Результат пошуку "10n8" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
0500798000-10-N8-D 0500798000-10-N8-D Molex Description: 10" PRE-CRIMP 1852 BROWN
Packaging: Bulk
Contact Finish: Tin
Color: Brown
Length: 10.0" (254.0mm)
Wire Gauge: 28 AWG
Contact End: Socket to Socket
Contact Finish Thickness: 35.4µin (0.90µm)
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+53.89 грн
100+ 43.23 грн
Мінімальне замовлення: 10
1210N822J500CT 1210N822J500CT Walsin WTC_MLCC_General_Purpose-1534899.pdf Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 8200pF +-5% 50V
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+39.9 грн
12+ 25.93 грн
100+ 13.53 грн
1000+ 9.02 грн
3000+ 8.28 грн
9000+ 7.67 грн
24000+ 7.07 грн
Мінімальне замовлення: 8
A10N86 A10N86 Hoffman Enclosures, Inc. Spec-00260.pdf Description: BOX STEEL GRAY 10"L X 7.99"W
Features: Wall Mount
Packaging: Bulk
Color: Gray
Size / Dimension: 10.000" L x 7.992" W (254.00mm x 203.00mm)
Material: Metal, Steel
Thickness: 16 Gauge
Height: 5.984" (152.00mm)
Design: Hinged Door, Lid
Ratings: IP30, NEMA 1, UL-50, 50E
Container Type: Box
Area (L x W): 80.0in² (516cm²)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9182.51 грн
A10N8P A10N8P Hoffman Enclosures, Inc. Spec-00260.pdf Description: PANEL N1 8.25X6.25
Packaging: Bulk
Features: Mounting Hardware
Color: White
Size / Dimension: 8.250" L x 6.250" W (209.55mm x 158.75mm)
For Use With/Related Products: Enclosures
Material: Metal, Steel
Type: Panel
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1119.23 грн
5+ 1017.9 грн
10+ 958.01 грн
25+ 842.91 грн
FDBL0210N80 FDBL0210N80 onsemi / Fairchild FDBL0210N80_D-2312219.pdf MOSFET Code D IMR
на замовлення 3949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+331.43 грн
10+ 287.98 грн
25+ 249.07 грн
100+ 218.78 грн
250+ 214.07 грн
500+ 199.26 грн
1000+ 183.1 грн
FDBL0210N80 FDBL0210N80 onsemi fdbl0210n80-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 240A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 40 V
на замовлення 3660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+400.51 грн
10+ 323.33 грн
100+ 261.57 грн
500+ 218.2 грн
1000+ 186.83 грн
FDBL0210N80 FDBL0210N80 onsemi fdbl0210n80-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 240A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 40 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+194.67 грн
Мінімальне замовлення: 2000
FQA10N80 FQA10N80 Fairchild Semiconductor FAIRS24245-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 800V 9.8A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
на замовлення 58266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
193+106.36 грн
Мінімальне замовлення: 193
FQAF10N80 FQAF10N80 Fairchild Semiconductor FAIRS17098-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 800V 6.7A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 3.35A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
на замовлення 7549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
166+123.41 грн
Мінімальне замовлення: 166
FRW 10 N - 8 OHM FRW 10 N - 8 OHM Visaton GmbH & Co. KG FRW%2010%20N_2032.pdf Description: SPEAKER 8OHM 10W TOP PORT 86DB
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 4.016" L x 4.016" W (102.00mm x 102.00mm)
Shape: Round, Square Frame
Termination: Quick Connect
Frequency - Self Resonant: 120Hz
Port Location: Top
Height - Seated (Max): 1.504" (38.20mm)
Part Status: Active
Impedance: 8 Ohms
Power - Max: 20 W
Power - Rated: 10 W
Frequency Range: 80 Hz ~ 17 kHz
Efficiency - dBA: 86.00
Efficiency - Testing: 1W/1M
Efficiency - Type: Sound Pressure Level (SPL)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+861.45 грн
10+ 679.34 грн
25+ 624.31 грн
IXFA10N80P IXFA10N80P IXYS media-3322078.pdf MOSFET 10 Amps 800V 1.1 Rds
на замовлення 10121 шт:
термін постачання 343-352 дні (днів)
1+329.07 грн
50+ 257.02 грн
100+ 201.28 грн
250+ 191.85 грн
500+ 170.31 грн
IXFH10N80P IXFH10N80P IXYS IXFA(H,P,Q)10N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+359.46 грн
4+ 229.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFH10N80P IXFH10N80P IXYS IXFA(H,P,Q)10N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+431.35 грн
4+ 285.74 грн
10+ 260.85 грн
30+ 260.01 грн
510+ 250.76 грн
IXFH10N80P IXFH10N80P IXYS media-3322078.pdf MOSFET 10 Amps 800V 1.1 Rds
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+422.53 грн
10+ 360.75 грн
30+ 304.27 грн
120+ 271.96 грн
270+ 256.48 грн
510+ 224.17 грн
1020+ 193.2 грн
IXFH10N80P IXFH10N80P Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_10n80p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 10A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+276.71 грн
30+ 211.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFN110N85X IXFN110N85X IXYS IXFN110N85X.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 850V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 220A
Technology: HiPerFET™; X-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 1170W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 33mΩ
Gate charge: 425nC
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 205ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4868.54 грн
IXFN110N85X IXFN110N85X IXYS IXFN110N85X.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 850V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 220A
Technology: HiPerFET™; X-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 1170W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 33mΩ
Gate charge: 425nC
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 205ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+5842.24 грн
IXFN110N85X IXFN110N85X Littelfuse Inc. IXFN110N85X%20data%20sheet.pdf Description: MOSFET N-CH 850V 110A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 1170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 425 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 25 V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4962.63 грн
IXFN110N85X IXFN110N85X IXYS media-3322450.pdf Discrete Semiconductor Modules 850V X-Class HiPerFE Power MOSFET
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5316.17 грн
10+ 4844.63 грн
100+ 3937.39 грн
IXFP10N80P IXFP10N80P Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_10n80p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+418.71 грн
50+ 319.29 грн
100+ 273.69 грн
SC 10 N - 8 OHM SC 10 N - 8 OHM Visaton GmbH & Co. KG SC%2010%20N.pdf Description: SPEAKER 8OHM TOP PORT 90DB
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 4.094" Dia (104.00mm)
Shape: Round
Type: General Purpose
Technology: Magnetic
Frequency - Self Resonant: 1.7kHz
Port Location: Top
Height - Seated (Max): 1.437" (36.50mm)
Part Status: Active
Impedance: 8 Ohms
Frequency Range: 1 kHz ~ 20 kHz
Efficiency - dBA: 90.00
Efficiency - Testing: 1W/1M
Efficiency - Type: Sound Pressure Level (SPL)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1558.33 грн
10+ 1223.35 грн
SSF10N80A Fairchild Semiconductor FAIRS06924-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
на замовлення 1381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+167.04 грн
Мінімальне замовлення: 123
STD110N8F6 STD110N8F6 STMicroelectronics std110n8f6-1850459.pdf MOSFET N-channel 80 V, 0.0056 Ohm typ 110 A, STripFET F6 Power MOSFET
на замовлення 13484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+104.45 грн
10+ 87.48 грн
100+ 63.21 грн
250+ 62.34 грн
500+ 55.74 грн
1000+ 47.59 грн
2500+ 45.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
STD110N8F6 STD110N8F6 STMicroelectronics en.DM00151073.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 80A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9130 pF @ 40 V
на замовлення 2399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.33 грн
10+ 91.3 грн
100+ 72.7 грн
500+ 57.73 грн
1000+ 48.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF10N80K5 STF10N80K5 STMicroelectronics stf10n80k5-1850387.pdf MOSFET N-channel 800 V, 0.470 Ohm typ 9 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 752 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+154.72 грн
25+ 131.61 грн
100+ 103.67 грн
250+ 103 грн
500+ 96.94 грн
1000+ 90.88 грн
2000+ 86.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF10N80K5 STF10N80K5 STMicroelectronics en.DM00122529.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 9A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 100 V
на замовлення 903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.43 грн
50+ 148.28 грн
100+ 127.1 грн
500+ 106.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
STFU10N80K5 STFU10N80K5 STMicroelectronics stf10n80k5-1850387.pdf MOSFET N-channel 800 V, 0.470 Ohm typ 9 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 726 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+206.55 грн
10+ 142.44 грн
25+ 121.84 грн
100+ 109.73 грн
250+ 107.71 грн
500+ 100.98 грн
1000+ 91.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
STH10N80K5-2AG STH10N80K5-2AG STMicroelectronics sth10n80k5_2ag-1892175.pdf MOSFET Automotive-grade N-channel 800V, 0.60 Ohm 8A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+310.22 грн
10+ 257.02 грн
25+ 210.7 грн
100+ 181.08 грн
250+ 170.99 грн
500+ 160.89 грн
1000+ 137.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
STH10N80K5-2AG STH10N80K5-2AG STMicroelectronics sth10n80k5-2ag.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 8A H2PAK-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 680mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 121W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 426 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+289.82 грн
10+ 234.07 грн
100+ 189.36 грн
500+ 157.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP10N80K5 STMicroelectronics stp10n80k5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 6A; Idm: 36A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+227.3 грн
5+ 190.03 грн
6+ 145.85 грн
16+ 137.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP10N80K5 STMicroelectronics stp10n80k5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 6A; Idm: 36A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+272.76 грн
5+ 236.81 грн
6+ 175.03 грн
16+ 164.93 грн
STP110N8F6 STP110N8F6 STMicroelectronics stp110n8f6-1851410.pdf MOSFET N-channel 80 V, 0.0056 Ohm typ 110 A, STripFET F6 Power MOSFET
на замовлення 3770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+106.02 грн
10+ 89.8 грн
100+ 68.66 грн
500+ 62 грн
1000+ 55.47 грн
2000+ 53.99 грн
5000+ 52.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP110N8F6 STP110N8F6 STMicroelectronics en.DM00130827.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 110A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9130 pF @ 40 V
на замовлення 741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.43 грн
50+ 98.52 грн
100+ 81.06 грн
500+ 64.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
TN2510N8-G TN2510N8-G MICROCHIP TECHNOLOGY tn2510.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.66 грн
5+ 86.25 грн
12+ 72.23 грн
32+ 68.02 грн
100+ 66.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
TN2510N8-G TN2510N8-G MICROCHIP TECHNOLOGY tn2510.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 210 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+115.99 грн
5+ 107.48 грн
12+ 86.67 грн
32+ 81.62 грн
100+ 79.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
TN2510N8-G TN2510N8-G Microchip Technology TN2510-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005950A.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 730MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 730mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+69.54 грн
Мінімальне замовлення: 2000
TN2510N8-G TN2510N8-G Microchip Technology TN2510-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005950A.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 730MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 730mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
на замовлення 5673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.75 грн
25+ 74.19 грн
100+ 66.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
TN2510N8-G TN2510N8-G Microchip Technology TN2510-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005950A.pdf MOSFET 100V 1.5Ohm
на замовлення 10567 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+98.96 грн
25+ 81.29 грн
100+ 63.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
TN2510N8-G Microchip TN2510-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005950A.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 15Ohm; 730mA; 1,6W; -55°C ~ 150°C; TN2510N8-G TTN2510n8
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+85.34 грн
Мінімальне замовлення: 10
TP2510N8-G TP2510N8-G MICROCHIP TECHNOLOGY tp2510.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1.5A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -1.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.73 грн
10+ 59.6 грн
15+ 58.2 грн
39+ 54.7 грн
100+ 52.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
TP2510N8-G TP2510N8-G MICROCHIP TECHNOLOGY tp2510.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1.5A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -1.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 325 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+94.37 грн
10+ 71.52 грн
15+ 69.84 грн
39+ 65.63 грн
100+ 63.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
TP2510N8-G TP2510N8-G Microchip Technology TP2510-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005965.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 480MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+78.41 грн
Мінімальне замовлення: 2000
TP2510N8-G TP2510N8-G Microchip Technology l-enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005965.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 0.48A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+52.78 грн
Мінімальне замовлення: 2000
TP2510N8-G TP2510N8-G Microchip Technology TP2510-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005965.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 480MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
на замовлення 16809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.86 грн
25+ 84.03 грн
100+ 75.5 грн
Мінімальне замовлення: 3
TP2510N8-G TP2510N8-G Microchip Technology TP2510-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005965.pdf MOSFET 100V 3.5Ohm
на замовлення 7397 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+112.31 грн
25+ 92.12 грн
100+ 72.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
TP2510N8-G Microchip TP2510-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005965.pdf P-MOSFET 100V 480mA 3.5mΩ 1.6W TP2510N8-G Microchip Tech TTP2510n8
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+54.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
WMJ10N80D1 WMJ10N80D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 10A; Idm: 40A; 215W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 215W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 910mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+111.76 грн
5+ 82.74 грн
10+ 61.71 грн
19+ 45.58 грн
50+ 42.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
WMJ10N80D1 WMJ10N80D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 10A; Idm: 40A; 215W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 215W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 910mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 103 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+103.11 грн
10+ 74.05 грн
19+ 54.7 грн
50+ 51.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
WMK10N80M3 WMK10N80M3 WAYON WMx10N80M3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10A; 85W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.03Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+130.64 грн
4+ 100.98 грн
10+ 81.34 грн
18+ 46.98 грн
49+ 44.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
WMK10N80M3 WMK10N80M3 WAYON WMx10N80M3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10A; 85W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.03Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 427 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+156.77 грн
3+ 125.83 грн
10+ 97.61 грн
18+ 56.38 грн
49+ 53.01 грн
1000+ 52.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
WML10N80D1B WML10N80D1B WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 40A; 62.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 62.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 910mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+52.11 грн
10+ 39.83 грн
27+ 31.56 грн
72+ 29.8 грн
Мінімальне замовлення: 8
WML10N80D1B WML10N80D1B WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 40A; 62.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 62.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 910mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 278 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+62.53 грн
10+ 49.63 грн
27+ 37.87 грн
72+ 35.76 грн
500+ 35.43 грн
2000+ 34.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
WML10N80M3 WML10N80M3 WAYON WMx10N80M3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.03Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+64.94 грн
7+ 56.8 грн
20+ 42.77 грн
53+ 40.67 грн
Мінімальне замовлення: 6
WML10N80M3 WML10N80M3 WAYON WMx10N80M3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.03Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 198 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+77.93 грн
5+ 70.78 грн
20+ 51.33 грн
53+ 48.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
WML10N80M3; 10A; 800V; 31W; 0,86R; N-канальный; Корпус: TO-220F; WAYON
на замовлення 4 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
4+166.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
WMO10N80M3 WMO10N80M3 WAYON WMx10N80M3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10A; 85W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 85W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.03Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2234 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+52.86 грн
10+ 38.57 грн
25+ 33.8 грн
26+ 32.96 грн
69+ 30.85 грн
100+ 30.71 грн
500+ 29.8 грн
Мінімальне замовлення: 8
WMO10N80M3 WMO10N80M3 WAYON WMx10N80M3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10A; 85W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 85W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.03Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2234 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+63.43 грн
6+ 48.06 грн
25+ 40.56 грн
26+ 39.55 грн
69+ 37.02 грн
100+ 36.86 грн
500+ 35.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
FQA10N80 Fairchild FAIRS24245-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQA10N80C FAIRCHILD FQA10N80C.pdf 2005 TO-3P
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQA10N80C-F109 ON Semiconductor fqa10n80c_f109-d.pdf
на замовлення 11250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
0500798000-10-N8-D
0500798000-10-N8-D
Виробник: Molex
Description: 10" PRE-CRIMP 1852 BROWN
Packaging: Bulk
Contact Finish: Tin
Color: Brown
Length: 10.0" (254.0mm)
Wire Gauge: 28 AWG
Contact End: Socket to Socket
Contact Finish Thickness: 35.4µin (0.90µm)
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+53.89 грн
100+ 43.23 грн
Мінімальне замовлення: 10
1210N822J500CT WTC_MLCC_General_Purpose-1534899.pdf
1210N822J500CT
Виробник: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 8200pF +-5% 50V
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+39.9 грн
12+ 25.93 грн
100+ 13.53 грн
1000+ 9.02 грн
3000+ 8.28 грн
9000+ 7.67 грн
24000+ 7.07 грн
Мінімальне замовлення: 8
A10N86 Spec-00260.pdf
A10N86
Виробник: Hoffman Enclosures, Inc.
Description: BOX STEEL GRAY 10"L X 7.99"W
Features: Wall Mount
Packaging: Bulk
Color: Gray
Size / Dimension: 10.000" L x 7.992" W (254.00mm x 203.00mm)
Material: Metal, Steel
Thickness: 16 Gauge
Height: 5.984" (152.00mm)
Design: Hinged Door, Lid
Ratings: IP30, NEMA 1, UL-50, 50E
Container Type: Box
Area (L x W): 80.0in² (516cm²)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+9182.51 грн
A10N8P Spec-00260.pdf
A10N8P
Виробник: Hoffman Enclosures, Inc.
Description: PANEL N1 8.25X6.25
Packaging: Bulk
Features: Mounting Hardware
Color: White
Size / Dimension: 8.250" L x 6.250" W (209.55mm x 158.75mm)
For Use With/Related Products: Enclosures
Material: Metal, Steel
Type: Panel
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1119.23 грн
5+ 1017.9 грн
10+ 958.01 грн
25+ 842.91 грн
FDBL0210N80 FDBL0210N80_D-2312219.pdf
FDBL0210N80
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET Code D IMR
на замовлення 3949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+331.43 грн
10+ 287.98 грн
25+ 249.07 грн
100+ 218.78 грн
250+ 214.07 грн
500+ 199.26 грн
1000+ 183.1 грн
FDBL0210N80 fdbl0210n80-d.pdf
FDBL0210N80
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 240A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 40 V
на замовлення 3660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+400.51 грн
10+ 323.33 грн
100+ 261.57 грн
500+ 218.2 грн
1000+ 186.83 грн
FDBL0210N80 fdbl0210n80-d.pdf
FDBL0210N80
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 240A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 40 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+194.67 грн
Мінімальне замовлення: 2000
FQA10N80 FAIRS24245-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQA10N80
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 800V 9.8A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
на замовлення 58266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
193+106.36 грн
Мінімальне замовлення: 193
FQAF10N80 FAIRS17098-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQAF10N80
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 800V 6.7A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 3.35A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
на замовлення 7549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
166+123.41 грн
Мінімальне замовлення: 166
FRW 10 N - 8 OHM FRW%2010%20N_2032.pdf
FRW 10 N - 8 OHM
Виробник: Visaton GmbH & Co. KG
Description: SPEAKER 8OHM 10W TOP PORT 86DB
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 4.016" L x 4.016" W (102.00mm x 102.00mm)
Shape: Round, Square Frame
Termination: Quick Connect
Frequency - Self Resonant: 120Hz
Port Location: Top
Height - Seated (Max): 1.504" (38.20mm)
Part Status: Active
Impedance: 8 Ohms
Power - Max: 20 W
Power - Rated: 10 W
Frequency Range: 80 Hz ~ 17 kHz
Efficiency - dBA: 86.00
Efficiency - Testing: 1W/1M
Efficiency - Type: Sound Pressure Level (SPL)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+861.45 грн
10+ 679.34 грн
25+ 624.31 грн
IXFA10N80P media-3322078.pdf
IXFA10N80P
Виробник: IXYS
MOSFET 10 Amps 800V 1.1 Rds
на замовлення 10121 шт:
термін постачання 343-352 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+329.07 грн
50+ 257.02 грн
100+ 201.28 грн
250+ 191.85 грн
500+ 170.31 грн
IXFH10N80P IXFA(H,P,Q)10N80P.pdf
IXFH10N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+359.46 грн
4+ 229.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFH10N80P IXFA(H,P,Q)10N80P.pdf
IXFH10N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+431.35 грн
4+ 285.74 грн
10+ 260.85 грн
30+ 260.01 грн
510+ 250.76 грн
IXFH10N80P media-3322078.pdf
IXFH10N80P
Виробник: IXYS
MOSFET 10 Amps 800V 1.1 Rds
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+422.53 грн
10+ 360.75 грн
30+ 304.27 грн
120+ 271.96 грн
270+ 256.48 грн
510+ 224.17 грн
1020+ 193.2 грн
IXFH10N80P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_10n80p_datasheet.pdf.pdf
IXFH10N80P
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 800V 10A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+276.71 грн
30+ 211.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFN110N85X IXFN110N85X.pdf
IXFN110N85X
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 850V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 220A
Technology: HiPerFET™; X-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 1170W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 33mΩ
Gate charge: 425nC
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 205ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+4868.54 грн
IXFN110N85X IXFN110N85X.pdf
IXFN110N85X
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 850V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 220A
Technology: HiPerFET™; X-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 1170W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 33mΩ
Gate charge: 425nC
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 205ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+5842.24 грн
IXFN110N85X IXFN110N85X%20data%20sheet.pdf
IXFN110N85X
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 850V 110A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 1170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 425 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 25 V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+4962.63 грн
IXFN110N85X media-3322450.pdf
IXFN110N85X
Виробник: IXYS
Discrete Semiconductor Modules 850V X-Class HiPerFE Power MOSFET
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+5316.17 грн
10+ 4844.63 грн
100+ 3937.39 грн
IXFP10N80P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_10n80p_datasheet.pdf.pdf
IXFP10N80P
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 800V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+418.71 грн
50+ 319.29 грн
100+ 273.69 грн
SC 10 N - 8 OHM SC%2010%20N.pdf
SC 10 N - 8 OHM
Виробник: Visaton GmbH & Co. KG
Description: SPEAKER 8OHM TOP PORT 90DB
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 4.094" Dia (104.00mm)
Shape: Round
Type: General Purpose
Technology: Magnetic
Frequency - Self Resonant: 1.7kHz
Port Location: Top
Height - Seated (Max): 1.437" (36.50mm)
Part Status: Active
Impedance: 8 Ohms
Frequency Range: 1 kHz ~ 20 kHz
Efficiency - dBA: 90.00
Efficiency - Testing: 1W/1M
Efficiency - Type: Sound Pressure Level (SPL)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1558.33 грн
10+ 1223.35 грн
SSF10N80A FAIRS06924-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
на замовлення 1381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
123+167.04 грн
Мінімальне замовлення: 123
STD110N8F6 std110n8f6-1850459.pdf
STD110N8F6
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 80 V, 0.0056 Ohm typ 110 A, STripFET F6 Power MOSFET
на замовлення 13484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+104.45 грн
10+ 87.48 грн
100+ 63.21 грн
250+ 62.34 грн
500+ 55.74 грн
1000+ 47.59 грн
2500+ 45.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
STD110N8F6 en.DM00151073.pdf
STD110N8F6
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 80V 80A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9130 pF @ 40 V
на замовлення 2399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+114.33 грн
10+ 91.3 грн
100+ 72.7 грн
500+ 57.73 грн
1000+ 48.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF10N80K5 stf10n80k5-1850387.pdf
STF10N80K5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 800 V, 0.470 Ohm typ 9 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 752 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+154.72 грн
25+ 131.61 грн
100+ 103.67 грн
250+ 103 грн
500+ 96.94 грн
1000+ 90.88 грн
2000+ 86.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF10N80K5 en.DM00122529.pdf
STF10N80K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 9A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 100 V
на замовлення 903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+194.43 грн
50+ 148.28 грн
100+ 127.1 грн
500+ 106.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
STFU10N80K5 stf10n80k5-1850387.pdf
STFU10N80K5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 800 V, 0.470 Ohm typ 9 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 726 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+206.55 грн
10+ 142.44 грн
25+ 121.84 грн
100+ 109.73 грн
250+ 107.71 грн
500+ 100.98 грн
1000+ 91.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
STH10N80K5-2AG sth10n80k5_2ag-1892175.pdf
STH10N80K5-2AG
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET Automotive-grade N-channel 800V, 0.60 Ohm 8A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+310.22 грн
10+ 257.02 грн
25+ 210.7 грн
100+ 181.08 грн
250+ 170.99 грн
500+ 160.89 грн
1000+ 137.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
STH10N80K5-2AG sth10n80k5-2ag.pdf
STH10N80K5-2AG
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 8A H2PAK-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 680mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 121W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 426 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+289.82 грн
10+ 234.07 грн
100+ 189.36 грн
500+ 157.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP10N80K5 stp10n80k5.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 6A; Idm: 36A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+227.3 грн
5+ 190.03 грн
6+ 145.85 грн
16+ 137.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP10N80K5 stp10n80k5.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 6A; Idm: 36A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+272.76 грн
5+ 236.81 грн
6+ 175.03 грн
16+ 164.93 грн
STP110N8F6 stp110n8f6-1851410.pdf
STP110N8F6
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 80 V, 0.0056 Ohm typ 110 A, STripFET F6 Power MOSFET
на замовлення 3770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+106.02 грн
10+ 89.8 грн
100+ 68.66 грн
500+ 62 грн
1000+ 55.47 грн
2000+ 53.99 грн
5000+ 52.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP110N8F6 en.DM00130827.pdf
STP110N8F6
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 80V 110A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9130 pF @ 40 V
на замовлення 741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+127.43 грн
50+ 98.52 грн
100+ 81.06 грн
500+ 64.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
TN2510N8-G tn2510.pdf
TN2510N8-G
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+96.66 грн
5+ 86.25 грн
12+ 72.23 грн
32+ 68.02 грн
100+ 66.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
TN2510N8-G tn2510.pdf
TN2510N8-G
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 210 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+115.99 грн
5+ 107.48 грн
12+ 86.67 грн
32+ 81.62 грн
100+ 79.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
TN2510N8-G TN2510-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005950A.pdf
TN2510N8-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 100V 730MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 730mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+69.54 грн
Мінімальне замовлення: 2000
TN2510N8-G TN2510-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005950A.pdf
TN2510N8-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 100V 730MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 730mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
на замовлення 5673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+91.75 грн
25+ 74.19 грн
100+ 66.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
TN2510N8-G TN2510-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005950A.pdf
TN2510N8-G
Виробник: Microchip Technology
MOSFET 100V 1.5Ohm
на замовлення 10567 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+98.96 грн
25+ 81.29 грн
100+ 63.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
TN2510N8-G TN2510-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005950A.pdf
Виробник: Microchip
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 15Ohm; 730mA; 1,6W; -55°C ~ 150°C; TN2510N8-G TTN2510n8
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+85.34 грн
Мінімальне замовлення: 10
TP2510N8-G tp2510.pdf
TP2510N8-G
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1.5A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -1.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+75.73 грн
10+ 59.6 грн
15+ 58.2 грн
39+ 54.7 грн
100+ 52.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
TP2510N8-G tp2510.pdf
TP2510N8-G
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1.5A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -1.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 325 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+94.37 грн
10+ 71.52 грн
15+ 69.84 грн
39+ 65.63 грн
100+ 63.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
TP2510N8-G TP2510-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005965.pdf
TP2510N8-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 100V 480MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+78.41 грн
Мінімальне замовлення: 2000
TP2510N8-G l-enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005965.pdf
TP2510N8-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 100V 0.48A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+52.78 грн
Мінімальне замовлення: 2000
TP2510N8-G TP2510-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005965.pdf
TP2510N8-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 100V 480MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
на замовлення 16809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+104.86 грн
25+ 84.03 грн
100+ 75.5 грн
Мінімальне замовлення: 3
TP2510N8-G TP2510-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005965.pdf
TP2510N8-G
Виробник: Microchip Technology
MOSFET 100V 3.5Ohm
на замовлення 7397 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+112.31 грн
25+ 92.12 грн
100+ 72.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
TP2510N8-G TP2510-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005965.pdf
Виробник: Microchip
P-MOSFET 100V 480mA 3.5mΩ 1.6W TP2510N8-G Microchip Tech TTP2510n8
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+54.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
WMJ10N80D1
WMJ10N80D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 10A; Idm: 40A; 215W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 215W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 910mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+111.76 грн
5+ 82.74 грн
10+ 61.71 грн
19+ 45.58 грн
50+ 42.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
WMJ10N80D1
WMJ10N80D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 10A; Idm: 40A; 215W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 215W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 910mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 103 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+103.11 грн
10+ 74.05 грн
19+ 54.7 грн
50+ 51.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
WMK10N80M3 WMx10N80M3.pdf
WMK10N80M3
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10A; 85W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.03Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+130.64 грн
4+ 100.98 грн
10+ 81.34 грн
18+ 46.98 грн
49+ 44.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
WMK10N80M3 WMx10N80M3.pdf
WMK10N80M3
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10A; 85W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.03Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 427 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+156.77 грн
3+ 125.83 грн
10+ 97.61 грн
18+ 56.38 грн
49+ 53.01 грн
1000+ 52.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
WML10N80D1B
WML10N80D1B
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 40A; 62.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 62.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 910mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+52.11 грн
10+ 39.83 грн
27+ 31.56 грн
72+ 29.8 грн
Мінімальне замовлення: 8
WML10N80D1B
WML10N80D1B
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 40A; 62.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 62.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 910mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 278 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+62.53 грн
10+ 49.63 грн
27+ 37.87 грн
72+ 35.76 грн
500+ 35.43 грн
2000+ 34.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
WML10N80M3 WMx10N80M3.pdf
WML10N80M3
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.03Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+64.94 грн
7+ 56.8 грн
20+ 42.77 грн
53+ 40.67 грн
Мінімальне замовлення: 6
WML10N80M3 WMx10N80M3.pdf
WML10N80M3
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.03Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 198 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+77.93 грн
5+ 70.78 грн
20+ 51.33 грн
53+ 48.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
WML10N80M3; 10A; 800V; 31W; 0,86R; N-канальный; Корпус: TO-220F; WAYON
на замовлення 4 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+166.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
WMO10N80M3 WMx10N80M3.pdf
WMO10N80M3
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10A; 85W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 85W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.03Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2234 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+52.86 грн
10+ 38.57 грн
25+ 33.8 грн
26+ 32.96 грн
69+ 30.85 грн
100+ 30.71 грн
500+ 29.8 грн
Мінімальне замовлення: 8
WMO10N80M3 WMx10N80M3.pdf
WMO10N80M3
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10A; 85W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 85W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.03Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2234 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+63.43 грн
6+ 48.06 грн
25+ 40.56 грн
26+ 39.55 грн
69+ 37.02 грн
100+ 36.86 грн
500+ 35.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
FQA10N80 FAIRS24245-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Fairchild
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQA10N80C FQA10N80C.pdf
Виробник: FAIRCHILD
2005 TO-3P
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQA10N80C-F109 fqa10n80c_f109-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 11250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]