Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13432) > Сторінка 18 з 224
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
2SC4409(TE12L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
![]() |
2SC5171(Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
![]() |
2SC5439(F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 640mA, 3.2A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 1A, 5V Supplier Device Package: TO-220NIS Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V Power - Max: 2 W |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
![]() |
2SD1407A-Y(F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 12MHz Supplier Device Package: TO-220NIS Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 30 W |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
![]() |
2SD2406-Y(F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 30µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 8MHz Supplier Device Package: TO-220NIS Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 25 W |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
![]() |
2SK2266(TE24R,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220SM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
2SK2376(Q) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3, Short Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220FL Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
![]() |
2SK3301(TE16L1,NQ) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
2SK3309(Q) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3, Short Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220FL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
![]() |
2SK3309(TE24L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220SM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
CLH05(TE16L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
CLH07(TE16L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
CLS01(TE16L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
CLS02(TE16L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
CLS03(TE16L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
CMC02(TE12L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A MFLAT |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
CMF01(TE12L,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
CMF02(TE12L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
CMF03(TE12L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
CMG02(TE12L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
CMG03(TE12L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
CMH01(TE12L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
CMH02A(TE12L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
CMH02(TE12L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
CMH05(TE12L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
CMH07(TE12L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
![]() |
CMH08(TE12L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
CMS14(TE12L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
CMS15(TE12L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
CMS17(TE12L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
CMZ12(TE12L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
CMZ13(TE12L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
CMZ15(TE12L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
CMZ16(TE12L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
CMZ18(TE12L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
CMZ20(TE12L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
CMZ22(TE12L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
CMZ24(TE12L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
CMZ27(TE12L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
CMZ30(TE12L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
CMZ33(TE12L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
CMZ36(TE12L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
CMZ39(TE12L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
CMZ43(TE12L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
CMZ47(TE12L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
CMZ51(TE12L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
CMZ53(TE12L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
CMZB18(TE12L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
CMZB27(TE12L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
CMZB33(TE12L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
CMZB36(TE12L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
CMZB39(TE12L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
CMZB47(TE12L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
CMZB51(TE12L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
![]() |
CRF02(TE85L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
![]() |
CRF03(TE85L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
![]() |
CRG01(TE85L,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
![]() |
CRG02(TE85L,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
![]() |
CRG02(TE85R,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
![]() |
CRG03(TE85L,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
2SC4409(TE12L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 2A PW-MINI
Description: TRANS NPN 50V 2A PW-MINI
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
2SC5171(Q,M) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 180V 2A TO220NIS
Description: TRANS NPN 180V 2A TO220NIS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
2SC5439(F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 450V 8A TO220NIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 640mA, 3.2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 1A, 5V
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 2 W
Description: TRANS NPN 450V 8A TO220NIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 640mA, 3.2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 1A, 5V
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
2SD1407A-Y(F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 100V 5A TO220NIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 12MHz
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 30 W
Description: TRANS NPN 100V 5A TO220NIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 12MHz
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 30 W
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
2SD2406-Y(F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 80V 4A TO220NIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 30µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 8MHz
Supplier Device Package: TO-220NIS
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 25 W
Description: TRANS NPN 80V 4A TO220NIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 30µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 8MHz
Supplier Device Package: TO-220NIS
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 25 W
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
2SK2266(TE24R,Q) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 45A TO220SM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 60V 45A TO220SM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
2SK2376(Q) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 45A TO220FL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3, Short Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FL
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 60V 45A TO220FL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3, Short Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FL
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
2SK3301(TE16L1,NQ) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 900V 1A PW-MOLD
Description: MOSFET N-CH 900V 1A PW-MOLD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
2SK3309(Q) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 450V 10A TO220FL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3, Short Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 450V 10A TO220FL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3, Short Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
2SK3309(TE24L,Q) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 450V 10A TO220SM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 450V 10A TO220SM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CLH05(TE16L,Q) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE GEN PURP 200V 5A LFLAT
Description: DIODE GEN PURP 200V 5A LFLAT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CLH07(TE16L,Q) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE GEN PURP 400V 5A LFLAT
Description: DIODE GEN PURP 400V 5A LFLAT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CLS01(TE16L,Q) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 10A LFLAT
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 10A LFLAT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CLS02(TE16L,Q) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 10A LFLAT
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 10A LFLAT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CLS03(TE16L,Q) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 10A LFLAT
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 10A LFLAT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CMC02(TE12L,Q) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A MFLAT
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A MFLAT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CMF01(TE12L,Q,M) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE GEN PURP 600V 2A MFLAT
Description: DIODE GEN PURP 600V 2A MFLAT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CMF02(TE12L,Q) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A MFLAT
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A MFLAT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CMF03(TE12L,Q) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE GEN PURP 900V 500MA MFLAT
Description: DIODE GEN PURP 900V 500MA MFLAT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CMG02(TE12L,Q) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE GEN PURP 400V 2A MFLAT
Description: DIODE GEN PURP 400V 2A MFLAT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CMG03(TE12L,Q) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A MFLAT
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A MFLAT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CMH01(TE12L,Q) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A MFLAT
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A MFLAT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CMH02A(TE12L,Q) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE GEN PURP 400V 3A MFLAT
Description: DIODE GEN PURP 400V 3A MFLAT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CMH02(TE12L,Q) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE GEN PURP 400V 3A MFLAT
Description: DIODE GEN PURP 400V 3A MFLAT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CMH05(TE12L,Q) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A MFLAT
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A MFLAT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CMH07(TE12L,Q) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A MFLAT
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A MFLAT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CMH08(TE12L,Q) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE GEN PURP 400V 2A MFLAT
Description: DIODE GEN PURP 400V 2A MFLAT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CMS14(TE12L,Q) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 2A MFLAT
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 2A MFLAT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CMS15(TE12L,Q) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A MFLAT
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A MFLAT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CMS17(TE12L,Q) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A MFLAT
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A MFLAT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CMZ12(TE12L,Q) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 12V 2W MFLAT
Description: DIODE ZENER 12V 2W MFLAT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CMZ13(TE12L,Q) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 13V 2W MFLAT
Description: DIODE ZENER 13V 2W MFLAT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CMZ15(TE12L,Q) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 15V 2W MFLAT
Description: DIODE ZENER 15V 2W MFLAT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CMZ16(TE12L,Q) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 16V 2W MFLAT
Description: DIODE ZENER 16V 2W MFLAT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CMZ18(TE12L,Q) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 18V 2W MFLAT
Description: DIODE ZENER 18V 2W MFLAT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CMZ20(TE12L,Q) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 20V 2W MFLAT
Description: DIODE ZENER 20V 2W MFLAT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CMZ22(TE12L,Q) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 22V 2W MFLAT
Description: DIODE ZENER 22V 2W MFLAT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CMZ24(TE12L,Q) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 24V 2W MFLAT
Description: DIODE ZENER 24V 2W MFLAT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CMZ27(TE12L,Q) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 27V 2W MFLAT
Description: DIODE ZENER 27V 2W MFLAT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CMZ30(TE12L,Q) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 30V 2W MFLAT
Description: DIODE ZENER 30V 2W MFLAT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CMZ33(TE12L,Q) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 33V 2W MFLAT
Description: DIODE ZENER 33V 2W MFLAT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CMZ36(TE12L,Q) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 36V 2W MFLAT
Description: DIODE ZENER 36V 2W MFLAT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CMZ39(TE12L,Q) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 39V 2W MFLAT
Description: DIODE ZENER 39V 2W MFLAT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CMZ43(TE12L,Q) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 43V 2W MFLAT
Description: DIODE ZENER 43V 2W MFLAT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CMZ47(TE12L,Q) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 47V 2W MFLAT
Description: DIODE ZENER 47V 2W MFLAT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CMZ51(TE12L,Q) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 51V 2W MFLAT
Description: DIODE ZENER 51V 2W MFLAT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CMZ53(TE12L,Q) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 53V 2W MFLAT
Description: DIODE ZENER 53V 2W MFLAT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CMZB18(TE12L,Q) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 18V 1W MFLAT
Description: DIODE ZENER 18V 1W MFLAT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CMZB27(TE12L,Q) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 27V 1W MFLAT
Description: DIODE ZENER 27V 1W MFLAT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CMZB33(TE12L,Q) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 33V 1W MFLAT
Description: DIODE ZENER 33V 1W MFLAT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CMZB36(TE12L,Q) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 36V 1W MFLAT
Description: DIODE ZENER 36V 1W MFLAT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CMZB39(TE12L,Q) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 39V 1W MFLAT
Description: DIODE ZENER 39V 1W MFLAT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CMZB47(TE12L,Q) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 47V 1W MFLAT
Description: DIODE ZENER 47V 1W MFLAT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CMZB51(TE12L,Q) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 51V 1W MFLAT
Description: DIODE ZENER 51V 1W MFLAT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CRF02(TE85L,Q) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE GEN PURP 800V 500MA SFLAT
Description: DIODE GEN PURP 800V 500MA SFLAT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CRF03(TE85L,Q) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE GEN PURP 600V 700MA SFLAT
Description: DIODE GEN PURP 600V 700MA SFLAT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CRG01(TE85L,Q,M) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE GEN PURP 100V 700MA SFLAT
Description: DIODE GEN PURP 100V 700MA SFLAT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CRG02(TE85L,Q,M) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE GEN PURP 400V 700MA SFLAT
Description: DIODE GEN PURP 400V 700MA SFLAT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CRG02(TE85R,Q,M) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE GEN PURP 400V 700MA SFLAT
Description: DIODE GEN PURP 400V 700MA SFLAT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CRG03(TE85L,Q,M) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A SFLAT
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A SFLAT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.