Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13079) > Сторінка 176 з 218

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 21 42 63 84 105 126 147 168 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 189 210 218  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
TW107N65C,S1F TW107N65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW107N65C_datasheet_en_20221214.pdf?did=143304&prodName=TW107N65C Description: G3 650V SIC-MOSFET TO-247 107MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 76W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+618.88 грн
30+ 475.76 грн
TW027N65C,S1F TW027N65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW027N65C_datasheet_en_20221214.pdf?did=143229&prodName=TW027N65C Description: G3 650V SIC-MOSFET TO-247 27MOH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 29A, 18V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2288 pF @ 400 V
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1459.48 грн
30+ 1165.53 грн
TW015N120C,S1F TW015N120C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW015N120C_datasheet_en_20220615.pdf?did=143221&prodName=TW015N120C Description: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 15MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 11.7mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 800 V
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4376.19 грн
30+ 3687.79 грн
MG08ADA400E Toshiba Semiconductor and Storage ehdd-mg08-d-product-overview_rev0s.pdf Description: HDD 4TB 3.5" SATA III 5V-12V
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Memory Size: 4TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
Part Status: Active
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14034.86 грн
20+ 13032.21 грн
MG08ADA600E MG08ADA600E Toshiba Semiconductor and Storage ehdd-mg08-d-product-overview_rev0s.pdf Description: HDD 6TB 3.5" SATA III 5V-12V
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Memory Size: 6TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+15398.04 грн
10+ 14298.35 грн
25+ 14086.57 грн
MG08ADA400N Toshiba Semiconductor and Storage ehdd-mg08-d-product-overview_rev0s.pdf Description: HDD 4TB 3.5" SATA III 5V-12V
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Memory Size: 4TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13516.77 грн
TLP185(GB-TPR,SE TLP185(GB-TPR,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185%28SE_datasheet_en_20191118.pdf?did=14111&prodName=TLP185(SE Description: X36 PB PHOTOCOUPLER SO6 ROHS TAP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 6-SOP
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
товар відсутній
TLP185(GB-TPR,SE TLP185(GB-TPR,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185%28SE_datasheet_en_20191118.pdf?did=14111&prodName=TLP185(SE Description: X36 PB PHOTOCOUPLER SO6 ROHS TAP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 6-SOP
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.31 грн
12+ 24.15 грн
Мінімальне замовлення: 8
TLP781F(D4-TELS,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(F).pdf Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-DIP
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
товар відсутній
TLP781F(YH-LF7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(F).pdf Description: PHOTOCOUPLER
товар відсутній
TLP785(D4-BL,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=10569&prodName=TLP785 Description: PHOTOCOUPLER TRANS OUT
товар відсутній
TLP785(D4B-T6,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=10569&prodName=TLP785 Description: PHOTOCOUPLER TRANS OUT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-DIP
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
товар відсутній
TLP785F(BL-LF7,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=10569&prodName=TLP785F Description: PHOTOCOUPLER TRANS OUT
товар відсутній
TLP2955F(TP4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2955F_Rev3.0_2-10-16.pdf Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 3V ~ 20V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Data Rate: 5Mbps
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 8-SMD
Rise / Fall Time (Typ): 16ns, 14ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 250ns, 250ns
Part Status: Last Time Buy
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 25 mA
товар відсутній
TLP2955F(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2955F_Rev3.0_2-10-16.pdf Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 3V ~ 20V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Data Rate: 5Mbps
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 8-DIP
Rise / Fall Time (Typ): 16ns, 14ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 250ns, 250ns
Part Status: Last Time Buy
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 25 mA
товар відсутній
TLP2955(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2955_Rev2.0_2-17-16.pdf Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 3V ~ 20V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Data Rate: 5Mbps
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 8-DIP
Rise / Fall Time (Typ): 16ns, 14ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 250ns, 250ns
Part Status: Last Time Buy
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 25 mA
товар відсутній
TLP2955(D4-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2955_Rev2.0_2-17-16.pdf Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 3V ~ 20V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Data Rate: 5Mbps
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 8-SMD
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 250ns, 250ns
Part Status: Last Time Buy
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 25 mA
товар відсутній
TLP2955(MBD,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2955_Rev2.0_2-17-16.pdf Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 3V ~ 20V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Data Rate: 5Mbps
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 8-DIP
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 250ns, 250ns
Part Status: Last Time Buy
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 25 mA
товар відсутній
TLP2955(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 3V ~ 20V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Data Rate: 5Mbps
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 8-SMD
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 250ns, 250ns
Part Status: Last Time Buy
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 25 mA
товар відсутній
TCR5RG14A,LF TCR5RG14A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5RG09A_datasheet_en_20230608.pdf?did=70203&prodName=TCR5RG09A Description: LDO REG, IOUT: 500MA VOUT: 1.4V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 13 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSPF (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.4V
PSRR: 100dB ~ 59dB (1kHz ~ 1MHz)
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+9.73 грн
Мінімальне замовлення: 5000
TCR5RG14A,LF TCR5RG14A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5RG09A_datasheet_en_20230608.pdf?did=70203&prodName=TCR5RG09A Description: LDO REG, IOUT: 500MA VOUT: 1.4V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 13 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSPF (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.4V
PSRR: 100dB ~ 59dB (1kHz ~ 1MHz)
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 9836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.58 грн
11+ 28.47 грн
25+ 25.99 грн
100+ 18.16 грн
250+ 16.46 грн
500+ 13.62 грн
1000+ 10.05 грн
2500+ 9.21 грн
Мінімальне замовлення: 9
MG08ADA800E MG08ADA800E Toshiba Semiconductor and Storage ehdd-mg08-d-product-overview_rev0s.pdf Description: HDD 8TB 3.5" SATA III 5V-12V
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Memory Size: 8TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+19767.51 грн
20+ 18355.24 грн
TW015N65C,S1F TW015N65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW015N65C_datasheet_en_20220615.pdf?did=143225&prodName=TW015N65C Description: G3 650V SIC-MOSFET TO-247 15MOH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 342W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 11.7mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 400 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3616.96 грн
30+ 2918.87 грн
TPH9R506PL,LQ TPH9R506PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH9R506PL_datasheet_en_20170407.pdf?did=55559&prodName=TPH9R506PL Description: MOSFET N-CH 60V 34A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.93 грн
6000+ 19.1 грн
Мінімальне замовлення: 3000
TPH9R506PL,LQ TPH9R506PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH9R506PL_datasheet_en_20170407.pdf?did=55559&prodName=TPH9R506PL Description: MOSFET N-CH 60V 34A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910 pF @ 30 V
на замовлення 7809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.24 грн
10+ 46.01 грн
100+ 31.83 грн
500+ 24.96 грн
1000+ 21.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
TCR5RG18A,LF TCR5RG18A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5RG17A_datasheet_en_20220705.pdf?did=70203&prodName=TCR5RG17A Description: LDO REG, IOUT: 500MA VOUT: 1.8V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 13 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSPF (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.8V
Part Status: Active
PSRR: 100dB ~ 59dB (1kHz ~ 1MHz)
Voltage Dropout (Max): 0.29V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
товар відсутній
TCR5RG18A,LF TCR5RG18A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5RG17A_datasheet_en_20220705.pdf?did=70203&prodName=TCR5RG17A Description: LDO REG, IOUT: 500MA VOUT: 1.8V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 13 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSPF (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.8V
Part Status: Active
PSRR: 100dB ~ 59dB (1kHz ~ 1MHz)
Voltage Dropout (Max): 0.29V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.57 грн
10+ 30.62 грн
25+ 28.01 грн
100+ 19.56 грн
250+ 17.73 грн
Мінімальне замовлення: 8
TCR3RM28A,LF(SE TCR3RM28A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM33A_datasheet_en_20220705.pdf?did=69842&prodName=TCR3RM33A Description: LDO REG 2.8V 300MA 4DFNC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 12 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFNC (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.8V
Control Features: Current Limit, Enable
Part Status: Active
PSRR: 100dB ~ 68dB (1kHz ~ 1MHz)
Voltage Dropout (Max): 0.15V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
товар відсутній
TCR3RM28A,LF(SE TCR3RM28A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM33A_datasheet_en_20220705.pdf?did=69842&prodName=TCR3RM33A Description: LDO REG 2.8V 300MA 4DFNC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 12 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFNC (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.8V
Control Features: Current Limit, Enable
Part Status: Active
PSRR: 100dB ~ 68dB (1kHz ~ 1MHz)
Voltage Dropout (Max): 0.15V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 5610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.34 грн
11+ 26.81 грн
25+ 24.53 грн
100+ 17.12 грн
250+ 15.52 грн
500+ 12.84 грн
1000+ 9.47 грн
2500+ 8.68 грн
5000+ 8.16 грн
Мінімальне замовлення: 9
TCR2LN18,LF(SE TCR2LN18,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN08_datasheet_en_20210831.pdf?did=139781&prodName=TCR2LN08 Description: LDO REG VOUT=2.5V I=200MA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 10000
TCR2LN18,LF(SE TCR2LN18,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN08_datasheet_en_20210831.pdf?did=139781&prodName=TCR2LN08 Description: LDO REG VOUT=2.5V I=200MA
на замовлення 14320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.88 грн
15+ 19.48 грн
25+ 17.6 грн
100+ 11.43 грн
250+ 9.62 грн
500+ 7.82 грн
1000+ 5.92 грн
2500+ 5.32 грн
5000+ 5.03 грн
Мінімальне замовлення: 12
TCR2EN18,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN105_datasheet_en_20210831.pdf?did=13455&prodName=TCR2EN105 Description: LDO REG VOUT=1.8V IOUT=200MA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 10000
TCR2EN18,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN105_datasheet_en_20210831.pdf?did=13455&prodName=TCR2EN105 Description: LDO REG VOUT=1.8V IOUT=200MA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.88 грн
15+ 19.48 грн
25+ 17.6 грн
100+ 11.43 грн
250+ 9.62 грн
500+ 7.82 грн
1000+ 5.92 грн
2500+ 5.32 грн
5000+ 5.03 грн
Мінімальне замовлення: 12
TCR2LN18,LSF(SE TCR2LN18,LSF(SE Toshiba Semiconductor and Storage Description: LDO REG VOUT=1.8V I=200MA
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.7 грн
Мінімальне замовлення: 10000
TCR2LN18,LSF(SE TCR2LN18,LSF(SE Toshiba Semiconductor and Storage Description: LDO REG VOUT=1.8V I=200MA
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.11 грн
14+ 21.57 грн
25+ 19.44 грн
100+ 12.62 грн
250+ 10.63 грн
500+ 8.63 грн
1000+ 6.53 грн
2500+ 5.88 грн
5000+ 5.55 грн
Мінімальне замовлення: 11
TCR3UM18A,LF(SE TCR3UM18A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage Description: LDO REG IOUT: 300MA VIN: 6V VOUT
товар відсутній
TCR3UM18A,LF(SE TCR3UM18A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage Description: LDO REG IOUT: 300MA VIN: 6V VOUT
на замовлення 3608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.83 грн
11+ 26.17 грн
25+ 23.58 грн
100+ 15.29 грн
250+ 12.88 грн
500+ 10.47 грн
1000+ 7.92 грн
2500+ 7.13 грн
Мінімальне замовлення: 9
SSM6J212FE,LF SSM6J212FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=1906&prodName=SSM6J212FE Description: MOSFET P-CH 20V 4A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40.7mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 10 V
товар відсутній
SSM6J212FE,LF SSM6J212FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=1906&prodName=SSM6J212FE Description: MOSFET P-CH 20V 4A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40.7mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 10 V
товар відсутній
CUZ20V,H3F CUZ20V,H3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69335&prodName=CUZ20V Description: TVS DIODE 20VWM 30.5VC USC
товар відсутній
CUZ20V,H3F CUZ20V,H3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69335&prodName=CUZ20V Description: TVS DIODE 20VWM 30.5VC USC
на замовлення 5830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.37 грн
13+ 22.21 грн
100+ 11.78 грн
500+ 7.27 грн
1000+ 4.94 грн
Мінімальне замовлення: 11
MUZ20V,LF MUZ20V,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: TVS DIODE 20VWM 30.5VC USM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 29pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 20V
Supplier Device Package: USM
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 18.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 30.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUZ20V,LF MUZ20V,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: TVS DIODE 20VWM 30.5VC USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 29pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 20V
Supplier Device Package: USM
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 18.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 30.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.14 грн
19+ 15.74 грн
100+ 7.67 грн
500+ 6 грн
1000+ 4.17 грн
Мінімальне замовлення: 13
MSZ20V,LF MSZ20V,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: TVS DIODE 20VWM 30.5VC SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 29pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 20V
Supplier Device Package: S-Mini
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 18.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 30.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MSZ20V,LF MSZ20V,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: TVS DIODE 20VWM 30.5VC SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 29pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 20V
Supplier Device Package: S-Mini
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 18.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 30.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
на замовлення 5970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.4 грн
19+ 15.17 грн
100+ 7.38 грн
500+ 5.77 грн
1000+ 4.01 грн
Мінімальне замовлення: 14
CEZ20V,L3F CEZ20V,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69323&prodName=CEZ20V Description: TVS DIODE 20VWM 30.5VC ESC
товар відсутній
CEZ20V,L3F CEZ20V,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69323&prodName=CEZ20V Description: TVS DIODE 20VWM 30.5VC ESC
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.14 грн
16+ 18.4 грн
100+ 9.73 грн
Мінімальне замовлення: 13
CUHZ20V,H3F CUHZ20V,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHZ16V_datasheet_en_20210917.pdf?did=70664&prodName=CUHZ16V Description: 20 V ZENER DIODE, SOD-323HE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 180pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 36A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 20V
Supplier Device Package: US2H
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 18.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20.6V (Typ)
Power - Peak Pulse: 2100W (2.1kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.52 грн
6000+ 6.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CUHZ20V,H3F CUHZ20V,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHZ16V_datasheet_en_20210917.pdf?did=70664&prodName=CUHZ16V Description: 20 V ZENER DIODE, SOD-323HE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 180pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 36A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 20V
Supplier Device Package: US2H
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 18.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20.6V (Typ)
Power - Peak Pulse: 2100W (2.1kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 11058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.89 грн
16+ 18.04 грн
100+ 10.83 грн
500+ 9.41 грн
1000+ 6.4 грн
Мінімальне замовлення: 13
RN1104,LXHF(CT RN1104,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18746&prodName=RN1104 Description: AUTO AEC-Q SINGLE NPN Q1BSR=47K,
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RN1104,LXHF(CT RN1104,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18746&prodName=RN1104 Description: AUTO AEC-Q SINGLE NPN Q1BSR=47K,
на замовлення 4490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.38 грн
16+ 18.33 грн
100+ 10.41 грн
500+ 6.47 грн
1000+ 4.96 грн
Мінімальне замовлення: 12
RN1105MFV,L3XHF(CT RN1105MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5879&prodName=RN1105MFV Description: AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=2.2K, Q1BER
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.98 грн
Мінімальне замовлення: 8000
RN1105MFV,L3XHF(CT RN1105MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5879&prodName=RN1105MFV Description: AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=2.2K, Q1BER
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.13 грн
14+ 20.56 грн
100+ 10.91 грн
500+ 6.74 грн
1000+ 4.58 грн
2000+ 4.13 грн
Мінімальне замовлення: 12
RN1103MFV,L3F(CT RN1103MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5879&prodName=RN1103MFV Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
товар відсутній
RN1103MFV,L3F(CT RN1103MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5879&prodName=RN1103MFV Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+13.44 грн
24+ 12.08 грн
100+ 6.57 грн
Мінімальне замовлення: 23
RN1108MFV,L3F RN1108MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5880&prodName=RN1108MFV Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+2.19 грн
16000+ 1.84 грн
24000+ 1.65 грн
Мінімальне замовлення: 8000
RN1108MFV,L3F RN1108MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5880&prodName=RN1108MFV Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
на замовлення 31576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+13.44 грн
24+ 12.08 грн
100+ 6.57 грн
500+ 3.79 грн
1000+ 2.59 грн
2000+ 2.2 грн
Мінімальне замовлення: 23
TK5R3E08QM,S1X TK5R3E08QM,S1X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=70421&prodName=TK5R3E08QM Description: UMOS10 TO-220AB 80V 5.3MOHM
товар відсутній
TK3R2A08QM,S4X TK3R2A08QM,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK3R2A08QM_datasheet_en_20210201.pdf?did=70417&prodName=TK3R2A08QM Description: UMOS10 TO-220SIS 80V 3.2MOHM
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+156.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK5R1A08QM,S4X TK5R1A08QM,S4X Toshiba Semiconductor and Storage Description: UMOS10 TO-220SIS 80V 5.1MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 40 V
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.7 грн
10+ 102.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
TW107N65C,S1F TW107N65C_datasheet_en_20221214.pdf?did=143304&prodName=TW107N65C
TW107N65C,S1F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 650V SIC-MOSFET TO-247 107MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 76W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+618.88 грн
30+ 475.76 грн
TW027N65C,S1F TW027N65C_datasheet_en_20221214.pdf?did=143229&prodName=TW027N65C
TW027N65C,S1F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 650V SIC-MOSFET TO-247 27MOH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 29A, 18V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2288 pF @ 400 V
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1459.48 грн
30+ 1165.53 грн
TW015N120C,S1F TW015N120C_datasheet_en_20220615.pdf?did=143221&prodName=TW015N120C
TW015N120C,S1F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 15MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 11.7mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 800 V
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+4376.19 грн
30+ 3687.79 грн
MG08ADA400E ehdd-mg08-d-product-overview_rev0s.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: HDD 4TB 3.5" SATA III 5V-12V
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Memory Size: 4TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
Part Status: Active
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+14034.86 грн
20+ 13032.21 грн
MG08ADA600E ehdd-mg08-d-product-overview_rev0s.pdf
MG08ADA600E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: HDD 6TB 3.5" SATA III 5V-12V
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Memory Size: 6TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+15398.04 грн
10+ 14298.35 грн
25+ 14086.57 грн
MG08ADA400N ehdd-mg08-d-product-overview_rev0s.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: HDD 4TB 3.5" SATA III 5V-12V
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Memory Size: 4TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+13516.77 грн
TLP185(GB-TPR,SE TLP185%28SE_datasheet_en_20191118.pdf?did=14111&prodName=TLP185(SE
TLP185(GB-TPR,SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: X36 PB PHOTOCOUPLER SO6 ROHS TAP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 6-SOP
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
товар відсутній
TLP185(GB-TPR,SE TLP185%28SE_datasheet_en_20191118.pdf?did=14111&prodName=TLP185(SE
TLP185(GB-TPR,SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: X36 PB PHOTOCOUPLER SO6 ROHS TAP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 6-SOP
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+40.31 грн
12+ 24.15 грн
Мінімальне замовлення: 8
TLP781F(D4-TELS,F) TLP781(F).pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-DIP
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
товар відсутній
TLP781F(YH-LF7,F) TLP781(F).pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
товар відсутній
TLP785(D4-BL,F docget.jsp?did=10569&prodName=TLP785
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER TRANS OUT
товар відсутній
TLP785(D4B-T6,F docget.jsp?did=10569&prodName=TLP785
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER TRANS OUT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-DIP
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
товар відсутній
TLP785F(BL-LF7,F docget.jsp?did=10569&prodName=TLP785F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER TRANS OUT
товар відсутній
TLP2955F(TP4,F) TLP2955F_Rev3.0_2-10-16.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 3V ~ 20V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Data Rate: 5Mbps
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 8-SMD
Rise / Fall Time (Typ): 16ns, 14ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 250ns, 250ns
Part Status: Last Time Buy
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 25 mA
товар відсутній
TLP2955F(F) TLP2955F_Rev3.0_2-10-16.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 3V ~ 20V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Data Rate: 5Mbps
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 8-DIP
Rise / Fall Time (Typ): 16ns, 14ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 250ns, 250ns
Part Status: Last Time Buy
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 25 mA
товар відсутній
TLP2955(D4,F) TLP2955_Rev2.0_2-17-16.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 3V ~ 20V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Data Rate: 5Mbps
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 8-DIP
Rise / Fall Time (Typ): 16ns, 14ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 250ns, 250ns
Part Status: Last Time Buy
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 25 mA
товар відсутній
TLP2955(D4-TP1,F) TLP2955_Rev2.0_2-17-16.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 3V ~ 20V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Data Rate: 5Mbps
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 8-SMD
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 250ns, 250ns
Part Status: Last Time Buy
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 25 mA
товар відсутній
TLP2955(MBD,F) TLP2955_Rev2.0_2-17-16.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 3V ~ 20V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Data Rate: 5Mbps
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 8-DIP
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 250ns, 250ns
Part Status: Last Time Buy
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 25 mA
товар відсутній
TLP2955(TP1,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 3V ~ 20V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Data Rate: 5Mbps
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 8-SMD
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 250ns, 250ns
Part Status: Last Time Buy
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 25 mA
товар відсутній
TCR5RG14A,LF TCR5RG09A_datasheet_en_20230608.pdf?did=70203&prodName=TCR5RG09A
TCR5RG14A,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG, IOUT: 500MA VOUT: 1.4V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 13 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSPF (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.4V
PSRR: 100dB ~ 59dB (1kHz ~ 1MHz)
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+9.73 грн
Мінімальне замовлення: 5000
TCR5RG14A,LF TCR5RG09A_datasheet_en_20230608.pdf?did=70203&prodName=TCR5RG09A
TCR5RG14A,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG, IOUT: 500MA VOUT: 1.4V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 13 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSPF (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.4V
PSRR: 100dB ~ 59dB (1kHz ~ 1MHz)
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 9836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+36.58 грн
11+ 28.47 грн
25+ 25.99 грн
100+ 18.16 грн
250+ 16.46 грн
500+ 13.62 грн
1000+ 10.05 грн
2500+ 9.21 грн
Мінімальне замовлення: 9
MG08ADA800E ehdd-mg08-d-product-overview_rev0s.pdf
MG08ADA800E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: HDD 8TB 3.5" SATA III 5V-12V
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Memory Size: 8TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+19767.51 грн
20+ 18355.24 грн
TW015N65C,S1F TW015N65C_datasheet_en_20220615.pdf?did=143225&prodName=TW015N65C
TW015N65C,S1F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 650V SIC-MOSFET TO-247 15MOH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 342W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 11.7mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 400 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3616.96 грн
30+ 2918.87 грн
TPH9R506PL,LQ TPH9R506PL_datasheet_en_20170407.pdf?did=55559&prodName=TPH9R506PL
TPH9R506PL,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 34A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+20.93 грн
6000+ 19.1 грн
Мінімальне замовлення: 3000
TPH9R506PL,LQ TPH9R506PL_datasheet_en_20170407.pdf?did=55559&prodName=TPH9R506PL
TPH9R506PL,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 34A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910 pF @ 30 V
на замовлення 7809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+55.24 грн
10+ 46.01 грн
100+ 31.83 грн
500+ 24.96 грн
1000+ 21.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
TCR5RG18A,LF TCR5RG17A_datasheet_en_20220705.pdf?did=70203&prodName=TCR5RG17A
TCR5RG18A,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG, IOUT: 500MA VOUT: 1.8V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 13 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSPF (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.8V
Part Status: Active
PSRR: 100dB ~ 59dB (1kHz ~ 1MHz)
Voltage Dropout (Max): 0.29V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
товар відсутній
TCR5RG18A,LF TCR5RG17A_datasheet_en_20220705.pdf?did=70203&prodName=TCR5RG17A
TCR5RG18A,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG, IOUT: 500MA VOUT: 1.8V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 13 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSPF (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.8V
Part Status: Active
PSRR: 100dB ~ 59dB (1kHz ~ 1MHz)
Voltage Dropout (Max): 0.29V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+39.57 грн
10+ 30.62 грн
25+ 28.01 грн
100+ 19.56 грн
250+ 17.73 грн
Мінімальне замовлення: 8
TCR3RM28A,LF(SE TCR3RM33A_datasheet_en_20220705.pdf?did=69842&prodName=TCR3RM33A
TCR3RM28A,LF(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG 2.8V 300MA 4DFNC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 12 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFNC (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.8V
Control Features: Current Limit, Enable
Part Status: Active
PSRR: 100dB ~ 68dB (1kHz ~ 1MHz)
Voltage Dropout (Max): 0.15V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
товар відсутній
TCR3RM28A,LF(SE TCR3RM33A_datasheet_en_20220705.pdf?did=69842&prodName=TCR3RM33A
TCR3RM28A,LF(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG 2.8V 300MA 4DFNC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 12 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFNC (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.8V
Control Features: Current Limit, Enable
Part Status: Active
PSRR: 100dB ~ 68dB (1kHz ~ 1MHz)
Voltage Dropout (Max): 0.15V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 5610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+34.34 грн
11+ 26.81 грн
25+ 24.53 грн
100+ 17.12 грн
250+ 15.52 грн
500+ 12.84 грн
1000+ 9.47 грн
2500+ 8.68 грн
5000+ 8.16 грн
Мінімальне замовлення: 9
TCR2LN18,LF(SE TCR2LN08_datasheet_en_20210831.pdf?did=139781&prodName=TCR2LN08
TCR2LN18,LF(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG VOUT=2.5V I=200MA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 10000
TCR2LN18,LF(SE TCR2LN08_datasheet_en_20210831.pdf?did=139781&prodName=TCR2LN08
TCR2LN18,LF(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG VOUT=2.5V I=200MA
на замовлення 14320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+26.88 грн
15+ 19.48 грн
25+ 17.6 грн
100+ 11.43 грн
250+ 9.62 грн
500+ 7.82 грн
1000+ 5.92 грн
2500+ 5.32 грн
5000+ 5.03 грн
Мінімальне замовлення: 12
TCR2EN18,LF(SE TCR2EN105_datasheet_en_20210831.pdf?did=13455&prodName=TCR2EN105
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG VOUT=1.8V IOUT=200MA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 10000
TCR2EN18,LF(SE TCR2EN105_datasheet_en_20210831.pdf?did=13455&prodName=TCR2EN105
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG VOUT=1.8V IOUT=200MA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+26.88 грн
15+ 19.48 грн
25+ 17.6 грн
100+ 11.43 грн
250+ 9.62 грн
500+ 7.82 грн
1000+ 5.92 грн
2500+ 5.32 грн
5000+ 5.03 грн
Мінімальне замовлення: 12
TCR2LN18,LSF(SE
TCR2LN18,LSF(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG VOUT=1.8V I=200MA
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+5.7 грн
Мінімальне замовлення: 10000
TCR2LN18,LSF(SE
TCR2LN18,LSF(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG VOUT=1.8V I=200MA
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+29.11 грн
14+ 21.57 грн
25+ 19.44 грн
100+ 12.62 грн
250+ 10.63 грн
500+ 8.63 грн
1000+ 6.53 грн
2500+ 5.88 грн
5000+ 5.55 грн
Мінімальне замовлення: 11
TCR3UM18A,LF(SE
TCR3UM18A,LF(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG IOUT: 300MA VIN: 6V VOUT
товар відсутній
TCR3UM18A,LF(SE
TCR3UM18A,LF(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG IOUT: 300MA VIN: 6V VOUT
на замовлення 3608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+35.83 грн
11+ 26.17 грн
25+ 23.58 грн
100+ 15.29 грн
250+ 12.88 грн
500+ 10.47 грн
1000+ 7.92 грн
2500+ 7.13 грн
Мінімальне замовлення: 9
SSM6J212FE,LF docget.jsp?did=1906&prodName=SSM6J212FE
SSM6J212FE,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 4A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40.7mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 10 V
товар відсутній
SSM6J212FE,LF docget.jsp?did=1906&prodName=SSM6J212FE
SSM6J212FE,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 4A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40.7mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 10 V
товар відсутній
CUZ20V,H3F docget.jsp?did=69335&prodName=CUZ20V
CUZ20V,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 20VWM 30.5VC USC
товар відсутній
CUZ20V,H3F docget.jsp?did=69335&prodName=CUZ20V
CUZ20V,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 20VWM 30.5VC USC
на замовлення 5830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+28.37 грн
13+ 22.21 грн
100+ 11.78 грн
500+ 7.27 грн
1000+ 4.94 грн
Мінімальне замовлення: 11
MUZ20V,LF
MUZ20V,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 20VWM 30.5VC USM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 29pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 20V
Supplier Device Package: USM
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 18.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 30.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUZ20V,LF
MUZ20V,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 20VWM 30.5VC USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 29pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 20V
Supplier Device Package: USM
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 18.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 30.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+23.14 грн
19+ 15.74 грн
100+ 7.67 грн
500+ 6 грн
1000+ 4.17 грн
Мінімальне замовлення: 13
MSZ20V,LF
MSZ20V,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 20VWM 30.5VC SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 29pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 20V
Supplier Device Package: S-Mini
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 18.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 30.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MSZ20V,LF
MSZ20V,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 20VWM 30.5VC SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 29pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 20V
Supplier Device Package: S-Mini
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 18.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 30.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
на замовлення 5970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+22.4 грн
19+ 15.17 грн
100+ 7.38 грн
500+ 5.77 грн
1000+ 4.01 грн
Мінімальне замовлення: 14
CEZ20V,L3F docget.jsp?did=69323&prodName=CEZ20V
CEZ20V,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 20VWM 30.5VC ESC
товар відсутній
CEZ20V,L3F docget.jsp?did=69323&prodName=CEZ20V
CEZ20V,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 20VWM 30.5VC ESC
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+23.14 грн
16+ 18.4 грн
100+ 9.73 грн
Мінімальне замовлення: 13
CUHZ20V,H3F CUHZ16V_datasheet_en_20210917.pdf?did=70664&prodName=CUHZ16V
CUHZ20V,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 20 V ZENER DIODE, SOD-323HE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 180pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 36A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 20V
Supplier Device Package: US2H
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 18.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20.6V (Typ)
Power - Peak Pulse: 2100W (2.1kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.52 грн
6000+ 6.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CUHZ20V,H3F CUHZ16V_datasheet_en_20210917.pdf?did=70664&prodName=CUHZ16V
CUHZ20V,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 20 V ZENER DIODE, SOD-323HE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 180pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 36A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 20V
Supplier Device Package: US2H
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 18.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20.6V (Typ)
Power - Peak Pulse: 2100W (2.1kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 11058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+23.89 грн
16+ 18.04 грн
100+ 10.83 грн
500+ 9.41 грн
1000+ 6.4 грн
Мінімальне замовлення: 13
RN1104,LXHF(CT docget.jsp?did=18746&prodName=RN1104
RN1104,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q SINGLE NPN Q1BSR=47K,
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RN1104,LXHF(CT docget.jsp?did=18746&prodName=RN1104
RN1104,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q SINGLE NPN Q1BSR=47K,
на замовлення 4490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+25.38 грн
16+ 18.33 грн
100+ 10.41 грн
500+ 6.47 грн
1000+ 4.96 грн
Мінімальне замовлення: 12
RN1105MFV,L3XHF(CT docget.jsp?did=5879&prodName=RN1105MFV
RN1105MFV,L3XHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=2.2K, Q1BER
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8000+3.98 грн
Мінімальне замовлення: 8000
RN1105MFV,L3XHF(CT docget.jsp?did=5879&prodName=RN1105MFV
RN1105MFV,L3XHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=2.2K, Q1BER
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+26.13 грн
14+ 20.56 грн
100+ 10.91 грн
500+ 6.74 грн
1000+ 4.58 грн
2000+ 4.13 грн
Мінімальне замовлення: 12
RN1103MFV,L3F(CT docget.jsp?did=5879&prodName=RN1103MFV
RN1103MFV,L3F(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
товар відсутній
RN1103MFV,L3F(CT docget.jsp?did=5879&prodName=RN1103MFV
RN1103MFV,L3F(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+13.44 грн
24+ 12.08 грн
100+ 6.57 грн
Мінімальне замовлення: 23
RN1108MFV,L3F docget.jsp?did=5880&prodName=RN1108MFV
RN1108MFV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8000+2.19 грн
16000+ 1.84 грн
24000+ 1.65 грн
Мінімальне замовлення: 8000
RN1108MFV,L3F docget.jsp?did=5880&prodName=RN1108MFV
RN1108MFV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
на замовлення 31576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+13.44 грн
24+ 12.08 грн
100+ 6.57 грн
500+ 3.79 грн
1000+ 2.59 грн
2000+ 2.2 грн
Мінімальне замовлення: 23
TK5R3E08QM,S1X docget.jsp?did=70421&prodName=TK5R3E08QM
TK5R3E08QM,S1X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: UMOS10 TO-220AB 80V 5.3MOHM
товар відсутній
TK3R2A08QM,S4X TK3R2A08QM_datasheet_en_20210201.pdf?did=70417&prodName=TK3R2A08QM
TK3R2A08QM,S4X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: UMOS10 TO-220SIS 80V 3.2MOHM
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+156.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK5R1A08QM,S4X
TK5R1A08QM,S4X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: UMOS10 TO-220SIS 80V 5.1MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 40 V
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+118.7 грн
10+ 102.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 21 42 63 84 105 126 147 168 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 189 210 218  [ Наступна Сторінка >> ]