Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13513) > Сторінка 226 з 226

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 220 221 222 223 224 225 226
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK190U60Z1,RQ TK190U60Z1,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK190U60Z1_datasheet_en_20250730.pdf?did=162287&prodName=TK190U60Z1 Description: N-CH MOSFET 600 V 0.190 OHM TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 480µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 300 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+158.86 грн
4000+150.03 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK190U60Z1,RQ TK190U60Z1,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK190U60Z1_datasheet_en_20250730.pdf?did=162287&prodName=TK190U60Z1 Description: N-CH MOSFET 600 V 0.190 OHM TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 480µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 300 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+287.20 грн
10+210.13 грн
25+193.40 грн
100+164.21 грн
250+155.98 грн
500+151.02 грн
1000+144.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK190E60Z1,S1X TK190E60Z1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK190E60Z1_datasheet_en_20250730.pdf?did=162283&prodName=TK190E60Z1 Description: N-CH MOSFET 600 V 0.190 OHM TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 480µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 14 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 300 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+219.44 грн
10+158.67 грн
50+137.58 грн
100+122.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TTC502,LF TTC502,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=70489&prodName=TTC502 Description: TRANS NPN 120V 1A SOT-23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 10mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-23F
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.95 грн
6000+6.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TTC502,LF TTC502,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=70489&prodName=TTC502 Description: TRANS NPN 120V 1A SOT-23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 10mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-23F
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 6664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.34 грн
16+19.20 грн
100+12.19 грн
500+8.58 грн
1000+7.65 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3LM195A,L3F TCR3LM195A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR3LM195A_datasheet_en_20241028.pdf?did=151501&prodName=TCR3LM195A Description: OUTPUT LDO REGULATOR 300 MA FIXE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2.2 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.95V
Control Features: Enable
PSRR: 74dB ~ 43dB (100Hz ~ 100kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.425V @ 200mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+6.13 грн
10000+5.74 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3LM195A,L3F TCR3LM195A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR3LM195A_datasheet_en_20241028.pdf?did=151501&prodName=TCR3LM195A Description: OUTPUT LDO REGULATOR 300 MA FIXE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2.2 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.95V
Control Features: Enable
PSRR: 74dB ~ 43dB (100Hz ~ 100kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.425V @ 200mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.40 грн
29+10.23 грн
33+9.08 грн
100+7.26 грн
250+6.67 грн
500+6.32 грн
1000+5.93 грн
2500+5.63 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
74HC08D 74HC08D Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=37183&prodName=74HC08D Description: IC GATE AND 4CH 2-INP 14SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-SOIC
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 13ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 1 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74HC08D 74HC08D Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=37183&prodName=74HC08D Description: IC GATE AND 4CH 2-INP 14SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-SOIC
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 13ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 1 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC74HC02AFELF Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC GATE NOR 4CH 2-INP 14SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NOR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-SOP
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 13ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.04 грн
11+27.58 грн
25+24.73 грн
100+20.25 грн
250+18.83 грн
500+17.98 грн
1000+17.30 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L807R,LF SSM6L807R,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=63987&prodName=SSM6L807R Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A 6TSOPF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 15V, 480pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.1mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V, 6.74nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L807R,LF SSM6L807R,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=63987&prodName=SSM6L807R Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A 6TSOPF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 15V, 480pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.1mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V, 6.74nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK155E60Z1,S1X TK155E60Z1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK155E60Z1_datasheet_en_20240725.pdf?did=159373&prodName=TK155E60Z1 Description: N-CH MOSFET 600 V 0.155 OHM TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 610µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+250.24 грн
10+182.03 грн
50+158.33 грн
100+141.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK190U60Z1,RQ TK190U60Z1_datasheet_en_20250730.pdf?did=162287&prodName=TK190U60Z1
TK190U60Z1,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: N-CH MOSFET 600 V 0.190 OHM TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 480µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 300 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+158.86 грн
4000+150.03 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK190U60Z1,RQ TK190U60Z1_datasheet_en_20250730.pdf?did=162287&prodName=TK190U60Z1
TK190U60Z1,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: N-CH MOSFET 600 V 0.190 OHM TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 480µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 300 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+287.20 грн
10+210.13 грн
25+193.40 грн
100+164.21 грн
250+155.98 грн
500+151.02 грн
1000+144.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK190E60Z1,S1X TK190E60Z1_datasheet_en_20250730.pdf?did=162283&prodName=TK190E60Z1
TK190E60Z1,S1X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: N-CH MOSFET 600 V 0.190 OHM TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 480µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 14 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 300 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+219.44 грн
10+158.67 грн
50+137.58 грн
100+122.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TTC502,LF docget.jsp?did=70489&prodName=TTC502
TTC502,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 120V 1A SOT-23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 10mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-23F
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.95 грн
6000+6.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TTC502,LF docget.jsp?did=70489&prodName=TTC502
TTC502,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 120V 1A SOT-23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 10mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-23F
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 6664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.34 грн
16+19.20 грн
100+12.19 грн
500+8.58 грн
1000+7.65 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3LM195A,L3F TCR3LM195A_datasheet_en_20241028.pdf?did=151501&prodName=TCR3LM195A
TCR3LM195A,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OUTPUT LDO REGULATOR 300 MA FIXE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2.2 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.95V
Control Features: Enable
PSRR: 74dB ~ 43dB (100Hz ~ 100kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.425V @ 200mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+6.13 грн
10000+5.74 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3LM195A,L3F TCR3LM195A_datasheet_en_20241028.pdf?did=151501&prodName=TCR3LM195A
TCR3LM195A,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OUTPUT LDO REGULATOR 300 MA FIXE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2.2 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.95V
Control Features: Enable
PSRR: 74dB ~ 43dB (100Hz ~ 100kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.425V @ 200mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+15.40 грн
29+10.23 грн
33+9.08 грн
100+7.26 грн
250+6.67 грн
500+6.32 грн
1000+5.93 грн
2500+5.63 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
74HC08D docget.jsp?did=37183&prodName=74HC08D
74HC08D
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE AND 4CH 2-INP 14SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-SOIC
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 13ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 1 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74HC08D docget.jsp?did=37183&prodName=74HC08D
74HC08D
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE AND 4CH 2-INP 14SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-SOIC
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 13ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 1 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC74HC02AFELF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE NOR 4CH 2-INP 14SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NOR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-SOP
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 13ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.04 грн
11+27.58 грн
25+24.73 грн
100+20.25 грн
250+18.83 грн
500+17.98 грн
1000+17.30 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L807R,LF docget.jsp?did=63987&prodName=SSM6L807R
SSM6L807R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A 6TSOPF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 15V, 480pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.1mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V, 6.74nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L807R,LF docget.jsp?did=63987&prodName=SSM6L807R
SSM6L807R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A 6TSOPF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 15V, 480pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.1mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V, 6.74nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK155E60Z1,S1X TK155E60Z1_datasheet_en_20240725.pdf?did=159373&prodName=TK155E60Z1
TK155E60Z1,S1X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: N-CH MOSFET 600 V 0.155 OHM TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 610µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+250.24 грн
10+182.03 грн
50+158.33 грн
100+141.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 220 221 222 223 224 225 226