Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13548) > Сторінка 66 з 226

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 88 110 132 154 176 198 220 226  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN2967(TE85L,F) RN2967(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN296(7-9)FE.pdf Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2969(TE85L,F) RN2969(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN296(7-9)FE.pdf Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2971(TE85L,F) RN2971(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2970%2C71.pdf Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4901FE(TE85L,F) RN4901FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4901FE Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4903FE(TE85L,F) RN4903FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4903FE Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4904FE(T5L,F,T) RN4904FE(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4904FE Description: TRAN DUAL PNP/NPN 50V 100MA ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4907FE(T5L,F,T) RN4907FE(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4907FE Description: TRAN DUAL PNP/NPN 50V 100MA ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4908FE(TE85L,F) RN4908FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4908FE Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4909FE(TE85L,F) RN4909FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4909FE Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4910FE(TE85L,F) RN4910FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4910FE Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4911FE(TE85L,F) RN4911FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4911FE Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4601(TE85L,F) RN4601(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18920&prodName=RN4601 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4604(TE85L,F) RN4604(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4604_datasheet_en_20191101.pdf?did=18928&prodName=RN4604 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4607(TE85L,F) RN4607(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18934&prodName=RN4607 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
Part Status: Active
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: SM6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4608(TE85L,F) RN4608(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4608_datasheet_en_20191101.pdf?did=18937&prodName=RN4608 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4609(TE85L,F) RN4609(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4609_datasheet_en_20191101.pdf?did=18939&prodName=RN4609 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4610(TE85L,F) RN4610(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4610 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4611(TE85L,F) RN4611(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4611 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4612(TE85L,F) RN4612(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4612 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4901(T5L,F,T) RN4901(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4901 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4903(T5L,F,T) RN4903(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18952&prodName=RN4903 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4904(T5L,F,T) RN4904(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4907(T5L,F,T) RN4907(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4907 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4908(T5L,F,T) RN4908(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4908 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4909(T5L,F,T) RN4909(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4909 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4910(T5L,F,T) RN4910(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4910 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4911(T5L,F,T) RN4911(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4911 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN49A1(T5L,F,T) RN49A1(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN49A1 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C03FU-A(TE85L,F HN1C03FU-A(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19156&prodName=HN1C03FU Description: TRANS 2NPN 20V 0.3A US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FE-Y,LF HN1C01FE-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22307&prodName=HN1C01FE Description: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN2C01FE-GR(T5L,F) HN2C01FE-GR(T5L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2C01FE Description: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-Y(T5L,F,T HN1C01FU-Y(T5L,F,T Toshiba Semiconductor and Storage HN1C01FU_datasheet_en_20210706.pdf?did=19152&prodName=HN1C01FU Description: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA US6
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 200mW
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN2C01FU-Y(TE85L,F HN2C01FU-Y(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2C01FU Description: TRANS 2NPN 50V 0.15A US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2859-GR(TE85L,F 2SC2859-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS NPN 30V 0.5A S-MINI
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: S-Mini
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2859-O(TE85L,F) 2SC2859-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS NPN 30V 0.5A S-MINI
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: S-Mini
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3325-O(TE85L,F) 2SC3325-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3325_datasheet_en_20140301.pdf?did=19247&prodName=2SC3325 Description: TRANS NPN 50V 0.5A S-MINI
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: S-Mini
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1101CT(TPL3) RN1101CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1101-06.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 20V 0.05A CST3
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 50 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102CT(TPL3) RN1102CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN110xCT.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 20V 0.05A CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1103CT(TPL3) RN1103CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1103CT Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104CT(TPL3) RN1104CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1104CT Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105CT(TPL3) RN1105CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1105CT Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106CT(TPL3) RN1106CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN110xCT.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 20V 0.05A CST3
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 50 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1107CT(TPL3) RN1107CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1107CT Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1108CT(TPL3) RN1108CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1108CT Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1109CT(TPL3) RN1109CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1109CT Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1110CT(TPL3) RN1110CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1110CT Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1111CT(TPL3) RN1111CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1111CT Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1112CT(TPL3) RN1112CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1112CT Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1113CT(TPL3) RN1113CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1113CT Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1101ACT(TPL3) RN1101ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1101-06.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102ACT(TPL3) RN1102ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1103ACT(TPL3) RN1103ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1103ACT Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104ACT(TPL3) RN1104ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1104ACT Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105ACT(TPL3) RN1105ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1105ACT Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106ACT(TPL3) RN1106ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1107ACT(TPL3) RN1107ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1108ACT(TPL3) RN1108ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1108ACT Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1109ACT(TPL3) RN1109ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1109ACT Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1111ACT(TPL3) RN1111ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1112ACT(TPL3) RN1112ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1112%2C13ACT.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Part Status: Active
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2967(TE85L,F) RN296(7-9)FE.pdf
RN2967(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2969(TE85L,F) RN296(7-9)FE.pdf
RN2969(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2971(TE85L,F) RN2970%2C71.pdf
RN2971(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4901FE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4901FE
RN4901FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4903FE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4903FE
RN4903FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4904FE(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4904FE
RN4904FE(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRAN DUAL PNP/NPN 50V 100MA ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4907FE(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4907FE
RN4907FE(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRAN DUAL PNP/NPN 50V 100MA ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4908FE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4908FE
RN4908FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4909FE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4909FE
RN4909FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4910FE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4910FE
RN4910FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4911FE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4911FE
RN4911FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4601(TE85L,F) docget.jsp?did=18920&prodName=RN4601
RN4601(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4604(TE85L,F) RN4604_datasheet_en_20191101.pdf?did=18928&prodName=RN4604
RN4604(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4607(TE85L,F) docget.jsp?did=18934&prodName=RN4607
RN4607(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
Part Status: Active
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: SM6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4608(TE85L,F) RN4608_datasheet_en_20191101.pdf?did=18937&prodName=RN4608
RN4608(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4609(TE85L,F) RN4609_datasheet_en_20191101.pdf?did=18939&prodName=RN4609
RN4609(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4610(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4610
RN4610(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4611(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4611
RN4611(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4612(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4612
RN4612(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4901(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4901
RN4901(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4903(T5L,F,T) docget.jsp?did=18952&prodName=RN4903
RN4903(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4904(T5L,F,T)
RN4904(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4907(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4907
RN4907(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4908(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4908
RN4908(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4909(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4909
RN4909(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4910(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4910
RN4910(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4911(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4911
RN4911(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN49A1(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN49A1
RN49A1(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C03FU-A(TE85L,F docget.jsp?did=19156&prodName=HN1C03FU
HN1C03FU-A(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN 20V 0.3A US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FE-Y,LF docget.jsp?did=22307&prodName=HN1C01FE
HN1C01FE-Y,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN2C01FE-GR(T5L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2C01FE
HN2C01FE-GR(T5L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-Y(T5L,F,T HN1C01FU_datasheet_en_20210706.pdf?did=19152&prodName=HN1C01FU
HN1C01FU-Y(T5L,F,T
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA US6
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 200mW
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN2C01FU-Y(TE85L,F docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2C01FU
HN2C01FU-Y(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN 50V 0.15A US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2859-GR(TE85L,F
2SC2859-GR(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 30V 0.5A S-MINI
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: S-Mini
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2859-O(TE85L,F)
2SC2859-O(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 30V 0.5A S-MINI
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: S-Mini
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3325-O(TE85L,F) 2SC3325_datasheet_en_20140301.pdf?did=19247&prodName=2SC3325
2SC3325-O(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.5A S-MINI
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: S-Mini
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1101CT(TPL3) RN1101-06.pdf
RN1101CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 20V 0.05A CST3
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 50 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102CT(TPL3) RN110xCT.pdf
RN1102CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 20V 0.05A CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1103CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1103CT
RN1103CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1104CT
RN1104CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1105CT
RN1105CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106CT(TPL3) RN110xCT.pdf
RN1106CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 20V 0.05A CST3
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 50 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1107CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1107CT
RN1107CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1108CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1108CT
RN1108CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1109CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1109CT
RN1109CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1110CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1110CT
RN1110CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1111CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1111CT
RN1111CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1112CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1112CT
RN1112CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1113CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1113CT
RN1113CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1101ACT(TPL3) RN1101-06.pdf
RN1101ACT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102ACT(TPL3)
RN1102ACT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1103ACT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1103ACT
RN1103ACT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104ACT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1104ACT
RN1104ACT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105ACT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1105ACT
RN1105ACT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106ACT(TPL3)
RN1106ACT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1107ACT(TPL3)
RN1107ACT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1108ACT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1108ACT
RN1108ACT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1109ACT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1109ACT
RN1109ACT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1111ACT(TPL3)
RN1111ACT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1112ACT(TPL3) RN1112%2C13ACT.pdf
RN1112ACT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Part Status: Active
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 88 110 132 154 176 198 220 226  [ Наступна Сторінка >> ]