Результат пошуку "20n6" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
HGTG20N60A4 HGTG20N60A4
Код товару: 32885 		FAIR HGTG30N60A4.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73
у наявності: 6 шт
1+230 грн
HGTG20N60A4D HGTG20N60A4D
Код товару: 29312 		Fairchild hgtg20n60a4d-d.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73
у наявності: 26 шт
1+220 грн
10+ 199 грн
HGTG20N60B3D HGTG20N60B3D
Код товару: 28558 		Fairchild hgtg20n60b3d-d.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 40 A
Ic 100: 20 A
Pd 25: 165 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 25/220
у наявності: 50 шт
1+195 грн
10+ 184 грн
HGTP20N60A4 HGTP20N60A4
Код товару: 61820 		Fairchild hgtp20n60a4-1010384.pdf description Транзистори > IGBT
Корпус: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73
у наявності: 57 шт
1+102 грн
10+ 91.4 грн
IKP20N60T IKP20N60T
Код товару: 84958 		ikp20n60t_ikb20n60t_ikw20n60t.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,5 V
Ic 25: 40 A
Ic 100: 20 A
Pd 25: 166 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 18/199
у наявності: 8 шт
очікується: 30 шт
1+140 грн
10+ 128 грн
JVR-20N681K-Bochen(варистор) JVR-20N681K-Bochen(варистор)
Код товару: 123753 		Bochen datasheet-20n0680k.pdf Пасивні компоненти > Варистори
Uроб AC/DC, V: 420/560 V
Uвар, V: 680(612...748) V
Макс. напруга і струм спрацьовування, В@A: 1120@5 В@A
Iмакс.(8/20мкс): 6500 Iмакс.(8/20мкс)
Потужність, W: 1 W
Ємність, pF: 565 pF
Розмір: 20D
у наявності: 187 шт
1+14 грн
10+ 12.5 грн
100+ 10.9 грн
SPP20N60C3 SPP20N60C3
Код товару: 25463 		Infineon INFN-S-A0004583378-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 650 V
Idd,A: 20,7 A
Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2400/11
Монтаж: THT
у наявності: 146 шт
1+125 грн
10+ 114 грн
SPP20N60S5 SPP20N60S5
Код товару: 32013 		Infineon SPP20N60S5_Rev.2.8.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01237f9a14552fd9&folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b description Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 600 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/79
Монтаж: THT
у наявності: 24 шт
1+240 грн
10+ 226 грн
20N60A4D
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
20N60C3 Infineon 09+
на замовлення 178 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
20N60C3 INFINION
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
20N60C3 FAIRCHILD TO-3P
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
20N60S5 HARRIS 09+
на замовлення 6018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
20N60S5 SIEMENS 2004 TO220
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
#220N61 2PAI SEMI PAI220N61 Interfaces others - integrated circuits
на замовлення 1109 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+214.6 грн
8+ 137.16 грн
21+ 130.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIKB20N60CTATMA1 AIKB20N60CTATMA1 Infineon Technologies Infineon_AIKB20N60CT_DS_v02_01_EN-1730938.pdf IGBT Transistors DISCRETES
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+296.3 грн
10+ 246.03 грн
25+ 201.52 грн
100+ 172.53 грн
250+ 162.87 грн
500+ 153.21 грн
1000+ 130.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIKB20N60CTATMA1 AIKB20N60CTATMA1 Infineon Technologies Infineon-AIKB20N60CT-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625c167129015c5382a94c7c95 Description: IC DISCRETE 600V TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 156 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+273.23 грн
10+ 235.79 грн
25+ 222.88 грн
100+ 181.29 грн
250+ 171.99 грн
500+ 154.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIKB20N60CTATMA1 AIKB20N60CTATMA1 Infineon Technologies Infineon-AIKB20N60CT-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625c167129015c5382a94c7c95 Description: IC DISCRETE 600V TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 156 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+144.03 грн
Мінімальне замовлення: 1000
AIKP20N60CTAKSA1 AIKP20N60CTAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKP20N60CT.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 401 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+343.74 грн
3+ 292.94 грн
5+ 244.13 грн
12+ 231.19 грн
250+ 222.57 грн
AIKQ120N60CTXKSA1 AIKQ120N60CTXKSA1 Infineon Technologies Infineon-AIKQ120N60CT-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625c167129015c5382b6d77c9b Description: IGBT TRENCH/FS 600V 160A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 120A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/310ns
Switching Energy: 4.1mJ (on), 2.8mJ (off)
Test Condition: 400V, 120A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 772 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 480 A
Power - Max: 833 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+975.72 грн
10+ 863.53 грн
30+ 827.7 грн
120+ 684.38 грн
AIKQ120N60CTXKSA1 AIKQ120N60CTXKSA1 Infineon Technologies Infineon_AIKQ120N60CT_DS_v02_01_EN-1731031.pdf IGBT Transistors DISCRETES
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1060.39 грн
10+ 938.89 грн
25+ 788.82 грн
50+ 764.66 грн
100+ 698.41 грн
240+ 604.55 грн
480+ 576.26 грн
AIKW20N60CTXKSA1 AIKW20N60CTXKSA1 Infineon Technologies Infineon_AIKW20N60CT_DS_v02_01_EN-1731018.pdf IGBT Transistors DISCRETES
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+440.42 грн
10+ 404.76 грн
25+ 333.33 грн
100+ 298.14 грн
240+ 268.46 грн
AOTF20N60 AOTF20N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOTF20N60-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 370mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 922 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+193.24 грн
5+ 163.94 грн
8+ 136.3 грн
21+ 128.54 грн
500+ 124.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
AOTF20N60 AOTF20N60 Alpha & Omega Semiconductor 51136592388968456aot20n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220F T/R
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.2 грн
Мінімальне замовлення: 4
AOTF20N60 ALPHA&OMEGA TO220F.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 370mOhm; 20A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF20N60 TAOTF20n60
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+90.99 грн
Мінімальне замовлення: 10
BIDW20N60T BIDW20N60T Bourns Bourns_7_25_2022_BIDW20N60T_datasheet-3005222.pdf IGBT Transistors IGBT Discrete 600V, 20A in TO-247
на замовлення 7097 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+251.21 грн
10+ 207.14 грн
25+ 175.29 грн
100+ 146.31 грн
250+ 129.74 грн
600+ 111.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
CGM20N63 CGM20N63 Switchcraft Inc. CGM20N63_CD.pdf?6749 Description: CABLE GLAND 8-16MM M20 THERMOPL
Packaging: Bulk
Color: Black
Material: Thermoplastic
Thread Size: M20x1.5
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Includes: O-Ring, Seal
Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof
Outside Cable Diameter (Max): 0.630" (16.00mm)
Outside Cable Diameter (Min): 0.315" (8.00mm)
Thread Length: 0.390" (9.91mm)
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+243.58 грн
200+ 225.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
FCA20N60 FCA20N60 onsemi / Fairchild FCA20N60_F109_D-2311741.pdf MOSFET HIGH POWER
на замовлення 429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+480.68 грн
10+ 397.62 грн
25+ 246.38 грн
100+ 215.32 грн
900+ 200.14 грн
FCA20N60-F109 FCA20N60-F109 onsemi / Fairchild FCA20N60_F109_D-2311741.pdf MOSFET 600V N-CH MOSFET
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+471.01 грн
10+ 434.92 грн
25+ 291.93 грн
100+ 267.08 грн
250+ 266.39 грн
450+ 240.86 грн
900+ 220.15 грн
FCA20N60-F109 FCA20N60-F109 ON Semiconductor fca20n60_f109-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FCA20N60F FCA20N60F onsemi fca20n60f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+457.63 грн
30+ 349.38 грн
120+ 299.47 грн
FCA20N60F FCA20N60F onsemi / Fairchild FCA20N60F_D-2311914.pdf MOSFET 600V N-CH FRFET
на замовлення 874 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+496.78 грн
10+ 446.82 грн
25+ 311.25 грн
100+ 284.33 грн
250+ 270.53 грн
450+ 262.94 грн
900+ 227.74 грн
FCB20N60FTM FCB20N60FTM onsemi fcb20n60f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+234.47 грн
Мінімальне замовлення: 800
FCB20N60FTM FCB20N60FTM onsemi / Fairchild FCB20N60F_D-2312010.pdf MOSFET 600V NCH FRFET
на замовлення 13062 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+421.9 грн
10+ 349.21 грн
25+ 294 грн
100+ 245 грн
250+ 237.4 грн
500+ 224.29 грн
800+ 199.45 грн
FCB20N60FTM FCB20N60FTM onsemi fcb20n60f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+388.2 грн
10+ 314.01 грн
100+ 254.01 грн
FCB20N60FTM FCB20N60FTM ON Semiconductor 3350347030925052fcb20n60f.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+170.69 грн
Мінімальне замовлення: 800
FCD620N60ZF FCD620N60ZF onsemi fcd620n60zf-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+54.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FCD620N60ZF FCD620N60ZF onsemi fcd620n60zf-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135 pF @ 25 V
на замовлення 9435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.15 грн
10+ 103.16 грн
100+ 82.1 грн
500+ 65.19 грн
1000+ 55.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
FCP20N60 FCP20N60 ONSEMI FCP20N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+419.61 грн
3+ 335 грн
4+ 233.64 грн
10+ 220.7 грн
FCP20N60 FCP20N60 onsemi / Fairchild FCP20N60_D-2311949.pdf MOSFET 600V N-Channel SuperFET
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+293.88 грн
10+ 282.54 грн
50+ 215.32 грн
100+ 196 грн
500+ 182.88 грн
1000+ 164.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCP20N60 FCP20N60 onsemi fcp20n60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
на замовлення 3917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+362.07 грн
50+ 276.34 грн
100+ 236.86 грн
500+ 197.59 грн
1000+ 169.18 грн
2000+ 159.3 грн
FCPF20N60 FCPF20N60 ONSEMI FCP20N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+432 грн
3+ 374.46 грн
4+ 277.78 грн
10+ 263.11 грн
FCPF20N60 FCPF20N60 onsemi fcp20n60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
на замовлення 821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+363.56 грн
50+ 277 грн
100+ 237.43 грн
500+ 198.06 грн
FGB20N60SFD-F085 FGB20N60SFD-F085 onsemi fgb20n60s_f085-d.pdf Description: IGBT FIELD STOP 600V 40A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 111 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 10ns/90ns
Switching Energy: 310µJ (on), 130µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 63 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 208 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+262.78 грн
10+ 212.36 грн
100+ 171.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH20N60SFDTU ON-Semicoductor fgh20n60sfdtu-f085-d.pdf Single IGBT Transistors 600V 20A Field Stop ;   FGH20N60SFDTU TO-247AB-3 TFGH20N60sfdtu
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 72 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+163.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
HGTG20N60A4 Fairchaild IGBT транзистор - SMPS IGBT - TO-247; 600 V; 40A
на замовлення 7 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+253.56 грн
10+ 211.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
HGTG20N60B3D ON-Semicoductor hgtg20n60b3d-d.pdf 40A; 600V; 165W; IGBT w/ Diode   HGTG20N60B3D THGTG20n60b3d
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+259.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
HGTP20N60A4 Fairchild HGTG_HGTP20N60A4_Rev_Apr_2013.pdf description 70A; 600V; 290W; IGBT   HGTP20N60A4 THGTP20n60a4
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+111.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
HGTP20N60A4 Fairchild HGTG_HGTP20N60A4_Rev_Apr_2013.pdf description 70A; 600V; 290W; IGBT   HGTP20N60A4 THGTP20n60a4
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+111.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
IGB20N60H3ATMA1 IGB20N60H3ATMA1 Infineon Technologies infineon-igb20n60h3-datasheet-v02_03-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+55.31 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IGP20N60H3XKSA1 IGP20N60H3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP20N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+127.96 грн
8+ 110.71 грн
21+ 104.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
IGP20N60H3XKSA1 IGP20N60H3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP20N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 113 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+186.73 грн
3+ 159.46 грн
8+ 132.85 грн
21+ 125.95 грн
250+ 120.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGP20N65F5 IGP20N65F5 Infineon Technologies Infineon_IGP20N65F5_DS_v02_01_EN-3360252.pdf IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
на замовлення 1362 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+159.42 грн
10+ 131.75 грн
100+ 90.41 грн
250+ 84.2 грн
500+ 64.18 грн
1000+ 61.63 грн
2500+ 61.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
IGP20N65F5XKSA1 IGP20N65F5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP20N65F5-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 42A; 125W; TO220-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 42A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
на замовлення 303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.13 грн
4+ 115.74 грн
9+ 104.24 грн
10+ 103.52 грн
23+ 98.49 грн
25+ 96.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
IGP20N65F5XKSA1 IGP20N65F5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP20N65F5-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 42A; 125W; TO220-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 42A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 303 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+168.15 грн
3+ 144.23 грн
9+ 125.09 грн
10+ 124.22 грн
23+ 118.18 грн
25+ 115.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGP20N65F5XKSA1 IGP20N65F5XKSA1 Infineon Technologies infineon-igp20n65f5-ds-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 42A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IGP20N65H5XKSA1 IGP20N65H5XKSA1 Infineon Technologies IGP20N65H5_2_1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=5546d461464245d30146a4acee496caa Description: IGBT 650V 42A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/156ns
Switching Energy: 170µJ (on), 60µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 32Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 42 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 125 W
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+147.07 грн
50+ 113.74 грн
100+ 93.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
IGW20N60H3FKSA1 IGW20N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW20N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 170W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+245.42 грн
3+ 204.88 грн
6+ 154.56 грн
16+ 145.93 грн
50+ 140.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGW20N60H3FKSA1 IGW20N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW20N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 170W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+294.5 грн
3+ 255.32 грн
6+ 185.47 грн
16+ 175.12 грн
50+ 168.22 грн
IGW20N60H3FKSA1 IGW20N60H3FKSA1 Infineon Technologies IGW20N60H3_Rev1_1G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a30432a40a650012a46c4621a2b81 Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/194ns
Switching Energy: 800µJ
Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 170 W
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.1 грн
30+ 150.18 грн
120+ 123.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
HGTG20N60A4
Код товару: 32885		 HGTG30N60A4.pdf
HGTG20N60A4
Виробник: FAIR
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73
у наявності: 6 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+230 грн
HGTG20N60A4D
Код товару: 29312		 hgtg20n60a4d-d.pdf
HGTG20N60A4D
Виробник: Fairchild
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73
у наявності: 26 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+220 грн
10+ 199 грн
HGTG20N60B3D
Код товару: 28558		 hgtg20n60b3d-d.pdf
HGTG20N60B3D
Виробник: Fairchild
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 40 A
Ic 100: 20 A
Pd 25: 165 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 25/220
у наявності: 50 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+195 грн
10+ 184 грн
HGTP20N60A4
Код товару: 61820		 description hgtp20n60a4-1010384.pdf
HGTP20N60A4
Виробник: Fairchild
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73
у наявності: 57 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+102 грн
10+ 91.4 грн
IKP20N60T
Код товару: 84958		 ikp20n60t_ikb20n60t_ikw20n60t.pdf
IKP20N60T
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,5 V
Ic 25: 40 A
Ic 100: 20 A
Pd 25: 166 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 18/199
у наявності: 8 шт
очікується: 30 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+140 грн
10+ 128 грн
JVR-20N681K-Bochen(варистор)
Код товару: 123753		 datasheet-20n0680k.pdf
JVR-20N681K-Bochen(варистор)
Виробник: Bochen
Пасивні компоненти > Варистори
Uроб AC/DC, V: 420/560 V
Uвар, V: 680(612...748) V
Макс. напруга і струм спрацьовування, В@A: 1120@5 В@A
Iмакс.(8/20мкс): 6500 Iмакс.(8/20мкс)
Потужність, W: 1 W
Ємність, pF: 565 pF
Розмір: 20D
у наявності: 187 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+14 грн
10+ 12.5 грн
100+ 10.9 грн
SPP20N60C3
Код товару: 25463		 INFN-S-A0004583378-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SPP20N60C3
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 650 V
Idd,A: 20,7 A
Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2400/11
Монтаж: THT
у наявності: 146 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+125 грн
10+ 114 грн
SPP20N60S5
Код товару: 32013		 description SPP20N60S5_Rev.2.8.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01237f9a14552fd9&folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b
SPP20N60S5
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 600 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/79
Монтаж: THT
у наявності: 24 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+240 грн
10+ 226 грн
20N60A4D
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
20N60C3
Виробник: Infineon
09+
на замовлення 178 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
20N60C3
Виробник: INFINION
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
20N60C3
Виробник: FAIRCHILD
TO-3P
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
20N60S5
Виробник: HARRIS
09+
на замовлення 6018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
20N60S5
Виробник: SIEMENS
2004 TO220
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
#220N61
Виробник: 2PAI SEMI
PAI220N61 Interfaces others - integrated circuits
на замовлення 1109 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+214.6 грн
8+ 137.16 грн
21+ 130.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIKB20N60CTATMA1 Infineon_AIKB20N60CT_DS_v02_01_EN-1730938.pdf
AIKB20N60CTATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors DISCRETES
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+296.3 грн
10+ 246.03 грн
25+ 201.52 грн
100+ 172.53 грн
250+ 162.87 грн
500+ 153.21 грн
1000+ 130.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIKB20N60CTATMA1 Infineon-AIKB20N60CT-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625c167129015c5382a94c7c95
AIKB20N60CTATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC DISCRETE 600V TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 156 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+273.23 грн
10+ 235.79 грн
25+ 222.88 грн
100+ 181.29 грн
250+ 171.99 грн
500+ 154.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIKB20N60CTATMA1 Infineon-AIKB20N60CT-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625c167129015c5382a94c7c95
AIKB20N60CTATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC DISCRETE 600V TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 156 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+144.03 грн
Мінімальне замовлення: 1000
AIKP20N60CTAKSA1 AIKP20N60CT.pdf
AIKP20N60CTAKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 401 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+343.74 грн
3+ 292.94 грн
5+ 244.13 грн
12+ 231.19 грн
250+ 222.57 грн
AIKQ120N60CTXKSA1 Infineon-AIKQ120N60CT-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625c167129015c5382b6d77c9b
AIKQ120N60CTXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH/FS 600V 160A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 120A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/310ns
Switching Energy: 4.1mJ (on), 2.8mJ (off)
Test Condition: 400V, 120A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 772 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 480 A
Power - Max: 833 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+975.72 грн
10+ 863.53 грн
30+ 827.7 грн
120+ 684.38 грн
AIKQ120N60CTXKSA1 Infineon_AIKQ120N60CT_DS_v02_01_EN-1731031.pdf
AIKQ120N60CTXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors DISCRETES
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1060.39 грн
10+ 938.89 грн
25+ 788.82 грн
50+ 764.66 грн
100+ 698.41 грн
240+ 604.55 грн
480+ 576.26 грн
AIKW20N60CTXKSA1 Infineon_AIKW20N60CT_DS_v02_01_EN-1731018.pdf
AIKW20N60CTXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors DISCRETES
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+440.42 грн
10+ 404.76 грн
25+ 333.33 грн
100+ 298.14 грн
240+ 268.46 грн
AOTF20N60 AOTF20N60-DTE.pdf
AOTF20N60
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 370mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 922 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+193.24 грн
5+ 163.94 грн
8+ 136.3 грн
21+ 128.54 грн
500+ 124.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
AOTF20N60 51136592388968456aot20n60.pdf
AOTF20N60
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220F T/R
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+94.2 грн
Мінімальне замовлення: 4
AOTF20N60 TO220F.pdf
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 370mOhm; 20A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF20N60 TAOTF20n60
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+90.99 грн
Мінімальне замовлення: 10
BIDW20N60T Bourns_7_25_2022_BIDW20N60T_datasheet-3005222.pdf
BIDW20N60T
Виробник: Bourns
IGBT Transistors IGBT Discrete 600V, 20A in TO-247
на замовлення 7097 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+251.21 грн
10+ 207.14 грн
25+ 175.29 грн
100+ 146.31 грн
250+ 129.74 грн
600+ 111.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
CGM20N63 CGM20N63_CD.pdf?6749
CGM20N63
Виробник: Switchcraft Inc.
Description: CABLE GLAND 8-16MM M20 THERMOPL
Packaging: Bulk
Color: Black
Material: Thermoplastic
Thread Size: M20x1.5
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Includes: O-Ring, Seal
Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof
Outside Cable Diameter (Max): 0.630" (16.00mm)
Outside Cable Diameter (Min): 0.315" (8.00mm)
Thread Length: 0.390" (9.91mm)
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+243.58 грн
200+ 225.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
FCA20N60 FCA20N60_F109_D-2311741.pdf
FCA20N60
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET HIGH POWER
на замовлення 429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+480.68 грн
10+ 397.62 грн
25+ 246.38 грн
100+ 215.32 грн
900+ 200.14 грн
FCA20N60-F109 FCA20N60_F109_D-2311741.pdf
FCA20N60-F109
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 600V N-CH MOSFET
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+471.01 грн
10+ 434.92 грн
25+ 291.93 грн
100+ 267.08 грн
250+ 266.39 грн
450+ 240.86 грн
900+ 220.15 грн
FCA20N60-F109 fca20n60_f109-d.pdf
FCA20N60-F109
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FCA20N60F fca20n60f-d.pdf
FCA20N60F
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+457.63 грн
30+ 349.38 грн
120+ 299.47 грн
FCA20N60F FCA20N60F_D-2311914.pdf
FCA20N60F
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 600V N-CH FRFET
на замовлення 874 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+496.78 грн
10+ 446.82 грн
25+ 311.25 грн
100+ 284.33 грн
250+ 270.53 грн
450+ 262.94 грн
900+ 227.74 грн
FCB20N60FTM fcb20n60f-d.pdf
FCB20N60FTM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+234.47 грн
Мінімальне замовлення: 800
FCB20N60FTM FCB20N60F_D-2312010.pdf
FCB20N60FTM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 600V NCH FRFET
на замовлення 13062 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+421.9 грн
10+ 349.21 грн
25+ 294 грн
100+ 245 грн
250+ 237.4 грн
500+ 224.29 грн
800+ 199.45 грн
FCB20N60FTM fcb20n60f-d.pdf
FCB20N60FTM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+388.2 грн
10+ 314.01 грн
100+ 254.01 грн
FCB20N60FTM 3350347030925052fcb20n60f.pdf
FCB20N60FTM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+170.69 грн
Мінімальне замовлення: 800
FCD620N60ZF fcd620n60zf-d.pdf
FCD620N60ZF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+54.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FCD620N60ZF fcd620n60zf-d.pdf
FCD620N60ZF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135 pF @ 25 V
на замовлення 9435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+129.15 грн
10+ 103.16 грн
100+ 82.1 грн
500+ 65.19 грн
1000+ 55.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
FCP20N60 FCP20N60.pdf
FCP20N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+419.61 грн
3+ 335 грн
4+ 233.64 грн
10+ 220.7 грн
FCP20N60 FCP20N60_D-2311949.pdf
FCP20N60
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 600V N-Channel SuperFET
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+293.88 грн
10+ 282.54 грн
50+ 215.32 грн
100+ 196 грн
500+ 182.88 грн
1000+ 164.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCP20N60 fcp20n60-d.pdf
FCP20N60
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
на замовлення 3917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+362.07 грн
50+ 276.34 грн
100+ 236.86 грн
500+ 197.59 грн
1000+ 169.18 грн
2000+ 159.3 грн
FCPF20N60 FCP20N60.pdf
FCPF20N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+432 грн
3+ 374.46 грн
4+ 277.78 грн
10+ 263.11 грн
FCPF20N60 fcp20n60-d.pdf
FCPF20N60
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
на замовлення 821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+363.56 грн
50+ 277 грн
100+ 237.43 грн
500+ 198.06 грн
FGB20N60SFD-F085 fgb20n60s_f085-d.pdf
FGB20N60SFD-F085
Виробник: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 600V 40A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 111 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 10ns/90ns
Switching Energy: 310µJ (on), 130µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 63 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 208 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+262.78 грн
10+ 212.36 грн
100+ 171.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH20N60SFDTU fgh20n60sfdtu-f085-d.pdf
Виробник: ON-Semicoductor
Single IGBT Transistors 600V 20A Field Stop ;   FGH20N60SFDTU TO-247AB-3 TFGH20N60sfdtu
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 72 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+163.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
HGTG20N60A4
Виробник: Fairchaild
IGBT транзистор - SMPS IGBT - TO-247; 600 V; 40A
на замовлення 7 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+253.56 грн
10+ 211.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
HGTG20N60B3D hgtg20n60b3d-d.pdf
Виробник: ON-Semicoductor
40A; 600V; 165W; IGBT w/ Diode   HGTG20N60B3D THGTG20n60b3d
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+259.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
HGTP20N60A4 description HGTG_HGTP20N60A4_Rev_Apr_2013.pdf
Виробник: Fairchild
70A; 600V; 290W; IGBT   HGTP20N60A4 THGTP20n60a4
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+111.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
HGTP20N60A4 description HGTG_HGTP20N60A4_Rev_Apr_2013.pdf
Виробник: Fairchild
70A; 600V; 290W; IGBT   HGTP20N60A4 THGTP20n60a4
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+111.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
IGB20N60H3ATMA1 infineon-igb20n60h3-datasheet-v02_03-en.pdf
IGB20N60H3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+55.31 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IGP20N60H3XKSA1 IGP20N60H3-DTE.pdf
IGP20N60H3XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+127.96 грн
8+ 110.71 грн
21+ 104.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
IGP20N60H3XKSA1 IGP20N60H3-DTE.pdf
IGP20N60H3XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 113 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+186.73 грн
3+ 159.46 грн
8+ 132.85 грн
21+ 125.95 грн
250+ 120.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGP20N65F5 Infineon_IGP20N65F5_DS_v02_01_EN-3360252.pdf
IGP20N65F5
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
на замовлення 1362 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+159.42 грн
10+ 131.75 грн
100+ 90.41 грн
250+ 84.2 грн
500+ 64.18 грн
1000+ 61.63 грн
2500+ 61.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
IGP20N65F5XKSA1 IGP20N65F5-DTE.pdf
IGP20N65F5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 42A; 125W; TO220-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 42A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
на замовлення 303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+140.13 грн
4+ 115.74 грн
9+ 104.24 грн
10+ 103.52 грн
23+ 98.49 грн
25+ 96.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
IGP20N65F5XKSA1 IGP20N65F5-DTE.pdf
IGP20N65F5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 42A; 125W; TO220-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 42A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 303 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+168.15 грн
3+ 144.23 грн
9+ 125.09 грн
10+ 124.22 грн
23+ 118.18 грн
25+ 115.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGP20N65F5XKSA1 infineon-igp20n65f5-ds-v02_01-en.pdf
IGP20N65F5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 42A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IGP20N65H5XKSA1 IGP20N65H5_2_1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=5546d461464245d30146a4acee496caa
IGP20N65H5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 42A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/156ns
Switching Energy: 170µJ (on), 60µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 32Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 42 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 125 W
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+147.07 грн
50+ 113.74 грн
100+ 93.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
IGW20N60H3FKSA1 IGW20N60H3-DTE.pdf
IGW20N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 170W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+245.42 грн
3+ 204.88 грн
6+ 154.56 грн
16+ 145.93 грн
50+ 140.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGW20N60H3FKSA1 IGW20N60H3-DTE.pdf
IGW20N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 170W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+294.5 грн
3+ 255.32 грн
6+ 185.47 грн
16+ 175.12 грн
50+ 168.22 грн
IGW20N60H3FKSA1 IGW20N60H3_Rev1_1G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a30432a40a650012a46c4621a2b81
IGW20N60H3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/194ns
Switching Energy: 800µJ
Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 170 W
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+194.1 грн
30+ 150.18 грн
120+ 123.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]