current: 1µA
на замовлення 1455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
36+ | 11.27 грн |
55+ | 6.88 грн |
100+ | 6.20 грн |
170+ | 5.16 грн |
466+ | 4.86 грн |
1000+ | 4.63 грн |
PG4007-AU_R2_100A1 |
Виробник: PanJit Semiconductor
PG4007-AU-R2 THT universal diodes
PG4007-AU-R2 THT universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJA138K-AU_R1_000A1 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJA138K-AU-R1 SMD N channel transistors
PJA138K-AU-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
17+ | 17.39 грн |
490+ | 2.14 грн |
1345+ | 2.03 грн |
PJA138K-AU_R2_000A1 |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJA138K-AU-R2 SMD N channel transistors
PJA138K-AU-R2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJA138K_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJA138K-R1 SMD N channel transistors
PJA138K-R1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PJA3400_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJA3400-R1 SMD N channel transistors
PJA3400-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 2717 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 29.95 грн |
190+ | 5.55 грн |
521+ | 5.25 грн |
PJA3401A_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -14.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -14.4A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 86mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -14.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -14.4A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 86mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1904 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 14.49 грн |
29+ | 9.78 грн |
100+ | 7.36 грн |
204+ | 5.15 грн |
561+ | 4.86 грн |
3000+ | 4.67 грн |