Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11099) > Сторінка 47 з 185

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 54 72 90 108 126 144 162 180 185  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7483ADP-T1-GE3 SI7483ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix 73025.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 14A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7485DP-T1-GE3 SI7485DP-T1-GE3 Vishay Siliconix 72275.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 12.5A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7489DP-T1-GE3 SI7489DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7489dp.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V
на замовлення 11417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+266.00 грн
10+167.05 грн
100+116.22 грн
500+88.68 грн
1000+82.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7501DN-T1-GE3 SI7501DN-T1-GE3 Vishay Siliconix 72173.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A, 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 7.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7540DP-T1-GE3 SI7540DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7540dp.pdf Description: MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7818DN-T1-GE3 SI7818DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7818dn.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
на замовлення 5709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.61 грн
10+94.90 грн
100+73.84 грн
500+58.73 грн
1000+47.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7820DN-T1-GE3 SI7820DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7820dn.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 1.7A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
на замовлення 11681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.31 грн
10+107.55 грн
100+73.19 грн
500+54.86 грн
1000+50.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7842DP-T1-GE3 SI7842DP-T1-GE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7844DP-T1-GE3 SI7844DP-T1-GE3 Vishay Siliconix 71328.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7858ADP-T1-GE3 SI7858ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix 73164.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8
на замовлення 2959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+241.22 грн
10+208.58 грн
100+167.63 грн
500+129.25 грн
1000+110.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7892BDP-T1-GE3 SI7892BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7892bd.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3775 pF @ 15 V
на замовлення 1251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+162.74 грн
10+106.60 грн
100+76.04 грн
500+58.65 грн
1000+54.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7898DP-T1-GE3 SI7898DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7898dp.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
на замовлення 11189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.22 грн
10+131.81 грн
100+91.06 грн
500+71.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7922DN-T1-GE3 SI7922DN-T1-GE3 Vishay Siliconix 72031.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.8A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 42035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.87 грн
10+102.62 грн
100+81.70 грн
500+64.87 грн
1000+55.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7942DP-T1-GE3 SI7942DP-T1-GE3 Vishay Siliconix 72118.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8
на замовлення 4991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7945DP-T1-GE3 SI7945DP-T1-GE3 Vishay Siliconix 72090.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 7A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7958DP-T1-GE3 SI7958DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7958dp.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7960DP-T1-GE3 SI7960DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7960dp.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA411DJ-T1-GE3 SIA411DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia411dj.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA914DJ-T1-GE3 SIA914DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia914dj.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1065X-T1-GE3 SI1065X-T1-GE3 Vishay Siliconix si1065x.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 1.18A SC89-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4378DY-T1-GE3 SI4378DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4378dy.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC
на замовлення 6620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5435BDC-T1-GE3 SI5435BDC-T1-GE3 Vishay Siliconix 73137.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 4.3A 1206-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5447DC-T1-GE3 SI5447DC-T1-GE3 Vishay Siliconix 71256.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A 1206-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6433BDQ-T1-GE3 SI6433BDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 72511.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 4A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6459BDQ-T1-GE3 SI6459BDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 72518.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 2.2A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6463BDQ-T1-GE3 SI6463BDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 72018.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7107DN-T1-GE3 SI7107DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7107dn.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7114DN-T1-GE3 SI7114DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7114dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7366DP-T1-GE3 SI7366DP-T1-GE3 Vishay Siliconix 72296.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7958DP-T1-GE3 SI7958DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7958dp.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA411DJ-T1-GE3 SIA411DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia411dj.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA914DJ-T1-GE3 SIA914DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia914dj.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUB75P03-07-E3 SUB75P03-07-E3 Vishay Siliconix supsub75.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 75A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP18N50C-E3 SIHP18N50C-E3 Vishay Siliconix sihp18n5.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 223W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2942 pF @ 25 V
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+251.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG20N50C-E3 SIHG20N50C-E3 Vishay Siliconix sihg20n5.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2942 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP22N60S-E3 SIHP22N60S-E3 Vishay Siliconix sihp22n60s.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG22N60S-E3 SIHG22N60S-E3 Vishay Siliconix sihg22n60s.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5620 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG2522DN-T1-E4 DG2522DN-T1-E4 Vishay Siliconix Description: IC SWITCH SP3TX1 1.1OHM 8MINIQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1.1Ohm
-3db Bandwidth: 105MHz
Supplier Device Package: 8-miniQFN (1.4x1.4)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.6V ~ 5.5V
Charge Injection: 27pC
Crosstalk: -64dB @ 1MHz
Switch Circuit: SP3T
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 3:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 100mOhm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 75ns, 60ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 51pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 20nA
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG2706DN-T1-E4 DG2706DN-T1-E4 Vishay Siliconix dg2706.pdf Description: IC SWITCH QUAD SPDT 16-MINIQFN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DG2714DL-T1-E3 DG2714DL-T1-E3 Vishay Siliconix dg2714.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 1 1.2OHM SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1.2Ohm
Supplier Device Package: SC-70-6
Voltage - Supply, Single (V+): 1.5V ~ 3.6V
Charge Injection: 9pC
Crosstalk: -64dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 60mOhm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 51ns, 33ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 30pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG2720DN-T1-E4 DG2720DN-T1-E4 Vishay Siliconix dg2720.pdf Description: IC SWITCH DPDT USB2.0 10-MINIQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG2722DN-T1-E4 DG2722DN-T1-E4 Vishay Siliconix dg2722.pdf Description: IC SWITCH DPDT USB2.0 10-MINIQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG2735DN-T1-E4 DG2735DN-T1-E4 Vishay Siliconix dg2735.pdf Description: IC SWITCH 2XSPDT 500MOHM MINIQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG2737DN-T1-E4 DG2737DN-T1-E4 Vishay Siliconix DG2737-39.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 1 8OHM 8MINIQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 8Ohm
-3db Bandwidth: 720MHz
Supplier Device Package: 8-miniQFN (1.4x1.4)
Voltage - Supply, Single (V+): 2.3V ~ 4.3V
Charge Injection: 10.4pC
Crosstalk: -109dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 100mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 4.4pF, 3.8pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG2738DN-T1-E4 DG2738DN-T1-E4 Vishay Siliconix DG2737-39.pdf Description: IC SW SPST-NCX2 8OHM 8MINIQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 8Ohm
-3db Bandwidth: 720MHz
Supplier Device Package: 8-miniQFN (1.4x1.4)
Voltage - Supply, Single (V+): 2.3V ~ 4.3V
Charge Injection: 10.4pC
Crosstalk: -109dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 100mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 4.4pF, 3.8pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Number of Circuits: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG2739DN-T1-E4 DG2739DN-T1-E4 Vishay Siliconix DG2737-39.pdf Description: IC SW SPST-NO/NCX2 8OHM 8MINIQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 8Ohm
-3db Bandwidth: 720MHz
Supplier Device Package: 8-miniQFN (1.4x1.4)
Voltage - Supply, Single (V+): 2.3V ~ 4.3V
Charge Injection: 10.4pC
Crosstalk: -109dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO/NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 100mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 4.4pF, 3.8pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Number of Circuits: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG2788DN-T1-E4 DG2788DN-T1-E4 Vishay Siliconix dg2788.pdf Description: IC SW DPDTX2 500MOHM 16MINIQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-WFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 500mOhm
Supplier Device Package: 16-miniQFN (1.8x2.6)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 4.3V
Charge Injection: 87pC
Crosstalk: -96dB @ 1MHz
Switch Circuit: DPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:2
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 50mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 72ns, 43ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 81pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Number of Circuits: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG3157ADN-T1-E4 DG3157ADN-T1-E4 Vishay Siliconix dg3157a.pdf Description: IC SWITCH SPDTX1 15OHM 6MINIQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 15Ohm
-3db Bandwidth: 300MHz
Supplier Device Package: 6-miniQFN (1x1.2)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Charge Injection: 7pC
Crosstalk: -64dB @ 10MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 800mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 25ns, 21ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 7pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1µA
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG3157BDN-T1-E4 DG3157BDN-T1-E4 Vishay Siliconix dg3157a.pdf Description: IC SWITCH SPDTX1 15OHM 6MINIQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 15Ohm
-3db Bandwidth: 300MHz
Supplier Device Package: 6-miniQFN (1x1.2)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Charge Injection: 7pC
Crosstalk: -64dB @ 10MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 800mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 25ns, 21ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 7pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1µA
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG3516DB-T5-E1 Vishay Siliconix Description: IC SW SPDTX2 2.9OHM 10MICRO FOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-WFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 2.9Ohm
-3db Bandwidth: 300MHz
Supplier Device Package: 10-Micro Foot® (2x1.5)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: 1pC
Crosstalk: -78dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 250mOhm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 45ns, 42ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 12pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 2nA
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG4051AEN-T1-E4 DG4051AEN-T1-E4 Vishay Siliconix Description: IC MUX 8:1 100OHM 16MINIQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-WFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 100Ohm
-3db Bandwidth: 330MHz
Supplier Device Package: 16-miniQFN (1.8x2.6)
Voltage - Supply, Single (V+): 2.7V ~ 12V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±2.5V ~ 5V
Charge Injection: 0.25pC
Crosstalk: -67dB @ 10MHz
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 8:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 3Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 108ns, 92ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3pF, 12pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG4052AEN-T1-E4 DG4052AEN-T1-E4 Vishay Siliconix dg4051a.pdf Description: IC SW SP4TX2 100OHM 16MINIQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-WFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 100Ohm
-3db Bandwidth: 450MHz
Supplier Device Package: 16-miniQFN (1.8x2.6)
Voltage - Supply, Single (V+): 2.7V ~ 12V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±2.5V ~ 5V
Charge Injection: 0.25pC
Crosstalk: -67dB @ 10MHz
Switch Circuit: SP4T
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 4:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 3Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 108ns, 92ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3pF, 7pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Number of Circuits: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG4053AEN-T1-E4 DG4053AEN-T1-E4 Vishay Siliconix dg4051a.pdf Description: IC MUX TRIPLE 2CHAN 16-MINIQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG411DJ-E3 DG411DJ-E3 Vishay Siliconix dg411-extractor.pdf Description: IC SWITCH SPST-NCX4 35OHM 16DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 35Ohm
Supplier Device Package: 16-PDIP
Voltage - Supply, Single (V+): 5V ~ 44V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±5V ~ 20V
Charge Injection: 5pC
Crosstalk: -85dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 175ns, 145ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 9pF, 9pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 250pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+307.31 грн
10+224.33 грн
25+206.38 грн
100+175.25 грн
250+166.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG411DY-E3 DG411DY-E3 Vishay Siliconix dg411-extractor.pdf Description: IC SWITCH SPST-NCX4 35OHM 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 35Ohm
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 5V ~ 44V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±5V ~ 20V
Charge Injection: 5pC
Crosstalk: -85dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 175ns, 145ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 9pF, 9pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 250pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 1249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+230.48 грн
10+166.10 грн
50+144.02 грн
100+128.71 грн
250+121.92 грн
500+117.82 грн
1000+112.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG411DY-T1 DG411DY-T1 Vishay Siliconix DG411-413.pdf Description: IC SWITCH SPST-NCX4 35OHM 16SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 35Ohm
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 5V ~ 44V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±5V ~ 20V
Charge Injection: 5pC
Crosstalk: -85dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 175ns, 145ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 9pF, 9pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 250pA
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG411HSDJ-E3 DG411HSDJ-E3 Vishay Siliconix dg411hs.pdf Description: IC SWITCH SPST-NCX4 35OHM 16DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 35Ohm
Supplier Device Package: 16-PDIP
Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 44V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±5V ~ 20V
Charge Injection: 22pC
Crosstalk: -88dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 105ns, 80ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 12pF, 12pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 250pA
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG411HSDN-T1-E4 DG411HSDN-T1-E4 Vishay Siliconix dg411hs.pdf Description: IC SWITCH SPST-NCX4 35OHM 16QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 35Ohm
Supplier Device Package: 16-QFN (4x4)
Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 44V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±5V ~ 20V
Charge Injection: 22pC
Crosstalk: -88dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 105ns, 80ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 12pF, 12pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 250pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+167.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DG411HSDY-E3 DG411HSDY-E3 Vishay Siliconix dg411hs.pdf Description: IC SWITCH SPST-NCX4 35OHM 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 35Ohm
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 44V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±5V ~ 20V
Charge Injection: 22pC
Crosstalk: -88dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 105ns, 80ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 12pF, 12pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 250pA
Number of Circuits: 4
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+275.91 грн
10+200.94 грн
25+184.62 грн
100+156.48 грн
250+148.48 грн
500+143.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG411HSDY-T1 DG411HSDY-T1 Vishay Siliconix DG411-413HS.pdf Description: IC SWITCH SPST-NCX4 35OHM 16SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 35Ohm
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 44V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±5V ~ 20V
Charge Injection: 22pC
Crosstalk: -88dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 105ns, 80ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 12pF, 12pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 250pA
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7483ADP-T1-GE3 73025.pdf
SI7483ADP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 14A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7485DP-T1-GE3 72275.pdf
SI7485DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 12.5A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7489DP-T1-GE3 si7489dp.pdf
SI7489DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V
на замовлення 11417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+266.00 грн
10+167.05 грн
100+116.22 грн
500+88.68 грн
1000+82.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7501DN-T1-GE3 72173.pdf
SI7501DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A, 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 7.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7540DP-T1-GE3 si7540dp.pdf
SI7540DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7818DN-T1-GE3 si7818dn.pdf
SI7818DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
на замовлення 5709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.61 грн
10+94.90 грн
100+73.84 грн
500+58.73 грн
1000+47.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7820DN-T1-GE3 si7820dn.pdf
SI7820DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 1.7A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
на замовлення 11681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+174.31 грн
10+107.55 грн
100+73.19 грн
500+54.86 грн
1000+50.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7842DP-T1-GE3
SI7842DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7844DP-T1-GE3 71328.pdf
SI7844DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7858ADP-T1-GE3 73164.pdf
SI7858ADP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8
на замовлення 2959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+241.22 грн
10+208.58 грн
100+167.63 грн
500+129.25 грн
1000+110.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7892BDP-T1-GE3 si7892bd.pdf
SI7892BDP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3775 pF @ 15 V
на замовлення 1251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+162.74 грн
10+106.60 грн
100+76.04 грн
500+58.65 грн
1000+54.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7898DP-T1-GE3 si7898dp.pdf
SI7898DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
на замовлення 11189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+184.22 грн
10+131.81 грн
100+91.06 грн
500+71.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7922DN-T1-GE3 72031.pdf
SI7922DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.8A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 42035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.87 грн
10+102.62 грн
100+81.70 грн
500+64.87 грн
1000+55.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7942DP-T1-GE3 72118.pdf
SI7942DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8
на замовлення 4991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7945DP-T1-GE3 72090.pdf
SI7945DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 7A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7958DP-T1-GE3 si7958dp.pdf
SI7958DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7960DP-T1-GE3 si7960dp.pdf
SI7960DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA411DJ-T1-GE3 sia411dj.pdf
SIA411DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA914DJ-T1-GE3 sia914dj.pdf
SIA914DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1065X-T1-GE3 si1065x.pdf
SI1065X-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 1.18A SC89-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4378DY-T1-GE3 si4378dy.pdf
SI4378DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC
на замовлення 6620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5435BDC-T1-GE3 73137.pdf
SI5435BDC-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 4.3A 1206-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5447DC-T1-GE3 71256.pdf
SI5447DC-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A 1206-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6433BDQ-T1-GE3 72511.pdf
SI6433BDQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 4A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6459BDQ-T1-GE3 72518.pdf
SI6459BDQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 2.2A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6463BDQ-T1-GE3 72018.pdf
SI6463BDQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7107DN-T1-GE3 si7107dn.pdf
SI7107DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7114DN-T1-GE3 si7114dn.pdf
SI7114DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7366DP-T1-GE3 72296.pdf
SI7366DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7958DP-T1-GE3 si7958dp.pdf
SI7958DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA411DJ-T1-GE3 sia411dj.pdf
SIA411DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA914DJ-T1-GE3 sia914dj.pdf
SIA914DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUB75P03-07-E3 supsub75.pdf
SUB75P03-07-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 75A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP18N50C-E3 sihp18n5.pdf
SIHP18N50C-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 223W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2942 pF @ 25 V
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+251.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG20N50C-E3 sihg20n5.pdf
SIHG20N50C-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2942 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP22N60S-E3 sihp22n60s.pdf
SIHP22N60S-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG22N60S-E3 sihg22n60s.pdf
SIHG22N60S-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5620 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG2522DN-T1-E4
DG2522DN-T1-E4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SP3TX1 1.1OHM 8MINIQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1.1Ohm
-3db Bandwidth: 105MHz
Supplier Device Package: 8-miniQFN (1.4x1.4)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.6V ~ 5.5V
Charge Injection: 27pC
Crosstalk: -64dB @ 1MHz
Switch Circuit: SP3T
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 3:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 100mOhm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 75ns, 60ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 51pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 20nA
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG2706DN-T1-E4 dg2706.pdf
DG2706DN-T1-E4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH QUAD SPDT 16-MINIQFN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DG2714DL-T1-E3 dg2714.pdf
DG2714DL-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 1 1.2OHM SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1.2Ohm
Supplier Device Package: SC-70-6
Voltage - Supply, Single (V+): 1.5V ~ 3.6V
Charge Injection: 9pC
Crosstalk: -64dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 60mOhm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 51ns, 33ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 30pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG2720DN-T1-E4 dg2720.pdf
DG2720DN-T1-E4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH DPDT USB2.0 10-MINIQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG2722DN-T1-E4 dg2722.pdf
DG2722DN-T1-E4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH DPDT USB2.0 10-MINIQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG2735DN-T1-E4 dg2735.pdf
DG2735DN-T1-E4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH 2XSPDT 500MOHM MINIQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG2737DN-T1-E4 DG2737-39.pdf
DG2737DN-T1-E4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 1 8OHM 8MINIQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 8Ohm
-3db Bandwidth: 720MHz
Supplier Device Package: 8-miniQFN (1.4x1.4)
Voltage - Supply, Single (V+): 2.3V ~ 4.3V
Charge Injection: 10.4pC
Crosstalk: -109dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 100mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 4.4pF, 3.8pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG2738DN-T1-E4 DG2737-39.pdf
DG2738DN-T1-E4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPST-NCX2 8OHM 8MINIQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 8Ohm
-3db Bandwidth: 720MHz
Supplier Device Package: 8-miniQFN (1.4x1.4)
Voltage - Supply, Single (V+): 2.3V ~ 4.3V
Charge Injection: 10.4pC
Crosstalk: -109dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 100mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 4.4pF, 3.8pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Number of Circuits: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG2739DN-T1-E4 DG2737-39.pdf
DG2739DN-T1-E4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPST-NO/NCX2 8OHM 8MINIQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 8Ohm
-3db Bandwidth: 720MHz
Supplier Device Package: 8-miniQFN (1.4x1.4)
Voltage - Supply, Single (V+): 2.3V ~ 4.3V
Charge Injection: 10.4pC
Crosstalk: -109dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO/NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 100mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 4.4pF, 3.8pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Number of Circuits: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG2788DN-T1-E4 dg2788.pdf
DG2788DN-T1-E4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW DPDTX2 500MOHM 16MINIQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-WFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 500mOhm
Supplier Device Package: 16-miniQFN (1.8x2.6)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 4.3V
Charge Injection: 87pC
Crosstalk: -96dB @ 1MHz
Switch Circuit: DPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:2
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 50mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 72ns, 43ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 81pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Number of Circuits: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG3157ADN-T1-E4 dg3157a.pdf
DG3157ADN-T1-E4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDTX1 15OHM 6MINIQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 15Ohm
-3db Bandwidth: 300MHz
Supplier Device Package: 6-miniQFN (1x1.2)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Charge Injection: 7pC
Crosstalk: -64dB @ 10MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 800mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 25ns, 21ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 7pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1µA
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG3157BDN-T1-E4 dg3157a.pdf
DG3157BDN-T1-E4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDTX1 15OHM 6MINIQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 15Ohm
-3db Bandwidth: 300MHz
Supplier Device Package: 6-miniQFN (1x1.2)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Charge Injection: 7pC
Crosstalk: -64dB @ 10MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 800mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 25ns, 21ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 7pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1µA
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG3516DB-T5-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPDTX2 2.9OHM 10MICRO FOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-WFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 2.9Ohm
-3db Bandwidth: 300MHz
Supplier Device Package: 10-Micro Foot® (2x1.5)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: 1pC
Crosstalk: -78dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 250mOhm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 45ns, 42ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 12pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 2nA
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG4051AEN-T1-E4
DG4051AEN-T1-E4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC MUX 8:1 100OHM 16MINIQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-WFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 100Ohm
-3db Bandwidth: 330MHz
Supplier Device Package: 16-miniQFN (1.8x2.6)
Voltage - Supply, Single (V+): 2.7V ~ 12V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±2.5V ~ 5V
Charge Injection: 0.25pC
Crosstalk: -67dB @ 10MHz
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 8:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 3Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 108ns, 92ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3pF, 12pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG4052AEN-T1-E4 dg4051a.pdf
DG4052AEN-T1-E4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SP4TX2 100OHM 16MINIQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-WFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 100Ohm
-3db Bandwidth: 450MHz
Supplier Device Package: 16-miniQFN (1.8x2.6)
Voltage - Supply, Single (V+): 2.7V ~ 12V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±2.5V ~ 5V
Charge Injection: 0.25pC
Crosstalk: -67dB @ 10MHz
Switch Circuit: SP4T
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 4:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 3Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 108ns, 92ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3pF, 7pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Number of Circuits: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG4053AEN-T1-E4 dg4051a.pdf
DG4053AEN-T1-E4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC MUX TRIPLE 2CHAN 16-MINIQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG411DJ-E3 dg411-extractor.pdf
DG411DJ-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST-NCX4 35OHM 16DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 35Ohm
Supplier Device Package: 16-PDIP
Voltage - Supply, Single (V+): 5V ~ 44V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±5V ~ 20V
Charge Injection: 5pC
Crosstalk: -85dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 175ns, 145ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 9pF, 9pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 250pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+307.31 грн
10+224.33 грн
25+206.38 грн
100+175.25 грн
250+166.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG411DY-E3 dg411-extractor.pdf
DG411DY-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST-NCX4 35OHM 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 35Ohm
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 5V ~ 44V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±5V ~ 20V
Charge Injection: 5pC
Crosstalk: -85dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 175ns, 145ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 9pF, 9pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 250pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 1249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+230.48 грн
10+166.10 грн
50+144.02 грн
100+128.71 грн
250+121.92 грн
500+117.82 грн
1000+112.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG411DY-T1 DG411-413.pdf
DG411DY-T1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST-NCX4 35OHM 16SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 35Ohm
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 5V ~ 44V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±5V ~ 20V
Charge Injection: 5pC
Crosstalk: -85dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 175ns, 145ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 9pF, 9pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 250pA
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG411HSDJ-E3 dg411hs.pdf
DG411HSDJ-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST-NCX4 35OHM 16DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 35Ohm
Supplier Device Package: 16-PDIP
Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 44V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±5V ~ 20V
Charge Injection: 22pC
Crosstalk: -88dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 105ns, 80ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 12pF, 12pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 250pA
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG411HSDN-T1-E4 dg411hs.pdf
DG411HSDN-T1-E4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST-NCX4 35OHM 16QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 35Ohm
Supplier Device Package: 16-QFN (4x4)
Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 44V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±5V ~ 20V
Charge Injection: 22pC
Crosstalk: -88dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 105ns, 80ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 12pF, 12pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 250pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+167.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DG411HSDY-E3 dg411hs.pdf
DG411HSDY-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST-NCX4 35OHM 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 35Ohm
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 44V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±5V ~ 20V
Charge Injection: 22pC
Crosstalk: -88dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 105ns, 80ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 12pF, 12pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 250pA
Number of Circuits: 4
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+275.91 грн
10+200.94 грн
25+184.62 грн
100+156.48 грн
250+148.48 грн
500+143.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG411HSDY-T1 DG411-413HS.pdf
DG411HSDY-T1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST-NCX4 35OHM 16SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 35Ohm
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 44V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±5V ~ 20V
Charge Injection: 22pC
Crosstalk: -88dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 105ns, 80ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 12pF, 12pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 250pA
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 54 72 90 108 126 144 162 180 185  [ Наступна Сторінка >> ]