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Доступність |
Ціна |
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TBD62003AFNG(Z,EL) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TBD62003AFNG(Z,EL) - Peripherietreiber, 50V/0.5Aout, 7 Ausgänge, SSOP, -40°C bis 85°CtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 500mA usEccn: EAR99 Ausgangsspannung: 50V Versorgungsspannung, min.: - euEccn: NLR Bauform - Treiber: SSOP Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: - Anzahl der Ausgänge: 7Ausgänge SVHC: To Be Advised |
на замовлення 739 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TBD62003AFNG(Z,EL) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TBD62003AFNG(Z,EL) - Peripherietreiber, 50V/0.5Aout, 7 Ausgänge, SSOP, -40°C bis 85°CtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 500mA usEccn: EAR99 Ausgangsspannung: 50V Versorgungsspannung, min.: - euEccn: NLR Bauform - Treiber: SSOP Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: - Anzahl der Ausgänge: 7Ausgänge SVHC: To Be Advised |
на замовлення 739 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TBD62003AFG(Z,EL) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TBD62003AFG(Z,EL) - Peripherietreiber, 50V/0.5Aout, 7 Ausgänge, SOP, -40°C bis 85°CtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 500mA usEccn: EAR99 Ausgangsspannung: 50V Versorgungsspannung, min.: - euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOP Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: - Anzahl der Ausgänge: 7Ausgänge SVHC: To Be Advised |
на замовлення 4115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TBD62003AFG(Z,EL) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TBD62003AFG(Z,EL) - Peripherietreiber, 50V/0.5Aout, 7 Ausgänge, SOP, -40°C bis 85°CtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 500mA usEccn: EAR99 Ausgangsspannung: 50V Versorgungsspannung, min.: - euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOP Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: - Anzahl der Ausgänge: 7Ausgänge SVHC: To Be Advised |
на замовлення 4115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TPH1R306PL1,LQ(M | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH1R306PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 280 A, 1000 µohm, SOP Advance, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 280A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 210W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 4049 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TPH1R306PL1,LQ(M | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH1R306PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 280 A, 0.001 ohm, SOP Advance, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 280A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 210W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 4164 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TC78B015AFTG(Z,EL) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TC78B015AFTG(Z,EL) - Motortreiber, bürstenloser DC-Motor, 36V, 3A, 6V bis 30V, WQFN-36tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 3A Motortyp: Bürstenloser Dreiphasenmotor (DC) MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Ausgangsspannung: 36V Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 6V euEccn: NLR Bauform - Treiber: WQFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 36Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 30V Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl der Ausgänge: 3Ausgänge SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TC78B015FTG(Z,EL) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TC78B015FTG(Z,EL) - Motortreiber, bürstenloser DC-Motor, 36V, 3A, 6V bis 30V, WQFN-36tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 3A Motortyp: Bürstenloser Gleichstrommotor usEccn: EAR99 Ausgangsspannung: 22V Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 6V euEccn: NLR Bauform - Treiber: WQFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 36Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 22V Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl der Ausgänge: 3Ausgänge SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TC78B015AFTG(Z,EL) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TC78B015AFTG(Z,EL) - Motortreiber, bürstenloser DC-Motor, 36V, 3A, 6V bis 30V, WQFN-36tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 3A Motortyp: Bürstenloser Dreiphasenmotor (DC) MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Ausgangsspannung: 36V Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 6V euEccn: NLR Bauform - Treiber: WQFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 36Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 30V Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl der Ausgänge: 3Ausgänge SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TC78B015FTG(Z,EL) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TC78B015FTG(Z,EL) - Motortreiber, bürstenloser DC-Motor, 36V, 3A, 6V bis 30V, WQFN-36tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 3A Motortyp: Bürstenloser Gleichstrommotor usEccn: EAR99 Ausgangsspannung: 22V Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 6V euEccn: NLR Bauform - Treiber: WQFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 36Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 22V Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl der Ausgänge: 3Ausgänge SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TK7P50D(T6RSS-Q) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK7P50D(T6RSS-Q) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7 A, 1 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1564 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TK7A90E,S4X(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK7A90E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 7 A, 1.6 ohm, TO-220SIS, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-220SIS Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TK7A65D(STA4,Q,M) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK7A65D(STA4,Q,M) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.8 ohm, SC-67, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: SC-67 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2187 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TK560A65Y,S4X(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK560A65Y,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.43 ohm, TO-220SIS, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-220SIS Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TK560P65Y,RQ(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK560P65Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.43 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TK7J90E,S1E(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK7J90E,S1E(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 7 A, 1.6 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 97 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TK7A60W,S4VX(M | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK7A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.5 ohm, TO-220SIS, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-220SIS Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 36 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TK12A60D(STA4,Q,M) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK12A60D(STA4,Q,M) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.45 ohm, SC-67, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: SC-67 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TPHR9203PL1,LQ(M | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPHR9203PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 320 A, 610 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 320A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 610µohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 3445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TPHR9203PL1,LQ(M | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPHR9203PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 320 A, 610 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 320A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 610µohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 3445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TPH6R003NL,LQ(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH6R003NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 57 A, 0.0052 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 57A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 34W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TLP2761(E(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TLP2761(E(T - Optokoppler, Digitalausgang, 1 Kanal, 5 kV, 15 Mbaud, LSOP, 6 Pin(s), TLP276tariffCode: 85414900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Anzahl der Kanäle: 1 Kanal rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 6Pin(s) Isolationsspannung: 5kV euEccn: NLR hazardous: false Bauform - Optokoppler: LSOP rohsPhthalatesCompliant: YES Übertragungsrate: 15Mbaud usEccn: EAR99 Produktpalette: TLP276 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TPH1R306P1,L1Q(M | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH1R306P1,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 260 A, 960 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 260A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2447 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TPH1R306P1,L1Q(M | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH1R306P1,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 260 A, 960 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 260A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2447 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TK6R9P08QM,RQ(S2 | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK6R9P08QM,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 83 A, 5500 µohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 83A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: U-MOSX-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2357 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TK6R9P08QM,RQ(S2 | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK6R9P08QM,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 83 A, 5500 µohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 83A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: U-MOSX-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2357 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SSM3K15AMFV,L3F(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3K15AMFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, SOT-723, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 150mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-723 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 2.3ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2872 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TK099V65Z,LQ(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK099V65Z,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.08 ohm, DFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 230W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: DFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1466 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TK099V65Z,LQ(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK099V65Z,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.08 ohm, DFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1491 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TK055U60Z1,RQ(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK055U60Z1,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.046 ohm, TOLL, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 270W Bauform - Transistor: TOLL Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: DTMOSVI Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 253 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TK055U60Z1,RQ(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK055U60Z1,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.046 ohm, TOLL, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 270W Bauform - Transistor: TOLL Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: DTMOSVI Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 253 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SSM6J511NU,LF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM6J511NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 14 A, 0.0065 ohm, UDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.25W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: UDFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065ohm Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TK22A65X5,S5X(M | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK22A65X5,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22 A, 0.135 ohm, TO-220SIS, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-220SIS Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 244 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TK22E10N1,S1X(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK22E10N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 52 A, 0.0115 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 52A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 72W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2622 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TCKE805NL,RF(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TCKE805NL,RF(S - Hot-Swap-Controller, elektronische Sicherung, 4.4V bis 18V Versorgung, 1 Kanal, WSON-10, -40-85°CtariffCode: 85423990 IC-Funktion: Elektronische Sicherung rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: WSON usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.4V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 18V Betriebstemperatur, max.: 85°C Leistungsschalter: MOSFET SVHC: To Be Advised |
на замовлення 3386 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TCR3LM33A,RF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TCR3LM33A,RF(T - LDO-Spannungsregler, fest, 1.4V bis 5.5Vin, 3.3V/300mAout, DFN-D-EP-4, 85°CtariffCode: 85423990 Ausgang: Fest rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: DFN-D-EP Nennausgangsspannung: 3.3V usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 300mA Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: 1.4V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: 3.3V 200mA LDO Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: 3.3V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 300mA Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 177mV Typische Dropout-Spannung bei Strom: 177mV Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: To Be Advised |
на замовлення 9700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TCKE805NL,RF(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TCKE805NL,RF(S - Hot-Swap-Controller, elektronische Sicherung, 4.4V bis 18V Versorgung, 1 Kanal, WSON-10, -40-85°CtariffCode: 85423990 IC-Funktion: Elektronische Sicherung rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: WSON usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.4V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 18V Betriebstemperatur, max.: 85°C Leistungsschalter: MOSFET SVHC: To Be Advised |
на замовлення 3386 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TCR3LM08A,RF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TCR3LM08A,RF(T - LDO-Spannungsregler, fest, 1.4V bis 5.5Vin, 800mV/300mAout, DFN-D-EP-4, 85°CtariffCode: 85423990 Ausgang: Fest rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: DFN-D-EP Nennausgangsspannung: 800mV usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 300mA Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: 1.4V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: 800mV 200mA LDO Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: 800mV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 300mA Dropout-Spannung, typ., bei Strom: - Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: To Be Advised |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TCR3LM08A,RF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TCR3LM08A,RF(T - LDO-Spannungsregler, fest, 1.4V bis 5.5Vin, 800mV/300mAout, DFN-D-EP-4, 85°C tariffCode: 85423990 Ausgang: Fest rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: DFN-D-EP Nennausgangsspannung: 800mV usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 300mA Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: 1.4V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: 800mV 200mA LDO Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: 800mV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 300mA Dropout-Spannung, typ., bei Strom: - Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: To Be Advised |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TCR3LM33A,RF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TCR3LM33A,RF(T - LDO-Spannungsregler, fest, 1.4V bis 5.5Vin, 3.3V/300mAout, DFN-D-EP-4, 85°CtariffCode: 85423990 Ausgang: Fest rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: DFN-D-EP Nennausgangsspannung: 3.3V usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 300mA Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: 1.4V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: 3.3V 200mA LDO Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: 3.3V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 300mA Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 177mV Typische Dropout-Spannung bei Strom: 177mV Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: To Be Advised |
на замовлення 9700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TK750A60F,S4X(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK750A60F,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.62 ohm, TO-220SIS, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-220SIS Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TK8R2A06PL,S4X(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK8R2A06PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 6100 µohm, TO-220SIS, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Bauform - Transistor: TO-220SIS Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 809 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TK7R4A10PL,S4X(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK7R4A10PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 6300 µohm, TO-220SIS, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TO-220SIS Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1023 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TK4R1A10PL,S4X(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK4R1A10PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 0.0035 ohm, TO-220SIS, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 54W Bauform - Transistor: TO-220SIS Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 608 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TK090A65Z,S4X(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK090A65Z,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-220SIS, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-220SIS Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 97 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TK4A80E,S4X(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK4A80E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 2.8 ohm, TO-220SIS, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 35W Bauform - Transistor: TO-220SIS Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TK380A60Y,S4X(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK380A60Y,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-220SIS, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 9.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-220SIS Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 528 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TK3R1A04PL,S4X(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK3R1A04PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 82 A, 0.0025 ohm, TO-220SIS, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 82A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Bauform - Transistor: TO-220SIS Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TK8A60W,S4VX(M | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK8A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.42 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-220SIS Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.42ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 462 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TK100A06N1,S4X(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK100A06N1,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 263 A, 0.0022 ohm, TO-220SIS, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 263A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-220SIS Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TK7A80W,S4X(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK7A80W,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6.5 A, 0.795 ohm, TO-220SIS, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 35W Bauform - Transistor: TO-220SIS Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.795ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TK110A10PL,S4X(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK110A10PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 41 A, 0.0091 ohm, TO-220SIS, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 41A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Bauform - Transistor: TO-220SIS Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1006 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TK430A60F,S4X(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK430A60F,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.36 ohm, TO-220SIS, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-220SIS Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 333 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TK100A10N1,S4X(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK100A10N1,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 207 A, 0.0031 ohm, TO-220SIS, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 207A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-220SIS Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TK380A65Y,S4X(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK380A65Y,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-220SIS, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 9.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-220SIS Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TK2R4A08QM,S4X(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK2R4A08QM,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 0.00188 ohm, TO-220SIS, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 116A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 47W Bauform - Transistor: TO-220SIS Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00188ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TK5A90E,S4X(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK5A90E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 4.5 A, 2.5 ohm, TO-220SIS, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-220SIS Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TK6A80E,S4X(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK6A80E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 1.35 ohm, TO-220SIS, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-220SIS Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 42 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TK16A60W5,S4VX(M | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK16A60W5,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.18 ohm, TO-220SIS, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 15.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-220SIS Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 274 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TK2K2A60F,S4X(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK2K2A60F,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.5 A, 1.82 ohm, TO-220SIS, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-220SIS Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.82ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| TBD62003AFNG(Z,EL) |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TBD62003AFNG(Z,EL) - Peripherietreiber, 50V/0.5Aout, 7 Ausgänge, SSOP, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 500mA
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 50V
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SSOP
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: -
Anzahl der Ausgänge: 7Ausgänge
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TBD62003AFNG(Z,EL) - Peripherietreiber, 50V/0.5Aout, 7 Ausgänge, SSOP, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 500mA
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 50V
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SSOP
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: -
Anzahl der Ausgänge: 7Ausgänge
SVHC: To Be Advised
на замовлення 739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 102.28 грн |
| 12+ | 74.98 грн |
| 50+ | 68.21 грн |
| 100+ | 56.66 грн |
| 250+ | 48.89 грн |
| 500+ | 48.51 грн |
| TBD62003AFNG(Z,EL) |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TBD62003AFNG(Z,EL) - Peripherietreiber, 50V/0.5Aout, 7 Ausgänge, SSOP, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 500mA
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 50V
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SSOP
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: -
Anzahl der Ausgänge: 7Ausgänge
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TBD62003AFNG(Z,EL) - Peripherietreiber, 50V/0.5Aout, 7 Ausgänge, SSOP, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 500mA
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 50V
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SSOP
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: -
Anzahl der Ausgänge: 7Ausgänge
SVHC: To Be Advised
на замовлення 739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 56.66 грн |
| 250+ | 48.89 грн |
| 500+ | 48.51 грн |
| TBD62003AFG(Z,EL) |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TBD62003AFG(Z,EL) - Peripherietreiber, 50V/0.5Aout, 7 Ausgänge, SOP, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 500mA
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 50V
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOP
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: -
Anzahl der Ausgänge: 7Ausgänge
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TBD62003AFG(Z,EL) - Peripherietreiber, 50V/0.5Aout, 7 Ausgänge, SOP, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 500mA
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 50V
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOP
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: -
Anzahl der Ausgänge: 7Ausgänge
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 104.88 грн |
| 12+ | 77.40 грн |
| 50+ | 70.38 грн |
| 100+ | 58.51 грн |
| 250+ | 50.45 грн |
| 500+ | 50.07 грн |
| 1000+ | 49.70 грн |
| 2500+ | 35.36 грн |
| TBD62003AFG(Z,EL) |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TBD62003AFG(Z,EL) - Peripherietreiber, 50V/0.5Aout, 7 Ausgänge, SOP, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 500mA
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 50V
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOP
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: -
Anzahl der Ausgänge: 7Ausgänge
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TBD62003AFG(Z,EL) - Peripherietreiber, 50V/0.5Aout, 7 Ausgänge, SOP, -40°C bis 85°C
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 500mA
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 50V
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOP
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: -
Anzahl der Ausgänge: 7Ausgänge
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 58.51 грн |
| 250+ | 50.45 грн |
| 500+ | 50.07 грн |
| 1000+ | 49.70 грн |
| 2500+ | 35.36 грн |
| TPH1R306PL1,LQ(M |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH1R306PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 280 A, 1000 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 280A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TPH1R306PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 280 A, 1000 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 280A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 117.88 грн |
| 500+ | 92.56 грн |
| 1000+ | 81.72 грн |
| TPH1R306PL1,LQ(M |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH1R306PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 280 A, 0.001 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 280A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TPH1R306PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 280 A, 0.001 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 280A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 233.16 грн |
| 10+ | 163.82 грн |
| 100+ | 114.41 грн |
| 500+ | 86.12 грн |
| 1000+ | 72.21 грн |
| TC78B015AFTG(Z,EL) |
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Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TC78B015AFTG(Z,EL) - Motortreiber, bürstenloser DC-Motor, 36V, 3A, 6V bis 30V, WQFN-36
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 3A
Motortyp: Bürstenloser Dreiphasenmotor (DC)
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 36V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 6V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: WQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 30V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 3Ausgänge
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: TOSHIBA - TC78B015AFTG(Z,EL) - Motortreiber, bürstenloser DC-Motor, 36V, 3A, 6V bis 30V, WQFN-36
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 3A
Motortyp: Bürstenloser Dreiphasenmotor (DC)
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 36V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 6V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: WQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 30V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 3Ausgänge
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 260.03 грн |
| 10+ | 217.56 грн |
| 25+ | 179.42 грн |
| 100+ | 148.90 грн |
| 500+ | 124.07 грн |
| 1000+ | 119.61 грн |
| 5000+ | 116.64 грн |
| TC78B015FTG(Z,EL) |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TC78B015FTG(Z,EL) - Motortreiber, bürstenloser DC-Motor, 36V, 3A, 6V bis 30V, WQFN-36
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 3A
Motortyp: Bürstenloser Gleichstrommotor
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 22V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 6V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: WQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 22V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 3Ausgänge
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: TOSHIBA - TC78B015FTG(Z,EL) - Motortreiber, bürstenloser DC-Motor, 36V, 3A, 6V bis 30V, WQFN-36
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 3A
Motortyp: Bürstenloser Gleichstrommotor
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 22V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 6V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: WQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 22V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 3Ausgänge
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 261.76 грн |
| 10+ | 219.29 грн |
| 25+ | 180.29 грн |
| 100+ | 149.70 грн |
| 500+ | 124.81 грн |
| 1000+ | 120.36 грн |
| 5000+ | 117.38 грн |
| TC78B015AFTG(Z,EL) |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TC78B015AFTG(Z,EL) - Motortreiber, bürstenloser DC-Motor, 36V, 3A, 6V bis 30V, WQFN-36
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 3A
Motortyp: Bürstenloser Dreiphasenmotor (DC)
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 36V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 6V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: WQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 30V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 3Ausgänge
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: TOSHIBA - TC78B015AFTG(Z,EL) - Motortreiber, bürstenloser DC-Motor, 36V, 3A, 6V bis 30V, WQFN-36
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 3A
Motortyp: Bürstenloser Dreiphasenmotor (DC)
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 36V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 6V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: WQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 30V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 3Ausgänge
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 260.03 грн |
| 10+ | 217.56 грн |
| 25+ | 179.42 грн |
| 100+ | 148.90 грн |
| 500+ | 124.07 грн |
| 1000+ | 119.61 грн |
| 5000+ | 116.64 грн |
| TC78B015FTG(Z,EL) |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TC78B015FTG(Z,EL) - Motortreiber, bürstenloser DC-Motor, 36V, 3A, 6V bis 30V, WQFN-36
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 3A
Motortyp: Bürstenloser Gleichstrommotor
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 22V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 6V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: WQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 22V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 3Ausgänge
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: TOSHIBA - TC78B015FTG(Z,EL) - Motortreiber, bürstenloser DC-Motor, 36V, 3A, 6V bis 30V, WQFN-36
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 3A
Motortyp: Bürstenloser Gleichstrommotor
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 22V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 6V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: WQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 22V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 3Ausgänge
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 261.76 грн |
| 10+ | 219.29 грн |
| 25+ | 180.29 грн |
| 100+ | 149.70 грн |
| 500+ | 124.81 грн |
| 1000+ | 120.36 грн |
| 5000+ | 117.38 грн |
| TK7P50D(T6RSS-Q) |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK7P50D(T6RSS-Q) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7 A, 1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TK7P50D(T6RSS-Q) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7 A, 1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 48.19 грн |
| 19+ | 46.89 грн |
| 100+ | 45.68 грн |
| 500+ | 41.21 грн |
| 1000+ | 37.30 грн |
| TK7A90E,S4X(S |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK7A90E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 7 A, 1.6 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TK7A90E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 7 A, 1.6 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 232.29 грн |
| 10+ | 171.62 грн |
| TK7A65D(STA4,Q,M) |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK7A65D(STA4,Q,M) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.8 ohm, SC-67, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: SC-67
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TK7A65D(STA4,Q,M) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.8 ohm, SC-67, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: SC-67
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 212.36 грн |
| 10+ | 106.61 грн |
| 100+ | 96.21 грн |
| 500+ | 68.01 грн |
| 1000+ | 57.88 грн |
| TK560A65Y,S4X(S |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK560A65Y,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.43 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TK560A65Y,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.43 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 171.62 грн |
| 10+ | 104.01 грн |
| TK560P65Y,RQ(S |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK560P65Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.43 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TK560P65Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.43 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 106.61 грн |
| 11+ | 80.52 грн |
| 100+ | 56.43 грн |
| 500+ | 47.08 грн |
| 1000+ | 42.72 грн |
| TK7J90E,S1E(S |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK7J90E,S1E(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 7 A, 1.6 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TK7J90E,S1E(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 7 A, 1.6 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 292.97 грн |
| 10+ | 214.09 грн |
| TK7A60W,S4VX(M |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK7A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.5 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TK7A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.5 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 195.02 грн |
| 10+ | 181.15 грн |
| TK12A60D(STA4,Q,M) |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK12A60D(STA4,Q,M) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.45 ohm, SC-67, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: SC-67
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TK12A60D(STA4,Q,M) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.45 ohm, SC-67, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: SC-67
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 259.16 грн |
| 10+ | 136.95 грн |
| 100+ | 136.08 грн |
| 500+ | 86.12 грн |
| 1000+ | 72.44 грн |
| TPHR9203PL1,LQ(M |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPHR9203PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 320 A, 610 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 320A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 610µohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TPHR9203PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 320 A, 610 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 320A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 610µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 123.95 грн |
| 10+ | 89.28 грн |
| 100+ | 62.84 грн |
| 500+ | 57.87 грн |
| 1000+ | 52.90 грн |
| TPHR9203PL1,LQ(M |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPHR9203PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 320 A, 610 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 320A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 610µohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TPHR9203PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 320 A, 610 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 320A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 610µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 62.84 грн |
| 500+ | 57.87 грн |
| 1000+ | 52.90 грн |
| TPH6R003NL,LQ(S |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH6R003NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 57 A, 0.0052 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: TOSHIBA - TPH6R003NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 57 A, 0.0052 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 87.54 грн |
| 13+ | 67.69 грн |
| 100+ | 48.37 грн |
| 500+ | 38.07 грн |
| 1000+ | 26.97 грн |
| TLP2761(E(T |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLP2761(E(T - Optokoppler, Digitalausgang, 1 Kanal, 5 kV, 15 Mbaud, LSOP, 6 Pin(s), TLP276
tariffCode: 85414900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Isolationsspannung: 5kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: LSOP
rohsPhthalatesCompliant: YES
Übertragungsrate: 15Mbaud
usEccn: EAR99
Produktpalette: TLP276
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: TOSHIBA - TLP2761(E(T - Optokoppler, Digitalausgang, 1 Kanal, 5 kV, 15 Mbaud, LSOP, 6 Pin(s), TLP276
tariffCode: 85414900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Isolationsspannung: 5kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: LSOP
rohsPhthalatesCompliant: YES
Übertragungsrate: 15Mbaud
usEccn: EAR99
Produktpalette: TLP276
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 82.43 грн |
| 15+ | 61.89 грн |
| 25+ | 60.24 грн |
| 50+ | 54.41 грн |
| 100+ | 45.62 грн |
| 500+ | 40.71 грн |
| TPH1R306P1,L1Q(M |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH1R306P1,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 260 A, 960 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TPH1R306P1,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 260 A, 960 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 117.01 грн |
| 500+ | 99.00 грн |
| 1000+ | 74.29 грн |
| TPH1R306P1,L1Q(M |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH1R306P1,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 260 A, 960 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TPH1R306P1,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 260 A, 960 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 216.69 грн |
| 10+ | 159.48 грн |
| 100+ | 117.01 грн |
| 500+ | 99.00 грн |
| 1000+ | 74.29 грн |
| TK6R9P08QM,RQ(S2 |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK6R9P08QM,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 83 A, 5500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TK6R9P08QM,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 83 A, 5500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 63.71 грн |
| 500+ | 43.14 грн |
| 1000+ | 36.55 грн |
| TK6R9P08QM,RQ(S2 |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK6R9P08QM,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 83 A, 5500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TK6R9P08QM,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 83 A, 5500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 130.01 грн |
| 10+ | 91.01 грн |
| 100+ | 63.71 грн |
| 500+ | 43.14 грн |
| 1000+ | 36.55 грн |
| SSM3K15AMFV,L3F(T |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K15AMFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - SSM3K15AMFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 34.15 грн |
| 250+ | 21.67 грн |
| 1000+ | 9.01 грн |
| TK099V65Z,LQ(S |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK099V65Z,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.08 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 230W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TK099V65Z,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.08 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 230W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 169.89 грн |
| 500+ | 148.90 грн |
| 1000+ | 135.96 грн |
| TK099V65Z,LQ(S |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK099V65Z,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.08 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TK099V65Z,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.08 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 307.70 грн |
| 10+ | 211.49 грн |
| 100+ | 169.89 грн |
| 500+ | 148.90 грн |
| 1000+ | 135.96 грн |
| TK055U60Z1,RQ(S |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK055U60Z1,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.046 ohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: DTMOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TK055U60Z1,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.046 ohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: DTMOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 635.34 грн |
| 10+ | 434.25 грн |
| 100+ | 331.10 грн |
| TK055U60Z1,RQ(S |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK055U60Z1,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.046 ohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: DTMOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TK055U60Z1,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.046 ohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: DTMOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 434.25 грн |
| 100+ | 331.10 грн |
| SSM6J511NU,LF(T |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6J511NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 14 A, 0.0065 ohm, UDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.25W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: UDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - SSM6J511NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 14 A, 0.0065 ohm, UDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.25W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: UDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 16.30 грн |
| 500+ | 11.75 грн |
| 1000+ | 7.65 грн |
| 5000+ | 7.15 грн |
| TK22A65X5,S5X(M |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK22A65X5,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22 A, 0.135 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TK22A65X5,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22 A, 0.135 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 405.65 грн |
| 10+ | 211.49 грн |
| 100+ | 191.56 грн |
| TK22E10N1,S1X(S |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK22E10N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 52 A, 0.0115 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TK22E10N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 52 A, 0.0115 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 174.22 грн |
| 10+ | 91.88 грн |
| 100+ | 87.54 грн |
| 500+ | 56.58 грн |
| 1000+ | 49.11 грн |
| TCKE805NL,RF(S |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TCKE805NL,RF(S - Hot-Swap-Controller, elektronische Sicherung, 4.4V bis 18V Versorgung, 1 Kanal, WSON-10, -40-85°C
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Elektronische Sicherung
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.4V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Leistungsschalter: MOSFET
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TCKE805NL,RF(S - Hot-Swap-Controller, elektronische Sicherung, 4.4V bis 18V Versorgung, 1 Kanal, WSON-10, -40-85°C
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Elektronische Sicherung
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.4V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Leistungsschalter: MOSFET
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 75.66 грн |
| 250+ | 66.42 грн |
| 500+ | 62.56 грн |
| 1000+ | 58.99 грн |
| 2500+ | 57.73 грн |
| TCR3LM33A,RF(T |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TCR3LM33A,RF(T - LDO-Spannungsregler, fest, 1.4V bis 5.5Vin, 3.3V/300mAout, DFN-D-EP-4, 85°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: DFN-D-EP
Nennausgangsspannung: 3.3V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.4V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 200mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 177mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 177mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TCR3LM33A,RF(T - LDO-Spannungsregler, fest, 1.4V bis 5.5Vin, 3.3V/300mAout, DFN-D-EP-4, 85°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: DFN-D-EP
Nennausgangsspannung: 3.3V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.4V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 200mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 177mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 177mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 13.35 грн |
| 500+ | 10.95 грн |
| 1000+ | 9.06 грн |
| 5000+ | 7.95 грн |
| TCKE805NL,RF(S |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TCKE805NL,RF(S - Hot-Swap-Controller, elektronische Sicherung, 4.4V bis 18V Versorgung, 1 Kanal, WSON-10, -40-85°C
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Elektronische Sicherung
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.4V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Leistungsschalter: MOSFET
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TCKE805NL,RF(S - Hot-Swap-Controller, elektronische Sicherung, 4.4V bis 18V Versorgung, 1 Kanal, WSON-10, -40-85°C
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Elektronische Sicherung
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.4V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Leistungsschalter: MOSFET
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 126.55 грн |
| 10+ | 99.68 грн |
| 50+ | 91.01 грн |
| 100+ | 75.66 грн |
| 250+ | 66.42 грн |
| 500+ | 62.56 грн |
| 1000+ | 58.99 грн |
| 2500+ | 57.73 грн |
| TCR3LM08A,RF(T |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TCR3LM08A,RF(T - LDO-Spannungsregler, fest, 1.4V bis 5.5Vin, 800mV/300mAout, DFN-D-EP-4, 85°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: DFN-D-EP
Nennausgangsspannung: 800mV
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.4V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 800mV 200mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 800mV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TCR3LM08A,RF(T - LDO-Spannungsregler, fest, 1.4V bis 5.5Vin, 800mV/300mAout, DFN-D-EP-4, 85°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: DFN-D-EP
Nennausgangsspannung: 800mV
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.4V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 800mV 200mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 800mV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 11.79 грн |
| 500+ | 9.34 грн |
| 1000+ | 7.95 грн |
| 5000+ | 7.43 грн |
| TCR3LM08A,RF(T |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TCR3LM08A,RF(T - LDO-Spannungsregler, fest, 1.4V bis 5.5Vin, 800mV/300mAout, DFN-D-EP-4, 85°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: DFN-D-EP
Nennausgangsspannung: 800mV
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.4V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 800mV 200mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 800mV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TCR3LM08A,RF(T - LDO-Spannungsregler, fest, 1.4V bis 5.5Vin, 800mV/300mAout, DFN-D-EP-4, 85°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: DFN-D-EP
Nennausgangsspannung: 800mV
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.4V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 800mV 200mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 800mV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 57+ | 15.43 грн |
| 73+ | 11.96 грн |
| 100+ | 11.79 грн |
| 500+ | 9.34 грн |
| 1000+ | 7.95 грн |
| 5000+ | 7.43 грн |
| TCR3LM33A,RF(T |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TCR3LM33A,RF(T - LDO-Spannungsregler, fest, 1.4V bis 5.5Vin, 3.3V/300mAout, DFN-D-EP-4, 85°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: DFN-D-EP
Nennausgangsspannung: 3.3V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.4V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 200mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 177mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 177mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TCR3LM33A,RF(T - LDO-Spannungsregler, fest, 1.4V bis 5.5Vin, 3.3V/300mAout, DFN-D-EP-4, 85°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: DFN-D-EP
Nennausgangsspannung: 3.3V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.4V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 200mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 177mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 177mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 28+ | 31.20 грн |
| 46+ | 19.16 грн |
| 100+ | 13.35 грн |
| 500+ | 10.95 грн |
| 1000+ | 9.06 грн |
| 5000+ | 7.95 грн |
| TK750A60F,S4X(S |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK750A60F,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.62 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TK750A60F,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.62 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 213.22 грн |
| 10+ | 148.22 грн |
| 100+ | 82.52 грн |
| 500+ | 66.24 грн |
| 1000+ | 57.50 грн |
| TK8R2A06PL,S4X(S |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK8R2A06PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 6100 µohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TK8R2A06PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 6100 µohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 134.35 грн |
| 13+ | 70.03 грн |
| 100+ | 62.49 грн |
| 500+ | 47.97 грн |
| TK7R4A10PL,S4X(S |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK7R4A10PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 6300 µohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TK7R4A10PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 6300 µohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 159.48 грн |
| 10+ | 89.28 грн |
| 100+ | 79.57 грн |
| 500+ | 59.72 грн |
| 1000+ | 46.88 грн |
| TK4R1A10PL,S4X(S |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK4R1A10PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 0.0035 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TK4R1A10PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 0.0035 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 227.09 грн |
| 10+ | 180.29 грн |
| 100+ | 132.62 грн |
| 500+ | 89.34 грн |
| TK090A65Z,S4X(S |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK090A65Z,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TK090A65Z,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 423.85 грн |
| 10+ | 237.49 грн |
| TK4A80E,S4X(S |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK4A80E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 2.8 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TK4A80E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 2.8 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 144.75 грн |
| 10+ | 94.48 грн |
| TK380A60Y,S4X(S |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK380A60Y,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TK380A60Y,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 155.15 грн |
| 10+ | 113.55 грн |
| 100+ | 102.28 грн |
| 500+ | 80.49 грн |
| TK3R1A04PL,S4X(S |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK3R1A04PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 82 A, 0.0025 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TK3R1A04PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 82 A, 0.0025 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 168.15 грн |
| 10+ | 99.68 грн |
| TK8A60W,S4VX(M |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK8A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.42 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.42ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TK8A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.42 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.42ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 271.30 грн |
| 10+ | 136.95 грн |
| 100+ | 123.95 грн |
| TK100A06N1,S4X(S |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK100A06N1,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 263 A, 0.0022 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 263A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TK100A06N1,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 263 A, 0.0022 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 263A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 281.70 грн |
| 10+ | 148.22 грн |
| 100+ | 119.61 грн |
| 500+ | 93.36 грн |
| TK7A80W,S4X(S |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK7A80W,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6.5 A, 0.795 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.795ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TK7A80W,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6.5 A, 0.795 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.795ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 236.63 грн |
| 10+ | 227.09 грн |
| TK110A10PL,S4X(S |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK110A10PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 41 A, 0.0091 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TK110A10PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 41 A, 0.0091 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 152.55 грн |
| 13+ | 70.73 грн |
| 100+ | 65.35 грн |
| 500+ | 54.01 грн |
| 1000+ | 37.52 грн |
| TK430A60F,S4X(S |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK430A60F,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.36 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TK430A60F,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.36 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 221.02 грн |
| 10+ | 173.35 грн |
| 100+ | 117.88 грн |
| TK100A10N1,S4X(S |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK100A10N1,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 207 A, 0.0031 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 207A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TK100A10N1,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 207 A, 0.0031 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 207A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 373.58 грн |
| 10+ | 226.23 грн |
| 100+ | 184.62 грн |
| TK380A65Y,S4X(S |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK380A65Y,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TK380A65Y,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 226.23 грн |
| 10+ | 120.48 грн |
| TK2R4A08QM,S4X(S |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK2R4A08QM,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 0.00188 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 116A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00188ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TK2R4A08QM,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 0.00188 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 116A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00188ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 269.56 грн |
| 10+ | 250.50 грн |
| TK5A90E,S4X(S |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK5A90E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 4.5 A, 2.5 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TK5A90E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 4.5 A, 2.5 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 166.42 грн |
| 10+ | 124.81 грн |
| TK6A80E,S4X(S |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK6A80E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 1.35 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TK6A80E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 1.35 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 218.42 грн |
| 10+ | 211.49 грн |
| TK16A60W5,S4VX(M |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK16A60W5,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.18 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TK16A60W5,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.18 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 298.17 грн |
| 10+ | 156.88 грн |
| 100+ | 133.48 грн |
| TK2K2A60F,S4X(S |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK2K2A60F,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.5 A, 1.82 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.82ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TK2K2A60F,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.5 A, 1.82 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.82ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 110.08 грн |
| 10+ | 107.48 грн |
















