Продукція > SANAN POWER SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника SANAN POWER SEMICONDUCTOR (36) > Сторінка 1 з 1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ADS12B3-ASARH ADS12B3-ASARH Sanan Power Semiconductor ADS12B3-ASARH.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 1200V 1A SMBF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMBF
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 1200 V
на замовлення 6248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.76 грн
10+49.23 грн
100+38.45 грн
500+28.19 грн
1000+25.50 грн
2000+24.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ADS12B3-ASARH ADS12B3-ASARH Sanan Power Semiconductor ADS12B3-ASARH.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 1200V 1A SMBF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMBF
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 1200 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+23.55 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
ADS16B3-ASARH ADS16B3-ASARH Sanan Power Semiconductor ADS16B3-ASARH.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 1A SMBF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMBF
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ADS16B3-ASARH ADS16B3-ASARH Sanan Power Semiconductor ADS16B3-ASARH.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 1A SMBF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMBF
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 650 V
на замовлення 3268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.94 грн
10+45.53 грн
100+29.81 грн
500+21.64 грн
1000+19.59 грн
2000+17.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J002D3-ISARH SDS065J002D3-ISARH Sanan Power Semiconductor SananSemiconductorSDS065J002D3Datasheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 9A TO2522L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 113pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 9A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 650 V
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.74 грн
10+60.00 грн
100+44.61 грн
500+32.89 грн
1000+30.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J002D3-ISARH SDS065J002D3-ISARH Sanan Power Semiconductor SananSemiconductorSDS065J002D3Datasheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 9A TO2522L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 113pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 9A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J004C3-ISATH SDS065J004C3-ISATH Sanan Power Semiconductor SananSemiconductorSDS065J004C3Datasheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 14A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 213pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 14A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 µA @ 650 V
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.21 грн
50+52.75 грн
100+49.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J006C3-ISATH SDS065J006C3-ISATH Sanan Power Semiconductor SananSemiconductorSDS065J006C3Datasheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+218.03 грн
50+103.11 грн
100+92.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J006E3-ISARH SDS065J006E3-ISARH Sanan Power Semiconductor SananSemiconductorSDS065J006E3Datasheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO2632L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J006E3-ISARH SDS065J006E3-ISARH Sanan Power Semiconductor SananSemiconductorSDS065J006E3Datasheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO2632L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.63 грн
10+116.93 грн
100+80.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J006S3-ISBRH SDS065J006S3-ISBRH Sanan Power Semiconductor SananSemiconductorSDS065J006S3Datasheet.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 23A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 23A
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J006S3-ISBRH SDS065J006S3-ISBRH Sanan Power Semiconductor SananSemiconductorSDS065J006S3Datasheet.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 23A 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 23A
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 650 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.97 грн
10+128.10 грн
100+88.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J008C3-ISATH SDS065J008C3-ISATH Sanan Power Semiconductor SananSemiconductorSDS065J008C3Datasheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 25A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 395pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 24 µA @ 650 V
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.45 грн
50+108.26 грн
100+88.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J008D3-ISARH SDS065J008D3-ISARH Sanan Power Semiconductor SDS065J008D3-ISARH.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO2522L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 24 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+207.42 грн
10+129.43 грн
100+89.40 грн
500+69.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J008D3-ISARH SDS065J008D3-ISARH Sanan Power Semiconductor SDS065J008D3-ISARH.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO2522L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 24 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+73.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J008N3-ISATH SDS065J008N3-ISATH Sanan Power Semiconductor SananSemiconductorSDS065J008N3Datasheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220N2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 395pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220N-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 24 µA @ 650 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+269.48 грн
50+129.89 грн
100+117.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J008S3-ISBRH SDS065J008S3-ISBRH Sanan Power Semiconductor SDS065J008S3-ISBRH.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 29A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 395pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29A
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 24 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J008S3-ISBRH SDS065J008S3-ISBRH Sanan Power Semiconductor SDS065J008S3-ISBRH.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 29A 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 395pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29A
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 24 µA @ 650 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+228.65 грн
10+143.04 грн
100+99.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J010C3-ISATH SDS065J010C3-ISATH Sanan Power Semiconductor SDS065J010C3-ISATH.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 556pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+290.71 грн
50+141.01 грн
100+127.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J010D3-ISARH SDS065J010D3-ISARH Sanan Power Semiconductor SDS065J010D3-ISARH.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 29A TO2522L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 556pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J010D3-ISARH SDS065J010D3-ISARH Sanan Power Semiconductor SDS065J010D3-ISARH.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 29A TO2522L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 556pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+240.08 грн
10+150.98 грн
100+105.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J010E3-ISARH SDS065J010E3-ISARH Sanan Power Semiconductor SDS065J010E3-ISARH.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO2632L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 556pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J010E3-ISARH SDS065J010E3-ISARH Sanan Power Semiconductor SDS065J010E3-ISARH.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO2632L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 556pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+249.88 грн
10+157.51 грн
100+109.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J010N3-ISATH SDS065J010N3-ISATH Sanan Power Semiconductor SDS065J010N3-ISATH.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 26A TO220N2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 556pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 26A
Supplier Device Package: TO-220N-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+308.67 грн
50+150.71 грн
100+136.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J010S3-ISBRH SDS065J010S3-ISBRH Sanan Power Semiconductor SDS065J010S3-ISBRH.pdf Description: DIODE 650V-10A DFN8*8-4L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J010S3-ISBRH SDS065J010S3-ISBRH Sanan Power Semiconductor SDS065J010S3-ISBRH.pdf Description: DIODE 650V-10A DFN8*8-4L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+244.16 грн
10+163.95 грн
100+114.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J012S3-ISARH SDS065J012S3-ISARH Sanan Power Semiconductor SDS065J012S3-ISARH.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 44A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 651pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 44A
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 36 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J012S3-ISARH SDS065J012S3-ISARH Sanan Power Semiconductor SDS065J012S3-ISARH.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 44A 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 651pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 44A
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 36 µA @ 650 V
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+293.16 грн
10+185.58 грн
100+130.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J016C3-ISATH SDS065J016C3-ISATH Sanan Power Semiconductor SDS065J016C3-ISATH.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 44A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 837pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 44A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 48 µA @ 650 V
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+267.84 грн
50+121.08 грн
100+118.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J016G3-ISATH SDS065J016G3-ISATH Sanan Power Semiconductor SDS065J016G3-ISATH.pdf Description: DIODE ARR SIC 650V 25A TO247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 25A
Supplier Device Package: TO-247-3L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 24 µA @ 650 V
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+345.42 грн
30+197.30 грн
120+181.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J016H3-ISATH SDS065J016H3-ISATH Sanan Power Semiconductor SDS065J016H3-ISATH.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 44A TO2472L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 837pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 44A
Supplier Device Package: TO-247-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 48 µA @ 650 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+349.50 грн
30+201.67 грн
120+185.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J020D3-ISARH SDS065J020D3-ISARH Sanan Power Semiconductor SDS065J020D3-ISARH.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO2522L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1018pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 51A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J020D3-ISARH SDS065J020D3-ISARH Sanan Power Semiconductor SDS065J020D3-ISARH.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO2522L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1018pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 51A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+341.34 грн
10+235.20 грн
100+168.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J020G3-ISATH SDS065J020G3-ISATH Sanan Power Semiconductor SDS065J020G3-ISATH.pdf Description: DIODE ARR SIC 650V 30A TO247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247-3L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+489.96 грн
30+267.39 грн
120+222.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J020H3-ISATH SDS065J020H3-ISATH Sanan Power Semiconductor SDS065J020H3-ISATH.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO2472L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1018pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 51A
Supplier Device Package: TO-247-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+474.44 грн
30+258.08 грн
120+214.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J050H3-ISATH SDS065J050H3-ISATH Sanan Power Semiconductor SDS065J050H3-ISATH.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 114A TO2472L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2970pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 114A
Supplier Device Package: TO-247-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+924.39 грн
30+532.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ADS12B3-ASARH ADS12B3-ASARH.pdf
ADS12B3-ASARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 1200V 1A SMBF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMBF
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 1200 V
на замовлення 6248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.76 грн
10+49.23 грн
100+38.45 грн
500+28.19 грн
1000+25.50 грн
2000+24.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ADS12B3-ASARH ADS12B3-ASARH.pdf
ADS12B3-ASARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 1200V 1A SMBF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMBF
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 1200 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+23.55 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
ADS16B3-ASARH ADS16B3-ASARH.pdf
ADS16B3-ASARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 1A SMBF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMBF
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ADS16B3-ASARH ADS16B3-ASARH.pdf
ADS16B3-ASARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 1A SMBF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMBF
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 650 V
на замовлення 3268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.94 грн
10+45.53 грн
100+29.81 грн
500+21.64 грн
1000+19.59 грн
2000+17.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J002D3-ISARH SananSemiconductorSDS065J002D3Datasheet.pdf
SDS065J002D3-ISARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 9A TO2522L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 113pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 9A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 650 V
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.74 грн
10+60.00 грн
100+44.61 грн
500+32.89 грн
1000+30.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J002D3-ISARH SananSemiconductorSDS065J002D3Datasheet.pdf
SDS065J002D3-ISARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 9A TO2522L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 113pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 9A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J004C3-ISATH SananSemiconductorSDS065J004C3Datasheet.pdf
SDS065J004C3-ISATH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 14A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 213pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 14A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 µA @ 650 V
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.21 грн
50+52.75 грн
100+49.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J006C3-ISATH SananSemiconductorSDS065J006C3Datasheet.pdf
SDS065J006C3-ISATH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+218.03 грн
50+103.11 грн
100+92.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J006E3-ISARH SananSemiconductorSDS065J006E3Datasheet.pdf
SDS065J006E3-ISARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO2632L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J006E3-ISARH SananSemiconductorSDS065J006E3Datasheet.pdf
SDS065J006E3-ISARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO2632L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+188.63 грн
10+116.93 грн
100+80.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J006S3-ISBRH SananSemiconductorSDS065J006S3Datasheet.pdf
SDS065J006S3-ISBRH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 23A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 23A
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J006S3-ISBRH SananSemiconductorSDS065J006S3Datasheet.pdf
SDS065J006S3-ISBRH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 23A 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 23A
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 650 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+204.97 грн
10+128.10 грн
100+88.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J008C3-ISATH SananSemiconductorSDS065J008C3Datasheet.pdf
SDS065J008C3-ISATH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 25A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 395pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 24 µA @ 650 V
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+189.45 грн
50+108.26 грн
100+88.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J008D3-ISARH SDS065J008D3-ISARH.pdf
SDS065J008D3-ISARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO2522L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 24 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+207.42 грн
10+129.43 грн
100+89.40 грн
500+69.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J008D3-ISARH SDS065J008D3-ISARH.pdf
SDS065J008D3-ISARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO2522L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 24 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+73.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J008N3-ISATH SananSemiconductorSDS065J008N3Datasheet.pdf
SDS065J008N3-ISATH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220N2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 395pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220N-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 24 µA @ 650 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+269.48 грн
50+129.89 грн
100+117.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J008S3-ISBRH SDS065J008S3-ISBRH.pdf
SDS065J008S3-ISBRH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 29A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 395pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29A
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 24 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J008S3-ISBRH SDS065J008S3-ISBRH.pdf
SDS065J008S3-ISBRH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 29A 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 395pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29A
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 24 µA @ 650 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+228.65 грн
10+143.04 грн
100+99.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J010C3-ISATH SDS065J010C3-ISATH.pdf
SDS065J010C3-ISATH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 556pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+290.71 грн
50+141.01 грн
100+127.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J010D3-ISARH SDS065J010D3-ISARH.pdf
SDS065J010D3-ISARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 29A TO2522L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 556pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J010D3-ISARH SDS065J010D3-ISARH.pdf
SDS065J010D3-ISARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 29A TO2522L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 556pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+240.08 грн
10+150.98 грн
100+105.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J010E3-ISARH SDS065J010E3-ISARH.pdf
SDS065J010E3-ISARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO2632L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 556pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J010E3-ISARH SDS065J010E3-ISARH.pdf
SDS065J010E3-ISARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO2632L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 556pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+249.88 грн
10+157.51 грн
100+109.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J010N3-ISATH SDS065J010N3-ISATH.pdf
SDS065J010N3-ISATH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 26A TO220N2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 556pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 26A
Supplier Device Package: TO-220N-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+308.67 грн
50+150.71 грн
100+136.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J010S3-ISBRH SDS065J010S3-ISBRH.pdf
SDS065J010S3-ISBRH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE 650V-10A DFN8*8-4L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J010S3-ISBRH SDS065J010S3-ISBRH.pdf
SDS065J010S3-ISBRH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE 650V-10A DFN8*8-4L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+244.16 грн
10+163.95 грн
100+114.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J012S3-ISARH SDS065J012S3-ISARH.pdf
SDS065J012S3-ISARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 44A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 651pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 44A
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 36 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J012S3-ISARH SDS065J012S3-ISARH.pdf
SDS065J012S3-ISARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 44A 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 651pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 44A
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 36 µA @ 650 V
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+293.16 грн
10+185.58 грн
100+130.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J016C3-ISATH SDS065J016C3-ISATH.pdf
SDS065J016C3-ISATH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 44A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 837pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 44A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 48 µA @ 650 V
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+267.84 грн
50+121.08 грн
100+118.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J016G3-ISATH SDS065J016G3-ISATH.pdf
SDS065J016G3-ISATH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE ARR SIC 650V 25A TO247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 25A
Supplier Device Package: TO-247-3L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 24 µA @ 650 V
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+345.42 грн
30+197.30 грн
120+181.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J016H3-ISATH SDS065J016H3-ISATH.pdf
SDS065J016H3-ISATH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 44A TO2472L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 837pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 44A
Supplier Device Package: TO-247-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 48 µA @ 650 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+349.50 грн
30+201.67 грн
120+185.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J020D3-ISARH SDS065J020D3-ISARH.pdf
SDS065J020D3-ISARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO2522L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1018pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 51A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J020D3-ISARH SDS065J020D3-ISARH.pdf
SDS065J020D3-ISARH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO2522L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1018pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 51A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+341.34 грн
10+235.20 грн
100+168.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J020G3-ISATH SDS065J020G3-ISATH.pdf
SDS065J020G3-ISATH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE ARR SIC 650V 30A TO247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247-3L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+489.96 грн
30+267.39 грн
120+222.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J020H3-ISATH SDS065J020H3-ISATH.pdf
SDS065J020H3-ISATH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO2472L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1018pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 51A
Supplier Device Package: TO-247-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+474.44 грн
30+258.08 грн
120+214.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SDS065J050H3-ISATH SDS065J050H3-ISATH.pdf
SDS065J050H3-ISATH
Виробник: Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 114A TO2472L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2970pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 114A
Supplier Device Package: TO-247-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+924.39 грн
30+532.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.