Продукція > SANAN POWER SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника SANAN POWER SEMICONDUCTOR (44) > Сторінка 1 з 1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ADS065J020C3-ASATH ADS065J020C3-ASATH Sanan Power Semiconductor SananSemiconductorADS065J020C3Datasheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1018pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 51A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+360.86 грн
50+189.40 грн
100+172.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ADS065J020E3-ASARH ADS065J020E3-ASARH Sanan Power Semiconductor ADS065J020E3-ASARH.pdf Description: DIODE 650V 20A TO2632L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+396.23 грн
10+275.95 грн
100+206.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ADS065J020E3-ASARH ADS065J020E3-ASARH Sanan Power Semiconductor ADS065J020E3-ASARH.pdf Description: DIODE 650V 20A TO2632L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ADS065J020H3-ASATH ADS065J020H3-ASATH Sanan Power Semiconductor SananSemiconductorADS065J020H3Datasheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO2472L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1018pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 51A
Supplier Device Package: TO-247-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+511.01 грн
30+280.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ADS12B3-ASARH ADS12B3-ASARH Sanan Power Semiconductor ADS12B3-ASARH.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 1200V 1A SMBF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMBF
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ADS12B3-ASARH ADS12B3-ASARH Sanan Power Semiconductor ADS12B3-ASARH.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 1200V 1A SMBF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMBF
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 1200 V
на замовлення 4272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.11 грн
10+46.94 грн
100+36.66 грн
500+26.88 грн
1000+24.31 грн
2000+22.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ADS16B3-ASARH ADS16B3-ASARH Sanan Power Semiconductor ADS16B3-ASARH.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 1A SMBF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMBF
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ADS16B3-ASARH ADS16B3-ASARH Sanan Power Semiconductor ADS16B3-ASARH.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 1A SMBF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMBF
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 650 V
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.90 грн
10+44.36 грн
100+29.09 грн
500+21.11 грн
1000+19.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J002D3-ISARH SDS065J002D3-ISARH Sanan Power Semiconductor SananSemiconductorSDS065J002D3Datasheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 9A TO2522L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 113pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 9A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J002D3-ISARH SDS065J002D3-ISARH Sanan Power Semiconductor SananSemiconductorSDS065J002D3Datasheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 9A TO2522L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 113pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 9A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 650 V
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.21 грн
10+68.89 грн
100+45.96 грн
500+33.89 грн
1000+30.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J004C3-ISATH SDS065J004C3-ISATH Sanan Power Semiconductor SananSemiconductorSDS065J004C3Datasheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 14A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 213pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 14A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 µA @ 650 V
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.68 грн
50+83.06 грн
100+74.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J006C3-ISATH SDS065J006C3-ISATH Sanan Power Semiconductor SananSemiconductorSDS065J006C3Datasheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+207.55 грн
50+98.36 грн
100+88.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J006E3-ISARH SDS065J006E3-ISARH Sanan Power Semiconductor SananSemiconductorSDS065J006E3Datasheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO2632L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J006E3-ISARH SDS065J006E3-ISARH Sanan Power Semiconductor SananSemiconductorSDS065J006E3Datasheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO2632L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+193.40 грн
10+120.52 грн
100+82.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J006S3-ISBRH SDS065J006S3-ISBRH Sanan Power Semiconductor SananSemiconductorSDS065J006S3Datasheet.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 23A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 23A
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J006S3-ISBRH SDS065J006S3-ISBRH Sanan Power Semiconductor SananSemiconductorSDS065J006S3Datasheet.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 23A 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 23A
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 650 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+211.48 грн
10+131.96 грн
100+91.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J008C3-ISATH SDS065J008C3-ISATH Sanan Power Semiconductor SananSemiconductorSDS065J008C3Datasheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 25A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 395pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 24 µA @ 650 V
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+241.36 грн
50+115.53 грн
100+104.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J008D3-ISARH SDS065J008D3-ISARH Sanan Power Semiconductor SDS065J008D3-ISARH.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO2522L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 24 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+70.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J008D3-ISARH SDS065J008D3-ISARH Sanan Power Semiconductor SDS065J008D3-ISARH.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO2522L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 24 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+213.84 грн
10+133.39 грн
100+92.10 грн
500+69.88 грн
1000+66.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J008N3-ISATH SDS065J008N3-ISATH Sanan Power Semiconductor SananSemiconductorSDS065J008N3Datasheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220N2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 395pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220N-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 24 µA @ 650 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+257.08 грн
50+123.90 грн
100+111.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J008S3-ISBRH SDS065J008S3-ISBRH Sanan Power Semiconductor SDS065J008S3-ISBRH.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 29A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 395pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29A
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 24 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J008S3-ISBRH SDS065J008S3-ISBRH Sanan Power Semiconductor SDS065J008S3-ISBRH.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 29A 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 395pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29A
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 24 µA @ 650 V
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+235.07 грн
10+147.32 грн
100+102.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J010C3-ISATH SDS065J010C3-ISATH Sanan Power Semiconductor SDS065J010C3-ISATH.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 556pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+277.52 грн
50+134.50 грн
100+121.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J010D3-ISARH SDS065J010D3-ISARH Sanan Power Semiconductor SDS065J010D3-ISARH.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 29A TO2522L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 556pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J010D3-ISARH SDS065J010D3-ISARH Sanan Power Semiconductor SDS065J010D3-ISARH.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 29A TO2522L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 556pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+247.65 грн
10+155.50 грн
100+108.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J010E3-ISARH SDS065J010E3-ISARH Sanan Power Semiconductor SDS065J010E3-ISARH.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO2632L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 556pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J010E3-ISARH SDS065J010E3-ISARH Sanan Power Semiconductor SDS065J010E3-ISARH.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO2632L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 556pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+257.87 грн
10+162.24 грн
100+113.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J010N3-ISATH SDS065J010N3-ISATH Sanan Power Semiconductor SDS065J010N3-ISATH.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 26A TO220N2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 556pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 26A
Supplier Device Package: TO-220N-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+294.82 грн
50+143.77 грн
100+130.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J010S3-ISBRH SDS065J010S3-ISBRH Sanan Power Semiconductor SDS065J010S3-ISBRH.pdf Description: DIODE 650V-10A DFN8*8-4L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J010S3-ISBRH SDS065J010S3-ISBRH Sanan Power Semiconductor SDS065J010S3-ISBRH.pdf Description: DIODE 650V-10A DFN8*8-4L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+268.09 грн
10+168.98 грн
100+118.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J012C3-ISATH SDS065J012C3-ISATH Sanan Power Semiconductor SDS065J012C3-ISATH.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 37A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 651pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 37A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 36 µA @ 650 V
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+309.75 грн
50+151.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J012S3-ISARH SDS065J012S3-ISARH Sanan Power Semiconductor SDS065J012S3-ISARH.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 44A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 651pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 44A
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 36 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J012S3-ISARH SDS065J012S3-ISARH Sanan Power Semiconductor SDS065J012S3-ISARH.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 44A 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 651pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 44A
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 36 µA @ 650 V
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+301.11 грн
10+191.16 грн
100+134.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J016C3-ISATH SDS065J016C3-ISATH Sanan Power Semiconductor SDS065J016C3-ISATH.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 44A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 837pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 44A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 48 µA @ 650 V
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+366.36 грн
50+181.94 грн
100+165.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J016G3-ISATH SDS065J016G3-ISATH Sanan Power Semiconductor SDS065J016G3-ISATH.pdf Description: DIODE ARR SIC 650V 25A TO247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 25A
Supplier Device Package: TO-247-3L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 24 µA @ 650 V
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+389.94 грн
30+209.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J016H3-ISATH SDS065J016H3-ISATH Sanan Power Semiconductor SDS065J016H3-ISATH.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 44A TO2472L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 837pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 44A
Supplier Device Package: TO-247-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 48 µA @ 650 V
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+398.59 грн
30+214.55 грн
120+177.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J020C3-ISATH SDS065J020C3-ISATH Sanan Power Semiconductor SDS065J020C3-ISATH.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1018pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 51A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+292.46 грн
50+145.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J020D3-ISARH SDS065J020D3-ISARH Sanan Power Semiconductor SDS065J020D3-ISARH.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO2522L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1018pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 51A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J020D3-ISARH SDS065J020D3-ISARH Sanan Power Semiconductor SDS065J020D3-ISARH.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO2522L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1018pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 51A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+378.15 грн
10+242.26 грн
100+173.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J020G3-ISATH SDS065J020G3-ISATH Sanan Power Semiconductor SDS065J020G3-ISATH.pdf Description: DIODE ARR SIC 650V 30A TO247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247-3L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+466.99 грн
30+255.05 грн
120+212.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J020H3-ISATH SDS065J020H3-ISATH Sanan Power Semiconductor SDS065J020H3-ISATH.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO2472L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1018pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 51A
Supplier Device Package: TO-247-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+452.05 грн
30+246.17 грн
120+204.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J050H3-ISATH SDS065J050H3-ISATH Sanan Power Semiconductor SDS065J050H3-ISATH.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 114A TO2472L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2970pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 114A
Supplier Device Package: TO-247-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+882.09 грн
30+507.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SDS120J010E3-ISARH SDS120J010E3-ISARH Sanan Power Semiconductor SDS120J010E3-ISARH.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 37A TO2632L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 37A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDS120J010E3-ISARH SDS120J010E3-ISARH Sanan Power Semiconductor SDS120J010E3-ISARH.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 37A TO2632L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 37A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+349.06 грн
10+223.41 грн
100+159.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ADS065J020C3-ASATH SananSemiconductorADS065J020C3Datasheet.pdf
ADS065J020C3-ASATH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1018pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 51A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+360.86 грн
50+189.40 грн
100+172.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ADS065J020E3-ASARH ADS065J020E3-ASARH.pdf
ADS065J020E3-ASARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE 650V 20A TO2632L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+396.23 грн
10+275.95 грн
100+206.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ADS065J020E3-ASARH ADS065J020E3-ASARH.pdf
ADS065J020E3-ASARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE 650V 20A TO2632L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ADS065J020H3-ASATH SananSemiconductorADS065J020H3Datasheet.pdf
ADS065J020H3-ASATH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO2472L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1018pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 51A
Supplier Device Package: TO-247-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+511.01 грн
30+280.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ADS12B3-ASARH ADS12B3-ASARH.pdf
ADS12B3-ASARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 1200V 1A SMBF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMBF
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ADS12B3-ASARH ADS12B3-ASARH.pdf
ADS12B3-ASARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 1200V 1A SMBF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMBF
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 1200 V
на замовлення 4272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.11 грн
10+46.94 грн
100+36.66 грн
500+26.88 грн
1000+24.31 грн
2000+22.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ADS16B3-ASARH ADS16B3-ASARH.pdf
ADS16B3-ASARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 1A SMBF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMBF
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ADS16B3-ASARH ADS16B3-ASARH.pdf
ADS16B3-ASARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 1A SMBF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMBF
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 650 V
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.90 грн
10+44.36 грн
100+29.09 грн
500+21.11 грн
1000+19.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J002D3-ISARH SananSemiconductorSDS065J002D3Datasheet.pdf
SDS065J002D3-ISARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 9A TO2522L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 113pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 9A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J002D3-ISARH SananSemiconductorSDS065J002D3Datasheet.pdf
SDS065J002D3-ISARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 9A TO2522L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 113pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 9A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 650 V
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.21 грн
10+68.89 грн
100+45.96 грн
500+33.89 грн
1000+30.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J004C3-ISATH SananSemiconductorSDS065J004C3Datasheet.pdf
SDS065J004C3-ISATH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 14A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 213pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 14A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 µA @ 650 V
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+177.68 грн
50+83.06 грн
100+74.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J006C3-ISATH SananSemiconductorSDS065J006C3Datasheet.pdf
SDS065J006C3-ISATH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+207.55 грн
50+98.36 грн
100+88.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J006E3-ISARH SananSemiconductorSDS065J006E3Datasheet.pdf
SDS065J006E3-ISARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO2632L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J006E3-ISARH SananSemiconductorSDS065J006E3Datasheet.pdf
SDS065J006E3-ISARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO2632L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+193.40 грн
10+120.52 грн
100+82.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J006S3-ISBRH SananSemiconductorSDS065J006S3Datasheet.pdf
SDS065J006S3-ISBRH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 23A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 23A
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J006S3-ISBRH SananSemiconductorSDS065J006S3Datasheet.pdf
SDS065J006S3-ISBRH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 23A 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 23A
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 650 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+211.48 грн
10+131.96 грн
100+91.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J008C3-ISATH SananSemiconductorSDS065J008C3Datasheet.pdf
SDS065J008C3-ISATH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 25A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 395pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 24 µA @ 650 V
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+241.36 грн
50+115.53 грн
100+104.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J008D3-ISARH SDS065J008D3-ISARH.pdf
SDS065J008D3-ISARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO2522L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 24 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+70.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J008D3-ISARH SDS065J008D3-ISARH.pdf
SDS065J008D3-ISARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO2522L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 24 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+213.84 грн
10+133.39 грн
100+92.10 грн
500+69.88 грн
1000+66.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J008N3-ISATH SananSemiconductorSDS065J008N3Datasheet.pdf
SDS065J008N3-ISATH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220N2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 395pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220N-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 24 µA @ 650 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+257.08 грн
50+123.90 грн
100+111.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J008S3-ISBRH SDS065J008S3-ISBRH.pdf
SDS065J008S3-ISBRH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 29A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 395pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29A
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 24 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J008S3-ISBRH SDS065J008S3-ISBRH.pdf
SDS065J008S3-ISBRH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 29A 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 395pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29A
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 24 µA @ 650 V
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+235.07 грн
10+147.32 грн
100+102.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J010C3-ISATH SDS065J010C3-ISATH.pdf
SDS065J010C3-ISATH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 556pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+277.52 грн
50+134.50 грн
100+121.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J010D3-ISARH SDS065J010D3-ISARH.pdf
SDS065J010D3-ISARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 29A TO2522L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 556pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J010D3-ISARH SDS065J010D3-ISARH.pdf
SDS065J010D3-ISARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 29A TO2522L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 556pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+247.65 грн
10+155.50 грн
100+108.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J010E3-ISARH SDS065J010E3-ISARH.pdf
SDS065J010E3-ISARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO2632L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 556pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J010E3-ISARH SDS065J010E3-ISARH.pdf
SDS065J010E3-ISARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO2632L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 556pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+257.87 грн
10+162.24 грн
100+113.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J010N3-ISATH SDS065J010N3-ISATH.pdf
SDS065J010N3-ISATH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 26A TO220N2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 556pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 26A
Supplier Device Package: TO-220N-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+294.82 грн
50+143.77 грн
100+130.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J010S3-ISBRH SDS065J010S3-ISBRH.pdf
SDS065J010S3-ISBRH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE 650V-10A DFN8*8-4L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J010S3-ISBRH SDS065J010S3-ISBRH.pdf
SDS065J010S3-ISBRH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE 650V-10A DFN8*8-4L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+268.09 грн
10+168.98 грн
100+118.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J012C3-ISATH SDS065J012C3-ISATH.pdf
SDS065J012C3-ISATH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 37A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 651pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 37A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 36 µA @ 650 V
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+309.75 грн
50+151.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J012S3-ISARH SDS065J012S3-ISARH.pdf
SDS065J012S3-ISARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 44A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 651pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 44A
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 36 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J012S3-ISARH SDS065J012S3-ISARH.pdf
SDS065J012S3-ISARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 44A 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 651pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 44A
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 36 µA @ 650 V
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+301.11 грн
10+191.16 грн
100+134.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J016C3-ISATH SDS065J016C3-ISATH.pdf
SDS065J016C3-ISATH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 44A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 837pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 44A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 48 µA @ 650 V
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+366.36 грн
50+181.94 грн
100+165.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J016G3-ISATH SDS065J016G3-ISATH.pdf
SDS065J016G3-ISATH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE ARR SIC 650V 25A TO247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 25A
Supplier Device Package: TO-247-3L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 24 µA @ 650 V
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+389.94 грн
30+209.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J016H3-ISATH SDS065J016H3-ISATH.pdf
SDS065J016H3-ISATH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 44A TO2472L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 837pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 44A
Supplier Device Package: TO-247-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 48 µA @ 650 V
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+398.59 грн
30+214.55 грн
120+177.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J020C3-ISATH SDS065J020C3-ISATH.pdf
SDS065J020C3-ISATH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1018pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 51A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+292.46 грн
50+145.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J020D3-ISARH SDS065J020D3-ISARH.pdf
SDS065J020D3-ISARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO2522L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1018pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 51A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J020D3-ISARH SDS065J020D3-ISARH.pdf
SDS065J020D3-ISARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO2522L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1018pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 51A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+378.15 грн
10+242.26 грн
100+173.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J020G3-ISATH SDS065J020G3-ISATH.pdf
SDS065J020G3-ISATH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE ARR SIC 650V 30A TO247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247-3L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+466.99 грн
30+255.05 грн
120+212.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J020H3-ISATH SDS065J020H3-ISATH.pdf
SDS065J020H3-ISATH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO2472L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1018pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 51A
Supplier Device Package: TO-247-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+452.05 грн
30+246.17 грн
120+204.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J050H3-ISATH SDS065J050H3-ISATH.pdf
SDS065J050H3-ISATH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 114A TO2472L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2970pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 114A
Supplier Device Package: TO-247-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+882.09 грн
30+507.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SDS120J010E3-ISARH SDS120J010E3-ISARH.pdf
SDS120J010E3-ISARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 37A TO2632L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 37A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDS120J010E3-ISARH SDS120J010E3-ISARH.pdf
SDS120J010E3-ISARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 37A TO2632L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 37A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+349.06 грн
10+223.41 грн
100+159.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.