Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13031) > Сторінка 88 з 218

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 21 42 63 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 105 126 147 168 189 210 218  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
1SV325,H3F 1SV325,H3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV325_datasheet_en_20140301.pdf?did=2860&prodName=1SV325 Description: DIODE VARACTOR 10V ESC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Capacitance Ratio Condition: C1/C4
Supplier Device Package: ESC
Voltage - Peak Reverse (Max): 10 V
Capacitance Ratio: 4.3
на замовлення 3420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.28 грн
17+ 17.18 грн
100+ 8.65 грн
500+ 7.2 грн
1000+ 5.6 грн
2000+ 5.01 грн
Мінімальне замовлення: 12
DSR01S30SC,L3F DSR01S30SC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=359&prodName=DSR01S30SC Description: DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SC2
товар відсутній
1SV325,H3F 1SV325,H3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV325_datasheet_en_20140301.pdf?did=2860&prodName=1SV325 Description: DIODE VARACTOR 10V ESC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Capacitance Ratio Condition: C1/C4
Supplier Device Package: ESC
Voltage - Peak Reverse (Max): 10 V
Capacitance Ratio: 4.3
товар відсутній
DSR01S30SC,L3F DSR01S30SC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=359&prodName=DSR01S30SC Description: DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SC2
товар відсутній
SSM6N7002BFE,LM SSM6N7002BFE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N7002BFE_datasheet_en_20140301.pdf?did=2282&prodName=SSM6N7002BFE Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 250µA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 22146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+21.67 грн
20+ 14.05 грн
100+ 6.85 грн
500+ 5.36 грн
1000+ 3.73 грн
2000+ 3.23 грн
Мінімальне замовлення: 14
SSM6N7002BFE,LM SSM6N7002BFE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N7002BFE_datasheet_en_20140301.pdf?did=2282&prodName=SSM6N7002BFE Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 250µA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+3.57 грн
8000+ 3.19 грн
12000+ 2.65 грн
Мінімальне замовлення: 4000
SSM6H19NU,LF SSM6H19NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6H19NU_datasheet_en_20210917.pdf?did=14715&prodName=SSM6H19NU Description: MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 1A, 8V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.2 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
на замовлення 45777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+24.55 грн
16+ 18.01 грн
100+ 10.83 грн
500+ 9.41 грн
1000+ 6.4 грн
Мінімальне замовлення: 12
SSM6H19NU,LF SSM6H19NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6H19NU_datasheet_en_20210917.pdf?did=14715&prodName=SSM6H19NU Description: MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 1A, 8V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.2 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.52 грн
6000+ 6.02 грн
9000+ 5.42 грн
30000+ 5.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SC4116-Y,LF 2SC4116-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4116_datasheet_en_20210630.pdf?did=19292&prodName=2SC4116 Description: TRANS NPN 50V 0.15A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+11.55 грн
35+ 8 грн
100+ 4.28 грн
500+ 3.15 грн
1000+ 2.19 грн
Мінімальне замовлення: 25
2SC6026MFVGR,L3F 2SC6026MFVGR,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=6106&prodName=2SC6026MFV Description: TRANS NPN 50V 0.15A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 28622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+13 грн
32+ 8.69 грн
100+ 4.24 грн
500+ 3.32 грн
1000+ 2.3 грн
2000+ 2 грн
Мінімальне замовлення: 23
RN1302,LF RN1302,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18776&prodName=RN1302 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
товар відсутній
RN1305,LF RN1305,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18776&prodName=RN1302 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+18.78 грн
19+ 14.81 грн
100+ 7.86 грн
500+ 4.85 грн
1000+ 3.3 грн
Мінімальне замовлення: 16
RN1306,LF RN1306,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18776&prodName=RN1302 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SC6026MFVGR,L3F 2SC6026MFVGR,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=6106&prodName=2SC6026MFV Description: TRANS NPN 50V 0.15A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+2.05 грн
16000+ 1.64 грн
Мінімальне замовлення: 8000
2SC4116-Y,LF 2SC4116-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4116_datasheet_en_20210630.pdf?did=19292&prodName=2SC4116 Description: TRANS NPN 50V 0.15A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
товар відсутній
RN1302,LF RN1302,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18776&prodName=RN1302 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
товар відсутній
RN1305,LF RN1305,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18776&prodName=RN1302 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товар відсутній
RN1306,LF RN1306,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18776&prodName=RN1302 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товар відсутній
RN2310,LF RN2310,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18870&prodName=RN2310 Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
товар відсутній
RN2310,LF RN2310,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18870&prodName=RN2310 Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
товар відсутній
HN1A01FE-Y,LF HN1A01FE-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1A01FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=22309&prodName=HN1A01FE Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
товар відсутній
HN1A01FU-Y,LF HN1A01FU-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1A01FU_datasheet_en_20210630.pdf?did=19142&prodName=HN1A01FU Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 4491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+18.05 грн
25+ 11.54 грн
100+ 5.65 грн
500+ 4.42 грн
1000+ 3.07 грн
Мінімальне замовлення: 16
RN1905,LF RN1905,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1905 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN1906,LF RN1906,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1905 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 5840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN1907,LF RN1907,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1907 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 5964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN2902,LF RN2902,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18907&prodName=RN2906 Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
товар відсутній
RN2903,LF RN2903,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18907&prodName=RN2906 Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: US6
товар відсутній
RN2904,LF RN2904,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18907&prodName=RN2906 Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
товар відсутній
RN2904FE,LF RN2904FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19092&prodName=RN2906FE Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
товар відсутній
RN2906,LF RN2906,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2906_datasheet_en_20230112.pdf?did=18907&prodName=RN2906 Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 5268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+18.78 грн
23+ 12.17 грн
100+ 5.93 грн
500+ 4.64 грн
1000+ 3.23 грн
Мінімальне замовлення: 16
RN2911,LF RN2911,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2910 Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 5991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN4901,LF RN4901,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4901 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товар відсутній
RN4902,LF RN4902,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4902 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN4904,LF RN4904,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4904 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN4906,LF RN4906,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4906 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 5980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN4907,LF RN4907,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18961&prodName=RN4907 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товар відсутній
RN4910,LF RN4910,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN4910.pdf Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товар відсутній
RN1905,LF RN1905,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1905 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN1906,LF RN1906,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1905 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 5840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN1907,LF RN1907,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1907 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 5964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN2911,LF RN2911,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2910 Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 5991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN4901,LF RN4901,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4901 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товар відсутній
RN4902,LF RN4902,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4902 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN4904,LF RN4904,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4904 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN4906,LF RN4906,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4906 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 5980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
HN1A01FE-Y,LF HN1A01FE-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1A01FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=22309&prodName=HN1A01FE Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
товар відсутній
HN1A01FU-Y,LF HN1A01FU-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1A01FU_datasheet_en_20210630.pdf?did=19142&prodName=HN1A01FU Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RN1905,LF RN1905,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1905 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN1906,LF RN1906,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1905 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN1907,LF RN1907,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1907 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN2902,LF RN2902,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18907&prodName=RN2906 Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
товар відсутній
RN2903,LF RN2903,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18907&prodName=RN2906 Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: US6
товар відсутній
RN2904,LF RN2904,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18907&prodName=RN2906 Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
товар відсутній
RN2904FE,LF RN2904FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19092&prodName=RN2906FE Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
товар відсутній
RN2906,LF RN2906,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2906_datasheet_en_20230112.pdf?did=18907&prodName=RN2906 Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RN2911,LF RN2911,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2910 Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN4901,LF RN4901,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4901 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товар відсутній
RN4902,LF RN4902,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4902 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN4904,LF RN4904,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4904 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN4906,LF RN4906,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4906 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1SV325,H3F 1SV325_datasheet_en_20140301.pdf?did=2860&prodName=1SV325
1SV325,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE VARACTOR 10V ESC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Capacitance Ratio Condition: C1/C4
Supplier Device Package: ESC
Voltage - Peak Reverse (Max): 10 V
Capacitance Ratio: 4.3
на замовлення 3420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+25.28 грн
17+ 17.18 грн
100+ 8.65 грн
500+ 7.2 грн
1000+ 5.6 грн
2000+ 5.01 грн
Мінімальне замовлення: 12
DSR01S30SC,L3F docget.jsp?did=359&prodName=DSR01S30SC
DSR01S30SC,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SC2
товар відсутній
1SV325,H3F 1SV325_datasheet_en_20140301.pdf?did=2860&prodName=1SV325
1SV325,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE VARACTOR 10V ESC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Capacitance Ratio Condition: C1/C4
Supplier Device Package: ESC
Voltage - Peak Reverse (Max): 10 V
Capacitance Ratio: 4.3
товар відсутній
DSR01S30SC,L3F docget.jsp?did=359&prodName=DSR01S30SC
DSR01S30SC,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SC2
товар відсутній
SSM6N7002BFE,LM SSM6N7002BFE_datasheet_en_20140301.pdf?did=2282&prodName=SSM6N7002BFE
SSM6N7002BFE,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 250µA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 22146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+21.67 грн
20+ 14.05 грн
100+ 6.85 грн
500+ 5.36 грн
1000+ 3.73 грн
2000+ 3.23 грн
Мінімальне замовлення: 14
SSM6N7002BFE,LM SSM6N7002BFE_datasheet_en_20140301.pdf?did=2282&prodName=SSM6N7002BFE
SSM6N7002BFE,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 250µA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+3.57 грн
8000+ 3.19 грн
12000+ 2.65 грн
Мінімальне замовлення: 4000
SSM6H19NU,LF SSM6H19NU_datasheet_en_20210917.pdf?did=14715&prodName=SSM6H19NU
SSM6H19NU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 1A, 8V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.2 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
на замовлення 45777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+24.55 грн
16+ 18.01 грн
100+ 10.83 грн
500+ 9.41 грн
1000+ 6.4 грн
Мінімальне замовлення: 12
SSM6H19NU,LF SSM6H19NU_datasheet_en_20210917.pdf?did=14715&prodName=SSM6H19NU
SSM6H19NU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 1A, 8V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.2 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.52 грн
6000+ 6.02 грн
9000+ 5.42 грн
30000+ 5.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SC4116-Y,LF 2SC4116_datasheet_en_20210630.pdf?did=19292&prodName=2SC4116
2SC4116-Y,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.15A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+11.55 грн
35+ 8 грн
100+ 4.28 грн
500+ 3.15 грн
1000+ 2.19 грн
Мінімальне замовлення: 25
2SC6026MFVGR,L3F docget.jsp?did=6106&prodName=2SC6026MFV
2SC6026MFVGR,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.15A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 28622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+13 грн
32+ 8.69 грн
100+ 4.24 грн
500+ 3.32 грн
1000+ 2.3 грн
2000+ 2 грн
Мінімальне замовлення: 23
RN1302,LF docget.jsp?did=18776&prodName=RN1302
RN1302,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
товар відсутній
RN1305,LF docget.jsp?did=18776&prodName=RN1302
RN1305,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+18.78 грн
19+ 14.81 грн
100+ 7.86 грн
500+ 4.85 грн
1000+ 3.3 грн
Мінімальне замовлення: 16
RN1306,LF docget.jsp?did=18776&prodName=RN1302
RN1306,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SC6026MFVGR,L3F docget.jsp?did=6106&prodName=2SC6026MFV
2SC6026MFVGR,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.15A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8000+2.05 грн
16000+ 1.64 грн
Мінімальне замовлення: 8000
2SC4116-Y,LF 2SC4116_datasheet_en_20210630.pdf?did=19292&prodName=2SC4116
2SC4116-Y,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.15A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
товар відсутній
RN1302,LF docget.jsp?did=18776&prodName=RN1302
RN1302,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
товар відсутній
RN1305,LF docget.jsp?did=18776&prodName=RN1302
RN1305,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товар відсутній
RN1306,LF docget.jsp?did=18776&prodName=RN1302
RN1306,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товар відсутній
RN2310,LF docget.jsp?did=18870&prodName=RN2310
RN2310,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
товар відсутній
RN2310,LF docget.jsp?did=18870&prodName=RN2310
RN2310,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
товар відсутній
HN1A01FE-Y,LF HN1A01FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=22309&prodName=HN1A01FE
HN1A01FE-Y,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
товар відсутній
HN1A01FU-Y,LF HN1A01FU_datasheet_en_20210630.pdf?did=19142&prodName=HN1A01FU
HN1A01FU-Y,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 4491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+18.05 грн
25+ 11.54 грн
100+ 5.65 грн
500+ 4.42 грн
1000+ 3.07 грн
Мінімальне замовлення: 16
RN1905,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1905
RN1905,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN1906,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1905
RN1906,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 5840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN1907,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1907
RN1907,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 5964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN2902,LF docget.jsp?did=18907&prodName=RN2906
RN2902,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
товар відсутній
RN2903,LF docget.jsp?did=18907&prodName=RN2906
RN2903,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: US6
товар відсутній
RN2904,LF docget.jsp?did=18907&prodName=RN2906
RN2904,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
товар відсутній
RN2904FE,LF docget.jsp?did=19092&prodName=RN2906FE
RN2904FE,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
товар відсутній
RN2906,LF RN2906_datasheet_en_20230112.pdf?did=18907&prodName=RN2906
RN2906,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 5268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+18.78 грн
23+ 12.17 грн
100+ 5.93 грн
500+ 4.64 грн
1000+ 3.23 грн
Мінімальне замовлення: 16
RN2911,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2910
RN2911,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 5991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN4901,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4901
RN4901,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товар відсутній
RN4902,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4902
RN4902,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN4904,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4904
RN4904,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN4906,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4906
RN4906,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 5980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN4907,LF docget.jsp?did=18961&prodName=RN4907
RN4907,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товар відсутній
RN4910,LF RN4910.pdf
RN4910,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товар відсутній
RN1905,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1905
RN1905,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN1906,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1905
RN1906,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 5840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN1907,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1907
RN1907,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 5964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN2911,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2910
RN2911,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 5991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN4901,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4901
RN4901,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товар відсутній
RN4902,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4902
RN4902,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN4904,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4904
RN4904,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN4906,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4906
RN4906,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 5980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
HN1A01FE-Y,LF HN1A01FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=22309&prodName=HN1A01FE
HN1A01FE-Y,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
товар відсутній
HN1A01FU-Y,LF HN1A01FU_datasheet_en_20210630.pdf?did=19142&prodName=HN1A01FU
HN1A01FU-Y,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RN1905,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1905
RN1905,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN1906,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1905
RN1906,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN1907,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1907
RN1907,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN2902,LF docget.jsp?did=18907&prodName=RN2906
RN2902,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
товар відсутній
RN2903,LF docget.jsp?did=18907&prodName=RN2906
RN2903,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: US6
товар відсутній
RN2904,LF docget.jsp?did=18907&prodName=RN2906
RN2904,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
товар відсутній
RN2904FE,LF docget.jsp?did=19092&prodName=RN2906FE
RN2904FE,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
товар відсутній
RN2906,LF RN2906_datasheet_en_20230112.pdf?did=18907&prodName=RN2906
RN2906,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RN2911,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2910
RN2911,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN4901,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4901
RN4901,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товар відсутній
RN4902,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4902
RN4902,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN4904,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4904
RN4904,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN4906,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4906
RN4906,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 21 42 63 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 105 126 147 168 189 210 218  [ Наступна Сторінка >> ]