Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13580) > Сторінка 220 з 227

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 215 216 217 218 219 220 221 222 223 224 225 227  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TLP620M(GB-TP5,E TLP620M(GB-TP5,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP620M_datasheet_en_20250708.pdf?did=68743&prodName=TLP620M Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 4-SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: AC, DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP620M(D4Y-T5,E TLP620M(D4Y-T5,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP620M_datasheet_en_20250708.pdf?did=68743&prodName=TLP620M Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 4-DIP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: AC, DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-DIP
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1410,LF RN1410,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18792&prodName=RN1410 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.38 грн
6000+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1410,LF RN1410,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18792&prodName=RN1410 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.76 грн
43+7.09 грн
100+4.38 грн
500+2.98 грн
1000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2370(E TLP2370(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2370_datasheet_en_20170609.pdf?did=30500&prodName=TLP2370 Description: HIGH SPEED PHOTOCOUPLER; 5PIN SO
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.5V
Data Rate: 20Mbps
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 8mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO, 5 Lead
Rise / Fall Time (Typ): 3ns, 2ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 60ns, 60ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 10 mA
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.82 грн
10+83.18 грн
125+57.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1417,LF RN1417,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18796&prodName=RN1415 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1417,LF RN1417,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18796&prodName=RN1415 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.97 грн
45+6.72 грн
100+4.13 грн
500+2.81 грн
1000+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1414,LF RN1414,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18796&prodName=RN1415 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.38 грн
6000+2.04 грн
9000+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1414,LF RN1414,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18796&prodName=RN1415 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.76 грн
43+7.09 грн
100+4.38 грн
500+2.98 грн
1000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1404,LF RN1404,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18787&prodName=RN1401 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1404,LF RN1404,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18787&prodName=RN1401 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.11 грн
37+8.23 грн
100+5.09 грн
500+3.48 грн
1000+3.06 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1415,LF RN1415,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1415,LF RN1415,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.76 грн
44+6.87 грн
100+4.26 грн
500+2.90 грн
1000+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3555A(LF1,F TLP3555A(LF1,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=61844&prodName=TLP3555A Description: SSR RELAY SPST-NO 2.5A 0-40V
On-State Resistance (Max): 100 mOhms
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
Supplier Device Package: 4-SMD
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
Load Current: 3 A
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Voltage - Input: 1.64VDC
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: AC, DC
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TTB1020B,S4X(S Toshiba Semiconductor and Storage TTB1020B_datasheet_en_20200129.pdf?did=13851&prodName=TTB1020B Description: TRANSISTOR PNP TO220
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB62218AFTG,C8,EL TB62218AFTG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62218AFTG_datasheet_en_20120312.pdf?did=13039&prodName=TB62218AFTG Description: IC MTRDRV BIPLR 4.75-5.25V 48QFN
Step Resolution: 1, 1/2, 1/4
Motor Type - Stepper: Bipolar
Supplier Device Package: 48-QFN (7x7)
Voltage - Load: 10V ~ 38V
Technology: DMOS
Applications: General Purpose
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Output Configuration: Half Bridge (4)
Operating Temperature: -20°C ~ 150°C (TJ)
Interface: Parallel
Current - Output: 2A
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+286.88 грн
10+177.37 грн
25+151.56 грн
100+114.85 грн
250+101.41 грн
500+93.14 грн
1000+84.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3LM18A,RF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=151501&prodName=TCR3LM33A Description: LDO IOUT: 300MA PD: 420MW VIN: 6
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Voltage Dropout (Max): 0.445V @ 200mA
Control Features: Current Limit, Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.8V
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 2.2 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Output: 300mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+6.55 грн
10000+5.79 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3LM18A,RF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=151501&prodName=TCR3LM33A Description: LDO IOUT: 300MA PD: 420MW VIN: 6
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Voltage Dropout (Max): 0.445V @ 200mA
Control Features: Current Limit, Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.8V
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 2.2 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Output: 300mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.89 грн
13+24.83 грн
25+20.38 грн
100+14.42 грн
250+12.10 грн
500+10.67 грн
1000+9.32 грн
2500+8.05 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3LM33A,RF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=151501&prodName=TCR3LM33A Description: LDO IOUT: 300MA PD: 420MW VIN: 6
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Voltage Dropout (Max): 0.251V @ 200mA
Control Features: Current Limit, Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 2.2 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Output: 300mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+8.18 грн
10000+7.17 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3LM33A,RF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=151501&prodName=TCR3LM33A Description: LDO IOUT: 300MA PD: 420MW VIN: 6
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Voltage Dropout (Max): 0.251V @ 200mA
Control Features: Current Limit, Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 2.2 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Output: 300mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.89 грн
13+24.83 грн
25+20.38 грн
100+14.42 грн
250+12.10 грн
500+10.67 грн
1000+9.32 грн
2500+8.05 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC74HC4049AF(EL,F) TC74HC4049AF(EL,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=70208&prodName=TC74HC4049AF Description: IC BUFFER INVERTING 6V 16-SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 6
Logic Type: Buffer, Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 7.8mA, 7.8mA
Supplier Device Package: 16-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN4A06J(TE85L,F) HN4A06J(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN4A06J.pdf Description: TRANS 2PNP 120V 100MA SMV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SMV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN4C06J-BL(TE85L,F HN4C06J-BL(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS 2NPN 120V 100MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual) Common Emitter
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SMV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP241BP(D4TP5,E TLP241BP(D4TP5,E Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTORELAY, OVP, OTP, ROHS; VDE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: DC
Mounting Type: Through Hole
Voltage - Input: 1.65VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Termination Style: PC Pin
Load Current: 1.4 A
Approval Agency: cUR, UR, VDE
Supplier Device Package: 4-DIP
Voltage - Load: 0 V ~ 80 V
On-State Resistance (Max): 280 mOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP241BP(TP1,E TLP241BP(TP1,E Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTORELAY, OVP, OTP, ROHS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: DC
Mounting Type: Through Hole
Voltage - Input: 1.65VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Termination Style: PC Pin
Load Current: 1.4 A
Approval Agency: cUR, UR, VDE
Supplier Device Package: 4-DIP
Voltage - Load: 0 V ~ 80 V
On-State Resistance (Max): 280 mOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP241BP(TP5,E TLP241BP(TP5,E Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTORELAY, OVP, OTP, ROHS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: DC
Mounting Type: Through Hole
Voltage - Input: 1.65VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Termination Style: PC Pin
Load Current: 1.4 A
Approval Agency: cUR, UR, VDE
Supplier Device Package: 4-DIP
Voltage - Load: 0 V ~ 80 V
On-State Resistance (Max): 280 mOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP241BPF(TP4,E TLP241BPF(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP241BP_datasheet_en_20231012.pdf?did=154225&prodName=TLP241BP Description: PHOTORELAY, OVP, OTP, ROHS; WIDE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.65VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Termination Style: PC Pin
Load Current: 1.4 A
Approval Agency: cUR, UR, VDE
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 80 V
On-State Resistance (Max): 280 mOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP241BPF(D4TP4E TLP241BPF(D4TP4E Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTORELAY, OVP, OTP, ROHS; VDE;
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.65VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Termination Style: PC Pin
Load Current: 1.4 A
Approval Agency: cUR, UR, VDE
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 80 V
On-State Resistance (Max): 280 mOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP241BP(LF1,E TLP241BP(LF1,E Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTORELAY, OVP, OTP, ROHS
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.65VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Load Current: 1.4 A
Approval Agency: cUR, UR, VDE
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 80 V
On-State Resistance (Max): 280 mOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP241BP(LF5,E TLP241BP(LF5,E Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTORELAY, OVP, OTP, ROHS
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.65VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Load Current: 1.4 A
Approval Agency: cUR, UR, VDE
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 80 V
On-State Resistance (Max): 280 mOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP241BP(D4LF5,E TLP241BP(D4LF5,E Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTORELAY, OVP, OTP, ROHS; VDE
On-State Resistance (Max): 280 mOhms
Voltage - Load: 0 V ~ 80 V
Supplier Device Package: 4-SMD
Approval Agency: cUR, UR, VDE
Load Current: 1.4 A
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Voltage - Input: 1.65VDC
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: DC
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP241BPF(D4LF4E TLP241BPF(D4LF4E Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTORELAY, OVP, OTP, ROHS; VDE;
On-State Resistance (Max): 280 mOhms
Voltage - Load: 0 V ~ 80 V
Supplier Device Package: 4-SMD
Approval Agency: cUR, UR, VDE
Load Current: 1.4 A
Termination Style: Gull Wing
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Voltage - Input: 1.65VDC
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: DC
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP241BP(D4LF1,E TLP241BP(D4LF1,E Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTORELAY, OVP, OTP, ROHS; VDE
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
On-State Resistance (Max): 280 mOhms
Voltage - Load: 0 V ~ 80 V
Supplier Device Package: 4-SMD
Approval Agency: cUR, UR, VDE
Load Current: 1.4 A
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Voltage - Input: 1.65VDC
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: DC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP241BPF(D4,E TLP241BPF(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTORELAY, OVP, OTP, ROHS; VDE;
On-State Resistance (Max): 280 mOhms
Voltage - Load: 0 V ~ 80 V
Supplier Device Package: 4-DIP
Approval Agency: cUR, UR, VDE
Load Current: 1.4 A
Termination Style: PC Pin
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Voltage - Input: 1.65VDC
Mounting Type: Through Hole
Output Type: DC
Package / Case: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP241BP(E TLP241BP(E Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTORELAY, OVP, OTP, ROHS
On-State Resistance (Max): 280 mOhms
Voltage - Load: 0 V ~ 80 V
Supplier Device Package: 4-DIP
Approval Agency: cUR, UR, VDE
Load Current: 1.4 A
Termination Style: PC Pin
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Voltage - Input: 1.65VDC
Mounting Type: Through Hole
Output Type: DC
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP241BPF(E TLP241BPF(E Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTORELAY, OVP, OTP, ROHS; WIDE
On-State Resistance (Max): 280 mOhms
Voltage - Load: 0 V ~ 80 V
Supplier Device Package: 4-DIP
Approval Agency: cUR, UR, VDE
Load Current: 1.4 A
Termination Style: PC Pin
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Voltage - Input: 1.65VDC
Mounting Type: Through Hole
Output Type: DC
Package / Case: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP241BPF(LF4,E TLP241BPF(LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTORELAY, OVP, OTP, ROHS; WIDE
On-State Resistance (Max): 280 mOhms
Voltage - Load: 0 V ~ 80 V
Supplier Device Package: 4-SMD
Approval Agency: cUR, UR, VDE
Load Current: 1.4 A
Termination Style: Gull Wing
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Voltage - Input: 1.65VDC
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: DC
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP785(D4-GRH,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785_datasheet_en_20190311.pdf?did=10569&prodName=TLP785 Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 4-DIP
Packaging: Tube
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
Number of Channels: 1
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Voltage - Output (Max): 80V
Supplier Device Package: 4-DIP
Current Transfer Ratio (Max): 300% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Min): 150% @ 5mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output / Channel: 50mA
Input Type: DC
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Mounting Type: Through Hole
Output Type: Transistor
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC78H620FNG TC78H620FNG Toshiba Semiconductor and Storage TC78H620FNG_datasheet_en_20161125.pdf?did=35802&prodName=TC78H620FNG Description: IC MTRDRV UNIPLR 2.7-5.5V 16SSOP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-LSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Step Resolution: 1, 1/2
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Motor Type - Stepper: Unipolar
Supplier Device Package: 16-SSOP
Voltage - Load: 2.5V ~ 15V
Technology: DMOS
Applications: General Purpose
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Output Configuration: Half Bridge (4)
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Interface: Parallel
Current - Output: 1A
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2409,LF RN2409,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2407-9.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2409,LF RN2409,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2407-9.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.76 грн
43+7.17 грн
100+4.40 грн
500+3.00 грн
1000+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TMPM369FDFG TMPM369FDFG Toshiba Semiconductor and Storage TMPM369FDFG_datasheet_en_20230721.pdf?did=13802&prodName=TMPM369FDFG Description: IC MCU 32BIT 512KB FLASH 144LQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 144-FQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 80MHz
Program Memory Size: 512KB (512K x 8)
RAM Size: 128K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 16x12b; D/A 2x10b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 3.6V
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, Ethernet, I2C, Microwire, SIO, SPI, SSP, UART/USART, USB
Peripherals: DMA, POR, WDT
Supplier Device Package: 144-LQFP (20x20)
Number of I/O: 102
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+674.86 грн
10+538.31 грн
25+501.63 грн
200+411.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P56FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.8A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R408QM,LQ TPH2R408QM,LQ Toshiba Semiconductor and Storage Description: 80V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 2.4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.43mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R008QM,LQ TPH3R008QM,LQ Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20221125.pdf?did=143627 Description: 80V UMOS9-H SOP-ADVANCE(N) 3MOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 900µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 40 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+38.66 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R008QM,LQ TPH3R008QM,LQ Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20221125.pdf?did=143627 Description: 80V UMOS9-H SOP-ADVANCE(N) 3MOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 900µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 40 V
на замовлення 14688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.22 грн
10+88.54 грн
100+59.98 грн
500+44.83 грн
1000+42.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008NH1,LQ TPH4R008NH1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage Description: 80V U-MOS VIII-H SOP-ADVANCE(N)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 146A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104MFV,L3F(CT RN1104MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1104MFV_datasheet_en_20210818.pdf?did=5879&prodName=RN1104MFV Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Power - Max: 150 mW
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104MFV,L3F(CT RN1104MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1104MFV_datasheet_en_20210818.pdf?did=5879&prodName=RN1104MFV Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 15700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.54 грн
43+7.09 грн
100+4.39 грн
500+2.99 грн
1000+2.63 грн
2000+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104MFV,L3XHF(CT RN1104MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1104MFV_datasheet_en_20210818.pdf?did=5879&prodName=RN1104MFV Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104MFV,L3XHF(CT RN1104MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1104MFV_datasheet_en_20210818.pdf?did=5879&prodName=RN1104MFV Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.81 грн
27+11.32 грн
100+7.07 грн
500+4.88 грн
1000+4.31 грн
2000+3.83 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2104MFV,L3XHF(CT RN2104MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5883&prodName=RN2101MFV&returnFlg=false Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2104MFV,L3XHF(CT RN2104MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5883&prodName=RN2101MFV&returnFlg=false Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.60 грн
27+11.40 грн
100+7.09 грн
500+4.89 грн
1000+4.32 грн
2000+3.84 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3640A(TPL,E TLP3640A(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP3640A_datasheet_en_20240926.pdf?did=159803&prodName=TLP3640A Description: PHOTORELAY 60V 1A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.65VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Load Current: 1 A
Approval Agency: cUR, UR, VDE
Supplier Device Package: 4-SO
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 140 mOhms
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+96.04 грн
5000+89.24 грн
7500+87.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3640A(TPL,E TLP3640A(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP3640A_datasheet_en_20240926.pdf?did=159803&prodName=TLP3640A Description: PHOTORELAY 60V 1A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.65VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Load Current: 1 A
Approval Agency: cUR, UR, VDE
Supplier Device Package: 4-SO
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 140 mOhms
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
на замовлення 8469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.20 грн
10+132.84 грн
25+126.86 грн
50+114.99 грн
100+111.06 грн
250+106.05 грн
500+100.74 грн
1000+97.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3640A(V4TPL,E TLP3640A(V4TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP3640A_datasheet_en_20240926.pdf?did=159803&prodName=TLP3640A Description: PHOTORELAY 60V 1A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.65VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Load Current: 1 A
Approval Agency: cUR, UR, VDE
Supplier Device Package: 4-SO
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 140 mOhms
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+104.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3640A(V4TPL,E TLP3640A(V4TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP3640A_datasheet_en_20240926.pdf?did=159803&prodName=TLP3640A Description: PHOTORELAY 60V 1A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.65VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Load Current: 1 A
Approval Agency: cUR, UR, VDE
Supplier Device Package: 4-SO
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 140 mOhms
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
на замовлення 4149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.20 грн
10+132.84 грн
25+126.86 грн
50+114.99 грн
100+111.06 грн
250+106.05 грн
500+100.74 грн
1000+97.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1111,LXHF(CT RN1111,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18754&prodName=RN1111 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Resistors Included: R1 Only
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1111,LXHF(CT RN1111,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18754&prodName=RN1111 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistors Included: R1 Only
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
на замовлення 5470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.16 грн
25+12.53 грн
100+7.81 грн
500+5.41 грн
1000+4.79 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC74HC00AFELF TC74HC00AFELF Toshiba Semiconductor and Storage TC74HC00AF_datasheet_en_20140301.pdf?did=6954&prodName=TC74HC00AF Description: IC NAND 4-CIR 2-IN 14-SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NAND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-SOP
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 13ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 1818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.22 грн
17+18.79 грн
25+16.73 грн
100+13.59 грн
250+12.58 грн
500+11.98 грн
1000+11.28 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP620M(GB-TP5,E TLP620M_datasheet_en_20250708.pdf?did=68743&prodName=TLP620M
TLP620M(GB-TP5,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 4-SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: AC, DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP620M(D4Y-T5,E TLP620M_datasheet_en_20250708.pdf?did=68743&prodName=TLP620M
TLP620M(D4Y-T5,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 4-DIP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: AC, DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-DIP
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1410,LF docget.jsp?did=18792&prodName=RN1410
RN1410,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.38 грн
6000+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1410,LF docget.jsp?did=18792&prodName=RN1410
RN1410,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+11.76 грн
43+7.09 грн
100+4.38 грн
500+2.98 грн
1000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2370(E TLP2370_datasheet_en_20170609.pdf?did=30500&prodName=TLP2370
TLP2370(E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: HIGH SPEED PHOTOCOUPLER; 5PIN SO
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.5V
Data Rate: 20Mbps
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 8mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO, 5 Lead
Rise / Fall Time (Typ): 3ns, 2ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 60ns, 60ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 10 mA
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+134.82 грн
10+83.18 грн
125+57.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1417,LF docget.jsp?did=18796&prodName=RN1415
RN1417,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1417,LF docget.jsp?did=18796&prodName=RN1415
RN1417,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
29+10.97 грн
45+6.72 грн
100+4.13 грн
500+2.81 грн
1000+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1414,LF docget.jsp?did=18796&prodName=RN1415
RN1414,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.38 грн
6000+2.04 грн
9000+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1414,LF docget.jsp?did=18796&prodName=RN1415
RN1414,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+11.76 грн
43+7.09 грн
100+4.38 грн
500+2.98 грн
1000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1404,LF docget.jsp?did=18787&prodName=RN1401
RN1404,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1404,LF docget.jsp?did=18787&prodName=RN1401
RN1404,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+14.11 грн
37+8.23 грн
100+5.09 грн
500+3.48 грн
1000+3.06 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1415,LF
RN1415,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1415,LF
RN1415,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+11.76 грн
44+6.87 грн
100+4.26 грн
500+2.90 грн
1000+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3555A(LF1,F docget.jsp?did=61844&prodName=TLP3555A
TLP3555A(LF1,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 2.5A 0-40V
On-State Resistance (Max): 100 mOhms
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
Supplier Device Package: 4-SMD
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
Load Current: 3 A
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Voltage - Input: 1.64VDC
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: AC, DC
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TTB1020B,S4X(S TTB1020B_datasheet_en_20200129.pdf?did=13851&prodName=TTB1020B
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANSISTOR PNP TO220
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB62218AFTG,C8,EL TB62218AFTG_datasheet_en_20120312.pdf?did=13039&prodName=TB62218AFTG
TB62218AFTG,C8,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MTRDRV BIPLR 4.75-5.25V 48QFN
Step Resolution: 1, 1/2, 1/4
Motor Type - Stepper: Bipolar
Supplier Device Package: 48-QFN (7x7)
Voltage - Load: 10V ~ 38V
Technology: DMOS
Applications: General Purpose
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Output Configuration: Half Bridge (4)
Operating Temperature: -20°C ~ 150°C (TJ)
Interface: Parallel
Current - Output: 2A
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+286.88 грн
10+177.37 грн
25+151.56 грн
100+114.85 грн
250+101.41 грн
500+93.14 грн
1000+84.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3LM18A,RF docget.jsp?did=151501&prodName=TCR3LM33A
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO IOUT: 300MA PD: 420MW VIN: 6
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Voltage Dropout (Max): 0.445V @ 200mA
Control Features: Current Limit, Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.8V
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 2.2 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Output: 300mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+6.55 грн
10000+5.79 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3LM18A,RF docget.jsp?did=151501&prodName=TCR3LM33A
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO IOUT: 300MA PD: 420MW VIN: 6
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Voltage Dropout (Max): 0.445V @ 200mA
Control Features: Current Limit, Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.8V
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 2.2 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Output: 300mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+43.89 грн
13+24.83 грн
25+20.38 грн
100+14.42 грн
250+12.10 грн
500+10.67 грн
1000+9.32 грн
2500+8.05 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3LM33A,RF docget.jsp?did=151501&prodName=TCR3LM33A
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO IOUT: 300MA PD: 420MW VIN: 6
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Voltage Dropout (Max): 0.251V @ 200mA
Control Features: Current Limit, Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 2.2 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Output: 300mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+8.18 грн
10000+7.17 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3LM33A,RF docget.jsp?did=151501&prodName=TCR3LM33A
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO IOUT: 300MA PD: 420MW VIN: 6
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Voltage Dropout (Max): 0.251V @ 200mA
Control Features: Current Limit, Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 2.2 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Output: 300mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+43.89 грн
13+24.83 грн
25+20.38 грн
100+14.42 грн
250+12.10 грн
500+10.67 грн
1000+9.32 грн
2500+8.05 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC74HC4049AF(EL,F) docget.jsp?did=70208&prodName=TC74HC4049AF
TC74HC4049AF(EL,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER INVERTING 6V 16-SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 6
Logic Type: Buffer, Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 7.8mA, 7.8mA
Supplier Device Package: 16-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN4A06J(TE85L,F) HN4A06J.pdf
HN4A06J(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP 120V 100MA SMV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SMV
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN4C06J-BL(TE85L,F
HN4C06J-BL(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN 120V 100MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual) Common Emitter
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SMV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP241BP(D4TP5,E
TLP241BP(D4TP5,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTORELAY, OVP, OTP, ROHS; VDE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: DC
Mounting Type: Through Hole
Voltage - Input: 1.65VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Termination Style: PC Pin
Load Current: 1.4 A
Approval Agency: cUR, UR, VDE
Supplier Device Package: 4-DIP
Voltage - Load: 0 V ~ 80 V
On-State Resistance (Max): 280 mOhms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP241BP(TP1,E
TLP241BP(TP1,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTORELAY, OVP, OTP, ROHS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: DC
Mounting Type: Through Hole
Voltage - Input: 1.65VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Termination Style: PC Pin
Load Current: 1.4 A
Approval Agency: cUR, UR, VDE
Supplier Device Package: 4-DIP
Voltage - Load: 0 V ~ 80 V
On-State Resistance (Max): 280 mOhms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP241BP(TP5,E
TLP241BP(TP5,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTORELAY, OVP, OTP, ROHS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: DC
Mounting Type: Through Hole
Voltage - Input: 1.65VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Termination Style: PC Pin
Load Current: 1.4 A
Approval Agency: cUR, UR, VDE
Supplier Device Package: 4-DIP
Voltage - Load: 0 V ~ 80 V
On-State Resistance (Max): 280 mOhms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP241BPF(TP4,E TLP241BP_datasheet_en_20231012.pdf?did=154225&prodName=TLP241BP
TLP241BPF(TP4,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTORELAY, OVP, OTP, ROHS; WIDE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.65VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Termination Style: PC Pin
Load Current: 1.4 A
Approval Agency: cUR, UR, VDE
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 80 V
On-State Resistance (Max): 280 mOhms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP241BPF(D4TP4E
TLP241BPF(D4TP4E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTORELAY, OVP, OTP, ROHS; VDE;
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.65VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Termination Style: PC Pin
Load Current: 1.4 A
Approval Agency: cUR, UR, VDE
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 80 V
On-State Resistance (Max): 280 mOhms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP241BP(LF1,E
TLP241BP(LF1,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTORELAY, OVP, OTP, ROHS
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.65VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Load Current: 1.4 A
Approval Agency: cUR, UR, VDE
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 80 V
On-State Resistance (Max): 280 mOhms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP241BP(LF5,E
TLP241BP(LF5,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTORELAY, OVP, OTP, ROHS
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.65VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Load Current: 1.4 A
Approval Agency: cUR, UR, VDE
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 80 V
On-State Resistance (Max): 280 mOhms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP241BP(D4LF5,E
TLP241BP(D4LF5,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTORELAY, OVP, OTP, ROHS; VDE
On-State Resistance (Max): 280 mOhms
Voltage - Load: 0 V ~ 80 V
Supplier Device Package: 4-SMD
Approval Agency: cUR, UR, VDE
Load Current: 1.4 A
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Voltage - Input: 1.65VDC
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: DC
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP241BPF(D4LF4E
TLP241BPF(D4LF4E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTORELAY, OVP, OTP, ROHS; VDE;
On-State Resistance (Max): 280 mOhms
Voltage - Load: 0 V ~ 80 V
Supplier Device Package: 4-SMD
Approval Agency: cUR, UR, VDE
Load Current: 1.4 A
Termination Style: Gull Wing
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Voltage - Input: 1.65VDC
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: DC
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP241BP(D4LF1,E
TLP241BP(D4LF1,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTORELAY, OVP, OTP, ROHS; VDE
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
On-State Resistance (Max): 280 mOhms
Voltage - Load: 0 V ~ 80 V
Supplier Device Package: 4-SMD
Approval Agency: cUR, UR, VDE
Load Current: 1.4 A
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Voltage - Input: 1.65VDC
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: DC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP241BPF(D4,E
TLP241BPF(D4,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTORELAY, OVP, OTP, ROHS; VDE;
On-State Resistance (Max): 280 mOhms
Voltage - Load: 0 V ~ 80 V
Supplier Device Package: 4-DIP
Approval Agency: cUR, UR, VDE
Load Current: 1.4 A
Termination Style: PC Pin
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Voltage - Input: 1.65VDC
Mounting Type: Through Hole
Output Type: DC
Package / Case: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP241BP(E
TLP241BP(E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTORELAY, OVP, OTP, ROHS
On-State Resistance (Max): 280 mOhms
Voltage - Load: 0 V ~ 80 V
Supplier Device Package: 4-DIP
Approval Agency: cUR, UR, VDE
Load Current: 1.4 A
Termination Style: PC Pin
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Voltage - Input: 1.65VDC
Mounting Type: Through Hole
Output Type: DC
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP241BPF(E
TLP241BPF(E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTORELAY, OVP, OTP, ROHS; WIDE
On-State Resistance (Max): 280 mOhms
Voltage - Load: 0 V ~ 80 V
Supplier Device Package: 4-DIP
Approval Agency: cUR, UR, VDE
Load Current: 1.4 A
Termination Style: PC Pin
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Voltage - Input: 1.65VDC
Mounting Type: Through Hole
Output Type: DC
Package / Case: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP241BPF(LF4,E
TLP241BPF(LF4,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTORELAY, OVP, OTP, ROHS; WIDE
On-State Resistance (Max): 280 mOhms
Voltage - Load: 0 V ~ 80 V
Supplier Device Package: 4-SMD
Approval Agency: cUR, UR, VDE
Load Current: 1.4 A
Termination Style: Gull Wing
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Voltage - Input: 1.65VDC
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: DC
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP785(D4-GRH,F TLP785_datasheet_en_20190311.pdf?did=10569&prodName=TLP785
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 4-DIP
Packaging: Tube
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
Number of Channels: 1
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Voltage - Output (Max): 80V
Supplier Device Package: 4-DIP
Current Transfer Ratio (Max): 300% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Min): 150% @ 5mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output / Channel: 50mA
Input Type: DC
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Mounting Type: Through Hole
Output Type: Transistor
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC78H620FNG TC78H620FNG_datasheet_en_20161125.pdf?did=35802&prodName=TC78H620FNG
TC78H620FNG
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MTRDRV UNIPLR 2.7-5.5V 16SSOP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-LSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Step Resolution: 1, 1/2
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Motor Type - Stepper: Unipolar
Supplier Device Package: 16-SSOP
Voltage - Load: 2.5V ~ 15V
Technology: DMOS
Applications: General Purpose
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Output Configuration: Half Bridge (4)
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Interface: Parallel
Current - Output: 1A
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2409,LF RN2407-9.pdf
RN2409,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2409,LF RN2407-9.pdf
RN2409,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+11.76 грн
43+7.17 грн
100+4.40 грн
500+3.00 грн
1000+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TMPM369FDFG TMPM369FDFG_datasheet_en_20230721.pdf?did=13802&prodName=TMPM369FDFG
TMPM369FDFG
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MCU 32BIT 512KB FLASH 144LQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 144-FQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 80MHz
Program Memory Size: 512KB (512K x 8)
RAM Size: 128K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 16x12b; D/A 2x10b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 3.6V
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, Ethernet, I2C, Microwire, SIO, SPI, SSP, UART/USART, USB
Peripherals: DMA, POR, WDT
Supplier Device Package: 144-LQFP (20x20)
Number of I/O: 102
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+674.86 грн
10+538.31 грн
25+501.63 грн
200+411.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P56FE,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.8A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R408QM,LQ
TPH2R408QM,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 80V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 2.4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.43mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 40 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R008QM,LQ datasheet_en_20221125.pdf?did=143627
TPH3R008QM,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 80V UMOS9-H SOP-ADVANCE(N) 3MOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 900µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 40 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+38.66 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R008QM,LQ datasheet_en_20221125.pdf?did=143627
TPH3R008QM,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 80V UMOS9-H SOP-ADVANCE(N) 3MOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 900µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 40 V
на замовлення 14688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+144.22 грн
10+88.54 грн
100+59.98 грн
500+44.83 грн
1000+42.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008NH1,LQ
TPH4R008NH1,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 80V U-MOS VIII-H SOP-ADVANCE(N)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 146A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 40 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104MFV,L3F(CT RN1104MFV_datasheet_en_20210818.pdf?did=5879&prodName=RN1104MFV
RN1104MFV,L3F(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Power - Max: 150 mW
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104MFV,L3F(CT RN1104MFV_datasheet_en_20210818.pdf?did=5879&prodName=RN1104MFV
RN1104MFV,L3F(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 15700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+12.54 грн
43+7.09 грн
100+4.39 грн
500+2.99 грн
1000+2.63 грн
2000+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104MFV,L3XHF(CT RN1104MFV_datasheet_en_20210818.pdf?did=5879&prodName=RN1104MFV
RN1104MFV,L3XHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104MFV,L3XHF(CT RN1104MFV_datasheet_en_20210818.pdf?did=5879&prodName=RN1104MFV
RN1104MFV,L3XHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+18.81 грн
27+11.32 грн
100+7.07 грн
500+4.88 грн
1000+4.31 грн
2000+3.83 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2104MFV,L3XHF(CT docget.jsp?did=5883&prodName=RN2101MFV&returnFlg=false
RN2104MFV,L3XHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2104MFV,L3XHF(CT docget.jsp?did=5883&prodName=RN2101MFV&returnFlg=false
RN2104MFV,L3XHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+19.60 грн
27+11.40 грн
100+7.09 грн
500+4.89 грн
1000+4.32 грн
2000+3.84 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3640A(TPL,E TLP3640A_datasheet_en_20240926.pdf?did=159803&prodName=TLP3640A
TLP3640A(TPL,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTORELAY 60V 1A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.65VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Load Current: 1 A
Approval Agency: cUR, UR, VDE
Supplier Device Package: 4-SO
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 140 mOhms
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+96.04 грн
5000+89.24 грн
7500+87.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3640A(TPL,E TLP3640A_datasheet_en_20240926.pdf?did=159803&prodName=TLP3640A
TLP3640A(TPL,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTORELAY 60V 1A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.65VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Load Current: 1 A
Approval Agency: cUR, UR, VDE
Supplier Device Package: 4-SO
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 140 mOhms
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
на замовлення 8469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+155.20 грн
10+132.84 грн
25+126.86 грн
50+114.99 грн
100+111.06 грн
250+106.05 грн
500+100.74 грн
1000+97.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3640A(V4TPL,E TLP3640A_datasheet_en_20240926.pdf?did=159803&prodName=TLP3640A
TLP3640A(V4TPL,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTORELAY 60V 1A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.65VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Load Current: 1 A
Approval Agency: cUR, UR, VDE
Supplier Device Package: 4-SO
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 140 mOhms
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+104.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3640A(V4TPL,E TLP3640A_datasheet_en_20240926.pdf?did=159803&prodName=TLP3640A
TLP3640A(V4TPL,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTORELAY 60V 1A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.65VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Load Current: 1 A
Approval Agency: cUR, UR, VDE
Supplier Device Package: 4-SO
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 140 mOhms
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
на замовлення 4149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+155.20 грн
10+132.84 грн
25+126.86 грн
50+114.99 грн
100+111.06 грн
250+106.05 грн
500+100.74 грн
1000+97.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1111,LXHF(CT docget.jsp?did=18754&prodName=RN1111
RN1111,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Resistors Included: R1 Only
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1111,LXHF(CT docget.jsp?did=18754&prodName=RN1111
RN1111,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistors Included: R1 Only
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
на замовлення 5470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+21.16 грн
25+12.53 грн
100+7.81 грн
500+5.41 грн
1000+4.79 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC74HC00AFELF TC74HC00AF_datasheet_en_20140301.pdf?did=6954&prodName=TC74HC00AF
TC74HC00AFELF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC NAND 4-CIR 2-IN 14-SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NAND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-SOP
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 13ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 1818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+28.22 грн
17+18.79 грн
25+16.73 грн
100+13.59 грн
250+12.58 грн
500+11.98 грн
1000+11.28 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 215 216 217 218 219 220 221 222 223 224 225 227  [ Наступна Сторінка >> ]