Продукція > SANAN POWER SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника SANAN POWER SEMICONDUCTOR (44) > Сторінка 1 з 1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
ADS065J020C3-ASATH ADS065J020C3-ASATH Sanan Power Semiconductor SananSemiconductorADS065J020C3Datasheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1018pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 51A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+355.68 грн
50+186.69 грн
100+169.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ADS065J020E3-ASARH ADS065J020E3-ASARH Sanan Power Semiconductor ADS065J020E3-ASARH.pdf Description: DIODE 650V 20A TO2632L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ADS065J020E3-ASARH ADS065J020E3-ASARH Sanan Power Semiconductor ADS065J020E3-ASARH.pdf Description: DIODE 650V 20A TO2632L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+390.55 грн
10+271.99 грн
100+203.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ADS065J020H3-ASATH ADS065J020H3-ASATH Sanan Power Semiconductor SananSemiconductorADS065J020H3Datasheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO2472L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1018pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 51A
Supplier Device Package: TO-247-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+503.69 грн
30+276.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ADS12B3-ASARH ADS12B3-ASARH Sanan Power Semiconductor ADS12B3-ASARH.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 1200V 1A SMBF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMBF
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ADS12B3-ASARH ADS12B3-ASARH Sanan Power Semiconductor ADS12B3-ASARH.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 1200V 1A SMBF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMBF
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 1200 V
на замовлення 4272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.07 грн
10+46.26 грн
100+36.14 грн
500+26.49 грн
1000+23.97 грн
2000+22.61 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ADS16B3-ASARH ADS16B3-ASARH Sanan Power Semiconductor ADS16B3-ASARH.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 1A SMBF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMBF
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ADS16B3-ASARH ADS16B3-ASARH Sanan Power Semiconductor ADS16B3-ASARH.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 1A SMBF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMBF
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 650 V
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.84 грн
10+43.73 грн
100+28.67 грн
500+20.81 грн
1000+18.84 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J002D3-ISARH SDS065J002D3-ISARH Sanan Power Semiconductor SananSemiconductorSDS065J002D3Datasheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 9A TO2522L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 113pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 9A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J002D3-ISARH SDS065J002D3-ISARH Sanan Power Semiconductor SananSemiconductorSDS065J002D3Datasheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 9A TO2522L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 113pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 9A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 650 V
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.59 грн
10+67.90 грн
100+45.30 грн
500+33.40 грн
1000+30.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J004C3-ISATH SDS065J004C3-ISATH Sanan Power Semiconductor SananSemiconductorSDS065J004C3Datasheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 14A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 213pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 14A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 µA @ 650 V
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+175.13 грн
50+81.87 грн
100+73.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J006C3-ISATH SDS065J006C3-ISATH Sanan Power Semiconductor SananSemiconductorSDS065J006C3Datasheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.58 грн
50+96.95 грн
100+87.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J006E3-ISARH SDS065J006E3-ISARH Sanan Power Semiconductor SananSemiconductorSDS065J006E3Datasheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO2632L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J006E3-ISARH SDS065J006E3-ISARH Sanan Power Semiconductor SananSemiconductorSDS065J006E3Datasheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO2632L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.63 грн
10+118.80 грн
100+81.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J006S3-ISBRH SDS065J006S3-ISBRH Sanan Power Semiconductor SananSemiconductorSDS065J006S3Datasheet.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 23A 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 23A
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 650 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.45 грн
10+130.06 грн
100+89.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J006S3-ISBRH SDS065J006S3-ISBRH Sanan Power Semiconductor SananSemiconductorSDS065J006S3Datasheet.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 23A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 23A
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J008C3-ISATH SDS065J008C3-ISATH Sanan Power Semiconductor SananSemiconductorSDS065J008C3Datasheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 25A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 395pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 24 µA @ 650 V
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+237.90 грн
50+113.87 грн
100+102.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J008D3-ISARH SDS065J008D3-ISARH Sanan Power Semiconductor SDS065J008D3-ISARH.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO2522L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 24 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+69.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J008D3-ISARH SDS065J008D3-ISARH Sanan Power Semiconductor SDS065J008D3-ISARH.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO2522L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 24 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+210.77 грн
10+131.48 грн
100+90.78 грн
500+68.87 грн
1000+65.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J008N3-ISATH SDS065J008N3-ISATH Sanan Power Semiconductor SananSemiconductorSDS065J008N3Datasheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220N2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 395pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220N-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 24 µA @ 650 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+253.39 грн
50+122.12 грн
100+110.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J008S3-ISBRH SDS065J008S3-ISBRH Sanan Power Semiconductor SDS065J008S3-ISBRH.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 29A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 395pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29A
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 24 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J008S3-ISBRH SDS065J008S3-ISBRH Sanan Power Semiconductor SDS065J008S3-ISBRH.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 29A 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 395pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29A
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 24 µA @ 650 V
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+231.70 грн
10+145.21 грн
100+100.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J010C3-ISATH SDS065J010C3-ISATH Sanan Power Semiconductor SDS065J010C3-ISATH.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 556pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+273.54 грн
50+132.57 грн
100+119.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J010D3-ISARH SDS065J010D3-ISARH Sanan Power Semiconductor SDS065J010D3-ISARH.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 29A TO2522L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 556pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J010D3-ISARH SDS065J010D3-ISARH Sanan Power Semiconductor SDS065J010D3-ISARH.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 29A TO2522L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 556pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+244.10 грн
10+153.27 грн
100+106.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J010E3-ISARH SDS065J010E3-ISARH Sanan Power Semiconductor SDS065J010E3-ISARH.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO2632L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 556pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J010E3-ISARH SDS065J010E3-ISARH Sanan Power Semiconductor SDS065J010E3-ISARH.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO2632L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 556pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+254.17 грн
10+159.91 грн
100+111.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J010N3-ISATH SDS065J010N3-ISATH Sanan Power Semiconductor SDS065J010N3-ISATH.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 26A TO220N2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 556pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 26A
Supplier Device Package: TO-220N-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+290.59 грн
50+141.70 грн
100+128.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J010S3-ISBRH SDS065J010S3-ISBRH Sanan Power Semiconductor SDS065J010S3-ISBRH.pdf Description: DIODE 650V-10A DFN8*8-4L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J010S3-ISBRH SDS065J010S3-ISBRH Sanan Power Semiconductor SDS065J010S3-ISBRH.pdf Description: DIODE 650V-10A DFN8*8-4L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+264.24 грн
10+166.55 грн
100+116.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J012C3-ISATH SDS065J012C3-ISATH Sanan Power Semiconductor SDS065J012C3-ISATH.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 37A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 651pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 37A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 36 µA @ 650 V
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+305.31 грн
50+149.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J012S3-ISARH SDS065J012S3-ISARH Sanan Power Semiconductor SDS065J012S3-ISARH.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 44A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 651pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 44A
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 36 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J012S3-ISARH SDS065J012S3-ISARH Sanan Power Semiconductor SDS065J012S3-ISARH.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 44A 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 651pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 44A
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 36 µA @ 650 V
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+296.79 грн
10+188.42 грн
100+132.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J016C3-ISATH SDS065J016C3-ISATH Sanan Power Semiconductor SDS065J016C3-ISATH.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 44A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 837pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 44A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 48 µA @ 650 V
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+361.11 грн
50+179.33 грн
100+163.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J016G3-ISATH SDS065J016G3-ISATH Sanan Power Semiconductor SDS065J016G3-ISATH.pdf Description: DIODE ARR SIC 650V 25A TO247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 25A
Supplier Device Package: TO-247-3L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 24 µA @ 650 V
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+384.35 грн
30+206.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J016H3-ISATH SDS065J016H3-ISATH Sanan Power Semiconductor SDS065J016H3-ISATH.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 44A TO2472L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 837pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 44A
Supplier Device Package: TO-247-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 48 µA @ 650 V
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+392.88 грн
30+211.48 грн
120+174.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J020C3-ISATH SDS065J020C3-ISATH Sanan Power Semiconductor SDS065J020C3-ISATH.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1018pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 51A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+288.27 грн
50+143.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J020D3-ISARH SDS065J020D3-ISARH Sanan Power Semiconductor SDS065J020D3-ISARH.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO2522L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1018pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 51A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J020D3-ISARH SDS065J020D3-ISARH Sanan Power Semiconductor SDS065J020D3-ISARH.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO2522L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1018pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 51A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+372.73 грн
10+238.79 грн
100+170.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J020G3-ISATH SDS065J020G3-ISATH Sanan Power Semiconductor SDS065J020G3-ISATH.pdf Description: DIODE ARR SIC 650V 30A TO247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247-3L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+460.30 грн
30+251.40 грн
120+209.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J020H3-ISATH SDS065J020H3-ISATH Sanan Power Semiconductor SDS065J020H3-ISATH.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO2472L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1018pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 51A
Supplier Device Package: TO-247-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+445.57 грн
30+242.64 грн
120+201.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J050H3-ISATH SDS065J050H3-ISATH Sanan Power Semiconductor SDS065J050H3-ISATH.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 114A TO2472L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2970pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 114A
Supplier Device Package: TO-247-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+869.45 грн
30+500.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SDS120J010E3-ISARH SDS120J010E3-ISARH Sanan Power Semiconductor SDS120J010E3-ISARH.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 37A TO2632L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 37A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS120J010E3-ISARH SDS120J010E3-ISARH Sanan Power Semiconductor SDS120J010E3-ISARH.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 37A TO2632L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 37A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+344.06 грн
10+220.21 грн
100+157.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ADS065J020C3-ASATH SananSemiconductorADS065J020C3Datasheet.pdf
ADS065J020C3-ASATH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1018pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 51A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+355.68 грн
50+186.69 грн
100+169.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ADS065J020E3-ASARH ADS065J020E3-ASARH.pdf
ADS065J020E3-ASARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE 650V 20A TO2632L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ADS065J020E3-ASARH ADS065J020E3-ASARH.pdf
ADS065J020E3-ASARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE 650V 20A TO2632L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+390.55 грн
10+271.99 грн
100+203.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ADS065J020H3-ASATH SananSemiconductorADS065J020H3Datasheet.pdf
ADS065J020H3-ASATH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO2472L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1018pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 51A
Supplier Device Package: TO-247-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+503.69 грн
30+276.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ADS12B3-ASARH ADS12B3-ASARH.pdf
ADS12B3-ASARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 1200V 1A SMBF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMBF
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ADS12B3-ASARH ADS12B3-ASARH.pdf
ADS12B3-ASARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 1200V 1A SMBF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMBF
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 1200 V
на замовлення 4272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+72.07 грн
10+46.26 грн
100+36.14 грн
500+26.49 грн
1000+23.97 грн
2000+22.61 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ADS16B3-ASARH ADS16B3-ASARH.pdf
ADS16B3-ASARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 1A SMBF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMBF
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 650 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ADS16B3-ASARH ADS16B3-ASARH.pdf
ADS16B3-ASARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 1A SMBF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMBF
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 650 V
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+72.84 грн
10+43.73 грн
100+28.67 грн
500+20.81 грн
1000+18.84 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J002D3-ISARH SananSemiconductorSDS065J002D3Datasheet.pdf
SDS065J002D3-ISARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 9A TO2522L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 113pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 9A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 650 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J002D3-ISARH SananSemiconductorSDS065J002D3Datasheet.pdf
SDS065J002D3-ISARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 9A TO2522L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 113pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 9A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 650 V
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+111.59 грн
10+67.90 грн
100+45.30 грн
500+33.40 грн
1000+30.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J004C3-ISATH SananSemiconductorSDS065J004C3Datasheet.pdf
SDS065J004C3-ISATH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 14A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 213pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 14A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 µA @ 650 V
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+175.13 грн
50+81.87 грн
100+73.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J006C3-ISATH SananSemiconductorSDS065J006C3Datasheet.pdf
SDS065J006C3-ISATH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+204.58 грн
50+96.95 грн
100+87.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J006E3-ISARH SananSemiconductorSDS065J006E3Datasheet.pdf
SDS065J006E3-ISARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO2632L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J006E3-ISARH SananSemiconductorSDS065J006E3Datasheet.pdf
SDS065J006E3-ISARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO2632L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+190.63 грн
10+118.80 грн
100+81.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J006S3-ISBRH SananSemiconductorSDS065J006S3Datasheet.pdf
SDS065J006S3-ISBRH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 23A 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 23A
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 650 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+208.45 грн
10+130.06 грн
100+89.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J006S3-ISBRH SananSemiconductorSDS065J006S3Datasheet.pdf
SDS065J006S3-ISBRH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 23A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 23A
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 650 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J008C3-ISATH SananSemiconductorSDS065J008C3Datasheet.pdf
SDS065J008C3-ISATH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 25A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 395pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 24 µA @ 650 V
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+237.90 грн
50+113.87 грн
100+102.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J008D3-ISARH SDS065J008D3-ISARH.pdf
SDS065J008D3-ISARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO2522L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 24 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+69.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J008D3-ISARH SDS065J008D3-ISARH.pdf
SDS065J008D3-ISARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO2522L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 24 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+210.77 грн
10+131.48 грн
100+90.78 грн
500+68.87 грн
1000+65.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J008N3-ISATH SananSemiconductorSDS065J008N3Datasheet.pdf
SDS065J008N3-ISATH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220N2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 395pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220N-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 24 µA @ 650 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+253.39 грн
50+122.12 грн
100+110.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J008S3-ISBRH SDS065J008S3-ISBRH.pdf
SDS065J008S3-ISBRH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 29A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 395pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29A
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 24 µA @ 650 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J008S3-ISBRH SDS065J008S3-ISBRH.pdf
SDS065J008S3-ISBRH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 29A 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 395pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29A
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 24 µA @ 650 V
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+231.70 грн
10+145.21 грн
100+100.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J010C3-ISATH SDS065J010C3-ISATH.pdf
SDS065J010C3-ISATH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 556pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+273.54 грн
50+132.57 грн
100+119.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J010D3-ISARH SDS065J010D3-ISARH.pdf
SDS065J010D3-ISARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 29A TO2522L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 556pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J010D3-ISARH SDS065J010D3-ISARH.pdf
SDS065J010D3-ISARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 29A TO2522L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 556pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+244.10 грн
10+153.27 грн
100+106.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J010E3-ISARH SDS065J010E3-ISARH.pdf
SDS065J010E3-ISARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO2632L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 556pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J010E3-ISARH SDS065J010E3-ISARH.pdf
SDS065J010E3-ISARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO2632L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 556pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+254.17 грн
10+159.91 грн
100+111.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J010N3-ISATH SDS065J010N3-ISATH.pdf
SDS065J010N3-ISATH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 26A TO220N2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 556pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 26A
Supplier Device Package: TO-220N-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+290.59 грн
50+141.70 грн
100+128.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J010S3-ISBRH SDS065J010S3-ISBRH.pdf
SDS065J010S3-ISBRH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE 650V-10A DFN8*8-4L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J010S3-ISBRH SDS065J010S3-ISBRH.pdf
SDS065J010S3-ISBRH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE 650V-10A DFN8*8-4L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+264.24 грн
10+166.55 грн
100+116.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J012C3-ISATH SDS065J012C3-ISATH.pdf
SDS065J012C3-ISATH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 37A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 651pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 37A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 36 µA @ 650 V
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+305.31 грн
50+149.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J012S3-ISARH SDS065J012S3-ISARH.pdf
SDS065J012S3-ISARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 44A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 651pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 44A
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 36 µA @ 650 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J012S3-ISARH SDS065J012S3-ISARH.pdf
SDS065J012S3-ISARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 44A 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 651pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 44A
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 36 µA @ 650 V
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+296.79 грн
10+188.42 грн
100+132.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J016C3-ISATH SDS065J016C3-ISATH.pdf
SDS065J016C3-ISATH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 44A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 837pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 44A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 48 µA @ 650 V
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+361.11 грн
50+179.33 грн
100+163.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J016G3-ISATH SDS065J016G3-ISATH.pdf
SDS065J016G3-ISATH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE ARR SIC 650V 25A TO247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 25A
Supplier Device Package: TO-247-3L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 24 µA @ 650 V
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+384.35 грн
30+206.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J016H3-ISATH SDS065J016H3-ISATH.pdf
SDS065J016H3-ISATH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 44A TO2472L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 837pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 44A
Supplier Device Package: TO-247-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 48 µA @ 650 V
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+392.88 грн
30+211.48 грн
120+174.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J020C3-ISATH SDS065J020C3-ISATH.pdf
SDS065J020C3-ISATH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1018pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 51A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+288.27 грн
50+143.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J020D3-ISARH SDS065J020D3-ISARH.pdf
SDS065J020D3-ISARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO2522L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1018pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 51A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J020D3-ISARH SDS065J020D3-ISARH.pdf
SDS065J020D3-ISARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO2522L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1018pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 51A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+372.73 грн
10+238.79 грн
100+170.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J020G3-ISATH SDS065J020G3-ISATH.pdf
SDS065J020G3-ISATH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE ARR SIC 650V 30A TO247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247-3L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+460.30 грн
30+251.40 грн
120+209.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J020H3-ISATH SDS065J020H3-ISATH.pdf
SDS065J020H3-ISATH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO2472L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1018pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 51A
Supplier Device Package: TO-247-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+445.57 грн
30+242.64 грн
120+201.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J050H3-ISATH SDS065J050H3-ISATH.pdf
SDS065J050H3-ISATH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 114A TO2472L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2970pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 114A
Supplier Device Package: TO-247-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+869.45 грн
30+500.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SDS120J010E3-ISARH SDS120J010E3-ISARH.pdf
SDS120J010E3-ISARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 37A TO2632L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 37A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS120J010E3-ISARH SDS120J010E3-ISARH.pdf
SDS120J010E3-ISARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 37A TO2632L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 37A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+344.06 грн
10+220.21 грн
100+157.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.