Продукція > SANAN POWER SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника SANAN POWER SEMICONDUCTOR (43) > Сторінка 1 з 1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ADS065J020C3-ASATH ADS065J020C3-ASATH Sanan Power Semiconductor SananSemiconductorADS065J020C3Datasheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1018pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 51A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+397.42 грн
50+208.60 грн
100+189.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ADS065J020E3-ASARH ADS065J020E3-ASARH Sanan Power Semiconductor ADS065J020E3-ASARH.pdf Description: DIODE 650V 20A TO2632L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ADS065J020E3-ASARH ADS065J020E3-ASARH Sanan Power Semiconductor ADS065J020E3-ASARH.pdf Description: DIODE 650V 20A TO2632L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+436.39 грн
10+303.91 грн
100+227.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ADS065J020H3-ASATH ADS065J020H3-ASATH Sanan Power Semiconductor SananSemiconductorADS065J020H3Datasheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO2472L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1018pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 51A
Supplier Device Package: TO-247-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+562.80 грн
30+309.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ADS12B3-ASARH ADS12B3-ASARH Sanan Power Semiconductor ADS12B3-ASARH.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 1200V 1A SMBF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMBF
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ADS12B3-ASARH ADS12B3-ASARH Sanan Power Semiconductor ADS12B3-ASARH.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 1200V 1A SMBF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMBF
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 1200 V
на замовлення 4964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+82.26 грн
10+52.95 грн
100+41.31 грн
500+30.29 грн
1000+27.40 грн
2000+25.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ADS16B3-ASARH ADS16B3-ASARH Sanan Power Semiconductor ADS16B3-ASARH.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 1A SMBF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMBF
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ADS16B3-ASARH ADS16B3-ASARH Sanan Power Semiconductor ADS16B3-ASARH.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 1A SMBF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMBF
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 650 V
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+81.39 грн
10+48.86 грн
100+32.03 грн
500+23.25 грн
1000+21.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J002D3-ISARH SDS065J002D3-ISARH Sanan Power Semiconductor SananSemiconductorSDS065J002D3Datasheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 9A TO2522L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 113pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 9A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 650 V
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.91 грн
10+64.12 грн
100+47.63 грн
500+35.12 грн
1000+32.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J002D3-ISARH SDS065J002D3-ISARH Sanan Power Semiconductor SananSemiconductorSDS065J002D3Datasheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 9A TO2522L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 113pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 9A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J004C3-ISATH SDS065J004C3-ISATH Sanan Power Semiconductor SananSemiconductorSDS065J004C3Datasheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 14A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 213pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 14A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 µA @ 650 V
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.80 грн
50+56.31 грн
100+52.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J006C3-ISATH SDS065J006C3-ISATH Sanan Power Semiconductor SananSemiconductorSDS065J006C3Datasheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+232.91 грн
50+110.08 грн
100+99.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J006E3-ISARH SDS065J006E3-ISARH Sanan Power Semiconductor SananSemiconductorSDS065J006E3Datasheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO2632L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J006E3-ISARH SDS065J006E3-ISARH Sanan Power Semiconductor SananSemiconductorSDS065J006E3Datasheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO2632L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.88 грн
10+124.90 грн
100+85.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J006S3-ISBRH SDS065J006S3-ISBRH Sanan Power Semiconductor SananSemiconductorSDS065J006S3Datasheet.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 23A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 23A
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J006S3-ISBRH SDS065J006S3-ISBRH Sanan Power Semiconductor SananSemiconductorSDS065J006S3Datasheet.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 23A 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 23A
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 650 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+219.06 грн
10+136.74 грн
100+94.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J008C3-ISATH SDS065J008C3-ISATH Sanan Power Semiconductor SananSemiconductorSDS065J008C3Datasheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 25A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 395pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 24 µA @ 650 V
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+202.61 грн
50+115.58 грн
100+94.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J008D3-ISARH SDS065J008D3-ISARH Sanan Power Semiconductor SDS065J008D3-ISARH.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO2522L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 24 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+221.66 грн
10+138.16 грн
100+95.44 грн
500+74.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J008D3-ISARH SDS065J008D3-ISARH Sanan Power Semiconductor SDS065J008D3-ISARH.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO2522L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 24 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+78.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J008N3-ISATH SDS065J008N3-ISATH Sanan Power Semiconductor SananSemiconductorSDS065J008N3Datasheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220N2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 395pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220N-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 24 µA @ 650 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+288.33 грн
50+138.67 грн
100+125.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J008S3-ISBRH SDS065J008S3-ISBRH Sanan Power Semiconductor SDS065J008S3-ISBRH.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 29A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 395pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29A
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 24 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J008S3-ISBRH SDS065J008S3-ISBRH Sanan Power Semiconductor SDS065J008S3-ISBRH.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 29A 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 395pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29A
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 24 µA @ 650 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+244.17 грн
10+152.67 грн
100+106.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J010C3-ISATH SDS065J010C3-ISATH Sanan Power Semiconductor SDS065J010C3-ISATH.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 556pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+309.97 грн
50+150.53 грн
100+136.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J010D3-ISARH SDS065J010D3-ISARH Sanan Power Semiconductor SDS065J010D3-ISARH.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 29A TO2522L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 556pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J010D3-ISARH SDS065J010D3-ISARH Sanan Power Semiconductor SDS065J010D3-ISARH.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 29A TO2522L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 556pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+256.29 грн
10+161.17 грн
100+112.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J010E3-ISARH SDS065J010E3-ISARH Sanan Power Semiconductor SDS065J010E3-ISARH.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO2632L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 556pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+266.68 грн
10+168.17 грн
100+117.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J010E3-ISARH SDS065J010E3-ISARH Sanan Power Semiconductor SDS065J010E3-ISARH.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO2632L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 556pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J010N3-ISATH SDS065J010N3-ISATH Sanan Power Semiconductor SDS065J010N3-ISATH.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 26A TO220N2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 556pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 26A
Supplier Device Package: TO-220N-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+329.89 грн
50+160.90 грн
100+145.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J010S3-ISBRH SDS065J010S3-ISBRH Sanan Power Semiconductor SDS065J010S3-ISBRH.pdf Description: DIODE 650V-10A DFN8*8-4L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J010S3-ISBRH SDS065J010S3-ISBRH Sanan Power Semiconductor SDS065J010S3-ISBRH.pdf Description: DIODE 650V-10A DFN8*8-4L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+260.62 грн
10+175.09 грн
100+122.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J012S3-ISARH SDS065J012S3-ISARH Sanan Power Semiconductor SDS065J012S3-ISARH.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 44A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 651pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 44A
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 36 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J012S3-ISARH SDS065J012S3-ISARH Sanan Power Semiconductor SDS065J012S3-ISARH.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 44A 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 651pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 44A
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 36 µA @ 650 V
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+312.57 грн
10+198.11 грн
100+139.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J016C3-ISATH SDS065J016C3-ISATH Sanan Power Semiconductor SDS065J016C3-ISATH.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 44A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 837pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 44A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 48 µA @ 650 V
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+285.73 грн
50+129.27 грн
100+126.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J016G3-ISATH SDS065J016G3-ISATH Sanan Power Semiconductor SDS065J016G3-ISATH.pdf Description: DIODE ARR SIC 650V 25A TO247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 25A
Supplier Device Package: TO-247-3L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 24 µA @ 650 V
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+368.85 грн
30+210.64 грн
120+194.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J016H3-ISATH SDS065J016H3-ISATH Sanan Power Semiconductor SDS065J016H3-ISATH.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 44A TO2472L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 837pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 44A
Supplier Device Package: TO-247-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 48 µA @ 650 V
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+373.18 грн
30+215.31 грн
120+198.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J020C3-ISATH SDS065J020C3-ISATH Sanan Power Semiconductor SDS065J020C3-ISATH.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1018pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 51A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+321.23 грн
50+144.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J020D3-ISARH SDS065J020D3-ISARH Sanan Power Semiconductor SDS065J020D3-ISARH.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO2522L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1018pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 51A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J020D3-ISARH SDS065J020D3-ISARH Sanan Power Semiconductor SDS065J020D3-ISARH.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO2522L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1018pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 51A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+357.60 грн
10+246.55 грн
100+176.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J020G3-ISATH SDS065J020G3-ISATH Sanan Power Semiconductor SDS065J020G3-ISATH.pdf Description: DIODE ARR SIC 650V 30A TO247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247-3L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+522.97 грн
30+285.46 грн
120+237.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J020H3-ISATH SDS065J020H3-ISATH Sanan Power Semiconductor SDS065J020H3-ISATH.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO2472L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1018pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 51A
Supplier Device Package: TO-247-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+497.00 грн
30+270.53 грн
120+224.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J050H3-ISATH SDS065J050H3-ISATH Sanan Power Semiconductor SDS065J050H3-ISATH.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 114A TO2472L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2970pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 114A
Supplier Device Package: TO-247-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+987.07 грн
30+568.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SDS120J010E3-ISARH SDS120J010E3-ISARH Sanan Power Semiconductor SDS120J010E3-ISARH.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 37A TO2632L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 37A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDS120J010E3-ISARH SDS120J010E3-ISARH Sanan Power Semiconductor SDS120J010E3-ISARH.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 37A TO2632L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 37A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+384.44 грн
10+246.05 грн
100+175.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ADS065J020C3-ASATH SananSemiconductorADS065J020C3Datasheet.pdf
ADS065J020C3-ASATH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1018pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 51A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+397.42 грн
50+208.60 грн
100+189.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ADS065J020E3-ASARH ADS065J020E3-ASARH.pdf
ADS065J020E3-ASARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE 650V 20A TO2632L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ADS065J020E3-ASARH ADS065J020E3-ASARH.pdf
ADS065J020E3-ASARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE 650V 20A TO2632L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+436.39 грн
10+303.91 грн
100+227.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ADS065J020H3-ASATH SananSemiconductorADS065J020H3Datasheet.pdf
ADS065J020H3-ASATH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO2472L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1018pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 51A
Supplier Device Package: TO-247-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+562.80 грн
30+309.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ADS12B3-ASARH ADS12B3-ASARH.pdf
ADS12B3-ASARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 1200V 1A SMBF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMBF
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ADS12B3-ASARH ADS12B3-ASARH.pdf
ADS12B3-ASARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 1200V 1A SMBF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMBF
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 1200 V
на замовлення 4964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+82.26 грн
10+52.95 грн
100+41.31 грн
500+30.29 грн
1000+27.40 грн
2000+25.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ADS16B3-ASARH ADS16B3-ASARH.pdf
ADS16B3-ASARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 1A SMBF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMBF
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ADS16B3-ASARH ADS16B3-ASARH.pdf
ADS16B3-ASARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 1A SMBF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMBF
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 650 V
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+81.39 грн
10+48.86 грн
100+32.03 грн
500+23.25 грн
1000+21.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J002D3-ISARH SananSemiconductorSDS065J002D3Datasheet.pdf
SDS065J002D3-ISARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 9A TO2522L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 113pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 9A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 650 V
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.91 грн
10+64.12 грн
100+47.63 грн
500+35.12 грн
1000+32.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J002D3-ISARH SananSemiconductorSDS065J002D3Datasheet.pdf
SDS065J002D3-ISARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 9A TO2522L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 113pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 9A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J004C3-ISATH SananSemiconductorSDS065J004C3Datasheet.pdf
SDS065J004C3-ISATH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 14A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 213pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 14A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 µA @ 650 V
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+136.80 грн
50+56.31 грн
100+52.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J006C3-ISATH SananSemiconductorSDS065J006C3Datasheet.pdf
SDS065J006C3-ISATH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+232.91 грн
50+110.08 грн
100+99.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J006E3-ISARH SananSemiconductorSDS065J006E3Datasheet.pdf
SDS065J006E3-ISARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO2632L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J006E3-ISARH SananSemiconductorSDS065J006E3Datasheet.pdf
SDS065J006E3-ISARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO2632L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+200.88 грн
10+124.90 грн
100+85.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J006S3-ISBRH SananSemiconductorSDS065J006S3Datasheet.pdf
SDS065J006S3-ISBRH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 23A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 23A
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J006S3-ISBRH SananSemiconductorSDS065J006S3Datasheet.pdf
SDS065J006S3-ISBRH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 23A 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 23A
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 650 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+219.06 грн
10+136.74 грн
100+94.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J008C3-ISATH SananSemiconductorSDS065J008C3Datasheet.pdf
SDS065J008C3-ISATH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 25A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 395pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 24 µA @ 650 V
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+202.61 грн
50+115.58 грн
100+94.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J008D3-ISARH SDS065J008D3-ISARH.pdf
SDS065J008D3-ISARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO2522L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 24 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+221.66 грн
10+138.16 грн
100+95.44 грн
500+74.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J008D3-ISARH SDS065J008D3-ISARH.pdf
SDS065J008D3-ISARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO2522L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 24 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+78.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J008N3-ISATH SananSemiconductorSDS065J008N3Datasheet.pdf
SDS065J008N3-ISATH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220N2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 395pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220N-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 24 µA @ 650 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+288.33 грн
50+138.67 грн
100+125.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J008S3-ISBRH SDS065J008S3-ISBRH.pdf
SDS065J008S3-ISBRH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 29A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 395pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29A
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 24 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J008S3-ISBRH SDS065J008S3-ISBRH.pdf
SDS065J008S3-ISBRH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 29A 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 395pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29A
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 24 µA @ 650 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+244.17 грн
10+152.67 грн
100+106.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J010C3-ISATH SDS065J010C3-ISATH.pdf
SDS065J010C3-ISATH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 556pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+309.97 грн
50+150.53 грн
100+136.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J010D3-ISARH SDS065J010D3-ISARH.pdf
SDS065J010D3-ISARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 29A TO2522L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 556pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J010D3-ISARH SDS065J010D3-ISARH.pdf
SDS065J010D3-ISARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 29A TO2522L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 556pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+256.29 грн
10+161.17 грн
100+112.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J010E3-ISARH SDS065J010E3-ISARH.pdf
SDS065J010E3-ISARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO2632L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 556pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+266.68 грн
10+168.17 грн
100+117.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J010E3-ISARH SDS065J010E3-ISARH.pdf
SDS065J010E3-ISARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO2632L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 556pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J010N3-ISATH SDS065J010N3-ISATH.pdf
SDS065J010N3-ISATH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 26A TO220N2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 556pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 26A
Supplier Device Package: TO-220N-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+329.89 грн
50+160.90 грн
100+145.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J010S3-ISBRH SDS065J010S3-ISBRH.pdf
SDS065J010S3-ISBRH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE 650V-10A DFN8*8-4L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J010S3-ISBRH SDS065J010S3-ISBRH.pdf
SDS065J010S3-ISBRH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE 650V-10A DFN8*8-4L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+260.62 грн
10+175.09 грн
100+122.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J012S3-ISARH SDS065J012S3-ISARH.pdf
SDS065J012S3-ISARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 44A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 651pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 44A
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 36 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J012S3-ISARH SDS065J012S3-ISARH.pdf
SDS065J012S3-ISARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 44A 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 651pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 44A
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 36 µA @ 650 V
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+312.57 грн
10+198.11 грн
100+139.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J016C3-ISATH SDS065J016C3-ISATH.pdf
SDS065J016C3-ISATH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 44A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 837pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 44A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 48 µA @ 650 V
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+285.73 грн
50+129.27 грн
100+126.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J016G3-ISATH SDS065J016G3-ISATH.pdf
SDS065J016G3-ISATH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE ARR SIC 650V 25A TO247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 25A
Supplier Device Package: TO-247-3L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 24 µA @ 650 V
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+368.85 грн
30+210.64 грн
120+194.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J016H3-ISATH SDS065J016H3-ISATH.pdf
SDS065J016H3-ISATH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 44A TO2472L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 837pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 44A
Supplier Device Package: TO-247-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 48 µA @ 650 V
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+373.18 грн
30+215.31 грн
120+198.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J020C3-ISATH SDS065J020C3-ISATH.pdf
SDS065J020C3-ISATH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1018pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 51A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+321.23 грн
50+144.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J020D3-ISARH SDS065J020D3-ISARH.pdf
SDS065J020D3-ISARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO2522L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1018pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 51A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J020D3-ISARH SDS065J020D3-ISARH.pdf
SDS065J020D3-ISARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO2522L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1018pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 51A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+357.60 грн
10+246.55 грн
100+176.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J020G3-ISATH SDS065J020G3-ISATH.pdf
SDS065J020G3-ISATH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE ARR SIC 650V 30A TO247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247-3L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+522.97 грн
30+285.46 грн
120+237.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J020H3-ISATH SDS065J020H3-ISATH.pdf
SDS065J020H3-ISATH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO2472L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1018pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 51A
Supplier Device Package: TO-247-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+497.00 грн
30+270.53 грн
120+224.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J050H3-ISATH SDS065J050H3-ISATH.pdf
SDS065J050H3-ISATH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 114A TO2472L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2970pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 114A
Supplier Device Package: TO-247-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+987.07 грн
30+568.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SDS120J010E3-ISARH SDS120J010E3-ISARH.pdf
SDS120J010E3-ISARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 37A TO2632L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 37A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDS120J010E3-ISARH SDS120J010E3-ISARH.pdf
SDS120J010E3-ISARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 37A TO2632L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 37A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+384.44 грн
10+246.05 грн
100+175.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.