Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13538) > Сторінка 154 з 226

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 176 198 220 226  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TLP3547(TP1,F TLP3547(TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=36853&prodName=TLP3547 Description: SSR RELAY SPST-NO 5A 0-60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.64VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 5 A
Supplier Device Package: 8-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 50 mOhms
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
на замовлення 5236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+505.07 грн
10+432.87 грн
25+413.40 грн
50+374.64 грн
100+361.80 грн
250+345.46 грн
500+328.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3556A(TP1,F TLP3556A(TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20230529.pdf?did=60315 Description: SSR RELAY SPST-NO 2A 0-100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.64VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 2 A
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 100 V
On-State Resistance (Max): 200 mOhms
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+151.52 грн
3000+140.90 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3556A(TP1,F TLP3556A(TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20230529.pdf?did=60315 Description: SSR RELAY SPST-NO 2A 0-100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.64VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 2 A
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 100 V
On-State Resistance (Max): 200 mOhms
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
на замовлення 3954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+218.35 грн
10+187.81 грн
25+179.34 грн
50+162.52 грн
100+156.96 грн
250+149.88 грн
500+142.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3556(TP1,F) TLP3556(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP3556_datasheet_en_20200325.pdf?did=11952&prodName=TLP3556 Description: SSR RELAY SPST-NO 1A 0-100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.33VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 1 A
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 100 V
On-State Resistance (Max): 700 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J15FS,LF SSM3J15FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22746&prodName=SSM3J15FS Description: MOSFET P-CH 30V 100MA SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.02 грн
6000+2.60 грн
9000+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J15FS,LF SSM3J15FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22746&prodName=SSM3J15FS Description: MOSFET P-CH 30V 100MA SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V
на замовлення 9736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.54 грн
34+8.83 грн
100+5.48 грн
500+3.76 грн
1000+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R006PL,L1Q TPH7R006PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=55699&prodName=TPH7R006PL Description: MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1875 pF @ 30 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+19.07 грн
10000+17.15 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R006PL,L1Q TPH7R006PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=55699&prodName=TPH7R006PL Description: MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1875 pF @ 30 V
на замовлення 15895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.59 грн
10+49.53 грн
100+32.66 грн
500+23.82 грн
1000+21.62 грн
2000+19.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TB9057FG TB9057FG Toshiba Semiconductor and Storage TB9057FG_datasheet_en_20210118.pdf?did=65112&prodName=TB9057FG Description: AUTOMOTIVE MOTOR H-BRIDGE DRIVER
Packaging: Tray
Package / Case: 48-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output Configuration: Pre-Driver
Voltage - Supply: 5V ~ 21V
Technology: Bi-CMOS
Supplier Device Package: 48-LQFP (7x7)
Motor Type - Stepper: Bipolar
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+769.26 грн
10+668.87 грн
25+637.75 грн
80+519.70 грн
250+496.34 грн
500+452.54 грн
1000+387.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK190U65Z,RQ TK190U65Z,RQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69977&prodName=TK190U65Z Description: DTMOS VI TOLL PD=130W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 610µA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 300 V
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+306.15 грн
10+194.70 грн
100+138.05 грн
500+120.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR6503PL1,LQ TPHR6503PL1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPHR6503PL1_datasheet_en_20200626.pdf?did=69019&prodName=TPHR6503PL1 Description: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=210W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+59.12 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR6503PL1,LQ TPHR6503PL1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPHR6503PL1_datasheet_en_20200626.pdf?did=69019&prodName=TPHR6503PL1 Description: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=210W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
на замовлення 8819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+207.47 грн
10+129.22 грн
100+89.18 грн
500+67.63 грн
1000+64.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK190A65Z,S4X TK190A65Z,S4X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=67746&prodName=TK190A65Z Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 610µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 300 V
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+279.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK090A65Z,S4X TK090A65Z,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK090A65Z_datasheet_en_20181120.pdf?did=63648&prodName=TK090A65Z Description: MOSFET N-CH 650V 30A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+320.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5231(D4-TP,E TLP5231(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5231_Prelim_DS.pdf Description: OPTOISO 5KV 2CH GATE DVR 16SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.7V (Max)
Current - Peak Output: 2.5A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 1A, 1A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CQC, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 16-SO
Rise / Fall Time (Typ): 50ns, 50ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 25kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 300ns, 300ns
Pulse Width Distortion (Max): 150ns
Part Status: Active
Number of Channels: 2
Current - DC Forward (If) (Max): 25 mA
Voltage - Output Supply: 21V ~ 30V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+190.95 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5231(D4-TP,E TLP5231(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5231_Prelim_DS.pdf Description: OPTOISO 5KV 2CH GATE DVR 16SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.7V (Max)
Current - Peak Output: 2.5A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 1A, 1A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CQC, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 16-SO
Rise / Fall Time (Typ): 50ns, 50ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 25kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 300ns, 300ns
Pulse Width Distortion (Max): 150ns
Part Status: Active
Number of Channels: 2
Current - DC Forward (If) (Max): 25 mA
Voltage - Output Supply: 21V ~ 30V
на замовлення 2452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+383.86 грн
10+275.58 грн
100+220.08 грн
500+183.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLP523-2(YASK,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP523(SHRP-MA,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP523(ADCHI-PP,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP523(TOJS,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP523(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP523(PP,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP523-2(F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP523(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP523-2(MBS,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP523-2(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP523(F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1303,LF RN1303,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18776&prodName=RN1303 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1303,LF RN1303,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18776&prodName=RN1303 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TLX9000(TPL,F TLX9000(TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLX9000_datasheet_en_20190628.pdf?did=53129&prodName=TLX9000 Description: TR COUPLER; SO4; AECQ; ROHS; T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 900% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SO
Voltage - Output (Max): 40V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 15µs, 50µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLX9000(TPL,F TLX9000(TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLX9000_datasheet_en_20190628.pdf?did=53129&prodName=TLX9000 Description: TR COUPLER; SO4; AECQ; ROHS; T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 900% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SO
Voltage - Output (Max): 40V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 15µs, 50µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+257.98 грн
10+166.94 грн
100+125.13 грн
500+101.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK28V65W5,LQ TK28V65W5,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK28V65W5_datasheet_en_20160830.pdf?did=52955&prodName=TK28V65W5 Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 13.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.6mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+230.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TK28V65W5,LQ TK28V65W5,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK28V65W5_datasheet_en_20160830.pdf?did=52955&prodName=TK28V65W5 Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 13.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.6mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+534.60 грн
10+348.69 грн
100+254.67 грн
500+208.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK28V65W,LQ TK28V65W,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK28V65W_datasheet_en_20151225.pdf?did=30291&prodName=TK28V65W Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 13.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.6mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+167.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TK28V65W,LQ TK28V65W,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK28V65W_datasheet_en_20151225.pdf?did=30291&prodName=TK28V65W Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 13.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.6mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 4966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+512.84 грн
10+333.50 грн
100+242.95 грн
500+197.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31Z60X,S1F TK31Z60X,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK31Z60X_datasheet_en_20171206.pdf?did=30412&prodName=TK31Z60X Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(T)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+965.85 грн
10+839.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PL1,LQ TPH1R204PL1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R204PL1_datasheet_en_20200626.pdf?did=69120&prodName=TPH1R204PL1 Description: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PL1,LQ TPH1R204PL1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R204PL1_datasheet_en_20200626.pdf?did=69120&prodName=TPH1R204PL1 Description: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 20 V
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+147.64 грн
10+91.06 грн
100+61.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TB67S209FTG(O,EL) TB67S209FTG(O,EL) Toshiba Semiconductor and Storage TB67S209FTG_datasheet_en_20161027.pdf?did=55411&prodName=TB67S209FTG Description: IC MOTOR DRIVER BIPOLAR 48WQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 3A
Interface: Parallel
Operating Temperature: -20°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 10V ~ 47V
Supplier Device Package: 48-WQFN (7x7)
Motor Type - Stepper: Bipolar
Step Resolution: 1 ~ 1/32
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB67S209FTG(O,EL) TB67S209FTG(O,EL) Toshiba Semiconductor and Storage TB67S209FTG_datasheet_en_20161027.pdf?did=55411&prodName=TB67S209FTG Description: IC MOTOR DRIVER BIPOLAR 48WQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 3A
Interface: Parallel
Operating Temperature: -20°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 10V ~ 47V
Supplier Device Package: 48-WQFN (7x7)
Motor Type - Stepper: Bipolar
Step Resolution: 1 ~ 1/32
на замовлення 4758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+209.80 грн
10+151.67 грн
25+139.03 грн
100+117.37 грн
250+111.14 грн
500+107.38 грн
1000+102.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3109(TP,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=29899&prodName=TLP3109 Description: SSR RELAY SPST-NO 2A 0-100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3109(F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=29899&prodName=TLP3109 Description: SSR RELAY SPST-NO 2A 0-100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CUS357,H3F CUS357,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS357_datasheet_en_20230708.pdf?did=13247&prodName=CUS357 Description: DIODE SCHOTTKY 40V 100MA USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 11pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 40 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.72 грн
6000+1.57 грн
9000+1.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CUS357,H3F CUS357,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS357_datasheet_en_20230708.pdf?did=13247&prodName=CUS357 Description: DIODE SCHOTTKY 40V 100MA USC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 11pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 40 V
на замовлення 14310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.43 грн
43+7.03 грн
100+4.09 грн
500+2.96 грн
1000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1L,LXHQ TK33S10N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK33S10N1L_datasheet_en_20200624.pdf?did=36286&prodName=TK33S10N1L Description: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 10 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+38.19 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1L,LXHQ TK33S10N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK33S10N1L_datasheet_en_20200624.pdf?did=36286&prodName=TK33S10N1L Description: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 10 V
на замовлення 3536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.87 грн
10+81.78 грн
100+55.04 грн
500+40.89 грн
1000+37.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3052A(F TLP3052A(F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3052AF_datasheet_en_20201022.pdf?did=30349&prodName=TLP3052AF Description: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 1CH 6-DIP
Packaging: Box
Package / Case: 6-DIP (0.400", 10.16mm), 5 Leads
Output Type: Triac
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Current - Hold (Ih): 600µA
Supplier Device Package: 6-DIP
Zero Crossing Circuit: No
Static dV/dt (Min): 2kV/µs (Typ)
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 100 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NL1,LQ TPHR9003NL1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69022&prodName=TPHR9003NL1 Description: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=78W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NL1,LQ TPHR9003NL1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69022&prodName=TPHR9003NL1 Description: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=78W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9203PL1,LQ TPHR9203PL1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69038&prodName=TPHR9203PL1 Description: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7540 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9203PL1,LQ TPHR9203PL1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69038&prodName=TPHR9203PL1 Description: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7540 pF @ 15 V
на замовлення 6098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.62 грн
10+99.74 грн
100+67.84 грн
500+50.83 грн
1000+46.70 грн
2000+43.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RN4985FE,LF(CT RN4985FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19050&prodName=RN4985FE Description: NPN + PNP BRT Q1BSR2.2KOHM Q1BER
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+3.34 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
RN4985FE,LF(CT RN4985FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19050&prodName=RN4985FE Description: NPN + PNP BRT Q1BSR2.2KOHM Q1BER
на замовлення 6141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.65 грн
22+14.22 грн
100+7.53 грн
500+4.65 грн
1000+3.16 грн
2000+2.85 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
TPW1R005PL,L1Q TPW1R005PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=56279&prodName=TPW1R005PL Description: MOSFET N-CH 45V 300A 8DSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 22.5 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+90.43 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPW1R005PL,L1Q TPW1R005PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=56279&prodName=TPW1R005PL Description: MOSFET N-CH 45V 300A 8DSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 22.5 V
на замовлення 13537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+267.30 грн
10+169.11 грн
100+118.84 грн
500+100.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLP759(TP1,J,F) TLP759(TP1,J,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP759_datasheet_en_20190610.pdf?did=16868&prodName=TLP759 Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 8-DIP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.65V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 8mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 20% @ 16mA
Supplier Device Package: 8-DIP
Voltage - Output (Max): 20V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 200ns, 300ns
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 25 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP759(D4-TP1,J,F) TLP759(D4-TP1,J,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP759_datasheet_en_20190610.pdf?did=16868&prodName=TLP759 Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 8-DIP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.65V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 8mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 20% @ 16mA
Supplier Device Package: 8-DIP
Voltage - Output (Max): 20V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 200ns, 300ns
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 25 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP759(J,F) TLP759(J,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP759_datasheet_en_20190610.pdf?did=16868&prodName=TLP759 Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 8-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.65V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 8mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 20% @ 16mA
Supplier Device Package: 8-DIP
Voltage - Output (Max): 20V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 200ns, 300ns
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 25 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP759(LF1,J,F) TLP759(LF1,J,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP759_datasheet_en_20190610.pdf?did=16868&prodName=TLP759 Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 8-SMD
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.65V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 8mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 20% @ 16mA
Supplier Device Package: 8-SMD
Voltage - Output (Max): 20V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 200ns, 300ns
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 25 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP759(D4,J,F) TLP759(D4,J,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP759_datasheet_en_20190610.pdf?did=16868&prodName=TLP759 Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 8-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.65V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 8mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 20% @ 16mA
Supplier Device Package: 8-DIP
Voltage - Output (Max): 20V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 200ns, 300ns
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 25 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3547(TP1,F docget.jsp?did=36853&prodName=TLP3547
TLP3547(TP1,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 5A 0-60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.64VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 5 A
Supplier Device Package: 8-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 50 mOhms
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
на замовлення 5236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+505.07 грн
10+432.87 грн
25+413.40 грн
50+374.64 грн
100+361.80 грн
250+345.46 грн
500+328.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3556A(TP1,F datasheet_en_20230529.pdf?did=60315
TLP3556A(TP1,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 2A 0-100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.64VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 2 A
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 100 V
On-State Resistance (Max): 200 mOhms
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+151.52 грн
3000+140.90 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3556A(TP1,F datasheet_en_20230529.pdf?did=60315
TLP3556A(TP1,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 2A 0-100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.64VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 2 A
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 100 V
On-State Resistance (Max): 200 mOhms
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
на замовлення 3954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+218.35 грн
10+187.81 грн
25+179.34 грн
50+162.52 грн
100+156.96 грн
250+149.88 грн
500+142.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3556(TP1,F) TLP3556_datasheet_en_20200325.pdf?did=11952&prodName=TLP3556
TLP3556(TP1,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 1A 0-100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.33VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 1 A
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 100 V
On-State Resistance (Max): 700 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J15FS,LF docget.jsp?did=22746&prodName=SSM3J15FS
SSM3J15FS,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 100MA SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.02 грн
6000+2.60 грн
9000+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J15FS,LF docget.jsp?did=22746&prodName=SSM3J15FS
SSM3J15FS,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 100MA SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V
на замовлення 9736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+15.54 грн
34+8.83 грн
100+5.48 грн
500+3.76 грн
1000+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R006PL,L1Q docget.jsp?did=55699&prodName=TPH7R006PL
TPH7R006PL,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1875 pF @ 30 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+19.07 грн
10000+17.15 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH7R006PL,L1Q docget.jsp?did=55699&prodName=TPH7R006PL
TPH7R006PL,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1875 pF @ 30 V
на замовлення 15895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+81.59 грн
10+49.53 грн
100+32.66 грн
500+23.82 грн
1000+21.62 грн
2000+19.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TB9057FG TB9057FG_datasheet_en_20210118.pdf?did=65112&prodName=TB9057FG
TB9057FG
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTOMOTIVE MOTOR H-BRIDGE DRIVER
Packaging: Tray
Package / Case: 48-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output Configuration: Pre-Driver
Voltage - Supply: 5V ~ 21V
Technology: Bi-CMOS
Supplier Device Package: 48-LQFP (7x7)
Motor Type - Stepper: Bipolar
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+769.26 грн
10+668.87 грн
25+637.75 грн
80+519.70 грн
250+496.34 грн
500+452.54 грн
1000+387.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK190U65Z,RQ docget.jsp?did=69977&prodName=TK190U65Z
TK190U65Z,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DTMOS VI TOLL PD=130W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 610µA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 300 V
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+306.15 грн
10+194.70 грн
100+138.05 грн
500+120.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR6503PL1,LQ TPHR6503PL1_datasheet_en_20200626.pdf?did=69019&prodName=TPHR6503PL1
TPHR6503PL1,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=210W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+59.12 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR6503PL1,LQ TPHR6503PL1_datasheet_en_20200626.pdf?did=69019&prodName=TPHR6503PL1
TPHR6503PL1,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=210W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
на замовлення 8819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+207.47 грн
10+129.22 грн
100+89.18 грн
500+67.63 грн
1000+64.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK190A65Z,S4X docget.jsp?did=67746&prodName=TK190A65Z
TK190A65Z,S4X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 610µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 300 V
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+279.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK090A65Z,S4X TK090A65Z_datasheet_en_20181120.pdf?did=63648&prodName=TK090A65Z
TK090A65Z,S4X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 30A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+320.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5231(D4-TP,E TLP5231_Prelim_DS.pdf
TLP5231(D4-TP,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 5KV 2CH GATE DVR 16SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.7V (Max)
Current - Peak Output: 2.5A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 1A, 1A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CQC, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 16-SO
Rise / Fall Time (Typ): 50ns, 50ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 25kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 300ns, 300ns
Pulse Width Distortion (Max): 150ns
Part Status: Active
Number of Channels: 2
Current - DC Forward (If) (Max): 25 mA
Voltage - Output Supply: 21V ~ 30V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+190.95 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5231(D4-TP,E TLP5231_Prelim_DS.pdf
TLP5231(D4-TP,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 5KV 2CH GATE DVR 16SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.7V (Max)
Current - Peak Output: 2.5A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 1A, 1A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CQC, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 16-SO
Rise / Fall Time (Typ): 50ns, 50ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 25kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 300ns, 300ns
Pulse Width Distortion (Max): 150ns
Part Status: Active
Number of Channels: 2
Current - DC Forward (If) (Max): 25 mA
Voltage - Output Supply: 21V ~ 30V
на замовлення 2452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+383.86 грн
10+275.58 грн
100+220.08 грн
500+183.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLP523-2(YASK,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP523(SHRP-MA,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP523(ADCHI-PP,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP523(TOJS,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP523(TP1,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP523(PP,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP523-2(F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP523(LF1,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP523-2(MBS,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP523-2(LF1,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP523(F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1303,LF docget.jsp?did=18776&prodName=RN1303
RN1303,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1303,LF docget.jsp?did=18776&prodName=RN1303
RN1303,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TLX9000(TPL,F TLX9000_datasheet_en_20190628.pdf?did=53129&prodName=TLX9000
TLX9000(TPL,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TR COUPLER; SO4; AECQ; ROHS; T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 900% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SO
Voltage - Output (Max): 40V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 15µs, 50µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLX9000(TPL,F TLX9000_datasheet_en_20190628.pdf?did=53129&prodName=TLX9000
TLX9000(TPL,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TR COUPLER; SO4; AECQ; ROHS; T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 900% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SO
Voltage - Output (Max): 40V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 15µs, 50µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+257.98 грн
10+166.94 грн
100+125.13 грн
500+101.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK28V65W5,LQ TK28V65W5_datasheet_en_20160830.pdf?did=52955&prodName=TK28V65W5
TK28V65W5,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 13.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.6mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+230.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TK28V65W5,LQ TK28V65W5_datasheet_en_20160830.pdf?did=52955&prodName=TK28V65W5
TK28V65W5,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 13.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.6mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+534.60 грн
10+348.69 грн
100+254.67 грн
500+208.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK28V65W,LQ TK28V65W_datasheet_en_20151225.pdf?did=30291&prodName=TK28V65W
TK28V65W,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 13.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.6mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+167.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TK28V65W,LQ TK28V65W_datasheet_en_20151225.pdf?did=30291&prodName=TK28V65W
TK28V65W,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 13.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.6mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 4966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+512.84 грн
10+333.50 грн
100+242.95 грн
500+197.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31Z60X,S1F TK31Z60X_datasheet_en_20171206.pdf?did=30412&prodName=TK31Z60X
TK31Z60X,S1F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(T)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+965.85 грн
10+839.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PL1,LQ TPH1R204PL1_datasheet_en_20200626.pdf?did=69120&prodName=TPH1R204PL1
TPH1R204PL1,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PL1,LQ TPH1R204PL1_datasheet_en_20200626.pdf?did=69120&prodName=TPH1R204PL1
TPH1R204PL1,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 20 V
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.64 грн
10+91.06 грн
100+61.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TB67S209FTG(O,EL) TB67S209FTG_datasheet_en_20161027.pdf?did=55411&prodName=TB67S209FTG
TB67S209FTG(O,EL)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MOTOR DRIVER BIPOLAR 48WQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 3A
Interface: Parallel
Operating Temperature: -20°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 10V ~ 47V
Supplier Device Package: 48-WQFN (7x7)
Motor Type - Stepper: Bipolar
Step Resolution: 1 ~ 1/32
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB67S209FTG(O,EL) TB67S209FTG_datasheet_en_20161027.pdf?did=55411&prodName=TB67S209FTG
TB67S209FTG(O,EL)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MOTOR DRIVER BIPOLAR 48WQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 3A
Interface: Parallel
Operating Temperature: -20°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 10V ~ 47V
Supplier Device Package: 48-WQFN (7x7)
Motor Type - Stepper: Bipolar
Step Resolution: 1 ~ 1/32
на замовлення 4758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+209.80 грн
10+151.67 грн
25+139.03 грн
100+117.37 грн
250+111.14 грн
500+107.38 грн
1000+102.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3109(TP,F docget.jsp?did=29899&prodName=TLP3109
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 2A 0-100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3109(F docget.jsp?did=29899&prodName=TLP3109
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 2A 0-100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CUS357,H3F CUS357_datasheet_en_20230708.pdf?did=13247&prodName=CUS357
CUS357,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 100MA USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 11pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 40 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.72 грн
6000+1.57 грн
9000+1.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CUS357,H3F CUS357_datasheet_en_20230708.pdf?did=13247&prodName=CUS357
CUS357,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 100MA USC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 11pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 40 V
на замовлення 14310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+12.43 грн
43+7.03 грн
100+4.09 грн
500+2.96 грн
1000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1L,LXHQ TK33S10N1L_datasheet_en_20200624.pdf?did=36286&prodName=TK33S10N1L
TK33S10N1L,LXHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 10 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+38.19 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1L,LXHQ TK33S10N1L_datasheet_en_20200624.pdf?did=36286&prodName=TK33S10N1L
TK33S10N1L,LXHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 10 V
на замовлення 3536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.87 грн
10+81.78 грн
100+55.04 грн
500+40.89 грн
1000+37.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3052A(F TLP3052AF_datasheet_en_20201022.pdf?did=30349&prodName=TLP3052AF
TLP3052A(F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 1CH 6-DIP
Packaging: Box
Package / Case: 6-DIP (0.400", 10.16mm), 5 Leads
Output Type: Triac
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Current - Hold (Ih): 600µA
Supplier Device Package: 6-DIP
Zero Crossing Circuit: No
Static dV/dt (Min): 2kV/µs (Typ)
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 100 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NL1,LQ docget.jsp?did=69022&prodName=TPHR9003NL1
TPHR9003NL1,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=78W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NL1,LQ docget.jsp?did=69022&prodName=TPHR9003NL1
TPHR9003NL1,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=78W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9203PL1,LQ docget.jsp?did=69038&prodName=TPHR9203PL1
TPHR9203PL1,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7540 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9203PL1,LQ docget.jsp?did=69038&prodName=TPHR9203PL1
TPHR9203PL1,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7540 pF @ 15 V
на замовлення 6098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+161.62 грн
10+99.74 грн
100+67.84 грн
500+50.83 грн
1000+46.70 грн
2000+43.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RN4985FE,LF(CT docget.jsp?did=19050&prodName=RN4985FE
RN4985FE,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPN + PNP BRT Q1BSR2.2KOHM Q1BER
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+3.34 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
RN4985FE,LF(CT docget.jsp?did=19050&prodName=RN4985FE
RN4985FE,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPN + PNP BRT Q1BSR2.2KOHM Q1BER
на замовлення 6141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+18.65 грн
22+14.22 грн
100+7.53 грн
500+4.65 грн
1000+3.16 грн
2000+2.85 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
TPW1R005PL,L1Q docget.jsp?did=56279&prodName=TPW1R005PL
TPW1R005PL,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 45V 300A 8DSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 22.5 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+90.43 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPW1R005PL,L1Q docget.jsp?did=56279&prodName=TPW1R005PL
TPW1R005PL,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 45V 300A 8DSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 22.5 V
на замовлення 13537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+267.30 грн
10+169.11 грн
100+118.84 грн
500+100.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLP759(TP1,J,F) TLP759_datasheet_en_20190610.pdf?did=16868&prodName=TLP759
TLP759(TP1,J,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 8-DIP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.65V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 8mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 20% @ 16mA
Supplier Device Package: 8-DIP
Voltage - Output (Max): 20V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 200ns, 300ns
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 25 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP759(D4-TP1,J,F) TLP759_datasheet_en_20190610.pdf?did=16868&prodName=TLP759
TLP759(D4-TP1,J,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 8-DIP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.65V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 8mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 20% @ 16mA
Supplier Device Package: 8-DIP
Voltage - Output (Max): 20V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 200ns, 300ns
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 25 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP759(J,F) TLP759_datasheet_en_20190610.pdf?did=16868&prodName=TLP759
TLP759(J,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 8-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.65V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 8mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 20% @ 16mA
Supplier Device Package: 8-DIP
Voltage - Output (Max): 20V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 200ns, 300ns
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 25 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP759(LF1,J,F) TLP759_datasheet_en_20190610.pdf?did=16868&prodName=TLP759
TLP759(LF1,J,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 8-SMD
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.65V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 8mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 20% @ 16mA
Supplier Device Package: 8-SMD
Voltage - Output (Max): 20V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 200ns, 300ns
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 25 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP759(D4,J,F) TLP759_datasheet_en_20190610.pdf?did=16868&prodName=TLP759
TLP759(D4,J,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 8-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.65V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 8mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 20% @ 16mA
Supplier Device Package: 8-DIP
Voltage - Output (Max): 20V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 200ns, 300ns
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 25 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 176 198 220 226  [ Наступна Сторінка >> ]