Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13262) > Сторінка 88 з 222

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 110 132 154 176 198 220 222  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
RN4907,LF RN4907,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN4907_datasheet_en_20210824.pdf?did=18961&prodName=RN4907 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.55 грн
24+ 12.95 грн
100+ 6.29 грн
500+ 4.93 грн
1000+ 3.42 грн
Мінімальне замовлення: 16
RN4910,LF RN4910,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN4910.pdf Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товар відсутній
RN1905,LF RN1905,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1905 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN1906,LF RN1906,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1905 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 5840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN2911,LF RN2911,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2910 Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 5991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN4901,LF RN4901,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4901 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товар відсутній
RN4902,LF RN4902,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4902 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN4906,LF RN4906,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4906 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 5980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
HN1A01FE-Y,LF HN1A01FE-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1A01FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=22309&prodName=HN1A01FE Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
товар відсутній
HN1A01FU-Y,LF HN1A01FU-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1A01FU_datasheet_en_20210630.pdf?did=19142&prodName=HN1A01FU Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RN1905,LF RN1905,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1905 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN1906,LF RN1906,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1905 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN1907,LF RN1907,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
товар відсутній
RN2902,LF RN2902,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18907&prodName=RN2906 Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
товар відсутній
RN2903,LF RN2903,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: US6
товар відсутній
RN2904,LF RN2904,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
товар відсутній
RN2906,LF RN2906,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2906_datasheet_en_20230112.pdf?did=18907&prodName=RN2906 Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RN2911,LF RN2911,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2910 Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN4901,LF RN4901,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4901 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товар відсутній
RN4902,LF RN4902,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4902 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN4904,LF RN4904,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN4904_datasheet_en_20210824.pdf?did=18954&prodName=RN4904 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RN4906,LF RN4906,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4906 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN4907,LF RN4907,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN4907_datasheet_en_20210824.pdf?did=18961&prodName=RN4907 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.28 грн
6000+ 2.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RN4910,LF RN4910,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN4910.pdf Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товар відсутній
TC7SET126FU,LJ TC7SET126FU,LJ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7SET126F Description: IC BUFF/DVR SNGL N-INV USV
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TC7SH00FU,LJ TC7SH00FU,LJ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7SH00FU Description: IC GATE NAND 1CH 2-INP USV
на замовлення 2928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TC7SH02FU,LJ TC7SH02FU,LJ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30512&prodName=TC7SH02FU Description: IC GATE NOR 1CH 2-INP USV
товар відсутній
TC7SH04FU,LJ TC7SH04FU,LJ Toshiba Semiconductor and Storage TC7SH04FU_datasheet_en_20170516.pdf?did=30515&prodName=TC7SH04FU Description: IC INVERTER 1CH 1-INP 5SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 5-SSOP
Input Logic Level - High: 1.5V
Input Logic Level - Low: 0.5V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.5ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 2 µA
товар відсутній
TC7SH08FU,LJ TC7SH08FU,LJ Toshiba Semiconductor and Storage TC7SH08FU_datasheet_en_20181214.pdf?did=29870&prodName=TC7SH08FU Description: IC GATE AND 1CH 2-INP USV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 5-SSOP
Input Logic Level - High: 1.5V
Input Logic Level - Low: 0.5V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.9ns @ 5V, 50pF
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 2 µA
товар відсутній
TC7SH14FU,LJ TC7SH14FU,LJ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7SH14FU Description: IC INVERTER SCHMT TRG SNGL USV
товар відсутній
TC7SZ04FU,LJ TC7SZ04FU,LJ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7SZ04F Description: IC INVERTER SINGLE USV
товар відсутній
TC7SZ08F,LJ TC7SZ08F,LJ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7SZ08F Description: IC GATE AND 1CH 2-INP SMV
на замовлення 5890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TC7SET126FU,LJ TC7SET126FU,LJ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7SET126F Description: IC BUFF/DVR SNGL N-INV USV
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TC7SH00FU,LJ TC7SH00FU,LJ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7SH00FU Description: IC GATE NAND 1CH 2-INP USV
товар відсутній
TC7SH14FU,LJ TC7SH14FU,LJ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7SH14FU Description: IC INVERTER SCHMT TRG SNGL USV
товар відсутній
TC7SZ04FU,LJ TC7SZ04FU,LJ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7SZ04F Description: IC INVERTER SINGLE USV
товар відсутній
TC7SZ08F,LJ TC7SZ08F,LJ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7SZ08F Description: IC GATE AND 1CH 2-INP SMV
товар відсутній
TC7SET126FU,LJ TC7SET126FU,LJ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7SET126F Description: IC BUFF/DVR SNGL N-INV USV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TC7SH00FU,LJ TC7SH00FU,LJ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7SH00FU Description: IC GATE NAND 1CH 2-INP USV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TC7SH02FU,LJ TC7SH02FU,LJ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30512&prodName=TC7SH02FU Description: IC GATE NOR 1CH 2-INP USV
товар відсутній
TC7SH04FU,LJ TC7SH04FU,LJ Toshiba Semiconductor and Storage TC7SH04FU_datasheet_en_20170516.pdf?did=30515&prodName=TC7SH04FU Description: IC INVERTER 1CH 1-INP 5SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 5-SSOP
Input Logic Level - High: 1.5V
Input Logic Level - Low: 0.5V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.5ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 2 µA
товар відсутній
TC7SH08FU,LJ TC7SH08FU,LJ Toshiba Semiconductor and Storage TC7SH08FU_datasheet_en_20181214.pdf?did=29870&prodName=TC7SH08FU Description: IC GATE AND 1CH 2-INP USV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 5-SSOP
Input Logic Level - High: 1.5V
Input Logic Level - Low: 0.5V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.9ns @ 5V, 50pF
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 2 µA
товар відсутній
TC7SH14FU,LJ TC7SH14FU,LJ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7SH14FU Description: IC INVERTER SCHMT TRG SNGL USV
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TC7SZ04FU,LJ TC7SZ04FU,LJ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7SZ04F Description: IC INVERTER SINGLE USV
товар відсутній
TC7SZ08F,LJ TC7SZ08F,LJ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7SZ08F Description: IC GATE AND 1CH 2-INP SMV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1SS403,H3F 1SS403,H3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS403_datasheet_en_20210625.pdf?did=3397&prodName=1SS403 Description: DIODE GEN PURP 200V 100MA USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.35 грн
6000+ 3.89 грн
9000+ 3.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CCS15S30,L3F CCS15S30,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CCS15S30_datasheet_en_20151113.pdf?did=13923&prodName=CCS15S30 Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1.5A CST2C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: CST2C
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 400 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.93 грн
Мінімальне замовлення: 10000
CCS15S30,L3IDTF CCS15S30,L3IDTF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=CCS15S30 Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1.5A CST2C
товар відсутній
CCS15S30,L3QUF CCS15S30,L3QUF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=CCS15S30 Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1.5A CST2C
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DF2B6.8ACT,L3F DF2B6.8ACT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14344&prodName=DF2B6.8ACT Description: TVS DIODE 5V 7V CST2
на замовлення 170000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DF2B6.8AFS,L3M DF2B6.8AFS,L3M Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14320&prodName=DF2B6.8AFS Description: TVS DIODE 5V 7V FSC
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TCR2EN10,LF TCR2EN10,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR2EN10 Description: IC REG LDO 1V 0.2A 4SDFN
товар відсутній
TCR2EN105,LF TCR2EN105,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR2EN10 Description: IC REG LDO 1.05V 0.2A 4SDFN
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TCR2EN11,LF TCR2EN11,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13455&prodName=TCR2EN10 Description: IC REG LINEAR 1.1V 200MA 4SDFN
товар відсутній
TCR2EN19,LF TCR2EN19,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR2EN10 Description: IC REG LDO 1.9V 0.2A 4SDFN
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
CCS15S30,L3F CCS15S30,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CCS15S30_datasheet_en_20151113.pdf?did=13923&prodName=CCS15S30 Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1.5A CST2C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: CST2C
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 400 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
на замовлення 38695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.8 грн
18+ 17.62 грн
100+ 8.89 грн
500+ 7.39 грн
1000+ 5.75 грн
2000+ 5.15 грн
5000+ 4.95 грн
Мінімальне замовлення: 13
CCS15S30,L3IDTF CCS15S30,L3IDTF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=CCS15S30 Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1.5A CST2C
товар відсутній
CCS15S30,L3QUF CCS15S30,L3QUF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=CCS15S30 Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1.5A CST2C
на замовлення 18860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DF2B6.8ACT,L3F DF2B6.8ACT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14344&prodName=DF2B6.8ACT Description: TVS DIODE 5V 7V CST2
на замовлення 176980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DF2B6.8AFS,L3M DF2B6.8AFS,L3M Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14320&prodName=DF2B6.8AFS Description: TVS DIODE 5V 7V FSC
на замовлення 48878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN4907,LF RN4907_datasheet_en_20210824.pdf?did=18961&prodName=RN4907
RN4907,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+19.55 грн
24+ 12.95 грн
100+ 6.29 грн
500+ 4.93 грн
1000+ 3.42 грн
Мінімальне замовлення: 16
RN4910,LF RN4910.pdf
RN4910,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товар відсутній
RN1905,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1905
RN1905,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN1906,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1905
RN1906,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 5840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN2911,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2910
RN2911,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 5991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN4901,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4901
RN4901,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товар відсутній
RN4902,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4902
RN4902,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN4906,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4906
RN4906,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 5980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
HN1A01FE-Y,LF HN1A01FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=22309&prodName=HN1A01FE
HN1A01FE-Y,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
товар відсутній
HN1A01FU-Y,LF HN1A01FU_datasheet_en_20210630.pdf?did=19142&prodName=HN1A01FU
HN1A01FU-Y,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RN1905,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1905
RN1905,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN1906,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1905
RN1906,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN1907,LF
RN1907,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
товар відсутній
RN2902,LF docget.jsp?did=18907&prodName=RN2906
RN2902,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
товар відсутній
RN2903,LF
RN2903,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: US6
товар відсутній
RN2904,LF
RN2904,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
товар відсутній
RN2906,LF RN2906_datasheet_en_20230112.pdf?did=18907&prodName=RN2906
RN2906,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RN2911,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2910
RN2911,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN4901,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4901
RN4901,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товар відсутній
RN4902,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4902
RN4902,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN4904,LF RN4904_datasheet_en_20210824.pdf?did=18954&prodName=RN4904
RN4904,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RN4906,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4906
RN4906,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN4907,LF RN4907_datasheet_en_20210824.pdf?did=18961&prodName=RN4907
RN4907,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.28 грн
6000+ 2.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RN4910,LF RN4910.pdf
RN4910,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товар відсутній
TC7SET126FU,LJ docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7SET126F
TC7SET126FU,LJ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFF/DVR SNGL N-INV USV
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TC7SH00FU,LJ docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7SH00FU
TC7SH00FU,LJ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE NAND 1CH 2-INP USV
на замовлення 2928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TC7SH02FU,LJ docget.jsp?did=30512&prodName=TC7SH02FU
TC7SH02FU,LJ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE NOR 1CH 2-INP USV
товар відсутній
TC7SH04FU,LJ TC7SH04FU_datasheet_en_20170516.pdf?did=30515&prodName=TC7SH04FU
TC7SH04FU,LJ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER 1CH 1-INP 5SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 5-SSOP
Input Logic Level - High: 1.5V
Input Logic Level - Low: 0.5V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.5ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 2 µA
товар відсутній
TC7SH08FU,LJ TC7SH08FU_datasheet_en_20181214.pdf?did=29870&prodName=TC7SH08FU
TC7SH08FU,LJ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE AND 1CH 2-INP USV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 5-SSOP
Input Logic Level - High: 1.5V
Input Logic Level - Low: 0.5V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.9ns @ 5V, 50pF
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 2 µA
товар відсутній
TC7SH14FU,LJ docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7SH14FU
TC7SH14FU,LJ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER SCHMT TRG SNGL USV
товар відсутній
TC7SZ04FU,LJ docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7SZ04F
TC7SZ04FU,LJ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER SINGLE USV
товар відсутній
TC7SZ08F,LJ docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7SZ08F
TC7SZ08F,LJ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE AND 1CH 2-INP SMV
на замовлення 5890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TC7SET126FU,LJ docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7SET126F
TC7SET126FU,LJ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFF/DVR SNGL N-INV USV
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TC7SH00FU,LJ docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7SH00FU
TC7SH00FU,LJ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE NAND 1CH 2-INP USV
товар відсутній
TC7SH14FU,LJ docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7SH14FU
TC7SH14FU,LJ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER SCHMT TRG SNGL USV
товар відсутній
TC7SZ04FU,LJ docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7SZ04F
TC7SZ04FU,LJ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER SINGLE USV
товар відсутній
TC7SZ08F,LJ docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7SZ08F
TC7SZ08F,LJ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE AND 1CH 2-INP SMV
товар відсутній
TC7SET126FU,LJ docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7SET126F
TC7SET126FU,LJ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFF/DVR SNGL N-INV USV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TC7SH00FU,LJ docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7SH00FU
TC7SH00FU,LJ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE NAND 1CH 2-INP USV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TC7SH02FU,LJ docget.jsp?did=30512&prodName=TC7SH02FU
TC7SH02FU,LJ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE NOR 1CH 2-INP USV
товар відсутній
TC7SH04FU,LJ TC7SH04FU_datasheet_en_20170516.pdf?did=30515&prodName=TC7SH04FU
TC7SH04FU,LJ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER 1CH 1-INP 5SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 5-SSOP
Input Logic Level - High: 1.5V
Input Logic Level - Low: 0.5V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.5ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 2 µA
товар відсутній
TC7SH08FU,LJ TC7SH08FU_datasheet_en_20181214.pdf?did=29870&prodName=TC7SH08FU
TC7SH08FU,LJ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE AND 1CH 2-INP USV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 5-SSOP
Input Logic Level - High: 1.5V
Input Logic Level - Low: 0.5V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.9ns @ 5V, 50pF
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 2 µA
товар відсутній
TC7SH14FU,LJ docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7SH14FU
TC7SH14FU,LJ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER SCHMT TRG SNGL USV
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TC7SZ04FU,LJ docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7SZ04F
TC7SZ04FU,LJ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER SINGLE USV
товар відсутній
TC7SZ08F,LJ docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7SZ08F
TC7SZ08F,LJ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE AND 1CH 2-INP SMV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1SS403,H3F 1SS403_datasheet_en_20210625.pdf?did=3397&prodName=1SS403
1SS403,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE GEN PURP 200V 100MA USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.35 грн
6000+ 3.89 грн
9000+ 3.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CCS15S30,L3F CCS15S30_datasheet_en_20151113.pdf?did=13923&prodName=CCS15S30
CCS15S30,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1.5A CST2C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: CST2C
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 400 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+4.93 грн
Мінімальне замовлення: 10000
CCS15S30,L3IDTF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=CCS15S30
CCS15S30,L3IDTF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1.5A CST2C
товар відсутній
CCS15S30,L3QUF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=CCS15S30
CCS15S30,L3QUF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1.5A CST2C
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DF2B6.8ACT,L3F docget.jsp?did=14344&prodName=DF2B6.8ACT
DF2B6.8ACT,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5V 7V CST2
на замовлення 170000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DF2B6.8AFS,L3M docget.jsp?did=14320&prodName=DF2B6.8AFS
DF2B6.8AFS,L3M
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5V 7V FSC
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TCR2EN10,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR2EN10
TCR2EN10,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 1V 0.2A 4SDFN
товар відсутній
TCR2EN105,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR2EN10
TCR2EN105,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 1.05V 0.2A 4SDFN
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TCR2EN11,LF docget.jsp?did=13455&prodName=TCR2EN10
TCR2EN11,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.1V 200MA 4SDFN
товар відсутній
TCR2EN19,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR2EN10
TCR2EN19,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 1.9V 0.2A 4SDFN
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
CCS15S30,L3F CCS15S30_datasheet_en_20151113.pdf?did=13923&prodName=CCS15S30
CCS15S30,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1.5A CST2C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: CST2C
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 400 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
на замовлення 38695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+25.8 грн
18+ 17.62 грн
100+ 8.89 грн
500+ 7.39 грн
1000+ 5.75 грн
2000+ 5.15 грн
5000+ 4.95 грн
Мінімальне замовлення: 13
CCS15S30,L3IDTF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=CCS15S30
CCS15S30,L3IDTF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1.5A CST2C
товар відсутній
CCS15S30,L3QUF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=CCS15S30
CCS15S30,L3QUF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1.5A CST2C
на замовлення 18860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DF2B6.8ACT,L3F docget.jsp?did=14344&prodName=DF2B6.8ACT
DF2B6.8ACT,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5V 7V CST2
на замовлення 176980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DF2B6.8AFS,L3M docget.jsp?did=14320&prodName=DF2B6.8AFS
DF2B6.8AFS,L3M
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5V 7V FSC
на замовлення 48878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 110 132 154 176 198 220 222  [ Наступна Сторінка >> ]