Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13580) > Сторінка 44 з 227

Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 22 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 66 88 110 132 154 176 198 220 227  Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TC75S101F(TE85L,F) TC75S101F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TC75S101F_FU_FE_2014-03-01.pdf Description: IC OPAMP GP 1 CIRCUIT SMV
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
Voltage - Supply Span (Min): 1.5 V
Current - Output / Channel: 1.5 mA
Number of Circuits: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Input Offset: 1.2 mV
Current - Input Bias: 0.1 pA
Slew Rate: 0.15V/µs
Current - Supply: 63µA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Amplifier Type: General Purpose
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.19 грн
10+32.38 грн
25+30.37 грн
100+25.80 грн
250+24.16 грн
500+22.99 грн
1000+21.46 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC75S51F,LF TC75S51F,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=21004&prodName=TC75S51F Description: IC OPAMP GP 1 CIRCUIT SMV
Voltage - Supply Span (Max): 7 V
Voltage - Supply Span (Min): 1.5 V
Number of Circuits: 1
Part Status: Active
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Input Offset: 2 mV
Current - Input Bias: 1 pA
Slew Rate: 0.5V/µs
Current - Supply: 60µA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Amplifier Type: General Purpose
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.73 грн
20+15.25 грн
25+13.59 грн
100+10.98 грн
250+10.13 грн
500+9.62 грн
1000+9.05 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC75S51FU(TE85L,F) TC75S51FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC75S51F Description: IC OPAMP GP 5SSOP
на замовлення 3468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TC7S02FUT5LFT TC7S02FUT5LFT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=20182&prodName=TC7S02FU Description: IC GATE NOR 1CH 2-INP USV
на замовлення 1847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TC7S04FU,LF TC7S04FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=20188&prodName=TC7S04F Description: IC INVERTER 1CH 1-INP 5SSOP
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Supplier Device Package: 5-SSOP
Number of Inputs: 1
Current - Output High, Low: 2.6mA, 2.6mA
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Logic Type: Inverter
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Quiescent (Max): 1 µA
Number of Circuits: 1
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 17ns @ 6V, 50pF
на замовлення 48464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.14 грн
14+23.10 грн
25+20.26 грн
100+12.30 грн
250+10.18 грн
500+8.14 грн
1000+6.14 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SH86F,LJ(CT TC7SH86F,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SH86F_datasheet_en_20171221.pdf?did=20106&prodName=TC7SH86F Description: IC GATE XOR 1CH 2-INP SMV
Current - Quiescent (Max): 1 µA
Number of Circuits: 1
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 17ns @ 6V, 50pF
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Supplier Device Package: SMV
Number of Inputs: 2
Current - Output High, Low: 2.6mA, 2.6mA
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Logic Type: XOR (Exclusive OR)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.97 грн
45+6.79 грн
51+5.98 грн
100+4.77 грн
250+4.35 грн
500+4.11 грн
1000+3.84 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7S86FUT5LFT TC7S86FUT5LFT Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC GATE XOR 1CH 2-INP 5SSOP
Current - Output High, Low: 2.6mA, 2.6mA
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Logic Type: XOR (Exclusive OR)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Quiescent (Max): 1 µA
Number of Circuits: 1
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 17ns @ 6V, 50pF
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Supplier Device Package: 5-SSOP
Number of Inputs: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SH04FUT5LJFT TC7SH04FUT5LJFT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7SH04FU Description: IC INVERTER SNGL USV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SH14FU,LJ(CT TC7SH14FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SH14FU_datasheet_en_20170516.pdf?did=30516&prodName=TC7SH14FU Description: IC INVERT SCHMITT 1CH 1INP 5SSOP
Current - Quiescent (Max): 2 µA
Number of Circuits: 1
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 10.6ns @ 5V, 50pF
Input Logic Level - Low: 0.9V ~ 1.65V
Input Logic Level - High: 2.2V ~ 3.85V
Supplier Device Package: 5-SSOP
Number of Inputs: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Logic Type: Inverter
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Features: Schmitt Trigger
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.05 грн
68+4.45 грн
78+3.89 грн
100+3.09 грн
250+2.81 грн
500+2.64 грн
1000+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7W14FU,LF TC7W14FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=20210&prodName=TC7W14FU Description: IC INVERT SCHMITT 3CH 3INP 8SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Schmitt Trigger
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 3
Supplier Device Package: 8-SSOP
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.3V ~ 1.5V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 21ns @ 6V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 3
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 5333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.81 грн
25+12.23 грн
28+10.84 грн
100+8.72 грн
250+8.03 грн
500+7.62 грн
1000+7.16 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7W241FUTE12LF TC7W241FUTE12LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=20228&prodName=TC7W241FU Description: IC BUFFER NON-INVERT 6V SM8
на замовлення 2271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.14 грн
12+26.49 грн
25+24.73 грн
100+18.55 грн
250+17.22 грн
500+14.57 грн
1000+11.08 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7W53FUTE12LF TC7W53FUTE12LF Toshiba Semiconductor and Storage 7442.pdf Description: IC MUX/DEMUX 1X2 8SSOP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WT126FU,LF TC7WT126FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC7WT126FU.pdf Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V SM8
на замовлення 1126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.92 грн
12+25.81 грн
25+23.61 грн
100+16.48 грн
250+14.95 грн
500+12.37 грн
1000+9.12 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WT240FUTE12LF TC7WT240FUTE12LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=20093&prodName=TC7WT240FU Description: IC BUFFER INVERT 5.5V SM8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WT241FUTE12LF TC7WT241FUTE12LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7WT241FU Description: IC BUS BUFFER TRI-ST N-INV SM8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WT74FUTE12LF TC7WT74FUTE12LF Toshiba Semiconductor and Storage TC7WT4FU.pdf Description: IC FLIP FLOP D PRESET/CLR 8SSOP
на замовлення 2120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1SS196(TE85L,F) 1SS196(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS196_datasheet_en_20210625.pdf?did=3274&prodName=1SS196 Description: DIODE STANDARD 80V 100MA SC593
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: SC-59-3
на замовлення 6135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.81 грн
27+11.25 грн
50+8.05 грн
100+6.57 грн
500+4.82 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SS190TE85LF 1SS190TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS190_datasheet_en_20221128.pdf?did=3270&prodName=1SS190 Description: DIODE STANDARD 80V 100MA SC593
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: SC-59-3
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 30589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.16 грн
24+12.60 грн
50+9.04 грн
100+7.38 грн
500+5.43 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SS302TE85LF 1SS302TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS302.pdf Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SC-70
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SS306TE85LF 1SS306TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS306_datasheet_en_20221020.pdf?did=3298&prodName=1SS306 Description: DIODE ARRAY GP 200V 100MA SC-61B
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: SC-61B
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Diode Configuration: 2 Independent
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-61AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Technology: Standard
на замовлення 9913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.28 грн
10+72.46 грн
100+48.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SS362TE85LF 1SS362TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS362FV_datasheet_en_20221202.pdf?did=22527&prodName=1SS362FV Description: DIODE ARRAY GP 80V 80MA SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80mA
Supplier Device Package: SSM
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 14409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.38 грн
25+12.23 грн
50+8.77 грн
100+7.16 грн
500+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SS367,H3F 1SS367,H3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=3342&prodName=1SS367 Description: DIODE SCHOTTKY 10V 100MA USC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 10 V
на замовлення 31424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.11 грн
36+8.45 грн
51+6.01 грн
100+4.89 грн
500+3.56 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SS370TE85LF 1SS370TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: DIODE GEN PURP 200V 100MA SC70
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: SC-70
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SS379,LF 1SS379,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS379_datasheet_en_20210625.pdf?did=3356&prodName=1SS379 Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC59
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 nA @ 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: SC-59
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Technology: Standard
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 29956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.00 грн
17+18.27 грн
100+12.36 грн
500+9.02 грн
1000+8.15 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SS382TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: DIODE ARRAY GEN PURP 80V 100MA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 18925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.57 грн
17+18.42 грн
50+13.27 грн
100+10.88 грн
500+8.10 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SS384TE85LF 1SS384TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS384_datasheet_en_20180907.pdf?did=3362&prodName=1SS384 Description: DIODE ARRAY SCHOTT 10V 100MA USQ
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 10 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10 V
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: USQ
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: Schottky
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-82
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.95 грн
23+13.44 грн
100+8.54 грн
500+6.65 грн
1000+5.94 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SS394TE85LF 1SS394TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS394_datasheet_en_20171030.pdf?did=3380&prodName=1SS394 Description: DIODE SCHOTTKY 10V 100MA SC59
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 10 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: SC-59
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.16 грн
24+12.60 грн
100+7.87 грн
500+5.45 грн
1000+4.82 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SS397TE85LF 1SS397TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS397_datasheet_en_20210625.pdf?did=3386&prodName=1SS397 Description: DIODE GEN PURP 400V 100MA SC70
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: SC-70
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SS398TE85LF 1SS398TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS398_datasheet_en_20210625.pdf?did=3389&prodName=1SS398 Description: DIODE ARRAY GP 400V 100MA S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: S-Mini
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 400 V
на замовлення 57574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.46 грн
12+27.17 грн
100+17.38 грн
500+12.34 грн
1000+11.06 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SS399TE85LF 1SS399TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=3391&prodName=1SS399 Description: DIODE ARRAY GP 400V 100MA SC61B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SS402TE85LF 1SS402TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS402_datasheet_en_20140301.pdf?did=3395&prodName=1SS402 Description: DIODE ARRAY SCHOTT 20V 50MA USQ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50mA
Supplier Device Package: USQ
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 50 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 20 V
на замовлення 13683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.57 грн
18+17.74 грн
100+11.15 грн
500+7.79 грн
1000+6.93 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SS404,H3F 1SS404,H3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=3400&prodName=1SS404 Description: DIODE SCHOTTKY 20V 300MA USC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 46pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 300mA
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 300 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 20 V
на замовлення 101459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.11 грн
36+8.45 грн
100+5.22 грн
500+3.57 грн
1000+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1163-GR,LF 2SA1163-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19353&prodName=2SA1163 Description: TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.03 грн
30+10.34 грн
100+6.44 грн
500+4.43 грн
1000+3.91 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1587-GR,LF 2SA1587-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19172&prodName=2SA1587 Description: TRANS PNP 120V 0.1A SC-70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 17936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.11 грн
36+8.53 грн
100+5.25 грн
500+3.60 грн
1000+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1954BTE85LF 2SA1954BTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PNP 12V 0.5A SC-70
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SC-70
Frequency - Transition: 130MHz
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1955FVATPL3Z 2SA1955FVATPL3Z Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1955FV.pdf Description: TRANS PNP 12V 0.4A CST3
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Current - Collector (Ic) (Max): 400 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: CST3
Frequency - Transition: 130MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.65 грн
19+16.00 грн
100+10.06 грн
500+7.01 грн
1000+6.23 грн
2000+5.57 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1955FVBTPL3Z 2SA1955FVBTPL3Z Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1955FV.pdf Description: TRANS PNP 12V 0.4A VESM
Frequency - Transition: 130MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Current - Collector (Ic) (Max): 400 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.65 грн
19+16.00 грн
100+10.06 грн
500+7.01 грн
1000+6.23 грн
2000+5.57 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-OTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS NPN 50V 0.15A TO-236
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 12401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.11 грн
39+7.93 грн
100+4.89 грн
500+3.34 грн
1000+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2713-BL,LF 2SC2713-BL,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2713.pdf Description: TRANS NPN 120V 0.1A TO-236
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.81 грн
29+10.72 грн
100+6.67 грн
500+4.60 грн
1000+4.06 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2713-GR,LF 2SC2713-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19229&prodName=2SC2713 Description: TRANS NPN 120V 0.1A TO-236
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 25776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.03 грн
29+10.42 грн
100+6.45 грн
500+4.45 грн
1000+3.92 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3325-Y,LF 2SC3325-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19247&prodName=2SC3325 Description: TRANS NPN 50V 0.5A S-MINI
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: S-Mini
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 30423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.81 грн
28+11.02 грн
100+6.88 грн
500+4.75 грн
1000+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3326-B,LF 2SC3326-B,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19249&prodName=2SC3326 Description: TRANS NPN 20V 0.3A TO-236
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236
Frequency - Transition: 30MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.08 грн
21+14.79 грн
100+9.25 грн
500+6.44 грн
1000+5.71 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4116-BL,LF 2SC4116-BL,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19292&prodName=2SC4116 Description: TRANS NPN 50V 0.15A SC-70
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.54 грн
43+7.17 грн
100+4.41 грн
500+3.00 грн
1000+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4213BTE85LF 2SC4213BTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4213_datasheet_en_20210625.pdf?did=19305&prodName=2SC4213 Description: TRANS NPN 20V 0.3A SC-70
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
Frequency - Transition: 30MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30A
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.65 грн
19+16.00 грн
100+10.02 грн
500+6.99 грн
1000+6.20 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5084YTE85LF 2SC5084YTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=17653&prodName=2SC5084 Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ SC59
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5087YTE85LF 2SC5087YTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ SMQ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-61AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Gain: 13dB
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SMQ
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5232BTE85LF 2SC5232BTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS NPN 12V 0.5A SC59
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SC-59
Frequency - Transition: 130MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.54 грн
29+10.49 грн
100+8.91 грн
500+7.45 грн
1000+7.09 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5233BTE85LF 2SC5233BTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS NPN 12V 0.5A USM
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: USM
Frequency - Transition: 130MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6026CTGRTPL3 2SC6026CTGRTPL3 Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=713&prodName=2SC6026CT Description: TRANS NPN 50V 0.1A CST3
на замовлення 6389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ168TE85LF 2SJ168TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ168_datasheet_en_20140301.pdf?did=19506&prodName=2SJ168 Description: MOSFET P-CH 60V 200MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 10 V
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ305TE85LF 2SJ305TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ305_datasheet_en_20140301.pdf?did=19508&prodName=2SJ305 Description: MOSFET P-CH 30V 200MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 50mA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92 pF @ 3 V
на замовлення 11230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.30 грн
10+31.70 грн
100+20.52 грн
500+14.70 грн
1000+13.24 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1828TE85LF 2SK1828TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 20V 50MA SC59
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V
Supplier Device Package: SC-59
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 10mA, 2.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5.5 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): 10V
на замовлення 1307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.08 грн
21+14.49 грн
100+9.08 грн
500+6.31 грн
1000+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1829TE85LF 2SK1829TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SK1829_datasheet_en_20140301.pdf?did=19538&prodName=2SK1829 Description: MOSFET N-CH 20V 50MA SC70
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5.5 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V
Supplier Device Package: SC-70
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 10mA, 2.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK2009TE85LF 2SK2009TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2009_datasheet_en_20140301.pdf?did=19542&prodName=2SK2009 Description: MOSFET N-CH 30V 200MA SC59-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50MA, 2.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-59-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
на замовлення 4897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.57 грн
10+35.85 грн
50+26.28 грн
100+21.75 грн
500+16.62 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK2034TE85LF 2SK2034TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 20V 100MA SC70
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.5 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V
Supplier Device Package: SC-70
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 2.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3079ATE12LQ 2SK3079ATE12LQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=17923&prodName=2SK3079A Description: MOSF RF N CH 10V PW-X
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3475TE12LF 2SK3475TE12LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=17925&prodName=2SK3475 Description: MOSF RF N CH 20V 1A PW-MINI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK880GRTE85LF 2SK880GRTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SK880_datasheet_en_20140301.pdf?did=19699&prodName=2SK880 Description: JFET N-CH 50V SC70
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.6 mA @ 10 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA
Power - Max: 100 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.16 грн
10+31.32 грн
100+20.95 грн
500+16.05 грн
1000+14.46 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6.2FS,L3M DF2S6.2FS,L3M Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22218&prodName=DF2S6.2FS Description: TVS DIODE 5VWM SOD923
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-923
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 32pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Supplier Device Package: SOD-923
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Power Line Protection: No
на замовлення 287490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.32 грн
40+7.70 грн
56+5.48 грн
100+4.46 грн
500+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.2FUTE85LF DF3A6.2FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage DF3A6.2FU_datasheet_en_20140301.pdf?did=22225&prodName=DF3A6.2FU Description: TVS DIODE 3VWM USM
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Unidirectional Channels: 2
Supplier Device Package: USM
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3V
Capacitance @ Frequency: 55pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.60 грн
26+11.62 грн
100+7.28 грн
500+5.03 грн
1000+4.45 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC75S101F(TE85L,F) TC75S101F_FU_FE_2014-03-01.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC OPAMP GP 1 CIRCUIT SMV
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
Voltage - Supply Span (Min): 1.5 V
Current - Output / Channel: 1.5 mA
Number of Circuits: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Input Offset: 1.2 mV
Current - Input Bias: 0.1 pA
Slew Rate: 0.15V/µs
Current - Supply: 63µA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Amplifier Type: General Purpose
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+39.19 грн
10+32.38 грн
25+30.37 грн
100+25.80 грн
250+24.16 грн
500+22.99 грн
1000+21.46 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC75S51F,LF docget.jsp?did=21004&prodName=TC75S51F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC OPAMP GP 1 CIRCUIT SMV
Voltage - Supply Span (Max): 7 V
Voltage - Supply Span (Min): 1.5 V
Number of Circuits: 1
Part Status: Active
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Input Offset: 2 mV
Current - Input Bias: 1 pA
Slew Rate: 0.5V/µs
Current - Supply: 60µA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Amplifier Type: General Purpose
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+22.73 грн
20+15.25 грн
25+13.59 грн
100+10.98 грн
250+10.13 грн
500+9.62 грн
1000+9.05 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC75S51FU(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC75S51F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC OPAMP GP 5SSOP
на замовлення 3468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TC7S02FUT5LFT docget.jsp?did=20182&prodName=TC7S02FU
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE NOR 1CH 2-INP USV
на замовлення 1847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TC7S04FU,LF docget.jsp?did=20188&prodName=TC7S04F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER 1CH 1-INP 5SSOP
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Supplier Device Package: 5-SSOP
Number of Inputs: 1
Current - Output High, Low: 2.6mA, 2.6mA
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Logic Type: Inverter
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Quiescent (Max): 1 µA
Number of Circuits: 1
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 17ns @ 6V, 50pF
на замовлення 48464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+32.14 грн
14+23.10 грн
25+20.26 грн
100+12.30 грн
250+10.18 грн
500+8.14 грн
1000+6.14 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SH86F,LJ(CT TC7SH86F_datasheet_en_20171221.pdf?did=20106&prodName=TC7SH86F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE XOR 1CH 2-INP SMV
Current - Quiescent (Max): 1 µA
Number of Circuits: 1
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 17ns @ 6V, 50pF
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Supplier Device Package: SMV
Number of Inputs: 2
Current - Output High, Low: 2.6mA, 2.6mA
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Logic Type: XOR (Exclusive OR)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
29+10.97 грн
45+6.79 грн
51+5.98 грн
100+4.77 грн
250+4.35 грн
500+4.11 грн
1000+3.84 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7S86FUT5LFT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE XOR 1CH 2-INP 5SSOP
Current - Output High, Low: 2.6mA, 2.6mA
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Logic Type: XOR (Exclusive OR)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Quiescent (Max): 1 µA
Number of Circuits: 1
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 17ns @ 6V, 50pF
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Supplier Device Package: 5-SSOP
Number of Inputs: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SH04FUT5LJFT docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7SH04FU
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER SNGL USV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SH14FU,LJ(CT TC7SH14FU_datasheet_en_20170516.pdf?did=30516&prodName=TC7SH14FU
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERT SCHMITT 1CH 1INP 5SSOP
Current - Quiescent (Max): 2 µA
Number of Circuits: 1
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 10.6ns @ 5V, 50pF
Input Logic Level - Low: 0.9V ~ 1.65V
Input Logic Level - High: 2.2V ~ 3.85V
Supplier Device Package: 5-SSOP
Number of Inputs: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Logic Type: Inverter
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Features: Schmitt Trigger
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
45+7.05 грн
68+4.45 грн
78+3.89 грн
100+3.09 грн
250+2.81 грн
500+2.64 грн
1000+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7W14FU,LF docget.jsp?did=20210&prodName=TC7W14FU
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERT SCHMITT 3CH 3INP 8SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Schmitt Trigger
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 3
Supplier Device Package: 8-SSOP
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.3V ~ 1.5V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 21ns @ 6V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 3
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 5333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+18.81 грн
25+12.23 грн
28+10.84 грн
100+8.72 грн
250+8.03 грн
500+7.62 грн
1000+7.16 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7W241FUTE12LF docget.jsp?did=20228&prodName=TC7W241FU
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER NON-INVERT 6V SM8
на замовлення 2271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+32.14 грн
12+26.49 грн
25+24.73 грн
100+18.55 грн
250+17.22 грн
500+14.57 грн
1000+11.08 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7W53FUTE12LF 7442.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MUX/DEMUX 1X2 8SSOP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WT126FU,LF TC7WT126FU.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V SM8
на замовлення 1126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+32.92 грн
12+25.81 грн
25+23.61 грн
100+16.48 грн
250+14.95 грн
500+12.37 грн
1000+9.12 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WT240FUTE12LF docget.jsp?did=20093&prodName=TC7WT240FU
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER INVERT 5.5V SM8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WT241FUTE12LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7WT241FU
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUS BUFFER TRI-ST N-INV SM8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WT74FUTE12LF TC7WT4FU.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC FLIP FLOP D PRESET/CLR 8SSOP
на замовлення 2120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1SS196(TE85L,F) 1SS196_datasheet_en_20210625.pdf?did=3274&prodName=1SS196
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE STANDARD 80V 100MA SC593
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: SC-59-3
на замовлення 6135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+18.81 грн
27+11.25 грн
50+8.05 грн
100+6.57 грн
500+4.82 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SS190TE85LF 1SS190_datasheet_en_20221128.pdf?did=3270&prodName=1SS190
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE STANDARD 80V 100MA SC593
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: SC-59-3
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 30589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+21.16 грн
24+12.60 грн
50+9.04 грн
100+7.38 грн
500+5.43 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SS302TE85LF 1SS302.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SC-70
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SS306TE85LF 1SS306_datasheet_en_20221020.pdf?did=3298&prodName=1SS306
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 200V 100MA SC-61B
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: SC-61B
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Diode Configuration: 2 Independent
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-61AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Technology: Standard
на замовлення 9913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+122.28 грн
10+72.46 грн
100+48.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SS362TE85LF 1SS362FV_datasheet_en_20221202.pdf?did=22527&prodName=1SS362FV
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 80V 80MA SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80mA
Supplier Device Package: SSM
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 14409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+20.38 грн
25+12.23 грн
50+8.77 грн
100+7.16 грн
500+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SS367,H3F docget.jsp?did=3342&prodName=1SS367
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 10V 100MA USC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 10 V
на замовлення 31424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+14.11 грн
36+8.45 грн
51+6.01 грн
100+4.89 грн
500+3.56 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SS370TE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE GEN PURP 200V 100MA SC70
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: SC-70
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SS379,LF 1SS379_datasheet_en_20210625.pdf?did=3356&prodName=1SS379
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC59
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 nA @ 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: SC-59
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Technology: Standard
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 29956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+29.00 грн
17+18.27 грн
100+12.36 грн
500+9.02 грн
1000+8.15 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SS382TE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GEN PURP 80V 100MA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 18925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+30.57 грн
17+18.42 грн
50+13.27 грн
100+10.88 грн
500+8.10 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SS384TE85LF 1SS384_datasheet_en_20180907.pdf?did=3362&prodName=1SS384
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 10V 100MA USQ
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 10 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10 V
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: USQ
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: Schottky
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-82
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+21.95 грн
23+13.44 грн
100+8.54 грн
500+6.65 грн
1000+5.94 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SS394TE85LF 1SS394_datasheet_en_20171030.pdf?did=3380&prodName=1SS394
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 10V 100MA SC59
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 10 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: SC-59
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+21.16 грн
24+12.60 грн
100+7.87 грн
500+5.45 грн
1000+4.82 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SS397TE85LF 1SS397_datasheet_en_20210625.pdf?did=3386&prodName=1SS397
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE GEN PURP 400V 100MA SC70
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: SC-70
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SS398TE85LF 1SS398_datasheet_en_20210625.pdf?did=3389&prodName=1SS398
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 400V 100MA S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: S-Mini
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 400 V
на замовлення 57574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+45.46 грн
12+27.17 грн
100+17.38 грн
500+12.34 грн
1000+11.06 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SS399TE85LF docget.jsp?did=3391&prodName=1SS399
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 400V 100MA SC61B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SS402TE85LF 1SS402_datasheet_en_20140301.pdf?did=3395&prodName=1SS402
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 20V 50MA USQ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50mA
Supplier Device Package: USQ
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 50 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 20 V
на замовлення 13683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+30.57 грн
18+17.74 грн
100+11.15 грн
500+7.79 грн
1000+6.93 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SS404,H3F docget.jsp?did=3400&prodName=1SS404
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 300MA USC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 46pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 300mA
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 300 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 20 V
на замовлення 101459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+14.11 грн
36+8.45 грн
100+5.22 грн
500+3.57 грн
1000+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1163-GR,LF docget.jsp?did=19353&prodName=2SA1163
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+18.03 грн
30+10.34 грн
100+6.44 грн
500+4.43 грн
1000+3.91 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1587-GR,LF docget.jsp?did=19172&prodName=2SA1587
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 120V 0.1A SC-70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 17936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+14.11 грн
36+8.53 грн
100+5.25 грн
500+3.60 грн
1000+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1954BTE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 12V 0.5A SC-70
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SC-70
Frequency - Transition: 130MHz
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1955FVATPL3Z 2SA1955FV.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 12V 0.4A CST3
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Current - Collector (Ic) (Max): 400 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: CST3
Frequency - Transition: 130MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+26.65 грн
19+16.00 грн
100+10.06 грн
500+7.01 грн
1000+6.23 грн
2000+5.57 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1955FVBTPL3Z 2SA1955FV.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 12V 0.4A VESM
Frequency - Transition: 130MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Current - Collector (Ic) (Max): 400 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+26.65 грн
19+16.00 грн
100+10.06 грн
500+7.01 грн
1000+6.23 грн
2000+5.57 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-OTE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.15A TO-236
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 12401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+14.11 грн
39+7.93 грн
100+4.89 грн
500+3.34 грн
1000+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2713-BL,LF 2SC2713.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 120V 0.1A TO-236
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+18.81 грн
29+10.72 грн
100+6.67 грн
500+4.60 грн
1000+4.06 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2713-GR,LF docget.jsp?did=19229&prodName=2SC2713
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 120V 0.1A TO-236
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 25776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+18.03 грн
29+10.42 грн
100+6.45 грн
500+4.45 грн
1000+3.92 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3325-Y,LF docget.jsp?did=19247&prodName=2SC3325
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.5A S-MINI
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: S-Mini
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 30423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+18.81 грн
28+11.02 грн
100+6.88 грн
500+4.75 грн
1000+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3326-B,LF docget.jsp?did=19249&prodName=2SC3326
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 20V 0.3A TO-236
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236
Frequency - Transition: 30MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+25.08 грн
21+14.79 грн
100+9.25 грн
500+6.44 грн
1000+5.71 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4116-BL,LF docget.jsp?did=19292&prodName=2SC4116
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.15A SC-70
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+12.54 грн
43+7.17 грн
100+4.41 грн
500+3.00 грн
1000+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4213BTE85LF 2SC4213_datasheet_en_20210625.pdf?did=19305&prodName=2SC4213
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 20V 0.3A SC-70
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
Frequency - Transition: 30MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30A
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+26.65 грн
19+16.00 грн
100+10.02 грн
500+6.99 грн
1000+6.20 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5084YTE85LF docget.jsp?did=17653&prodName=2SC5084
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ SC59
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5087YTE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ SMQ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-61AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Gain: 13dB
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SMQ
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5232BTE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 12V 0.5A SC59
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SC-59
Frequency - Transition: 130MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+12.54 грн
29+10.49 грн
100+8.91 грн
500+7.45 грн
1000+7.09 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5233BTE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 12V 0.5A USM
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: USM
Frequency - Transition: 130MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6026CTGRTPL3 docget.jsp?did=713&prodName=2SC6026CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.1A CST3
на замовлення 6389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ168TE85LF 2SJ168_datasheet_en_20140301.pdf?did=19506&prodName=2SJ168
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 60V 200MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 10 V
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ305TE85LF 2SJ305_datasheet_en_20140301.pdf?did=19508&prodName=2SJ305
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 200MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 50mA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92 pF @ 3 V
на замовлення 11230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+53.30 грн
10+31.70 грн
100+20.52 грн
500+14.70 грн
1000+13.24 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1828TE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 50MA SC59
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V
Supplier Device Package: SC-59
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 10mA, 2.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5.5 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): 10V
на замовлення 1307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+25.08 грн
21+14.49 грн
100+9.08 грн
500+6.31 грн
1000+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1829TE85LF 2SK1829_datasheet_en_20140301.pdf?did=19538&prodName=2SK1829
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 50MA SC70
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5.5 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V
Supplier Device Package: SC-70
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 10mA, 2.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK2009TE85LF 2SK2009_datasheet_en_20140301.pdf?did=19542&prodName=2SK2009
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 200MA SC59-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50MA, 2.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-59-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
на замовлення 4897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+59.57 грн
10+35.85 грн
50+26.28 грн
100+21.75 грн
500+16.62 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK2034TE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 100MA SC70
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.5 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V
Supplier Device Package: SC-70
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 2.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3079ATE12LQ docget.jsp?did=17923&prodName=2SK3079A
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSF RF N CH 10V PW-X
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3475TE12LF docget.jsp?did=17925&prodName=2SK3475
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSF RF N CH 20V 1A PW-MINI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK880GRTE85LF 2SK880_datasheet_en_20140301.pdf?did=19699&prodName=2SK880
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: JFET N-CH 50V SC70
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.6 mA @ 10 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA
Power - Max: 100 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+50.16 грн
10+31.32 грн
100+20.95 грн
500+16.05 грн
1000+14.46 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6.2FS,L3M docget.jsp?did=22218&prodName=DF2S6.2FS
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM SOD923
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-923
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 32pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Supplier Device Package: SOD-923
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Power Line Protection: No
на замовлення 287490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+13.32 грн
40+7.70 грн
56+5.48 грн
100+4.46 грн
500+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.2FUTE85LF DF3A6.2FU_datasheet_en_20140301.pdf?did=22225&prodName=DF3A6.2FU
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 3VWM USM
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Unidirectional Channels: 2
Supplier Device Package: USM
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3V
Capacitance @ Frequency: 55pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+19.60 грн
26+11.62 грн
100+7.28 грн
500+5.03 грн
1000+4.45 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 22 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 66 88 110 132 154 176 198 220 227  Наступна Сторінка >> ]