Продукція > SANAN POWER SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника SANAN POWER SEMICONDUCTOR (46) > Сторінка 1 з 1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ADS065J020C3-ASATH ADS065J020C3-ASATH Sanan Power Semiconductor SananSemiconductorADS065J020C3Datasheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1018pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 51A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+363.14 грн
50+190.60 грн
100+173.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ADS065J020E3-ASARH ADS065J020E3-ASARH Sanan Power Semiconductor ADS065J020E3-ASARH.pdf Description: DIODE 650V 20A TO2632L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ADS065J020E3-ASARH ADS065J020E3-ASARH Sanan Power Semiconductor ADS065J020E3-ASARH.pdf Description: DIODE 650V 20A TO2632L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+398.75 грн
10+277.70 грн
100+207.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ADS065J020H3-ASATH ADS065J020H3-ASATH Sanan Power Semiconductor SananSemiconductorADS065J020H3Datasheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO2472L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1018pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 51A
Supplier Device Package: TO-247-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+514.26 грн
30+282.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ADS065J040G3-ASATH Sanan Power Semiconductor Description: DIODE ARR SIC 650V 51A TO247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 51A
Supplier Device Package: TO-247-3L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+852.08 грн
30+487.77 грн
120+414.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ADS12B3-ASARH ADS12B3-ASARH Sanan Power Semiconductor ADS12B3-ASARH.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 1200V 1A SMBF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMBF
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ADS12B3-ASARH ADS12B3-ASARH Sanan Power Semiconductor ADS12B3-ASARH.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 1200V 1A SMBF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMBF
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 1200 V
на замовлення 2166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.48 грн
10+61.03 грн
100+40.44 грн
500+29.64 грн
1000+26.97 грн
2000+24.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ADS16B3-ASARH ADS16B3-ASARH Sanan Power Semiconductor ADS16B3-ASARH.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 1A SMBF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMBF
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ADS16B3-ASARH ADS16B3-ASARH Sanan Power Semiconductor ADS16B3-ASARH.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 1A SMBF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMBF
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 650 V
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.12 грн
10+47.92 грн
100+31.36 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J002D3-ISARH Sanan Power Semiconductor Description: DIODE SIL CARB 650V 9A TO252-2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 113pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 9A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J002D3-ISARH Sanan Power Semiconductor Description: DIODE SIL CARB 650V 9A TO252-2L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 113pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 9A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 650 V
на замовлення 2477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.09 грн
10+71.31 грн
100+47.59 грн
500+35.09 грн
1000+32.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J004C3-ISATH Sanan Power Semiconductor Description: DIODE SIL CARB 650V 14A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 213pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 14A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 µA @ 650 V
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.34 грн
50+86.00 грн
100+77.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J006C3-ISATH Sanan Power Semiconductor Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215.20 грн
50+101.83 грн
100+91.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J006E3-ISARH Sanan Power Semiconductor Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO263-2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J006E3-ISARH Sanan Power Semiconductor Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO263-2L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.96 грн
10+124.79 грн
100+85.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J006S3-ISBRH Sanan Power Semiconductor Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 23A 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 23A
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 650 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+219.15 грн
10+136.60 грн
50+104.62 грн
100+88.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J006S3-ISBRH Sanan Power Semiconductor Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 23A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 23A
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J008C3-ISATH Sanan Power Semiconductor Description: DIODE SIL CARB 650V 25A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 395pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 24 µA @ 650 V
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+250.01 грн
50+119.61 грн
100+107.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J008D3-ISARH SDS065J008D3-ISARH Sanan Power Semiconductor SDS065J008D3-ISARH.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO252-2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 24 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+72.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J008D3-ISARH SDS065J008D3-ISARH Sanan Power Semiconductor SDS065J008D3-ISARH.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO252-2L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 24 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+221.53 грн
10+138.13 грн
100+95.36 грн
500+72.35 грн
1000+68.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J008N3-ISATH Sanan Power Semiconductor Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220N2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 395pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220N-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 24 µA @ 650 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+266.62 грн
50+128.28 грн
100+115.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J008S3-ISBRH SDS065J008S3-ISBRH Sanan Power Semiconductor SDS065J008S3-ISBRH.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 29A 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 395pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29A
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 24 µA @ 650 V
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+243.68 грн
10+152.52 грн
50+117.27 грн
100+99.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J008S3-ISBRH SDS065J008S3-ISBRH Sanan Power Semiconductor SDS065J008S3-ISBRH.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 29A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 395pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29A
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 24 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J010C3-ISATH SDS065J010C3-ISATH Sanan Power Semiconductor SDS065J010C3-ISATH.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 556pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+287.19 грн
50+139.25 грн
100+125.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J010D3-ISARH SDS065J010D3-ISARH Sanan Power Semiconductor SDS065J010D3-ISARH.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 29A TO252-2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 556pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J010D3-ISARH SDS065J010D3-ISARH Sanan Power Semiconductor SDS065J010D3-ISARH.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 29A TO252-2L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 556pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+256.34 грн
10+160.98 грн
100+112.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J010E3-ISARH SDS065J010E3-ISARH Sanan Power Semiconductor SDS065J010E3-ISARH.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO263-2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 556pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J010E3-ISARH SDS065J010E3-ISARH Sanan Power Semiconductor SDS065J010E3-ISARH.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO263-2L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 556pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+267.41 грн
10+167.99 грн
100+117.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J010N3-ISATH SDS065J010N3-ISATH Sanan Power Semiconductor SDS065J010N3-ISATH.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 26A TO220N2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 556pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 26A
Supplier Device Package: TO-220N-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+305.39 грн
50+148.85 грн
100+134.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J010S3-ISBRH SDS065J010S3-ISBRH Sanan Power Semiconductor SDS065J010S3-ISBRH.pdf Description: DIODE 650V-10A DFN8*8-4L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J010S3-ISBRH SDS065J010S3-ISBRH Sanan Power Semiconductor SDS065J010S3-ISBRH.pdf Description: DIODE 650V-10A DFN8*8-4L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+277.70 грн
10+174.92 грн
50+135.20 грн
100+114.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J012C3-ISATH SDS065J012C3-ISATH Sanan Power Semiconductor SDS065J012C3-ISATH.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 37A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 651pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 37A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 36 µA @ 650 V
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+322.00 грн
50+157.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J012S3-ISARH SDS065J012S3-ISARH Sanan Power Semiconductor SDS065J012S3-ISARH.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 44A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 651pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 44A
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 36 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J012S3-ISARH SDS065J012S3-ISARH Sanan Power Semiconductor SDS065J012S3-ISARH.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 44A 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 651pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 44A
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 36 µA @ 650 V
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+311.72 грн
10+197.93 грн
50+153.71 грн
100+130.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J016C3-ISATH SDS065J016C3-ISATH Sanan Power Semiconductor SDS065J016C3-ISATH.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 44A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 837pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 44A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 48 µA @ 650 V
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+378.97 грн
50+188.36 грн
100+171.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J016G3-ISATH SDS065J016G3-ISATH Sanan Power Semiconductor SDS065J016G3-ISATH.pdf Description: DIODE ARR SIC 650V 25A TO247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 25A
Supplier Device Package: TO-247-3L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 24 µA @ 650 V
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+405.08 грн
30+217.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J016H3-ISATH SDS065J016H3-ISATH Sanan Power Semiconductor SDS065J016H3-ISATH.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 44A TO247-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 837pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 44A
Supplier Device Package: TO-247-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 48 µA @ 650 V
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+412.20 грн
30+222.13 грн
120+183.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J020C3-ISATH SDS065J020C3-ISATH Sanan Power Semiconductor SDS065J020C3-ISATH.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1018pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 51A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+294.31 грн
50+146.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J020D3-ISARH SDS065J020D3-ISARH Sanan Power Semiconductor SDS065J020D3-ISARH.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO252-2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1018pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 51A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J020D3-ISARH SDS065J020D3-ISARH Sanan Power Semiconductor SDS065J020D3-ISARH.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO252-2L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1018pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 51A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+391.63 грн
10+250.80 грн
100+179.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J020G3-ISATH SDS065J020G3-ISATH Sanan Power Semiconductor SDS065J020G3-ISATH.pdf Description: DIODE ARR SIC 650V 30A TO247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247-3L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+483.40 грн
30+264.06 грн
120+219.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J020H3-ISATH SDS065J020H3-ISATH Sanan Power Semiconductor SDS065J020H3-ISATH.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO247-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1018pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 51A
Supplier Device Package: TO-247-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+468.37 грн
30+254.87 грн
120+211.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J050H3-ISATH SDS065J050H3-ISATH Sanan Power Semiconductor SDS065J050H3-ISATH.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 114A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2970pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 114A
Supplier Device Package: TO-247-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+913.00 грн
30+525.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SDS120J010E3-ISARH SDS120J010E3-ISARH Sanan Power Semiconductor SDS120J010E3-ISARH.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 37A TO2632L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 37A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS120J010E3-ISARH SDS120J010E3-ISARH Sanan Power Semiconductor SDS120J010E3-ISARH.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 37A TO2632L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 37A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+351.28 грн
10+224.83 грн
100+160.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SDS170J025H5-ISATH Sanan Power Semiconductor Description: DIODE 1700V 25A TO2472L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: TO-247-2L
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1091.01 грн
30+637.58 грн
120+547.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ADS065J020C3-ASATH SananSemiconductorADS065J020C3Datasheet.pdf
ADS065J020C3-ASATH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1018pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 51A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+363.14 грн
50+190.60 грн
100+173.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ADS065J020E3-ASARH ADS065J020E3-ASARH.pdf
ADS065J020E3-ASARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE 650V 20A TO2632L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ADS065J020E3-ASARH ADS065J020E3-ASARH.pdf
ADS065J020E3-ASARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE 650V 20A TO2632L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+398.75 грн
10+277.70 грн
100+207.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ADS065J020H3-ASATH SananSemiconductorADS065J020H3Datasheet.pdf
ADS065J020H3-ASATH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO2472L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1018pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 51A
Supplier Device Package: TO-247-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+514.26 грн
30+282.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ADS065J040G3-ASATH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE ARR SIC 650V 51A TO247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 51A
Supplier Device Package: TO-247-3L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+852.08 грн
30+487.77 грн
120+414.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ADS12B3-ASARH ADS12B3-ASARH.pdf
ADS12B3-ASARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 1200V 1A SMBF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMBF
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ADS12B3-ASARH ADS12B3-ASARH.pdf
ADS12B3-ASARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 1200V 1A SMBF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMBF
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 1200 V
на замовлення 2166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+100.48 грн
10+61.03 грн
100+40.44 грн
500+29.64 грн
1000+26.97 грн
2000+24.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ADS16B3-ASARH ADS16B3-ASARH.pdf
ADS16B3-ASARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 1A SMBF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMBF
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 650 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ADS16B3-ASARH ADS16B3-ASARH.pdf
ADS16B3-ASARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 1A SMBF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMBF
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 650 V
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+79.12 грн
10+47.92 грн
100+31.36 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J002D3-ISARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 9A TO252-2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 113pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 9A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 650 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J002D3-ISARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 9A TO252-2L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 113pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 9A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 650 V
на замовлення 2477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+117.09 грн
10+71.31 грн
100+47.59 грн
500+35.09 грн
1000+32.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J004C3-ISATH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 14A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 213pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 14A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 µA @ 650 V
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+184.34 грн
50+86.00 грн
100+77.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J006C3-ISATH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+215.20 грн
50+101.83 грн
100+91.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J006E3-ISARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO263-2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J006E3-ISARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO263-2L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+200.96 грн
10+124.79 грн
100+85.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J006S3-ISBRH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 23A 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 23A
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 650 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+219.15 грн
10+136.60 грн
50+104.62 грн
100+88.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J006S3-ISBRH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 23A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 23A
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 650 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J008C3-ISATH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 25A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 395pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 24 µA @ 650 V
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+250.01 грн
50+119.61 грн
100+107.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J008D3-ISARH SDS065J008D3-ISARH.pdf
SDS065J008D3-ISARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO252-2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 24 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+72.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J008D3-ISARH SDS065J008D3-ISARH.pdf
SDS065J008D3-ISARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO252-2L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 24 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+221.53 грн
10+138.13 грн
100+95.36 грн
500+72.35 грн
1000+68.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J008N3-ISATH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220N2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 395pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220N-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 24 µA @ 650 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+266.62 грн
50+128.28 грн
100+115.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J008S3-ISBRH SDS065J008S3-ISBRH.pdf
SDS065J008S3-ISBRH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 29A 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 395pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29A
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 24 µA @ 650 V
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+243.68 грн
10+152.52 грн
50+117.27 грн
100+99.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J008S3-ISBRH SDS065J008S3-ISBRH.pdf
SDS065J008S3-ISBRH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 29A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 395pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29A
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 24 µA @ 650 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J010C3-ISATH SDS065J010C3-ISATH.pdf
SDS065J010C3-ISATH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 556pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+287.19 грн
50+139.25 грн
100+125.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J010D3-ISARH SDS065J010D3-ISARH.pdf
SDS065J010D3-ISARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 29A TO252-2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 556pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J010D3-ISARH SDS065J010D3-ISARH.pdf
SDS065J010D3-ISARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 29A TO252-2L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 556pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+256.34 грн
10+160.98 грн
100+112.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J010E3-ISARH SDS065J010E3-ISARH.pdf
SDS065J010E3-ISARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO263-2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 556pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J010E3-ISARH SDS065J010E3-ISARH.pdf
SDS065J010E3-ISARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO263-2L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 556pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+267.41 грн
10+167.99 грн
100+117.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J010N3-ISATH SDS065J010N3-ISATH.pdf
SDS065J010N3-ISATH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 26A TO220N2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 556pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 26A
Supplier Device Package: TO-220N-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+305.39 грн
50+148.85 грн
100+134.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J010S3-ISBRH SDS065J010S3-ISBRH.pdf
SDS065J010S3-ISBRH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE 650V-10A DFN8*8-4L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J010S3-ISBRH SDS065J010S3-ISBRH.pdf
SDS065J010S3-ISBRH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE 650V-10A DFN8*8-4L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+277.70 грн
10+174.92 грн
50+135.20 грн
100+114.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J012C3-ISATH SDS065J012C3-ISATH.pdf
SDS065J012C3-ISATH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 37A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 651pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 37A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 36 µA @ 650 V
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+322.00 грн
50+157.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J012S3-ISARH SDS065J012S3-ISARH.pdf
SDS065J012S3-ISARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 44A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 651pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 44A
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 36 µA @ 650 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J012S3-ISARH SDS065J012S3-ISARH.pdf
SDS065J012S3-ISARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 44A 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 651pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 44A
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 36 µA @ 650 V
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+311.72 грн
10+197.93 грн
50+153.71 грн
100+130.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J016C3-ISATH SDS065J016C3-ISATH.pdf
SDS065J016C3-ISATH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 44A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 837pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 44A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 48 µA @ 650 V
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+378.97 грн
50+188.36 грн
100+171.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J016G3-ISATH SDS065J016G3-ISATH.pdf
SDS065J016G3-ISATH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE ARR SIC 650V 25A TO247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 25A
Supplier Device Package: TO-247-3L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 24 µA @ 650 V
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+405.08 грн
30+217.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J016H3-ISATH SDS065J016H3-ISATH.pdf
SDS065J016H3-ISATH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 44A TO247-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 837pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 44A
Supplier Device Package: TO-247-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 48 µA @ 650 V
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+412.20 грн
30+222.13 грн
120+183.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J020C3-ISATH SDS065J020C3-ISATH.pdf
SDS065J020C3-ISATH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1018pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 51A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+294.31 грн
50+146.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J020D3-ISARH SDS065J020D3-ISARH.pdf
SDS065J020D3-ISARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO252-2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1018pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 51A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J020D3-ISARH SDS065J020D3-ISARH.pdf
SDS065J020D3-ISARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO252-2L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1018pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 51A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+391.63 грн
10+250.80 грн
100+179.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J020G3-ISATH SDS065J020G3-ISATH.pdf
SDS065J020G3-ISATH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE ARR SIC 650V 30A TO247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247-3L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+483.40 грн
30+264.06 грн
120+219.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J020H3-ISATH SDS065J020H3-ISATH.pdf
SDS065J020H3-ISATH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO247-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1018pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 51A
Supplier Device Package: TO-247-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+468.37 грн
30+254.87 грн
120+211.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J050H3-ISATH SDS065J050H3-ISATH.pdf
SDS065J050H3-ISATH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 114A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2970pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 114A
Supplier Device Package: TO-247-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+913.00 грн
30+525.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SDS120J010E3-ISARH SDS120J010E3-ISARH.pdf
SDS120J010E3-ISARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 37A TO2632L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 37A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDS120J010E3-ISARH SDS120J010E3-ISARH.pdf
SDS120J010E3-ISARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 37A TO2632L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 37A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+351.28 грн
10+224.83 грн
100+160.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SDS170J025H5-ISATH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE 1700V 25A TO2472L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: TO-247-2L
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1091.01 грн
30+637.58 грн
120+547.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.