Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13489) > Сторінка 220 з 225

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 215 216 217 218 219 220 221 222 223 224 225  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN1403,LF RN1403,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18787&prodName=RN1401 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1403,LF RN1403,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18787&prodName=RN1401 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 2692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.90 грн
37+8.69 грн
100+5.37 грн
500+3.68 грн
1000+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
CMZ36(TE12L,Q,M) CMZ36(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMZ12_to_CMZ51_5-15-15.pdf Description: PB-F ZENER DIODE M-FLAT MOQ=3000
Tolerance: ±10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Power - Max: 2 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 28.8 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.02 грн
6000+14.36 грн
9000+13.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CMZ36(TE12L,Q,M) CMZ36(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMZ12_to_CMZ51_5-15-15.pdf Description: PB-F ZENER DIODE M-FLAT MOQ=3000
Tolerance: ±10%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Power - Max: 2 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 28.8 V
на замовлення 9160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.73 грн
10+41.46 грн
100+26.99 грн
500+19.49 грн
1000+17.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CRS15(TE85L,Q,M) CRS15(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRS15_datasheet_en_20180709.pdf?did=22626&prodName=CRS15 Description: DIODE SCHOTTKY 30V 3A SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 90pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 520 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 30 V
на замовлення 5526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.06 грн
13+26.23 грн
100+18.75 грн
500+13.33 грн
1000+11.95 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
CRS15I30B(TE85L,QM CRS15I30B(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS15I30B_datasheet_en_20140219.pdf?did=14910&prodName=CRS15I30B Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1.5A SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 82pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 400 mV @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
на замовлення 5985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.92 грн
14+24.00 грн
100+17.09 грн
500+12.10 грн
1000+10.83 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
CRS14(TE85L,Q,M) CRS14(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRS14_datasheet_en_20181115.pdf?did=22737&prodName=CRS14 Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A S-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 90pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 30 V
на замовлення 3837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.86 грн
11+29.18 грн
100+18.66 грн
500+13.26 грн
1000+11.89 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EF12,LM(CT TCR2EF12,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF45_datasheet_en_20190620.pdf?did=13794&prodName=TCR2EF45 Description: IC REG LINEAR 1.2V 200MA SMV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.2V
Control Features: Enable
PSRR: 73dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.57V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
74LCX14FT 74LCX14FT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15394&prodName=74LCX14FT Description: IC INVERTER 6CH 1-INP 14TSSOP
Features: Schmitt Trigger
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.35V ~ 2.2V
Input Logic Level - Low: 0.3V ~ 0.6V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 6.5ns @ 3.3V, 50pF
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 10 µA
на замовлення 4743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.71 грн
12+26.71 грн
25+22.20 грн
100+16.04 грн
250+13.68 грн
500+12.22 грн
1000+10.83 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SSM5N16FU,LF SSM5N16FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19730&prodName=SSM5N16FU Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.1A USV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Supplier Device Package: USV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM5N16FU,LF SSM5N16FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19730&prodName=SSM5N16FU Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.1A USV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Supplier Device Package: USV
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.50 грн
21+15.71 грн
100+9.85 грн
500+6.87 грн
1000+6.10 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RN2302,LF RN2302,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18998&prodName=RN2302 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.90 грн
37+8.69 грн
100+5.37 грн
500+3.67 грн
1000+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
TC358746AXBG(EL) Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC MIPI CSI2 TO PARALLEL
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC358860XBG(GOH) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TC358860XBG(GOH)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 65-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C
Voltage - Supply: 1.04V ~ 1.16V, 1.1V ~ 1.25V, 1.71V ~ 1.89V
Applications: DisplayPort
Supplier Device Package: 65-TFBGA (5x5)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2911,LXHF(CT RN2911,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18911&prodName=RN2910 Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) PN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.86 грн
6000+5.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2911,LXHF(CT RN2911,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18911&prodName=RN2910 Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) PN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+27.33 грн
20+16.27 грн
100+10.20 грн
500+7.11 грн
1000+6.31 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RN1901FE,LXHF(CT RN1901FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1901FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19130&prodName=RN1901FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1901FE,LXHF(CT RN1901FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1901FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19130&prodName=RN1901FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+21.53 грн
24+13.79 грн
100+9.27 грн
500+6.70 грн
1000+6.03 грн
2000+5.46 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
RN4986FE,LXHF(CT RN4986FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4986FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19052&prodName=RN4986FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
RN4986FE,LXHF(CT RN4986FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4986FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19052&prodName=RN4986FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+21.53 грн
24+13.79 грн
100+9.27 грн
500+6.70 грн
1000+6.03 грн
2000+5.46 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
RN4902,LXHF(CT RN4902,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18950&prodName=RN4902 Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) PN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN4902,LXHF(CT RN4902,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18950&prodName=RN4902 Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) PN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+27.33 грн
20+16.27 грн
100+10.20 грн
500+7.11 грн
1000+6.31 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RN4990FE,LXHF(CT RN4990FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4990FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19061&prodName=RN4990FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.50 грн
8000+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
RN4990FE,LXHF(CT RN4990FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4990FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19061&prodName=RN4990FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+21.53 грн
24+13.79 грн
100+9.27 грн
500+6.70 грн
1000+6.03 грн
2000+5.46 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
RN4986,LXHF(CT RN4986,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4986_datasheet_en_20210824.pdf?did=18983&prodName=RN4986 Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4986,LXHF(CT RN4986,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4986_datasheet_en_20210824.pdf?did=18983&prodName=RN4986 Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+19.87 грн
26+12.60 грн
100+8.46 грн
500+6.10 грн
1000+5.49 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
RN4982,LXHF(CT RN4982,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20231027.pdf?did=18974 Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4982,LXHF(CT RN4982,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20231027.pdf?did=18974 Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+27.33 грн
20+16.27 грн
100+10.20 грн
500+7.11 грн
1000+6.31 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RN4987,LXHF(CT RN4987,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4987_datasheet_en_20210824.pdf?did=18985&prodName=RN4987 Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4987,LXHF(CT RN4987,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4987_datasheet_en_20210824.pdf?did=18985&prodName=RN4987 Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+27.33 грн
20+16.27 грн
100+10.20 грн
500+7.11 грн
1000+6.31 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RN4982FE,LXHF(CT RN4982FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4982FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19043&prodName=RN4982FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4982FE,LXHF(CT RN4982FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4982FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19043&prodName=RN4982FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+21.53 грн
24+13.79 грн
100+9.27 грн
500+6.70 грн
1000+6.03 грн
2000+5.46 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
RN2910FE,LXHF(CT RN2910FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2910FE-11FE.pdf Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.50 грн
8000+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2910FE,LXHF(CT RN2910FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2910FE-11FE.pdf Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.36 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
RN4909FE,LXHF(CT RN4909FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4909FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19033&prodName=RN4909FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.50 грн
8000+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
RN4909FE,LXHF(CT RN4909FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4909FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19033&prodName=RN4909FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.36 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
RN2909FE,LXHF(CT RN2909FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2909FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19094&prodName=RN2909FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.50 грн
8000+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2909FE,LXHF(CT RN2909FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2909FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19094&prodName=RN2909FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.36 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
RN1909FE,LXHF(CT RN1909FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1909FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19126&prodName=RN1909FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.50 грн
8000+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1909FE,LXHF(CT RN1909FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1909FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19126&prodName=RN1909FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.36 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
RN1910FE,LXHF(CT RN1910FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1910FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19070&prodName=RN1910FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.50 грн
8000+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1910FE,LXHF(CT RN1910FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1910FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19070&prodName=RN1910FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.36 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
TLP241A(D4,TP1,F TLP241A(D4,TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP241A_datasheet_en_20230525.pdf?did=14237&prodName=TLP241A Description: SSR RELAY SPST-NO 2A 0-40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 2 A
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 40 V
On-State Resistance (Max): 150 mOhms
на замовлення 12669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+154.02 грн
10+106.37 грн
100+81.37 грн
500+66.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RN2908,LXHF(CT RN2908,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18909&prodName=RN2909 Description: AUTO AEC-Q TR PNPX2 BRT, Q1BSR=2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2908,LXHF(CT RN2908,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18909&prodName=RN2909 Description: AUTO AEC-Q TR PNPX2 BRT, Q1BSR=2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 5996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+19.87 грн
25+13.00 грн
100+8.72 грн
500+6.29 грн
1000+5.66 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
TC74AC540FT(EL) TC74AC540FT(EL) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=3090&prodName=TC74AC540FT Description: IC BUFFER INVERT 5.5V 20TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 8
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Supplier Device Package: 20-TSSOP
на замовлення 3396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+36.43 грн
13+24.80 грн
25+22.17 грн
100+18.09 грн
250+16.79 грн
500+16.01 грн
1000+15.25 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TLP223J(F TLP223J(F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=139843&prodName=TLP223J Description: SSR RELAY SPST-NO 100MA 0-600V
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Through Hole
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Termination Style: PC Pin
Load Current: 90 mA
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 4-DIP
Voltage - Load: 0 V ~ 600 V
On-State Resistance (Max): 60 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CMS09(TE12L,Q,M) CMS09(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS09_datasheet_en_20131101.pdf?did=3144&prodName=CMS09 Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A M-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CMS09(TE12L,Q,M) CMS09(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS09_datasheet_en_20131101.pdf?did=3144&prodName=CMS09 Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A M-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
на замовлення 2946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.51 грн
11+30.14 грн
100+19.30 грн
500+13.72 грн
1000+12.31 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WH32FU,LJ(CT TC7WH32FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7WH32FU_datasheet_en_20200204.pdf?did=20121&prodName=TC7WH32FU Description: IC GATE OR 2CH 2-INP 8SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: OR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 8-SSOP
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.5ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 2
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.88 грн
6000+4.54 грн
9000+4.47 грн
15000+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WH32FU,LJ(CT TC7WH32FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7WH32FU_datasheet_en_20200204.pdf?did=20121&prodName=TC7WH32FU Description: IC GATE OR 2CH 2-INP 8SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: OR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 8-SSOP
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.5ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 2
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 15636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+13.25 грн
39+8.37 грн
44+7.37 грн
100+5.89 грн
250+5.39 грн
500+5.09 грн
1000+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
TB67S149AFTG,EL TB67S149AFTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S149AFTG_datasheet_en_20201215.pdf?did=70971&prodName=TB67S149AFTG Description: UNIPOLAR STEPPER MOTOR DRIVER, 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Interface: On/Off
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Applications: General Purpose
Technology: NMOS
Voltage - Load: 10V ~ 40V
Supplier Device Package: 48-WQFN (7x7)
Motor Type - Stepper: Unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB67S149AFTG,EL TB67S149AFTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S149AFTG_datasheet_en_20201215.pdf?did=70971&prodName=TB67S149AFTG Description: UNIPOLAR STEPPER MOTOR DRIVER, 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Interface: On/Off
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Applications: General Purpose
Technology: NMOS
Voltage - Load: 10V ~ 40V
Supplier Device Package: 48-WQFN (7x7)
Motor Type - Stepper: Unipolar
на замовлення 3898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+238.48 грн
10+172.08 грн
25+157.85 грн
100+133.41 грн
250+126.39 грн
500+122.16 грн
1000+116.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XPQR8308QB,LXHQ XPQR8308QB,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=152781&prodName=XPQR8308QB Description: 80V UMOS10 L-TOGL 0.83MOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.83mOhm @ 175A, 10V
Power Dissipation (Max): 750W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3.2mA
Supplier Device Package: L-TOGL™
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24700 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XPQR8308QB,LXHQ XPQR8308QB,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=152781&prodName=XPQR8308QB Description: 80V UMOS10 L-TOGL 0.83MOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.83mOhm @ 175A, 10V
Power Dissipation (Max): 750W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3.2mA
Supplier Device Package: L-TOGL™
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24700 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+470.33 грн
10+297.74 грн
25+257.36 грн
100+198.65 грн
250+177.61 грн
500+164.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLP171A(TP,F TLP171A(TP,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13862&prodName=TLP171A Description: SSR RELAY SPST-NO 400MA 0-60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SOP (0.173", 4.40mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 400 mA
Approval Agency: cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 4-SOP
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 2 Ohms
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+78.75 грн
5000+73.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TLP171A(TP,F TLP171A(TP,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13862&prodName=TLP171A Description: SSR RELAY SPST-NO 400MA 0-60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SOP (0.173", 4.40mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 400 mA
Approval Agency: cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 4-SOP
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 2 Ohms
на замовлення 6209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.76 грн
10+100.07 грн
25+95.62 грн
50+86.65 грн
100+83.68 грн
250+79.92 грн
500+75.91 грн
1000+73.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WH125FU,LJ(CT TC7WH125FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7WH125FU_datasheet_en_20200205.pdf?did=20134&prodName=TC7WH125FU Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V 8-SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: 8-SSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WH125FU,LJ(CT TC7WH125FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7WH125FU_datasheet_en_20200205.pdf?did=20134&prodName=TC7WH125FU Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V 8-SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: 8-SSOP
на замовлення 2161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+13.25 грн
39+8.37 грн
44+7.37 грн
100+5.89 грн
250+5.39 грн
500+5.09 грн
1000+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
TB9083FTG(EL) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=90360&prodName=TB9083FTG Description: AEC-Q100 3-PHASE BLDC GATE DRV 4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Function: Controller - Current Management
Interface: SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 3V ~ 5.5V, 4.5V ~ 28V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Supplier Device Package: 48-VQFN (7x7)
Motor Type - Stepper: Multiphase
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+324.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1403,LF docget.jsp?did=18787&prodName=RN1401
RN1403,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1403,LF docget.jsp?did=18787&prodName=RN1401
RN1403,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 2692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+14.90 грн
37+8.69 грн
100+5.37 грн
500+3.68 грн
1000+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
CMZ36(TE12L,Q,M) CMZ12_to_CMZ51_5-15-15.pdf
CMZ36(TE12L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F ZENER DIODE M-FLAT MOQ=3000
Tolerance: ±10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Power - Max: 2 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 28.8 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.02 грн
6000+14.36 грн
9000+13.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CMZ36(TE12L,Q,M) CMZ12_to_CMZ51_5-15-15.pdf
CMZ36(TE12L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F ZENER DIODE M-FLAT MOQ=3000
Tolerance: ±10%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Power - Max: 2 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 28.8 V
на замовлення 9160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.73 грн
10+41.46 грн
100+26.99 грн
500+19.49 грн
1000+17.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CRS15(TE85L,Q,M) CRS15_datasheet_en_20180709.pdf?did=22626&prodName=CRS15
CRS15(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 3A SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 90pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 520 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 30 V
на замовлення 5526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.06 грн
13+26.23 грн
100+18.75 грн
500+13.33 грн
1000+11.95 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
CRS15I30B(TE85L,QM CRS15I30B_datasheet_en_20140219.pdf?did=14910&prodName=CRS15I30B
CRS15I30B(TE85L,QM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1.5A SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 82pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 400 mV @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
на замовлення 5985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.92 грн
14+24.00 грн
100+17.09 грн
500+12.10 грн
1000+10.83 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
CRS14(TE85L,Q,M) CRS14_datasheet_en_20181115.pdf?did=22737&prodName=CRS14
CRS14(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A S-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 90pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 30 V
на замовлення 3837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.86 грн
11+29.18 грн
100+18.66 грн
500+13.26 грн
1000+11.89 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EF12,LM(CT TCR2EF45_datasheet_en_20190620.pdf?did=13794&prodName=TCR2EF45
TCR2EF12,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.2V 200MA SMV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.2V
Control Features: Enable
PSRR: 73dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.57V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
74LCX14FT docget.jsp?did=15394&prodName=74LCX14FT
74LCX14FT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER 6CH 1-INP 14TSSOP
Features: Schmitt Trigger
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.35V ~ 2.2V
Input Logic Level - Low: 0.3V ~ 0.6V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 6.5ns @ 3.3V, 50pF
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 10 µA
на замовлення 4743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.71 грн
12+26.71 грн
25+22.20 грн
100+16.04 грн
250+13.68 грн
500+12.22 грн
1000+10.83 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SSM5N16FU,LF docget.jsp?did=19730&prodName=SSM5N16FU
SSM5N16FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.1A USV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Supplier Device Package: USV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM5N16FU,LF docget.jsp?did=19730&prodName=SSM5N16FU
SSM5N16FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.1A USV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Supplier Device Package: USV
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.50 грн
21+15.71 грн
100+9.85 грн
500+6.87 грн
1000+6.10 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RN2302,LF docget.jsp?did=18998&prodName=RN2302
RN2302,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+14.90 грн
37+8.69 грн
100+5.37 грн
500+3.67 грн
1000+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
TC358746AXBG(EL)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MIPI CSI2 TO PARALLEL
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC358860XBG(GOH)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TC358860XBG(GOH)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 65-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C
Voltage - Supply: 1.04V ~ 1.16V, 1.1V ~ 1.25V, 1.71V ~ 1.89V
Applications: DisplayPort
Supplier Device Package: 65-TFBGA (5x5)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2911,LXHF(CT docget.jsp?did=18911&prodName=RN2910
RN2911,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) PN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.86 грн
6000+5.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2911,LXHF(CT docget.jsp?did=18911&prodName=RN2910
RN2911,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) PN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+27.33 грн
20+16.27 грн
100+10.20 грн
500+7.11 грн
1000+6.31 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RN1901FE,LXHF(CT RN1901FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19130&prodName=RN1901FE
RN1901FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1901FE,LXHF(CT RN1901FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19130&prodName=RN1901FE
RN1901FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+21.53 грн
24+13.79 грн
100+9.27 грн
500+6.70 грн
1000+6.03 грн
2000+5.46 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
RN4986FE,LXHF(CT RN4986FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19052&prodName=RN4986FE
RN4986FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
RN4986FE,LXHF(CT RN4986FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19052&prodName=RN4986FE
RN4986FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+21.53 грн
24+13.79 грн
100+9.27 грн
500+6.70 грн
1000+6.03 грн
2000+5.46 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
RN4902,LXHF(CT docget.jsp?did=18950&prodName=RN4902
RN4902,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) PN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN4902,LXHF(CT docget.jsp?did=18950&prodName=RN4902
RN4902,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) PN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+27.33 грн
20+16.27 грн
100+10.20 грн
500+7.11 грн
1000+6.31 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RN4990FE,LXHF(CT RN4990FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19061&prodName=RN4990FE
RN4990FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+5.50 грн
8000+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
RN4990FE,LXHF(CT RN4990FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19061&prodName=RN4990FE
RN4990FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+21.53 грн
24+13.79 грн
100+9.27 грн
500+6.70 грн
1000+6.03 грн
2000+5.46 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
RN4986,LXHF(CT RN4986_datasheet_en_20210824.pdf?did=18983&prodName=RN4986
RN4986,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4986,LXHF(CT RN4986_datasheet_en_20210824.pdf?did=18983&prodName=RN4986
RN4986,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+19.87 грн
26+12.60 грн
100+8.46 грн
500+6.10 грн
1000+5.49 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
RN4982,LXHF(CT datasheet_en_20231027.pdf?did=18974
RN4982,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4982,LXHF(CT datasheet_en_20231027.pdf?did=18974
RN4982,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+27.33 грн
20+16.27 грн
100+10.20 грн
500+7.11 грн
1000+6.31 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RN4987,LXHF(CT RN4987_datasheet_en_20210824.pdf?did=18985&prodName=RN4987
RN4987,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4987,LXHF(CT RN4987_datasheet_en_20210824.pdf?did=18985&prodName=RN4987
RN4987,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+27.33 грн
20+16.27 грн
100+10.20 грн
500+7.11 грн
1000+6.31 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RN4982FE,LXHF(CT RN4982FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19043&prodName=RN4982FE
RN4982FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4982FE,LXHF(CT RN4982FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19043&prodName=RN4982FE
RN4982FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+21.53 грн
24+13.79 грн
100+9.27 грн
500+6.70 грн
1000+6.03 грн
2000+5.46 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
RN2910FE,LXHF(CT RN2910FE-11FE.pdf
RN2910FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+5.50 грн
8000+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2910FE,LXHF(CT RN2910FE-11FE.pdf
RN2910FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.36 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
RN4909FE,LXHF(CT RN4909FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19033&prodName=RN4909FE
RN4909FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+5.50 грн
8000+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
RN4909FE,LXHF(CT RN4909FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19033&prodName=RN4909FE
RN4909FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.36 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
RN2909FE,LXHF(CT RN2909FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19094&prodName=RN2909FE
RN2909FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+5.50 грн
8000+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2909FE,LXHF(CT RN2909FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19094&prodName=RN2909FE
RN2909FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.36 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
RN1909FE,LXHF(CT RN1909FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19126&prodName=RN1909FE
RN1909FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+5.50 грн
8000+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1909FE,LXHF(CT RN1909FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19126&prodName=RN1909FE
RN1909FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.36 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
RN1910FE,LXHF(CT RN1910FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19070&prodName=RN1910FE
RN1910FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+5.50 грн
8000+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1910FE,LXHF(CT RN1910FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19070&prodName=RN1910FE
RN1910FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.36 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
TLP241A(D4,TP1,F TLP241A_datasheet_en_20230525.pdf?did=14237&prodName=TLP241A
TLP241A(D4,TP1,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 2A 0-40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 2 A
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 40 V
On-State Resistance (Max): 150 mOhms
на замовлення 12669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.02 грн
10+106.37 грн
100+81.37 грн
500+66.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RN2908,LXHF(CT docget.jsp?did=18909&prodName=RN2909
RN2908,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR PNPX2 BRT, Q1BSR=2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2908,LXHF(CT docget.jsp?did=18909&prodName=RN2909
RN2908,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR PNPX2 BRT, Q1BSR=2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 5996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+19.87 грн
25+13.00 грн
100+8.72 грн
500+6.29 грн
1000+5.66 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
TC74AC540FT(EL) docget.jsp?did=3090&prodName=TC74AC540FT
TC74AC540FT(EL)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER INVERT 5.5V 20TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 8
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Supplier Device Package: 20-TSSOP
на замовлення 3396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+36.43 грн
13+24.80 грн
25+22.17 грн
100+18.09 грн
250+16.79 грн
500+16.01 грн
1000+15.25 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TLP223J(F docget.jsp?did=139843&prodName=TLP223J
TLP223J(F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 100MA 0-600V
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Through Hole
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Termination Style: PC Pin
Load Current: 90 mA
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 4-DIP
Voltage - Load: 0 V ~ 600 V
On-State Resistance (Max): 60 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CMS09(TE12L,Q,M) CMS09_datasheet_en_20131101.pdf?did=3144&prodName=CMS09
CMS09(TE12L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A M-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CMS09(TE12L,Q,M) CMS09_datasheet_en_20131101.pdf?did=3144&prodName=CMS09
CMS09(TE12L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A M-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
на замовлення 2946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.51 грн
11+30.14 грн
100+19.30 грн
500+13.72 грн
1000+12.31 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WH32FU,LJ(CT TC7WH32FU_datasheet_en_20200204.pdf?did=20121&prodName=TC7WH32FU
TC7WH32FU,LJ(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE OR 2CH 2-INP 8SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: OR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 8-SSOP
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.5ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 2
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.88 грн
6000+4.54 грн
9000+4.47 грн
15000+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WH32FU,LJ(CT TC7WH32FU_datasheet_en_20200204.pdf?did=20121&prodName=TC7WH32FU
TC7WH32FU,LJ(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE OR 2CH 2-INP 8SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: OR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 8-SSOP
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.5ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 2
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 15636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+13.25 грн
39+8.37 грн
44+7.37 грн
100+5.89 грн
250+5.39 грн
500+5.09 грн
1000+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
TB67S149AFTG,EL TB67S149AFTG_datasheet_en_20201215.pdf?did=70971&prodName=TB67S149AFTG
TB67S149AFTG,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: UNIPOLAR STEPPER MOTOR DRIVER, 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Interface: On/Off
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Applications: General Purpose
Technology: NMOS
Voltage - Load: 10V ~ 40V
Supplier Device Package: 48-WQFN (7x7)
Motor Type - Stepper: Unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB67S149AFTG,EL TB67S149AFTG_datasheet_en_20201215.pdf?did=70971&prodName=TB67S149AFTG
TB67S149AFTG,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: UNIPOLAR STEPPER MOTOR DRIVER, 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Interface: On/Off
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Applications: General Purpose
Technology: NMOS
Voltage - Load: 10V ~ 40V
Supplier Device Package: 48-WQFN (7x7)
Motor Type - Stepper: Unipolar
на замовлення 3898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+238.48 грн
10+172.08 грн
25+157.85 грн
100+133.41 грн
250+126.39 грн
500+122.16 грн
1000+116.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XPQR8308QB,LXHQ docget.jsp?did=152781&prodName=XPQR8308QB
XPQR8308QB,LXHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 80V UMOS10 L-TOGL 0.83MOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.83mOhm @ 175A, 10V
Power Dissipation (Max): 750W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3.2mA
Supplier Device Package: L-TOGL™
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24700 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XPQR8308QB,LXHQ docget.jsp?did=152781&prodName=XPQR8308QB
XPQR8308QB,LXHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 80V UMOS10 L-TOGL 0.83MOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.83mOhm @ 175A, 10V
Power Dissipation (Max): 750W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3.2mA
Supplier Device Package: L-TOGL™
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24700 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+470.33 грн
10+297.74 грн
25+257.36 грн
100+198.65 грн
250+177.61 грн
500+164.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLP171A(TP,F docget.jsp?did=13862&prodName=TLP171A
TLP171A(TP,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 400MA 0-60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SOP (0.173", 4.40mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 400 mA
Approval Agency: cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 4-SOP
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 2 Ohms
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+78.75 грн
5000+73.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TLP171A(TP,F docget.jsp?did=13862&prodName=TLP171A
TLP171A(TP,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 400MA 0-60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SOP (0.173", 4.40mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 400 mA
Approval Agency: cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 4-SOP
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 2 Ohms
на замовлення 6209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.76 грн
10+100.07 грн
25+95.62 грн
50+86.65 грн
100+83.68 грн
250+79.92 грн
500+75.91 грн
1000+73.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WH125FU,LJ(CT TC7WH125FU_datasheet_en_20200205.pdf?did=20134&prodName=TC7WH125FU
TC7WH125FU,LJ(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V 8-SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: 8-SSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WH125FU,LJ(CT TC7WH125FU_datasheet_en_20200205.pdf?did=20134&prodName=TC7WH125FU
TC7WH125FU,LJ(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V 8-SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: 8-SSOP
на замовлення 2161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+13.25 грн
39+8.37 грн
44+7.37 грн
100+5.89 грн
250+5.39 грн
500+5.09 грн
1000+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
TB9083FTG(EL) docget.jsp?did=90360&prodName=TB9083FTG
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AEC-Q100 3-PHASE BLDC GATE DRV 4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Function: Controller - Current Management
Interface: SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 3V ~ 5.5V, 4.5V ~ 28V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Supplier Device Package: 48-VQFN (7x7)
Motor Type - Stepper: Multiphase
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+324.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 215 216 217 218 219 220 221 222 223 224 225  [ Наступна Сторінка >> ]