Продукція > TOSHIBA > Всі товари виробника TOSHIBA (45680) > Сторінка 719 з 762

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 76 152 228 304 380 456 532 608 684 714 715 716 717 718 719 720 721 722 723 724 760 762  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TCKE805NL,RF(S TCKE805NL,RF(S TOSHIBA 3999375.pdf Description: TOSHIBA - TCKE805NL,RF(S - Hot-Swap-Controller, elektronische Sicherung, 4.4V bis 18V Versorgung, 1 Kanal, WSON-10, -40-85°C
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Elektronische Sicherung
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.4V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Leistungsschalter: MOSFET
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+69.86 грн
250+61.33 грн
500+57.76 грн
1000+54.47 грн
2500+53.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3LM33A,RF(T TCR3LM33A,RF(T TOSHIBA 3985392.pdf Description: TOSHIBA - TCR3LM33A,RF(T - LDO-Spannungsregler, fest, 1.4V bis 5.5Vin, 3.3V/300mAout, DFN-D-EP-4, 85°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: DFN-D-EP
Nennausgangsspannung: 3.3V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.4V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 200mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 177mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 177mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.32 грн
500+10.11 грн
1000+8.37 грн
5000+7.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TCKE805NL,RF(S TCKE805NL,RF(S TOSHIBA 3999375.pdf Description: TOSHIBA - TCKE805NL,RF(S - Hot-Swap-Controller, elektronische Sicherung, 4.4V bis 18V Versorgung, 1 Kanal, WSON-10, -40-85°C
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Elektronische Sicherung
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.4V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Leistungsschalter: MOSFET
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+116.85 грн
10+92.04 грн
50+84.03 грн
100+69.86 грн
250+61.33 грн
500+57.76 грн
1000+54.47 грн
2500+53.30 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3LM08A,RF(T TCR3LM08A,RF(T TOSHIBA 3985392.pdf Description: TOSHIBA - TCR3LM08A,RF(T - LDO-Spannungsregler, fest, 1.4V bis 5.5Vin, 800mV/300mAout, DFN-D-EP-4, 85°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: DFN-D-EP
Nennausgangsspannung: 800mV
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.4V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 800mV 200mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 800mV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.88 грн
500+8.62 грн
1000+7.34 грн
5000+6.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3LM08A,RF(T TCR3LM08A,RF(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - TCR3LM08A,RF(T - LDO-Spannungsregler, fest, 1.4V bis 5.5Vin, 800mV/300mAout, DFN-D-EP-4, 85°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: DFN-D-EP
Nennausgangsspannung: 800mV
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.4V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 800mV 200mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 800mV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
57+14.25 грн
73+11.04 грн
100+10.88 грн
500+8.62 грн
1000+7.34 грн
5000+6.86 грн
Мінімальне замовлення: 57
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3LM33A,RF(T TCR3LM33A,RF(T TOSHIBA 3985392.pdf Description: TOSHIBA - TCR3LM33A,RF(T - LDO-Spannungsregler, fest, 1.4V bis 5.5Vin, 3.3V/300mAout, DFN-D-EP-4, 85°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: DFN-D-EP
Nennausgangsspannung: 3.3V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.4V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 200mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 177mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 177mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+28.81 грн
46+17.69 грн
100+12.32 грн
500+10.11 грн
1000+8.37 грн
5000+7.34 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
TK750A60F,S4X(S TK750A60F,S4X(S TOSHIBA 3934757.pdf Description: TOSHIBA - TK750A60F,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.62 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+188.88 грн
11+78.03 грн
100+74.59 грн
500+56.85 грн
1000+48.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TK8R2A06PL,S4X(S TK8R2A06PL,S4X(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK8R2A06PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 6100 µohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+134.45 грн
13+64.43 грн
100+57.46 грн
500+42.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK7R4A10PL,S4X(S TK7R4A10PL,S4X(S TOSHIBA 3934770.pdf Description: TOSHIBA - TK7R4A10PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 6300 µohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+147.26 грн
10+82.43 грн
100+73.47 грн
500+55.14 грн
1000+43.29 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK4R1A10PL,S4X(S TK4R1A10PL,S4X(S TOSHIBA 3934725.pdf Description: TOSHIBA - TK4R1A10PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 0.0035 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+209.68 грн
10+166.47 грн
100+122.45 грн
500+82.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK090A65Z,S4X(S TK090A65Z,S4X(S TOSHIBA TOSC-S-A0007062413-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TOSHIBA - TK090A65Z,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+391.36 грн
10+219.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK4A80E,S4X(S TK4A80E,S4X(S TOSHIBA 3934723.pdf Description: TOSHIBA - TK4A80E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 2.8 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+133.65 грн
10+87.23 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A60Y,S4X(S TK380A60Y,S4X(S TOSHIBA TOSC-S-A0002811081-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TOSHIBA - TK380A60Y,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+143.26 грн
10+104.84 грн
100+94.44 грн
500+74.32 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1A04PL,S4X(S TK3R1A04PL,S4X(S TOSHIBA 3934708.pdf Description: TOSHIBA - TK3R1A04PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 82 A, 0.0025 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+155.26 грн
10+92.04 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A60W,S4VX(M TK8A60W,S4VX(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK8A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.42 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.42ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+250.50 грн
10+126.45 грн
100+114.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK100A06N1,S4X(S TK100A06N1,S4X(S TOSHIBA 3934610.pdf Description: TOSHIBA - TK100A06N1,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 263 A, 0.0022 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 263A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+260.10 грн
10+136.85 грн
100+110.44 грн
500+86.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK7A80W,S4X(S TK7A80W,S4X(S TOSHIBA 3934761.pdf Description: TOSHIBA - TK7A80W,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6.5 A, 0.795 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.795ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+218.49 грн
10+209.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK110A10PL,S4X(S TK110A10PL,S4X(S TOSHIBA 3934622.pdf Description: TOSHIBA - TK110A10PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 41 A, 0.0091 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+140.86 грн
13+65.31 грн
100+60.34 грн
500+49.87 грн
1000+34.64 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK430A60F,S4X(S TK430A60F,S4X(S TOSHIBA 3934719.pdf Description: TOSHIBA - TK430A60F,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.36 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+204.08 грн
10+160.06 грн
100+108.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK100A10N1,S4X(S TK100A10N1,S4X(S TOSHIBA 3934612.pdf Description: TOSHIBA - TK100A10N1,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 207 A, 0.0031 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 207A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+344.94 грн
10+208.88 грн
100+170.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A65Y,S4X(S TK380A65Y,S4X(S TOSHIBA 3934699.pdf Description: TOSHIBA - TK380A65Y,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+208.88 грн
10+111.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK2R4A08QM,S4X(S TK2R4A08QM,S4X(S TOSHIBA 3934684.pdf Description: TOSHIBA - TK2R4A08QM,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 0.00188 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 116A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00188ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+248.90 грн
10+231.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A90E,S4X(S TK5A90E,S4X(S TOSHIBA 3934733.pdf Description: TOSHIBA - TK5A90E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 4.5 A, 2.5 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+153.66 грн
10+115.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A80E,S4X(S TK6A80E,S4X(S TOSHIBA 3934749.pdf Description: TOSHIBA - TK6A80E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 1.35 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+201.68 грн
10+195.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK16A60W5,S4VX(M TK16A60W5,S4VX(M TOSHIBA 3934647.pdf Description: TOSHIBA - TK16A60W5,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.18 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+275.31 грн
10+144.86 грн
100+123.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK2K2A60F,S4X(S TK2K2A60F,S4X(S TOSHIBA 3934683.pdf Description: TOSHIBA - TK2K2A60F,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.5 A, 1.82 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.82ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+101.64 грн
10+99.24 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A80W,S4X(S TK12A80W,S4X(S TOSHIBA 3934631.pdf Description: TOSHIBA - TK12A80W,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11.5 A, 0.38 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+303.32 грн
10+238.50 грн
100+137.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK5R1A08QM,S4X(S TK5R1A08QM,S4X(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK5R1A08QM,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 71 A, 4100 µohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+160.86 грн
10+82.43 грн
100+64.83 грн
500+46.30 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TK10A80W,S4X(S TK10A80W,S4X(S TOSHIBA 3934619.pdf Description: TOSHIBA - TK10A80W,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 9.5 A, 0.46 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+268.91 грн
10+200.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK1K0A60F,S4X(S TK1K0A60F,S4X(S TOSHIBA 3934654.pdf Description: TOSHIBA - TK1K0A60F,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7.5 A, 0.83 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.83ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+105.64 грн
16+52.58 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R2A10PL,S4X(S TK3R2A10PL,S4X(S TOSHIBA 3934712.pdf Description: TOSHIBA - TK3R2A10PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 106 A, 0.0026 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+219.29 грн
10+119.25 грн
100+108.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK17A80W,S4X(S TK17A80W,S4X(S TOSHIBA 3934650.pdf Description: TOSHIBA - TK17A80W,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.25 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+368.95 грн
10+356.14 грн
100+237.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK1K2A60F,S4X(S TK1K2A60F,S4X(S TOSHIBA 3934655.pdf Description: TOSHIBA - TK1K2A60F,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 1 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+135.25 грн
10+97.64 грн
100+59.86 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A80E,S4X(S TK5A80E,S4X(S TOSHIBA 3934732.pdf Description: TOSHIBA - TK5A80E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 1.9 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.9ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+168.87 грн
10+165.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A60W,S4VX(M TK6A60W,S4VX(M TOSHIBA 3934746.pdf Description: TOSHIBA - TK6A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.2 A, 0.68 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.68ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+164.87 грн
10+110.44 грн
100+101.64 грн
500+70.08 грн
1000+59.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TK39A60W,S4VX(M TK39A60W,S4VX(M TOSHIBA TOSCS48803-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TOSHIBA - TK39A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.055 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+776.31 грн
5+642.66 грн
10+508.20 грн
50+421.37 грн
100+341.62 грн
250+334.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A90E,S4X(S TK3A90E,S4X(S TOSHIBA 3934706.pdf Description: TOSHIBA - TK3A90E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2.5 A, 3.7 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+153.66 грн
11+77.31 грн
100+71.55 грн
500+49.12 грн
1000+38.48 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK31A60W,S4VX(M TK31A60W,S4VX(M TOSHIBA 3934687.pdf Description: TOSHIBA - TK31A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.073 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+633.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK6R8A08QM,S4X(S TK6R8A08QM,S4X(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK6R8A08QM,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 58 A, 5300 µohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+136.05 грн
12+68.11 грн
100+65.87 грн
500+39.24 грн
1000+32.45 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK16A60W,S4VX(M TK16A60W,S4VX(M TOSHIBA 3934646.pdf Description: TOSHIBA - TK16A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.16 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+272.11 грн
10+139.26 грн
100+132.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A25DA,S4X(M TK8A25DA,S4X(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK8A25DA,S4X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 7.5 A, 0.41 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+80.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TK5R3A06PL,S4X(S TK5R3A06PL,S4X(S TOSHIBA 3934738.pdf Description: TOSHIBA - TK5R3A06PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 62 A, 4100 µohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+111.24 грн
17+48.26 грн
100+45.70 грн
500+40.13 грн
1000+34.85 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TK10A60W,S4VX(M TK10A60W,S4VX(M TOSHIBA 3934616.pdf Description: TOSHIBA - TK10A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.327 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.327ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+144.06 грн
10+104.84 грн
100+103.24 грн
500+92.15 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK15A20D,S4X(S TK15A20D,S4X(S TOSHIBA 3934645.pdf Description: TOSHIBA - TK15A20D,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 15 A, 0.12 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+96.84 грн
11+74.35 грн
100+54.90 грн
500+44.29 грн
1000+35.74 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TK290A65Y,S4X(S TK290A65Y,S4X(S TOSHIBA 3934681.pdf Description: TOSHIBA - TK290A65Y,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11.5 A, 0.23 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+176.07 грн
10+104.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TK10A80E,S4X(S TK10A80E,S4X(S TOSHIBA 3934618.pdf Description: TOSHIBA - TK10A80E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10 A, 0.7 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+244.90 грн
10+235.29 грн
100+137.66 грн
500+94.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2310(TPL,E(T TLP2310(TPL,E(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - TLP2310(TPL,E(T - Optokoppler, 1 Kanal, 3.75 kV, 5 Mbps, SOP, 5 Pin(s)
tariffCode: 85414090
productTraceability: No
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOP
rohsPhthalatesCompliant: YES
Übertragungsrate: 5Mbps
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+76.43 грн
15+56.10 грн
25+54.50 грн
50+49.12 грн
100+41.50 грн
500+37.39 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2310(TPL,E(T TLP2310(TPL,E(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - TLP2310(TPL,E(T - Optokoppler, 1 Kanal, 3.75 kV, 5 Mbps, SOP, 5 Pin(s)
tariffCode: 85414090
productTraceability: No
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOP
rohsPhthalatesCompliant: YES
Übertragungsrate: 5Mbps
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.50 грн
500+37.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TRS12V65H,LQ(S TRS12V65H,LQ(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TRS12V65H,LQ(S - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Anode, 650 V, 30 A, 33 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 33nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Anode
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+188.08 грн
500+167.21 грн
1000+153.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J505NU,LF(T SSM6J505NU,LF(T TOSHIBA 3622445.pdf Description: TOSHIBA - SSM6J505NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 A, 0.009 ohm, UDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.25W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: UDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 9200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.73 грн
500+21.03 грн
1000+15.16 грн
3000+13.93 грн
6000+12.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J505NU,LF(T SSM6J505NU,LF(T TOSHIBA 3622445.pdf Description: TOSHIBA - SSM6J505NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 A, 0.009 ohm, UDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.25W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: UDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 9200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+48.50 грн
20+42.02 грн
100+28.73 грн
500+21.03 грн
1000+15.16 грн
3000+13.93 грн
6000+12.97 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
TK13P25D,RQ(S TK13P25D,RQ(S TOSHIBA 3934635.pdf Description: TOSHIBA - TK13P25D,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 13 A, 0.19 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 1447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+42.50 грн
500+33.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLP183(TPL,E(T TLP183(TPL,E(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - TLP183(TPL,E(T - Optokoppler, 1 Kanal, SMD, 4 Pin(s), 50 mA, 3.75 kV, 50 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 50%
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Bauform - Optokoppler: SMD
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TLP183 Series
productTraceability: No
SVHC: To Be Advised
на замовлення 135515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+40.02 грн
500+31.21 грн
1500+25.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK20N60W,S1VF(S TK20N60W,S1VF(S TOSHIBA 3934661.pdf Description: TOSHIBA - TK20N60W,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.13 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+563.43 грн
10+547.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK20V60W,LVQ(S TK20V60W,LVQ(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK20V60W,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.136 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.136ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.136ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+125.65 грн
500+107.76 грн
1000+93.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK20N60W5,S1VF(S TK20N60W5,S1VF(S TOSHIBA 3934662.pdf Description: TOSHIBA - TK20N60W5,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.15 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+400.96 грн
10+385.75 грн
100+266.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK20V60W5,LVQ(S TK20V60W5,LVQ(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK20V60W5,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.156 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.156ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+242.50 грн
10+186.47 грн
100+135.25 грн
500+115.93 грн
1000+96.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK20V60W5,LVQ(S TK20V60W5,LVQ(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK20V60W5,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.156 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.156ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.156ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+135.25 грн
500+115.93 грн
1000+96.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CRS05 CRS05 TOSHIBA 3732135.pdf Description: TOSHIBA - CRS05 - Schottky-Gleichrichterdiode, Miniatur, 30 V, 1 A, Einfach, 3-2A1A, 2 Pin(s), 450 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: 3-2A1A
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: NO
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 450mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: CRS05
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.93 грн
500+12.26 грн
1000+6.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2719(TP,E(O TLP2719(TP,E(O TOSHIBA 3622555.pdf Description: TOSHIBA - TLP2719(TP,E(O - Optokoppler, 1 Kanal, 5 kV, 1 Mbps, SOP, 6 Pin(s)
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 5kV
euEccn: NLR
Bauform - Optokoppler: SOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Übertragungsrate: 1Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: To Be Advised
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCKE805NL,RF(S 3999375.pdf
TCKE805NL,RF(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TCKE805NL,RF(S - Hot-Swap-Controller, elektronische Sicherung, 4.4V bis 18V Versorgung, 1 Kanal, WSON-10, -40-85°C
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Elektronische Sicherung
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.4V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Leistungsschalter: MOSFET
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+69.86 грн
250+61.33 грн
500+57.76 грн
1000+54.47 грн
2500+53.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3LM33A,RF(T 3985392.pdf
TCR3LM33A,RF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TCR3LM33A,RF(T - LDO-Spannungsregler, fest, 1.4V bis 5.5Vin, 3.3V/300mAout, DFN-D-EP-4, 85°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: DFN-D-EP
Nennausgangsspannung: 3.3V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.4V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 200mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 177mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 177mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+12.32 грн
500+10.11 грн
1000+8.37 грн
5000+7.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TCKE805NL,RF(S 3999375.pdf
TCKE805NL,RF(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TCKE805NL,RF(S - Hot-Swap-Controller, elektronische Sicherung, 4.4V bis 18V Versorgung, 1 Kanal, WSON-10, -40-85°C
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Elektronische Sicherung
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.4V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Leistungsschalter: MOSFET
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+116.85 грн
10+92.04 грн
50+84.03 грн
100+69.86 грн
250+61.33 грн
500+57.76 грн
1000+54.47 грн
2500+53.30 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3LM08A,RF(T 3985392.pdf
TCR3LM08A,RF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TCR3LM08A,RF(T - LDO-Spannungsregler, fest, 1.4V bis 5.5Vin, 800mV/300mAout, DFN-D-EP-4, 85°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: DFN-D-EP
Nennausgangsspannung: 800mV
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.4V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 800mV 200mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 800mV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+10.88 грн
500+8.62 грн
1000+7.34 грн
5000+6.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3LM08A,RF(T
TCR3LM08A,RF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TCR3LM08A,RF(T - LDO-Spannungsregler, fest, 1.4V bis 5.5Vin, 800mV/300mAout, DFN-D-EP-4, 85°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: DFN-D-EP
Nennausgangsspannung: 800mV
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.4V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 800mV 200mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 800mV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
57+14.25 грн
73+11.04 грн
100+10.88 грн
500+8.62 грн
1000+7.34 грн
5000+6.86 грн
Мінімальне замовлення: 57
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3LM33A,RF(T 3985392.pdf
TCR3LM33A,RF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TCR3LM33A,RF(T - LDO-Spannungsregler, fest, 1.4V bis 5.5Vin, 3.3V/300mAout, DFN-D-EP-4, 85°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: DFN-D-EP
Nennausgangsspannung: 3.3V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.4V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 200mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 177mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 177mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
28+28.81 грн
46+17.69 грн
100+12.32 грн
500+10.11 грн
1000+8.37 грн
5000+7.34 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
TK750A60F,S4X(S 3934757.pdf
TK750A60F,S4X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK750A60F,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.62 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+188.88 грн
11+78.03 грн
100+74.59 грн
500+56.85 грн
1000+48.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TK8R2A06PL,S4X(S
TK8R2A06PL,S4X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK8R2A06PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 6100 µohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+134.45 грн
13+64.43 грн
100+57.46 грн
500+42.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK7R4A10PL,S4X(S 3934770.pdf
TK7R4A10PL,S4X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK7R4A10PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 6300 µohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+147.26 грн
10+82.43 грн
100+73.47 грн
500+55.14 грн
1000+43.29 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK4R1A10PL,S4X(S 3934725.pdf
TK4R1A10PL,S4X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK4R1A10PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 0.0035 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+209.68 грн
10+166.47 грн
100+122.45 грн
500+82.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK090A65Z,S4X(S TOSC-S-A0007062413-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TK090A65Z,S4X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK090A65Z,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+391.36 грн
10+219.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK4A80E,S4X(S 3934723.pdf
TK4A80E,S4X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK4A80E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 2.8 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+133.65 грн
10+87.23 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A60Y,S4X(S TOSC-S-A0002811081-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TK380A60Y,S4X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK380A60Y,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+143.26 грн
10+104.84 грн
100+94.44 грн
500+74.32 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R1A04PL,S4X(S 3934708.pdf
TK3R1A04PL,S4X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK3R1A04PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 82 A, 0.0025 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+155.26 грн
10+92.04 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A60W,S4VX(M
TK8A60W,S4VX(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK8A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.42 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.42ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+250.50 грн
10+126.45 грн
100+114.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK100A06N1,S4X(S 3934610.pdf
TK100A06N1,S4X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK100A06N1,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 263 A, 0.0022 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 263A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+260.10 грн
10+136.85 грн
100+110.44 грн
500+86.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK7A80W,S4X(S 3934761.pdf
TK7A80W,S4X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK7A80W,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6.5 A, 0.795 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.795ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+218.49 грн
10+209.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK110A10PL,S4X(S 3934622.pdf
TK110A10PL,S4X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK110A10PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 41 A, 0.0091 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+140.86 грн
13+65.31 грн
100+60.34 грн
500+49.87 грн
1000+34.64 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK430A60F,S4X(S 3934719.pdf
TK430A60F,S4X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK430A60F,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.36 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+204.08 грн
10+160.06 грн
100+108.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK100A10N1,S4X(S 3934612.pdf
TK100A10N1,S4X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK100A10N1,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 207 A, 0.0031 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 207A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+344.94 грн
10+208.88 грн
100+170.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A65Y,S4X(S 3934699.pdf
TK380A65Y,S4X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK380A65Y,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+208.88 грн
10+111.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK2R4A08QM,S4X(S 3934684.pdf
TK2R4A08QM,S4X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK2R4A08QM,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 0.00188 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 116A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00188ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+248.90 грн
10+231.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A90E,S4X(S 3934733.pdf
TK5A90E,S4X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK5A90E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 4.5 A, 2.5 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+153.66 грн
10+115.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A80E,S4X(S 3934749.pdf
TK6A80E,S4X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK6A80E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 1.35 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+201.68 грн
10+195.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK16A60W5,S4VX(M 3934647.pdf
TK16A60W5,S4VX(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK16A60W5,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.18 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+275.31 грн
10+144.86 грн
100+123.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK2K2A60F,S4X(S 3934683.pdf
TK2K2A60F,S4X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK2K2A60F,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.5 A, 1.82 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.82ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+101.64 грн
10+99.24 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A80W,S4X(S 3934631.pdf
TK12A80W,S4X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK12A80W,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11.5 A, 0.38 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+303.32 грн
10+238.50 грн
100+137.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK5R1A08QM,S4X(S
TK5R1A08QM,S4X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK5R1A08QM,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 71 A, 4100 µohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+160.86 грн
10+82.43 грн
100+64.83 грн
500+46.30 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TK10A80W,S4X(S 3934619.pdf
TK10A80W,S4X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK10A80W,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 9.5 A, 0.46 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+268.91 грн
10+200.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK1K0A60F,S4X(S 3934654.pdf
TK1K0A60F,S4X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK1K0A60F,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7.5 A, 0.83 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.83ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+105.64 грн
16+52.58 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R2A10PL,S4X(S 3934712.pdf
TK3R2A10PL,S4X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK3R2A10PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 106 A, 0.0026 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+219.29 грн
10+119.25 грн
100+108.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK17A80W,S4X(S 3934650.pdf
TK17A80W,S4X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK17A80W,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.25 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+368.95 грн
10+356.14 грн
100+237.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK1K2A60F,S4X(S 3934655.pdf
TK1K2A60F,S4X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK1K2A60F,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 1 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+135.25 грн
10+97.64 грн
100+59.86 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A80E,S4X(S 3934732.pdf
TK5A80E,S4X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK5A80E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 1.9 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.9ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+168.87 грн
10+165.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A60W,S4VX(M 3934746.pdf
TK6A60W,S4VX(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK6A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.2 A, 0.68 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.68ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+164.87 грн
10+110.44 грн
100+101.64 грн
500+70.08 грн
1000+59.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TK39A60W,S4VX(M TOSCS48803-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TK39A60W,S4VX(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK39A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.055 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+776.31 грн
5+642.66 грн
10+508.20 грн
50+421.37 грн
100+341.62 грн
250+334.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK3A90E,S4X(S 3934706.pdf
TK3A90E,S4X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK3A90E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2.5 A, 3.7 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+153.66 грн
11+77.31 грн
100+71.55 грн
500+49.12 грн
1000+38.48 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK31A60W,S4VX(M 3934687.pdf
TK31A60W,S4VX(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK31A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.073 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+633.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK6R8A08QM,S4X(S
TK6R8A08QM,S4X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK6R8A08QM,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 58 A, 5300 µohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+136.05 грн
12+68.11 грн
100+65.87 грн
500+39.24 грн
1000+32.45 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK16A60W,S4VX(M 3934646.pdf
TK16A60W,S4VX(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK16A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.16 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+272.11 грн
10+139.26 грн
100+132.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A25DA,S4X(M
TK8A25DA,S4X(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK8A25DA,S4X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 7.5 A, 0.41 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+80.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TK5R3A06PL,S4X(S 3934738.pdf
TK5R3A06PL,S4X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK5R3A06PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 62 A, 4100 µohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+111.24 грн
17+48.26 грн
100+45.70 грн
500+40.13 грн
1000+34.85 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TK10A60W,S4VX(M 3934616.pdf
TK10A60W,S4VX(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK10A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.327 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.327ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+144.06 грн
10+104.84 грн
100+103.24 грн
500+92.15 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK15A20D,S4X(S 3934645.pdf
TK15A20D,S4X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK15A20D,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 15 A, 0.12 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+96.84 грн
11+74.35 грн
100+54.90 грн
500+44.29 грн
1000+35.74 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TK290A65Y,S4X(S 3934681.pdf
TK290A65Y,S4X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK290A65Y,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11.5 A, 0.23 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+176.07 грн
10+104.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TK10A80E,S4X(S 3934618.pdf
TK10A80E,S4X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK10A80E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10 A, 0.7 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+244.90 грн
10+235.29 грн
100+137.66 грн
500+94.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2310(TPL,E(T
TLP2310(TPL,E(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLP2310(TPL,E(T - Optokoppler, 1 Kanal, 3.75 kV, 5 Mbps, SOP, 5 Pin(s)
tariffCode: 85414090
productTraceability: No
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOP
rohsPhthalatesCompliant: YES
Übertragungsrate: 5Mbps
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+76.43 грн
15+56.10 грн
25+54.50 грн
50+49.12 грн
100+41.50 грн
500+37.39 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2310(TPL,E(T
TLP2310(TPL,E(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLP2310(TPL,E(T - Optokoppler, 1 Kanal, 3.75 kV, 5 Mbps, SOP, 5 Pin(s)
tariffCode: 85414090
productTraceability: No
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOP
rohsPhthalatesCompliant: YES
Übertragungsrate: 5Mbps
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+41.50 грн
500+37.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TRS12V65H,LQ(S
TRS12V65H,LQ(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TRS12V65H,LQ(S - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Anode, 650 V, 30 A, 33 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 33nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Anode
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+188.08 грн
500+167.21 грн
1000+153.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J505NU,LF(T 3622445.pdf
SSM6J505NU,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6J505NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 A, 0.009 ohm, UDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.25W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: UDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 9200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+28.73 грн
500+21.03 грн
1000+15.16 грн
3000+13.93 грн
6000+12.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J505NU,LF(T 3622445.pdf
SSM6J505NU,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6J505NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 A, 0.009 ohm, UDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.25W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: UDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 9200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+48.50 грн
20+42.02 грн
100+28.73 грн
500+21.03 грн
1000+15.16 грн
3000+13.93 грн
6000+12.97 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
TK13P25D,RQ(S 3934635.pdf
TK13P25D,RQ(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK13P25D,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 13 A, 0.19 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 1447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+42.50 грн
500+33.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLP183(TPL,E(T
TLP183(TPL,E(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLP183(TPL,E(T - Optokoppler, 1 Kanal, SMD, 4 Pin(s), 50 mA, 3.75 kV, 50 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 50%
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Bauform - Optokoppler: SMD
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TLP183 Series
productTraceability: No
SVHC: To Be Advised
на замовлення 135515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+40.02 грн
500+31.21 грн
1500+25.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK20N60W,S1VF(S 3934661.pdf
TK20N60W,S1VF(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK20N60W,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.13 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+563.43 грн
10+547.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK20V60W,LVQ(S
TK20V60W,LVQ(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK20V60W,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.136 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.136ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.136ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+125.65 грн
500+107.76 грн
1000+93.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK20N60W5,S1VF(S 3934662.pdf
TK20N60W5,S1VF(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK20N60W5,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.15 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+400.96 грн
10+385.75 грн
100+266.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK20V60W5,LVQ(S
TK20V60W5,LVQ(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK20V60W5,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.156 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.156ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+242.50 грн
10+186.47 грн
100+135.25 грн
500+115.93 грн
1000+96.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK20V60W5,LVQ(S
TK20V60W5,LVQ(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK20V60W5,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.156 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.156ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.156ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+135.25 грн
500+115.93 грн
1000+96.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CRS05 3732135.pdf
CRS05
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - CRS05 - Schottky-Gleichrichterdiode, Miniatur, 30 V, 1 A, Einfach, 3-2A1A, 2 Pin(s), 450 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: 3-2A1A
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: NO
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 450mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: CRS05
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+15.93 грн
500+12.26 грн
1000+6.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2719(TP,E(O 3622555.pdf
TLP2719(TP,E(O
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TLP2719(TP,E(O - Optokoppler, 1 Kanal, 5 kV, 1 Mbps, SOP, 6 Pin(s)
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 5kV
euEccn: NLR
Bauform - Optokoppler: SOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Übertragungsrate: 1Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: To Be Advised
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 76 152 228 304 380 456 532 608 684 714 715 716 717 718 719 720 721 722 723 724 760 762  [ Наступна Сторінка >> ]