Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13460) > Сторінка 23 з 225

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 44 66 88 110 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SK3388(TE24L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3388.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 20A 4TFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-97
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 4-TFP (9.2x9.2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3399(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3399.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3403(Q) 2SK3403(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3403.pdf Description: MOSFET N-CH 450V 13A TO220FL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3, Short Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3437(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3437.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3444(TE24L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15860&prodName=2SK3444 Description: MOSFET N-CH 200V 25A SC-97
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3462(TE16L1,NQ) 2SK3462(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3462.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 3A PW-MOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PW-MOLD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 267 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3466(TE24L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3466.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 5A 4TFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-97
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 4-TFP (9.2x9.2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3662(F) 2SK3662(F) Toshiba Semiconductor and Storage Mosfets_Prod_Guide.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 35A TO220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5120 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3667(Q) 2SK3667(Q) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=1771&prodName=2SK3667 Description: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3669(TE16L1,NQ) 2SK3669(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=755&prodName=2SK3669 Description: MOSFET N-CH 100V 10A PW-MOLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3700(F) 2SK3700(F) Toshiba Semiconductor and Storage Mosfets_Prod_Guide.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 5A TO3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+242.53 грн
10+152.00 грн
50+116.77 грн
100+98.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3798(Q,M) 2SK3798(Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=2SK3798 Description: MOSFET N-CH 900V 4A TO220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3799(Q) 2SK3799(Q) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=2256&prodName=2SK3799 Description: MOSFET N-CH 900V 8A TO220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3842(TE24L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=996&prodName=2SK3842 Description: MOSFET N-CH 60V 75A SC-97
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3844(Q) 2SK3844(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3844.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 45A TO220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12400 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3845(Q) 2SK3845(Q) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=998&prodName=2SK3845 Description: MOSFET N-CH 60V 70A TO-3PN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3863(TE16L1,Q) 2SK3863(TE16L1,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3863.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 5A DP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3868(Q,M) 2SK3868(Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3868.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220SIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3879(TE24L,Q) 2SK3879(TE24L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3879.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220SM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3906(Q) 2SK3906(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3906.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3907(Q) 2SK3907(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3907.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 23A TO-3PN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3936(Q) 2SK3936(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3936.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 23A TO-3PN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3940(Q) 2SK3940(Q) Toshiba Semiconductor and Storage Mosfets_Prod_Guide.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 70A TO-3PN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4015(Q) 2SK4015(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK4015.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO-220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4016(Q) 2SK4016(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK4016.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO220SIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4017(Q) 2SK4017(Q) Toshiba Semiconductor and Storage Mosfets_Prod_Guide.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PW-MOLD2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4021(Q) 2SK4021(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK4021.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 4.5A PW-MOLD2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PW-MOLD2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4034(TE24L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK4034.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 75A SC-97
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
30FWJ2C48M(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 30FWJ2C48M,U30FWJ2C48M.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V TO220FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
30JL2C41(F) 30JL2C41(F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: DIODE ARRAY GP 600V 15A TO3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CMZM16(TE12N,Q) Toshiba Semiconductor and Storage Description: DIODE ZENER 16V 1W MFLAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRF03(TE85L,Q,M) CRF03(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=1574&prodName=CRF03 Description: DIODE GEN PURP 600V 700MA SFLAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRY91(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=CRY62 Description: DIODE ZENER 9.1V 700MW SFLAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT10G131(TE12L,Q) GT10G131(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage GT10G131.pdf Description: IGBT 400V 1W 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 4V, 200A
Supplier Device Package: 8-SOP (5.5x6.0)
Td (on/off) @ 25°C: 3.1µs/2µs
Part Status: Obsolete
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT10J312(Q) GT10J312(Q) Toshiba Semiconductor and Storage GT10J312.pdf Description: IGBT 600V 10A 60W TO220SM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A
Td (on/off) @ 25°C: 400ns/400ns
Test Condition: 300V, 10A, 100Ohm, 15V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A
Power - Max: 60 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT60N321(Q) Toshiba Semiconductor and Storage Description: IGBT 1000V 60A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PL
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-3P(LH)
Td (on/off) @ 25°C: 330ns/700ns
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 170 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT30J121(Q) GT30J121(Q) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=16680&prodName=GT30J121 Description: IGBT 600V 30A 170W TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Td (on/off) @ 25°C: 90ns/300ns
Switching Energy: 1mJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 300V, 30A, 24Ohm, 15V
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 170 W
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+294.79 грн
10+187.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GT30J324(Q) GT30J324(Q) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=16689&prodName=GT30J324 Description: IGBT 600V 30A 170W TO3PN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT50J121(Q) Toshiba Semiconductor and Storage Description: IGBT 600V 50A 240W TO3P LH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PL
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-3P(LH)
Td (on/off) @ 25°C: 90ns/300ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 1.34mJ (off)
Test Condition: 300V, 50A, 13Ohm, 15V
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 240 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT60M303(Q) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=16726&prodName=GT60M303 Description: IGBT 900V 60A 170W TO3P LH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MP4020(F) Toshiba Semiconductor and Storage MP4020.pdf Description: TRANS 4NPN DARL 60V 2A 10SIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MP4411(Q) Toshiba Semiconductor and Storage MP4411.pdf Description: MOSFET 4N-CH 100V 3A 12-SIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA48015BF(T6L1,NQ) TA48015BF(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=8515&prodName=TA4809BF Description: IC REG LINEAR 1.5V 1A PW-MOLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA48018BF(T6L1,NQ) TA48018BF(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC REG LINEAR 1.8V 1A PW-MOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 1A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 1.7 mA
Voltage - Input (Max): 16V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PW-MOLD
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.8V
PSRR: 66dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 1.6V @ 1A (Typ)
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 20 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA48033BF(T6L1,NQ) TA48033BF(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=8515&prodName=TA4809BF Description: IC REG LINEAR 3.3V 1A PWMOLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA48LS00F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=10681&prodName=TA48LS00F Description: IC REG LINEAR POS ADJ 300MA PS8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA48S05AF(T6L1,Q) TA48S05AF(T6L1,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TA48S(AF).pdf Description: IC REG LINEAR 5V 1A 5HSIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA76431F(TE12L,F) TA76431F(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TA76431F,FR.pdf Description: IC VREF SHUNT ADJ PW-MINI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA76431FR(TE12L,F) TA76431FR(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TA76431F,FR.pdf Description: IC VREF SHUNT ADJ PW-MINI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA76432FC(TE85L,F) TA76432FC(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18380&prodName=TA76432FC Description: IC VREF SHUNT ADJ SMV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA76L431FT(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18376&prodName=TA76431F Description: IC VREF SHUNT ADJ UFV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA78L012AP(TPE6,F) TA78L012AP(TPE6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TA78L05PF_TA78L15PF_e080422.pdf Description: IC REG LDO 12V 0.15A LSTM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA78L10F(TE12L,F) TA78L10F(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TA78LxxF.pdf Description: IC REG LINEAR 10V 150MA PW-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 150mA
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 6 mA
Voltage - Input (Max): 35V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PW-MINI (SOT-89)
Voltage - Output (Min/Fixed): 10V
Part Status: Obsolete
PSRR: 43dB (120Hz)
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 6.5 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA78L24F(TE12L,F) TA78L24F(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TA78LxxF.pdf Description: IC REG LINEAR 24V 150MA PW-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 150mA
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 6 mA
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PW-MINI (SOT-89)
Voltage - Output (Min/Fixed): 24V
Part Status: Obsolete
PSRR: 35dB (120Hz)
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 6.5 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK10A60D(Q,M) TK10A60D(Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK10A60D Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK15A50D(Q,M) TK15A50D(Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK15A50D Description: MOSFET N-CH 500V 15A TO220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A50D(Q,M) TK5A50D(Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=21792&prodName=TK5A50D Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A50D(STA4,Q,M) TK5A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK5A50D_datasheet_en_20131101.pdf?did=21792&prodName=TK5A50D Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPC6501(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=20762&prodName=TPC6501 Description: TRANS NPN 10V 2A VS6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPC8026(TE12L,Q,M) TPC8026(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8026.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP (5.5x6.0)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3388(TE24L,Q) 2SK3388.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 250V 20A 4TFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-97
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 4-TFP (9.2x9.2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3399(Q) 2SK3399.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3403(Q) 2SK3403.pdf
2SK3403(Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 450V 13A TO220FL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3, Short Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3437(Q) 2SK3437.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3444(TE24L,Q) docget.jsp?did=15860&prodName=2SK3444
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 200V 25A SC-97
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3462(TE16L1,NQ) 2SK3462.pdf
2SK3462(TE16L1,NQ)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 250V 3A PW-MOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PW-MOLD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 267 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3466(TE24L,Q) 2SK3466.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 500V 5A 4TFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-97
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 4-TFP (9.2x9.2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3662(F) Mosfets_Prod_Guide.pdf
2SK3662(F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 35A TO220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5120 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3667(Q) docget.jsp?did=1771&prodName=2SK3667
2SK3667(Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3669(TE16L1,NQ) docget.jsp?did=755&prodName=2SK3669
2SK3669(TE16L1,NQ)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 10A PW-MOLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3700(F) Mosfets_Prod_Guide.pdf
2SK3700(F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 900V 5A TO3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+242.53 грн
10+152.00 грн
50+116.77 грн
100+98.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3798(Q,M) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=2SK3798
2SK3798(Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 900V 4A TO220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3799(Q) docget.jsp?did=2256&prodName=2SK3799
2SK3799(Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 900V 8A TO220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3842(TE24L,Q) docget.jsp?did=996&prodName=2SK3842
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 75A SC-97
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3844(Q) 2SK3844.pdf
2SK3844(Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 45A TO220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12400 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3845(Q) docget.jsp?did=998&prodName=2SK3845
2SK3845(Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 70A TO-3PN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3863(TE16L1,Q) 2SK3863.pdf
2SK3863(TE16L1,Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 500V 5A DP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3868(Q,M) 2SK3868.pdf
2SK3868(Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220SIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3879(TE24L,Q) 2SK3879.pdf
2SK3879(TE24L,Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220SM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3906(Q) 2SK3906.pdf
2SK3906(Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3907(Q) 2SK3907.pdf
2SK3907(Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 500V 23A TO-3PN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3936(Q) 2SK3936.pdf
2SK3936(Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 500V 23A TO-3PN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3940(Q) Mosfets_Prod_Guide.pdf
2SK3940(Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 75V 70A TO-3PN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4015(Q) 2SK4015.pdf
2SK4015(Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO-220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4016(Q) 2SK4016.pdf
2SK4016(Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO220SIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4017(Q) Mosfets_Prod_Guide.pdf
2SK4017(Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PW-MOLD2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4021(Q) 2SK4021.pdf
2SK4021(Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 250V 4.5A PW-MOLD2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PW-MOLD2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4034(TE24L,Q) 2SK4034.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 75A SC-97
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
30FWJ2C48M(Q) 30FWJ2C48M,U30FWJ2C48M.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V TO220FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
30JL2C41(F)
30JL2C41(F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 600V 15A TO3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CMZM16(TE12N,Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 16V 1W MFLAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRF03(TE85L,Q,M) docget.jsp?did=1574&prodName=CRF03
CRF03(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE GEN PURP 600V 700MA SFLAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRY91(TE85L,Q,M) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=CRY62
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ZENER 9.1V 700MW SFLAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT10G131(TE12L,Q) GT10G131.pdf
GT10G131(TE12L,Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IGBT 400V 1W 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 4V, 200A
Supplier Device Package: 8-SOP (5.5x6.0)
Td (on/off) @ 25°C: 3.1µs/2µs
Part Status: Obsolete
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT10J312(Q) GT10J312.pdf
GT10J312(Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IGBT 600V 10A 60W TO220SM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A
Td (on/off) @ 25°C: 400ns/400ns
Test Condition: 300V, 10A, 100Ohm, 15V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A
Power - Max: 60 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT60N321(Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IGBT 1000V 60A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PL
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-3P(LH)
Td (on/off) @ 25°C: 330ns/700ns
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 170 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT30J121(Q) docget.jsp?did=16680&prodName=GT30J121
GT30J121(Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IGBT 600V 30A 170W TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Td (on/off) @ 25°C: 90ns/300ns
Switching Energy: 1mJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 300V, 30A, 24Ohm, 15V
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 170 W
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+294.79 грн
10+187.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GT30J324(Q) docget.jsp?did=16689&prodName=GT30J324
GT30J324(Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IGBT 600V 30A 170W TO3PN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT50J121(Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IGBT 600V 50A 240W TO3P LH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PL
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-3P(LH)
Td (on/off) @ 25°C: 90ns/300ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 1.34mJ (off)
Test Condition: 300V, 50A, 13Ohm, 15V
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 240 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT60M303(Q) docget.jsp?did=16726&prodName=GT60M303
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IGBT 900V 60A 170W TO3P LH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MP4020(F) MP4020.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 4NPN DARL 60V 2A 10SIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MP4411(Q) MP4411.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 4N-CH 100V 3A 12-SIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA48015BF(T6L1,NQ) docget.jsp?did=8515&prodName=TA4809BF
TA48015BF(T6L1,NQ)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.5V 1A PW-MOLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA48018BF(T6L1,NQ)
TA48018BF(T6L1,NQ)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.8V 1A PW-MOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 1A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 1.7 mA
Voltage - Input (Max): 16V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PW-MOLD
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.8V
PSRR: 66dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 1.6V @ 1A (Typ)
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 20 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA48033BF(T6L1,NQ) docget.jsp?did=8515&prodName=TA4809BF
TA48033BF(T6L1,NQ)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 3.3V 1A PWMOLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA48LS00F(TE85L,F) docget.jsp?did=10681&prodName=TA48LS00F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR POS ADJ 300MA PS8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA48S05AF(T6L1,Q) TA48S(AF).pdf
TA48S05AF(T6L1,Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 5V 1A 5HSIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA76431F(TE12L,F) TA76431F,FR.pdf
TA76431F(TE12L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC VREF SHUNT ADJ PW-MINI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA76431FR(TE12L,F) TA76431F,FR.pdf
TA76431FR(TE12L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC VREF SHUNT ADJ PW-MINI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA76432FC(TE85L,F) docget.jsp?did=18380&prodName=TA76432FC
TA76432FC(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC VREF SHUNT ADJ SMV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA76L431FT(TE85L,F docget.jsp?did=18376&prodName=TA76431F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC VREF SHUNT ADJ UFV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA78L012AP(TPE6,F) TA78L05PF_TA78L15PF_e080422.pdf
TA78L012AP(TPE6,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 12V 0.15A LSTM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA78L10F(TE12L,F) TA78LxxF.pdf
TA78L10F(TE12L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 10V 150MA PW-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 150mA
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 6 mA
Voltage - Input (Max): 35V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PW-MINI (SOT-89)
Voltage - Output (Min/Fixed): 10V
Part Status: Obsolete
PSRR: 43dB (120Hz)
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 6.5 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA78L24F(TE12L,F) TA78LxxF.pdf
TA78L24F(TE12L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 24V 150MA PW-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 150mA
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 6 mA
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PW-MINI (SOT-89)
Voltage - Output (Min/Fixed): 24V
Part Status: Obsolete
PSRR: 35dB (120Hz)
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 6.5 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK10A60D(Q,M) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK10A60D
TK10A60D(Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK15A50D(Q,M) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK15A50D
TK15A50D(Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 500V 15A TO220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A50D(Q,M) docget.jsp?did=21792&prodName=TK5A50D
TK5A50D(Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A50D(STA4,Q,M) TK5A50D_datasheet_en_20131101.pdf?did=21792&prodName=TK5A50D
TK5A50D(STA4,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPC6501(TE85L,F) docget.jsp?did=20762&prodName=TPC6501
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 10V 2A VS6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPC8026(TE12L,Q,M) TPC8026.pdf
TPC8026(TE12L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP (5.5x6.0)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 44 66 88 110 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]