Результат пошуку "6n65" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFH26N65X2 IXFH26N65X2 IXYS K248734.pdf MOSFETs TO247 650V 26A N-CH X2CLASS
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+906.36 грн
10+683.20 грн
510+582.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N65X2 IXFH26N65X2 IXYS K248734.pdf Description: IXFH26N65X2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V
на замовлення 858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+842.02 грн
30+528.34 грн
120+507.61 грн
510+469.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH46N65X2 IXFH46N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F94D147F8F820&compId=IXFH46N65X2.pdf?ci_sign=18d8737ea270a8587aa3e2cf370bec98f3fe9809 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 660W; TO247-3; 180ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+494.70 грн
6+448.26 грн
10+430.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH46N65X2 IXFH46N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F94D147F8F820&compId=IXFH46N65X2.pdf?ci_sign=18d8737ea270a8587aa3e2cf370bec98f3fe9809 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 660W; TO247-3; 180ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 244 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+593.65 грн
6+558.60 грн
10+516.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH46N65X2 IXFH46N65X2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixfh46n65x2-datasheet?assetguid=ad91230a-7477-47d1-9aed-c4a5de3b76d9 Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 660W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 25 V
на замовлення 3147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+798.36 грн
30+459.53 грн
120+391.71 грн
510+344.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH46N65X2 IXFH46N65X2 IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Ultra-Junction-IXFH46N65X2-Datasheet.PDF MOSFETs MOSFET 650V/46A Ultra Junction X2
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+570.47 грн
10+550.06 грн
510+469.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH46N65X2W IXYS ixfh64n65x2w-datasheet?assetguid=8f26fe38-2800-4147-8599-7c18fc4773c8 Description: 650V 69m 46A X2-Class HiPerFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 660W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4640 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+731.62 грн
30+418.38 грн
120+355.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH46N65X2W IXFH46N65X2W IXYS Power_Semiconductor_Discrete_MOSFET_IXFH46N65X2W_Datasheet.pdf MOSFETs 650V 69mohm 46A X2-Class HiPerFET in TO-247
на замовлення 566 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+782.85 грн
10+603.49 грн
120+437.19 грн
510+389.20 грн
1020+346.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH46N65X3 IXFH46N65X3 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh46n65x3-datasheet?assetguid=516ae25a-80b7-429d-bae3-33030177c1a6 Description: MOSFET 46A 650V X3 TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+729.15 грн
10+527.52 грн
300+400.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH46N65X3 IXFH46N65X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n_channel_ultra_junction_ixfh46n65x3_datasheet.pdf MOSFETs TO247 650V 46A N-CH X3CLASS
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+777.51 грн
10+599.99 грн
120+440.23 грн
510+431.85 грн
1020+423.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP26N65X2 IXFP26N65X2 IXYS Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 26A; Idm: 36A; 460W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 460W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+623.72 грн
3+419.70 грн
7+396.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP26N65X2 IXFP26N65X2 IXYS Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 26A; Idm: 36A; 460W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 460W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+748.46 грн
3+523.01 грн
7+476.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP26N65X2 IXFP26N65X2 IXYS Description: IXFP26N65X2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+743.98 грн
50+400.21 грн
100+369.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
KSM6----N6--5-- KSM6----N6--5-- Essentra Components Plastic_Knobs.pdf Description: SELF-ASSEMBLY PUSH PULL KNOB 1.0
Packaging: Bulk
Color: Black
Material: Acetal
Shaft Size: M6
Diameter: 1.000" (25.40mm)
Style: Cylindrical
Type: Knurled, Straight
Height: 0.380" (9.65mm)
Indicator: No Indicator
Part Status: Active
на замовлення 1698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.04 грн
5+68.07 грн
10+63.39 грн
25+54.53 грн
50+51.24 грн
100+48.30 грн
250+44.15 грн
500+41.92 грн
1000+39.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA6N65E-GE3 SIHA6N65E-GE3 Vishay Siliconix siha6n65e.pdf Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+64.54 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA6N65E-GE3 SIHA6N65E-GE3 Vishay Siliconix siha6n65e.pdf Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V
на замовлення 1992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+195.26 грн
10+121.47 грн
100+83.57 грн
500+63.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD6N65E-GE3 SIHD6N65E-GE3 Vishay Siliconix sihd6n65e.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 100 V
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+105.46 грн
75+63.08 грн
150+58.08 грн
525+51.51 грн
1050+47.39 грн
2025+44.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD6N65E-GE3 SIHD6N65E-GE3 Vishay / Siliconix sihd6n65e.pdf MOSFETs 650V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 5647 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+111.96 грн
10+71.91 грн
100+57.28 грн
500+53.16 грн
1000+49.51 грн
3000+46.69 грн
6000+45.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF6N65E-GE3 SIHF6N65E-GE3 Vishay / Siliconix sihf6n65e.pdf MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 896 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+249.69 грн
10+159.41 грн
100+102.06 грн
500+86.07 грн
1000+69.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHJ6N65E-T1-GE3 SIHJ6N65E-T1-GE3 Vishay Semiconductors sihj6n65e.pdf MOSFETs 650V Vds 30V Vgs PowerPAK SO-8L
на замовлення 5727 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+224.81 грн
10+142.77 грн
100+89.11 грн
500+74.64 грн
1000+72.74 грн
3000+66.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP6N65E-GE3 SIHP6N65E-GE3 Vishay / Siliconix sihp6n65e.pdf MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+221.26 грн
10+141.89 грн
100+90.64 грн
500+76.01 грн
1000+65.50 грн
2000+63.98 грн
5000+61.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHU6N65E-GE3 SIHU6N65E-GE3 Vishay / Siliconix sihu6n65e.pdf MOSFETs 650V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
на замовлення 2645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+191.05 грн
10+120.87 грн
100+71.37 грн
500+59.48 грн
1000+52.33 грн
3000+46.92 грн
6000+46.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB6N65K3 STB6N65K3 STMicroelectronics MOSFETs PTD HIGH VOLTAGE
на замовлення 1992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+155.50 грн
10+98.98 грн
100+59.10 грн
500+50.04 грн
1000+41.81 грн
2000+38.62 грн
5000+36.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STD16N65M2 STD16N65M2 STMicroelectronics en.DM00140850.pdf MOSFETs N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+169.72 грн
10+134.89 грн
100+84.54 грн
500+69.46 грн
1000+66.80 грн
2500+58.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STD16N65M2 STD16N65M2 STMicroelectronics en.DM00140850.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 100 V
на замовлення 2518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+159.01 грн
10+123.45 грн
100+86.82 грн
500+67.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STD16N65M2 STD16N65M2 STMicroelectronics en.DM00140850.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+61.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STD16N65M5 STD16N65M5 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A593DEAA40D2&compId=std16n65m5.pdf?ci_sign=f4c198efa440c3ee96d5804406f893b7d2a7e28f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 12A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 12A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 279mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.52 грн
5+121.39 грн
10+114.25 грн
50+110.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STD16N65M5 STD16N65M5 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A593DEAA40D2&compId=std16n65m5.pdf?ci_sign=f4c198efa440c3ee96d5804406f893b7d2a7e28f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 12A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 12A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 279mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+179.43 грн
5+151.27 грн
10+137.10 грн
50+132.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD16N65M5 STD16N65M5 STMicroelectronics en.CD00288956.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
на замовлення 7707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+161.48 грн
10+124.80 грн
100+107.60 грн
500+92.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STD16N65M5 STD16N65M5 STMicroelectronics en.CD00288956.pdf MOSFETs N-Ch 650 Volt 12 Amp
на замовлення 956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+171.50 грн
10+134.01 грн
100+100.54 грн
500+92.16 грн
2500+80.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STD16N65M5 STD16N65M5 STMicroelectronics en.CD00288956.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+84.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STD6N65M2 STD6N65M2 STMicroelectronics en.DM00127825.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 226 pF @ 100 V
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.22 грн
10+63.55 грн
100+42.39 грн
500+31.19 грн
1000+28.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STD6N65M2 STD6N65M2 STMicroelectronics en.DM00127825.pdf MOSFETs N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
на замовлення 3227 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+106.63 грн
10+69.46 грн
100+40.90 грн
500+32.22 грн
1000+29.32 грн
2500+26.20 грн
5000+23.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STF16N65M2 STF16N65M2 STMicroelectronics en.DM00140952.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 44A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+158.07 грн
10+93.62 грн
28+88.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STF16N65M2 STF16N65M2 STMicroelectronics en.DM00140952.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 44A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+189.68 грн
10+116.66 грн
28+106.63 грн
500+102.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF16N65M2 STF16N65M2 STMicroelectronics en.DM00140952.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 100 V
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+65.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
STF16N65M2 STF16N65M2 STMicroelectronics en.DM00140952.pdf MOSFETs N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
на замовлення 957 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+66.47 грн
10+59.56 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
STF16N65M5 STF16N65M5 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E9B355D08F4745&compId=STF16N65M5.pdf?ci_sign=4c97b280c8bbd87509bc814f608dbbebbb69218e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 7.3A; 90W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 90W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 279mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+223.86 грн
3+145.19 грн
10+138.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF16N65M5 STF16N65M5 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E9B355D08F4745&compId=STF16N65M5.pdf?ci_sign=4c97b280c8bbd87509bc814f608dbbebbb69218e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 7.3A; 90W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 90W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 279mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+194.77 грн
3+174.23 грн
10+165.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF16N65M5 STF16N65M5 STMicroelectronics en.CD00218186.pdf MOSFETs N-CH 65V 12A MDMESH
на замовлення 9120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+259.47 грн
10+130.51 грн
100+102.82 грн
500+91.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF16N65M5 STF16N65M5 STMicroelectronics en.CD00218186.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
на замовлення 1597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+238.11 грн
50+116.52 грн
100+105.64 грн
500+85.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF26N65DM2 STMicroelectronics stf26n65dm2.pdf MOSFETs N-channel 650 V, 0.156 Ohm typ., 20 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+328.78 грн
10+216.35 грн
100+144.71 грн
500+128.72 грн
1000+109.68 грн
2000+104.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N65K3 STF6N65K3 STMicroelectronics en.CD00297329.pdf MOSFETs N-Ch 650V 1.1 Ohm 5.4A SuperMESH3
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+248.80 грн
10+77.60 грн
1000+66.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STL16N65M2 STL16N65M2 STMicroelectronics en.DM00141948.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 7.5A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 395mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 100 V
на замовлення 1665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+209.27 грн
10+132.89 грн
100+91.86 грн
500+72.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STL16N65M2 STL16N65M2 STMicroelectronics en.DM00141948.pdf MOSFETs N-channel 650 V, 0.325 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+223.04 грн
10+148.03 грн
100+89.11 грн
500+74.64 грн
3000+63.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP16N65M2 STP16N65M2 STMicroelectronics en.DM00140964.pdf MOSFETs N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
на замовлення 956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+228.37 грн
10+84.35 грн
100+67.48 грн
500+64.51 грн
1000+61.77 грн
2000+60.63 грн
5000+60.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP16N65M5 STP16N65M5 STMicroelectronics en.CD00218186.pdf MOSFETs N-Ch 650 Volt 12 Amp
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+303.90 грн
10+148.90 грн
100+120.34 грн
500+99.01 грн
1000+91.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP16N65M5 STP16N65M5 STMicroelectronics en.CD00218186.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+279.30 грн
50+131.73 грн
100+124.05 грн
500+95.38 грн
1000+88.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP16N65M5 ST en.CD00218186.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 25V; 279mOhm; 12A; 25W; -55°C ~ 150°C; STP16N65M5 TSTP16N65M5
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+145.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STP26N65DM2 STP26N65DM2 STMicroelectronics stp26n65dm2.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 100 V
на замовлення 858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+292.48 грн
10+185.57 грн
100+130.74 грн
500+100.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STU16N65M2 STU16N65M2 STMicroelectronics en.DM00140964.pdf MOSFETs N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
на замовлення 828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+191.94 грн
10+87.41 грн
100+69.46 грн
500+59.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STU6N65M2 STU6N65M2 STMicroelectronics en.DM00128198.pdf MOSFETs N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+103.96 грн
10+37.49 грн
100+31.91 грн
500+30.54 грн
1000+28.49 грн
3000+27.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N65DM2 STW56N65DM2 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B796C1EF19FD5E28&compId=STW56N65DM2-DTE.pdf?ci_sign=014030dd2619b39ad0d4d3a44f5c254dbcac94b8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 30A; 360W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 360W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+694.64 грн
2+557.75 грн
5+526.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N65DM2 STW56N65DM2 STMicroelectronics STW56N65DM2.pdf MOSFETs N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 packag
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+801.51 грн
10+478.24 грн
100+398.34 грн
600+381.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N65M2 STW56N65M2 STMicroelectronics en.DM00151747.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 49A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 24.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 358W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 100 V
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+678.89 грн
30+385.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TRS16N65FB,S1Q TRS16N65FB,S1Q Toshiba 1C96D791A4A8C285719F555DBBF2CC464C3B4361BBF24DB6282E427A056B7D3E.pdf SiC Schottky Diodes SCHOTTKY BARRIER DIODE TO-247 V=650 IF=16A
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+610.46 грн
10+411.67 грн
120+283.33 грн
510+236.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMK16N65C2 WMK16N65C2 WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DED5794077E20C4&compId=WMx16N65C2.pdf?ci_sign=207ac409f6744770aaf787fdcf75d89f44ca6587 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 13A; 86W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Power dissipation: 86W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
на замовлення 416 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+164.90 грн
4+127.73 грн
10+102.35 грн
17+54.74 грн
47+52.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMK36N65C4 WMK36N65C4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+223.86 грн
6+159.47 грн
17+150.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WML26N65C4 WML26N65C4 WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE91DF84CA500A80D5&compId=WMx26N65C4.pdf?ci_sign=7e5a9d77b19220996fa7d9874ced508749bc635b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 10.5A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 135W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+128.16 грн
5+107.11 грн
12+84.10 грн
31+79.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WMN16N65C2 WMN16N65C2 WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DED5794077E20C4&compId=WMx16N65C2.pdf?ci_sign=207ac409f6744770aaf787fdcf75d89f44ca6587 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 13A; 86W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Power dissipation: 86W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+44.43 грн
11+36.50 грн
25+32.53 грн
30+31.74 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N65X2 K248734.pdf
IXFH26N65X2
Виробник: IXYS
MOSFETs TO247 650V 26A N-CH X2CLASS
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+906.36 грн
10+683.20 грн
510+582.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N65X2 K248734.pdf
IXFH26N65X2
Виробник: IXYS
Description: IXFH26N65X2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V
на замовлення 858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+842.02 грн
30+528.34 грн
120+507.61 грн
510+469.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH46N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F94D147F8F820&compId=IXFH46N65X2.pdf?ci_sign=18d8737ea270a8587aa3e2cf370bec98f3fe9809
IXFH46N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 660W; TO247-3; 180ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+494.70 грн
6+448.26 грн
10+430.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH46N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F94D147F8F820&compId=IXFH46N65X2.pdf?ci_sign=18d8737ea270a8587aa3e2cf370bec98f3fe9809
IXFH46N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 660W; TO247-3; 180ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 244 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+593.65 грн
6+558.60 грн
10+516.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH46N65X2 littelfuse-discrete-mosfets-ixfh46n65x2-datasheet?assetguid=ad91230a-7477-47d1-9aed-c4a5de3b76d9
IXFH46N65X2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 660W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 25 V
на замовлення 3147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+798.36 грн
30+459.53 грн
120+391.71 грн
510+344.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH46N65X2 Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Ultra-Junction-IXFH46N65X2-Datasheet.PDF
IXFH46N65X2
Виробник: IXYS
MOSFETs MOSFET 650V/46A Ultra Junction X2
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+570.47 грн
10+550.06 грн
510+469.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH46N65X2W ixfh64n65x2w-datasheet?assetguid=8f26fe38-2800-4147-8599-7c18fc4773c8
Виробник: IXYS
Description: 650V 69m 46A X2-Class HiPerFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 660W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4640 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+731.62 грн
30+418.38 грн
120+355.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH46N65X2W Power_Semiconductor_Discrete_MOSFET_IXFH46N65X2W_Datasheet.pdf
IXFH46N65X2W
Виробник: IXYS
MOSFETs 650V 69mohm 46A X2-Class HiPerFET in TO-247
на замовлення 566 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+782.85 грн
10+603.49 грн
120+437.19 грн
510+389.20 грн
1020+346.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH46N65X3 littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh46n65x3-datasheet?assetguid=516ae25a-80b7-429d-bae3-33030177c1a6
IXFH46N65X3
Виробник: IXYS
Description: MOSFET 46A 650V X3 TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+729.15 грн
10+527.52 грн
300+400.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH46N65X3 littelfuse_discrete_mosfets_n_channel_ultra_junction_ixfh46n65x3_datasheet.pdf
IXFH46N65X3
Виробник: IXYS
MOSFETs TO247 650V 46A N-CH X3CLASS
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+777.51 грн
10+599.99 грн
120+440.23 грн
510+431.85 грн
1020+423.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP26N65X2
IXFP26N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 26A; Idm: 36A; 460W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 460W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+623.72 грн
3+419.70 грн
7+396.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP26N65X2
IXFP26N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 26A; Idm: 36A; 460W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 460W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+748.46 грн
3+523.01 грн
7+476.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP26N65X2
IXFP26N65X2
Виробник: IXYS
Description: IXFP26N65X2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+743.98 грн
50+400.21 грн
100+369.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
KSM6----N6--5-- Plastic_Knobs.pdf
KSM6----N6--5--
Виробник: Essentra Components
Description: SELF-ASSEMBLY PUSH PULL KNOB 1.0
Packaging: Bulk
Color: Black
Material: Acetal
Shaft Size: M6
Diameter: 1.000" (25.40mm)
Style: Cylindrical
Type: Knurled, Straight
Height: 0.380" (9.65mm)
Indicator: No Indicator
Part Status: Active
на замовлення 1698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.04 грн
5+68.07 грн
10+63.39 грн
25+54.53 грн
50+51.24 грн
100+48.30 грн
250+44.15 грн
500+41.92 грн
1000+39.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA6N65E-GE3 siha6n65e.pdf
SIHA6N65E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+64.54 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA6N65E-GE3 siha6n65e.pdf
SIHA6N65E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V
на замовлення 1992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+195.26 грн
10+121.47 грн
100+83.57 грн
500+63.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD6N65E-GE3 sihd6n65e.pdf
SIHD6N65E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 100 V
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+105.46 грн
75+63.08 грн
150+58.08 грн
525+51.51 грн
1050+47.39 грн
2025+44.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD6N65E-GE3 sihd6n65e.pdf
SIHD6N65E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 5647 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+111.96 грн
10+71.91 грн
100+57.28 грн
500+53.16 грн
1000+49.51 грн
3000+46.69 грн
6000+45.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF6N65E-GE3 sihf6n65e.pdf
SIHF6N65E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 896 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+249.69 грн
10+159.41 грн
100+102.06 грн
500+86.07 грн
1000+69.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHJ6N65E-T1-GE3 sihj6n65e.pdf
SIHJ6N65E-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs PowerPAK SO-8L
на замовлення 5727 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+224.81 грн
10+142.77 грн
100+89.11 грн
500+74.64 грн
1000+72.74 грн
3000+66.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP6N65E-GE3 sihp6n65e.pdf
SIHP6N65E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+221.26 грн
10+141.89 грн
100+90.64 грн
500+76.01 грн
1000+65.50 грн
2000+63.98 грн
5000+61.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHU6N65E-GE3 sihu6n65e.pdf
SIHU6N65E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
на замовлення 2645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+191.05 грн
10+120.87 грн
100+71.37 грн
500+59.48 грн
1000+52.33 грн
3000+46.92 грн
6000+46.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB6N65K3
STB6N65K3
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs PTD HIGH VOLTAGE
на замовлення 1992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+155.50 грн
10+98.98 грн
100+59.10 грн
500+50.04 грн
1000+41.81 грн
2000+38.62 грн
5000+36.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STD16N65M2 en.DM00140850.pdf
STD16N65M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+169.72 грн
10+134.89 грн
100+84.54 грн
500+69.46 грн
1000+66.80 грн
2500+58.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STD16N65M2 en.DM00140850.pdf
STD16N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 100 V
на замовлення 2518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+159.01 грн
10+123.45 грн
100+86.82 грн
500+67.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STD16N65M2 en.DM00140850.pdf
STD16N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+61.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STD16N65M5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A593DEAA40D2&compId=std16n65m5.pdf?ci_sign=f4c198efa440c3ee96d5804406f893b7d2a7e28f
STD16N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 12A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 12A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 279mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+149.52 грн
5+121.39 грн
10+114.25 грн
50+110.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STD16N65M5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A593DEAA40D2&compId=std16n65m5.pdf?ci_sign=f4c198efa440c3ee96d5804406f893b7d2a7e28f
STD16N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 12A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 12A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 279mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+179.43 грн
5+151.27 грн
10+137.10 грн
50+132.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD16N65M5 en.CD00288956.pdf
STD16N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
на замовлення 7707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+161.48 грн
10+124.80 грн
100+107.60 грн
500+92.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STD16N65M5 en.CD00288956.pdf
STD16N65M5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650 Volt 12 Amp
на замовлення 956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+171.50 грн
10+134.01 грн
100+100.54 грн
500+92.16 грн
2500+80.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STD16N65M5 en.CD00288956.pdf
STD16N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+84.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STD6N65M2 en.DM00127825.pdf
STD6N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 226 pF @ 100 V
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.22 грн
10+63.55 грн
100+42.39 грн
500+31.19 грн
1000+28.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STD6N65M2 en.DM00127825.pdf
STD6N65M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
на замовлення 3227 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+106.63 грн
10+69.46 грн
100+40.90 грн
500+32.22 грн
1000+29.32 грн
2500+26.20 грн
5000+23.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STF16N65M2 en.DM00140952.pdf
STF16N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 44A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+158.07 грн
10+93.62 грн
28+88.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STF16N65M2 en.DM00140952.pdf
STF16N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 44A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+189.68 грн
10+116.66 грн
28+106.63 грн
500+102.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF16N65M2 en.DM00140952.pdf
STF16N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 100 V
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+65.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
STF16N65M2 en.DM00140952.pdf
STF16N65M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
на замовлення 957 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+66.47 грн
10+59.56 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
STF16N65M5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E9B355D08F4745&compId=STF16N65M5.pdf?ci_sign=4c97b280c8bbd87509bc814f608dbbebbb69218e
STF16N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 7.3A; 90W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 90W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 279mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+223.86 грн
3+145.19 грн
10+138.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF16N65M5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E9B355D08F4745&compId=STF16N65M5.pdf?ci_sign=4c97b280c8bbd87509bc814f608dbbebbb69218e
STF16N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 7.3A; 90W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 90W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 279mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+194.77 грн
3+174.23 грн
10+165.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF16N65M5 en.CD00218186.pdf
STF16N65M5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 65V 12A MDMESH
на замовлення 9120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+259.47 грн
10+130.51 грн
100+102.82 грн
500+91.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF16N65M5 en.CD00218186.pdf
STF16N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
на замовлення 1597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+238.11 грн
50+116.52 грн
100+105.64 грн
500+85.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF26N65DM2 stf26n65dm2.pdf
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.156 Ohm typ., 20 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+328.78 грн
10+216.35 грн
100+144.71 грн
500+128.72 грн
1000+109.68 грн
2000+104.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF6N65K3 en.CD00297329.pdf
STF6N65K3
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650V 1.1 Ohm 5.4A SuperMESH3
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+248.80 грн
10+77.60 грн
1000+66.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STL16N65M2 en.DM00141948.pdf
STL16N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 7.5A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 395mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 100 V
на замовлення 1665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+209.27 грн
10+132.89 грн
100+91.86 грн
500+72.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STL16N65M2 en.DM00141948.pdf
STL16N65M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.325 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+223.04 грн
10+148.03 грн
100+89.11 грн
500+74.64 грн
3000+63.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP16N65M2 en.DM00140964.pdf
STP16N65M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
на замовлення 956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+228.37 грн
10+84.35 грн
100+67.48 грн
500+64.51 грн
1000+61.77 грн
2000+60.63 грн
5000+60.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP16N65M5 en.CD00218186.pdf
STP16N65M5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650 Volt 12 Amp
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+303.90 грн
10+148.90 грн
100+120.34 грн
500+99.01 грн
1000+91.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP16N65M5 en.CD00218186.pdf
STP16N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+279.30 грн
50+131.73 грн
100+124.05 грн
500+95.38 грн
1000+88.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP16N65M5 en.CD00218186.pdf
Виробник: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 25V; 279mOhm; 12A; 25W; -55°C ~ 150°C; STP16N65M5 TSTP16N65M5
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+145.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STP26N65DM2 stp26n65dm2.pdf
STP26N65DM2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 100 V
на замовлення 858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+292.48 грн
10+185.57 грн
100+130.74 грн
500+100.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STU16N65M2 en.DM00140964.pdf
STU16N65M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
на замовлення 828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+191.94 грн
10+87.41 грн
100+69.46 грн
500+59.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STU6N65M2 en.DM00128198.pdf
STU6N65M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.96 грн
10+37.49 грн
100+31.91 грн
500+30.54 грн
1000+28.49 грн
3000+27.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N65DM2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B796C1EF19FD5E28&compId=STW56N65DM2-DTE.pdf?ci_sign=014030dd2619b39ad0d4d3a44f5c254dbcac94b8
STW56N65DM2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 30A; 360W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 360W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+694.64 грн
2+557.75 грн
5+526.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N65DM2 STW56N65DM2.pdf
STW56N65DM2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 packag
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+801.51 грн
10+478.24 грн
100+398.34 грн
600+381.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N65M2 en.DM00151747.pdf
STW56N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 49A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 24.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 358W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 100 V
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+678.89 грн
30+385.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TRS16N65FB,S1Q 1C96D791A4A8C285719F555DBBF2CC464C3B4361BBF24DB6282E427A056B7D3E.pdf
TRS16N65FB,S1Q
Виробник: Toshiba
SiC Schottky Diodes SCHOTTKY BARRIER DIODE TO-247 V=650 IF=16A
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+610.46 грн
10+411.67 грн
120+283.33 грн
510+236.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMK16N65C2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DED5794077E20C4&compId=WMx16N65C2.pdf?ci_sign=207ac409f6744770aaf787fdcf75d89f44ca6587
WMK16N65C2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 13A; 86W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Power dissipation: 86W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
на замовлення 416 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+164.90 грн
4+127.73 грн
10+102.35 грн
17+54.74 грн
47+52.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMK36N65C4
WMK36N65C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+223.86 грн
6+159.47 грн
17+150.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WML26N65C4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE91DF84CA500A80D5&compId=WMx26N65C4.pdf?ci_sign=7e5a9d77b19220996fa7d9874ced508749bc635b
WML26N65C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 10.5A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 135W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+128.16 грн
5+107.11 грн
12+84.10 грн
31+79.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WMN16N65C2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DED5794077E20C4&compId=WMx16N65C2.pdf?ci_sign=207ac409f6744770aaf787fdcf75d89f44ca6587
WMN16N65C2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 13A; 86W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Power dissipation: 86W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+44.43 грн
11+36.50 грн
25+32.53 грн
30+31.74 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]