Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > Всі товари виробника TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION (25553) > Сторінка 149 з 426
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
P6SMB160A M4G | Taiwan Semiconductor Corporation |
 Description: TVS DIODE 136VWM 219VC DO214AA |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
ESH1GM RSG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE STANDARD 400V 1A MICRO SMA Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Micro SMA Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 2-SMD, Flat Leads Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
ESH1GM RSG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE STANDARD 400V 1A MICRO SMA Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Micro SMA Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 2-SMD, Flat Leads Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 1726 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
.jpg "TSM60N380CP ROG") |
TSM60N380CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 11A TO252 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
TSM60N380CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 11A TO252 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
BZV55B4V3 L0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ZENER 4.3V 500MW MINI MELF |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
P4SMA22CA R3G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 18.8V 30.6V DO214AC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
P4SMA22CAHM2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 18.8V 30.6V DO214AC |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 7500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
RSFML RVG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 1KV 500MA SUB SMA |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
RSFML RVG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 1KV 500MA SUB SMA |
на замовлення 1521 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
S10KC R7G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 800V 10A DO214AB |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1700 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
S10KC R7G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 800V 10A DO214AB |
на замовлення 582 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
S10JCHR7G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 600V 10A DO214AB |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1700 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
S10JCHR7G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 600V 10A DO214AB |
на замовлення 130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
S10MC R7G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 1KV 10A DO214AB Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: DO-214AB (SMC) Current - Average Rectified (Io): 10A Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-214AB, SMC Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
S10MC R7G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 1KV 10A DO214AB Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: DO-214AB (SMC) Current - Average Rectified (Io): 10A Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-214AB, SMC Packaging: Cut Tape (CT) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
S10JC R7G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 600V 10A DO214AB |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1700 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
S10JC R7G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 600V 10A DO214AB |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
SA30CA A0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 30VWM 64.3VC DO204AC Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10.8A Applications: General Purpose Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Type: Zener Mounting Type: Through Hole Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial Packaging: Tape & Box (TB) Power Line Protection: No Power - Peak Pulse: 500W Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 64.3V Voltage - Breakdown (Min): 33.3V Bidirectional Channels: 1 Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
SA30CA B0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 30VWM 64.3VC DO204AC Power Line Protection: No Power - Peak Pulse: 500W Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 64.3V Voltage - Breakdown (Min): 33.3V Bidirectional Channels: 1 Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10.8A Applications: General Purpose Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Type: Zener Mounting Type: Through Hole Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
SA30CAHR0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 30VWM 64.3VC DO204AC |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
SA30CAHA0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 30VWM 64.3VC DO204AC Power Line Protection: No Power - Peak Pulse: 500W Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 64.3V Voltage - Breakdown (Min): 33.3V Bidirectional Channels: 1 Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10.8A Applications: Automotive Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Type: Zener Mounting Type: Through Hole Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial Packaging: Tape & Box (TB) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
SA30CAHB0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 30VWM 64.3VC DO204AC Power Line Protection: No Power - Peak Pulse: 500W Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 64.3V Voltage - Breakdown (Min): 33.3V Bidirectional Channels: 1 Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10.8A Applications: Automotive Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Type: Zener Mounting Type: Through Hole Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
BZW06-31B R0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 30.8VWM 64.3VC DO204AC |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
BZW06-31B A0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 30.8VWM 64.3VC DO204AC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
BZW06-31 B0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 30.8VWM 64.3VC DO204AC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
BZW06-31B B0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 30.8VWM 64.3VC DO204AC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
TSM6968SDCA RVG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 8TSSOP Supplier Device Package: 8-TSSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 1.04W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 150000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
TSM6968SDCA RVG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 8TSSOP Supplier Device Package: 8-TSSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 1.04W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 86 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
S3D V7G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB |
на замовлення 850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 850 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
S3D V7G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB |
на замовлення 1667 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
S3D V6G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
S3D R7G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1700 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
S3D R7G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
S3DHR7G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1700 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
S3DHM6G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
RS3D R7G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB Current - Average Rectified (Io): 3A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-214AB, SMC Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: DO-214AB (SMC) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
RS3D V6G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
RS3D V7G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: DO-214AB (SMC) Current - Average Rectified (Io): 3A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-214AB, SMC Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
HS3D V6G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
HS3D R7G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: DO-214AB (SMC) Current - Average Rectified (Io): 3A Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-214AB, SMC Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
P6SMB180CA R5G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 154VWM 246VC DO214AA |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
P4SMA8.2AHM2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 7.02V 12.1V DO214AC |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 7500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
SMF6.0A RVG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE, TVS, UNIDIRECTIONAL |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
SMF6.0A RVG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE, TVS, UNIDIRECTIONAL |
на замовлення 14850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
SMBJ12AHR5G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 12V 19.9V DO214AA |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
MMSZ5261B RHG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ZENER 47V 500MW SOD123F |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
RS1KLHR3G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE STD 800V 800MA SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 800mA Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
RS1KLHM2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GP 800V 800MA SUB SMA Current - Average Rectified (Io): 800mA Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-219AB Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Sub SMA |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
RS1KLHMHG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
RS1KLHMQG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
RS1KLHMTG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GP 800V 800MA SUB SMA Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-219AB Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Sub SMA Current - Average Rectified (Io): 800mA Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
RS1KLHRTG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GP 800V 800MA SUB SMA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Sub SMA Current - Average Rectified (Io): 800mA Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-219AB Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
RS1KL RFG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GP 800V 800MA SUB SMA Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-219AB Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Sub SMA Current - Average Rectified (Io): 800mA Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 500 ns |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
RS1KLHRFG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
RS1KLHRUG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GP 800V 800MA SUB SMA Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-219AB Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Sub SMA Current - Average Rectified (Io): 800mA Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
RS1KLHRVG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
SK315B R5G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 3A DO214AA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: DO-214AA (SMB) Current - Average Rectified (Io): 3A Technology: Schottky Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-214AA, SMB Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
SK315B R5G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 3A DO214AA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: DO-214AA (SMB) Current - Average Rectified (Io): 3A Technology: Schottky Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-214AA, SMB Packaging: Cut Tape (CT) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
S15MC V7G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 1KV 15A DO214AB |
на замовлення 26350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| P6SMB160A M4G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 136VWM 219VC DO214AA
Description: TVS DIODE 136VWM 219VC DO214AA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| ESH1GM RSG |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 400V 1A MICRO SMA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Micro SMA
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: DIODE STANDARD 400V 1A MICRO SMA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Micro SMA
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| ESH1GM RSG |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 400V 1A MICRO SMA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Micro SMA
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: DIODE STANDARD 400V 1A MICRO SMA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Micro SMA
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 27.90 грн |
| 17+ | 18.13 грн |
| 100+ | 12.23 грн |
| 500+ | 8.90 грн |
| 1000+ | 8.04 грн |
| TSM60N380CP ROG |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 11A TO252
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 11A TO252
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TSM60N380CP ROG |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 11A TO252
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 11A TO252
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BZV55B4V3 L0G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 4.3V 500MW MINI MELF
Description: DIODE ZENER 4.3V 500MW MINI MELF
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P4SMA22CA R3G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 18.8V 30.6V DO214AC
Description: TVS DIODE 18.8V 30.6V DO214AC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P4SMA22CAHM2G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 18.8V 30.6V DO214AC
Description: TVS DIODE 18.8V 30.6V DO214AC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| RSFML RVG |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 500MA SUB SMA
Description: DIODE GEN PURP 1KV 500MA SUB SMA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RSFML RVG |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 500MA SUB SMA
Description: DIODE GEN PURP 1KV 500MA SUB SMA
на замовлення 1521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| S10KC R7G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 10A DO214AB
Description: DIODE GEN PURP 800V 10A DO214AB
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1700 шт
В кошику
од. на суму грн.
| S10KC R7G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 10A DO214AB
Description: DIODE GEN PURP 800V 10A DO214AB
на замовлення 582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| S10JCHR7G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 10A DO214AB
Description: DIODE GEN PURP 600V 10A DO214AB
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1700 шт
В кошику
од. на суму грн.
| S10JCHR7G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 10A DO214AB
Description: DIODE GEN PURP 600V 10A DO214AB
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| S10MC R7G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 10A DO214AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: DIODE GEN PURP 1KV 10A DO214AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| S10MC R7G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 10A DO214AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: DIODE GEN PURP 1KV 10A DO214AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| S10JC R7G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 10A DO214AB
Description: DIODE GEN PURP 600V 10A DO214AB
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1700 шт
В кошику
од. на суму грн.
| S10JC R7G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 10A DO214AB
Description: DIODE GEN PURP 600V 10A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SA30CA A0G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 30VWM 64.3VC DO204AC
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10.8A
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Packaging: Tape & Box (TB)
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 500W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 64.3V
Voltage - Breakdown (Min): 33.3V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Description: TVS DIODE 30VWM 64.3VC DO204AC
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10.8A
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Packaging: Tape & Box (TB)
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 500W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 64.3V
Voltage - Breakdown (Min): 33.3V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SA30CA B0G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 30VWM 64.3VC DO204AC
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 500W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 64.3V
Voltage - Breakdown (Min): 33.3V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10.8A
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Packaging: Bulk
Description: TVS DIODE 30VWM 64.3VC DO204AC
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 500W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 64.3V
Voltage - Breakdown (Min): 33.3V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10.8A
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SA30CAHR0G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 30VWM 64.3VC DO204AC
Description: TVS DIODE 30VWM 64.3VC DO204AC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SA30CAHA0G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 30VWM 64.3VC DO204AC
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 500W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 64.3V
Voltage - Breakdown (Min): 33.3V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10.8A
Applications: Automotive
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Packaging: Tape & Box (TB)
Description: TVS DIODE 30VWM 64.3VC DO204AC
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 500W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 64.3V
Voltage - Breakdown (Min): 33.3V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10.8A
Applications: Automotive
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Packaging: Tape & Box (TB)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SA30CAHB0G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 30VWM 64.3VC DO204AC
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 500W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 64.3V
Voltage - Breakdown (Min): 33.3V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10.8A
Applications: Automotive
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Packaging: Bulk
Description: TVS DIODE 30VWM 64.3VC DO204AC
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 500W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 64.3V
Voltage - Breakdown (Min): 33.3V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10.8A
Applications: Automotive
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BZW06-31B R0G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 30.8VWM 64.3VC DO204AC
Description: TVS DIODE 30.8VWM 64.3VC DO204AC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BZW06-31B A0G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 30.8VWM 64.3VC DO204AC
Description: TVS DIODE 30.8VWM 64.3VC DO204AC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BZW06-31 B0G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 30.8VWM 64.3VC DO204AC
Description: TVS DIODE 30.8VWM 64.3VC DO204AC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BZW06-31B B0G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 30.8VWM 64.3VC DO204AC
Description: TVS DIODE 30.8VWM 64.3VC DO204AC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TSM6968SDCA RVG |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 8TSSOP
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.04W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 8TSSOP
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.04W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 150000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TSM6968SDCA RVG |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 8TSSOP
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.04W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 8TSSOP
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.04W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 72.84 грн |
| 10+ | 47.09 грн |
| S3D V7G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| S3D V7G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
на замовлення 1667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| S3D V6G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| S3D R7G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1700 шт
В кошику
од. на суму грн.
| S3D R7G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| S3DHR7G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1700 шт
В кошику
од. на суму грн.
| S3DHM6G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| RS3D R7G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RS3D V6G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| RS3D V7G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| HS3D V6G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| HS3D R7G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Current - Average Rectified (Io): 3A
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Current - Average Rectified (Io): 3A
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P6SMB180CA R5G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 154VWM 246VC DO214AA
Description: TVS DIODE 154VWM 246VC DO214AA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3400 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P4SMA8.2AHM2G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 7.02V 12.1V DO214AC
Description: TVS DIODE 7.02V 12.1V DO214AC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SMF6.0A RVG |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE, TVS, UNIDIRECTIONAL
Description: DIODE, TVS, UNIDIRECTIONAL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SMF6.0A RVG |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE, TVS, UNIDIRECTIONAL
Description: DIODE, TVS, UNIDIRECTIONAL
на замовлення 14850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SMBJ12AHR5G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 12V 19.9V DO214AA
Description: TVS DIODE 12V 19.9V DO214AA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3400 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MMSZ5261B RHG |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 47V 500MW SOD123F
Description: DIODE ZENER 47V 500MW SOD123F
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| RS1KLHR3G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STD 800V 800MA SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Description: DIODE STD 800V 800MA SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3600 шт
В кошику
од. на суму грн.
| RS1KLHM2G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GP 800V 800MA SUB SMA
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Description: DIODE GP 800V 800MA SUB SMA
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RS1KLHMHG |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA
Description: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RS1KLHMQG |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA
Description: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RS1KLHMTG |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GP 800V 800MA SUB SMA
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Description: DIODE GP 800V 800MA SUB SMA
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RS1KLHRTG |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GP 800V 800MA SUB SMA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: DIODE GP 800V 800MA SUB SMA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RS1KL RFG |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GP 800V 800MA SUB SMA
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Description: DIODE GP 800V 800MA SUB SMA
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RS1KLHRFG |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA
Description: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RS1KLHRUG |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GP 800V 800MA SUB SMA
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Description: DIODE GP 800V 800MA SUB SMA
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RS1KLHRVG |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA
Description: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SK315B R5G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 3A DO214AA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 3A DO214AA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SK315B R5G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 3A DO214AA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 3A DO214AA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| S15MC V7G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 15A DO214AB
Description: DIODE GEN PURP 1KV 15A DO214AB
на замовлення 26350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 850+ | 44.39 грн |
| 1700+ | 33.74 грн |
| 2550+ | 31.49 грн |
| 5950+ | 28.79 грн |