Продукція > PANJIT SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника PANJIT SEMICONDUCTOR (855) > Сторінка 12 з 15

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJQ4435EP_R2_00201 PanJit Semiconductor PJQ4435EP.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -41A; Idm: -138A; 13.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -41A
Pulsed drain current: -138A
Power dissipation: 13.5W
Case: DFN3333-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4439EP_R2_00201 PanJit Semiconductor PJQ4439EP.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -30A; Idm: -90A; 10W
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Case: DFN3333-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Pulsed drain current: -90A
Drain current: -30A
Drain-source voltage: -30V
Gate charge: 22nC
On-state resistance: 19.1mΩ
Power dissipation: 10W
Gate-source voltage: ±25V
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4534P-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 38A; Idm: 152A; 10.7W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: DFN3333-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9.5nC
On-state resistance: 9.3mΩ
Power dissipation: 10.7W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 38A
Pulsed drain current: 152A
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4534P_R2_00201 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 36A; Idm: 144A; 7W; DFN3333-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: DFN3333-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9.5nC
On-state resistance: 8.9mΩ
Power dissipation: 7W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 144A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5544-AU_R2_002A1 PJQ5544-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJQ5544-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; Idm: 520A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 520A
Power dissipation: 100W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 1952 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+119.08 грн
10+74.94 грн
29+32.93 грн
79+31.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5544-AU_R2_002A1 PJQ5544-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJQ5544-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; Idm: 520A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 520A
Power dissipation: 100W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1952 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+142.90 грн
10+93.38 грн
29+39.52 грн
79+37.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6421_S1_00001 PanJit Semiconductor PJS6421.pdf PJS6421-S1 SMD P channel transistors
на замовлення 2941 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+36.49 грн
117+9.64 грн
320+9.16 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6601_S1_00001 PJS6601_S1_00001 PanJit Semiconductor Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 4.1/-3.1A; 1.25W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 4.1/-3.1A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 95/190mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.6/5.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2648 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+33.92 грн
13+22.90 грн
100+16.80 грн
131+8.59 грн
360+8.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6601_S1_00001 PJS6601_S1_00001 PanJit Semiconductor Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 4.1/-3.1A; 1.25W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 4.1/-3.1A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 95/190mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.6/5.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+28.27 грн
22+18.38 грн
100+14.00 грн
131+7.16 грн
360+6.76 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6839_S1_00001 PJS6839_S1_00001 PanJit Semiconductor PJS6839.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -300mA; Idm: -1A; 500mW
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -1A
Drain current: -0.3A
Gate charge: 1.1nC
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 13Ω
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23-6
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+28.78 грн
16+19.03 грн
100+11.20 грн
213+5.29 грн
584+4.99 грн
30000+4.96 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6839_S1_00001 PJS6839_S1_00001 PanJit Semiconductor PJS6839.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -300mA; Idm: -1A; 500mW
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -1A
Drain current: -0.3A
Gate charge: 1.1nC
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 13Ω
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23-6
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+23.99 грн
27+15.27 грн
100+9.33 грн
213+4.41 грн
584+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD03TS-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJSD03TS-AU_SERIES.pdf PJSD03TS-AU-R1 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
21+14.80 грн
217+5.19 грн
597+4.91 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD05TS-AU_R1_000A1 PJSD05TS-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJSD03TS-AU_SERIES.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 120W; 6V; 5A; unidirectional; SOD523; reel,tape; 110pF
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 120W
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6V
Max. forward impulse current: 5A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Capacitance: 110pF
Application: automotive industry
на замовлення 4777 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+14.56 грн
42+9.55 грн
100+7.16 грн
178+5.25 грн
489+4.93 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD05TS-AU_R1_000A1 PJSD05TS-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJSD03TS-AU_SERIES.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 120W; 6V; 5A; unidirectional; SOD523; reel,tape; 110pF
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 120W
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6V
Max. forward impulse current: 5A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Capacitance: 110pF
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4777 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
18+17.48 грн
25+11.90 грн
100+8.59 грн
178+6.30 грн
489+5.92 грн
5000+5.73 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD12CW-AU_R1_000A1 PJSD12CW-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJSD05CW-AU_SERIES.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 13.3÷14.7V; 15A; 350W; SOD323; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS array
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Max. off-state voltage: 12V
Breakdown voltage: 13.3...14.7V
Max. forward impulse current: 15A
Case: SOD323
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Application: automotive industry
Capacitance: 0.1nF
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD24TS_R1_00001 PJSD24TS_R1_00001 PanJit Semiconductor PJSD03TS_SERIES.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 120W; 26.7V; unidirectional; SOD523; reel,tape; 25pF
Type of diode: TVS
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 24V
Semiconductor structure: unidirectional
Capacitance: 25pF
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Breakdown voltage: 26.7V
Peak pulse power dissipation: 120W
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD36W_R1_00001 PanJit Semiconductor PJSD36W-R1 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 4635 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+30.33 грн
189+6.01 грн
518+5.63 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJT138K-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJT138K-AU-R1 Multi channel transistors
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
13+24.42 грн
204+5.55 грн
559+5.24 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7600_R1_00001 PJT7600_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7600.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 1A/-700mA; 350mW
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1.6/2.2nC
Power dissipation: 0.35W
On-state resistance: 400/600mΩ
Drain current: 1A/-700mA
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20/-20V
Case: SOT363
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+48.32 грн
11+29.64 грн
100+18.23 грн
169+6.68 грн
463+6.30 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7600_R1_00001 PJT7600_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7600.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 1A/-700mA; 350mW
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1.6/2.2nC
Power dissipation: 0.35W
On-state resistance: 400/600mΩ
Drain current: 1A/-700mA
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20/-20V
Case: SOT363
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+40.26 грн
17+23.79 грн
100+15.19 грн
169+5.57 грн
463+5.25 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7603_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7603.pdf PJT7603-R1 Multi channel transistors
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
13+24.91 грн
204+5.55 грн
559+5.24 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7800_R1_00001 PJT7800_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7800.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.4Ω
Gate charge: 1.6nC
Drain current: 1A
Pulsed drain current: 4A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5978 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+28.78 грн
17+18.34 грн
100+9.26 грн
500+8.02 грн
1000+7.45 грн
3000+6.01 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7800_R1_00001 PJT7800_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7800.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.4Ω
Gate charge: 1.6nC
Drain current: 1A
Pulsed drain current: 4A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+23.99 грн
28+14.72 грн
100+7.72 грн
500+6.68 грн
1000+6.20 грн
3000+5.01 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7801_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7801.pdf PJT7801-R1 Multi channel transistors
на замовлення 2845 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+42.35 грн
169+6.68 грн
463+6.30 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7828_R1_00001 PJT7828_R1_00001 PanJit Semiconductor Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 300mA; Idm: 0.6A; 350mW
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: SOT363
Mounting: SMD
Gate charge: 0.9nC
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.35W
Pulsed drain current: 0.6A
On-state resistance: 4Ω
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 30V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7838_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7838.pdf PJT7838-R1 Multi channel transistors
на замовлення 7648 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+43.49 грн
145+7.83 грн
398+7.35 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4N06A-AU_R2_000A1 PJW4N06A-AU_R2_000A1 PanJit Semiconductor PJW4N06A-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; Idm: 8A; 2.6W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4N06A_R2_00001 PJW4N06A_R2_00001 PanJit Semiconductor PJW4N06A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; Idm: 8A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4P06A-AU_R2_000A1 PanJit Semiconductor PJW4P06A-AU.pdf PJW4P06A-AU-R2 SMD P channel transistors
на замовлення 3190 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+63.43 грн
68+16.61 грн
186+15.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4P06A_R2_00001 PanJit Semiconductor PJW4P06A.pdf PJW4P06A-R2 SMD P channel transistors
на замовлення 865 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+53.87 грн
89+12.70 грн
245+11.93 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PJX138K_R1_00001 PanJit Semiconductor PJX138K-R1 Multi channel transistors
на замовлення 3935 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
13+24.45 грн
193+5.84 грн
531+5.52 грн
8000+5.51 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8603_R1_00001 PanJit Semiconductor PJX8603.pdf PJX8603-R1 Multi channel transistors
на замовлення 1927 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+28.78 грн
170+6.68 грн
466+6.30 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PSMB050N10NS2_R2_00601 PanJit Semiconductor PSMB050N10NS2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 138W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 138W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMB050N10NS2_T0_00601 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 138W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 138W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMB055N08NS1_R2_00601 PanJit Semiconductor PSMB055N08NS1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 108A; Idm: 360A; 113.6W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 113.6W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMB055N08NS1_T0_00601 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 108A; Idm: 360A; 113.6W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 113.6W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015N10NS2_R2_00201 PanJit Semiconductor 20230516171020ta7o3bGUZ1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 398A; Idm: 1592A; 250W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 398A
Pulsed drain current: 1592A
Power dissipation: 250W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 128nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN028N10NS2_R2_00201 PanJit Semiconductor 20230516171020ta7o3bGUZ1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 240A; Idm: 960A; 167W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 240A
Pulsed drain current: 960A
Power dissipation: 167W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMP050N10NS2_T0_00601 PSMP050N10NS2_T0_00601 PanJit Semiconductor PSMP050N10NS2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 138W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 138W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMP055N08NS1_T0_00601 PSMP055N08NS1_T0_00601 PanJit Semiconductor PSMP055N08NS1.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 111A; Idm: 360A; 136W; TO220ABL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 111A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 136W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 65.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+166.54 грн
10+94.17 грн
18+65.87 грн
47+62.05 грн
5000+59.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMP055N08NS1_T0_00601 PSMP055N08NS1_T0_00601 PanJit Semiconductor PSMP055N08NS1.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 111A; Idm: 360A; 136W; TO220ABL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 111A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 136W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 65.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+138.78 грн
10+75.57 грн
18+54.89 грн
47+51.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMQC040N10NS2_R2_00601 PSMQC040N10NS2_R2_00601 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 122A; Idm: 488A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 122A
Pulsed drain current: 488A
Power dissipation: 125W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PZ1AL3V6B_R1_00001 PZ1AL3V6B_R1_00001 PanJit Semiconductor pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE9DFD777F43B000D6&compId=PZ1AL2V5B_SERIES.pdf?ci_sign=ea874c3065385691540a120aa0607719ef6dba2b Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1W; 3.6V; SMD; reel,tape; SOD123F; single diode; 100uA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1W
Zener voltage: 3.6V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Case: SOD123F
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.1mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PZS1112BES_R1_00001 PZS1112BES_R1_00001 PanJit Semiconductor pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE9DFD7D0E97BE80D6&compId=PZS113V9BES_SERIES.pdf?ci_sign=853258471ac4652b4efaf8e6a22e525f801d3fd0 Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 150mW; 12V; SMD; reel,tape; SOD523; single diode; 50nA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.15W
Zener voltage: 12V
Kind of package: reel; tape
Case: SOD523
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 50nA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PZS516V2BAS_R1_00001 PZS516V2BAS_R1_00001 PanJit Semiconductor pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE9DFD570BA54420D6&compId=PZS513V9BAS_SERIES.pdf?ci_sign=ca4b9ef1d21413a31c2d61e96903f5acd7c30dd2 Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 500mW; 6.2V; SMD; reel,tape; SOD123; single diode
Type of diode: Zener
Case: SOD123
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 10µA
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.5W
Tolerance: ±5%
Zener voltage: 6.2V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
28+11.31 грн
100+7.15 грн
284+3.95 грн
781+3.73 грн
3000+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
PZS516V2BAS_R1_00001 PZS516V2BAS_R1_00001 PanJit Semiconductor pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE9DFD570BA54420D6&compId=PZS513V9BAS_SERIES.pdf?ci_sign=ca4b9ef1d21413a31c2d61e96903f5acd7c30dd2 Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 500mW; 6.2V; SMD; reel,tape; SOD123; single diode
Type of diode: Zener
Case: SOD123
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 10µA
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.5W
Tolerance: ±5%
Zener voltage: 6.2V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
46+9.42 грн
100+5.74 грн
284+3.29 грн
781+3.11 грн
3000+2.99 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
RB500V-40_R1_00001 PanJit Semiconductor RB500V-40.pdf RB500V-40-R1 SMD Schottky diodes
на замовлення 6770 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
35+9.07 грн
637+1.77 грн
1753+1.67 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
RB501V-40_R1_00001 PanJit Semiconductor RB501V-40.pdf RB501V-40-R1 SMD Schottky diodes
на замовлення 5250 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
27+11.72 грн
624+1.80 грн
1716+1.71 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
RB520S30_R1_00001 RB520S30_R1_00001 PanJit Semiconductor RB520S30.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. forward voltage: 0.6V
Leakage current: 1µA
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4976 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
38+8.22 грн
53+5.65 грн
100+4.08 грн
500+3.17 грн
1000+2.80 грн
2000+2.43 грн
5000+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
RB520S30_R1_00001 RB520S30_R1_00001 PanJit Semiconductor RB520S30.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. forward voltage: 0.6V
Leakage current: 1µA
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 4976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
63+6.85 грн
88+4.53 грн
118+3.40 грн
500+2.64 грн
1000+2.33 грн
2000+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
RB520S40-AU_R1_000A1 RB520S40-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor RB520S40-AU.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 40V; 0.25A; 10ns; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 10ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD523
Max. forward voltage: 0.6V
Leakage current: 0.6mA
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Max. forward impulse current: 1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB521S30_R1_00001 RB521S30_R1_00001 PanJit Semiconductor RB521S30.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Leakage current: 0.1mA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6478 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
36+8.79 грн
53+5.65 грн
100+3.68 грн
499+2.26 грн
1370+2.14 грн
2000+2.11 грн
5000+2.05 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
RB521S30_R1_00001 RB521S30_R1_00001 PanJit Semiconductor RB521S30.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Leakage current: 0.1mA
на замовлення 6478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
59+7.32 грн
88+4.53 грн
130+3.07 грн
499+1.89 грн
1370+1.78 грн
2000+1.76 грн
5000+1.71 грн
Мінімальне замовлення: 59
В кошику  од. на суму  грн.
RB751S40-AU_R1_000A1 RB751S40-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor RB751S40-AU.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 40V; 0.3A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 0.5A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Leakage current: 10µA
Max. forward voltage: 0.37V
на замовлення 2785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
46+9.42 грн
63+6.36 грн
100+4.10 грн
390+2.40 грн
500+2.39 грн
1072+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
RB751S40-AU_R1_000A1 RB751S40-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor RB751S40-AU.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 40V; 0.3A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 0.5A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Leakage current: 10µA
Max. forward voltage: 0.37V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2785 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
28+11.31 грн
38+7.93 грн
100+4.93 грн
390+2.88 грн
500+2.87 грн
1072+2.72 грн
5000+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
RB751V-40-AU_R1_000A1 RB751V-40-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor RB751V-40-AU.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 40V; 0.3A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. forward voltage: 0.55V
Leakage current: 22µA
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Max. forward impulse current: 0.6A
на замовлення 4899 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
32+13.71 грн
51+7.88 грн
100+4.92 грн
388+2.42 грн
1067+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
RB751V-40X_R1_00001 RB751V-40X_R1_00001 PanJit Semiconductor RB751V-40X.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 40V; 30mA; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 30mA
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. forward voltage: 0.37V
Max. load current: 0.2A
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: reel; tape
на замовлення 4279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
56+7.71 грн
62+6.44 грн
103+3.87 грн
452+2.08 грн
1241+1.96 грн
2500+1.89 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
RB751V-40_R1_00001 RB751V-40_R1_00001 PanJit Semiconductor RB751V-40.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 40V; 0.3A; reel,tape; 200mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. forward voltage: 0.34V
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 0.6A
Power dissipation: 0.2W
на замовлення 3247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
46+9.42 грн
80+5.01 грн
124+3.22 грн
462+2.04 грн
1269+1.93 грн
2000+1.89 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
RB751V-40-AU_R1_000A1 RB751V-40-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor RB751V-40-AU.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 40V; 0.3A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. forward voltage: 0.55V
Leakage current: 22µA
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Max. forward impulse current: 0.6A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4899 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
19+16.45 грн
31+9.81 грн
100+5.90 грн
388+2.90 грн
1067+2.75 грн
5000+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
RB751V-40_R1_00001 RB751V-40_R1_00001 PanJit Semiconductor RB751V-40.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 40V; 0.3A; reel,tape; 200mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. forward voltage: 0.34V
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 0.6A
Power dissipation: 0.2W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3247 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
28+11.31 грн
48+6.25 грн
100+3.87 грн
462+2.44 грн
1269+2.31 грн
2000+2.27 грн
5000+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4435EP_R2_00201 PJQ4435EP.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -41A; Idm: -138A; 13.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -41A
Pulsed drain current: -138A
Power dissipation: 13.5W
Case: DFN3333-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4439EP_R2_00201 PJQ4439EP.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -30A; Idm: -90A; 10W
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Case: DFN3333-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Pulsed drain current: -90A
Drain current: -30A
Drain-source voltage: -30V
Gate charge: 22nC
On-state resistance: 19.1mΩ
Power dissipation: 10W
Gate-source voltage: ±25V
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4534P-AU_R2_002A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 38A; Idm: 152A; 10.7W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: DFN3333-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9.5nC
On-state resistance: 9.3mΩ
Power dissipation: 10.7W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 38A
Pulsed drain current: 152A
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4534P_R2_00201
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 36A; Idm: 144A; 7W; DFN3333-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: DFN3333-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9.5nC
On-state resistance: 8.9mΩ
Power dissipation: 7W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 144A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5544-AU_R2_002A1 PJQ5544-AU.pdf
PJQ5544-AU_R2_002A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; Idm: 520A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 520A
Power dissipation: 100W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 1952 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+119.08 грн
10+74.94 грн
29+32.93 грн
79+31.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5544-AU_R2_002A1 PJQ5544-AU.pdf
PJQ5544-AU_R2_002A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; Idm: 520A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 520A
Power dissipation: 100W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1952 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.90 грн
10+93.38 грн
29+39.52 грн
79+37.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6421_S1_00001 PJS6421.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJS6421-S1 SMD P channel transistors
на замовлення 2941 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.49 грн
117+9.64 грн
320+9.16 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6601_S1_00001
PJS6601_S1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 4.1/-3.1A; 1.25W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 4.1/-3.1A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 95/190mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.6/5.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2648 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.92 грн
13+22.90 грн
100+16.80 грн
131+8.59 грн
360+8.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6601_S1_00001
PJS6601_S1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 4.1/-3.1A; 1.25W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 4.1/-3.1A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 95/190mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.6/5.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+28.27 грн
22+18.38 грн
100+14.00 грн
131+7.16 грн
360+6.76 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6839_S1_00001 PJS6839.pdf
PJS6839_S1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -300mA; Idm: -1A; 500mW
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -1A
Drain current: -0.3A
Gate charge: 1.1nC
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 13Ω
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23-6
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+28.78 грн
16+19.03 грн
100+11.20 грн
213+5.29 грн
584+4.99 грн
30000+4.96 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6839_S1_00001 PJS6839.pdf
PJS6839_S1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -300mA; Idm: -1A; 500mW
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -1A
Drain current: -0.3A
Gate charge: 1.1nC
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 13Ω
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23-6
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+23.99 грн
27+15.27 грн
100+9.33 грн
213+4.41 грн
584+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD03TS-AU_R1_000A1 PJSD03TS-AU_SERIES.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJSD03TS-AU-R1 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
21+14.80 грн
217+5.19 грн
597+4.91 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD05TS-AU_R1_000A1 PJSD03TS-AU_SERIES.pdf
PJSD05TS-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 120W; 6V; 5A; unidirectional; SOD523; reel,tape; 110pF
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 120W
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6V
Max. forward impulse current: 5A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Capacitance: 110pF
Application: automotive industry
на замовлення 4777 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
30+14.56 грн
42+9.55 грн
100+7.16 грн
178+5.25 грн
489+4.93 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD05TS-AU_R1_000A1 PJSD03TS-AU_SERIES.pdf
PJSD05TS-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 120W; 6V; 5A; unidirectional; SOD523; reel,tape; 110pF
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 120W
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6V
Max. forward impulse current: 5A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Capacitance: 110pF
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4777 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
18+17.48 грн
25+11.90 грн
100+8.59 грн
178+6.30 грн
489+5.92 грн
5000+5.73 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD12CW-AU_R1_000A1 PJSD05CW-AU_SERIES.pdf
PJSD12CW-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 13.3÷14.7V; 15A; 350W; SOD323; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS array
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Max. off-state voltage: 12V
Breakdown voltage: 13.3...14.7V
Max. forward impulse current: 15A
Case: SOD323
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Application: automotive industry
Capacitance: 0.1nF
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD24TS_R1_00001 PJSD03TS_SERIES.pdf
PJSD24TS_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 120W; 26.7V; unidirectional; SOD523; reel,tape; 25pF
Type of diode: TVS
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 24V
Semiconductor structure: unidirectional
Capacitance: 25pF
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Breakdown voltage: 26.7V
Peak pulse power dissipation: 120W
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD36W_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
PJSD36W-R1 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 4635 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.33 грн
189+6.01 грн
518+5.63 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJT138K-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
PJT138K-AU-R1 Multi channel transistors
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
13+24.42 грн
204+5.55 грн
559+5.24 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7600_R1_00001 PJT7600.pdf
PJT7600_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 1A/-700mA; 350mW
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1.6/2.2nC
Power dissipation: 0.35W
On-state resistance: 400/600mΩ
Drain current: 1A/-700mA
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20/-20V
Case: SOT363
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.32 грн
11+29.64 грн
100+18.23 грн
169+6.68 грн
463+6.30 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7600_R1_00001 PJT7600.pdf
PJT7600_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 1A/-700mA; 350mW
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1.6/2.2nC
Power dissipation: 0.35W
On-state resistance: 400/600mΩ
Drain current: 1A/-700mA
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20/-20V
Case: SOT363
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+40.26 грн
17+23.79 грн
100+15.19 грн
169+5.57 грн
463+5.25 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7603_R1_00001 PJT7603.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJT7603-R1 Multi channel transistors
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
13+24.91 грн
204+5.55 грн
559+5.24 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7800_R1_00001 PJT7800.pdf
PJT7800_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.4Ω
Gate charge: 1.6nC
Drain current: 1A
Pulsed drain current: 4A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5978 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+28.78 грн
17+18.34 грн
100+9.26 грн
500+8.02 грн
1000+7.45 грн
3000+6.01 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7800_R1_00001 PJT7800.pdf
PJT7800_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.4Ω
Gate charge: 1.6nC
Drain current: 1A
Pulsed drain current: 4A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+23.99 грн
28+14.72 грн
100+7.72 грн
500+6.68 грн
1000+6.20 грн
3000+5.01 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7801_R1_00001 PJT7801.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJT7801-R1 Multi channel transistors
на замовлення 2845 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.35 грн
169+6.68 грн
463+6.30 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7828_R1_00001
PJT7828_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 300mA; Idm: 0.6A; 350mW
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: SOT363
Mounting: SMD
Gate charge: 0.9nC
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.35W
Pulsed drain current: 0.6A
On-state resistance: 4Ω
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 30V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7838_R1_00001 PJT7838.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJT7838-R1 Multi channel transistors
на замовлення 7648 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.49 грн
145+7.83 грн
398+7.35 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4N06A-AU_R2_000A1 PJW4N06A-AU.pdf
PJW4N06A-AU_R2_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; Idm: 8A; 2.6W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4N06A_R2_00001 PJW4N06A.pdf
PJW4N06A_R2_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; Idm: 8A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4P06A-AU_R2_000A1 PJW4P06A-AU.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJW4P06A-AU-R2 SMD P channel transistors
на замовлення 3190 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+63.43 грн
68+16.61 грн
186+15.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4P06A_R2_00001 PJW4P06A.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJW4P06A-R2 SMD P channel transistors
на замовлення 865 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+53.87 грн
89+12.70 грн
245+11.93 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PJX138K_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
PJX138K-R1 Multi channel transistors
на замовлення 3935 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
13+24.45 грн
193+5.84 грн
531+5.52 грн
8000+5.51 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8603_R1_00001 PJX8603.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJX8603-R1 Multi channel transistors
на замовлення 1927 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+28.78 грн
170+6.68 грн
466+6.30 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PSMB050N10NS2_R2_00601 PSMB050N10NS2.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 138W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 138W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMB050N10NS2_T0_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 138W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 138W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMB055N08NS1_R2_00601 PSMB055N08NS1.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 108A; Idm: 360A; 113.6W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 113.6W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMB055N08NS1_T0_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 108A; Idm: 360A; 113.6W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 113.6W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015N10NS2_R2_00201 20230516171020ta7o3bGUZ1.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 398A; Idm: 1592A; 250W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 398A
Pulsed drain current: 1592A
Power dissipation: 250W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 128nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN028N10NS2_R2_00201 20230516171020ta7o3bGUZ1.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 240A; Idm: 960A; 167W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 240A
Pulsed drain current: 960A
Power dissipation: 167W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMP050N10NS2_T0_00601 PSMP050N10NS2.pdf
PSMP050N10NS2_T0_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 138W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 138W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMP055N08NS1_T0_00601 PSMP055N08NS1.pdf
PSMP055N08NS1_T0_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 111A; Idm: 360A; 136W; TO220ABL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 111A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 136W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 65.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+166.54 грн
10+94.17 грн
18+65.87 грн
47+62.05 грн
5000+59.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMP055N08NS1_T0_00601 PSMP055N08NS1.pdf
PSMP055N08NS1_T0_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 111A; Idm: 360A; 136W; TO220ABL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 111A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 136W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 65.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+138.78 грн
10+75.57 грн
18+54.89 грн
47+51.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMQC040N10NS2_R2_00601
PSMQC040N10NS2_R2_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 122A; Idm: 488A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 122A
Pulsed drain current: 488A
Power dissipation: 125W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PZ1AL3V6B_R1_00001 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE9DFD777F43B000D6&compId=PZ1AL2V5B_SERIES.pdf?ci_sign=ea874c3065385691540a120aa0607719ef6dba2b
PZ1AL3V6B_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1W; 3.6V; SMD; reel,tape; SOD123F; single diode; 100uA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1W
Zener voltage: 3.6V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Case: SOD123F
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.1mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PZS1112BES_R1_00001 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE9DFD7D0E97BE80D6&compId=PZS113V9BES_SERIES.pdf?ci_sign=853258471ac4652b4efaf8e6a22e525f801d3fd0
PZS1112BES_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 150mW; 12V; SMD; reel,tape; SOD523; single diode; 50nA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.15W
Zener voltage: 12V
Kind of package: reel; tape
Case: SOD523
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 50nA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PZS516V2BAS_R1_00001 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE9DFD570BA54420D6&compId=PZS513V9BAS_SERIES.pdf?ci_sign=ca4b9ef1d21413a31c2d61e96903f5acd7c30dd2
PZS516V2BAS_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 500mW; 6.2V; SMD; reel,tape; SOD123; single diode
Type of diode: Zener
Case: SOD123
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 10µA
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.5W
Tolerance: ±5%
Zener voltage: 6.2V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
28+11.31 грн
100+7.15 грн
284+3.95 грн
781+3.73 грн
3000+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
PZS516V2BAS_R1_00001 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE9DFD570BA54420D6&compId=PZS513V9BAS_SERIES.pdf?ci_sign=ca4b9ef1d21413a31c2d61e96903f5acd7c30dd2
PZS516V2BAS_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 500mW; 6.2V; SMD; reel,tape; SOD123; single diode
Type of diode: Zener
Case: SOD123
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 10µA
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.5W
Tolerance: ±5%
Zener voltage: 6.2V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
46+9.42 грн
100+5.74 грн
284+3.29 грн
781+3.11 грн
3000+2.99 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
RB500V-40_R1_00001 RB500V-40.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
RB500V-40-R1 SMD Schottky diodes
на замовлення 6770 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
35+9.07 грн
637+1.77 грн
1753+1.67 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
RB501V-40_R1_00001 RB501V-40.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
RB501V-40-R1 SMD Schottky diodes
на замовлення 5250 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
27+11.72 грн
624+1.80 грн
1716+1.71 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
RB520S30_R1_00001 RB520S30.pdf
RB520S30_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. forward voltage: 0.6V
Leakage current: 1µA
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4976 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
38+8.22 грн
53+5.65 грн
100+4.08 грн
500+3.17 грн
1000+2.80 грн
2000+2.43 грн
5000+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
RB520S30_R1_00001 RB520S30.pdf
RB520S30_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. forward voltage: 0.6V
Leakage current: 1µA
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 4976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
63+6.85 грн
88+4.53 грн
118+3.40 грн
500+2.64 грн
1000+2.33 грн
2000+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
RB520S40-AU_R1_000A1 RB520S40-AU.pdf
RB520S40-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 40V; 0.25A; 10ns; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 10ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD523
Max. forward voltage: 0.6V
Leakage current: 0.6mA
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Max. forward impulse current: 1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB521S30_R1_00001 RB521S30.pdf
RB521S30_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Leakage current: 0.1mA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6478 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
36+8.79 грн
53+5.65 грн
100+3.68 грн
499+2.26 грн
1370+2.14 грн
2000+2.11 грн
5000+2.05 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
RB521S30_R1_00001 RB521S30.pdf
RB521S30_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Leakage current: 0.1mA
на замовлення 6478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
59+7.32 грн
88+4.53 грн
130+3.07 грн
499+1.89 грн
1370+1.78 грн
2000+1.76 грн
5000+1.71 грн
Мінімальне замовлення: 59
В кошику  од. на суму  грн.
RB751S40-AU_R1_000A1 RB751S40-AU.pdf
RB751S40-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 40V; 0.3A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 0.5A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Leakage current: 10µA
Max. forward voltage: 0.37V
на замовлення 2785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
46+9.42 грн
63+6.36 грн
100+4.10 грн
390+2.40 грн
500+2.39 грн
1072+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
RB751S40-AU_R1_000A1 RB751S40-AU.pdf
RB751S40-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 40V; 0.3A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 0.5A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Leakage current: 10µA
Max. forward voltage: 0.37V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2785 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
28+11.31 грн
38+7.93 грн
100+4.93 грн
390+2.88 грн
500+2.87 грн
1072+2.72 грн
5000+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
RB751V-40-AU_R1_000A1 RB751V-40-AU.pdf
RB751V-40-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 40V; 0.3A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. forward voltage: 0.55V
Leakage current: 22µA
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Max. forward impulse current: 0.6A
на замовлення 4899 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
32+13.71 грн
51+7.88 грн
100+4.92 грн
388+2.42 грн
1067+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
RB751V-40X_R1_00001 RB751V-40X.pdf
RB751V-40X_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 40V; 30mA; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 30mA
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. forward voltage: 0.37V
Max. load current: 0.2A
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: reel; tape
на замовлення 4279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
56+7.71 грн
62+6.44 грн
103+3.87 грн
452+2.08 грн
1241+1.96 грн
2500+1.89 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
RB751V-40_R1_00001 RB751V-40.pdf
RB751V-40_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 40V; 0.3A; reel,tape; 200mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. forward voltage: 0.34V
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 0.6A
Power dissipation: 0.2W
на замовлення 3247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
46+9.42 грн
80+5.01 грн
124+3.22 грн
462+2.04 грн
1269+1.93 грн
2000+1.89 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
RB751V-40-AU_R1_000A1 RB751V-40-AU.pdf
RB751V-40-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 40V; 0.3A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. forward voltage: 0.55V
Leakage current: 22µA
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Max. forward impulse current: 0.6A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4899 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
19+16.45 грн
31+9.81 грн
100+5.90 грн
388+2.90 грн
1067+2.75 грн
5000+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
RB751V-40_R1_00001 RB751V-40.pdf
RB751V-40_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 40V; 0.3A; reel,tape; 200mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. forward voltage: 0.34V
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 0.6A
Power dissipation: 0.2W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3247 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
28+11.31 грн
48+6.25 грн
100+3.87 грн
462+2.44 грн
1269+2.31 грн
2000+2.27 грн
5000+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15  [ Наступна Сторінка >> ]