Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13548) > Сторінка 198 з 226

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 220 226  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPC8129,LQ(S TPC8129,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage Mosfets_Prod_Guide.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPC8129,LQ(S TPC8129,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage Mosfets_Prod_Guide.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 3215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.01 грн
10+39.62 грн
100+26.79 грн
500+19.77 грн
1000+16.80 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPC8134,LQ(S TPC8134,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8134_datasheet_en_20140107.pdf?did=6517&prodName=TPC8134 Description: MOSFET P-CH 40V 5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPC8134,LQ(S TPC8134,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8134_datasheet_en_20140107.pdf?did=6517&prodName=TPC8134 Description: MOSFET P-CH 40V 5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 10 V
на замовлення 2405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.57 грн
10+56.23 грн
100+37.13 грн
500+27.14 грн
1000+24.66 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K819R,LF SSM6K819R,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=65097&prodName=SSM6K819R Description: N-CH MOSFET, 100 V, 10 A, 0.0258
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.8mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.11 грн
6000+16.98 грн
9000+16.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K819R,LF SSM6K819R,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=65097&prodName=SSM6K819R Description: N-CH MOSFET, 100 V, 10 A, 0.0258
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.8mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
на замовлення 11892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.53 грн
10+46.47 грн
100+30.39 грн
500+22.02 грн
1000+19.93 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR15AG11,LF TCR15AG11,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=59680&prodName=TCR15AG11 Description: IC REG LINEAR 1.1V 1.5A 6-WCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFBGA, WLCSP
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 1.5A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 40 µA
Voltage - Input (Max): 6V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 6-WCSP (1.2x0.80)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.1V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 95dB ~ 60dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.24V @ 1.5A
Protection Features: Current Limit, Thermal Shutdown, UVLO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR15AG11,LF TCR15AG11,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=59680&prodName=TCR15AG11 Description: IC REG LINEAR 1.1V 1.5A 6-WCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFBGA, WLCSP
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 1.5A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 40 µA
Voltage - Input (Max): 6V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 6-WCSP (1.2x0.80)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.1V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 95dB ~ 60dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.24V @ 1.5A
Protection Features: Current Limit, Thermal Shutdown, UVLO
на замовлення 4538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.56 грн
12+26.51 грн
25+23.71 грн
100+19.34 грн
250+17.97 грн
500+17.14 грн
1000+16.18 грн
2500+15.47 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDTC114Y,LM TDTC114Y,LM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=36702&prodName=TDTC114Y Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 79 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDTC114Y,LM TDTC114Y,LM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=36702&prodName=TDTC114Y Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 79 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 2763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+11.08 грн
49+6.25 грн
100+3.87 грн
500+2.63 грн
1000+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CUHS15F60,H3F CUHS15F60,H3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=70193&prodName=CUHS15F60 Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1.5A US2H
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: US2H
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 730 mV @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 60 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CUHS15F60,H3F CUHS15F60,H3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=70193&prodName=CUHS15F60 Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1.5A US2H
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: US2H
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 730 mV @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 60 V
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.27 грн
18+17.14 грн
100+10.82 грн
500+7.56 грн
1000+6.72 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TAR5S33TE85LF TAR5S33TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC REG LINEAR 3.3V 200MA SMV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 15V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Control Features: On/Off
Part Status: Not For New Designs
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.2V @ 50mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 850 µA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TAR5S33TE85LF TAR5S33TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC REG LINEAR 3.3V 200MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 15V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Control Features: On/Off
Part Status: Not For New Designs
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.2V @ 50mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 850 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2402,LF RN2402,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18874&prodName=RN2401 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2402,LF RN2402,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18874&prodName=RN2401 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.24 грн
37+8.38 грн
100+5.17 грн
500+3.53 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5751(D4-TP4,E TLP5751(D4-TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5751_datasheet_en_20191210.pdf?did=15366&prodName=TLP5751 Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 6SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 1A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 1A, 1A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5751(D4-TP4,E TLP5751(D4-TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5751_datasheet_en_20191210.pdf?did=15366&prodName=TLP5751 Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 6SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 1A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 1A, 1A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.43 грн
10+113.06 грн
100+87.01 грн
500+73.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5751(TP4,E TLP5751(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5751_datasheet_en_20191210.pdf?did=15366&prodName=TLP5751 Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 6SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 1A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 1A, 1A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5751(TP4,E TLP5751(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5751_datasheet_en_20191210.pdf?did=15366&prodName=TLP5751 Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 6SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 1A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 1A, 1A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.01 грн
10+112.15 грн
100+81.88 грн
500+65.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K405TU,LF SSM6K405TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=10279&prodName=SSM6K405TU Description: MOSFET N-CH 20V 2A UF6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K405TU,LF SSM6K405TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=10279&prodName=SSM6K405TU Description: MOSFET N-CH 20V 2A UF6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 10 V
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.27 грн
14+22.78 грн
100+15.50 грн
500+10.91 грн
1000+8.19 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5752(D4-TP4,E TLP5752(D4-TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15367&prodName=TLP5752 Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 6SO
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Number of Channels: 1
Part Status: Active
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Supplier Device Package: 6-SO
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output High, Low: 2.5A, 2.5A
Technology: Optical Coupling
Current - Peak Output: 2.5A
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5752(D4-TP4,E TLP5752(D4-TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15367&prodName=TLP5752 Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 6SO
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Number of Channels: 1
Part Status: Active
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Supplier Device Package: 6-SO
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output High, Low: 2.5A, 2.5A
Technology: Optical Coupling
Current - Peak Output: 2.5A
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.89 грн
10+118.93 грн
100+91.76 грн
500+74.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF335,LM(CT TCR3DF335,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC REG LINEAR 3.35V 300MA SMV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.35V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.25V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Over Temperature
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF335,LM(CT TCR3DF335,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC REG LINEAR 3.35V 300MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.35V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.25V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Over Temperature
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.81 грн
13+25.07 грн
25+21.88 грн
100+13.28 грн
250+11.00 грн
500+8.80 грн
1000+6.64 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDTA124E,LM TDTA124E,LM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=36697&prodName=TDTA124E Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistors Included: R1 Only
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDTA124E,LM TDTA124E,LM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=36697&prodName=TDTA124E Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 2987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+11.08 грн
49+6.32 грн
100+3.89 грн
500+2.64 грн
1000+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP151A(V4-TPL,E TLP151A(V4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP151A_datasheet_en_20170609.pdf?did=13891&prodName=TLP151A Description: OPTOISO 3.75KV 1CH GT DVR 6SO-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 600mA
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 400mA, 400mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SO, 5 Lead
Rise / Fall Time (Typ): 50ns, 50ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 500ns, 500ns
Pulse Width Distortion (Max): 350ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 25 mA
Voltage - Output Supply: 10V ~ 30V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP151A(V4-TPL,E TLP151A(V4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP151A_datasheet_en_20170609.pdf?did=13891&prodName=TLP151A Description: OPTOISO 3.75KV 1CH GT DVR 6SO-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 600mA
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 400mA, 400mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SO, 5 Lead
Rise / Fall Time (Typ): 50ns, 50ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 500ns, 500ns
Pulse Width Distortion (Max): 350ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 25 mA
Voltage - Output Supply: 10V ~ 30V
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.81 грн
10+72.99 грн
100+54.92 грн
500+44.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7E80W,S1X TK7E80W,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK7E80W_datasheet_en_20161008.pdf?did=55442&prodName=TK7E80W Description: MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220
Packaging: Tube
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+265.83 грн
10+167.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5712(TE12L,F) 2SC5712(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=20740&prodName=2SC5712 Description: TRANS NPN 50V 3A PW-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 20mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 300mA, 2V
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5712(TE12L,F) 2SC5712(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=20740&prodName=2SC5712 Description: TRANS NPN 50V 3A PW-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 20mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 300mA, 2V
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.47 грн
11+28.42 грн
100+18.25 грн
500+13.03 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1911FE,LXHF(CT RN1911FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1911FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19070&prodName=RN1911FE Description: AUTO AEC-Q NPN X 2 Q1BSR=10K, Q2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1911FE,LXHF(CT RN1911FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1911FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19070&prodName=RN1911FE Description: AUTO AEC-Q NPN X 2 Q1BSR=10K, Q2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.90 грн
17+18.13 грн
100+9.16 грн
500+7.61 грн
1000+5.93 грн
2000+5.30 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDTC144E,LM TDTC144E,LM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=36376&prodName=TDTC144E Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 77 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistors Included: R1 Only
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDTC144E,LM TDTC144E,LM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=36376&prodName=TDTC144E Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 77 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 2972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+11.08 грн
49+6.25 грн
100+3.87 грн
500+2.63 грн
1000+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP631(GR-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP631(BL-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP631(Y,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP631(GB-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP631(GB-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP631(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP631(TP5,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP631(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP631(BL-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP631(LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC74VCX574FTEL TC74VCX574FTEL Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC FF D-TYPE SNGL 8BIT 20TSSOP
Voltage - Supply: 1.2V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Type: D-Type
Function: Standard
Number of Elements: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Number of Bits per Element: 8
Part Status: Not For New Designs
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 4.2ns @ 3.3V, 30pF
Supplier Device Package: 20-TSSOP
Input Capacitance: 6 pF
Clock Frequency: 250 MHz
Trigger Type: Positive Edge
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Current - Quiescent (Iq): 20 µA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC74VCX574FTEL TC74VCX574FTEL Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC FF D-TYPE SNGL 8BIT 20TSSOP
Number of Bits per Element: 8
Part Status: Not For New Designs
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 4.2ns @ 3.3V, 30pF
Supplier Device Package: 20-TSSOP
Input Capacitance: 6 pF
Clock Frequency: 250 MHz
Trigger Type: Positive Edge
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Current - Quiescent (Iq): 20 µA
Voltage - Supply: 1.2V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Type: D-Type
Function: Standard
Number of Elements: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5200FNH,L1Q TPH5200FNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14486&prodName=TPH5200FNH Description: MOSFET N-CH 250V 26A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+79.98 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5200FNH,L1Q TPH5200FNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14486&prodName=TPH5200FNH Description: MOSFET N-CH 250V 26A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V
на замовлення 19829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+262.67 грн
10+164.94 грн
100+115.25 грн
500+88.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5R60APL,L1Q TPH5R60APL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=60586&prodName=TPH5R60APL Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR N-C
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+36.90 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5R60APL,L1Q TPH5R60APL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=60586&prodName=TPH5R60APL Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR N-C
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 7942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.24 грн
10+85.18 грн
100+57.41 грн
500+42.69 грн
1000+39.09 грн
2000+36.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SZ14FU,LJ(CT TC7SZ14FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SZ14F_datasheet_en_20171221.pdf?did=20046&prodName=TC7SZ14F Description: IC INVERT SCHMITT 1CH 1INP 5SSOP
Features: Schmitt Trigger
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 5-SSOP
Input Logic Level - High: 1.4V ~ 3.6V
Input Logic Level - Low: 0.2V ~ 1.2V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 5.9ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.87 грн
6000+3.37 грн
9000+3.18 грн
15000+2.80 грн
21000+2.68 грн
30000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SZ14FU,LJ(CT TC7SZ14FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SZ14F_datasheet_en_20171221.pdf?did=20046&prodName=TC7SZ14F Description: IC INVERT SCHMITT 1CH 1INP 5SSOP
Features: Schmitt Trigger
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 5-SSOP
Input Logic Level - High: 1.4V ~ 3.6V
Input Logic Level - Low: 0.2V ~ 1.2V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 5.9ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 56169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.36 грн
26+12.04 грн
31+9.84 грн
100+6.86 грн
250+5.68 грн
500+4.96 грн
1000+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R803PL,LQ TPH4R803PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=58408&prodName=TPH4R803PL Description: MOSFET N-CH 30V 48A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R803PL,LQ TPH4R803PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=58408&prodName=TPH4R803PL Description: MOSFET N-CH 30V 48A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 15 V
на замовлення 4925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.57 грн
10+56.30 грн
100+37.28 грн
500+27.31 грн
1000+24.85 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008QM,LQ TPH4R008QM,LQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=68914&prodName=TPH4R008QM Description: POWER MOSFET TRANSISTOR SOP8-ADV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 600µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008QM,LQ TPH4R008QM,LQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=68914&prodName=TPH4R008QM Description: POWER MOSFET TRANSISTOR SOP8-ADV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 600µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 40 V
на замовлення 4307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.29 грн
10+83.04 грн
100+55.86 грн
500+41.52 грн
1000+38.01 грн
2000+35.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6M4CT,L3F DF2S6M4CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=56015&prodName=DF2S6M4CT Description: TVS DIODE 5.5VWM 15VC CST2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Frequency: 0.35pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: CST2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.87 грн
20000+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPC8129,LQ(S Mosfets_Prod_Guide.pdf
TPC8129,LQ(S
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+15.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPC8129,LQ(S Mosfets_Prod_Guide.pdf
TPC8129,LQ(S
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 3215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+53.01 грн
10+39.62 грн
100+26.79 грн
500+19.77 грн
1000+16.80 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPC8134,LQ(S TPC8134_datasheet_en_20140107.pdf?did=6517&prodName=TPC8134
TPC8134,LQ(S
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 40V 5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 10 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPC8134,LQ(S TPC8134_datasheet_en_20140107.pdf?did=6517&prodName=TPC8134
TPC8134,LQ(S
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 40V 5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 10 V
на замовлення 2405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+92.57 грн
10+56.23 грн
100+37.13 грн
500+27.14 грн
1000+24.66 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K819R,LF docget.jsp?did=65097&prodName=SSM6K819R
SSM6K819R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: N-CH MOSFET, 100 V, 10 A, 0.0258
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.8mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+19.11 грн
6000+16.98 грн
9000+16.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K819R,LF docget.jsp?did=65097&prodName=SSM6K819R
SSM6K819R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: N-CH MOSFET, 100 V, 10 A, 0.0258
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.8mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
на замовлення 11892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+77.53 грн
10+46.47 грн
100+30.39 грн
500+22.02 грн
1000+19.93 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR15AG11,LF docget.jsp?did=59680&prodName=TCR15AG11
TCR15AG11,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.1V 1.5A 6-WCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFBGA, WLCSP
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 1.5A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 40 µA
Voltage - Input (Max): 6V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 6-WCSP (1.2x0.80)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.1V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 95dB ~ 60dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.24V @ 1.5A
Protection Features: Current Limit, Thermal Shutdown, UVLO
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR15AG11,LF docget.jsp?did=59680&prodName=TCR15AG11
TCR15AG11,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.1V 1.5A 6-WCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFBGA, WLCSP
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 1.5A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 40 µA
Voltage - Input (Max): 6V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 6-WCSP (1.2x0.80)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.1V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 95dB ~ 60dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.24V @ 1.5A
Protection Features: Current Limit, Thermal Shutdown, UVLO
на замовлення 4538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+39.56 грн
12+26.51 грн
25+23.71 грн
100+19.34 грн
250+17.97 грн
500+17.14 грн
1000+16.18 грн
2500+15.47 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDTC114Y,LM docget.jsp?did=36702&prodName=TDTC114Y
TDTC114Y,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 79 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDTC114Y,LM docget.jsp?did=36702&prodName=TDTC114Y
TDTC114Y,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 79 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 2763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
29+11.08 грн
49+6.25 грн
100+3.87 грн
500+2.63 грн
1000+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CUHS15F60,H3F docget.jsp?did=70193&prodName=CUHS15F60
CUHS15F60,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1.5A US2H
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: US2H
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 730 mV @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 60 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CUHS15F60,H3F docget.jsp?did=70193&prodName=CUHS15F60
CUHS15F60,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1.5A US2H
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: US2H
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 730 mV @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 60 V
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
11+29.27 грн
18+17.14 грн
100+10.82 грн
500+7.56 грн
1000+6.72 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TAR5S33TE85LF
TAR5S33TE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 3.3V 200MA SMV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 15V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Control Features: On/Off
Part Status: Not For New Designs
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.2V @ 50mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 850 µA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TAR5S33TE85LF
TAR5S33TE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 3.3V 200MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 15V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Control Features: On/Off
Part Status: Not For New Designs
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.2V @ 50mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 850 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2402,LF docget.jsp?did=18874&prodName=RN2401
RN2402,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2402,LF docget.jsp?did=18874&prodName=RN2401
RN2402,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
23+14.24 грн
37+8.38 грн
100+5.17 грн
500+3.53 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5751(D4-TP4,E TLP5751_datasheet_en_20191210.pdf?did=15366&prodName=TLP5751
TLP5751(D4-TP4,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 6SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 1A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 1A, 1A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5751(D4-TP4,E TLP5751_datasheet_en_20191210.pdf?did=15366&prodName=TLP5751
TLP5751(D4-TP4,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 6SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 1A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 1A, 1A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+176.43 грн
10+113.06 грн
100+87.01 грн
500+73.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5751(TP4,E TLP5751_datasheet_en_20191210.pdf?did=15366&prodName=TLP5751
TLP5751(TP4,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 6SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 1A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 1A, 1A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5751(TP4,E TLP5751_datasheet_en_20191210.pdf?did=15366&prodName=TLP5751
TLP5751(TP4,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 6SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 1A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 1A, 1A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+178.01 грн
10+112.15 грн
100+81.88 грн
500+65.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K405TU,LF docget.jsp?did=10279&prodName=SSM6K405TU
SSM6K405TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 2A UF6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 10 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K405TU,LF docget.jsp?did=10279&prodName=SSM6K405TU
SSM6K405TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 2A UF6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 10 V
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
11+29.27 грн
14+22.78 грн
100+15.50 грн
500+10.91 грн
1000+8.19 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5752(D4-TP4,E docget.jsp?did=15367&prodName=TLP5752
TLP5752(D4-TP4,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 6SO
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Number of Channels: 1
Part Status: Active
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Supplier Device Package: 6-SO
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output High, Low: 2.5A, 2.5A
Technology: Optical Coupling
Current - Peak Output: 2.5A
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5752(D4-TP4,E docget.jsp?did=15367&prodName=TLP5752
TLP5752(D4-TP4,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 6SO
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Number of Channels: 1
Part Status: Active
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Supplier Device Package: 6-SO
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output High, Low: 2.5A, 2.5A
Technology: Optical Coupling
Current - Peak Output: 2.5A
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+170.89 грн
10+118.93 грн
100+91.76 грн
500+74.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF335,LM(CT
TCR3DF335,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 3.35V 300MA SMV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.35V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.25V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Over Temperature
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF335,LM(CT
TCR3DF335,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 3.35V 300MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.35V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.25V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Over Temperature
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+34.81 грн
13+25.07 грн
25+21.88 грн
100+13.28 грн
250+11.00 грн
500+8.80 грн
1000+6.64 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDTA124E,LM docget.jsp?did=36697&prodName=TDTA124E
TDTA124E,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistors Included: R1 Only
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDTA124E,LM docget.jsp?did=36697&prodName=TDTA124E
TDTA124E,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 2987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
29+11.08 грн
49+6.32 грн
100+3.89 грн
500+2.64 грн
1000+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP151A(V4-TPL,E TLP151A_datasheet_en_20170609.pdf?did=13891&prodName=TLP151A
TLP151A(V4-TPL,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 3.75KV 1CH GT DVR 6SO-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 600mA
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 400mA, 400mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SO, 5 Lead
Rise / Fall Time (Typ): 50ns, 50ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 500ns, 500ns
Pulse Width Distortion (Max): 350ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 25 mA
Voltage - Output Supply: 10V ~ 30V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP151A(V4-TPL,E TLP151A_datasheet_en_20170609.pdf?did=13891&prodName=TLP151A
TLP151A(V4-TPL,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 3.75KV 1CH GT DVR 6SO-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 600mA
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 400mA, 400mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SO, 5 Lead
Rise / Fall Time (Typ): 50ns, 50ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 500ns, 500ns
Pulse Width Distortion (Max): 350ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 25 mA
Voltage - Output Supply: 10V ~ 30V
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+106.81 грн
10+72.99 грн
100+54.92 грн
500+44.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7E80W,S1X TK7E80W_datasheet_en_20161008.pdf?did=55442&prodName=TK7E80W
TK7E80W,S1X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220
Packaging: Tube
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+265.83 грн
10+167.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5712(TE12L,F) docget.jsp?did=20740&prodName=2SC5712
2SC5712(TE12L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 3A PW-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 20mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 300mA, 2V
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5712(TE12L,F) docget.jsp?did=20740&prodName=2SC5712
2SC5712(TE12L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 3A PW-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 20mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 300mA, 2V
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+47.47 грн
11+28.42 грн
100+18.25 грн
500+13.03 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1911FE,LXHF(CT RN1911FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19070&prodName=RN1911FE
RN1911FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q NPN X 2 Q1BSR=10K, Q2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1911FE,LXHF(CT RN1911FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19070&prodName=RN1911FE
RN1911FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q NPN X 2 Q1BSR=10K, Q2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
12+26.90 грн
17+18.13 грн
100+9.16 грн
500+7.61 грн
1000+5.93 грн
2000+5.30 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDTC144E,LM docget.jsp?did=36376&prodName=TDTC144E
TDTC144E,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 77 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistors Included: R1 Only
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDTC144E,LM docget.jsp?did=36376&prodName=TDTC144E
TDTC144E,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 77 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 2972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
29+11.08 грн
49+6.25 грн
100+3.87 грн
500+2.63 грн
1000+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP631(GR-TP1,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP631(BL-LF2,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP631(Y,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP631(GB-TP1,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP631(GB-LF1,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP631(TP1,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP631(TP5,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP631(LF1,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP631(BL-LF1,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP631(LF5,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC74VCX574FTEL
TC74VCX574FTEL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC FF D-TYPE SNGL 8BIT 20TSSOP
Voltage - Supply: 1.2V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Type: D-Type
Function: Standard
Number of Elements: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Number of Bits per Element: 8
Part Status: Not For New Designs
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 4.2ns @ 3.3V, 30pF
Supplier Device Package: 20-TSSOP
Input Capacitance: 6 pF
Clock Frequency: 250 MHz
Trigger Type: Positive Edge
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Current - Quiescent (Iq): 20 µA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC74VCX574FTEL
TC74VCX574FTEL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC FF D-TYPE SNGL 8BIT 20TSSOP
Number of Bits per Element: 8
Part Status: Not For New Designs
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 4.2ns @ 3.3V, 30pF
Supplier Device Package: 20-TSSOP
Input Capacitance: 6 pF
Clock Frequency: 250 MHz
Trigger Type: Positive Edge
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Current - Quiescent (Iq): 20 µA
Voltage - Supply: 1.2V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Type: D-Type
Function: Standard
Number of Elements: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5200FNH,L1Q docget.jsp?did=14486&prodName=TPH5200FNH
TPH5200FNH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 250V 26A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+79.98 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5200FNH,L1Q docget.jsp?did=14486&prodName=TPH5200FNH
TPH5200FNH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 250V 26A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V
на замовлення 19829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+262.67 грн
10+164.94 грн
100+115.25 грн
500+88.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5R60APL,L1Q docget.jsp?did=60586&prodName=TPH5R60APL
TPH5R60APL,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR N-C
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+36.90 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH5R60APL,L1Q docget.jsp?did=60586&prodName=TPH5R60APL
TPH5R60APL,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR N-C
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 7942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+139.24 грн
10+85.18 грн
100+57.41 грн
500+42.69 грн
1000+39.09 грн
2000+36.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SZ14FU,LJ(CT TC7SZ14F_datasheet_en_20171221.pdf?did=20046&prodName=TC7SZ14F
TC7SZ14FU,LJ(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERT SCHMITT 1CH 1INP 5SSOP
Features: Schmitt Trigger
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 5-SSOP
Input Logic Level - High: 1.4V ~ 3.6V
Input Logic Level - Low: 0.2V ~ 1.2V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 5.9ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+3.87 грн
6000+3.37 грн
9000+3.18 грн
15000+2.80 грн
21000+2.68 грн
30000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SZ14FU,LJ(CT TC7SZ14F_datasheet_en_20171221.pdf?did=20046&prodName=TC7SZ14F
TC7SZ14FU,LJ(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERT SCHMITT 1CH 1INP 5SSOP
Features: Schmitt Trigger
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 5-SSOP
Input Logic Level - High: 1.4V ~ 3.6V
Input Logic Level - Low: 0.2V ~ 1.2V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 5.9ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 56169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
15+21.36 грн
26+12.04 грн
31+9.84 грн
100+6.86 грн
250+5.68 грн
500+4.96 грн
1000+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R803PL,LQ docget.jsp?did=58408&prodName=TPH4R803PL
TPH4R803PL,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 48A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+23.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R803PL,LQ docget.jsp?did=58408&prodName=TPH4R803PL
TPH4R803PL,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 48A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 15 V
на замовлення 4925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+92.57 грн
10+56.30 грн
100+37.28 грн
500+27.31 грн
1000+24.85 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008QM,LQ docget.jsp?did=68914&prodName=TPH4R008QM
TPH4R008QM,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: POWER MOSFET TRANSISTOR SOP8-ADV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 600µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 40 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008QM,LQ docget.jsp?did=68914&prodName=TPH4R008QM
TPH4R008QM,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: POWER MOSFET TRANSISTOR SOP8-ADV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 600µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 40 V
на замовлення 4307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+135.29 грн
10+83.04 грн
100+55.86 грн
500+41.52 грн
1000+38.01 грн
2000+35.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6M4CT,L3F docget.jsp?did=56015&prodName=DF2S6M4CT
DF2S6M4CT,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.5VWM 15VC CST2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Frequency: 0.35pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: CST2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10000+2.87 грн
20000+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 220 226  [ Наступна Сторінка >> ]