Продукція > STMICROELECTRONICS > Всі товари виробника STMICROELECTRONICS (161826) > Сторінка 2679 з 2698

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 269 538 807 1076 1345 1614 1883 2152 2421 2674 2675 2676 2677 2678 2679 2680 2681 2682 2683 2684 2690 2698  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STTH1002CR STTH1002CR STMicroelectronics en.CD00005113.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying
Type of diode: rectifying
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+27.57 грн
18+23.37 грн
50+21.64 грн
100+20.65 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
STTH1002CB-TR STTH1002CB-TR STMicroelectronics STTH1002CB-TR.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 8Ax2; 20ns; DPAK; Ufmax: 0.78V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 50A
Case: DPAK
Max. forward voltage: 0.78V
Reverse recovery time: 20ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD110N8F6 STMicroelectronics en.DM00151073.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 80A; 167W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 80A
Power dissipation: 167W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 150nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESDALC6V1P6 ESDALC6V1P6 STMicroelectronics esdalc6v1px.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6.1V; 30W; SOT666IP; Ch: 4; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6.1V
Peak pulse power dissipation: 30W
Semiconductor structure: common anode; quadruple; unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT666IP
Max. off-state voltage: 3V
Number of channels: 4
Version: ESD
Leakage current: 0.1µA
на замовлення 2730 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+26.68 грн
24+17.76 грн
26+16.44 грн
75+11.89 грн
100+11.31 грн
300+9.33 грн
500+8.75 грн
1000+8.01 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
ESDA14V2BP6 ESDA14V2BP6 STMicroelectronics esdaxxxp6.pdf description Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 14.2V; 50W; SOT666; Ch: 4; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 14.2V
Peak pulse power dissipation: 50W
Semiconductor structure: bidirectional; common anode; quadruple
Mounting: SMD
Case: SOT666
Max. off-state voltage: 12V
Number of channels: 4
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 1µA
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+33.80 грн
20+20.81 грн
100+13.54 грн
250+11.48 грн
500+10.24 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH35N65G2V-7 STMicroelectronics scth35n65g2v-7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 45A; Idm: 90A; 208W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 208W
Case: H2PAK7
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 73nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH35N65G2V-7AG STMicroelectronics scth35n65g2v-7ag.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 45A; Idm: 90A; 208W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 208W
Case: H2PAK7
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 73nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSV992IDT TSV992IDT STMicroelectronics tsv992.pdf Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 20MHz; Ch: 2; 2.5÷5.5VDC; SO8; 7.5mV
Type of integrated circuit: operational amplifier
Case: SO8
Mounting: SMT
Integrated circuit features: low voltage; rail-to-rail
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Input bias current: 0.1nA
Input offset current: 0.1nA
Quiescent current: 1.1mA
Input offset voltage: 7.5mV
Number of channels: 2
Voltage supply range: 2.5...5.5V DC
Slew rate: 10V/μs
Bandwidth: 20MHz
на замовлення 2489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+97.84 грн
6+76.81 грн
10+68.55 грн
25+60.29 грн
100+52.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TSV994IPT TSV994IPT STMicroelectronics tsv994.pdf Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 20MHz; Ch: 4; 2.5÷5.5VDC; TSSOP14; 7.5mV
Type of integrated circuit: operational amplifier
Case: TSSOP14
Mounting: SMT
Integrated circuit features: low voltage; rail-to-rail
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Input offset current: 0.1nA
Input bias current: 0.1nA
Quiescent current: 1.1mA
Input offset voltage: 7.5mV
Number of channels: 4
Voltage supply range: 2.5...5.5V DC
Slew rate: 10V/μs
Bandwidth: 20MHz
на замовлення 2335 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+84.24 грн
10+75.98 грн
25+71.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STP35N60DM2 STP35N60DM2 STMicroelectronics STP35N60DM2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 17A; 210W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 17A
Power dissipation: 210W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB35N60DM2 STMicroelectronics STB35N60DM2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1000+233.03 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Z0103MA 2AL2 STMicroelectronics en.CD00002268.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; TO92; Igt: 3mA; Ifsm: 8A
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: TO92
Gate current: 3mA
Max. forward impulse current: 8A
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Z0103MN 6AA4 STMicroelectronics en.CD00002268.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; SOT223; Igt: 3mA; Ifsm: 8A
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Gate current: 3mA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Z0103NA 2AL2 STMicroelectronics en.CD00002268.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; TO92; Igt: 3mA; Ifsm: 8A
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Case: TO92
Gate current: 3mA
Max. forward impulse current: 8A
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD13NM60ND STMicroelectronics STx13NM60ND_DS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
M95512-RMN6TP M95512-RMN6TP STMicroelectronics M95512-RDW6TP.pdf Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 512kbEEPROM; SPI; 64kx8bit; 1.8÷5.5V; 16MHz; SO8
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 512kb EEPROM
Interface: SPI
Memory organisation: 64kx8bit
Operating voltage: 1.8...5.5V
Clock frequency: 16MHz
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 1138 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+48.92 грн
250+41.71 грн
500+39.64 грн
1000+37.00 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
M95512-RDW6TP M95512-RDW6TP STMicroelectronics M95512-RDW6TP.pdf Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 512kbEEPROM; SPI; 64kx8bit; 1.8÷5.5V; 16MHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 512kb EEPROM
Interface: SPI
Memory organisation: 64kx8bit
Operating voltage: 1.8...5.5V
Clock frequency: 16MHz
Mounting: SMD
Case: TSSOP8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 1019 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+57.81 грн
10+50.30 грн
100+45.67 грн
500+42.20 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
M95512-RMN6P M95512-RMN6P STMicroelectronics m24512-df.pdf Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 512kbEEPROM; SPI; 64kx8bit; 1.8÷5.5V; 16MHz; SO8
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 512kb EEPROM
Interface: SPI
Memory organisation: 64kx8bit
Operating voltage: 1.8...5.5V
Clock frequency: 16MHz
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS912AIDT TS912AIDT STMicroelectronics TS912IDT.pdf Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 0.8÷1.4MHz; Ch: 2; 2.7÷16VDC; SO8; 7mV
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 0.8...1.4MHz
Number of channels: 2
Mounting: SMT
Voltage supply range: 2.7...16V DC
Case: SO8
Operating temperature: -40...125°C
Slew rate: 1.3V/μs
Integrated circuit features: rail-to-rail; universal
Input offset voltage: 7mV
Kind of package: reel; tape
Input bias current: 0.3nA
Input offset current: 0.2nA
на замовлення 4837 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+83.60 грн
7+66.07 грн
10+59.46 грн
25+52.03 грн
50+48.73 грн
100+45.42 грн
250+42.12 грн
2500+40.47 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TS912IDT TS912IDT STMicroelectronics TS912IDT.pdf description Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 0.8÷1.4MHz; Ch: 2; 2.7÷16VDC; SO8; 12mV
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 0.8...1.4MHz
Number of channels: 2
Mounting: SMT
Voltage supply range: 2.7...16V DC
Case: SO8
Operating temperature: -40...125°C
Slew rate: 1.3V/μs
Integrated circuit features: rail-to-rail; universal
Input offset voltage: 12mV
Kind of package: reel; tape
Input bias current: 0.3nA
Input offset current: 0.2nA
на замовлення 3889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+87.16 грн
7+67.56 грн
10+61.12 грн
25+53.93 грн
50+49.72 грн
100+46.58 грн
250+43.61 грн
2500+39.81 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TS912BIDT TS912BIDT STMicroelectronics ts912b.pdf description Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 0.8÷1.4MHz; Ch: 2; 2.7÷16VDC; SO8; 2mV
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 0.8...1.4MHz
Number of channels: 2
Mounting: SMT
Voltage supply range: 2.7...16V DC
Case: SO8
Operating temperature: -40...125°C
Slew rate: 0.4V/μs
Integrated circuit features: rail-to-rail; universal
Input offset voltage: 2mV
Kind of package: reel; tape
Input bias current: 0.3nA
Input offset current: 0.2nA
на замовлення 1502 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+91.61 грн
6+72.68 грн
10+66.07 грн
25+59.46 грн
75+53.68 грн
100+52.86 грн
250+50.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TS912ID TS912ID STMicroelectronics TS912IDT.pdf Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 0.8÷1.4MHz; Ch: 2; 2.7÷16VDC; SO8; 12mV
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 0.8...1.4MHz
Number of channels: 2
Mounting: SMT
Voltage supply range: 2.7...16V DC
Case: SO8
Operating temperature: -40...125°C
Slew rate: 1.3V/μs
Integrated circuit features: rail-to-rail; universal
Input offset voltage: 12mV
Kind of package: tube
Input bias current: 0.3nA
Input offset current: 0.2nA
на замовлення 1207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+128.08 грн
5+99.11 грн
10+90.02 грн
25+88.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TS912IYDT TS912IYDT STMicroelectronics ts912.pdf Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 800kHz; Ch: 2; 2.7÷16VDC; SO8; 12mV
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 800kHz
Number of channels: 2
Mounting: SMT
Voltage supply range: 2.7...16V DC
Case: SO8
Operating temperature: -40...125°C
Slew rate: 1.3V/μs
Integrated circuit features: rail-to-rail; universal
Input offset voltage: 12mV
Kind of package: reel; tape
Input bias current: 0.3nA
Input offset current: 0.2nA
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS912AIYDT TS912AIYDT STMicroelectronics ts912a.pdf Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 1.4MHz; Ch: 2; 2.7÷16VDC; SO8; 7mV
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 1.4MHz
Number of channels: 2
Mounting: SMT
Voltage supply range: 2.7...16V DC
Case: SO8
Operating temperature: -40...125°C
Slew rate: 0.8V/μs
Integrated circuit features: rail-to-rail; universal
Input offset voltage: 7mV
Kind of package: reel; tape
Input bias current: 0.3nA
Input offset current: 0.2nA
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS912BIYDT TS912BIYDT STMicroelectronics ts912b.pdf Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 1MHz; Ch: 2; 2.7÷16VDC; SO8; 3mV
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 1MHz
Number of channels: 2
Mounting: SMT
Voltage supply range: 2.7...16V DC
Case: SO8
Operating temperature: -40...125°C
Slew rate: 0.4V/μs
Integrated circuit features: rail-to-rail; universal
Input offset voltage: 3mV
Kind of package: reel; tape
Input bias current: 0.3nA
Input offset current: 0.2nA
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LET9120 STMicroelectronics LET9120.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 80V; 18A; 200W; M246; Pout: 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 18A
Power dissipation: 200W
Case: M246
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: RF
Mechanical mounting: screw
Open-loop gain: 18dB
Efficiency: 70%
Output power: 150W
Frequency: 860MHz
Electrical mounting: FASTON connectors; soldering; THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD243C BD243C STMicroelectronics BD244C-STMicroelectronics.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 115V; 6A; 65W; TO220
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 115V
Collector current: 6A
Case: TO220
Mounting: THT
Frequency: 3MHz
Power: 65W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD677A BD677A STMicroelectronics BD678.pdf Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 4A; 40W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 4A
Power dissipation: 40W
Case: SOT32
Current gain: 750
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+57.81 грн
14+31.71 грн
50+24.86 грн
100+22.38 грн
250+19.57 грн
500+17.67 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
M24C02-FMN6TP STMicroelectronics m24c01-r.pdf Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 2kbEEPROM; I2C; 256x8bit; 1.7÷5.5V; 400kHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 2kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 256x8bit
Operating voltage: 1.7...5.5V
Clock frequency: 400kHz
Mounting: SMD
Case: UFDFPN5
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STSPIN220 STSPIN220 STMicroelectronics stspin220.pdf Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; stepper motor controller; VFQFPN16; 1.3A; 1.8÷10VDC
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: stepper motor controller
Case: VFQFPN16
Output current: 1.3A
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.4Ω
Operating temperature: -40...150°C
Operating voltage: 1.8...10V DC
Kind of package: in-tray
на замовлення 843 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+176.10 грн
5+148.66 грн
25+138.75 грн
100+124.71 грн
500+109.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FERD30H60CTS FERD30H60CTS STMicroelectronics FERD30H60C.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 60V; 15Ax2; tube; Ifsm: 250A; TO220AB; 500ns
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220AB
Type of diode: rectifying
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Reverse recovery time: 0.5µs
Heatsink thickness: 0.51...0.6mm
Max. forward voltage: 0.41V
Load current: 15A x2
Max. load current: 60A
Max. off-state voltage: 60V
Max. forward impulse current: 250A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FERD30M45CT FERD30M45CT STMicroelectronics FERD30M45C.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 45V; 15Ax2; tube; Ifsm: 250A; TO220AB
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220AB
Type of diode: rectifying
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Heatsink thickness: 1.23...1.32mm
Max. forward voltage: 0.35V
Load current: 15A x2
Max. load current: 30A
Max. off-state voltage: 45V
Max. forward impulse current: 250A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FERD30SM100ST FERD30SM100ST STMicroelectronics FERD30SM100ST.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 30A; tube; Ifsm: 250A; TO220AB
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AB
Type of diode: rectifying
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Heatsink thickness: 1.23...1.32mm
Max. forward voltage: 0.39V
Load current: 30A
Max. load current: 60A
Max. off-state voltage: 100V
Max. forward impulse current: 250A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPS10H100CT STPS10H100CT STMicroelectronics STPS10H100CT%2CCG%2CCR%2CCFP.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 5Ax2; TO220AB; Ufmax: 0.85V
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220AB
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 5A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.85V
Max. forward impulse current: 180A
Kind of package: tube
Max. load current: 10A
Heatsink thickness: 1.23...1.32mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPS10H100SFY STMicroelectronics stps10h100sfy.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO277A; SMD; 100V; 10A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO277A
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.845V
Max. forward impulse current: 230A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL15N65M5 STMicroelectronics stl15n65m5.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; 52W; PowerFLAT 5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Power dissipation: 52W
Case: PowerFLAT 5x6
On-state resistance: 375mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LDK120M33R LDK120M33R STMicroelectronics LDK120.pdf Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V; 0.2A; SOT23-5; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 0.3V
Output voltage: 3.3V
Output current: 0.2A
Case: SOT23-5
Mounting: SMD
Manufacturer series: LDK120
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Tolerance: ±2%
Number of channels: 1
Input voltage: 1.9...5.5V
на замовлення 4158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+56.03 грн
10+43.85 грн
100+33.28 грн
250+29.57 грн
500+28.25 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
STB20NM60T4 STMicroelectronics en.CD00002505.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMB6F15AY STMicroelectronics SMB6FxxAY.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS
Type of diode: TVS
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5000+8.89 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
STFW40N60M2 STMicroelectronics en.DM00116766.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 34A; 63W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Power dissipation: 63W
Case: TO3PF
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T15CAY SM6T15CAY STMicroelectronics SM6TxxY.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 15V; 28A; bidirectional; ±5%; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 12.8V
Breakdown voltage: 15V
Max. forward impulse current: 28A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
на замовлення 2254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+32.91 грн
15+28.41 грн
16+26.51 грн
100+19.66 грн
250+18.00 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
M24C04-DRDW3TP/K STMicroelectronics en.DM00114738.pdf Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory
Type of integrated circuit: EEPROM memory
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4000+18.32 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
STPS30L45CT STPS30L45CT STMicroelectronics en.CD00002519.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 45V; 15Ax2; TO220AB; Ufmax: 0.74V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220AB
Max. forward voltage: 0.74V
Max. load current: 30A
Max. forward impulse current: 220A
Leakage current: 200mA
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.23...1.32mm
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+90.72 грн
6+72.68 грн
10+61.12 грн
25+54.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STW43NM60ND STMicroelectronics stpower-n-channel-mosfets-gt-200-v-to-700-v.html Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
120+316.63 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE15CA 1.5KE15CA STMicroelectronics 1.5KE100A.pdf Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 15V; 71A; bidirectional; DO201; 1.5kW; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 12.8V
Breakdown voltage: 15V
Max. forward impulse current: 71A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Kind of package: Ammo Pack
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STWA45N65M5 STMicroelectronics stwa45n65m5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 22A; Idm: 140A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 210W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 82nC
Pulsed drain current: 140A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF33N60M2 STMicroelectronics en.DM00078147.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 45.5nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STTH60P03SW STTH60P03SW STMicroelectronics en.CD00045915.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 300V; 60A; tube; Ifsm: 250A; TO247-3; 50ns
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 50ns
Leakage current: 0.1mA
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 60A
Max. off-state voltage: 300V
Max. forward impulse current: 250A
Max. load current: 80A
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Type of diode: rectifying
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+246.37 грн
10+156.92 грн
30+127.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TS4436ICT TS4436ICT STMicroelectronics ts4436.pdf Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 0.6V; ±1%; SC70; reel,tape; 30mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 0.6V
Tolerance: ±1%
Mounting: SMD
Case: SC70
Operating temperature: -40...85°C
Operating voltage: 1.7...10V
Kind of package: reel; tape
Maximum output current: 30mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS4436AICT TS4436AICT STMicroelectronics ts4436.pdf Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 0.6V; ±0.5%; SC70; reel,tape; 30mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 0.6V
Tolerance: ±0.5%
Mounting: SMD
Case: SC70
Operating temperature: -40...85°C
Operating voltage: 1.7...10V
Kind of package: reel; tape
Maximum output current: 30mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LDL112PUR STMicroelectronics ldl112.pdf Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,adjustable; 0.8÷5V; 1.2A; DFN6
Manufacturer series: LDL112
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Voltage drop: 0.6V
Output voltage: 0.8...5V
Number of channels: 1
Output current: 1.2A
Input voltage: 1.6...5.5V
Tolerance: 2...3%
Kind of voltage regulator: adjustable; LDO; linear
Type of integrated circuit: voltage regulator
Case: DFN6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STUSB4710AQTR STMicroelectronics en.DM00383615.pdf Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: interface
Type of integrated circuit: interface
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4000+105.84 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
E-TEA3718DP E-TEA3718DP STMicroelectronics tea3718.pdf Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; motor controller; PDIP14; -1.5÷1.5A; 10÷50VDC
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: motor controller
Case: PDIP14
Output current: -1.5...1.5A
Mounting: THT
Operating temperature: 0...70°C
Application: universal
Operating voltage: 10...50V DC
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+275.72 грн
10+222.16 грн
25+216.38 грн
50+205.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TEA3718SFP TEA3718SFP STMicroelectronics TEA3718.pdf Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; stepper motor controller; SO20; 1.5A; Ch: 2; 10÷50V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: stepper motor controller
Case: SO20
Output current: 1.5A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Application: universal
Kind of package: tube
Supply voltage: 10...50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
E-TEA3718SFP E-TEA3718SFP STMicroelectronics E-TEA3718SFP.pdf Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; stepper motor controller; SO20; 1.5A; Ch: 2; 10÷50V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: stepper motor controller
Case: SO20
Output current: 1.5A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Application: universal
Supply voltage: 10...50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD6NF10T4 STD6NF10T4 STMicroelectronics STD6NF10T4.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; 30W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 30W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TN3050H-12WY TN3050H-12WY STMicroelectronics tn3050h-12wy.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 30A; 19A; Igt: 50mA; TO247; THT; tube
Mounting: THT
Case: TO247
Type of thyristor: thyristor
Kind of package: tube
Gate current: 50mA
Load current: 19A
Max. load current: 30A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Features of semiconductor devices: high temperature
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+334.42 грн
3+284.93 грн
10+235.38 грн
30+209.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC31H12CWY STPSC31H12CWY STMicroelectronics en.DM00702999.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15Ax2; TO247; Ir: 600uA
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO247
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 2.25V
Max. forward impulse current: 105A
Kind of package: tube
Technology: SiC
Leakage current: 0.6mA
Max. load current: 38A
Application: automotive industry
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+965.01 грн
5+805.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGF15M65DF2 STMicroelectronics en.DM00237960.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 31W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 15A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB15M65DF2 STMicroelectronics en.DM00096991.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 136W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 15A
Power dissipation: 136W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STTH1002CR en.CD00005113.pdf
STTH1002CR
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying
Type of diode: rectifying
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+27.57 грн
18+23.37 грн
50+21.64 грн
100+20.65 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
STTH1002CB-TR STTH1002CB-TR.pdf
STTH1002CB-TR
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 8Ax2; 20ns; DPAK; Ufmax: 0.78V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 50A
Case: DPAK
Max. forward voltage: 0.78V
Reverse recovery time: 20ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD110N8F6 en.DM00151073.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 80A; 167W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 80A
Power dissipation: 167W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 150nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESDALC6V1P6 esdalc6v1px.pdf
ESDALC6V1P6
Виробник: STMicroelectronics
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6.1V; 30W; SOT666IP; Ch: 4; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6.1V
Peak pulse power dissipation: 30W
Semiconductor structure: common anode; quadruple; unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT666IP
Max. off-state voltage: 3V
Number of channels: 4
Version: ESD
Leakage current: 0.1µA
на замовлення 2730 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+26.68 грн
24+17.76 грн
26+16.44 грн
75+11.89 грн
100+11.31 грн
300+9.33 грн
500+8.75 грн
1000+8.01 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
ESDA14V2BP6 description esdaxxxp6.pdf
ESDA14V2BP6
Виробник: STMicroelectronics
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 14.2V; 50W; SOT666; Ch: 4; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 14.2V
Peak pulse power dissipation: 50W
Semiconductor structure: bidirectional; common anode; quadruple
Mounting: SMD
Case: SOT666
Max. off-state voltage: 12V
Number of channels: 4
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 1µA
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+33.80 грн
20+20.81 грн
100+13.54 грн
250+11.48 грн
500+10.24 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH35N65G2V-7 scth35n65g2v-7.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 45A; Idm: 90A; 208W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 208W
Case: H2PAK7
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 73nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH35N65G2V-7AG scth35n65g2v-7ag.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 45A; Idm: 90A; 208W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 208W
Case: H2PAK7
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 73nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSV992IDT tsv992.pdf
TSV992IDT
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 20MHz; Ch: 2; 2.5÷5.5VDC; SO8; 7.5mV
Type of integrated circuit: operational amplifier
Case: SO8
Mounting: SMT
Integrated circuit features: low voltage; rail-to-rail
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Input bias current: 0.1nA
Input offset current: 0.1nA
Quiescent current: 1.1mA
Input offset voltage: 7.5mV
Number of channels: 2
Voltage supply range: 2.5...5.5V DC
Slew rate: 10V/μs
Bandwidth: 20MHz
на замовлення 2489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+97.84 грн
6+76.81 грн
10+68.55 грн
25+60.29 грн
100+52.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TSV994IPT tsv994.pdf
TSV994IPT
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 20MHz; Ch: 4; 2.5÷5.5VDC; TSSOP14; 7.5mV
Type of integrated circuit: operational amplifier
Case: TSSOP14
Mounting: SMT
Integrated circuit features: low voltage; rail-to-rail
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Input offset current: 0.1nA
Input bias current: 0.1nA
Quiescent current: 1.1mA
Input offset voltage: 7.5mV
Number of channels: 4
Voltage supply range: 2.5...5.5V DC
Slew rate: 10V/μs
Bandwidth: 20MHz
на замовлення 2335 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+84.24 грн
10+75.98 грн
25+71.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STP35N60DM2 STP35N60DM2.pdf
STP35N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 17A; 210W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 17A
Power dissipation: 210W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB35N60DM2 STB35N60DM2.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+233.03 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Z0103MA 2AL2 en.CD00002268.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; TO92; Igt: 3mA; Ifsm: 8A
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: TO92
Gate current: 3mA
Max. forward impulse current: 8A
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Z0103MN 6AA4 en.CD00002268.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; SOT223; Igt: 3mA; Ifsm: 8A
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Gate current: 3mA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Z0103NA 2AL2 en.CD00002268.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; TO92; Igt: 3mA; Ifsm: 8A
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Case: TO92
Gate current: 3mA
Max. forward impulse current: 8A
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD13NM60ND STx13NM60ND_DS.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
M95512-RMN6TP M95512-RDW6TP.pdf
M95512-RMN6TP
Виробник: STMicroelectronics
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 512kbEEPROM; SPI; 64kx8bit; 1.8÷5.5V; 16MHz; SO8
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 512kb EEPROM
Interface: SPI
Memory organisation: 64kx8bit
Operating voltage: 1.8...5.5V
Clock frequency: 16MHz
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 1138 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+48.92 грн
250+41.71 грн
500+39.64 грн
1000+37.00 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
M95512-RDW6TP M95512-RDW6TP.pdf
M95512-RDW6TP
Виробник: STMicroelectronics
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 512kbEEPROM; SPI; 64kx8bit; 1.8÷5.5V; 16MHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 512kb EEPROM
Interface: SPI
Memory organisation: 64kx8bit
Operating voltage: 1.8...5.5V
Clock frequency: 16MHz
Mounting: SMD
Case: TSSOP8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 1019 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+57.81 грн
10+50.30 грн
100+45.67 грн
500+42.20 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
M95512-RMN6P m24512-df.pdf
M95512-RMN6P
Виробник: STMicroelectronics
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 512kbEEPROM; SPI; 64kx8bit; 1.8÷5.5V; 16MHz; SO8
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 512kb EEPROM
Interface: SPI
Memory organisation: 64kx8bit
Operating voltage: 1.8...5.5V
Clock frequency: 16MHz
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS912AIDT TS912IDT.pdf
TS912AIDT
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 0.8÷1.4MHz; Ch: 2; 2.7÷16VDC; SO8; 7mV
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 0.8...1.4MHz
Number of channels: 2
Mounting: SMT
Voltage supply range: 2.7...16V DC
Case: SO8
Operating temperature: -40...125°C
Slew rate: 1.3V/μs
Integrated circuit features: rail-to-rail; universal
Input offset voltage: 7mV
Kind of package: reel; tape
Input bias current: 0.3nA
Input offset current: 0.2nA
на замовлення 4837 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+83.60 грн
7+66.07 грн
10+59.46 грн
25+52.03 грн
50+48.73 грн
100+45.42 грн
250+42.12 грн
2500+40.47 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TS912IDT description TS912IDT.pdf
TS912IDT
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 0.8÷1.4MHz; Ch: 2; 2.7÷16VDC; SO8; 12mV
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 0.8...1.4MHz
Number of channels: 2
Mounting: SMT
Voltage supply range: 2.7...16V DC
Case: SO8
Operating temperature: -40...125°C
Slew rate: 1.3V/μs
Integrated circuit features: rail-to-rail; universal
Input offset voltage: 12mV
Kind of package: reel; tape
Input bias current: 0.3nA
Input offset current: 0.2nA
на замовлення 3889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+87.16 грн
7+67.56 грн
10+61.12 грн
25+53.93 грн
50+49.72 грн
100+46.58 грн
250+43.61 грн
2500+39.81 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TS912BIDT description ts912b.pdf
TS912BIDT
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 0.8÷1.4MHz; Ch: 2; 2.7÷16VDC; SO8; 2mV
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 0.8...1.4MHz
Number of channels: 2
Mounting: SMT
Voltage supply range: 2.7...16V DC
Case: SO8
Operating temperature: -40...125°C
Slew rate: 0.4V/μs
Integrated circuit features: rail-to-rail; universal
Input offset voltage: 2mV
Kind of package: reel; tape
Input bias current: 0.3nA
Input offset current: 0.2nA
на замовлення 1502 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+91.61 грн
6+72.68 грн
10+66.07 грн
25+59.46 грн
75+53.68 грн
100+52.86 грн
250+50.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TS912ID TS912IDT.pdf
TS912ID
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 0.8÷1.4MHz; Ch: 2; 2.7÷16VDC; SO8; 12mV
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 0.8...1.4MHz
Number of channels: 2
Mounting: SMT
Voltage supply range: 2.7...16V DC
Case: SO8
Operating temperature: -40...125°C
Slew rate: 1.3V/μs
Integrated circuit features: rail-to-rail; universal
Input offset voltage: 12mV
Kind of package: tube
Input bias current: 0.3nA
Input offset current: 0.2nA
на замовлення 1207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+128.08 грн
5+99.11 грн
10+90.02 грн
25+88.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TS912IYDT ts912.pdf
TS912IYDT
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 800kHz; Ch: 2; 2.7÷16VDC; SO8; 12mV
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 800kHz
Number of channels: 2
Mounting: SMT
Voltage supply range: 2.7...16V DC
Case: SO8
Operating temperature: -40...125°C
Slew rate: 1.3V/μs
Integrated circuit features: rail-to-rail; universal
Input offset voltage: 12mV
Kind of package: reel; tape
Input bias current: 0.3nA
Input offset current: 0.2nA
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS912AIYDT ts912a.pdf
TS912AIYDT
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 1.4MHz; Ch: 2; 2.7÷16VDC; SO8; 7mV
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 1.4MHz
Number of channels: 2
Mounting: SMT
Voltage supply range: 2.7...16V DC
Case: SO8
Operating temperature: -40...125°C
Slew rate: 0.8V/μs
Integrated circuit features: rail-to-rail; universal
Input offset voltage: 7mV
Kind of package: reel; tape
Input bias current: 0.3nA
Input offset current: 0.2nA
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS912BIYDT ts912b.pdf
TS912BIYDT
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 1MHz; Ch: 2; 2.7÷16VDC; SO8; 3mV
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 1MHz
Number of channels: 2
Mounting: SMT
Voltage supply range: 2.7...16V DC
Case: SO8
Operating temperature: -40...125°C
Slew rate: 0.4V/μs
Integrated circuit features: rail-to-rail; universal
Input offset voltage: 3mV
Kind of package: reel; tape
Input bias current: 0.3nA
Input offset current: 0.2nA
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LET9120 LET9120.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 80V; 18A; 200W; M246; Pout: 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 18A
Power dissipation: 200W
Case: M246
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: RF
Mechanical mounting: screw
Open-loop gain: 18dB
Efficiency: 70%
Output power: 150W
Frequency: 860MHz
Electrical mounting: FASTON connectors; soldering; THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD243C BD244C-STMicroelectronics.pdf
BD243C
Виробник: STMicroelectronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 115V; 6A; 65W; TO220
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 115V
Collector current: 6A
Case: TO220
Mounting: THT
Frequency: 3MHz
Power: 65W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD677A BD678.pdf
BD677A
Виробник: STMicroelectronics
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 4A; 40W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 4A
Power dissipation: 40W
Case: SOT32
Current gain: 750
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+57.81 грн
14+31.71 грн
50+24.86 грн
100+22.38 грн
250+19.57 грн
500+17.67 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
M24C02-FMN6TP m24c01-r.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 2kbEEPROM; I2C; 256x8bit; 1.7÷5.5V; 400kHz
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Kind of memory: EEPROM
Memory: 2kb EEPROM
Interface: I2C
Memory organisation: 256x8bit
Operating voltage: 1.7...5.5V
Clock frequency: 400kHz
Mounting: SMD
Case: UFDFPN5
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STSPIN220 stspin220.pdf
STSPIN220
Виробник: STMicroelectronics
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; stepper motor controller; VFQFPN16; 1.3A; 1.8÷10VDC
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: stepper motor controller
Case: VFQFPN16
Output current: 1.3A
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.4Ω
Operating temperature: -40...150°C
Operating voltage: 1.8...10V DC
Kind of package: in-tray
на замовлення 843 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+176.10 грн
5+148.66 грн
25+138.75 грн
100+124.71 грн
500+109.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FERD30H60CTS FERD30H60C.pdf
FERD30H60CTS
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 60V; 15Ax2; tube; Ifsm: 250A; TO220AB; 500ns
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220AB
Type of diode: rectifying
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Reverse recovery time: 0.5µs
Heatsink thickness: 0.51...0.6mm
Max. forward voltage: 0.41V
Load current: 15A x2
Max. load current: 60A
Max. off-state voltage: 60V
Max. forward impulse current: 250A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FERD30M45CT FERD30M45C.pdf
FERD30M45CT
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 45V; 15Ax2; tube; Ifsm: 250A; TO220AB
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220AB
Type of diode: rectifying
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Heatsink thickness: 1.23...1.32mm
Max. forward voltage: 0.35V
Load current: 15A x2
Max. load current: 30A
Max. off-state voltage: 45V
Max. forward impulse current: 250A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FERD30SM100ST FERD30SM100ST.pdf
FERD30SM100ST
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 30A; tube; Ifsm: 250A; TO220AB
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AB
Type of diode: rectifying
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Heatsink thickness: 1.23...1.32mm
Max. forward voltage: 0.39V
Load current: 30A
Max. load current: 60A
Max. off-state voltage: 100V
Max. forward impulse current: 250A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPS10H100CT STPS10H100CT%2CCG%2CCR%2CCFP.pdf
STPS10H100CT
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 5Ax2; TO220AB; Ufmax: 0.85V
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220AB
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 5A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.85V
Max. forward impulse current: 180A
Kind of package: tube
Max. load current: 10A
Heatsink thickness: 1.23...1.32mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPS10H100SFY stps10h100sfy.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO277A; SMD; 100V; 10A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO277A
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.845V
Max. forward impulse current: 230A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL15N65M5 stl15n65m5.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; 52W; PowerFLAT 5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Power dissipation: 52W
Case: PowerFLAT 5x6
On-state resistance: 375mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LDK120M33R LDK120.pdf
LDK120M33R
Виробник: STMicroelectronics
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V; 0.2A; SOT23-5; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 0.3V
Output voltage: 3.3V
Output current: 0.2A
Case: SOT23-5
Mounting: SMD
Manufacturer series: LDK120
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Tolerance: ±2%
Number of channels: 1
Input voltage: 1.9...5.5V
на замовлення 4158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+56.03 грн
10+43.85 грн
100+33.28 грн
250+29.57 грн
500+28.25 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
STB20NM60T4 en.CD00002505.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMB6F15AY SMB6FxxAY.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS
Type of diode: TVS
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+8.89 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
STFW40N60M2 en.DM00116766.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 34A; 63W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Power dissipation: 63W
Case: TO3PF
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T15CAY SM6TxxY.pdf
SM6T15CAY
Виробник: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 15V; 28A; bidirectional; ±5%; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 12.8V
Breakdown voltage: 15V
Max. forward impulse current: 28A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
на замовлення 2254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+32.91 грн
15+28.41 грн
16+26.51 грн
100+19.66 грн
250+18.00 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
M24C04-DRDW3TP/K en.DM00114738.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory
Type of integrated circuit: EEPROM memory
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+18.32 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
STPS30L45CT en.CD00002519.pdf
STPS30L45CT
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 45V; 15Ax2; TO220AB; Ufmax: 0.74V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220AB
Max. forward voltage: 0.74V
Max. load current: 30A
Max. forward impulse current: 220A
Leakage current: 200mA
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.23...1.32mm
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+90.72 грн
6+72.68 грн
10+61.12 грн
25+54.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STW43NM60ND stpower-n-channel-mosfets-gt-200-v-to-700-v.html
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
120+316.63 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE15CA 1.5KE100A.pdf
1.5KE15CA
Виробник: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 15V; 71A; bidirectional; DO201; 1.5kW; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 12.8V
Breakdown voltage: 15V
Max. forward impulse current: 71A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Kind of package: Ammo Pack
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STWA45N65M5 stwa45n65m5.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 22A; Idm: 140A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 210W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 82nC
Pulsed drain current: 140A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF33N60M2 en.DM00078147.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 45.5nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STTH60P03SW en.CD00045915.pdf
STTH60P03SW
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 300V; 60A; tube; Ifsm: 250A; TO247-3; 50ns
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 50ns
Leakage current: 0.1mA
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 60A
Max. off-state voltage: 300V
Max. forward impulse current: 250A
Max. load current: 80A
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Type of diode: rectifying
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+246.37 грн
10+156.92 грн
30+127.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TS4436ICT ts4436.pdf
TS4436ICT
Виробник: STMicroelectronics
Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 0.6V; ±1%; SC70; reel,tape; 30mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 0.6V
Tolerance: ±1%
Mounting: SMD
Case: SC70
Operating temperature: -40...85°C
Operating voltage: 1.7...10V
Kind of package: reel; tape
Maximum output current: 30mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TS4436AICT ts4436.pdf
TS4436AICT
Виробник: STMicroelectronics
Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 0.6V; ±0.5%; SC70; reel,tape; 30mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 0.6V
Tolerance: ±0.5%
Mounting: SMD
Case: SC70
Operating temperature: -40...85°C
Operating voltage: 1.7...10V
Kind of package: reel; tape
Maximum output current: 30mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LDL112PUR ldl112.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,adjustable; 0.8÷5V; 1.2A; DFN6
Manufacturer series: LDL112
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Voltage drop: 0.6V
Output voltage: 0.8...5V
Number of channels: 1
Output current: 1.2A
Input voltage: 1.6...5.5V
Tolerance: 2...3%
Kind of voltage regulator: adjustable; LDO; linear
Type of integrated circuit: voltage regulator
Case: DFN6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STUSB4710AQTR en.DM00383615.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: interface
Type of integrated circuit: interface
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+105.84 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
E-TEA3718DP tea3718.pdf
E-TEA3718DP
Виробник: STMicroelectronics
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; motor controller; PDIP14; -1.5÷1.5A; 10÷50VDC
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: motor controller
Case: PDIP14
Output current: -1.5...1.5A
Mounting: THT
Operating temperature: 0...70°C
Application: universal
Operating voltage: 10...50V DC
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+275.72 грн
10+222.16 грн
25+216.38 грн
50+205.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TEA3718SFP TEA3718.pdf
TEA3718SFP
Виробник: STMicroelectronics
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; stepper motor controller; SO20; 1.5A; Ch: 2; 10÷50V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: stepper motor controller
Case: SO20
Output current: 1.5A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Application: universal
Kind of package: tube
Supply voltage: 10...50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
E-TEA3718SFP E-TEA3718SFP.pdf
E-TEA3718SFP
Виробник: STMicroelectronics
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; stepper motor controller; SO20; 1.5A; Ch: 2; 10÷50V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: stepper motor controller
Case: SO20
Output current: 1.5A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Application: universal
Supply voltage: 10...50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD6NF10T4 STD6NF10T4.pdf
STD6NF10T4
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; 30W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 30W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TN3050H-12WY tn3050h-12wy.pdf
TN3050H-12WY
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 30A; 19A; Igt: 50mA; TO247; THT; tube
Mounting: THT
Case: TO247
Type of thyristor: thyristor
Kind of package: tube
Gate current: 50mA
Load current: 19A
Max. load current: 30A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Features of semiconductor devices: high temperature
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+334.42 грн
3+284.93 грн
10+235.38 грн
30+209.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC31H12CWY en.DM00702999.pdf
STPSC31H12CWY
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15Ax2; TO247; Ir: 600uA
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO247
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 2.25V
Max. forward impulse current: 105A
Kind of package: tube
Technology: SiC
Leakage current: 0.6mA
Max. load current: 38A
Application: automotive industry
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+965.01 грн
5+805.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGF15M65DF2 en.DM00237960.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 31W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 15A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB15M65DF2 en.DM00096991.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 136W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 15A
Power dissipation: 136W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 269 538 807 1076 1345 1614 1883 2152 2421 2674 2675 2676 2677 2678 2679 2680 2681 2682 2683 2684 2690 2698  [ Наступна Сторінка >> ]